JP4081496B2 - ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ - Google Patents
ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4081496B2 JP4081496B2 JP2006089589A JP2006089589A JP4081496B2 JP 4081496 B2 JP4081496 B2 JP 4081496B2 JP 2006089589 A JP2006089589 A JP 2006089589A JP 2006089589 A JP2006089589 A JP 2006089589A JP 4081496 B2 JP4081496 B2 JP 4081496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- bonding metal
- wafer
- acceleration sensor
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
以下、本実施形態の加速度センサについて図1〜図11を参照しながら説明する。
以下、本実施形態の加速度センサについて図12〜図18を参照しながら説明する。
2 貫通孔配線形成基板
3 カバー基板
10 センサウェハ
20 第1のパッケージウェハ
30 第2のパッケージウェハ
100 ウェハレベルパッケージ構造体
Claims (3)
- 枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され且つ撓み部にゲージ抵抗が設けられた加速度センサ本体を複数形成した第1の半導体ウェハからなるセンサウェハと、センサウェハの一表面側で加速度センサ本体のフレーム部の全周に亘って周部が封着される第1のパッケージ用基板部ごとに加速度センサ本体のゲージ抵抗に電気的に接続される貫通孔配線が形成された第2の半導体ウェハからなる第1のパッケージウェハと、センサウェハの他表面側で加速度センサ本体のフレーム部の全周に亘って周部が封着される第2のパッケージ用基板部を複数形成した第3の半導体ウェハからなる第2のパッケージウェハとを備え、センサウェハは、前記一表面側において、加速度センサ本体ごとに、フレーム部の周部の全周に亘って第1の封止用接合金属層が形成されるとともに、第1の封止用接合金属層よりも内側にゲージ抵抗と電気的に接続された第1の接続用接合金属層が形成され、第1のパッケージウェハは、センサウェハ側の表面において、第1のパッケージ用基板部ごとに、周部の全周に亘って第2の封止用接合金属層が形成されるとともに、第2の封止用接合金属層よりも内側に貫通孔配線と電気的に接続された第2の接続用接合金属層が形成されてなり、第1の封止用接合金属層と第1の接続用接合金属層とが、センサウェハの同一平面上に同一厚さで形成されるとともに、第2の封止用接合金属層と第2の接続用接合金属層とが、第1のパッケージウェハの同一平面上に同一厚さで形成され、且つ、センサウェハと第1のパッケージウェハとは第1の封止用接合金属層と第2の封止用接合金属層との活性化された接合表面同士が常温接合されるとともに、第1の接続用接合金属層と第2の接続用接合金属層との活性化された接合表面同士が常温接合され、第1のパッケージウェハは、第2の接続用接合金属層における第1の接続用接合金属層との接合部位を、当該第2の接続用接合金属層における貫通孔配線との接続部位からずらしてあり、センサウェハと第2のパッケージウェハとは、加速度センサ本体のフレーム部と第2のパッケージ用基板部の周部との活性化された接合表面同士が常温接合されてなることを特徴とするウェハレベルパッケージ構造体。
- 前記加速度センサ本体は、前記ゲージ抵抗と協働する集積回路が形成されてなることを特徴とする請求項1記載のウェハレベルパッケージ構造体。
- 枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され且つ撓み部にゲージ抵抗が設けられた加速度センサ本体と、加速度センサ本体のゲージ抵抗に電気的に接続される貫通孔配線が形成され加速度センサ本体の一表面側に封着された第1のパッケージ用基板部と、加速度センサ本体の他表面側においてフレーム部の全周に亘って周部が封着された第2のパッケージ用基板部と備え、加速度センサ本体は、フレーム部の周部の全周に亘って第1の封止用接合金属層が形成されるとともに、第1の封止用接合金属層よりも内側にゲージ抵抗と電気的に接続された第1の接続用接合金属層が形成され、第1のパッケージ用基板部は、加速度センサ本体側の表面において、周部の全周に亘って第2の封止用接合金属層が形成されるとともに、第2の封止用接合金属層よりも内側に貫通孔配線と電気的に接続された第2の接続用接合金属層が形成されてなり、第1の封止用接合金属層と第1の接続用接合金属層とが、加速度センサ本体の同一平面上に同一厚さで形成されるとともに、第2の封止用接合金属層と第2の接続用接合金属層とが、第1のパッケージ用基板部の同一平面上に同一厚さで形成され、且つ、加速度センサ本体と第1のパッケージ用基板部とは第1の封止用接合金属層と第2の封止用接合金属層との活性化された接合表面同士が常温接合されるとともに、第1の接続用接合金属層と第2の接続用接合金属層との活性化された接合表面同士が常温接合され、第1のパッケージ用基板部は、第2の接続用接合金属層における第1の接続用接合金属層との接合部位を、当該第2の接続用接合金属層における貫通孔配線との接続部位からずらしてあり、加速度センサ本体と第2のパッケージ用基板部とは、加速度センサ本体のフレーム部と第2のパッケージ用基板部の周部との活性化された接合表面同士が常温接合されてなることを特徴とする加速度センサ。
Priority Applications (17)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089589A JP4081496B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-03-28 | ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ |
US12/094,674 US8067769B2 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
PCT/JP2006/323453 WO2007061054A1 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | ウェハレベルパッケージ構造体、および同パッケージ構造体から得られるセンサ装置 |
TW095143563A TWI310366B (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer-level package structure, and sensor device obtained from the same |
EP17183596.0A EP3257809A1 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer level package structure and production method therefor |
PCT/JP2006/323445 WO2007061047A1 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | ウェハレベルパッケージ構造体およびその製造方法 |
US12/094,600 US8080869B2 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer level package structure and production method therefor |
EP06833257A EP1953815B1 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
