KR100598711B1 - 센서 패키지 - Google Patents

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KR100598711B1
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후루쿠보에이이치
호리마사미
노하라가즈야
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마츠시다 덴코 가부시키가이샤
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Abstract

센서 패키지(P)는 프린트 기판(200)에 표면 장착되는 타입이며, 출력 패드(101)를 구비하는 반도체 가속도 센서 칩(100)을 수용하는 케이스(1)를 포함한다. 상기 케이스(1)는 저벽(10)을 갖고, 상기 저벽(10)은 상기 반도체 가속도 센서 칩(100)을 지지하는 중앙 영역(10a)과, 둘레 영역(10b)으로 구획된다. 상기 둘레 영역(10b)의 외면에 출력 전극(15)이 형성되고, 상기 출력 전극(15)은 상기 출력 패드(101)와 전기적으로 접속되어 있다. 상기 출력 전극(15)을 프린트 기판(200)에 납땜 결합함으로써, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 출력을 상기 출력 전극(15)을 통하여 프린트 기판(200)의 전기회로에 전기적으로 접속함과 동시에 센서 패키지(P)를 프린트 기판 상에 기계적으로 지지한다. 본 발명의 센서 패키지는 상기 저벽(10)의 내면에 홈이 설치되고, 이 홈은 직선 형상으로, 상기 중앙 영역(10a)의 외측에 상기 중앙 영역(10a)과 상기 둘레 영역(10b) 사이에 홈(12)이 위치되어 있다.
센서 패키지, 반도체 센서 칩

Description

센서 패키지 {Sensor Package}
본 발명은, 반도체 센서 칩을 수용하는 센서 패키지에 관한 것이다.
일본 특허 공개평 11-260960호는, 예를 들면 반도체 가속도 센서 칩과 같은 반도체 센서 칩을 수용하는 센서 패키지를 개시하고 있다. 이 센서 패키지는 프린트 기판에 표면 장착되는 타입이며, 반도체 센서 칩을 수용하는 케이스의 아래쪽 면에 설치된 출력 전극을 납땜에 의해 프린트 기판에 결합함으로써, 반도체 센서 칩의 출력을 이 출력 전극을 통해 프린트 기판의 전기 회로에 전기적으로 접속함과 동시에 센서 패키지를 프린트 기판 상에 기계적으로 유지한다. 케이스는 저벽을 갖고, 이 저벽의 윗면에 반도체 칩 센서를 고정하며, 저벽의 아래쪽 면에 상기 출력 전극이 구비된다. 저벽의 아래쪽 면에는 복수의 홈이 설치되어 있어 저벽에 어느 정도의 변형 능력을 부여하고 있다. 이 홈에 의해, 프린트 기판이 예를 들면, 열팽창에 의해 변형되는 경우에도 상기 홈 부분에서 저벽이 구부러지게 되어, 저벽이 어느 정도 프린트 기판의 변형에 추종하게 됨으로써, 저벽의 아래쪽 면에 설치된 출력 전극이 프린트 기판으로부터 이탈되는 것을 막고 있다. 또, 프린트 기판의 변형에 기인한 뒤틀림이 이 홈에 의해 완화되어 반도체 센서 칩에 전달되는 것이 어느 정도 차단되므로, 반도체 센서 칩에 가해지는 불필요한 뒤틀림에 의해 센서 패키지를 탑재한 기기가 오작동하는 것을 방지하고 있다.
다수의 경우, 센서 패키지의 저벽에 반도체 센서 칩을 장착하기 위해서는, 저벽 상의 소정 장소에 다이 본딩 페이스트(die bonding paste)를 도포한 후, CCD 카메라를 이용해 모니터링하면서, 반도체 센서 칩을 상기 소정 장소에 정확하게 위치 결정하고 있다. 이 때, 다이 본딩 페이스트가 과잉되게 도포되어 있으면, 반도체 센서 칩을 배치했을 때에, 다이 본딩 페이스가 반도체 칩 센서의 주위에 솟아오르게 되며, 반도체 센서 칩의 동작에 악영향을 줄 우려가 있다. 또, CCD 카메라를 이용한 위치 결정을 위해서는, 어떠한 마크를 배치 위치의 부근에 형성할 필요가 있어, 센서 패키지의 제작에 추가 비용이 발생하게 된다.
이 때문에, 종래의 센서 패키지에서는, 프린트 기판의 변형에 기인한 뒤틀림이 반도체 센서 칩에 전달되는 것을 방지할 수 있지만, 다이 본딩 페이스트의 솟아오름 방지나 반도체 센서 칩의 위치 결정의 향상에 대한 과제가 남아 있었다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위한 것이며, 프린트 기판의 변형에 수반하는 뒤틀림이 반도체 센서 칩에 전달되는 것을 방지할 수 있는 동시에, 다이 본딩 페이스트의 솟아오름을 방지할 수 있고, 아울러 반도체 센서 칩의 위치 결정을 용이하게 실시할 수 있는 센서 패키지를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 센서 패키지는 프린트 기판에 표면 장착되는 타입이며, 출력 단자를 가지는 반도체 센서 칩을 수용하는 케이스를 구비한다. 상기 케이스는 저벽을 가지며, 상기 저벽은 상기 반도체 센서 칩을 유지하는 중앙 영역과, 상기 저벽의 테두리로 되는 둘레 영역으로 구획된다. 상기 둘레 영역의 외면에 출력 전극이 형성되며, 이 출력 전극은 상기 출력 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 이 출력 전극을 프린트 기판에 납땜 결합하는 것에 의해, 반도체 센서 칩의 출력을 이 출력 전극을 통하여 프린트 기판의 전기 회로에 전기적으로 접속함과 동시에, 센서 패키지를 프린트 기판 상에 기계적으로 유지한다.
본 발명의 특징은 상기 저벽의 내면에 홈이 설치되고, 이 홈은 직선 형상으로, 상기 중앙 영역의 외측에서 상기 중앙 영역과 상기 둘레 영역의 사이에 설치되어 있다는 점이다. 상기 중앙 영역과 상기 둘레 영역 사이에 홈이 설치되어 있기 때문에, 홈이 진행하는 방향에 직교하는 방향을 따라 저벽을 만곡시키려는 뒤틀림이 저벽에 가해진 경우, 홈의 부분을 경계로 하여 상기 둘레 영역이 변형하는 것에 의해, 상기 중앙 영역에 뒤틀림이 미치는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 중앙 영역에 유지된 반도체 센서 칩에는 프린트 기판의 변형에 기인한 뒤틀림이 전달되기 어렵게 되어, 프린트 기판의 뒤틀림에 의한 반도체 센서 칩의 특성 변동을 억제할 수 있다. 게다가, 상기 홈이 상기 저벽의 내면에 존재하기 때문에, 반도체 센서 칩을 상기 저벽에 배치할 때에 다이 본딩 페이스트가 넘쳐 흘러도(overflow) 상기 홈으로 흐르게 되어, 다이 본딩 페이스트가 반도체 센서 칩에 솟아오르지 않게 된다. 또, 반도체 센서 칩을 상기 저벽에 배치할 때에, 상기 홈을 위치 결정의 표적으로서 이용할 수 있으므로 추가의 비용없이 용이하게 위치 결정할 수 있다. 또한, 반도체 센서 칩 장착 후의 검사 시에 상기 홈을 표적으로 하여 반도체 센서 칩의 어긋남을 확인할 수도 있다.
상기 홈으로서 반도체 센서 칩의 서로 대향하는 양측 단면의 각각의 인접 단면에 각각 평행하게 연장하는 적어도 2개의 홈을 설치하는 것이 바람직하다. 이로써 반도체 센서 칩에 전달되는 뒤틀림을 효율적으로 억제할 수 있다. 상기 홈을 반도체 센서 칩의 4변의 각각과 평행하게 4개로 형성하여도 된다. 이 경우, 반도체 센서 칩에 모든 수평 방향으로부터 전달되는 뒤틀림을 효율적으로 억제할 수 있다.
게다가, 상기 저벽의 중앙 영역의 내면에 오목부를 형성해도 좋다. 이 오목부는 그 주위에 지지 플랜지가 형성되며, 이 지지 플랜지 상에 상기 센서 칩의 저면이 지지되어 고정된다. 상기 오목부를 설치함으로써, 상기 중앙 영역과 반도체 센서 칩과의 접촉 면적이 줄어들고, 상기 중앙 영역까지 전달된 프린트 기판의 뒤틀림이 상기 반도체 센서 칩에 전달되기 어려워진다. 이 오목부의 형상은 십자형이나 직사각형 모양으로 할 수 있다. 이러한 형상에 의해, 상기 중앙 영역과 반도체 센서 칩과의 접촉 면적을 크게 저감하면서, 안정되게 반도체 센서 칩을 유지할 수 있다. 또한, 상기 반도체 센서 칩의 저면 중 상기 출력 단자 아래로 되는 부위가 상기 지지 플랜지에 지지되는 것도 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 상기 출력 단자에 본딩 와이어를 본딩할 때의 충격에 대한 강도를 확보할 수 있어, 본딩 불량의 발생을 방지할 수 있다. 상기 오목부에 탄성 결합 부재를 충전하는 것도 바람직하다. 이 경우, 상기 탄성 결합 부재의 탄성력에 의하여 상기 반도체 센서 칩에 뒤틀림이 전달되지 않게 되고, 상기 반도체 센서 칩과 상기 저벽의 접착 강도를 향상시킬 수 있다. 상기 오목부의 주위에 상기 오목부보다 얕은 제2 오목부를 형성하고, 상기 제2 오목부의 저면을 상기 지지 플랜지로 하여도 된다. 이 경우, 상기 반도체 센서 칩을 상기 지지 플랜지에 배치할 때에, 상기 반도체 센서 칩을 상기 제2 오목부에 맞추어 배치하면 보다 용이하게 위치 결정할 수 있다.
중앙 영역의 내면에 오목부를 형성하고, 상기 오목부는 저면의 중앙에 지지대를 구비하며, 반도체 센서 칩의 저면의 중앙 영역이 이 지지대 상에서 지지되어 고정되도록 하여도 된다. 이와 같이 하여도, 중앙 영역과 반도체 센서 칩과의 접촉 면적을 크게 저감하면서, 안정되게 반도체 센서 칩을 지지할 수 있다.
상기 둘레 영역의 외측 저면에 상기 중앙 영역의 외측 저면보다 외측으로 돌출된 지지 레그를 구비하여도 된다. 이 때, 상기 출력 전극은 상기 지지 레그의 외면에 형성되어 있다. 상기 지지 레그를 구비함으로써, 프린트 기판의 변형에 기인한 뒤틀림을 상기 지지 레그가 변형됨에 의해서도 완화할 수 있게 되고, 상기 뒤틀림이 반도체 센서 칩에 전달되는 것을 더욱 억제할 수 있다. 또 상기 저벽이 프린트 기판으로부터 멀어짐으로써, 상기 둘레 영역이 상기 홈의 부분을 경계로 하여 변형하기 쉬워진다. 상기 지지 레그는 상기 둘레 영역의 외부 저면의 대향하는 2변을 따라 형성하여도 되고, 상기 둘레 영역의 외부 저면의 4변을 따라 형성하여도 된다. 이 때, 상기 지지 레그를 상기 홈과 평행이 되도록 형성하면, 상기 홈이 연장하는 방향과 직교하는 방향을 따라 저벽을 만곡시키려는 뒤틀림을 상기 홈과 상기 지지 레그에 의해 보다 효율적으로 억제할 수 있다. 또, 상기 지지 레그를 구비한 경우, 상기 중앙 영역의 외측 저면에 상기 반도체 센서 칩과 전기적으로 접속되는 회로 소자를 장착 가능한 장착 영역을 설치해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 필요에 따라서 상기 장착 영역에 회로 소자를 장착할 수 있으며, 주변 회로를 포함한 센서 패키지의 소형화와 저비용화를 도모할 수 있다.
상기 케이스를 상기 저벽의 둘레 영역의 내면에 측벽이 직립하는 개구부를 갖는 상자 형태로 하고, 상기 케이스의 개구에 덮개를 기밀 방식(airtight)으로 부착하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 케이스 내에 설치된 상기 홈에 티끌이나 먼지가 퇴적되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 케이스는 적층된 적어도 2개의 층으로 형성되는 것이 바람직하다. 케이스를 적층 구조로 함으로써, 적층된 층 간에, 상기 반도체 센서 칩의 출력 단자와 상기 케이스의 출력 전극 사이의 전기적 접속을 행하는 도전 부재를 설치할 수 있다. 상기 출력 단자와 상기 출력 전극 사이의 전기 접속을 상기 층 사이에 설치한 상기 도전 부재에 의해 행함으로써, 상기 케이스와 상기 덮개의 접촉 부분인 상기 측벽의 윗면에 상기 도전 부재를 설치하지 않는 구성으로 할 수 있어, 상기 케이스와 상기 덮개 사이의 기밀 신뢰성을 높일 수가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 센서 패키지를 프린트 기판에 장착한 상태를 나타내는 도면이다.
도 2는 상기 케이스를 측벽을 투시하여 보았을 때의 사시도이다.
도 3은 상기 센서 패키지를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 프린트 기판으로부터의 뒤틀림이 상기 센서 패키지에 전달된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 상기 홈의 효과를 설명하는 도면이다.
도 6은 상기 홈의 효과를 설명하는 다른 도면이다.
도 7은 상기 홈에 다이 본딩 페이스트가 흐른 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 상기 센서 패키지에 홈을 4개 형성한 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 상기 저벽의 저면 측에도 홈을 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 센서 패키지의 케이스를 측벽을 투시하여 보았을 때의 사시도이다.
도 11은 상기 센서 패키지의 단면도이다.
도 12는 상기 저벽에 다른 형상의 오목부를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 13은 상기 저벽에 다른 형상의 오목부를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 14는 상기 저벽에 다른 형상의 오목부를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 15는 상기 저벽에 다른 형상의 오목부를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 16은 상기 저벽에 다른 형상의 오목부를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 센서 패키지의 케이스를, 측벽을 투시하여 보았을 때의 사시도이다.
도 18은 프린트 기판으로부터의 뒤틀림이 상기 센서 패키지에 전달된 상태를 나타내는 도면이다.
도 19는 상기 저벽의 외부 저면에 회로 소자를 장착한 예를 나타내는 도면이다.
도 20은 상기 저벽의 4변에 지지 레그를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
도 21은 상기 저벽의 4변에 다른 형상의 지지 레그를 설치한 예를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 첨부 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
도 1에 본 발명의 제1 실시예에 따른 센서 패키지(P)를 나타낸다. 이 센서 패키지(P)는 반도체 가속도 센서 칩(100)을 수용하며, 직사각형의 가늘고 긴 프린트 기판(200)에 표면 장착된다. 센서 패키지(P)는 케이스(1)와 리드(덮개)(2)를 구비한다. 케이스(1)는 직사각형의 저벽(10)을 구비하고, 저벽(10)은 도 2에 나타낸 바와 같이 반도체 가속도 센서 칩(1OO)을 지지하는 중앙 영역(1Oa)과, 저벽(1O)의 둘레로 되는 둘레 영역(10b)으로 구획되어 있다(각각, 도 2에 사선으로 표시된 부분). 케이스(1)는 저벽(10)의 둘레 영역(1Ob)에 측벽(11)이 직립하는 상자 형태를 갖는다. 저벽(1O)의 내면에서, 상기 중앙 영역(1Oa)과 상기 둘레 영역(10b) 사이에는 홈(12)이 2개 형성되어 있다. 각각의 홈(12)은 중앙 영역(1Oa)에 배치되는 반도체 가속도 센서 칩(1OO)의 한 쌍의 양쪽 단면과 평행하게 연장하도록 형성되어 있다. 저벽(10)의 내면에는 단자대(13)가 일체로 설치되어 있다. 단자대(13)의 윗면에는, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 출력 패드(101)와 본딩 와이어(300)를 통하여 접속되는 본딩 패드(14)가 복수 개 설치되어 있다. L자형의 출력 전극(15)은 둘레 영역(10b)의 외면 중 상기 홈(12)과 평행을 이루는 한 쌍의 양쪽 측면에서 외부 저면에 걸치도록 하여 둘레 영역(1Ob)에 밀착 형성되어 있다.
케이스(1)는 도 3의 모식도에 나타낸 바와 같이 복수의 박층을 적층한 다층 적층형 세라믹 패키지에 의해 구성되어 있고, 상기 출력 전극(15)은 박층 사이를 통과하는 도전 부재(16)에 의해 상기 본딩 패드(14)와 전기적으로 접속되어 있다. 홈(12)은 하나 또는 그 이상의 박층을 어느 부분에서 제거하는 것으로 형성된다. 리드(2)는 케이스(1)의 개구 부분을 덮도록 케이스(1)에 기밀되게 부착된다.
케이스(1)는 상기 출력 전극(15)을 프린트 기판(200)에 형성된 전기 회로(도시하지 않음)에 납땜 결합함으로써 반도체 가속도 센서 칩(100)의 출력을 상기 전기 회로에 전기적으로 접속함과 동시에 센서 패키지(P)를 프린트 기판(200) 상에 기계적으로 지지시킨다. 본 실시예에서는 프린트 기판(200)이 직사각형의 가늘고 긴 형상으로 긴쪽 방향을 따라 휘기 쉽기 때문에, 홈(12)을 프린트 기판(200)의 긴쪽 방향과 일치하는 방향으로 배치하여, 프린트 기판(200)에 지지된 둘레 영역(10b)을 홈(12)의 부분을 경계로 하여 변형하기 쉽게 하고 있다. 이로부터, 도 4에 나타낸 바와 같은 프린트 기판(200)이 긴쪽 방향으로 휘어져도, 프린트 기판(200)에 지지된 둘레 영역(1Ob)이 프린트 기판(2OO)의 휘어짐에 추종하여 휘어지므로, 프린트 기판(200)의 휘어짐이 중앙 영역(10a)에까지 미치는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 중앙 영역(1Oa)에 지지된 반도체 가속도 센서 칩(100)이 뒤틀림으로부터 보호되어, 프린트 기판(200)의 뒤틀림에 의한 반도체 가속도 센서 칩(100)의 특성 변동을 억제할 수 있다. 또한, 홈(12)의 깊이나 폭은 케이스(1)의 치수, 두께, 구성 재료 등에 따라 최적화하면 된다.
홈의 효과를 나타내는 일례를 도 5에 나타낸다. 도 5는 홈(12)이 존재하는 경우와 존재하지 않는 각각의 경우에 대해, 온도를 상온으로부터 60℃ 상승시켰을 때에, 프린트 기판(200)과 센서 패키지(P)의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 프린트 기판(200)의 뒤틀림에 의해, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 오프셋(offset) 전압이 어느 정도 변화하는지를 시뮬레이션한 결과를 나타내고 있다. 도 5로부터, 홈(12)을 설치함으로써, 프린트 기판(200)의 뒤틀림이 반도체 가속도 센서 칩(100)에 전달되기 어려워져, 프린트 기판(200)의 뒤틀림에 의한 반도체 가속도 센서 칩(100)의 특성 변동이 억제되는 것을 알 수 있다.
홈의 효과를 나타내는 다른 일례를 도 6에 나타낸다. 도 6은 홈(12)이 존재하는 경우와 존재하지 않는 각각의 경우에 대해, 4개의 샘플을 이용하여 온도 사이클 시험을 실시했을 때에, 시험 전의 초기 오프셋 전압에 대한 시험 후의 오프셋 전압의 변화량을 측정한 결과를 나타낸다. 도 6으로부터도, 홈(12)을 설치하는 것에 의해, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 특성 변동이 억제되어 있는 것을 알 수 있다.
상기 반도체 가속도 센서 칩(100)은 저면의 형상이 직사각형이며, 위쪽의 한 면에 상기한 출력 패드(101)가 복수 개 배치되어 있다. 반도체 가속도 센서 칩(1OO)은 상기 중앙 영역(1Oa)에 다이 본딩 페이스트(400)를 도포한 후, CCD 카메라로 위치 결정하면서 다이 본딩 페이스트(400) 상에 배치되어 고정된다. 이 때, 홈(12)을 위치 결정의 표적으로서 이용할 수 있고, 예를 들면 홈(12)과 반도체 가속도 센서 칩(100)의 한 쌍의 측면이 평행이 되도록 반도체 가속도 센서 칩(1OO)을 중앙 영역(1Oa)에 배치한다. 또, 반도체 가속도 센서 칩(1OO)을 중앙 영역에 배치할 때에, 중앙 영역(1Oa)에 다이 본딩 페이스트(400)가 과잉되게 도포되어 있어 반도체 가속도 센서 칩(100)에 의해 다이 본딩 페이스트(400)가 밀려 나와도, 도 7에 나타낸 바와 같이, 다이 본딩 페이스트(400)는 홈(12)으로 흘러 들어가게 되어 다이 본딩 페이스트(400)가 반도체 가속도 센서 칩(100)에 솟아오르는 일이 없다.
본 실시예에서는 홈(12)이 2개이지만, 도 8에 나타낸 바와 같이 반도체 가속도 센서 칩(100)의 각 4변과 평행하게 연장하도록 홈(12)을 4개 형성하여도 좋다. 이 경우, 반도체 가속도 센서 칩(100)에 대한 모든 수평 방향으로부터의 휘어짐을 억제할 수 있으므로, 장착되는 프린트 기판(200)이 모든 방향으로 휘어지는 경우에 유효하다. 둘레 영역(10b)을 변형하기 쉽게 하기 위해서, 도 9에 나타낸 바와 같이 둘레 영역(10b)의 외측 저면 측에도 홈(12a)을 설치해도 좋다.
또, 본 실시예에서는 케이스(1)에 리드(2)를 부착함으로써 홈(12)에 티끌이나 먼지가 퇴적하는 것을 방지하고 있다.
더욱이, 본 실시예에서는 케이스(1)를 다층 적층형 세라믹 패키지로 하고, 적층된 층 간에 형성된 상기 도전 부재(16)에 의해 본딩 패드(14)와 출력 전극(15)의 전기적인 접속을 행하고 있다. 케이스(1)의 안쪽에 있는 본딩 패드(14)와 케이스(1)의 외측면에 있는 출력 전극(15)을 전기적으로 접속하기 위해, 케이스(1)와 리드(2)의 접촉 부분인 측벽(11)의 윗면에 걸치도록 도전 부재(16)를 설치하면, 도전 부재(16)의 두께에 의해 케이스(1)와 리드(2)의 접촉면에 요철이 발생할 수 있어서, 기밀 신뢰성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 따라서, 본딩 패드(14)와 출력 전극(15)의 전기적인 접속을 적층된 층 사이에 형성된 상기 도전 부재(16)에 의해 행함으로써, 케이스(1)와 리드(2)의 기밀 신뢰성을 높이고 있다.
또한, 본 실시예에서는 반도체 센서 칩으로서 반도체 가속도 센서 칩(100)을 예로 들었지만, 물론 본 발명의 센서 패키지(P)는 그 이외의 반도체 센서 칩에도 적용 가능하다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 센서 패키지(P1)를 나타낸다. 이 센서 패키지(P1)는 상기한 센서 패키지(P)에 부가하여 반도체 가속도 센서 칩(1OO)을 배치하는 중앙 영역(1Oa)의 내면에 오목부(20)를 형성하고 있다. 오목부(20)는 저벽(10)의 내면에서 직사각형 형상을 가지며, 오목부(20)의 주위가 반도체 가속도 센서 칩(100)(도시하지 않음)의 저면을 지지하는 지지 플랜지(21)로 된다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 오목부(20)에는 탄성을 갖는 결합 부재(예를 들면, 실리콘 수지 등의 실리콘계의 다이 본딩제)(22)가 충전되며, 반도체 가속도 센서 칩(100)은 저면의 전체 둘레가 지지 플랜지(21)에 배치된다.
이와 같은 센서 패키지(P1)에 대해서는, 오목부(20)를 설치함으로써, 중앙 영역(1Oa)과 반도체 가속도 센서 칩(1OO)의 접촉 면적이 줄어들어, 중앙 영역(1Oa)으로부터 반도체 가속도 센서 칩(1OO)에 뒤틀림이 전달되기 어려워진다. 따라서, 둘레 영역(1Ob)의 변형만으로 흡수되지 못하여 중앙 영역(1Oa)까지 전달된 뒤틀림도, 중앙 영역(1Oa)으로부터 반도체 가속도 센서 칩(100)에 전달될 단계에서 억제할 수 있다. 결합 부재(22)는 경화될 때에도 탄성 변형 가능하여 반도체 가속도 센서 칩(100)에 뒤틀림을 전달하는 않으며, 그 결합력에 의해 저벽(10)과 반도체 가속도 센서 칩(100)과의 접착 강도를 향상시킬 수 있다.
