JP2008049467A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置たる加速度センサAは、重り部12と各撓み部13とからなる可動部を有するセンサ基板(機能基板)1と、第1のカバー基板2と、可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板3とを備える。第1のカバー基板2は、センサ基板1の第1の電気接続用金属層19に接合される第2の電気接続用金属層29よりも外部接続用電極25が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極25と実装基板40の導体パターン43との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部20bが形成されている。
【選択図】図1
Description
本実施形態の半導体装置について図1〜図4を参照しながら説明するが、本実施形態では半導体装置として、図1に示すように実装基板(例えば、ガラスエポキシ樹脂基板など)40に実装して用いる加速度センサAを例示する。
本実施形態の加速度センサAの基本構成は実施形態1と略同じであって、図5に示すように、外部接続用電極25と電気的に接続される配線26が溝部20bを避けて形成されている点が相違し、他の構成は実施形態1と同様なので説明を省略する。
本実施形態の加速度センサAの基本構成は実施形態2と略同じであって、図6に示すように、溝部20b内に、溝部20bの周辺部位の材料(つまり、第1のカバー基板2の材料であるSi)よりも弾性率(ヤング率)の低い低弾性材料を充実させることで低弾性材料部20dを形成してある点が相違し、他の構成は実施形態2と同様なので説明を省略する。
1 センサ基板(機能基板)
2 第1のカバー基板
3 第2のカバー基板
9 接合部
11 フレーム部
12 重り部
13 撓み部
19 第1の電気接続用金属層
20b 溝部
23 絶縁膜
24 貫通孔配線
25 外部接続用電極(半田リフロー用パッド)
26 配線
27 半田広がり防止部
28 蛇腹状構造部
29 第2の電気接続用金属層
40 実装基板
43 導体パターン
50 接合部
Claims (5)
- 半導体基板を用いて形成され厚み方向に変位可能な可動部を有する機能基板と、一表面側に機能基板の複数の第1の電気接続用金属層と接合された複数の第2の電気接続用金属層を有するとともに他表面側に複数の第2の電気接続用金属層それぞれと貫通孔配線を介して電気的に接続された複数の外部接続用電極を有する第1のカバー基板と、第1のカバー基板との間に機能基板を囲む形で第1のカバー基板の前記一表面側に接合され機能基板の厚み方向への可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板とを備え、第1のカバー基板は、第2の電気接続用金属層よりも当該第2の電気接続用金属層と電気的に接続される外部接続用電極が内側に位置するように両者の形成位置をずらしてあり、第2の電気接続用金属層と当該第2の電気接続用金属層に電気的に接続された外部接続用電極との間の領域に、外部接続用電極と実装基板の導体パターンとの接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
- 前記第1のカバー基板は、前記領域において前記一表面側および前記他表面側それぞれに、前記溝部が形成され、前記第2の電気接続用金属層と前記外部接続用電極との間に蛇腹状構造部が形成されるように前記溝部の形成位置を前記一表面側と前記他表面側とでずらしてあることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1のカバー基板は、前記外部接続用電極が半田リフロー用パッドであり、半田リフロー用パッドの周辺に当該半田リフロー用パッドの材料に比べて半田濡れ性の低い材料からなる半田広がり防止部が形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1のカバー基板の前記他表面側で前記外部接続用電極と前記貫通孔配線とを電気的に接続する配線が前記溝部を避けて形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1のカバー基板は、前記溝部の周辺部位の材料よりも弾性率の低い低弾性材料が前記溝部に充実されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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