KR1020087012910A KR100985453B1 (ko) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | 센서 장치 및 그 제조 방법 |
PCT/JP2006/323462 WO2007061062A1 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | ウェハレベルパッケージ構造体の製造方法 |
TW095143570A TW200733318A (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer-level package structure and production method therefor |
EP06833249.3A EP1953814B1 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Wafer level package structure and method for manufacturing same |
EP06833263A EP1953817B1 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Sensor device and method for manufacturing same |
PCT/JP2006/323459 WO2007061059A1 (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | センサ装置およびその製造方法 |
TW095143559A TWI310365B (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Sensor device and production method therefor |
US12/094,771 US7674638B2 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Sensor device and production method therefor |
TW095143580A TW200733264A (en) | 2005-11-25 | 2006-11-24 | Method of producing wafer-level package structure |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005341225 | 2005-11-25 | ||
JP2006089589A JP4081496B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-03-28 | ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007171152A JP2007171152A (ja) | 2007-07-05 |
JP4081496B2 true JP4081496B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=38297893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089589A Expired - Fee Related JP4081496B2 (ja) | 2005-11-25 | 2006-03-28 | ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4081496B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102336390A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-01 | 矽品精密工业股份有限公司 | 具有压力感测器的微机电结构及其制造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5016382B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-09-05 | パナソニック株式会社 | センサ装置およびその製造方法 |
JP5260890B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | センサ装置およびその製造方法 |
JP5016383B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-09-05 | パナソニック株式会社 | センサ装置 |
-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006089589A patent/JP4081496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102336390A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-01 | 矽品精密工业股份有限公司 | 具有压力感测器的微机电结构及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007171152A (ja) | 2007-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938198B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP4081496B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ | |
JP3938204B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP3938205B1 (ja) | センサエレメント | |
JP4839826B2 (ja) | センサモジュール | |
JP4867792B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP3938199B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP4715503B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 | |
JP2008008672A (ja) | 加速度センサ | |
JP2008049467A (ja) | 半導体装置 | |
JP5395412B2 (ja) | インタポーザ | |
JP3938206B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP2007171153A (ja) | センサエレメント | |
JP2010008172A (ja) | 半導体装置 | |
JP3938203B1 (ja) | センサエレメントおよびウェハレベルパッケージ構造体 | |
JP4000169B2 (ja) | チップサイズパッケージ | |
JP3938201B1 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP4665733B2 (ja) | センサエレメント | |
JP2008244174A (ja) | センサ素子の製造方法 | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP4816065B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 | |
JP4000170B2 (ja) | チップサイズパッケージ | |
JP2008244169A (ja) | センサエレメント | |
JP3938200B1 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP4000167B2 (ja) | センサ装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |