JP5018261B2 - 回路装置 - Google Patents

Description

本発明は、回路素子が表面に作り込まれている回路基板と、その回路基板に接合する絶縁性基板とを備えた回路装置に関する。本発明はまた、その回路装置に用いられる絶縁性基板にも関する。

回路素子が表面に作り込まれている回路基板と、その回路基板に接合する絶縁性基板とを備えた回路装置が知られている。回路基板の表面には、回路素子に電気的に接続されている表面電極が設けられている。絶縁性基板には、表面と裏面の間を貫通している貫通電極が設けられている。回路基板と絶縁性基板は、表面電極と貫通電極が接した状態で接合している。回路素子の電気信号は、貫通電極を介して外部に取り出される。回路素子は、抵抗素子、キャパシタ素子、トランジスタ素子等の単一又は複数個の組合せによって構成されている。例えば、回路素子がピエゾ抵抗効果を有する変動抵抗素子によって構成されている場合は、回路装置を圧力検知装置として機能させることができる。この種の圧力検知装置が、特許文献１に開示されている。

特開２００４−３８９０号公報

この種の回路装置では、表面電極と貫通電極の電気的な接続を良好に行うために、表面電極が回路基板の表面から突出した状態で設けられている。このため、回路基板と絶縁性基板を接合させると、表面電極と貫通電極が接する近傍では、回路基板と絶縁性基板の間に隙間が生じる。現状の製造技術では、回路基板から突出している表面電極の高さを回路基板毎に一定に作製することが難しく、表面電極の高さにばらつきが生じてしまう。例えば、圧力検知装置では、ピエゾ抵抗効果を有する変動抵抗素子に加わる荷重の大きさが、その変動抵抗素子と絶縁性基板が接する面積の大きさによって強く影響を受ける。このため、回路基板から突出している表面電極の高さにばらつきが存在すると、変動抵抗素子と絶縁性基板の接する面積もばらついてしまい、圧力検知装置毎の感度が変化してしまう。現状の製造技術では、回路基板から突出している表面電極の高さにばらつきが存在しているので、性能が均一な圧力検知装置を得ることが難しいという不具合がある。
なお、表面電極の高さのばらつきによる不具合は、圧力検知装置に限らず、様々な回路装置においても起こり得る。例えば、表面電極の高さが大きくなりすぎると、回路基板と絶縁性基板の間の隙間が大きくなり、回路基板と絶縁性基板が接合する面積を十分に確保することができず、回路基板と絶縁性基板を良好に接合させることができないという不具合が生じる。
即ち、回路基板と絶縁性基板を備えた回路装置では、表面電極と貫通電極を電気的に良好に接続するために、表面電極を回路基板の表面から突出した状態で設けるのが望ましい。しかしながら、表面電極を回路基板の表面から突出した状態で設けると、回路基板と絶縁性基板の間に隙間が形成され、回路素子の性能、及び／又は回路基板と絶縁性基板の接合などに不具合が生じてしまう。
本発明は、この種の回路装置において、表面電極と貫通電極を電気的に良好に接続するとともに、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合を抑制する技術を提供する。

本明細書で開示される技術は、貫通電極の近傍の絶縁性基板に、曲げ剛性が低い低剛性領域を設けることを特徴としている。低剛性領域は、絶縁性基板の他の領域よりも曲げ剛性が低い。このため、低剛性領域が設けられていると、表面電極と貫通電極を接触させたときに、表面電極が回路基板の表面から突出する高さに応じて低剛性領域が優先的に変形する。低剛性領域が優先的に変形するので、低剛性領域以外の絶縁性基板では変形が抑えられる。このため、低剛性領域以外の絶縁性基板は、回路基板と良好に接触することができる。この結果、低剛性領域が設けられていると、回路基板の表面から突出する表面電極の高さにばらつきが存在していたとしても、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合を抑制することができる。

本明細書で開示する回路装置は、回路基板と絶縁性基板を備えている。回路基板は、回路基板の表面に作り込まれている回路素子と、その回路素子に電気的に接続されているとともに回路基板の表面から突出する表面電極とを有する。絶縁性基板は、絶縁性基板の表面と裏面の間を貫通している貫通電極と、その貫通電極の近傍に設けられているとともに他の領域よりも曲げ剛性が低い低剛性領域とを有する。絶縁性基板の前記他の領域の少なくとも一部は、表面電極と貫通電極が接した状態で、回路基板に接合している。低剛性領域は、貫通電極と前記他の領域の少なくとも一部が相対変位可能となるように構成されている。
上記回路装置によると、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合が抑制されているので、回路素子の性能、及び／又は回路基板と絶縁性基板の接合などが良好である。

本明細書で開示される回路装置では、低剛性領域は、他の領域よりも厚みが薄い部分を備えている。
本明細書で開示される技術では、貫通電極の近傍の絶縁性基板に、他の領域よりも曲げ剛性が低い低剛性領域を設けることを特徴としている。低剛性領域が他の領域よりも厚みが薄い部分を備えていることにより、低剛性領域の曲げ剛性を、他の領域よりも低くすることができる。

本明細書で開示される回路装置では、低剛性領域が、回路基板と接合する面に設けられている第１凹部を備えていることが好ましい。
上記の回路装置では、第１凹部が設けられていることによって、絶縁性基板に他の領域よりも厚みが薄い部分が形成されている。絶縁性基板の変形は、その厚みが薄い部分で生じる。さらに、上記の回路装置では、第１凹部が回路基板と接合する面に設けられていることを特徴としている。第１凹部が回路基板と接合する面に設けられていると、第１凹部以外の絶縁性基板は、回路基板と良好に接合することができる。即ち、第１凹部を回路基板と接合する面に設けることによって、第１凹部によって厚みが薄くなった部分が優先的に変形するので、第１凹部以外の絶縁性基板の表面は回路基板の表面と良好に接合することができる。このため、回路基板と絶縁性基板が接合する領域を、絶縁性基板が変形する領域から区別することができる。表面電極の高さにばらつきが存在していたとしても、回路基板と絶縁性基板が接合する領域を、必要な位置に必要な面積で得ることができる。

本明細書で開示されている回路装置では、貫通電極が、前記第１凹部の底面から突出していることが好ましい。
上記の回路装置によると、表面電極と貫通電極の密着性を向上させることができ、両者の電気的な接続を向上させることができる。

本明細書で開示される回路装置では、低剛性領域が、貫通電極の周囲を一巡していることが好ましい。
上記の回路装置によると、表面電極の高さにばらつきが存在していたとしても、表面電極の周囲の全ての方向において、その影響が軽減される。

本明細書で開示される回路装置では、絶縁性基板が、回路素子と対向する領域に第２凹部を備えていてもよい。
回路素子の種類によっては、絶縁性基板と接触することで不具合が生じるものもある。このような場合には、上記の回路装置は有効である。すなわち、上記の回路装置によると、回路基板と絶縁性基板を接合したときに、絶縁性基板と回路素子の間に空間が形成される。絶縁性基板と回路素子が直接的に接触することを防止できるため、回路素子に生じる不具合を回避できる。

本明細書で開示される技術によると、表面電極と貫通電極を電気的に良好に接続するとともに、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合を抑制することができる。

実施例の主要な特徴を列記する。
（特徴１） 回路基板と絶縁性基板が接合する領域が、表面電極と貫通電極が接する領域から区別されている。
（特徴２） 絶縁性基板は、可動イオンを含むガラスで形成されている。
（特徴３） 絶縁性基板５０４は、貫通電極５０２の周囲に絶縁性基板５０４の表面から裏面に達する貫通孔を有している。

（第１実施例）
図１に、回路装置１００の分解斜視図を模式的に示す。図２に、回路装置１００のII−II線に沿った分解断面図を示す。図３に、絶縁性基板４を図２の矢印Ａ方向に観察した図を示す。
図１に示しているように、回路装置１００は、回路基板１２と絶縁性基板４を備えている。回路基板１２は、回路基板１２の表面から突出する表面電極８を有している。絶縁性基板４は、絶縁性基板４の表面と裏面の間を貫通している貫通電極２を有している。回路基板１２と絶縁性基板４は、表面電極８と貫通電極２が接した状態で接合しており、一体化した形態を備えている。

回路基板１２の材料はシリコンであり、その表面の回路領域１３には回路素子（図示省略）が作り込まれている。回路領域１３の回路素子は、抵抗素子、キャパシタ素子、トランジスタ素子等の単一又は複数個の組合せによって構成されている。表面電極８は、その回路領域１３の回路素子に電気的に接続されている。表面電極１２の電気信号は、貫通電極２を介して外部に取り出すことができる。表面電極８が形成されている部分以外の回路基板１２の表面には、酸化膜１０が保護膜として形成されている。なお、酸化膜１０は必須の構成ではない。酸化膜１０は形成されていなくてもよいし、回路領域１３に対応する部分が除去されていてもよい。

絶縁性基板４にはガラスが用いられており、ナトリウムイオンやリチウムイオン等の可動イオンが含まれている。貫通電極２にはコバールが用いられており、絶縁性基板４と貫通電極２の熱膨張係数は、ほぼ同じである。
絶縁性基板４の回路基板１２と接合する面に第１凹部１８が形成されており、第１凹部１８は貫通電極２の周囲を一巡している。なお、本実施例では、貫通電極２が第１凹部１８の底面から突出した形態とも観念することができる。図２に示しているように、第１凹部１８によって、絶縁性基板４に他の領域よりも厚みが薄い部分が形成されている。第１凹部１８を含む絶縁性基板４の領域は、他の領域よりも曲げ剛性が低くなる。この他の領域よりも曲げ剛性が低い領域を低剛性領域１６という。図３に示しているように、第１凹部１８が貫通電極２の周囲を一巡しているため、貫通電極２の周囲を低剛性領域１６が一巡している。

図４に、回路基板１２と絶縁性基板４を接合させたときの回路装置１００の断面図を示している。回路基板１２と絶縁性基板４は、酸化膜１０を介して陽極接合されている。陽極接合は、酸化膜１０と絶縁性基板１２を接触させた状態で、高温雰囲気において回路基板１２と絶縁性基板４の間に高電界を印加することによって行うことができる。陽極接合を利用すると、酸化膜１０と絶縁性基板１２の間に共有結合が形成され、酸化膜１０と絶縁性基板１２が強固に結合される。

回路基板１２と絶縁性基板４を陽極接合させると、表面電極８と貫通電極２が接触するため、絶縁性基板４が回路基板１２から離れる方向に変形する。低剛性領域１６は、絶縁性基板１２の他の領域よりも曲げ剛性が弱く、回路基板１２と絶縁性基板４が接合するときに優先的に変形する。そのため、絶縁性基板４の低剛性領域１６だけが変形し、低剛性領域１６以外の絶縁性基板４の領域は変形しない。したがって、低剛性領域１６以外の絶縁性基板４の裏面２０は、酸化膜１０を介して回路基板１２と接合することができる。すなわち、表面電極８と貫通電極２が接触することによる絶縁性基板４の変形は、低剛性領域１６にだけ生じる。

表面電極８は、スパッタや蒸着等の方法を用いて回路基板１２の表面に形成する。現状の製造技術では、回路基板１２から突出している表面電極８の高さを回路基板１２毎に一定に作製することが難しく、回路基板１２から突出する表面電極８の高さにばらつきが生じてしまう。回路装置１００は、この表面電極８の高さのばらつきに対策が講じられている。即ち、表面電極８の高さにばらつきが存在していたとしても、絶縁性基板４の変形を低剛性領域１６にだけ生じさせるので、低剛性領域１６以外の絶縁性基板４の裏面２０は、酸化膜１０を介して回路基板１２と確実に接合することができる。このため、回路基板１２と絶縁性基板４が接合する領域を絶縁性基板４が変形する領域から区別することができるので、回路基板１２と絶縁性基板４が接合する領域を必要な位置に必要な面積で確保することができる。この結果、回路装置１００では、回路基板１２と絶縁性基板４の接合を良好に行うことができ、接合不良を抑制することができる。あるいは、後述するように、回路素子にピエゾ抵抗効果を有する変動抵抗素子が用いられている場合は、変動抵抗素子と絶縁性基板の接する面積を所望の値に調整し易いので、所望の特性を有する回路装置を得ることができる。

（第２実施例）
図５、６を参照し、絶縁性基板４を使用した力検知装置（回路装置）２００について説明する。図５に、力検知装置２００の分解斜視図を示し、図６に、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図を示す。
力検知装置２００は、単結晶シリコンの半導体下層２１１を備えている。半導体下層２１１の表面には、酸化シリコンの絶縁層２１０が形成されている。絶縁層２１２の表面には、半導体上層２２２が形成されている。半導体下層２１１と絶縁層２１２と半導体上層２２２は積層しており、半導体基板２１２を構成している。半導体上層２２２には、溝２２６が形成されており、その溝２２６内にメサ段差２２４が設けられている。メサ段差２２４は、半導体上層２２２に溝２２６形成した後の残部である。メサ段差２２４の両端部には、アルミニウム製の表面電極２０８が設けられている。メサ段差２２４は、ｐ型の不純物を含んでおり、ピエゾ抵抗効果が現れる方向に伸びている。

図６に示しているように、力検知装置２００では、半導体上層２２２とメサ段差２２４の表面と、絶縁性基板４が陽極接合される。表面電極２０８はメサ段差２２４の表面から突出しており、表面電極２０８と貫通電極２が接すると、低剛性領域１６がメサ段差２２４から離れる方向に変形する。低剛性領域１６以外の絶縁性基板４は変形しにくいため、メサ段差２２４が絶縁性基板４の裏面２０に接合する領域を、絶縁性基板４が変形する領域（第１凹部１８）から区別することができる。メサ段差２２４と絶縁性基板４の接合面積を一定にすることができる。なお、表面電極２０８と貫通電極２は、単に接しているだけでもよいし、はんだ等で接合されていてもよい。

力検知装置２００について説明する。力検知装置２００は、例えば油圧アクチュエータのラインパイプ（図示省略）に設けられた孔に嵌合して配置され、ラインパイプ内の圧力等を検知するために使用される。ラインパイプ内の圧力が増加すると、絶縁性基板４を介してメサ段差２２４に作用する圧縮荷重が増加し、メサ段差２２４の抵抗値が変化する。このメサ段差２２４の抵抗値の変化を貫通電極２を通じて外部に設けられた演算回路で処理し、ラインパイプ内の圧力を検知することができる。

（第３実施例）
図７、８を参照し、絶縁性基板４を使用した力検知装置３００について説明する。図７に、力検知装置３００の分解斜視図を示し、図８に、図７のVIII−VIII線に沿った断面図を示す。
力検知装置３００は、ｎ型の不純物を含む単結晶シリコンの回路基板３１２を備えている。回路基板３１２の表面には、酸化シリコンの絶縁層３１０が形成されている。回路基板３１２の表面には、矩形状の溝３２６が形成されている。溝３２６は、絶縁層３１０の厚みよりも深く形成されている。溝３２６は、隣接する分散溝３２６ａ、３２６ｂによって構成されており、分散溝３２６ａ、３２６ｂの間にメサ段差３２２が設けられている。メサ段差３２２は、溝３２６を横断して伸びている。分散溝３２６ａ、３２６ｂは、メサ段差３２２を対称軸とする線対称な形状を有している。回路基板３１２の表面は（１１０）面である。メサ段差３２２は、ピエゾ抵抗効果が大きく現れる＜１１０＞方向に伸びている。

回路基板３１２の表面には、不純物導入領域３２８が形成されている。不純物導入領域３２８は、ｐ型の不純物を含んでいる。すなわち、不純物導入領域３２８は、ｎ型の半導体基板３１２と反対導電型であり、不純物導入領域３２８と半導体基板３１２は、電気的に絶縁されている。不純物導入領域３２８は、メサ段差３２２を通過して溝３２６を横断している。不純物導入領域３２８は、メサ段差３２２と溝３２６の境界から側方に大きく張り出して形成されている。さらに、不純物導入領域３２８は、メサ段差３２２から側方に張り出している部分で幅広に形成されている。メサ段差３２２から側方に張り出している不純物導入領域３２８には、表面電極３０８が設けられている。表面電極３０８は、絶縁層３１０を貫通して絶縁層３１０の表面に突出している。表面電極３０８と溝３２６の端部の間に距離Ｄ３１２が形成されている。

図８に示すように、絶縁性基板４は、絶縁層３１０を介して半導体基板３１２に間接的に接合している。メサ段差３２２の頂面を被覆している絶縁層３１０の表面と、溝３２６の周囲の半導体基板３１２の表面を被覆している絶縁層３１０の表面は同一面内である。このため、絶縁性基板４は、メサ段差３２２を外部から封止した状態で半導体基板３１２の表面に絶縁層３１０を介して接合することができる。

表面電極３０８と貫通電極２が接することによって、貫通電極２の近傍では、低剛性領域１６が絶縁層３１０から離れる方向に変形する。力検知装置３００では、不純物導入領域３２８がメサ段差３２２と溝３２６の境界から側方に大きく張り出しており、メサ段差３２２の端部と表面電極３０８の間に距離Ｄ３１２が確保されている。絶縁性基板４の第１凹部１８が距離Ｄ３１２内に配置されているので、絶縁性基板４の裏面は、メサ段差３２２の頂面全体に接することができる。

メサ段差３２２は、圧縮荷重が相対的に強く加わる領域である。一方、メサ段差３２２の端部から側方の領域は、圧縮荷重が相対的に弱く加わる領域である。力検知装置３００では、絶縁性基板４がメサ段差３２２の頂面の全体に接することによって、圧縮荷重が相対的に強く加わる領域を確実に利用することができる。一方、第１凹部１８が対向する回路基板３１２の領域は、圧縮荷重が相対的に強く加わる領域である。したがって、絶縁性基板４が絶縁膜３１０に接していなくても、不純物導入領域３２８の抵抗値の変化における影響が小さい。さらに、第１凹部１８が対向する回路基板３１２の領域では不純物導入領域３２８の幅が大きく形成されているので、その領域の抵抗値が低減されており、不純物導入領域３２８の抵抗値の変化がさらに低減されている。
力検知装置３００では、メサ段差３２２が絶縁性基板４の裏面２０に接合する領域を、絶縁性基板４が変形する領域（第１凹部１８）から区別することができる。さらに、絶縁層３１０と絶縁性基板４の間の第１凹部１８の影響を小さくすることもできる。

(第４実施例)
図９を参照し、絶縁性基板４０４について説明する。絶縁性基板４０４は絶縁性基板４の変形例であり、絶縁性基板４と実質的に同じ構成については、下二桁に同じ参照番号を付し説明を省略することがある。
貫通電極４０２の周囲に、貫通電極４０２の周囲を一巡して第１凹部４１８が形成されている。第１凹部４１８は、貫通電極４０２から離れた周囲の絶縁性基板４０４に形成されている。すなわち、絶縁性基板４０４では、貫通電極４０２の周囲は絶縁性基板４０４によって覆われている。そのため、貫通電極４０２が絶縁性基板４０４内に強固に保持される。

（第５実施例）
図１０、１１を参照し、回路装置５００について説明する。回路装置５００は、回路基板１００において、絶縁性基板４に代えて絶縁性基板５０４を使用したものである。また、絶縁性基板５０４は、絶縁性基板４の変形例であり、絶縁性基板４と実質的に同じ構成については、下二桁に同じ参照番号を付し説明を省略することがある。図１０に、絶縁性基板５０４の平面図を示し、図１１に、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図を示す。
図１０に、絶縁性基板５０４の平面図を示している。絶縁性基板５０４では、貫通電極５０２の周囲に複数（ここでは６個）の貫通孔５３０が形成されている。貫通孔５３０が形成されることによって、絶縁性基板５０４に低剛性領域５１６が形成される。
図１１に、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図を示す。貫通孔５３０は、絶縁性基板５０４表面から裏面まで達している。絶縁性基板５０４では、貫通孔５３０を形成するという簡単な方法で低剛性領域５１６を得ることができる。
回路装置５００でも、回路基板１２と絶縁性基板５０４が接合すると、低剛性領域５１６だけが変形する。回路基板１２と絶縁性基板５０４が接合する領域を、絶縁性基板５０４が変形する領域から区別することができる。

なお、回路装置５００では、貫通孔５３０の内部に充填材を挿入してもよい。貫通孔５３０に充填材を挿入すると、表面電極８と貫通電極５０２を外部から封止することができる。その場合、回路基板１２と絶縁性基板５０４を接合させた後に、貫通孔５３０の内部に充填材を挿入することが好ましい。

（第６実施例）
図１２、１３を参照し、回路装置６００について説明する。回路装置６００は、回路装置１００の変形例であり、回路装置１００と実質的に同じ構成については、下二桁に同じ参照番号を付し説明を省略することがある。
回路基板６１２の表面に回路領域６１３が設けられており、回路素子（図示省略）が作り込まれている。回路領域６１３の周囲に、回路基板６１２の表面から突出する表面電極６０８ａ〜６０８ｅが形成されている。表面電極６０８ａ〜６０８ｅは、配線等によって回路素子に電気的に接続されている。本実施例では、電極６０８ａが正側コンタクト電極であり、電極６０８ｂが負側コンタクト電極であり、電極６０８ｃが正側電源コンタクト電極であり、電極６０８ｄが負側電源コンタクト電極であり、電極６０８ｅが出力コンタクト電極である。絶縁性基板６０４は、絶縁性基板６０４の表面と裏面の間を貫通している貫通電極６０２ａ〜６０２ｅを有している。回路基板６１２と絶縁性基板６０４は、貫通電極６０２ａ〜６０２ｅと、対応する表面電極６０８ａ〜６０８ｅが接した状態で一体化した形態を備えている。
絶縁性基板６１４の回路領域６１３に対向する領域に、第２凹部６３２が設けられている。

図１３に示すように、回路基板６１２と絶縁性基板６０４を接合したときに、第２凹部６３２が設けられているために、回路領域６１３と絶縁性基板６０４の間に空間が形成される。そのため、回路領域６１３に作り込まれている回路素子と絶縁性基板６０４が接触することを防止できる。例えば、回路素子に外力が加わることが防止され、回路素子を安定して動作させることができる。なお、本実施例でも、回路基板６１２と絶縁性基板６０４を接合したときに、絶縁性基板６０４の低剛性領域６１６だけが変形し、低剛性領域６１６以外の絶縁性基板６０４は変形しない。第２凹部６３２と低剛性領域６１６以外の絶縁膜６０４の裏面は、酸化膜６１０を介して回路基板６１２と接合することができる。

（第７実施例）
図１４を参照し、回路装置７００について説明する。回路装置７００は、回路装置（力検知装置）２００と回路装置６００を積層して組み合わせたものである。力検知装置２００の貫通電極２（図５を参照）と、回路装置６００の正側コンタクト電極６０８ａと負側コンタクト電極６０８ｂ（図１２を参照）が電気的に接続している。本実施例では、回路装置６００の回路領域６１３には、複数種類の回路素子によって、増幅回路とフィルタ回路とＡ／Ｄ変換回路が形成されている。すなわち、回路装置６００は、力検知装置２００の演算回路装置である。
力検知装置２００に力が加わり、メサ段差２２４の抵抗値が変化すると、貫通電極２、２間の電流値が変化する。貫通電極２、２間の電流値は、演算回路装置６００の貫通電極６０２ａ、６０２ｂを介して演算回路（回路領域）６１３に入力され、演算回路６１３でノイズを除去されるとともにアナログ信号からデジタル信号に変換される。すなわち、回路装置７００が設置される環境の圧力の変化を、デジタル信号で得ることができる。演算回路６１３と絶縁性基板６０４が直接接触することが防止されており、演算回路６１３を安定して動作させることができる。
なお、力検知装置２００に代えて力検知装置３００を採用してもよい。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば上記実施例では、表面電極と接する側の貫通電極の表面と、回路基板に接合する側の絶縁性基板の面が同一面内である。貫通電極が、回路基板に接合する側の絶縁性基板の面から突出して形成されていてもよい。表面電極と貫通電極がより確実に接することができる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

第１実施例の回路装置の分解斜視図を示す。 図１のII−II線に沿った分解断面図を示す。 第１実施例の回路装置を図２の矢印Ａ方向に観察した図を示す。 第１実施例の回路装置の断面図を示す。 第２実施例の圧力検知装置の分解斜視図を示す。 図５のII−II線に沿った断面図を示す。 第３実施例の圧力検知装置の分解斜視図を示す。 図７のＶIII−ＶIII線に沿った断面図を示す。 第４実施例の絶縁性基板の断面図を示す。 第５実施例の絶縁性基板の外観図を示す。 図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図を示す。 第６実施例の回路装置の分解斜視図を示す。 図１２のＸIII−ＸIII線に沿った断面図を示す。 第７実施例の回路装置の斜視図を示す。

符号の説明

２、４０２、５０２、６０２ａ〜６０２ｅ：貫通電極
４、４０４、５０４、６０４：絶縁性基板
８、２０８、３０８、６０８ａ〜６０８ｅ：表面電極
１２、２１２、３１２、６１２:回路基板
１６、４１６、５１６：低剛性領域
１８、４１８、６１８：第１凹部
６３２：第２凹部
１００、２００、３００、５００、６００、７００：回路装置

Claims (5)

1. 回路装置であって、
   表面に作り込まれている回路素子と、その回路素子に電気的に接続されているとともに表面から突出する表面電極とを有する回路基板と、
   表面と裏面の間を貫通している貫通電極と、その貫通電極の近傍に設けられているとともに他の領域よりも曲げ剛性が低い低剛性領域とを有する絶縁性の絶縁性基板と、を備えており、
   絶縁性基板の前記他の領域の少なくとも一部は、表面電極と貫通電極が接した状態で、回路基板に接合しており、
   低剛性領域は、前記他の領域よりも厚みが薄い部分を備えており、
   低剛性領域は、貫通電極と前記他の領域の少なくとも一部が相対変位可能となるように構成されている回路装置。
2. 低剛性領域は、回路基板と接合する面に設けられている第１凹部を備えていることを特徴とする請求項１の回路装置。
3. 貫通電極は、第１凹部の底面から突出していることを特徴とする請求項２の回路装置。
4. 低剛性領域は、貫通電極の周囲を一巡していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの回路装置。
5. 絶縁性基板は、回路素子と対向する領域に第２凹部を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの回路装置。
   

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