WO2003102601A1 - Boitier capteur - Google Patents

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WO2003102601A1
WO2003102601A1 PCT/JP2003/006784 JP0306784W WO03102601A1 WO 2003102601 A1 WO2003102601 A1 WO 2003102601A1 JP 0306784 W JP0306784 W JP 0306784W WO 03102601 A1 WO03102601 A1 WO 03102601A1
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sensor package
package according
recess
bottom wall
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PCT/JP2003/006784
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Inventor
Eiichi Furukubo
Masami Hori
Kazuya Nohara
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Matsushita Electric Works, Ltd.
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Publication date
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers

Definitions

  • the present invention relates to a sensor package containing a semiconductor sensor chip.
  • Landscape technology a sensor package containing a semiconductor sensor chip.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-260690 discloses a sensor package containing a semiconductor sensor chip such as a semiconductor acceleration sensor chip.
  • This sensor package is a type that is surface-mounted on a printed circuit board.
  • the output of the semiconductor sensor chip is connected to the printed circuit board by soldering the output electrode provided on the lower surface of the case that contains the semiconductor sensor chip. It is electrically connected to the circuit on the printed board via the output electrode, and the sensor package is mechanically held on the printed board.
  • the case has a bottom wall, the semiconductor chip sensor is fixed on the upper surface of the bottom wall, and the above-mentioned output electrode is provided on the lower surface of the bottom wall.
  • a plurality of concave grooves are provided on the lower surface of the bottom wall to give the bottom wall a certain degree of deformability. Even if the print substrate is deformed due to, for example, thermal expansion, the bottom wall bends at the groove, and the bottom wall follows the deformation of the print substrate to some extent, so that the output provided on the lower surface of the bottom wall is formed. The electrodes are prevented from leaving the print substrate. Also, the distortion caused by the deformation of the print substrate is reduced by these grooves and transmitted to the semiconductor sensor chip. It is also possible to prevent equipment equipped with the sensor package from malfunctioning due to unnecessary distortion applied to the semiconductor sensor chip.
  • a die bond base is applied to a predetermined location on the bottom wall, and then the semiconductor sensor chip is monitored using a CCD camera. It is accurately positioned at the above specified location. At this time, if the die paste is applied excessively, when the semiconductor sensor chip is placed, the die bond base may crawl around the semiconductor chip sensor, which may adversely affect the operation of the semiconductor sensor chip. There is. In addition, when positioning using a CCD camera, some kind of mark must be formed near the mounting position, which adds to the cost of manufacturing the sensor package.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and can prevent the distortion accompanying the deformation of a printed substrate from being transmitted to a semiconductor sensor chip and prevent the die bond paste from climbing up.
  • the purpose is to provide a sensor package that can easily position semiconductor sensor chips. Disclosure of the invention
  • the sensor package of the present invention is of a type that is surface-mounted on a print substrate, and includes a case for housing a semiconductor sensor chip having an output terminal.
  • the case has a bottom wall, and the bottom wall is divided into a central region holding the semiconductor sensor chip and a peripheral region serving as an edge of the bottom wall.
  • An output electrode is formed on the outer surface of the peripheral area, and the output electrode is electrically connected to the output terminal.
  • a feature of the present invention is that a groove is provided on the inner surface of the bottom wall between the central frame area and the peripheral area. Since the groove is provided between the central region and the peripheral region, if a strain is applied to the bottom wall so as to bend the bottom wall in a direction perpendicular to the direction in which the groove runs, the groove may be formed. It is possible to prevent the central region from being distorted by deforming the peripheral region at the boundary of the portion. Therefore, distortion due to the deformation of the print substrate is not easily transmitted to the semiconductor sensor chip held in the central region, and characteristic variations of the semiconductor sensor chip due to the distortion of the print substrate can be suppressed.
  • the groove is on the inner surface of the bottom wall, even when the die-bond base overflows when the semiconductor sensor chip is mounted on the bottom wall, the die-flow paste flows into the groove, and the die-bond paste flows to the semiconductor sensor chip. There's no crawling. Also, place the semiconductor sensor chip on the bottom wall.
  • the groove can be used as a mark for positioning, and the positioning can be easily performed without increasing the cost. At the time of inspection after mounting the semiconductor sensor chip, the deviation of the semiconductor sensor chip can be confirmed using the groove as a mark.
  • Four grooves may be formed in parallel with each of the four sides of the semiconductor sensor chip. In this case, distortion transmitted to the semiconductor sensor chip from all horizontal directions can be efficiently suppressed.
  • a recess may be formed on the inner surface of the central region of the bottom wall.
  • the recess forms a support flange around it, and the bottom surface of the sensor chip is supported and fixed on the support flange.
  • the shape of the recess can be a cross or a rectangle. With such a shape, the semiconductor sensor chip can be stably held while greatly reducing the contact area between the central region and the semiconductor sensor chip. It is also preferable that a portion of the bottom surface of the semiconductor sensor chip, which is below the output terminal, is held by the support flange.
  • the semiconductor sensor chip is mounted on the support flange, the semiconductor sensor chip may be mounted so as to match the second recess, and the positioning becomes easier.
  • a recess may be formed on the inner surface of the central region, the recess may have a support at the center of the bottom surface, and the central region of the bottom surface of the semiconductor sensor chip may be supported and fixed on the support. . Even in this case, the semiconductor sensor chip can be stably held while greatly reducing the contact area between the central region and the semiconductor sensor chip.
  • the outer bottom surface of the peripheral region may have a leg piece protruding outside the outer bottom surface of the central region.
  • the output electrode is formed on the outer surface of the leg.
  • the leg piece is formed so as to be parallel to the groove, the groove runs The groove and the leg piece can efficiently suppress distortion that causes the bottom wall to bend along a direction perpendicular to the direction in which the bottom wall extends.
  • a mounting area where a circuit element electrically connected to the semiconductor sensor chip may be mounted on the outer bottom surface of the central area.
  • the case is a box-like body having an opening with a side wall standing on the inner surface of the peripheral region of the bottom wall, and a lid is hermetically attached to the opening of the case. By doing so, it is possible to prevent dust and dirt from accumulating in the grooves provided in the case.
  • the case is preferably formed of at least two laminated layers. By making the case have a laminated structure, a conductive member for electrically connecting between the output terminal of the semiconductor sensor chip and the output electrode of the case can be provided between the laminated layers.
  • the electrical connection between the output terminal and the output electrode is performed by the conductive member provided between the layers, whereby the conductive member is provided on the upper surface of the side wall, which is a contact portion between the case and the lid.
  • the airtight reliability between the case and the lid can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing a state where the sensor package according to the first embodiment of the present invention is mounted on a print substrate.
  • FIG. 2 is a perspective view of the same case as seen through a side wall.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the above sensor package.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state in which distortion is transmitted from a print substrate to the sensor package of the above.
  • FIG. 5 is a view for explaining the effect of the groove.
  • FIG. 6 is another diagram for explaining the effect of the groove.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state in which the die paste has flowed into the groove.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example in which four grooves are formed in the sensor package of the above.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example in which a groove is also provided on the bottom side of the bottom wall of the above.
  • FIG. 10 is a perspective view of the case of the sensor package according to the second embodiment of the present invention as seen through a side wall.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the sensor package.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example in which a recess of another shape is provided in the bottom wall of the above.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example in which a recess of another shape is provided in the bottom wall of the above.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example in which a recess of another shape is provided in the bottom wall of the above.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example in which a recess of another shape is provided in the bottom wall of the above.
  • FIG. 16 is a diagram showing an example in which a recess of another shape is provided in the bottom wall of the above.
  • FIG. 17 is a perspective view of the case of the sensor package according to the third embodiment of the present invention as seen through a side wall.
  • FIG. 18 is a diagram showing a state where distortion is transmitted from a printed circuit board to the sensor package of the above.
  • FIG. 19 is a diagram showing an example in which circuit elements are mounted on the outer bottom surface of the bottom wall of the above.
  • FIG. 20 is a diagram showing an example in which leg pieces are provided on four sides of the bottom wall of the above.
  • FIG. 21 is a diagram showing an example in which leg pieces of different shapes are provided on four sides of the bottom wall of the above.
  • FIG. 1 shows a sensor package P according to a first embodiment of the present invention.
  • This sensor package P accommodates a semiconductor acceleration sensor chip 100 and is surface-mounted on a rectangular and elongated print substrate 200.
  • the sensor package P includes a case 1 and a lid (lid) 2.
  • Case 1 has a rectangular bottom wall 10, which is, as shown in FIG. 2, a central area 1 O a holding semiconductor acceleration sensor chip 100, and a peripheral edge of bottom wall 10. It is divided into a peripheral area 1 O b (each shaded area in Figure 2) ⁇ Case 1 is a box with a side wall 11 standing upright on the peripheral area 10 b of the bottom wall 10 Shape.
  • each groove 12 is formed so as to run in parallel with a pair of both end surfaces of the semiconductor acceleration sensor chip 100 mounted on the central region 10a.
  • a terminal block 13 is provided on the inner surface of the bottom wall 10. On the upper surface of the terminal block 13, a plurality of bonding pads 14 connected to the output pads 101 of the semiconductor acceleration sensor chip 100 via bonding wires 300 are provided.
  • the L-shaped output electrode 15 is parallel to the groove 12 on the outer surface of the peripheral region 10b. It is formed in close contact with the peripheral region 10b so as to extend from the pair of both side surfaces to the outer bottom surface.
  • Case 1 is composed of a multilayer laminated ceramic package in which a plurality of thin layers are stacked, and the output electrode 15 is formed by a conductive member 16 passing through the thin layers. It is electrically connected to the bonding pad # 4. Grooves 12 are formed by removing one or more thin layers at certain locations.
  • the rim 2 is hermetically attached to the case 1 so as to cover the opening of the case 1.
  • the output of the semiconductor acceleration sensor chip 100 is electrically connected to the electric circuit by soldering the output electrode 15 to an electric circuit (not shown) formed on the printed circuit board 200.
  • the sensor package P is mechanically held on the print substrate 200.
  • the groove ⁇ 2 is arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the print substrate 200 because the print substrate 200 has a rectangular and elongated shape and is easily radiused along the longitudinal direction.
  • the peripheral region ⁇ Ob held by the printed substrate 200 is easily deformed around the groove ⁇ 2. As a result, even if the printed board 200 is bent in the longitudinal direction as shown in FIG. 4, the peripheral area 10b held by the printed board 200 is moved to the printed board 200b.
  • the flexure following the flexure of the print substrate 200 can prevent the flexure of the print substrate 200 from reaching the central region 10a. Therefore, the semiconductor acceleration sensor chip 100 held in the central region 100a is protected from distortion, and the characteristic fluctuation of the semiconductor acceleration sensor chip 100 due to the distortion of the print substrate 200 can be suppressed.
  • groove 1 2 The depth and width may be optimized according to the dimensions and thickness of the case ⁇ and the constituent materials.
  • FIG. Fig. 5 shows the printed circuit board generated by the difference in the thermal expansion coefficient between the printed circuit board 200 and the sensor package P when the temperature is raised by 60 ° C from room temperature in the case of the presence or absence of the groove 12.
  • the simulation result shows how the offset voltage of the semiconductor acceleration sensor chip ⁇ 100 changes due to the distortion of the plate 200.
  • FIG. 5 shows that by providing the groove 12, the print substrate 2 It can be seen that the distortion of the semiconductor acceleration sensor chip 100 due to the distortion of the print substrate 200 is suppressed because the distortion of the semiconductor substrate 100 is not easily transmitted to the semiconductor acceleration sensor chip 100.
  • FIG. Figure 6 shows the results of measuring the amount of change in the offset voltage after the test with respect to the initial offset voltage before the test when a temperature cycle test was performed using four samples with and without the groove 12. Is shown.
  • FIG. 6 also shows that the provision of the groove 12 suppresses the characteristic fluctuation of the semiconductor acceleration sensor chip 100.
  • the semiconductor acceleration sensor chip # 100 has a rectangular bottom surface, and a plurality of the output pads 101 are arranged on one upper surface.
  • the semiconductor acceleration sensor chip 100 is mounted and fixed on the die pond base 400 while positioning it with a CCD camera after applying the die bond paste 400 to the central area 100a.
  • the groove 12 can be used as a mark for positioning, for example, the groove 12 and the semiconductor acceleration sensor chip.
  • the semiconductor acceleration sensor chip 100 is placed on the central region 10a such that the pair of side surfaces 100 is parallel.
  • the central area 100a is excessively coated with the die bond paste 400, and the semiconductor acceleration sensor chip 100 causes the die bond paste 400 to die. Even if 0 is pushed out, as shown in Fig. 7, the die bond base 400 flows down into the groove 12 and the die bond base 400 does not crawl on the semiconductor acceleration sensor chip 100. .
  • the number of the grooves 12 is two. However, as shown in FIG. 8, four grooves 12 may be formed so as to run in parallel with each of the four sides of the semiconductor acceleration sensor chip 100. Good. In this case, since the bending of the semiconductor acceleration sensor chip 100 from any horizontal direction can be suppressed, it is effective when the printed board 200 to be mounted is bent in all directions. As shown in FIG. 9, a groove 12a may also be provided on the outer bottom surface side of the peripheral region 1Ob to deform and make the peripheral region 10b deform.
  • the lid 2 is attached to the case 1 to prevent dust and dirt from accumulating in the groove 12.
  • the case 1 is a multilayer laminated ceramic package, and the conductive pad 16 and the output electrode 15 are electrically connected by the conductive member 16 formed between the laminated layers.
  • the conductive member 16 is provided as described above, the conductive member 1 Due to the thickness of 6, the contact surface between case 1 and lid 2 may have irregularities, which may adversely affect hermetic reliability. Therefore, the electrical connection between the bonding pad 14 and the output electrode 15 is made by the conductive member 16 formed between the stacked layers, thereby improving the airtight reliability between the case 1 and the lid 2.
  • FIG. 10 shows a sensor package P1 according to the second embodiment of the present invention.
  • a recess 20 is formed in an inner surface of a central region 10a on which the semiconductor acceleration sensor chip 100 is mounted.
  • the recess 20 has a rectangular shape on the inner surface of the bottom wall 10, and the periphery of the recess 20 serves as a support flange 21 for supporting the bottom surface of the semiconductor acceleration sensor chip 100 (not shown). .
  • FIG. 10 shows a sensor package P1 according to the second embodiment of the present invention.
  • a recess 20 is formed in an inner surface of a central region 10a on which the semiconductor acceleration sensor chip 100 is mounted.
  • the recess 20 has a rectangular shape on the inner surface of the bottom wall 10, and the periphery of the recess 20 serves as a support flange 21 for supporting the bottom surface of the semiconductor acceleration sensor chip 100 (not shown). .
  • the recess 20 is filled with an elastic bonding member (for example, a silicone-based die bonding agent such as a silicone resin) 22, and the semiconductor acceleration sensor chip 100 has a bottom surface. Is mounted on the support flange 21 over the entire circumference.
  • an elastic bonding member for example, a silicone-based die bonding agent such as a silicone resin
  • the bonding member 22 can be elastically deformed even when cured, and does not transmit distortion to the semiconductor acceleration sensor chip 100.
  • the shape of the recess 20 may be an elongated rectangle as shown in FIG. 12, and only two opposite sides of the bottom surface of the semiconductor acceleration sensor chip 100 may be placed on the support flange 21. . Alternatively, as shown in FIG.
  • the support flange 21 should be connected to the semiconductor acceleration sensor chip 10.
  • the recess 20 may be provided so as to hold a portion below the 0 output pad 101.
  • FIG. 17 shows a sensor package P2 according to the third embodiment of the present invention.
  • the sensor package P2 includes a leg piece 30 on the outer bottom surface of the peripheral region 10b in addition to the sensor package P described above.
  • the leg piece 30 is formed along two opposing sides of the outer bottom surface of the peripheral region 1 Ob parallel to the groove 12.
  • the output electrode 15 is formed in a U-shape from the bottom surface to both side surfaces of the leg piece 30.
  • the radius along the longitudinal direction of the printed circuit board 200 can be alleviated by deforming the leg piece 30, and the leg piece 30 is deformed, and the peripheral area 10 0
  • the deformation of the printed board 200 is hardly transmitted to the semiconductor acceleration sensor chip 100 by combining the deformation of the printed board 13 with the groove 12 as a boundary.
  • a large groove 12 is formed by combining the small groove ⁇ 2 and the leg piece 30. The same effect as at the time can be obtained.
  • a mounting area 3 for mounting a circuit element electrically connected to the semiconductor acceleration sensor chip may be provided, and the circuit element 32 may be mounted.
  • the circuit element 32 is sealed with a mold resin 33.
  • the leg piece 30 may be formed along four sides of the outer bottom surface of the peripheral region 1Ob as shown in FIG.
  • the distortion that curves the bottom wall 10 along the direction perpendicular to the running direction of the groove 12 is suppressed by the groove 12 and the leg piece 30A, and the direction in which the groove 12 runs Can be suppressed by deforming the leg piece 30B.
  • the distortion that curves the bottom wall 10 along the direction perpendicular to the running direction of the groove 12 is suppressed by the groove 12 and the leg piece 30A, and the direction in which the groove 12 runs Can be suppressed by deforming the leg piece 30B.

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Description

明細書
センサパッケージ 技術分野
本発明は、 半導体センサチップを収納するセンサパッケージに関する ものである。 景技術
日本特許公開平 1 1 一 2 6 0 9 6 0号は、 例えば半導体加速度センサ チップのような半導体センサチップを収納するセンサパッケージを開示 している。 このセンサパッケージはプリン卜基板へ表面実装されるタイ プであり、 半導体センサチップを納めるケースの下面に設けた出力電極 を半田によりプリン卜基板へ結合することで、 半導体センサチップの出 力をこの出力電極を介してプリン卜基板の回路に電気接続すると共にセ ンサパッケージをプリン卜基板上に機械的に保持する。 ケースは底壁を 有し、 この底壁の上面に半導体チップセンサを固定し、 底壁の下面に上 記の出力電極が備えられる。 底壁の下面には複数の凹溝が設けられてお リ、 底壁にある程度の変形能を与えている。 この溝により、 プリン卜基 板が例えば熱膨張により変形しても上記溝の部分で底壁が曲がり、 底壁 がある程度プリン卜基板の変形に追従することで底壁の下面に設けた出 力電極がプリン卜基板から離れることを防いでいる。 また、 プリン卜基 板の変形に伴う歪みがこの溝により緩和され半導体センサチップへ伝達 しにくくなリ、 半導体センサチップに加えられる無用な歪みによってセ ンサパッケージを搭載した機器が誤作動するのを防ぐことも考えられる。 多くの場合、 センサパッケージの底壁へ半導体センサチップを実装す るためには、 底壁上の所定の場所にダイボンドベース卜を塗布した後、 C C Dカメラを用いてモニターしながら、 半導体センサチップを上記所 定の場所に正確に位置決めしている。 この際、 ダイポンドペース卜が過 剰に塗布されていると、 半導体センサチップを載置した時に、 ダイボン ドベースが半導体チップセンサの周囲に這い上がリ、 半導体センサチッ プの動作に悪影響を与えるおそれがある。 また、 C C Dカメラを利用し た位置決めに際しては、 何等かのマークを載置位置の近くに形成する必 要があり、 センサーパッケージの製作に追加のコス卜がかかる。
このため、 従来のセンサパッケージでは、 プリン卜基板の変形に伴う 歪みが半導体センサチップに伝達されるのを防止できるものの、 ダイボ ンドペース卜の這い上がり防止や半導体センサチップの位置決めの向上 についての課題が残っていた。
本発明は、 上記課題を解決するために為されたものであって、 プリン 卜基板の変形に伴う歪みが半導体センサチップに伝達されるのを防止で きると共に、 ダイボンドペース卜の這い上がりを防止でき、 半導体セン サチップの位置決めも容易に行えるセンサパッケージを提供することを 目的としている。 発明の開示
本発明のセンサパッケージはプリン卜基板へ表面実装されるタイプで あり、 出力端子を有する半導体センサチップを納めるケースを備える。 上記ケースは底壁を有し、 上記底壁は上記半導体センサチップを保持す る中央領域と、 上記底壁の縁となる周縁領域とに区画される。 上記周縁 領域の外面に出力電極が形成され、 この出力電極は上記出力端子と電気 接続されている。 この出力電極をプリン卜基板へ半田結合することで、 半導体センサチップの出力をこの出力電極を介してプリン卜基板の電気 回路に電気接続すると共にセンサパッケージをプリン卜基板上に機械的 に保持する。
本発明の特徴とするところは、 上記底壁の内面において、 上記中央額 域と上記周縁領域との間に溝が設けられていることである。 上記中央領 域と上記周縁領域との間に溝が設けられていることから、 溝が走る方向 と直交する方向に沿って底壁を湾曲させるような歪みが底壁に加えられ た場合、 溝の部分を境にして上記周縁領域が変形することで、 上記中央 領域に歪みが及ぶことを防止することができる。 よって、 上記中央領域 に保持された半導体センサチップには、 プリン卜基板の変形に伴う歪み が伝達されにくく、 プリン卜基板の歪みによる半導体センサチップの特 性変動を抑制できる。 さらに、 上記溝が上記底壁の内面にあることから、 半導体センサチップを上記底壁へ載置する際にダイボンドベース卜があ ふれても上記溝へと流れ、 ダイボンドペース卜が半導体センサチップへ 這い上がることもない。 また、 半導体センサチップを上記底壁へ載置す る際に、 上記溝を位置決めの目印として用いることができ、 コストをか けることなく容易に位置決めすることができる。 半導体センサチップ実 装後の検査時に上記溝を目印として半導体センサチップのずれを確認す ることもできる。
上記溝として、 半導体センサチップの両端面と並行となる少なくとも 2本の溝を設けることが好ましい。 これにより半導体センサチップに伝 達される歪みを効率よく抑制することができる。 上記溝を半導体センサ チップの各 4辺と並行に 4つ形成してもよい。 この場合、 半導体センサ チップにあらゆる水平方向から伝達される歪みを効率よく抑制すること ができる。
さらに、 上記底壁の中央領域の内面に凹所を形成してもよい。 この凹 所はその周囲に支持フランジを形成し、 この支持フランジ上に上記セン サチップの底面が支持されて固定される。 上記凹所を設けることで、 上 記中央領域と半導体センサチップとの接触面積が減り、 上記中央領域ま で伝達されたプリン卜基板の歪みが上記半導体センサチップに伝達され にくくなる。 この凹所の形状は、 十字形や矩形状とすることができる。 このような形状であれば、 上記中央領域と半導体センサチップとの接触 面積を大きく低減しながら、 安定して半導体センサチップを保持できる。 また、 上記半導体センサチップの底面のうち上記出力端子の下となる部 位が上記支持フランジに保持されるのも好ましい。 このようにすること で、 上記出力端子にボンディングワイヤをボンディングする際の衝撃に 対する強度を確保することができ、 ボンディング不良の発生を防止する ことができる。 上記凹所に弾性結合部材を充填するのも好ましい。 この 場合、 上記弾性結合部材の弾性力によリ上記半導体センサチップに歪み を伝達することがなく、 上記半導体センサチップと上記底壁との接着強 度を向上させることができる。 上記凹所の周囲に上記凹所よりも浅い第 2の凹所を形成し、 上記第 2の凹所の底面を上記支持フランジとしても よい。 この場合、 上記半導体センサチップを上記支持フランジに載置す る際に、 上記半導体センサチップを上記第 2の凹所に合わせて載置すれ ばよく、 より位置決めしやすくなる。
中央領域の内面に凹所を形成し、 その凹所は底面の中央に支持台を有 し、 半導体センサチップの底面の中央領域がこの支持台上に支持され固 定されるようにしてもよい。 このようにしても、 中央領域と半導体セン サチップとの接触面積を大きく低減しながら、 安定して半導体センサチ ップを保持できる。
