KR101354757B1 - 관성센서 - Google Patents

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KR101354757B1
KR101354757B1 KR20110121062A KR20110121062A KR101354757B1 KR 101354757 B1 KR101354757 B1 KR 101354757B1 KR 20110121062 A KR20110121062 A KR 20110121062A KR 20110121062 A KR20110121062 A KR 20110121062A KR 101354757 B1 KR101354757 B1 KR 101354757B1
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김종운
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 관성센서에 관한 것으로, 본 발명에 따른 관성센서(100)는 멤브레인(110), 멤브레인(110)에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극(120), 제1 전극(120)에 복수개로 패터닝되어 형성된 압전체(130) 및 압전체(130)를 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극(140)을 포함하는 구성이며, 일체로 형성된 제2 전극(140)으로 압전체(130)를 밀봉하여, 압전체(130)에 물이나 습기가 침투하는 것을 방지함으로써, 압전체(130)의 물성이 변하거나 압전체(130)가 박리되는 것을 막을 수 있는 장점이 있다.

Description

관성센서{Inertial Sensor}
본 발명은 관성센서에 관한 것이다.
최근, 관성센서는 인공위성, 미사일, 무인 항공기 등의 군수용으로부터 에어백(Air Bag), ESC(Electronic Stability Control), 차량용 블랙박스(Black Box) 등 차량용, 캠코더의 손떨림 방지용, 핸드폰이나 게임기의 모션 센싱용, 네비게이션용 등 다양한 용도로 사용되고 있다.
이러한 관성센서는 가속도와 각속도를 측정하기 위해서, 일반적으로 멤브레인(Membrane) 등의 탄성 기판에 질량체를 접착시킨 구성을 채용하고 있다. 상기 구성을 통해서, 관성센서는 질량체에 인가되는 관성력을 측정하여 가속도를 산출하거나, 질량체에 인가되는 코리올리힘을 측정하여 각속도를 산출할 수 있는 것이다.
구체적으로, 관성센서를 이용하여 가속도와 각속도를 측정하는 방식을 살펴보면 다음과 같다. 우선, 가속도는 뉴턴의 운동법칙 "F=ma" 식에 의해 구할 수 있으며, 여기서, "F"는 질량체에 작용하는 관성력, "m"은 질량체의 질량, "a"는 측정하고자 하는 가속도이다. 이중, 질량체에 작용하는 관성력(F)을 감지하여 일정값인 질량체의 질량(m)으로 나누면, 가속도(a)를 구할 수 있다. 또한, 각속도는 코리올리힘(Coriolis Force) "F=2mΩ×v" 식에 의해 구할 수 있으며, 여기서 "F"는 질량체에 작용하는 코리올리힘, "m"은 질량체의 질량, "Ω"는 측정하고자 하는 각속도, "v"는 질량체의 운동속도이다. 이중, 질량체의 운동속도(v)와 질량체의 질량(m)은 이미 인지하고 있는 값이므로, 질량체에 작용하는 코리올리힘(F)을 감지하면 각속도(Ω)를 구할 수 있다.
한편, 종래기술에 따른 관성센서는 한국공개특허공보 제10-2011-0072229호에 개시된 바와 같이, 다이아프램(diaphragm) 등의 가요성 멤브레인(Membrane)에 질량체를 접착시킨 구성이 구비되고, 질량체를 구동시키거나 질량체의 변위를 감지하기 위해서 멤브레인의 상부에는 압전체 및 상/하부전극이 구비된다. 하지만, 종래기술에 따른 관성센서는 압전체의 상부에 구비된 상부전극이 패터닝되므로, 압전체가 밀봉되지 않는다. 따라서, 압전체에 물이나 습기가 침투할 수 있고, 이와 같이 물이나 습기가 침투하면 압전체의 물성이 변하거나 압전체가 박리되는 발생하는 문제점이 있다. 게다가, 관성센서의 제조공정 중 습식(Wet) 공정이나 다이싱(Dicing) 공정에서 밀봉되지 않은 압전체가 손상될 가능성이 존재하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 일체로 형성된 제2 전극으로 압전체를 밀봉하여, 압전체에 물이나 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있는 관성센서를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 관성센서는 멤브레인과, 상기 멤브레인에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극에 일면이 결합되고 복수개로 패터닝되어 형성된 압전체와, 상기 압전체의 타면을 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극과, 패터닝되어 형성된 상기 압전체 중 외측에 구비된 상기 압전체의 외측면에 형성된 보조절연체를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 압전체와 상기 보조절연체를 커버하도록 상기 보조절연체에 결합되고, 상기 압전체는 상기 제1 전극, 제2 전극 및 보조절연체에 의해 둘러싸인다.
여기서, 패터닝되어 형성된 상기 압전체 중 인접한 상기 압전체 사이에 형성된 절연체를 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 압전체와 상기 절연체를 커버하도록 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 압전체와 상기 제1 전극는 서로 대응하도록 패터닝되어 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 압전체는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 압전체는 식각으로 패터닝된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 압전체의 횡단면의 면적은 상기 멤브레인에 가까워 질수록 넓어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인의 중앙부분 하부에 구비된 질량체 및 상기 멤브레인의 테두리 하부에 구비된 포스트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인과 상기 제1 전극 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 절연층은 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 관성센서는 멤브레인과, 상기 멤브레인에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극에 일체로 형성된 압전체와, 상기 압전체를 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극과, 상기 압전체의 외측면에 형성된 보조절연체를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 압전체를 커버하도록 상기 보조절연체에 결합되고, 커버하도록 상기 보저 절연체에 결합되고, 상기 압전체는 상기 제1 전극, 제2 전극 및 보조절연체에 의해 둘러싸인다.
또한, 상기 압전체는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인의 중앙부분 하부에 구비된 질량체 및 상기 멤브레인의 테두리 하부에 구비된 포스트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인과 상기 제1 전극 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 절연층은 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 일체로 형성된 제2 전극으로 압전체를 밀봉하여, 압전체에 물이나 습기가 침투하는 것을 방지함으로써, 압전체의 물성이 변하거나 압전체가 박리되는 것을 막을 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 일체로 형성된 제2 전극으로 압전체를 밀봉함으로써, 관성센서의 제조공정 중 습식(Wet) 공정이나 다이싱(Dicing) 공정에서 압전체가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 관성센서의 단면도;
도 2는 도 1에 도시된 A 부분의 확대도; 및
도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 관성센서의 단면도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 관성센서의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 관성센서(100)는 멤브레인(110), 멤브레인(110)에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극(120), 상기 제1 전극(120)에 일면이 결합되고 복수개로 패터닝되어 형성된 압전체(130), 압전체(130)의 타면을 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극(140), 및 패터닝되어 형성된 상기 압전체 중 외측에 구비된 상기 압전체의 외측면에 형성된 보조절연체(155)를 포함하고, 상기 압전체(130)는 상기 제1 전극(120), 제2 전극(140) 및 보조절연체(155)에 의해 둘러싸인 기술적특징을 포함하는 구성이다.
상기 멤브레인(110)은 판상으로 형성되어 질량체(160)가 변위를 일으킬 수 있도록 탄성을 갖는다. 여기서, 멤브레인(110)의 경계는 정확히 구별되는 것은 아니지만, 도시된 바와 같이, 멤브레인(110)의 중앙부분(113)과 멤브레인(110)의 외곽을 따라 구비된 테두리(115)로 구획될 수 있다. 이때, 멤브레인(110)의 중앙부분(113) 하부에는 질량체(160)가 구비되고, 멤브레인(110)의 테두리(115) 하부에는 포스트(170)가 구비된다. 따라서, 멤브레인(110)의 테두리(115)는 포스트(170)의 지지를 받아 고정되고, 고정된 멤브레인(110)의 테두리(115)를 기준으로 멤브레인(110)의 중앙부분(113)은 질량체(160)의 움직임에 대응하는 변위가 발생한다.
더욱 구체적으로 질량체(160)와 포스트(170)를 살펴보면, 질량체(160)는 멤브레인(110)의 중앙부분(113) 하부에 구비되어 관성력이나 코리올리힘에 의해서 변위가 발생하는 것이다. 또한, 포스트(170)는 중공(中空)형으로 형성되어 멤브레인(110)의 테두리(115) 하부를 지지함으로써 질량체(160)가 변위를 일으킬 수 있는 공간을 확보해주는 역할을 하는 것이다. 여기서, 질량체(160)는 예를 들어 원기둥 형상으로 형성될 수 있고, 포스트(170)는 중심에 원기둥 형상의 공동(空洞)이 형성된 사각기둥 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 횡단면을 기준으로 볼 때, 질량체(160)는 원형으로 형성되고, 포스트(170)는 중앙에 원형의 개구가 구비된 사각형으로 형성되는 것이다. 다만, 질량체(160)와 포스트(170)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 모든 형상으로 질량체(160)와 포스트(170)를 형성할 수 있음은 물론이다. 한편, 상술한 멤브레인(110), 질량체(160) 및 포스트(170)는 SOI(Silicon On Insulator) 기판 등의 실리콘 기판을 선택적으로 식각하여 형성할 수 있다.
또한, 질량체(160)가 멤브레인(110)의 중앙부분(113)에 접합되어야 하고, 포스트(170)가 멤브레인(110)의 테두리(115)에 접합되어야 하므로, 질량체(160)와 멤브레인(110)의 중앙부분(113) 사이 및 포스트(170)와 멤브레인(110)의 테두리(115) 사이에는 접합층(190)이 구비될 수 있다.
상기 제1 전극(120), 상기 압전체(130) 및 상기 제2 전극(140)은 질량체(160)를 구동시키거나 질량체(160)의 변위를 감지하는 역할을 하는 것으로, 멤브레인(110)으로부터 제1 전극(120), 압전체(130) 및 제2 전극(140) 순으로 형성된다. 구체적으로, 제1 전극(120)과 제2 전극(140)을 통해서 압전체(130)에 전압이 인가되면, 압전체(130)가 팽창 및 축소되는 역압전효과가 발생하고, 이러한 역압전효과를 이용하여, 멤브레인(110)의 하부에 구비된 질량체(160)를 구동시킬 수 있다. 반대로, 압전체(130)에 응력이 가해지면, 제1 전극(120)과 제2 전극(140)에 전위차가 발생하는 압전효과가 발생하고, 이러한 압전효과를 이용하여, 멤브레인(110)의 하부에 구비된 질량체(160)의 변위를 감지할 수 있다. 이러한 압전체(130)의 역압전효과와 압전효과를 영역별로 이용하기 위해서, 제1 전극(120)과 압전체(130)는 복수개로 패터닝되어 형성된다. 예를 들어, 제1 전극(120)과 압전체(130)는 도시된 바와 같이 양자가 서로 대응하도록 4개로 패터닝될 수 있다. 이중, 내측에 구비된 2개의 압전체(133)는 질량체(160)의 변위를 감지하는 감지수단이 될 수 있다(압전효과 이용). 또한, 외측에 구비된 2개의 압전체(135)는 질량체(160)를 구동시키는 구동수단이 될 수 있다(역압전효과 이용). 다만, 패터닝된 제1 전극(120)과 압전체(130)의 개수 및 감지수단과 구동수단의 위치는 상술한 구성에 한정되지 않고, 다양하게 변형될 수 있다. 특히, 관성센서(100)를 가속도 센서로 활용하는 경우, 질량체(160)를 구동시킬 필요가 없으므로, 구동수단을 생략할 수도 있다.
한편, 제2 전극(140)은 제1 전극(120) 및 압전체(130)와 달리 패터닝되지 않고, 일체로 형성되어 압전체(130)를 커버한다. 이와 같이, 제2 전극(140)이 일체로 형성되어 압전체(130)를 커버함으로써, 압전체(130)를 외부로부터 완전히 밀봉할 수 있다. 따라서, 압전체(130)에 물이나 습기가 침투하는 것을 방지함으로써, 압전체(130)의 물성이 변하거나 압전체(130)가 박리되는 것을 막을 수 있다. 또한, 관성센서(100)의 제조공정 중 습식(Wet) 공정이나 다이싱(Dicing) 공정 등에서 압전체(130)가 손상되는 것도 방지할 수 있다.
특히, 압전체(130)는 식각으로 패터닝할 수 있는데, 압전체(130)를 식각으로 패터닝하는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 압전체(130)의 횡단면의 면적은 멤브레인(110)에 가까워 질수록 넓어진다. 즉, 압전체(130)의 측면(130a)이 사선으로 형성되므로, 실제 압전체(130)의 노출면은 설계시 예상한 것보다 넓어질 수 있다. 이와 같이, 실제 압전체(130)의 노출면은 넓어지면, 압전체(130)에 물이나 습기가 침투하기가 더욱 쉬워지고, 그에 따라 제2 전극(140)으로 압전체(130)를 커버하여 밀봉할 필요성이 더욱 높아진다.
한편, 패터닝된 압전체(130)의 사이를 통해서 제2 전극(140)과 제1 전극(120)이 통전되거나, 인접한 제1 전극(120) 간에 통전되는 것을 방지하기 위해서, 패터닝된 압전체(130) 중 인접한 두 압전체(130) 사이에는 절연체(150)가 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극(140)은 압전체(130) 뿐만 아니라 절연체(150)까지 커버하도록 형성된다. 추가적으로, 패터닝된 압전체(130) 중 외측에 구비된 압전체(135)의 외측면에는 보조절연체(155)가 형성될 수 있다. 그리고 상기 제2 전극(140)은 상기 압전체(130)을 커버하도록 상기 보조절연체(155)에 결합된다. 이에 따라 상기 압전체(130)는 상기 제1 전극(120), 제2 전극(140) 및 보조절연체(155)에 의해 둘러싸이고, 이에 의해 상기 압전체(130)는 더욱 효과적으로 밀봉된다.
또한, 상술한 압전체(130), 제1 전극(120) 및 제2 전극(140)은 예를 들어 스퍼터(Sputter)로 증착하여 형성할 수 있다. 이때, 압전체(130)는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산 바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2) 등 당업계에 공지된 모든 압전물질로 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(120)과 제2 전극(140)은 티타늄(Ti), 백금(Pt) 또는 금(Au) 등 도전성을 가진 물질로 형성할 수 있다.
한편, 멤브레인(110)과 제1 전극(120) 사이에는 절연층(180)이 형성될 수 있다. 여기서, 절연층(180)은 멤브레인(110)과 제1 전극(120)을 절연시키는 역할을 하는 것으로, 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성될 수 있다. 이러한 실리콘 산화막은 SOI 기판 등을 선택적으로 식각하여 멤브레인(110), 질량체(160) 및 포스트(170)를 형성하기 전, 상기 SOI 기판에 산소(O2)나 수증기(H2O)를 주입시키고 열을 가해서 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 관성센서의 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 관성센서(200)는 멤브레인(110), 멤브레인(110)에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극(120), 제1 전극(120)에 일체로 형성된 압전체(130) 및 압전체(130)를 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극(140)을 포함하는 구성이다.
본 실시예에 따른 관성센서(200)는 전술한 제1 실시예에 따른 관성센서(100)와 비교할 때, 압전체(130)가 패터닝되지 않고 일체로 형성된 차이점이 존재한다. 따라서, 본 실시예는 제1 실시예와 중복되는 내용은 간략히 기술하고, 일체로 형성된 압전체(130)를 중심으로 기술하도록 한다.
상기 멤브레인(110)은 판상으로 형성되어 질량체(160)가 변위를 일으킬 수 있도록 탄성을 갖는다. 여기서, 멤브레인(110)의 중앙부분(113) 하부에는 질량체(160)가 구비되고, 멤브레인(110)의 테두리(115) 하부에는 포스트(170)가 구비된다. 또한, 질량체(160)와 멤브레인(110)의 중앙부분(113) 사이 및 포스트(170)와 멤브레인(110)의 테두리(115) 사이에는 접합층(190)이 구비될 수 있다.
상기 제1 전극(120), 상기 압전체(130) 및 상기 제2 전극(140)은 질량체(160)를 구동시키거나 질량체(160)의 변위를 감지하는 역할을 하는 것으로, 멤브레인(110)으로부터 제1 전극(120), 압전체(130) 및 제2 전극(140) 순으로 형성된다. 여기서, 압전체(130)는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산 바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2) 등 당업계에 공지된 모든 압전물질로 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(120)과 제2 전극(140)은 티타늄(Ti), 백금(Pt) 또는 금(Au) 등 도전성을 가진 물질로 형성할 수 있다.
한편, 제1 전극(120)은 압전체(130)의 역압전효과와 압전효과를 영역별로 이용하기 위해서 복수개로 패터닝되어 형성된다. 예를 들어, 제1 전극(120)는 도시된 바와 같이 4개로 패터닝될 수 있다. 이중, 내측에 구비된 2개의 제1 전극(120) 상부에 구비된 압전체(133)는 질량체(160)의 변위를 감지하는 감지수단이 될 수 있다(압전효과 이용). 또한, 외측에 구비된 2개의 제1 전극(120) 상부에 구비된 압전체(135)는 질량체(160)를 구동시키는 구동수단이 될 수 있다(역압전효과 이용). 다만, 도면상 감지수단과 구동수단이 제1 전극(130)에 정확히 대응하도록 도시되었지만, 감지수단과 구동수단이 제1 전극(130)를 기준으로 정확히 구획되는 것은 아니다. 또한, 패터닝된 제1 전극(120)의 개수 및 감지수단과 구동수단의 위치는 상술한 구성에 한정되지 않고, 다양하게 변형될 수 있다. 특히, 관성센서(200)를 가속도 센서로 활용하는 경우, 질량체(160)를 구동시킬 필요가 없으므로, 구동수단을 생략할 수도 있다.
한편, 제2 전극(140)는 제1 전극(120)과 달리 패터닝되지 않고, 일체로 형성되어 압전체(130)를 커버한다. 이와 같이, 제2 전극(140)이 일체로 형성되어 압전체(130)를 커버함으로써, 압전체(130)를 외부로부터 완전히 밀봉할 수 있다. 따라서, 압전체(130)에 물이나 습기가 침투하는 것을 방지함으로써, 압전체(130)의 물성이 변하거나 압전체(130)가 박리되는 것을 막을 수 있다. 또한, 관성센서(200)의 제조공정 중 습식(Wet) 공정이나 다이싱(Dicing) 공정 등에서 압전체(130)가 손상되는 것도 방지할 수 있다.
그리고 상기 압전체(130)의 외측면에는 보조절연체(155)가 형성된다. 그리고 상기 제2 전극(140)은 상기 압전체(130)을 커버하도록 상기 보조절연체(155)에 결합된다. 이에 따라 상기 압전체(130)는 상기 제1 전극(120), 제2 전극(140) 및 보조절연체(155)에 의해 둘러싸이고, 이에 의해 상기 압전체(130)는 더욱 효과적으로 밀봉된다.
한편, 멤브레인(110)과 제1 전극(120) 사이에는 절연층(180)이 형성되어, 멤브레인(110)과 제1 전극(120)을 절연시킬 수 있다. 이때, 절연층(180)은 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성될 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 관성센서는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다. 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100, 200: 관성센서 110: 멤브레인
113: 멤브레인의 중앙부분 115: 멤브레인의 테두리
120: 제1 전극 130, 133, 135: 압전체
130a: 압전체의 측면 140: 제2 전극
150: 절연체 155: 보조절연체
160: 질량체 170: 포스트
180: 절연층 190: 접합층

Claims (16)

  1. 멤브레인;
    상기 멤브레인에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극에 일면이 결합되고 복수개로 패터닝되어 형성된 압전체;
    상기 압전체의 타면을 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극; 및
    패터닝되어 형성된 상기 압전체 중 외측에 구비된 상기 압전체의 외측면에 형성된 보조절연체를 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 압전체와 상기 보조절연체를 커버하도록 상기 보조절연체에 결합되고,
    상기 압전체는 상기 제1 전극, 제2 전극 및 보조절연체에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 관성센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    패터닝되어 형성된 상기 압전체 중 인접한 상기 압전체 사이에 형성된 절연체;
    를 더 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 압전체와 상기 절연체를 커버하도록 형성된 것을 특징으로 하는 관성센서.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 압전체와 상기 제1 전극는 서로 대응하도록 패터닝되어 형성된 것을 특징으로 하는 관성센서.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 압전체는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2)인 것을 특징으로 하는 관성센서.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 압전체는 식각으로 패터닝된 것을 특징으로 하는 관성센서.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 압전체의 횡단면의 면적은 상기 멤브레인에 가까워 질수록 넓어지는 것을 특징으로 하는 관성센서.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 멤브레인의 중앙부분 하부에 구비된 질량체; 및
    상기 멤브레인의 테두리 하부에 구비된 포스트;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 멤브레인과 상기 제1 전극 사이에 형성된 절연층;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 절연층은 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성된 것을 특징으로 하는 관성센서.
  11. 멤브레인;
    상기 멤브레인에 복수개로 패터닝되어 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극에 일체로 형성된 압전체;
    상기 압전체를 커버하도록 일체로 형성된 제2 전극; 및
    상기 압전체의 외측면에 형성된 보조절연체를 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 압전체를 커버하도록 상기 보조절연체에 결합되고, 커버하도록 상기 보조절연체에 결합되고,
    상기 압전체는 상기 제1 전극, 제2 전극 및 보조절연체에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 관성센서.
  12. 삭제
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 압전체는 PZT(Lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산연(PbTiO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정(SiO2)인 것을 특징으로 하는 관성센서.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 멤브레인의 중앙부분 하부에 구비된 질량체; 및
    상기 멤브레인의 테두리 하부에 구비된 포스트;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 멤브레인과 상기 제1 전극 사이에 형성된 절연층;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 절연층은 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성된 것을 특징으로 하는 관성센서.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9726490B2 (en) * 2011-09-02 2017-08-08 Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. Angular velocity sensor
KR101310502B1 (ko) * 2011-12-29 2013-09-25 삼성전기주식회사 관성센서
KR101516112B1 (ko) * 2014-01-29 2015-04-29 삼성전기주식회사 Mems 센서
US20150247879A1 (en) * 2014-03-03 2015-09-03 Infineon Technologies Ag Acceleration sensor
JP2017537325A (ja) * 2014-12-11 2017-12-14 ブリュール アンド ケーア サウンド アンド バイブレーション メジャーメント アクティーゼルスカブ せん断モード加速度計の圧電センサ素子
ITUB20159497A1 (it) * 2015-12-24 2017-06-24 St Microelectronics Srl Dispositivo piezoelettrico mems e relativo procedimento di fabbricazione
US10729067B2 (en) * 2018-10-20 2020-08-04 Deere & Company Biomass impact sensor having a conformal encasement enveloping a pressure sensitive film

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563868B1 (ko) * 1998-04-13 2006-03-23 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 압전형 가속도센서, 가속도 검출방법 및 압전형 가속도센서의 제조방법
KR20110072229A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 삼성전기주식회사 관성 센서 및 그 제조 방법
JP2011220765A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Japan Science & Technology Agency 慣性センサ及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315247A (en) * 1987-11-09 1994-05-24 California Institute Of Technology Method and apparatus for measuring a magnetic field using a deflectable energized loop and a tunneling tip
US5212988A (en) * 1988-02-29 1993-05-25 The Reagents Of The University Of California Plate-mode ultrasonic structure including a gel
US5587620A (en) * 1993-12-21 1996-12-24 Hewlett-Packard Company Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same
KR100616508B1 (ko) * 2002-04-11 2006-08-29 삼성전기주식회사 Fbar 소자 및 그 제조방법
JP4216525B2 (ja) * 2002-05-13 2009-01-28 株式会社ワコー 加速度センサおよびその製造方法
US7101721B2 (en) * 2002-07-22 2006-09-05 Rf Micro Devices, Inc. Adaptive manufacturing for film bulk acoustic wave resonators
US7164222B2 (en) * 2003-06-26 2007-01-16 Intel Corporation Film bulk acoustic resonator (FBAR) with high thermal conductivity
JP4754817B2 (ja) * 2004-12-20 2011-08-24 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体加速度センサ
TWI343180B (en) * 2005-07-01 2011-06-01 Ind Tech Res Inst The acoustic wave sensing-device integrated with micro channels
US7845229B2 (en) * 2006-08-11 2010-12-07 Rohm Co., Ltd. Acceleration sensor
JP4333883B2 (ja) * 2007-01-24 2009-09-16 ヤマハ株式会社 モーションセンサ及びその製造方法
JP2009302661A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Toshiba Corp 圧電デバイス
US7888844B2 (en) * 2009-06-30 2011-02-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature control of micromachined transducers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563868B1 (ko) * 1998-04-13 2006-03-23 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 압전형 가속도센서, 가속도 검출방법 및 압전형 가속도센서의 제조방법
KR20110072229A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 삼성전기주식회사 관성 센서 및 그 제조 방법
JP2011220765A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Japan Science & Technology Agency 慣性センサ及びその製造方法

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