JP2006170962A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体加速度センサは、半導体加速度センサチップと、半導体加速度センサチップを収容するケースとを備えている。半導体加速度センサチップは、固定部と、固定部の下面高さと略同一の下面高さを有しかつ固定部と所定の間隙を有して固定部の周囲を囲む枠状の錘部と、固定部と錘部とを接続しかつ固定部及び錘部の膜厚よりも薄い梁部と、を有している。ケースは、底面部に半導体加速度センサチップの固定部が固着された突起部を有している。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ100の構成図である。図1(a)は上方からの平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’における断面図である。なお、図1(a)では、説明の便宜上、上面の蓋を外した状態を示している。
本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ100によれば、半導体加速度センサチップ10の錘部12を周辺部に配置して錘部12の体積を大きく設定することにより、半導体加速度センサチップ10を薄膜化しても十分な慣性モーメントが作用するようになる。これにより、半導体加速度センサチップ10を薄型化、延いては半導体加速度センサ100の構造全体を薄型化することが可能となる。また、十分な慣性モーメントが作用するため、所定の機械的強度が確保される膜厚を以て梁部13を形成した場合でも、加速度センサの十分な感度を確保することができる。そして、梁部13の機械的強度を確保することにより、加速度センサの耐衝撃性を向上させ、製造工程における破損を防止して製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、梁部13を固定部11及び錘部12の対角方向に配置することにより、梁部13の長さを長く設定できるため、加速度センサの感度をさらに向上させることができる。また、間隙部14の間隔を広く形成することにより、製造工程における異物の噛み込みに起因する動作不良の発生を回避することができる。さらに、ケース50の底面部51に突起部51aを形成し、その上面に半導体加速度センサチップ10を支持固定する構造とすることにより、半導体加速度センサチップ10の固定部11の下面と、錘部12の下面とを略同一の高さで形成することができるため、半導体加速度センサチップ10の製造工程を簡略化することができる。
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサ200の構成図である。図2(a)は上方からの平面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A’における断面図である。なお、図2(a)では、説明の便宜上、上面の蓋を外した状態を示している。
本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサ200によれば、第1実施形態に係る半導体加速度センサ100と同様の効果を奏することができる。すなわち、半導体加速度センサチップ20の錘部22を周辺部に配置して錘部22の体積を大きく設定することにより、半導体加速度センサチップ20を薄膜化しても十分な慣性モーメントが作用するようになる。これにより、半導体加速度センサチップ20を薄型化、延いては半導体加速度センサ200の構造全体を薄型化することが可能となる。また、十分な慣性モーメントが作用するため、所定の機械的強度が確保される膜厚を以て梁部23を形成した場合でも、加速度センサの十分な感度を確保することができる。そして、梁部23の機械的強度が確保されることにより、加速度センサの耐衝撃性が向上し、製造工程における破損を防止して製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、梁部23を錘部22の対角方向に配置することにより、梁部23の長さを長く設定できるため、加速度センサの感度をさらに向上させることができる。また、間隙部24の間隔を広く形成することにより、製造工程における異物の噛み込みに起因する動作不良の発生を回避することができる。また、ケース60の底面部61に突起部61aを形成し、その上面に半導体加速度センサチップ20を支持固定する構造とすることにより、半導体加速度センサチップ20の固定部21の下面と、錘部22の下面とを略同一の高さで形成することができるため、半導体加速度センサチップ20の製造工程を簡略化することができる。さらに第2実施形態では、上記の効果に加えて、半導体加速度センサチップ20の固定部21を円柱構造とすることにより、固定部21と突起部61aとの接合面積を大きくすることができるため、その接合強度を向上させることができる。これにより、加速度センサの耐衝撃性をさらに向上させることができる。
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体加速度センサ300の構成図である。図3(a)は上方からの平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A’における断面図である。なお、図3(a)では、説明の便宜上、上面の蓋を外した状態を示している。半導体加速度センサ300は、制御用集積回路30上に積層された半導体加速度センサチップ10もしくは半導体加速度センサチップ20が、制御用集積回路30と共にケース70に収容され、蓋75で気密封止された構造となっている。
本発明の第3実施形態に係る半導体加速度センサ300によれば、半導体加速度センサチップ10(20)の錘部12(22)を周辺部に配置して錘部12(22)の体積を大きく設定することにより、半導体加速度センサチップ10(20)を薄膜化しても十分な慣性モーメントが作用するようになる。これにより、半導体加速度センサチップ10(20)を薄型化することが可能となる。また、十分な慣性モーメントが作用するため、所定の機械的強度が確保される膜厚を以て梁部13(23)を形成した場合でも、加速度センサの十分な感度を確保することができる。そして、梁部13(23)の機械的強度を確保することにより、加速度センサの耐衝撃性を向上させ、製造工程における破損を防止して製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、梁部13(23)を錘部12(22)の対角方向に配置することにより、梁部13(23)の長さを長く設定できるため、加速度センサの感度をさらに向上させることができる。また、間隙部14(24)の間隔を広く形成することにより、製造工程における異物の噛み込みに起因する動作不良の発生を回避することができる。また、ケース70の底面部71の表面に制御用集積回路30を形成し、その上面に半導体加速度センサチップ10(20)を支持固定する構造とすることにより、半導体加速度センサチップ10(20)の固定部11(21)の下面と、錘部12(22)の下面とを略同一の高さで形成することができるため、半導体加速度センサチップ10(20)の製造工程を簡略化することができる。また、制御用集積回路30と半導体加速度センサチップ10(20)を積層することで、制御用集積回路30を内蔵した上で半導体加速度センサ300の外形サイズを小さくすることができる。さらに、半導体加速度センサチップ10(20)の電極パッド15(25)と制御用集積回路30の電極パッド31とを、間隙部14(24)の中を通したボンディングワイヤー32で接続することにより、ボンディングワイヤー32の長さを短くすることができるため、耐ノイズ性が向上する。
図4は、本発明の第4実施形態に係る半導体加速度センサ400の構成図である。図4(a)は上方からの平面図であり、図4(b)は図4(a)のA−A’における断面図である。なお、図4(a)では、説明の便宜上、上面の蓋を外した状態を示している。
本発明の第4実施形態に係る半導体加速度センサ400によれば、半導体加速度センサチップ10(20)の錘部12(22)を周辺部に配置して錘部12(22)の体積を大きく設定することにより、半導体加速度センサチップ10(20)を薄膜化しても十分な慣性モーメントが作用するようになる。これにより、半導体加速度センサチップ10(20)を薄型化することが可能となる。また、十分な慣性モーメントが作用するため、所定の機械的強度が確保される膜厚を以て梁部13(23)を形成した場合でも、加速度センサの十分な感度を確保することができる。そして、梁部13(23)の機械的強度を確保することにより、加速度センサの耐衝撃性を向上させ、製造工程における破損を防止して製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、梁部13(23)を錘部12(22)の対角方向に配置することにより、梁部13(23)の長さを長く設定できるため、加速度センサの感度をさらに向上させることができる。また、間隙部14(24)の間隔を広く形成することにより、製造工程における異物の噛み込みに起因する動作不良の発生を回避することができる。また、ケース80の底面部81の表面に突起部81aを形成し、その上面に半導体加速度センサチップ10(20)を支持固定する構造とすることにより、半導体加速度センサチップ10(20)の固定部11(21)の下面と、錘部12(22)の下面とを略同一の高さで形成することができるため、半導体加速度センサチップ10(20)の製造工程を簡略化することができる。さらに、制御用集積回路40と半導体加速度センサチップ10(20)を横並びに配置することで、制御用集積回路40を内蔵した上で半導体加速度センサ400の構造全体を薄型化することができる。
11、21・・・固定部
12、22・・・錘部
13、23・・・梁部
14、24・・・間隙部
15、25、31、41・・・電極パッド
16、26・・ピエゾ抵抗素子
30、40・・・制御用集積回路
50、60、70、80・・・ケース
51、61、71、81・・・底面部
51a、61a、81a・・・突起部
52、62、72、82・・・側面部
53、63、73、83・・・外部配線用電極
32、42、54、64、74、84・・・ボンディングワイヤー
55、65、75、85・・・蓋
100、200、300、400・・・半導体加速度センサ
Claims (39)
- 固定部と、前記固定部の下面高さと略同一の下面高さを有しかつ前記固定部と所定の間隙を有して前記固定部の周囲を囲む枠状の錘部と、前記固定部と前記錘部とを接続しかつ前記固定部及び前記錘部の膜厚よりも薄い梁部と、を有する半導体加速度センサチップと、
底面部に前記固定部が固着された突起部を有しかつ前記半導体加速度センサチップを収容するケースと、
を備えることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記梁部は、前記錘部の対角点同士を結ぶ仮想直線に一致する方向で前記固定部と前記錘部とを接続することを特徴とする、請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、表面に所定の間隔を有して複数の第1電極が配置されることを特徴とする、請求項2に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースは、前記半導体加速度センサの外部へ導かれる外部配線用電極を有する側面部を備え、前記第1電極と前記外部配線用電極とはワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ワイヤーボンディングは、金線を材料として超音波併用熱圧着法を用いて接続されることを特徴とする、請求項4に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略正方形の四角柱構造をしていることを特徴とする、請求項4に記載の半導体加速度センサ。
- 前記突起部は、上方から見た外形形状が略正方形であることを特徴とする、請求項6に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースを作製する際に前記底面部となるグリーンシート上に略正方形のグリーンシートを貼り付けて焼成して形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースの前記底面部の表面に略正方形の樹脂フィルムを貼り付けて形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略円形の円柱構造をしていることを特徴とする、請求項4に記載の半導体加速度センサ。
- 前記突起部は、上方から見た外形形状が略円形であることを特徴とする、請求項10に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースを作製する際に前記底面部となるグリーンシート上に略円形のグリーンシートを貼り付けて焼成して形成することを特徴とする、請求項11に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースの前記底面部の表面に略円形の樹脂フィルムを貼り付けて形成することを特徴とする、請求項11に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースの前記底面部の表面に、前記半導体加速度センサチップと横並びに配置される制御用集積回路をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 前記梁部は、前記錘部の対角点同士を結ぶ仮想直線に一致する方向で前記固定部と前記錘部とを接続することを特徴とする、請求項14に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、表面に所定の間隔を有して複数の第1電極が配置されることを特徴とする、請求項15に記載の半導体加速度センサ。
- 前記制御用集積回路は、表面に所定の間隔を有して複数の第2電極が配置されることを特徴とする、請求項16に記載の半導体加速度センサ。
- 前記第1電極と前記第2電極とは、ワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする、請求項17に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ワイヤーボンディングは、金線を材料として超音波併用熱圧着法を用いて接続されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースは、前記半導体加速度センサの外部へ導かれる外部配線用電極を有する側面部を備え、前記第1電極と前記外部配線用電極、及び前記第2電極と前記外部配線用電極とはワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ワイヤーボンディングは、金線を材料として超音波併用熱圧着法を用いて接続されることを特徴とする、請求項20に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略正方形の四角柱構造をしていることを特徴とする、請求項20に記載の半導体加速度センサ。
- 前記突起部は、上方から見た外形形状が略正方形であることを特徴とする、請求項22に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースを作製する際に前記底面部となるグリーンシート上に略正方形のグリーンシートを貼り付けて焼成して形成することを特徴とする、請求項23に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースの前記底面部の表面に略正方形の樹脂フィルムを貼り付けて形成することを特徴とする、請求項23に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略円形の円柱構造をしていることを特徴とする、請求項20に記載の半導体加速度センサ。
- 前記突起部は、上方から見た外形形状が略円形であることを特徴とする、請求項26に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースを作製する際に前記底面部となるグリーンシート上に略円形のグリーンシートを貼り付けて焼成して形成することを特徴とする、請求項27に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースはセラミックを材料とし、前記突起部の形成は、前記ケースの前記底面部に略円形の樹脂フィルムを貼り付けて形成することを特徴とする、請求項27に記載の半導体加速度センサ。
- 固定部と、前記固定部の下面高さと略同一の下面高さを有しかつ前記固定部と所定の間隙を有して前記固定部の周囲を囲む枠状の錘部と、前記固定部と前記錘部とを接続しかつ前記固定部及び前記錘部の膜厚よりも薄い梁部と、を有する半導体加速度センサチップと、
前記半導体加速度センサチップの下面に積層される制御用集積回路と、
底面部に前記制御用集積回路が固着されかつ前記半導体加速度センサチップ及び前記制御用集積回路を収容するケースと、
を備えることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記梁部は、前記錘部の対角点同士を結ぶ仮想直線に一致する方向で前記固定部と前記錘部とを接続することを特徴とする、請求項30に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、表面に所定の間隔を有して複数の第1電極が配置されることを特徴とする、請求項31に記載の半導体加速度センサ。
- 前記制御用集積回路は、表面に所定の間隔を有して複数の第2電極が配置されることを特徴とする、請求項32に記載の半導体加速度センサ。
- 前記第1電極と前記第2電極とは、前記固定部と前記錘部との間隙を利用してワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする、請求項33に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ワイヤーボンディングは、金線を材料として超音波併用熱圧着法を用いて接続されることを特徴とする、請求項34に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ケースは、前記半導体加速度センサの外部へ導かれる外部配線用電極を有する側面部を備え、前記第1電極と前記外部配線用電極とはワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする、請求項34に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ワイヤーボンディングは、金線を材料として超音波併用熱圧着法を用いて接続されることを特徴とする、請求項36に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略正方形の四角柱構造をしていることを特徴とする、請求項36に記載の半導体加速度センサ。
- 前記固定部は、上方から見た外形形状が略円形の円柱構造をしていることを特徴とする、請求項36に記載の半導体加速度センサ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008039646A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ用チップ |
JP2008244317A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP5503796B1 (ja) * | 2013-10-04 | 2014-05-28 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 角速度検出装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006119042A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 |
JP4955334B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-06-20 | ローム株式会社 | 加速度センサ |
US8952832B2 (en) | 2008-01-18 | 2015-02-10 | Invensense, Inc. | Interfacing application programs and motion sensors of a device |
US8462109B2 (en) | 2007-01-05 | 2013-06-11 | Invensense, Inc. | Controlling and accessing content using motion processing on mobile devices |
US8250921B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-08-28 | Invensense, Inc. | Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics |
US7934423B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-05-03 | Invensense, Inc. | Vertically integrated 3-axis MEMS angular accelerometer with integrated electronics |
US20090282917A1 (en) * | 2008-05-19 | 2009-11-19 | Cenk Acar | Integrated multi-axis micromachined inertial sensing unit and method of fabrication |
US8191420B2 (en) * | 2009-08-13 | 2012-06-05 | Meggitt (San Juan Capistrano), Inc. | Proof mass for maximized, bi-directional and symmetric damping in high g-range acceleration sensors |
DE102011076393A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Drehbeschleunigungssensor und Verfahren zur Messung einer Drehbeschleunigung |
KR20120131789A (ko) * | 2011-05-26 | 2012-12-05 | 삼성전기주식회사 | 관성센서 |
KR101367016B1 (ko) * | 2011-06-08 | 2014-02-25 | 삼성전기주식회사 | 관성센서 |
KR101354757B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2014-01-22 | 삼성전기주식회사 | 관성센서 |
US20130146604A1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-06-13 | Delphi Technologies, Inc. | Fuel level sensor and fuel tank assembly |
FR3012124B1 (fr) * | 2013-10-22 | 2017-12-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection electromecanique, pour la detection gravimetrique, et procede de fabrication du dispositif |
CN106324282A (zh) * | 2016-08-16 | 2017-01-11 | 中国科学院声学研究所 | 一种加速度计系统,加速度计探头及其制备方法 |
JP2021071395A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサー、電子機器及び移動体 |
US11609091B2 (en) * | 2020-11-16 | 2023-03-21 | Knowles Electronics, Llc | Microelectromechanical systems device including a proof mass and movable plate |
JP2023042084A (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサーモジュール |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5081867A (en) * | 1988-09-30 | 1992-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor sensor |
JPH05288769A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-02 | Fujikura Ltd | 多次元半導体加速度センサ |
JPH08186143A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Fujikura Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08228016A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Tokai Rika Co Ltd | 表面型の加速度センサ及びその製造方法 |
JPH09184851A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2663710B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1997-10-15 | 富士電機株式会社 | 半導体式加速度センサ及びその製造方法 |
WO2000079288A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Accelerometre |
WO2003001217A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor and method of manufacture thereof |
WO2004010150A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Analog Devices, Inc. | Reducing offset in accelerometers |
JP2004294071A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Denso Corp | 容量型半導体センサ装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3814950A1 (de) * | 1988-05-03 | 1989-11-16 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungsaufnehmer |
JPH087228B2 (ja) | 1990-03-27 | 1996-01-29 | 株式会社ワコー | 加速度検出装置 |
US5233874A (en) * | 1991-08-19 | 1993-08-10 | General Motors Corporation | Active microaccelerometer |
EP0547742B1 (en) * | 1991-12-19 | 1995-12-13 | Motorola, Inc. | Triaxial accelerometer |
JPH08233848A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体センサ |
JPH0961448A (ja) | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Miyota Kk | 加速度センサの部品配置構造 |
JPH09199549A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH10123166A (ja) | 1996-08-09 | 1998-05-15 | Denso Corp | 半導体加速度センサ |
JP4238724B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4277079B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-06-10 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 |
JP2006170856A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Fujitsu Media Device Kk | 加速度センサ |
-
2004
- 2004-12-20 JP JP2004367933A patent/JP4754817B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
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-
2009
- 2009-12-29 US US12/654,675 patent/US8042392B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5081867A (en) * | 1988-09-30 | 1992-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor sensor |
JP2663710B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1997-10-15 | 富士電機株式会社 | 半導体式加速度センサ及びその製造方法 |
JPH05288769A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-02 | Fujikura Ltd | 多次元半導体加速度センサ |
JPH08186143A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Fujikura Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08228016A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Tokai Rika Co Ltd | 表面型の加速度センサ及びその製造方法 |
JPH09184851A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
WO2000079288A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Accelerometre |
WO2003001217A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor and method of manufacture thereof |
WO2004010150A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Analog Devices, Inc. | Reducing offset in accelerometers |
JP2004294071A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Denso Corp | 容量型半導体センサ装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008039646A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ用チップ |
JP2008244317A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP5503796B1 (ja) * | 2013-10-04 | 2014-05-28 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 角速度検出装置 |
JP5509399B1 (ja) * | 2013-10-04 | 2014-06-04 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 慣性センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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