JP2001108547A - 容量式圧力センサ - Google Patents

容量式圧力センサ

Info

Publication number
JP2001108547A
JP2001108547A JP28523499A JP28523499A JP2001108547A JP 2001108547 A JP2001108547 A JP 2001108547A JP 28523499 A JP28523499 A JP 28523499A JP 28523499 A JP28523499 A JP 28523499A JP 2001108547 A JP2001108547 A JP 2001108547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
solder
recess
pad
concave portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP28523499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3588286B2 (ja
Inventor
Yoshiyuki Ishikura
義之 石倉
Shigeo Kimura
重夫 木村
Homare Masuda
誉 増田
Susumu Soeda
将 添田
Toshiyuki Kataoka
俊之 片岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
Priority to JP28523499A priority Critical patent/JP3588286B2/ja
Priority to CN00128193A priority patent/CN1125976C/zh
Priority to US09/680,391 priority patent/US6341527B1/en
Priority to KR20000058083A priority patent/KR100351348B1/ko
Priority to EP00250331A priority patent/EP1091202B1/en
Priority to DE60012645T priority patent/DE60012645T2/de
Publication of JP2001108547A publication Critical patent/JP2001108547A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3588286B2 publication Critical patent/JP3588286B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固定電極の設けられた基材と可動電極の設け
られた基材とを接合する際に、はみ出した電極によって
接合不良が生じることを防ぐ。また、溶融はんだを使っ
た引き出し電極の作製時に、この溶融はんだが容量室内
に流れ込むのを防止する。 【解決手段】 第1および第2の基材(下側ウエハ2お
よび上側ウエハ3)は、第2および第4の凹部(パッド
形成部2bおよび3b)が対向する基材の凹部と重なり
合わないように、かつ、固定電極5と可動電極7とが対
向するようにして接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、容量式圧力センサ
に関し、特に容量素子を構成する固定電極および可動電
極のそれぞれに対して、溶融はんだで形成された引き出
し電極が接続された容量式圧力センサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来の容量式圧力センサでは、ダイアフ
ラムを構成する薄いウエハと、基台となる厚いウエハと
を張り合わせ、厚いウエハ側にくぼみを設けて容量室を
形成していた。この場合、容量素子を構成する電極は、
上記容量室内で互いに対向するように配置されている。
【0003】図8は従来の容量式圧力センサを示す平面
図、図9は図8のIX−IX’線における断面図であ
る。これらの図に示すように、圧力センサ101は、下
側ウエハ102と、上側ウエハ103と、引き出し電極
104と、固定電極105と、パッド106と、可動電
極107と、パッド108と、リファレンス電極109
とで構成されている。
【0004】下側ウエハ102および上側ウエハ103
は、ともにサファイア、シリコン、ガラスまたはアルミ
ナ等で形成された基板である。下側ウエハ102は、そ
の縁部を除く中央部一体に凹部(以下、容量形成部10
2aという)が設けられ、この容量形成部102aを覆
うようにして上側ウエハ103が張り合わされている。
上側ウエハ103は、外部の圧力変化に応じて撓み易い
ようにその厚さが十分薄く形成され、受圧ダイアフラム
を構成している。この圧力変化に応じて撓み易い受圧ダ
イアフラムの中心部には可動電極107が密着固定さ
れ、圧力変化によっても撓みにくい受圧ダイアフラムの
縁部にはリファレンス電極109が密着固定されてい
る。一方、下側ウエハ102には、これら可動電極10
7およびリファレンス電極109と対向するようにし
て、固定電極105が密着固定されている。また、各電
極には、それぞれ下側ウエハ102を貫通する引き出し
電極104が取り付けられている。
【0005】このように、上側ウエハ103に設けられ
た可動電極107およびリファレンス電極109と、下
側ウエハ102に設けられた固定電極105とで容量素
子を構成している。したがって、圧力変化によってダイ
アフラムが撓むと可動電極107も一緒に撓み、可動電
極107と固定電極105との距離が変化するため、こ
れらの電極間における容量変化を検出することにより、
圧力変化を間接的に測定することができるようになって
いる。なお、リファレンス電極109は、可動電極10
7と固定電極105間で検出された容量の補正に用いら
れる。
【0006】ここで、このような容量式圧力センサの製
造方法について簡単に述べる。下側ウエハ102および
上側ウエハ103は、それぞれサファイア等の基板を加
工することによって作製される。すなわち、下側ウエハ
102は機械加工、レーザ加工または超音波加工等によ
り、引き出し電極104形成用の貫通孔が形成される。
そして、ドライエッチングによって下側ウエハ2の表面
には、凹部が形成され、その中に金属膜を蒸着、イオン
プレーティングまたはスパッタ等することにより形成し
てからエッチングにより固定電極105を作製する。固
定電極105はPt/密着増強膜で形成されており、密
着増強膜としてはTi,V,Cr,Nb,Zr,Hfま
たはTa等が用いられる。もちろん、エッチングを行わ
ずにシャドーマスクを介してスパッタ等してもよい。
【0007】一方、上側ウエハ103はサファイア等の
基板にスパッタ等により金属膜(固定電極105と同
様)を形成してからエッチングにより、可動電極108
およびリファレンス電極109、パッド106を形成す
る。パッド106はAu/バリア膜/密着増強膜で形成
し、例えばバリア膜にPt、密着増強膜にNbを用い
る。もちろん、金属膜を成膜してからエッチングにより
電極を作製する代わりに、シャドーマスクを介してスパ
ッタすることにより電極を作製してもよい。その後、下
側ウエハ102に上側ウエハ103を張り合わせてか
ら、400〜1300℃の雰囲気下で直接接合すること
により両者を接合し、上記貫通孔に溶融はんだ(Sn−
Agはんだ等)を流し込むことによって引き出し電極1
04を形成する。なお、貫通孔の開口部とパッド106
および108が対向するように配置しておくことによ
り、溶融はんだはこれらのパッドに付着するため、確実
に電極を取り出すことができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例には種々の問題点がある。すなわち、ダイア
フラムを構成する上側ウエハ103においては、可動電
極107およびリファレンス電極109を形成する面
と、ウエハ同士の接合面とが同一面にあるため、電極の
形成不良やウエハの位置合わせにずれが生じた場合に、
はみ出した電極によってウエハの接合を阻害する恐れが
ある。一般的に下側ウエハおよび上側ウエハを同一材料
(例えばサファイア等)で作製した場合、直接接合によ
り両者を接合することが多いが、直接接合においては接
合面における平面性および微少面粗度が要求されるた
め、電極のはみ出しがウエハの接合強度を著しく落とし
てしまう原因となる。そのため、従来においては、電極
やそれに付随するリード部をウエハの接合部から十分に
離して設けなければならず、その分余分なスペースを作
らなければならないため、センサの小型化が困難であっ
た。
【0009】また、図9においては、引き出し電極の形
成時に溶融はんだが容量室内に流れ込んで電極同士が短
絡することを防止するため、パッド106および108
を設けるだけでなく、段差γを設けることによってパッ
ドと貫通孔との距離を短くし、流出するはんだ量を抑制
していた。ところが、このような急峻な段差γを設ける
とスパッタ時などにおいて、領域δにおける金属膜の形
成が困難となり、第1の配線の形成不良の原因となる。
【0010】本発明は、このような課題を解決するため
のものであり、固定電極の設けられた基材と可動電極の
設けられた基材とを接合する際に、はみ出した電極によ
って接合不良が生じることを防ぐことができる容量式圧
力センサを提供することを目的とする。また、本発明の
その他の目的は、溶融はんだを使った引き出し電極の作
製時に、この溶融はんだが容量室内に流れ込むのを防止
することができる容量式圧力センサを提供することを目
的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る容量式圧力センサは、第1の凹
部とこの第1の凹部に連通した第2の凹部とを有する第
1の基材と、底部が受圧ダイアフラムを構成した第3の
凹部とこの第3の凹部に連通した第4の凹部とを有する
第2の基材と、上記第1の凹部に設けられた固定電極
と、上記第2の凹部に設けられかつ上記固定電極に第1
の配線で接続された第1のパッドと、上記第3の凹部に
設けられた可動電極と、上記第4の凹部に設けられかつ
上記可動電極に第2の配線で接続された第2のパッド
と、上記第1のパッドに接続されかつ上記第1の基材に
設けられた貫通孔を介して外部に引き出された第1の引
き出し電極と、上記第2のパッドに接続されかつ上記第
1の基材に設けられた貫通孔を介して外部に引き出され
た第2の引き出し電極とを備えている。そして、上記第
1および第2の基材は、上記第2および第4の凹部が対
向する基材の凹部と重なり合わないように、かつ、上記
固定電極と上記可動電極とが対向するようにして接合さ
れている。
【0012】また、本発明はその他の態様として、次の
ような構成も含むものである。すなわち、上記第1およ
び第2の引き出し電極は、上記第1の基材に設けられた
貫通孔に注入された溶融はんだが冷却凝固することによ
り、上記固定電極および上記可動電極のそれぞれに固着
したものであってもよい。上記第2の凹部内にはんだ流
出防止壁を備え、このはんだ流出防止壁と上記第2の凹
部の内側面とで上記溶融はんだの迂回路を構成するとと
もに、上記第4の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、こ
のはんだ流出防止壁と上記第4の凹部の内側面とで上記
溶融はんだの迂回路を構成していてもよい。上記第1の
凹部と上記第2の凹部とを連通する部分における上記第
1の配線上に、上記溶融はんだの流出を抑制するための
はんだ流出防止突起が設けられ、上記第3の凹部と上記
第4の凹部とを連通する部分における上記第2の配線上
に、上記溶融はんだの流出を抑制するためのはんだ流出
防止突起が設けられていてもよい。上記はんだ流出防止
突起は、そのはんだ濡れ性が上記固定電極および上記可
動電極のはんだ濡れ性よりも悪い材料によって形成され
ていてもよい。
【0013】したがって、本発明は、固定電極および可
動電極のそれぞれが、第1の基材および第2の基材に設
けられた凹部内に設置されているため、第1の基材と第
2の基材との接合面に電極がはみ出しにくい構造を有す
る。そのため、第1の基材と第2の基材同士の接合不良
が生じにくく、従来例のように基材の接合部と電極形成
部とを十分離すための余分なスペースを必要としないた
め、センサの小型化を実現することができる。また、パ
ッドの設けられた凹部が対向する基材の凹部と重なり合
わないように配置されているため、引き出し電極を形成
するために設けられた貫通孔と対向する基材との距離を
短くすることができ、溶融はんだがはみ出しにくい構造
となっている。特にはんだ流出防止壁を用いて溶融はん
だの迂回路を形成することにより、容量室内へのはんだ
の流入を抑制して電極同士の短絡を防ぐことができる。
さらに、はんだ流出防止突起を設けることにより、溶融
はんだの容量室内への流れ混みを防ぐことができる。は
んだ流出防止突起を電極よりもはんだ濡れ性の悪い材料
を用いることにより、はんだの流入をより効果的に防ぐ
こともできる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図1は本発明の一つの実
施の形態を示す平面図であり、 図2は図1のII−I
I’線における断面図である。ただし、図1において
は、最上層に位置する上側ウエハ3を透過した状態を示
す。これらの図に示すように、本実施の形態に係る容量
式圧力センサ1は、下側ウエハ2と、上側ウエハ3と、
引き出し電極4と、固定電極5と、パッド6と、可動電
極7と、パッド8と、リファレンス電極9とを備える。
【0015】下側ウエハ2および上側ウエハ3は、とも
にサファイア、シリコン、ガラスまたはアルミナ等で形
成された基板である。下側ウエハ2は、その縁部を除く
中央部一体に凹部(以下、容量形成部2aという)が設
けられ、この容量形成部2aを覆うようにして上側ウエ
ハ3が張り合わされている。上側ウエハ3は、その縁部
を除く中央部一体に凹部(以下、容量形成部3aとい
う)が設けられ、その底部は外部の圧力変化に応じて撓
み易いようにその厚さが十分薄く形成され、受圧ダイア
フラムを構成している。この圧力変化に応じて撓み易い
受圧ダイアフラムの中心部には可動電極7が密着固定さ
れ、圧力変化によっても撓みにくい受圧ダイアフラムの
縁部にはリファレンス電極9が密着固定されている。一
方、下側ウエハ2には、これら可動電極7およびリファ
レンス電極9と対向するようにして、固定電極5が密着
固定されている。また、各電極には、それぞれ下側ウエ
ハ2を貫通する引き出し電極4が取り付けられている。
【0016】このように、上側ウエハ3に設けられた凹
部である容量形成部3aと、下側ウエハに設けられた凹
部である容量形成部2aとによって空洞(以下、容量室
という)が作られ、その中に設置されている可動電極7
およびリファレンス電極9と、固定電極5とで容量素子
が構成されている。したがって、圧力変化によってダイ
アフラムが撓むと可動電極7も一緒に撓み、可動電極7
と固定電極5との距離が変化するため、この容量変化を
検出することにより圧力変化を間接的に測定することが
できる。なお、リファレンス電極9は、可動電極7と固
定電極5間で検出された容量の補正に用いられる。
【0017】ここで、本実施の形態の特徴とするところ
のパッド形成部2b,3bの詳細について説明する。図
3(a)は図1の領域αを拡大した平面図、図3(b)
はその側面断面図である。これらの図から明らかなよう
に、パッド形成部2bには、はんだ流出防止壁2cが設
けられ、溶融はんだの迂回路が構成されている。すなわ
ち、パッド6の下から流れ込んだ溶融はんだは、固定電
極5と一体成形されたパッド5aを伝ってパッド形成部
2b内に流れ出す。しかし、溶融はんだは、はんだ流出
防止壁2cとパッド形成部2bとの隙間にできた迂回路
を流れるため、従来よりも容量形成部2aに流れ込みに
くい構造となっている。
【0018】パッド形成部3bについても上記同様であ
る。図4(a)は図1の領域βを拡大した平面図、図4
(b)はその側面断面図である。これらの図から明らか
なように、パッド形成部3bには、はんだ流出防止壁3
cが設けられ、溶融はんだの迂回路が構成されている。
すなわち、パッド8aの下から流れ込んだ溶融はんだ
は、可動電極7と一体成形されたパッド8を伝ってパッ
ド形成部3b内に流れ出す。しかし、溶融はんだは、は
んだ流出防止壁2cとパッド形成部2bとの隙間にでき
た迂回路を流れるため、従来よりも容量形成部2aに流
れ込みにくい構造となっている。
【0019】次に、このような容量式圧力センサの製造
方法について述べる。下側ウエハ2および上側ウエハ3
は、それぞれサファイア等の基板を加工することによっ
て作製される。すなわち、下側ウエハ2は機械加工、レ
ーザ加工または超音波加工等により、引き出し電極4形
成用の貫通孔が形成される。そして、下側ウエハ2につ
いては、その表面をドライエッチングによって除去し、
容量形成部2aおよびパッド形成部3aを形成するため
の凹部を形成し、その中に金属膜を蒸着、イオンプレー
ティングまたはスパッタ等することによって形成してか
ら、エッチングにより固定電極5およびパッド8aを作
製する。固定電極5はPt/密着増強膜で形成されてお
り、密着増強膜としてはTi,V,Cr,Nb,Zr,
HfまたはTa等が用いられる。パッド8aはAu/バ
リア膜/密着増強膜で形成し、例えばバリア膜にPt、
密着増強膜にNbを用いる。もちろん、金属膜を成膜し
てからエッチングにより電極を作製する代わりに、シャ
ドーマスクを介してスパッタすることにより電極を作製
してもよい。
【0020】一方、上側ウエハ3は、サファイア等の基
板にドライエッチングによって容量形成部2aおよびパ
ッド形成部3aを形成するための凹部が形成されてか
ら、スパッタ等により金属膜を形成し、エッチングによ
って可動電極8およびリファレンス電極9、パッド6を
形成する。パッド6はAu/バリア膜/密着増強膜で形
成し、例えばバリア膜にPt、密着増強膜にNbを用い
る。もちろん、金属膜を成膜してからエッチングにより
電極を作製する代わりに、シャドーマスクを介してスパ
ッタすることにより電極を作製してもよい。その後、下
側ウエハ2に上側ウエハ3を張り合わせてから、400
〜1300℃の雰囲気下で直接接合することにより両者
を接合し、下側ウエハ2を上にして上記貫通孔に溶融は
んだを流し込むことにより引き出し電極4を形成する。
なお、貫通孔の開口部とパッド6および8が対向するよ
うに配置しておくことにより、溶融はんだはこれらのパ
ッドに付着するため、容量室内に流れ込むことを防ぐこ
とができる。さらに、図3,4に示したように、はんだ
流出防止壁2b,3bによって形成された迂回路によ
り、溶融はんだが容量室に流れ込むことを効果的に抑制
できる。
【0021】次に、本発明のその他の形態について説明
する。図5(a)は図1に係るパッド形成部を示す平面
図であり、図5(b)はその他の形態に係るパッド形成
部を示す平面図である。同図(a)に示すように、上記
実施の形態においてはパッド形成部2bの中央部に位置
するようにC字型のはんだ流出防止壁2cを設けること
により(C字の開口部を容量室とは反対側に向ける)、
溶融はんだの迂回路を形成していた。この迂回路の働き
によって溶融はんだが容量形成部2aに流れ込むことを
防止できるわけであるが、はんだ流出防止壁2cのレイ
アウトによっては、さらに効果的にはんだの流出を防止
することができる。すなわち、同図(b)に示すよう
に、はんだ流出防止へ壁2cの一端を下側ウエハ2と接
続することにより、迂回路の長さを飛躍的に長くするこ
とができる。
【0022】図6(a)は図1の構成にはんだ流出防止
突起10,11を設けた様子を示す平面図であり、図6
(b)はそのVII−VII’線における断面図であ
る。同図(a)に示すように、パッド形成部2bおよび
3bと、容量形成部2aおよび3aとの間にはんだ流出
防止突起10,11を設けている。このはんだ流出防止
突起10,11は、下側ウエハ2および上側ウエハ3を
それぞれ加工して作製してもよいし、別個の部材を新た
に取り付けてもよい。このようにはんだ流出防止突起を
設けることにより、万が一パッド形成部2,3bから溶
融はんだが流れ出したとしても、容量形成部2a,3a
に流れ込むことを防止することができる。特にはんだ流
出防止突起10,11を、電極よりもはんだ濡れ性の悪
い材料で作製しておけばより効果的に流出を防止するこ
とができる。なお、上記はんだ流出防止壁2c,3cに
ついても、はんだ流出防止突起10,11と同様に別部
材を取り付けるようにしてもよい。
【0023】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明は、固定電極
および可動電極のそれぞれが、第1の基材および第2の
基材に設けられた凹部内に設置されているため、第1の
基材と第2の基材との接合面に電極がはみ出しにくい構
造を有する。そのため、第1の基材と第2の基材同士の
接合不良が生じにくく、従来例のように基材の接合部と
電極形成部とを十分離すための余分なスペースを必要と
しないため、センサの小型化を実現することができる。
また、パッドの設けられた凹部が対向する基材の凹部と
重なり合わないように配置されているため、引き出し電
極を形成するために設けられた貫通孔とその対向する基
材との距離を短くすることができ、溶融はんだがはみ出
しにくい構造となっている。特にはんだ流出防止壁を用
いて溶融はんだの迂回路を形成することにより、容量室
内へのはんだの流入を抑制して電極同士の短絡を防ぐこ
とができる。さらに、はんだ流出防止突起を設けること
により、溶融はんだの容量室内への流れ混みを防ぐこと
ができる。はんだ流出防止突起を電極よりもはんだ濡れ
性の悪い材料で形成することにより、はんだの流入をよ
り効果的に防ぐこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一つの実施の形態を示す平面図であ
る。
【図2】 図1のII−II’線における断面図であ
る。
【図3】 (a)図1の領域αを示す平面図、(b)領
域αの側面断面図である。
【図4】 (a)図1の領域βを示す平面図、(b)領
域βの側面断面図である。
【図5】 本発明のその他の実施の形態を示す平面図で
ある。
【図6】 本発明のその他の実施の形態を示す平面図で
ある。
【図7】 図6のVII−VII’線における断面図で
ある。
【図8】 従来例を示す平面図である。
【図9】 図8のIX−IX’線における断面図であ
る。
【符号の説明】
1…圧力センサ、2…下側ウエハ、2a…容量形成部、
2b…パッド形成部、2c…はんだ流出防止壁、3…上
側ウエハ、3a…容量形成部、3b…パッド形成部、3
c…はんだ流出防止壁、4…引き出し電極、5…固定電
極、5a…パッド、6…パッド、7…可動電極、8…パ
ッド、8a…パッド、9…リファレンス電極、10、1
1…はんだ流出防止突起、α、β、δ…領域、γ…段
差。
フロントページの続き (72)発明者 増田 誉 東京都渋谷区渋谷2丁目12番19号 株式会 社山武内 (72)発明者 添田 将 東京都渋谷区渋谷2丁目12番19号 株式会 社山武内 (72)発明者 片岡 俊之 東京都渋谷区渋谷2丁目12番19号 株式会 社山武内 Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 DD07 DD09 EE25 FF43 FF49 GG12 GG49 4M112 AA01 BA07 CA02 CA11 CA13 DA18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の凹部とこの第1の凹部に連通した
    第2の凹部とを有する第1の基材と、底部が受圧ダイア
    フラムを構成した第3の凹部とこの第3の凹部に連通し
    た第4の凹部とを有する第2の基材と、前記第1の凹部
    に設けられた固定電極と、前記第2の凹部に設けられか
    つ前記固定電極に第1の配線で接続された第1のパッド
    と、前記第3の凹部に設けられた可動電極と、前記第4
    の凹部に設けられかつ前記可動電極に第2の配線で接続
    された第2のパッドと、前記第1のパッドに接続されか
    つ前記第1の基材に設けられた貫通孔を介して外部に引
    き出された第1の引き出し電極と、前記第2のパッドに
    接続されかつ前記第1の基材に設けられた貫通孔を介し
    て外部に引き出された第2の引き出し電極とを備え、 前記第1および第2の基材は、前記第2および第4の凹
    部が対向する基材の凹部と重なり合わないように、か
    つ、前記固定電極と前記可動電極とが対向するようにし
    て接合されていることを特徴とする容量式圧力センサ。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記第1および第2の引き出し電極は、前記第1の基材
    に設けられた貫通孔に注入された溶融はんだが冷却凝固
    することにより、前記固定電極および前記可動電極のそ
    れぞれに固着したものであることを特徴とする容量式圧
    力センサ。
  3. 【請求項3】 請求項2において、 前記第2の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、このはん
    だ流出防止壁と前記第2の凹部の内側面とで前記溶融は
    んだの迂回路を構成するとともに、 前記第4の凹部内にはんだ流出防止壁を備え、このはん
    だ流出防止壁と前記第4の凹部の内側面とで前記溶融は
    んだの迂回路を構成していることを特徴とする容量式圧
    力センサ。
  4. 【請求項4】 請求項2において、 前記第1の凹部と前記第2の凹部とを連通する部分にお
    ける前記第1の配線上に、前記溶融はんだの流出を抑制
    するためのはんだ流出防止突起が設けられ、 前記第3の凹部と前記第4の凹部とを連通する部分にお
    ける前記第2の配線上に、前記溶融はんだの流出を抑制
    するためのはんだ流出防止突起が設けられていることを
    特徴とする容量式圧力センサ。
  5. 【請求項5】 請求項4において、 前記はんだ流出防止突起は、そのはんだ濡れ性が前記第
    1の配線および前記第2の配線のはんだ濡れ性よりも悪
    い材料によって形成されていることを特徴とする容量式
    圧力センサ。
JP28523499A 1999-10-06 1999-10-06 容量式圧力センサ Expired - Fee Related JP3588286B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28523499A JP3588286B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 容量式圧力センサ
CN00128193A CN1125976C (zh) 1999-10-06 2000-09-30 电容压力传感器
US09/680,391 US6341527B1 (en) 1999-10-06 2000-10-04 Capacitive pressure sensor
KR20000058083A KR100351348B1 (ko) 1999-10-06 2000-10-04 용량성 압력센서
EP00250331A EP1091202B1 (en) 1999-10-06 2000-10-05 Capacitive pressure sensor
DE60012645T DE60012645T2 (de) 1999-10-06 2000-10-05 Kapazitiver Drucksensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28523499A JP3588286B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 容量式圧力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001108547A true JP2001108547A (ja) 2001-04-20
JP3588286B2 JP3588286B2 (ja) 2004-11-10

Family

ID=17688861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28523499A Expired - Fee Related JP3588286B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 容量式圧力センサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6341527B1 (ja)
EP (1) EP1091202B1 (ja)
JP (1) JP3588286B2 (ja)
KR (1) KR100351348B1 (ja)
CN (1) CN1125976C (ja)
DE (1) DE60012645T2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350263A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Kyocera Corp 圧力検出装置用パッケージ
JP2008020433A (ja) * 2006-06-13 2008-01-31 Denso Corp 力学量センサ
JP2008049467A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049466A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049465A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049464A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008311427A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Toyota Central R&D Labs Inc 回路装置と、その回路装置に用いられる絶縁性基板
CN103000699A (zh) * 2012-12-14 2013-03-27 重庆平伟实业股份有限公司 薄型大功率、低正向贴面封装二极管
KR101477859B1 (ko) * 2012-05-08 2014-12-30 한국 한의학 연구원 유리 재흐름 공정을 이용하고 실리콘 비아 전극을 포함하는 맥진용 정전용량형 mems 압력 센서의 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004016168A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-26 Czarnek & Orkin Laboratories, Inc. Capacitive uterine contraction sensor
DE10244077B4 (de) * 2002-09-06 2007-03-15 INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mit Durchkontaktierung
DE102004018408A1 (de) * 2004-04-16 2005-11-03 Robert Bosch Gmbh Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zur Herstellung
CN1764328B (zh) * 2004-10-18 2010-12-15 财团法人工业技术研究院 动态压力感测装置
US7662653B2 (en) * 2005-02-10 2010-02-16 Cardiomems, Inc. Method of manufacturing a hermetic chamber with electrical feedthroughs
US7539003B2 (en) * 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
KR101015544B1 (ko) 2008-03-20 2011-02-16 (주)미코엠에스티 용량형 압력센서 및 그의 제조방법
US8490495B2 (en) 2010-05-05 2013-07-23 Consensic, Inc. Capacitive pressure sensor with vertical electrical feedthroughs and method to make the same
CN102183335B (zh) 2011-03-15 2015-10-21 迈尔森电子(天津)有限公司 Mems压力传感器及其制作方法
CN103454018B (zh) * 2012-05-31 2015-09-09 上海丽恒光微电子科技有限公司 压力传感器、振荡器、超声波传感器及测量方法
EP2755005A3 (en) 2013-01-09 2017-01-25 Auto Industrial Co., Ltd. Output specification calibrating apparatus for capacitive pressure sensor
US9837935B2 (en) * 2013-10-29 2017-12-05 Honeywell International Inc. All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate
US9464950B2 (en) 2013-11-15 2016-10-11 Rosemount Aerospace Inc. Capacitive pressure sensors for high temperature applications
WO2015131065A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Valencell, Inc. Method and apparatus for generating assessments using physical activity and biometric parameters
CN104931188A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 立锜科技股份有限公司 微机电压力计以及其制作方法
DE102016200164B3 (de) * 2015-10-16 2016-03-31 Ifm Electronic Gmbh Kapazitive Druckmesszelle und Druckmessgerät mit einer solchen Druckmesszelle
JP6981885B2 (ja) * 2018-01-23 2021-12-17 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサの異常検知方法および装置
CN110031883B (zh) * 2019-03-05 2022-06-07 中国辐射防护研究院 一种基于无线电容式高电离辐射剂量传感器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0339981A3 (en) * 1988-04-29 1991-10-09 Schlumberger Industries, Inc. Laminated semiconductor sensor with overpressure protection
JPH08254474A (ja) * 1995-03-15 1996-10-01 Omron Corp 半導体式センサ
DE69942382D1 (de) 1998-03-12 2010-07-01 Yamatake Corp Sensor und verfahren zu dessen herstellung

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350263A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Kyocera Corp 圧力検出装置用パッケージ
JP2008020433A (ja) * 2006-06-13 2008-01-31 Denso Corp 力学量センサ
JP2008049467A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049466A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049465A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008049464A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JP2008311427A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Toyota Central R&D Labs Inc 回路装置と、その回路装置に用いられる絶縁性基板
KR101477859B1 (ko) * 2012-05-08 2014-12-30 한국 한의학 연구원 유리 재흐름 공정을 이용하고 실리콘 비아 전극을 포함하는 맥진용 정전용량형 mems 압력 센서의 제조 방법
CN103000699A (zh) * 2012-12-14 2013-03-27 重庆平伟实业股份有限公司 薄型大功率、低正向贴面封装二极管

Also Published As

Publication number Publication date
JP3588286B2 (ja) 2004-11-10
KR20010039983A (ko) 2001-05-15
EP1091202A3 (en) 2002-07-10
EP1091202A2 (en) 2001-04-11
DE60012645T2 (de) 2005-08-11
CN1125976C (zh) 2003-10-29
KR100351348B1 (ko) 2002-09-05
EP1091202B1 (en) 2004-08-04
DE60012645D1 (de) 2004-09-09
CN1297144A (zh) 2001-05-30
US6341527B1 (en) 2002-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001108547A (ja) 容量式圧力センサ
JP4588753B2 (ja) 電子素子パッケージの製造方法および電子素子パッケージ
EP2346083B1 (en) Mems sensor
US8776602B2 (en) Acceleration sensor, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2003198303A (ja) 圧電振動片及びその加工方法
JP3915117B2 (ja) 圧電振動デバイス
JPH05121989A (ja) 圧電素子の収納容器
JP2000275272A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
JP2002050772A (ja) 半導体センサの製造装置および半導体センサの製造方法
TWI735167B (zh) 半導體裝置
JPH05256869A (ja) 半導体式加速度センサおよびその製造方法
JP3240901B2 (ja) 静電容量型センサ
US6941812B2 (en) Converter and method of manufacturing the same
JP3756734B2 (ja) 容量式圧力センサ
JP2001194253A (ja) 静電容量型センサ及びその製造方法
JP2009118143A (ja) 水晶デバイスとその製造方法
JP3802211B2 (ja) 半導体装置の電極構造、および半導体装置における電極構造の製造方法
JP2004012408A (ja) 物理量検出器の製造方法
JP2000150915A (ja) 半導体加速度センサチップ及びその製造方法
JPH07218365A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP3023444B2 (ja) 半導体加速度センサ
JP3525383B2 (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
CN114279618A (zh) 压力检测元件
JP2000310648A (ja) 静電容量式センサ及びその製造方法
JP2007078444A (ja) 圧力センサ及び圧力センサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040713

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040810

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040812

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3588286

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140820

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees