WO2018101383A1

WO2018101383A1 - 高周波モジュール

Info

Publication number: WO2018101383A1
Application number: PCT/JP2017/042967
Authority: WO
Inventors: 喜人大坪
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2016-12-02
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2018-06-07

Abstract

シールドが不要な部品にはシールドを行わないようにしつつ、シールドが必要な部品に対するシールドを確実に行うことができる高周波モジュールを提供する。　高周波モジュール１ａは、多層配線基板２と、多層配線基板２に実装され、封止樹脂層４に封止される複数の部品３ａ，３ｂと、多層配線基板２の上面２０ａに立設された複数の金属ピン３ａと、封止樹脂層４の表面の一部を被覆するシールド膜６とを備える。シールド膜６のうち、封止樹脂層４の上面４０ａを被覆する上面被覆部６ａは、所定の部品３ｂの上は被覆するが、他の部品３ａの上は被覆しないように形成され、所定の部品３ｂが複数の金属ピン５ａとシールド膜６とにより囲まれる。

Description

高周波モジュール

本発明は、シールドを備える高周波モジュールに関する。

　携帯端末装置などに搭載される高周波モジュールには、外部からのノイズが実装部品に影響するのを防止するために、実装部品を封止する樹脂層の表面にシールド膜を形成するものがある。この種の高周波モジュールには、複数の部品が実装されるが、部品によっては、シールド膜で覆われると不具合が生じるものがある。そこで、従来、必要箇所のみにシールド膜が形成された高周波モジュールが提案されている。例えば、図４に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００は、配線基板１０１の上面に複数の部品１０２ａ～１０２ｃが実装され、各部品１０２ａ～１０２ｃが封止樹脂層１０３により封止される。また、封止樹脂層１０３の表面が、シールド膜１０４で被覆される。このとき、シールド膜１０４には、中央の部品１０２ｂの上方に位置する箇所に開口部１０４ａが設けられる。この構成によれば、部品１０２ｂがＬＥＤ光を発する部品の場合に、開口部１０４ａから光を透過させることができる。

特開２０１１－１５５２１２号公報（段落００１７～００２１、図１等参照）

　しかしながら、上記した従来の高周波モジュール１００では、シールド膜１０４の開口部１０４ａから侵入したノイズが、封止樹脂層１０３を介してシールドが必要な部品１０２ａ，１０２ｃに影響するおそれがあり、部品１０２ａ，１０２ｃに対するシールド特性が低下する。

　本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、実装部品の中にシールドが不要な部品１０２ｂと必要な部品１０２ａ，１０２ｃとが混在する場合に、シールドが不要な部品にはシールドを行わないようにしつつ、シールドが必要な部品に対するシールドを確実に行うことができる技術を提供することを目的とする。

　上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された第１の部品および第２の部品と、前記配線基板の前記一方主面と前記第１の部品と前記第２の部品とを封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層内において、前記第１の部品と前記第２の部品との間に配置されたシールド部材と、少なくとも前記封止樹脂層の表面の一部を被覆するシールド膜と、前記配線基板に形成され、一端が前記配線基板の前記一方主面から露出した第１接続導体とを備え、前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記シールド膜は、前記封止樹脂層の前記対向面を被覆する対向面被覆部と、前記封止樹脂層の前記側面を被覆する側面被覆部とを有し、前記シールド膜の前記対向面被覆部は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１の部品と重なる部分は被覆するが、前記第２の部品と重なる部分は被覆しないように形成され、前記第１接続導体は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記シールド部材に重なる位置において、前記シールド部材に沿って配列され、前記シールド部材の前記封止樹脂層の厚み方向の一端が、前記封止樹脂層の前記対向面から露出して前記シールド膜の前記対向面被覆部に接続されるとともに、他端が、前記第１接続導体と接続し、前記第１の部品は、前記シールド膜の前記対向面被覆部と、前記側面被覆部と、前記シールド部材とにより囲まれていることを特徴としている。

　この構成によれば、シールド膜は、封止樹脂層の対向面のうち、第２の部品に重なる領域を被覆しないため、第２の部品に対してはシールドを形成しないようにすることができる。また、第１の部品は、シールド膜と、シールド部材とで囲まれるため、第１の部品に対しては、第２の部品側から漏れるノイズと外部からのノイズの両方を遮蔽することができる。また、配線基板に設けられた第１接続導体が、シールド部材に接続されるため、第１の部品に対するシールド特性がさらに向上する。また、第１接続導体が、シールド部材と重なる位置に配置されることになるため、例えば、シールド部材を形成する際に、封止樹脂層にレーザ加工で溝を形成する場合には、レーザ光が配線基板に与えるダメージを第１接続導体で軽減することができる。

