WO2005052534A1 - 圧力センサ装置 - Google Patents

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WO2005052534A1
WO2005052534A1 PCT/JP2004/017981 JP2004017981W WO2005052534A1 WO 2005052534 A1 WO2005052534 A1 WO 2005052534A1 JP 2004017981 W JP2004017981 W JP 2004017981W WO 2005052534 A1 WO2005052534 A1 WO 2005052534A1
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WO
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acoustic wave
surface acoustic
piezoelectric substrate
sensor device
pressure sensor
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/017981
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English (en)
French (fr)
Inventor
Akira Oikawa
Kaoru Matsuo
Hiroshi Tachioka
Original Assignee
Kyocera Corporation
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Publication date
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Priority to US10/580,899 priority patent/US7353710B2/en
Priority to DE112004002297T priority patent/DE112004002297T5/de
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0008Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
    • G01L9/0022Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
    • G01L9/0025Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element with acoustic surface waves

Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor device that oscillates an electric signal by detecting a pressure change of a gas or a liquid, such as monitoring an air pressure in a tire.
  • a piezoelectric surface acoustic wave element 54 and a surface acoustic wave element 57 composed of comb-shaped electrodes are provided on a piezoelectric substrate 51.
  • a structure in which the area where the surface acoustic wave element 54 is formed is set to be thinner than the area where the surface acoustic wave element 57 is formed (for example, See Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-82-130.
  • the surface stress of the piezoelectric substrate 51 changes due to the pressure applied to the surface acoustic wave element 54 formed in the thinned region, and the sound speed of the surface acoustic wave changes.
  • the distance between the electrodes of the surface acoustic wave element 54 changes.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element 54 changes, and pressure can be detected based on the change in the resonance frequency.
  • it also has a function of performing temperature compensation in accordance with a change in the resonance frequency of the surface acoustic wave element 57 formed on the same piezoelectric substrate.
  • An object of the present invention is to provide a highly reliable pressure sensor device which can increase the deformation of a surface acoustic wave element when subjected to pressure to improve sensitivity, and can be reduced in size.
  • the pressure sensor device has a first piezoelectric substrate having a reference surface acoustic wave element formed on an upper surface thereof, and a pressure detection surface acoustic wave element having a thickness smaller than the first piezoelectric substrate and a lower surface formed thereon.
  • the thickness of the second piezoelectric substrate provided with the surface acoustic wave element for pressure detection is generally thinner than the thickness of the first piezoelectric substrate provided with the surface acoustic wave element for reference. Because of this, the deformation of the second piezoelectric substrate (the surface acoustic wave element for pressure detection) when receiving pressure increases, and high sensitivity can be obtained as a pressure sensor device.
  • the pressure acting on the second piezoelectric substrate can be detected by referring to the output signal of the pressure detecting surface acoustic wave element.
  • the reference surface acoustic wave element and the pressure detection surface acoustic wave element are provided on different piezoelectric substrates at least partially facing each other, so that both elements are formed side by side on the same plane. Since the area occupied by both elements can be reduced in a plan view as compared with the case of performing the above, the size can be reduced. Further, it is preferable that the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate have substantially the same thermal expansion coefficient in at least one direction. With this arrangement, both piezoelectric substrates have the same thermal expansion coefficient in the same direction.Therefore, when the second piezoelectric substrate is mounted on the first piezoelectric substrate, problems such as the occurrence of cracks due to the addition of thermal history are avoided. Can be reduced.
  • first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate are each a single piezoelectric substrate having the same composition.
  • the cut angles of the two piezoelectric substrates and the propagation direction of the surface acoustic wave with respect to the crystal axis of the piezoelectric single crystal are substantially the same or crystallographically equivalent.
  • the sealing member may be made of a conductive material, and the sealing member may be electrically connected to a ground terminal provided on a lower surface of the first piezoelectric substrate. If this is the case, the electromagnetic shielding properties of the surface acoustic wave element for reference and the surface acoustic wave element for pressure detection can be increased, and the sensitivity of pressure detection can be increased.
  • an electrode pad electrically connected to the surface acoustic wave element for pressure detection is provided on a lower surface of the second piezoelectric substrate and inside the sealing material, On the upper surface of the first piezoelectric substrate, a connection pad electrically connected to the electrode pad via a conductive bonding material is provided on the inner side of the sealing material.
  • the electrical connection between the two elements can also be improved in electromagnetic shielding and better protected from the external environment.
  • the above-described conventional pressure sensor device since the pressure sensor device and the acceleration sensor are separately provided, the unit shape becomes large. Further, the above-described conventional pressure sensor device requires assembling work of the pressure sensor device and the acceleration sensor, respectively, which causes a decrease in productivity.
  • the pressure sensor device may be configured such that one end of one of the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate is extended from the other piezoelectric substrate while being extended from the other piezoelectric substrate. Is formed, and an acceleration detecting element for detecting acceleration is provided in the extending portion. This makes it possible to detect acceleration, reduce the number of parts, and reduce the size and weight of the pressure sensor device without having to separately prepare a substrate for the acceleration detection element. You.
  • the extending portion may be formed on a second piezoelectric substrate that is thinner than the first piezoelectric substrate.
  • the application of the acceleration makes it easier to bend and improves the acceleration detection sensitivity.
  • the pressure sensor device includes: an oscillation circuit that externally transmits a pressure detection signal based on an output signal of the surface acoustic wave element for pressure detection and the reference surface acoustic wave element; and an acceleration from the acceleration detection element.
  • An acceleration detection circuit that outputs a predetermined electric signal based on the detection signal; a power supply unit that supplies power to the oscillation circuit; and a power supply control circuit that controls power supply from the power supply unit to the oscillation circuit.
  • the power supply control circuit controls power supply from a power supply unit to the power amplifier based on whether the acceleration has exceeded a threshold value.
  • pressure detection can be performed only when acceleration is being sensed, such as when moving a vehicle.
  • the power consumption of the power amplifier can be reduced, and the power supply can last longer.
  • the acceleration detecting element is formed by a surface acoustic wave element
  • the pressure detecting section and the acceleration detecting element are both manufactured in the same manufacturing process. Because it can be formed at any time, the manufacturing process can be shortened, and productivity can be improved.
  • an antenna pattern electrically connected to the oscillation circuit is provided on the first piezoelectric substrate or the second piezoelectric substrate, an output signal output from the oscillation circuit is wirelessly transmitted to a receiving device.
  • the pressure can be transmitted, and the receiver can obtain pressure information even at a location farther from the pressure sensor device.
  • the antenna pattern has a structure in which it is attached to the upper surface of the second piezoelectric substrate, the oscillation circuit and the antenna pattern are arranged close to each other, and the wiring portion connecting the two can be shortened.
  • the influence of transmission loss due to the wiring section is reduced, and electric signals can be transmitted with almost no attenuation. Therefore, the power consumption of the battery can be reduced, and the output level of the oscillation signal output from the oscillation circuit is increased, so that the pressure information can be more reliably wirelessly transmitted to other receiving devices.
  • the antenna pattern is preferably formed in a region of the piezoelectric substrate excluding a region immediately above the surface acoustic wave element for pressure detection.
  • the effective length of the antenna pattern can be increased and the gain of the antenna can be increased.
  • FIG. 1 is a sectional view of a pressure sensor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the pressure sensor device.
  • FIG. 3 is an external perspective view of a supporting piezoelectric substrate of the pressure sensor device.
  • FIG. 4 is an external perspective view of another supporting piezoelectric substrate of the pressure sensor device.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a pressure sensor device with an acceleration detection sensor according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing the lower surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 used in the pressure sensor device of FIG.
  • FIG. 7 is a circuit block diagram of the pressure sensor device.
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a transmission circuit used in the pressure sensor device.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing an acceleration detection circuit and a power supply control circuit used in the pressure sensor device.
  • FIG. 10 is an enlarged view of an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a pressure sensor device using another type of acceleration detection sensor.
  • FIG. 12 is a plan view showing the upper surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 of the pressure sensor device.
  • FIG. 13 is a plan view showing the lower surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 of the pressure sensor device.
  • FIG. 14 is a sectional view of a pressure sensor device with an antenna pattern according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a plan view of the antenna pattern.
  • FIG. 16 is an external perspective view of a conventional pressure sensor device.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a conventional pressure sensor device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a pressure sensor device 1 according to one embodiment of the present invention
  • FIG. FIG. 3 is an external perspective view showing a configuration of a reference surface acoustic wave element on a supporting substrate used in the pressure sensor device 1.
  • the cross section of the supporting piezoelectric substrate 3 of FIG. 1 is shown along the line AA of FIG. In FIG. 2, illustration of the protective material 15 is omitted.
  • the pressure sensor device 1 includes a supporting piezoelectric substrate 3 on which a reference surface acoustic wave element 4a is mounted, a pressure detecting piezoelectric substrate 2 on which a pressure detecting surface acoustic wave element 7a is mounted, a sealing material 5, and a conductive material. It is mainly composed of the conductive bonding material 6.
  • the supporting piezoelectric substrate 3 corresponds to a first piezoelectric substrate, and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 corresponds to a second piezoelectric substrate.
  • the supporting piezoelectric substrate 3 is made of quartz, lithium niobate, lithium tantalate. Such as a single crystal exhibiting piezoelectricity (hereinafter referred to as “piezoelectric crystal”).
  • the main surface of the supporting piezoelectric substrate 3 is formed by cutting an ingot of a piezoelectric crystal at a predetermined force angle.
  • the reference surface acoustic wave element 4a and the connection pad 4b are attached to the upper surface of the supporting piezoelectric substrate 3, and the external terminals 9 are attached to the lower surface. Via-hole conductors 8 for electrically connecting the upper and lower surfaces of the supporting piezoelectric substrate 3 are formed.
  • the reference surface acoustic wave element 4a is a surface acoustic wave (Acoustic Surfac e Wave) type resonator that resonates at a predetermined frequency.
  • the surface acoustic wave element for reference 4 a is formed on both sides of the interdigital transducer (hereinafter abbreviated as IDT) 4 aa formed on the surface of the piezoelectric substrate 1 and the propagation direction of the surface acoustic wave of the IDT 4 aa. Reflector 4 ab.
  • the IDT 4 aa and the reflector 4 ab are formed by depositing a metal material such as aluminum or gold on the surface of the piezoelectric substrate 1 by a film forming method such as sputter deposition, and using a technique such as photolithography. Thus, it is formed by forming a pattern with a thickness of about 2000 A.
  • connection pad 4b and the external terminal 9 can be formed by the same material and method as the IDT 4aa and the reflector 4ab. It is preferable to form a thick film in order to improve the adhesion strength.
  • the via-hole conductor 8 is formed by forming a hole penetrating the supporting piezoelectric substrate 3 by a sand blast method or the like, and then plating a conductive material such as Ni, Cu, or Au on one surface of the hole, or forming a hole in the hole. It is formed by filling.
  • the electrode 4 d shown in FIG. 3 is a land connecting the surface acoustic wave element for reference 4 a and the via-hole conductor 8.
  • the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is made of a piezoelectric crystal having the same composition as the supporting piezoelectric substrate 3, and the cut angle and the propagation direction of the surface acoustic wave with respect to the crystal axis of the piezoelectric crystal with respect to the supporting piezoelectric substrate 3. They are made to be substantially the same or crystallographically equivalent.
  • the term “substantially the same” includes not only the case where they are completely the same but also the case where they are shifted within the range of ⁇ 0.5 °.
  • the equivalent cut angle means that the principal surface of the piezoelectric substrate cut out by the cut is a crystallographically equivalent surface, and the “crystallographically equivalent” surface is a crystallographically equivalent surface.
  • a “crystallographically equivalent direction” is a direction that is equivalent due to the symmetry of the crystal.
  • a “crystallographically equivalent direction” is a direction that is equivalent due to the symmetry of the crystal.
  • the X plane and the Y plane The surface is an equivalent surface, for example, the X direction and the Y direction are equivalent directions.
  • the lower surface of the pressure detection piezoelectric substrate 2 has a structure in which a pressure detection surface acoustic wave element 7a and an electrode pad 7b are attached.
  • the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is set to be thinner than the supporting piezoelectric substrate.
  • the thickness of the supporting piezoelectric substrate 3 is set to 200 to 300 ⁇ m, while the thickness of the pressure detecting piezoelectric substrate is set to 50 to 75 ⁇ m.
  • the reason why the thickness of the pressure detecting piezoelectric substrate is reduced is that the amount of deformation of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 when receiving pressure is larger than the amount of deformation of the supporting piezoelectric substrate 3. This is to detect a net pressure change.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 7a is composed of an IDT and a pair of reflectors formed on both sides in the propagation direction of the surface acoustic wave of the IDT.
  • the resonance frequency is also matched with that of the reference surface acoustic wave element 4a.
  • the electrode pad 7b is connected to the above-described connection pad via a conductive bonding material 6 described later. This is for electrically connecting to the pad 4b, and it is preferable that the thickness is made large like the connection pad 4b.
  • the conductive bonding material 6 solder or AuSn, which is a high melting point material, can be used. In the process of mounting the pressure sensor device 1 on a mother port, etc., even if heat is applied, the conductive bonding material 6 is a high melting point mouth material so that the characteristics do not change due to re-melting. u S n should be used.
  • the above-described reference surface acoustic wave element 4a, the pressure detecting surface acoustic wave element 7a, and the connection pad 4b warp.
  • the sealing material 5 is interposed so as to surround the electrode pad 7b. This sealing material 5 serves as a spacer.
  • the sealing material 5 may be made of a resin or a conductive material.
  • this sealing material 5 is formed in a frame shape so as to surround the reference surface acoustic wave element 4a and the pressure-sensitive surface acoustic wave element 7a, the inside thereof, specifically, the pressure detection In the area surrounded by the piezoelectric substrate 2 for support, the piezoelectric substrate 3 for support, and the sealing material 5 (referred to as a needle stop space S), a surface acoustic wave element 4a for reference and a surface acoustic wave element 7a for pressure detection Can be hermetically sealed. As a result, it is possible to effectively prevent oxidation corrosion and the like of the IDT electrode and the like disposed in the sealing space S. Therefore, it is preferable that the sealing material 5 is formed in a frame shape.
  • the needle stopper 5 is formed of a conductive material such as solder, it is connected to the ground terminal of the external terminal electrodes 9 on the lower surface of the support substrate, so that the pressure sensor device 1 can be used. At this time, the sealing material 5 is maintained at the ground potential, and thus has an effect of improving the electromagnetic shielding property. Due to this shield effect, unnecessary external noise can be reduced favorably by the sealing material 5.
  • the heat conduction between the supporting piezoelectric substrate 3 and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is improved in addition to the shielding effect. Therefore, the temperature of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the surface acoustic wave element for reference 4a can be made substantially equal, and as described later, temperature compensation can be performed easily. Becomes easier.
  • an area surrounded by the pressure detecting piezoelectric substrate 2, the supporting piezoelectric substrate 3, and the sealing material 5 be filled with an inert gas such as a nitrogen gas or an argon gas. This makes it possible to more effectively prevent oxidation corrosion of the IDT electrode and the like.
  • the reduced-pressure piezoelectric substrate 2 for pressure detection deforms when subjected to external pressure and changes the propagation speed of the surface acoustic wave, as well as the distance between the IDT electrode fingers of the pressure-detection surface acoustic wave element 7a. And the resonance frequency of the surface acoustic wave element 7a changes due to the action of both. Then, a change in pressure can be detected based on the change in the resonance frequency.
  • the surface acoustic wave element 7a generally has a predetermined temperature characteristic, and its resonance frequency drifts due to a temperature change.
  • the reference surface acoustic wave element 4a is used. That is, since the reference surface acoustic wave element 4a has a large thickness, the above-described deformation is unlikely to occur even when an external pressure is applied. For this reason, the resonance frequency changes only in response to a change in temperature. Using this, the change data of the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a is corrected, and the influence of the temperature change is reduced. It can be removed.
  • the data of the resonance frequency and the temperature characteristic data of the surface acoustic wave element for reference 4a are different, the data of the resonance frequency and the temperature characteristic data of the surface acoustic wave element for reference 4a , And the temperature data is compared with the temperature characteristic data of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a to calculate the resonance frequency change due to the temperature of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a. It must be used to remove the effects of temperature changes.
  • the supporting pressure The piezoelectric substrate 3 and the piezoelectric substrate for pressure detection 2 are made of the same piezoelectric crystal, and the cut angles of both piezoelectric substrates and the propagation direction of the surface acoustic wave with respect to the crystal axis of the piezoelectric crystal are substantially the same or crystallographically.
  • the “temperature versus resonance frequency characteristic” of the surface acoustic wave element for reference 4 a and the surface acoustic wave element for pressure detection 7 a are made to be the same by making the surface acoustic wave elements 4 a equivalent to each other.
  • the temperature of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the temperature of the surface acoustic wave element for reference 4a can be substantially the same, an amphoteric surface due to a temperature change generated in the pressure sensor device 1 can be obtained.
  • the amount of change in the resonance frequency of the wave element becomes equal, and the difference between the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 4a can be used to reduce the effect of the temperature change. Almost can be removed.
  • temperature compensation can be realized with a very simple configuration and method.
  • an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a is configured.
  • a change in the pressure of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a can be detected as a change in the oscillation frequency.
  • the reference surface acoustic wave element 4a is connected to another oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 4a.
  • the pressure sensor device 1 of the present embodiment is configured such that the thickness of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 provided with the pressure detecting surface acoustic wave element 7a is changed to the supporting piezoelectric substrate 3 having the reference surface acoustic wave element 4a.
  • the thickness of the pressure sensing piezoelectric substrate 2 and the pressure sensing surface acoustic wave element 7a when receiving pressure increases because the overall thickness is reduced compared to the thickness of the pressure sensor device 1. As a result, a high sensitivity can be obtained.
  • the surface acoustic wave element for reference 4a and the surface acoustic wave element for pressure detection 7a are provided on different piezoelectric substrates so as to face each other. This eliminates the need to form two electrodes on the same plane. Since the area of the plate can be reduced, the size of the pressure sensor device 1 can be reduced.
  • the supporting piezoelectric substrate 3 and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 are formed of the same piezoelectric crystal, and the directions of the corresponding crystal axes of the piezoelectric crystal are substantially parallel. Due to the arrangement, the two piezoelectric substrates have the same thermal expansion coefficient in any given direction, so that the occurrence of cracks due to the addition of thermal history is reduced.
  • the supporting piezoelectric substrate 3 and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 are made of the same piezoelectric crystal, and the cut angle of both piezoelectric substrates and the crystal of the piezoelectric crystal Since the propagation direction of the surface acoustic wave with respect to the axis is set to be substantially the same or crystallographically equivalent, the temperature characteristics of the reference surface acoustic wave element 4 a and the pressure detecting directional surface acoustic wave element 7 a are matched. By making the temperature of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the temperature of the surface acoustic wave element for reference 4a approximately equal, temperature compensation can be realized with a very simple configuration and method. can do.
  • the surface acoustic wave element for reference 4a and the surface acoustic wave element for pressure detection 7a are arranged in the space sealed by the sealing material 5, so that both the element and the electrical The electrical connection can be better protected than the external environment.
  • the first wafer used here is an aggregate substrate of the supporting piezoelectric substrate 3
  • the second wafer is an aggregate substrate of the pressure detection piezoelectric substrate 2.
  • the thickness is set to 200 to 300 ⁇ m, respectively.
  • connection pad 4b of the first wafer and the electrode pad 7b of the second wafer are connected to the sealing pad 4c of the first wafer and the sealing electrode 7c of the second wafer.
  • solder paste is temporarily connected via solder paste.
  • a paste obtained by dispersing AuSn powder in an organic vehicle was used for the paste.
  • the solder paste is applied and formed on the connection pad 4b and the sealing pad 4c by a conventionally known screen printing method or the like.
  • each electrode pad 7b and the sealing electrode 7c of the second wafer are opposed to the corresponding connection pad 4b and corresponding sealing pad 4c. At this time, the directions of the corresponding crystal axes of the first wafer and the second wafer are matched.
  • the first wafer and the second wafer are heated to melt the solder paste.
  • the reference surface acoustic wave element 4a and the pressure detection surface acoustic wave element 7a are sealed with the sealing material 5, and the respective connection pads 4b are connected via the conductive bonding material 6. It is electrically connected to each electrode pad 7b.
  • the second wafer fixed to the first wafer in this manner is polished from the upper side by rubbing or the like to set the thickness to 50 to 75 / im.
  • the second wafer is cut by dicing to divide the second wafer into a plurality of piezoelectric substrates for pressure detection, and then the liquid is filled so as to fill the gap between adjacent piezoelectric substrates for pressure detection. Is applied and thermally cured. In this embodiment, it is necessary to use a vacuum printing method because it is necessary to effectively fill the gap when the liquid resin is applied.
  • the first wafer is cut together with the above-described resin by dicing or the like.
  • the pressure sensor device 1 divided into the supporting piezoelectric substrate 3 is manufactured.
  • the resin functions as a protective material 15 for protecting the end face of the pressure-sensitive piezoelectric substrate 2 having a small thickness.
  • the pressure sensor device 1 thus configured is connected to, for example, the above-described transmission circuit 80, and is combined with a power amplifier, a power supply, and an antenna, for example, to be mounted on a tire of an automobile and to be mounted on the tire.
  • the pressure sensor device 1 can transmit and output a wireless signal in response to a change in air pressure.
  • a pressure sensor device 1 using a surface acoustic wave delay line as a surface acoustic wave element will be described with reference to FIG. In the present embodiment, only the points different from the above-described embodiments of FIGS. 1 to 3 will be described, and the same components will be denoted by the same reference numerals and duplicate description will be omitted. .
  • FIG. 4 is an external perspective view showing the supporting piezoelectric substrate 3 used in the pressure sensor device 1 of the present embodiment.
  • the pressure sensor device 1 is configured as a reference surface acoustic wave element 4a, a force surface acoustic wave delay line. is there. That is, the reference surface acoustic wave element 4 a is composed of a pair of IDT electrodes 4 aa arranged at intervals on the surface of the sensor substrate 1 and a surface acoustic wave propagation path 4 af therebetween. .
  • the pressure detecting surface acoustic wave element 7a of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is also of a surface acoustic wave delay line type.
  • the pressure sensing piezoelectric substrate 2 includes a pair of IDTs arranged at a predetermined interval on the lower surface of the pressure detection piezoelectric substrate 2 and a propagation path of the elastic surface wave therebetween. Also, on both sides of the amphoteric surface acoustic wave element in the direction of propagation of the surface acoustic wave, a silicon resin or the like is used to attenuate the surface acoustic wave and prevent the surface acoustic wave from being reflected at the end of the piezoelectric substrate. 4 h of the damping material is formed.
  • an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the delay time of the electric signal generated by the surface acoustic wave delay line of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a is configured.
  • a change in pressure can be detected as a change in oscillation frequency.
  • the reference surface acoustic wave element 4a forms an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the delay time of the electric signal generated by the reference surface acoustic wave element 4a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the pressure sensor device 1 with the acceleration sensor.
  • FIG. 6 is a plan view showing the lower surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 used in the pressure sensor device 1 with an acceleration sensor.
  • the pressure sensor device 1 with an acceleration sensor shown in these figures has a supporting piezoelectric substrate 3 on which a reference surface acoustic wave element 4a is mounted, a surface acoustic wave element 7a for pressure detection, and an acceleration detection element 21. It mainly comprises a piezoelectric substrate for pressure detection 2, a sealing material 5, and a conductive bonding material 6.
  • the structures of the adhesive material 6 and the sealing material 5 are the same as those described above with reference to FIGS. 1 to 3, and thus redundant description will be omitted.
  • one end side 36 of the pressure detection piezoelectric substrate 2 extends outside the pressure detection area 14, and an acceleration detection element is provided on the lower surface of the extension portion 36. 2 1 is formed.
  • the acceleration detection element 21 21 is deformed to detect the acceleration.
  • the acceleration detection element 21 is, for example, a surface acoustic wave device composed of an IDT electrode and a pair of reflectors formed on both sides in the surface acoustic wave propagation direction, similarly to the pressure detection surface acoustic wave element 7a. It is a wave resonator.
  • the IDT electrode 26 is connected to the electrode pad 22 via the extraction electrode 23 as shown in FIG.
  • the electrode pad 22 is electrically connected to the connection pad 28 on the supporting piezoelectric substrate 3 via a conductive bonding material 29.
  • the electrode pad 22 and the extraction electrode 23 are made of aluminum or the like, similarly to the electrode pad 7 b or the extraction electrode formed around the surface acoustic wave element for pressure detection 7 a described above. It can be obtained by forming a pattern of such a metal material by using a thin film forming technique—photolithography technique or the like.
  • ⁇ 70 is formed, for example, by bonding a plate or a laminate made of metal, ceramic, or the like to the end of the extension portion 36 with an adhesive.
  • the acceleration detecting element 21 is formed by a surface acoustic wave element as described above, it is preferable to provide a case 20 so as to hermetically seal the surface acoustic wave element. As a result, oxidation corrosion of the IDT electrode 26 can be prevented.
  • the width w 2 of the short side of the extension 36 can be set arbitrarily. If the width w2 of the short side of the extension portion 36 is made smaller than the width of the portion of the piezoelectric substrate 2 for pressure detection on which the surface acoustic wave element 7a for pressure detection is formed, the acceleration Therefore, there is an advantage that the extension portion 36 is easily bent, and the detection sensitivity of acceleration can be improved. Also, the width w2 of the short side of the extension portion 36 and the width w1 of the portion of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 where the pressure detecting elastic surface acoustic wave element 7a is formed should be the same. For example, there is an advantage that the pressure detection piezoelectric substrate 2 is shaved when the extension portion 36 is formed, and the ::: process can be omitted, and the manufacturing process of the pressure detection device 1 can be simplified.
  • the pressure detection piezoelectric substrate 2 is supported.
  • the piezoelectric substrate 3 is extended outward while being separated from the upper surface of the piezoelectric substrate 3, and the acceleration detecting element 21 is formed at the extending portion 36 alongside the surface acoustic wave element 7 a for pressure detection.
  • the number of components can be reduced, and the size and weight of the pressure sensor device 1 can be reduced.
  • the productivity of the pressure sensor device 1 can be improved.
  • the pressure sensor device 1 is mounted on a mother board 10 as shown in FIG.
  • a transmitting circuit 80, an acceleration detecting circuit 86, a power supply control circuit 87, an antenna element 95, a power amplifier 91, and the like, which will be described later, are mounted on the upper surface of the mother board 10.
  • FIG. 7 is a block circuit diagram showing a mutual connection state of the transmission circuit 80, the acceleration detection circuit 86, the power supply control circuit 87, the antenna element 95, the power amplifier 91, and the like.
  • the transmission circuit 80 constitutes, for example, an IC in which a comparator, an arithmetic means, a memory means and the like are integrated, a pressure detection oscillation circuit including the surface acoustic wave element 7a, and a reference oscillation circuit including the surface acoustic wave element 4a. It is composed of passive components such as transistors, resistors, and capacitors.
  • the transmission circuit 80 compares and calculates an output signal from the pressure detection oscillation circuit including the surface acoustic wave element 7a and an output signal from the reference oscillation circuit including the surface acoustic wave element 4a.
  • the pressure applied to the pressure sensor device 1 is detected as a pressure detection signal.
  • an output signal from a reference oscillation circuit can be used as a carrier signal for wirelessly transmitting to the outside.
  • the above-described pressure detection signal is modulated on this carrier to create a high-frequency radio signal.
  • the acceleration detection circuit 86 and the power supply control circuit 87 are electrically connected to the acceleration detection element 21.
  • Power amplifier 91 is antenna element 95 and transmitting It is connected to the circuit 80 so that the output level of the transmission signal output from the transmission circuit 80 can be increased so that wireless transmission to other receiving devices can be performed more reliably. become.
  • the above-described power supply control circuit 87 is connected to the transmission circuit 80 and the power amplifier 91, and the power supply from the power supply 85 to the transmission circuit 80 and the power amplifier 91 is controlled by the power supply control circuit 87. Like that. This makes it possible to reduce the power consumption of the power amplifier and extend the life of the power supply.
  • the antenna element 95 is connected to the above-described transmitting circuit 80 via a power amplifier 91, whereby an electric signal having a predetermined frequency output from the transmitting circuit 80 is received by another receiving circuit. Wireless transmission to the equipment is possible, and pressure information can be obtained even if it is located far from the pressure sensor device 1.
  • the antenna element 95 for example, a surface-mounted chip antenna using dielectric ceramics or the like is used, and is mounted on the supporting piezoelectric substrate 3 by soldering or the like.
  • FIG. 8 is a detailed circuit diagram of the transmitting circuit 80.
  • the transmission circuit 80 includes a pressure detection oscillation circuit 80a, a reference oscillation circuit 80b, and a detection calculation circuit.
  • the pressure detection oscillation circuit 80a oscillates based on the pressure detection surface acoustic wave element 7a formed on the pressure detection piezoelectric substrate 2 and the output signal of the pressure detection surface acoustic wave element 7a. It consists of an oscillating stage consisting of an oscillating transistor, a capacitor, and a resistor that regulates possible oscillating conditions.
  • the reference oscillation circuit 80 b includes a reference surface acoustic wave element 4 a formed on the supporting piezoelectric substrate 3 and an oscillation condition capable of oscillating based on an output signal of the reference surface acoustic wave element 4 a. It is composed of an oscillating stage consisting of an oscillating transistor, a capacitor, and a resistor.
  • the output signal of the pressure detection surface acoustic wave element 7a obtained from the pressure detection oscillation circuit 80a and the reference oscillation circuit 8 Ob The obtained output signal of the reference surface acoustic wave element 4a is compared with, for example, a comparator, and the data is passed to a calculation unit.
  • the arithmetic unit modulates the pressure detection signal into a carrier for wireless transmission to the outside to generate a high frequency signal.
  • an oscillation signal having a predetermined oscillation frequency is obtained at the oscillation stage based on the resonance signals derived from the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the surface acoustic wave element for reference 4a.
  • a resonance signal derived directly from the surface acoustic wave element without using the oscillation stage may be used.
  • the output signal of the surface acoustic wave element for pressure detection 7a and the output signal of the surface acoustic wave element for reference 4a are compared using a comparator.
  • the output signal of the pressure-sensitive surface acoustic wave element 7a and the output signal of the reference surface acoustic wave element 4a are mixed using a mixer and a bandpass filter, so that a pressure detection signal based on these two output signals is obtained. May be extracted.
  • a carrier for wireless transmission is created based on the reference surface acoustic wave element 4a on the reference side for pressure detection, and the force S, the reference surface acoustic wave element
  • an oscillation circuit for generating a carrier wave may be separately provided.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing the acceleration detection circuit 86 and the power supply control circuit 87.
  • the acceleration detection circuit 86 is composed of an acceleration detection element 21 as shown in Fig. 9, a protection circuit composed of a diode and an operational power amplifier.
  • the power supply control circuit 87 is a high-pass filter composed of a capacitor and a resistor. It consists of a source and an operational power amplifier.
  • an electromotive force proportional to the amount of change is generated.
  • the acceleration is detected by the acceleration detection circuit 86, and a control signal proportional to the change in the resonance frequency or the change in impedance is obtained.
  • this control signal is input to the power supply control circuit 87, when the level of the control signal exceeds a threshold value corresponding to a constant vehicle speed, the transmission circuit 80 and the power supply 85 such as a battery, etc.
  • the power amplifier 91 and the level of the control signal is equal to or less than the threshold, power is not supplied from the power supply 85 to the transmission circuit 80 and the power amplifier 91.
  • the threshold value of the control signal can be arbitrarily set by appropriately selecting the circuit elements constituting the power supply control circuit 87.
  • the surface acoustic wave element 7a for pressure detection formed on the piezoelectric substrate 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 4a for reference formed on the piezoelectric substrate 3 for support are as shown in FIG.
  • it may be constituted by a surface acoustic wave delay line composed of a pair of IDT electrodes 4 aa arranged at intervals and a surface acoustic wave propagation path 4 af therebetween.
  • the acceleration detecting element 21 formed on the pressure detecting piezoelectric substrate 2 also has a pair of IDT electrodes 4 aa spaced as shown in FIG. 4 and a propagation path of a surface acoustic wave between them. 4 af and a surface acoustic wave delay line.
  • the surface acoustic wave delay line When the surface acoustic wave delay line is used as described above, when an external pressure is applied to the pressure detecting piezoelectric substrate 2 from above, and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is deformed, the surface acoustic wave delay line has a positive surface. At the same time as the length of the wave propagation path changes, the propagation speed of the surface acoustic wave in the distorted part changes, and the delay time of the electric signal changes due to the action of both, so the change in the delay time is detected. By doing so, a change in pressure can be detected as in the case of the previous embodiment.
  • the acceleration G when the acceleration G is applied to the acceleration detecting element constituted by the surface acoustic wave delay line, a bending moment acts on the pressure detecting piezoelectric substrate 2 due to the force acting on the extension 36 and the sleep 70. Then, the acceleration detecting element is bent, and the surface acoustic wave element is deformed.
  • the propagation speed of the surface acoustic wave changes due to the change in the elastic constant of that portion, and the propagation of the surface acoustic wave also increases. The length of the road changes.
  • the acceleration detecting element constituted by the elastic surface wave delay line also functions as a caro velocity detecting element, similarly to the acceleration detecting element 21 in the above-described embodiment.
  • the acceleration detecting element 21 is formed only on the lower surface of the extension 36, but instead, the acceleration detection element 21 is formed on both upper and lower surfaces of the extension 36. You may do it.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the pressure sensor device 1 with the acceleration sensor of the present invention
  • FIG. 12 is a plan view showing the top surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 used in the pressure sensor device 1 with the acceleration sensor
  • FIG. FIG. 3 is a plan view showing the lower surface of a piezoelectric substrate for pressure detection 2 used in the pressure sensor device 1 with an acceleration sensor. Note that the same components as those of the pressure sensor device with an acceleration sensor 1 shown in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the acceleration detecting element 21 of the pressure sensor device 1 in FIG. 5 is configured by a monomorph element 37 instead of the IDT electrode.
  • the monomorph element 37 utilizes the Balta vibration of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 and is formed by attaching the vibrating electrodes 31 to both upper and lower surfaces of the extension 36 of the pressure detecting piezoelectric substrate 2. ing.
  • the vibrating electrode 31 is made of a metal material such as silver, and is formed by, for example, a conventionally known film forming technique such as a sputtering and vapor deposition method.
  • Such a monomorph type acceleration detecting element 21 detects the acceleration in the following manner. First, when the acceleration G is applied to the extension 36 and the weight 70, the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is bent, and the monomorph element 37 formed in the extension 36 is deformed. At this time, an electromotive force is generated according to the deformation of the monomorph element, whereby the acceleration can be detected.
  • the pattern can be formed by a solid coating pattern, and it is not necessary to hermetically seal, so that it is formed relatively easily. Can be It is possible to improve the productivity of the piezoelectric sensor device 1.
  • the vibrating electrode 31 of the acceleration detecting element 21 is attached to the upper and lower surfaces of the extension part 36 to form a monomorph element 37. Instead, a multilayer structure such as a bimorph element is used. It is good.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the pressure sensor device 1 having an antenna pattern
  • FIG. 15 is a plan view showing an upper surface of a sensor substrate used in the pressure sensor device 1 having an antenna pattern.
  • the difference between the pressure sensor device 1 of the present embodiment and the pressure sensor device 1 of FIGS. 1 to 3 described above is that the pressure sensor device 1 of the present embodiment differs from the pressure sensor device 1 of FIG. 3 2 is provided.
  • the antenna pattern 32 is for wirelessly transmitting an electric signal of a predetermined frequency output from the transmitting circuit 80 and the power amplifier 91 to another receiving device.
  • the antenna pattern 32 is formed in a meandering shape on the upper surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 except for the region 31 directly above the sensor unit.
  • the pattern of the antenna pattern 32 is formed by printing a metal material such as aluminum or copper foil by thick film printing or the like.
  • ] are about 100 ⁇ m in line width and about 10 / zm in film thickness, and the pattern length is the transmitted frequency.
  • the length corresponding to about ⁇ Z4 or about 5 ⁇ / 8 of the wavelength is formed by changing the number of meandering times (length) of the pattern.
  • a power supply line 33 is formed on a side surface of the pressure sensor device 1.
  • the power supply line 3 3 runs along the side of the pressure sensor device 1 Extending to the surface. Then, it is connected to a predetermined terminal of a mother board 10 on which the pressure sensor device 1 is mounted.
  • an acceleration detection circuit 86, a power supply control circuit 87, a power amplifier 91, and the like are mounted together with a transmission circuit 80.
  • the aforementioned reference surface acoustic wave element 4 a, pressure detecting surface acoustic wave element 7 a, connection pad 4 b, and electrode pad 7 b are provided.
  • the sealing material 5 is interposed so as to surround the sealing material.
  • the sealing material 5 may be made of resin, but has a shielding effect of blocking unnecessary noise from the outside, and at the same time, the pressure-sensitive surface acoustic wave element 7a and the reference surface acoustic wave element 4
  • the sealing material 5 is preferably made of a conductive material such as solder, in order to improve the heat conduction between the sealing material 5 and a.
  • the electronic component elements such as the transmission circuit 80 and the power amplifier 91 and the antenna pattern 32 are arranged close to each other, the feed line 33 connecting them is shortened. Therefore, the effect of the transmission loss due to the wiring portion can be eliminated as much as possible, and the electric signal output from the transmission circuit 80 can be transmitted with almost no attenuation. At the same time, the power consumption of the battery can be reduced, and the life of the battery V used in the pressure sensor device 1 module can be extended.
  • the antenna pattern 32 is formed in a meandering shape on the upper surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2 excluding the area 31 directly above the sensor section, there is no need to separately prepare an antenna substrate.
  • the number of parts can be reduced, and the pressure sensor device 1 can be used for / J, molding, and cost reduction.
  • a meandering norap-type antenna is formed on the antenna pattern 32 on the upper surface of the pressure detecting piezoelectric substrate 2, but a dipole-type antenna element or the like may be formed instead.
  • a dipole-type antenna element or the like may be formed instead.
  • the supporting piezoelectric substrate 3 and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 have a rectangular shape and are formed of piezoelectric polycrystals having the same composition, and the two substrates have substantially the same thermal expansion coefficient in the longitudinal direction (the same). And within 10% of the soil), the thermal expansion coefficient differs when a large temperature change occurs, for example, when mounting the pressure detecting piezoelectric substrate 2 on the supporting piezoelectric substrate 3. As a result, it is possible to effectively suppress the occurrence of a large stress at the joint portion and the occurrence of defects such as cracks.
  • the propagation direction of the surface acoustic wave with respect to the polarization direction of the supporting piezoelectric substrate 3 and the pressure detecting piezoelectric substrate 2 is defined as the pressure detecting surface acoustic wave element 7a and the reference surface acoustic wave element 4a.
  • the temperature characteristics of both surface acoustic wave elements can be matched, and the temperature can be compensated by a simple method as in the above-described embodiment.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 7 a is formed on the lower surface side of the piezoelectric substrate for pressure detection 2, but instead, the surface acoustic wave element for pressure detection 7 a May be formed on the upper surface side of the piezoelectric substrate 2 for pressure detection.
  • both the surface acoustic wave element constituting the pressure detection surface acoustic wave element 7a and the surface acoustic wave element constituting the acceleration detection element 21 are surface acoustic wave delay lines.
  • only one of them may be a surface acoustic wave delay line.
  • the other surface acoustic wave device may be a surface acoustic wave resonator including an IDT electrode and a reflector electrode.

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Abstract

上面に参照用弾性表面波素子4aを有した支持用圧電基板3上に、支持用圧電基板3よりも厚みが薄く、下面に圧力検出用弾性表面波素子7aを有した圧力検出用圧電基板2を搭載し、支持用圧電基板3と圧力検出用圧電基板1との間に封止材5を設ける。支持用圧電基板3と、圧力検出用圧電基板1と、封止材5とで囲まれた空間Sに、圧力検出用弾性表面波素子7a及び参照用弾性表面波素子4aを配置することができる。温度補償が可能な、小型高信頼性の圧力センサ装置1を提供することができる。

Description

明 細 書
圧力センサ装置
く技術分野 >
本発明は、 タイヤ内の空気圧の監視など、 気体や液体などの圧力変動 を検出して電気信号を発振する圧力センサ装置に関するものである。
<背景技術 >
従来より、 気体や液体などの圧力の変動を検出する圧力センサ装置と して、 印加される圧力の変動を発振周波数の変化と して検出するタイプ のものが用いられている。
かかる従来の圧力センサ装置と しては図 1 6、 図 1 7に示すように、 圧電基板 5 1上に、 櫛歯状電極より構成される弹性表面波素子 5 4及び 弾性表面波素子 5 7を形成するとともに、 弾性表面波素子 5 4が形成さ れた領域が、 弹性表面波素子 5 7が形成された領域よりも厚みを薄く設 定された構造のものが知られている (例えば特開昭 6 1— 8 2 1 3 0号 公報参照。 ) 。
上述した圧力センサ装置は、 厚みを薄く した領域に形成されている弾 性表面波素子 5 4において、 圧力を受けたことによって、 圧電基板 5 1 の表面応力が変化し弾性表面波の音速が変化するとともに、 弾性表面波 素子 5 4の電極の間隔も変化する。 このことにより、 弹性表面波素子 5 4の共振周波数が変化し、 この共振周波数の変化により圧力を検出する ことができる。
また、 同一の圧電基板上に形成された弾性表面波素子 5 7の共振周波 数の変化に応じて温度補償する機能も有している。
しかしながら、 上述した従来の圧力センサ装置においては、 弾性表面 波素子 5 7及び弾性表面波素子 5 4を圧電基板 5 1の同一面内に形成す る為、 圧電基板の面積が広くなり、 小型化を図ることが困難であるとい う問題があった。また、圧電基板 5 1の一部に肉薄部を形成しているが、 例えば小型化を図る必要がある場合には肉薄部の面積を大きく確保する ことができないので、 圧力を受けてもその変形量が少なく、 圧力センサ 装置と して高い感度を得ることができないという問題があった。
本発明の目的は、 圧力を受けたときの弾性表面波素子の変形を大きく して感度を良くするとともに、 小型化が可能で高信頼性の圧力センサ装 置を提供することにある。
く発明の開示 >
本発明の圧力センサ装置は、 上面に参照用弾性表面波素子が形成され た第 1圧電基板上と、 該第 1圧電基板より も厚みが薄く、 下面に圧力検 出用弾性表面波素子が形成された第 2圧電基板と、 前記第 1圧電基板の 上面及び前記第 2圧電基板の下面に接合され、 且つ、 前記両基板の間で 前記両素子を封止する封止空間を構成する封止材とを有してなるもので ある。
この圧力センサ装置によれば、 圧力検出用弾性表面波素子を設けた第 2圧電基板の厚みを、 参照用弾性表面波素子を有した第 1圧電基板の厚 みに比して全体的に薄くなしたことから、 圧力を受けたときの第 2圧電 基板 (圧力検出用弾性表面波素子) の変形が大きくなり、 圧力センサ装 置として高い感度が得られるようになる。
また、 参照用弾性表面波素子の出力信号に基づき、 圧力検出用弾性表 面波素子の出力信号を参照して、 第 2圧電基板に作用する圧力を検出す ることができる。
また、 参照用弾性表面波素子と圧力検出用弹性表面波素子とを、 それ ぞれ少なく とも一部が対向しあう状態で異なった圧電基板に設けること により、 両素子を同一面内に並べて形成する場合と比べて、 平面視して 両素子が占める面積を小さくできるので、 小型化を図ることができる。 更に前記第 1圧電基板及び前記第 2圧電基板は、 少なく とも一方向に おける熱膨張係数が略同一であることが好ましい。 この配置により、 両 圧電基板において同一方向における熱膨張係数が等しくなるので、 第 1 圧電基板上に第 2圧電基板を搭載した場合に、 熱履歴が加わることによ るクラックの発生等の不具合を低減することができる。
また前記第 1圧電基板及び前記第 2圧電基板は、 同一組成の圧電単結 晶から成るとともに、 両圧電基板のカッ ト角及び、 前記圧電単結晶の結 晶軸に対する弾性表面波の伝搬方向が略同一若しくは結晶学的に等価で あることが好ましい。 この構成により、 参照用弾性表面波素子と圧力検 出用弾性表面波素子の温度特性を実質的に一致させることができ、 参照 用弾性表面波素子を用いた温度補償を容易に行うことが可能となる。 また更に本発明の圧力センサ装置は、前記封止材が導体材料から成り、 且つ該封止材が前記第 1圧電基板の下面に設けられるグランド端子に電 気的に接続されているものとすれば、 参照用弾性表面波素子及び圧力検 出用弾性表面波素子の電磁遮蔽性を高めることができ、 圧力検出の感度 を上げることができる。
更にまた本発明の圧力センサ装置は、 前記第 2圧電基板の下面で、 前 記封止材の内側に、 前記圧力検出用弾性表面波素子に電気的に接続され る電極パッ ドが設けられ、 前記第 1圧電基板の上面で、 前記封止材の内 側に、 前記電極パッドに導電性接合材を介して電気的に接続される接続 パッ ドが設けられている構造とすれば、 参照用弾性表面波素子及び圧力 検出用弾性表面波素子に加え、 両素子の電気的な接続部についても、 電 磁遮蔽性を高めることができ、 外部環境より良好に保護することができ る。
ところで、 上記の圧力センサ装置を移動体に取り付ける場合、 その発 振回路を動作させるために必要な電力は、 電池等の給電手段から供給さ れるようになっている。 この場合、 電源から発振回路に対して常に電力 が供給される状態になっていると、 消費電力が大きくなり、 電池の寿命 が短命となってしまう という問題が生じる。
そこで消費電力を抑えるために、 移動体の運行によって発生する加速 度を検出することによ り、 移動体が一定以上の速さで走行しているとき にだけ、 発振回路に対して電力が供給されるようにし、 移動が停止して いるとき、 あるいは移動体の速さが一定以下の場合には発振回路への電 力供給をオフにするこ とで発振回路の消費電力を抑えるようにした圧力 センサ装置が知られている (例えば、 特開 2 0 0 2— 2 6 4 6 1 8号公 報参照。 ) 。
しかしながら、 上述した従来の圧力センサ装置は、 圧力センサ装置と 加速度センサをそれぞれ別個に設けているため、 そのュニッ ト形状が大 型化してしまう。 また上述した従来の圧力センサ装置は、 圧力センサ装 置及び加速度センサの組み立て作業がそれぞれ必要となり生産性の低下 を招く。
そこで、 本発明の圧力センサ装置は、 前記第 1圧電基板と第 2圧電基 板とのいずれかの基板の一端側を、 他方の圧電基板より離間させた状態 で、 延出させて延出部を形成し、 この延出部に、 加速度を検出する加速 度検出素子を設けたものである。 これによつて、 加速度検出素子用の基 板を別に用意する必要もなく、 加速度が検出でき、 部品点数を削減する ことができ、 圧力センサ装置の小型化及び軽量化を図ることが可能とな る。
前記延出部を、 第 1圧電基板よりも薄い第 2圧電基板に形成してもよ く、 この場合、 加速度の印加によって橈みやすくなり加速度の検出感度 を向上させることができる。
また本発明の圧力センサ装置は、 前記圧力検出用弾性表面波素子及び 前記参照用弹性表面波素子の出力信号に基づく圧力検出信号を外部に発 信する発振回路と、 前記加速度検出素子からの加速度検出信号に基づい て所定の電気信号を出力する加速度検出回路と、 前記発振回路に電力を 供給する給電手段と、 前記給電手段から前記発振回路への電力供給を制 御する給電制御回路とを含み、 前記給電制御回路は、 前記加速度がしき い値を超えたかどうかに基づいて、 給電手段から前記電力増幅器への電 力供給を制御するものである。
この制御により、 移動体の運行時など、 加速度を感知しているときに のみ圧力検出を可能にすることができる。 電力増幅器の無駄な消費電力 を抑えて、 電源を長持ちさせることができるようになる。
また、 前記加速度検出素子が弾性表面波素子により形成されている場 合には、 圧力検出部と加速度検出素子とを同一の製造プロセスで双方同 時に形成できるので、 製造工程を短縮することができ、 生産性の向上が 可能となる。
また、 前記第 1圧電基板又は第 2圧電基板に、 前記発振回路に電気的 に接続されるアンテナパターンを設けておくこととすれば、 発振回路よ り出力される出力信号を、 受信機器に無線伝送することができ、 受信機 器は、 圧力センサ装置より離れた場所においても圧力情報を得ることが できる。
特に、 前記アンテナパターンを、 第 2圧電基板の上面に被着させてな る構造とすれば、 発振回路とアンテナパターンとが近接配置される構造 となり、 両者を接続する配線部を短くすることができる、 その結果、 配 線部による伝送損失の影響が小さくなり、 電気信号を殆ど減衰させるこ となく伝送することができる。 よって、 バッテリの消費電力を少なくで きるとともに、 発振回路より出力される発振信号の出力レベルを増加さ せて、 他の受信機器へ、 圧力情報をより確実に無線伝送することができ るようになる。
前記アンテナパターンは、 前記圧力検出用弾性表面波素子の直上領域 を除く圧電基板の領域に形成されていることが好ましい。
前記アンテナパターンを、 蛇行状に形成すれば、 アンテナパターンの 実効長を長く とれ、 アンテナの利得を上げることができる。
<図面の簡単な説明 >
図 1は、本発明の一実施形態に係る圧力センサ装置の断面図である。 図 2は、 圧力センサ装置の外観斜視図である。
図 3は、 圧力センサ装置の支持用圧電基板の外観斜視図である。 図 4は、圧力センサ装置の他の支持用圧電基板の外観斜視図である。 図 5は、 本発明の他の実施形態にかかる加速度検出センサ付き圧力 センサ装置の断面図である。
図 6は、 図 5の圧力センサ装置に用いられる圧力検出用圧電基板 2 の下面を示す平面図である。
図 7は、 圧力センサ装置の回路ブロック図である。 図 8は、圧力センサ装置に用いられる発信回路を示す回路図である。 図 9は、 圧力センサ装置に用いられる加速度検出回路と給電制御回 路とを示す回路図で る。
図 1 0は、 圧電基板に形成される I D T電極の拡大図である。
図 1 1は、 他のタイプの加速度検出センサを用いた圧力センサ装置 の断面図である。
図 1 2は、 圧力せンサ装置の圧力検出用圧電基板 2の上面を示す平 面図である。
図 1 3は、 圧力せンサ装置の圧力検出用圧電基板 2の下面を示す平 面図である。
図 1 4は、 本発明の他の実施形態にかかるアンテナパターン付き圧 力センサ装置の断面図である。
図 1 5は、 アンテナパターンの平面図である。
図 1 6は、 従来の圧力センサ装置の外観斜視図である。
図 1 7は、 従来の圧力センサ装置の断面図である。
<発明を実施するための最良の形態 >
以下、 本発明の実蹄の形態を、 添付図面を参照しながら詳細に説明す る。
図 1は本発明の一実施形態に係る圧力センサ装置 1の断面図、 図 2は 同外観斜視図である。 図 3は圧力センサ装置 1に用いられる支持用電基 板上の参照用弾性表面波素子の構成を示す外観斜視図である。
なお、 図 1の支持用圧電基板 3は、 図 3の A— A線に沿った断面が示 されている。 また図 2において保護材 1 5の図示は省略している。
圧力センサ装置 1は、 参照用弾性表面波素子 4 aを搭載した支持用圧 電基板 3、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aを搭載した圧力検出用圧電基 板 2、 封止材 5及び導電性接合材 6で主に構成されている。
前記支持用圧電基板 3は第 1圧電基板に相当し、 圧力検出用圧電基板 2は第 2圧電基板にネ目当する。
支持用圧電基板 3 は、 水晶、 ニオブ酸リチウム、 タンタル酸リチウム などの、 圧電性を示す単結晶 (以下、 「圧電結晶」 と称する。 ) から成 る。 支持用圧電基板 3の主面は、 圧電結晶のィンゴッ トを所定の力ッ ト 角にて切断して形成している。
支持用圧電基板 3の上面には参照用弾性表面波素子 4 a及び接続パッ ド 4 bが被着され、 下面には外部端子 9が被着されている。 支持用圧電 基板 3の上面と下面とを電気的に接続するためのビアホール導体 8が形 成されている。
参照用弾性表面波素子 4 aは、 所定の周波数で共振する弾性表面波 (Acoust i c Surfac e Wave)型の共振子である。 参照用弾性表面波素子 4 a は、 圧電基板 1の表面に形成されたインターデジタルトランスデューサ (以下、 I D Tと略記する。 ) 4 a a と、 I D T 4 a aの弾性表面波の 伝搬方向の両側に形成した反射器 4 a b とから成る。 I D T 4 a a及ぴ 反射器 4 a bは、 アルミニウムや金等の金属材料をスパッタゃ蒸着等の 成膜工法によ り圧電基板 1の表面に被着し、 フォ トリ ソグラフィ一等の 技術を使用して、 2 0 0 0 A程度の厚みにてパターン形成することによ り形成される。
接続パッ ド 4 b及び外部端子 9は、 I D T 4 a a及び反射器 4 a b と 同じ材料■工法により形成可能である。 密着強度の向上のため膜厚を厚 く形成しておく ことが好ましい。
ビアホール導体 8は、 支持用圧電基板 3を貫通する孔をサンドプラス ト法等により形成した後に、 その孔の內面に N i、 C u、 A u等の導体 材料をメツキしたり、 孔に充填したりすることにより形成される。
なお、 図 3 に示される電極 4 dは、 参照用弾性表面波素子 4 a とビア ホール導体 8 とを接続するランドである。
圧力検出用圧電基板 2は、 支持用圧電基板 3 と同一組成の圧電結晶か ら成り、 支持用圧電基板 3に対して、 カッ ト角及び、 圧電結晶の結晶軸 に対する弾性表面波の伝搬方向が略同一若しくは結晶学的に等価となる ようにされている。 ここで〃略同一〃とは、 完全に同一である場合に加え て、 ± 0 . 5 ° 以内の範囲内でずれている場合を含み、 また"結晶学的に 等価 な力ッ ト角とは、そのカツ トによって切り出された圧電基板の主面 が結晶学的に等価な面であることを意味し、"結晶学的に等価"な面とは、 結晶の有する対称性によって等価となる面のことである。同様に"結晶学 的に等価〃な方向とは、結晶の有する対称性によって等価となる方向であ る。 例えば、 正方晶である L B O ( L i 2 B 40 7) では、 例えば X面と Y 面とは等価な面であり、例えば、 X方向と Y方向とは等価な方向である。 また、 支持用圧電基板 3に圧力検出用圧電基板 2を搭載する際は、 両 基板の圧電結晶の、 対応する結晶軸の向きが略平行となるように配置す る。 これによつて、 両圧電基板において任意の方向における熱膨張係数 が等しくなるので、 例えば支持用圧電基板 3に圧力検出用圧電基板 2を 搭载する際など大きな温度変化が生じる場合に、 熱膨張係数の違いによ つて接合部に大きな応力が生じ、 クラックの発生等の不具合が生じるの を有効に抑制することができる。 なお、 ここで〃略平行〃とは、 完全に平 行である場合に加えて、 ± 0 . 5 ° 以内の範囲内で結晶軸がずれている 場合も含むものである。
また、 圧力検出用圧電基板 2の下面は、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a及び電極パッ ド 7 bを被着させた構造を有している。
圧力検出用圧電基板 2は、 支持用圧電基板よりも厚みが薄く成るよう に設定されている。 例えば、 支持用圧電基板 3の厚みが 2 0 0〜 3 0 0 μ mに設定されるのに対し、 圧力検出用圧電基板の厚みは 5 0〜 7 5 μ mに設定される。 このよ うに、 圧力検出用圧電基板の厚みを薄くする理 由は、 圧力を受けたときの圧力検出用圧電基板 2の変形量を、 支持用圧 電基板 3の変形量よ り も大きく して、 正味の圧力の変化を検出するため である。
圧力検出用弾性表面波素子 7 aは、 参照用弾性表面波素子 4 a と同様 に、 I D Tと、 I D Tの弾性表面波の伝搬方向の両側に形成した一対の 反射器とから成る弹性表面波共振子とされており、 共振周波数も参照用 弾性表面波素子 4 a と一致させている。
電極パッ .ド 7 bは、 後述する導電性接合材 6を介して先述した接続パ ッ ド 4 bと電気的に接続するためのものであり、 接続パッ ド 4 bと同様 に厚みを厚く形成しておく ことが好ましい。
導電性接合材 6は、 ハンダ若しくは高融点の口ゥ材である A u S nな どが利用可能である。 圧力センサ装置 1をマザ一ポード等に搭載するェ 程において、 熱が印加された場合においても、 導電性接合材 6が再溶融 して特性 変化しないように、 高融点の口ゥ材である A u S nを用いる とよい。
なお、 T u S nの他には A u S iや S n A g C u等を用いても同様の 効果が得られるので、 これらを採用してもかまわない。
さらに、 支持用圧電基板 3 と圧力検出用圧電基板 2との間に、 先述し た参照用擀性表面波素子 4 a、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a、 接続パ ッ ド 4 b反び電極パッ ド 7 bを包囲するようにして、 封止材 5が介在さ れている。 この封止材 5はスぺーサと しての役目を果たす。
封止材 5 は、 樹脂を用いてもよく、 導電性材料を用いても良い。
この封止材 5を、 参照用弾性表面波素子 4 a、 圧力検出用弹性表面波 素子 7 aを囲繞するように枠体状に形成しておけば、 その内側、 具体的 には、 圧力検出用圧電基板 2 と支持用圧電基板 3 と封止材 5とで囲まれ る領域 (針止空間 Sという) 内で、 参照用弾性表面波素子 4 a、 圧力検 出用弾性表面波素子 7 a等を気密封止することができる。 これによつて 封止空間 S内に配置される I D T電極等の酸化腐食等を有効に防止する ことができる。従って、封止材 5は枠体状になしておく ことが好ましい。 更に、 針止材 5を半田等の導体材料により形成しておけば、 これを支 持基板下面の外部端子電極 9のうち、 グランド端子に接続させておく こ とにより、 圧力センサ装置 1の使用時、 封止材 5はグランド電位に保持 されること となるため、 電磁的遮蔽性を高める効果を奏する。 このシー ルド効果により、 外部からの不要なノイズを封止材 5でもって良好に低 減すること ができる。
さらに、 封止材 5に導体材料を用いることにより、 シールド効果と併 せて、 支持用圧電基板 3 と圧力検出用圧電基板 2との間の熱伝導を良好 なものとすることができるため、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a と参照 用弾性表面波素子 4 a との温度を略等しくすることができ、 後に述べる ように、 温度補償を簡便に行うことが容易となる。
また、 圧力検出用圧電基板 2と支持用圧電基板 3 と封止材 5とで囲ま れる镇域内には、 窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを充填してお くことが好ましい。 これによつて、 I D T電極等の酸化腐食をより効果 的に防止することが可能となる。
以下、 本実施形態の圧力センサ装置 1の利点を述べる。
厚みを薄く した圧力検出用圧電基板 2は、 外部からの圧力を受けると 変形して弾性表面波の伝搬速度が変化するとともに、 圧力検出用弾性表 面波素子 7 aの I D Tの電極指の間隔も変化し、 この両者の作用によつ て弾性表面波素子 7 aの共振周波数が変化する。 そして、 この共振周波 数の変化によって圧力の変化を検出することができる。
ここで、一般的に弾性表面波素子 7 aは所定の温度特性を有しており、 その共振周波数は、 温度変化によってドリフ トする。
よって、 温度変化による ドリフ トの影響を取り除く必要があり、 その ために参照用弾性表面波素子 4 aが使用される。 すなわち、 参照用弾性 表面波素子 4 aは、 厚みが厚いので外部からの圧力を受けても上述した ような変形は起こりにくい。 このため、 その共振周波数は温度の変化の みに応じて変化することとなり、 これを利用して圧力検出用弾性表面波 素子 7 aの共振周波数の変化データを補正し、 温度変化による影響をほ ぼ取り除く ことができる。
ここで、 もし、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a と参照用弾性表面波素 子 4 a の温度特性が異なっていれば、 参照用弾性表面波素子 4 aの共振 周波数のデータと温度特性データとを比較して温度を算出し、 その温度 データ と圧力検出用弾性表面波素子 7 aの温度特性データとを比較して 圧力検出用弾性表面波素子 7 aの温度による共振周波数変化分を算出し それを用いて温度変化による影響を取り除かなければならない。
これに対して、 本実施形態の圧力センサ装置 1においては、 支持用圧 電基板 3と圧力検出用圧電基板 2とを、 同一の圧電結晶から成るととも に、 両圧電基板のカッ ト角及び、 圧電結晶の結晶軸に対する弾性表面波 の伝搬方向が略同一若しくは結晶学的に等価となるようにすることで、 参照用弾性表面波素子 4 a と圧力検出用弾性表面波素子 7 aの 「温度対 共振周波数特性」 を一致させている。 従って、 圧力検出用弾性表面波素 子 7 aの温度と参照用弾性表面波素子 4 aの温度とが略一致するように 配置することにより、 圧力センサ装置 1に生じた温度変化による両弹性 表面波素子の共振周波数の変化量が等しくなり、 圧力検出用弾性表面波 素子 7 aの共振周波数と参照用弾性表面波素子 4 aの共振周波数との差 をとるだけで、 、温度変化による影響を殆ど取り除くことができる。 この ように、非常に簡便な構成及び方法で温度補償を実現することができる。 温度補償を実現するためには、 例えば圧力検出用弾性表面波素子 7 a の共振周波数に対応した周波数で発振する発振回路を構成する。 これに よって、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aの圧力の変化を発振周波数の変 化として検出することができる。 また、 参照用弾性表面波素子 4 aも同 様に、 参照用弾 生表面波素子 4 aの共振周波数に対応した周波数で発振 する他の発振回路に接続する。 これらの発振回路の出力をミキサー回路 に入れ、両周波数の差に相当する周波数の信号を出力することによって、 容易に温度変化による影響を殆ど取り除く ことができ、 正味の圧力変化 を検出することができる。
特に、 本実施形態の圧力センサ装置 1は、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aを設けた圧力検出用圧電基板 2の厚みを、 参照用弾性表面波素子 4 aを有した支持用圧電基板 3の厚みに比して全体的に薄くなしたことか ら、 圧力を受けたときの圧力検出用圧電基板 2及び圧力検出用弾性表面 波素子 7 aの変形量が大きくなり、 圧力センサ装置 1 と して高い感度が 得られることと なる。
これに加えて、 参照用弾性表面波素子 4 a と圧力検出用弾性表面波素 子 7 a とは、それぞれが対向して、異なった圧電基板に設けられている。 これによつて、 同一面内に電極を 2つ形成しなくてもよくなり、 圧電基 板の面積を小さくできるので、 圧力センサ装置 1の小型化を図ることが 可能となる。
また本実施形態の圧力センサ装置 1は、 支持用圧電基板 3及び圧力検 出用圧電基板 2を同一の圧電結晶から成るとともに、 圧電結晶の対応す る結晶軸の向きが略平行となるように配置したことから、 2つの圧電基 板の任意の同一方向における熱膨張係数が同じになるので、 熱履歴が加 わることによるクラックの発生等の不具合が低減される。
更に、 本実施形態の圧力センサ装置 1においては、 支持用圧電基板 3 と圧力検出用圧電基板 2とを、 同一の圧電結晶から成るとともに、 両圧 電基板のカッ ト角及び、 圧電結晶の結晶軸に対する弾性表面波の伝搬方 向が略同一若しくは結晶学的に等価となるようにしているので、 参照用 弾性表面波素子 4 a と圧力検出用弹性表面波素子 7 aの温度特性を一致 させることが可能となり、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aの温度と参照 用弾性表面波素子 4 aの温度とが略等しくなるようにすることによって、 非常に簡便な構成及び方法で温度補償を実現することができる。
また更に、 参照用弾性表面波素子 4 a及ぴ圧力検出用弾性表面波素子 7 aは、封止材 5によって封止された空間の中に配置されることとなり、 両素子及び両素子の電気的な接続部を外部環境より良好に保護すること ができる。
次に、 上述した支持用圧電基板 3 と圧力検出用圧電基板 2とを接続す る方法について説明する。
先ず、 上面に参照用弾性表面波素子 4 a及ぴ接続パッ ド 4 bを有する 第 1 ウェハーと、 下面に圧力検出用弾性表面波素子 7 a及び電極パッ ド 7 bを有する第 2ウェハーとを準備する。 ここで用いる第 1 ウェハーは 支持用圧電基板 3の集合基板であり、 第 2ウェハーは圧力検出用圧電基 板 2の集合基板である。 その厚みはそれぞれ 2 0 0〜 3 0 0 μ mに設定 される。
次に、 第 1 ウェハーの接続パッ ド 4 b と第 2ウェハーの電極パッド 7 b とを、 第 1 ウェハーの封止パッ ド 4 c と第 2ウェハーの封止電極 7 c 4 017981
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とを、 それぞれ半田ペース トを介して仮接続する。 本実施形態では、 半 田ペース トには、 A u S n粉末を有機ビヒクル中に分散させたものを用 いた。また、半田ペース トは、接続パッ ド 4 b及び封止パッ ド 4 c上に、 従来周知のスクリーン印刷法等により塗布 ·形成する。
次に、 第 2ウェハーの各電極パッ ド 7 b及び封止電極 7 cを、 対応す る各接続パッ ド 4 b及ぴ封止パッ ド 4 c と対向させる。 このとき、 第 1 ウェハーと第 2ウェハーとは対応する結晶軸の向きをそれぞれ一致させ る。
次に、 第 1 ウェハー及ぴ第 2ウェハーを加熱して半田ペース トを溶融 させる。
このようにして、 参照用弾性表面波素子 4 a及び圧力検出用弾性表面 波素子 7 aが封止材 5で封止されるとともに、 各接続パッ ド 4 bが導電 性接合材 6を介して各電極パッド 7 bに電気的に接続される。
このようにして第 1 ウェハーに固定された第 2ウェハーを、 上側から ラッビング等により研磨して厚みを 5 0〜 7 5 /i mに設定する。
次に、 ダイシングにより、 第 2ウェハーのみを切断して、 第 2ウェハ 一を複数個の圧力検出用圧電基板に分割させた後、 隣接する圧力検出用 圧電基板間の間隙を埋めるように、液状の樹脂を塗布し、熱硬化させる。 なお、 本実施形態においては、 液状樹脂を塗布した際、 間隙を効果的に 埋める必要があるので、 真空印刷を用いると良い。
そして、 第 1ウェハーを、 上述した樹脂とともにダイシング等により 切断する。 このよう にして、 支持用圧電基板 3に分割された、 圧力セン サ装置 1が製作されることとなる。 前記樹脂は、 厚みの薄い圧力検出用 圧電基板 2の端面部を保護する保護材 1 5 と して機能する。
かく して構成した圧力センサ装置 1は、 例えば、 前述したような発信 回路 8 0と接続し、 これに電力増幅器、 電源及びアンテナを組み合わせ ることによって、 例えば、 自動車のタイヤに取り付けられてタイヤの空 気圧の変化に応じて無線信号を送信出力するような圧力センサ装置 1 と することができる。 次に、 弾性表面波素子として、 弾性表面波遅延線を用いた圧力センサ 装置 1について図 4を用いて説明する。 なお、 本実施形態においては先 に述べた図 1乃至図 3の実施形態と異なる点についてのみ説明し、 同様 の構成要素については同一の参照符を用いて重複する説明を省略するも のとする。
図 4は、 本実施开態の圧力センサ装置 1に用いる支持用圧電基板 3を 示す外観斜視図である。
本実施形態の圧力センサ装置 1が先に述べた図 1乃至図 3の圧力セン サ装置 1 と異なる点は、 参照用弾性表面波素子 4 a力 弾性表面波遅延 線として構成されていることである。 すなわち、 参照用弾性表面波素子 4 aは、 センサ基板 1の表面に間隔をあけて配置された一対の I D T電 極 4 a a と、 その間の弾性表面波の伝搬路 4 a f とで構成されている。 また、 圧力検出用圧電基板 2の圧力検出用弾性表面波素子 7 aも同様 に、 弾性表面波遅延線のタイプである。 すなわち、 圧力検出用圧電基板 2の下面に所定の間隔をあけて配置された一対の I D Tと、 その間の弾 性表面波の伝搬路とで構成されている。 また、 両弹性表面波素子の弾性 表面波の伝播方向の両側には、 弾性表面波を減衰させ、 圧電基板の端部 などで弾性表面波が反射するのを防止するために、 シリコン樹脂などか ら成るダンピング材 4 hが形成されている。
圧力検出用圧電基板 2に外部からの圧力が印加され、 圧力検出用圧電 基板 2が変形する と、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aにおいて、 弾性表 面波の伝搬路の長さが変化すると同時に、 歪みが生じた部分の弾性表面 波の伝搬速度が変化し、 両者の作用によって電気信号の遅延時間が変化 するため、 遅延時間の変化を検出することによって、 先の実施形態の場 合と同様に圧力の変化を検出することができる。
遅延時間の変化を検出するためには、 例えば圧力検出用弾性表面波素 子 7 aの弾性表面波遅延線によって生じる電気信号の遅延時間に対応し た周波数で発振する発振回路を構成する。 これによつて、 圧力の変化を 発振周波数の変化として検出することができる。 また、 参照用弾性表面波素子 4 aも同様に、 参照用弾性表面波素子 4 aによって生じる電気信号の遅延時間に対応した周波数で発振する発振 回路を構成する。
これらの発振回路の周波数の差に相当する周波数の信号を出力するこ とによって、 容易に温度変化による影響を殆ど取り除く ことができる。 そして、 先の実施形態の場合と同様に、 これらの 2つの発振回路の出 カをミキサー回路に入れ、 両周波数の差に相当する周波数の信号を出力 することによって、 容易に温度変化による影響を殆ど取り除く ことがで き、 正味の圧力変化を検出することができる。
次に、 今まで説明した圧力センサ装置 1に加速度センサを付加した、 圧力センサ装置 1を図面に基づいて詳細に説明する。
図 5は、 加速度センサ付き圧力センサ装置 1の断面図である。 図 6は 加速度センサ付き圧力センサ装置 1に用いられる圧力検出用圧電基板 2 の下面を示す平面図である。
これらの図に示す加速度センサ付き圧力センサ装置 1は、 参照用弾性 表面波素子 4 a を搭載した支持用圧電基板 3、 圧力検出用弾性表面波素 子 7 a及び加速度検出素子 2 1を搭載した圧力検出用圧電基板 2、 封止 材 5及び導電性接合材 6で主に構成されている。
圧力検出用圧電基板 2の材質と結晶力ッ ト方位、 圧力検出用圧電基板 2に形成される圧力検出用弾性表面波素子 7 a と電極パッド 7 bの構造、 支持用圧電基板 3の材質と結晶力ッ ト方位、 支持用圧電基板 3の上に設 けられる参照用弾性表面波素子 4 a と接続パッ ド 4 bの構造、 電極パッ ド 7 bと電極パッ ド 4 bとを接続する導電性接合材 6、 封止材 5の構造 などは、 すでに、 図 1ないし図 3を参照しながら、 前述したのと同様で あるから、 重複した説明は省略する。
この加速度センサ付き圧力センサ装置 1では、 圧力検出用圧電基板 2 の一端側 3 6は、 圧力検出領域 1 4より も外側に延出されており、 該延 出部 3 6の下面に加速度検出素子 2 1が形成されている。
この加速度検出素子 2 1は、 加速度 Gの印加により、 加速度検出素子 2 1が変形し加速度を検出するようになつている。
加速度検出素子 2 1は、 例えば、 前記圧力検出用弾性表面波素子 7 a と同様に、 I D T電極とその弾性表面波伝搬方向の両側に形成された一 対の反射器とから構成される弾性表面波共振子となっている。
I D T電極 2 6は、 図 6 に示すように、 引出電極 2 3を介して電極パ ッ ド 2 2に接続されている。 電極パッ ド 2 2は導電性接合材 2 9を介し て、 支持用圧電基板 3上の接続パッド 2 8 と電気的に接続している。 電 極パッ ド 2 2や引出電極 2 3は、 先に述べた圧力検出用弾性表面波素子 7 aの周囲に形成した電極パッ ド 7 bや引出電極と同様に、 アルミ二ゥ ムゃ金等の金属材料を薄膜形成技術ゃフォ トリ ソグラフィー技術等によ つてパターン形成すること によって得られる。
また、 加速度検出素子 2 1の先端部に、 錘 7 ◦を設けておく ことによ り、 加速度 Gの検出感度を向上させることができる。 綞 7 0は、 例えば 金属やセラミック等からなる板や積層体を接着剤によって延出部 3 6の 端部に接合することによって形成される。
また、 加速度検出素子 2 1を上述のように弾性表面波素子により形成 する場合、 弹性表面波素 を気密封止するようにケース 2 0を設けてお く ことが好ましい。 これによつて、 I D T電極 2 6の酸化腐食を防止す ることができる。
なお、延出部 3 6の短辺の幅 w 2は任意に設定できる。延出部 3 6の短 辺の幅 w 2を圧力検出用圧電基板 2の圧力検出用弾性表面波素子 7 aが 形成されている部分の幅 よりも狭く しておけば、加速度の印加によつ て延出部 3 6が撓みやすく なり加速度の検出感度を向上させることがで きるという利点がある。 また、延出部 3 6の短辺の幅 w 2と圧力検出用圧 電基板 2の圧力検出用弾†生表面波素子 7 aが形成されている部分の幅 w 1とを同一にしておけば、延出部 3 6を形成するにあたって圧力検出用圧 電基板 2を削るといった:::程を省くことができ、 圧力検出装置 1の製造 プロセスを簡略化することができるという利点がある。
以上のように、 圧力検出用圧電基板 2の少なく とも一端側を、 支持用 圧電基板 3の上面より離間させた状態で外側に延出させるとともに、 そ の延出部 3 6に加速度検出素子 2 1を、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a と並べて形成したことから、 加速度検出素子 2 1用の基板を別途用意す る必要もなく、 部品点数を削減することができ、 圧力センサ装置 1の小 型化及び軽量化を図ることが可能となる。
また、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a と加速度検出素子 2 1 とを同一 の製造プロセスで开成することができるので、 圧力センサ装置 1の生産 性向上に供することができる。 f
この圧力センサ装置 1は、 図 5に示すようにマザ一基板 1 0に搭載さ れる。
かかるマザ一基板 1 0の上面には、 発信回路 8 0や、 後述する加速度 検出回路 8 6、 給電制御回路 8 7、 アンテナ素子 9 5、 電力増幅器 9 1 等が搭載されている。
図 7は、 発信回路 8 0、 加速度検出回路 8 6、 給電制御回路 8 7、 ァ ンテナ素子 9 5、 電力増幅器 9 1等の相互の接続状態を示すプロック回 路図である。
発信回路 8 0は、 例えばコンパレータ、 演算手段、 メモリ手段などが 集積化された I Cと、 弾性表面波素子 7 aを含む圧力検出発振回路及び 弾性表面波素子 4 aを含むリファレンス発振回路を構成する トランジス タ、 抵抗、 コンデンサなどの受動部品等とから構成されている。
発信回路 8 0は、 弾性表面波素子 7 aを含む圧力検出発振回路側から の出力信号と、 弾性表面波素子 4 aを含むリ ファ レンス発振回路側から の出力信号とを比較、 演算して、 圧力センサ装置 1にかかる圧力を圧力 検出信号として検出する。
また、 例えばリ ファレンス発振回路からの出力信号を、 外部に無線電 送するための搬送信号と して用いることもできる。 この場合、 上述の圧 力検出信号をこの搬送波に変調して、 高周波無線信号を作成する。
加速度検出回路 8 6及び給電制御回路 8 7は、 加速度検出素子 2 1 と 電気的に接続されている。 電力増幅器 9 1はアンテナ素子 9 5及び発信 回路 8 0に接続されており、 これによつて、 発信回路 8 0より出力され る発信信号の出力レベルを増カロさせて、 他の受信機器へ、 より確実に無 線伝送することができるようになる。
更に、 上述した給電制御回路 8 7を発信回路 8 0と電力増幅器 9 1に 接続して、 電源 8 5から発信回路 8 0 と電力増幅器 9 1への電力供給を 給電制御回路 8 7で制御するようにしている。 このことにより、 電力増 幅器の消費電力を抑えて、電源を長持ちさせることができるようになる。 アンテナ素子 9 5は、 電力増幅器 9 1を介して先に述べた発信回路 8 0と接続されており、 これによつて発信回路 8 0より出力される所定周 波数の電気信号を、 他の受信機器に無線伝送することができ、 圧力セン サ装置 1 より離れた場所におレヽても圧力情報を得ることができる。 かか るァンテナ素子 9 5 としては、 例えば、 誘電体セラミツク等を利用した 表面実装型のチップアンテナ等が用いられ、 半田付け等によって支持用 圧電基板 3上に実装されている。
なお、 アンテナ素子 9 5を圧力検出用圧電基板 2の上面に形成した実 施形態については、 後に、 図 1 5 , 図 1 6を参照して説明する。
図 8は、発信回路 8 0の詳糸田な回路図である。かかる発信回路 8 0は、 圧力検出用発振回路 8 0 a、 参照用発振回路 8 0 b、 検出演算用回路か ら構成されている。
まず、 圧力検出用発振回路 8 0 aは、 圧力検出用圧電基板 2に形成し た圧力検出用弾性表面波素子 7 a と、 該圧力検出用弾性表面波素子 7 a の出力信号に基づいて発振し得る発振条件を整える発振トランジスタ、 コンデンサ、 抵抗からなる発振段とから構成されている。
また、 参照用発振回路 8 0 bは、 支持用圧電基板 3に形成した参照用 弾性表面波素子 4 a と、 該参照用弾性表面波素子 4 aの出力信号に基づ いて発振し得る発振条件を整える発振トランジスタ、 コンデンサ、 抵抗 からなる発振段とから構成されている。
また、 検出演算用回路では、 圧力検出用発振回路 8 0 aから得られる 圧力検出用弾性表面波素子 7 aの出力信号と、 参照用発振回路 8 O bか ら得られる参照用弾性表面波素子 4 aの出力信号とを、 たとえばコンパ レータにて比較 .参照して、 このデータを演算部に渡す。 演算部では、 圧力検出信号を、 外部に無線にて伝送するための搬送波に変調して高周 波信号を生成する。
なお、 図 8では、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a及び参照用弾性表面 波素子 4 aから導出される共振信号に基づいて、 発振段にて所定発振周 波数の発振信号を得ているが、 発振段を介さずに直接弾性表面波素子か ら導出される共振信号を用いても構わない。
また、 上述の発信回路 8 0では、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aの出 力信号と、 参照用弾性表面波素子 4 aの出力信号とを、 コンパンレータ を用いて比較しているが、 圧力検出用弹性表面波素子 7 aの出力信号と 参照用弾性表面波素子 4 aの出力信号をミキサー及びバンドパスフィル タを用いて混合することにより、 これらの 2つの出力信号に基づく圧力 検出信号を抽出しても構わない。
また、 以上の回路では、 無線伝送を行うための搬送波を、 圧力検出を 行うための参照側の参照用弾性表面波素子 4 aに基づいて作成している 力 S、 この参照用弾性表面波素子 4 aを含む発振回路以外に、 搬送波作成 用発振回路を別途設けても構わない。
図 9は、 加速度検出回路 8 6及び給電制御回路 8 7を示す回路図であ る。 加速度検出回路 8 6 は、 図 9に示す如く加速度検出素子 2 1、 ダイ ォードからなる保護回路及び演算電力増幅器からなり、 また給電制御回 路 8 7は、 コンデンサと抵抗からなるハイパスフィルタ、 比較電圧源及 び演算電力増幅器から構成されている。
次に、 上述した加速度センサ付き圧力センサ装置 1を用いて加速度及 ぴ圧力を検出する際の動作について、 図 7、 図 8及ぴ図 9の回路図を用 いて説明する。 なお、 ここでは圧力センサ装置 1を車両のタイヤ内に内 蔵した場合を想定して説明する。
まず加速度を検出する際の動作について説明する。 車両が走行し始め るとタイヤの回転数が増加し、 回転による加速度 Gが発生する。 この加 速度 Gが加速度検出素子 2 1に印加されると、 延出部 3 6及び錘 7 0に 作用する力によって加速度検出素子 2 1に曲げモーメ ン トが作用し加速 度検出素子 2 1が撓み、 加速度検出素子 2 1が変形する。 その結果、 圧 力検出用圧電基板 2の歪みが生じた部分の弾性定数の変化によって弾性 表面波の伝搬速度が変化するとともに、 加速度検出素子 2 1の I D T電 極 2 6の電極指配列ピッチ d (図 1 0に示す。 ) が変化し、 その両方の 作用によって加速度検出素子 2 1 の共振周波数が変化する。
すると、 その変化量に比例した起電力が発生し、 この起電力に基づい て加速度検出回路 8 6において加速度が検出されるとともに、 共振周波 数の変化又はインピーダンス変化に比例した制御信号が得られる。 そし て、 この制御信号が給電制御回路 8 7に入力されると、 制御信号のレべ ルが、 一定の車速に対応する閾値を超えたときには、 電池等の電源 8 5 から発信回路 8 0及び電力増幅器 9 1へ電力が供給され、 制御信号のレ ベルが閾値以下の場合には、 電源 8 5から発信回路 8 0及び電力増幅器 9 1へ電力が供給されないようになっている。
従って、 車両が一定以上の速さで走行している場合にのみ、 電力を供 給することができる。 これにより、 圧力センサ装置 1の消費電力を有効 に抑えることができる。 なお、 制御信号の閾値は、 給電制御回路 8 7を 構成する回路素子を適宜選択することにより任意に設定できる。
一方、 タイヤ内の圧力の検出は、 すでに述べたとおりであるが、 再度 説明すると、 次のようにして行われる。
タイヤ内の空気が抜ける等してタイヤ内の圧力が変化すると、 圧力検 出用圧電基板 2に対してかかる圧力が変化して、 圧力検出用弾性表面波 素子 7 aが変形する。 その結果、 圧力検出用圧電基板 2の歪みが生じた 部分の弾性定数の変化によって弾性表面波の伝搬速度が変化するととも に、 弹性表面波素子 7 aの I D T電極の電極指配列ピッチ d (図 1 0に 示す。 ) が変化して、 その両方の作用によって弾性表面波素子 7 aの共 振周波数が変化する。 これに伴って、 図 8に示す発振回路 8 0 aの発振 周波数も変化するため、 圧力検出用圧電基板 2に加わる圧力変動は最終 的に発振回路 8 0 aの発振周波数の変化として検出される。 なお、 この 発振回路 8 0 aへの電力供給は、 前述のように給電制御回路 8 7により 制御されている。
なお、 前記圧力検出用圧電基板 2に形成された圧力検出用弾性表面波 素子 7 aや、 支持用圧電基板 3 に形成された参照用弾性表面波素子 4 a を、 図 4に示したような、 間隔をあけて配置された一対の I D T電極 4 a a と、 その間の弾性表面波の伝搬路 4 a f とで構成される弹性表面波 遅延線で構成してもよい。
また、 圧力検出用圧電基板 2 に形成された加速度検出素子 2 1も、 図 4に示したような、間隔をあけて配置された一対の I D T電極 4 a a と、 その間の弾性表面波の伝搬路 4 a f とで構成される弾性表面波遅延線で 構成してもよレ、。
このように弾性表面波遅延線を用いた場合、 圧力検出用圧電基板 2に 外部からの圧力が上方より印加され、 圧力検出用圧電基板 2が変形する と、 弾性表面波遅延線において、 弹性表面波の伝搬路の長さが変化する と同時に、 歪みが生じた部分の弾性表面波の伝搬速度が変化し、 両者の 作用によって電気信号の遅延時間が変化するため、 遅延時間の変化を検 出することによって、 先の実施形態の場合と同様に圧力の変化を検出す ることができる。
また、 加速度 Gが弾性表面波遅延線で構成された加速度検出素子に印 加されると、 延出部 3 6及び睡 7 0に作用する力によって圧力検出用圧 電基板 2に曲げモーメントが作用し加速度検出素子が撓み、 弾性表面波 素子が変形する。 これによつて、 弾性表面波素子の弹性表面波の伝搬路 に応力が加わって歪みが生じると、 その部分の弾性定数の変化によって 弾性表面波の伝搬速度が変化すると ともに、 弹性表面波の伝搬路の長さ が変化する。 そして、 その両方の作用によって電気信号の遅延時間が変 化し、 これによつて発振回路の発振周波数が変化する。 よって、 弾性表 面波遅延線で構成された加速度検出素子も先に述べた実施形態における 加速度検出素子 2 1 と同様にカロ速度検出素子と して機能する。 なお、 図 5の構成では、 加速度検出素子 2 1を延出部 3 6の下面のみ に形成したが、 これに代えて、 延出部 3 6の上下両方の面に加速度検出 素子 2 1を形成するようにしても良い。 延出部 3 6の上下両面に形成さ れた 2つの加速度検出素子 2 1の共振周波数の差をとることによって、 温度変化の影響を補正できると共に、 加速度の検出感度を向上させるこ とが出来る。
次に、 本発明の加速度センサ付き圧力センサ装置 1の変形例について 説明する。
図 1 1は本発明の加速度センサ付き圧力センサ装置 1の断面図、 図 1 2は加速度センサ付き圧力センサ装置 1に用いられる圧力検出用圧電基 板 2の上面を示す平面図、 図 1 3は加速度センサ付き圧力センサ装置 1 に用いられる圧力検出用圧電基板 2の下面を示す平面図である。 なお、 図 5に示した加速度センサ付き圧力センサ装置 1 と同一の部品について は同一の符号を付し、 その説明を省略する。
図 1 1に示す圧力センサ装置 1は、 図 5の圧力センサ装置 1の加速度 検出素子 2 1を、 I D T電極に代えてモノモルフ素子 3 7で構成したも のである。 モノモルフ素子 3 7は、 圧力検出用圧電基板 2のバルタ振動 を利用するものであり、 圧力検出用圧電基板 2の延出部 3 6の上下両面 に振動電極 3 1を被着することにより形成されている。
前記振動電極 3 1には銀等の金属材料が用いられ、 例えば、 従来周知 のスパッタリングゃ蒸着法等の成膜形成技術等により形成される。
このようなモノモルフ型の加速度検出素子 2 1は次のようにして加速 度を検出する。まず、加速度 Gが延出部 3 6及ぴ錘 7 0に印加されると、 圧力検出用圧電基板 2が橈み、 延出部 3 6に形成されたモノモルフ素子 3 7が変形する。 このとき、 モノモルフ素子の変形に応じた起電力が発 生し、 これによつて加速度を検出することができる。
上述のように加速度検出素子 2 1をバイモルフ素子 3 7により構成し た場合には、 そのパターン形状をベタ塗りパターンで形成できるととも に、 気密封止する必要がないため、 比較的簡単に形成することができ、 圧電センサ装置 1の生産性向上に供することができる。
なお、 図 1 1では、 加速度検出素子 2 1の振動電極 3 1を延出部 3 6 の上下両面に被着してモノモルフ素子 3 7 と したが、 これに換えてバイ モルフ素子などの多層構造としても良い。
次にアンテナパターンを取り付けた圧力センサ装置 1について、 図面 に基づいて詳説する。
図 1 4はアンテナパターンを有する圧力センサ装置 1の断面図、 図 1 5はアンテナパターンを有する圧力センサ装置 1に用いられるセンサ基 板の上面を示す平面図である。
なお、 本実施形態においては先に述べた図 1乃至図 3の実施形態と異 なる点についてのみ説明し、 同様の構成要素については同一の参照符を 用いて重複する説明を省略するもの とする。
本実施形態の圧力センサ装置 1が先に述べた図 1乃至図 3の圧力セン サ装置 1 と異なる点は、 本実施形態の圧力センサ装置 1が、 圧力検出用 圧電基板 2の上面にアンテナパターン 3 2を備えていることである。
このアンテナパターン 3 2は、 発信回路 8 0、 電力増幅器 9 1より出 力される所定周波数の電気信号を、 他の受信機器に無線送信するための ものである。
このアンテナパターン 3 2は、 図 1 5に示すように、 センサ部の直上 領域 3 1を除く圧力検出用圧電基板 2の上面に蛇行状をなすように形成 されている。
このアンテナパターン 3 2のパタ ーン形成は、 アルミ -ゥムや銅箔等 の金属材料を厚膜印刷等により形成している。 ここで用いられるアンテ ナパターン 3 2のパターン線幅と |]宴厚は線幅約 1 0 0 μ m、 膜厚約 1 0 /z m程度であり、 また、 パターン長さは、 送信される周波数の波長の約 λ Z 4又は約 5 λ / 8に相当する長さをパターンの蛇行回数 (長さ) を 変えることにより形成している。
また、 圧力センサ装置 1の側面に、 給電線 3 3が形成されている。 給 電線 3 3は、 圧力センサ装置 1の側面に沿って、 圧力センサ装置 1の底 面まで延びている。 そして、 この圧力センサ装置 1を搭載するマザ一基 板 1 0の所定端子に接続されている。
かかるマザ一基板 1 0の上面には、 発信回路 8 0 とともに、 加速度検 出回路 8 6、 給電制御回路 8 7、 電力増幅器 9 1等が搭載されている。 なお、 支持用圧電基板 3 と圧力検出用圧電基板 2との間に、 先述した 参照用弾性表面波素子 4 a、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a、 接続パッ ド 4 b及び電極パッド 7 bを包囲するようにして、 封止材 5が介在され ている。 この封止材 5は、 榭脂を用いても良いが、 外部からの不要なノ ィズを遮断するシールド効果を与え、 同時に圧力検出用弹性表面波素子 7 a と参照用弾性表面波素子 4 a との間の熱伝導を良好なものとするた めには、 封止材 5は半田などの導電材料とすることが好ましい。
しかし、 封止材 5に導体材料を用いる場合、 圧力センサ装置 1の側面 に形成される給電線 3 3と封止材 5間には絶縁性樹脂等を形成して、 封 止材 5 0と給電線 3 3の短絡を防止する必要がある。
本実施形態の圧力センサ装置 1においては、 発信回路 8 0、 電力増幅 器 9 1などの、 電子部品素子とアンテナパターン 3 2とが近接配置され ることによって両者を接続する給電線 3 3を短くすることができるため、 配線部による伝送損失の影響を極力排除して、 発信回路 8 0より出力さ れる電気信号を殆ど減衰させることなく伝送することができる。 それと ともに、 バッテリの消費電力を少なくでき、 圧力センサ装置 1モジユー ノレに用いられるバッテ Vを長寿命化することができる。
また、 アンテナパターン 3 2が、 センサ部の直上領域 3 1を除く圧力 検出用圧電基板 2の上面に蛇行状をなすように形成されていることから、 ァンテナ用基板を別に用意する必要もなく、 部品点数を削減することが でき、 圧力センサ装置 1の/ J、型化及びコ ス トダウンに供することが可能 となる。
なお、 本実施形態においては、 圧力検出用圧電基板 2上面のアンテナ パターン 3 2に、 蛇行状のノレープ系アンテナを形成したが、 これに変え て、 ダイポール系アンテナ素子等を形成しても良い。 なお、 本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、 本発明の 要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、 改良が可能である。
例えば、 上述した実施形態においては、 2つの圧電基板に単結晶圧電 材料を用いているが、 これに代えて、 多結晶圧電材料を用いても構わな い。 特にこの場合、 支持用圧電基板 3及び圧力検出用圧電基板 2が、 矩 形状を成すとともに、 同一組成の圧電多結晶により形成し、 更に両圧電 基板の長手方向の熱膨張係数を略同一(同一及び土 1 0 %以内の範囲内) に設定することにより、 例えば支持用圧電基板 3上に圧力検出用圧電基 板 2を搭載する際など大きな温度変化が生じる場合に、 熱膨張係数の違 いによって接合部に大きな応力が生じ、 クラックの発生等の不具合が生 じるのを有効に抑制することができる。
また、 この場合に、 支持用圧電基板 3及と圧力検出用圧電基板 2との 分極方向に対する弾性表面波の伝搬方向を、 圧力検出用弾性表面波素子 7 a と参照用弾性表面波素子 4 a とにおいて一致させることにより、 両 弾性表面波素子の温度特性を一致させることができ、 上述した実施形態 と同様に簡便な方法で温度補償をすることが可能となる。
また、 本実施形態においては、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aを圧力 検出用圧電基板 2の下面側に形成するようにしたが、 これに代えて、 圧 力検出用弾性表面波素子 7 aを圧力検出用圧電基板 2の上面側に形成す るようにしても構わない。
更に、 圧力検出用弾性表面波素子 7 aを構成する弾性表面波素子と、 加速度検出素子 2 1を構成する弾性表面波素子の両方が、 弾性表面波遅 延線とされている例を示したが、 一方のみを弾性表面波遅延線とするよ うにしても構わない。 その場合の他方の弾性表面波装置については、 I D T電極と反射器電極とからなる弾性表面波共振器とすれば良い。
その他、 本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 上面に参照用弾性表面波素子が形成された第 1圧電基板と、 該第 1圧電基板よりも厚みが薄く、 下面に圧力検出用弾性表面波素子 が形成された第 2圧電基板と、
前記第 1圧電基板の上面及び前記第 2圧電基板の下面に接合され、 且 つ、 前記両基板の間で前記两素子を封止する封止空間を構成する封止材 と、 を有してなることを特 ί数とする圧力センサ装置。
2 . 前記両素子は、 少なく とも一部が対向するようにして配置される ことを特徴とする請求項 1に記載の圧力センサ装置。
3 . 前記両基板は、 少なく とも一方向における熱膨張係数が略同一で あることを特徴とする請求項 1に記載の圧力センサ装置。
4 . 前記両基板は、 同一組成の圧電単結晶から成るとともに、 両基板 のカツ ト角及び、 前記圧電単結晶の結晶軸に対する弾性表面波の伝搬方 向が略同一若しくは結晶学的に等価であることを特徴とする請求項 1に 記載の圧力センサ装置。
5 . 前記封止材が導体ォ料から成り、 且つ該封止材が前記第 1圧電基 板に設けられるグランド端子に電気的に接続されていることを特徴とす る請求項 1に記載の圧力センサ装置。
6 . 前記第 2圧電基板の下面で、 前記封止材の内側に、 前記圧力検出 用弾性表面波素子に電気的に接続される電極パッ ドが設けられ、 前記第 1圧電基板の上面で、 前記封止材の内側に、 前記電極パッ ドに 導電性接合材を介して電気的に接続される接続パッ ドが設けられている ことを特徴とする請求項 1に記載の圧力センサ装置。
7 . 前記両基板のうち一方基板の一端側を、 他方基板と離間させた状 態で、 延出させて延出部を开成し、 該延出部に加速度を検出する加速度 検出素子を設けたことを特 ί敷とする請求項 1に記載の圧力センサ装置。
8 . 前記延出部が前記第 2圧電基板に形成されていることを特徴とす る請求項 7に記載の圧力センサ装置。
9 . 前記圧力検出用弾性表面波素子及び前記参照用弾性表面波素子の 出力信号に基づく圧力検出信号を外部に発信する発信回路と、
前記加速度検出素子からの加速度検出信号に基づいて所定の電気信号 を出力する加速度検出回路と、
前記発信回路に電力を供給する給電手段と、
前記給電手段から前記発信回路への電力供給を制御する給電制御回路 とを含み、
前記給電制御回路は、 前記加速度がしきい値を超えたかどうかに基づ いて、 給電手段からの電力供給を制御することを特徴とする請求項 7に 記載の圧力センサ装置。
1 0 . 前記加速度検出素子が弾性表面波素子により形成されているこ とを特徴とする請求項 7に記載の圧力センサ装置。
1 1 . 前記第 1圧電基板又は前記第 2圧電基板にアンテナパターンが 形成され、 該アンテナパターンが前記圧力検出用弾性表面波素子及ぴ前 記参照用弾性表面波素子の出力信号に基づく圧力検出信号を外部に発信 する発信回路に電気的に接続されていることを特徴とする請求項 1に記 載の圧力センサ装置。
1 2 . 前記アンテナパターンを、 前記第 2圧電基板の上面に被着させ てなることを特徴とする請求項 1 1に記載の圧力センサ装置。
1 3 . 前記アンテナパターンが、 前記圧力検出用弾性表面波素子の直 上領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項 1 2に記载 の圧力センサ装置。
1 4 . 前記アンテナパターンが蛇行状であることを特徴とする請求項 1 1に記載の圧力センサ装置。
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