JP2001108547A - 容量式圧力センサ - Google Patents
容量式圧力センサInfo
- Publication number
- JP2001108547A JP2001108547A JP28523499A JP28523499A JP2001108547A JP 2001108547 A JP2001108547 A JP 2001108547A JP 28523499 A JP28523499 A JP 28523499A JP 28523499 A JP28523499 A JP 28523499A JP 2001108547 A JP2001108547 A JP 2001108547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solder
- recess
- pad
- concave portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 32
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 102100033029 Carbonic anhydrase-related protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 101150000715 DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 101000867841 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 101001075218 Homo sapiens Gastrokine-1 Proteins 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
Abstract
られた基材とを接合する際に、はみ出した電極によって
接合不良が生じることを防ぐ。また、溶融はんだを使っ
た引き出し電極の作製時に、この溶融はんだが容量室内
に流れ込むのを防止する。 【解決手段】 第1および第2の基材(下側ウエハ2お
よび上側ウエハ3)は、第2および第4の凹部(パッド
形成部2bおよび3b)が対向する基材の凹部と重なり
合わないように、かつ、固定電極5と可動電極7とが対
向するようにして接合されている。
Description
に関し、特に容量素子を構成する固定電極および可動電
極のそれぞれに対して、溶融はんだで形成された引き出
し電極が接続された容量式圧力センサに関するものであ
る。
ラムを構成する薄いウエハと、基台となる厚いウエハと
を張り合わせ、厚いウエハ側にくぼみを設けて容量室を
形成していた。この場合、容量素子を構成する電極は、
上記容量室内で互いに対向するように配置されている。
図、図9は図8のIX−IX’線における断面図であ
る。これらの図に示すように、圧力センサ101は、下
側ウエハ102と、上側ウエハ103と、引き出し電極
104と、固定電極105と、パッド106と、可動電
極107と、パッド108と、リファレンス電極109
とで構成されている。
は、ともにサファイア、シリコン、ガラスまたはアルミ
ナ等で形成された基板である。下側ウエハ102は、そ
の縁部を除く中央部一体に凹部(以下、容量形成部10
2aという)が設けられ、この容量形成部102aを覆
うようにして上側ウエハ103が張り合わされている。
上側ウエハ103は、外部の圧力変化に応じて撓み易い
ようにその厚さが十分薄く形成され、受圧ダイアフラム
を構成している。この圧力変化に応じて撓み易い受圧ダ
イアフラムの中心部には可動電極107が密着固定さ
れ、圧力変化によっても撓みにくい受圧ダイアフラムの
縁部にはリファレンス電極109が密着固定されてい
る。一方、下側ウエハ102には、これら可動電極10
7およびリファレンス電極109と対向するようにし
て、固定電極105が密着固定されている。また、各電
極には、それぞれ下側ウエハ102を貫通する引き出し
電極104が取り付けられている。
た可動電極107およびリファレンス電極109と、下
側ウエハ102に設けられた固定電極105とで容量素
子を構成している。したがって、圧力変化によってダイ
アフラムが撓むと可動電極107も一緒に撓み、可動電
極107と固定電極105との距離が変化するため、こ
れらの電極間における容量変化を検出することにより、
圧力変化を間接的に測定することができるようになって
いる。なお、リファレンス電極109は、可動電極10
7と固定電極105間で検出された容量の補正に用いら
れる。
造方法について簡単に述べる。下側ウエハ102および
上側ウエハ103は、それぞれサファイア等の基板を加
工することによって作製される。すなわち、下側ウエハ
102は機械加工、レーザ加工または超音波加工等によ
り、引き出し電極104形成用の貫通孔が形成される。
そして、ドライエッチングによって下側ウエハ2の表面
には、凹部が形成され、その中に金属膜を蒸着、イオン
プレーティングまたはスパッタ等することにより形成し
てからエッチングにより固定電極105を作製する。固
定電極105はPt/密着増強膜で形成されており、密
着増強膜としてはTi,V,Cr,Nb,Zr,Hfま
たはTa等が用いられる。もちろん、エッチングを行わ
ずにシャドーマスクを介してスパッタ等してもよい。
基板にスパッタ等により金属膜(固定電極105と同
様)を形成してからエッチングにより、可動電極108
およびリファレンス電極109、パッド106を形成す
る。パッド106はAu/バリア膜/密着増強膜で形成
し、例えばバリア膜にPt、密着増強膜にNbを用い
る。もちろん、金属膜を成膜してからエッチングにより
電極を作製する代わりに、シャドーマスクを介してスパ
ッタすることにより電極を作製してもよい。その後、下
側ウエハ102に上側ウエハ103を張り合わせてか
ら、400〜1300℃の雰囲気下で直接接合すること
により両者を接合し、上記貫通孔に溶融はんだ(Sn−
Agはんだ等)を流し込むことによって引き出し電極1
04を形成する。なお、貫通孔の開口部とパッド106
および108が対向するように配置しておくことによ
り、溶融はんだはこれらのパッドに付着するため、確実
に電極を取り出すことができる。
うな従来例には種々の問題点がある。すなわち、ダイア
フラムを構成する上側ウエハ103においては、可動電
極107およびリファレンス電極109を形成する面
と、ウエハ同士の接合面とが同一面にあるため、電極の
形成不良やウエハの位置合わせにずれが生じた場合に、
はみ出した電極によってウエハの接合を阻害する恐れが
ある。一般的に下側ウエハおよび上側ウエハを同一材料
(例えばサファイア等)で作製した場合、直接接合によ
り両者を接合することが多いが、直接接合においては接
合面における平面性および微少面粗度が要求されるた
め、電極のはみ出しがウエハの接合強度を著しく落とし
てしまう原因となる。そのため、従来においては、電極
やそれに付随するリード部をウエハの接合部から十分に
離して設けなければならず、その分余分なスペースを作
らなければならないため、センサの小型化が困難であっ
た。
成時に溶融はんだが容量室内に流れ込んで電極同士が短
絡することを防止するため、パッド106および108
を設けるだけでなく、段差γを設けることによってパッ
ドと貫通孔との距離を短くし、流出するはんだ量を抑制
していた。ところが、このような急峻な段差γを設ける
とスパッタ時などにおいて、領域δにおける金属膜の形
成が困難となり、第1の配線の形成不良の原因となる。
のものであり、固定電極の設けられた基材と可動電極の
設けられた基材とを接合する際に、はみ出した電極によ
って接合不良が生じることを防ぐことができる容量式圧
力センサを提供することを目的とする。また、本発明の
その他の目的は、溶融はんだを使った引き出し電極の作
製時に、この溶融はんだが容量室内に流れ込むのを防止
することができる容量式圧力センサを提供することを目
的とする。
るために、本発明に係る容量式圧力センサは、第1の凹
部とこの第1の凹部に連通した第2の凹部とを有する第
1の基材と、底部が受圧ダイアフラムを構成した第3の
凹部とこの第3の凹部に連通した第4の凹部とを有する
第2の基材と、上記第1の凹部に設けられた固定電極
と、上記第2の凹部に設けられかつ上記固定電極に第1
の配線で接続された第1のパッドと、上記第3の凹部に
設けられた可動電極と、上記第4の凹部に設けられかつ
上記可動電極に第2の配線で接続された第2のパッド
と、上記第1のパッドに接続されかつ上記第1の基材に
設けられた貫通孔を介して外部に引き出された第1の引
き出し電極と、上記第2のパッドに接続されかつ上記第
1の基材に設けられた貫通孔を介して外部に引き出され
た第2の引き出し電極とを備えている。そして、上記第
1および第2の基材は、上記第2および第4の凹部が対
向する基材の凹部と重なり合わないように、かつ、上記
固定電極と上記可動電極とが対向するようにして接合さ
れている。
ような構成も含むものである。すなわち、上記第1およ
び第2の引き出し電極は、上記第1の基材に設けられた
貫通孔に注入された溶融はんだが冷却凝固することによ
り、上記固定電極および上記可動電極のそれぞれに固着
したものであってもよい。上記第2の凹部内にはんだ流
出防止壁を備え、このはんだ流出防止壁と上記第2の凹
部の内側面とで上記溶融はんだの迂回路を構成するとと
もに、上記第4の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、こ
のはんだ流出防止壁と上記第4の凹部の内側面とで上記
溶融はんだの迂回路を構成していてもよい。上記第1の
凹部と上記第2の凹部とを連通する部分における上記第
1の配線上に、上記溶融はんだの流出を抑制するための
はんだ流出防止突起が設けられ、上記第3の凹部と上記
第4の凹部とを連通する部分における上記第2の配線上
に、上記溶融はんだの流出を抑制するためのはんだ流出
防止突起が設けられていてもよい。上記はんだ流出防止
突起は、そのはんだ濡れ性が上記固定電極および上記可
動電極のはんだ濡れ性よりも悪い材料によって形成され
ていてもよい。
動電極のそれぞれが、第1の基材および第2の基材に設
けられた凹部内に設置されているため、第1の基材と第
2の基材との接合面に電極がはみ出しにくい構造を有す
る。そのため、第1の基材と第2の基材同士の接合不良
が生じにくく、従来例のように基材の接合部と電極形成
部とを十分離すための余分なスペースを必要としないた
め、センサの小型化を実現することができる。また、パ
ッドの設けられた凹部が対向する基材の凹部と重なり合
わないように配置されているため、引き出し電極を形成
するために設けられた貫通孔と対向する基材との距離を
短くすることができ、溶融はんだがはみ出しにくい構造
となっている。特にはんだ流出防止壁を用いて溶融はん
だの迂回路を形成することにより、容量室内へのはんだ
の流入を抑制して電極同士の短絡を防ぐことができる。
さらに、はんだ流出防止突起を設けることにより、溶融
はんだの容量室内への流れ混みを防ぐことができる。は
んだ流出防止突起を電極よりもはんだ濡れ性の悪い材料
を用いることにより、はんだの流入をより効果的に防ぐ
こともできる。
について図を用いて説明する。図1は本発明の一つの実
施の形態を示す平面図であり、 図2は図1のII−I
I’線における断面図である。ただし、図1において
は、最上層に位置する上側ウエハ3を透過した状態を示
す。これらの図に示すように、本実施の形態に係る容量
式圧力センサ1は、下側ウエハ2と、上側ウエハ3と、
引き出し電極4と、固定電極5と、パッド6と、可動電
極7と、パッド8と、リファレンス電極9とを備える。
にサファイア、シリコン、ガラスまたはアルミナ等で形
成された基板である。下側ウエハ2は、その縁部を除く
中央部一体に凹部(以下、容量形成部2aという)が設
けられ、この容量形成部2aを覆うようにして上側ウエ
ハ3が張り合わされている。上側ウエハ3は、その縁部
を除く中央部一体に凹部(以下、容量形成部3aとい
う)が設けられ、その底部は外部の圧力変化に応じて撓
み易いようにその厚さが十分薄く形成され、受圧ダイア
フラムを構成している。この圧力変化に応じて撓み易い
受圧ダイアフラムの中心部には可動電極7が密着固定さ
れ、圧力変化によっても撓みにくい受圧ダイアフラムの
縁部にはリファレンス電極9が密着固定されている。一
方、下側ウエハ2には、これら可動電極7およびリファ
レンス電極9と対向するようにして、固定電極5が密着
固定されている。また、各電極には、それぞれ下側ウエ
ハ2を貫通する引き出し電極4が取り付けられている。
部である容量形成部3aと、下側ウエハに設けられた凹
部である容量形成部2aとによって空洞(以下、容量室
という)が作られ、その中に設置されている可動電極7
およびリファレンス電極9と、固定電極5とで容量素子
が構成されている。したがって、圧力変化によってダイ
アフラムが撓むと可動電極7も一緒に撓み、可動電極7
と固定電極5との距離が変化するため、この容量変化を
検出することにより圧力変化を間接的に測定することが
できる。なお、リファレンス電極9は、可動電極7と固
定電極5間で検出された容量の補正に用いられる。
のパッド形成部2b,3bの詳細について説明する。図
3(a)は図1の領域αを拡大した平面図、図3(b)
はその側面断面図である。これらの図から明らかなよう
に、パッド形成部2bには、はんだ流出防止壁2cが設
けられ、溶融はんだの迂回路が構成されている。すなわ
ち、パッド6の下から流れ込んだ溶融はんだは、固定電
極5と一体成形されたパッド5aを伝ってパッド形成部
2b内に流れ出す。しかし、溶融はんだは、はんだ流出
防止壁2cとパッド形成部2bとの隙間にできた迂回路
を流れるため、従来よりも容量形成部2aに流れ込みに
くい構造となっている。
る。図4(a)は図1の領域βを拡大した平面図、図4
(b)はその側面断面図である。これらの図から明らか
なように、パッド形成部3bには、はんだ流出防止壁3
cが設けられ、溶融はんだの迂回路が構成されている。
すなわち、パッド8aの下から流れ込んだ溶融はんだ
は、可動電極7と一体成形されたパッド8を伝ってパッ
ド形成部3b内に流れ出す。しかし、溶融はんだは、は
んだ流出防止壁2cとパッド形成部2bとの隙間にでき
た迂回路を流れるため、従来よりも容量形成部2aに流
れ込みにくい構造となっている。
方法について述べる。下側ウエハ2および上側ウエハ3
は、それぞれサファイア等の基板を加工することによっ
て作製される。すなわち、下側ウエハ2は機械加工、レ
ーザ加工または超音波加工等により、引き出し電極4形
成用の貫通孔が形成される。そして、下側ウエハ2につ
いては、その表面をドライエッチングによって除去し、
容量形成部2aおよびパッド形成部3aを形成するため
の凹部を形成し、その中に金属膜を蒸着、イオンプレー
ティングまたはスパッタ等することによって形成してか
ら、エッチングにより固定電極5およびパッド8aを作
製する。固定電極5はPt/密着増強膜で形成されてお
り、密着増強膜としてはTi,V,Cr,Nb,Zr,
HfまたはTa等が用いられる。パッド8aはAu/バ
リア膜/密着増強膜で形成し、例えばバリア膜にPt、
密着増強膜にNbを用いる。もちろん、金属膜を成膜し
てからエッチングにより電極を作製する代わりに、シャ
ドーマスクを介してスパッタすることにより電極を作製
してもよい。
板にドライエッチングによって容量形成部2aおよびパ
ッド形成部3aを形成するための凹部が形成されてか
ら、スパッタ等により金属膜を形成し、エッチングによ
って可動電極8およびリファレンス電極9、パッド6を
形成する。パッド6はAu/バリア膜/密着増強膜で形
成し、例えばバリア膜にPt、密着増強膜にNbを用い
る。もちろん、金属膜を成膜してからエッチングにより
電極を作製する代わりに、シャドーマスクを介してスパ
ッタすることにより電極を作製してもよい。その後、下
側ウエハ2に上側ウエハ3を張り合わせてから、400
〜1300℃の雰囲気下で直接接合することにより両者
を接合し、下側ウエハ2を上にして上記貫通孔に溶融は
んだを流し込むことにより引き出し電極4を形成する。
なお、貫通孔の開口部とパッド6および8が対向するよ
うに配置しておくことにより、溶融はんだはこれらのパ
ッドに付着するため、容量室内に流れ込むことを防ぐこ
とができる。さらに、図3,4に示したように、はんだ
流出防止壁2b,3bによって形成された迂回路によ
り、溶融はんだが容量室に流れ込むことを効果的に抑制
できる。
する。図5(a)は図1に係るパッド形成部を示す平面
図であり、図5(b)はその他の形態に係るパッド形成
部を示す平面図である。同図(a)に示すように、上記
実施の形態においてはパッド形成部2bの中央部に位置
するようにC字型のはんだ流出防止壁2cを設けること
により(C字の開口部を容量室とは反対側に向ける)、
溶融はんだの迂回路を形成していた。この迂回路の働き
によって溶融はんだが容量形成部2aに流れ込むことを
防止できるわけであるが、はんだ流出防止壁2cのレイ
アウトによっては、さらに効果的にはんだの流出を防止
することができる。すなわち、同図(b)に示すよう
に、はんだ流出防止へ壁2cの一端を下側ウエハ2と接