　また、前記配線基板の他方主面に設けられ、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに前記第１の部品と重なるシールド電極をさらに備え、前記シールド膜は、前記配線基板の側面を被覆する基板側面被覆部をさらに有し、前記シールド電極は、端縁の一部が前記配線基板の前記他方主面の端縁に位置するように配置されてシールド膜に接続されていてもよい。

　この構成によれば、配線基板の他方主面からのノイズを、シールド電極で遮蔽することができるため、第１の部品のシールド特性がさらに向上する。

　また、前記第１接続導体は、第２接続導体により前記シールド電極に接続され、前記第１の部品が、前記シールド膜と、前記シールド部材と、前記シールド電極と、前記第１接続導体と、前記第２接続導体とにより囲まれていてもよい。

　この構成によれば、第１の部品が、前記シールド膜と、前記シールド部材と、前記シールド電極と、前記第１接続導体と、前記第２接続導体とにより囲まれるため、第１の部品に対するシールド特性をより一層向上させることができる。

　本発明によれば、シールド膜は、封止樹脂層の対向面のうち、第２の部品に重なる領域を被覆しないため、第２の部品に対してはシールドを形成しないようにすることができる。また、第１の部品は、シールド膜と、シールド部材とで囲まれるため、第１の部品に対しては、第２の部品側から漏れるノイズと外部からのノイズの両方を遮蔽することができる。また、配線基板に設けられた第１接続導体が、シールド部材に接続されるため、第１の部品に対するシールド特性がさらに向上する。また、第１接続導体が、シールド部材と重なる位置に配置されることになるため、例えば、シールド部材を形成する際に、封止樹脂層にレーザ加工で溝を形成する場合には、レーザ光が配線基板に与えるダメージを第１接続導体で軽減することができる。

本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールを示す図である。図１の部品間シールド部材の変形例を示す図である。本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールを示す図である。従来の高周波モジュールの断面図である。

　＜第１実施形態＞
　本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図１を参照して説明する。なお、図１（ａ）は高周波モジュールの断面図、（ｂ）は（ｃ）の矢印ａ方向から見たときの図、（ｃ）は平面図である。

　この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１に示すように、多層配線基板２（本発明の「配線基板」に相当）と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３ａ，３ｂと、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面の一部を被覆するシールド膜６と、封止樹脂層４内に立設された複数の金属ピン５ａとを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。

　多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ～２ｄが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「配線基板の一方主面」に相当）には、各部品３ａ，３ｂｃの実装用の実装電極７ａや、各金属ピン５ａに接続される表層電極７ｂが形成される。多層配線基板２の下面２０ｂ（本発明の「配線基板の他方主面」に相当）には、外部接続用の複数の外部電極８が形成される。また、隣接する絶縁層２ａ～２ｄ間それぞれに、各種の内部配線電極９が形成されるとともに、多層配線基板２の内部には、異なる絶縁層２ａ～２ｄに形成された内部配線電極９同士を接続するための複数の第１ビア導体１０ａが形成される。また、表層電極７ｂは、いずれも多層配線基板２に形成された所定の第１ビア導体１０ａ接続される。したがって、表層電極７ｂに接続される各第１ビア導体１０ａは、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、いずれも一の金属ピン５ａと重なる位置にそれぞれ配置されることになり、各金属ピン５ａの配列方向に沿って配列される。なお、一の金属ピン５ａに接続される表層電極７ｂと、これに接続される第１ビア導体１０ａのセットそれぞれが、本発明の「第１接続導体」に相当する。

　なお、実装電極７ａ、表層電極７ｂ、外部電極８および内部配線電極９は、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各第１ビア導体１０ａは、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極７ａ、表層電極７ｂ、外部電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。

　部品３ａ，３ｂは、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成され、半田接合などの一般的な表面実装技術により多層配線基板２に実装される。なお、この実施形態では、シールド膜６と各金属ピン５ａに囲まれた部品３ｂは半導体素子で構成されている。ここで、シールド膜６および各金属ピン５ａに囲まれた部品３ｂが本発明の「第１の部品」に相当し、その他の部品３ａが本発明の「第２の部品」に相当する。

　封止樹脂層４は、各部品３ａ，３ｂおよび各金属ピン５ａを被覆して多層配線基板２の上面２０ａに積層される。封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。なお、封止樹脂層４の上面４０ａが、本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当し、下面４０ｂが、本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当する。

　シールド膜６は、封止樹脂層４の上面４０ａを被覆する上面被覆部６ａ（本発明の「対向面被覆部」に相当）と側面４０ｃを被覆する側面被覆部６ｂとを有する。シールド膜６の上面被覆部６ａは、図１（ｃ）に示すように、封止樹脂層４の上面４０ａのうち、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、部品３ｂと重なる領域は被覆するが、他の部品３ａと重なる領域は被覆しない形状に形成される。この場合、シールド膜６の上面被覆部６ａは、部品３ｂよりも大なる面積を有する横長矩形状に形成されるとともに、部品３ｂが、シールド膜６内に収まるように配置される。また、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、シールド膜６の上面被覆部６ａの一組の短辺と長辺が、封止樹脂層４の上面４０ａの端縁に重なるように形成される。シールド膜６の側面被覆部６ｂは、図１（ｂ）に示すように、封止樹脂層４の側面４０ｃの一部と、多層配線基板２の側面２０ｃの一部とを被覆する。そして、シールド膜６の側面被覆部６ｂは、シールド膜６の上面被覆部６ａにおける、封止樹脂層４の上面４０ａの端縁に重なるところで、上面被覆部６ａと接続される。なお、シールド膜６は、多層配線基板２の側面２０ｃから露出したグランド用の内部配線電極（図示省略）に接続されている。

　シールド膜６は、封止樹脂層４の上面４０ａに積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。ここで、密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳなどの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜６の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。

　各金属ピン５ａ（本発明の「シールド部材」に相当）は、いずれも上端がシールド膜６の上面被覆部６ａに接続されるとともに下端が表層電極７ｂに接続された状態で、多層配線基板２の上面２０ａに立設される。各金属ピン５ａは、半田などにより表層電極７ｂに接続される。また、各金属ピン５ａは、図１（ｃ）に示すように、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、シールド膜６の上面被覆部６ａのうち、封止樹脂層４の上面４０ａの端縁に重なる一組の短辺と長辺とは異なる残りの一組の短辺と長辺に沿ってＬ字状に配列される。したがって、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、部品３ｂは、各金属ピン５ａとシールド膜６の側面被覆部６ｂとで囲まれることになる。

　各金属ピン５ａは、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｌやＣｕ系の合金などの配線電極として一般的に採用される金属材料からなる線材をせん断加工するなどして形成される。また、この実施形態では、各金属ピン５ａは、略同じ太さおよび長さで円柱状に形成されている。なお、隣接する金属ピン５ａの間隔および隣接する接続導体の間隔は、それぞれ想定されるノイズの周波数の１／４λ（波長）以下であることが好ましい。また、金属ピン５ａ同士が隙間なく整列されていても良い。このように配置すると、各金属ピン５ａによるシールドとしての機能を向上させることができる。

　なお、金属ピン５ａに代わりにビア導体を用いることもできる。この場合、封止樹脂層４を形成したあとに、各表層電極７ｂの位置において、レーザで封止樹脂層４を厚み方向に貫通するビア孔を形成し、該ビア孔に導電性ペーストを充填したり、ビアフィルめっきを施したりするなどして各ビア導体を形成することができる。

　したがって、上記した実施形態によれば、部品３ｂについては、シールド膜６と複数の金属ピン５ａとで囲まれるのに対して、他の部品３ａについては、シールド膜６に覆われないため、シールドが必要な部品３ｂに対しては、シールドを形成し、シールドが不要な他の部品３ａに対しては、シールドを形成しないように構成することができる。また、部品３ｂをシールド膜６と複数の金属ピン５ａとで囲むことにより、部品３ｂに対する外部からのノイズと、他の部品３ａから輻射されるノイズの両方を確実に防止することができる。また、各金属ピン５ａに接続される表層電極７ｂは、いずれも第１ビア導体１０ａに接続されるため、これらの第１ビア導体１０ａが、各金属ピン５ａと略同じ間隔で、各金属ピン５ａの配列方向に沿って配列される。このようにすると、これらの第１ビア導体１０ａも部品３ｂに対するシールドの一部として機能させることができるため、部品３ｂに対するシールド特性をさらに向上させることができる。また、金属ピン５ａをビア導体で代用する場合は、封止樹脂層４にレーザ光で貫通孔（ビア孔）を形成することになるが、この場合は、レーザ光で多層配線基板２が破損するおそれがある。しかしながら、この実施形態のように各表層電極７ｂの真下に第１ビア導体１０ａを配置することで、レーザ光によるダメージを第１ビア導体１０ａで緩和することができる。

　（シールド部材の変形例）
　上記した実施形態では、複数の金属ピン５ａを所定の間隔で配置することにより部品間にシールドを形成したが、部品間におけるシールドの構成は適宜変更することができる。例えば、図２に示すように、部品３ｂと他の部品３ａとの間にシールド壁５ｂ（本発明の「シールド部材」に相当）を形成してシールド部材としてもよい。この場合、シールド壁５ｂは、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、Ｌ字状に形成され、シールド膜６の側面被覆部６ｂとの間で部品３ｂを囲む。なお、シールド壁５ｂは例えば封止樹脂層４にレーザで溝を形状することによって形成することが出来る。

　また、シールド壁５ｂにおける封止樹脂層４の厚み方向の上端が、封止樹脂層４の上面４０ａから露出し、シールド膜６の上面被覆部６ａに接続される。一方、シールド壁５ｂにおける封止樹脂層４の厚み方向の下端が、封止樹脂層４の下面４０ｂから露出して、多層配線基板２の上面２０ａに形成された表層導体（図示省略）に接続される。表層導体は、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、シールド壁５ｂと重なる位置であって、シールド壁５ｂと略同形状のＬ字状に形成される。また、表層導体は、多層配線基板２に形成されたグランド電極（図示省略）に接続されており、シールド壁５ｂが表層導体に接続されると、シールド膜６およびシールド壁５ｂが接地される。なお、シールド壁５ｂの形成方法は、例えば、封止樹脂層４の上面４０ａにレーザ光を照射して、封止樹脂層４の厚み方向を貫通する溝（Ｌ字状）を形成し、該溝に導電性ペーストを充填するなどして形成することができる。

　この構成によれば、上記した実施形態と同様の効果が得られるとともに、シールド部材を複数の金属ピン５ａで形成する場合のような隣接する金属ピン５ａ間の隙間がなくなるため、部品３ｂに対するシールド特性をさらに向上させることができる。

　＜第２実施形態＞
　本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３は高周波モジュール１ｂの断面図である。

　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図３に示すように、部品３ｂに対するシールドの構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。

　この場合、多層配線基板２の下面２０ｂに、シールド電極１１が形成される。シールド電極１１は、シールド膜６の上面被覆部６ａと略同一形状（矩形）に形成され、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、上面被覆部６ａと重なる位置に配置される。この場合、シールド電極１１の一組の短辺と長辺が、多層配線基板２の下面２０ｂの端縁に重なる位置に配置され、当該重なる位置において、シールド膜６の側面被覆部６ｂに接続される。また、シールド電極１１には、開口部１１ａが形成されており、該開口部１１ａ内に一部の外部電極８が配置される。なお、シールド電極１１は、外部のマザー基板のグランド電極に接続され、シールド膜６とともに接地される。

　各表層電極７ｂと複数の第１ビア導体１０ａ（第１接続導体）は、いずれも複数のパッド電極９ａと、複数の第２ビア導体１０ｂとを介してシールド電極１１に接続される。この場合、第２ビア導体１０ｂおよびパッド電極９ａは、多層配線基板２の厚み方向で交互に配置される。また、一の表層電極７ｂとシールド電極１１とを接続する複数の第１ビア導体１０ａ、複数の第２ビア導体１０ｂおよび複数のパッド電極９ａは、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、全てが表層電極７ｂに略重なる位置に配置される。したがって、各表層電極７ｂそれぞれが、多層配線基板２の厚み方向に直線的にシールド電極１１に接続される。ここで、一の表層電極７ｂとシールド電極１１とを接続する第１ビア導体１０ａ、複数の第２ビア導体１０ｂおよび複数のパッド電極９ａのうち、最上層の絶縁層２ａに形成された第１ビア導体１０ａを除く各第２ビア導体１０ｂおよび複数のパッド電極９ａのセットが、本発明の「第２接続導体」に相当する。ここで、隣接する第２接続導体の間隔は想定されるノイズの1/4λ（波長）以下であることが望ましい。但し、隣接する第２接続導体同士が当接しないのが好ましい。これは特に多層配線基板がセラミックである場合にセラミック基板の割れが発生する虞があるからである。この構成によれば、隣接する第２接続導体（複数の第２ビア導体１０ｂおよび複数のパッド電極９ａ）の間隔は、隣接する金属ピン５ａの間隔と略同じとなる。

　したがって、この実施形態によれば、多層配線基板２の下面２０ｂ側からのノイズをシールド電極１１で遮蔽することができるため、部品３ｂに対するシールド特性を向上させることができる。また、部品３ｂが、シールド膜６、複数の金属ピン５ａ、シールド電極１１、複数の接続導体により囲まれるため、あらゆる方向からのノイズに対してもシールドが可能になり、部品３ｂに対するシールド特性がさらに向上する。

　また、シールド電極１１に開口部１１ａを形成することにより、シールド電極１１の形成領域に、一部の外部電極８を配置することができるため、外部電極８の配置の自由度を向上させることができる。

　なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態の構成を組合わせてもよい。

　また、第２実施形態では、一の表層電極７ｂとシールド電極１１との接続を、第１ビア導体１０ａ、複数の第２ビア導体１０ｂと複数のパッド電極９ａで行う場合について説明したが、パッド電極９ａを形成せずに、複数のビア導体のみを連結して第２接続導体を形成する構造であってもよい。また、表層電極７ｂとシールド電極１１とを必ずしも直線的に接続する必要はなく、各表層電極７ｂとシールド電極１１とが、各絶縁層２ａ～２ｄの主面に形成された配線電極と、各絶縁層２ａ～２ｄを貫通する複数のビア導体とを介して接続されていればよい。部品3ｂが、前記シールド膜の上面被覆部６ａと、側面被覆部６ｂと、シールド部材５ａ，５ｂと、シールド電極１１と、第１、第２接続導体とによって囲まれている構成であれば、例えば、第２接続導体を形成する一部の第２ビア導体10ｂとパッド電極9ａが、配線エリアの制約等により大きくなる構造で引き回されることにより、金属ピン５ａに重なる位置からずれていても良い。

　また、多層配線基板２を構成する絶縁層や配線層の層数は、適宜変更することができる。

　本発明は、配線基板に実装された部品を被覆する封止樹脂層と、封止樹脂層の表面を被覆するシールドと、部品間のノイズの相互干渉を防止するシールドとを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。

　１ａ～１ｂ　　高周波モジュール
　２　　多層配線基板（配線基板）
　３ａ　　部品（第２の部品）
　３ｂ　　部品（第１の部品）
　４　　封止樹脂層
　５ａ　　金属ピン（シールド部材）
　５ｂ　　シールド壁（シールド部材）
　６　　シールド膜
　７ｂ　　表層電極（第１接続導体）
　９ａ　　パッド電極（第２接続導体）
　１０ａ　　第１ビア導体（第１接続導体）
　１０ｂ　　第２ビア導体（第２接続導体）
　１１　　シールド電極

Claims

　配線基板と、
　前記配線基板の一方主面に実装された第１の部品および第２の部品と、
　前記配線基板の前記一方主面と前記第１の部品と前記第２の部品とを封止する封止樹脂層と、
　前記封止樹脂層内において、前記第１の部品と前記第２の部品との間に配置されたシールド部材と、
　少なくとも前記封止樹脂層の表面の一部を被覆するシールド膜と、
　前記配線基板に形成され、一端が前記配線基板の前記一方主面から露出した第１接続導体とを備え、
　前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、
　前記シールド膜は、前記封止樹脂層の前記対向面を被覆する対向面被覆部と、前記封止樹脂層の前記側面を被覆する側面被覆部とを有し、
　前記シールド膜の前記対向面被覆部は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１の部品と重なる部分は被覆するが、前記第２の部品と重なる部分は被覆しないように形成され、
　前記第１接続導体は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記シールド部材に重なる位置において、前記シールド部材に沿って配列され、
　前記シールド部材の前記封止樹脂層の厚み方向の一端が、前記封止樹脂層の前記対向面から露出して前記シールド膜の前記対向面被覆部に接続されるとともに、他端が、前記第１接続導体と接続し、
　前記第１の部品は、前記シールド膜の前記対向面被覆部と、前記側面被覆部と、前記シールド部材とにより囲まれている
　ことを特徴とする高周波モジュール。
　前記配線基板の他方主面に設けられ、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに前記第１の部品と重なるシールド電極をさらに備え、
　前記シールド膜は、前記配線基板の側面を被覆する基板側面被覆部をさらに有し、
　前記シールド電極は、端縁の一部が前記配線基板の前記他方主面の端縁に位置するように配置されてシールド膜に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１接続導体は、第２接続導体により前記シールド電極に接続され、
　前記第１の部品が、前記シールド膜と、前記シールド部材と、前記シールド電極と、前記第１接続導体と、前記第２接続導体とにより囲まれていることを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。