上記周縁領域の外底面に上記中央領域の外底面よりも外側に突出した 脚片を備えてもよい。 この時、 上記出力電極は上記脚片の外面に形成さ れている。 上記脚片を備えることで、 プリン卜基板の変形に伴う歪みを 上記脚片が変形することによっても緩和できるようになり、 上記歪みが 半導体センサチップに、 より伝達されにくくなる。 また上記底壁がプリ ン卜基板から離れることで、 上記周縁領域が上記溝の部分を境にして変 形しやすくなる。 上記脚片は、 上記周縁領域の外底面の対向 2辺に沿つ て形成しても、 上記周縁領域の外底面の 4辺に沿って形成してもよい。 この時、 上記脚片を上記溝と並行になるように形成すると、 上記溝が走 る方向と直交する方向に沿って底壁を湾曲させるような歪みを、 上記溝 と上記脚片とで、 ょリ効率的に抑制することができる。 また、 上記脚片 を備えた場合、 上記中央領域の外底面に上記半導体センサチップと電気 的に接続される回路素子を実装可能な実装領域を設けてもよい。 このよ うにすることで、 必要に応じて上記実装領域に回路素子を実装すること ができ、 周辺回路を含めた上での小型化、 低コスト化を図ることができ る。
上記ケースを上記底壁の周縁領域の内面に側壁が立設された開口部を 有する箱状体として、 上記ケースの開口に蓋体を気密的に取着するのが 好ましい。 このようにすることで、 ケース内に設けた上記溝に塵や埃が 堆積するのを防止することができる。 この場合、 上記ケースは積層され た少なくとも 2層で形成されているのが好ましい。 ケースを積層構造と することで、 積層された層間に、 上記半導体センサチップの出力端子と 上記ケースの出力電極との間の電気接続を行う導電部材を設けることが できる。 上記出力端子と上記出力電極との間の電気接続を、 上記層間に 設けた上記導電部材により行うことで、 上記ケースと上記蓋体との接触 部分である上記側壁の上面に上記導電部材を設けない構成とすることが でき、 上記ケースと上記蓋体との間の気密信頼性を高めることができる。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の第 1の実施形態に係るセンサパッケージをプリン卜基 板に実装した状態を示す図である。 図 2は、 同上のケースを、 側壁を透視して見た斜視図である。
図 3は、 同上のセンサパッケージを模式的に示した断面図である。
図 4は、 同上のセンサパッケージにプリン卜基板から歪みが伝達された 状態を示す図である。
図 5は、 同上の溝の効果を説明する図である。
図 6は、 同上の溝の効果を説明する別の図である。
図 7は、 同上の溝にダイポンドペース卜が流れた状態を示す図である。 図 8は、 同上のセンサパッケージに溝を 4本形成した例を示す図である。 図 9は、 同上の底壁の底面側にも溝を設けた例を示す図である。
図 1 0は、 本発明の第 2の実施形態に係るセンサパッケージのケースを、 側壁を透視して見た斜視図である。
図 1 1は、 同上のセンサパッケージの断面図である。
図 1 2は、 同上の底壁に別の形状の凹所を設けた例を示す図である。 図 1 3は、 同上の底壁に別の形状の凹所を設けた例を示す図である。 図 1 4は、 同上の底壁に別の形状の凹所を設けた例を示す図である。 図 1 5は、 同上の底壁に別の形状の凹所を設けた例を示す図である。 図 1 6は、 同上の底壁に別の形状の凹所を設けた例を示す図である。 図 1 7は、 本発明の第 3の実施形態に係るセンサパッケージのケースを、 側壁を透視して見た斜視図である。
図 1 8は、 同上のセンサパッケージにプリント基板から歪みが伝達され た状態を示す図である。
図 1 9は、 同上の底壁の外底面に回路素子を実装した例を示す図である 図 2 0は、 同上の底壁の 4辺に脚片を設けた例を示す図である。
図 2 1は、 同上の底壁の 4辺に別の形状の脚片を設けた例を示す図であ る。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を添付の図面を用いて詳細に説明する。
図 1 に本発明の第 1の実施形態に係るセンサパッケージ Pを示す。 こ のセンサパッケージ Pは、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を収容し、 矩形で細長のプリン卜基板 2 0 0へ表面実装される。 センサパッケージ Pは、 ケース 1 とリツド （蓋体） 2とを備える。 ケース 1は矩形の底壁 1 0を備え、 底壁 1 0は、 図 2に示すように、 半導体加速度センサチッ プ 1 0 0を保持する中央領域 1 O aと、 底壁 1 0の周縁となる周縁領域 1 O bとに区画されている （それぞれ、 図 2中、 斜線で示した部分。 ） < ケース 1 は、 底壁 1 0の周縁領域 1 0 bに側壁 1 1が立設された箱状体 である。 底壁 1 0の内面において、 上記中央領域 1 0 aと上記周縁領域 1 O bとの間には、 溝 1 2が 2本形成されている。 それぞれの溝 1 2は, 中央領域 1 0 aに載置される半導体加速度センサチップ 1 0 0の一対の 両端面と並行に走るように形成されている。 底壁 1 0の内面には、 端子 台 1 3がー体に設けられている。 端子台 1 3の上面には、 半導体加速度 センサチップ 1 0 0の出力パッド 1 0 1 とボンディングワイヤ 3 0 0を 介して接続されるボンディングパッド 1 4が複数配設されている。 L字 形の出力電極 1 5が、 周縁領域 1 0 bの外面のうち上記溝 1 2と並行と なる一対の両側面から外底面へとまたがるようにして、 周縁領域 1 0 b に密着して形成されている。
ケース 1は、 図 3の模式図に示すように、 複数の薄層を積層した多層 積層型セラミックパッケージにより構成されており、 上記出力電極 1 5 は、 薄層間を通った導電部材 1 6により上記ボンディングパッド〗 4と 電気的に接続されている。 溝 1 2は、 一枚またはそれ以上の薄層をある 部分で取り除くことで形成される。 リツド 2は、 ケース 1の開口部分を 覆うようにケース 1 に気密的に取着される。
ケース 1は、 上記出力電極 1 5をプリン卜基板 2 0 0に形成された電 気回路 （図示せず） へ半田結合することで半導体加速度センサチップ 1 0 0の出力を上記電気回路に電気接続すると共にセンサパッケージ Pを プリン卜基板 2 0 0上に機械的に保持させる。 本実施形態では、 プリン 卜基板 2 0 0が矩形で細長の形状であり長手方向に沿って橈みやすいた め、 溝〗 2をプリン卜基板 2 0 0の長手方向と直行する方向に配置して， プリン卜基板 2 0 0に保持された周縁領域〗 O bを溝〗 2の部分を境に して変形しやすくしている。 これにより、 図 4に示すようにプリント基 板 2 0 0が長手方向に沿って撓んだとしても、 プリン卜基板 2 0 0に保 持された周縁領域 1 0 bがプリン卜基板 2 0 0の撓みに追従して撓むこ とで、 プリン卜基板 2 0 0の撓みが中央領域 1 0 aにまで及ぶことを防 止できる。 よって、 中央領域 1 0 aに保持された半導体加速度センサチ ップ 1 0 0が歪みから保護され、 プリン卜基板 2 0 0の歪みによる半導 体加速度センサチップ 1 0 0の特性変動を抑制できる。 なお、 溝 1 2の 深さや幅は、 ケース Ίの寸法や厚み、 構成材料などに応じて最適化すれ ばよい。
溝の効果を示す一例を図 5に示す。 図 5は溝 1 2の有無それぞれの場 合について、 温度を常温から 6 0 °C上昇させた時に、 プリント基板 2 0 0とセンサパッケージ Pとの熱膨張係数の差にょリ発生するプリン卜基 板 2 0 0の歪みによって、 半導体加速度センサチップ〗 0 0のオフセッ ト電圧がどの程度変化するかをシミュレーションした結果を示している, 図 5より、 溝 1 2を設けることで、 プリン卜基板 2 0 0の歪みが半導体 加速度センサチップ 1 0 0に伝達されにくくなリ、 プリン卜基板 2 0 0 の歪みによる半導体加速度センサチップ 1 0 0の特性変動が抑制されて いることがわかる。
溝の効果を示す別の一例を図 6に示す。 図 6は溝 1 2の有無それぞれ の場合について、 4つのサンプルを用いて温度サイクル試験を行った時 に、 試験前の初期オフセッ卜電圧に対する試験後のオフセッ卜電圧の変 化量を測定した結果を示す。 図 6からも、 溝 1 2を設けることで半導体 加速度センサチップ 1 0 0の特性変動が抑制されていることがわかる。 上記半導体加速度センサチップ〗 0 0は、 底面の形状が矩形であり、 上側の一面に上記した出力パッド 1 0 1が複数配置されている。 半導体 加速度センサチップ 1 0 0は、 上記中央領域 1 0 aにダイボンドペース 卜 4 0 0を塗布した後、 C C Dカメラで位置決めしながらダイポンドべ ース卜 4 0 0上に載置され固定される。 この時、 溝 1 2を位置決めの目 印として用いることができ、 例えば溝 1 2と半導体加速度センサチップ 1 0 0の一対の側面が平行となるように、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を中央領域 1 0 aに載置する。 また、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を中央領域に載置する際に、 中央領域 1 0 aにダイボンドペース卜 4 0 0が過剰に塗布されていて半導体加速度センサチップ 1 0 0により ダイボンドペース卜 4 0 0が押し出されても、 図 7に示すように、 ダイ ボンドベース卜 4 0 0は溝 1 2へと流れ落ち、 ダイボンドベース卜 4 0 0が半導体加速度センサチップ 1 0 0に這い上がることがない。
本実施形態では、 溝 1 2は 2本であつたが、 図 8に示すように半導体 加速度センサチップ 1 0 0の各 4辺と並行に走るように溝 1 2を 4本形 成してもよい。 この場合、 半導体加速度センサチップ 1 0 0に対するあ らゆる水平方向からの撓みを抑制できるので、 実装されるプリン卜基板 2 0 0があらゆる方向に撓む場合に有効である。 周縁領域 1 0 bを変形 しゃすくするために、 図 9に示すように、 周縁領域 1 O bの外底面側に も溝 1 2 aを設けてもよい。
また、 本実施形態では、 ケース 1 にリツド 2を取着することで、 溝 1 2に塵や埃が堆積するのを防止している。
さらに本実施形態では、 ケース 1を多層積層型セラミックパッケージ とし、 積層された層間に形成した上記導電部材 1 6によリポンデイング パッド 1 4と出力電極 1 5との電気的な接続を行っている。 ケース 1の 内側にあるボンディングパッド 1 4とケース Ίの外面にある出力電極 1 5とを電気的に接続するために、 ケース 1 とリツド 2との接触部分であ る側壁 1 1の上面をまたぐように導電部材 1 6を設けると、 導電部材 1 6の厚みによりケース 1 とリツド 2との接触面に凹凸ができ、 気密信頼 性に悪影響を及ぼす恐れがある。 よって、 ボンディングパッド 1 4と出 力電極 1 5との電気的な接続を、 積層された層間に形成した上記導電部 材 1 6により行うことでケース 1 とリツド 2との気密信頼性を高めてい る。
なお、 本実施形態では半導体センサチップとして半導体加速度センサ チップ 1 0 0を例に挙げたが、 もちろん本発明のセンサパッケージ Pは、 それ以外の半導体センサチップにも適用可能である。 図 1 0に、 本発明の第 2の実施形態に係るセンサパッケージ P 1を示 す。 このセンサパッケージ P 1は、 上記したセンサパッケージ Pに加え て、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を載置する中央領域 1 0 aの内面 に凹所 2 0を形成している。 凹所 2 0は、 底壁 1 0の内面における形状 が矩形状であり、 凹所 2 0の周囲が半導体加速度センサチップ 1 0 0 (図示せず） の底面を支持する支持フランジ 2 1 となる。 図 1 1 に示す ように、 凹所 2 0には、 弾性を有する結合部材 （例えば、 シリコーン樹 脂などのシリコーン系のダイボンド剤） 2 2が充填され、 半導体加速度 センサチップ 1 0 0は、 底面の周部が全周にわたって支持フランジ 2 1 に載置される。
かかるセンサパッケージ P 1 においては、 凹所 2 0を設けることによ リ、 中央領域 1 0 aと半導体加速度センサチップ 1 0 0の接触面積が減 リ、 中央領域 1 0 aから半導体加速度センサチップ 1 0 0へ歪みが伝達 784
13 されにくくなる。 よって、 周縁領域 1 0 bの変形のみでは吸収できずに 中央領域 1 0 aまで伝達された歪みも、 中央領域 1 0 aから半導体加速 度センサチップ 1 0 0へ伝達される段階で抑制することができる。 結合 部材 2 2は硬化しても弾性変形可能であリ半導体加速度センサチップ 1 0 0に歪みを伝達することがなく、 その結合力により底壁 1 0と半導体 加速度センサチップ 1 0 0との接着強度を向上させることができる。 凹所 2 0の形状は、 図 1 2に示すように、 細長の矩形状で、 半導体加 速度センサチップ 1 0 0の底面の対向 2辺のみが支持フランジ 2 1 に載 置されるものでもよい。 或いは、 図 1 3に示すように、 十字形で半導体 加速度センサチップ 1 0 0の底面の四隅のみが支持フランジ 2 1 に載置 されるものでもよい。 或いは、 図 1 4に示すように、 半導体加速度セン サチップ 1 0 0の底面よりも大きい矩形の凹所 2 0を形成すると共に凹 所 2 0の中央に支持台 2 3を突設し、 半導体加速度センサチップ 1 0 0 の底面の中央領域のみが支持台 2 3上に載置されるようにしてもよい。 図 1 2から図 1 4のような形状とすることで、 中央領域 1 0 aと半導体 加速度センサチップ 1 0 0の接触面積を大きく低減しながらも、 安定し て半導体加速度センサチップ 1 0 0を保持することができる。
半導体加速度センサチップ 1 0 0の出力パッド Ί 0 1 に、 ボンディン グワイヤ 3 0 0をボンディングする際の衝撃に耐える強度を確保する必 要があるときは、 支持フランジ 2 1が半導体加速度センサチップ 1 0 0 の出力パッド 1 0 1の下となる部分を保持するように、 凹所 2 0を設け ればよい。 例えば、 本実施形態の半導体加速度センサチップ 1 0 0のよ 6784
14 うに、 出力パッド 1 0 1が半導体加速度センサチップ 1 0 0の上側の一 面に並んで配列されている時は、 図 1 5に示すように、 凹所 2 0を出力 パッド 1 0 1の配列方向に長い矩形状とし、 出力パッド 1 0 1の下とな る半導体加速度センサチップ 1 0 0の底面の部位と、 その部位と平行と なる底面の周縁とが支持フランジ 2 1 に載置されるようにすればよい。 また、 図〗 6に示すように中央領域 1 0 aに設けた凹所 2 0の周囲に、 その凹所 2 0よりも浅い第 2の凹所 2 4を形成し、 その第 2の凹所 2 4 の底面を上記支持フランジ 2 1 としてもよい。 第 2の凹所 2 4の大きさ は、 半導体加速度センサチップ 1 0 0の底面の大きさとほぼ同じ大きさ に形成しておき、 半導体加速度センサチップ 1 0 0は、 上記第 2の凹所 2 4の底面 （支持フランジ 2 1 ) に載置する。 第 2の凹所 2 4を設けた ことにより、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を中央領域 1 O aに載置 する際に、 半導体加速度センサチップ 1 0 0を第 2の凹所 2 4に載置す ることで、 簡単かつ正確に位置決めができる。 図 1 7に、 本発明の第 3の実施形態に係るセンサパッケージ P 2を示 す。 このセンサパッケージ P 2は、 上記したセンサパッケージ Pに加え て、 周縁領域 1 0 bの外底面に脚片 3 0を備えている。 脚片 3 0は、 周 緣領域 1 O bの外底面のうち溝 1 2と並行となる対向 2辺に沿って形成 されている。 出力電極 1 5は、 脚片 3 0の底面から両側面にかけて U字 形に形成されている。
かかるセンサパッケージ P 2においては、 図 1 8に示すように、 脚片 3 0を設けることにより、 プリント基板 2 0 0の長手方向に沿った橈み を脚片 3 0が変形することでも緩和できるようになり、 脚片 3 0が変形 することと、 周縁領域 1 0 13が溝1 2を境にして変形することとを合わ せて、 プリン卜基板 2 0 0の歪みが半導体加速度センサチップ 1 0 0に より伝達されにくくなる。 或いは、 センサパッケージ P 2をより小型化 するために溝 1 2の大きさを十分に取れない場合に、 小さい溝 Ί 2と脚 片 3 0とを組合わせることで、 大きい溝 1 2を形成した時と同様の効果 を得ることもできる。
脚片 3 0を設けたことにより、 中央領域 1 0 aの外底面とプリント基 板 2 0 0との間に空間が生じるので、 図 1 9に示すように中央領域 1 0 aの外底面に上記半導体加速度センサチップと電気的に接続される回路 素子を実装する実装領域 3 〗を設け、 回路素子 3 2を実装してもよい。 回路素子 3 2はモールド樹脂 3 3により封止しておく。 このようにする ことで、 半導体加速度センサチップ 1 0 0とその周辺回路とをワンパッ ケージ化することができる。
なお、 脚片 3 0は、 図 2 0に示すように周縁領域 1 O bの外底面の 4 辺に沿って形成してもよい。 図 2 0の場合、 溝 1 2が走る方向と直行す る方向に沿って底壁 1 0を湾曲させるような歪みは溝 1 2及び脚片 3 0 Aで抑制し、 溝 1 2が走る方向に沿って底壁 1 0を湾曲させるような歪 みは、 脚片 3 0 Bが変形することによって抑制することができる。 図 2 1 に示すように、 各脚片 3 0 A、. 3 0 Bを変形しやすくするために、 隣 接する各脚片 3 0 A、 3 0 Bは連結せずに離して形成してもよい。

Claims

請求の範囲
1 . 出力端子を有する半導体センサチップを納めるケースを備え、
上記ケースは底壁を有し、上記底壁は上記半導体センサチップを保持する中 央領域と、上記底壁の周縁となる周縁領域とに区画され、
上記周縁領域の外面に出力電極が形成され、この出力電極は上記出力端子 と電気接続され、
この出力電極をプリン卜基板へ半田結合することで上記半導体センサチップの 出力をプリント基板の電気回路に電気接続すると共にセンサパッケージをプリ ント基板上に機械的に保持する表面実装型のセンサーパッケージであって、 上記底壁の内面における、上記中央領域と上記周縁領域との間に溝が設け られている。
2.請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記溝は少なくとも 2本形成されており、それぞれ上記半導体センサチップの 両端面と並行に走る。
3.請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記溝は少なくとも 4本形成されており、それぞれ上記半導体センサチップの 各 4辺と並行に走る。
4.請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記底壁の中央領域の内面に凹所が形成され、この凹所はその周囲に支持 フランジを形成し、上記センサチップの底面がこの支持フランジ上に支持され 固定される。
5.請求の範囲第 4項記載のセンサパッケージにおいて、
上記 H所は上記底壁の内面における形状が十字形である。
6.請求の範囲第 4項記載のセンサパッケージにおいて、
上記凹所は上記底壁の内面における形状が矩形状である。
7.請求の範囲第 4項記載のセンサパッケージにおいて、
上記支持フランジは、上記半導体センサチップの底面のうち上記出力端子の 下となる部位を保持する。
8.請求の範囲第 4項記載のセンサパッケージにおいて、
上記凹所に弾性結合部材が充填されている。
9.請求の範囲第 4項記載のセンサパッケージにおいて、
上記凹所の周囲に上記凹所よりも深さが浅い第 2の凹所を形成し、上記第 2 の凹所の底面が上記支持フランジとなる。
1 0.請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記底壁の中央領域の内面に凹所が形成され、この凹所は底面の中央に支 持台を有し、上記センサチップの底面の中央領域がこの支持台上に支持され 固定される。
1 1 .請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記周縁領域の外底面に上記中央領域の外底面よりも外側に突出した脚片 を備え、上記出力電極は上記脚片の外面に形成されている。
1 2.請求の範囲第 1 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記脚片は上記周縁領域の外底面の対向 2辺に沿って形成されている。
1 3.請求の範囲第 1 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記脚片は上記周縁領域の外底面の 4辺に沿って形成されている。
1 4.請求の範囲第 1 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記脚片は上記溝と並行になるように形成されている。
1 5.請求の範囲第 1 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記中央領域の外底面に上記半導体センサチップと電気的に接続される回 路素子が実装可能な実装領域を設けている。
1 6.請求の範囲第 1項記載のセンサパッケージにおいて、
上記ケースは上記底壁の周縁領域の内面に側壁が立設された開口部を有す る箱状体であり、上記ケースの開口に蓋体が気密的に取着されている。
1 7.請求の範囲第 1 6項記載のセンサパッケージにおいて、
上記ケースは積層された少なくとも 2層で形成されている。
1 8.請求の範囲第 1 7項記載のセンサパッケージにおいて、
上記出力端子と上記出力電極との間の電気接続は、上記層間に設けられた 導電部材により行なわれる。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009028283A1 (ja) * 2007-08-27 2009-03-05 Hitachi Metals, Ltd. 半導体歪みセンサー
EP1794081B1 (en) * 2004-09-28 2017-01-25 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with premolded-type package

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI237546B (en) * 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US6992250B2 (en) * 2004-02-26 2006-01-31 Kyocera Corporation Electronic component housing package and electronic apparatus
EP1751806B1 (de) 2004-05-31 2019-09-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
JP2005353846A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP2006308454A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Kyocera Corp 電子装置
JP4832802B2 (ja) * 2005-05-30 2011-12-07 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体加速度センサ装置及びその製造方法
JP4740678B2 (ja) * 2005-07-27 2011-08-03 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP4786328B2 (ja) * 2005-12-20 2011-10-05 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージ
DE102006022807A1 (de) * 2006-05-16 2007-11-22 Robert Bosch Gmbh Chipgehäuse mit reduzierter Schwingungseinkopplung
JP4925274B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925275B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925272B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925273B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2008227087A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Denso Corp 半導体素子
JP4851555B2 (ja) * 2008-05-13 2012-01-11 株式会社デンソー 力学量センサおよびその製造方法
JP4725600B2 (ja) 2008-06-10 2011-07-13 愛知製鋼株式会社 マグネトインピーダンスセンサ素子
JP4752952B2 (ja) 2009-06-03 2011-08-17 株式会社デンソー 力学量センサ、及び該力学量センサの製造方法
DE102010042438B4 (de) * 2010-01-27 2013-09-26 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung
JP5287774B2 (ja) * 2010-03-22 2013-09-11 株式会社デンソー セラミックパッケージ
JP5311231B2 (ja) * 2010-05-24 2013-10-09 株式会社デンソー センサ装置
JP2012019034A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Toyota Motor Corp 半導体パッケージの構造
JP5742323B2 (ja) * 2011-03-14 2015-07-01 オムロン株式会社 センサパッケージ
ITTO20120154A1 (it) * 2012-02-21 2013-08-22 Stmicroelectronics Malta Ltd Procedimento di assemblaggio di un dispositivo integrato a semiconduttore
CN104126224B (zh) * 2012-03-22 2017-02-22 京瓷株式会社 元件收纳用封装件
JP2013243340A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
DE102015104410B4 (de) * 2015-03-24 2018-09-13 Tdk-Micronas Gmbh Drucksensor
CN104803341B (zh) * 2015-04-17 2017-02-22 北京必创科技股份有限公司 一种压力传感器应力释放装置
ITUB20153580A1 (it) * 2015-09-11 2017-03-11 St Microelectronics Srl Dispositivo sensore microelettromeccanico con ridotta sensibilita' agli stress e relativo procedimento di fabbricazione
JP6293982B2 (ja) * 2015-09-30 2018-03-14 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置
CN105203233A (zh) * 2015-10-16 2015-12-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems压力传感器
JP2017125753A (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6417056B2 (ja) * 2016-01-22 2018-10-31 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板、電子装置および電子モジュール
CN106744644A (zh) * 2016-10-11 2017-05-31 中国科学院地质与地球物理研究所 一种mems传感器低应力封装管壳及封装系统
DE102019129411A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-18 Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper
JP2021071305A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 ミネベアミツミ株式会社 力覚センサ装置
JP7166238B2 (ja) * 2019-11-06 2022-11-07 株式会社豊田中央研究所 Ｍｅｍｓ構造体
DE102020207799A1 (de) 2020-06-24 2021-12-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung MEMS-Modul
CN115057407A (zh) * 2022-04-29 2022-09-16 潍坊歌尔微电子有限公司 Mems产品及电子设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05333056A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Hitachi Ltd 加速度センサ
JPH06289048A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Hitachi Ltd 容量式加速度センサ
US5406454A (en) * 1992-04-21 1995-04-11 Asulab S.A. Microelectronic device positioning means
JPH1062446A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Hitachi Ltd 加速度センサ及び実装用プリント基板
JPH11260960A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
JPH11281667A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Japan Aviation Electronics Ind Ltd 静電容量型センサ
JP2000046859A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Omron Corp 加速度センサ
JP2001337104A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体加速度センサ
US6448624B1 (en) * 1996-08-09 2002-09-10 Denso Corporation Semiconductor acceleration sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5656655A (en) * 1979-10-15 1981-05-18 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5857742A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Nec Corp チツプキヤリア
FR2538961B1 (fr) * 1982-12-30 1985-07-12 Europ Composants Electron Embase pour circuit integre
EP0333237A3 (en) * 1984-05-18 1990-03-21 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Integrated circuit chip carrier
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame
US5233873A (en) * 1991-07-03 1993-08-10 Texas Instruments Incorporated Accelerometer
JPH0621317A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Seiko Epson Corp 半導体パッケージの製造方法
US5554806A (en) * 1994-06-15 1996-09-10 Nippondenso Co., Ltd. Physical-quantity detecting device
US6111199A (en) * 1998-04-07 2000-08-29 Integrated Device Technology, Inc. Integrated circuit package using a gas to insulate electrical conductors
US6249049B1 (en) * 1998-06-12 2001-06-19 Nec Corporation Ceramic package type electronic part which is high in connection strength to electrode
JP3062691B1 (ja) * 1999-02-26 2000-07-12 株式会社三井ハイテック 半導体装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406454A (en) * 1992-04-21 1995-04-11 Asulab S.A. Microelectronic device positioning means
JPH05333056A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Hitachi Ltd 加速度センサ
JPH06289048A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Hitachi Ltd 容量式加速度センサ
US6448624B1 (en) * 1996-08-09 2002-09-10 Denso Corporation Semiconductor acceleration sensor
JPH1062446A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Hitachi Ltd 加速度センサ及び実装用プリント基板
JPH11260960A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
JPH11281667A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Japan Aviation Electronics Ind Ltd 静電容量型センサ
JP2000046859A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Omron Corp 加速度センサ
JP2001337104A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体加速度センサ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1510825A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1794081B1 (en) * 2004-09-28 2017-01-25 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with premolded-type package
WO2009028283A1 (ja) * 2007-08-27 2009-03-05 Hitachi Metals, Ltd. 半導体歪みセンサー
US8438931B2 (en) 2007-08-27 2013-05-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor strain sensor

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Publication number Publication date
CN1537230A (zh) 2004-10-13
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JP2004003886A (ja) 2004-01-08
EP1510825A4 (en) 2009-01-07
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EP1510825A1 (en) 2005-03-02
US20040232507A1 (en) 2004-11-25
KR20040035698A (ko) 2004-04-29

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