오목부(20)의 형상은 도 12의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이 가늘고 긴 직사각형 모양으로, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면의 대향하는 2변만이 지지 플랜지(21)에 배치되는 것이어도 된다. 또는, 도 13의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 십자형으로 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면의 네 모서리만이 지지 플랜지(21)에 배치되는 것이어도 된다. 혹은, 도 14의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면보다 큰 직사각형의 오목부(20)를 형성함과 동시에 오목부(20)의 중앙에 지지대(23)를 돌출 설치하고, 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면의 중앙 영역만이 지지대(23) 상에 배치되도록 하여도 된다. 도 12 내지 도 14와 같은 형상으로 함으로써, 중앙 영역(10a)과 반도체 가속도 센서 칩(100)의 접촉 면적을 크게 저감하면서도, 안정되게 반도체 가속도 센서 칩(100)을 지지할 수 있다.
반도체 가속도 센서 칩(100)의 출력 패드(101)에 본딩 와이어(300)를 본딩할 때의 충격에 견디는 강도를 확보할 필요가 있을 때에는, 지지 플랜지(21)가 반도체 가속도 센서 칩(100)의 출력 패드(101) 아래가 되는 부분을 지지하도록 오목부(20)를 설치하여도 된다. 예를 들면, 본 실시예의 반도체 가속도 센서 칩(100)과 같이 출력 패드(101)가 반도체 가속도 센서 칩(100)의 위쪽의 일면에 나란히 배열되어 있을 때에는, 도 15의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 오목부(20)를 출력 패드(101)의 배열 방향으로 긴 직사각형 모양으로 하여, 출력 패드(101)의 아래로 되는 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면의 부위와, 상기 부위와 평행이 되는 저면의 둘레가 지지 플랜지(21)에 배치되도록 하면 된다.
또한, 도 16에 나타낸 바와 같이, 중앙 영역(10a)에 설치된 오목부(20)의 주위에, 상기 오목부(20)보다 얕은 제2 오목부(24)를 형성하고, 상기 제2 오목부(24)의 저면을 상기 지지 플랜지(21)로 하여도 된다. 제2 오목부(24)의 크기는 반도체 가속도 센서 칩(100)의 저면의 크기와 대략 같은 크기로 형성해 두고, 반도체 가속도 센서 칩(100)은 상기 제2 오목부(24)의 저면(지지 플랜지(21))에 배치한다. 제2 오목부(24)를 설치함으로써, 반도체 가속도 센서 칩(1OO)을 중앙 영역(1Oa)에 배치할 때에, 반도체 가속도 센서 칩(100)을 제2 오목부(24)에 배치하면 간단하고 정확하게 위치 결정할 수 있다.
도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 센서 패키지(P2)를 나타낸다. 이 센서 패키지(P2)는 상기한 센서 패키지(P)에 부가하여 둘레 영역(10b)의 외부 저면에 지지 레그(30)를 구비하고 있다. 지지 레그(30)는 둘레 영역(10b)의 외부 저면 중 홈(12)과 평행이 되는 대향하는 2변을 따라 형성되어 있다. 출력 전극(15)은 지지 레그(30)의 저면으로부터 양 측면에 걸쳐 U자형으로 형성되어 있다.
이러한 센서 패키지(P2)에 대해서는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 지지 레그(30)를 설치함으로써, 프린트 기판(200)의 긴쪽 방향을 따른 휘어짐을 지지 레그(30)가 변형하는 것으로도 완화할 수 있으며, 지지 레그(30)가 변형됨과 아울러 둘레 영역(10b)이 홈(12)을 경계로 하여 변형됨에 의하여, 프린트 기판(200)의 뒤틀림이 반도체 가속도 센서 칩(100)에 의해 전달되는 것을 한층 더 차단할 수 있다. 혹은, 센서 패키지(P2)를 보다 소형화하기 위해서 홈(12)의 크기를 충분하게 잡지 않은 경우에, 작은 홈(12)과 지지 레그(30)를 조합시킴으로써, 큰 홈(12)을 형성했을 때와 동일한 효과를 얻을 수도 있다.
지지 레그(30)를 설치함으로써, 중앙 영역(10a)의 외부 저면과 프린트 기판(200)의 사이에 공간이 발생되므로, 도 19에 나타낸 바와 같이, 중앙 영역(10a)의 외부 저면에 상기 반도체 가속도 센서 칩과 전기적으로 접속되는 회로 소자를 장착하는 장착 영역(31)을 설치하고, 회로 소자(32)를 장착해도 된다. 회로 소자(32)는 몰드 수지(33)에 의해 밀봉해 둔다. 이와 같이 함으로써, 반도체 가속도 센서 칩(100)과 그 주변 회로를 하나로 패키지화할 수 있다.
또한, 지지 레그(30)는 도 20의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이 둘레 영역(10b)의 외부 저면의 4변을 따라 형성해도 된다. 도 20의 경우, 홈(12)의 연장 방향과 수직하는 방향을 따라 저벽(10)을 만곡시키려는 뒤틀림은 홈(12) 및 지지 레그(30A)에 의해 억제되고, 홈(12)의 연장 방향을 따라 저벽(10)을 만곡시키는 것 같은 뒤틀림은 지지 레그(30B)가 변형됨으로써 억제될 수 있다. 도 21의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 각 지지 레그(30A, 30B)를 변형하기 쉽게 하기 위해, 인접하는 각 지지 레그(30A, 30B)의 부분을 연결시키지 않고 분리하여 형성해도 된다.

Claims (18)

  1. 출력 단자를 갖는 반도체 센서 칩을 수용하는 케이스를 포함하며,
    상기 케이스는 저벽을 갖고, 상기 저벽은 상기 반도체 센서 칩을 지지하는 중앙 영역과, 상기 저벽의 둘레가 되는 둘레 영역으로 구획되며,
    상기 둘레 영역의 외면에 출력 전극이 형성되고, 상기 출력 전극은 상기 반도체 센서 칩의 상기 출력 단자와 전기적으로 접속되며,
    상기 출력 전극을 프린트 기판에 납땜 결합함으로써, 상기 반도체 센서 칩의 출력을 프린트 기판의 전기 회로에 전기적으로 접속함과 동시에, 센서 패키지를 프린트 기판 상에 기계적으로 지지하는 표면 장착형의 센서 패키지이며,
    상기 저벽의 내면에 홈이 설치되고, 상기 홈은 직선 형상으로 상기 중앙 영역의 외측에서 상기 중앙 영역과 상기 둘레 영역의 사이에 위치하는
    표면 장착형 센서 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 홈은 적어도 2개로 형성되고, 각각의 홈은 상기 반도체 센서 칩의 대향하는 양쪽 단면에 평행하게 연장하는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 홈은 적어도 4개로 형성되고, 각각의 홈은 상기 반도체 센서 칩의 4변의 각각에 평행하게 연장하는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 저벽의 중앙 영역의 내면에 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 그 주위에 지지 플랜지를 형성하며, 상기 센서 칩의 저면이 상기 지지 플랜지 상에서 지지되고 고정되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 저벽의 내면에서의 형상이 십자형인 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 저벽의 내면에서의 형상이 직사각형 모양인 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 지지 플랜지는 상기 반도체 센서 칩의 저면 중 상기 출력 단자의 아래가 되는 부위를 지지하는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 오목부에 탄성 결합 부재가 충전되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 오목부의 주위에 상기 오목부보다 깊이가 얕은 제2 오목부를 형성하고, 상기 제2 오목부의 저면이 상기 지지 플랜지가 되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 저벽의 중앙 영역의 내면에 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 저면의 중앙에 지지대를 구비하며, 상기 센서 칩의 저면의 중앙 영역이 상기 지지대 상에서 지지되고 고정되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 둘레 영역의 외부 저면에 상기 중앙 영역의 외부 저면보다 외측으로 돌출된 지지 레그를 구비하며, 상기 출력 전극은 상기 지지 레그의 외면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지 레그는 상기 둘레 영역의 외부 저면의 대향하는 2변을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 지지 레그는 상기 둘레 영역의 외부 저면의 4변을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 지지 레그는 상기 홈과 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 중앙 영역의 외부 저면에 상기 반도체 센서 칩과 전기적으로 접속되는 회로 소자의 장착이 가능한 장착 영역이 설치되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 케이스는 상기 저벽의 둘레 영역의 내면에 측벽이 직립하는 개구부를 갖는 상자 형태이며, 상기 케이스의 개구부에 덮개가 기밀 방식으로 부착되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 케이스는 적층된 적어도 2개의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 출력 단자와 상기 출력 전극 간의 전기 접속은 상기 층 사이에 설치된 도전 부재에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 표면 장착형 센서 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101230945B1 (ko) 2008-06-10 2013-02-07 아이치 세이코우 가부시키가이샤 마그네토 임피던스 센서 소자

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166911B2 (en) * 2002-09-04 2007-01-23 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with premolded-type package
TWI237546B (en) * 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US6992250B2 (en) * 2004-02-26 2006-01-31 Kyocera Corporation Electronic component housing package and electronic apparatus
EP1751806B1 (de) 2004-05-31 2019-09-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
JP2005353846A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP2006308454A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Kyocera Corp 電子装置
JP4832802B2 (ja) * 2005-05-30 2011-12-07 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体加速度センサ装置及びその製造方法
JP4740678B2 (ja) * 2005-07-27 2011-08-03 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP4786328B2 (ja) * 2005-12-20 2011-10-05 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージ
DE102006022807A1 (de) * 2006-05-16 2007-11-22 Robert Bosch Gmbh Chipgehäuse mit reduzierter Schwingungseinkopplung
JP4925274B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925275B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925272B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4925273B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2008227087A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Denso Corp 半導体素子
CN101802541B (zh) * 2007-08-27 2013-08-07 株式会社日立制作所 半导体应变传感器
JP4851555B2 (ja) * 2008-05-13 2012-01-11 株式会社デンソー 力学量センサおよびその製造方法
JP4752952B2 (ja) 2009-06-03 2011-08-17 株式会社デンソー 力学量センサ、及び該力学量センサの製造方法
DE102010042438B4 (de) * 2010-01-27 2013-09-26 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung
JP5287774B2 (ja) * 2010-03-22 2013-09-11 株式会社デンソー セラミックパッケージ
JP5311231B2 (ja) * 2010-05-24 2013-10-09 株式会社デンソー センサ装置
JP2012019034A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Toyota Motor Corp 半導体パッケージの構造
JP5742323B2 (ja) * 2011-03-14 2015-07-01 オムロン株式会社 センサパッケージ
ITTO20120154A1 (it) * 2012-02-21 2013-08-22 Stmicroelectronics Malta Ltd Procedimento di assemblaggio di un dispositivo integrato a semiconduttore
CN104126224B (zh) * 2012-03-22 2017-02-22 京瓷株式会社 元件收纳用封装件
JP2013243340A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
DE102015104410B4 (de) * 2015-03-24 2018-09-13 Tdk-Micronas Gmbh Drucksensor
CN104803341B (zh) * 2015-04-17 2017-02-22 北京必创科技股份有限公司 一种压力传感器应力释放装置
ITUB20153580A1 (it) * 2015-09-11 2017-03-11 St Microelectronics Srl Dispositivo sensore microelettromeccanico con ridotta sensibilita' agli stress e relativo procedimento di fabbricazione
JP6293982B2 (ja) * 2015-09-30 2018-03-14 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置
CN105203233A (zh) * 2015-10-16 2015-12-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems压力传感器
JP2017125753A (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6417056B2 (ja) * 2016-01-22 2018-10-31 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板、電子装置および電子モジュール
CN106744644A (zh) * 2016-10-11 2017-05-31 中国科学院地质与地球物理研究所 一种mems传感器低应力封装管壳及封装系统
DE102019129411A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-18 Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper
JP2021071305A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 ミネベアミツミ株式会社 力覚センサ装置
JP7166238B2 (ja) * 2019-11-06 2022-11-07 株式会社豊田中央研究所 Mems構造体
DE102020207799A1 (de) 2020-06-24 2021-12-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung MEMS-Modul
CN115057407A (zh) * 2022-04-29 2022-09-16 潍坊歌尔微电子有限公司 Mems产品及电子设备

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5656655A (en) * 1979-10-15 1981-05-18 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5857742A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Nec Corp チツプキヤリア
FR2538961B1 (fr) * 1982-12-30 1985-07-12 Europ Composants Electron Embase pour circuit integre
EP0333237A3 (en) * 1984-05-18 1990-03-21 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Integrated circuit chip carrier
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame
US5233873A (en) * 1991-07-03 1993-08-10 Texas Instruments Incorporated Accelerometer
FR2690275B1 (fr) * 1992-04-21 1994-06-10 Asulab Sa Moyens de positionnement d'un dispositif microelectronique et ensemble de montage d'un tel dispositif.
JPH05333056A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Hitachi Ltd 加速度センサ
JPH0621317A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Seiko Epson Corp 半導体パッケージの製造方法
JP3517428B2 (ja) 1993-03-31 2004-04-12 株式会社日立製作所 容量式加速度センサ
US5554806A (en) * 1994-06-15 1996-09-10 Nippondenso Co., Ltd. Physical-quantity detecting device
DE19734530B4 (de) * 1996-08-09 2008-04-24 Denso Corp., Kariya Halbleiterbeschleunigungssensor
JPH1062446A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Hitachi Ltd 加速度センサ及び実装用プリント基板
JPH11260960A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
JPH11281667A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Japan Aviation Electronics Ind Ltd 静電容量型センサ
US6111199A (en) * 1998-04-07 2000-08-29 Integrated Device Technology, Inc. Integrated circuit package using a gas to insulate electrical conductors
US6249049B1 (en) * 1998-06-12 2001-06-19 Nec Corporation Ceramic package type electronic part which is high in connection strength to electrode
JP2000046859A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Omron Corp 加速度センサ
JP3062691B1 (ja) * 1999-02-26 2000-07-12 株式会社三井ハイテック 半導体装置
JP2001337104A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体加速度センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101230945B1 (ko) 2008-06-10 2013-02-07 아이치 세이코우 가부시키가이샤 마그네토 임피던스 센서 소자
US8455962B2 (en) 2008-06-10 2013-06-04 Aichi Steel Corporation Magneto-impedance sensor element

Also Published As

Publication number Publication date
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