WO2019156051A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2019156051A1
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frequency module
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resin layer
sealing resin
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喜人 大坪
裕太 森本
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株式会社村田製作所
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    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module including a shield.
  • Various high-frequency modules are mounted on a mother board of an electronic device such as a communication terminal device.
  • Some high frequency modules of this type have components mounted on a wiring board sealed with a sealing resin layer.
  • the surface of the sealing resin layer may be covered with a shield film.
  • a high frequency module capable of arranging a shield member having a high degree of design freedom has been proposed. For example, as shown in FIG.
  • a component 102 is mounted on a wiring board 101.
  • the component 102 is surrounded by a plurality of bonding wires 103, and the component 102 is shielded by these bonding wires 103. If it does in this way, since it is good to mount the bonding wire 103 only in the location which needs to shield, the design freedom of a shield member improves.
  • the conventional high-frequency module 100 forms a shield structure by arranging the loops of the bonding wires 103 at predetermined intervals, but the bonding wires 103 are easily deformed. For this reason, when it is going to form the shield member of the shape straddling the components 102, it is necessary to make the distance of the end part of the bonding wire 103 especially the second bond side which is the wire end point side, and the components 102 large. This is because, in the wire bonding technique, it is relatively easy to control the loop shape on the first bond side, which is the wire start point side, but it is difficult to control the loop shape on the second bond side.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module that has a high degree of freedom in designing a shield and is unlikely to fluctuate in shield characteristics and can mount components at high density.
  • a high-frequency module includes a wiring board, a component mounted on one main surface of the wiring board, and a first protruding electrode formed on the one main surface of the wiring board. And a shielding member that shields the component, wherein the bonding wire has a joining start point connected to the one main surface of the wiring board, and a joining end point being the first protruding electrode. It is characterized by being connected to.
  • the shield member can be formed without contacting the part. it can.
  • the protruding electrode is provided at the end point of the joint where it is difficult to reduce the distance, the skirting portion of the wire can be eliminated or reduced, so the distance between the component and the end point of the bonding wire Can be reduced. Therefore, components can be mounted with high density, and the degree of freedom in design can be improved. Further, when a component is mounted by wire bonding, the shield member can be formed simultaneously in the same process as the component mounting.
  • the first protruding electrode may be formed by metal plating.
  • the first protruding electrode may be formed of a metal block.
  • a second protruding electrode formed on the one main surface of the wiring board may be further provided, and the starting point portion may be connected to the second protruding electrode.
  • the bonding wire can be bonded to each protruding electrode, it becomes easy to control the loop shape of the bonding wire, and while reducing the distance between the component and the bonding wire, the side surface of the component The shield member can be formed without contacting the bonding wire.
  • the second protruding electrode may be formed by metal plating.
  • the second protruding electrode may be formed of a metal block.
  • the bonding wire may be in contact with the shield film on the opposite surface of the sealing resin layer.
  • the shield performance as a compartment shield can be improved by connecting the bonding wire and the shield film.
  • the shield member may be formed by a plurality of the bonding wires, and the plurality of bonding wires may be disposed so as to straddle the components. According to this configuration, it is possible to easily form a shield member that covers the component.
  • the shield member may be formed by a plurality of the bonding wires, and the plurality of bonding wires may be arranged along the periphery of the component so as to surround the component.
  • the shield member can be arranged around the part, the shield performance can be improved.
  • some of the bonding wires are arranged substantially in parallel, and the bonding wires
  • the remaining bonding wires may be arranged substantially parallel to each other so as to intersect the part of the bonding wires.
  • the component when viewed from a direction perpendicular to the one main surface of the wiring board, the component has a rectangular shape, and the plurality of bonding wires are respectively substantially obliquely with respect to one side of the component. You may arrange
  • electromagnetic waves from all directions with respect to the component can be blocked by a small number of bonding wires.
  • a contact surface that contacts the surface, an opposing surface that faces the contact surface, and a side surface that connects edges of the contact surface and the opposing surface, and the shield film includes at least the sealing resin layer
  • the bonding wire has one end connected to the first protruding electrode and the other end exposed from the facing surface of the sealing resin layer and connected to the shield film. It may be.
  • the shielding performance as a compartment shield can be further improved by connecting the bonding wire and the shield film.
  • the shield member can be formed without contacting the part. it can.
  • the distance between the bonding wire and the component can be reduced by controlling the loop shape by the protruding electrode, the component can be mounted at a high density, and the degree of freedom in design can be improved.
  • FIG. 2 is a plan view of a state in which a shield film of the high-frequency module in FIG. 1 is removed. It is sectional drawing of the high frequency module concerning 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 4 is a plan view of the high frequency module of FIG. 3 with a shield film removed. It is a figure which shows the modification of the protruding electrode of the high frequency module of FIG. It is a figure which shows the modification of the bonding wire of the high frequency module of FIG. It is sectional drawing of the high frequency module concerning 3rd Embodiment of this invention.
  • FIG. 8 is a plan view of the high frequency module of FIG. 7 with a shield film removed.
  • FIG. 8 is a plan view of the high frequency module of FIG. 7 with a shield film removed. It is sectional drawing of the conventional high frequency module.
  • FIGS. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2, and FIG. 2 is a plan view of the high-frequency module 1a with the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1 a includes a multilayer wiring board 2 (corresponding to “wiring board” of the present invention) and a plurality of components mounted on the upper surface 20 a of the multilayer wiring board 2.
  • the components 3a to 3d, the sealing resin layer 4 laminated on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, the shield film 6 covering the surface of the sealing resin layer 4, and the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 are mounted.
  • the plurality of first protruding electrodes 5a and the bonding wires 11 arranged so as to straddle the component 3a are mounted on, for example, a mother board of an electronic device using a high-frequency signal.
  • the multilayer wiring board 2 is formed by laminating a plurality of insulating layers 2a to 2d formed of, for example, a low-temperature co-fired ceramic, a high-temperature co-fired ceramic, glass epoxy resin, or the like.
  • a plurality of insulating layers 2a to 2d formed of, for example, a low-temperature co-fired ceramic, a high-temperature co-fired ceramic, glass epoxy resin, or the like.
  • the mounting electrodes 7 of the components 3a to 3d are formed on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 (corresponding to “one main surface of the wiring board” of the present invention).
  • a plurality of external electrodes 8 for external connection are formed on the lower surface 20 b of the multilayer wiring board 2.
  • Various internal wiring electrodes 9 are formed between the adjacent insulating layers 2a to 2d, and the internal wiring electrodes 9 formed on the insulating layers 2a to 2d are connected to each other inside the multilayer wiring board 2.
  • a plurality of via conductors 10 are formed.
  • the mounting electrode 7, the external electrode 8, and the internal wiring electrode 9 are all formed of a metal generally employed as a wiring electrode such as Cu, Ag, or Al.
  • Each via conductor 10 is made of a metal such as Ag or Cu.
  • Each mounting electrode 7 and each external electrode 8 may be plated with Ni / Au.
  • the components 3a to 3d are composed of semiconductor elements such as IC and PA (power amplifier), chip components such as a chip inductor, a chip capacitor, and a chip resistor.
  • the multilayer wiring board 2 is formed by a general surface mounting technique such as solder bonding. To be implemented.
  • the sealing resin layer 4 is formed of a resin generally employed as a sealing resin such as an epoxy resin, and seals the components 3a to 3d.
  • the sealing resin layer 4 includes a lower surface 4b (corresponding to the “contact surface of the sealing resin layer” of the present invention) that contacts the multilayer wiring board 2 and an upper surface 4a that faces the lower surface 4b (“ Corresponding to the “opposing surface of the sealing resin layer”) and the side surface 4c.
  • the first protruding electrode 5a is formed of a metal member or the like whose surface is plated with Au.
  • the first protruding electrode 5a is formed by using a ceramic laminate (a multilayer wiring board 2 before sintering) with a resin sheet filled with a conductive paste in a through hole. ) And firing the ceramic laminate, the resin sheet is burned out, and the conductive paste is sintered to form metal protrusions on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, and Au plating is applied thereto.
  • the 1st protruding electrode 5a can be formed.
  • an Au plated metal block may be disposed, or Au plating may be performed after the metal block is disposed.
  • the metal block may be a metal pin. Moreover, you may use the metal protrusion formed by plating on a wiring board. In this case, it is possible to arrange with a minimum required area with high positional accuracy, and it is preferable because there is no fear of solder flash or the like because no solder or the like is used.
  • the first protruding electrode 5a can be formed as follows. First, an electrode base made of a plate-like metal material such as Cu is disposed on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, and a power supply film is formed by electroless plating so as to cover the electrode base. The power feeding film is formed by electroless Cu plating. Thereafter, a plating resist film is applied so as to cover the power feeding film.
  • the plating resist film can be appropriately selected from known photoresist film materials.
  • the plating resist film is exposed and developed to form an opening so that at least a part of the power supply film is exposed, and electrolytic plating is applied to the opening, thereby forming an upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 on the upper surface 20a.
  • Form metal protrusions The metal protrusion is formed by, for example, Cu plating.
  • the plating resist film is removed, and the exposed power supply film and electrode substrate are removed by etching, and then the Ni protruding film 5a can be formed by forming the Ni plated film and the Au plated film on the metal protrusion.
  • the surface of the first protruding electrode 5a needs to be Au-plated.
  • the surface of the first protruding electrode 5a may be two layers of the Ni plating film and the Au plating film, or a single layer of the Au plating film. Also good.
  • the first protruding electrode 5a may be formed by disposing a metal block whose surface is plated with Au on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2. Further, a component having a terminal electrode plated with Au may be used as the first protruding electrode 5a.
  • the bonding wire 11 is a metal wire such as Au, Al, or Cu that is generally used for wire bonding. As shown in FIG. 2, when a plurality of bonding wires 11 are arranged so as to straddle the component 3a and viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, each bonding wire 11 is connected to the component 3a. Are arranged in a grid in the vertical and horizontal directions. By arranging each bonding wire 11 so as to cover the component 3a in this way, a shield member 13 for the component 3a is formed. Further, in this embodiment, the first protruding electrode 5a is disposed at the end that is the end point 12b (end on the second bond side) of the bonding.
  • the bonding wire 11 may bend more than an allowable amount on the second bond side, and may contact the component 3a. is there.
  • the bonding wire 11 since the height from the joining end point 12b of the bonding wire 11 is lowered by disposing the first protruding electrode 5a at the joining end point 12b, the loop shape can be stabilized. . For this reason, the bonding wire 11 can be arrange
  • the shield film 6 covers the surface (the upper surface 4 a and the side surface 4 c) of the sealing resin layer 4 and the side surface 20 c of the multilayer wiring board 2.
  • the shield film 6 is connected to a ground electrode (not shown) exposed on the side surface 20 c of the multilayer wiring board 2.
  • the shield film 6 can be formed in a multilayer structure having an adhesion film laminated on the upper surface 4a of the sealing resin layer 4, a conductive film laminated on the adhesion film, and a protective film laminated on the conductive film.
  • the adhesion film is provided to increase the adhesion strength between the conductive film and the sealing resin layer 4 and can be formed of a metal such as SUS, for example.
  • the conductive film is a layer that bears the substantial shielding function of the shield film 6 and can be formed of, for example, any one of Cu, Ag, and Al.
  • the protective film is provided to prevent the conductive film from being corroded or scratched, and can be formed of, for example, SUS.
  • the first protruding electrode 5a at the end point 12b of the bonding, which is the end of the bonding wire 11 on the second bond side, the height of the loop of the bonding wire 11 on the second bond side is increased. Therefore, the loop shape can be controlled. For this reason, since the bonding wire 11 can prevent contact with the component 3a due to undesirably bending on the second bond side, the distance between the side surface of the component 3a and the bonding wire 11 is reduced, and the component 3a is The shield member 13 that straddles can be easily formed. Further, since the distance between the component 3a and the bonding wire 11 can be reduced, the components can be mounted at a high density on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, and the degree of freedom in design can be improved.
  • a shield that covers the top surface of the component 3a can be easily formed as compared with the case where the shield is formed only by the metal pins.
  • FIGS. 3 is a cross-sectional view of the high-frequency module 1b and is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 4, and FIG. 4 is a plan view of the high-frequency module 1b with the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1b according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 in that the bonding wire 11 is joined as shown in FIGS. That is, the second protruding electrode 5b is disposed at the starting point portion 12a (the end portion on the first bond side). Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the second protruding electrode 5b is disposed at the bonding start point 12a (first bond side end) of the bonding wire 11, and the bonding wire 11 bonding end point 12b (second bond side end).
  • a first protruding electrode 5a is disposed.
  • the second protruding electrode 5b can be formed in the same manner as the first protruding electrode 5a.
  • the height of the bonding wire 11 from the starting point portion 12a and the ending point portion 12b can be reduced. Becomes easier.
  • the plurality of first protruding electrodes 5a and the plurality of second protruding electrodes 5b are arranged on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, but like the protruding electrodes 5c of the high-frequency module 1c shown in FIG.
  • the protruding electrode may be formed in a frame shape. In this case, since it is not necessary to form a plurality of protruding electrodes, the manufacturing cost can be suppressed.
  • the plurality of bonding wires 11 when viewed from the direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, the plurality of bonding wires 11 are arranged in a lattice pattern in the vertical and horizontal directions with respect to the component 3a.
  • a plurality of bonding wires 11a may be arranged substantially parallel to the component 3a in an oblique direction.
  • FIGS. 7 is a cross-sectional view of the high-frequency module 1e, which is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 8, and FIG. 8 is a plan view of the state in which the shield film 6 of FIG. 7 is removed.
  • the high-frequency module 1e according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 in that a plurality of bonding wires 11b are provided as shown in FIGS.
  • the multilayer wiring board 2 When viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, the multilayer wiring board 2 is disposed along the periphery of the component 3a so as to surround the component 3a. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the joining end point 12b (second bond side end) is connected to the first protruding electrode 5a, and the joining start point 12a (first bond side end) is formed on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2.
  • a plurality of connected bonding wires 11b are arranged along the periphery of the component 3a, and a shield member is formed so as to surround the side surface of the component 3a. Further, since the bonding wire 11b and the shield film 6 are in contact with each other on the upper surface 4a of the sealing resin layer 4, a shield that covers the side surface and the upper surface of the component 3a is formed.
  • the bonding wires 11 by arranging the bonding wires 11 densely, the loop shape of the bonding wires 11 can be stabilized. Further, when the bonding wire 11 is in contact with the shield film 6 on the upper surface 4a of the sealing resin layer 4, it is possible to block electromagnetic waves on the side surface and the upper surface of the component 3a.
  • FIGS. 9 is a cross-sectional view of the high-frequency module 1f, taken along the line DD in FIG. 10, and FIG. 10 is a plan view of the state in which the shield film 6 in FIG. 9 is removed.
  • the high-frequency module 1f according to this embodiment is different from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2, except that the bonding wire 11c is sealed as shown in FIGS. The point is that the upper surface 4 a of the resin layer 4 is connected to the shield film 6. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the bonding wire 11c is exposed from the upper surface 4a of the sealing resin layer 4 by polishing the upper surface 4a of the sealing resin layer 4 after disposing the bonding wire so as to straddle the component 3a and forming the sealing resin layer 4. To do.
  • the bonding wire 11c connected to the shield film 6 on the upper surface 4a of the sealing resin layer 4 can be formed.
  • the shield member 13 covering the component 3a can be formed by the bonding wire 11c and the shield film 6. Further, it is easy to reduce the height of the high-frequency module 1f.
  • the present invention can be applied to various high frequency modules having a shield.
  • Multilayer wiring board (wiring board) 3a to 3d Parts 4 Sealing resin layer 5a to 5c Projection electrode (first projection electrode, second projection electrode) 6 Shield film 11, 11a to 11c Bonding wire 12a Joining start point 12b Joining end point 13 Shield member

Abstract

ボンディングワイヤーにより部品間シールドを形成する際に、接合の終点部に突起電極を配置することで、ワイヤーのループ形状を安定させることができる高周波モジュールを提供する。　高周波モジュール１ａは、多層配線基板２と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された部品３ａ～３ｄと、部品３ａを覆うように、複数のボンディングワイヤー１１により形成されたシールド部材１３と、各ボンディングワイヤー１１の接合の終点部１２ｂに設けられた突起電極５ａとを備える。各ボンディングワイヤー１１の接合の終点部１２ｂに突起電極５ａが設けられることにより、ボンディングワイヤー１１のセカンドボンド側での不所望な曲がりを抑制することができ、部品３ａの側面および天面を覆うようなシールド部材１３を容易に形成することができる。

Description

高周波モジュール
　本発明は、シールドを備える高周波モジュールに関する。
　通信端末装置などの電子機器のマザー基板には、種々の高周波モジュールが実装される。この種の高周波モジュールの中には、配線基板に実装された部品が封止樹脂層で封止されるものがある。また、部品に対するノイズを遮蔽するために、封止樹脂層の表面をシールド膜で被覆する場合もある。配線基板に複数の部品が実装される場合では、特定の部品に対してのみ、ノイズを遮蔽したい場合があるが、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜では、特定の部品に対してのみシールドを行うのが困難であり、設計自由度が低い。そこで、設計自由度が高いシールド部材の配置が可能な高周波モジュールが提案されている。例えば、図１１に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００では、配線基板１０１に部品１０２が実装される。部品１０２は、複数のボンディングワイヤー１０３で囲まれており、これらのボンディングワイヤー１０３により、部品１０２がシールドされる。このようにすると、シールドすることが必要な箇所のみに、ボンディングワイヤー１０３を実装すれはよいため、シールド部材の設計自由度が向上する。
特許第５２７６１６９号公報（段落００２１～００２４、図３等参照）
　しかしながら、従来の高周波モジュール１００は、ボンディングワイヤー１０３のループを所定間隔で配列してシールド構造を構成するが、ボンディングワイヤー１０３は、変形しやすい。このため、部品１０２を跨いだ形状のシールド部材を形成しようとすると、ボンディングワイヤー１０３の、特にワイヤー終点側であるセカンドボンド側の端部と部品１０２との距離を大きくとる必要がある。これは、ワイヤーボンディング技術において、ワイヤー始点側であるファーストボンド側は、ループ形状をコントロールすることは比較的容易であるが、セカンドボンド側は、ループ形状をコントロールすることが難しいためである。セカンドボンド側でループ形状をコントロールすることが難しい理由は、セカンドボンド側では、ワイヤーを曲げて部品近傍へ配置することが難しいため、裾引き形状にする必要があり、そうすると、部品から離れた位置にワイヤーの終点を設定しなければならないからである。したがって、部品１０２とワイヤーとの間に大きな距離を設けることなく、部品１０２に接触させないように、部品１０２を跨ぐようなボンディングワイヤー１０３を形成することが困難であった。
　本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、シールドの設計自由度が高く、シールド特性が変動しにくい、部品を高密度に実装可能な高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された部品と、前記配線基板の前記一方主面に形成された第１突起電極とボンディングワイヤーにより形成され、前記部品をシールドするシールド部材とを備え、前記ボンディングワイヤーは、接合の起点部が前記配線基板の前記一方主面に接続され、接合の終点部が前記第１突起電極に接続されていることを特徴としている。
　この構成によれば、ボンディングワイヤーの接合の終点部を突起電極に接続することにより、セカンドボンド側のループ形状をコントロールすることができるため、部品に接触させることなく、シールド部材を形成することができる。また、特に、距離を小さくとることが難しい接合の終点部において、突起電極が設けられているので、ワイヤーの裾引き部分をなくす、あるいは減らすことができるため、部品とボンディングワイヤー終点部との距離を小さくすることができる。したがって、部品を高密度に実装することができ、設計自由度を向上させることができる。また、ワイヤーボンディングにより部品を実装する場合に、部品実装と同じ工程で同時にシールド部材を形成することができる。
　また、前記第１突起電極が金属めっきにより形成されていてもよい。
　また、前記第１突起電極が金属ブロックにより形成されていてもよい。
　また、前記配線基板の前記一方主面に形成された第２突起電極をさらに備え、前記起点部が前記第２突起電極に接続されていてもよい。
　この構成によれば、各突起電極に対してボンディングワイヤーを接合することができるため、ボンディングワイヤーのループ形状のコントロールが容易になり、部品とボンディングワイヤーとの距離を小さくしつつも、部品の側面とボンディングワイヤーを接触させることなく、シールド部材を形成することができる。
　また、前記第２突起電極が金属めっきにより形成されていてもよい。
　また、記第２突起電極が金属ブロックにより形成されていてもよい。
　また、前記部品を封止する封止樹脂層と前記封止樹脂層の表面に設けられたシールド膜とをさらに備え、前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記シールド膜は、少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆し、前記封止樹脂層の前記対向面において、前記ボンディングワイヤーが前記シールド膜と接していてもよい。
　この構成によれば、ボンディングワイヤーとシールド膜とを接続することで、コンパートメントシールドとしてのシールド性能を向上させることができる。
　また、前記シールド部材は、複数の前記ボンディングワイヤーにより形成され、前記複数のボンディングワイヤーが、それぞれ前記部品を跨ぐように配置されていてもよい。この構成によれば、部品を覆う形状のシールド部材を容易に形成することができる。
　また、前記シールド部材は、複数の前記ボンディングワイヤーにより形成され、前記複数のボンディングワイヤーが、前記部品を囲むように前記部品の周囲に沿って配置されていてもよい。
　この構成によれば、部品の周囲にシールド部材を配置することができるため、シールド性能を向上させることができる。
　また、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記複数のボンディングワイヤーのうち一部のボンディングワイヤーは、それぞれ略平行に配置され、前記複数のボンディングワイヤーのうち残りのボンディングワイヤーは、前記一部のボンディングワイヤーと交差するようにそれぞれ略平行に配置されていてもよい。
　この構成によれば、部品の側面および天面を覆うようなシールド部材を容易に形成することができる。
　また、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記部品は矩形状を有し、前記複数のボンディングワイヤーは、前記部品の一辺に対して斜め方向にそれぞれ略平行に配置されていてもよい。
　この構成によれば、少ない本数のボンディングワイヤーにより、部品に対するあらゆる方向からの電磁波を遮断することができる。
　また、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された部品と、前記配線基板の前記一方主面に形成された複数の第１突起電極と、複数のボンディングワイヤーにより形成され、前記部品をシールドするシールド部材と、前記部品を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層の表面に設けられたシールド膜とを備え、前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記シールド膜は、少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆し、前記ボンディングワイヤーは、一端が前記第１突起電極に接続され、他端が前記封止樹脂層の前記対向面から露出して前記シールド膜と接続していてもよい。
　この構成によれば、ボンディングワイヤーとシールド膜とを接続することにより、コンパートメントシールドとしてのシールド性能をより向上させることができる。
　本発明によれば、ボンディングワイヤーの接合の終点部を突起電極に接続することにより、セカンドボンド側のループ形状をコントロールすることができるため、部品に接触させることなく、シールド部材を形成することができる。また、突起電極によるループ形状のコントロールにより、ボンディングワイヤーと部品との距離を小さくすることができるため、部品を高密度に実装することができ、設計自由度を向上させることができる。
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図１の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図３の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 図３の高周波モジュールの突起電極の変形例を示す図である。 図３の高周波モジュールのボンディングワイヤーの変形例を示す図である。 本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図７の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 図７の高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 従来の高周波モジュールの断面図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図１～図２を参照して説明する。なお、図１は図２のＡ－Ａ矢視断面図、図２は高周波モジュール１ａのシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、多層配線基板２（本発明の「配線基板」に相当）と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３ａ～３ｄと、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜６と、多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の第１突起電極５ａと、部品３ａを跨ぐように配置されたボンディングワイヤー１１とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。
　多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミック、高温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ～２ｄが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「配線基板の一方主面」に相当）には、部品３ａ～３ｄの実装電極７が形成される。多層配線基板２の下面２０ｂには、外部接続用の複数の外部電極８が形成される。また、隣接する絶縁層２ａ～２ｄ間それぞれに、各種の内部配線電極９が形成されるとともに、多層配線基板２の内部には、絶縁層２ａ～２ｄに形成された内部配線電極９同士を接続するための複数のビア導体１０が形成される。なお、実装電極７、外部電極８および内部配線電極９は、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１０は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極７、各外部電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。
　部品３ａ～３ｄは、IＣやＰＡ（パワーアンプ）などの半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成され、半田接合などの一般的な表面実装技術により多層配線基板２に実装される。
　封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成され、各部品３ａ～３ｄを封止する。また、封止樹脂層４は、多層配線基板２に当接する下面４ｂ（本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当）と、該下面４ｂに対向する上面４ａ（本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当）と、側面４ｃとを有する。
　第１突起電極５ａは、表面にＡｕめっきされた金属部材等で形成される。第１突起電極５ａの形成方法は、例えば、多層配線基板２がセラミック基板である場合は、貫通孔に導電性ペーストが充填された樹脂シートを、セラミック積層体（焼結前の多層配線基板２）の上面に圧着し、セラミック積層体を焼成することにより、樹脂シートが焼失し、導電性ペーストが焼結されて多層配線基板２の上面２０ａに金属突起物を形成し、ここにＡｕめっきを施すことにより、第１突起電極５ａを形成することができる。あるいは、Ａｕめっきされた金属ブロックを配置してもよいし、金属ブロック配置後にＡｕめっきを施してもよい。金属ブロックは金属ピンであっても良い。また、配線基板上にめっきにより形成される金属突起物を用いてもよい。この場合、位置精度よく、また必要最低限の面積で配置することが可能であり、さらに半田等を使わないため半田フラッシュ等のおそれもない事から好ましい。
　また、多層配線基板２がガラスエポキシ基板等の樹脂基板である場合には、次のようにして第１突起電極５ａを形成することができる。まず、多層配線基板２の上面２０ａに板状のＣｕなどの金属材料で形成される電極基体を配置し、当該電極基体が被覆されるように無電解めっきにより給電膜を形成する。給電膜は、無電解Ｃｕめっきにより形成される。その後、給電膜が被覆されるようにめっきレジスト膜を付与する。めっきレジスト膜は既知のフォトレジスト膜材料から適宜選択することができる。次に、めっきレジスト膜が露光、現像されることにより、給電膜の少なくとも一部が露出するように開口部を形成し、開口部に電解めっきを施すことにより、多層配線基板２の上面２０ａに金属突起物を形成する。金属突起物は、例えばＣｕめっきにより形成される。その後、めっきレジスト膜を除去し、露出した給電膜および電極基体をエッチングにより除去した後、金属突起物にＮｉめっき膜およびＡｕめっき膜を形成して第１突起電極５ａを形成することができる。
　第１突起電極５ａの表面は、Ａｕめっきされている必要があるが、上記したように、Ｎｉめっき膜とＡｕめっき膜の２層になっていてもよいし、Ａｕめっき膜単層であってもよい。また、第１突起電極５ａは、表面にＡｕめっきが施された金属ブロックを多層配線基板２の上面２０ａに配置することにより形成してもよい。また、Ａｕめっきされた端子電極を持つ部品を第１突起電極５ａとして利用してもよい。
　ボンディングワイヤー１１は、一般的にワイヤーボンディングに利用される、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属ワイヤーである。図２に示すように、複数のボンディングワイヤー１１が部品３ａを跨ぐように配置され、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、各ボンディングワイヤー１１が部品３ａに対して縦方向と横方向に格子状に配置されている。各ボンディングワイヤー１１がこのように部品３ａを覆うように配置されることで、部品３ａに対するシールド部材１３を形成している。また、この実施形態では、接合の終点部１２ｂ（セカンドボンド側の端部）である端部に第１突起電極５ａが配置されている。ボンディングワイヤー１１は、接合の終点部１２ｂからの高さが高くなるほど、ループ形状をコントロールすることが困難になり、特に、セカンドボンド側で許容量以上に曲がってしまい、部品３ａに接触する恐れがある。しかしながら、本実施形態では、接合の終点部１２ｂに第１突起電極５ａを配置することで、ボンディングワイヤー１１の接合の終点部１２ｂからの高さが低くなるため、ループ形状を安定させることができる。このため、部品３ａに接触しないように、かつ、部品３ａからの距離が小さい位置にボンディングワイヤー１１を配置することができる。
　シールド膜６は、封止樹脂層４の表面（上面４ａ、側面４ｃ）と多層配線基板２の側面２０ｃとを被覆する。また、シールド膜６は、多層配線基板２の側面２０ｃに露出したグランド電極（図示省略）に接続される。
　シールド膜６は、封止樹脂層４の上面４ａに積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。ここで、密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳなどの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜６の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。
　したがって、上記した実施形態によれば、ボンディングワイヤー１１のセカンドボンド側の端部である接合の終点部１２ｂに第１突起電極５ａを配置することで、セカンドボンド側のボンディングワイヤー１１のループの高さを低くすることができ、ループ形状のコントロールが可能になる。このため、ボンディングワイヤー１１がセカンドボンド側において不所望に曲がることによる、部品３ａへの接触を防止することができるため、部品３ａの側面とボンディングワイヤー１１との距離を小さくしつつ、部品３ａを跨ぐようなシールド部材１３を容易に形成することができる。また、部品３ａとボンディングワイヤー１１との距離を小さくできるため、多層配線基板２の上面２０ａにおいて、部品を高密度に実装することができ、設計自由度を向上させることができる。
　また、金属ピンのみでシールドを形成する場合と比較して、部品３ａの天面を覆うようなシールドを容易に形成することができる。また、多層配線基板２の上面２０ａにワイヤーボンディングにより実装する部品がある場合には、部品を実装する工程で同時にボンディングワイヤー１１によるシールド部材を形成することが可能であり、製造コストを削減することができる。
　＜第２実施形態＞
　本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図３～図４を参照して説明する。なお、図３は高周波モジュール１ｂの断面図であって、図４のＢ－Ｂ矢視断面図、図４は高周波モジュール１ｂのシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１～図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図３～図４に示すように、ボンディングワイヤー１１の接合の起点部１２ａ（ファーストボンド側の端部）に、第２突起電極５ｂが配置されていることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この実施形態では、ボンディングワイヤー１１の接合の起点部１２ａ（ファーストボンド側の端部）に第２突起電極５ｂが配置され、ボンディングワイヤー１１の接合の終点部１２ｂ（セカンドボンド側の端部）に第１突起電極５ａが配置されている。なお、第２突起電極５ｂは、第１突起電極５ａと同様に形成することができる。
　この構成によれば、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の効果に加えて、ボンディングワイヤー１１の起点部１２ａおよび終点部１２ｂからの高さを低くすることができるため、さらにループ形状のコントロールが容易になる。
　（突起電極の変形例）
　上記した実施形態では、複数の第１突起電極５ａおよび複数の第２突起電極５ｂが、多層配線基板２の上面２０ａに配置されていたが、図５に示す高周波モジュール１ｃの突起電極５ｃのように、突起電極が枠状に形成されていてもよい。この場合、複数の突起電極を形成する必要がないため、製造コストを抑制することができる。
　（ボンディングワイヤーの変形例）
　上記した実施形態では、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、複数のボンディングワイヤー１１が部品３ａに対して縦方向と横方向に格子状に配置されていたが、図６に示す高周波モジュール１ｄのように、複数のボンディングワイヤー１１ａが部品３ａに対して斜め方向に略平行に配列されていてもよい。部品３ａに対して斜め方向にボンディングワイヤー１１ａを配置することにより、部品３ａに対する縦方向からと横方向からの電磁波を同時に遮断することができる。このため、格子状に配置した場合と比べて少ない本数のボンディングワイヤー１１ａで、部品３ａに対するシールド特性を向上させることができる。
　＜第３実施形態＞
　本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｅについて、図７～図８を参照して説明する。なお、図７は高周波モジュール１ｅの断面図であって、図８のＣ－Ｃ矢視断面図、図８は図７のシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｅが、図１～図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図７および図８に示すように、複数のボンディングワイヤー１１ｂが、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、部品３ａを囲むように部品３ａの周囲に沿って配置されている点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この実施形態では、接合の終点部１２ｂ（セカンドボンド側の端部）が第１突起電極５ａに接続され、接合の起点部１２ａ（ファーストボンド側の端部）が多層配線基板２の上面２０ａに接続された複数のボンディングワイヤー１１ｂが、部品３ａの周囲に沿って配置されて、部品３ａの側面を囲むようにシールド部材が形成されている。また、封止樹脂層４の上面４ａにおいて、ボンディングワイヤー１１ｂとシールド膜６とが接しているため、部品３ａの側面および上面を覆うシールドが形成されている。
　この構成によれば、ボンディングワイヤー１１を緻密に配置することで、ボンディングワイヤー１１のループ形状を安定させることができる。また、ボンディングワイヤー１１が封止樹脂層４の上面４ａにおいてシールド膜６と接することにより、部品３ａの側面および上面に対する電磁波を遮断することができる。
　＜第４実施形態＞
　本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｆについて、図９～図１０を参照して説明する。なお、図９は高周波モジュール１ｆの断面図であって、図１０のＤ－Ｄ矢視断面図、図１０は図９のシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｆが、図１～図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図９および図１０に示すように、ボンディングワイヤー１１ｃが封止樹脂層４の上面４ａにおいて、シールド膜６と接続している点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　部品３ａを跨ぐようにボンディングワイヤーを配置して封止樹脂層４を形成した後に、封止樹脂層４の上面４ａを研磨することにより、ボンディングワイヤー１１ｃが封止樹脂層４の上面４ａから露出する。この状態でシールド膜６を形成することにより、封止樹脂層４の上面４ａでシールド膜６と接続されたボンディングワイヤー１１ｃを形成することができる。
　この構成によれば、ボンディングワイヤー１１ｃとシールド膜６とで、部品３ａを覆うシールド部材１３を形成することができる。また、高周波モジュール１ｆの低背化が容易である。
　なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組合わせてもよい。
　また、本発明は、シールドを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。
　１ａ～１ｆ　　高周波モジュール
　２　　多層配線基板（配線基板）
　３ａ～３ｄ　　部品
　４　　封止樹脂層
　５ａ～５ｃ　　突起電極（第１突起電極、第２突起電極）
　６　　シールド膜
　１１、１１ａ～１１ｃ　ボンディングワイヤー
　１２ａ　接合の起点部
　１２ｂ　接合の終点部
　１３　シールド部材

Claims (12)

  1. 　配線基板と、
    　前記配線基板の一方主面に実装された部品と、
    　前記配線基板の前記一方主面に形成された第１突起電極と
    　ボンディングワイヤーにより形成され、前記部品をシールドするシールド部材とを備え、
    　前記ボンディングワイヤーは、接合の起点部が前記配線基板の前記一方主面に接続され、接合の終点部が前記第１突起電極に接続されている
    　ことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 　前記第１突起電極が金属めっきにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１突起電極が金属ブロックにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記配線基板の前記一方主面に形成された第２突起電極をさらに備え、
    　前記起点部が前記第２突起電極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第２突起電極が金属めっきにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第２突起電極が金属ブロックにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記部品を封止する封止樹脂層と
    　前記封止樹脂層の表面に設けられたシールド膜とをさらに備え、
    　前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、
    　前記シールド膜は、少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆し、
    　前記封止樹脂層の前記対向面において、前記ボンディングワイヤーが前記シールド膜と接していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記シールド部材は、複数の前記ボンディングワイヤーにより形成され、
    　前記複数のボンディングワイヤーが、それぞれ前記部品を跨ぐように配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記シールド部材は、複数の前記ボンディングワイヤーにより形成され、
    　前記複数のボンディングワイヤーが、前記部品を囲むように前記部品の周囲に沿って配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、
    　前記複数のボンディングワイヤーのうち一部のボンディングワイヤーは、それぞれ略平行に配置され、
    　前記複数のボンディングワイヤーのうち残りのボンディングワイヤーは、前記一部のボンディングワイヤーと交差するようにそれぞれ略平行に配置される
    　ことを特徴とする請求項８に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、
    　前記部品は矩形状を有し、
    　前記複数のボンディングワイヤーは、前記部品の一辺に対して斜め方向にそれぞれ略平行に配置されることを特徴とする請求項８に記載の高周波モジュール。
  12. 　配線基板と、
    　前記配線基板の一方主面に実装された部品と、
    　前記配線基板の前記一方主面に形成された複数の第１突起電極と、
    　複数のボンディングワイヤーにより形成され、前記部品をシールドするシールド部材と、
    　前記部品を封止する封止樹脂層と、
    　前記封止樹脂層の表面に設けられたシールド膜とを備え、
    　前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、
    　前記シールド膜は、少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆し、
    　前記ボンディングワイヤーは、一端が前記第１突起電極に接続され、他端が前記封止樹脂層の前記対向面から露出して前記シールド膜と接続している
    　ことを特徴とする高周波モジュール。
     
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021039325A1 (ja) * 2019-08-23 2021-03-04 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021060161A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021251219A1 (ja) * 2020-06-11 2021-12-16 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021256300A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 株式会社村田製作所 モジュール
WO2022044504A1 (ja) * 2020-08-31 2022-03-03 株式会社村田製作所 回路モジュール及びサブモジュールの製造方法
WO2022085686A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 株式会社村田製作所 回路モジュール
EP4181194A4 (en) * 2020-09-25 2024-03-27 Honor Device Co Ltd ENCAPSULATION BODY AND PREPARATION METHOD THEREFOR, TERMINAL AND ELECTRONIC DEVICE

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239178B2 (en) * 2018-11-29 2022-02-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same
JP7282048B2 (ja) * 2020-02-12 2023-05-26 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法
US20220066036A1 (en) * 2020-08-25 2022-03-03 Lumentum Operations Llc Package for a time of flight device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044305A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Mitsui High Tec Inc 半導体装置
US20050040501A1 (en) * 2003-08-20 2005-02-24 Hagen Deborah A. Wirebonded assemblage method and apparatus
JP2005050868A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Kyocera Corp 電子装置
JP2005347489A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujitsu Ltd 半導体装置
US8012868B1 (en) * 2008-12-15 2011-09-06 Amkor Technology Inc Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US20120061816A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
WO2016117196A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US20170236785A1 (en) * 2015-12-19 2017-08-17 Skyworks Solutions, Inc. Shielded lead frame packages
US20170263568A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3012868A (en) 1957-12-16 1961-12-12 Dow Chemical Co Enhanced organic explosives
JP3238326B2 (ja) * 1996-07-17 2001-12-10 株式会社東芝 発光装置
JP2002359445A (ja) * 2001-03-22 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザー加工用の誘電体基板およびその加工方法ならび半導体パッケージおよびその製作方法
JP3838571B2 (ja) * 2003-08-14 2006-10-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2007258670A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Yamaha Corp 半導体装置
JP2009033114A (ja) * 2007-06-29 2009-02-12 Tdk Corp 電子モジュール、及び電子モジュールの製造方法
CN102105981B (zh) 2008-07-31 2013-11-13 斯盖沃克斯解决方案公司 集成的干扰屏蔽体的半导体封装体及其制造方法
JP2010258295A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Sharp Corp 高周波モジュール、その製造方法、および電子機器
JP5327299B2 (ja) * 2011-09-09 2013-10-30 オムロン株式会社 半導体装置及びマイクロフォン
KR101835483B1 (ko) * 2011-12-09 2018-03-08 삼성전자주식회사 멀티-칩 패키지 및 그의 제조 방법
JP6488985B2 (ja) * 2015-10-26 2019-03-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10134686B2 (en) * 2016-09-30 2018-11-20 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Systems and methods for providing electromagnetic interference (EMI) compartment shielding for components disposed inside of system electronic packages
CN219085958U (zh) * 2020-06-11 2023-05-26 株式会社村田制作所 模块

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044305A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Mitsui High Tec Inc 半導体装置
JP2005050868A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Kyocera Corp 電子装置
US20050040501A1 (en) * 2003-08-20 2005-02-24 Hagen Deborah A. Wirebonded assemblage method and apparatus
JP2005347489A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujitsu Ltd 半導体装置
US8012868B1 (en) * 2008-12-15 2011-09-06 Amkor Technology Inc Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US20120061816A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
WO2016117196A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US20170236785A1 (en) * 2015-12-19 2017-08-17 Skyworks Solutions, Inc. Shielded lead frame packages
US20170263568A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021039325A1 (ja) * 2019-08-23 2021-03-04 株式会社村田製作所 モジュール
US11961830B2 (en) 2019-08-23 2024-04-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module
WO2021060161A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021251219A1 (ja) * 2020-06-11 2021-12-16 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021256300A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 株式会社村田製作所 モジュール
WO2022044504A1 (ja) * 2020-08-31 2022-03-03 株式会社村田製作所 回路モジュール及びサブモジュールの製造方法
EP4181194A4 (en) * 2020-09-25 2024-03-27 Honor Device Co Ltd ENCAPSULATION BODY AND PREPARATION METHOD THEREFOR, TERMINAL AND ELECTRONIC DEVICE
WO2022085686A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 株式会社村田製作所 回路モジュール

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