KR100351348B1 - 용량성 압력센서 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 22
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 83
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
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Abstract
Description
Claims (12)
- 용량성 압력센서에 있어서,제 1 메인리세스(2a)와, 상기 제 1 메인리세스와 통신하는 제 2 메인리세스(2b)가 있는 제 1 베이스부재(2)와,상기 제 1 메인리세스와 같이 캐패시터챔버를 구성하며 격자를 구성하는 바닥표면을 갖는 제 2 메인리세스(3a)와, 상기 제 2 메인리스세와 통신하는 제 2 서브리세스가 있는 제 2 베이스부재(3)와,제 1 메인리세스의 바닥표면상에 형성된 고정전극(5)과,제 1 상호연결(5a)를 통하여 상기 고정전극에 연결되고, 상기 제 1 서브리세스의 바닥표면상에 형성된 제 1 패드(6)와,상기 제 2 메인리세스의 바닥표면상에 형성되어 상기 고정전극에 대향하는 이동가능한 전극(7)과,제 2 상호연결(7a)를 통하여 상기 이동가능한 전극에 연결되고, 상기 제 2 서브리세스에 형성된 제 2 패드(8)와,상기 제 1 패드 및 제 2 패드에 연결되고, 상기 제 1 베이스부재에 형성된 관통홀(10)을 통하여 외부 추출된 복수의 추출전극(4)으로 구성됨에 있어서,상기 제 1 베이스부재 및 제 2 베이스부재는 상기 제 1 서브리세스 및 제 2 서브리세스가 상기 제 1 베이스부재 및 제 2 베이스부재의 본딩표면으로 덮이도록 서로 본드되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 추출전극은 상기 관통홀에 채워진 주조땜납으로 구성되고, 냉각, 응고되어 상기 제 1 패드 및 제 2 패드에 부착되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 서브리세스 및 제 2 서브리세스와 그 측벽 사이의 부분으로 유입하는 땜납에 대한 바이패스를 구성하는, 상기 제 1 서브리세스 및 제 2 서브리세스에 있는 땜납유출방지측벽(2c)으로 구성된 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 유출방지측벽은 사실상 고리형태로 제 1 패드 및 제 2 패드 주위로 배열되고, 상기 제 1, 2 패드에 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결에 대한 연결경로를 형성하는 노치를 가지며,상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결은 상기 유출방지측벽을 에워싸기 위하여 고리형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 4 항에 있어서,유출방지측벽에 있는 노치는 상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결이 상기고정전극 및 이동가능한 전극을 향하여 연장하는 방향과는 다른 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 유출방지측벽에 있는 노치는 상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결이 상기 고정전극 및 이동가능한 전극을 향하여 연장하는 방향과는 다른 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 유출방지측벽에 있는 노치는 상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결이 상기 고정전극 및 이동가능한 전극을 향하여 연장하는 방향에 0°내지 180°각도 방향으로 형성되고,상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결은 상기 유출방지측벽의 상기 노치에 의해 형성된 각도에 대향하는 측면에 있는 아치를 통하여 상기 고정전극 및 이동가능한 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 유출방지측벽은 C자 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 유출방지측벽은 ?자 형상으로 형성되고 각 상기 노치의 한 단부는 상기 제 1 서브리세스 및 제 2 서브리세스의 해당 내부측벽에 연결되는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 메인리세스와 상기 제 1 서브리세스의 통신부와 상기 메인리세스와 상기 제 2 서브리세스의 통신부에서 주조땜납의 유출을 방지하기 위한 땜납유출방지부재(10, 11)으로 구성된 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 10 항에 있어서,상기 땜납유출방지부재는 상기 제 1 서브리세스 및 제 2 서브리세스로부터 상기 제 1 메인리세스 및 제 2 메인리세스까지 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결상에서 흐르는 주조땜납에 대한 유출경로를 단절하는 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
- 제 10 항에 있어서,상기 땜납유출방지부재는 상기 제 1 상호연결 및 제 2 상호연결보다 열악한 땜납가용성의 재질로 된 것을 특징으로 하는 용량성 압력센서.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28523499A JP3588286B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 容量式圧力センサ |
JP??11-285234 | 1999-10-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010039983A KR20010039983A (ko) | 2001-05-15 |
KR100351348B1 true KR100351348B1 (ko) | 2002-09-05 |
Family
ID=17688861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20000058083A KR100351348B1 (ko) | 1999-10-06 | 2000-10-04 | 용량성 압력센서 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6341527B1 (ko) |
EP (1) | EP1091202B1 (ko) |
JP (1) | JP3588286B2 (ko) |
KR (1) | KR100351348B1 (ko) |
CN (1) | CN1125976C (ko) |
DE (1) | DE60012645T2 (ko) |
Cited By (1)
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1999
- 1999-10-06 JP JP28523499A patent/JP3588286B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-30 CN CN00128193A patent/CN1125976C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-04 US US09/680,391 patent/US6341527B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-04 KR KR20000058083A patent/KR100351348B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-05 EP EP00250331A patent/EP1091202B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-05 DE DE60012645T patent/DE60012645T2/de not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP1091202A3 (en) | 2002-07-10 |
EP1091202B1 (en) | 2004-08-04 |
KR20010039983A (ko) | 2001-05-15 |
EP1091202A2 (en) | 2001-04-11 |
JP2001108547A (ja) | 2001-04-20 |
US6341527B1 (en) | 2002-01-29 |
CN1297144A (zh) | 2001-05-30 |
CN1125976C (zh) | 2003-10-29 |
DE60012645T2 (de) | 2005-08-11 |
DE60012645D1 (de) | 2004-09-09 |
JP3588286B2 (ja) | 2004-11-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120802 Year of fee payment: 11 |
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Payment date: 20130801 Year of fee payment: 12 |
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Payment date: 20140808 Year of fee payment: 13 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |