WO2000039247A1 - Element electroluminescent organique - Google Patents

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WO2000039247A1
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Chishio Hosokawa
Masakazu Funehashi
Hisayuki Kawamura
Hiromasa Arai
Hidetoshi Koga
Hidetsugu Ikeda
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Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention is used as a light source for a planar light-emitting body of a wall-mounted television or a backlight of a display, and has a high luminous efficiency, a high heat resistance, and a long life.
  • the present invention relates to a material for a sense element, an organic electroluminescent element used, a novel compound, and a method for producing a material for an organic electroluminescent element.
  • an EL element includes a light emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the light emitting layer.
  • light emission when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side.
  • the electrons recombine with holes in the light emitting layer to generate an excited state, and emit energy as light when the excited state returns to the ground state.
  • the conventional organic EL device has a higher driving voltage and lower luminous brightness and luminous efficiency than the inorganic light emitting diode. Also, the characteristics deteriorated remarkably, and they had not been put to practical use. Recent organic EL devices have been gradually improved, but have not yet had sufficient luminous efficiency, heat resistance, and longevity.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-1-2600 discloses a phenylanthracene derivative that can be used for an EL device. An organic EL device using this compound has a luminous efficiency of 2 to 4 cd. / A only, better High efficiency was required. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • 8-199 162 discloses an EL device having a light emitting layer containing a fluorescent dopant made of an amine or diamine derivative.
  • the EL device has a luminous efficiency of 4 to 6 cd / A, it has a lifetime of only 700 hours at an initial luminance of 300 cd / m 2 , and a longer lifetime is required.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-268284 discloses a material for an EL element having a phenylanthracene group. However, when used for a long time at a high temperature, the emission luminance is greatly reduced. Heat resistance was insufficient.
  • the energy gap of the light emitting layer such as the A1 complex is smaller than the energy gap of the material for the organic EL device, the A1 complex or the like emits light and emits light for the organic EL device.
  • the material did not function as a luminescent center.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and has a high luminous efficiency, a long life, and a high heat resistance, a material for an organic electroluminescence element, and an organic light emitting device.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing a material for a electroluminescence element, a new compound, and a material for an organic electroluminescence element.
  • the present inventors have conducted intensive research to develop a material for an organic electroluminescence element having the above-mentioned favorable properties and an organic electroluminescence element using the same. It has been found that the object can be achieved by using the compounds represented by the following general formulas [1 ;!] and [3] to [10]. The present invention has been completed based on such findings.
  • the present inventors can achieve the above object by using a compound represented by the following general formula [11] or [11 '] as a doping material or a luminescent center. Was found.
  • the present inventors have made it possible to react amide with aryl halide in the presence of a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound and a base to obtain a tertiary tertiary compound.
  • a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound and a base.
  • Materials for organic EL devices such as arylamines It has been found that it can be synthesized with high activity. The present invention has been completed based on such findings.
  • the material for an organic EL luminescent element of the present invention (hereinafter, a material for an organic EL element) is a compound represented by the following general formula [1].
  • ⁇ represents a substituted or unsubstituted arylene group having 22 to 60 carbon atoms.
  • X ′ to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • Y 1 ⁇ 4 in their respective independently represents an organic group represented by the following general formula (2).
  • a to d represent an integer of 0 to 2. However, when A has 26 or less carbon atoms, a + b + c + d> 0, and A does not include two or more anthracene nuclei.
  • R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 20 carbon atoms, 2 0 ⁇ rie group, or represents a Xia amino group, R 1 and R 2 or R:. i and R 4 represents a triple bond attached Z is rather to be substituted unsubstituted carbon atoms 6 Represents an aryl group of up to 20. n is 0 or 1 Represents )]
  • the material for an organic EL device of the present invention may be a compound represented by the following general formula [3].
  • ⁇ represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
  • X 1 ⁇ chi 4 are each independently, rather also replaced represents ⁇ Li Ichire down group having a carbon number of 6 to 3 0 unsubstituted.
  • ⁇ ′ to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the above general formula [2].
  • a to d represent an integer of 0 to 2.
  • at least one of B, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 contains a thallicone nucleus.
  • the general formula [3] is preferably the following general formula [4], [5] or [6].
  • X 1 to X 4 , Y ′ to ⁇ 4 and a to d are each independently the same as in the above general formula [3]. ]
  • the material for an organic EL device of the present invention may be a compound represented by the following general formula [7].
  • D represents a divalent group containing a tetrathracene nucleus or a pursecene nucleus.
  • X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, X 1 and X 2 , X 4 and X 3 may be connected to each other.
  • Y ′ to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the above general formula [2].
  • a to d represent an integer of 0 to 2.
  • the general formula [7] is preferably the following general formula [8].
  • R 5 ′ to R ′′ each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 to 20 carbon atoms. Represents an aryl group or a cyano group, and adjacent R 5 ′ to R 6Q may be linked to each other to form a saturated or unsaturated carbocyclic ring.
  • the material for an organic EL device of the present invention may be a compound represented by the following general formula [9].
  • ⁇ ⁇ represents an aryl group-substituted or unsubstituted entracene core. Represents a divalent group.
  • X 5 ⁇ X 8 are each independently rather also replaced represent ⁇ Li Ichire down group having a carbon number of 6 to 2 0 of unsubstituted X r 'and X s, X 7 and X 8 are connected to each other May be.
  • Y ′ to ⁇ each independently represent an organic group represented by the above general formula [2], and ad represents an integer of 0 to 2.
  • At least two of X 5 to X 8 are substituted or unsubstituted.
  • the material for an organic EL device of the present invention may be a compound represented by the following general formula [10].
  • a r 1 and A r 3 are each independently, rather also substituted unsubstituted off Wenire down, one also rather are unsubstituted substituted, 3-naphthoquinone data les down, rather also substituted Unsubstituted 1,8 naphthalene, substituted or unsubstituted fluorene Or a divalent group consisting of a substituted or unsubstituted biphenyl, wherein A ⁇ 2 is a substituted or unsubstituted pentracene nucleus, a substituted or unsubstituted Pyrene nucleus, substituted or unsubstituted phenanthrene nucleus, substituted or unsubstituted crysene nucleus, substituted or unsubstituted pentacene nucleus, position Represents a divalent group consisting of a substituted or unsubstituted naphthacene nucleus or a substituted or unsubstit
  • X 5 ⁇ X 8 are each independently a substituted also rather represent ⁇ rie les down group of 2 6 carbon atoms unsubstituted ⁇ , X 5 and X 6, X 7 and X 8 are connected to each other May be.
  • Y 1 to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the general formula [2].
  • a to d represent integers from 0 to 2, and a + b + c + d ⁇ 2; e: i O or 1; f represents 1 or 2;
  • Ar 2 is an anthracene nucleus
  • both Ar ′ and Ar 3 are p-fuylene groups.
  • the material for an organic EL device of the present invention may be a compound represented by the following general formula [].
  • F represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 21 carbon atoms.
  • X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X 3 and X are connected to each other.
  • Y ′ to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the above general formula [2].
  • a to d represent integers of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0.
  • F is a group represented by the following general formula [12], [13] or [14].
  • each of R S 'to R 24 ' independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 carbon atoms. And represents an aryl group or a cyano group of -20, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring.
  • R 25 ′ to R 34 ′ each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon group. Represents an aryl group or a cyano group having 6 to 20 atoms, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbocyclic ring.
  • organic EL device materials represented by the general formulas [1], [3] to [11] and [11 ′] may be used as light-emitting materials for organic EL devices. Can be used.
  • the organic EL device of the present invention (hereinafter referred to as “organic EL device”) is an organic EL device formed by forming a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes.
  • At least one layer of the electroluminescent element for an organic EL element is a material for an organic EL element represented by the general formulas [1], [3] to [: 11] and [11 ′]. It is a layer containing.
  • the above-mentioned organic EL device comprises a material for an organic EL device represented by the above general formulas [1], [3] to [11] and [11 '], which is a hole injection material, a hole transport material, and a doping. It is preferable that a layer containing at least one kind of material selected from materials is formed between the electrodes.
  • the organic EL element contains 0.1 to 20% by weight of the material for an organic EL element represented by the general formulas [1], [3] to [11] and [11 '] in a light emitting layer. And are preferred.
  • the organic EL device may include at least one material selected from the group consisting of a hole injecting material, a hole transporting material, and a doping material, wherein the general formulas [1], '[3] to [11] are used. and an organic EL element material represented by [1 1 '], each independently from 0.1 to 2 0 weight 0/0 and this contains is not to prefer c
  • the light emitting layer comprises a stilbene derivative and the above general formula [1], [3]
  • a layer containing the material for an organic EL device represented by [11] and [11 ′] is preferable.
  • a layer containing an aromatic tertiary semiconductor and / or a fluorinated cyanine derivative may be formed between the light emitting layer and the anode.
  • the energy gap of the organic electroluminescence element device material represented by the general formula [11] is smaller than the energy material of the host material by 0.07 eV or more. Things are preferred.
  • novel compound of the present invention is represented by the following general formula [11 ′].
  • F represents a group represented by the following general formula [14].
  • XX 4 each independently represents a substituted or unsubstituted arylene group having 630 carbon atoms, and X, X 2 X 3 and X 4 may be linked to each other.
  • Y ′ to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the general formula [2].
  • ad represents an integer of 0 2. Where a + b + c + d> 0.
  • R 25 ′ to R 34 ′ each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted carbon atom!
  • a substituted or unsubstituted carbon atom Represents an aryl group or a cyano group having 6 to 20 atoms, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring.
  • the method for producing a material for an organic electroluminescence device of the present invention comprises the following general formula [15] in the presence of a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound and a base.
  • k represents an integer of 1 to 3, and when k is 1, R and R ′ represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and k represents 2
  • R represents an alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group
  • R ' represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group
  • X represents F, C 1, Br or I
  • m represents an integer of 1 to 3, provided that R and R ′
  • at least one of Ar contains a substituted or unsubstituted styryl group or an aromatic group having 15 or more carbon atoms, and when k is 2, then N
  • the substituted R ' may be different.
  • the arylamine compound is preferably a compound represented by the following formula [17].
  • F represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
  • X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X and X are connected to each other. Is also good.
  • Y ′ to ⁇ 4 each independently represent an organic group represented by the above general formula [2].
  • a to d represent integers of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0. ]
  • the phosphine compound is preferably a trialkyl phosphine compound, a triaryl phosphine compound or a diphosphine compound.
  • FIG. 1 is an HNI chart of Compound a synthesized by the production method of the present invention.
  • FIG. 2 is an HN chart of Compound b synthesized by the production method of the present invention.
  • FIG. 3 is an HNMR chart of Compound e synthesized by the production method of the present invention.
  • a of the compound represented by the general formula [1] represents a substituted or unsubstituted arylene group having 22 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include biphenyl , Terphenyl, naphthalen, entracene, Divalent groups formed from phenanthrene, pyrene, fluorene, thiophene, colonone, fluoroanthene, etc., or a plurality of these linked together to form a divalent group, etc. No.
  • X 1 to X 4 of the compound represented by the general formula [1] each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and specific examples and Phenylene, biphenyl, terphenyl, naphthene len, anthracene, phenanthrene, pyrene, fluorene, thiophene, A monovalent or divalent group containing a chromone or crysene skeleton is exemplified.
  • X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other.
  • X 1 to X 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or a group having 6 to 20 carbon atoms. It represents a aryl group, but excludes an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylketone group, and the like as substituents. Compounds containing these excluded substituents are liable to be thermally decomposed at the time of vapor deposition, and the life of the light-emitting element is inferior.
  • a to d represent an integer of 0 to 2. However, when A has 26 or less carbon atoms, a + b + c + d> 0, and A does not include 2 or more enthracene nuclei.
  • R 1 to R 4 of the organic group represented by the general formula [2] in the present invention each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituent. Or an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a cyano group.
  • R ' ⁇ R 4 are, is rather to be replaced by an alkyl group unsubstituted methylation group, Echiru group, pro pin group, butyl group, sec - butyl, tert - butyl group, Pentyl, hexyl, heptyl, octyl, stearyl, 2—phenylisopropyl, trichloromethyl, trifluoromethyl Group, benzyl group, ⁇ — phenoxy benzyl group, a, ⁇ — dimethyl benzyl group, a, ⁇ — methyl phenyl benzyl group,, ⁇ — ditriphenyl benzoyl group Examples include a benzoyl group, a triphenyl methoxy group, and a benzyloxybenzyl group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group include a phenyl group, a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, and a 4-methylphenyl group.
  • Examples include a benzyl group, a naphthyl group, a 5-methylethylnaphthyl group, an antenna group, and a pyrenyl group.
  • ⁇ in the organic group represented by the general formula [2] in the present invention represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • ⁇ include phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, anthryl, phenanthryl, fluorenyl, pyrenyl, thiophene, and the like.
  • the aryl group may have a substituent. Specific examples of the substituent include an alkoxy group, an amino group, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxylic acid group, an ether group, and an ester group in addition to the alkyl group and the aryl group described in R 1 to R 4. Etc.
  • n represents 0 or 1.
  • the compound represented by the general formula [1] in the present invention has a diamine structure at the center and a styrylamine structure at the terminal, and thus has an ionization energy of 5.6.
  • e V follows Do Ri holes injected Yasugu, hole mobility Ri Do and 1 0 2 / V ⁇ s or more, is superior in hole injecting material, a hole transport material.
  • the electron affinity becomes 2.5 eV or more due to the centrally located polygonal structure, and electrons are easily injected.
  • the number of carbon atoms in the structure A is 22 or more, an amorphous thin film can be easily formed, the glass transition temperature becomes 100 t or more, and the heat resistance is excellent. If the structure A contains two or more anthracene nuclei, the compound [1] may be thermally decomposed.
  • a compound in which X 1 and X 2 and X 3 and X 4 are linked by a single bond or a carbocyclic bond has an improved glass transition temperature and excellent heat resistance.
  • B in the compounds represented by the general formulas [3] to [6] in the present invention represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms, and as a specific example, Formed from biphenyl, terphenyl, naphthylene, anthracene, phenantrene, pyrene, phenololene, thiophene, colonone, fluoranthene, etc. Or a divalent group formed by linking a plurality of these to each other.
  • X 1 to X 4 , Y ′ to ⁇ ⁇ 4, and a to d are the same as those in the general formula [1].
  • any one of B, X 1 , X 2 , X 3 or X 4 contains a crysene nucleus.
  • the compounds represented by the general formulas [3] to [6] in the present invention have a diamine structure at the center and a styrylamine structure at the terminal.
  • the ionization energy is 5.6 eV or less, holes are easily injected, and the hole mobility is 10 to 4 m 2 / V ⁇ s or more. It is excellent.
  • an organic EL element that can be driven for a long time and that can be stored or driven at a high temperature can be obtained.
  • D of the compound represented by the general formula [7] in the present invention represents a divalent group containing a substituted or unsubstituted tetrathracene nucleus or a pentacene nucleus. And at least one selected from biphenyl, naphthylene, anthracene, phenanthrene, fluorene and thiophene and also a tetranuclear nucleus.
  • X 1 ⁇ X 4, Y 1 ⁇ 4 and a to d are the same as the above-mentioned general formula (1).
  • X 'and X 2, X 4 and X 3 may be linked to each other.
  • R 5 ′ to R SG each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. It represents an alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group or a cyano group having 6 to 2 ° carbon atoms.
  • Adjacent R 5 I to R S. May be linked to each other to form a saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted carbon ring.
  • the groups used for the above substitution in the general formula [7] or [8] are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and a carbon atom having 6 carbon atoms. And 20 to 20 aryl groups, but excluding an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group and the like as substituents. Compounds containing these substituents are liable to be thermally decomposed at the time of vapor deposition, and the life of the light-emitting element is inferior.
  • the compound represented by the general formula [7] according to the present invention has a strong fluorescence in the orange to red region by having a tetrathracene or pentacene structure. Has the property.
  • to have a Jimin structure Holes are more easily injected, and when this compound is contained in the light-emitting layer, holes are more easily captured, and electrons and holes are more likely to recombine. For this reason, a highly efficient yellow ⁇ / color, orange or red light emitting element can be obtained.
  • the light-emitting element when the compound represented by the general formula [7] is used as a doping material, the light-emitting element has a long life and unprecedented stability can be obtained.
  • E of the compound represented by the general formula [9] in the present invention represents a divalent group consisting of an aryl group-substituted or unsubstituted antracene nucleus.
  • X 5 ⁇ X 8 are each independently substituted or represents ⁇ Li Ichire down group having a carbon number of 6 to 2 0 unsubstituted, full et two les in as the concrete example, Biff et two Honoré And monovalent or divalent groups containing a skeleton, terfenerene, naphthalen, anthracene, phenanthrene, fluorene, or thiophene skeleton. Further, X 5 and X 6, X 7 and X 8 are not good be linked to each other. Y ′ to ⁇ 4 and a to d are the same as those in the above general formula [1]. Where E is unsubstituted
  • the compound represented by the general formula [9] in the present invention has a diamine structure, it has an ionization energy of 5.6 eV. It is easy to inject holes as follows, and has a hole mobility of 1 () — 4 m 2 / V ⁇ S or more, and is excellent as a hole injection material and a hole transport material. In addition, since the compound has a substituted or unsubstituted pentracene nucleus at the center, injection of electrons is slow.
  • the glass transition temperature becomes as low as 10 ° C. or less, so that at least two The glass transition temperature is improved by performing the substituent substitution, preferably 2 to 4 substitution.
  • substituent substitution preferably 2 to 4 substitution.
  • such a specific biphenyl structure increases the solubility of the compound represented by the general formula [9] and facilitates purification. If there is a phenyl group at a position other than the above structure, purification is difficult and impurities increase, and the characteristics of the obtained organic EL device deteriorate.
  • aryl group substitution the formation of association pairs between molecules is suppressed, the fluorescence quantum efficiency is improved, and the luminous efficiency of the organic EL device is improved.
  • a r 1 and A r 3 of the compound represented by the general formula [1 0] in the present invention are each independently, rather also substituted unsubstituted Fuwenire down, 1 unsubstituted is rather also substituted, 3-naphthoquinone Represents a divalent group consisting of substituted or unsubstituted 1,8-naphthalene, substituted or unsubstituted fluorene, or substituted or unsubstituted biphenyl.
  • a r 2 is, rather than also substitution of unsubstituted ⁇ down door racemate down the nucleus, rather than to be substituted unsubstituted pyrene nucleus, substituted or is properly unsubstituted Fuwena down door-les-down nucleus, rather than to be replaced Is an unsubstituted crissene nucleus, a substituted or unsubstituted centacene nucleus, a substituted or unsubstituted naphthene nucleus, or a substituted or unsubstituted fluorocarbon.
  • a specific example
  • the compound represented by the general formula [10] in the present invention has a diamine structure, has an ionization energy of 5.6 eV or less, and has holes. It is easy to inject and has a hole mobility of 10 m 2 / V ⁇ s or more, and is excellent as a hole injecting material and a hole transporting material, particularly a light emitting material. In addition, the injection of electrons is slow due to the polyphenylene structure containing a condensed ring at the center.
  • F in the compounds represented by the general formulas [11] and [11 '] represents a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 21 carbon atoms.
  • the specific examples are biphenyl, terphenyl, naphthalen, anthracene, phenanthrene, pyrene, fluorene, and thiol. Or a divalent group or the like.
  • a to d each represent an integer of 0 to 2'. Where a + b + c + d> 0.
  • the compounds represented by the general formulas [11] and [11 ′;] in the present invention have a diamine structure at the center and a styrene amino structure at the terminal.
  • the ionization energy is 5.6 eV or less.
  • addition to the light-emitting layer improves hole injection into the light-emitting layer, and balance of electrons and holes in the light-emitting layer by trapping holes. (Quantity ratio), and luminous efficiency and lifetime are improved. The luminous efficiency and lifetime are improved as compared with the case where the above compound [11] or [11 ′] is used alone as a light emitting layer as a single organic E element material.
  • a compound in which X ′ and X 2 , and X 3 and X 4 are linked by a single bond or a carbon ring bond has an improved glass transition temperature and excellent heat resistance.
  • R 5 ' ⁇ R 3 4' in the group represented by the general formula [1 2] - [1 4] in the present invention are each independently, a hydrogen atom, a carbon atom number of also rather are unsubstituted substituted 1-2 0 represents an alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group or cyano group having 6 to 20 carbon atoms, and adjacent groups are bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon atom. It may form a ring.
  • R ⁇ R 3 4 ' is rather to be replaced by an alkyl group unsubstituted methylation group, Echiru group, propyl group, butyl group, sec _ butyl group, tert one butyl group, Pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, 2-phenylphenyl propyl group, trimethylethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group , ⁇ — phenoxybenzyl group, a, c dimethylbenzyl group, HI, ⁇ — methinophenyl benzyl group, HI, ⁇ — trifluoromethylbenzyl group, triphenyl Examples include a nilmethyl group and a monobenzyloxy benzyl group.
  • Substituted or unsubstituted aryl groups include phenyl, 2-methylphenyl, '3-methylphenyl, 4-methylphenyl, and 4-ethylphenyl.
  • the compounds represented by the general formulas [1], [3] to [10] of the present invention are in a solid state because the polyphenyl structure of the center A or B is linked to the amine structure. It has strong fluorescence, has excellent electroluminescence, and has a fluorescence quantum efficiency of 0.3 or more.
  • the compounds represented by the general formulas [7] and [8] are yellow and orange because the structure containing the tetrathracene nucleus or pen cene nucleus is linked to the amine structure. Or, in the red fluorescent region, it has strong fluorescence in a solid state or a dispersed state, and has excellent electroluminescence.
  • the compounds represented by the general formulas [1], [3] to [10] of the present invention have excellent hole injecting property and hole transporting property from a metal electrode or an organic thin film layer, It has excellent electron injecting and electron transporting properties from the electrode or organic thin film layer, so it can be used effectively as a light emitting material.
  • the use of an electron transporting material or a doping material is acceptable.
  • the compounds represented by the general formulas [7] and [8] can be used as a doping material, and can be a red-based high-efficiency light emission because they become recombination centers of electrons and holes.
  • the organic EL device of the present invention is a device in which one or more organic thin films are formed between an anode and a cathode.
  • a light emitting layer is provided between the anode and the cathode.
  • the light-emitting layer contains a light-emitting material and, in addition, a hole-injection material or an electron-injection material for transporting holes injected from the anode or electrons injected from the cathode to the light-emitting material. You may.
  • the multi-layer organic EL devices include (anode / hole injection layer / emission layer / cathode), (anode / emission layer / electron injection layer / negative electrode), (anode / hole injection layer Z emission layer / electron injection layer) Some are stacked in a multilayer configuration of (Z cathode).
  • the compounds of the general formulas [1] and [3] to [11], [11 '] and [17] have high light-emitting properties, and excellent hole-injection, hole-transport and electron-injection properties. Since it has electron transporting properties, it can be used as a light emitting material in a light emitting layer.
  • the light-emitting layer may contain, if necessary, a known light-emitting material and a doping material in addition to the compounds of the general formulas [1] and [3] to [11], [1] and [17] of the present invention. Materials, hole injection materials and electron injection materials can also be used.
  • the organic EL element having a multilayer structure can prevent a reduction in luminance and life due to quenching. If necessary, a combination of luminescent, doping, hole-injecting and electron-injecting materials can be used. Further, by using a doping material, emission luminance and emission efficiency can be improved, and red and blue light can be obtained. Further, each of the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer may be formed with two or more layers.
  • the layer for injecting holes from the electrode is the hole injection layer
  • the hole injection layer is the hole injection layer.
  • the layer that receives and transports holes to the light emitting layer is called a hole transport layer.
  • a layer that injects electrons from the electrode is called an electron injection layer
  • a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer is called an electron transport layer.
  • Each of these layers is selected and used depending on factors such as the energy level of the material, heat resistance, and adhesion to the organic layer or the metal electrode.
  • the light-emitting material or the doping material that can be used in the light-emitting layer together with the compounds of the general formulas [1] and [3] to [i1], [11 '] and [17] include entracene. , Naphne, Leh, Anthrene, Pyrene, Tetrasene, Corone, Chrisen, Phnoleoresin, Perylene, Flipperi Perylene, Naphne Perylene, Perinon, Foot-Perinon, Naph-Everin Perinon, Diphenylbutadiene, Tetraphenylbutadiene, Coumarin, Oxazidazole, Aldazine, Bis Benzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphne Ethylethylene, vinylant Sen, diamino carnoxol, pyran, thiopyran, polymethine,
  • quinoline metal complexes and stilbene-based conductors are used as luminescent or doping materials that can be used in the luminescent layer together with the compounds [7] and [8].
  • the content of the doping material in the light emitting layer has the general formula [1 1] or [1 1 '] Ri this and is essential der often Ri by compounds of the rather to preferred 8 0-9 9.9 weight 0 / 0 .
  • the hole-injecting material has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode, has an excellent hole-injecting effect on the light-emitting layer or the light-emitting material, and has the excitation generated in the light-emitting layer. Compounds that prevent the transfer of electrons to the electron injection layer or the electron injection material and have excellent thin film forming ability are preferred.
  • phthalocyanine derivatives phthalocyanine derivatives, naphtalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazole, oxaziazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolone Lucion, virazoline, pyrazolone, tetrahydromidazole, oxazole, oxaziazol, hydrazone, acylhydrazone, polyarylalkane, stilbene, Butadiene, benzene-type triphenylamine, styrene-type triphenylamine, diamine-type triphenylamine, derivatives thereof, and polyvinyl carbazones
  • Examples include, but are not limited to, polymer materials such as cellulose, polysilane, and conductive polymers.
  • more effective hole injecting materials are aromatic tertiary amine derivatives or fluorinianine derivatives.
  • aromatic tertiary amine derivatives include triphenylamine, tritrinoleamine, tridiphenylamine, N, N'-diphenyl N, N * (3 — methyl phenyl) 1, 1 ′-biphenyl 1, 4, 4 ⁇ -dimamine, N, N, N ', N' 1 (4-methyl phenyl) 1
  • evening b cyanine emission (P c) derivatives H 2 P c, C u P c, C o P c, N i P c, Z n P c, P d P c, F e P c, M n P c, C 1 A 1 P c. C 1 G a P c.
  • phthalocyanine derivatives and naphthalocyanine derivatives such as G a P c, VOP c, and T i OP c:, M O OP c, G a P c — 0— G a P c, It is not limited.
  • the electron injecting material has the ability to transport electrons, has the effect of injecting electrons from the cathode, and has an excellent electron injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material.
  • Compounds that prevent migration to the injection layer and have excellent thin film forming ability are preferred.
  • Examples thereof include, but are not limited to, lacarbonic acid, fluorenylidenemethane, antraquinodidimethane, anthrone, and derivatives thereof.
  • the electron injecting property can be improved by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.
  • a more effective electron injection material is a metal complex compound or a nitrogen-containing five-membered ring derivative.
  • metal complex compound examples include 8—hydroxyquinoline tritium, bis (8—hydroxyquinoline) zinc, bis (8—hydroxy).
  • oxazole, thiazole, oxdiazole, thiadiazole, or triazole derivative is preferable.
  • a light emitting material, a doping material, a hole injection material and an electron injection material are included in the light emitting layer. at least ! Species may be contained in the same layer.
  • a protective layer is provided on the surface of the device, or a silicone oil, resin, or the like is used. It is also possible to protect the entire device.
  • a material having a work function larger than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, and nickel are used.
  • carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, and nickel are used.
  • An organic conductive resin such as polyethylene or polypyrrole is used.
  • the conductive material used for the cathode one having a work function smaller than 4 eV is suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, Lithium, ruthenium, manganese, aluminum, and the like and alloys thereof are used, but are not limited thereto.
  • Typical examples of the alloy include magnesium / silver, magnesium / indium, and lithium / aluminum, but are not limited thereto.
  • the ratio of the alloy is controlled by the temperature, atmosphere, degree of vacuum, etc. of the evaporation source, and is selected to be an appropriate ratio.
  • the anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary. You may be.
  • the substrate is transparent.
  • the transparent electrode is formed using the above conductive material so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering. It is desirable that the electrode on the light emitting surface has a light transmittance of 10% or more.
  • the substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and is transparent, and includes a glass substrate and a transparent resin film. Examples of the transparent resin film include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polypropylene, polyester, and polyester.
  • Each layer of the organic EL element according to the present invention is formed by a dry film forming method such as vacuum deposition, sputtering ring, plasma, ion plating, or a wet film method such as spin coating, tipping, and flow coating. Any of the film forming methods can be applied.
  • the film thickness is not particularly limited, but needs to be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in an efficiency Becomes worse. If the film thickness is too thin, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied.
  • the film thickness is preferably in the range of 5 nm to 10 ⁇ m, but more preferably in the range of 10 nm to 2 .2 wm.
  • the material forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, black-hole form, tetrahydrofuran, or dioxane to form a thin film.
  • an appropriate resin or additive may be used to improve film forming properties and prevent pinholes in the film.
  • Resins that can be used include polystyrene, polycarbonate, polylate, polyester, polyamide, polyurethan, polysulfone, and polyester.
  • Insulating resins such as chill metal acrylate, polyethylene acrylate, cell opening, and their copolymers, and photoconductive resins such as poly-N-vinyl carbazole and polysilane.
  • conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.
  • the additives include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
  • an organic EL device having high luminous efficiency, hardly deteriorating, having a long life, and having excellent heat resistance can be obtained.
  • the organic EL device of the present invention includes a flat panel illuminator such as a flat panel display of a wall-mounted television, a light source such as a copier, a printer, a backlight or an instrument of a liquid crystal display, a display panel, and a sign lamp.
  • a flat panel illuminator such as a flat panel display of a wall-mounted television
  • a light source such as a copier, a printer, a backlight or an instrument of a liquid crystal display, a display panel, and a sign lamp.
  • the material of the present invention which can be used for, for example, is used not only in organic EL devices, but also in fields such as electrophotographic photoconductors, photoelectric conversion devices, solar cells, and image sensors. it can.
  • Examples of the primary amide represented by the general formula [15] used in the method for producing a material for an organic device of the present invention include methylamine, ethylamine, n-propylamine, and isopropylamine.
  • Class A Killua Mi emission class ethylene Les Njia Mi emissions, 1, 2 - Zia Mi knob down, 1, 3 - di ⁇ Mi Nopuro.
  • 1, 4 Alkyldiamines such as diaminobutane: aniline, 0 —fluoraline, m—fluoraline, p-fluoraline, 0 —toluene , M—toluidine, p—toluidine, 0_agnisin, m—agnisin, p—agnisin, 1 naphthylamine, 2 naphthylamine, 1aminoa 2-aminomintracene, 2-aminobiphenyl, 4-aminobiphenyl, 9-aminobinantren, 2-triamine Alifluoramines such as trifluoromethyl lutein, 3 — trifluoromethyl lutein, and 4-1 fluorinated methyl lutein: 0 — phenylene amide , M—Alky
  • the aryl halide represented by the general formula [16] is not particularly limited, but Ar is usually an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or 6 to 2 carbon atoms. A substituted or unsubstituted aryl group of 2 is used, and the aromatic ring may have a substituent.
  • the aryl group includes a condensed cyclic hydrocarbon.
  • aryl amides include bromobenzene, 0-bromoanisole, m-bromoanisole, p-bromoanisole, 0-bromotoluene, m-bromotoluene, p— Bromotoluene, 0-Bromophenol, m-Bromophenol, p-Bromophenol, 2—Bromobenzotrifluoride, 3—Bromobenzotriol Lido, 4—bromobenzotrifluoride, 1_bromo_2,4—dimethoxybenzene, 1-bromo-1,2,5—dimethoxybenzen, 2—bromophenethyl alcohol , 3-bromophenethyl alcohol, 4-bromophenethyl alcohol, 5-bromo-1, 1, 4-trimethylbenzene, 2-bromo_m-xylene, 2-bromop Xylene, 3—Bromo 0— Silene, 4—Bromo_0—X
  • aryl halides having two or more, preferably 2 to 3, halogen atoms such as
  • the method of adding aryl halide is not particularly limited.
  • two different aryl halides may be added simultaneously with the primary amine before the start of the reaction. These may be added and allowed to react, or the primary amine and one aryl halide may be reacted first, and then the other aryl halide may be added to the generated secondary amine to add these. May be reacted. Since the third-class aryl amine can be manufactured with higher selectivity, the latter sequentially different aryl hally The method of adding a metal is preferable.
  • the amount of aryl halide added is not particularly limited, but when two different aryl halides are added at the same time as primary amine, 1 mole of primary amine is used.
  • the range is preferably 0.5 mol times to 10 mol times, respectively, and is preferably a primary metal oxide for economical reasons and to simplify post-treatment such as separation of unreacted aryl halide. It is 0.7 to 5 moles per 1 mole of min.
  • the first aryl halide added is 0.5 to 1.5 with respect to one amino group of the primary amine.
  • reaction system may be added to the reaction system in a molar amount of 1 to 2 times, but from the viewpoint of improving the selectivity of the desired tertiary arylamine, more preferably, it is added to the primary amine. It may be added to the reaction system in a range of 0.9 mole to 1.1 mole per 1 amino group.
  • the aryl halide added after the production of the secondary amine may be added in an amount of 0.1 to 10 moles per one amino group of the primary amine as the raw material.
  • the separation of unreacted aryl halide and unreacted secondary amine after the completion of the reaction is complicated, and therefore, it is preferable that one amino group of primary amine be used. It is sufficient to add 0.9 to 5 times mol.
  • the palladium compound to be used as a catalyst component in the present invention is not particularly limited as long as it is a palladium compound.
  • sodium hexachloronoradium (IV) acid Tetrahydrate hexachloroparadium (IV) Acidic tetravalent baladium compounds such as lithium; paradium chloride (11), nordium bromide (11), acetic acid Palladium (11), balazium masethyl acetate (11), dichlorobis (benzonitrinole), radium (II), dichlorobis (acetoni) Trill) Radium (II), Dichloro (bis (diphenylphosphino) ethane) Radium (I, dichlorobis (triphenylphosphine)) Radium (II), dichlorotetraammonium radium (11 ), Dicyclo mouth (cyclone 1st, 1st, 5th-gen) norradium (1, nordium trifluoride low acetate (I1), etc.) beam compounds: City re-scan (Jibe down di Li Den'ase tons) Secondary
  • palladium is used.
  • the amount of the compound is not particularly limited, with respect to 1 Kyua Mi down 1 mole, 0 para di c beam converted. 0 0 0 0 1-2 0. 0 mol 0/0. If the palladium is within the above range, tertiary arylamine can be synthesized with high selectivity, but it is more preferable because expensive palladium compounds are used. Is from 0.01 to 5.0 mol% in terms of radium based on 1 mol of the primary amine.
  • the alkyl phosphine compound is not particularly limited, and includes, for example, tritylene phosphine, tricyclohexyl phosphine, triisopropyl phosphine, and tripropyl phosphine.
  • tritylene phosphine tricyclohexyl phosphine
  • triisopropyl phosphine tripropyl phosphine.
  • 1 n-Butyl phosphine, triisobutyl phosphine, tri sec Fin, preparative rie tert - Puchiruhosufu fin and the like, rather then like this whether we have a high reaction activity
  • the triphenylphosphine compound is not particularly limited, and examples thereof include triphenylphosphine, benzyldiphenylphosphine, and tri-0—trilyphosphine. , Tri-m-triphenylphosphine, tri-p-trilyphosphine, and preferably triphenylphosphine. Sufin, Tri-O — Triinorephosphine.
  • the diphosphine compound is not particularly limited, and examples thereof include bis (dimethylphosphino) methane, bis (dimethylphosphino) ethane, and bis (dimethylphosphino) ethane.
  • (R)-BPPFA) N, N '1-methyl (R)-1 [(S)-1', 2-bis (diphenylphosphino) ferrocenyl] ethylamine (( R), (S)-BPPFA), N, N '1-methyl 1-1', 2-Bis (diphenylphosphino) fuecenyl) ethylamine (() 1 BPPFA).
  • bis (diphenylphosphino) ethane, 1,3—bis (diphenylphosphino) bun, bis (diphenylphosphino) phenocene BINAP may be an optically active substance or a racemic substance.
  • the amount of the trialkylphosphine compound, the triphenylphosphine compound or the diphosphine compound to be used is 0% with respect to the radius compound. It may be used in a molar amount of 0.1 to 1000 times. When the amount used is within this range, the selectivity of arylamine does not change, but since expensive phosphine compounds are used, it is more preferable to use palladium compounds. 0.1 to 10 times mol.
  • a palladium compound and a phosphine compound are indispensable as catalyst components, and both are combined and added to the reaction system as a catalyst.
  • they may be added individually to the reaction system, or may be prepared in advance in the form of a complex and then added.
  • the base that can be used in this reaction may be selected from inorganic bases such as sodium and potassium carbonates and organic bases such as tertiary amines.
  • inorganic bases such as sodium and potassium carbonates
  • organic bases such as tertiary amines.
  • sodium methoxide, sodium methoxide, calcium methoxide, calium methoxide And tert-butoxy Na door Li cormorant-time one tert - blanking door key and passes, mosquito re-cormorant-time one tert - off "'key and passes, cesium car Done door (C s 2 C 0 3) good UNA Al force Li metal alkoxy such as And they may be added to the reaction field as they are, or may be prepared in situ from an alkali metal, an alkali metal hydride, an alkali metal hydroxide and an alcohol, and then supplied to the reaction field. .
  • the amount of the base to be used is not particularly limited, but the amount of the base to be used for the two different aryl halides added to the reaction is
  • the amount of the base is less than 0.5 times the molar amount, the reaction activity is decreased, and the yield of arylamine is decreased, which is not preferable. Although the yield of arylamine does not change even if the amount of the base is added in a large excess, the post-treatment operation after the completion of the reaction is complicated, so it is more preferably from 1.0 to 5%. It is less than twice the molar.
  • the reaction in the production method of the present invention is usually carried out in an inert solvent, and such an inert solvent may be any solvent that does not significantly inhibit the present reaction.
  • Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; ether solvents such as getyl ether, tetrahydrofuran, and dioxane: acetonitrinole, dimethylformamide And dimethyl sulfoxide, hexamyl phosphotriamide, and the like. More preferred are aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene.
  • the production method of the present invention is preferably carried out under normal pressure under an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon. However, the method can be carried out even under pressurized conditions.
  • the production method of the present invention has a reaction temperature of 20 ° (: up to 300 ° C., more preferably 5 ° C.) and a reaction time of up to 200 ° C., and a reaction time of several minutes to 72 ° C. You can select from a range of time.
  • the arylamine was added in the presence of a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound, and a base. A method of the invention for obtaining a compound is described.
  • the light emission characteristics of this device are: emission luminance of 200 (cd Zm 2 ), maximum luminance of 1.4000 (cd / m 2 ), and luminous efficiency of 2.1 (1 m / W) at an applied voltage of 5 V DC. ) was obtained.
  • the above compound (9) was vacuum-deposited as a luminescent material on a washed glass plate with an IT0 electrode to form a 100 nm-thick luminescent layer, on which aluminum and lithium were deposited.
  • An electrode having a thickness of 100 nm was formed from an alloy mixed at a ratio of 3% by weight of lithium to obtain an organic EL device.
  • the light-emitting layer was deposited in a vacuum of 10 to 6 T rr at a substrate temperature of room temperature.
  • the light emission characteristics of this device are as follows: light emission luminance of 110 (cd / m 2 ), maximum luminance of 200 (cd Zm 2 ), and light emission efficiency of 2.1 (1 m / W) at an applied voltage of 5 V DC. ) was obtained.
  • the compound (2) as a luminescent material was vacuum-deposited on the washed glass plate with an ITO electrode to form a 50 nm-thick luminescent layer. Then, the following compound (A 1 q)
  • the luminescent materials shown in Table 1 were vacuum-deposited on the cleaned glass plate with ITO electrodes to obtain a luminescent layer having a thickness of 80 nm.
  • the above compound (Alq) is vacuum-deposited as an electron injecting material to form an electron injection layer having a thickness of 2 O nm, on which aluminum and lithium are trimmed with lithium.
  • An electrode having a thickness of 150 nm was formed from an alloy mixed at a ratio of 0 / o to obtain an organic EL device.
  • Each layer in a vacuum of 1 0- 6 T 0 rr, was deposited under the conditions of the substrate temperature at room temperature. Table 1 shows the emission characteristics of this device.
  • the organic EL elements of this example all had high luminance characteristics of maximum luminance of 1000 (cd / m 2 ) or more.
  • the following compound (NPD) was vacuum-deposited to a film thickness of 20 nm as a hole transport material.
  • Et al is, as a luminescent material 4, 4 '- bis (2, 2 - Jifue two ruby two Le) Biff enyl (DPVB i) and the compound (3), the proportion of 5 wt compound (3) 0 / 0 and co-evaporation to a film thickness of 4 O nm.
  • Compound (3) functions as a fluorescent drug.
  • the above-mentioned compound (A1q) was deposited as a charge injection material to a thickness of 2 O nm, LiF was deposited to a thickness of 0.5 nm, and aluminum was deposited to a thickness of 100 nm.
  • An organic EL element was obtained by forming an electrode by vapor deposition in nm. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 s Torr. The light emission characteristics of this device were as high as 7500 (cd / m 2 ) when emitted with a DC voltage of 5 V. Furthermore, with an initial light emission luminance of 400 (cd / m 2 ), the half-life was as long as 300 ° hours when driven at a constant current. Comparative Example 1
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1, except that the following compound (Comparative Example 1) was used as a light emitting material.
  • the light emitting characteristics of the obtained device were such that a light emitting luminance of 60 (cd Zm 2 ) and a light emitting efficiency of 0.34 (1 m / W) were not obtained at an applied voltage of 5 V DC, and sufficient performance was not obtained.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 3, except that the following compound (Comparative Example 2) was used as the light emitting material.
  • Example 2 The organic EL devices manufactured in Example 2, Example 3, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were put into a constant temperature bath at 100 ° C. after measuring the emission luminance, and then 500 ⁇ m at a constant current value. After a lapse of time, the light emission luminance was measured again, and compared with the light emission luminance before being put into the tank, the luminance retention was calculated.
  • the above compound (37) was vacuum-deposited as a luminescent material on the washed glass plate with IT ⁇ electrodes to form a 10-nm-thick luminescent layer, on which lithium fluoride was deposited.
  • the light-emitting layer was deposited in a vacuum of 10— S Tor under a substrate temperature of room temperature.
  • the light emission characteristics of this device are as follows: light emission luminance 110 (cd / m 2 ), maximum luminance 200 0 0 0 (cd / m 2 ), and a luminous efficiency of 1.2 (1 m / W) was obtained.
  • Light emitting properties of the device a DC voltage 5 V emission luminance of about 7 0 0 at an applied voltage of (cd / m 2), the maximum brightness 8 0 0 0 0 (cd / m 2), luminous efficiency 6. 0 (1 m / W) green light emission was obtained. Furthermore, with an initial light emission luminance of 600 (cd Zm 2 ), the half-life was as long as 4000 hours when driven at a constant current.
  • the hole transport material shown in Table 2 was vacuum-deposited on the washed glass plate with the IT ⁇ electrode to obtain a hole transport layer having a thickness of 20 nm. Further, the above compound (Alq) was vacuum-deposited as a light-emitting material to form a light-emitting layer having a thickness of 60 nm, and rubrene was added to the light-emitting layer to a concentration of 4% by weight. An electrode having a film thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy in which aluminum and lithium were mixed at a ratio of 3% by weight of lithium to obtain an organic EL device. Each layer in the 1 0- S T 0 rr vacuum, was deposited in the conditions of a substrate temperature at room temperature. Table 2 shows the emission characteristics of this device. Further, the organic EL elements of this example all had high luminance characteristics of not less than the maximum luminance of 1000 (cd / m 2 ). Example of application Positive transport material halving Tapping
  • the compound (TPD74) as a hole injecting material was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to a film thickness of 6 nm.
  • the above compound (NPD) was vacuum-deposited to a film thickness of 20 nm as a hole transporting material.
  • the light emission characteristics of this device were blue light emission with high luminance and excellent color purity of 500 (cd / m 2 ) at an applied voltage of DC voltage of 8 V ′. Furthermore, with an initial light emission luminance of 100 (cd / m 2 ), the half-life was 700,000 hours when driven at a constant current. When the emission spectrum of this device was measured, it was the same as that of DPVB ⁇ . That is, the compound (36) has no effect on light emission, but has an effect of giving a long life to the device.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 34, except that the above compound (36) was not added as a dopant. For this device, the half-life was 400 hours, which was shorter than that of Example 34 when driven at a constant current at an initial luminance of 100 (cd / m 2 ).
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 20, except that the above compound (Comparative Example 2) was used as the hole transport material.
  • the light emission characteristics of the obtained device were as follows: light emission luminance of 300 (cd / m 2 ) and light emission efficiency of 4.2 (1 m / W) at an applied voltage of DC voltage of 5 V. When driven at a constant current of 0 (cd Z m 2 ), the half-life was 300 hours, which was short.
  • Example 20 The organic EL devices manufactured in Example 20, Example 17 and Comparative Example 4 were placed in a thermostat at 105 ° C. after measuring the emission luminance, and 500 hours passed at a constant current value. Thereafter, the emission luminance was measured again, and the luminance retention was calculated by comparing with the emission luminance before being put into the tank.
  • the luminance retention rates of the organic EL devices of Example 0, Example 27, and Comparative Example 4 were 87%, 90%, and 25%, respectively.
  • the compound of the light emitting material used in Comparative Example 4 could not maintain the luminance because the glass transition temperature was 105 ° C. or less.
  • the compounds of the luminescent materials used in Examples 20 and 17 have a high glass transition temperature of 110 t or more, and therefore have high heat resistance and a long time. Brightness can be maintained for a long time.
  • the above compound (71) was vacuum-deposited as a luminescent material to form a 10-nm-thick luminescent layer, on which aluminum and lithium were deposited. to obtain an organic EL device by forming a lithium 3 wt 0/0 thickness in mixed alloy at a rate of 1 0 0 nm of the electrode.
  • the light emission layer in 1 0- S T 0 rr vacuum, the substrate temperature was deposited under the conditions of room temperature.
  • the light emission characteristics of this device are: light emission luminance of 120 (cd / m 2 ), maximum luminance of 180 (cd Zm 2 ), and light emission efficiency of 0.3 (1 m / W) at an applied voltage of 5 V DC. Orange light emission was obtained.
  • the compound (71) as a luminescent material was vacuum-deposited on the washed glass plate with ITO electrodes to form a 50-nm-thick luminescent layer.
  • the above compound (A1q) is vacuum-deposited to form an electron-injecting layer having a thickness of 10 nm, on which an alloy in which aluminum and lithium are mixed at a ratio of 3% by weight of lithium.
  • An electrode having a thickness of 100 nm was formed on the substrate to obtain an organic EL device.
  • the light emitting layer and the electron injection layer were deposited in a vacuum of 10 to 6 T rr at a substrate temperature of room temperature.
  • the dc voltage 5 V emission luminance of about 2 0 0 at an applied voltage of (cd / m 2), the maximum brightness 1 2 0 0 0 (cd / m 2), luminous efficiency 0 (lm / W) orange light emission was obtained.
  • the luminescent materials shown in Table 3 were vacuum-deposited on the washed glass plate with the ITO electrode to obtain a luminescent layer having a thickness of 80 nm.
  • the above compound (A1q) is vacuum-deposited as an electron injecting material and electron injection with a thickness of 2 nm is performed.
  • An organic EL device is formed by forming an inter-layer, and then forming an electrode with a thickness of 150 nm on an alloy obtained by mixing aluminum and lithium at a ratio of lithium tertiary 0 / o. Obtained. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 to 6 T rr. Table 3 shows the emission characteristics of this device. Further, the organic EL elements of this example all had high luminance characteristics of maximum luminance of 500 (cd / mz ) or more. Table 3
  • the above compound (TPD74) was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to a film thickness of 60 nm as a hole-injecting person.
  • the following compound (NPD) was vacuum-deposited as a hole transport material to a film thickness of 2 Onm.
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 35, except that the above compound (Comparative Example 1) was used as the light-emitting material.
  • the light emitting characteristics of the obtained device were such that a light emitting luminance of 60 (cd / m 2 ) and a light emitting efficiency of 0.34 (1 m / W) were not obtained at an applied voltage of 5 V DC, and sufficient performance was not obtained.
  • the emission color was blue.
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 37, except that the above compound (Comparative Example 2) was used as the light-emitting material.
  • the light emission characteristics of the obtained device were such that the light emission luminance was 20 * 0 (cd / m 2 ) and the light emission efficiency was 1.2 (1 m / W) when a DC voltage of 5 V was applied.
  • the half life was 600 hours, which was short.
  • the emission color was blue.
  • the light emission characteristics of the obtained device were emission luminance of 200 (cd Zm 2 ) at an applied voltage of DC voltage 5 V, but it was assumed that the device was driven at a constant current with an initial emission luminance of 400 (cd / m 2 ).
  • the roller had a short half-life of 700 hours, and its emission color was blue.
  • the compound (TPD74) as a hole injecting material was vacuum-deposited to a thickness of 60 nm on a washed glass plate with an IT0 electrode.
  • the above compound (NPD) was vacuum-deposited to a film thickness of 20 nm.
  • the above compound (A1q) was used as a luminescent material
  • the above compound (75) was used as a dopant
  • the compound (75) was used in a proportion of 2% by weight
  • the film thickness was set to 40 nm.
  • the above compound (A1q) was deposited as an electron injecting material to a thickness of 20 nm
  • LiF was deposited to a thickness of 20 nm.
  • the emission luminance was as high as 500 (cd Zm 2 ), and the light emitted was orange. Furthermore, at an initial luminance of 500 (cd / m 2 ), the half-life was more than 2000 hours when driven at a constant current, and was particularly long.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 49 except that the compound (86) was added in place of the compound (75) as a dopant.
  • the device was driven at a constant current at an initial luminance of 500 (cd / m 2 ) and had a half life of 2000 hours, which was a long life.
  • the emission color was vermilion.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 49 except that the compound (82) was added in place of the compound (75) as a dopant.
  • the device was driven at a constant current at an initial light emission luminance of 500 (cd / m 2 ) and had a half-life of 280 hours or more. The emission color was red.
  • a transparent anode of 100 nm thick indium tin oxide film is provided on a glass substrate measuring 25 mm x 75 mm x 1.1 mm, using both ultraviolet and ozone. Washed for 10 minutes.
  • a glass substrate was placed a vacuum tea deposition apparatus (ULVAC Co.), was reduced to about 1 0 _ 4 P a. Thereafter, the TPD74 was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 60 nm. Next, TPD78 having the following structure was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 20 nm.
  • UVAC Co. vacuum tea deposition apparatus
  • DPVDPAN having the following structure and the above compound (100) as a light emitting material were co-deposited to form a light emitting layer having a thickness of 4 O nm.
  • the deposition rate of DPVDPAN was 0.4 nm / sec, and the deposition rate of the compound (100) was 0.01 nm / sec.
