JPH08264671A - パッケージの防湿装置 - Google Patents
パッケージの防湿装置Info
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- JPH08264671A JPH08264671A JP7094488A JP9448895A JPH08264671A JP H08264671 A JPH08264671 A JP H08264671A JP 7094488 A JP7094488 A JP 7094488A JP 9448895 A JP9448895 A JP 9448895A JP H08264671 A JPH08264671 A JP H08264671A
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- Japan
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- metal layer
- chip
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水分の侵入を防止して耐久性を高くするとと
もに、性能を安定させる。 【構成】 所定の小片に裁断された樹脂基板の上面側に
ＩＣチップを載置し、前記樹脂基板に多数の信号ライン
およびグランドラインを設けるとともに、該信号ライン
およびグランドラインの一端を前記ＩＣチップの信号電
極およびグランド電極に接続し、その他端を前記樹脂基
板の下面に所定の間隔をおいて露出させ、該露出した各
他端に接続端子を固着し、前記ＩＣチップおよび該ＩＣ
チップと前記電極ラインおよびグランドラインとの接続
部を封止樹脂により埋設してなるパッケージを設け、該
パッケージの側面全面を金属鍍金して金属層を形成し、
該金属層によりパッケージの側面を被覆する。
もに、性能を安定させる。 【構成】 所定の小片に裁断された樹脂基板の上面側に
ＩＣチップを載置し、前記樹脂基板に多数の信号ライン
およびグランドラインを設けるとともに、該信号ライン
およびグランドラインの一端を前記ＩＣチップの信号電
極およびグランド電極に接続し、その他端を前記樹脂基
板の下面に所定の間隔をおいて露出させ、該露出した各
他端に接続端子を固着し、前記ＩＣチップおよび該ＩＣ
チップと前記電極ラインおよびグランドラインとの接続
部を封止樹脂により埋設してなるパッケージを設け、該
パッケージの側面全面を金属鍍金して金属層を形成し、
該金属層によりパッケージの側面を被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップを搭載した
パッケージの防湿装置に関するものである。
パッケージの防湿装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のパッケージは、図５に示すように
なっていた。図５において、２は樹脂基板であり、ガラ
ス繊維にエポキシ樹脂あるいはビスマレイミド・トリア
ジン樹脂等を含浸させて積層・硬化処理し、ＩＣチップ
６よりも所定量広面積の正方形状に裁断してなる。上記
樹脂基板２の表面に、多数の信号ライン３およびグラン
ドライン４を形成し、これらを積層して多層構造のサブ
ストレート１を形成する。このサブストレート１の上面
に形成する各信号ライン３およびグランドライン４の上
端３ａ，４ａは、サブストレート１の上面中心部に搭載
したＩＣチップ６を囲んで形成し、各上端３ａ，４ａを
ボンディングワイヤ７を介して上記ＩＣチップ６の各電
極（符号省略）に接続する。５はＩＣチップ６を支持す
るダイパットである。
なっていた。図５において、２は樹脂基板であり、ガラ
ス繊維にエポキシ樹脂あるいはビスマレイミド・トリア
ジン樹脂等を含浸させて積層・硬化処理し、ＩＣチップ
６よりも所定量広面積の正方形状に裁断してなる。上記
樹脂基板２の表面に、多数の信号ライン３およびグラン
ドライン４を形成し、これらを積層して多層構造のサブ
ストレート１を形成する。このサブストレート１の上面
に形成する各信号ライン３およびグランドライン４の上
端３ａ，４ａは、サブストレート１の上面中心部に搭載
したＩＣチップ６を囲んで形成し、各上端３ａ，４ａを
ボンディングワイヤ７を介して上記ＩＣチップ６の各電
極（符号省略）に接続する。５はＩＣチップ６を支持す
るダイパットである。
【０００３】上記サブストレート１の下面に形成する各
信号ライン３およびグランドライン４の下端３ｂ，４ｂ
は、サブストレート１の下面全面に点在させ、該下端３
ｂ，４ｂにＢＧＡ（ボールグリットアレー）、ＰＧＡ
（ピングリットアレー）等による接続端子８を固着す
る。上記サブストレート１の上下面に形成された信号ラ
イン３およびグランドライン４は、上端３ａ，４ａ、下
端３ｂ，４ｂを除き、サブストレート１の上下面に形成
した絶縁樹脂（ソルダーレジスト）１０により被覆され
る。また、サブストレート１の上面中心部に封止樹脂１
１を盛ってＩＣチップ９、ボンディングワイヤ７および
信号ライン３、グランドライン４の上端３ａ，４ａを封
止し、これによりパッケージＡを形成する。
信号ライン３およびグランドライン４の下端３ｂ，４ｂ
は、サブストレート１の下面全面に点在させ、該下端３
ｂ，４ｂにＢＧＡ（ボールグリットアレー）、ＰＧＡ
（ピングリットアレー）等による接続端子８を固着す
る。上記サブストレート１の上下面に形成された信号ラ
イン３およびグランドライン４は、上端３ａ，４ａ、下
端３ｂ，４ｂを除き、サブストレート１の上下面に形成
した絶縁樹脂（ソルダーレジスト）１０により被覆され
る。また、サブストレート１の上面中心部に封止樹脂１
１を盛ってＩＣチップ９、ボンディングワイヤ７および
信号ライン３、グランドライン４の上端３ａ，４ａを封
止し、これによりパッケージＡを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のものは、パ
ッケージＡの側面、即ちサブストレート１の側面１ａが
切断されたままの粗面となっているため、該側面１ａか
ら水分が侵入し、絶縁性能が低下したり、信号ライン
３、グランドライン４が損傷する欠点があった。特にガ
ラス繊維２ｂを積層して形成された樹脂基板２を使用し
たものは、このガラス繊維２ｂに沿って水分が侵入し易
くなり、上記欠点が顕著となる。本発明は上記欠点を解
消した新規なパッケージの防湿装置を得ることを目的と
する。
ッケージＡの側面、即ちサブストレート１の側面１ａが
切断されたままの粗面となっているため、該側面１ａか
ら水分が侵入し、絶縁性能が低下したり、信号ライン
３、グランドライン４が損傷する欠点があった。特にガ
ラス繊維２ｂを積層して形成された樹脂基板２を使用し
たものは、このガラス繊維２ｂに沿って水分が侵入し易
くなり、上記欠点が顕著となる。本発明は上記欠点を解
消した新規なパッケージの防湿装置を得ることを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために以下の如く構成したものである。即ち、所
定の小片に裁断された樹脂基板の上面側にＩＣチップを
載置し、前記樹脂基板に多数の信号ラインおよびグラン
ドラインを設けるとともに、該信号ラインおよびグラン
ドラインの一端を前記ＩＣチップの信号電極およびグラ
ンド電極に接続し、その他端を前記樹脂基板の下面に所
定の間隔をおいて露出させ、該露出した各他端に接続端
子を固着し、前記ＩＣチップおよび該ＩＣチップと前記
電極ラインおよびグランドラインとの接続部を封止樹脂
により埋設してなるパッケージを設け、該パッケージの
側面を金属鍍金して金属層を形成し、該金属層によりパ
ッケージの側面を被覆する構成にしたものである。この
場合、前記グランドラインの一部を樹脂基板の側面に露
出させ、該露出端部を前記金属層に固着するとよい。ま
た、前記パッケージの側面および上面を金属鍍金して金
属層を形成し、該金属層により前記パッケージの側面お
よび上面を被覆する構成にしてもよい。また、前記ＩＣ
チップのグランド電極に接続される前記グランドライン
の一端に金属ブロックを固着するとともに、該金属ブロ
ックの上端を前記封止樹脂の上面から露出させ、該露出
した金属ブロックの上面を前記パッケージの上面を被覆
する金属層に固着する構成にしてもよい。
成するために以下の如く構成したものである。即ち、所
定の小片に裁断された樹脂基板の上面側にＩＣチップを
載置し、前記樹脂基板に多数の信号ラインおよびグラン
ドラインを設けるとともに、該信号ラインおよびグラン
ドラインの一端を前記ＩＣチップの信号電極およびグラ
ンド電極に接続し、その他端を前記樹脂基板の下面に所
定の間隔をおいて露出させ、該露出した各他端に接続端
子を固着し、前記ＩＣチップおよび該ＩＣチップと前記
電極ラインおよびグランドラインとの接続部を封止樹脂
により埋設してなるパッケージを設け、該パッケージの
側面を金属鍍金して金属層を形成し、該金属層によりパ
ッケージの側面を被覆する構成にしたものである。この
場合、前記グランドラインの一部を樹脂基板の側面に露
出させ、該露出端部を前記金属層に固着するとよい。ま
た、前記パッケージの側面および上面を金属鍍金して金
属層を形成し、該金属層により前記パッケージの側面お
よび上面を被覆する構成にしてもよい。また、前記ＩＣ
チップのグランド電極に接続される前記グランドライン
の一端に金属ブロックを固着するとともに、該金属ブロ
ックの上端を前記封止樹脂の上面から露出させ、該露出
した金属ブロックの上面を前記パッケージの上面を被覆
する金属層に固着する構成にしてもよい。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基いて説明す
る。図面において、図１〜図４は本発明の第１〜第４実
施例を示す断面図である。なお、図１〜図４において、
図５と同符号の部分は、図５のものと略同構造となって
いる。図１において、Ａ１は第１実施例のパッケージ、
１はそのサブストレートである。このサブストレート１
は、上下面に所定の信号ライン３およびグランドライン
４が形成された複数枚の樹脂基板２を重ねた多層構造と
なっている。上記サブストレート１の上下面および内層
部の信号ライン３は第１ビアホール９ａにより接続さ
れ、また上記サブストレート１の上下面および内層部の
グランドライン４，４−１は第２ビアホール９ｂにより
接続されるとともに、内層部のグランドライン４−１
は、樹脂基板２の左側面から外部に露出させる。
る。図面において、図１〜図４は本発明の第１〜第４実
施例を示す断面図である。なお、図１〜図４において、
図５と同符号の部分は、図５のものと略同構造となって
いる。図１において、Ａ１は第１実施例のパッケージ、
１はそのサブストレートである。このサブストレート１
は、上下面に所定の信号ライン３およびグランドライン
４が形成された複数枚の樹脂基板２を重ねた多層構造と
なっている。上記サブストレート１の上下面および内層
部の信号ライン３は第１ビアホール９ａにより接続さ
れ、また上記サブストレート１の上下面および内層部の
グランドライン４，４−１は第２ビアホール９ｂにより
接続されるとともに、内層部のグランドライン４−１
は、樹脂基板２の左側面から外部に露出させる。
【０００７】上記サブストレート１の上面の中心部にＩ
Ｃチップ６を搭載してボンディングワイヤ７により各信
号ライン３およびグランドライン４の上端３ａ，４ａに
接続し、これらを封止樹脂１１により封止する。また、
サブストレート１の下面に露出した各信号ライン３およ
びグランドライン４の下端３ｂ，４ｂに接続端子８を固
着してパッケージＡ１を形成する。
Ｃチップ６を搭載してボンディングワイヤ７により各信
号ライン３およびグランドライン４の上端３ａ，４ａに
接続し、これらを封止樹脂１１により封止する。また、
サブストレート１の下面に露出した各信号ライン３およ
びグランドライン４の下端３ｂ，４ｂに接続端子８を固
着してパッケージＡ１を形成する。
【０００８】上記パッケージＡ１の側面、つまりサブス
トレート１の側面１ａ全面を金属層１５により被覆す
る。この金属層１５は、サブストレート１の側面１ａ全
面に触媒を塗布した後、該触媒を無電解鍍金処理層に浸
し、上記側面１ａ全面にニッケルを厚さ約３μ析出さ
せ、次いで金を約０. ０３μ析出させて形成する。その
他は、前述した従来のものと同様になっている。
トレート１の側面１ａ全面を金属層１５により被覆す
る。この金属層１５は、サブストレート１の側面１ａ全
面に触媒を塗布した後、該触媒を無電解鍍金処理層に浸
し、上記側面１ａ全面にニッケルを厚さ約３μ析出さ
せ、次いで金を約０. ０３μ析出させて形成する。その
他は、前述した従来のものと同様になっている。
【０００９】上記第１実施例によれば、パッケージＡ１
の側面、即ちサブストレート１の側面１ａ全面が金属層
１５により被覆されるので、該側面１ａから水分が侵入
しなくなり、耐久性が高くなる。また、内層部のグラン
ドライン４−１が導電性の高い上記金属層１５に接続さ
れるので、この金属層１５によって輻射ノイズ、クロス
トークノイズ等が効率よく低減されることになる。ま
た、金属層１５は極めて薄いため小型化が可能となる。
の側面、即ちサブストレート１の側面１ａ全面が金属層
１５により被覆されるので、該側面１ａから水分が侵入
しなくなり、耐久性が高くなる。また、内層部のグラン
ドライン４−１が導電性の高い上記金属層１５に接続さ
れるので、この金属層１５によって輻射ノイズ、クロス
トークノイズ等が効率よく低減されることになる。ま
た、金属層１５は極めて薄いため小型化が可能となる。
【００１０】図２において、Ａ２は第２実施例のパッケ
ージ、１はそのサブストレートである。このサブストレ
ート１は、前述した第１実施例のものと略同様の構造と
なっている。また、上記第１実施例と同様に、サブスト
レート１の上面の中心部にＩＣチップ６を搭載してボン
ディングワイヤ７により各信号ライン３およびグランド
ライン４の上端３ａ，４ａに接続し、これらを封止樹脂
１１により封止する。また、サブストレート１の下面に
露出した各信号ライン３およびグランドライン４の下端
３ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケージＡ２を形
成する。
ージ、１はそのサブストレートである。このサブストレ
ート１は、前述した第１実施例のものと略同様の構造と
なっている。また、上記第１実施例と同様に、サブスト
レート１の上面の中心部にＩＣチップ６を搭載してボン
ディングワイヤ７により各信号ライン３およびグランド
ライン４の上端３ａ，４ａに接続し、これらを封止樹脂
１１により封止する。また、サブストレート１の下面に
露出した各信号ライン３およびグランドライン４の下端
３ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケージＡ２を形
成する。
【００１１】上記パッケージＡ２の側面および上面を金
属層１５により被覆する。この金属層１５は、パッケー
ジＡ２の側面および上面に触媒を塗布した後、該触媒を
無電解鍍金処理層に浸し、上記側面および上面の全面に
ニッケルを厚さ約３μ析出させ、次いで金を約０. ０３
μ析出させて形成する。この場合、内層部のグランドラ
イン４−１をサブストレート１の左側面に露出させ、ま
たパッケージＡ２の上面のグランドライン４の一部４ｃ
を外部に露出させておき、上記内層部のグランドライン
４−１をパッケージＡ２の側面を被覆する金属層１５ａ
に接続し、また、上記上面のグランドライン４の一部４
ｃをパッケージＡ２の上面を被覆する金属層１５ｂに接
続する。その他は、前述した従来のものと同様になって
いる。
属層１５により被覆する。この金属層１５は、パッケー
ジＡ２の側面および上面に触媒を塗布した後、該触媒を
無電解鍍金処理層に浸し、上記側面および上面の全面に
ニッケルを厚さ約３μ析出させ、次いで金を約０. ０３
μ析出させて形成する。この場合、内層部のグランドラ
イン４−１をサブストレート１の左側面に露出させ、ま
たパッケージＡ２の上面のグランドライン４の一部４ｃ
を外部に露出させておき、上記内層部のグランドライン
４−１をパッケージＡ２の側面を被覆する金属層１５ａ
に接続し、また、上記上面のグランドライン４の一部４
ｃをパッケージＡ２の上面を被覆する金属層１５ｂに接
続する。その他は、前述した従来のものと同様になって
いる。
【００１２】図３において、Ａ３は第３実施例のパッケ
ージ、１はそのサブストレートである。このサブストレ
ート１は、前述した第１実施例のものと略同様の構造と
なっている。このサブストレート１の上面の中心部に、
ダイパット５を介してＩＣチップ６を固着し、また該Ｉ
Ｃチップ６を固着する機械を活用してグランドライン４
の上端４ａに金属ブロック１３を固着する。この金属ブ
ロック１３は、ニッケルまたは銅により柱状に形成し、
その高さはＩＣチップ６およびボンディングワイヤ７よ
りも所定量高くする。
ージ、１はそのサブストレートである。このサブストレ
ート１は、前述した第１実施例のものと略同様の構造と
なっている。このサブストレート１の上面の中心部に、
ダイパット５を介してＩＣチップ６を固着し、また該Ｉ
Ｃチップ６を固着する機械を活用してグランドライン４
の上端４ａに金属ブロック１３を固着する。この金属ブ
ロック１３は、ニッケルまたは銅により柱状に形成し、
その高さはＩＣチップ６およびボンディングワイヤ７よ
りも所定量高くする。
【００１３】上記サブストレート１の上面の中心部に封
止樹脂１１を盛って上記金属ブロック１３の上面を除く
金属ブロック１３、ＩＣチップ６およびボンディングワ
イヤ７を埋設（封止）する。また、上記サブストレート
１の下面に露出した各信号ライン３およびグランドライ
ン４の下端３ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケー
ジＡ３を形成する。上記パッケージＡ３の側面および上
面を前述と同様の無電解鍍金処理によって形成した金属
層１５により被覆し、その上面側の金属層１５ｂを金属
ブロック１３の上面に固着する。その他は前述した従来
のものと同様になっている。
止樹脂１１を盛って上記金属ブロック１３の上面を除く
金属ブロック１３、ＩＣチップ６およびボンディングワ
イヤ７を埋設（封止）する。また、上記サブストレート
１の下面に露出した各信号ライン３およびグランドライ
ン４の下端３ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケー
ジＡ３を形成する。上記パッケージＡ３の側面および上
面を前述と同様の無電解鍍金処理によって形成した金属
層１５により被覆し、その上面側の金属層１５ｂを金属
ブロック１３の上面に固着する。その他は前述した従来
のものと同様になっている。
【００１４】図４において、Ａ４は第４実施例のパッケ
ージである。このパッケージＡ４のサブストレート１
は、上面の中心部を段状に凹欠きし、最深部にダイパッ
ト５を介してＩＣチップ６を載置し、中段部に信号ライ
ン３およびグランドライン４の上端３ａ，４ａを露出さ
せ、該上端３ａ，４ａとＩＣチップ６とをボンディング
ワイヤ７により接続する。上記サブストレート１の上面
中心部の凹欠き部に封止樹脂１１を充填して上記ＩＣチ
ップ６、ボンディングワイヤ７、信号ライン３およびグ
ランドライン４の上端３ａ，４ａ等を埋設（封止）す
る。
ージである。このパッケージＡ４のサブストレート１
は、上面の中心部を段状に凹欠きし、最深部にダイパッ
ト５を介してＩＣチップ６を載置し、中段部に信号ライ
ン３およびグランドライン４の上端３ａ，４ａを露出さ
せ、該上端３ａ，４ａとＩＣチップ６とをボンディング
ワイヤ７により接続する。上記サブストレート１の上面
中心部の凹欠き部に封止樹脂１１を充填して上記ＩＣチ
ップ６、ボンディングワイヤ７、信号ライン３およびグ
ランドライン４の上端３ａ，４ａ等を埋設（封止）す
る。
【００１５】また、上記サブストレート１の下面に露出
した各信号ライン３およびグランドライン４の下端３
ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケージＡ４を形成
する。上記パッケージＡ４の側面および上面を前述と同
様の無電解鍍金処理によって形成した金属層１５により
被覆し、側面側の金属層１５ａを、樹脂基板２の左側面
から外部に露出させ内層部のグランドライン４−１に接
続する。その他は前述した従来のものと同様になってい
る。
した各信号ライン３およびグランドライン４の下端３
ｂ，４ｂに接続端子８を固着してパッケージＡ４を形成
する。上記パッケージＡ４の側面および上面を前述と同
様の無電解鍍金処理によって形成した金属層１５により
被覆し、側面側の金属層１５ａを、樹脂基板２の左側面
から外部に露出させ内層部のグランドライン４−１に接
続する。その他は前述した従来のものと同様になってい
る。
【００１６】上記第２〜第４実施例によれば、パッケー
ジＡ２の側面および上面が金属層１５（１５ａ，１５
ｂ）により被覆されるので、該側面および上面から水分
が侵入しなくなり、耐久性が高くなる。また、金属層１
５の面積が広くなるとともに、グランドライン４が導電
性の高い金属層１５に接続されるので、この金属層１５
によって輻射ノイズ、クロストークノイズ等が効率よく
低減されるとともに、ＩＣチップ６部で発熱した熱の拡
散、放熱が良好となる。特に第２実施例の如く、グラン
ドライン４を側部と上部の二箇所で金属層１５に接続す
れば、上記効果が安定して得られることになる。
ジＡ２の側面および上面が金属層１５（１５ａ，１５
ｂ）により被覆されるので、該側面および上面から水分
が侵入しなくなり、耐久性が高くなる。また、金属層１
５の面積が広くなるとともに、グランドライン４が導電
性の高い金属層１５に接続されるので、この金属層１５
によって輻射ノイズ、クロストークノイズ等が効率よく
低減されるとともに、ＩＣチップ６部で発熱した熱の拡
散、放熱が良好となる。特に第２実施例の如く、グラン
ドライン４を側部と上部の二箇所で金属層１５に接続す
れば、上記効果が安定して得られることになる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明
は、水分が侵入し易いパッケージの側面部を金属層で被
覆するようにしたので、耐久性が高くなるとともに、性
能が安定することになる。また、上記金属層にグランド
ラインを接続するようにしたので、電磁遮蔽機能が高く
なり、輻射ノイズ、クロストークノイズ等による誤動作
を防止することができる等の効果を奏する。
は、水分が侵入し易いパッケージの側面部を金属層で被
覆するようにしたので、耐久性が高くなるとともに、性
能が安定することになる。また、上記金属層にグランド
ラインを接続するようにしたので、電磁遮蔽機能が高く
なり、輻射ノイズ、クロストークノイズ等による誤動作
を防止することができる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
１ サブストレート ２ 樹脂基板 ３ 信号ライン ３ａ 上端 ３ｂ 下端 ４ グランドライン ４−１ 内装部のグランドライン ４ａ 上端 ４ｂ 下端 ５ ダイパット ６ ＩＣチップ ７ ワイヤボンディング ８ 接続端子 ９（９ａ，９ｂ） ビアホール １０ 絶縁樹脂（ソルダーレジスト） １１ 封止用絶縁樹脂 １３ 金属ブロック １５ 金属層
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の小片に裁断された樹脂基板の上面
側にＩＣチップを載置し、前記樹脂基板に多数の信号ラ
インおよびグランドラインを設けるとともに、該信号ラ
インおよびグランドラインの一端を前記ＩＣチップの信
号電極およびグランド電極に接続し、その他端を前記樹
脂基板の下面に所定の間隔をおいて露出させ、該露出し
た各他端に接続端子を固着し、前記ＩＣチップおよび該
ＩＣチップと前記電極ラインおよびグランドラインとの
接続部を封止樹脂により埋設してなるパッケージを設
け、該パッケージの側面全面を金属鍍金して金属層を形
成し、該金属層によりパッケージの側面を被覆したこと
を特徴とするパッケージの防湿装置。 - 【請求項２】 前記グランドラインの一部を樹脂基板の
側面に露出させ、該露出端部を前記金属層に固着したこ
とを特徴とする請求項１記載のパッケージの防湿装置。 - 【請求項３】 前記パッケージの側面および上面を金属
鍍金して金属層を形成し、該金属層により前記パッケー
ジの側面および上面を被覆したことを特徴とする請求項
１又は２記載のパッケージの防湿装置。 - 【請求項４】 ＩＣチップのグランド電極に接続される
前記グランドラインの一端に金属ブロックを固着すると
ともに、該金属ブロックの上端を前記封止樹脂の上面か
ら露出させ、該露出した金属ブロックの上面を前記パッ
ケージの上面を被覆する金属層に固着したことを特徴と
する請求項３記載のパッケージの防湿装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094488A JPH08264671A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | パッケージの防湿装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094488A JPH08264671A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | パッケージの防湿装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264671A true JPH08264671A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=14111687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7094488A Pending JPH08264671A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | パッケージの防湿装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264671A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021435A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品 |
| KR100525691B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2005-11-03 | 아이신세이끼가부시끼가이샤 | 인체 국부 세정 장치 |
| JP2010067989A (ja) * | 2002-07-19 | 2010-03-25 | Panasonic Corp | モジュール部品 |
| JP2010225752A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Tdk Corp | 樹脂封止型電子部品及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP7094488A patent/JPH08264671A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525691B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2005-11-03 | 아이신세이끼가부시끼가이샤 | 인체 국부 세정 장치 |
| JP2010067989A (ja) * | 2002-07-19 | 2010-03-25 | Panasonic Corp | モジュール部品 |
| JP2010080968A (ja) * | 2002-07-19 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | モジュール部品の製造方法 |
| WO2004021435A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品 |
| CN1302542C (zh) * | 2002-08-29 | 2007-02-28 | 松下电器产业株式会社 | 模块部件 |
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