JP2003028891A - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサチップの実装傾きを小さくしてセンサ
の他軸感度を小さくし、且つワイヤボンド部の信頼性を
確保した加速度センサを提供する。 【解決手段】 プリント基板10の基板面に対して平行
である感度軸Xの方向に印加された加速度を電気信号に
変換するセンサチップ1と、センサチップ1の電気信号
を処理するICチップ3と、センサチップ1を支持固定
し、ワイヤボンド9を介してセンサチップ1及びICチ
ップ3と接続する配線パターン8を有する配線基台2と
は、函体形状を有して函体の最も広い外面がプリント基
板10の基板面と対向してプリント基板10に実装され
たパッケージ4内に配置され、配線基台2は、センサチ
ップ1のワイヤボンド面と平行なワイヤボンド面と、I
Cチップ3及びパッケージ4のワイヤボンド面と平行な
ワイヤボンド面とを形成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、航空機、
家電製品などに用いられる加速度センサに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図14は従来の加速度センサの、(a)
側面断面図、(b)前面図を示し、プリント基板110
の基板面に対して平行である感度軸Xの方向に印加され
た加速度を電気信号に変換するセンサチップ101と、
センサチップ101の電気信号を処理する処理回路であ
るICチップ103と、センサチップ101を支持固定
する斜めスペーサ102と、函体形状を有してセンサチ
ップ101を支持固定した斜めスペーサ102及びIC
チップ103を収納し、センサチップ101及びICチ
ップ103と外部との間で信号の授受を行うための端子
106を前面及び後面の下端に設けて、半田部111に
よって端子106をプリント基板110に固定して実装
されたパッケージ104と、パッケージ104の前面に
設けた開口に覆設するキャップ105と、センサチップ
101のパッド112−パッケージ104の内面に形成
したパッド113間、及びICチップ103のパッド1
14−パッケージ104の内面に形成したパッド115
間を接続するワイヤボンド109と、パッド113,1
15、端子106を各々接続する配線パターン107と
から構成される。
【0003】本従来例のセンサチップ101は図15
(a),(b)に前面図、側面図を示すように、半導体
基板からなる第1の基板20と、第1の基板20に形成
された重り部23と、第1の基板20の主表面側に形成
され一端が重り部23に一体連結された撓み部22と、
第1の基板20に形成され撓み部22の他端が一体連結
され撓み部22を介して重り部23を揺動自在に支持す
る支持部21と、撓み部22に形成され撓み部22の変
形を検出して、その変形の度合を加速度として電気信号
に変換するセンシング素子であるピエゾ抵抗部24と、
第1の基板20の裏面側に接合された第2の基板30と
を有するいわゆる片持ち梁構造であり、加速度を印加さ
れると撓み部22が撓むことによって、ピエゾ抵抗部2
4も撓んで抵抗値が変化し、その抵抗値に応じた電気信
号を加速度として出力するものである。
【0004】このような片持ち梁構造のセンサチップ1
01は、図16に示すように、撓み部22の撓みの支点
B−重り重心Cを結んだ線と、感度軸X(加速度の印加
方向)とが垂直になるように角度θ°傾斜させる(即
ち、チップの主表面と感度軸Xとが垂直でない)ことが
必要になり、この角度θ°がずれると加速度が0Gの状
態でも撓み部22が撓むため、センサの他軸感度が増加
して出力ずれが生じる。斜めスペーサ102はこの傾斜
角を成すようにセンサチップ101を支持固定するもの
である。
【0005】なお、センサチップ101は重り部を撓み
部を介して複数方向から支持部により両持ちしたいわゆ
る両持ち梁構造を用いてもよく、その場合は、図16の
角度θ=0°(すなわち、チップの主表面と感度軸Xと
が垂直)となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の加速
度センサにおいては、センサチップ101の主表面に対
して感度軸Xが垂直あるいは垂直に近いため、プリント
基板110の基板面に対して水平方向の加速度を検知す
る場合、パッケージ104の面積が狭い下端面をプリン
ト基板110に対向するように実装する必要があるの
で、実装傾きが大きくなり、感度軸Xとプリント基板1
10の基板面との平行性が保たれず、センサの他軸感度
が大きくなるという問題があった。
【0007】また、パッケージ104は、積層面がプリ
ント基板110の基板面に対して垂直になるようにセラ
ミック板104a〜104eを積層した多層セラミック
パッケージで形成されている。セラミック板104a〜
104eは、1枚のセラミックシートを所望の大きさに
切り分ける安価な分割法であるブレーク法を用いて分割
しているため、セラミック板104a〜104eの分割
面である端面で形成されるパッケージ104の端面、側
面にはバリが生じるので平面度を欠きやすく、そのため
実装傾きが大きくなり、センサの他軸感度が大きくなる
という問題があった。
【0008】さらに、多層セラミックパッケージの場
合、ワイヤボンディングできる程度の大きさの平面導体
パターンは積層面と平行な面にしか形成することができ
ない。ここで前記のように、チップの主表面(ワイヤボ
ンド面)と感度軸とが垂直でない片持ち梁構造のセンサ
チップ101の場合、センサチップ101のパッド11
2とパッケージ104のパッド113との各ワイヤボン
ド面は互いに平行ではなく、パッド112(1stパッ
ド)とパッド113(2ndパッド)との互いに平行で
はない2面間にワイヤボンディングしなければならず、
ワイヤボンド部の信頼性を確保することが困難であると
いう問題もあった。
【0009】本発明は、上記事由に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、センサチップの実装傾きを小さく
してセンサの他軸感度を小さくし、且つワイヤボンド部
の信頼性を確保した加速度センサを提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、感度
軸の方向に印加された加速度を電気信号に変換するセン
サチップと、前記センサチップの電気信号を処理する処
理回路と、前記センサチップを支持固定し、前記センサ
チップ及び処理回路と接続する配線パターンを有する配
線基台と、函体形状を有して前記センサチップを支持固
定した配線基台及び前記処理回路を収納し、函体の最も
広い外面がプリント基板の基板面と対向して前記プリン
ト基板に実装されたパッケージとを備えて、前記感度軸
は前記プリント基板の基板面に対して平行であることを
特徴とする。
【0011】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記パッケージは、前記プリント基板と接続して信
号授受を行うリードを備えることを特徴とする。
【0012】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台は、樹脂材料で形成されることを特徴
とする。
【0013】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台は、前記センサチップの熱膨張率との
差が小さい熱膨張率を有する材料で形成されることを特
徴とする。
【0014】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、前記センサチップは加速度を電気信号に変換するセ
ンシング素子を具備し、前記センシング素子を実装した
主表面に対して前記感度軸が垂直方向にあることを特徴
とする。
【0015】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台の配線パターンは、前記センサチップ
及び処理回路とワイヤボンドによって接続され、前記配
線基台は、ワイヤボンドを接続するワイヤボンド面を2
面以上設けて、前記センサチップのワイヤボンド面との
間の段差が小さく且つ互いに平行であるワイヤボンド面
と、前記処理回路のワイヤボンド面との間の段差が小さ
く且つ互いに平行であるワイヤボンド面とを有すること
を特徴とする。
【0016】請求項7の発明は、請求項1の発明におい
て、前記センサチップは、半導体基板からなる第1の基
板と、第1の基板に形成された重り部と、第1の基板の
主表面側に形成され一端が重り部に一体連結された撓み
部と、第1の基板に形成され撓み部の他端が一体連結さ
れ撓み部を介して重り部を揺動自在に支持する支持部
と、撓み部に形成され撓み部の変形を検出して加速度と
して電気信号に変換するセンシング素子と、第1の基板
の裏面側に接合された第2の基板とを有する片持ち梁構
造であり、前記重り部の重心と前記撓み部が撓む支点と
を結ぶ直線は重力方向であることを特徴とする。
【0017】請求項8の発明は、請求項1の発明におい
て、前記パッケージは、積層面を前記プリント基板の基
板面に対して平行に多層積層したセラミック板で形成さ
れることを特徴とする。
【0018】請求項9の発明は、請求項8の発明におい
て、前記パッケージは、1つの面に開口を設け、前記開
口に覆設する金属で形成したキャップを備えることを特
徴とする。
【0019】請求項10の発明は、請求項8の発明にお
いて、前記配線基台は、前記多層積層したセラミック板
の側面で形成されるパッケージの内壁に当接することに
よって位置決めされることを特徴とする。
【0020】請求項11の発明は、請求項10の発明に
おいて、前記パッケージの内壁を形成したセラミック板
のうち、一部の層のセラミック板の側面のみを前記パッ
ケージの内側に突出させ、前記配線基台は、前記突出し
たセラミック板の側面に当接することによって位置決め
されることを特徴とする。
【0021】請求項12の発明は、請求項11の発明に
おいて、前記パッケージの内壁を形成したセラミック板
のうち、前記配線基台を載置したセラミック板との間に
少なくとも1つのセラミック板を挟んだセラミック板の
側面のみを前記パッケージの内側に突出させ、前記配線
基台は、前記突出したセラミック板の側面に当接するこ
とによって位置決めされることを特徴とする。
【0022】請求項13の発明は、請求項1の発明にお
いて、前記パッケージは第1のプリント基板に実装さ
れ、前記配線基台は前記パッケージの内面に垂直に立設
した第2のプリント基板からなり、前記第2のプリント
基板の端面には端面スルーホールを設け、前記第2のプ
リント基板の配線パターンと前記処理回路とは前記端面
スルーホールを介して接続することを特徴とする。
【0023】請求項14の発明は、請求項13の発明に
おいて、前記第2のプリント基板の端面に設けた端面ス
ルーホールと前記処理回路とはAgペーストによって接
続されることを特徴とする。
【0024】請求項15の発明は、請求項13の発明に
おいて、前記第2のプリント基板の端面に設けた端面ス
ルーホールと前記処理回路とはワイヤボンドによって接
続されることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【0026】(実施形態1)本実施形態の加速度センサ
は、図1〜3に示す前面図、側面図、端面図、及び図4
に示す図1のA−A断面矢視図のように、プリント基板
10の基板面に対して平行である感度軸Xの方向に印加
された加速度を電気信号に変換するセンサチップ1と、
センサチップ1の電気信号を処理する処理回路であるI
Cチップ3と、センサチップ1を支持固定し、センサチ
ップ1及びICチップ3と接続する配線パターン(導体
パターン)8を有する樹脂材料(MID)で形成された
配線基台2と、函体形状を有してセンサチップ1を支持
固定した配線基台2及びICチップ3を収納し、センサ
チップ1及びICチップ3と外部との間で信号の授受を
行うための端子6を上端面及び下端面の後面側に設け
て、半田部11によって端子6をプリント基板10に固
定して実装されたパッケージ4と、パッケージ4の前面
に設けた開口に覆設するキャップ5と、センサチップ1
と配線基台2の配線パターン8及びパッケージ4に形成
したパッド20との間、及びICチップ3のパッド19
と配線基台2の配線パターン8及びパッケージ4に形成
したパッド20との間を接続するワイヤボンド9とから
構成される。
【0027】パッケージ4は、キャップ5に対向する内
面に垂直な内壁からなる位置決め面Sを有する段差を設
け、配線基台2は位置決め面Sに側面を当接して位置決
めしている。ICチップ3は、段差の上段部に配置され
ている。センサチップ1は従来例と同様に図15,16
に示すチップの主表面(ワイヤボンド面)と感度軸Xと
が垂直でない片持ち梁構造であり、撓み部22が撓む支
点Bと重り部23の重心Cとを結ぶ直線が基板面に対し
て平行(梁がプリント基板10の基板面に対して平行)
となるように配線基台2で支持固定されている。
【0028】ここで、図6に示すように、配線基台2
は、パッド12を形成したセンサチップ1のワイヤボン
ド面と平行且つ同一面上のワイヤボンド面13と、パッ
ド19を形成したICチップ3のワイヤボンド面及びパ
ッド20を形成したパッケージ4のワイヤボンド面と平
行且つ同一面上のワイヤボンド面14とを備え、ワイヤ
ボンド面13−ワイヤボンド面14間には配線パターン
8が形成されており、ワイヤボンド面13上の配線パタ
ーン8の各端部はセンサチップ1のパッド12とワイヤ
ボンド9によって接続され、ワイヤボンド面14上の配
線パターン8の各端部はICチップ3のパッド19及び
パッケージ4のパッド20とワイヤボンド9によって接
続される。したがって、センサチップ1のワイヤボンド
面とICチップ3及びパッケージ4のワイヤボンド面と
が互いに平行でない場合にでも、配線基台2の2面のワ
イヤボンド面13,14を介して、ワイヤボンドを行う
際の1stパッドと2ndパッドとを平行且つ互いの段
差を小さくすることによって、安定したワイヤボンドを
行うことができる。
【0029】したがって、センサチップ1のワイヤボン
ド面とICチップ3及びパッケージ4のワイヤボンド面
とは平行ではないが、配線基台2は、センサチップ1の
ワイヤボンド面と平行なワイヤボンド面13と、ICチ
ップ3及びパッケージ4のワイヤボンド面と平行なワイ
ヤボンド面14とを形成しているので、ワイヤボンド9
は互いに平行なワイヤボンド面間を接続することがで
き、ワイヤボンド部の信頼性を確保することができる。
なお、センサチップ1は従来例と同様に図15,16に
示すチップのワイヤボンド面と感度軸とが垂直でない片
持ち梁構造を有して、支持部21−撓み部22−重り部
23からなる片持ち梁がパッケージ4の後面に略平行と
なるように配置されている。
【0030】また、図14(a),(b)に示す従来例
でプリント基板10の基板面に対して感度軸Xを平行に
するためには、センサチップ1のワイヤボンド面に対し
て感度軸Xは垂直に近いので、パッケージ104の面積
の狭い下端面をプリント基板10の基板面に対向するよ
うに実装していた。しかし、本実施形態では、センサチ
ップ1はそのワイヤボンド面がICチップ3及びパッケ
ージ4の各ワイヤボンド面に対して平行にならなくても
よいため、センサチップ1のワイヤボンド面がパッケー
ジ4の後面に対して平行にならなくともよく(ICチッ
プ3及びパッケージ4の各ワイヤボンド面はパッケージ
4の後面に対して平行に形成されている)、したがって
図1のように、センサチップ1のワイヤボンド面がパッ
ケージ4の後面に対して垂直になるように配置して、パ
ッケージ4の面積の広い後面をプリント基板10の基板
面に対向するように実装することができて、センサチッ
プ1の実装傾きを小さくしてセンサの他軸感度を小さく
することができる。
【0031】さらに、パッケージ4は樹脂材料(MI
D)で形成されており、成形時の金型の精度によって高
精度の成形が可能であり、センサチップ104の実装傾
きをさらに小さくしてセンサの他軸感度を小さくするこ
とができる。
【0032】また、図5に示すように、パッケージ4の
上端面、下端面からプリント基板10の基板面に向かっ
て各々湾曲しながら上、下方向に延びるリード7を端子
6の代わりに設ければ、湾曲した曲げ部による応力緩和
機構が動作して、半田部11の信頼性を確保することが
できる。
【0033】なお、配線基台2はセラミックまたはガラ
スで形成してもよく、この場合は熱膨張係数がセンサチ
ップ1、ICチップ3の材料であるシリコンに近く熱応
力を低減することができて、信頼性を確保することがで
きる。
【0034】(実施形態2)本実施形態の加速度センサ
の部分斜視図を図7に、端面断面図を図8に示す。セン
サチップ1は従来例と同様に図15,16に示すチップ
の主表面(ワイヤボンド面)と感度軸とが垂直でない片
持ち梁構造であるが、梁がぶらさがるように、すなわち
撓み部22が撓む支点Bと重り部23の重心Cとを結ぶ
直線が重力方向となるように配線基台2で支持固定され
ている点、及びパッケージ4がセラミック板4a〜4f
を積層した多層セラミックパッケージからなる点が実施
形態1と異なり、他の構成は実施形態1と同様であり、
同様の構成には同一の符号を付して説明は省略する。
【0035】センサチップ1は、図16に示す撓み部2
2が撓む支点Bと重り部23の重心Cとを結ぶ直線が重
力方向となるように配線基台2に支持固定されており、
したがって、支点Bと重心Cとを結ぶ直線に対して支点
Bの応力分布が対称となり、センサの他軸感度が低減し
て信頼性を向上させることができる。
【0036】そして、パッケージ4は、セラミック板4
a〜4fの積層面をプリント基板10の基板面と平行に
した多層セラミックパッケージからなり、セラミック板
4fの積層面からなる面積の広い後面をプリント基板1
0の基板面に対向するように実装することができる。す
なわち、セラミック板の積層面の表裏の平行度と平面度
とは精度がよいので、センサチップ1の実装傾きを小さ
くしてセンサの他軸感度を小さくすることができる。ま
た、キャップ5に対向する内面に垂直な位置決め面Sを
有する段差を設け、配線基台2は位置決め面Sに側面を
当接して位置決めし、ICチップ3は、段差の上段部に
配置されている。
【0037】キャップ5はセラミックから形成され、セ
ラミックからなるパッケージ4との熱膨張係数が等しく
なるので、パッケージ4とキャップ5との封止部の信頼
性を確保することができる。なお、キャップ5はコバー
ルや42アロイ等の金属から形成してもよく、この場合
はセラミックからなるパッケージ4との熱膨張係数の差
が小さいので、パッケージ4とキャップ5との封止部の
信頼性を確保することができ、且つ耐ノイズシールド性
能を向上させることができる。
【0038】(実施形態3)本実施形態では、配線基台
2の位置決め方法が異なる3種類の加速度センサについ
て図9〜11を用いて各々説明する。図9〜11に示す
各端面断面図においては、センサチップ1は従来例と同
様に図15,16に示すチップの主表面(ワイヤボンド
面)と感度軸とが垂直でない片持ち梁構造であるが、撓
み部22が撓む支点Bと重り部23の重心Cとを結ぶ直
線が基板面に対して平行(梁がプリント基板10の基板
面に対して平行)となるように配線基台2で支持固定さ
れている点が実施形態2と異なり、他の構成は実施形態
2と同様であり、同様の構成には同一の符号を付して説
明は省略する。
【0039】図9においては、パッケージ4は、セラミ
ック板4a〜4fの積層面をプリント基板10の基板面
に対して平行にした多層セラミックパッケージからな
り、配線基台2は一方の側面にセンサチップ1を支持固
定して、セラミック板4f上に配置される。セラミック
板4c〜4dは一方の側面を同一平面上に揃えて位置決
め面Sを形成し、配線基台2は他方の側面を位置決め面
Sに当接することによって位置決めしている。このセラ
ミック板4a〜4fは金型を利用して形成しているた
め、その側面は寸法精度が高く、センサの他軸感度を低
減させることができる。
【0040】図10は、配線基台2が配置されているセ
ラミック板4fの直上のセラミック板4eの一方の側面
を、セラミック板4c,4dよりもパッケージ4の内側
に突出させたもので、セラミック板4eの一方の側面の
みで位置決め面Sを形成して、配線基台2は他方の側面
を位置決め面Sに当接することによって位置決めしてい
る。このように、位置決め面Sを形成するためのセラミ
ック板の数を減らすことによって、積層ずれによる位置
決めずれを低減することができる。
【0041】図11は、配線基台2が配置されているセ
ラミック板4fとの間にセラミック板4d,4eを挟ん
だセラミック板4cの一方の側面を、セラミック板4
e,4dよりもパッケージ4の内側に突出させたもの
で、セラミック板4fの一方の側面のみで位置決め面S
を形成して、配線基台2は他方の側面を位置決め面Sに
当接することによって位置決めしている。ここで配線基
台2はセラミック板4f上に接着剤15によって固定さ
れており、配線基台2とセラミック板4e,4dとの間
に生じた空間にはみでた接着剤15を逃がすことがで
き、したがって接着剤15の這い上がりによる応力発生
から生じる特性劣化を低減することができる。
【0042】(実施形態4)本実施形態の加速度センサ
は前面図を図12,13に示すように、プリント基板2
aを配線基台として用いた点が実施形態1と異なり、他
の構成は実施形態1と同様であり、同様の構成には同一
の符号を付して説明は省略する。
【0043】図12においては、センサチップ1を支持
固定するプリント基板2aは、セラミックで形成された
パッケージ4の内部後面上に立設され、一方の基板面に
センサチップ1を実装しており、基板端面には端面スル
ーホール16が形成されて、センサチップ1はワイヤボ
ンド9と端面スルーホール16を介し、Agペースト1
7によってパッケージ4の内部に形成した導体パターン
18と接続する。そして、その導体パターン18の端部
はワイヤボンド9によってICチップ3と接続される。
【0044】または、図13に示すように、センサチッ
プ1は端面スルーホール16を介し、ワイヤボンド9a
によってパッケージ4の内部に形成した導体パターン1
8と接続してもよい。
【0045】端面スルーホール16は1方向からのメタ
ライズ(めっき)を行うことで製造できるので、製造コ
ストを安価にすることができる。
【0046】なお実施形態1〜4において、センサチッ
プ1は片持ち梁構造としているが、両持ち梁構造のもの
を用いてもよく、その場合、感度軸Xはセンサチップ1
の主表面に対して垂直方向となり、図16における角度
θは0°となる。他は実施形態1〜4と同様の各効果を
得ることができる。
【0047】
【発明の効果】請求項1の発明は、感度軸の方向に印加
された加速度を電気信号に変換するセンサチップと、前
記センサチップの電気信号を処理する処理回路と、前記
センサチップを支持固定し、前記センサチップ及び処理
回路と接続する配線パターンを有する配線基台と、函体
形状を有して前記センサチップを支持固定した配線基台
及び前記処理回路を収納し、函体の最も広い外面がプリ
ント基板の基板面と対向して前記プリント基板に実装さ
れたパッケージとを備えて、前記感度軸は前記プリント
基板の基板面に対して平行であるので、パッケージの最
も広い外面がプリント基板の基板面と対向してプリント
基板に実装されることによってセンサチップの実装傾き
を小さくして、センサの他軸感度を小さくすることがで
きて、且つセンサチップ及び処理回路と接続する配線パ
ターンを有する配線基台の形状をワイヤボンドが容易と
なる形状に自在に形成することによってワイヤボンド部
の信頼性を確保することできるという効果がある。
【0048】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記パッケージは、前記プリント基板と接続して信
号授受を行うリードを備えるので、リードの曲げ部によ
る応力緩和機構が働き、半田部の信頼性を確保すること
ができるという効果がある。
【0049】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台は、樹脂材料で形成されるので、配線
基台を成形する時の金型の精度によって高精度の成形が
可能であり、センサチップの実装傾きをさらに小さくし
てセンサの他軸感度を小さくすることができるという効
果がある。
【0050】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台は、前記センサチップの熱膨張率との
差が小さい熱膨張率を有する材料で形成されるので、熱
応力が小さくなり、信頼性を確保することができるとい
う効果がある。
【0051】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、前記センサチップは加速度を電気信号に変換するセ
ンシング素子を具備し、前記センシング素子を実装した
主表面に対して前記感度軸が垂直方向にあるので、両持
ち梁構成のセンサチップを用いることができるという効
果がある。
【0052】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、前記配線基台の配線パターンは、前記センサチップ
及び処理回路とワイヤボンドによって接続され、前記配
線基台は、ワイヤボンドを接続するワイヤボンド面を2
面以上設けて、前記センサチップのワイヤボンド面との
間の段差が小さく且つ互いに平行であるワイヤボンド面
と、前記処理回路のワイヤボンド面との間の段差が小さ
く且つ互いに平行であるワイヤボンド面とを有するの
で、配線基台を介することによって全てのワイヤボンド
箇所で平行で段差の小さいワイヤボンドを行うことがで
き、ワイヤボンドの1stパッドと2ndパッドとを平
行、且つ互いの段差を小さくできるため安定したワイヤ
ボンドを行うことができるという効果がある。
【0053】請求項7の発明は、請求項1の発明におい
て、前記センサチップは、半導体基板からなる第1の基
板と、第1の基板に形成された重り部と、第1の基板の
主表面側に形成され一端が重り部に一体連結された撓み
部と、第1の基板に形成され撓み部の他端が一体連結さ
れ撓み部を介して重り部を揺動自在に支持する支持部
と、撓み部に形成され撓み部の変形を検出して加速度と
して電気信号に変換するセンシング素子と、第1の基板
の裏面側に接合された第2の基板とを有する片持ち梁構
造であり、前記重り部の重心と前記撓み部が撓む支点と
を結ぶ直線は重力方向であるので、片持ち梁方式のセン
サチップを用いた際に、重り部の重心と撓み部の支点と
を結ぶ直線に対して撓み部,支持部の応力分布が左右対
称となり、センサの他軸感度が低減し、信頼性を向上さ
せることができるという効果がある。
【0054】請求項8の発明は、請求項1の発明におい
て、前記パッケージは、積層面を前記プリント基板の基
板面に対して平行に多層積層したセラミック板で形成さ
れるので、プリント基板の基板面と対向するパッケージ
の面はセラミック板の積層面であり、セラミック板の積
層面の表裏の平行度と平面度とは精度がよく、センサチ
ップの実装傾きを小さくしてセンサの他軸感度を小さく
することができるという効果がある。
【0055】請求項9の発明は、請求項8の発明におい
て、前記パッケージは、1つの面に開口を設け、前記開
口に覆設する金属で形成したキャップを備えるので、セ
ラミックからなるパッケージとの熱膨張係数の差が小さ
いので、パッケージとキャップとの封止部の信頼性を確
保することができ、且つ耐ノイズシールド性能を向上さ
せることができるという効果がある。
【0056】請求項10の発明は、請求項8の発明にお
いて、前記配線基台は、前記多層積層したセラミック板
の側面で形成されるパッケージの内壁に当接することに
よって位置決めされるので、セラミック板の寸法精度の
よい面に配線基台を当設させてセンサの他軸感度を小さ
くすることができるという効果がある。
【0057】請求項11の発明は、請求項10の発明に
おいて、前記パッケージの内壁を形成したセラミック板
のうち、一部の層のセラミック板の側面のみを前記パッ
ケージの内側に突出させ、前記配線基台は、前記突出し
たセラミック板の側面に当接することによって位置決め
されるので、セラミック板の積層ずれによる位置決めず
れが低減できて、センサの他軸感度を小さくすることが
できるという効果がある。
【0058】請求項12の発明は、請求項11の発明に
おいて、前記パッケージの内壁を形成したセラミック板
のうち、前記配線基台を載置したセラミック板との間に
少なくとも1つのセラミック板を挟んだセラミック板の
側面のみを前記パッケージの内側に突出させ、前記配線
基台は、前記突出したセラミック板の側面に当接するこ
とによって位置決めされるので、セラミック板の積層ず
れによる位置決めずれが低減できて、センサの他軸感度
を小さくすることができ、且つ配線基台をセラミック板
上に接着剤によって固定した際に、配線基台とセラミッ
ク板との間に生じた空間にはみでた接着剤を逃がすこと
ができて、接着剤の這い上がりによる応力発生から生じ
る特性劣化を低減することができるという効果がある。
【0059】請求項13の発明は、請求項1の発明にお
いて、前記パッケージは第1のプリント基板に実装さ
れ、前記配線基台は前記パッケージの内面に垂直に立設
した第2のプリント基板からなり、前記第2のプリント
基板の端面には端面スルーホールを設け、前記第2のプ
リント基板の配線パターンと前記処理回路とは前記端面
スルーホールを介して接続するので、端面スルーホール
は1方向からのメタライズ(めっき)を行うことで製造
でき、製造コストを安価にすることができるという効果
がある。
【0060】請求項14の発明は、請求項13の発明に
おいて、前記第2のプリント基板の端面に設けた端面ス
ルーホールと前記処理回路とはAgペーストによって接
続されるので、容易に請求項13の発明を実現すること
ができるという効果がある。
【0061】請求項15の発明は、請求項13の発明に
おいて、前記第2のプリント基板の端面に設けた端面ス
ルーホールと前記処理回路とはワイヤボンドによって接
続されるので、容易に請求項13の発明を実現すること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1を示す前面図である。
【図2】本発明の実施形態1を示す第1の側面図であ
る。
【図3】本発明の実施形態1を示す端面図である。
【図4】本発明の実施形態1を示す断面矢視図である。
【図5】本発明の実施形態1を示す第2の側面図であ
る。
【図6】本発明の実施形態1を示す配線基台及びセンサ
チップの外観図である。
【図7】本発明の実施形態2を示す部分斜視図である。
【図8】本発明の実施形態2を示す端面断面図である。
【図9】本発明の実施形態3を示す第1の端面断面図で
ある。
【図10】本発明の実施形態3を示す第2の端面断面図
である。
【図11】本発明の実施形態3を示す第3の端面断面図
である。
【図12】本発明の実施形態4を示す第1の前面図であ
る。
【図13】本発明の実施形態4を示す第2の前面図であ
る。
【図14】(a)従来例を示す側面断面図である。 (b)従来例を示す前面図である。
【図15】(a)従来例の片持ち梁構造のセンサチップ
を示す前面図である。 (b)従来例の片持ち梁構造のセンサチップを示す側面
断面図である。
【図16】片持ち梁構造のセンサチップの主表面と感度
軸との関係を示す側面断面図である。
【符号の説明】
1 センサチップ 2 配線基台 3 ICチップ 4 パッケージ 8 導体パターン 9 ワイヤボンド 10 プリント基板 X 感度軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野原 一也 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感度軸の方向に印加された加速度を電気
    信号に変換するセンサチップと、前記センサチップの電
    気信号を処理する処理回路と、前記センサチップを支持
    固定し、前記センサチップ及び処理回路と接続する配線
    パターンを有する配線基台と、函体形状を有して前記セ
    ンサチップを支持固定した配線基台及び前記処理回路を
    収納し、函体の最も広い外面がプリント基板の基板面と
    対向して前記プリント基板に実装されたパッケージとを
    備えて、前記感度軸は前記プリント基板の基板面に対し
    て平行であることを特徴とする加速度センサ。
  2. 【請求項2】 前記パッケージは、前記プリント基板と
    接続して信号授受を行うリードを備えることを特徴とす
    る請求項1記載の加速度センサ。
  3. 【請求項3】 前記配線基台は、樹脂材料で形成される
    ことを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
  4. 【請求項4】 前記配線基台は、前記センサチップの熱
    膨張率との差が小さい熱膨張率を有する材料で形成され
    ることを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
  5. 【請求項5】 前記センサチップは加速度を電気信号に
    変換するセンシング素子を具備し、前記センシング素子
    を実装した主表面に対して前記感度軸が垂直方向にある
    ことを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
  6. 【請求項6】 前記配線基台の配線パターンは、前記セ
    ンサチップ及び処理回路とワイヤボンドによって接続さ
    れ、前記配線基台は、ワイヤボンドを接続するワイヤボ
    ンド面を2面以上設けて、前記センサチップのワイヤボ
    ンド面との間の段差が小さく且つ互いに平行であるワイ
    ヤボンド面と、前記処理回路のワイヤボンド面との間の
    段差が小さく且つ互いに平行であるワイヤボンド面とを
    有することを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
  7. 【請求項7】 前記センサチップは、半導体基板からな
    る第1の基板と、第1の基板に形成された重り部と、第
    1の基板の主表面側に形成され一端が重り部に一体連結
    された撓み部と、第1の基板に形成され撓み部の他端が
    一体連結され撓み部を介して重り部を揺動自在に支持す
    る支持部と、撓み部に形成され撓み部の変形を検出して
    加速度として電気信号に変換するセンシング素子と、第
    1の基板の裏面側に接合された第2の基板とを有する片
    持ち梁構造であり、前記重り部の重心と前記撓み部が撓
    む支点とを結ぶ直線は重力方向であることを特徴とする
    請求項1記載の加速度センサ。
  8. 【請求項8】 前記パッケージは、積層面を前記プリン
    ト基板の基板面に対して平行に多層積層したセラミック
    板で形成されることを特徴とする請求項1記載の加速度
    センサ。
  9. 【請求項9】 前記パッケージは、1つの面に開口を設
    け、前記開口に覆設する金属で形成したキャップを備え
    ることを特徴とする請求項8記載の加速度センサ。
  10. 【請求項10】 前記配線基台は、前記多層積層したセ
    ラミック板の側面で形成されるパッケージの内壁に当接
    することによって位置決めされることを特徴とする請求
    項8記載の加速度センサ。
  11. 【請求項11】 前記パッケージの内壁を形成したセラ
    ミック板のうち、一部の層のセラミック板の側面のみを
    前記パッケージの内側に突出させ、前記配線基台は、前
    記突出したセラミック板の側面に当接することによって
    位置決めされることを特徴とする請求項10記載の加速
    度センサ。
  12. 【請求項12】 前記パッケージの内壁を形成したセラ
    ミック板のうち、前記配線基台を載置したセラミック板
    との間に少なくとも1つのセラミック板を挟んだセラミ
    ック板の側面のみを前記パッケージの内側に突出させ、
    前記配線基台は、前記突出したセラミック板の側面に当
    接することによって位置決めされることを特徴とする請
    求項11記載の加速度センサ。
  13. 【請求項13】 前記パッケージは第1のプリント基板
    に実装され、前記配線基台は前記パッケージの内面に垂
    直に立設した第2のプリント基板からなり、前記第2の
    プリント基板の端面には端面スルーホールを設け、前記
    第2のプリント基板の配線パターンと前記処理回路とは
    前記端面スルーホールを介して接続することを特徴とす
    る請求項1記載の加速度センサ。
  14. 【請求項14】 前記第2のプリント基板の端面に設け
    た端面スルーホールと前記処理回路とはAgペーストに
    よって接続されることを特徴とする請求項13記載の加
    速度センサ。
  15. 【請求項15】 前記第2のプリント基板の端面に設け
    た端面スルーホールと前記処理回路とはワイヤボンドに
    よって接続されることを特徴とする請求項13記載の加
    速度センサ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010190849A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体物理量センサ
JP2013007651A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Murata Mfg Co Ltd センサ装置およびその製造方法
JP2020030212A (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 アトランティック・イナーシャル・システムズ・リミテッドAtlantic Inertial Systems Limited センサパッケージ、およびセンサパッケージの製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253079B2 (en) * 2002-05-09 2007-08-07 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Coplanar mounting member for a MEM sensor
JP2004264053A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 加速度センサ及び傾斜検出方法
JP4595862B2 (ja) * 2006-03-28 2010-12-08 パナソニック電工株式会社 静電容量式センサ
DE102006015676A1 (de) * 2006-04-04 2007-06-14 Siemens Ag Elektronisches Bauteil und elektronisches Steuergerät, insbesondere zur Verwendung in Kraftfahrzeugen
DE102007005630B4 (de) * 2007-02-05 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Sensorchip-Modul und Verfahren zur Herstellung eines Sensorchip-Moduls
US8850889B2 (en) * 2008-11-25 2014-10-07 Panasonic Corporation Acceleration sensor
WO2012035886A1 (ja) 2010-09-16 2012-03-22 パイオニア株式会社 端末保持装置
DE102010042987A1 (de) * 2010-10-27 2012-05-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Schaltung und elektrische Schaltung
JP5912510B2 (ja) * 2011-01-17 2016-04-27 日本電波工業株式会社 外力検出方法及び外力検出装置
TWI484149B (zh) 2011-01-17 2015-05-11 Nihon Dempa Kogyo Co 外力檢測裝置及外力檢測感測器
JP2013007653A (ja) 2011-06-24 2013-01-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー
WO2013026923A1 (de) * 2011-08-24 2013-02-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor mit einem einzigen elektrischen trägermittel
JP2014052263A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5503016A (en) 1994-02-01 1996-04-02 Ic Sensors, Inc. Vertically mounted accelerometer chip
US5554806A (en) 1994-06-15 1996-09-10 Nippondenso Co., Ltd. Physical-quantity detecting device
US6060780A (en) * 1996-02-23 2000-05-09 Denson Corporation Surface mount type unit and transducer assembly using same
JP3381515B2 (ja) 1996-04-26 2003-03-04 松下電工株式会社 加速度センサ
JPH1073615A (ja) 1996-08-30 1998-03-17 Matsushita Electric Works Ltd 加速度センサ
JP3147786B2 (ja) * 1996-09-02 2001-03-19 株式会社村田製作所 加速度センサ
DE19637079C2 (de) * 1996-09-12 2000-05-25 Telefunken Microelectron Anordnung zur Beschleunigungsmessung
US6115261A (en) * 1999-06-14 2000-09-05 Honeywell Inc. Wedge mount for integrated circuit sensors

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010190849A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体物理量センサ
JP2013007651A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Murata Mfg Co Ltd センサ装置およびその製造方法
JP2020030212A (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 アトランティック・イナーシャル・システムズ・リミテッドAtlantic Inertial Systems Limited センサパッケージ、およびセンサパッケージの製造方法

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