続することにより、迂回路の長さを飛躍的に長くするこ
とができる。
突起10,11を設けた様子を示す平面図であり、図6
(b)はそのVII−VII’線における断面図であ
る。同図(a)に示すように、パッド形成部2bおよび
3bと、容量形成部2aおよび3aとの間にはんだ流出
防止突起10,11を設けている。このはんだ流出防止
突起10,11は、下側ウエハ2および上側ウエハ3を
それぞれ加工して作製してもよいし、別個の部材を新た
に取り付けてもよい。このようにはんだ流出防止突起を
設けることにより、万が一パッド形成部2,3bから溶
融はんだが流れ出したとしても、容量形成部2a,3a
に流れ込むことを防止することができる。特にはんだ流
出防止突起10,11を、電極よりもはんだ濡れ性の悪
い材料で作製しておけばより効果的に流出を防止するこ
とができる。なお、上記はんだ流出防止壁2c,3cに
ついても、はんだ流出防止突起10,11と同様に別部
材を取り付けるようにしてもよい。
および可動電極のそれぞれが、第1の基材および第2の
基材に設けられた凹部内に設置されているため、第1の
基材と第2の基材との接合面に電極がはみ出しにくい構
造を有する。そのため、第1の基材と第2の基材同士の
接合不良が生じにくく、従来例のように基材の接合部と
電極形成部とを十分離すための余分なスペースを必要と
しないため、センサの小型化を実現することができる。
また、パッドの設けられた凹部が対向する基材の凹部と
重なり合わないように配置されているため、引き出し電
極を形成するために設けられた貫通孔とその対向する基
材との距離を短くすることができ、溶融はんだがはみ出
しにくい構造となっている。特にはんだ流出防止壁を用
いて溶融はんだの迂回路を形成することにより、容量室
内へのはんだの流入を抑制して電極同士の短絡を防ぐこ
とができる。さらに、はんだ流出防止突起を設けること
により、溶融はんだの容量室内への流れ混みを防ぐこと
ができる。はんだ流出防止突起を電極よりもはんだ濡れ
性の悪い材料で形成することにより、はんだの流入をよ
り効果的に防ぐこともできる。
る。
る。
域αの側面断面図である。
域βの側面断面図である。
ある。
ある。
ある。
る。
2b…パッド形成部、2c…はんだ流出防止壁、3…上
側ウエハ、3a…容量形成部、3b…パッド形成部、3
c…はんだ流出防止壁、4…引き出し電極、5…固定電
極、5a…パッド、6…パッド、7…可動電極、8…パ
ッド、8a…パッド、9…リファレンス電極、10、1
1…はんだ流出防止突起、α、β、δ…領域、γ…段
差。
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の凹部とこの第1の凹部に連通した
第2の凹部とを有する第1の基材と、底部が受圧ダイア
フラムを構成した第3の凹部とこの第3の凹部に連通し
た第4の凹部とを有する第2の基材と、前記第1の凹部
に設けられた固定電極と、前記第2の凹部に設けられか
つ前記固定電極に第1の配線で接続された第1のパッド
と、前記第3の凹部に設けられた可動電極と、前記第4
の凹部に設けられかつ前記可動電極に第2の配線で接続
された第2のパッドと、前記第1のパッドに接続されか
つ前記第1の基材に設けられた貫通孔を介して外部に引
き出された第1の引き出し電極と、前記第2のパッドに
接続されかつ前記第1の基材に設けられた貫通孔を介し
て外部に引き出された第2の引き出し電極とを備え、 前記第1および第2の基材は、前記第2および第4の凹
部が対向する基材の凹部と重なり合わないように、か
つ、前記固定電極と前記可動電極とが対向するようにし
て接合されていることを特徴とする容量式圧力センサ。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記第1および第2の引き出し電極は、前記第1の基材
に設けられた貫通孔に注入された溶融はんだが冷却凝固
することにより、前記固定電極および前記可動電極のそ
れぞれに固着したものであることを特徴とする容量式圧
力センサ。 - 【請求項3】 請求項2において、 前記第2の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、このはん
だ流出防止壁と前記第2の凹部の内側面とで前記溶融は
んだの迂回路を構成するとともに、 前記第4の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、このはん
だ流出防止壁と前記第4の凹部の内側面とで前記溶融は
んだの迂回路を構成していることを特徴とする容量式圧
力センサ。 - 【請求項4】 請求項2において、 前記第1の凹部と前記第2の凹部とを連通する部分にお
ける前記第1の配線上に、前記溶融はんだの流出を抑制
するためのはんだ流出防止突起が設けられ、 前記第3の凹部と前記第4の凹部とを連通する部分にお
ける前記第2の配線上に、前記溶融はんだの流出を抑制
するためのはんだ流出防止突起が設けられていることを
特徴とする容量式圧力センサ。 - 【請求項5】 請求項4において、 前記はんだ流出防止突起は、そのはんだ濡れ性が前記第
1の配線および前記第2の配線のはんだ濡れ性よりも悪
い材料によって形成されていることを特徴とする容量式
圧力センサ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28523499A JP3588286B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 容量式圧力センサ |
CN00128193A CN1125976C (zh) | 1999-10-06 | 2000-09-30 | 电容压力传感器 |
US09/680,391 US6341527B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-04 | Capacitive pressure sensor |
KR20000058083A KR100351348B1 (ko) | 1999-10-06 | 2000-10-04 | 용량성 압력센서 |
EP00250331A EP1091202B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | Capacitive pressure sensor |
DE60012645T DE60012645T2 (de) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | Kapazitiver Drucksensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28523499A JP3588286B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 容量式圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001108547A true JP2001108547A (ja) | 2001-04-20 |
JP3588286B2 JP3588286B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=17688861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28523499A Expired - Fee Related JP3588286B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 容量式圧力センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6341527B1 (ja) |
EP (1) | EP1091202B1 (ja) |
JP (1) | JP3588286B2 (ja) |
KR (1) | KR100351348B1 (ja) |
CN (1) | CN1125976C (ja) |
DE (1) | DE60012645T2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002350263A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
JP2008020433A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-31 | Denso Corp | 力学量センサ |
JP2008049467A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049466A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049465A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049464A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008311427A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Toyota Central R&D Labs Inc | 回路装置と、その回路装置に用いられる絶縁性基板 |
CN103000699A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 薄型大功率、低正向贴面封装二极管 |
KR101477859B1 (ko) * | 2012-05-08 | 2014-12-30 | 한국 한의학 연구원 | 유리 재흐름 공정을 이용하고 실리콘 비아 전극을 포함하는 맥진용 정전용량형 mems 압력 센서의 제조 방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004016168A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-26 | Czarnek & Orkin Laboratories, Inc. | Capacitive uterine contraction sensor |
DE10244077B4 (de) * | 2002-09-06 | 2007-03-15 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mit Durchkontaktierung |
DE102004018408A1 (de) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zur Herstellung |
CN1764328B (zh) * | 2004-10-18 | 2010-12-15 | 财团法人工业技术研究院 | 动态压力感测装置 |
US7662653B2 (en) * | 2005-02-10 | 2010-02-16 | Cardiomems, Inc. | Method of manufacturing a hermetic chamber with electrical feedthroughs |
US7539003B2 (en) * | 2005-12-01 | 2009-05-26 | Lv Sensors, Inc. | Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes |
KR101015544B1 (ko) | 2008-03-20 | 2011-02-16 | (주)미코엠에스티 | 용량형 압력센서 및 그의 제조방법 |
US8490495B2 (en) | 2010-05-05 | 2013-07-23 | Consensic, Inc. | Capacitive pressure sensor with vertical electrical feedthroughs and method to make the same |
CN102183335B (zh) | 2011-03-15 | 2015-10-21 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
CN103454018B (zh) * | 2012-05-31 | 2015-09-09 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 压力传感器、振荡器、超声波传感器及测量方法 |
EP2755005A3 (en) | 2013-01-09 | 2017-01-25 | Auto Industrial Co., Ltd. | Output specification calibrating apparatus for capacitive pressure sensor |
US9837935B2 (en) * | 2013-10-29 | 2017-12-05 | Honeywell International Inc. | All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate |
US9464950B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-10-11 | Rosemount Aerospace Inc. | Capacitive pressure sensors for high temperature applications |
WO2015131065A1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Valencell, Inc. | Method and apparatus for generating assessments using physical activity and biometric parameters |
CN104931188A (zh) * | 2014-03-20 | 2015-09-23 | 立锜科技股份有限公司 | 微机电压力计以及其制作方法 |
DE102016200164B3 (de) * | 2015-10-16 | 2016-03-31 | Ifm Electronic Gmbh | Kapazitive Druckmesszelle und Druckmessgerät mit einer solchen Druckmesszelle |
JP6981885B2 (ja) * | 2018-01-23 | 2021-12-17 | アズビル株式会社 | 静電容量型圧力センサの異常検知方法および装置 |
CN110031883B (zh) * | 2019-03-05 | 2022-06-07 | 中国辐射防护研究院 | 一种基于无线电容式高电离辐射剂量传感器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0339981A3 (en) * | 1988-04-29 | 1991-10-09 | Schlumberger Industries, Inc. | Laminated semiconductor sensor with overpressure protection |
JPH08254474A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Omron Corp | 半導体式センサ |
DE69942382D1 (de) | 1998-03-12 | 2010-07-01 | Yamatake Corp | Sensor und verfahren zu dessen herstellung |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28523499A patent/JP3588286B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-30 CN CN00128193A patent/CN1125976C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-04 US US09/680,391 patent/US6341527B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-04 KR KR20000058083A patent/KR100351348B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-05 EP EP00250331A patent/EP1091202B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-05 DE DE60012645T patent/DE60012645T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002350263A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
JP2008020433A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-31 | Denso Corp | 力学量センサ |
JP2008049467A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049466A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049465A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008049464A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008311427A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Toyota Central R&D Labs Inc | 回路装置と、その回路装置に用いられる絶縁性基板 |
KR101477859B1 (ko) * | 2012-05-08 | 2014-12-30 | 한국 한의학 연구원 | 유리 재흐름 공정을 이용하고 실리콘 비아 전극을 포함하는 맥진용 정전용량형 mems 압력 센서의 제조 방법 |
CN103000699A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 薄型大功率、低正向贴面封装二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3588286B2 (ja) | 2004-11-10 |
KR20010039983A (ko) | 2001-05-15 |
EP1091202A3 (en) | 2002-07-10 |
EP1091202A2 (en) | 2001-04-11 |
DE60012645T2 (de) | 2005-08-11 |
CN1125976C (zh) | 2003-10-29 |
KR100351348B1 (ko) | 2002-09-05 |
EP1091202B1 (en) | 2004-08-04 |
DE60012645D1 (de) | 2004-09-09 |
CN1297144A (zh) | 2001-05-30 |
US6341527B1 (en) | 2002-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001108547A (ja) | 容量式圧力センサ | |
JP4588753B2 (ja) | 電子素子パッケージの製造方法および電子素子パッケージ | |
EP2346083B1 (en) | Mems sensor | |
US8776602B2 (en) | Acceleration sensor, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2003198303A (ja) | 圧電振動片及びその加工方法 | |
JP3915117B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JPH05121989A (ja) | 圧電素子の収納容器 | |
JP2000275272A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
JP2002050772A (ja) | 半導体センサの製造装置および半導体センサの製造方法 | |
TWI735167B (zh) | 半導體裝置 | |
JPH05256869A (ja) | 半導体式加速度センサおよびその製造方法 | |
JP3240901B2 (ja) | 静電容量型センサ | |
US6941812B2 (en) | Converter and method of manufacturing the same | |
JP3756734B2 (ja) | 容量式圧力センサ | |
JP2001194253A (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
JP2009118143A (ja) | 水晶デバイスとその製造方法 | |
JP3802211B2 (ja) | 半導体装置の電極構造、および半導体装置における電極構造の製造方法 | |
JP2004012408A (ja) | 物理量検出器の製造方法 | |
JP2000150915A (ja) | 半導体加速度センサチップ及びその製造方法 | |
JPH07218365A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JP3023444B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP3525383B2 (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
CN114279618A (zh) | 压力检测元件 | |
JP2000310648A (ja) | 静電容量式センサ及びその製造方法 | |
JP2007078444A (ja) | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040810 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3588286 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140820 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |