WO2004010499A1 - モジュール部品 - Google Patents

モジュール部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2004010499A1
WO2004010499A1 PCT/JP2003/007598 JP0307598W WO2004010499A1 WO 2004010499 A1 WO2004010499 A1 WO 2004010499A1 JP 0307598 W JP0307598 W JP 0307598W WO 2004010499 A1 WO2004010499 A1 WO 2004010499A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
circuit board
module component
sealing body
metal film
ground pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/007598
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michiaki Tsuneoka
Koji Hashimoto
Masaaki Hayama
Takeo Yasuho
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. filed Critical Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority to US10/485,540 priority Critical patent/US7161252B2/en
Priority to EP03736220A priority patent/EP1416532A4/en
Publication of WO2004010499A1 publication Critical patent/WO2004010499A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane

Definitions

  • the present invention relates to a module component used for various electronic devices, communication devices, and the like. Background art
  • the conventional module component shown in FIG. 9 includes a circuit board 21 on which at least one mounting component 23 is mounted on at least one side, a concave ground electrode 24 provided on a side surface of the circuit board 21, It is composed of a metal case 22 provided to cover the component 23. One end of the metal case 22 is inserted into the ground electrode 24 and connected by solder to perform electric shielding of module components.
  • the metal case 22 is connected to the side surface of the circuit board 21 by soldering, so that the circuit board 21 needs to have a thickness enough to allow the metal case 22 to stand on its own.
  • a short circuit due to the metal case 22 hitting the mounted component 23 mounted on the circuit board 21 and a malfunction of the circuit due to external stress occur.
  • the height of the metal case 22 needs to be higher than the height of the mounted component 23.
  • the circuit board 21 and the metal case 22 are connected so that the metal case 22 does not come into contact with the circuit pattern formed on the surface of the circuit board 21 and the mounting parts 23.
  • the terminal 2 is provided with a gap, and is connected to the terminal formed on the metal case 22 and the side terminal parts of the circuit board 21 at several points. Therefore, it is difficult to reduce the thickness of this module component, and a sufficient shielding effect cannot be obtained. Disclosure of the invention
  • the module components include a mounted component, a circuit board on which the mounted component is mounted, a ground pattern provided on the outermost periphery of a surface layer of the circuit board, and a circuit board provided on the circuit board.
  • the package includes a sealing body having a smaller projected area than the outer shape of the circuit board and being formed of resin to seal a mounted component, and a metal film covering the surface of the sealing body and connected to a ground pattern.
  • This module component is low in height and has a sufficient shielding effect.
  • FIG. 1 is a perspective view of a module component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 of the module component shown in FIG.
  • Figure 3 is a comparison diagram of the shielding effect of module components.
  • FIG. 4 is a sectional view of another module component according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a perspective view of a module component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the module component shown in FIG. 5 taken along line 6-6.
  • FIG. 7 is a sectional view of another module component according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged sectional view of the module component according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a perspective view of a conventional module component. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a perspective view of a module component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 of the module component shown in FIG.
  • the power supply, ground, high-frequency circuit pattern, etc. are formed over at least two or more wiring layers on the circuit board 1 formed of a multi-layer board, and the surface of the circuit board 1 has mounted components 3 such as resistors, capacitors, coils, semiconductors, and crystals. Are mounted and connected by lead-free solder.
  • a sealing body 4 made of an epoxy resin having an area projected onto the circuit board 1 smaller than the outer shape of the circuit board 1 is formed so as to cover the mounted components 3.
  • the metal film 2 is formed on the surface of the sealing body 4.
  • FIG. 3 is a diagram comparing the shield effects of the module components of each sample with reference to the module component having the sealing body 4 and not having the metal film 2.
  • Sample A is a conventional module with a metal case.
  • Sample B has a ground pattern 5 on two short sides of the circuit board 1.
  • Sample C has a duland pattern 5 provided at four corners of the circuit board 1.
  • Sample D has ground patterns 5 on four sides of circuit board 1.
  • the sample E has a daland pattern 5 on two long sides of the circuit board 1.
  • the module component of Sample E having the ground pattern 5 on the four sides of the circuit board 1 has a larger shielding effect than the conventional module component having a metal case.
  • the module component having the metal film 2 connected to the land pattern 5 at several points is a module component having the metal pattern 2 connected to the ground pattern 5 on four sides. A good shielding effect.
  • the daland pattern 5 formed on the surface layer of the circuit board 1 and the metal film 2 are connected. Further, as shown in FIG. 4, the side end of the ground pattern 5 formed on the outer peripheral portion of the circuit board 1 and the metal film 2 may be connected.
  • the thickness of the metal film 2 is approximately 1 micron or more, a sufficient shielding effect can be obtained.
  • a copper metal film 101 is formed on the surface of the sealing body 4 by electroless plating, and a denser metal film 102 is formed on the surface of the metal film by electrolytic plating.
  • a metal film 2 is obtained.
  • the connection resistance of the metal film 2 to the ground pattern 5 is reduced, the ground potential of the metal film 2 is stabilized, and the shielding effect is enhanced.
  • the projected area of the circuit board 1 is larger than the projected area of the sealing body 4 covered with the metal film 2, and a step is provided between the sealing body 4 and the circuit board 1. You.
  • the adhesion between the metal film 2 formed of the electroless plating and the electrolytic plating and the sealing body 4 or the circuit board 1 is improved, and separation from the sealing body 4 and the ground pattern 5 can be prevented. Therefore, by connecting the ground pattern 5 formed on the circuit board 1 and the metal film 2 provided on the sealing body 4, the circuit composed of the mounting components 3 formed on the circuit board 1 can be securely connected. Is possible.
  • the circuit board and the mounted components may be connected by lead-free solder.
  • the circuit board and the mounting component may be connected by a conductive adhesive. Thereby, when this circuit module is connected to the mother board, the connection of the circuit is maintained, and the shielding effect is maintained.
  • the gap between the circuit board and the mounted component may be sealed with a resin. This eliminates the air present in the space between the gaps, ensuring high reliability and maintaining the shielding effect.
  • FIG. 5 is a perspective view of a module component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the module component shown in FIG. 5 taken along line 6-6.
  • the module component according to the second embodiment is such that a sealing body 4 covered with a metal film 2 is divided into three blocks by a sealing body 7 formed of a second resin. I have.
  • the circuit board 1 includes the power supply, ground, high-frequency circuit pattern, and the like described in the first embodiment over at least two or more wiring layers.
  • One ground pattern 5 is formed.
  • a sealing body 4 whose projected area on the circuit board 1 is smaller than the outer shape of the circuit board 1 is formed so as to cover the mounting component 3, and the sealing body 4 divides the mounting component 3 into desired circuit blocks.
  • a groove 6 is provided.
  • the metal film 2 formed on the surface of the sealing body 4 and the dividing groove 6 is connected on the surface of the ground pattern 5.
  • a sealing body 7 filled on the metal film 2 with a second resin is formed.
  • the mounted component 3 is divided into desired circuit blocks by the dividing grooves 6 and covered with the sealing body 4, and each circuit block is connected to the first ground pattern 5 by the metal film 2 provided on the surface thereof. Is done.
  • the circuit blocks are electrically shielded from each other, and a small module unit including a plurality of circuit blocks without mutual electrical noise interference. Goods are obtained.
  • the dividing groove 6 is filled with the second resin to form the sealing body 7, even a thin module component has high bending strength and can keep warpage small. As a result, the connection reliability between the metal film 2 and the ground pattern 5 can be secured, and the effect of the shield characteristics can be secured.
  • the metal film 2 and the ground pattern 5 of the circuit board may be independent of each other on the bottom surface or the side surface of the division groove of the sealing body 4, whereby the shielding effect is improved for each circuit block.
  • the component according to the invention is small and has a high shielding effect.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

モジュール部品は、実装部品と、実装部品を搭載した回路基板と、回路基板の表層面の最外周に設けられた第１のグランドパターンと、回路基板上に設けられて、回路基板への投影面積が回路基板の外形より小さく、第１の樹脂で形成されて実装部品を封止する第１の封止体と、封止体の表面を覆い、グランドパターンに接続された金属膜とを備える。このモジュール部品は低背で十分なシールド効果が得られる。

Description

明細書 モジュール部品 技術分野
本発明は各種電子機器、 通信機器等に用いられるモジュール部品に関する。 背景技術
図 9に示す従来のモジュール部品は、 少なくとも片面に 1つ以上の実装部品 2 3を搭載した回路基板 2 1と、 回路基板 2 1の側面に設けられた凹状のグランド 電極 2 4と、 前記実装部品 2 3を覆うように設けられた金属ケース 2 2で構成さ れる。 金属ケース 2 2はその一端がグランド電極 2 4に挿入され半田で接続され てモジュール部品の電気シールドを行っている。
従来のモジュール部品では、 金属ケース 2 2を回路基板 2 1の側面と半田で接 続するため金属ケース 2 2が自立できる程度の回路基板 2 1の厚みが必要である。 また、 回路基板 2 1に搭載されている実装部品 2 3に金属ケース 2 2が当たるこ とによるショートや外部応力による回路動作の不具合が発生する。 これを防ぐた めに金属ケース 2 2の高さは実装部品 2 3の高さより高くする必要がある。 さら に、 回路基板 2 1と金属ケース 2 2の接続には金属ケース 2 2が回路基板 2 1の 表面に形成した回路パターン及び実装部品 2 3と接しないように回路基板 2 1と 金属ケース 2 2とは隙間を設け金属ケース 2 2に形成した端子と数箇所で回路基 板 2 1の側面端子部品と接続している。 したがって、 このモジュール部品は薄型 化が困難で十分なシールド効果が得られない。 発明の開示
モジュール部品は、 実装部品と、 実装部品を搭載した回路基板と、 回路基板の 表層面の最外周に設けられたグランドパターンと、 回路基板上に設けられて、 回 路基板への投影面積が回路基板の外形より小さく、 樹脂で形成されて実装部品を 封止する封止体と、 封止体の表面を覆い、 グランドパターンに接続された金属膜 とを備える。
このモジユール部品は低背で十分なシールド効果が得られる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の実施の形態 1によるモジュール部品の斜視図である。
図 2は図 1に示すモジュール部品の線 2 - 2における断面図である。
図 3はモジュール部品のシールド効果比較図である。
図 4は実施の形態 1による他のモジュール部品の断面図である。
図 5は本発明の実施の形態 2によるモジュール部品の斜視図である。
図 6は図 5に示すモジュール部品の線 6 - 6における断面図である。
図 7は実施の形態 2による他のモジュール部品の断面図である。
図 8は実施の形態 1によるモジュール部品の拡大断面図である。
図 9は従来のモジュール部品の斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
(実施の形態 1 )
図 1は本発明の実施の形態 1によるモジュール部品の斜視図である。 図 2は図 1に示すモジュール部品の線 2— 2における断面図である。 多層基板で形成した 回路基板 1は電源、 グランド、 高周波回路パターンなどが少なくとも 2層以上の 配線層にわたって形成され、 回路基板 1の表面には抵抗、 コンデンサ、 コイル、 半導体、 水晶などの実装部品 3が搭載されて鉛フリー半田で接続されている。 実 装部品 3を覆うように、 回路基板 1への投影面積が回路基板 1の外形より小さい エポキシ系樹脂からなる封止体 4が形成されえている。 封止体 4の表面には金属 膜 2が形成されている。 金属膜 2は回路基板 1の表層の最外周の 4辺に形成され た第 1のグランドパターン 5と接続されている。 図 3は封止体 4を有し金属膜 2を有しないモジュール部品を基準にした各試料 のモジュール部品のシ一ルド効果を比較した図である。 試料 Aは金属ケ一スを有 する従来のモジュールである。 試料 Bは回路基板 1の 2つの短辺にグランドパタ —ン 5を有する。 試料 Cは回路基板 1の 4コーナ部に設けられたダランドパター ン 5を有する。 試料 Dは回路基板 1の 4つの辺にグランドパターン 5を有する。 試料 Eは回路基板 1の 2つの長辺にダランドパターン 5を有する。 回路基板 1の 4辺にグランドパターン 5を有する試料 Eのモジュール部品は金属ケースを有す る従来のモジュール部品より大きなシールド効果を有する。
図 3に示すように、 ダランドパターン 5と数箇所で接続された金属膜 2を有す るモジュール部品は、 グランドパターン 5と 4辺で接続された金属膜 2を有する モジュ一ル部品は確実なシールド効果を得ることができる。
図 2で示ずように、 回路基板 1の表層に形成されたダランドパターン 5と金属 膜 2が接続される。 また、 図 4で示すように、 回路基板 1の外周部に形成したグ ランドパターン 5の側面端部と金属膜 2とが接続されてもよい。
金属膜 2の膜厚は略 1ミクロン以上であれば十分なシールド効果が得られる。 図 8に示すように、 封止体 4の表面に無電解メツキで銅の金属膜 1 0 1が形成さ れ、 その金属膜の表面が電解メツキでさらに緻密な金属膜 1 0 2が形成されて金 属膜 2が得られる。 これにより金属膜 2はグランドパターン 5との接続抵抗が低 くなり、 金属膜 2のグランド電位が安定化されシールド効果を高めている。 図 2あるいは図 4で示すように、 金属膜 2で覆われた封止体 4の投影面積より 回路基板 1の投影面積の方が大きく、 封止体 4と回路基板 1とに段差が設けられ る。 これにより、 無電解メツキと電解メツキとで形成された金属膜 2と封止体 4 や回路基板 1との密着性が向上し、 封止体 4およびグランドパターン 5からの剥 離を防止できる。 したがって、 回路基板 1に形成されたグランドパターン 5と封 止体 4に設けられた金属膜 2とを接続することにより回路基板 1の上に形成され た実装部品 3からなる回路を確実にシ一ルドすることが可能となる。
回路基板と実装部品とは鉛フリー半田で接続されてもよい。 これによりこの回 路モジュールがマザ一基板との接続される時に回路の接続が維持され、 シールド 効果が維持される。
回路基板と実装部品とは導電性接着剤で接続されてもよい。 これにより、 この 回路モジュールがマザ一基板と接続される時に回路の接続が維持され、 シールド 効果が維持される。
また、 回路基板と実装部品の隙間は樹脂で封止されてもよい。 これにより隙間 の空間に存在する空気を排除し、 高信頼性が確保できシールド効果を維持できる。
(実施の形態 2 )
図 5は本発明の実施の形態 2によるモジュール部品の斜視図である。 図 6は図 5に示すモジュール部品の線 6 - 6における断面図である。 実施の形態 2におけ るモジュール部品は図 5に示すように、 金属膜 2で覆われた封止体 4が 3つのブ ロックに第 2の樹脂で形成された封止体 7によって分割されている。
図 6に示すように、 回路基板 1は、 実施の形態 1で説明した電源、 グランド、 高周波回路パターンなどが少なくとも 2層以上の配線層にわたって形成されてお り、 その表面の外周部には第 1のグランドパターン 5が形成されている。
回路基板 1の表面には抵抗、 コンデンサ、 コイル、 半導体、 水晶 ¾どの実装部 品 3が搭載される。 実装部品 3を覆うように、 回路基板 1への投影面積が回路基 板 1の外形より小さな封止体 4が形成され、 封止体 4には実装部品 3を所望の回 路ブロックに分ける分割溝 6が設けられている。
封止体 4および分割溝 6の表面に形成された金属膜 2はグランドパターン 5の 表面で接続される。 分割溝 6には金属膜 2上に第 2の樹脂で充填された封止体 7 が形成されている。
このように、 実装部品 3が所望の回路プロックに分割溝 6で分けられて封止体 4で覆われ、 個々の回路ブロックはその表面にされた金属膜 2が第 1のグランド パターン 5と接続される。 これにより、 回路ブロック間が電気的に遮蔽され、 互 いに電気的なノイズ干渉がない複数の回路ブロックを含んだ小型のモジュール部 品が得られる。
また、 分割溝 6に第 2の樹脂が充填され封止体 7が形成されることで、 薄いモ ジュール部品でも曲げ強度が強く、 そりを小さく保つことができる。 これにより 金属膜 2とグランドパターン 5との接続信頼性が確保できシールド特性の効果を 確保できる。
図 7に示す他のモジュール部品では、 回路基板 1の厚み方向のの途中まで形成 された金属膜 2により、 回路基板 1の内部に形成されているパターンの一部もシ 一ルドすることが可能で、 図 6に示すモジュール部品より高いシールド効果が得 られる。
封止体 4の分割溝の底面または側面で金属膜 2と回路基板のグランドパターン 5は個々に独立してもよく、 これにより回路プロックごとにシールド効果が高ま る。 産業上の利用可能性
本発明による部品は、 小型であり高いシールド効果を有する。

Claims

請求の範囲
1 . ：^ ¾¾ ロロし、
前記実装部品を搭載した回路基板と、
前記回路基板の ¾層面の最外周に設けられた第 1のグランドパターンと、 前記回路基板上に設けられて、 前記回路基板への投影面積が前記回路基板 の外形より小さく、 第 1の樹脂で形成されて前記実装部品を封止する第 1の封止 体と、
前記封止体の表面を覆い、 前記グランドパターンに接続された金属膜と、 を備えたモジュール部品。
2 . 前記回路基板の前記表層面は前記回路基板の外形より小さく、 前記金属膜は 前記グランドパターンの側面端部と接続された、 請求の範囲第 1項に記載のモジ ユール部品。
3 . 前記回路基板の前記表層面上に設けられた第 2のグランドパターンをさら に備え、
前記第 1の封止体は所望の回路プロックに対応して形成された分割溝を有 する、 請求の範囲第 1項に記載のモジュール部品。
4 . 前記金属膜は前記分割溝の底面と側面と少なくとも 1つで前記第 2のグラン ドパターンに接続された、 請求の範囲第 3項に記載のモジュール部品。
5 . 前記分割溝を充填する第 2の樹脂で形成された第 2の封止体をさらに備えた、 請求の範囲第 3項に記載のモジュール部品。
6 . 前記金属膜は、
前記第 1の封止体上に無電解メツキで形成された第 1の膜と、 前記第 1の膜上に電解メツキで形成された第 2の膜と、 を含む、 請求の範囲第 1項に記載のモジュール部品。
7 . 前記回路基板と前記実装部品とは鉛フリー半田で接続された、 請求の範囲第 1項に記載のモジュー^/部品。
8 . 前記回路基板と前記実装部品とは導電性接着剤で接続された、 請求の範囲第 1項に記載のモジュール部品。
9 . 前記回路基板と前記実装部品との隙間を封止する第 3の樹脂をさらに備えた、 請求の範囲第 1項に記載のモジュール部品。
PCT/JP2003/007598 2002-07-19 2003-06-16 モジュール部品 WO2004010499A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/485,540 US7161252B2 (en) 2002-07-19 2003-06-16 Module component
EP03736220A EP1416532A4 (en) 2002-07-19 2003-06-16 MODULE COMPONENT

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002210750 2002-07-19
JP2002-210750 2002-07-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004010499A1 true WO2004010499A1 (ja) 2004-01-29

Family

ID=30767745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/007598 WO2004010499A1 (ja) 2002-07-19 2003-06-16 モジュール部品

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7161252B2 (ja)
EP (1) EP1416532A4 (ja)
JP (2) JP2010067989A (ja)
CN (1) CN1323435C (ja)
WO (1) WO2004010499A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101996962B (zh) * 2004-10-28 2013-01-16 京瓷株式会社 电子部件模块以及无线通信设备
WO2020017547A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 株式会社村田製作所 モジュール

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7659604B2 (en) * 2004-03-30 2010-02-09 Panasonic Corporation Module component and method for manufacturing the same
JP4552524B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-29 パナソニック株式会社 複合型電子部品
WO2006011320A1 (ja) 2004-07-30 2006-02-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合型電子部品及びその製造方法
JP4494175B2 (ja) * 2004-11-30 2010-06-30 新光電気工業株式会社 半導体装置
US7745865B2 (en) * 2005-07-20 2010-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Devices and methods for preventing capacitor leakage
US7342303B1 (en) * 2006-02-28 2008-03-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
CN101502193B (zh) * 2006-07-25 2011-09-21 松下电器产业株式会社 电路板和移动电子设备
US9466545B1 (en) * 2007-02-21 2016-10-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package in package
JP4138862B1 (ja) * 2008-01-15 2008-08-27 松下電器産業株式会社 回路基板モジュール及び電子機器
JP4267677B1 (ja) * 2008-01-15 2009-05-27 パナソニック株式会社 電子機器
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8350367B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8008753B1 (en) * 2008-04-22 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. System and method to reduce shorting of radio frequency (RF) shielding
US7829981B2 (en) * 2008-07-21 2010-11-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8410584B2 (en) * 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US20100110656A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US20100207257A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8368185B2 (en) 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8378466B2 (en) * 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US8654537B2 (en) * 2010-12-01 2014-02-18 Apple Inc. Printed circuit board with integral radio-frequency shields
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
CN102364683A (zh) * 2011-10-21 2012-02-29 华为终端有限公司 封装结构、方法、及电子设备
JP2013098363A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Murata Mfg Co Ltd 複合モジュール
US8541883B2 (en) 2011-11-29 2013-09-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device having shielded conductive vias
US8937376B2 (en) 2012-04-16 2015-01-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods
US8786060B2 (en) 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
US9153542B2 (en) 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof
DE102012222015B4 (de) * 2012-11-30 2019-07-18 Infineon Technologies Ag Feuchtigkeitsdichtes Halbleitermodul und ein Verfahren zu dessen Herstellung
US9978688B2 (en) 2013-02-28 2018-05-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof
US9837701B2 (en) 2013-03-04 2017-12-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof
US9129954B2 (en) 2013-03-07 2015-09-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof
US9172131B2 (en) 2013-03-15 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor structure having aperture antenna
US8828807B1 (en) * 2013-07-17 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Method of packaging integrated circuits and a molded substrate with non-functional placeholders embedded in a molding compound
CN103400825B (zh) 2013-07-31 2016-05-18 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装件及其制造方法
US9275878B2 (en) 2013-10-01 2016-03-01 Infineon Technologies Ag Metal redistribution layer for molded substrates
US20150287697A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Device and Method
US10242957B2 (en) * 2015-02-27 2019-03-26 Qualcomm Incorporated Compartment shielding in flip-chip (FC) module
US9437576B1 (en) * 2015-03-23 2016-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
CN107710406B (zh) 2015-06-04 2020-10-16 株式会社村田制作所 高频模块
CN105578733B (zh) * 2016-02-26 2019-03-05 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种pcb及其制作方法
JP6407186B2 (ja) * 2016-03-23 2018-10-17 Tdk株式会社 電子回路パッケージ
WO2017199617A1 (ja) 2016-05-18 2017-11-23 株式会社村田製作所 モジュール部品
US20180134546A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6809600B2 (ja) * 2017-04-03 2021-01-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN109727928B (zh) * 2017-10-30 2021-02-26 长鑫存储技术有限公司 具有电磁干扰屏蔽的半导体封装结构及制造方法
JP7106753B2 (ja) * 2018-09-04 2022-07-26 中芯集成電路（寧波）有限公司 ウェハレベルパッケージング方法及びパッケージング構造
US11071196B2 (en) * 2019-04-05 2021-07-20 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic device module and method of manufacturing electronic device module
CN110335862A (zh) * 2019-06-17 2019-10-15 青岛歌尔微电子研究院有限公司 一种sip封装的屏蔽工艺
US10879192B1 (en) * 2019-07-17 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
CN118099139B (zh) * 2024-04-28 2024-07-16 锐睛微电子(珠海)有限公司 芯片封装结构及制造方法、设备、图像传感器和内窥镜

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03179796A (ja) 1989-12-07 1991-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハイブリッド集積回路
US5166772A (en) * 1991-02-22 1992-11-24 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor device package with integral shield
US5311059A (en) 1992-01-24 1994-05-10 Motorola, Inc. Backplane grounding for flip-chip integrated circuit
WO1994018707A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JPH10214923A (ja) 1997-01-28 1998-08-11 Fujitsu Denso Ltd チップ・オン・ボード遮蔽構造およびその製造方法
JPH11163583A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Citizen Electronics Co Ltd 電子部品パッケージ及びその製造方法
JP2001244688A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp 高周波モジュール部品及びその製造方法
EP1160859A2 (en) 2000-05-30 2001-12-05 Alps Electric Co., Ltd. Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization and easy to manufacture

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4100087C2 (de) * 1990-01-11 2000-08-10 Volkswagen Ag Nockenwellenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH0439716U (ja) * 1990-07-30 1992-04-03
US5153379A (en) * 1990-10-09 1992-10-06 Motorola, Inc. Shielded low-profile electronic component assembly
JP2849479B2 (ja) * 1990-12-17 1999-01-20 いわき電子株式会社 半導体装置のパッケージ構造
JP3003581U (ja) * 1994-02-16 1994-10-25 東京日進ジャバラ株式会社 スタティックミキシングモジュール及び混合装置
JPH08139488A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp 電子回路の磁気シールド
JPH08264671A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sumise Device:Kk パッケージの防湿装置
JPH08288686A (ja) 1995-04-20 1996-11-01 Nec Corp 半導体装置
US6049469A (en) * 1997-08-20 2000-04-11 Dell Usa, L.P. Combination electromagnetic shield and heat spreader
KR100395444B1 (ko) 1997-10-02 2003-08-21 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 회로기판에 반도체소자를 실장하는 방법과, 반도체장치
KR100691296B1 (ko) * 1997-10-17 2007-03-12 이비덴 가부시키가이샤 패키지기판
JP3679600B2 (ja) * 1998-02-19 2005-08-03 日本特殊陶業株式会社 表面実装用基板
JP3891737B2 (ja) * 1999-04-19 2007-03-14 シャープ株式会社 発振器及びその発振特性調整方法
US6512183B2 (en) * 2000-10-10 2003-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounted member and repair method thereof
JP2002151633A (ja) * 2000-11-08 2002-05-24 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP3443408B2 (ja) * 2001-02-26 2003-09-02 松下電器産業株式会社 配線基板及びそれを用いた半導体装置
JP4073183B2 (ja) * 2001-08-01 2008-04-09 株式会社日立製作所 Ｐｂフリーはんだを用いた混載実装方法及び実装品
JP2004056155A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03179796A (ja) 1989-12-07 1991-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハイブリッド集積回路
US5166772A (en) * 1991-02-22 1992-11-24 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor device package with integral shield
US5311059A (en) 1992-01-24 1994-05-10 Motorola, Inc. Backplane grounding for flip-chip integrated circuit
WO1994018707A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JPH10214923A (ja) 1997-01-28 1998-08-11 Fujitsu Denso Ltd チップ・オン・ボード遮蔽構造およびその製造方法
JPH11163583A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Citizen Electronics Co Ltd 電子部品パッケージ及びその製造方法
JP2001244688A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp 高周波モジュール部品及びその製造方法
EP1160859A2 (en) 2000-05-30 2001-12-05 Alps Electric Co., Ltd. Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization and easy to manufacture

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1416532A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101996962B (zh) * 2004-10-28 2013-01-16 京瓷株式会社 电子部件模块以及无线通信设备
WO2020017547A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 株式会社村田製作所 モジュール
US11706905B2 (en) 2018-07-20 2023-07-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module

Also Published As

Publication number Publication date
US7161252B2 (en) 2007-01-09
CN1323435C (zh) 2007-06-27
EP1416532A1 (en) 2004-05-06
US20040232452A1 (en) 2004-11-25
CN1552099A (zh) 2004-12-01
EP1416532A4 (en) 2005-08-17
JP2010080968A (ja) 2010-04-08
JP2010067989A (ja) 2010-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004010499A1 (ja) モジュール部品
JP4178880B2 (ja) モジュール部品
JP2565300B2 (ja) 半導体装置
KR100824562B1 (ko) 오버몰드 패키지 및 그 제조 방법
JP4186843B2 (ja) 立体的電子回路装置
WO2019156051A1 (ja) 高周波モジュール
KR101153570B1 (ko) 반도체 패키지 모듈
KR20120045893A (ko) 반도체 패키지 모듈
WO2018101381A1 (ja) 高周波モジュール
JP5750528B1 (ja) 部品内蔵回路基板
KR20200123572A (ko) 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
CN106711123A (zh) 半导体封装件及其制造方法
KR100851683B1 (ko) 전자파간섭으로 방해받는 전자 장치들의 전자 컴포넌트들 및/또는 회로들 차폐
JP5577716B2 (ja) 回路モジュール及び回路モジュールの製造方法
KR101141443B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
WO2021090694A1 (ja) モジュール
KR20120039338A (ko) 반도체 패키지
JP2004056155A (ja) モジュール部品
KR101153536B1 (ko) 고주파 패키지
JP2002084070A (ja) 電子部品内蔵型多層配線板
JP2001053222A (ja) 半導体装置
US20220310317A1 (en) Electronic component module
US20230380059A1 (en) Module
JPH1092968A (ja) 半導体ベアチップ実装基板
CN107710901B (zh) 高频模块及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN SG US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10485540

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003736220

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038009641

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003736220

Country of ref document: EP