CN202957240U - 大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 - Google Patents
大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202957240U CN202957240U CN2012206910435U CN201220691043U CN202957240U CN 202957240 U CN202957240 U CN 202957240U CN 2012206910435 U CN2012206910435 U CN 2012206910435U CN 201220691043 U CN201220691043 U CN 201220691043U CN 202957240 U CN202957240 U CN 202957240U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tablet
- row
- matrix form
- form assembly
- packaged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，包括多个矩阵式排列的贴面封装二极管，所有的所述贴面封装二极管之间用封装环氧树脂封装在一起，每一个所述贴面封装二极管包括肖特基硅芯片、上料片和下料片，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于上料片的下段侧表面与下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。相比传统单料片矩阵式组件，本实用新型所述矩阵式组件加工更加方便，其效率更高、成本更低，解决了传统单料片矩阵式组件分割后再用连接片焊接存在的效率低、成本高、连接片不易定位等问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种贴面封装二极管矩阵式组件，尤其涉及一种大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件。
背景技术
目前，大功率贴面封装二极管的需求量和发展是当今热点并会非常迅速，随着产品线路板小型化而使产品小型化的发展趋势，特别是对大功率小型化贴面封装二极管发展更为迅速。但目前的贴面封装二极管在逐渐减小体积的同时，其生产存在以下问题：首先加工单料片矩阵式组件，然后切割为单料片的贴面封装二极管单元，再采用连接片（jumper）连接两个贴面封装二极管单元，最后得到双料片的贴面封装二极管，不但存在加工工序多、效率低的问题，而且因连接片小且不规则，致使人工操作较难，成本高。
发明内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种加工方便、效率高的大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：
本实用新型所述大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，包括多个矩阵式排列的贴面封装二极管，所有的所述贴面封装二极管之间用封装环氧树脂封装在一起，每一个所述贴面封装二极管包括肖特基硅芯片、上料片和下料片，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。
具体地，多个所述上料片在所述矩阵式组件的其中一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的上料片；对应地，多个所述下料片在所述矩阵式组件的另一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的下料片，属于同一个所述贴面封装二极管的上料片和下料片之间部分重叠。
作为优选，所述矩阵式组件的长度为226mm，宽度为60mm，厚度为0.25mm；每列所述上料片和每列所述下料片之间的间距均为22.6mm，每行所述上料片和每行所述下料片之间的间距均为5.2mm。
所述上料片和所述下料片均为铜片。
本实用新型的有益效果在于：
相比传统单料片矩阵式组件，本实用新型所述矩阵式组件通过在肖特基芯片的两面分别焊接上料片和下料片，使其效率更高、成本更低，而且加工方便，解决了传统单料片矩阵式组件分割后再用连接片焊接存在的效率低、成本高、连接片不易定位等问题。
附图说明
图1是本实用新型所述矩阵式组件的主视结构示意图；
图2是本实用新型所述矩阵式组件的后视结构示意图；
图3是本实用新型所述贴面封装二极管的主视结构示意图；
图4是本实用新型所述贴面封装二极管的右视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明：
如图1-图4所示，为了示出其它部件，所以图中对封装环氧树脂作了透明处理。本实用新型所述大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件1，包括多个矩阵式排列的贴面封装二极管，所有的贴面封装二极管之间用封装环氧树脂封装在一起，每一个贴面封装二极管包括肖特基硅芯片8、上铜片3和下铜片2，肖特基硅芯片8通过焊料9焊装于上铜片3的下段侧表面与下铜片2的下段侧表面之间，封装环氧树脂封装于肖特基硅芯片8、上铜片3和下铜片2的外面，上铜片3的上端片10、下铜片2的下端片11和下铜片2的外表面均置于封装环氧树脂外。图3中还示出了下铜片2上设置的用于增加抗拉和抗压强度的凹口4。
如图2所示，多个上铜片3在矩阵式组件1的其中一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的上铜片3；如图1所示，对应地，多个下铜片2在矩阵式组件1的另一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的下铜片2，如图1、图2和图4所示，属于同一个贴面封装二极管的上铜片3和下铜片2之间部分重叠。
如图1和图2所示，矩阵式组件1的长度为226mm，宽度为60mm，厚度为0.25mm；每列上铜片3和每列下铜片2之间的间距均为22.6mm，每行上铜片3和每行下铜片2之间的间距均为5.2mm。
结合图1、图2和图4所示，生产时，将200个上铜片3分别用焊料9焊接于200个肖特基硅芯片8的其中一面，将200个下铜片2分别用焊料9焊接于200个肖特基硅芯片8的另一面，焊接好后用封装环氧树脂进行塑封成型包裹，形成包含200个贴面封装二极管的矩阵式组件1，批量加工效率提高，并保护上铜片3、下铜片2、肖特基硅芯片8不会受到外来机械应力的影响。分割时，将矩阵式组件1在纵横方向分别切割，即得到200个独立的贴面封装二极管，每一个贴面封装二极管的结构如上所述，整个加工过程效率高、成本低。
Claims (4)
1.一种大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，其特征在于：包括多个矩阵式排列的贴面封装二极管，所有的所述贴面封装二极管之间用封装环氧树脂封装在一起，每一个所述贴面封装二极管包括肖特基硅芯片、上料片和下料片，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。
2.根据权利要求1所述的大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，其特征在于：多个所述上料片在所述矩阵式组件的其中一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的上料片；对应地，多个所述下料片在所述矩阵式组件的另一面排列为10行和10列，在同一行内的每一列包括两个靠近且相对排列的下料片，属于同一个所述贴面封装二极管的上料片和下料片之间部分重叠。
3.根据权利要求2所述的大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，其特征在于：所述矩阵式组件的长度为226mm，宽度为60mm，厚度为0.25mm；每列所述上料片和每列所述下料片之间的间距均为22.6mm，每行所述上料片和每行所述下料片之间的间距均为5.2mm。
4.根据权利要求1、2或3所述的大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件，其特征在于：所述上料片和所述下料片均为铜片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012206910435U CN202957240U (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012206910435U CN202957240U (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202957240U true CN202957240U (zh) | 2013-05-29 |
Family
ID=48462799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012206910435U Expired - Lifetime CN202957240U (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202957240U (zh) |
-
2012
- 2012-12-14 CN CN2012206910435U patent/CN202957240U/zh not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106449540B (zh) | 贴片式整流芯片 | |
| CN201466022U (zh) | 微型贴片二极管封装的引线框架与芯片连接结构 | |
| CN108461459A (zh) | 一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺 | |
| CN202957240U (zh) | 大功率双料片贴面封装二极管矩阵式组件 | |
| CN202275714U (zh) | 陶瓷电容器 | |
| CN203871320U (zh) | Ac-dc电源电路的封装结构 | |
| CN103400806A (zh) | 一种基于框架采用切割道优化技术的扁平封装件的制作工艺 | |
| CN210142649U (zh) | 功率半导体器件的封装结构 | |
| CN103000699B (zh) | 薄型大功率、低正向贴面封装二极管 | |
| CN203826365U (zh) | 一种片式二极管 | |
| CN203277363U (zh) | 一种正向串联的二极管框架结构 | |
| CN102738009A (zh) | 一种基于刷磨的aaqfn框架产品扁平封装件制作工艺 | |
| CN202957235U (zh) | 贴面封装二极管料片的焊料防流装置 | |
| CN201655810U (zh) | 微型贴片二极管 | |
| CN202957234U (zh) | 贴面封装二极管的高强度料片 | |
| CN204349907U (zh) | 一种太阳能电池组件接线盒 | |
| CN210349827U (zh) | 一种贴片式半导体器件的引线框架结构 | |
| CN203038896U (zh) | 用于贴面封装二极管加工的多点上芯工装 | |
| CN204375730U (zh) | 一种圆片级封装结构 | |
| CN202231006U (zh) | Sma集成电路冲切成型产品及sma多排引线框架 | |
| CN203300680U (zh) | 一种mwt太阳电池封装的连接件 | |
| CN203277378U (zh) | 一种to封装的双芯片功率二极管 | |
| CN201515314U (zh) | 一种桥式整流器kbl的引脚 | |
| CN103000724B (zh) | 一种光伏电池保护模块 | |
| CN202963796U (zh) | 一种电机导条与端环的焊接结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130529 |