WO2006089641A1 - Mems-mikrofon - Google Patents

Mems-mikrofon Download PDF

Info

Publication number
WO2006089641A1
WO2006089641A1 PCT/EP2006/001121 EP2006001121W WO2006089641A1 WO 2006089641 A1 WO2006089641 A1 WO 2006089641A1 EP 2006001121 W EP2006001121 W EP 2006001121W WO 2006089641 A1 WO2006089641 A1 WO 2006089641A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
membrane
cavity
microphone according
microphone
deflection
Prior art date
Application number
PCT/EP2006/001121
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Anton Leidl
Wolfgang Pahl
Ulrich Wolff
Original Assignee
Epcos Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos Ag filed Critical Epcos Ag
Priority to US11/816,969 priority Critical patent/US8582788B2/en
Priority to JP2007556516A priority patent/JP5108533B2/ja
Publication of WO2006089641A1 publication Critical patent/WO2006089641A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/28—Transducer mountings or enclosures modified by provision of mechanical or acoustic impedances, e.g. resonator, damping means
    • H04R1/2807—Enclosures comprising vibrating or resonating arrangements
    • H04R1/2838—Enclosures comprising vibrating or resonating arrangements of the bandpass type
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/28—Transducer mountings or enclosures modified by provision of mechanical or acoustic impedances, e.g. resonator, damping means
    • H04R1/2807—Enclosures comprising vibrating or resonating arrangements
    • H04R1/283—Enclosures comprising vibrating or resonating arrangements using a passive diaphragm
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/02—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein hochempfindliches MEMS-Mikrofon mit verbessertem Signalrauschverhältnis. Die Erfindung gibt in einer Ausführung ein piezoelektrisches Mikrofon mit einer vorzugsweise elektrisch an eine Membran (M1) gekoppelten Hilfsmembran (M2) an. In einer weiteren Ausführung ist eine Membran mit einem elektrischen Regelkreis zu Kompensation eines Membranhubs versehen.

Description

Beschreibung
MEMS-Mikrofon
Beschrieben wird ein MEMS-Mikrofon (MEMS = Micro Electrome- chanical System) .
Aus der Druckschrift US 4816125 ist ein MEMS-Mikrofon mit einer piezoelektrischen Schicht aus ZnO und mehreren mit dieser Schicht verbundenen, konzentrisch angeordneten Elektroden bekannt .
Aus der Druckschrift J. J. Neumann, Jr., and K. J. Gabriel, „A fully-integrated CMOS-MEMS audio microphone", the 12th International Conference on Solid State Sensors, Actuators and Microsystems, 2003 IEEE, Seiten 230 bis 233 ist ein Mikrofonmodul mit einem gehäusten MEMS-Mikrofon bekannt, wobei im Gehäuse unterhalb der Mikrofonmembran ein eingeschlossenes Luftvolumen (back volume) vorgesehen ist.
Aus der Druckschrift D. P. Arnold et al . „A directional acoustic array using Silicon micromachined piezoresisitive microphones", J. Acoust . Soc . Am., Band 113 (1), 2003, Seiten 289 bis 298 ist ein elektrisches Modul mit einem eingebauten MEMS piezoresistiven Mikrofon bekannt.
In der Druckschrift Mang-Nian Niu and Eun Sok Kim „Piezoe- lectric Bimorph Microphone Built on Micromachined Parylene Diaphragm", Journal of Microelectromechanical Systems, Band 12, 2003 IEEE, Seiten 892 bis 898, ist ein piezoelektrisches Mikrofon beschrieben, das zwei piezoelektrische Schichten aus ZnO und eine dazwischen angeordnete floatende Elektrode aufweist . Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein hochempfindliches Mikrofon mit einem hohen Signal -Rausch-Verhältnis anzugeben.
Es wurde gefunden, dass Mikrofone, die Schalldruck mittels Membranen detektieren, in der Regel auf einen großen Membranhub als Reaktion auf die Schallintensität angewiesen sind, um die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Empfindlichkeit und Rauschverhalten zu erhalten. Bei kleinen Bauteilen mit eingebauten Mikrofonen ist der erzielbare Hub durch die kleine Membranfläche eingeschränkt . Bei Wandlung des Membranhubs in eine elektrische Größe können nur schwache elektrische Signale gewonnen werden. Die Nachgiebigkeit einer in einem Abscheideverfahren hergestellten Membran kann durch eine durch einen hohen inneren mechanischen Stress verursachte Vorspannung der Membran verschlechtert werden.
Hier beschriebene MEMS-Mikrofone weisen eine mit einer Schalleintrittsöffnung verbundene Luftkammer sowie ein Rück- volumen auf. Als Rückvolumen (back volume) wird ein eingeschlossener Luftvolumen bezeichnet, mit dem ein akustischer Kurzschluss - ein ungewollter Druckausgleich zwischen Vorderseite und Rückseite der schwingenden Membran - verhindert wird. Dieses Luftvolumen bewirkt bei jeder Membranauslenkung eine Rückstellkraft zusätzlich zu der durch die elastischen Membraneigenschaften verursachten Rückstellkraft. Bei kleinen Bauteilen ist das Rückvolumen so klein, dass selbst die geringen Membranhübe zu einem erheblichen Druckanstieg im Rückvolumen führen, die in der Größenordnung des zu detektieren- den Schallpegels liegen können. Die zusätzliche Rückstellkraft verringert die Nachgiebigkeit und den Hub der Membran. Es wird ein Mikrofon mit einer ersten und einer zweiten Membran angegeben, die jeweils mit einem und demselben geschlossenen Luftvolumen verbunden und so miteinander gekoppelt sind, dass bei einer Auslenkung der ersten Membran eine zeitgleiche Auslenkung der zweiten Membran bewirkt wird.
Die erste Membran ist eine Mikrofonmembran, d. h. eine „passive" Membran, die den Schalldruck detektiert bzw. ein akustisches Signal in ein elektrisches Signal umwandelt. Die zweite Membran ist eine Hilfsmembran bzw. eine „aktive" Membran, deren durch elektrische Ansteuerung bewirkter Hub über das geschlossene Luftvolumen mit der „passiven" Membran in Wechselwirkung tritt.
Mit dieser Anordnung kann die gestellte Aufgabe unter- Ausnutzung von zwei verschiedenen Strategien für die elektrische Ansteuerung der aktiven Membran gelöst werden:
1) "Konstanthalten des eingeschlossenen Luftvolumens": Dazu wird ein von der passiven Membran abgeleitetes und verstärktes Signal der aktiven Membran in der Weise zugeführt, dass- ■ letztere eine gegensinnige, aber betragsmäßig ähnliche oder gleiche Bewegung ausführt wie die passive Membran. Wird beispielsweise die passive Membran durch den externen Schall- druck zu einem bestimmten Volumenhub zum Inneren des Hohlraums veranlasst, erfolgt eine elektrische Ansteuerung der aktiven Membran um den annähernd gleichen Volumenhub vom Inneren des Hohlraums hinweg. Als Ergebnis wird die Schwankung des Kammervolumens reduziert oder aufgehoben. Auf diese Weise gelingt es, durch den Schalldruck hervorgerufene Druckschwankungen im geschlossenen Luftvolumen erheblich, z. B. um mindestens den Faktor zwei, in einer Variante um mindestens den Faktor fünf zu reduzieren. Diese Verminderung der Innendruck- Schwankungen bedeutet aber auch eine entsprechende Verminderung der Membran-Rückstellkraft. Das effektive Rückvolumen erscheint damit wesentlich vergrößert, im Grenzfall als unendlich.
2) "Kompensation der Passiv-Membran-Auslenkung" : Hierbei ist die elektrische Ansteuerung der aktiven Membran Teil eines Regelkreises, der die Auslenkung der passiven Membran trotz Einwirkung des externen Schallfeldes auf die passive Membran reduziert oder sogar aufhebt. Maß für diese Auslenkung ist das elektrische Ausgangssignal der passiven Membran, das durch die Regelung nahe Null gehalten wird. In jedem Augenblick baut die aktive Membran zu diesem Zweck einen Innendruck in der Kammer auf, der dem Außendruck (Schalldruck) nahe oder gleich kommt. Der resultierende Differenzdruck für die passive Membran wird so verringert oder verschwindet ganz, was damit auch für ihre Auslenkung gilt. Ohne nennenswerte Membran-Auslenkung der passiven Membran jedoch bewirkt das Rückvolumen wiederum keine relevanten Rückstellkräfte auf diese Membran. Das Ausgangssignal der Anordnung ist in diesem Fall nicht das der passiven- Membran (das j a in der beschriebenen Weise gegen Null geregelt wird) , sondern das im Regelkreis gebildete Ansteuersignal der aktiven Membran.
In beiden Fällen wird ein virtuelles Rückvolumen erzielt, das um ein Mehrfaches (in einer Ausführung mindestens zweifach, in einer bevorzugten Ausführung mindestens fünffach) größer ist als das reale Rückvolumen.
Die beiden schaltungstechnischen Strategien zur Verminderung der effektiven Rückstellkraft bergen das Risiko sich aufschaukelnder Rückkopplungsschwingungen des Gesamtsystems in sich. In einer bevorzugten Variante sind daher schaltungs- technische Maßnahmen zur Erkennung und Vermeidung solcher Zustände vorgesehen.
In einer ersten bevorzugten Ausführung wird ein Mikrofon mit einem Grundkörper angegeben, in dem zwei Öffnungen vorgesehen sind, die in einen im Grundkörper ausgebildeten Hohlraum münden. Über einer ersten Öffnung ist eine erste Membran und ü- ber einer zweiten Öffnung eine zweite Membran (Hilfsmembran) angeordnet, so dass im Hohlraum ein Luftvolumen eingeschlossen ist . Die zweite Membran ist vorzugsweise vom Außenraum durch einen weiteren Hohlraum akustisch entkoppelt. Als Außenraum wird ein Raum bezeichnet, in dem sich die Quelle eines akustischen Eingangssignals befindet.
Über der ersten Membran ist vorzugsweise eine mit Außenraum verbundene Kammer angeordnet, die vom Hohlraum isoliert ist. Der Hohlraum wird im Folgenden als Rückvolumen bezeichnet.
Die erste Membran ist in einer ersten Hohlraumwand über einer in dieser Wand ausgebildeten Öffnung angeordnet. In einer Variante ist die zweite Membran in einer zweiten Hohlraumwand angeordnet. Die Membranen sind vorzugsweise in einander gegenüberliegenden Hohlraumwänden angeordnet . Da die akustische Druckänderung bei Membranauslenkung in alle Richtungen gleichermaßen übertragen wird, ist es auch möglich, beide Membranen in senkrecht zueinander stehenden Wänden anzuordnen. Beide Membranen können in derselben Hohlraumwand angeordnet sein.
Die beiden Membranen weisen vorzugsweise im Wesentlichen die gleiche Masse auf und können gleichartig ausgebildet sein. Die (passive) erste Membran wirkt als eine Mikrofonmembran, wohingegen die (gesteuerte) zweite Membran als eine Lautspre- chermembran funktioniert . Die Auslenkung der ersten Membran wird beispielsweise bei einem piezoelektrischen MEMS-Mikrofon basierend auf dem direkten piezoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umgewandelt. Bei einem kapazitiven MEMS- Mikrofon ändert sich die Relativlage der Elektroden des Mikrofons. Die damit verbundene Kapazitätsänderung wird in ein elektrisches Signal umgewandelt. Die jeweilige Membran kann grundsätzlich ein mit elektrischem Feld oder Magnetfeld arbeitender elektromechanischer Wandler sein.
Die Auslenkung der zweiten Membran kann wie bei einem Lautsprecher z. B. mittels eines sich ändernden elektrischen oder magnetischen Feldes bewirkt werden. Die Auslenkung der zweiten Membran mit piezoelektrischen Eigenschaften kann auf der Basis des inversen piezoelektrischen Effekts bewirkt werden.
In einer bevorzugten Ausführung umfassen beide Membranen jeweils mindestens eine piezoelektrische Schicht, wobei beide Membranen vorzugsweise gleich aufgebaut sind. Alternativ ist es möglich, dass die elektromechanische Wandlung bei Membranen auf voneinander unterschiedlichen elektromechanischen Effekten basiert. Beispielsweise kann die erste Membran als ein kapazitives MEMS-Mikrofon und die zweite Membran als ein piezoelektrischer Wandler funktionieren.
In einer Variante kann eine das eingeschlossene Luftvolumen (Rückvolumen des Mikrofons) und den Außenraum verbindende, gegenüber der Querschnittsgröße der Membran kleine Ventilationsöffnung vorgesehen sein, die zu einem langsamen Druckausgleich z. B. im Bereich von _> 100 ms dient. Der Druckausgleich erfolgt langsam gegenüber der Periodendauer eines a- kustischen Signals mit der größten Wellenlänge im Arbeitsbereich des Mikrofons . Diese Öffnung kann in der Membran oder in einer Wand des Behälters angeordnet sein, der das akustische Rückvolumen- einschließt . r
Durch die beschriebenen Kompensationsmaßnahmen gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform ist es möglich, das reale akustische Rückvolumen (d. h. das geschlossene Luftvolumen) gegenüber bekannten Mikrofonen ohne eine Hilfsmembran wesentlich zu verringern, so dass insgesamt eine erhebliche Raumersparnis erzielt werden kann. Da das virtuelle Rückvolumen dennoch ausreichend groß gehalten werden kann, treten durch die verkleinerte Konstruktion keine nachteiligen Folgen (Empfindlichkeitseinbußen) ein.
Um einen akustischen Kurzschluss einer angesteuerten Hilfsmembran zum Außenraum oder zur Schalleintrittsöffnung zu vermeiden, kann in einer vorteilhaften Variante als akustisches Rückvolumen für die Hilfsmembran ein zusätzlicher, vom Außenraum isolierter Hohlraum vorgesehen sein. Der zusätzliche Hohlraum ist durch die Hilfsmembran vom geschlossenen Luftvolumen getrennt. Der zusätzliche Hohlraum kann deutlich kleiner als das geschlossene Luftvolumen sein, da die Hilfsmembran aktiv angesteuert und somit ihre Auslenkung eingestellt wird. Somit kann der Platzbedarf der Mikrofonanordnung insgesamt gering gehalten werden.
Im folgenden wird ein Mikrofon anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figuren zeigen anhand schematischer und nicht maßstabsgetreuer Darstellungen verschiedene Ausführungsbeispiele des Mikrofons. Gleiche oder gleich wirkende Teile sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Es zeigen schematisch Figur IA ausschnittsweise ein Mikrofon gemäß der ersten bevorzugten Variante, aufweisend zwei elektrisch miteinander gekoppelte Membranen in einem schematischen Querschnitt;
Figur IB Ersatzschaltbild des Mikrofons gemäß Figur IA;
Figuren 2, 3 jeweils eine Variante der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform;
Figur 4A ausschnittsweise ein Mikrofon gemäß der zweiten bevorzugten Variante;
Figur 4B Ersatzschaltbild des Mikrofons gemäß Figur 4A;
Figur 5 eine beispielhafte Mikrofonmembran in einem schematischen Querschnitt;
Figur 6 eine Metalllage, in der zwei elektrisch mit Außenkontakten verbundene Elektroden ausgebildet sind.
Figur IA zeigt ein Mikrofon mit einem Grundkörper GH, das- auf seinen einander gegenüberliegenden Wänden HWl, HW2 jeweils eine Öffnung AUl, AU2 aufweist, die in einen Hohlraum HR2 mündet . Über der ersten Öffnung AUl ist eine erste Membran Ml (Mikrofonmembran, passive Membran) und über der zweiten Öffnung AU2 eine zweite Membran M2 (Hilfsmembran, angesteuerte Membran) angeordnet.
Die Membran Ml, M2 kann auf den Wänden des Grundkörpers GH aufgespannt sein. Die Membran Ml, M2 kann alternativ durch einen Mikrofonchip mit einem Trägersubstrat und einer darauf aufgespannten Membran ersetzt werden. Der Mikrofonchip kann mit dem Grundkörper GH z. B. mittels einer Klebeschicht fest verbunden sein.
Die erste Membran Ml trennt den Hohlraum HR2 von einer Kammer HRl, die über eine Schalleintrittsöffnung IN mit dem Außenraum verbunden ist. Die erste Membran Ml fängt an zu schwingen, sobald auf sie ein akustischer Druck p ausgeübt wird. Die Druckänderung in der Kammer HRl und das Schwingen der Membran Ml würde (ohne die Hilfsmembran M2) zu einer Volumenbzw. Druckänderung im Hohlraum HR2 und einer damit verbundenen Rückstellkraft führen, die auf die erste Membran Ml wirkt und die Schwingungsamplitude verringert. Durch eine elektrische Kopplung der beiden Membranen Ml, M2 erfolgen ihre Schwingungen so, dass die Auslenkung der ersten Membran Ml zum Inneren des Hohlraumes HR2 hin und die Auslenkung der zweiten Membran M2 mit der gleichen Amplitude nach außen hin erfolgt. Die aktive zweite Membran M2 wird hierbei im Gegentakt mit der passiven ersten Membran Ml angesteuert . Dabei tritt eine verringerte oder gar keine Änderung des Volumens des Hohlraumes HR2 auf .
Die zweite Membran M2 trennt den Hohlraum HR2 von einem zusätzlichen geschlossenen Hohlraum HR3 , der von einem mit einer Schallquelle verbundenen Raum, d. h. dem Außenraum und der Kammer HRl isoliert ist. Der zusätzliche Hohlraum HR3 verhindert eine Rückwirkung der aktiven Membran auf die passive Membran auf dem äußeren Pfad.
Der zusätzliche Hohlraum HR3 und/oder die Kammer HRl kann z. B. mittels einer kappenförmigen, vorzugsweise formstabilen Abdeckung geschaffen werden. In Figur IB ist ein vereinfachtes Ersatzschaltbild von mittels einer Ansteuerschaltung Vl gekoppelten Membranen Ml, M2 gezeigt. Bei einer durch den Schalldruck hervorgerufenen Auslenkung der passiven Membran Ml wird ein elektrisches Signal erzeugt, das am Ausgang OUT als Nutzsignal zur Weiterverarbeitung abgegriffen werden kann. Ein Teil des elektrischen Signals wird zur Erzeugung eines Steuersignals am Ausgang der Ansteuerschaltung Vl genutzt, mit dem die Hilfsmembran M2 im Gegentakt (bezüglich des im Hohlraum HR2 aufgebauten Innendrucks) mit der passiven Membran angesteuert wird.
Die Ansteuerschaltung Vl enthält vorzugsweise einen Verstärker zur Verstärkung des an der Membran Ml abgegriffenen Signals .
In Figur 2 ist eine Variante des in Figur 1 vorgestellten Mikrofons gezeigt, in der beide Membranen Ml, M2 in derselben Hohlraumwand HWl angeordnet sind. In einer Hohlraumwand des Hohlraums HR2 ist eine diesen Hohlraum und den Außenraum verbindende kleine Ventilationsöffnung VE vorgesehen, deren Querschnittsgröße deutlich (z. B. um mindestens Faktor 100) kleiner als die Querschnittsgröße der Membran oder der Öffnungen AUl oder AU2 ist und die zu einem langsamen Druckausgleich z. B. im Bereich von >_ 100 ms dient. In einer Hohlraumwand des Hohlraums HR3 ist auch eine diesen Hohlraum und den Außenraum verbindende kleine Ventilationsöffnung VE' vorgesehen.
In Figur 3 sind die Öffnungen AUl, AU2 in den senkrecht aufeinander stehenden Wänden vorgesehen. Die Ventilationsöffnung VE ist hier in der Membran Ml ausgebildet . Mit Pfeilen ist in Fig. 1 bis 4A, B die Richtung der Membranauslenkung angedeutet.
In einer in Figur 4A vorgestellten Variante gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform wird die aktive zweite Membran M2 im Unterschied zur Figur IA im Gleichtakt (bezüglich des Innendrucks) mit der passiven ersten Membran Ml angesteuert. Dabei sind die Auslenkungen der beiden Membranen zum Inneren des im Hohlraum HR2 eingeschlossenen Luftvolumens gerichtet. In Figur 4A ist mit einer gestrichelten Linie dargestellt, wie sich die passive Membran Ml aufgrund des externen Schall - drucks verformen würde. Mit einer durchgezogenen Linie ist die aufgrund der kompensierenden Wirkung der aktiven Membran M2 erzielte tatsächliche Lage der Membran Ml dargestellt, wobei die Membran Ml praktisch in ihrer Ruhelage bleibt oder mit einer gegenüber der Auslenkung der aktiven Membran M2 sehr kleinen Amplitude schwingt.
In Figur 4B ist ein Ersatzschaltbild zum Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4A gezeigt. Das an der Membran Ml abgegriffene elektrische Signal wird durch den Regelkreis RK verarbeitet. Es wird dabei einerseits ein Steuersignal zur Ansteuerung der Membran M2 und andererseits ein weiteres Steuersignal ausgegeben, das sich mit dem an der Membran Ml abgegriffenen Signal überlagert und die Schwingungsamplitude der Membran Ml dämpft . Ein Ausgangssignal am Ausgang OUT kann zweckgemäß ausgewertet werden. Der Ausgang OUT ist hier an die Membran M2 angeschlossen.
Auch in den in Figuren 2 und 3 vorgestellten Varianten ist es möglich, die aktive Membran M2 im Gleichtakt zur passiven Membran Ml anzusteuern, um die Auslenkungsamplitude der pas- siven Membran Ml zusätzlich zu der auf diese wirkenden Rückstellkraft zu dämpfen.
In Figur 4B ist das Ersatzschaltbild eines Mikrofons gezeigt, das einen Regelkreis RK zur Kompensation der Auslenkung der Membran Ml utnfasst . Das Ausgangesignal OUT2 wird dabei dem Regelkreis entnommen, während das Signal des Wandlers Ml durch die Wirkung der Regelung nahe Null gehalten wird. Eine beispielhafte Membran mit einer zwischen zwei Metall - schichten MLl, ML2 angeordneten piezoelektrischen Schicht PS ist in Figuren 5 und 6 gezeigt. In der ersten Metallschicht MLl sind an die Außenkontakte AEl, AE2 angeschlossene Elektroden Ell und E12 angeordnet. In der zweiten Metallschicht ML2 ist eine floatende leitende Fläche ausgebildet, die den beiden Elektroden Ell, E12 gegenüber liegt. Dabei werden zwei in Serie miteinander geschaltete Kapazitäten gebildet.
In Figur 6 ist eine erste Metalllage MLl der in Figur 5 vorgestellten Membran gezeigt. Die runde Elektrode Ell ist im ersten Bereich eines hohen Potentials und die ringförmige E- lektrode E12 im. zweiten Bereich eines hohen Potentials angeordnet. Die beiden Bereiche des hohen Potentials weisen entgegengesetzte Polarität auf. Die Elektroden Ell, E12 sind jeweils an einen Außenkontakt AEl bzw. AE2 angeschlossen. In einer darunter oder darüber angeordneten, in Figur 5 gezeigten Metalllage ML2 ist eine vorzugsweise durchgehende floatende leitende Fläche angeordnet, welche den beiden Elektroden Ell, E12 gegenüber liegt.
Das Mikrofon ist nicht auf die Anzahl der in Figuren dargestellten Elemente oder auf den akustischen Hörbereich von 20 Hz bis 20 kHz beschränkt. Das Mikrofon kann auch in weiteren piezoelektrischen akustischen Sensoren, z. B. mit Ultraschall arbeitende Abstandssensoren, eingesetzt werden. Ein Mikrofonchip mit einem beschriebenen Mikrofon kann in beliebigen Signalverarbeitungsmodulen eingesetzt werden. Verschiedene Varianten können miteinander kombiniert werden.
Bezugszeichenliste
AEl, AE2 Außenkontakte
AUl, AU2 Öffnungen im Behälter GH
AU Öffnung im Substrat SU
Ell erste Teilelektrode
E12 zweite Teilelektrode
GH Gehäuse
HRl erster Hohlraum
HR2 zweiter Hohlraum
HWl, HW2 erste und zweite Hohlraumwand
IN Schalleintrittsöffnung
KS Klebeschicht
Ml erste Membran
M2 zweite Membran
MLl, ML2 Metallschichten
PS piezoelektrische Schicht
RK Regelkreis
Vl Verstärker
VE Ventilationsöffnung

Claims

Patentansprüche
1. Mikrofon, umfassend eine erste Membran (Ml) und eine zweite Membran (M2) , die mit einem geschlossenen Luftvolumen verbunden sind, wobei die Membranen (Ml, M2) elektrisch so miteinander gekoppelt sind, dass bei einer Auslenkung der ersten Membran eine zeitgleiche Auslenkung der zweiten Membran bewirkt wird.
2. Mikrofon nach Anspruch 1, umfassend einen Grundkörper mit zwei Öffnungen (AUl, AU2), die in einen im Grundkörper ausgebildeten Hohlraum (HR2 ) münden, wobei die erste Membran (Ml) über einer ersten Öffnung (AUl) und die zweite Membran (M2) über einer zweiten Öffnung (AU2) angeordnet ist, so dass im Hohlraum (HR2) ein Luftvolumen eingeschlossen ist, wobei bei der Auslenkung der ersten Membran (Ml) zum Inneren des Hohlraums (HR2) hin die zweite Membran (M2) durch elektrische Ansteuerung eine Auslenkung in die vom Inneren des Hohlraums (HR2) abgewandte Richtung erfährt und der Volumenhub der zweiten Membran dabei zwischen 50 und 100% des Volumenhubs der ersten Membran beträgt.
3. Mikrofon, umfassend eine mit einem geschlossenen Luftvolumen verbundene erste Membran (Ml) , die bei Einwirkung eines äußeren Schall- drucks mittels einer Vorrichtung zur Ansteuerung elektrisch derart angesteuert wird, dass dem Schalldruck entgegenwirkt und die Schwingungsamplitude der Membran gedämpft wird.
4. Mikrofon nach Anspruch 3 , wobei durch die elektrische Ansteuerung erreicht wird, dass Druckänderungen auf beiden Seiten der ersten Membran (Ml) betragsmäßig im Wesentlichen gleich sind.
5. Mikrofon nach Anspruch 3 oder 4 , mit einer zweiten Membran (M2) , die mit einem geschlossenen Luftvolumen verbunden ist, wobei die Membranen (Ml, M2) mittels der Vorrichtung zur Ansteuerung elektrisch miteinander gekoppelt sind, wobei bei einer Auslenkung der ersten Membran eine solche Auslenkung der zweiten Membran bewirkt wird, dass im geschlossenen Luftvolumen eine Druckänderung entsteht, die dem Schalldruck entgegenwirkt und so die Auslenkung der ersten Membran um 50 bis 100% reduziert.
6. Mikrofon nach Anspruch 2 oder 5, wobei die erste Membran (Ml) in einer ersten Hohlraumwand (HWl) angeordnet ist, wobei die zweite Membran (M2) in einer zweiten Hohlraumwand (HW2) angeordnet ist.
7. Mikrofon nach Anspruch 6, wobei die erste und die zweite Hohlraumwand (HWl, HW2) einander gegenüberliegende Hohlraumwände sind.
8. Mikrofon nach Anspruch 6, wobei die erste und die zweite Hohlraumwand (HWl, HW2 ) senkrecht aufeinander stehen.
9. Mikrofon nach Anspruch 2 oder 5, wobei beide Membranen (Ml, M2) in derselben Hohlraumwand (HWl) angeordnet sind.
10. Mikrofon nach einem der Ansprüche 2 oder 5, wobei die erste und die zweite Membran (Ml, M2) im Wesentlichen die gleiche Masse aufweisen.
11. Mikrofon nach einem der Ansprüche 2 oder 5, wobei die erste und die zweite Membran (Ml, M2) im Wesentlichen gleich ausgebildet sind.
12. Mikrofon nach einem der Ansprüche 1 bis 11, mit einer über eine Schalleintrittsöffnung (IN) mit einem Außenraum verbundenen Kammer (HRl) , die über der ersten Membran (Ml) angeordnet und vom Hohlraum (HR2) isoliert ist.
13. Mikrofon nach einem der Ansprüche 2 oder 5, wobei die erste und die zweite Membran (Ml, M2) mittels eines elektrischen Regelkreises gekoppelt sind, der ein elektrisches Signal von der ersten Membran abgreift und an die zweite Membran ein Steuersignal herausgibt, das sie zu einem Hub veranlasst, der den Innendruck im Hohlraum (HR2) beeinflusst und so die Auslenkung der ersten Membran vermindert .
14. Mikrofon nach Anspruch 13, wobei der Regelkreis einen Verstärker (Vl) umfasst.
15. Mikrofon nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei mindestens eine gegenüber der Querschnittsgröße der Membranen (Ml, M2) kleine Ventilationsöffnung (VE) vorgesehen ist, die zum langsamen Druckausgleich im geschlos- senen Luftvoluraen geeignet ist.
16. Mikrofon nach Anspruch 15, wobei die Ventilationsöffnung (VE) in der ersten Membran (Ml) oder in einer Wand eines das Luftvolumen einschließenden Hohlraums ausgebildet ist.
17. Mikrofon nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die zweite Membran (M2) rückseitig mit einem abgeschlossenen Volumen (HR3) versehen ist.
18. Mikrofon nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem eine an die erste Membran (Ml) und/oder die zweite Membran (M2) angeschlossene elektrische Schaltung gegen das Einsetzen von Rückkopplungsschwingungen vorgesehen ist.
PCT/EP2006/001121 2005-02-24 2006-02-08 Mems-mikrofon WO2006089641A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/816,969 US8582788B2 (en) 2005-02-24 2006-02-08 MEMS microphone
JP2007556516A JP5108533B2 (ja) 2005-02-24 2006-02-08 Ｍｅｍｓマイクロホン

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005008511.3 2005-02-24
DE102005008511.3A DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2005-02-24 MEMS-Mikrofon

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006089641A1 true WO2006089641A1 (de) 2006-08-31

Family

ID=36581546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/001121 WO2006089641A1 (de) 2005-02-24 2006-02-08 Mems-mikrofon

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8582788B2 (de)
JP (1) JP5108533B2 (de)
DE (1) DE102005008511B4 (de)
WO (1) WO2006089641A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8184845B2 (en) 2005-02-24 2012-05-22 Epcos Ag Electrical module comprising a MEMS microphone
US8229139B2 (en) 2005-11-10 2012-07-24 Epcos Ag MEMS microphone, production method and method for installing
US8432007B2 (en) 2005-11-10 2013-04-30 Epcos Ag MEMS package and method for the production thereof
US8582788B2 (en) 2005-02-24 2013-11-12 Epcos Ag MEMS microphone
CN106256139A (zh) * 2014-03-17 2016-12-21 谷歌公司 用于机械振动噪声消除的双元件mems扩音器

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006039515B4 (de) * 2006-08-23 2012-02-16 Epcos Ag Drehbewegungssensor mit turmartigen Schwingstrukturen
JP4416835B2 (ja) * 2008-02-08 2010-02-17 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
JP2010190706A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Corp 慣性力センサ
US20100303274A1 (en) * 2009-05-18 2010-12-02 William Ryan Microphone Having Reduced Vibration Sensitivity
DE102009043214A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Piezoelektrischer Energiewandler zum Umwandeln mechanischer Energie in elektrische Energie mit Hilfe von Druckschwankungen, Verfahren zum Umwandeln von mechanischer Energie in elektrische Energie unter Verwendung des Energiewandlers und Verwendung des Verfahrens
US8368153B2 (en) * 2010-04-08 2013-02-05 United Microelectronics Corp. Wafer level package of MEMS microphone and manufacturing method thereof
EP2432249A1 (de) 2010-07-02 2012-03-21 Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. Mikrofon
FR2963099B1 (fr) * 2010-07-22 2013-10-04 Commissariat Energie Atomique Capteur de pression dynamique mems, en particulier pour des applications a la realisation de microphones
FR2963192B1 (fr) 2010-07-22 2013-07-19 Commissariat Energie Atomique Générateur d'impulsions de pression de type mems
JP5610903B2 (ja) * 2010-07-30 2014-10-22 株式会社オーディオテクニカ 電気音響変換器
US8804982B2 (en) * 2011-04-02 2014-08-12 Harman International Industries, Inc. Dual cell MEMS assembly
WO2013021235A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-14 Nokia Corporation A transducer apparatus comprising two membranes.
CA2845204C (en) 2011-08-16 2016-08-09 Empire Technology Development Llc Techniques for generating audio signals
CN103858446A (zh) 2011-08-18 2014-06-11 美商楼氏电子有限公司 用于mems装置的灵敏度调整装置和方法
US9485560B2 (en) 2012-02-01 2016-11-01 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
DE102012209235B4 (de) * 2012-05-31 2023-08-10 Robert Bosch Gmbh Sensormodul mit zwei mikromechanischen Sensorelementen
US9402118B2 (en) 2012-07-27 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Housing and method to control solder creep on housing
US9491539B2 (en) 2012-08-01 2016-11-08 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus disposed on assembly lid
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US8818009B2 (en) * 2012-10-23 2014-08-26 Shure Acquisition Holdings, Inc. Dual diaphragm dynamic microphone transducer
US9809448B2 (en) 2013-03-13 2017-11-07 Invensense, Inc. Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same
US8692340B1 (en) 2013-03-13 2014-04-08 Invensense, Inc. MEMS acoustic sensor with integrated back cavity
US9467785B2 (en) 2013-03-28 2016-10-11 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus with increased back volume
US9503814B2 (en) 2013-04-10 2016-11-22 Knowles Electronics, Llc Differential outputs in multiple motor MEMS devices
US9301075B2 (en) 2013-04-24 2016-03-29 Knowles Electronics, Llc MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same
US9711166B2 (en) 2013-05-23 2017-07-18 Knowles Electronics, Llc Decimation synchronization in a microphone
US10020008B2 (en) 2013-05-23 2018-07-10 Knowles Electronics, Llc Microphone and corresponding digital interface
EP3000241B1 (de) 2013-05-23 2019-07-17 Knowles Electronics, LLC Mikrofon mit sprachaktivitätserkennung und verfahren zum betrieb davon
US10028054B2 (en) 2013-10-21 2018-07-17 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method for frequency detection
US20180317019A1 (en) 2013-05-23 2018-11-01 Knowles Electronics, Llc Acoustic activity detecting microphone
US20150041931A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 Knowles Electronics, Llc Embedded Micro Valve In Microphone
US9386370B2 (en) 2013-09-04 2016-07-05 Knowles Electronics, Llc Slew rate control apparatus for digital microphones
US9502028B2 (en) 2013-10-18 2016-11-22 Knowles Electronics, Llc Acoustic activity detection apparatus and method
US9147397B2 (en) 2013-10-29 2015-09-29 Knowles Electronics, Llc VAD detection apparatus and method of operating the same
DE102013224718A1 (de) * 2013-12-03 2015-06-03 Robert Bosch Gmbh MEMS-Mikrofonbauelement und Vorrichtung mit einem solchen MEMS-Mikrofonbauelement
DE102013114826A1 (de) 2013-12-23 2015-06-25 USound GmbH Mikro-elektromechanischer Schallwandler mit schallenergiereflektierender Zwischenschicht
US9913048B2 (en) 2014-02-08 2018-03-06 Empire Technology Development Llc MEMS-based audio speaker system with modulation element
WO2015119626A1 (en) * 2014-02-08 2015-08-13 Empire Technology Development Llc Mems-based structure for pico speaker
US10271146B2 (en) 2014-02-08 2019-04-23 Empire Technology Development Llc MEMS dual comb drive
US10123126B2 (en) 2014-02-08 2018-11-06 Empire Technology Development Llc MEMS-based audio speaker system using single sideband modulation
US9510107B2 (en) * 2014-03-06 2016-11-29 Infineon Technologies Ag Double diaphragm MEMS microphone without a backplate element
DE102014112841A1 (de) 2014-09-05 2016-03-10 USound GmbH MEMS-Lautsprecheranordnung mit einem Schallerzeuger und einem Schallverstärker
US9750282B2 (en) * 2014-09-12 2017-09-05 Shenzhen Smoore Technology Limited Electronic cigarette and air switch thereof
US9831844B2 (en) 2014-09-19 2017-11-28 Knowles Electronics, Llc Digital microphone with adjustable gain control
KR101550636B1 (ko) 2014-09-23 2015-09-07 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 그 제조 방법
US9554214B2 (en) 2014-10-02 2017-01-24 Knowles Electronics, Llc Signal processing platform in an acoustic capture device
US9743191B2 (en) 2014-10-13 2017-08-22 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with diaphragm supported at a discrete number of locations
US9743167B2 (en) 2014-12-17 2017-08-22 Knowles Electronics, Llc Microphone with soft clipping circuit
WO2016112113A1 (en) 2015-01-07 2016-07-14 Knowles Electronics, Llc Utilizing digital microphones for low power keyword detection and noise suppression
WO2016118480A1 (en) 2015-01-21 2016-07-28 Knowles Electronics, Llc Low power voice trigger for acoustic apparatus and method
US10121472B2 (en) 2015-02-13 2018-11-06 Knowles Electronics, Llc Audio buffer catch-up apparatus and method with two microphones
US9866938B2 (en) 2015-02-19 2018-01-09 Knowles Electronics, Llc Interface for microphone-to-microphone communications
US9800971B2 (en) 2015-03-17 2017-10-24 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with side port
WO2016183494A1 (en) 2015-05-14 2016-11-17 Knowles Electronics, Llc Microphone with coined area
US10291973B2 (en) 2015-05-14 2019-05-14 Knowles Electronics, Llc Sensor device with ingress protection
KR101684537B1 (ko) 2015-07-07 2016-12-08 현대자동차 주식회사 마이크로폰, 이의 제조 방법 및 제어 방법
US9478234B1 (en) 2015-07-13 2016-10-25 Knowles Electronics, Llc Microphone apparatus and method with catch-up buffer
US9794661B2 (en) 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
DK3133829T3 (da) * 2015-08-19 2020-06-22 Sonion Nederland Bv Lydgiverenhed med forbedret frekvensrespons
US9668047B2 (en) 2015-08-28 2017-05-30 Hyundai Motor Company Microphone
CN106714057A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 钰太芯微电子科技（上海）有限公司 动态追踪的mems麦克风及动态追踪方法
CN108432265A (zh) 2015-11-19 2018-08-21 美商楼氏电子有限公司 差分式mems麦克风
US9648433B1 (en) * 2015-12-15 2017-05-09 Robert Bosch Gmbh Absolute sensitivity of a MEMS microphone with capacitive and piezoelectric electrodes
DE112016005824T5 (de) 2015-12-18 2018-08-30 Knowles Electronics, Llc Mikrofon mit einem hydrophoben eindringungsschutz
US9516421B1 (en) 2015-12-18 2016-12-06 Knowles Electronics, Llc Acoustic sensing apparatus and method of manufacturing the same
US9900677B2 (en) 2015-12-18 2018-02-20 International Business Machines Corporation System for continuous monitoring of body sounds
US10224579B2 (en) 2015-12-31 2019-03-05 Robert Bosch Gmbh Evaluating capacity fade in dual insertion batteries using potential and temperature measurements
US10686321B2 (en) 2016-01-29 2020-06-16 Robert Bosch Gmbh Secondary battery management
US10243385B2 (en) 2016-01-29 2019-03-26 Robert Bosch Gmbh Secondary battery management system
US10263447B2 (en) 2016-01-29 2019-04-16 Robert Bosch Gmbh Secondary battery management system
CN108605181A (zh) 2016-02-01 2018-09-28 美商楼氏电子有限公司 用于偏置mems马达的设备
WO2017136763A1 (en) 2016-02-04 2017-08-10 Knowles Electronics, Llc Differential mems microphone
WO2017136744A1 (en) 2016-02-04 2017-08-10 Knowles Electronics, Llc Microphone and pressure sensor
US10277988B2 (en) * 2016-03-09 2019-04-30 Robert Bosch Gmbh Controlling mechanical properties of a MEMS microphone with capacitive and piezoelectric electrodes
US9960625B2 (en) 2016-03-31 2018-05-01 Robert Bosch Gmbh Battery management system with multiple observers
WO2017205533A1 (en) 2016-05-26 2017-11-30 Knowles Electronics, Llc Microphone device with integrated pressure sensor
US11104571B2 (en) 2016-06-24 2021-08-31 Knowles Electronics, Llc Microphone with integrated gas sensor
US10499150B2 (en) 2016-07-05 2019-12-03 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with digital feedback loop
US10206023B2 (en) 2016-07-06 2019-02-12 Knowles Electronics, Llc Transducer package with through-vias
US10153740B2 (en) 2016-07-11 2018-12-11 Knowles Electronics, Llc Split signal differential MEMS microphone
US9860623B1 (en) 2016-07-13 2018-01-02 Knowles Electronics, Llc Stacked chip microphone
US10257616B2 (en) 2016-07-22 2019-04-09 Knowles Electronics, Llc Digital microphone assembly with improved frequency response and noise characteristics
DE112017003785B4 (de) 2016-07-27 2021-09-02 Knowles Electronics, Llc Mikroelektromechanische Systemvorrichtungs (MEMS-Vorrichtungs)-Packung
JP6875529B2 (ja) * 2016-09-22 2021-05-26 ソニタス・テクノロジーズ，インコーポレイテッド 双方向通信システム
US10447046B2 (en) 2016-09-22 2019-10-15 Robert Bosch Gmbh Secondary battery management system with remote parameter estimation
US9961464B2 (en) 2016-09-23 2018-05-01 Apple Inc. Pressure gradient microphone for measuring an acoustic characteristic of a loudspeaker
CN110024281B (zh) 2016-10-28 2024-05-07 三星电子株式会社 换能器组件和方法
DE112017006148B4 (de) 2016-12-05 2024-04-25 Knowles Electronics, Llc Rampenbildung der sensorleistung in einer mikroelektromechanischen systemvorrichtung
US10315912B2 (en) 2016-12-28 2019-06-11 Knowles Electronics, Llc Microelectromechanical system microphone
US11218804B2 (en) 2017-02-14 2022-01-04 Knowles Electronics, Llc System and method for calibrating microphone cut-off frequency
EP3855129B1 (de) 2017-03-22 2023-10-25 Knowles Electronics, LLC Interface schaltkreis für einen kapazitiven sensor
CN110710225B (zh) 2017-05-25 2021-05-11 美商楼氏电子有限公司 麦克风装置和制造麦克风装置的方法
US10887712B2 (en) 2017-06-27 2021-01-05 Knowles Electronics, Llc Post linearization system and method using tracking signal
US11274034B2 (en) 2017-07-26 2022-03-15 Knowles Electronics, Llc Acoustic relief in MEMS
CN111095948B (zh) 2017-09-08 2021-05-11 美商楼氏电子有限公司 用于减少麦克风噪声的系统和方法
WO2019055858A1 (en) 2017-09-18 2019-03-21 Knowles Electronics, Llc SYSTEM AND METHOD FOR ACOUSTIC HOLE OPTIMIZATION
DE112018005381T5 (de) 2017-09-21 2020-06-25 Knowles Electronics, Llc Erhöhte mems-vorrichtung in einem mikrofon mit eindringschutz
CN111344248A (zh) 2017-11-14 2020-06-26 美商楼氏电子有限公司 具有入口保护的传感器封装件
CN107835477B (zh) * 2017-11-24 2020-03-17 歌尔股份有限公司 一种mems麦克风
CN112088539B (zh) 2018-03-21 2022-06-03 美商楼氏电子有限公司 麦克风及用于该麦克风的控制电路
US10327063B1 (en) * 2018-03-23 2019-06-18 Gopro, Inc. Systems and methods for minimizing vibration sensitivity for protected microphones
US10820083B2 (en) 2018-04-26 2020-10-27 Knowles Electronics, Llc Acoustic assembly having an acoustically permeable membrane
DE102018207605B4 (de) 2018-05-16 2023-12-28 Infineon Technologies Ag MEMS-Sensor, MEMS-Sensorsystem und Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Sensorsystems
CN112189347B (zh) 2018-05-18 2022-10-04 美商楼氏电子有限公司 麦克风组件和形成麦克风组件的方法
CN112335263B (zh) 2018-06-19 2022-03-18 美商楼氏电子有限公司 集成电路、麦克风组件和传感器系统
US11095990B2 (en) 2018-06-19 2021-08-17 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with reduced noise
CN108924720B (zh) * 2018-06-25 2020-07-24 歌尔股份有限公司 Mems麦克风
CN109005490B (zh) * 2018-06-25 2020-01-21 歌尔股份有限公司 Mems电容式麦克风
US11051109B2 (en) * 2018-09-27 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual back-plate and diaphragm microphone
US11206494B2 (en) 2018-10-05 2021-12-21 Knowles Electronics, Llc Microphone device with ingress protection
WO2020072938A1 (en) 2018-10-05 2020-04-09 Knowles Electronics, Llc Methods of forming mems diaphragms including corrugations
DE112019005007T5 (de) 2018-10-05 2021-07-15 Knowles Electronics, Llc Akustikwandler mit einer Niederdruckzone und Membranen, die eine erhöhte Nachgiebigkeit aufweisen
WO2020076846A1 (en) 2018-10-09 2020-04-16 Knowles Electronics, Llc Digital transducer interface scrambling
WO2020123550A2 (en) 2018-12-11 2020-06-18 Knowles Electronics, Llc Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor
US11598821B2 (en) 2019-01-22 2023-03-07 Knowles Electronics, Llc. Leakage current detection from bias voltage supply of microphone assembly
US11197104B2 (en) 2019-01-25 2021-12-07 Knowles Electronics, Llc MEMS transducer including free plate diaphragm with spring members
WO2020160348A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with back volume vent
EP3694222B1 (de) 2019-02-06 2024-05-15 Knowles Electronics, LLC Sensoranordnung und -verfahren
US11553280B2 (en) 2019-06-05 2023-01-10 Skyworks Global Pte. Ltd. Piezoelectric MEMS diaphragm microphone
EP3754325B1 (de) * 2019-06-19 2022-02-16 Infineon Technologies AG Photo-akustischer gassensor
US11350219B2 (en) 2019-08-13 2022-05-31 Skyworks Solutions, Inc. Piezoelectric MEMS microphone
DE102019126795A1 (de) * 2019-10-04 2021-04-08 Technische Universität Darmstadt Akustischer Wandler und Verfahren zum Erzeugen/Empfangen einer akustischen Welle
US11778390B2 (en) 2019-11-07 2023-10-03 Knowles Electronics, Llc. Microphone assembly having a direct current bias circuit
DE202020107185U1 (de) 2019-12-23 2021-01-13 Knowles Electronics, Llc Mikrofonanordnung, die eine Gleichstrom-Vorspannungsschaltung mit tiefer Grabenisolation aufweist
US11787690B1 (en) 2020-04-03 2023-10-17 Knowles Electronics, Llc. MEMS assembly substrates including a bond layer
US11240600B1 (en) 2020-11-12 2022-02-01 Knowles Electronics, Llc Sensor assembly and electrical circuit therefor
CN112565947B (zh) * 2020-11-18 2023-05-12 杭州士兰集昕微电子有限公司 微机电系统麦克风及其制造方法
US11743666B2 (en) 2020-12-30 2023-08-29 Knowles Electronics, Llc. Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor
US11671775B2 (en) 2020-12-30 2023-06-06 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor
US11916575B2 (en) 2020-12-31 2024-02-27 Knowleselectronics, Llc. Digital microphone assembly with improved mismatch shaping
US11909387B2 (en) 2021-03-17 2024-02-20 Knowles Electronics, Llc. Microphone with slew rate controlled buffer
US11897762B2 (en) 2021-03-27 2024-02-13 Knowles Electronics, Llc. Digital microphone with over-voltage protection
US11528546B2 (en) 2021-04-05 2022-12-13 Knowles Electronics, Llc Sealed vacuum MEMS die
US11540048B2 (en) 2021-04-16 2022-12-27 Knowles Electronics, Llc Reduced noise MEMS device with force feedback
US11743634B2 (en) * 2021-05-20 2023-08-29 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. MEMS microphone
US11649161B2 (en) 2021-07-26 2023-05-16 Knowles Electronics, Llc Diaphragm assembly with non-uniform pillar distribution
US11772961B2 (en) 2021-08-26 2023-10-03 Knowles Electronics, Llc MEMS device with perimeter barometric relief pierce
US11780726B2 (en) 2021-11-03 2023-10-10 Knowles Electronics, Llc Dual-diaphragm assembly having center constraint
WO2023247046A1 (en) * 2022-06-23 2023-12-28 Huawei Technologies Co., Ltd. Microelectromechanical audio module and apparatus comprising such audio module

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6075867A (en) * 1995-06-23 2000-06-13 Microtronic A/S Micromechanical microphone

Family Cites Families (208)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US599821A (en) * 1898-03-01 Ticket-case
DE363750C (de) * 1921-02-10 1922-11-13 Carl Sontag Einrichtung fuer Sprechmaschinen zur Lautuebertragung auf elektrischem Wege
US2105010A (en) * 1933-02-25 1938-01-11 Brush Dev Co Piezoelectric device
US3447217A (en) * 1964-02-05 1969-06-03 Hitachi Ltd Method of producing ceramic piezoelectric vibrator
US3587322A (en) * 1969-06-17 1971-06-28 Simmonds Precision Products Pressure transducer mounting
US3735211A (en) * 1971-06-21 1973-05-22 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor package containing a dual epoxy and metal seal between a cover and a substrate, and method for forming said seal
US3968193A (en) * 1971-08-27 1976-07-06 International Business Machines Corporation Firing process for forming a multilayer glass-metal module
JPS562346Y2 (de) 1974-05-23 1981-01-20
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4454440A (en) * 1978-12-22 1984-06-12 United Technologies Corporation Surface acoustic wave (SAW) pressure sensor structure
JPS55112864U (de) * 1979-02-02 1980-08-08
JPS596070Y2 (ja) * 1979-04-13 1984-02-24 松下電器産業株式会社 マイクロホン
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
US4277814A (en) 1979-09-04 1981-07-07 Ford Motor Company Semiconductor variable capacitance pressure transducer assembly
JPS5656098A (en) 1979-10-11 1981-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microphone
JPS622879Y2 (de) * 1981-03-25 1987-01-22
CH642504A5 (en) * 1981-06-01 1984-04-13 Asulab Sa Hybrid electroacoustic transducer
US4424419A (en) * 1981-10-19 1984-01-03 Northern Telecom Limited Electret microphone shield
CA1165859A (en) 1981-10-19 1984-04-17 Guy J. Chaput Electret microphone shield
US4558184A (en) 1983-02-24 1985-12-10 At&T Bell Laboratories Integrated capacitive transducer
US4545440A (en) 1983-04-07 1985-10-08 Treadway John E Attachment for pneumatic hammers for punching holes of varying size
US4533795A (en) 1983-07-07 1985-08-06 American Telephone And Telegraph Integrated electroacoustic transducer
JPS60111129A (ja) 1983-11-21 1985-06-17 Yokogawa Hokushin Electric Corp 圧力センサ
US4641054A (en) * 1984-08-09 1987-02-03 Nippon Ceramic Company, Limited Piezoelectric electro-acoustic transducer
US4691363A (en) 1985-12-11 1987-09-01 American Telephone & Telegraph Company, At&T Information Systems Inc. Transducer device
JPS62173814A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子搭載ユニツト
ATA74486A (de) * 1986-03-20 1987-04-15 Akg Akustische Kino Geraete Richtmikrophon nach dem elektrostatischen oder elektrodynamischen wandlerprinzip
JPH0726887B2 (ja) 1986-05-31 1995-03-29 株式会社堀場製作所 コンデンサマイクロフオン型検出器用ダイアフラム
US5091051A (en) * 1986-12-22 1992-02-25 Raytheon Company Saw device method
NL8702589A (nl) * 1987-10-30 1989-05-16 Microtel Bv Elektro-akoestische transducent van de als elektreet aangeduide soort, en een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transducent.
US5293781A (en) 1987-11-09 1994-03-15 California Institute Of Technology Tunnel effect measuring systems and particle detectors
US4816125A (en) 1987-11-25 1989-03-28 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
US4985926A (en) 1988-02-29 1991-01-15 Motorola, Inc. High impedance piezoelectric transducer
US4825335A (en) * 1988-03-14 1989-04-25 Endevco Corporation Differential capacitive transducer and method of making
US4866683A (en) 1988-05-24 1989-09-12 Honeywell, Inc. Integrated acoustic receiver or projector
US4984268A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 At&T Bell Laboratories Telephone handset construction
US5218490A (en) * 1989-04-25 1993-06-08 Sony Corporation Tape tension servo-system for video tape recording and/or reproducing apparatus
US5146435A (en) 1989-12-04 1992-09-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer
DE4000903C1 (de) 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5101543A (en) * 1990-07-02 1992-04-07 Gentex Corporation Method of making a variable capacitor microphone
US5059848A (en) 1990-08-20 1991-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low-cost saw packaging technique
US5153379A (en) 1990-10-09 1992-10-06 Motorola, Inc. Shielded low-profile electronic component assembly
US5189777A (en) 1990-12-07 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of producing micromachined differential pressure transducers
JP2772739B2 (ja) * 1991-06-20 1998-07-09 いわき電子株式会社 リードレスパッケージの外部電極構造及びその製造方法
US5184107A (en) * 1991-01-28 1993-02-02 Honeywell, Inc. Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal
JPH04281696A (ja) * 1991-03-11 1992-10-07 Sony Corp スティフネス減少装置を備えた音響信号再生システム
US5178015A (en) * 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
US5257547A (en) 1991-11-26 1993-11-02 Honeywell Inc. Amplified pressure transducer
US5650685A (en) 1992-01-30 1997-07-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microcircuit package with integrated acoustic isolator
US5490220A (en) * 1992-03-18 1996-02-06 Knowles Electronics, Inc. Solid state condenser and microphone devices
FR2697675B1 (fr) * 1992-11-05 1995-01-06 Suisse Electronique Microtech Procédé de fabrication de transducteurs capacitifs intégrés.
US5531787A (en) 1993-01-25 1996-07-02 Lesinski; S. George Implantable auditory system with micromachined microsensor and microactuator
US5475606A (en) * 1993-03-05 1995-12-12 International Business Machines Corporation Faraday cage for a printed circuit card
US5477008A (en) 1993-03-19 1995-12-19 Olin Corporation Polymer plug for electronic packages
US5459368A (en) 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
US5465008A (en) 1993-10-08 1995-11-07 Stratedge Corporation Ceramic microelectronics package
JPH07111254A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
US6191928B1 (en) * 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5452268A (en) 1994-08-12 1995-09-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer with improved low frequency response
US5545912A (en) 1994-10-27 1996-08-13 Motorola, Inc. Electronic device enclosure including a conductive cap and substrate
JP3171043B2 (ja) * 1995-01-11 2001-05-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US5506919A (en) * 1995-03-27 1996-04-09 Eastman Kodak Company Conductive membrane optical modulator
JP3328102B2 (ja) 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
US6033935A (en) * 1997-06-30 2000-03-07 Formfactor, Inc. Sockets for "springed" semiconductor devices
US5659195A (en) 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
US5573435A (en) 1995-08-31 1996-11-12 The Whitaker Corporation Tandem loop contact for an electrical connector
TW332166B (en) * 1995-10-06 1998-05-21 Laurance Lewellin Richard Method for making articles with rice hulls
EP0774888B1 (de) 1995-11-16 2003-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Gedruckte Leiterplatte und ihre Anordnung
US5674785A (en) * 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
JP3294490B2 (ja) 1995-11-29 2002-06-24 株式会社日立製作所 Ｂｇａ型半導体装置
JP3432982B2 (ja) * 1995-12-13 2003-08-04 沖電気工業株式会社 表面実装型半導体装置の製造方法
DE19548051A1 (de) 1995-12-21 1997-06-26 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement -
US6242842B1 (en) * 1996-12-16 2001-06-05 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production
DE19548048C2 (de) 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement)
DE19548046C2 (de) * 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen
US5748758A (en) * 1996-01-25 1998-05-05 Menasco, Jr.; Lawrence C. Acoustic audio transducer with aerogel diaphragm
JPH09222372A (ja) 1996-02-19 1997-08-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体式センサ
US5888845A (en) * 1996-05-02 1999-03-30 National Semiconductor Corporation Method of making high sensitivity micro-machined pressure sensors and acoustic transducers
JPH11510666A (ja) * 1996-05-24 1999-09-14 シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニコマンデイート ゲゼルシヤフト 電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス―ｓａｗデバイス
US5939968A (en) 1996-06-19 1999-08-17 Littelfuse, Inc. Electrical apparatus for overcurrent protection of electrical circuits
WO1997050127A1 (en) * 1996-06-24 1997-12-31 International Business Machines Corporation Stacked semiconductor device package
US5889872A (en) * 1996-07-02 1999-03-30 Motorola, Inc. Capacitive microphone and method therefor
US5838551A (en) 1996-08-01 1998-11-17 Northern Telecom Limited Electronic package carrying an electronic component and assembly of mother board and electronic package
US5740261A (en) * 1996-11-21 1998-04-14 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
JP3576727B2 (ja) * 1996-12-10 2004-10-13 株式会社デンソー 表面実装型パッケージ
DE19653097A1 (de) 1996-12-20 1998-07-02 Forschungszentrum Juelich Gmbh Schicht mit porösem Schichtbereich, eine solche Schicht enthaltendes Interferenzfilter sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
US5999821A (en) 1997-01-29 1999-12-07 Motorola, Inc. Radiotelephone having a user interface module
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
US5923995A (en) 1997-04-18 1999-07-13 National Semiconductor Corporation Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems
US6118881A (en) 1997-05-13 2000-09-12 Lucent Technologies Inc. Reduction of flow-induced microphone noise
US5831262A (en) 1997-06-27 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
JP3336913B2 (ja) * 1997-06-30 2002-10-21 株式会社村田製作所 電子部品のパッケージ構造
US5990418A (en) 1997-07-29 1999-11-23 International Business Machines Corporation Hermetic CBGA/CCGA structure with thermal paste cooling
TW387198B (en) * 1997-09-03 2000-04-11 Hosiden Corp Audio sensor and its manufacturing method, and semiconductor electret capacitance microphone using the same
US6150753A (en) 1997-12-15 2000-11-21 Cae Blackstone Ultrasonic transducer assembly having a cobalt-base alloy housing
DE19757560A1 (de) 1997-12-23 1999-07-01 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Herstellung einer porösen Schicht mit Hilfe eines elektrochemischen Ätzprozesses
DE19806550B4 (de) * 1998-02-17 2004-07-22 Epcos Ag Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement
DE19806818C1 (de) * 1998-02-18 1999-11-04 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements
US6282072B1 (en) 1998-02-24 2001-08-28 Littelfuse, Inc. Electrical devices having a polymer PTC array
US6400065B1 (en) 1998-03-31 2002-06-04 Measurement Specialties, Inc. Omni-directional ultrasonic transducer apparatus and staking method
DE19818824B4 (de) * 1998-04-27 2008-07-31 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19822794C1 (de) * 1998-05-20 2000-03-09 Siemens Matsushita Components Mehrfachnutzen für elektronische Bauelemente, insbesondere akustische Oberflächenwellen-Bauelemente
US6052464A (en) * 1998-05-29 2000-04-18 Motorola, Inc. Telephone set having a microphone for receiving or an earpiece for generating an acoustic signal via a keypad
FI105880B (fi) * 1998-06-18 2000-10-13 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaanisen mikrofonin kiinnitys
US6108184A (en) 1998-11-13 2000-08-22 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a voltage variable material
US6078245A (en) * 1998-12-17 2000-06-20 Littelfuse, Inc. Containment of tin diffusion bar
US7003127B1 (en) * 1999-01-07 2006-02-21 Sarnoff Corporation Hearing aid with large diaphragm microphone element including a printed circuit board
US6838972B1 (en) 1999-02-22 2005-01-04 Littelfuse, Inc. PTC circuit protection devices
US6157546A (en) 1999-03-26 2000-12-05 Ericsson Inc. Shielding apparatus for electronic devices
US6182342B1 (en) * 1999-04-02 2001-02-06 Andersen Laboratories, Inc. Method of encapsulating a saw device
US6136419A (en) 1999-05-26 2000-10-24 International Business Machines Corporation Ceramic substrate having a sealed layer
CA2315417A1 (en) 1999-08-11 2001-02-11 Hiroshi Une Electret capacitor microphone
CA2383740C (en) 1999-09-06 2005-04-05 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6732588B1 (en) * 1999-09-07 2004-05-11 Sonionmems A/S Pressure transducer
US6522762B1 (en) * 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6829131B1 (en) 1999-09-13 2004-12-07 Carnegie Mellon University MEMS digital-to-acoustic transducer with error cancellation
FR2799883B1 (fr) 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
EP1230739B1 (de) 1999-11-19 2016-05-25 Gentex Corporation Fahrzeugzubehörmikrofon
JP2001157298A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Koji Ono 光学式マイクロホンおよびその製造方法
US6324907B1 (en) 1999-11-29 2001-12-04 Microtronic A/S Flexible substrate transducer assembly
US6613605B2 (en) 1999-12-15 2003-09-02 Benedict G Pace Interconnection method entailing protuberances formed by melting metal over contact areas
US20020076910A1 (en) 1999-12-15 2002-06-20 Pace Benedict G. High density electronic interconnection
DE19961842B4 (de) * 1999-12-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mehrschichtleiterplatte
US6236145B1 (en) 2000-02-29 2001-05-22 Cts Corporation High thermal resistivity crystal resonator support structure and oscillator package
JP2001267473A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE10016867A1 (de) * 2000-04-05 2001-10-18 Epcos Ag Bauelement mit Beschriftung
US6809413B1 (en) 2000-05-16 2004-10-26 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window mounted in a recessed lip
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6856225B1 (en) 2000-05-17 2005-02-15 Xerox Corporation Photolithographically-patterned out-of-plane coil structures and method of making
JP2001339796A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> コンデンサ型マイクロフォン
US7153717B2 (en) 2000-05-30 2006-12-26 Ic Mechanics Inc. Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps
JP2002001857A (ja) * 2000-06-21 2002-01-08 Nitto Denko Corp 樹脂基板及び液晶表示装置
US6535460B2 (en) 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
US6439869B1 (en) 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for molding semiconductor components
US6530515B1 (en) * 2000-09-26 2003-03-11 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked flip chip package fabrication method
US6566672B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Heidelberger Druckmaschinen Ag Light sensor for sheet products
JP2002134875A (ja) 2000-10-26 2002-05-10 Murata Mfg Co Ltd モジュール部品、モジュール部品の実装構造、および電子装置
US7092539B2 (en) 2000-11-28 2006-08-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. MEMS based acoustic array
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7439616B2 (en) 2000-11-28 2008-10-21 Knowles Electronics, Llc Miniature silicon condenser microphone
GB2386030B (en) * 2000-12-22 2004-08-18 Bruel & Kjaer Sound & Vibratio A micromachined capacitive transducer
US6448697B1 (en) 2000-12-28 2002-09-10 Cts Corporation Piezoelectric device having increased mechanical compliance
DE10104574A1 (de) * 2001-02-01 2002-08-08 Epcos Ag Substrat für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
CA2436484C (en) 2001-02-14 2008-01-22 Gentex Corporation Vehicle accessory microphone
US6437449B1 (en) 2001-04-06 2002-08-20 Amkor Technology, Inc. Making semiconductor devices having stacked dies with biased back surfaces
US6838387B1 (en) * 2001-06-21 2005-01-04 John Zajac Fast etching system and process
JP3794292B2 (ja) * 2001-07-03 2006-07-05 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器およびその製造方法
DE10136743B4 (de) 2001-07-27 2013-02-14 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelementes
TW554498B (en) 2001-08-17 2003-09-21 Citizen Watch Co Ltd Electronic device and production process thereof
US7298856B2 (en) 2001-09-05 2007-11-20 Nippon Hoso Kyokai Chip microphone and method of making same
JP2003078981A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> マイクロホン実装回路基板および該基板を搭載する音声処理装置
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
WO2003032484A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-17 Epcos Ag Verfahren zur verkapselung eines elektrischen bauelementes und damit verkapseltes oberflächenwellenbauelement
US7146016B2 (en) 2001-11-27 2006-12-05 Center For National Research Initiatives Miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US6649446B1 (en) 2001-11-29 2003-11-18 Clarisay, Inc. Hermetic package for multiple contact-sensitive electronic devices and methods of manufacturing thereof
DE10164494B9 (de) * 2001-12-28 2014-08-21 Epcos Ag Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung
DE10164502B4 (de) 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements
US6800987B2 (en) 2002-01-22 2004-10-05 Measurement Specialties, Inc. Protective housing for ultrasonic transducer apparatus
US6891266B2 (en) 2002-02-14 2005-05-10 Mia-Com RF transition for an area array package
JP3908059B2 (ja) 2002-02-27 2007-04-25 スター精密株式会社 エレクトレットコンデンサマイクロホン
US6627814B1 (en) 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window
JP3945292B2 (ja) 2002-04-10 2007-07-18 松下電器産業株式会社 ダイヤフラム型トランスデューサ
US7217588B2 (en) * 2005-01-05 2007-05-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated MEMS packaging
US6621392B1 (en) 2002-04-25 2003-09-16 International Business Machines Corporation Micro electromechanical switch having self-aligned spacers
US6850133B2 (en) * 2002-08-14 2005-02-01 Intel Corporation Electrode configuration in a MEMS switch
JP2004079776A (ja) 2002-08-19 2004-03-11 Yutaka Denki Seisakusho:Kk プリント配線板の実装方法
DE10238523B4 (de) 2002-08-22 2014-10-02 Epcos Ag Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP3976135B2 (ja) 2002-08-28 2007-09-12 日本電波工業株式会社 水晶振動子
US7072482B2 (en) 2002-09-06 2006-07-04 Sonion Nederland B.V. Microphone with improved sound inlet port
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
JP3826875B2 (ja) 2002-10-29 2006-09-27 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイスおよびその製造方法
US6909589B2 (en) 2002-11-20 2005-06-21 Corporation For National Research Initiatives MEMS-based variable capacitor
US7371970B2 (en) 2002-12-06 2008-05-13 Flammer Jeffrey D Rigid-flex circuit board system
JP2004229200A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Sanyo Electric Co Ltd 音響センサー
DE10303263B4 (de) 2003-01-28 2012-01-05 Infineon Technologies Ag Mikrophonanordnung
WO2004077523A2 (en) 2003-02-25 2004-09-10 Ic Mechanics, Inc. Micromachined assembly with a multi-layer cap defining cavity
US7492019B2 (en) * 2003-03-07 2009-02-17 Ic Mechanics, Inc. Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity
US7244125B2 (en) 2003-12-08 2007-07-17 Neoconix, Inc. Connector for making electrical contact at semiconductor scales
CN100454533C (zh) 2003-04-15 2009-01-21 波零公司 用于电子元件封装的emi屏蔽
JP3966237B2 (ja) 2003-06-19 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス、圧電デバイスを搭載した電子機器
US7318589B2 (en) * 2003-09-22 2008-01-15 Jtekt Corporation Sealing device and rotation detector
US7233679B2 (en) * 2003-09-30 2007-06-19 Motorola, Inc. Microphone system for a communication device
JP2005198051A (ja) 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Ltd 高周波モジュール
JP2005241380A (ja) 2004-02-25 2005-09-08 Seiko Epson Corp 圧電デバイスならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器
JP4484545B2 (ja) 2004-02-26 2010-06-16 京セラ株式会社 圧電発振器
JP4264103B2 (ja) 2004-03-03 2009-05-13 パナソニック株式会社 エレクトレットコンデンサーマイクロホン
JP4352942B2 (ja) 2004-03-05 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス、及び圧電発振器
KR20060127166A (ko) 2004-03-09 2006-12-11 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 일렉트릿 컨덴서 마이크로폰
JP3875240B2 (ja) * 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
DE102004020204A1 (de) 2004-04-22 2005-11-10 Epcos Ag Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP3998658B2 (ja) 2004-04-28 2007-10-31 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびパッケージ基板
DE102004037817B4 (de) * 2004-08-04 2014-08-07 Epcos Ag Elektrisches Bauelement in Flip-Chip-Bauweise
US7608789B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-27 Epcos Ag Component arrangement provided with a carrier substrate
US7157836B2 (en) 2004-10-19 2007-01-02 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device
DE202005001559U1 (de) 2005-01-31 2005-05-19 Microelectronic Packaging Dresden Gmbh Chipaufbau für stressempfindliche Chips
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008512B4 (de) * 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US7202552B2 (en) 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
SG130158A1 (en) 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
DE102005046008B4 (de) * 2005-09-26 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005054461B4 (de) 2005-11-15 2010-10-14 Daimler Ag Vorrichtung zum schwenkbeweglichen Verbinden von mindestens zwei Bauteilen und Verfahren zur Montage der Vorrichtung
DE102006019118B4 (de) * 2006-04-25 2011-08-18 Epcos Ag, 81669 Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung
DE102006025162B3 (de) * 2006-05-30 2008-01-31 Epcos Ag Flip-Chip-Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6075867A (en) * 1995-06-23 2000-06-13 Microtronic A/S Micromechanical microphone

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BAY J ET AL: "Design Of A Silicon Microphone With Differential Read-out Of A Sealed Double Parallel-plate Capacitor", INT. CONF. EUROSENSORS, vol. 2, 25 June 1995 (1995-06-25), STOCKHOLM, SWEDEN, pages 700 - 703, XP010305041 *
VAN DER DONK A G H ET AL: "Amplitude-modulated electro-mechanical feedback system for silicon condenser microphones", JOURNAL OF MICROMECHANICS & MICROENGINEERING, INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING, BRISTOL, GB, vol. 2, no. 3, 1 September 1992 (1992-09-01), pages 211 - 214, XP020069302, ISSN: 0960-1317 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8184845B2 (en) 2005-02-24 2012-05-22 Epcos Ag Electrical module comprising a MEMS microphone
US8582788B2 (en) 2005-02-24 2013-11-12 Epcos Ag MEMS microphone
US8229139B2 (en) 2005-11-10 2012-07-24 Epcos Ag MEMS microphone, production method and method for installing
US8432007B2 (en) 2005-11-10 2013-04-30 Epcos Ag MEMS package and method for the production thereof
CN106256139A (zh) * 2014-03-17 2016-12-21 谷歌公司 用于机械振动噪声消除的双元件mems扩音器

Also Published As

Publication number Publication date
US8582788B2 (en) 2013-11-12
DE102005008511B4 (de) 2019-09-12
JP2008532371A (ja) 2008-08-14
US20080267431A1 (en) 2008-10-30
JP5108533B2 (ja) 2012-12-26
DE102005008511A1 (de) 2006-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005008511B4 (de) MEMS-Mikrofon
EP3320694B1 (de) Mems-leiterplattenmodul mit integrierter piezoelektrischer struktur sowie schallwandleranordnung
WO2006089638A1 (de) Elektrisches modul mit einem mems-mikrofon
DE102012209235B4 (de) Sensormodul mit zwei mikromechanischen Sensorelementen
EP3100467B1 (de) Mems mit mikromechanischen piezoelektrischen aktuatoren zur realisierung hoher kräfte und auslenkungen
US9131319B2 (en) Component having a micromechanical microphone structure
DE102015103321B4 (de) Doppelmembran-Mems-Mikrophon ohne Rückplattenelement
EP2163121B1 (de) Akustisches sensorelement
WO2015097035A1 (de) Mikro-elektromechanischer schallwandler mit schallenergiereflektierender zwischenschicht
WO2017055384A1 (de) Flexible mems-leiterplatteneinheit sowie schallwandleranordnung
DE3218576C2 (de) Piezoelektrisches Stellglied
DE102015103311B4 (de) Schallwandlerstruktur mit Einzeldiaphragma
DE102015114242A1 (de) MEMS-Lautsprecher mit Positionssensor
DE102013200070B3 (de) Mikrofon-Bauteil
US20090322353A1 (en) Readout-interface circuit for a capacitive microelectromechanical sensor, and corresponding sensor
EP1966576A1 (de) Mikromechanisches sensorelement
DE102005008514A1 (de) Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
DE102012200929A1 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
EP2145505A1 (de) Akustischer wandler
DE112007000263T5 (de) Oberflächenmikromechanik-Differentialmikrofon
DE102010029936A1 (de) Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonsruktur
EP3778469A1 (de) Mems-bauteil, baugruppe mit dem mems-bauteil und verfahren zum betreiben des mems-bauteils
DE3023155A1 (de) Kontaktmikrofon zur aufnahme der menschlichen sprache
DE102005061343B4 (de) Ultraschallwandler mit selbsttragender Anpassschicht sowie Verfahren zur Herstellung
US9167354B2 (en) Electroacoustic sound transducer

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007556516

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06706761

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 6706761

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11816969

Country of ref document: US