CN103000699A - 薄型大功率、低正向贴面封装二极管 - Google Patents

薄型大功率、低正向贴面封装二极管 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。

Description

薄型大功率、低正向贴面封装二极管
技术领域
 本发明涉及一种贴面封装二极管，尤其涉及一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管。
背景技术
目前，大功率贴面封装二极管的需求量和发展是当今热点并会非常迅速，随着产品线路板小型化而使产品小型化的发展趋势，特别是对大功率小型化贴面封装二极管发展更为迅速。但目前的贴面封装二极管在逐渐减小体积的同时，存在多种问题：为了保证大功率，故采用面积较大的硅芯片来降低二极管的正向压降，但由于封装外形较小而不利于应用，同时会因为受到封装应力的影响而致性能低下；另外，因保持大功率并尽量缩小体积而致发热量增加，而传统贴面封装二极管的接线端多为条形，无法有效散热，所以温升较大。为此个别厂家采用了连接片（jumper），但连接片小且不规则，致使人工操作较难，效率低下；近来出现个别外资企业用Clip bonder自动设备操作，但效率更低且成本较高。
发明内容
 本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种散热效果好并便于加工的薄型大功率、低正向贴面封装二极管。
为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案：
本发明所述薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。肖特基硅芯片是一种热载流子芯片，是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间极短，可以小到几纳秒。
为了增强上料片的抗拉能力，所述上料片的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块，所述上料片的中部两侧与所述凸块相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽。所述凸块为方形，其宽度为0.5至0.8mm，其外延长度为0.2至0.5mm；所述凹槽为方形，其宽度为0.3至0.6mm，其内缩长度为0.2至0.5mm。
为了增强下料片的抗拉能力，所述下料片的下端片的引出位置设有向上内缩的凹口。所述凹口为半圆形，其直径为0.3mm。
为了阻挡焊料流出，所述下料片的中部用于与所述肖特基硅芯片焊接的位置设有用于阻挡焊料流出至边缘的环形防流沉槽。所述环形防流沉槽的环形框为方形；所述环形防流沉槽为“V”形沉槽，其深度为0.02至0.07mm，其槽口宽度为0.2mm。
所述上料片与所述下料片均为铜片。
本发明的有益效果在于：
本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装；通过在料片上设置凸块、凹槽和凹口，增强了料片的抗压、抗拉能力，从而增强了二极管的抗机械应力能力；通过在下料片上设置环形防流沉槽，有效克服了因焊料流出至料片外引起的肖特基硅芯片性能下降的问题。
本发明所述贴面封装二极管的双料片结构使其加工更加方便，即可采用双料片加工同时进行的工艺，其效率高、成本低，解决了单片矩阵式料片用连接片焊接存在的效率低、成本高、连接片不易定位等问题，使贴面封装二极管更能适应大功率、小体积的发展趋势。
附图说明
图1是本发明所述贴面封装二极管被分割前所在的矩阵式组件的主视结构示意图；
图2是本发明所述贴面封装二极管被分割前所在的矩阵式组件的后视结构示意图；
图3是本发明所述上料片的主视图；
图4是本发明所述下料片的主视图；
图5是图4中的A-A剖视图；
图6是本发明所述贴面封装二极管的主视结构示意图；
图7是本发明所述贴面封装二极管的后视结构示意图；
图8是本发明所述贴面封装二极管的右视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步具体描述：
如图3-图8所示，为了示出其它部件，所以图中对封装环氧树脂作了透明处理。本发明所述薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片8、上铜片3、下铜片2和封装环氧树脂，肖特基硅芯片8通过焊料9焊装于上铜片3的下段侧表面与下铜片2的下段侧表面之间，封装环氧树脂封装于肖特基硅芯片8、上铜片3和下铜片2的外面，上铜片3的上端片10、下铜片2的下端片11和下铜片2的外表面均置于封装环氧树脂外。
如图3所示，为了增强上铜片3的抗拉能力，上料片3的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块7，上料片的中部两侧与凸块7相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽6；凸块7为方形，其宽度为0.8mm，其外延长度为0.3mm；凹槽6为方形，其宽度为0.4mm，其内缩长度为0.3mm。凸块7和凹槽6的具体尺寸可以在上述发明内容中的对应范围中变化，根据实际加工的二极管尺寸而定。
如图4和图5所示，为了增强下铜片2的抗拉能力，下铜片2的下端片11的引出位置设有向上内缩的半圆形凹口4，其直径为0.3mm。为了阻挡焊料9（焊料9见图8）流出，下铜片2的中部用于与肖特基硅芯片8（肖特基硅芯片8见图8）焊接的位置设有用于阻挡焊料9流出至边缘的环形防流沉槽5；环形防流沉槽5的环形框为方形；环形防流沉槽5为“V”形沉槽，其深度为0.05mm，其槽口宽度为0.2mm。环形防流沉槽5的具体尺寸可以在上述发明内容中的对应范围中变化，根据实际加工的二极管尺寸而定。
结合图1、图2和图8所示，生产时，将200个上铜片3分别用焊料9焊接于200个肖特基硅芯片8的其中一面，将200个下铜片2分别用焊料9焊接于200个肖特基硅芯片8的另一面，焊接好后用封装环氧树脂进行塑封成型包裹，形成包含200个贴面封装二极管的矩阵式组件1，批量加工效率提高，并保护上铜片3、下铜片2、肖特基硅芯片8不会受到外来机械应力的影响。上述过程中，将上铜片3和下铜片2分别排列为矩阵，最后形成的200个贴面封装二极管也呈矩阵排列，便于分割。分割时，将矩阵式组件1在纵横方向分别切割，即得到200个独立的贴面封装二极管，每一个贴面封装二极管的结构如上所述，整个加工过程效率高、成本低。

Claims (8)

1.一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。
2.根据权利要求1所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述上料片的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块，所述上料片的中部两侧与所述凸块相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽。
3.根据权利要求2所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述凸块为方形，其宽度为0.5至0.8mm，其外延长度为0.2至0.5mm；所述凹槽为方形，其宽度为0.3至0.6mm，其内缩长度为0.2至0.5mm。
4.根据权利要求1所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述下料片的下端片的引出位置设有向上内缩的凹口。
5.根据权利要求4所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述凹口为半圆形，其直径为0.3mm。
6.根据权利要求1、4或5所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述下料片的中部用于与所述肖特基硅芯片焊接的位置设有用于阻挡焊料流出至边缘的环形防流沉槽。
7.根据权利要求6所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述环形防流沉槽的环形框为方形；所述环形防流沉槽为“V”形沉槽，其深度为0.02至0.07mm，其槽口宽度为0.2mm。
8.根据权利要求1-5任何一项所述的薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：所述上料片与所述下料片均为铜片。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103337583A (zh) * 2013-06-26 2013-10-02 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Led倒装结构及倒装工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001108547A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Yamatake Corp 容量式圧力センサ
CN201229942Y (zh) * 2008-11-07 2009-04-29 宁波华龙电子股份有限公司 一种双排双列的薄型引线框架版件
CN201893346U (zh) * 2010-10-18 2011-07-06 重庆平伟实业股份有限公司 一种薄型贴面封装二极管
CN102299131A (zh) * 2011-09-09 2011-12-28 南通康比电子有限公司 一种sod-123封装结构的二极管

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001108547A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Yamatake Corp 容量式圧力センサ
CN201229942Y (zh) * 2008-11-07 2009-04-29 宁波华龙电子股份有限公司 一种双排双列的薄型引线框架版件
CN201893346U (zh) * 2010-10-18 2011-07-06 重庆平伟实业股份有限公司 一种薄型贴面封装二极管
CN102299131A (zh) * 2011-09-09 2011-12-28 南通康比电子有限公司 一种sod-123封装结构的二极管

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103337583A (zh) * 2013-06-26 2013-10-02 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Led倒装结构及倒装工艺

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