JP4925273B2

JP4925273B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4925273B2
Application number: JP2006231340A
Authority: JP
Inventors: 威中筋; 佳治佐名川
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-08-28
Filing date: 2006-08-28
Publication date: 2012-04-25
Anticipated expiration: 2026-08-28
Also published as: JP2008049465A

Description

本発明は、マイクロマシニング技術を利用して半導体基板の一部からなる薄肉の可撓性要素部を形成した半導体装置に関するものである。

従来から、マイクロマシニング技術を利用して半導体基板の一部からなる薄肉の可撓性要素部を形成した半導体装置として、例えば、加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、マイクロバルブなどが知られている。なお、この種の半導体装置としては、半導体基板を用いて形成され可撓性要素部を有する機能基板と、１枚あるいは２枚のカバー基板とを備えたものが知られている。また、ピエゾ抵抗形の加速度センサや圧力センサでは、可撓性要素部の適宜位置にピエゾ抵抗が形成されている。

ところで、この種の半導体装置を実装基板（例えば、ガラスエポキシ樹脂基板など）に実装して用いる場合、半導体装置の一表面側の複数の外部接続用電極と、実装基板において半導体装置の投影面内に設けられた複数の導体パターンとを半田やバンプなどの接合部を介して電気的に接続する必要があるが、半導体装置と実装基板との線膨張率差に起因した応力が半導体基板の可撓性要素部に生じて半導体装置の特性が劣化してしまう。

そこで、半導体装置における他の部材との接合面に他の部材との接合に伴う応力を緩和する応力緩和部として溝部を設ける技術（例えば、特許文献１，２，３参照）を適用することが考えられる。
特開２０００−１８７０４０号公報特開２００１−１６８１３９号公報特開平２−２４０９４２号公報

しかしながら、上記特許文献１〜３のように応力緩和部として溝部を設ける技術を適用した場合には、機械的強度の低下や溝部への異物の侵入などに起因して信頼性が低下してしまう懸念がある。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力を緩和することができ且つ信頼性の高い半導体装置を提供することにある。

請求項１の発明は、半導体基板の一部からなる薄肉の可撓性要素部を有するとともに一表面側に複数の外部接続用電極を有する半導体装置であって、外部接続用電極と実装基板の導体パターンとの接合に伴い可撓性要素部に発生する応力を緩和する応力緩和部が設けられ、当該応力緩和部は、外部接続用電極と可撓性要素部との間の要所に形成された応力緩和用の溝部に充実された充実体からなり、当該充実体の材料として溝部の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いてなることを特徴とする。

この発明によれば、外部接続用電極と実装基板の導体パターンとの接合に伴い可撓性要素部に発生する応力を緩和する応力緩和部が設けられていることにより、実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力を緩和することができて特性劣化を抑制でき、しかも、応力緩和部が、外部接続用電極と可撓性要素部との間の要所に形成された応力緩和用の溝部に充実された充実体からなり、当該充実体の材料として溝部の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いているので、機械的強度を高めることができるとともに溝部への異物の侵入を防止することができ、信頼性を高めることができる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記低弾性材料は、樹脂であることを特徴とする。

この発明によれば、前記低弾性材料として金属を採用する場合に比べて前記溝部へ容易に充実させることができる。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記溝部は、内底面から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されてなることを特徴とする。

この発明によれば、前記溝部へ前記低弾性材料を容易に充実させることができる。

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記外部接続用電極が半田リフロー用パッドであり、半田リフロー用パッドの周辺に当該半田リフロー用パッドの材料に比べて半田濡れ性の低い材料からなる半田広がり防止部が形成されてなることを特徴とする。

この発明によれば、前記実装基板へ半田リフローにより実装する際に半田が前記外部接続用電極の周辺まで流出するのを防止することができて接合面積の増大による応力の増大を抑制することができる。また、前記応力緩和部が前記外部接続用電極の近傍に形成されており、前記低弾性材料が金属である場合に、前記外部接続用電極と前記応力緩和部とが半田により接合されるのを防止することができ、前記応力緩和部の応力緩和機能の低下を防止できる。

請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記外部接続用電極と電気的に接続される配線が前記溝部を避けて形成されてなることを特徴とする。

この発明によれば、配線の形成が容易になる。

請求項１の発明では、実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力を緩和することができ且つ信頼性を高めることができるという効果がある。

（実施形態１）
本実施形態の半導体装置について図１〜図４を参照しながら説明するが、本実施形態では半導体装置として、図１に示すように実装基板（例えば、ガラスエポキシ樹脂基板など）４０に実装して用いる加速度センサＡを例示する。

加速度センサＡは、第１の半導体基板を用いて形成され後述のセンシング部を有するセンサ基板１と、第２の半導体基板を用いて形成されセンサ基板１のセンシング部に電気的に接続される複数の貫通孔配線２４を有しセンサ基板１の一表面側（図１（ａ）における下面側）に接合された第１のカバー基板２と、第３の半導体基板を用いて形成されセンサ基板１の他表面側（図１（ａ）における上面側）に接合された第２のカバー基板３とを備えている。ここにおいて、センサ基板１および各カバー基板２，３の外周形状は矩形状であり、各カバー基板２，３はセンサ基板１と同じ外形寸法に形成されている。

また、センサ基板１は、シリコン基板からなる支持基板１０ａ上のシリコン酸化膜からなる絶縁層（埋込酸化膜）１０ｂ上にｎ形のシリコン層（活性層）１０ｃを有するＳＯＩウェハを加工することにより形成してあり、第１のカバー基板２は第１のシリコンウェハを加工することにより形成し、第２のカバー基板３は第２のシリコンウェハを加工することにより形成してある。ここにおいて、本実施形態では、ＳＯＩウェハが第１の半導体基板を構成し、第１のシリコンウェハが第２の半導体基板を構成し、第２のシリコンウェハが第３の半導体基板を構成している。なお、本実施形態では、ＳＯＩウェハにおける支持基板１０ａの厚さを３００μｍ〜５００μｍ程度、絶縁層１０ｂの厚さを０．３μｍ〜１．５μｍ程度、シリコン層１０ｃの厚さを４μｍ〜１０μｍ程度とし、また、第１のシリコンウェハの厚さを２００μｍ〜３００μｍ程度、第２のシリコンウェハの厚さを１００〜３００μｍ程度としてあるが、これらの数値は特に限定するものではない。また、ＳＯＩウェハの主表面であるシリコン層１０ｃの表面は（１００）面としてある。

センサ基板１は、図１および図３に示すように、枠状（本実施形態では、矩形枠状）のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が一表面側（図３（ｂ）における上面側）において可撓性を有する４つの短冊状の撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。言い換えれば、センサ基板１は、枠状のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が重り部１２から四方へ延長された４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。ここで、フレーム部１１は、上述のＳＯＩウェハの支持基板１０ａ、絶縁層１０ｂ、シリコン層１０ｃそれぞれを利用して形成してある。これに対して、撓み部１３は、上述のＳＯＩウェハにおけるシリコン層１０ｃを利用して形成してあり、フレーム部１１よりも十分に薄肉となっている。

重り部１２は、上述の４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、センサ基板１の上記一表面側から見てコア部１２ａの四隅それぞれに連続一体に連結された直方体状の４つの付随部１２ｂとを有している。言い換えれば、重り部１２は、フレーム部１１の内側面に一端部が連結された各撓み部１３の他端部が外側面に連結されたコア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１との間の空間に配置される４つの付随部１２ｂとを有している。つまり、各付随部１２ｂは、センサ基板１の上記一表面側から見た平面視において、フレーム部１１とコア部１２ａと互いに直交する方向に延長された２つの撓み部１３，１３とで囲まれる空間に配置されており、各付随部１２ｂそれぞれとフレーム部１１との間にはスリット１４が形成され、撓み部１３を挟んで隣り合う付随部１２ｂ間の間隔が撓み部１３の幅寸法よりも長くなっている。ここにおいて、コア部１２ａは、上述のＳＯＩウェハの支持基板１０ａ、絶縁層１０ｂ、シリコン層１０ｃそれぞれを利用して形成し、各付随部１２ｂは、ＳＯＩウェハの支持基板１０ａを利用して形成してある。しかして、センサ基板１の上記一表面側において各付随部１２ｂの表面は、コア部１２ａの表面を含む平面からセンサ基板１の上記他表面側（図３（ｂ）における下面側）へ離間して位置している。なお、センサ基板１の上述のフレーム部１１、重り部１２、各撓み部１３は、マイクロマシニング技術を利用して形成すればよい。

ところで、図３（ａ），（ｂ）それぞれの右下に示したように、センサ基板１の上記一表面に平行な面内でフレーム部１１の一辺に沿った一方向をｘ軸の正方向、この一辺に直交する辺に沿った一方向をｙ軸の正方向、センサ基板１の厚み方向の一方向をｚ軸の正方向と規定すれば、重り部１２は、ｘ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３と、ｙ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３とを介してフレーム部１１に支持されていることになる。なお、上述のｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３軸により規定した直交座標では、センサ基板１において上述のシリコン層１０ｃにより形成された部分の表面における重り部１２の中心位置を原点としている。

重り部１２のコア部１２ａからｘ軸の正方向に延長された撓み部１３（図３（ａ）の右側の撓み部１３）は、コア部１２ａ近傍に２つ１組のゲージ抵抗Ｒｘ２，Ｒｘ４が形成されるとともに、フレーム部１１近傍に１つのゲージ抵抗Ｒｚ２が形成されている。一方、重り部１２のコア部１２ａからｘ軸の負方向に延長された撓み部１３（図３（ａ）の左側の撓み部１３）は、コア部１２ａ近傍に２つ１組のゲージ抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ３が形成されるとともに、フレーム部１１近傍に１つのゲージ抵抗Ｒｚ３が形成されている。ここに、コア部１２ａ近傍に形成された４つのゲージ抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４は、ｘ軸方向の加速度を検出するために形成されたもので、平面形状が細長の長方形状であって、長手方向が撓み部１３の長手方向に一致するように形成してあり、図４における左側のブリッジ回路Ｂｘを構成するように配線（センサ基板１に形成されている拡散層配線、金属配線１７など）によって接続されている。なお、ゲージ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、ｘ軸方向の加速度がかかったときに撓み部１３において応力が集中する応力集中領域に形成されている。

