BE1001155A4 - Pyrometre a immersion avec structure protectrice pour paroi laterale. - Google Patents

Pyrometre a immersion avec structure protectrice pour paroi laterale. Download PDF

Info

Publication number
BE1001155A4
BE1001155A4 BE8700244A BE8700244A BE1001155A4 BE 1001155 A4 BE1001155 A4 BE 1001155A4 BE 8700244 A BE8700244 A BE 8700244A BE 8700244 A BE8700244 A BE 8700244A BE 1001155 A4 BE1001155 A4 BE 1001155A4
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
layer
temperature measurement
layers
sheath
molybdenum
Prior art date
Application number
BE8700244A
Other languages
English (en)
Inventor
David C Greenspan
Original Assignee
Vesuvius Crucible Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vesuvius Crucible Co filed Critical Vesuvius Crucible Co
Application granted granted Critical
Publication of BE1001155A4 publication Critical patent/BE1001155A4/fr

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/12Protective devices, e.g. casings for preventing damage due to heat overloading
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/10Protective devices, e.g. casings for preventing chemical attack
    • G01K1/105Protective devices, e.g. casings for preventing chemical attack for siderurgical use

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

Appareil pour mesure de la température à utiliser dans la paroi latérale ou dans le fond d'un récipient destiné à contenir du métal fondu. Un élément de mesure de la température (38) est monté à l'intérieur d'une gaine (11) qui est munie de couches sacrifiées de zirconium et d'alumine fibreuse afin de protéger la gaine des conditions de pré-cuisson.

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  PYROMETRE A IMMERSION AVEC STRUCTURE PROTECTRICE
POUR PAROI LATERALE 
Fondement de l'invention
La présente invention concerne des pyrometres   ä   immersion et plus particulièrement des structures pour la protection des éléments de mesure de la température dans les pyromètres utilisés pour mesurer les températures des métaux fondus. 



   Plusieurs procédés industriels et scientifiques exigent la mesure et la régulation de températures extrêmement élevées. Par exemple, des mesures de la température des métaux fondus sont essentielles pour réaliser une regulation correcte des procédés dans l'industrie de la mise en oeuvre des métaux. Deux des instruments les plus communément utilisés pour determiner les températures des métaux fondus sont le   pyromè-   tre optique et le thermocouple lance à usage unique. 



  Cependant, chacun de ces dispositifs présente des   desa-   vantages. Le pyromètre optique n'est pas suffisamment précis et peut seulement mesurer la température superficielle du métal fondu. Le thermocouple lance   ä   usage unique est imprecis, ne permet pas une mesure continue de la température du métal fondu et son emploi implique quelques problèmes de sécurité pour l'utilisateur. 



   A cause des défauts du pyromètre optique et du thermocouple lance   ä   usage unique, des efforts considérables ont   hefe fournis   pour développer un pyrometre ä immersion qui possède une capacité de lecture continue de longue durée. Dans un type de pyromètre   ä   immersion, une jonction thermocouple est logée dans un tube consistant en un métal   ä   température de fusion 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 élevée qui est revêtu d'une céramique, telle que A1203 j ou un mélange de   A1203   et de Cr203 qui protège le tube métallique contre le milieu de métal fondu.

   Cependant,   ä   l'emploi, la couche ou les couches de céramique ont tendance à s'écailler et ä permettre au métal fondu d'entrer en contact avec le substrat métallique et de l'attaquer. Le tube métallique interne ne peut résister   ä   l'attaque des scories et/ou du métal fondu et, en meme temps que l'élément de mesure qui y est enfermé, il est rapidement détruit. L'élément de mesure, habituellement un thermocouple constitué d'un metal noble, 
 EMI2.2 
 est cher et il est souhaitable qu'il puisse être réuti- lisé plusieurs fois. Cependant, les structures qui ont été conçues pour protéger les thermocouples présentent une faible réponse thermique, les rendant substantiellement inefficaces dans de nombreux cas. 



   La demande de brevet des   E. U. A.   no. 775. 183 déposée le 12 septembre 1985, intitulée PYROMETRE A IMMERSION, décrit une gaine protectrice pour un thermocouple, capable de résister à des chocs thermiques importants et présentant une bonne résistance à la corrosion et ä l'erosion par les métaux fondus. Bien que cette gaine ait une durée de service qui est relativement longue, il est souhaitable d'augmenter encore cette durée de service.   11   est spécialement souhaitable d'augmenter la capacité d'un pyromètre à résister à un cycle de pré-chauffage dans une atmosphère oxydante, et de monter la gaine dans une position fixe de telle sorte qu'elle reste dans le métal fondu et hors de tout contact avec les scories durant toute la campagne de la cuve. 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 



   Résumé de l'invention
Un but de la présente invention est par conséquent de fournir des moyens pour protéger un dispositif de mesure de la température qui peut être utilise durant de longues périodes de temps dans un milieu consistant en métal fondu. 



   Un autre but de   11 invention   est de fournir un appareil pour la protection d'un thermocouple qui est résistant aux chocs thermiques et qui est capable de résister   ä   des cycles successifs de chauffage et de refroidissement rapides. 



   Un autre but encore de l'invention est de fournir un système de mesure de la température   ä   installer dans la paroi latérale ou dans le fond d'un récipient destiné ä contenir un métal fondu. 



   Suivant l'invention, on fournit un appareil pour mesure de la température comprenant une combinaison d'un   element   de mesure de la température et d'une gaine enfermant cet élément de mesure de la température, cette gaine comprenant : un tube métallique fermé ä son'extrémité, plusieurs couches protectrices couvrant le tube métallique, ces couches protectrices comprenant au moins deux couches de cermet consistant en oxyde d'aluminium-oxyde de chrome-molybdène, la concentration du molybdène dans ces couches de cermet allant en décroissant de la couche interne vers la couche externe, et une couche de céramique consistant en oxyde d'aluminiumoxyde de chrome substantiellement pure couvrant la couche de cermet exterieure, chacune des couches de cermet et la couche de céramique ayant une porosité d'environ 4 % à environ 33 %,

   et des lamelles externes sacrifiées comprenant une couche de zircone ou oxyde de zirconium couverte par une couche d'alumine fibreuse. 



   L'appareil pour mesure de la température selon l'invention est b i e n adapte pour u n e 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 installation dans une paroi latérale ou dans le fond d'une cuve, et ces localisations permettent de réduire la longueur et par consequent le coût de l'instrument. 



  En outre, un instrument plus court réduit les forces produites sur le système par le metal fondu. Un montage dans la paroi laterale ou dans le fond facilite   11 instrumentation   et débarasse le sommet de la cuve des fils et des éléments de fixation encombrants. En outre, la position de la jonction thermocouple peut etre connue d'avance, ce qui permet d'améliorer la précision de l'extrapolation des températures dans d'autres régions de la masse fondue.. Il y a un contact direct entre la gaine et le métal fondu qui permet un transfert rapide de la chaleur et par conséquent un temps de réponse court. 



   Breve description des dessins
La Figure 1 est une vue en coupe d'une gaine présentant un thermocouple placé à l'intérieur de celle-ci. 



   La Figure 2 est une vue en coupe d'une application d'une gaine possédant des couches de cermet et de céramique protectrices. 



   La Figure 3 est une vue en coupe d'une gaine présentant les lamelles externes sacrifiées sur les couches de cermet et de céramique. 



   La Figure 4 est une vue en coupe d'une gaine montée dans une brique réfractaire pour insertion dans la paroi latérale ou au fond d'un récipient. 



   Description de l'application préférée
Comme indique dans la Figure   1,   un tube métallique 12   ä   extrémité fermée définit la cavité 13 qui contient une jonction thermocouple 54. Les fils 50 et 52 du thermocouple interconnectent la   tete   terminale 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 62 avec la jonction thermocouple 54 et sont maintenus en place dans la gaine 11 par un isolant   ä   double perforation, non représenté. La tête terminale 62 peut être garnie de joints, non représentés. 



   Le tube métallique 12 est formé par des procédés connus dans la pratique   ä   partir d'un métal ou d'un alliage métallique qui possede les propriétés requises, c. a. d. un haut point de fusion et une résistance excellente aux températures élevées. Grâce   ä   ses excellentes propriétés mécaniques aux températures élevées, le molybdène est un métal de choix pour emploi à haute température. La conductivité thermique et la chaleur spécifique du métal du tube contrôlent l'augmentation de la température   ä   l'intérieur du tube et il en résulte un milieu bénin pour l'assemblage thermocouple.

   On peut utiliser du molybdène contenant de faibles quantités de titane et de zirconium, l'avantage de l'alliage résultant étant de fournir un tube plus résistant qu'un tube préparé ä partir de molybdène pur parce que l'alliage tend   ä   inhiber la recristallisation aux températures concernées. 



   Des tubes constitués d'acier inoxydable sont employés de manière tout à fait satisfaisante en tant que gaine interne ou en tant que composant de gaine interne quand les températures de matières ä bas point de fusion, comme par exemple l'aluminium ou le laiton, doivent être mesurées. Comparé au molybdène, l'acier inoxydable est avantageux du point de vue du coût et, pour cette raison, il peut être le métal à choisir dans certains cas.

   Bien que, comme indique ci-dessus, des métaux autres que le molybdène ou des alliages de molybdène puissent être utilisés pour le tube, dans la description suivante, le tube sera considéré comme étant un tube en molybdène.   11   est bien entendu que ceci ne limite pas   11 invention   et les 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 experts en cette matière seront capables de remplacer le molybdène par d'autres matériaux appropriés. 



   Bien que le molybdène ait une temperature de fusion extrêmement élevée, il s'oxyde aisément ä haute temperature. Le molybdène est aussi attaqué par les gaz chimiquement agressifs qui sont présents au voisinage d'une masse métallique fondue. Pour ces raisons, un revêtement protecteur doit être utilisé pour protéger le tube de molybdène de son environnement. 



   Suivant l'invention, et comme décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis précitée No   775.183, intitulée "Pyromètre à immersion", déposée   le 15 septembre 1985, le tube en molybdène est   protégé   contre son environnement par un revêtement comprenant plusieurs couches poreuses d'un cermet, alumine-oxyde de chrome-molybdène, qui sont appliquées sur la surface externe du tube, comme par exemple au moyen d'un procédé de pulvérisation par plasma d'arc. 



   Quand on applique les revêtements céramiques sur des substrats, tels que ceux constitues de céramique ou de métal, il est de pratique commune d'adapter les coefficients d'expansion thermique du substrat et du matériau de revêtement afin de minimiser les tensions thermiques survenant lors des variations de températures et qui pourraient affaiblir et finalement détruire les revêtements. Cependant, l'adaptation des coefficients d'expansion thermique des matériaux de revêtement et du substrat limite fortement le choix des matériaux qui peuvent etre efficacement utilises pou les revêtements.

   Dans la forme préférée de la présente invention, on tire avantage des déséquilibres d'expansion thermique entre la céramique et le molybdène pour produire une tension mécanique contrôlée provoquant de 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 fines micro-craquelures bien contrôlées dans le revêtement. Ces micro-craquelures qui sont représentées dans la Figure 2 par le numéro 15, ainsi que la quantité de. porosité appropriée dans les couches de revêtement, ont pour résultat un écran protecteur ayant une excellente résistance aux chocs thermiques ainsi qu'une très bonne longévité chimique dans des milieux hostiles. 



   Les couches poreuses d'un cermet comprenant alumine-oxyde de chrome-molybdène peuvent âtre directement appliquées sur la surface externe du tube métallique 12 qui a été de préférence rendu rugueux, comme par exemple par sablage, afin, d'améliorer l'adhérence du revetement protecteur. Cependant, dans le procédé préféré de la présente invention, la surface externe du tube métallique 12 est d'abord revêtue d'une couche poreuse de molybdène 16 formée à partir de poudre de molybdène, comme par exemple par pulvérisation par plasma d'arc de la poudre sur la surface du tube 12. 



   La Figure 2 illustre la structure du revêtement protecteur graduel 14 qui consiste en une couche fixée de molybdène poreux 16 suivie par des couches de cermet poreux 18,20, 22 contenant un mélange alumineoxyde de chrome-molybdène, le molybdène étant présent en des concentrations décroissantes quand on progresse de la surface interne vers la surface externe. La couche externe 24 est substantiellement formée de 100 % d'alumine-oxyde de chrome. 



   De manière appropriée, l'alumine-oxyde de chrome contient l'oxyde de chrome en une concentration d'environ 10   ä   environ 30 moles %, et la poudre d'alumine-oxyde de chrome préférée contient l'oxyde de 
 EMI7.1 
 chrome en une quantité d'environ 20 moles %. Al203- &   CrOg   contenant environ 20 moles % d'oxyde de chrome a un coefficient d'expansion thermique d'environ 8 parties par million par degré centigrade. 

 <Desc/Clms Page number 8> 

 



   Le molybdène a un coefficient d'expansion thermique d'environ 5, 4 parties par million par degré centigrade, ce qui se traduit par une différence de 45 % entre les coefficients d'expansion thermique de la céramique et du molybdène. 



   Bien que l'alumine et l'oxyde de chrome puissent être préparés par le mélange mécanique de poudre d'alumine et d'oxyde de chrome, le matériau préféré est une poudre que l'on a fait complètement réagir par une seconde cuisson. 



   Dans la forme de gaine préférée, la première couche poreuse qui est adjacente au substrat de molybdène est formée à partir de poudre de molybdène. 



  Les couches suivantes ont une concentration en molybdène décroissante et une concentration croissante en céramique, et la couche externe est constituée de 100 % de céramique. Bien que le degré des variations réalisees dans les compositions d'une couche   à-l'autre   ne soit pas critique, dans le procédé préféré de l'invention, la variation de la concentration du molybdène en 
 EMI8.1 
 volume pourcent suit une relation linéaire en progressant de la couche interne ä la couche externe. 



   Bien que le nombre de couches de cermet puisse   etre   compris dans une gamme de 2 à 10 ou plus, de préférence de 3   ä   9, il y a peu d'avantage   ä   aller au-delà d'environ 5 couches et le coût de fabrication de la gaine interne augmente avec le nombre de couches utilisees. Dans le procédé de fabrication préféré de la gaine, le revetement protecteur graduel 14 consiste en cinq couches débutant avec   100 %   de molybdène pour la première couche, 75-25 % de céramique pour la seconde couche, 50 % de molybdène et. 50 % de céramique pour la troisième couche, 25 % de molybdène et 75 % de céramique pour la quatrième couche et. 100 % de céramique pour la cinquième couche. 

 <Desc/Clms Page number 9> 

 



   L'épaisseur totale des diverses couches peut être de manière appropriée comprise dans une gamme 
 EMI9.1 
 d'environ 0, 020 pouce (0, 5 mm) à environ 0, 040 pouce (1, 0 mm). Dans le procédé préféré de l'invention, la couche de molybdène poreuse est adjacente au tube de molybdène et chaque couche successive de cermet poreux a une épaisseur d'environ 0, 002 pouce   (0, 05 mm) a   environ 0, 004 pouce (0, 10 mm) et la couche de céramique externe a une épaisseur d'environ 0, 015 pouce (0, 38 mm) à environ 0, 025 pouce (0, 63 mm). Un contrôle precis de l'épaisseur des diverses couches   n'est   pas essentiel pour produire une gaine interne qui résiste aux chocs thermiques.

   Cependant, dans le procédé préféré de l'invention, chaque couche de molybdène et de cermet a approximativement la meme épaisseur, par exemple environ 0, 003 pouce (0, 08 mm). 



     11   est essentiel que les couches de cermet aient une porosité d'environ 4   ä   environ 33 %. La gamme de porosité préférée est d'environ 15-30 % et l'optimum est d'environ 20-25 %. Bien que la fonction des pores ne soit pas totalement expliquée, on pense que les pores adaptent l'expansion du matériau dans les couches quand celui-ci est soumis   ä   un milieu   ä   température élevée, Les valeurs de la porosité données ici sont déterminées par microscopie optique en utilisant des techniques stéréologiques standards. 



   Le procédé préféré pour obtenir la porosité souhaitée s'effectue en appliquant les couches de molybdène, de cermet et de céramique par un procédé par plasma d'arc. Ce procédé s'est révélé être partielièrement intéressant car il permet de contrôler les paramètres critiques de la structure. superficielle et de la porosité des couches.

   Le degré de porosité d'une couche de métal, de cermet ou de céramique déposée par un procédé de revêtement par pulvérisation en plasma 

 <Desc/Clms Page number 10> 

 d'arc est essentiellement déterminé par la grandeur des paramètres opératoires, ä savoir : (1) la puissance donnée   ä   l'arc, (2) le débit d'alimentation de la poudre, (3) l'angle et la distance entre la surface du substrat et le bec du pulvérisateur, et (4) la vitesse de passage du bec du pulvérisateur au-dessus de la surface du substrat. 



   La puissance peut être comprise de manière appropriée dans une gamme d'environ 15   ä   environ 45 kW et le niveau préféré de puissance est d'environ 30   ä   environ 40 kW. Une diminution de la puissance a pour résultat une augmentation de la porosité de la couche de revêtement. 



   Le débit d'alimentation de la poudre peut etre compris dans la gamme d'environ 6 livres (2, 7 kg)   ä   environ 10 livres   (4, 5 kg)   par heure. Une diminution du débit d'alimentation de la poudre a pour résultat une diminution de la porosité de la couche de   revente-   ment. 



   Le bec du pulvérisateur est de préférence maintenu ä une distance d'environ 2 pouces (50 mm)   ä   environ 6 pouces (150 mm) de la surface du substrat. 



  La porosité de la couche de   revetement   croît avec l'augmentation de la distance entre le bec du pulvérisateur et le substrat. 



   L'angle que les particules pulvérisées font par rapport à une ligne perpendiculaire   ä   l'axe de l'élément   ä   traiter par pulvérisation peut atteindre 300 ; cependant, l'angle préféré est d'environ 00   ä   environ 100. Si l'angle de l'impact augmente, la porosite augmente. La vitesse de passage du bec du pulvérisateur le long de la surface du substrat peut etre comprise de manière appropriée dans une gamme d'environ 4 pouces (10 cm)   ä   environ 12 pouces (30 cm) par seconde. La porosité augmente si la vitesse de passage 

 <Desc/Clms Page number 11> 

 augmente. 



   Dans le procédé préféré, le substrat est soumis   ä   rotation lors de la pulvérisation. Une vitesse de rotation caractéristique est d'environ 600 révolutions par minute pour un substrat tubulaire de 1/2 pouce (12, 7 mm). 



   Pour effectuer le procédé de revêtement, le substrat doit être chauffé, de préférence à une tempé- 
 EMI11.1 
 rature comprise dans la gamme d'environ 2000F (93OC) à environ 5000F   (2600C).   Bien qu'une modification de la température du substrat puisse modifier le degré de porosité jusqu'à un certain point, cet effet reste cependant mineur. 



   Le type et la force des gaz du plasma ont aussi un léger effet sur la regulation du degré de porosité. Des gaz utiles sont un mélange d'azote et d'hydrogène en un rapport volumétrique de l'azote   ä   l'hydrogène d'environ 4 : 1 ä environ 8 : 1. Des débits utiles caractéristiques sont de 2, 5 pieds cubes 
 EMI11.2 
 3 3 standards (71 dm3) à 5 pieds cubes standards (142 dm3) par minute pour l'azote et de 0, 3 pied, cube standard 3 (8, 5 dm3) à 0, 6 pied cube. standard (17 dm3) par minute pour l'hydrogène. 



   Des récipients destinés à contenir des métaux fondus peuvent etre soumis à un cycle de préchauffage par flamme de gaz alors qu'ils ne contiennent pas de métal et, s'il n'y a aucun revetement protecteur pour la gaine, l'effet oxydant de la flamme du gaz peut détériorer la gaine et raccourcir la durée de service dans la masse fondue. Afin de protéger les couches de cermet et de céramique, et comme indiqué dans les Figures 3 et 4, la partie externe de la gaine comprend comme lamelles sacrifiées une couche interne 32 d'oxyde de zirconium coulable et une couche de couverture 34 d'oxyde d'aluminium fibreux. 

 <Desc/Clms Page number 12> 

 



   L'épaisseur de ces couches n'est pas critique et une couche ayant une épaisseur d'environ 0, 1 pouce (2, 5 mm) est adéquate. Après application de la couche de revetement de zircone et d'alumine, la gaine 26 résultante est cuite à environ   400 F   (205 C) durant'. environ 12 heures. 



   Ce système peut supporter une longue immersion   ä   des températures élevées parce que la gaine 11 n'est pas endommagée par un cycle de préchauffage et   n'est   pas exposée à une couche de scories. Les lamelles' sacrifiées 32 et 34 sont détruites de manière   caracté-   ristique à la fin du cycle de préchauffage, mais à ce moment elles ne sont plus nécessaires. 



   Dans un procédé préféré pour effectuer cette invention, au moins une couche de nitrure de bore est prévue entre la couche de céramique 24 des couches graduelles 14 et les lamelles sacrifiées 32 et 34. La Figure   3 presente   les couches de nitrure de bore 28 et 30. Le nitrure de bore peut être applique en pulvérisant une suspension aqueuse de nitrure de bore sur le 
 EMI12.1 
 eve r revêtement céramique ä température ambiante, en séchant le revêtement   ä     l'air   et ensuite en le laissant pour prise ä une température d'environ 7000F (371 C).

   Dans le procédé d'application préféré d'une surcouche de nitrure de bore, plusieurs couches minces sont appliquées, avec séchage   ä   l'air entre chaque enduction, et l'élément final revêtu est durci   ä   une temperature d'environ 7000F (371 C). Par exemple, cinq (5) couches ayant chacune une épaisseur de 0, 002 pouce (0, 05 mm) peuvent être utilisées pour atteindre un revêtement de nitrure de bore ayant une épaisseur totale de 0, 01 pouce   (0, 25   mm). Des suspensions aqueuses appropriées de nitrure de bore contenant un liant inorganique tel que de l'alumine sont commercialement disponibles. 



   Dans le procédé préféré d'utilisation de 

 <Desc/Clms Page number 13> 

 nitrure de bore selon l'invention, au moins deux couches de nitrure de bore sont appliquées sur le revêtement externe des couches poreuses graduelles avec une couche intermédiaire de   AlpO-CrOL entre   les Couches de nitrure de bore. Les revetements peuvent être appliqués en pulvérisant d'abord une suspension de nitrure de bore sur le revêtement supérieur de Al203 pour former une couche mince de nitrure de bore sur la couche de 
 EMI13.1 
 AlO-CrO. Le revetement de nitrure de bore est séché à l'air et est soumis à prise, puis une couche mince de Al2O3-Cr2O3 est pulvérisée par plasma d'arc sur le nitrure de bore.

   Comme indiqué   ci-dessous,'le   revêtement de nitrure de bore est traité pour le conditionner de façon   ä   ce que la couche ultérieure de 
 EMI13.2 
 Al pulverisee par plasma d'arc puisse y j j adhérer. Cette étape est suivie par l'application d'une autre couche de nitrure de bore. On peut ajouter de cette manière autant de couches que l'on estime   néces-   saire. Le nitrure de bore permet apparemment aux couches de céramique adjacentes de se mouvoir longitudinalement quand elles se dilatent, produisant des effets de plans de clivages qui n'induisent aucune tension importante dans les couches de céramique adjacentes. Comme les couches externes se détériorent   ä   cause de leur érosion dans la masse fondue, les revetements internes assument le role de protection.

   Ce procédé se poursuit jusqu'à ce que le revêtement sacrifié soit usé et, après disparition des couches sacrifiées, la gaine protectrice peut encore fonctionner avec ses couches graduelles poreuses de base intactes. 
 EMI13.3 
 



  D'autres matériaux, tels que A1203-Cr203 j j n'adhèrent pas   bien'ä   un substrat constitue de nitrure de bore à moins que la couche de nitrure de bore n'ait été traitée pour augmenter l'adhérence entre les couches. Dans un tel traitement, la couche de nitrure 

 <Desc/Clms Page number 14> 

 
 EMI14.1 
 de bore est pourvue d'une couche de nitrure de bore humide et de la poudre de AlO-CrO-est brossee sur d J d la couche de nitrure de bore humide. Du   A1203-Cr203   est ensuite pulvérisé par plasma d'arc sur le substrat résultant. Ce mode opératoire peut être suivi pour appliquer chaque couche de   AlpOq-CrpO sur une   couche de nitrure de bore. 



   La technique décrite ci-dessus a pour résultat l'obtention d'un système qui peut résister à de longues immersions parce qu'il protège les couches graduelles. 



   La durée de vie d'une sonde thermocouple peut etre meme encore prolongée en chemisant l'intérieur du tube métallique 12 avec un tube en céramique fermé   ä   l'extrémité (non représenté) et en installant le thermocouple à l'intérieur du tube en céramique. 



  L'avantage de cette structure est la protection assurée au thermocouple meme si la masse fondue atteint et attaque le tube métallique interne. Bien que le tube en céramique ne puisse résister   ä   une manipulation brutale ou à des immersions supplémentaires à cause des chocs thermiques se produisant après dissolution du tube métallique interne 12 dans la masse fondue, ce tube en céramique peut encore subsister durant de longues périodes de temps dans certaines masses fondues. 



   La Figure 4 présente l'assemblage thermocouple avec ses lamelles 32 de zircone sacrifiées et de l'alumine fibreuse 34, monte'dans une enveloppe tubulaire 38 effilée qui est à son tour montée dans une brique réfractaire. L'assemblage thermocouple est maintenu en position dans l'enveloppe tubulaire 38, qui est de préférence constituée d'acier inoxydable, par de l'alumine coulable 39 qui est placée dans l'enveloppe autour du thermocouple et puis cuite   ä   une temperature de 4000F (205 C)   ä   675 F (357 C) durant 12 à 40 heures. 

 <Desc/Clms Page number 15> 

 
 EMI15.1 
 



  I La brique réfractaire 41 est installés dans une paroi latérale ou dans le fond d'un récipient en utilisant des techniques bien connues dans la pratique, et des connections électriques sont faites au niveau de la tete terminale 62.

Claims (8)

  1. REVENDICATIONS 1. Appareil pour mesure de la température, caractérisé en ce qu'il comprend : - un élément de mesure de la température : - une gaine pour enfermer l'element de mesure de la température, cette gaine comprenant un tube métallique re extrémité fermée, plusieurs couches protectrices recouvrant le tube métallique, ces couches protectrices comprenant au moins deux couches de cermet consistant en oxyde d'aluminium-oxyde de chrome-molybdene, la concentration du molybdène dans ces couches de cermet allant en décroissant de la couche interne à la couche externe, et une couche de céramique d'oxyde d'aluminiumoxyde de chrome substantiellement pure couvrant les couches de cermet externes,
    chacune des couches de cermet et la couche de céramique ayant une porosité d'environ 4 pourcent à environ 33 pourcent ; et - une lamelle externe sacrifiée couvrant au moins une partie de la gaine, cette lamelle comprenant une couche de zircone ou oxyde de zirconium couverte par une couche d'alumine fibreuse.
  2. 2. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la gaine contient au moins une couche de nitrure de bore.
  3. 3. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la gaine et la lamelle externe sacrifiée sont séparées par une couche de nitrure de bore.
  4. 4. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est fixé dans une enveloppe tubulaire par une matière réfractaire coulable, l'enveloppe tubulaire tant montée ä l'interieur d'une brique réfractaire. <Desc/Clms Page number 17>
  5. 5. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 4, caractérisé en ce que l'enveloppe tubulaire est de forme effilée et est constituée d'acier inoxydable.
  6. 6. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le tube métallique à extrémité fermée est revetu d'une chemise en céramique.
  7. 7. Appareil pour mesure de la température suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le tube métallique à extrémité fermée comprend du molybdène.
  8. 8. Appareil pour mesure de la temperature suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le tube métallique est constitué d'acier inoxydable.
BE8700244A 1986-08-01 1987-03-11 Pyrometre a immersion avec structure protectrice pour paroi laterale. BE1001155A4 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/891,992 US4749416A (en) 1986-08-01 1986-08-01 Immersion pyrometer with protective structure for sidewall use

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE1001155A4 true BE1001155A4 (fr) 1989-08-01

Family

ID=25399182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE8700244A BE1001155A4 (fr) 1986-08-01 1987-03-11 Pyrometre a immersion avec structure protectrice pour paroi laterale.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4749416A (fr)
JP (1) JPS6338122A (fr)
KR (1) KR950006015B1 (fr)
BE (1) BE1001155A4 (fr)
CA (1) CA1299395C (fr)
DE (1) DE3725614A1 (fr)
FR (1) FR2602333B1 (fr)
GB (1) GB2193376B (fr)
IT (1) IT1206270B (fr)

Families Citing this family (350)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0314807B1 (fr) * 1987-05-12 1993-01-27 Kabushiki Kaisha Kouransha Recipient pour metal en fusion
US5360269A (en) * 1989-05-10 1994-11-01 Tokyo Kogyo Kabushiki Kaisha Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
US5069553A (en) * 1989-12-04 1991-12-03 Vesuvius Crucible Company Protective sheath for a continuous measurement thermocouple
DE4017176C2 (de) * 1990-05-28 1995-04-20 Dango & Dienenthal Maschbau Verwendung einer Molybdän-Legierung
US5232286A (en) * 1991-04-10 1993-08-03 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Energy, Mines And Resources Long lasting thermocouple for high temperature measurements of liquid metals, mattes and slags
US5197805A (en) * 1991-09-30 1993-03-30 Pyromation, Inc. Temperature sensor protection tube
JPH0816630B2 (ja) * 1991-12-24 1996-02-21 日本碍子株式会社 温度センサー保護管及びその製造方法
GB9309931D0 (en) * 1993-05-14 1993-06-30 Winder Horbury Temperature sensing means
US5968223A (en) * 1993-07-13 1999-10-19 Eckert; C. Edward Method for heating molten metal using heated baffle
US5603571A (en) * 1993-08-18 1997-02-18 Eckert; C. Edward Thermocouple assembly including an outer sleeve made in part of a titanium alloy
US5474618A (en) * 1994-04-19 1995-12-12 Rdc Controle Ltee Protective ceramic device for immersion pyrometer
CA2199765A1 (fr) * 1996-03-14 1997-09-14 Sylvain P. Tremblay Methode et appareil de mesure de la temperature de l'aluminium en fusion et des alliages d'aluminium.
US6217631B1 (en) 1996-07-17 2001-04-17 C. Edward Eckert Method and apparatus for treating molten aluminum
EP0887632A1 (fr) * 1997-06-24 1998-12-30 Isuzu Ceramics Research Institute Co., Ltd. Thermocouple avec manteau-protecteur en céramique pour mesurer la température d'un métal fondu
US6508977B2 (en) 1997-06-26 2003-01-21 C. Edward Eckert Reinforced refractory shaft design for fluxing molten metal
US6146443A (en) * 1997-06-26 2000-11-14 Eckert; C. Edward Pre-treated carbon based composite material for molten metal
US6143055A (en) * 1997-06-26 2000-11-07 Eckert; C. Edward Carbon based composite material for molten metal
KR19990066851A (ko) * 1998-01-12 1999-08-16 카와무라 히데오 금속용탕 온도측정용 열전대
EP1298423A1 (fr) * 2001-10-01 2003-04-02 Vesuvius Crucible Company Pyromètre
US7080941B1 (en) * 2001-11-13 2006-07-25 Lam Research Corporation Temperature sensing system for temperature measurement in a high radio frequency environment
TW200427972A (en) * 2003-02-20 2004-12-16 Vesuvius Crucible Co Submerged sensor in metallurgical vessel
DE102004032561B3 (de) 2004-07-05 2006-02-09 Heraeus Electro-Nite International N.V. Behälter für Metallschmelze sowie Verwendung des Behälters
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
JP2011518952A (ja) * 2008-04-24 2011-06-30 ボディコート・アイエムティー,インコーポレイテッド 少なくとも1つの層に制御された多孔率を有する複合材プリフォームならびに製造および使用方法
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) * 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) * 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8360636B2 (en) * 2009-07-02 2013-01-29 Renesas Electronics America Inc. Temperature detection and reporting system and method in power driving and/or consuming system
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
WO2015020172A1 (fr) * 2013-08-08 2015-02-12 株式会社フルヤ金属 Thermomètre
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843646A (en) * 1953-06-09 1958-07-15 Union Carbide Corp Laminated metal ceramic
US3010480A (en) * 1958-10-13 1961-11-28 Clifford A Ragsdale Thermocouple tube and protective coating
FR1331989A (fr) * 1962-05-04 1963-07-12 Thomson Houston Comp Francaise Thermocouple
FR2031966A5 (en) * 1969-02-14 1970-11-20 Siderurgie Fse Inst Rech Pyrometric probe for continuously monitor- - ing temp of molten metal
FR2154185A5 (fr) * 1971-09-21 1973-05-04 Morgan Refractories Ltd
JPS5852533A (ja) * 1981-09-22 1983-03-28 Ibaragiken 測温用センサ−
US4430518A (en) * 1981-11-30 1984-02-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Protecting tube for thermocouple

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2243952A (en) * 1939-04-01 1941-06-03 Rudolph W Glasner Press
US3061482A (en) * 1959-09-16 1962-10-30 Nicholas J Grant Ceramic coated metal bodies
US3250125A (en) * 1961-04-06 1966-05-10 Bonn Leonard Hot metal temperature measuring device and temperature measuring method
US3106493A (en) * 1961-05-05 1963-10-08 Gen Electric Thermocouple
AT257981B (de) * 1964-12-07 1967-11-10 Plansee Metallwerk Schutzrohr für Thermoelemente
GB1164431A (en) * 1966-01-18 1969-09-17 Pilkington Brothers Ltd Improvements relating to the Protection of Instruments Intended for Use at High Temperatures
US3580744A (en) * 1969-02-04 1971-05-25 Us Air Force Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments
BE757488R (fr) * 1969-10-16 1971-03-16 Voest Ag Procede de mesure continue de la temperature de bains metalliques et sonde pour sa mise en
JPS5132766B2 (fr) * 1972-07-25 1976-09-14
DE2411995A1 (de) * 1973-04-20 1974-10-31 Plansee Metallwerk Vorrichtung zur temperaturmessung mittels thermoelementen
US3990860A (en) * 1975-11-20 1976-11-09 Nasa High temperature oxidation resistant cermet compositions
JPS5376975U (fr) * 1976-11-30 1978-06-27
US4390290A (en) * 1981-03-31 1983-06-28 The Perkin-Elmer Corporation Temperature sensor for a resistance furnace
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843646A (en) * 1953-06-09 1958-07-15 Union Carbide Corp Laminated metal ceramic
US3010480A (en) * 1958-10-13 1961-11-28 Clifford A Ragsdale Thermocouple tube and protective coating
FR1331989A (fr) * 1962-05-04 1963-07-12 Thomson Houston Comp Francaise Thermocouple
FR2031966A5 (en) * 1969-02-14 1970-11-20 Siderurgie Fse Inst Rech Pyrometric probe for continuously monitor- - ing temp of molten metal
FR2154185A5 (fr) * 1971-09-21 1973-05-04 Morgan Refractories Ltd
JPS5852533A (ja) * 1981-09-22 1983-03-28 Ibaragiken 測温用センサ−
US4430518A (en) * 1981-11-30 1984-02-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Protecting tube for thermocouple

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 138 (P-204)[1283], 16 juin 1983; & JP-A-58 52 533 (IBARAGIKEN) 28-03-1983 *

Also Published As

Publication number Publication date
US4749416A (en) 1988-06-07
CA1299395C (fr) 1992-04-28
GB8702737D0 (en) 1987-03-11
DE3725614C2 (fr) 1990-05-23
KR880003175A (ko) 1988-05-14
FR2602333A1 (fr) 1988-02-05
FR2602333B1 (fr) 1992-04-10
JPS6338122A (ja) 1988-02-18
GB2193376B (en) 1990-05-09
IT1206270B (it) 1989-04-14
DE3725614A1 (de) 1988-02-11
GB2193376A (en) 1988-02-03
KR950006015B1 (ko) 1995-06-07
IT8747692A0 (it) 1987-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE1001155A4 (fr) Pyrometre a immersion avec structure protectrice pour paroi laterale.
BE1001249A5 (fr) Structure protectrice pour un pyrometre a immersion.
FR2587109A1 (fr) Gaine protectrice et dispositif pour un pyrometre a immersion et procede pour sa realisation
EP0846506B1 (fr) Enduit protecteur pour éléments en matériau réfractaire d&#39;une lingotiére de coulée continue des métaux, et élement en matériau réfractaire protégé à l&#39;aide de cet enduit
JP2013512573A (ja) プラズマ耐性コーティングで基板をコーティングする方法および関連するコーティングされた基板
FR2474533A1 (fr) Piece mecanique resistant a la chaleur et procede de sa preparation
FR2764310A1 (fr) Materiau multicouches a revetement anti-erosion, anti-abrasion, et anti-usure sur substrat en aluminium, en magnesium ou en leurs alliages
EP0074322B1 (fr) Couche de chrome de haute dureté, capable de résister à la fois à l&#39;usure, à la déformation, à la fatigue des surfaces et à la corrosion
FR2508026A1 (fr) Compositions minerales refractaires a base d&#39;oxydes mineraux en poudre
EP2401540A1 (fr) Materiau compliant
WO2010097764A1 (fr) Piece ceramique revetue
EP0296981B1 (fr) Revêtement isolant pour corps réfractaires, procédé de revêtement et article associés
EP0169765A1 (fr) Cage froide pour creuset à fusion par induction électromagnétique à fréquence élevée
US4746534A (en) Method of making a thermocouple
FR2524005A1 (fr) Procede de revetement d&#39;un substrat forme d&#39;un alliage thermo-resistant
EP0670190B1 (fr) Moule de fonderie et son procédé de réalisation
BE1000078A6 (fr) Procede pour le depot d&#39;une matiere de recouvrement sur la paroi interne d&#39;un tube.
RU2091354C1 (ru) Высокотемпературное защитное покрытие
EP0077857B1 (fr) Emaillage d&#39;un substrat avec un verre fluoré
EP0757114A1 (fr) Revêtement en matériau quasi-cristallin et son procédé de dépÔt
FR2586034A1 (fr) Procede pour realiser un revetement anti-corrosion sur un metal
JP7004401B2 (ja) 高温使用のための物品
Matejicek et al. Processing effects on splat formation, microstructure and quenching stress in plasma sprayed coatings
EP2198068A1 (fr) Protection de métaux améliorée
XIANGYANG et al. Process maps for plasma spray. Part II: Deposition and properties

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: VESUVIUS CRUCIBLE CY

Effective date: 19950331