また、重り部１２のコア部１２ａからｙ軸の正方向に延長された撓み部１３（図３（ａ）の上側の撓み部１３）はコア部１２ａ近傍に２つ１組のゲージ抵抗Ｒｙ１，Ｒｙ３が形成されるとともに、フレーム部１１近傍に１つのゲージ抵抗Ｒｚ１が形成されている。一方、重り部１２のコア部１２ａからｙ軸の負方向に延長された撓み部１３（図３（ａ）の下側の撓み部１３）はコア部１２ａ近傍に２つ１組のゲージ抵抗Ｒｙ２，Ｒｙ４が形成されるとともに、フレーム部１１側の端部に１つのゲージ抵抗Ｒｚ４が形成されている。ここに、コア部１２ａ近傍に形成された４つのゲージ抵抗Ｒｙ１，Ｒｙ２，Ｒｙ３，Ｒｙ４は、ｙ軸方向の加速度を検出するために形成されたもので、平面形状が細長の長方形状であって、長手方向が撓み部１３の長手方向に一致するように形成してあり、図４における中央のブリッジ回路Ｂｙを構成するように配線（センサ基板１に形成されている拡散層配線、金属配線１７など）によって接続されている。なお、ゲージ抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４は、ｙ軸方向の加速度がかかったときに撓み部１３において応力が集中する応力集中領域に形成されている。

また、フレーム部１１近傍に形成された４つのゲージ抵抗Ｒｚ１，Ｒｚ２，Ｒｚ３，Ｒｚ４は、ｚ軸方向の加速度を検出するために形成されたものであり、図４における右側のブリッジ回路Ｂｚを構成するように配線（センサ基板１に形成されている拡散層配線、金属配線１７など）によって接続されている。ただし、２つ１組となる撓み部１３，１３のうち一方の組の撓み部１３，１３に形成したゲージ抵抗Ｒｚ１，Ｒｚ４は長手方向が撓み部１３，１３の長手方向と一致するように形成されているのに対して、他方の組の撓み部１３，１３に形成したゲージ抵抗Ｒｚ２，Ｒｚ３は長手方向が撓み部１３，１３の幅方向（短手方向）と一致するように形成されている。

なお、図１〜３では、センサ基板１における金属配線１７のうち第１の接続用接合金属層１９近傍の部位のみを図示してあり、拡散層配線の図示は省略してある。

ここで、センサ基板１の基本的な動作の一例について説明する。

いま、センサ基板１に加速度がかかっていない状態で、センサ基板１に対してｘ軸の正方向に加速度がかかったとすると、ｘ軸の負方向に作用する重り部１２の慣性力によってフレーム部１１に対して重り部１２が変位し、結果的にｘ軸方向を長手方向とする撓み部１３，１３が撓んで当該撓み部１３，１３に形成されているゲージ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４の抵抗値が変化することになる。この場合、ゲージ抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ３は引張応力を受け、ゲージ抵抗Ｒｘ２，Ｒｘ４は圧縮応力を受ける。一般的にゲージ抵抗は引張応力を受けると抵抗値（抵抗率）が増大し、圧縮応力を受けると抵抗値（抵抗率）が減少する特性を有しているので、ゲージ抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ３は抵抗値が増大し、ゲージ抵抗Ｒｘ２，Ｒｘ４は抵抗値が減少することになる。したがって、図４に示した一対の入力端子ＶＤＤ，ＧＮＤ間に外部電源から一定の直流電圧を印加しておけば、図４に示した左側のブリッジ回路Ｂｘの出力端子Ｘ１，Ｘ２間の電位差がｘ軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。同様に、ｙ軸方向の加速度がかかった場合には図４に示した中央のブリッジ回路Ｂｙの出力端子Ｙ１，Ｙ２間の電位差がｙ軸方向の加速度の大きさに応じて変化し、ｚ軸方向の加速度がかかった場合には図４に示した右側のブリッジ回路Ｂｚの出力端子Ｚ１，Ｚ２間の電位差がｚ軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。しかして、上述のセンサ基板１は、各ブリッジ回路Ｂｘ〜Ｂｚそれぞれの出力電圧の変化を検出することにより、当該センサ基板１に作用したｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向それぞれの加速度を検出することができる。本実施形態では、各撓み部１３が可撓性要素部を構成し、センサ基板１が機能基板を構成している。また、重り部１２と各撓み部１３とで可動部を構成し、各ゲージ抵抗（ピエゾ抵抗）Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４それぞれが、センサ基板１におけるセンシング部を構成している。

ところで、センサ基板１は、上述の３つのブリッジ回路Ｂｘ，Ｂｙ，Ｂｚに共通の２つの入力端子ＶＤＤ，ＧＮＤと、ブリッジ回路Ｂｘの２つの出力端子Ｘ１，Ｘ２と、ブリッジ回路Ｂｙの２つの出力端子Ｙ１，Ｙ２と、ブリッジ回路Ｂｚの２つの出力端子Ｚ１，Ｚ２とを備えており、これらの各入力端子ＶＤＤ，ＧＮＤおよび各出力端子Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２，Ｚ１，Ｚ２が、上記一表面側（つまり、第１のカバー基板２側）に第１の電気接続用金属層１９として設けられており、第１のカバー基板２に形成された貫通孔配線２４と電気的に接続されている。すなわち、センサ基板１には、８つの電気接続用金属層１９が形成され、第１のカバー基板２には、８つの貫通孔配線２４が形成されている。なお、８つの第１の電気接続用金属層１９は、外周形状が矩形状（本実施形態では、正方形状）であり、フレーム部１１の周方向に離間して配置されている（矩形枠状のフレーム部１１の４辺それぞれに２つずつ配置されている）。

また、センサ基板１のフレーム部１１上には、フレーム部１１よりも開口面積が大きな枠状（矩形枠状）の第１の封止用金属層１８が形成されており、上述の８つの電気接続用金属層１９は、フレーム部１１において第１の封止用金属層１８よりも内側に配置されている。要するに、センサ基板１は、第１の封止用金属層１８の幅寸法をフレーム部１１の幅寸法に比べて小さく設定し、第１の封止用金属層１８と各電気接続用金属層１９とを同一平面上に形成してある。

ここにおいて、センサ基板１は、上記一表面側において上記シリコン層１０ｃ上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる絶縁膜１６が形成されており、第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８および金属配線１７は絶縁膜１６の同一レベル面上に同一厚さで形成されている。

また、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９は、接合用のＡｕ膜と絶縁膜１６との間に密着性改善用のＴｉ膜を介在させてある。言い換えれば、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９は、絶縁膜１６の同一レベル面上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。要するに、第１の電気接続用金属層１９と第１の封止用金属層１８とは同一の金属材料により形成されているので、第１の電気接続用金属層１９と第１の封止用金属層１８とを同時に形成することができるとともに、第１の電気接続用金属層１９と第１の封止用金属層１８とを同じ厚さに形成することができる。なお、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９は、Ｔｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ａｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあり、金属配線１７の膜厚は１μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、本実施形態では、各Ａｕ膜と絶縁膜１６との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。

上述の各ゲージ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４および上記各拡散層配線は、上記シリコン層１０ｃにおけるそれぞれの形成部位に適宜濃度のｐ形不純物をドーピングすることにより形成され、上述の金属配線１７は、絶縁膜１６上にスパッタ法や蒸着法などにより成膜した金属膜（例えば、Ａｌ膜、Ａｌ合金膜など）をリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより形成されており、金属配線１７は絶縁膜１６に設けたコンタクトホールを通して拡散層配線と電気的に接続されている。また、第１の電気接続用金属層１９と金属配線１７とは、第１の電気接続用金属層１９における金属配線１７との接続部位１９ｂ（図２参照）が、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との対向面に形成された後述の変位空間形成用凹部２１内に位置する形で電気的に接続されている。

第１のカバー基板２は、センサ基板１側（図１（ａ）における上面側）の表面に、センサ基板１の重り部１２と各撓み部１３とで構成される可動部の変位空間を確保する上述の変位空間形成用凹部２１が形成されるとともに、変位空間形成用凹部２１の周部に厚み方向に貫通する複数（本実施形態では、８つ）の貫通孔２２が形成されており、厚み方向の両面と各貫通孔２２の内面とに跨って熱絶縁膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜２３が形成され、貫通孔配線２４と貫通孔２２の内面との間に絶縁膜２３の一部が介在している。ここにおいて、第１のカバー基板２の８つの貫通孔配線２４は当該第１のカバー基板２の周方向に離間して形成されている。なお、貫通孔配線２４の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

また、第１のカバー基板２は、センサ基板１側の表面において変位空間形成用凹部２１の周部に、各貫通孔配線２４それぞれと電気的に接続された複数（本実施形態では、８つ）の第２の電気接続用金属層２９が形成されている。第１のカバー基板２は、センサ基板１側の表面の周部の全周に亘って枠状（矩形枠状）の第２の封止用金属層２８が形成されている。また、上述の８つの第２の電気接続用金属層２９は、外周形状が細長の長方形状であり、第２の封止用金属層２８よりも内側に配置されている。ここにおいて、第２の電気接続用金属層２９は、長手方向の一端部が貫通孔配線２４と接合されており、他端側の部位がセンサ基板１の金属配線１７よりも外側でセンサ基板１の第１の電気接続用金属層１９と接合されて電気的に接続されるように配置してある。要するに、第１のカバー基板２の周方向において貫通孔配線２４と当該貫通孔配線２４に対応する第１の電気接続用金属層１９との位置をずらしてあり、第２の電気接続用金属層２９を、長手方向が第２の封止用金属層２８の周方向に一致し且つ貫通孔配線２４と第１の電気接続用金属層１９とに跨る形で配置してある。

また、第２の封止用金属層２８および第２の電気接続用金属層２９は、接合用のＡｕ膜と絶縁膜２３との間に密着性改善用のＴｉ膜を介在させてある。言い換えれば、第２の封止用金属層２８および第２の電気接続用金属層２９は、絶縁膜２３の同一レベル面上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。要するに、第２の電気接続用金属層２９と第２の封止用金属層２８とは同一の金属材料により形成されているので、第２の電気接続用金属層２９と第２の封止用金属層２８とを同時に形成することができるとともに、第２の電気接続用金属層２９と第２の封止用金属層２８とを同じ厚さに形成することができる。なお、第２の封止用金属層２８および第２の電気接続用金属層２９は、Ｔｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ａｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、本実施形態では、各Ａｕ膜と絶縁膜２３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。

また、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面には、各貫通孔配線２４それぞれと電気的に接続された複数の外部接続用電極２５が形成されている。ここで、各外部接続用電極２５は、厚み方向に積層されたＴｉ膜とＣｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成されており、最上層がＡｕ膜となっている。本実施形態では、各外部接続用電極２５の外周形状が矩形状となっており、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面には、各外部接続用電極２５と各貫通孔配線２４とを接続する複数（本実施形態では、８つ）の配線２６が形成されている。なお、各配線２６は、各外部接続用電極２５と同様に厚み方向に積層されたＴｉ膜とＣｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成されており、各外部接続用電極２５と連続一体に形成されている。また、本実施形態では、各外部接続用電極２５が半田リフロー用パッドを構成しており、各外部接続用電極２５の大きさを、半田リフローに適した大きさ（２００μｍ□以上）を下回らないように設計してあり、隣り合う外部接続用電極２５間の距離を、半田リフローに適した距離を下回らないように設計してある。

第２のカバー基板３は、センサ基板１との対向面に、重り部１２の変位空間を形成する所定深さ（例えば、５μｍ〜１０μｍ程度）の凹部３１を形成してある。ここで、第２のカバー基板３の凹部３１は、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成してある。なお、本実施形態では、第２のカバー基板３におけるセンサ基板１との対向面に、重り部１２の変位空間を形成する凹部３１を形成してあるが、重り部１２のコア部１２ａおよび各付随部１２ｂのうち支持基板１０ａを利用して形成されている部分の厚さを、フレーム部１１において支持基板１０ａを利用して形成されている部分の厚さに比べて、センサ基板１の厚み方向への重り部１２の許容変位量分だけ薄くするようにすれば、第２のカバー基板３に凹部３１を形成しなくても、センサ基板１の上記他表面側には上記他表面に交差する方向への重り部１２の変位を可能とする隙間が重り部１２と第２のカバー基板３との間に形成される。

ところで、本実施形態の加速度センサＡにおけるセンサ基板１と第１のカバー基板２とは、第１の封止用金属層１８と第２の封止用金属層２８とが接合されるとともに、第１の電気接続用金属層１９と第２の電気接続用金属層２９とが接合され、センサ基板１と第２のカバー基板３とは、互いの対向面の周部同士が接合されている。また、加速度センサＡは、センサ基板１を多数形成したＳＯＩウェハと第１のカバー基板２を多数形成した第１のシリコンウェハおよび第２のカバー基板３を多数形成した第２のシリコンウェハとをウェハレベルで接合してから、ダイシング工程により所望のチップサイズの加速度センサＡに切断されている。したがって、各カバー基板２，３がセンサ基板１と同じ外形サイズとなり、小型のチップサイズパッケージを実現できるとともに、製造が容易になる。

ここにおいて、センサ基板１と第１のカバー基板２および第２のカバー基板３との接合方法としては、センサ基板１の残留応力を少なくするためにより低温での接合が可能な接合方法を採用することが望ましく、本実施形態では、常温接合法を採用している。常温接合法では、接合前に互いの接合面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合面の清浄化・活性化を行ってから、接合面同士を接触させ、常温下で接合する。本実施形態では、上述の常温接合法により、常温（例えば、２５℃）下で適宜の荷重を印加して、センサ基板１の第１の封止用金属層１８と第１のカバー基板２の第２の封止用金属層２８とを接合するのと同時に、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９と第１のカバー基板２の第２の電気接続用金属層２９とを接合しており、また、上述の常温接合法により、常温（例えば、２５℃）下でセンサ基板１のフレーム部１１と第２のカバー基板３の周部とを接合している。しかして、本実施形態における加速度センサＡでは、センサ基板１と第１のカバー基板２との間の接合がＡｕ−Ａｕ接合となり、センサ基板１と第２のカバー基板３との接合がＳｉ−Ｓｉ接合となっている。ここで、本実施形態では、センサ基板１と各カバー基板２，３が同じ半導体材料であるＳｉにより形成されているので、センサ基板１と各カバー基板２，３との線膨張率差に起因した応力（センサ基板１における残留応力）が上記ブリッジ回路の出力信号に与える影響を低減でき、各カバー基板２，３がセンサ基板１と異なる材料により形成されている場合に比べて、センサ特性のばらつきを低減することができる。なお、センサ基板１は、ＳＯＩウェハを加工して形成してあるが、ＳＯＩウェハに限らず、例えば、シリコンウェハを加工して形成してもよい。また、本実施形態では、センサ基板１と第２のカバー基板３とが、Ｓｉ−Ｓｉの組み合わせの常温接合により接合されているが、Ｓｉ−Ｓｉの組み合わせに限らず、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＳｉＯ_２の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合されるようにしてもよい。

ところで、本実施形態の加速度センサＡは、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３とを半田からなる接合部５０による接合することに伴い可撓性要素部たる撓み部１３に発生する応力を緩和する応力緩和部６０が設けられている。応力緩和部６０は、外部接続用電極２５と撓み部１３との間の要所（外部接続用電極２５の近傍）に形成された応力緩和用の溝部６１に充実された充実体６２からなり、当該充実体６２の材料として溝部６１の周辺部位の材料であるＳｉよりも弾性率（ヤング率）の低い低弾性材料を用いている。

ここで、本実施形態では、溝部６１を、第１のカバー基板２のセンサ基板１側の表面においてセンサ基板１との接合領域（第２の封止用金属層２９および第２の電気接続用金属層２９が形成されている領域）よりも内側に形成してある。本実施形態では、溝部６１の深さ寸法を第２のカバー基板２の厚み寸法の半分よりもやや大きな寸法に設定してあるが、このような深溝の溝部６１は、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置を用いた異方性エッチング技術を利用して形成すればよい。また、本実施形態では、溝部６１を形成した後に上述の絶縁膜２３を形成するようにしているので、溝部６１の内面と充実体５２との間に絶縁膜２３の一部が介在している。なお、応力緩和部６０は、センサ基板１と第１のカバー基板２とを接合する前に形成すればよく、必ずしも溝部６１と充実体６２との間に絶縁膜２３の一部が介在している必要はない。

上述の低弾性材料としては、樹脂（例えば、ポリエチレンなど）や金属（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎなど）を採用すればよく、樹脂を採用する場合には、ポッティング技術やスピンコート技術などを利用して溝部６１に充実させればよく、金属を採用する場合には、めっき法やスパッタ法などを利用して溝部６１に充実させればよい。ここにおいて、低弾性材料として、樹脂を採用すれば、金属を採用する場合に比べて溝部６１へ容易に充実させることができる。なお、第１のカバー基板２の材料であるＳｉのヤング率は１３０ＧＰａであるのに対して、上述の低弾性材料として採用可能なポリエチレン、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎのヤング率は、それぞれ、７．６×１０^−１ＧＰａ、７８ＧＰａ、８２．７ＧＰａ、７０．３ＧＰａ、１０８ＧＰａである。

以上説明した本実施形態の加速度センサＡでは、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する応力緩和部６０が設けられていることにより、実装基板４０との線膨張率差に起因して撓み部１３に生じる応力を緩和することができて特性劣化（本実施形態では、センサ特性の劣化）を抑制でき、しかも、応力緩和部６０が、外部接続用電極２５と撓み部１３との間の要所に形成された応力緩和用の溝部６１に充実された充実体６２からなり、当該充実体６２の材料として溝部６１の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いているので、機械的強度を高めることができるとともに溝部６１への異物の侵入を防止することができ、信頼性を高めることができる。また、本実施形態の加速度センサＡは、第１のカバー基板２の外部接続用電極２５を第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との接合領域よりも内側に形成してあるので、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力をより緩和することができる。

また、本実施形態の加速度センサＡは、外部接続用電極２５の周辺に外部接続用電極２５の材料に比べて半田濡れ性の低い材料（例えば、ＳｉＯ_２、レジストなどの絶縁材料）により形成された絶縁膜からなる半田広がり防止部２７が形成されているので、実装基板４０へ半田リフローにより実装する際に半田が外部接続用電極２５の周辺まで流出するのを防止することができて接合面積の増大による応力の増大を抑制することができる。

なお、本実施形態では、加速度センサＡと実装基板４０との接合部５０を半田により形成しているが、接合部５０は半田に限らず、Ａｕバンプなどのバンプにより形成してもよく、接合部５０をＡｕバンプにより形成する場合には、接合部５０を半田により形成する場合に比べて各外部接続用電極２５の大きさを小さくすることが可能となる（例えば、半田により形成する場合には２００μｍ□以上の大きさに設定するのが望ましいが、Ａｕバンプにより形成する場合には１００μｍ□以下の大きさに設定することが可能となる）。ここにおいて、接合部５０を半田により形成する場合の接合温度は２７０℃程度、接合部５０をＡｕバンプにより形成する場合の接合温度は１００〜４００℃程度に設定すればよい。

また、本実施形態では、第１のカバー基板２を第１のシリコンウェハを加工して形成するとともに、第２のカバー基板３を第２のシリコンウェハを加工して形成してあるが、各カバー基板２，３は、シリコンウェハに限らず、センサ基板１の基礎となるＳＯＩウェハとの線膨張率差が小さな基板であればよく、例えば、パイレックス（登録商標）などのガラス基板やセラミック基板（例えば、アルミナセラミック基板）などを採用してもよく、第１のカバー基板２をアルミナセラミック基板を用いて形成する場合には、上述の低弾性材料として、アルミナセラミックよりも弾性率の低い材料を採用すればよく、アルミナセラミックのヤング率が３５５ＧＰａであってＳｉのヤング率よりも大きいので、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、鋼鉄などの金属の採用も可能となり、低弾性材料の選択肢が増える。なお、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、鋼鉄のヤング率は、それぞれ、１３０ＧＰａ、１９９ＧＰａ〜２２０ＧＰａ、２０６ＧＰａである。

（実施形態２）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態１と略同じであって、図５に示すように、応力緩和部６０が、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面にも形成されている点、外部接続用電極２５と貫通孔配線２４とを電気的に接続する配線２６の一部が溝部６１の内面に沿って形成されている点などが相違し、他の構成は実施形態１と同様なので説明を省略する。

本実施形態における第１のカバー基板２は、各溝部６１の深さ寸法を第１のカバー基板２の厚み寸法よりもやや大きく設定してあり、両面に形成する溝部６１の位置をずらすことによって外部接続用電極２５と第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との接合位置との間に蛇腹状の形状が形成されるようにしてある。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、実施形態１に比べて、実装基板４０から撓み部１３までの応力伝達距離が長くなるので、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を低減することができる。なお、第１のカバー基板２の両面に形成する溝部６１の深さ寸法は必ずしも同じ値に設定する必要はなく、第１のカバー基板２の厚み寸法をＴ１、センサ基板１側の表面に形成する溝部６１の深さ寸法をＤ１、センサ基板１側とは反対側の表面に形成する溝部６１の深さ寸法をＤ２とすれば、Ｔ１≦（Ｄ１＋Ｄ２）の条件を満たすように適宜設定すればよい。また、配線２６は、実施形態１と同様の材料を採用してもよいが、溝部６１の内面に沿って形成する必要があるので、貫通孔配線２４と同様にＣｕを採用することが望ましい。

また、本実施形態では、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面において外部接続用電極２５の近傍に形成された応力緩和部６０を備えているが、実施形態１にて説明した半田広がり防止部２７が形成されているので、低弾性材料として金属を採用した場合でも、外部接続用電極２５と応力緩和部６０とが半田により接合されるのを防止することができ、応力緩和部６０の応力緩和機能の低下を防止できる。なお、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面に形成する応力緩和部６０は、第１のカバー基板２とセンサ基板１との接合前に形成してもよいし、接合後に形成してもよい。

（実施形態３）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態２と略同じであって、図６に示すように、応力緩和部６０の溝部６１が、内底面から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されている点が相違し、他の構成は実施形態２と同様なので説明を省略する。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、溝部６１へ低弾性材料を容易に充実させることができる。

（実施形態４）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態３と略同じであって、図７に示すように、外部接続用電極２５と電気的に接続される配線２６が溝部６１を避けて形成されている点が相違し、他の構成は実施形態３と同様なので説明を省略する。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、外部接続用電極２５と電気的に接続される配線２６が溝部６１を避けて形成されているので、配線２６の形成が容易になる。

（実施形態５）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態１と略同じであり、図８に示すように、センサ基板１がＡｕバンプからなる接合部９を介して第１のカバー基板２にフリップチップ実装されており、第１のカバー基板２と、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１の実装面側においてセンサ基板１を囲む形で第１のカバー基板２に接合された第２のカバー基板３とでパッケージが構成されている点などが相違する。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の加速度センサＡでは、実施形態１にて説明したセンサ基板１の第１の電気接続用金属層１９をセンサ基板１のパッドとして、各パッド１９と実施形態１にて説明した第１のカバー基板２の第２の電気接続用金属層２９とをＡｕバンプからなる接合部９を介して接合してある。また、第２のカバー基板３は、実施形態１と同様に、第２のシリコンウェハを用いて形成されているが、本実施形態における第２のカバー基板３には、第１のカバー基板２との対向面に、センサ基板１を収納する収納凹所３２が形成されており、第１のカバー基板２と第２のカバー基板３との周部同士が全周に亘って接合されている。ここにおいて、本実施形態では、第１のカバー基板２と第２のカバー基板３とが、Ｓｉ−ＳｉＯ_２の組み合わせの常温接合により接合されているが、両者の周部に表面側にＡｕ膜を有する封止用金属層を形成して、Ａｕ−Ａｕの組み合わせの常温接合により接合するようにしてもよい。

なお、本実施形態では、接合部９の突出高さによりセンサ基板１の可動部と第１のカバー基板２との間の間隔を制御することができるので、第１のカバー基板２には、実施形態１にて説明した変位空間形成用凹部２１（図１参照）は形成されていない。また、本実施形態の加速度センサＡは、各カバー基板２，３の平面サイズがセンサ基板１の平面サイズよりも大きくなっており、第１のカバー基板２の外部接続用電極２５をセンサ基板１側とは反対側の表面の周部においてセンサ基板１とは重ならない領域に形成してある。要するに、本実施形態の加速度センサＡは、第１のカバー基板２の外部接続用電極２５を第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との接合領域よりも外側に形成してある。

以上説明した本実施形態の加速度センサＡは、実施形態１と同様、応力緩和部６０が、外部接続用電極２５と撓み部１３との間の要所に形成された応力緩和用の溝部６１に充実された充実体６２からなり、当該充実体６２の材料として溝部６１の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いているので、機械的強度を高めることができるとともに溝部６１への異物の侵入を防止することができ、信頼性を高めることができる。なお、本実施形態では、センサ基板１と第１のカバー基板２との接合部９をＡｕバンプにより形成してあり、３０℃〜４００℃の温度範囲内でセンサ基板１と第１のカバー基板２とを接合しているが、接合部９を半田により形成して２７０℃程度の温度で半田リフローにより接合するようにしてもよい。

（実施形態６）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態５と略同じであり、図９に示すように、応力緩和部６０が、第１のカバー基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面にも形成されている点、外部接続用電極２５と貫通孔配線２４とを電気的に接続する配線２６の一部が溝部６１の内面に沿って形成されている点などが相違し、他の構成は実施形態５と同様なので説明を省略する。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、実施形態５に比べて、実装基板４０から撓み部１３までの応力伝達距離が長くなるので、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を低減することができる。なお、第１のカバー基板２の両面に形成する溝部６１の深さ寸法は必ずしも同じ値に設定する必要はなく、第１のカバー基板２の厚み寸法をＴ１、センサ基板１側の表面に形成する溝部６１の深さ寸法をＤ１、センサ基板１側とは反対側の表面に形成する溝部６１の深さ寸法をＤ２とすれば、Ｔ１≦（Ｄ１＋Ｄ２）の条件を満たすように適宜設定すればよい。なお、配線２６は、実施形態５と同様の材料を採用してもよいが、溝部６１の内面に沿って形成する必要があるので、貫通孔配線２４と同様にＣｕを採用することが望ましい。

（実施形態７）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態６と略同じであって、図１０に示すように、応力緩和部６０の溝部６１が、内底面から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されている点が相違し、他の構成は実施形態６と同様なので説明を省略する。

（実施形態８）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態６と略同じであって、図１１に示すように、第１のカバー基板２の外部接続用電極２５を第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との接合領域よりも内側に形成してあり、第１のカバー基板２における外部接続用電極２５と第２の電気接続用金属層２９との間の部位に応力緩和部６０が形成されている点が相違し、他の構成は実施形態６と同様なので説明を省略する。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、第１のカバー基板２の外部接続用電極２５を第１のカバー基板２におけるセンサ基板１との接合領域よりも内側に形成してあるので、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力をより緩和することができるとともに、パッケージの小型化を図れる。

（実施形態９）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態８と略同じであって、図１２に示すように、外部接続用電極２５と電気的に接続される配線２６が溝部６１を避けて形成されている点が相違し、他の構成は実施形態８と同様なので説明を省略する。

（実施形態１０）
本実施形態の加速度センサＡは、実施形態１にて説明したカバー基板２，３（図１参照）を備えておらず、図１３に示すように、センサ基板１のみにより構成されており、実施形態１にて説明したセンサ基板１の第１の電気接続用金属層１９を外部接続用電極として、外部接続用電極１９と実装基板４０の導体パターン４３とを半田あるいはＡｕバンプからなる接合部５０を介して接合するようになっている。ここにおいて、本実施形態では、実装基板４０として、一面が開放された矩形箱状のセラミック基板を用いており、加速度センサＡを実装基板４０に実装して用いる場合には、実装基板４０の内部空間４１に加速度センサＡを収納した後で、上記一面を閉塞する鉄合金からなる平板状の蓋体４５を実装基板４０に封着するようにしている。要するに、本実施形態では、実装基板４０と蓋体４５とで加速度センサＡを収納するパッケージを構成している。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の加速度センサＡは、外部接続用電極１９と撓み部１３との間の要所に形成する応力緩和用の溝部６１を、センサ基板１の実装基板４０側の表面において外部接続用電極１９よりも内側で外部接続用電極１９の近傍に形成してあり、金属配線１７の一部が溝部６１の内面に沿って形成されている。

以上説明した本実施形態の加速度センサＡは、実施形態１と同様、応力緩和部６０が、外部接続用電極１９と撓み部１３との間の要所に形成された応力緩和用の溝部６１に充実された充実体６２からなり、当該充実体６２の材料として溝部６１の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いているので、機械的強度を高めることができるとともに溝部６１への異物の侵入を防止することができ、信頼性を高めることができる。

また、本実施形態の加速度センサＡは、外部接続用電極１９の周辺に外部接続用電極１９の材料に比べて半田濡れ性の低い材料（例えば、ＳｉＯ_２、レジストなどの絶縁材料）により形成された絶縁膜からなる半田広がり防止部１５が形成されているので、実装基板４０へ半田リフローにより実装する際に半田が外部接続用電極１９の周辺まで流出するのを防止することができて接合面積の増大による応力の増大を抑制することができる。

（実施形態１１）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態１０と略同じであって、図１４に示すように、応力緩和部６０の溝部６１が、内底面から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されている点が相違し、他の構成は実施形態１０と同様なので説明を省略する。

（実施形態１２）
本実施形態の加速度センサＡの基本構成は実施形態１１と略同じであって、図１５に示すように、外部接続用電極２５と電気的に接続される金属配線１７が溝部６１を避けて形成されている点が相違し、他の構成は実施形態１１と同様なので説明を省略する。

しかして、本実施形態の加速度センサＡでは、外部接続用電極１９と電気的に接続される配線である金属配線１７が溝部６１を避けて形成されているので、金属配線１７の形成が容易になる。

上述の各実施形態では、半導体装置として、ピエゾ抵抗形の加速度センサを例示したが、本発明の技術思想は、ピエゾ抵抗形の加速度センサに限らず、例えば、容量形の加速度センサやジャイロセンサ、圧力センサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、マイクロバルブなどにも適用できる。

実施形態１の加速度センサを実装基板に実装した状態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略断面図である。同上の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。同上の加速度センサにおけるセンサ基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。同上の加速度センサにおけるセンサ基板の回路図である。実施形態２の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。実施形態３の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。実施形態４の加速度センサを示し、（ａ）は実装基板に実装した状態の要部概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。実施形態５の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す概略断面図である。実施形態６の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。実施形態７の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。実施形態８の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す要部概略断面図である。実施形態９の加速度センサを示し、（ａ）は実装基板に実装した状態の要部概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。実施形態１０の加速度センサを実装基板に実装した状態を示す概略断面図である。実施形態１１の加速度センサを実装基板に実装した状態の要部概略断面図である。実施形態１２の加速度センサを示し、（ａ）は実装基板に実装した状態の要部概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。

符号の説明

Ａ加速度センサ（半導体装置）
１センサ基板
２第１のカバー基板
３第２のカバー基板
１３撓み部（可撓性要素部）
２５外部接続用電極（半田リフロー用パッド）
２６配線
４０実装基板
４３導体パターン
５０接合部
６０応力緩和部
６１溝部
６２充実体

Claims

半導体基板の一部からなる薄肉の可撓性要素部を有するとともに一表面側に複数の外部接続用電極を有する半導体装置であって、外部接続用電極と実装基板の導体パターンとの接合に伴い可撓性要素部に発生する応力を緩和する応力緩和部が設けられ、当該応力緩和部は、外部接続用電極と可撓性要素部との間の要所に形成された応力緩和用の溝部に充実された充実体からなり、当該充実体の材料として溝部の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料を用いてなることを特徴とする半導体装置。
前記低弾性材料は、樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記溝部は、内底面から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
前記外部接続用電極が半田リフロー用パッドであり、半田リフロー用パッドの周辺に当該半田リフロー用パッドの材料に比べて半田濡れ性の低い材料からなる半田広がり防止部が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記外部接続用電極と電気的に接続される配線が前記溝部を避けて形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。