  • the above-mentioned A1q is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and finally aluminum and lithium are simultaneously deposited, so that the cathode has a thickness of .15 O nm.
  • an organic EL device was obtained.
  • the deposition rate of aluminum was 1 nm / sec
  • the deposition rate of lithium was 0.004 nm / sec.
  • the performance of the obtained organic EL device was evaluated.
  • the emission luminance at the voltage shown in Table 4 was measured, the emission efficiency was calculated, and the emission color was observed. Furthermore, the device was driven at a constant current with an initial luminance of 500 (cd / m 2 ) under a nitrogen gas flow, and the half-life at which the luminance reached 250 (cd Zm 2 ) was measured. Table 4 shows the results.
  • Example 52 a light emitting material was used instead of the compound (100). Then, an organic EL device was produced and evaluated in the same manner except that the compounds shown in Table 4 were used. Table 4 shows the results.
  • Example 52 the following diamine compound was used as a light emitting material instead of the compound (100).
  • trans-4-1-stilbene aldehyde 10.4 g (50 mmo 1), intermediate C 15.4 g (5 0 mmol) and 100 milliliters of DMSO.
  • 6.7 g (60 mmo 1) of t-butoxide was added little by little, and the mixture was stirred and reacted at room temperature overnight.
  • the reaction solution was poured into 200 milliliters of water, and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the mixture was concentrated under reduced pressure at the mouth of the reactor and the evaporator at the end of the day.
  • the obtained crude crystals were washed with 100 ml of methanol, and the intermediate was used as an intermediate! 7 1 2. 5 give g (6 9% yield).
  • the above-mentioned ⁇ PD 7 was vacuum-deposited as a hole injecting material to a thickness of 60 nm on the washed glass plate with an I ⁇ 0 electrode.
  • the above NPD was vacuum-deposited to a film thickness of 20 nm as a hole transport material.
  • stilbene derivatives 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (DPVB i) and the above-mentioned compound (a) are used as the light-emitting material, and the compound (a) the ratio is 2 weight 0/0, were co-deposited on the jar by a thickness of 4 0 nm.
  • Compound (a) functions as a fluorescent dopant or a luminescent center.
  • the above-mentioned A1q was deposited as an electron injecting material at a film thickness of 20 nm, and LiF was deposited at a film thickness of 0.5 nm, and then aluminum was deposited at a thickness of 100 nm.
  • the electrode was formed by vapor deposition to obtain an organic EL device. Each layer was deposited in a vacuum of 10 to 6 T rr at a substrate temperature of room temperature.
  • the luminous characteristics of this device were 100 (cd / m 2 ) luminous intensity and 2.1 (1 m / W) luminous efficiency at an applied voltage of 6 V DC.
  • the chromaticity coordinates are (0.146, 0.10), and blue light emission with high purity is possible.
  • the device was driven at a constant current with an initial light emission luminance of 200 (cd / m 2 ), and its half life was as long as 2000 hours.
  • the energy of the compound a was 2.78 eV, and the DPPVi was 3.0 eV.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 63 except that the above compound b was used as a dopant or a luminescent center.
  • the light emission characteristics of this device were a light emission luminance of 110 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 6 V and a light emission efficiency of 3 (1 m / W).
  • the chromaticity coordinates are (0.152, 0.163), and blue light emission with high purity is possible.
  • the half life was as long as 1500 hours.
  • the emission characteristics are shown in Table 5.
  • the energy gap of compound b was 2.90 eV, and DPVBi was 3.0 eV.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 63 except that the compound c was used as a dopant or a luminescent center.
  • the light emission characteristics of this device were as follows: light emission luminance was 130 (cd / m 2 ) at an applied voltage of 6 V DC, and light emission efficiency was 2.1 (1 mZW).
  • the chromaticity coordinates are (0.162, 0.181), which enables blue light emission with high purity.
  • the half life was extended to 280 hours when driven at a constant current.
  • the emission characteristics are shown in Table 5.
  • the energy gap of compound c was 2.83 eV
  • DPVBi was 3.0 eV.
  • Example 3 7 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 63 except that the above compound d was used as a dopant or a luminescent center.
  • the light-emitting characteristics of this device are: light emission luminance of 300 (cd / mz ) at an applied voltage of 6 V DC, light emission efficiency of 4.6 (1 m / W), and high-efficiency green light emission.
  • the half life was as long as 3400 hours. Table 5 shows the emission characteristics.
  • the energy gap of the compound d was 2.78 eV
  • D PV B i was 3.0 eV.
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 63, except that the following compound (TPD) was used as a dopant or a luminescent center.
  • the light emission characteristics of this device were such that a light emission luminance of 60 (cd / m 2 ) and a light emission efficiency of 0.7 (1 m / W) were not obtained when a DC voltage of 5 V was applied, and sufficient performance was not obtained. TPD did not function as a luminescence center, which resulted in luminescence from DPVTP. In addition, at an initial luminance of 200 (cd Zm 2 ), when driven at a constant current, the half-life was as short as 100 hours. Table 5 shows the emission characteristics.
  • the energy gear of the TPD was 3.10 eV, and the DPVBi was 3.0 V.
  • Example 63 The same procedures as in Example 63 except that the above compound a was used as a dopant or a luminescent material and the above compound (A1q) was used as a luminescent material.
  • the energy gap of the compound a was 2.95 eV A1q was 2.7 eV.
  • An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 63 except that the compound c was used as a single light emitting material without using dopants or light emitting materials.
  • the light emission characteristics of this device were such that a light emission luminance of 40 (cd / m 2 ) and a light emission efficiency of 0.9 (1 m / W) were not obtained at an applied voltage of 6 V DC, and sufficient performance was not obtained.
  • the half-life was short at 180 hours. Table 5 shows the emission characteristics.
  • the organic EL device material represented by the above general formulas [1], [3:] to [6] and [9] to [10] of the present invention is a light emitting material, a hole injecting material, a hole transporting material or
  • the organic EL element used as a doping material has practically sufficient light emission luminance at a low applied voltage, has high luminous efficiency, and its performance is not easily degraded even after long use, and its life is long. Also, it has excellent heat resistance and does not deteriorate in high temperature environment.
  • the organic EL device using the organic EL device material represented by the general formulas [7] and [8] as a light emitting material, a hole injection material, a hole transport material, or a doping material has a yellow color. In the orange to red region, practically sufficient light emission luminance can be obtained with a low applied voltage, high luminous efficiency, and long-lasting life with little deterioration in performance even when used for a long time.
  • a material for an organic electroluminescence device comprising the compound represented by the general formula [11] of the present invention or a novel compound represented by [11 '] is added to the dopant.
  • the organic light-emitting element used as the light-emitting center can obtain practically sufficient light-emitting luminance at a low applied voltage, has high light-emitting efficiency, and deteriorates even after long-term use. It has a long life.
  • a material for an organic element When a material for an organic element is manufactured by the method of the present invention, a material for an organic electroluminescent element having a high luminous efficiency, a long life, and a high activity can be obtained by reducing impurities. It can be produced in high yield.

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Description

明 細 書 有機エ レ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ン ス素子
技術分野
本発明は壁掛テ し ビの平面発光体やディ スプレイのバッ ク ライ ト 等の光源と して使用され、 発光効率が高く 、 耐熱性が高く 、 寿命が 長い有機エレ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料、 使用 した有機エレ ク ト ロ ル ミ ネ ッ セ ン ス素子、 新規化合物及び有機ェし ク ト ロ ル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料の製造方法に関する ものである。
背景技術
有機物質を使用 した有機ェレ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ンス （ E L ) 素子 は、 固体発光型の安価な大面積フルカ ラー表示素子と しての用途が 有望視され、 多 く の開発が行われている。 一般に E L素子は、 発光 層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。 発光 は、 両電極間に電界が印加される と、 陰極側から電子が注入され、 陽極側から正孔が注入される。 さ らに、 この電子が発光層において 正孔と再結合し、 励起状態を生成し、 励起状態が基底状態に戻る際 にエネルギーを光と して放出する現象である。
従来の有機 E し素子は、 無機発光ダイォー ドに比べて駆動電圧が 高く 、 発光輝度や発光効率も低かった。 また、 特性劣化も著し く実 用化には至っていなかった。 最近の有機 E L素子は徐々に改良され ている，ものの、 未だ充分な発光効率、 耐熱性、 寿命を有していなか つた。 例えば、 特開平 8 - 1 2600 号公報には E L素子に使用でき る フ ヱ二ルア ン ト ラセ ン誘導体が開示されているが、 この化合物を利用 した有機 E L素子は発光効率が 2 〜 4 c d / A程度しかな く 、 よ り 高い効率が求められていた。 また、 特開平 8 - 1 99 1 62号公報には、 発 光層にア ミ ンまたはジア ミ ン誘導体からなる蛍光性 ドーパン ト を含 有する E L素子が開示されている。 しかしながら、 こ の E L素子は 発光効率が 4 〜 6 c d / Aである ものの、 寿命が初期輝度 3 0 0 c d / m 2 で 7 0 0 時間しかな く 、 よ り長寿命が求められていた。 さ らに、 特開平 9 - 268 284号公報にはフ ヱ二ルア ン ト ラセ ン基を有する E L素子用材料が開示されているが、 高温で長時間使用する と発光 輝度の低下が大き く 耐熱性が不充分であつた。 これ らの素子は、 橙 色〜赤色の発光をせず、 赤色発光は E L素子のフルカ ラー化に不可 欠であるため橙色〜赤色の発光する素子が望まれていた。 この材料 をホス ト材料と し、 他の化合物を ドー ピン グ材料と して使用する と 長寿命が得られなかった。 実用的には初期輝度 1 0 0 0 0 c d Z m 2 以上が求められているが得られていない。 特開平 1 1 - 1 5225 3 号公 報には、 ビナフ タ レ ン構造を有する有機 E L素子用材料を、 A 1 錯 体等の電子輸送性の発光層に添加した例が開示されている。 しかし ながら、 この例では、 A 1 錯体等の発光層のエネルギ一ギャ ッブが 有機 E L素子用材料のエネルギーギャ ップよ り小さ いため、 A 1 錯 体等が発光して該有機 E L素子用材料は発光中心と して機能しなか つた。
一方、 有機 E L素子用材料となるァ リ ールァ ミ ン類の合成は、 従 来、 ァ ミ ン と ヨウ化ベ ンゼン類を用いウルマ ン （ U 1 1 m a n n ) 反応によ り行われてきた。 例えば、 C h e m . L e t t . ， p p . 1 1 5 〜 1 1 4 8 , 1 9 8 9 、 米国特許第 4 , 7 6 4 , 6 2 5号 明細書、 特開平 8 - 48974 号公報等には、 1 当量以上の銅粉及び水酸 化力 リ ゥムに代表される塩基の存在下でデカ リ ン等の不活性炭化水 素溶媒中 1 5 0 °C以上で対応するヨ ウ化ベ ンゼン類とジァ リ 一ルァ ミ ン と を反応さ せ ト リ ア リ ールア ミ ン を製造する こ と が記載されて いる。
しかしながら、 ウルマ ン反応による方法では、 反応剤と して高価 なヨ ウ化物を用いなければならず、 応用性も乏し く 、 反応収率も充 分ではなかった。 また 1 5 0 °C以上の高温と長い反応時間を要し、 銅粉を大量に使用するため、 大量の銅を含む廃液が生じ、 環境上の 問題もあった。 発明の開示
本発明は、 前記の課題を解決するためになされたもので、 発光効 率が高く 、 寿命が長いのみならず、 耐熱性も高い有機エレ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料、 有機エ レ ク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子、 新 規化合物及び有機エレ ク ト ロルミ ネ ッセンス素子用材料の製造方法 を提供する こ と を目的とする ものである。
本発明者らは、 前記の好ま しい性質を有する有機エレク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子用材料およびそれを使用した有機エレク ト ロルミ ネ ッセ ンス素子を開発すベく 鋭意研究を重ねた結果、 下記一般式 〔 1 ；! 及び 〔 3 〕 〜 〔 1 0 〕 で示される化合物を利用する こ とによ りそ の目的を達成し得る こ とを見出した。 本発明は、 かかる知見に基づ いて完成したものである。
また、 本発明者らは、 下記一般式 〔 1 1 〕 又は 〔 1 1 ' 〕 で示さ れる化合物を ドーピング材料又は発光中心と して利用する こ と によ りその'目的を達成し得る こ と を見出した。
さ らに、 本発明者らは、 ホス フ ィ ン化合物とパラ ジ ウム化合物か らなる触媒及び塩基の存在下で、 ァ ミ ン とァ リ ールハライ ドを反応 させる こ と によ り 、 3級ァ リ ールア ミ ン類の有機 E L素子用材料を 高活性に合成できる こ と を見出 した。 本発明は、 かかる知見に基づ いて完成したものである。
すなわち、 本発明の有機エ レ ク 卜 口ルミ ネ ッセ ンス素子用材料 （ 以下、 有機 E L素子用材料） は、 下記一般式 〔 1 〕 で示される化合 物である。
一般式 〔 1 〕
[ 1 )
Figure imgf000006_0001
〔式中、 Αは置換も し く は未置換の炭素原子数 2 2 〜 6 0 のァ リ 一 レ ン基を表す。 X ' 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置 換の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表す。 Y 1 〜丫 4 は、 そ れぞれ独立に、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a 〜 d は 0 〜 2 の整数を表す。 ただし、 Aの炭素原子数 2 6以下の場合に は a + b + c + d 〉 0 であ り、 A中に 2以上のア ン ト ラセン核は含 まれない。
一般式 〔 1 〕
Figure imgf000006_0002
Z 〔 2〕
(式中、 R 1 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R 2 または R :i と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表す。 ） 〕
本発明の有機 E L素子用材料は 下記一般式 〔 3 ] で示される化 合物であってもよい。
一般式 〔 3 〕 γ4- χ X ■Υ
Ν-Β-Ν ί 3〕
γ X 、Χ Ύ
〔式中、 Βは置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 6 0 のァ リ 一レ ン基を表す。 X 1 〜 Χ 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6 〜 3 0のァ リ 一レ ン基を表す。 丫 ' 〜丫 4 は、 それ ぞれ独立に、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 dは 0〜 2 の整数を表す。 ただし、 B、 X 1 、 X 2 、 X 3 及び X 4 の中 の少な く と も 1 つはタ リ セ ン核を含有する。 〕
上記一般式 〔 3 〕 は、 下記一般式 〔 4 〕 ， 〔 5 〕 又は 〔 6 〕 であ る こ とが好ま しい。
一般式 〔 4 〕
〔 〕
Figure imgf000007_0001
〔式中、 X 1 〜X 4 、 Y ' 〜丫 4 及び a〜 dは、 それぞれ独立 上記一般式 〔 3 〕 と同一である。 〕
一般式 〔 5 〕 〔 5 ]
Figure imgf000008_0001
〔式中、 B、 X 1 〜 X 2 、 丫 1 〜 Y 2 及び a 〜 b は、 それぞれ独立 こ、 上記一般式 〔 3 〕 と同一である。 〕
一般式 〔 6 〕
〔 6〕
Figure imgf000008_0002
〔式中、 B、 X 1 〜 X 2 、 丫 ' 〜丫 2 及び a〜 b は、 それぞれ独立 に、 上記一般式 〔 3 〕 と同一である。 〕
本発明の有機 E L素子用材料は、 下記一般式 〔 7 〕 で示される化 合物であってもよい。
一般式 〔 7 〕
Y •X .X Y
N-D -N [ 7 ]
丫 3ナ X •X Y
〔式中、 Dはテ 卜 ラセ ン核も し く はペン 夕セ ン核を含有する 2価の 基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置換の 炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X 4 と X 3 は互いに連結していてもよい。 Y ' 〜丫 4 は、 それぞれ独立に、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 d は 0 〜 2 の整数 を表す。 〕
上記一般式 〔 7 〕 は、 下記一般式 〔 8 〕 である こ とが好ま しい。
Figure imgf000009_0001
一般式 〔 8 〕
〔式中、 X ' 〜Χ 4 、 Υ 1 〜Υ 4 及び a〜 d は、 それぞれ独立に、 上記一般式 〔 7 〕 と同一である。 R 5 '〜 R "は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基 、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ 基を表す。 隣接する R 5 '〜 R 6 Qは、 互いに連結して飽和も し く は不 飽和の炭素環を形成していても良い。 〕
本発明の有機 E L素子用材料は、 下記一般式 〔 9 〕 で示される化 合物であってもよい。
一般式 〔 9 〕
Y -X8 ,Χ ■Υ
d \
N— E— N 〔 9〕
Y X 'χ6+丫
〔式中、 Εはァ リ ール基置換も し く は未置換のア ン 卜 ラセ ン核から なる 2価の基を表す。 X 5 〜 X 8 は、 それぞれ独立に 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ 一レ ン基を表し X r' と X s 、 X 7 と X 8 は互いに連結していても良い。 Y ' 〜丫 は、 それぞ れ独立に、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す, a〜 d は 0 〜 2 の整数を表す。 ただし、 Eが未置換の
Figure imgf000010_0001
である時は、 X 5 〜 X 8 の少な く と も 2 つは置換も し く は未置換の
Figure imgf000010_0002
を含む。 〕
本発明の有機 E L素子用材料は 下記一般式 〔 1 0 〕 で示される 化合物であってもよい。
一般式 〔 1 0 〕
〔 1 0〕
Figure imgf000010_0003
〔式中、 A r 1 と A r 3 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換 のフ ヱニレ ン、 置換も し く は未置換の 1 , 3 ナフ タ レ ン、 置換も し く は未置換の 1 ， 8 ナフ タ レ ン、 置換も し く は未置換のフルオレ ン 又は置換も しく は未置換のビフ エ二ルからなる 2価の基を表し、 A Γ 2 は、 置換も し く は未置換のァ ン ト ラセ ン核、 置換も し く は未置 換の ピレ ン核、 置換も し く は未置換のフ エ ナ ン ト レ ン核、 置換も し く は未置換のク リ セ ン核、 置換も し く は未置換のペ ン タセ ン核、 置 換も し く は未置換のナフ タセ ン核又は置換も し く は未置換のフルォ レ ン核からなる 2価の基を表す。 X 5 〜 X 8 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6〜 2 ◦ のァ リ ーレ ン基を表し、 X 5 と X 6 、 X 7 と X 8 は互いに連結していても良い。 Y 1 〜丫 4 は、 それぞれ独立に、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 dは 0〜 2 の整数を表し、 a + b + c + d ≤ 2 である。 e :i O も し く は 1 、 f は 1 も し く は 2 を表す。 ただし、 A r 2 がア ン ト ラ セ ン核の場合は、 a = b = c = dで、 かつ A r ' と A r 3 が共に p —フユ二レ ン基の場合を除く 。 〕
本発明の有機 E L素子用材料は、 下 一般式 〔 〕 で示される 化合物であってもよい。
一般式 〔 1 1 〕
Y ■X .X Y
a
N- F -N U 门
Y X 'X Ύ
b
〔式中、 Fは置換も し く は未置換の炭素原子数 6〜 2 1 のァ リ ーレ ン基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置換 の炭素原子数 6〜 3 0のァ リ 一レ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X 3 と X は互いに連結していてもよい。 Y ' 〜丫 4 は、 それぞれ独立に 、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 dは 0〜 2 の整 数を表す。 ただし、 a + b + c + d 〉 0である。 〕 般前記一般式 〔 1 1 〕 の式中 Fが、 下記一般式 〔 1 2 〕 、 〔 1 3 〕 又は 〔 1 4 〕 で示される基である こ とが好ま しい。
一
一般式 〔 1 2 〕
3
,一—
[1 2〕
Figure imgf000012_0001
〔1 3〕
Figure imgf000012_0002
(式中、 R S'〜R 24' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6〜 2 0のァ リ ール基又はシァ ノ基を表し、 隣接する ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良 い。 ）
一般式 〔 1 4 〕
〔 1 4〕
Figure imgf000012_0003
(式中、 R 2 5' 〜 R 34' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置 換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表し、 隣接する ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良 い。 ）
上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される 有機 E L素子用材料は、 有機ェ レ ク ト □ルミ ネ ッ セ ンス素子用発光 材料と しても使用できる。
本発明の有機エレク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子 （以下、 有機 E L素 子） は、 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化 合物薄膜を形成してなる有機エレ ク 卜 口ルミ ネ ッ セ ンス素子におい て、 少な く と も一層が上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〜 [： 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される有機 E L素子用材料を含有する層である。
上記有機 E L素子は、 上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される有機 E L素子用材料を正孔注入材料、 正孔輸 送材料及び ド一ピング材料の中から選ばれる少なく と も一種類の材 料と して含有する層を、 該電極間に形成しているこ とが好ま しい。
上記有機 E L素子は、 上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される有機 E L素子用材料を発光層に 0 . 1 〜 2 0 重量％含有する こ と が好ま しい。
上記有機 E L素子は、 正孔注入材料、 正孔輸送材料及び ドーピン グ材料の中から選ばれる少な く と も一種類の材料に、 上記一般式 〔 1 〕 、 ' 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される有機 E L素子用 材料を、 それぞれ独立に 0 . 1 〜 2 0重量0 /0含有する こ とが好ま し い c
上記発光層は、 スチルベ ン誘導体及び上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される有機 E L素子用材料を含有す る層である こ とが好ま しい。
上記有機 E L素子は、 芳香族三級ァ 導体及び/又はフ 夕 口 シァニ ン誘導体を含有する層を、 発光層と陽極との間に形成してい て もよい。
前記一般式 〔 1 1 〕 で示される有機ェレ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素 子用材料のェネルギ ギャ ッ プが ホス ト材料のェネルギ一ギヤ 、 プよ り 0 . 0 7 e V以上小さ いこ とが好ま しい。
本発明の新規化合物は下記一般式 〔 1 1 ' 〕 で示される。
一般式 〔 1 〕
Figure imgf000014_0001
〔式中、 Fは下記一般式 〔 1 4 〕 で示される基を表す。 X X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 3 0 の ァ リ 一レ ン基を表し、 X と X 2 X 3 と X 4 は互いに連結してい てもよい。 Y ' 〜丫 4 は それぞれ独立に、 上記一般式 〔 2 〕 で示 される有機基を表す。 a d は 0 2 の整数を表す。 ただし、 a + b + c + d > 0 である。
—般式 〔 1 4 〕
Figure imgf000014_0002
(式中、 R 2 5' 〜 R 3 4' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 ！ 〜 2 0のアルキル基、 置換も しく は未置 換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァリ ール基、 シァ ノ基を表し、 隣接する' ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良 い。 ） 〕
本発明の有機ェレ ク ト ロル ミ ネッ セ ン ス素子用材料の製造方法は 、 ホス フ ィ ン化合物とパラ ジウム化合物からなる触媒及び塩基の存 在下で、 下記一般式 〔 1 5 〕
R ( N R ' H ) k 〔 1 5 〕
(式中、 k は 1 〜 3 の整数を表し、 kが 1 の と き R及び R ' は水素 原子、 アルキル基、 置換も し く は無置換のァ リ ール基を表し、 k が 2以上のと き Rはアルキ レ ン基又は置換も し く は無置換のァ リ ーレ ン基、 R ' は水素原子、 アルキル基、 置換も し く は無置換のァ リ ー ル基を表す。 ） で示される 1 級又は 2級ア ミ ン と 、 下記一般式 〔 1 6 3
A r ( X ) m 〔 1 6 〕
(式中、 A r は置換又は無置換のァ リ ール基を表し、 Xは F、 C 1 、 B r又は I を表し、 mは 1 〜 3 の整数を表す。 ただし、 R、 R ' 及び A r のう ち少な く と も一種類は置換も し く は無置換のスチ リ ル 基又は炭素原子数 1 5以上の芳香族基を含有し、 kが 2 のと き：ま N に置換する R ' は異なっていても良い。 ） で示されるァ リ ールハラ ィ ド と を反応させ、 ァ リ ールァ ミ ン化合物からなる有機エレ ク ト 口 ル ミ ネ 'ッ セ ンス素子用材料を製造する。
前記ァ リ ールァ ミ ン化合物は、 下記式 〔 1 7 〕 で示される化合物 である こ とが好ま しい。
一般式 〔 1 7 〕 Y X .X ■Υ
N-F -Ν 〔 1 7〕
Y X 'X
〔式中、 Fは置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 6 0 のァ リ 一レ ン基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置換 の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X と X は互いに連結していてもよい。 Y ' 〜丫 4 は、 それぞれ独立に 、 上記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 d は 0 〜 2 の整 数を表す。 ただし、 a + b 十 c + d > 0 である。 〕
前記ホス フ ィ ン化合物が、 ト リ アルキルホスフ ィ ン化合物、 ト リ ァ リ ールホス フ ィ ン化合物又はジホス フ ィ ン化合物である こ と が好 ま しい。 図面の簡単な説明
図 1 本発明の製造方法で合成した化合物 aの H N I チ ャー ト で ある。
図 2 本発明の製造方法で合成した化合物 bの H N チ ャー ト で ある。
図 3 本発明の製造方法で合成した化合物 e の H N M R チ ャー ト で ある。 発明を'実施するための最良の形態
本発明における一般式 〔 1 〕 で示される化合物の Aは、 置換も し く は未置換の炭素原子数 2 2 〜 6 0 のァ リ 一 レ ン基を表し、 具体例 と して ビフ エ 二ル、 ターフ ェ ニル、 ナフ タ レ ン、 ア ン ト ラセ ン、 フ ェ ナ ン ト レ ン、 ピレ ン、 フルオ レ ン 、 チォフ ェ ン、 コ ロ ネ ン、 フ ル オラ ンテンなどから形成されるか又はこれらを互いに複数連結し形 成される 2価の基などが挙げられる。 また一般式 〔 1 〕 で示される 化合物の X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置換の炭 素原子数 6 〜 3 0 のァ リ 一レ ン基を表し、 具体例と してフ ヱニ レ ン 、 ビフ エ ニル、 タ ーフ ェ ニル、 ナフ 夕 レ ン、 ア ン ト ラ セ ン、 フ エ ナ ン ト レ ン、 ピ レ ン、 フルオ レ ン、 チォフ ェ ン、 コ ロネ ン、 ク リ セ ン 骨格を含有する 1 価又は 2価の基が挙げられる。 また、 X 1 と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結していて もよい。
X 1 〜 X 4 に置換する基と しては、 それぞれ独立に、 炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 炭素原子数 1 〜 2 0 のアルコキ シ基、 炭素 原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を示すが、 置換基と してァ リ ールォキ シ基、 ァ リ ールチオ基、 ァ リ 一ルアルキル基及びァ リ ールケ ト ン基 等は除外する。 これらの除外する置換基を含有する化合物は、 蒸着 の際に熱分解し易く 、 発光素子の寿命も劣るからである。
一般式 〔 1 〕 において、 a 〜 d は 0 〜 2 の整数を表す。 ただし、 Aの炭素原子数 2 6以下の場合には a + b + c + d > 0 であ り、 A 中に 2 以上のア ン ト ラセ ン核は含まれない。
本発明における一般式 〔 2 〕 で示される有機基の R 1 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基も し く はシァ ノ基を表す。 R ' 〜 R 4 の具体例は、 置換も し く は未置換のアルキル基と しては、 メ チル基、 ェチル基、 プロ ピ ル基、 ブチル基、 s e c —ブチル基、 t e r t —ブチル基、 ペンチ ル基、 へキシル基、 へブチル基、 ォクチル基、 ステア リ ル基、 2 — フエ二ルイ ソブロ ピル基、 ト リ ク ロ ロメ チル基、 ト リ フルォロメ チ ル基、 ベ ン ジル基、 α — フ エ ノ キ シベ ン ジル基、 a , α — ジ メ チル ベ ン ジル基、 a , α — メ チルフ エニルベ ンジル基、 , α — ジ ト リ フノレオ ロ メ チノレべ ンジノレ基、 ト リ フ エ 二ルメ チノレ基、 ひ 一べン ジル ォキシベンジル基等がある。 置換も し く は未置換のァ リ ール基と し ては、 フ ヱニル基、 2 — メ チルフ ヱ ニル基、 3 — メ チルフ ヱ ニル基 、 4 一 メ チルフ エニル基、 4 一ェチルフ エニル基、 ビフ ヱ ニル基、 4 ー メ チル ビフ エニル基、 4 —ェチルビフ エ ニル基、 4 — シ ク ロへ キ シル ビフ エ ニル基、 夕一フ エ ニル基、 3 ， 5 — ジ ク ロ ロ フ ヱ ニル 基、 ナフチル基、 5 —メ チルナフチル基、 ア ン ト リ ノレ基、 ピレニル 基等が挙げられる。
本発明における一般式 〔 2 〕 で示される有機基の Ζは、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 Ζの具体例 は、 フ ヱ ニル基、 ビフ ヱニル基、 ターフ ェニル基、 ナフチル基、 ァ ン ト リ ル基、 フ エナ ン ト リ ル基、 フルォ レニル基、 ピレニル基、 チ オフ ヱ ン基等のァ リール基であ り、 上記ァ リ ール基は置換基を有し ていて も良い。 置換基の具体例は、 R 1 〜 R 4 で記述したアルキル 基およびァ リ ール基に加えて、 アルコキシ基、 ア ミ ノ基、 シァノ基 、 水酸基、 カ ルボン酸基、 エーテル基、 エステル基等がある。 一般 式 〔 2 〕 の nは 0 も しく は 1 を表す。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 1 〕 で示される化合物は、 中心にジア ミ ン構造を有し末端にスチ リ ルア ミ ン構造を有する こ と によ り 、 イオン化エネルギーが 5 . 6 e V以下とな り正孔が注入し やすぐ、 正孔移動度が 1 0 2 / V · s以上とな り 、 正孔注入材料 、 正孔輸送材料と して優れている。 また、 中心に有するボリ フ エ二 ル構造によ り電子親和力が 2 . 5 e V以上とな り、 電子が注入しゃ すい。 さ らに、 上記 A構造の炭素原子数が 2 2以上であるため、 容易に 非晶質の薄膜を形成でき、 ガラス転移温度が 1 0 0 t以上とな り耐 熱性に優れる。 A構造中に 2以上のア ン ト ラセ ン核を含むと、 化合 物 〔 1 〕 が熱分解して しま う可能性がある。
尚、 X 1 と X 2 、 X 3 と X 4 が単結合又は炭素環結合などで連結 した化合物は、 ガラス転移温度が向上し耐熱性が優れる。
本発明における一般式 〔 3 〕 〜 〔 6 〕 で示される化合物の Bは、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 6 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 具体例と して ビフ エ 二ル、 ターフ ェ ニル、 ナフ 夕 レ ン、 ア ン ト ラセ ン、 フ エ ナ ン ト レ ン、 ピレ ン、 フノレオ レ ン、 チォフ ェ ン、 コ ロ ネ ン 、 フルオラ ンテ ンなどから形成されるか又はこれ らを互いに複数連 結し形成される 2価の基などが挙げられる。 また、 X 1 〜 X 4 、 Y ' 〜丫 4 及び a〜 d は、 上記一般式 〔 1 〕 と同様である。 ただし、 B、 X 1 、 X 2 、 X 3 又は X 4 のいずれか 1 つはク リ セ ン核を含有 する。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 3 〕 〜 〔 6 〕 で示される化 合物は、 中心にジァ ミ ン構造を有し末端にスチ リ ルア ミ ン構造を有 する こ とによ り 、 イオン化エネルギーが 5 . 6 e V以下とな り正孔 が注入しやすく 、 正孔移動度が 1 0 — 4 m 2 / V · s以上とな り、 正孔 注入材料、 正孔輸送材料と して優れている。 また、 B、 X 1 、 X 2 、 X 3 又は X 4 のいずれか 1 つに含まれる ク リ セ ン核によ り 、 耐久 性、 耐熱性が向上する。 これによ り、 長時間の駆動が可能で、 さ ら に高温下で保存又は駆動できる有機 E L素子が得られる。
さ らに、 一般式 〔 3 〕 〜 〔 6 〕 の化合物を ド一ピング材料と して 使用する と、 有機 E L素子の寿命が伸び、 発光層の材料と して使用 する と、 発光効率が向上する。 本発明における一般式 〔 7 〕 で示される化合物の Dは、 置換も し く は未置換のテ ト ラセ ン核も し く はペ ン タセ ン核を含有する 2価の 基を表し、 具体例と して ビフ ヱ ニル、 ナフ 夕 レ ン、 ア ン ト ラ セ ン、 フ エナ ン ト レ ン、 フルオレン及びチォフ ェ ンの中から選ばれる少な く と も一種類とテ ト ラセ ン核も し く はペ ン タセ ン核を複数連結し形 成される 2 価の基などが挙げられる。 また、 X 1 〜 X 4 、 Y 1 〜丫 4 及び a〜 d は、 上記一般式 〔 1 〕 と同様である。 ただし、 X ' と X 2 、 X 4 と X 3 は互いに連結していて もよい。
本発明における一般式 〔 8 〕 で示される化合物の X 1 〜X 4 、 Y 1 〜丫 4 及び a〜 dは、 それぞれ独立に、 上記一般式 〔 1 〕 と同様 である。 R 5 '〜 R S Gは、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 1 〜 2 0 のアルコキシ基、 置換も し く は未置換の炭素原 子数 6 〜 2 ◦ のァ リ ール基、 シァ ノ基を表す。 隣接する R 5 I〜 R S。 は、 互いに連結して飽和も しく は不飽和で置換も し く は未置換の炭 素環を形成していて も よい。
一般式 〔 7 〕 又は 〔 8 〕 における上記置換に用いる基と しては、 それぞれ独立に、 炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 炭素原子数 1 〜 2 0 のアルコキシ基、 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を示すが 、 置換基と してァ リ ールォキシ基、 ァ リ ールチオ基、 ァ リ ールアル キル基及びァ リ ールケ ト ン基等は除外する。 これ らの置換基を含有 する化合物は、 蒸着の際に熱分解し易く 、 発光素子の寿命も劣るか らでおる。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 7 〕 で示される化合物は、 テ ト ラ セ ン も し く はペ ン 夕セ ン構造を有する こ と によ り 、 橙色〜赤 色領域に強い蛍光性を有する。 また、 ジァ ミ ン構造を有する こ と に よ り正孔が注入されやすく 、 発光層中にこ の化合物を含有する と、 正孔が捕捉されやすく 、 電子と正孔が再結合しやすい。 このため、 高効率の黄 < /色、 橙色又は赤色の発光素子が得られる。
特に、 一般式 〔 7 〕 で示される化合物は、 ドーピン グ材料と して 用いたと きに発光素子が長寿命であ り、 従来にない安定性が得られ る。
本発明における一般式 〔 9 〕 で示される化合物の Eは、 ァ リ ール 基置換も し く は未置換のァ ン ト ラセ ン核からなる 2価の基を表す。 X 5 〜 X 8 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ 一レ ン基を表し、 具体例と してフ エ二レ ン、 ビフ エ 二ノレ、 タ ーフ ェ二 レ、 ナ フ タ レ ン、 ア ン ト ラ セ ン、 フ エ ナ ン ト レ ン 、 フルォレ ン、 チオフヱ ン骨格を含有する 1 価又は 2価の基が挙げ られる。 また、 X 5 と X 6 、 X 7 と X 8 は互いに連結していても良 い。 Y ' 〜丫 4 及び a〜 dは、 上記一般式 〔 1 〕 と同様である。 ただし、 E が未置換の
Y - X 4 . X -Y
d ヽ
N - A - N C 1 ]
Y 3ナ X ■X Ύ である時は、 X X 8 の少な く と も 2 つは置換も し く は未置換の
Figure imgf000021_0001
〔 〕 を含む。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 9 〕 で示される化合物は、 ジア ミ ン構造を有するこ とによ り イオ ン化エネルギーが 5 . 6 e V 以下とな り正孔が注入しやすく 、 正孔移動度が 1 () — 4 m 2 / V · S以 上とな り 、 正孔注入材料、 正孔輸送材料と して優れている。 また、 中心に置換も し く は未置換のァ ン ト ラセ ン核を有する こ とによ り 、 電子が注入がしゃすい。
さ らに、 中心のア ン ト ラセ ン核 Εが未置換である場合には、 ガラ ス転移温度が 1 0 ◦ °C以下と低く なるので、 上記したよ う に少な く と も 2 つのァ リ ール基置換、 好ま し く は 2 〜 4 置換を行う こ と によ り ガラス転移温度が向上する。 また、 このよう な特定のビフ ヱニル 構造は、 一般式 〔 9 〕 で示される化合物の可溶度を上げ、 精製を容 易にする。 上記構造以外のバラ位にフ エニル基がある場合には精製 が困難で不純物が増加し、 得られる有機 E L素子の特性が悪化する 。 また、 このよ う なァ リ ール基置換によ り、 分子同士の会合対形成 が抑制され、 蛍光量子効率が向上し、 有機 E L素子の発光効率が向 上する。
本発明における一般式 〔 1 0 〕 で示される化合物の A r 1 と A r 3 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換のフヱニレ ン、 置換も し く は未置換の 1 ， 3 ナフ 夕 レ ン、 置換も し く は未置換の 1 ， 8 ナ フ タ レ ン、 置換も し く は未置換のフ ルオレン又は置換も し く は未置 換のビフヱニルからなる 2 価の基を表し、 A r 2 は、 置換も し く は 未置換のァ ン ト ラセ ン核、 置換も し く は未置換のピレン核、 置換も しく は未置換のフヱナ ン ト レ ン核、 置換も し く は未置換のク リ セ ン 核、 置換も し く は未置換のぺン タ セン核、 置換も し く は未置換のナ フ 夕セ'ン核又は置換も し く は未置換のフ ルォ レ ン核からなる 2価の 基を表す。 具体例と して、
〇A\
sp:wo/66af/l
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だし、 A r 2 がア ン ト ラセ ン核の場合は、 a = b = c = d で、 かつ A r 1 と A r 3 が共に ρ —フヱニレ ン基の場合を除く 。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 1 0 〕 で示される化合物は 、 ジァ ミ ン構造を有する こ とによ り イオ ン化エネ ルギーが 5 . 6 e V以下とな り正孔が注入しやすく 、 正孔移動度が 1 0 m 2 / V · s 以上とな り 、 正孔注入材料、 正孔輸送材料、 特に発光材料と して優 れている。 また、 中心に縮合環を含むボリ フヱニル構造によ り、 電 子が注入がしゃすい。
また、 ボリ フヱニル構造と ジア ミ ン構造を併せ持つこ とによ り、 非晶質の安定な薄膜が形成でき、 ガラ ス転移温度が 1 0 0で以上で あ り耐熱性に優れる。 さ らに、 一般式 〔 2 〕 の構造を 2 つ以上含む 場合には、 薄膜形成の際に蒸着によ り熱分解するため、 a + b + c + d ≤ 2 とする必要がある。 A r 2 がア ン ト ラセ ン核の場合は、 A r 1 と A r 3 を上記のよ うな特定構造とする こ とによ り、 化合物の 熱分解や蒸着時の酸化が避けられる。
本発明の有機 E L素子で使用する材料及び新規化合物における一 般式 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 で示される化合物の Fは、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 1 のァ リ ーレ ン基を表し、 具体例と し て ビフ エ ニル、 ターフ ェニル、 ナフ タ レ ン、 ア ン ト ラセ ン、 フ エ ナ ン ト レ ン、 ピレ ン、 フルオ レ ン、 チオフ ヱ ン、 フルオラ ンテ ンなど から形成されるか又は 2価の基などが挙げられる。
一般式 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' 〕 において、 a 〜 dは 0 〜 2 の整数 を表す'。 ただし、 a + b + c + d > 0 である。
このよ う に、 本発明における一般式 〔 1 1 〕 及び 〔 1 1 ' ；] で示 される化合物は、 中心にジア ミ ン構造を有し末端にスチ リ ルア ミ ン 構造を有する こ とによ り、 イオン化エネルギ一が 5 . 6 e V以下と な り 、 発光層中に添加される こ と によ り発光層への正孔注入性を向 上させる と共に、 正孔捕捉する こ とによで発光層での電子と正孔の バラ ン ス （量比） を改善し、 発光効率及び寿命が改善される。 単一 の有機 E し素子用材料と して上記化合物 〔 1 1 〕 又は 〔 1 1 ' 〕 を 単独で発光層と して用いた場合に比べ、 発光効率及び寿命が改善さ れる。
尚、 X ' と X 2 、 X 3 と X 4 が単結合又は炭素環結合などで連結 した化合物は、 ガラ ス転移温度が向上し耐熱性が優れる。
本発明における一般式 〔 1 2 〕 〜 〔 1 4 〕 で示される基における R 5 ' 〜 R 3 4 ' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の炭素原 子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基又はシァ ノ基を表し、 隣接する ものが互 いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していて も良い。 R 〜 R 3 4 ' の具体例は、 置換も し く は未置換のアルキル基と しては、 メ チル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 ブチル基、 s e c _ブチル基、 t e r t 一ブチル基、 ペ ンチル基、 へキシル基、 へブチル基、 ォク チル基、 ステア リ ル基、 2 — フ エニルイ ソプロ ピル基、 ト リ ク ロ 口 メ チル基、 ト リ フルォロ メ チル基、 ベ ン ジル基、 α —フ エ ノ キシベ ンジル基、 a , c ージ メ チルベ ン ジル基、 ひ ， α — メ チノレフ ェニル ベ ン ジル基、 ひ ， α — ジ 卜 リ フルォロ メ チルベ ンジル基、 ト リ フ エ ニルメ チル基、 ひ 一ベ ン ジルォキ シベ ンジル基等がある。 置換も し く は未置換のァ リ 一ル基と しては、 フ ヱニル基、 2 — メ チルフ エ二 ル基、 ' 3 — メ チルフ エニル基、 4 一 メ チルフ エニル基、 4 一ェチル フ エニル基、 ビフ エ 二ル基、 4 ー メ チル ビフ ヱ ニル基、 4 —ェチル ビフ エ 二ル基、 4 — シ ク ロへキ シル ビフ エ ニル基、 夕ーフ ヱニル基 、 3 , 5 —ジク ロ ロ フ ェ ニル基、 ナフチル基、 5 — メ チルナフチル 基、 ア ン ト リ ル基、 ピレニル基等が挙げられる。
以下に、 本発明の一般式 〔 1 〕 の化合物の代表例 （ 1 ) 〜 （ 2 8 ) 、 一般式 〔 3 ：] 〜 〔 6 〕 の化合物の代表例 （ 2 9 ) 〜 （ 5 6 ：: 、 一般式 〔 7 〕 の化合物の代表例 （ 5 7 ) 〜 （ 7 4 ) 、 一般式 〔 8 〕 の化合物の代表例 （ 7 5 ) 〜 （ 8 6 ) 、 一般式 〔 9 〕 の化合物の代 表例 （ 8 7 ) 〜 （ 1 0 4 ) 、 一般式 〔 1 0 〕 の化合物の代表例 ( 1 0 5 ) 〜 （ 1 2 6 ) 、 一般式 〔 1 1 〕 及び 〔 1 〕 の化合物の代 表例 （ 1 2 7 ) 〜 （ 1 4 1 ) を例示するが、 本発明はこの代表例に 限定される ものではない。
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§ε/_
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 
8 Z
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6£屬 6df/丄 d W6i700 O 6 Z
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(
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e.0/66df/lDd
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ρ ε
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6C.0/66dT/13d L Z6Zm OAV
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e/¾6 /一
o
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8 e
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06£薦 6df/丄 d .^6£/00 O OAVe/6_ 6Ρ0/66ΛΤ/1;一
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/一 -po -3d i
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O
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£Z.O/66df/I3d
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c5
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〇
0 5 ト
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( 8)
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£L0/66df/13d
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£iO/66df/lDd 6£/00 OM
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E 5
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( f' 0 I )
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(80 1 ) ( Z 0 I )
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z
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Co
) 7 2
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化合物 b
(1 30)
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(1 32)
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(1 33)
〇 - C
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一く〇
(
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化合物 f
本発明の一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 〜 〔 1 0 〕 で示される化合物は、 中心 A又は Bのポリ フヱニル構造とア ミ ン構造が連結している こ と によ り 、 固体状態で強い蛍光性を持ち、 電場発光性にも優れ、 蛍光 量子効率が 0 . 3以上である。 また、 一般式 〔 7 〕 及び 〔 8 〕 で示 される化合物は、 テ ト ラセン核も しく はペン 夕セン核含有構造とァ ミ ン構造が連結している こ とによ り、 黄色、 橙色又は赤色の蛍光領 域において、 固体状態又は分散状態で強い蛍光性を持ち、 電場発光 性にも優れている。
また、 本発明の一般式 〔 1 〕 、 〔 3 〕 ~ 〔 1 0 〕 で示される化合 物は、 金属電極も し く は有機薄膜層からの優れた正孔注入性および 正孔輸送性、 金属電極も し く は有機薄膜層からの優れた電子注入性 および電子輸送性を併せて持ち合わせているので、 発光材料と して 有効に使用する こ とができ、 更には、 正孔輸送性材料、 電子輸送性 材料も し く は ドーピング材料を使用しても さ しつかえない。 特に一 般式 〔 7 〕 及び 〔 8 〕 で示される化合物は、 ドーピン グ材料と して 用いる 'と、 電子と正孔の再結合中心となるため、 赤系統の高効率の 発光が得られる。
特に、 一般式 〔 8 〕 で示される化合物は、 特定の結合位にてァ リ —ルア ミ ン とテ ト ラセ ンが結合しているため高性能である。 本発明の有機 E L素子は、 陽極と陰極間に一層も し く は多層の有 機薄膜を形成した素子である。 一層型の場合、 陽極と陰極との間に 発光層を設けている。 発光層は、 発光材料を含有し、 それに加えて 陽極から注入した正孔、 も し く は陰極から注入した電子を発光材料 まで輸送させるために、 正孔注入材料も しく は電子注入材料を含有 しても良い。 しかしながら、 本発明の発光材料は、 極めて高い蛍光 量子効率、 高い正孔輸送能力および電子輸送能力を併せ持ち、 均一 な薄膜を形成する こ とができるので、 本発明の発光材料のみで発光 層を形成する こ と も可能である。 多層型の有機 E L素子は、 （陽極 /正孔注入層/発光層/陰極） 、 （陽極/発光層/電子注入層/陰 極） 、 （陽極/正孔注入層 Z発光層/電子注入層 Z陰極） の多層構 成で積層したものがある。 一般式 〔 1 〕 及び 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 、 〔 1 1 ' 〕 及び 〔 1 7 〕 の化合物は、 高い発光特性を持ち、 優れた正 孔注入性、 正孔輸送特性および電子注入性、 電子輸送特性を有して いるので、 発光材料と して発光層に使用する こ とができる。
発光層には、 必要に応じて、 本発明の一般式 〔 1 〕 及び 〔 3 〕 〜 〔 1 1 〕 、 〔 1 〕 及び 〔 1 7 〕 の化合物に加えてさ らなる公知 の発光材料、 ドーピング材料、 正孔注入材料や電子注入材料を使用 する こ と もできる。 有機 E L素子は、 多層構造にする こ とによ り、 クェンチ ングによる輝度や寿命の低下を防ぐこ とができる。 必要が あれば、 発光材料、 ドーピング材料、 正孔注入材料や電子注入材料 を組み合わせて使用する こ とができる。 また、 ドーピング材料によ り 、 発光輝度や発光効率の向上、 赤色や青色の発光を得る こ と もで きる。 また、 正孔注入層、 発光層、 電子注入層は、 それぞれニ層以 上の層構成によ り形成されても良い。 その際には、 正孔注入層の場 合、 電極から正孔を注入する層を正孔注入層、 正孔注入層から正孔 を受け取 り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。 同様 に、 電子注入層の場合、 電極から電子を注入する層を電子注入層、 電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子 輸送層と呼ぶ。 これ らの各層は、 材料のエネ ルギー準位、 耐熱性、 有機層も し く は金属電極との密着性等の各要因によ り選択されて使 用される。
一般式 〔 1 〕 及び 〔 3 〕 〜 〔 i 1 〕 、 〔 1 1 ' 〕 及び 〔 1 7 〕 の 化合物と共に発光層に使用できる発光材料または ド一ピング材料と しては、 ア ン ト ラセ ン、 ナフ 夕 レ ン、 フ エナ ン ト レ ン、 ピレ ン、 テ ト ラセ ン、 コ ロネ ン、 ク リ セ ン、 フノレオ レセイ ン、 ペ リ レ ン、 フ タ 口ペ リ レ ン、 ナフ 夕 口ペ リ レ ン、 ペ リ ノ ン、 フ タ 口ペ リ ノ ン、 ナフ 夕 口ペ リ ノ ン、 ジフ エニルブタ ジエン、 テ ト ラ フ ヱ ニルブタ ジエ ン 、 クマ リ ン、 ォキサジァ ゾール、 アルダジ ン、 ビスべ ンゾキサゾ リ ン、 ビススチ リ ル、 ピラ ジ ン、 シ ク ロペ ン 夕 ジェン、 キ ノ リ ン金属 錯体、 ァ ミ ノ キ ノ リ ン金属錯体、 ベ ンゾキ ノ リ ン金属錯体、 ィ ミ ン 、 ジフ エ ニルエチ レ ン、 ビニルア ン ト ラ セ ン、 ジァ ミ ノ カルノくゾ一 ル、 ピラ ン、 チォ ピラ ン、 ポ リ メ チ ン、 メ ロ シアニ ン、 イ ミ ダゾ一 ルキ レー ト化ォキ シ ノ イ ド化合物、 キナ タ リ ド ン、 ルフ" レ ン、 スチ ルベ ン系誘導体及び蛍光色素等が挙げられるが、 これらに限定され る ものではない。
特に、 化合物 〔 7 〕 及び 〔 8 〕 と共に発光層に使用できる発光材 料または ド一ピング材料と しては、 キ ノ リ ン金属錯体及びスチルベ ン系誘'導体である。
尚、 発光層における ドーピング材料の含有量は、 一般式 〔 1 1 〕 又は 〔 1 1 ' 〕 の化合物よ り 多いこ とが必須であ り、 好ま し く は 8 0〜 9 9 . 9重量0 /0である。 正孔注入材料と しては、 正孔を輸送する能力を持ち、 陽極からの 正孔注入効果、 発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果 を有し、 発光層で生成した励起子の電子注入層または電子注入材料 への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ま しい。 具体的には、 フ タ ロ シアニ ン誘導体、 ナフ タ ロ シアニ ン誘導体、 ポ ルフ ィ リ ン誘導体、 ォキサゾール、 ォキサジァゾール、 ト リ ァゾ一 ル、 イ ミ ダゾール、 イ ミ ダゾロ ン、 イ ミ ダゾ一ルチオ ン、 ビラ ゾ リ ン、 ピラ ゾロ ン、 テ ト ラ ヒ ド ロ イ ミ ダゾール、 才キサゾール、 ォキ サジァ ゾール、 ヒ ドラ ゾン、 ァ シル ヒ ドラ ゾン、 ポリ ア リ ールァル カ ン、 スチルベ ン、 ブタ ジエ ン、 ベ ンジジ ン型 ト リ フ エニルァ ミ ン 、 スチ リ ルァ ミ ン型 ト リ フ エニルァ ミ ン、 ジァ ミ ン型 ト リ フ エニル ァ ミ ン等と、 それらの誘導体、 およびポリ ビニルカルバゾ一ル、 ポ リ シラ ン、 導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、 これらに 限定される ものではない。
本発明の有機 E L素子において使用できる正孔注入材料の中で、 さ らに効果的な正孔注入材料は、 芳香族三級ァ ミ ン誘導体も し く は フ 夕 ロ シアニ ン誘導体である。
芳香族三級ア ミ ン誘導体の具体例は、 ト リ フ ヱニルァ ミ ン、 ト リ ト リ ノレア ミ ン、 ト リ ルジフ エ ニルァ ミ ン、 N， N ' —ジフ エ二ルー N , N * 一 （ 3 — メ チルフ エニル） 一 1 , 1 ' ー ビフ エニル一 4 , 4 ' ー ジァ ミ ン、 N , N , N ' , N ' 一 （ 4 —メ チルフ エニル） 一
1 , 1 ' — フ ヱ二 ルー 4 , 4 ージァ ミ ン、 N， N , N ' , N ' 一
( 一メ チルフ ユ ニル） 一 1 1 ' ー ビフ エ 二ルー 4 , 4 ' ― ジァ ミ ン、 N , N ' - ジフ エニル N , N ' ージナフチルー 1 , 1 ' 一 ビフ ヱ 二ルー 4 , 4 ' ージァ ン、 N， N ' — （ メ チルフ ヱ ニル）
N， N ' 一 ( 4 n ブチルフ ル） フ エナ ン ト レ ン一 9 , 1 0 — ジァ ミ ン、 N , N— ビス （ 4 —ジ一 4 — ト リ ルア ミ ノ フ ニ ニ ル） 一 4 一 フ エ 二ル一 シ ク ロへキサ ン等、 も し く はこれ らの芳香族 三級ア ミ ン骨格を有したオ リ ゴマーも し く はボリ マーであるが、 こ れらに限定される ものではない。
フ 夕 ロ シアニ ン （ P c ) 誘導体の具体例は、 H 2 P c 、 C u P c 、 C o P c、 N i P c、 Z n P c 、 P d P c 、 F e P c 、 M n P c 、 C 1 A 1 P c . C 1 G a P c . C I I n P c、 C l S n P c、 C l 2 S i P c、 （ H O ) A l P c、 （ H O ) G a P c 、 V O P c 、 T i O P c： 、 M o O P c 、 G a P c — 0— G a P c等のフ タロシア 二ン誘導体およびナフ タロシア二ン誘導体でがあるが、 これらに限 定される ものではない。
電子注入材料と しては、 電子を輸送する能力を持ち、 陰極からの 電子注入効果、 発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果 を有し、 発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ま しい。 具体的には、 フルォ レ ノ ン、 ア ン ト ラキ ノ ジメ タ ン、 ジフ エ ノ キ ノ ン、 チォ ピラ ンジオ キシ ド、 ォキサゾール、 ォキサジァゾール、 ト リ ァゾール、 イ ミ ダ ゾール、 ペ リ レ ンテ ト ラカ ルボン酸、 フ レオ レニ リ デン メ タ ン、 ァ ン ト ラキ ノ ジメ タ ン、 ア ン ト ロ ン等とそれらの誘導体が挙げられる が、 これらに限定される ものではない。 また、 正孔注入材料に電子 受容物質を、 電子注入材料に電子供与性物質を添加する こ と によ り 電子注入性を向上させる こ と もできる。
本発 '明の有機 E L素子において、 さ らに効果的な電子注入材料は 、 金属錯体化合物も し く は含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物の具体例は、 8 — ヒ ドロキシキ ノ リ ナー ト リ チウ ム、 ビス （ 8 — ヒ ドロキ シキ ノ リ ナ一 卜） 亜鉛、 ビス （ 8 — ヒ ドロ
G 5 キ シキ ノ リ ナ一 卜 ） 銅、 ビス （ 8 — ヒ ド ロキ シキ ノ リ ナー ト ） マ ン ガン、 ト リ ス （ 8 — ヒ ド ロキ シキ ノ リ ナ一 卜 ） アルミ ニウム、 ト リ ス （ 2 — メ チル一 8 — ヒ ド ロキ シキ ノ リ ナー ト ） アル ミ ニウム、 ト リ ス （ 8 — ヒ ド ロキ シキ ノ リ ナー ト ） ガ リ ウ ム、 ビス （ 1 0 — ヒ ド ロキ シベ ンゾ [ h ] キ ノ リ ナー ト ） ベ リ リ ウ ム、 ビス （ 1 0 — ヒ ド ロキ シベ ン ゾ [ h ] キ ノ リ ナ一 卜 ） 亜鉛、 ビス （ 2 — メ チルー 8 — キ ノ リ ナー ト ） ク ロ 口 ガ リ ウ ム、 ビス （ 2 — メ チルー 8 —キ ノ リ ナ ー ト ） （ ϋ — ク レ ゾラ一 ト ） ガ リ ウ ム、 ビス （ 2 — メ チルー 8 —キ ノ リ ナー ト ） （ 1 一ナフ ト ラー ト ） アル ミ ニウ ム、 ビス （ 2 — メ チ ルー 8 —キ ノ リ ナー ト ） （ 2 —ナフ ト ラー ト ） ガ リ ウム等が挙げら れる が、 これ らに限定さ れる ものではない。
また、 含窒素五員誘導体は、 ォキサゾール、 チアゾール、 ォキサ ジァゾール、 チア ジア ゾールも し く は ト リ ァ ゾ一ル誘導体が好ま し い。 具体的には、 2 , 5 — ビス （ 1 一 フ エニル） 一 1 , 3 , 4 —才 キサゾ一ル、 ジメ チル Ρ 0 Ρ 〇 Ρ、 2 , 5 — ビス （ 1 — フ エニル） — 1 ， 3 ， 4 一チア ゾール、 2 ， 5 — ビス （ 1 一 フ エニル） 一 1 , 3 ， 4 —ォキサジァ ゾール、 2 — ( 4 ' — t e r t —ブチルフ エ二 ル） 一 5 —（ 4 " 一 ビフ ヱニル） 1 , 3 , 4 —才キサジァ ゾ一ル、 2 , 5 — ビス （ 1 —ナフチル） 一 1 , 3 , 4 —才キサジァブール、 1 , 4 — ビス [ 2 — ( 5 — フ エニルォキサジァ ゾ リ ル） ] ベ ンゼン 、 1 ， 4 — ビス [ 2 — ( 5 — フ エニルォキサジァ ゾ リ ル） 一 4 一 t e r t —ブチルベ ンゼ ン ] 、 2 — （ 4 ' 一 t e r t —ブチルフ エ二 ル） 一 ¾ 一 （ 4 " — ビフ エニル） 一 1 , 3 , 4 —チアジア ゾール、 2 , 5 — ビス （ 1 一ナフチル） 一 1 , 3 , 4 —チアジアゾール、 1 ， 4 一 ビス [ 2 — （ 5 — フ エ 二ルチアジァ ゾ リ ル） ] ベ ンゼン、 2 一 ( ' 一 t e r t —ブチルフ エニル） 一 5 —（ 4 " ー ビフ エニル ) — 1 ， 3 , 4 — ト リ ァゾ一ル、 2 , 5 — ビス （ 1 一ナフチル） 一 1 , 3 , 4 — ト リ ァゾール、 1 , 4 一 ビス [ 2 — （ 5 —フ ヱニル ト リ ァゾリ ル） ] ベ ンゼン等が挙げられるが、 これらに限定される も のではない。
本発明の有機 E L素子においては、 発光層中に、 一般式 〔 1 〕 及 び 〔 3 ：] 〜 〔 8 〕 の化合物の他に、 発光材料、 ドーピング材料、 正 孔注入材料および電子注入材料の少な く と も ！ 種が同一層に含有さ れてもよい。 また、 本発明によ り得られた有機 E L素子の、 温度、 湿度、 雰囲気等に対する安定性の向上のために、 素子の表面に保護 層を設けたり、 シ リ コ ンオイ ル、 樹脂等によ り素子全体を保護する こ と も可能である。
有機 E L素子の陽極に使用される導電性材料と しては、 4 e Vよ り大きな仕事関数を持つものが適しており、 炭素、 アルミ ニウ ム、 バナジ ウ ム、 鉄、 コバル ト 、 ニッ ケル、 タ ン グステ ン、 銀、 金、 白 金、 パラジウム等およびそれらの合金、 I T 0基板、 N E S A基板 に使用される酸化スズ、 酸化イ ンジウム等の酸化金属、 さ らにはボ リ チオフ ユ ンやボリ ピロ一ル等の有機導電性樹脂が用いられる。 陰 極に使用される導電性物質と しては、 4 e Vよ り小さな仕事関数を 持つものが適しており、 マグネシウム、 カルシウム、 錫、 鉛、 チタ 二ゥ ム、 イ ッ ト リ ウ ム、 リ チ ウム、 ルテニウ ム、 マ ンガン、 アル ミ ニゥ厶等およびそれ らの合金が用いられるが、 これ らに限定される ものではない。 合金と しては、 マグネ シウム /銀、 マグネシウム/ ィ ンジ ゥ ム、 リ チウ ム /アルミ ニウム等が代表例と して挙げられる が、 これ らに限定される ものではない。 合金の比率は.、 蒸着源の温 度、 雰囲気、 真空度等によ り制御され、 適切な比率に選択される。 陽極および陰極は、 必要があれば二層以上の層構成によ り形成され ていて も良い。
有機 E L素子では、 効率良く 発光させるために、 少な く と も一方 の面は素子の発光波長領域において充分透明にする こ とが望ま しい 。 また、 基板も透明である こ とが望ま しい。 透明電極は、 上記の導 電性材料を使用して、 蒸着やスパッ タ リ ング等の方法で所定の透光 性が確保するよ う に設定する。 発光面の電極は、 光透過率を 1 0 % 以上にする こ とが望ま しい。 基板は、 機械的、 熱的強度を有し、 透 明性を有する ものであれば限定される ものではないが、 ガラス基板 および透明性樹脂フ イ ルムがある。 透明性樹脂フ イ ルム と しては、 ポ リ エチ レ ン、 エチ レ ン一酢酸ビニル共重合体、 エチ レ ン一 ビニル アルコール共重合体、 ポ リ プロ ピレ ン、 ポ リ スチ レ ン、 ポ リ メ チル メ タ ア タ リ レ一 ト 、 ポ リ塩化ビニル、 ボ リ ビュルアルコール、 ボ リ ビニルブチラ一ル、 ナイ ロ ン、 ポ リ エーテルエーテルケ ト ン、 ポ リ サルホ ン、 ポ リ エーテルサルフ ォ ン、 テ ト ラ フルォロエチ レ ン一ノ、' 一フ ルォロアルキルビニルエーテル共重合体、 ポ リ ビニルフ ルオラ イ ド、 テ ト ラ フル才ロエチ レ ン一エチ レ ン共重合体、 テ ト ラ フルォ 口エチ レ ン一へキサフルォロプロ ピ レ ン共重合体、 ポリ ク ロ口 ト リ フルォロエチ レ ン、 ボ リ ビニ リ デンフルオラ イ ド、 ボ リ エステル、 ポ リ カ ーボネー ト、 ポ リ ウ レ タ ン、 ボ リ イ ミ ド、 ポ リ エーテルイ ミ ド、 ポリ イ ミ ド、 ポリ プロ ピレ ン等が挙げられる。
本発明に係わる有機 E L素子の各層の形成は、 真空蒸着、 スパッ 夕 リ ング、 プラズマ、 イオ ンプレーティ ング等の乾式成膜法やス ピ ンコ一 イ ング、 ティ ッ ピング、 フローコーティ ング等の湿式成膜 法のいずれの方法を適用する こ と ができ る。 膜厚は特に限定される ものではないが、 適切な膜厚に設定する必要がある。 膜厚が厚すぎ る と、 一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要にな り効率 が悪く なる。 膜厚が薄すぎる と ピンホール等が発生して、 電界を印 加しても充分な発光輝度が得られない。 通常の膜厚は 5 n mから 1 0 〃 mの範囲が適しているが、 1 0 n mから ◦ . 2 w mの範囲がさ らに好ま しい。
湿式成膜法の場合、 各層を形成する材料を、 エタ ノール、 ク ロ口 ホルム、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン、 ジォキサ ン等の適切な溶媒に溶解ま たは分散させて薄膜を形成するが、 その溶媒はいずれであっても良 い。 また、 いずれの有機薄膜層においても、 成膜性向上、 膜のピン ホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用して も良い。 使用の 可能な樹脂と しては、 ポリ スチ レン、 ボリ カーボネー ト、 ポリ ァ リ レー ト 、 ポ リ エステル、 ポ リ ア ミ ド、 ボ リ ウ レ タ ン、 ポ リ スルフ ォ ン、 ポ リ メ チルメ タ タ リ レー ト 、 ボ リ メ チルア タ リ レー ト 、 セル口 ―ス等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、 ポリ — N — ビニルカ ルバゾ一ル、 ポリ シラ ン等の光導電性樹脂、 ポリチォフ ェ ン、 ポリ ピロール等の導電性樹脂を挙げられる。 また、 添加剤と しては、 酸 化防止剤、 紫外線吸収剤、 可塑剤等を挙げられる。
以上のよ う に、 有機 E L素子の発光層に本発明の化合物を用いる こ と によ り 、 低い印加電圧で実用上充分な発光輝度が得られるため
、 発光効率が高く 、 劣化しずらいため寿命も長く 、 さ らには耐熱性 にも優れた有機 E L素子を得る こ と ができ る。
本発明の有機 E L素子は、 壁掛けテ レ ビのフラ ッ トパネルデノ ス プレイ等の平面発光体、 複写機、 プリ ンター、 液晶ディ スプレイの バッ ク ィ 卜又は計器類等の光源、 表示板、 標識灯等に利用でき る 本発明の材料は、 有機 E L素子だけでな く 、 電子写真感光体、 光 電変換素子、 太陽電池、 イ メ ージセ ンサー等の分野において も使用 でき る。
本発明の有機素子用材料の製造方法で使用する一般式 〔 1 5 〕 で 示さ れる 1 級ァ ミ ン と しては、 メ チルァ ミ ン、 ェチルァ ミ ン、 n — プロ ピルァ ミ ン、 イ ソプロ ピルァ ミ ン、 η —ブチルァ ミ ン、 ィ ソブ チノレア ミ ン、 s e c —ブチノレア ミ ン、 t e r t —ブチノレア ミ ン、 n —ア ミ ルァ ミ ン、 イ ソア ミ ルァ ミ ン、 t e r t —ア ミ ルァ ミ ン、 シ ク ロへキ シルァ ミ ン、 η —へキ シルァ ミ ン、 ヘプチノレア ミ ン、 2 — ァ ミ ノ ヘプタ ン、 3 —ァ ミ ノ ヘプタ ン、 ォ ク チルァ ミ ン、 ノニルァ ミ ン、 デシルァ ミ ン、 ゥ ンデシルァ ミ ン、 ドデシルァ ミ ン、 ト リ デ シノレア ミ ン、 1 一テ 卜 ラ デシノレア ミ ン、 ペ ン 夕 デシノレア ミ ン、 1 一 へキサデシルア ミ ン、 ォ ク 夕デシルア ミ ン等の 1 級アルキルア ミ ン 類 ： エチ レ ンジァ ミ ン、 1 , 2 —ジア ミ ノブ ン、 1 , 3 — ジァ ミ ノプロ 。 ン、 1 ， 4 — ジァ ミ ノブタ ン等の 級アルキルジァ ミ ン 類 ： ァニ リ ン、 0 — フルォロア二 リ ン、 m— フルォロア二 リ ン、 p 一 フルォロア二 リ ン、 0 — ト ノレイ ジ ン、 m— ト ノレイ ジ ン、 p — ト ル イ ジ ン、 0 _ァニシシ ン、 m—ァニシジ ン、 p —ァニシジ ン、 1 一 ナフチルァ ミ ン、 2 —ナフチルァ ミ ン、 1 ーァ ミ ノ ア ン ト ラセ ン、 2 —ァ ミ ノ ア ン ト ラ セ ン、 2 —ア ミ ノ ビフ エ ニル、 4 一ア ミ ノ ビフ ヱニル、 9 —ア ミ ノ フ ヱ ナ ン ト レ ン、 2 — ト リ フルォロ メ チノレ ト ル ィ ジ ン、 3 — ト リ フルォロ メ チル ト ルイ ジ ン、 4 一 ト リ フルォロ メ チル ト ルイ ジ ン等のァ リ ールア ミ ン類 ： 0 — フ エ二 レ ンジア ミ ン、 m— フ ヱ ニ レ ンジァ ミ ン、 p — フ エ二 レ ンジァ ミ ン、 フルオ レ ン ジ ァ ミ ン、 1 , 8 —ナ フ 夕 レ ン ジァ ミ ン等のァ リ ールジァ ミ ン類 ；
Figure imgf000073_0001
等が挙げられる。
一般式 〔 1 5 〕 で示される 2級ァ ミ ンと しては
Figure imgf000073_0002
等が挙げられる。
一般式 〔 1 6 〕 で示されるァ リ 一ルハライ ド と しては特に限定す る ものではないが、 A r と しては、 通常炭素数 1 〜 1 8 のアルキル 基又は炭素数 6 〜 2 2 の置換も し く は無置換のァ リ ール基が用いら れ、 芳香族環に置換基を有していてもよい。 また本発明においてァ リ ール基とは、 縮合環式炭化水素を含有する ものである。
ァ リ ールノヽライ ドの具体例と しては、 ブロモベ ンゼン、 0 —ブロ モアニソール、 m—ブロモアニソ一ル、 p —ブロモアニソ一ル、 0 一ブロモ ト ルエ ン、 m—ブロモ ト ルエ ン、 p —ブロモ ト ルエ ン、 0 一ブロ モ フ エ ノール、 m —ブロモフ エ ノ ール、 p —ブロモフ エ ノ ー ル、 2 —ブロモベ ン ゾ ト リ フ ロ リ ド、 3 —ブロモベ ンゾ ト リ 口オ リ ド、 4 —ブロモベ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 1 _ブロモ _ 2 , 4 —ジメ ト キ シベ ンゼン、 1 一ブロモ一 2 ， 5 — ジメ ト キシベ ンゼン、 2 —ブ ロモフ エ ネチルアルコール、 3 —ブロモフ エ ネチルアルコール、 4 —ブロモフ エ ネチルアルコール、 5 —ブロモ一 1 ， 1 、 4 — ト リ メ チルベ ンゼン、 2 —ブロモ _ m—キ シ レ ン、 2 —ブロモ一 p —キ シ レ ン、 3 —ブロモ一 0 —キ シ レ ン、 4 —ブロモ _ 0 —キ シ レ ン、 4 ーフ"口モー m —キ シ レ ン、 5 —フ"口モー m—キ シ レ ン、 1 —ブロモ 一 3 — （ ト リ フルォロ メ ト キシ） ベ ンゼン、 1 ーブロモー 4 一 （ ト リ フ ルォロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 2 —ブロモ ビフ エニル、 3 —ブロ モ ビフ エニル、 4 一ブロモ ビフ ヱニル、 4 一ブロモ一 1 ， 2 — （ メ チ レ ンジォキ シ） ベ ンゼン、 1 —ブロモナフ 夕 レ ン、 2 —ブロモナ フ タ レ ン、 1 一ブロモ 一 2 — メ チルナフ 夕 レ ン、 1 —ブロモ一 4 一 メ チルナフ タ レ ン等のァ リ ールブロ ミ ド類 ： ク ロ 口ベ ンゼン、 0 — ク ロ ロアニソール、 m— ク ロ ロアニソール、 p — ク ロ ロア二ソール 、 o — ク ロ 口 ト ルエ ン、 m — ク ロ ロ ト ノレェ ン、 p — ク ロ 口 ト ルエ ン 、 o — ク ロ 口 フ エ ノ ール、 m — ク ロ 口 フ エ ノ ール、 p — ク ロ 口 フ エ ノ ール、 2 — ク ロ 口べ ン ゾ ト リ フ ロ リ ド、 3 — ク ロ 口べ ンゾ ト リ フ 口 リ ド、 4 一 ク ロ 口ベ ン ゾ 卜 リ フ ロ リ ド、 1 一 ク ロ ロ ー 2 ， 4 ー ジ メ ト キ シベ ンゼン、 1 — ク ロ 口 一 2 ， 5 — ジメ ト キ シベ ンゼ ン、 2 — ク ロ ロ フ エ ネチルァノレコール、 3 — ク ロ ロ フ エ ネ チノレアルコール 、 4 一 ク ロ 口 フ エ ネチルアルコール、 5 — ク ロ 口 一 1 , 2 ， 4 — ト リ メ チノレベ ンゼン、 2 — ク ロ ロ ー m—キ シ レ ン、 2 — ク ロ ロ ー p — キ シ レ ン、 3 — ク ロ 口 一 0 —キ シ レ ン、 4 — ク ロ ロ ー 0 —キ シ レ ン 、 4 — ク ロ ロ ー m—キ シ レ ン、 5 — ク ロ 口 一 ] ーキ シ レ ン、 1 ー ク ロ ロ 一 3 — （ ト リ フルォ ロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 1 一 ク ロ ロ ー 4 —
( ト リ フ ルォロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 2 — ク ロ 口 ビフ ヱ ニル、 3 — ク ロ ロ ビフ エ二ノレ、 4 一 ク ロ ロ ビフ エ ニル、 1 — ク ロ 口ナフ 夕 レ ン 、 2 — ク ロ 口ナフ 夕 レ ン、 1 一 ク ロ ロ ー 2 — メ チルナフ 夕 レ ン、 1 一 ク ロ 口 一 4 ー メ チルナフ タ レ ン等のァ リ ールク ロ リ ド類 ； ョ一 ド ベ ンゼン、 o — ョー ドアニソール、 m— ョ一 ドアニソール、 p — ョ — ドアニソ一ル、 0 — ョー ド ト ルエ ン、 m — ョー ド ト ルエ ン、 p — ョ一 ド ト ルエ ン、 0 — ョー ド フ エ ノ ール、 m — ョー ド フ ヱ ノ ール、 p — ョー ド フ エ ノール、 2 — ョー ドベ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 3 — ョー ドベ ン ゾ ト リ フ ロ リ ド、 4 — ョー ドベ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 1 ーョ一 ド一 2 ， 4 — ジ メ ト キシベ ンゼン、 1 — ョー ド一 2 , 5 —ジ メ ト キ シベ ンゼン、 2 — ョ一 ド フ エ ネチルアルコール、 3 — ョー ド フ エ ネ チルアルコール、 4 一 ョ一 ド フ エ ネチルアルコール、 5 — ョ一 ド ー
1 , 2 , 4 — ト リ メ チルベ ンゼン、 2 —ョー ドー m —キ シ レ ン、 1 —ョ一 ド 一 p —キ シ レ ン、 3 — ョ一 ド 一 0 —キ シ レ ン、 4 — ョー ド — 0 —キ シ レ ン、 4 ー ョー ト ー m —十 シ レ ン、 5 — ョー ドー m —チ シ レ ン、 1 ー ョ一 ドー 3 — （ ト リ フルォロ メ ト キ シ） ベ ンゼ ン、 1 ー ョー ド ー 4 一 （ ト リ フルォロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 2 — ョ一 ド ビ フ エニル、 3 — ョー ド ビフ エ二ル、 4 ー ョー ド ビフ エニル、 1 ー ョ — ドナフ タ レ ン、 2 — ョ ー ドナフ タ レ ン、 1 — ョー ド一 2 — メ チル ナフ 夕 レ ン、 1 ー ョー ドー 4 一 メ チルナフ 夕 レ ン等のァ リ ールアイ 才ダィ ド類 ： フルォロベ ンゼン、 0 — フル才ロアニソール、 m— フ ルォロ アニ ソール、 p — フルォロアニソ一ル、 0 — フルォロ ト ルェ ン、 m — フル才ロ ト ルエ ン、 p 一 フルォロ ト ルエ ン、 0 —フ ルォロ フ エ ノ ール、 m— フルオロ フ ェ ノ ール、 p — フルオロ フ ェ ノ ール、 2 — フルォロベ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 3 — フ ルォロベ ンゾト リ フ ロ リ ド、 4 — フ ル才ロベ ンゾト リ フ 口 リ ド、 1 一 フルオロ ー 2 , 4 — ジ メ ト キ シベ ンゼン、 1 — フルォ口 一 2 , 5 — ジメ 卜 キ シベ ンゼン、 2 — フノレオロ フ エ ネチノレアノレコール、 3 — フルオロ フ エ ネチノレアル コール、 4 一 フルオロ フ エ ネチルアルコ一ル、 5 —フルオロ ー 1 , 2 ， 4 一 ト リ メ チルベ ンゼン、 2 — フノレオロ ー m—キシ レ ン、 1 一 フルオロ ー p —キ シ レ ン、 3 —フノレオロ ー 0 —キシ レ ン、 4 — フル オロ ー 0 —キ シ レ ン、 4 一 フルオロ ー m—キ シ レ ン、 5 — フ ルォロ — m —キ シ レ ン、 1 — フクレオ口— 3 — ( ト リ フル才ロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 1 ー フノレオロ ー 4 一 （ ト リ フノレオロ メ ト キ シ） ベ ンゼン、 2 — フ ルォロ ビフ ヱニル、 3 —フクレオロ ビフ エ二ノレ、 4 — フノレオ口 ビフ エ二ル、 4 — フノレオ口 一 1 , 2 — （メ チ レ ン ジォキ シ） ベ ンゼ ン、 1 一 フルォロナフ 夕 レ ン、 2 — フノレオ口ナフ 夕 レ ン、 1 一 フル オロ ー 2 — メ チルナフ タ レ ン、 1 一 フルオロ ー 4 一 メ チルナフ タ レ ン等の リ 一ルフ ロ リ ド類等 ：
Figure imgf000077_0001
Figure imgf000077_0002
Figure imgf000077_0003
が挙げられる。
また、 本発明の目的を逸脱しない限り において、 1 , 2 —ジブ口 モベ ンゼン、 1 , 3 —ジブロモベ ンゼン、 1 ， 4 一ジブロモべ ンゼ ン、 9 , 1 0 —ジブロモア ン ト ラ セ ン、 9 , 1 0 — ジ ク ロ ロア ン ト ラセ ン、 4 , 4 ' 一 ジブロモ ビフ エ ニル、 4 ， 4 ' ー ジ ク ロ ロ ジフ ェニル、 4 , 4 ' ージョー ド ビフ エ ニル、 1 ーブロモー 2 — フルォ 口ベ ンゼン、 1 —ブロモー 3 —フ ルォロベ ンゼン、 1 一ブロモ一 4 —フルォロベ ンゼン、 2 —ブロモ ク ロ ロベンゼン、 3 —ブロモ ク 口 口ベ ンゼ ン、 4 —フ"口モ ク ロ ロベ ンゼン、 2 —ブロモー 5 — ク ロ 口 ト ルエ ン、 3 —ブロモー 4 一 ク ロ 口べ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 5 —ブロ モ一 2 — ク ロ 口べ ンゾ ト リ フ ロ リ ド、 1 —プロモ ー 2 , 3 — ジ ク ロ 口ベ ンゼン、 1 ーブロモ ー 2 ， 6 — ジ ク ロ 口ベ ンゼン、 1 一ブロモ — 3 ， 5 — ジ ク ロ 口ベ ンゼン、 2 —ブロモー 4 一 フルォロ ト ルエ ン 、 2 —ブロ モ一 5 — フ ルォ口 ト ルエ ン、 3 —ブロモー 4 — フ ルォロ ト ルエ ン、 4 —ブロモ 一 2 — フル才ロ ト ルエ ン、 4 —ブロモ一 3 — フルォロ ト ルエ ン、 ト リ ス （ 4 ーブロモ フ ヱ ニル） ァ ミ ン、 1 ， 3 , 5 — ト リ ブロモベ ンゼ ン、
Figure imgf000078_0001
等のハロゲン原子を 2 つ以上、 好ま し く は 2 〜 3個有するァ リ ール ハライ ド も使用する こ とができる。
本発明の有機素子用材料の製造方法においてァ リ ールハライ ドの 添加方法は、 特に限定する ものではな く 、 例えば、 反応開始前に 1 級ア ミ ン と同時に 2種類の異なるァ リ ールハラィ ドを添加しこれら を反応'させてもよいし、 まず 1 級ァ ミ ン と一方のァ リ ールハライ ド を反応させた後、 生成した 2級ァ ミ ンに他方のァ リ ールハライ ドを 添加しこれ らを反応させてもよい。 3級ァ リ ールア ミ ンをよ り高選 択的に製造できる こ とから、 後者の逐次的に異なるァ リ ールハラ ィ ドを添加する方法が好ま しい。
ァ リ 一ルハライ ドの添加量は特に制限される ものではないが、 1 級ア ミ ン と同時に 2種類の異なるァ リ ールハライ ドを添加する場合 には、 1 級ァ ミ ン 1 モルに対して、 それぞれ 0 . 5 モル倍〜 1 0 モ ル倍の範囲が適当であ り 、 経済性及び未反応のァ リ ールハライ ドの 分離等、 後処理を簡便とするため、 好ま し く は 1 級ァ ミ ン 1 モルに 対してそれぞれ 0. 7 モル倍〜 5 モル倍である。 また逐次的に異な るァ リ ールハライ ドを添加する場合は、 最初に添加するァ リ ールハ ライ ドは、 1 級ァ ミ ンのア ミ ノ基 1 つに対して、 0 . 5〜 1 . 5倍 モルの範囲で反応系に添加すればよいが、 目的とする 3級ァ リ ール ァ ミ ンの選択率を向上させる という観点から、 よ り好ま し く は、 該 1 級ァ ミ ンのア ミ ノ基 1 つに対して 0 . 9モル〜 1 . 1 倍モルの範 囲で反応系に添加すればよい。
また、 2級ァ ミ ン製造後に添加されるァ リ ールハライ ドは、 原料 と した 1 級ァ ミ ンのア ミ ノ基 1 つに対して 0 . 1 〜 1 0モル倍添加 すればよいが、 反応終了後の未反応のァ リ ールハライ ド及び未反応 の 2級ア ミ ンの分離操作が煩雑となる こ とから好ま し く は、 1 級ァ ミ ンのア ミ ノ基 1 つに対して 0 . 9〜 5倍モル添加すればよい。 本発明で触媒成分と して使用するパラジウム化合物と しては、 パ ラジウム化合物であれば特に制限する ものではな く 、 例えば、 へキ サ ク ロ ロノ ラ ジウム （ IV) 酸ナ ト リ ゥ ム四水和物、 へキサ ク ロ ロパ ラジウム （ IV) 酸力 リ ウム等の 4価のバラジゥム化合物類 ； 塩化パ ラ ジ ウ ム （ 11) 、 臭化ノ ラ ジ ウ ム （ 11) 、 酢酸パラ ジ ウ ム （ 11) 、 バラ ジ ウ ムァセチルァ セ ト ナー 卜 （ 11) 、 ジ ク ロ ロ ビス （ベ ン ゾニ ト リ ノレ） ノ《ラ ジウム （ I I) 、 ジク ロ ロ ビス （ァセ ト ニ ト リ ル） ノく ラ ジ ゥ ム （ I I) 、 ジ ク ロ ロ （ ビス （ ジフ ヱ ニルホスフ イ ノ ） ェ タ ン ） ノくラ ジ ウ ム （ I 、 ジ ク ロ ロ ビス （ ト リ フ エ ニルホス フ ィ ン） ノくラ ジ ゥ ム （ I I ) 、 ジ ク ロ ロ テ ト ラア ン ミ ンノ ラ ジ ウム （ 1 1 ) 、 ジ ク ロ 口 （ シ ク ロォ ク 夕 一 1 ， 5 — ジェ ン） ノ ラ ジ ウ ム （ 1 、 ノ ラ ジ ゥ ム ト リ フル才ロアセテー ト （ I 1 ) 等の 2 価パラ ジ ウ ム化合物類 ： ト リ ス （ ジベ ン ジ リ デンアセ ト ン） 二パラ ジ ウ ム （ 0 ) ( P d 2 ( d b a ) 3 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ニ ノ ラ ジ ウ ム ク ロ ロ ホ ル厶錯体 （ 0 ) 、 テ ト ラキス （ ト リ フ エ ニルホスフ ィ ン） ノ、。ラ ジ ゥ ム （ ◦ ) 、 ビス （ ビス （ジフ ヱニルホス フ イ ノ ） ェ タ ン） ノ、'ラ ジ ゥ ム （ 0 ) 等の 0 価パラ ジ ウ ム化合物等が挙げられる。 本発明の製 造方法において、 パラ ジ ウ ム化合物の使用量は、 特に限定する もの ではないが、 1 級ア ミ ン 1 モルに対し、 パラ ジ ウ ム換算で 0 . 0 0 0 0 1 〜 2 0 . 0 モル0 /0である。 パラ ジ ウ ムが上記範回内であれば 、 高い選択率で 3 級ァ リ 一ルァ ミ ンが合成でき るが、 高価なパラ ジ ゥ ム化合物を使用する こ とから、 よ り好ま し く は、 該 1 級ァ ミ ン 1 モルに対し、 ノ、'ラ ジウム換算で 0 . 0 0 1 〜 5 . 0 モル％である。 本発明の製造方法において、 触媒成分と して使用 さ れる ト リ アル キルホス フ ィ ン化合物と しては、 特に限定する ものではな く 、 例え ば ト リ ェチノレホスフ ィ ン、 ト リ シ ク ロへキ シルホス フ ィ ン、 卜 リ イ ソプロ ピルホスフ ィ ン、 ト リ 一 n —ブチルホス フ ィ ン、 ト リ イ ソブ チルホス フ ィ ン、 ト リ ー s e c —ブチルホスフ ィ ン、 ト リ ー t e r t —プチルホスフ ィ ン等が挙げられ、 高い反応活性を有する こ と か ら好ま し く は ト リ 一 t e r t —ブチルホスフ ィ ンである。 ト リ ァ リ ールホス フ ィ ン化合物と しては、 特に限定する ものではな く 、 例え ば ト リ フ エ ニルホスフ ィ ン、 ベ ンジルジフ エニルホス フ ィ ン、 ト リ — 0 — ト リ ィ ルホスフ ィ ン、 ト リ ー m— ト リ ィ ルホス フ ィ ン、 ト リ 一 p — 卜 リ イ ルホスフ ィ ンが挙げられ、 好ま し く は ト リ フ エニルホ ス フ イ ン、 ト リ ー O — 卜 リ イ ノレホス フ ィ ンである。 ジホス フ ィ ン ί匕 合物と しては、 特に限定する ものではな く 、 例えばビス （ジ メ チル ホス フ イ ノ ） メ タ ン、 ビス （ジ メ チルホス フ イ ノ ） ェ タ ン、 ビス （ ジ シ ク ロ へキ シルホス フ イ ノ ） メ タ ン、 ビス （ジ シ ク ロへキ シルホ ス フ イ ノ ） ェタ ン、 ビス （ジフ エ ニルホスフ イ ノ ） ェ タ ン、 1 , 3 一 ビス （ ジフ エ ニルホス フ イ ノ ） プロ ノ ン、 1 ， 4 — ビス （ジフ エ ニルホス フ イ ノ ） ブタ ン、 ビス （ ジフ エ ニルホス フ イ ノ ） フ エ ロ セ ン、 （ R ) — 2 , 2 ' — ビス （ジフ エ ニルホスフ イ ノ ） 一 1 , 1 ' ー ビナフ チル ( ( R ) - B I N A P ) 、 ( S ) — 2 ， 2 ' — ビス （ ジフ エ 二ルホス フ イ ノ ） 一 1 ， ー ビナフチル （ （ S ) - B I N A P ) 、 2 , 2 ' — ビス （ジフ エ ニルホスフ イ ノ ） 一 1 , 1 ' ー ビ ナフチル （ （土 ） 一 B I N A P ) 、 2 S , 3 S — ビス （ジフ エニル ホス フ イ ノ ） ブタ ン （ （ S , S ) - C H I R A P H O S ) 、 2 R , 3 R— ビス （ジ フ エニルホスフ イ ノ ） ブタ ン （ （ R , R ) - C H I R A P H O S ) 、 2 , 3 — ビス （ジフ エニルホスフ イ ノ ） ブタ ン (
( 土 ） 一 C H I R A P H O S ) 、 ( R ) 一 2 ， 2 ' 一 ビス （ジ一 p — ト リ ィ ルホス フ イ ノ ） 一 1 , 1 ' ー ビナフチル （ （ R ) — T o 1 一 B I N A P ) 、 ( S ) - 2 , 2 ' — ビス （ジ一 p — ト リ ィ ルホス フ イ ノ ） 一 1 , 1 ' — ビナフチル （ （ S ) — T o 1 - B I N A P ) 、 2 , 2 ' 一 ビス （ ジ一 ρ — ト リ ィ ルホスフ イ ノ ） 一 1 , 1 ' — ビ ナフチル （ （ 土 ） 一 T o 1 — B I N A P ) 、 4 R , 5 R — ビス （ ジ フ エニルホスフ イ ノ メ チル） 一 2 , 2 — ジメ チルー 1 , 3 — ジォキ ソ ラ ン （ （ R , R ) 一 D I 0 Pヽノ 、 4 S , 5 S — ビス （ジフ エ ニル ホス フ イ ノ メ チル） 一 2 , 2 — ジ メ チルー 1 , 3 — ジ才キ ソ ラ ン （
( S , S ) — D I O P ) 、 4 , 5 — ビス （ジフ エ ニルホス フ イ ノ メ チル） 一 2 ， 2 — ジメ チルー 1 , 3 — ジォキ ソ ラ ン （ （ 土 ） 一 D I 0 P ) 、 N , N ' — ジ メ チルー （ S ) — 1 — 〔 ( R ) 一 、 2 — ビス （ジフ エ ニルホス フ イ ノ ） フ エ ロ セニル〕 ェチルァ ミ ン （ （ S
) ， ( R ) 一 B P P F A ) 、 N , N ' 一ジメ チルー （ R ) — 1 一 〔 ( S ) — 1 ' 、 2 — ビス （ジフ ヱ ニルホスフ イ ノ ） フ エ ロ セニル〕 ェチルァ ミ ン （ （ R ) ， ( S ) — B P P F A ) 、 N , N ' 一 ジメ チ ルー 1 — 1 ' 、 2 — ビス （ ジフ エニルホスフ イ ノ ） フ エ 口セニル 〕 ェチルァ ミ ン （ （士） 一 B P P F A ) が挙げられ、 好ま しく はビ ス （ ジ フ エ ニルホス フ イ ノ ） ェタ ン、 1 , 3 — ビス （ジ フ エニルホ ス フ イ ノ ） ブ ン、 ビス （ ジフ エ ニノレホス フ イ ノ ） フ エ 口セ ン、 B I N A Pであ り 、 B I N A Pは光学活性体でもラセ ミ体でも良い 卜 リ アルキルホス フ ィ ン化合物、 ト リ フ ヱニルホス フ ィ ン化合物 又はジホスフ ィ ン化合物の使用量は、 'ラジゥム化合物に対して 0 . 0 1 〜 1 0 0 0 0倍モル使用すればよい。 使用量がこの範囲であ ればァ リ ールア ミ ンの選択率に変化はないが、 高価なホスフ ィ ン化 合物を使用する こ とか ら、 よ り好ま しく はパラ ジ ウ ム化合物に対し て 0 . 1 〜 1 0倍モルである。
本発明の製造方法では、 触媒成分と してパラジゥム化合物とホス フ ィ ン化合物が必須であ り 、 両者を組み合わせて触媒と して反応系 に加える。 添加方法は、 反応系にそれぞれ単独に加えても、 予め錯 体の形に調製して添加してもよい。
本反応で使用できる塩基は、 ナ ト リ ウム、 力 リ ウムの炭酸塩ゃァ ル力 リ ½属ァルコキシ ド等の無機塩基及び 3級ア ミ ン等の有機塩基 から選択すればよ く 、 特に制限する ものではないが、 好ま し く は、 例えばナ ト リ ウ ム メ ト キ シ ド、 ナ ト リ ウ ムエ ト キ シ ド、 カ リ ウム メ ト キ シ ド、 カ リ ウ ムェ 卜 キ シ ド、 リ チウ ム一 t e r t —ブ ト キ シ ド 、 ナ ト リ ウ ム 一 t e r t —ブ ト キ シ ド、 カ リ ウ ム一 t e r t —フ " ' キ シ ド、 セシウムカー ドネー ト （ C s 2 C 0 3 ) 等のよ うなアル力 リ金属アルコキシ ドであって、 それらは反応場にそのま ま加えても 、 またアルカ リ金属、 水素化アルカ リ金属及び水酸化アル力 リ金属 とアルコールからその場で調製して反応場に供してもよい。
使用する塩基の量は、 特に制限される ものではないが、 反応に添 加する 2種類の異なるァ リ ールハラィ ドのハロゲン原子に対して、
0 . 5倍モル以上使用する こ と が好ま しい。 塩基の量が、 0 . 5 倍 モル未満では、 反応活性が低下しァ リ ールァ ミ ンの収率の低下を招 く ため好ま し く ない。 塩基の量は大過剰に加えてもァ リ ールア ミ ン の収率に変化はないが、 反応終了後の後処理操作が煩雑になる こ と から、 よ り好ま し く は 1 . 0 〜 5倍モル以下である。
本発明の製造方法における反応は、 通常は不活性溶媒下に実施さ れ、 そのよ う な不活性溶媒と しては、 本反応を著し く 阻害しない溶 媒であればよ く 、 例えばベ ンゼン、 ト ルエ ン、 キシ レ ン等の芳香族 炭化水素溶媒 ； ジェチルエーテル、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン、 ジォキサ ン等のエーテル溶媒 ： ァセ ト ニ ト リ ノレ、 ジメ チルホルムア ミ ド、 ジ メ チルスルホキシ ド、 へキサメ チルホスホ ト リ ア ミ ド等を例示する こ と ができ る。 よ り好ま し ぐは、 ベ ンゼン、 ト ルエ ン、 キ シ レ ン等 の芳香族炭化水素溶媒である。
本発明の製造方法は、 常圧下、 窒素、 アルゴン等の不活性ガス雰 囲気下で実施する こ とが好ま しいが、 たとえ加圧条件であっても実 施する ヒ とができる。
本発明の製造方法は、 反応温度 2 0 ° (：〜 3 0 0 °C、 よ り好ま し く は 5 ◦ °し' 〜 2 0 0 °Cの範囲、 反応時間は、 数分〜 7 2 時間の範囲か ら選択すればよい。 尚、 合成例 1 2 、 1 3 、 1 4 、 1 7及び 2 0 に、 ホス フ ィ ン化合 物とパラ ジ ウ ム化合物よ り なる触媒、 及び塩基の存在下でァ リ ール ァ ミ ン化合物を得る本発明の方法が記載されている。
以下、 本発明を実施例に基づいてさ らに詳細に説明するが、 本発 明はこれらの実施例によって限定される ものではない。
合成例 1 (化合物 （ 2 ) )
中間体 Aの合成
2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル丸底フ ラスコ に、 4 一ブロモベ ンズアルデヒ ド 0 . 3 8 g ( 2 . ◦ 4 m m 0 1 ) 、 ベ ン ジルホスホ ン酸ェチル エステル 0 . 9 8 g ( 4 . 2 9 m m o l ) 、 D M S O 4 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ、 t B u O K 0 . 5 g ( 4 . 4 9 mm o 1 ) を室 温で少しずつ添加し反応させた。 1 8 時間反応させて得られた反応 液を、 .水 5 0 ◦ ミ リ リ ッ 卜ル中に注入し、 析出した粗結晶 0 . 5 g を濾過によ り採取した。
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラスコ に、 上記粗結晶、 K I 2 . 0 0 g ( 1 . O m m o l 、 C u l 1 . 1 4 g ( り . O m m o l ) 、 H M P A 1 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ、 1 5 0 °Cで 6 時間加熱攪 拌した。 反応終了後、 1 N —塩酸水 1 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 ト ルェンで有機層を抽出 した。 濃縮後にジェチルェ一テル/メ 夕 ノー ルで再結晶させて精製し、 下記中間体 A 0 . 2 8 g (収率 4 5 % ) を得た。
(中間体 A)
Figure imgf000084_0001
中間体 Bの合成
5 0 ミ リ リ ツ ト ル丸底フ ラ スコ中で p —ブロモア二 リ ン 3 g ( 1 7 . 4 m m 0 1 ) を 6 N —塩酸水 1 ◦ ミ リ リ ッ ト ルに懸濁し冷 却した。 内温 4 °Cにて亜硫酸ナ ト リ ウム に 2 5 g ( 1 8 . 1 m m o 1 ) /水 5. 3 ミ リ リ ツ ト ルをゆつ く り と滴下し、 同温にて 1 時間攪拌してジァゾニゥ ム水溶液を得た。
別途、 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラス コ中でア ン ト ラ セ ン 0 . 3 g ( 1 . 7 m m 0 1 ) をア セ ト ン 5 ミ リ リ ッ ト ルに溶解した後 、 塩化第二銅 2水和物 0 . 4 6 g Z水 5 . 7 ミ リ リ ッ ト ルを加え 、 4 °Cまで冷却した。 冷却後、 上記ジァゾ二ゥム水溶液を同温にて 添加し、 室温で一晩反応させた。 反応後析出晶を濾取してメ タ ノー ルで洗浄後乾燥し、 下記中間体 B 0. 2 g (収率 2 4 %) を得た
(中間体 B)
Figure imgf000085_0001
化合物 （ 2 ) の合成
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラ スコ中でァニ リ ン 0 . 0 1 8 g ( 0 . 2 m m o 1 ) を塩化メ チ レ ン 5 ミ リ リ ッ ト ルに溶解し、 無水 酢酸 0 . 0 5 g ( 0 . 5 mm o 1 ) を加え、 室温にて 1 時間反応 させた。 その後、 反応溶媒を留去してオイル状の化合物を得た。 こ の化合物に、 中間体 A 0 . 5 6 g ( 1 . 8 mm o 1 ) 、 炭酸カ リ ゥ ム 5 g、 銅粉 ◦ . 3 g及び二 卜 口ベ ンゼン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 1 0でで 2 日間加熱攪拌した。 その後、 溶媒を留去し 得られた残さ に、 ジエチ レ ン グ リ コール 1 0 ミ リ リ ッ ト ルと水酸 化カ リ ウム 3 g /水 1 0 ミ リ リ ツ トルを加え、 1 1 ◦ °Cで一晩反応 させた。 反応終了後、 酢酸ェチル Z水を加えて分液し、 溶媒留去後 、 粗結晶を得た。 続いて 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ル丸底フ ラ ス コ 中で上記粗結晶、 中間体 B 0 . 0 5 g ( 0 . 1 m m 0 1 ) 、 炭酸カ リ ウム 5 g、 銅粉 0 . 3 g及びニ ト ロベ ンゼン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 2 ◦ t で 2 日間加熱攪拌した。 反応後析出晶を濾取してメ タ ノールで洗浄 後乾燥し、 カ ラ ム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ カ ゲル、 へキサ ン / ト ルェ ン = 1 / 1 ) で精製し、 黄色粉末 0 . 0 1 7 g を得た。 この粉末 は、 N M R、 I R及び F D— M S ( フ ィ ール ドデイ ソブーシ ヨ ンマ ススペ ク ト ル） の測定によ り 、 化合物 （ 2 ) と同定された （収率 2 0 %) 。
合成例 2 (化合物 （ 9 ) )
中間体 Cの合成
2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル丸底フ ラスコ 中でジフ エニルァ ミ ン 5 1 . 2 g ( 0 . 3 m 0 1 ) 、 1 ， 4 一ジブロモベ ンゼン 7 1 . 4 g ( 0 . 3 m o l ) , t B u O K 3 4 . 6 g ( 0 . 3 6 m o l ) 、 P d C 1 2 (P P h a) 2 4 . 2 g ( 5 . 9 mm o l ) 及びキシ レ ン 1 · 2 リ ッ ト ルを混合し、 1 3 0 °Cで一晩攪拌した。
反応終了後、 有機層を濃縮し褐色結晶約 1 0 0 g を得た。 この結 曰
曰曰をカ ラ ム ク ロマ ト グラ フ （シ リ カゲル、 へキサ ン Z ト ルエ ン = 1
0 / 1 ) で精製し、 下記中間体 C 2 8 g (収率 2 9 %) を得た
(中間体 C)
Figure imgf000086_0001
化合物 （ 9 ) の合成
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラ ス コ中で中間体 B 0 . 4 8 g ( 1 m m 0 1 ) にジェチルエーテル 1 0 ミ リ リ ッ ト ルをカ卩え、 一 7 8 °Cに冷却した。 そ こ へ n —ブチル リ チウム 2 ミ リ リ ツ ト ル （ に 5 M， 3 m m o を加え、 1 時間攪袢した。 次にほう酸 ト リ メ チ ル 0 . 3 g ( 3 m m 0 1 ) /ジェチルエーテル 5 ミ リ リ ッ ト ルを滴 下した。 滴下終了後、 — 7 8 °C にて 1 時間攪拌し、 室温にて 1 N— 塩酸水 1 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた。 有機層を分液後、 溶媒を留去 して粗結晶を得た。
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラスコ 中で、 上記粗結晶、 中間体 C 0 . 9 7 g ( 3 m m 0 1 ) 、 P d ( P P h 3 ) 4 1 2 m g、 リ ン酸力 リ ウ ム 0 . 3 2 g ( に 5 m m o 1 ) 及び D M F 1 0 ミ リ リ ツ ト ルを加え、 1 0 0 °Cで 4 時間攪拌した。 有機層を分液後、 溶媒を 留去して粗結晶を得た。 この粗結晶をカ ラ ム ク ロマ ト グラ フ （シ リ 力 ゲル、 ベンゼン /酢酸ェチル == 5 0 1 ) で精製し、 黄色粉末
0 . 1 3 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの 測定によ り、 化合物 （ 9 ) と同定された （収率 1 4 ) 。
合成例 3 (化合物 （ 1 8 ) )
中間体 Dの合成
1 , 4 一 ジブロモベ ンゼン 0 . 4 8 g ( 2 . 0 m m 0 1 ) に、 M g及びジェチルェ一テルを加えて G r i g n a r d試薬を調製し た。 別途、 1 0 0 ミ リ リ ッ トル丸底フ ラ スコ中に、 1 , 4 —ジブ口 モナフ タ レ ン 5 . 7 g ( 2 0 . 0 mm o l ) 、 N i C l 2 ( d p p p ) 1 0 m g及びジェチルエーテル 2 0 ミ リ リ ッ トルを加え 、 氷欲で冷却した。 そ こへ上記 G r i g n a r d試薬を加え、 6 時 間加熱還流した。 反応終了後、 1 N -塩酸水 1 0 ミ リ リ ッ トルを 加えた'。 有機層を分液後、 溶媒を留去して下記中間体 D 0 . 3 0 (収率 3 0 % ) を得た。
(中間体 D)
Figure imgf000087_0001
化合物 （ 1 8 ) の合成
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラス コ 中でァニ リ ン 0 . 0 9 g ( 1 . 0 m m 0 1 ) を塩化メ チ レ ン 5 ミ リ リ ッ ト ルに溶解し、 無水酢 酸 0 . 2 5 g ( 2 . 5 mm 0 1 ) を加え、 室温にて 1 時間反応さ せた。 その後、 反応溶媒を留去してオイ ル状の化合物を得た。 この 化合物に、 中間体 A 0 . 4 g ( 4 . 5 mm o 1 ) , 炭酸力 リ ウム
5 g、 銅粉 0 . 3 g及びニ ト ロベ ンゼン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルを 加え、 2 1 0 °Cで 2 日間加熱攪拌した。 その後、 溶媒を留去し得ら れた残さ に、 ジェチ レ ングリ コール 1 0 ミ リ リ ッ トルと水酸化力 リ ウ厶 3 g /水 1 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 1 1 0 °Cで一晩反応さ せた。 反応終了後、 酢酸ェチル /水を加えて分液し、 溶媒留去後、 粗結晶を得た。
続いて 1 0 0 ミ リ リ ッ トル丸底フラスコ中で、 上記粗結晶、 中間 体 D 0 . 5 g ( 1 . 0 m m 0 1 ) 、 炭酸カ リ ウム 5 g、 銅粉 0 . 3 g及びニ ト ロベ ンゼン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 2 ◦ °C で 2 日間加熱攪拌した。 反応後析出晶を濾取してメ タ ノールで洗浄 後乾燥し、 カ ラ ムク ロマ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキサ ン / ト ルェ ン = 1 Z 1 ) で精製し、 黄色粉末 0 . 1 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り 、 化合物 （ 1 8 ) と同定 された （収率 1 0 %) 。
実施例 1
洗浄した 1 T O電極付きガラ ス板上に.、 発光材料と して上記化合 物 （ 2 )' 、 2 ， 5 — ビス （ 1 一ナフチル） 一 1 , 3 , 4 —ォキサジ ァゾ一ル、 ボリ カーボネ 一 ト樹脂 （帝人化成 ： ノ、。 ンライ 卜 K— 1 3 0 0 ) を 5 ： 3 ： 2 の重量比でテ ト ラ ヒ ドロフラ ンに溶解させ、 ス ピンコーテ ィ ング法によ り膜厚 1 0 0 n mの発光層を得た。 その上 に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量％の割合で混合した 合金で膜厚 1 5 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 この 素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 2 0 0 ( c d Zm 2)、 最高輝度 1 4 0 0 0 ( c d /m 2)、 発光効率 2 . 1 ( 1 m/W) の発光が得られた。
実施例 2
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 9 ) を真空蒸着して膜厚 1 0 0 n mの発光層を作成し、 その上 に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量％の割合で混合した 合金で膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 発光 層は 1 0 — 6T 0 r r の真空中で、 基板温度が室温の条件下で蒸着し た。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 1 1 0 ( c d /m 2)、 最高輝度 2 0 0 0 0 ( c d Zm 2)、 発光効率 2 . 1 ( 1 m / W ) の発光が得られた。
実施例 3
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 2 ) を真空蒸着して膜厚 5 0 n mの発光層を形成した。 次いで 、 下記化合物 （ A 1 q )
Figure imgf000089_0001
を真空蒸着して膜厚 1 O n mの電子注入層を作成し、 その上に、 ァ ルミ 二ゥムと リ チウムを リ チウム 3重量0 /0の割合で混合した合金で 膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 発光層およ び電子注入層は 1 0 — ST 0 r r の真空中で、 基板温度室温の条件下 で蒸着した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発 光輝度約 6 0 0 ( c d /m2)、 最高輝度 3 0 0 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 3 . 0 ( 1 m/W) の青緑色発光が得られた。 さ らに初期 発光輝度 6 0 0 ( c d / m 2 )で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 2 0 0 0時間と長かった。 実施例 4 〜 1 6
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 第 1 表に示す発光材料を 真空蒸着して膜厚 8 0 n mの発光層を得た。 さ らに、 電子注入材料 と して上記化合物 （ A l q ) を真空蒸着して膜厚 2 O n mの電子注 入層を作成し、 その上に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重 量0 /oの割合で混合した合金で膜厚 1 5 0 n mの膜厚の電極を形成し て有機 E L素子を得た。 各層は 1 0— 6 T 0 r r の真空中で、 基板温 度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性を第 1 表に示す。 また本実施例の有機 E L素子は、 全て最高輝度 1 0 0 0 0 ( c d / m2)以上の高輝度特性を有していた。
1
Figure imgf000090_0001
実施例 1 7
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 正孔注入材と して下記化 合物 （ T P D 7 4 ) を膜厚 6 0 n mに真空蒸着した
Figure imgf000091_0001
次に、 正孔輸送材と して下記化合物 （ N P D ) を膜厚 2 0 n mに真 空蒸着した。
Figure imgf000091_0002
さ らに、 発光材料と して 4 , 4 ' — ビス （ 2 ， 2 —ジフエ二ルビ二 ル） ビフ エニル （ D P V B i ) および上記化合物 （ 3 ) を、 化合物 ( 3 ) の割合が 5重量0 /0、 膜厚 4 O n mとなるよ う に同時蒸着した 。 尚、 化合物 （ 3 ) は蛍光性の ド一バン ト と して機能する。 次に、 電荷注入材と して上記化合物 （ A 1 q ) を膜厚 2 O n mで蒸着し、 さ らに L i F を膜厚 0 . 5 n mで蒸着後アルミ ニウムを膜厚 1 0 0 n m蒸着し電極を形成して有機 E L素子を得た。 各層は 1 0 — sT o r r の真空中で、 基板温度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発 光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 7 5 0 ( c d /m 2) と高輝度であった。 さ らに初期発光輝度 4 0 0 ( c d /m 2)で、 定 電流駆動したと ころ半減寿命は 3 0 0 ◦ 時間と長寿命であった。 比較例 1
発光材料と して下記化合物 （比較例 1 ) を使用 したこ とを除き、 実施例 1 と同様にして有機 E L素子を作製した。 (比較例 1 )
Figure imgf000092_0001
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 6 0 ( c d Zm 2)、 発光効率 0 . 3 4 ( 1 m/W) と充分な性能が得 られなかった。
比較例 2
発光材料と して下記化合物 （比較例 2 ) を使用したこ と を除き、 実施例 3 と同様にして有機 E L素子を作製した。
(比較例 2 )
Figure imgf000092_0002
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 2 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 1 . 2 ( l m/W) であったが、 初期 発光輝度 4 0 0 ( c d / m 2)で定電流駆動したと ころ半減寿命は 6 0 0 時間と寿命が短かった。
耐熱性試験
実施例 2 、 実施例 3 、 比較例 1 及び比較例 2 で作製した有機 E L 素子を、 発光輝度を測定してから 1 0 0 °Cの恒温槽内に入れ、 一定 の電流値で 5 0 0 時間経過後に再度発光輝度を測定し槽内に入れる 前の発光輝度と比較して輝度保持率を算出した。
その結果、 実施例 1 、 実施例 3 、 比較例 1 及び比較例 1 の有機 E L秦子の輝度保持率は、 それぞれ 8 5 %、 9 0 %、 2 5 %、 3 0 % であった。 このよ うに、 比較例 1 及び比較例 2 で使用 した発光材料 の化合物はガラス転移温度が 1 0 0 °C以下であるため輝度を保持す る こ とができなかった。 これに対し、 実施例 2及び実施例 3 で使用 した発光材料の化合物はガラ ス転移温度が 1 1 0 °c以上であるため 耐熱性が高く 、 長時間に渡り充分輝度を保持する こ と ができ る。 合成例 4 (化合物 （ 3 0 ) )
中間体 E ( 6 , 1 2 —ジ ョ一 ド ク リ セ ン） の合成
3 0 0 ミ リ リ ッ トノレ丸底フ ラスコ に、 ク リ セ ン 5 g ( 2 2 mm o 1 ) 、 四塩化炭素 1 0 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 ヨ ウ素/四塩化 炭素 1 6 g ( 6 4 m m o 1 / 1 0 0 ミ リ リ ッ トル） を室温で少し ずつ滴下し反応させた。 反応液を 5時間加熱攪拌した後、 析出した 結晶を濾取し、 四塩化炭素 1 0 0 ミ リ リ ッ トルで洗浄した。 得られ た粗結晶を ト ルエ ン 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルで再結晶させ、 中間体 E ( 収率 3 5 %) を得た。
化合物 （ 3 0 ) の合成
1 0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口フ ラスコ中で、 4 —ア ミ ノ スチルベ ン
2 g ( 1 0 m m 0 1 ) を塩化メ チ レ ン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルに溶解し 、 無水酢酸 2 . 5 g ( 2 5 mm 0 1 ) を加え、 室温にて 1 時間反 応させた。 その後、 反応溶媒を留去してオイル状の化合物を得た。
3 0 0 ミ リ リ ツ 卜 ノレ二口 フ ラスコ中で、 この化合物に、 ョ一 ドベ ン ゼン 4 . l g ( 2 0 mm o l ) 、 炭酸カ リ ウ ム 3 g ( 3 0 mm 0 1 ) 、 銅粉 0 . 0 6 g ( 1 m m 0 1 ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 2 0 °Cで 2 日間加熱攪拌した。 その後 、 溶媒を留去し得られた残さに、 ジエチ レ ングリ コール 1 0 ミ リ リ ト ルと水酸化カ リ ウ ム 3 0 g Z水 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え 、 1 1 0 °Cで一晩反応させた。 反応終了後、 酢酸ェチル /水を加え て分液し、 溶媒留去後、 粗結晶を得た。
3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル二口フ ラス コ中で、 得られた粗結晶と中間体 E 2 . 4 g ( 5 mm o l ) 、 炭酸カ リ ウム 3 g ( 2 0 mm o l ) 、 銅粉 0 . ◦ 6 g ( 1 m m o 1 ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 3 0 °Cで 2 日間加熱攪拌した。 反応後析出 晶を濾取してメ タ ノ ールで洗浄後乾燥し、 カラム ク ロマ ト グラフ （ シ リ カ ゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 1 / 1 ) で精製し、 黄色粉末 に 0 g を得た。 この粉末は、 N M R、 1 R及び F D— M Sの測定 によ り 、 化合物 （ 3 0 ) と同定された （収率 2 5 %) 。
合成例 5 (化合物 （ 3 6 ) )
化合物 （ 3 6 ) の合成
1 0 ◦ ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラスコ 中でジフ エニルァ ミ ン 3 . 4 g ( 2 0 mm o l ) 、 中間体 E 4 . 8 g ( l O mm o l ) 、 炭 カ リ ウ ム 3 g ( 3 0 mm o l ) 、 銅粉 0. 0 6 g ( l mm o l ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを力□え、 1 1 0 tで 2 日間加熱攪拌した。 反応後析出晶を濾取してメ タ ノールで洗浄後乾 燥し、 カ ラム ク ロマ ト グラ フ （シ リ カゲル、 へキサ ン/ ト ルエン = 1 / 1 ) で精製し、 黄色粉末 2. 8 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 3 6 ) と同定され た （収率 5 0 %) 。
合成例 6 (化合物 （ 3 8 ) )
化合物 （ 3 8 ) の合成
アルゴン気流下 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ル四口フ ラ スコに、 マグネシ ゥ ム し 0 g ( 4 1 mm o l ) 、 T H F 1 ミ リ リ ッ ト ル、 ヨ ウ素 の小片を入れ、 4 —ブロモ ト リ フ エニルァ ミ ン 9 . 7 g ( 3 0 m m o I ) /T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを室温で少しずつ滴下し、 滴下終了後 6 0 °Cで 1 時間加熱攪拌し G r i g n a r d試薬を調製 した。 アルゴン気流下 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル四口フ ラ スコ に、 中間体 E 4 . 8 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 T H F 5 0 ミ リ リ ッ ト ル、 P d C l 2 (P P h 3 ) 2 0 . 2 8 g ( 0 . 4 mm o l ) 及び A I H ( i s o — B u ) 2 / 1 . 0 M ト ルエ ン溶液 1 . 0 ミ リ リ ッ ト ル （ 1 m m o 1 ) を入れ、 上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温 して一晩還流させた。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を 濾取し、 アセ ト ンで洗浄した。 得られた粗結晶をアセ ト ン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルで再結晶させ、 黄色粉末 4 . 3 g を得た。 この粉末 は、 N M R、 I R及び F D - M Sの測定によ り、 化合物 （ 3 8 ) と 同定された （収率 6 0 %) 。
合成例 7 (化合物 （ 4 7 ) )
化合物 （ 4 7 ) の合成
1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル二口フ ラ スコ 中で、 6 —ア ミ ノ ク リ セ ン 2 . 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) を塩化メ チ レ ン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルに溶解 し、 無水酢酸 2 . 5 g ( 2 5 mm 0 1 ) を加え、 室温にて 1 時間 反応させた。 その後、 反応溶媒を留去してオイ ル状の化合物を得た 。 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル二口 フ ラ スコ中で、 この化合物に、 ョー ドベ ンゼン 4 . 1 g ( 2 0 m m 0 1 ) 、 炭酸カ リ ウ ム 3 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 銅粉 0 . 0 6 g ( 1 m m o 1 ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 2 0 °Cで 2 日間加熱攪拌した。 その 後、 溶媒を留去し得られた残さに、 ジエチ レ ン グ リ コール 1 0 ミ リ リ ッ ト ルと水酸化カ リ ウ ム 3 0 g /水 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加 え、' 1 1 0 °Cで一晩反応させた。 反応終了後、 酢酸ェチル /水を加 えて分液し、 溶媒留去後、 粗結晶を得た。
3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口フ ラスコ中で、 得られた粗結晶と 4 , 4 ' 一ジ ョー ド ビフ エニル 2 g ( 5 mm o l ) 、 炭酸カ リ ウ ム 3 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 銅粉 0 . 0 6 g ( 1 m m o 1 ) 及びニ ト ロ ベンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 2 3 ◦ °Cで 2 日間加熱攪拌 した。 反応後析出晶を濾取してメ タ ノールで洗浄後乾燥し、 カラム ク ロマ ト グラフ （シ リ カゲル、 へキサン/ トルエン = 1 Z 3 ) で精 製し、 黄色粉末 0 . 8 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 4 7 ) と同定された （収率 3 0 ) 。
実施例 1 8
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 3 0 ) 、 2 , 5 — ビス （ 1 —ナフチル） 一 し 3 , 4 _ォキサ ジァゾール、 ボリ カーボネー ト樹脂 （帝人化成 ： パンライ ト K— 1 3 0 0 ) を 5 ： 3 ： 2 の重量比でテ ト ラ ヒ ドロフラ ンに溶解させ、 ス ピンコーティ ング法によ り膜厚 1 0 0 n mの発光層を得た。 その 上に、 アルミ ニウム と リ チウムを リ チウム 3重量0 /0の割合で混合し た合金で膜厚 1 5 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 こ の素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 3 2 0 ( c d Zm 2)、 最高輝度 1 4 0 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 2 . 5 ( 1 m/ W ) の発光が得られた。
実施例 1 9
洗浄した I T◦電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 3 7 ) を真空蒸着して膜厚 1 0 O n mの発光層を作成し、 その 上に、 フ ッ化リ チウムで膜厚 0 . 3 n mの無機電子注入層を形成し 、 さ らにアルミ ニウムで膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L 素子を得た。 発光層は 1 0 — ST o r r の真空中で、 基板温度が室温 の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加 電圧で発光輝度 1 1 0 ( c d /m 2)、 最高輝度 2 0 0 0 0 ( c d / m 2)、 発光効率 1 . 2 ( 1 m/W) の発光が得られた。
実施例 2 0
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 正孔注入材と して C u P c を真空蒸着して膜厚 4 0 n mの正孔注入層を形成した。 次に正孔 輸送材と して上記化合物 （ 4 7 ) を膜厚 2 0 n mの正孔輸送層を、 さ らに上記化合物 （A 1 q ) 真空蒸着して膜厚 6 0 n mの発光層を 形成し、 発光層にルブレ ンを濃度 4重量0 /0となるよ う に添加し、 そ の上に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量0 /0の割合で混合 した合金で膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 各層は 1 0— ST 0 r r の真空中で、 基板温度室温の条件下で蒸着し た。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度約 7 0 0 ( c d / m 2)、 最高輝度 8 0 0 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 6 . 0 ( 1 m/W) の緑色発光が得られた。 さ らに初期発光輝度 6 0 0 ( c d Zm2)で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 4 0 0 0時 間と長かった。
実施例 2 1 〜 3 3
洗浄した I T◦電極付きガラス板上に、 第 2表に示す正孔輸送材 料を真空蒸着して膜厚 2 0 n mの正孔輸送層を得た。 さ らに、 発光 材料と して上記化合物 （ A l q ) を真空蒸着して膜厚 6 0 n mの発 光層を作成し、 発光層にルブレ ンを濃度 4重量％となるよう に添加 し、 その上に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量％の割合 で混合した合金で膜厚 1 5 0 n mの膜厚の電極を形成して有機 E L 素子を得た。 各層は 1 0— ST 0 r r の真空中で、 基板温度室温の条 件下で蒸着した。 この素子の発光特性を第 2表に示す。 また本実施 例の有機 E L素子は、 全て最高輝度 1 0 0 0 0 ( c d / m2)以上の 高輝度特性を有していた。 実 施 例 正 輸送材料の 半 減 叩
N o . (時間）
n ヽ
2 1 ( 3 0 ) 5 2 0 0
2 2 ( 3 6 ) 5 6 0 0
2 3 ( 3 7 ) 4 I 0 0
2 4 ( 3 8 ) 3 2 0 0
2 5 ( 1 ) 4 8 0 0
b ( 3 ) 6 7 0 0
2 7 ( 4 8 ) 2 4 0 0
2 8 ( 4 9 ) 5 7 0 0
2 9 ( 5 0 ) 5 2 0 0
3 0 ( 5 1 ) 6 0 0 0
3 1 ( 5 3 ) 4 0 0 0
3 2 ( 5 5 ) 4 0 0 0
3 3 ( 5 6 ) 3 2 0 0 実施例 3 4
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 正孔注入材と して上記化 合物 （ T P D 7 4 ) を膜厚 6 ◦ n mに真空蒸着した。 次に、 正孔輸 送材と して上記化合物 （ N P D ) を膜厚 2 0 n mに真空蒸着した。
次に、 発光材料と して 4 ， 4 ' — ビス （ 2 , 2 —ジフエ二ルビ二 ル） フ エ二ルア ン ト ラセ ン （ D P V D P A N ) および ド一バン ト と して上記化合物 （ 3 6 ) を、 化合物 （ 3 6 ) の割合が 2重量％、 膜 厚 4 0 n mとなるよ う に同時蒸着した。 次に、 電荷注入材と して上 記化合物 （ A 1 q ) を膜厚 2 0 n mで蒸着し、 さ らに L i F を膜厚 0 . 5 n mで蒸着後アルミ ニウムを膜厚 l O O n m蒸着し電極を形 成して有機 E L素子を得た。 各層は 1 0 — sT o r r の真空中で、 基 板温度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 8 V'の印加電圧で発光輝度 5 0 0 ( c d /m 2)と高輝度で、 色純度 の優れた青色発光であった。 さ らに初期発光輝度 1 0 0 ( c d /m 2)で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 7 0 0 0時間と長寿命であ つた。 尚、 この素子の発光スペク トルを測定したと ころ、 D P V B ί と 同一であった。 すなわち、 化合物 （ 3 6 ) は発光には影響しないが 、 素子に長寿命を与える効果がある。
比較例 3
ド一バン 卜 と して上記化合物 （ 3 6 ) を添加しないこ と を除き、 実施例 3 4 と同様にして有機 E L素子を作製した。 この素子につい て、 初期発光輝度 1 0 0 ( c d / m 2 )で、 定電流駆動したと ころ半 減寿命は 4 0 0 0 時間と実施例 3 4 に比べ短かった。
比較例 4
正孔輸送材料と して上記化合物 （比較例 2 ) を使用したこ と を除 き、 実施例 2 0 と同様にして有機 E L素子を作製した。
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 3 0 0 ( c d / m 2 )、 発光効率 4 . 2 ( 1 m / W ) であったが、 初 期発光輝度 4 0 0 ( c d Z m 2 )で定電流駆動したと ころ半減寿命は 3 0 0 時間と寿命が短かった。
耐熱性試験
実施例 2 0 、 実施例 1 7及び比較例 4 で作製した有機 E L素子を 、 発光輝度を測定してから 1 0 5 °Cの恒温槽内に入れ、 一定の電流 値で 5 0 0 時間経過後に再度発光輝度を測定し槽内に入れる前の発 光輝度と比較して輝度保持率を算出した。
その結果、 実施例 0及び実施例 2 7 、 比較例 4 の有機 E L素子 の輝度保持率は、 それぞれ 8 7 %、 9 0 %、 2 5 %であった。 この よ ゲに、 比較例 4 で使用 した発光材料の化合物はガラス転移温度が 1 0 5 ΐ以下であるため輝度を保持する こ とができなかった。 これ に対し、 実施例 2 0及び実施例 1 7 で使用した発光材料の化合物は ガラス転移温度が 1 1 0 t以上であるため耐熱性が高く 、 長時間に 渡り充分輝度を保持する こ と ができ る。 合成例 δ (化合物 （ 5 8 ) )
中間体 F ( 5 , 1 1 一ジブ口モナフ タセ ン） の合成
2 リ ッ ト ル丸底フ ラ ス コ に、 5 ， 1 2 —ナフ タ セ ンキ ノ ン 5 0 g ( 0 . 1 9 m m o l ) 、 塩化第二錫 1 0 8 g ( 0 . 5 7 mm o 1 ) 、 酢酸 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル、 濃塩酸 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを 入れ、 2 時間加熱攪拌し反応させた。 反応終了後、 析出した結晶を 濾取し、 水洗浄した後、 減圧乾燥機にて一晩乾燥し、 粗結晶 4 8 g を得た。
アルゴン気流下 2 リ ツ ト ル四口フ ラスコ に、 得られた粗結晶、 ト リ フ エニルフ ォ ス フ ィ ン 5 0 g ( 0 . 1 9 mm o l ) 、 D M F 3 0 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 臭素 6 4 g ( 0 . 4 m m 0 1 ) / D M F 2 0 0 ミ リ リ ッ トルを室温で少しずつ滴下し反応させた。 滴 下終了後、 1 0 0 °C で一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 減圧蒸留で D M F を留去し、 残さに水 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ルを加えた。 有機層 を ト ルエ ン抽出し、 硫酸マグネ シゥ厶で乾燥後、 ロータ リ ーエバポ レータ一で減圧濃縮し、 オイ ル状の化合物を得た。 カラムク ロマ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 1 / 1 ) で精製し、 黄 色粉末 3 0 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D — M S の測定によ り、 中間体 F と同定された （収率 4 0 % ) 。
化合物 （ 5 8 ) の合成
1 '0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口 フ ラ ス コ中で、 4 —ア ミ ノ スチルベ ン 2 g ( 1 0 m m 0 1 ) を塩化メ チ レ ン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルに溶解し 、 無水酢酸 2 . 5 g ( 2 5 mm 0 1 ) を加え、 室温にて 1 時間反 応させた。 その後、 反応溶媒を留去してオイル状の化合物を得た。 3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口フ ラ ス コ中で、 この化合物に、 ョ一 ドベ ン ゼン 4 . l g ( 2 0 mm o l ) 、 炭酸カ リ ウム 3 g ( 3 0 mm 0 1 ) 、 銅粉 ◦ . ◦ 6 g ( 1 m m 0 1 ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ トルを加え、 2 2 0 t で 2 日間加熱攪拌した。 その後 、 溶媒を留去し得られた残さ に、 ジェチレ ングリ コール 1 0 ミ リ リ ツ ト ルと水酸化カ リ ウム 3 0 g /水 1 0 0 ミ リ リ ツ トルを加え 、 1 1 0 °Cで一晩反応させた。 反応終了後、 酢酸ェチル /水を加え て分液し、 溶媒留去後、 粗結晶を得た。
アルゴン気流下 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口フ ラスコ中で、 得られた 粗結晶、 中間体 F 1 . 9 g ( 5 m m o l ) . t B u O K に 3 g ( 1 2 mm o l ) 、 P d C l P P h 3) 2 4 0 m g ( 5 m o 1 % ) 及びキシレ ン 3 0 ミ リ リ ッ トルを混合し、 1 3 0 tで一晚攪拌 し反応させた。 反応終了後、 析出晶を濾取し、 メ タ ノールで洗浄し た。 カ ラム ク ロマ ト グラ フ （シ リ カゲル、 へキサ ン/ ト ルエ ン = 1 / 1 ) で精製し、 黄色粉末 0 . 9 g を得た。 この粉末は、 N M R 、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 5 8 ) と同定された (収率 2 5 %) 。
合成例 9 (化合物 （ 5 9 ) )
化合物 （ 5 9 ) の合成
アルゴン気流下 3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル四口フ ラス コに、 4 ー ヒ ド ロ キ シスチルベ ン 2 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 ト リ フ エニルフ ォ ス フ ィ ン 5 . 2 g ( 2 0 mm o l ) 、 D M F 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ 、 ョ'ゥ素 5 g ( 2 0 mm o l ) / D M F 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを室 温で少しずつ滴下し反応させた。 滴下終了後、 2 0 0 °Cで一晩攪拌 した。 反応終了後、 減圧蒸留で D M F を留去し、 残さ に水 2 0 0 ミ リ リ ツ ト ルを加えた。 有機層を ト ルエ ンで抽出し、 硫酸マグネシ ゥ ムで乾燥後、 ロータ リ ーエバボレーターで減圧濃縮し、 オイ ル状 の化合物を得た。 カ ラ ム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 1 / 1 ) で精製し、 黄色粉末 2 . 5 g を得た。
別途、 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル二口フ ラ ス コ 中で、 4 —ア ミ ノ スチル ベ ン 2 g ( 1 0 m m 0 1 ) を塩化メ チ レ ン 2 0 ミ リ リ ッ ト ルに 溶解し、 無水酢酸 2 . 5 g ( 2 5 mm o l ) を加え、 室温にて 1 時間反応させた。 その後、 反応溶媒を留去してオイ ル状の化合物を 得た。
3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル二口フ ラス コ中で、 この化合物に、 上記黄色 粉末 2 . 5 g、 炭酸カ リ ウ ム 3 g ( 3 0 m m 0 1 ) 、 銅粉 0 . 0 6 g ( 1 m m o 1 ) 及びニ ト ロベ ンゼン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル を加え、 2 2 0 °Cで 2 日間加熱攪拌した。 その後、 溶媒を留去し得 られた残さ に、 ジエチ レ ン グリ コール 1 ◦ ミ リ リ ッ ト ルと水酸化 カ リ ウ ム 3 0 g /水 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 1 1 0 °Cで一 晚反応させた。 反応終了後、 酢酸ェチル Z水を加えて分液し、 溶媒 留去後、 粗結晶を得た。
3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル二口フ ラスコ中で、 上記粗結晶、 中間体 F 2 . 4 g ( 5 m m 0 1 ) . t B u O K 1 . 3 g ( 1 2 m m o 1 ) 、 P d C 1 2 (P P h 3 ) 2 4 0 m g ( 5 m o 1 % ) 及びキシ レ ン 3 0 ミ リ リ ッ トルを混合し、 1 3 0 °Cで一晩攪拌し反応させた。 反応 終了後、 析出晶を濾取し、 メ タ ノールで洗浄、 乾燥した。 カ ラ ム ク 口マ ト グラ フ （ シ リ カ ゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 1 / 1 ) で精製 し、 '黄色粉末 0 . 2 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 5 9 ) と同定された （収率 5 % ) 合成例 1 0 (化合物 （ 6 1 ) )
0 0 化合物 （ 6 1 ) の合成
アルゴン気流下 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル四口フ ラ ス コ に、 4 一ブロモ ト リ フ エニルァ ミ ン 9. 7 g ( 3 0 mm o l ) 、 ト ルエ ン 5 0 ミ リ リ ッ ト ル及びジェチルェ一テル 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ、 氷 水で冷却し、 n—ブチル リ チウ ム /へキサ ン 2 2 ミ リ リ ツ ト ル （ 1 . 5 2 m o l /リ ッ ト ル、 3 3 mm o l ) /T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ トルを室温で少しずつ滴下し反応させた。 6 , 1 3 —ジブロモ ペ ン 夕セ ン 4 . 3 g ( 1 0 m m 0 1 ) を加えた後、 同温でー晚攪 拌した。 反応終了後、 水 5 0 ミ リ リ ツ トルを加え、 有機層をジェ チルェ一テルで抽出し、 硫酸マグネ シ ゥ ムで乾燥後、 ロータ リ 一ェ バボレ一夕一で減圧濃縮し、 オイ ル状の化合物 7. 4 gを得た。
3 0 0 ミ リ リ ツ トル四口フ ラ スコに、 上記化合物、 ヨウ化力 リ ウ ム 6 . 6 g ( 4 0 m m 0 1 ) 及び酢酸 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを入 れ、 一時間加熱還流させた。 反応終了後、 室温まで冷却して析出晶 を濾取した。 得られた結晶を水とアセ ト ンで洗浄して橙色固体 2 . 7 g を得た。 この橙色固体は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定 によ り、 化合物 （ 6 1 ) と同定された （収率 3 5 % ) 。
合成例 1 1 (化合物 （ 6 2 ) )
中間体 G ( 5 , 1 1 一ジョ一 ドナフ タ セ ン） の合成
5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル丸底フ ラ スコ に、 ナフ 夕 セ ン 5 0 g ( 0 . 2 2 m m 0 1 ) 、 テ ト ラ ク ロ ロェタ ン 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ 、 ヨ ウ素ノ四塩化炭素 1 6 0 g ( 0 . 6 4 m 0 1 / 2 0 0 ミ リ リ ッ ドル） を室温で少しずつ滴下し反応させた。 反応液を 5時間加熱 攪拌した後、 析出した結晶を濾取し、 メ タ ノール 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ルで洗浄した。 得られた粗結晶を ト ルエン 2 0 0 ミ リ リ ッ 卜ルで 再結晶させ、 中間体 G 3 4 g を得た （収率 4 0 %) 。 化合物 （ 6 2 ) の合成
アルゴン気流下 1 ◦ 0 ミ リ リ ツ トル四口フラスコに、 マグネシゥ ム に 0 g ( 4 1 m m 0 1 ) 、 T H F 1 ミ リ リ ッ ト ル、 ヨ ウ素 の小片を入れ、 4 ーブロモ ト リ フ ヱニルァ ミ ン 9 . 7 g ( 3 0 m m o 1 ) / T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ トルを室温で少しずつ滴下し、 滴下終了後 6 0 ΐで 1 時間加熱攪拌し G r i g n a r d試薬を調製 した。
アルゴン気流下 3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル四口フ ラ スコ に、 中間体 G 4 . 8 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 T H F 5 0 ミ リ リ ッ ト ル、 P d C l
2 ( P P h a ) z 0 . 2 8 g ( 0 . 4 mm o l ) 及び A l H ( i s o — B u ) 2 / 1 . 0 M ト ルエ ン溶液 1 . 0 ミ リ リ ッ ト ノレ （ 1 m m o 1 ) を入れ、 上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温 して一晩還流させた。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を 濾取し、 ァセ 卜 ンで洗浄した。 得られた粗結晶をァセ ト ン 1 0 0 ミ リ リ ッ トルで再結晶させ、 黄色粉末 3 . 6 g を得た。 この粉末 は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 6 2 ) と 同定された （収率 5 0 %) 。
実施例 3 5
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 5 8 ) 、 2 , 5 — ビス （ 1 —ナフチル） 一 1 ， 3 , 4 —ォキサ ジァゾール、 ポリ カ一ボネー ト樹脂 （帝人化成 ： ノ ンライ ト K _ 1
3 0 0 ) を 5 ： 2 ： 2 の重量比でテ ト ラ ヒ ドロフラ ンに溶解させ、 ス ピンコーティ ング法によ り膜厚 1 0 0 n mの発光層を得た。 その 上に、 アルミ ニウム と リ チウムを リ チウム 3重量0 /0の割合で混合し た合金で膜厚 1 5 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 こ の素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 1 3 0 (
0 2 c d /m 2)、 最高輝度 1 4 0 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 1 . 2 ( 1 m/W) の黄橙色発光が得られた。
実施例 3 6
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 7 1 ) を真空蒸着して膜厚 1 0 O n mの発光層を作成し、 その 上に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量0 /0の割合で混合し た合金で膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 発 光層は 1 0— ST 0 r rの真空中で、 基板温度が室温の条件下で蒸着 した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 1 2 0 ( c d /m2)、 最高輝度 1 8 0 0 ( c d Zm2)、 発光効率 0 . 3 ( 1 m / W ) の橙色発光が得られた。
実施例 3 7
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 発光材料と して上記化合 物 （ 7 1 ) を真空蒸着して膜厚 5 0 n mの発光層を形成した。 次い で、 上記化合物 （ A 1 q ) を真空蒸着して膜厚 1 0 n mの電子注入 層を作成し、 その上に、 アルミ ニウムと リ チウムを リ チウム 3重量 %の割合で混合した合金で膜厚 1 0 0 n mの電極を形成して有機 E L素子を得た。 発光層および電子注入層は 1 0— 6T 0 r r の真空中 で、 基板温度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性は、 直 流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度約 2 0 0 ( c d /m2)、 最高輝度 1 2 0 0 0 ( c d /m2)、 発光効率 し 0 ( l m/W) の橙色発光 が得られた。
実施例 3 8 ~ 4 6
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 第 3表に示す発光材料を 真空蒸着して膜厚 8 0 n mの発光層を得た。 さ らに、 電子注入材料 と して上記化合物 （A 1 q ) を真空蒸着して膜厚 2 O n mの電子注
0 3 入層を作成し、 その上に、 アルミ ニウム と リ チウムを リ チウム 3 重 量0 /oの割合で混合した合金で膜厚 1 5 0 n mの膜厚の電極を形成し て有機 E L素子を得た。 各層は 1 0 — 6T 0 r r の真空中で、 基板温 度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性を第 3表に示す。 また本実施例の有機 E L素子は、 全て最高輝度 5 0 0 0 ( c d /m z)以上の高輝度特性を有していた。 第 3 表
実 施 例 発光材料の種類 発 光 効 率 -F 減 ロロ
N 0 . ( 1 m /W) (時間）
3 8 ( 5 9 ) 1. 2 1 4 0 0
3 9 ( 6 0 ) 1 . 4 1 6 0 0
4 0 ( 6 1 ) 0. 7 1 7 0 0
4 1 ( 6 2 ) 0. 8 8 5 0
4 2 ( 6 5 ) 0. 4 1 2 0 0
4 3 ( 6 7 ) 0. 6 1 7 0 0
4 4 ( 7 0 ) 1. 6 2 4 0 0
4 5 ( 7 2 ) 1. 2 1 6 0 0
4 6 ( 7 4 ) 0. 5 1 2 0 0 実施例 4 7
洗浄した I T O電極付きガラス板上に、 正孔注人材と して上記化 合物 （ T P D 7 4 ) を膜厚 6 0 n mに真空蒸着した。 次に、 正孔輸 送材と して下記化合物 （ N P D ) を膜厚 2 O n mに真空蒸着した。
次に、 発光材料と して 4 ， 4 ' — ビス （ 2 , 2 _ジフヱ二ルビ二 ル） ビフヱニル （ D P V B i ) および上記化合物 （ 5 8 ) を、 化合 物 （ 5 8 ) の割合が 5重量％、 膜厚 4 0 n mとなるよ う に同時蒸着 した。 尚、 化合物 （ 5 8 ) は蛍光性の ドーパン ト と して機能する。 次（ヒ、 電荷注入材と して上記化合物 （ A 1 q ) を膜厚 2 0 n mで蒸 着し、 さ らに L i F を膜厚 0 . 5 n mで蒸着後アルミ ニゥムを膜厚 1 0 0 n m蒸着し電極を形成して有機 E L素子を得た。 各層は 1 0 一6 T 0 r r の真空中で、 基板温度室温の条件下で蒸着した。 この素
0 4 子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で黄色発光輝度 6 0 0 ( c d Zm z)と高輝度であった。 さ らに初期発光輝度 4 0 0 ( c d / m 2)で、 定電流駆動したと こ ろ半減寿命は 2 8 0 0 時間と長寿命で めつ 7こ。
実施例 4 8
発光材料と して上記化合物 （ A 1 q ) および ド一パン ト と して上 記化合物 （ 6 1 ) を、 化合物 （ 6 1 ) の割合が 5重量0 /0となるよう に同時蒸着して発光層を形成したこ とを除き、 実施例 4 7 と同様に して有機 E L素子を作製した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 2 4 0 ( c d / m 2)の赤色発光が得られ。 さ らに初期発光輝度 4 0 0 ( c d / m 2)で、 定電流駆動したと こ ろ 半減寿命は 3 2 0 0時間と長寿命であった。
比較例 5
発光材料と して上記化合物 （比較例 1 ) を使用したこ と を除き、 実施例 3 5 と同様にして有機 E L素子を作製した。
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 6 0 ( c d / m 2)、 発光効率 0 . 3 4 ( 1 m/W) と充分な性能が 得られなかった。 また、 発光色は青色であった。
比較例 6
発光材料と して上記化合物 （比較例 2 ) を使用 したこ と を除き、 実施例 3 7 と同様にして有機 E L素子を作製した。
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 2 0* 0 ( c d / m 2 )、 発光効率 1 . 2 ( 1 m / W ) であったが、 初 期発光輝度 4 0 0 ( c d / m 2)で定電流駆動したと こ ろ半減寿命は 6 0 0 時間と寿命が短かった。 また、 発光色は青色であった。
比較例 7
0 5 発光材料の上記化合物 （ 5 8 ) の代わり に、 上記化合物 （比較例 1 ) を使用 したこ と を除き、 実施例 4 7 と同様にして有機 E L素子 を作製した。
得られた素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 2 0 0 ( c d Zm2)であったが、 初期発光輝度 4 0 0 ( c d /m 2) で定電流駆動したと ころ半減寿命は 7 0 0 時間と寿命が短かく 、 発 光色は青色であった。 合成例 1 2 (化合物 （ 7 5 ) )
化合物 （ 7 5 ) の合成
アルゴン気流下 2 0 0 ミ リ リ ツ トル三口フラスコ中で、 6 , 1 2 —ジブ口モナフ タセン （ 4 0 5 7 7 — 7 8 — 4 ) 2 . 1 6 g ( 5 . 6 mm o l ) 、 P d (〇 A c ) 2 0 . 0 6 g ( 0 . 3 m m o 1 ) 、 P ( t B u ) 3 0 . 2 3 g ( 1 . l mm o l ) 、 N a 0 t B u
1 . 5 1 g ( 1 5 . 7 mm o 1 ) . P h 2 N H 1 . 8 9 g ( 1 1 . 2 m m o 1 ) 及び トルエン 2 5 m 1 を加え、 1 2 0 tで 7時間 加熱攪拌し反応させた。 反応終了後放冷し、 赤色結晶を濾取した後 、 ト ルエン と水で洗浄、 減圧乾燥して赤色粉末 3 . 0 2 g を得た 。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物
( 7 5 ) と同定された （収率 9 6 % ) 。 N M R ( C D C 1 3、 T M S ) において、 6 . 8〜 7 . 0 (m、 2 H ) 、 7 . 0〜 7 . 4 ( m、 1 0 H ) 、 7 . 8〜 7 . 9 (m、 1 ト 1 ) 、 8 . 0 〜 8 . 1 ( m 、 1 H ) 、 8 . 8 5 ( s、 1 H ) であった。
実施例 4 9
洗浄した I T 0電極付きガラス板上に、 正孔注入材と して上記化 合物 （ T P D 7 4 ) を膜厚 6 0 n mに真空蒸着した。 次に、 正孔輸
0 6 送材と して上記化合物 （ N P D ) を膜厚 2 0 n mに真空蒸着した。 次に、 発光材料と して上記化合物 （ A 1 q ) および ドーパン ト と して上記化合物 （ 7 5 ) を、 化合物 （ 7 5 ) の割合が 2重量％、 膜 厚 4 0 n mとなるよ う に同時蒸着した。 次に、 電子注入材と して上 記化合物 （ A 1 q ) を膜厚 2 0 n mで蒸着し、 さ らに L i F を膜厚
0 . 5 n mで蒸着後アルミ ニウムを膜厚 1 0 0 n m蒸着し電極を形 成して有機 E L素子を得た。 各層は 1 0 — 6T o r r の真空中で、 基 板温度室温の条件下で蒸着した。 この素子の発光特性は、 直流電圧
8 Vの印加電圧で発光輝度 5 0 0 ( c d Zm2)と高輝度で、 橙色発 光であった。 さ らに初期発光輝度 5 0 0 ( c d / m 2)で、 定電流駆 動したと ころ半減寿命は 2 0 0 0時間を越え特に長寿命であった。 実施例 5 0
ドーパン ト と して上記化合物 （ 7 5 ) に代えて上記化合物 （ 8 6 ) を添加したこ とを除き、 実施例 4 9 と同様にして有機 E L素子を 作製した。 この素子について、 初期発光輝度 5 0 0 ( c d /m2)で 、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 2 0 0 0 時間と長寿命であった 。 発光色は朱色であった。
実施例 5 1
ドーパン ト と して上記化合物 （ 7 5 ) に代えて上記化合物 （ 8 2 ) を添加したこ と を除き、 実施例 4 9 と同様にして有機 E L素子を 作製した。 この素子について、 初期発光輝度 5 0 0 ( c d / m2)で 、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 2 8 0 0 時間以上と長寿命であ つた。 発光色は赤色であった。 合成例 1 3 (化合物 （ 1 0 0 ) )
中間体 Hの合成 アルゴ ン気流下、 冷却管付き 1 リ ツ ト ル三口フ ラスコ中に、 4 一 プロモフ 夕ル酸無水物 2 2 . 7 g ( 0 . 1 m 0 1 ) 、 炭酸ナ ト リ ゥ 厶 4 2 . 4 g ( 0 . 4 m 0 1 ) 、 水 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加 え、 6 0 °C まで加熱し溶解させた。 溶解後室温まで冷却し、 フ エ二 ルボロ ン酸 1 8 . 3 g ( 0 . 1 5 m 0 1 ) と舴酸パラジウム 0 . 7 g ( 3 m 0 1 ) を加え、 室温で一晩攪拌した。 反応終了後、 水を加えて析出晶を溶解させ、 触媒を濾過にて除去後濃塩酸にて酸 祈し、 析出晶を濾取水洗した。 得られた結晶を酢酸ェチルの溶解さ せ、 有機層を抽出した。 fi;¾酸マグネ シ ゥムで乾燥後、 ロータ リ一ェ バポレーターで減圧濃縮し、 目的とする中間体 H 2 3 . 7 g (収 率 9 8 % ) を得た。
中間体 I の合成
冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ トルナスフ ラ スコ中に、 中間体 H 2 3 . 7 g ( 9 8 mm o 1 ) と無水酢酸 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え 、 8 0 °Cにて 3時間攪拌した。 反応終了後、 過剰な無水酢酸を留去 し、 目的とする中間体 I 2 2 g (収率 1 0 %) を得た。
中間体 J の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 ビフヱニル 7 . 7 g ( 5 0 m m 0 1 ) 、 無水塩化アルミ ユウ ム 1 3 . 4 g ( 0 . l m o l ) 、 1 ， 2 —ジクロロェ夕 ン 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 0 tまで冷却した。 次に中間体 I 2 2 g ( 9 8 mm 0 1 ) を徐々に添加し、 4 0 t にて 2 時間攪拌した。 反 応終了後に氷水を加え、 ク ロ口ホルムで分液抽出した。 硫酸マグネ シゥムで乾燥後、 口一タ リ ーエバポレ一夕一で減圧濃縮し、 目的と する中間体 J 1 9 . 0 g (収率 1 0 0 %) を得た。
中間体 Kの合成
0 8 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ルナス フ ラスコ中に、 ボリ リ ン酸 2 0 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 1 5 0 °C に加熱した。 次に、 中間体 J 1 9 g ( 5 0 mm 0 1 ) を少量ずつ添加し、 同温にて 3 時間撹絆 した。 反応終了後に氷水を加え、 ク ロ口ホルムで分液抽出した。 硫 酸マ グネ シ ゥムで乾燥後、 口一タ リ 一エバボ レー ターで減圧濃縮し た。 得られた粗結晶を、 カラムク ロマ ト グラフ （シ リ カゲル、 ク ロ 口ホルム/メ タ ノール = 9 9 / 1 ) で精製し、 目的とする中間体 K 1 9 g (収率 5 5 %) を得た。
中間体 Lの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ルナス フ ラ スコ中 に、 中間体 K 1 9 . 0 g ( 2 8 m m 0 1 ) 、 塩化スズ 0 . 1 9 g ( 1 m m 0 1 ) 、 酢酸 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル、 濃塩酸 5 0 ミ リ リ ッ トルを加え、 2時間加熱還流した。 反応終了後、 反応液を氷水 冷却して析出晶を濾取し、 水で洗浄し目的とする中間体 L 1 9 g (収率 1 0 0 %) を得た。
中間体 Mの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 中間体 L 1 9 . 0 g ( 2 8 mm 0 1 ) 、 ト リ フ エニルホス フ イ ン 1 6 g ( 6 0 mm o l ) 、 D M F 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルをカロ えた。 続いて、 臭素 9 . 6 g ( 6 0 mm o l ) / D M F 5 0 ミ リ リ ッ トルを徐々に滴下した後、 2 0 0 °Cで 8時間加熱撹枠した。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し、 水、 メ タ ノー ルで'洗浄し目的とする中間体 M 6 . 7 g (収率 5 0 %) を得た。 化合物 （ 1 0 0 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 中間体 M 4 . 9 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 ジフ ヱ ニルァ ミ ン 5
0 9 . 1 g ( 3 0 m m o 1 ) . ト リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジノ ラ ジ ウ ム 0 . 1 4 g ( 1 . 5 m 0 1 % ) 、 ト リ ー o — ト ルィ ルホ スフ イ ン ◦ . 9 1 g ( 3 m o l %) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 2 . 9 g ( 3 0 m m 0 1 ) 、 乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを加 えた後、 1 0 0 °C にて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結 晶を濾取し、 メ タ ノール 1 0 0 ミ リ リ ッ トルにて洗浄し、 黄色粉 末 4 . O g を得た。 こ の粉末は、 N M R、 1 ^¾及び？ 0 — ^ 5 の 測定によ り、 化合物 （ 1 0 0 ) と同定された （収率 6 0 % ) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 0 0 ) の反応経路を以下に示 す。
Figure imgf000113_0001
Figure imgf000113_0002
合成例 1 4 (化合物 （ 1 0 1 ) )
中間体 Nの合成
アルゴ ン気流下で、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ルナスフ ラ ス コ 中に、 2 , 6 — ジ ヒ ド ロキ シーア ン 卜 ラキ ノ ン 1 2 g ( 5 0 m m o 1 ) 、 沃化メ チル 4 2 . 5 g ( 0 . 3 m o 1 ) 、 水酸化力 リ ウ ム 1 7 g ( 0 . 3 m o l ) 、 D M S O 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加 え、 室温で 2 時間攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を濾取し、 メ タ ノール 1 0 0 ミ リ リ ツ トルにて洗浄し目的とする中間体 N 1 0 . 7 g (収率 8 0 % ) を得た。
中間体 0の合成
アルゴン気流下で. 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中に、 中間 体 N 1 0 . 7 ( 4 0 m m 0 1 ) 、 乾燥 T H F 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え一 4 0 °C に冷却後、 に 5 Mフ エニル リ チ ウ ムノへキサ ン 溶液 5 3 ミ リ リ ツ トル （ 8 0 m m 0 1 ) を徐々に滴下した。 滴下 終了後、 室温にてー晚攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を濾取 し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルに続きアセ ト ン 1 ◦ 0 ミ リ リ ッ トルにて洗浄した。 得られたジオール体粗結晶はそれ以上精製 せず、 次の反応に用いた。
冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ トルナス フ ラスコ中に、 上記粗結晶、 5 7 %沃化水素水 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル、 酢酸 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 3 時間加熱還流した。 室温まで冷却後、 少量の次亜リ ン 酸を加え、 過剰な沃化水素をクェ ンチした。 析出した結晶を濾取し 、 永 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ノレ、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル、 ァ セ 卜 ン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルの順番で洗浄し目的とする中間体◦ 1 0 . 1 g (収率 7 0 % ) を得た。
中間体 P の合成
1 2 アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 中間体 0 1 0 . 1 g ( 2 8 m m 0 1 ) 、 ト リ フ エ ニルホス フ イ ン 7 . 9 g ( 3 0 m m o l ) 、 D M F 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを 加えた。 続いて、 臭素 4 . 8 g ( 3 0 m m o l ) / D M F 5 0 ミ リ リ ヅ ト ルを徐々に滴下した後、 2 0 0 t で 8時間加熱撹枠した 。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し、 水、 メ タ ノ —ルで洗浄し目的とする中間体 P 8 . 2 g (収率 6 0 % ) を得た 化合物 （ 1 0 1 ) の合成
ァルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三ロフ ラ スコ中 に、 中間体 P 4 . 9 g ( 3 0 m m 0 1 ) 、 ジフ ヱ ニルァ ミ ン 5 . 1 g ( 3 0 m m 0 1 ) 、 卜 リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジノ、 ラ ジ ウム 0 . 1 4 g ( 1 . 5 m o 1 % ) 、 卜 リ ー o — ト ルィ ルホ スフ イ ン 0 . 9 1 g ( 3 m o 1 % ) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 2 . 9 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 乾燥ト ルエ ン 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを加 えた後、 1 0 0 °c にて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結 晶を濾取し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて洗浄し、 黄色粉末
4 . 0 gを得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D — M Sの測 定によ り、 化合物 （ 1 0 1 ) と同定された （収率 6 0 %) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 0 1 ) の反応経路を以下に示 す。
Figure imgf000115_0001
0 P
Figure imgf000116_0001
化合物 101
合成例 1 5 (化合物 （ 9 3 ) )
中間体 Qの合成
アルゴ ン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラスコ中 に、 2 —ブロモ ビフ エニル 1 1 . 7 g ( 5 0 m m 0 1 ) 、 ァニ リ ン 1 9 g ( 0 . 2 m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジパラ ジ ウ ム 0 . 6 9 g ( に 5 m o 1 % ) . ト リ 一 o — ト ルイ ルホスフ ィ ン 0 . 4 6 g ( 3 m 0 1 % ) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 7 . 2 g ( 7 5 m m 0 1 ) 、 乾燥 ト ルエン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた後、 1 0 0 °C にて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出 した結晶を濾取し、 メ タ ノール 1 0 0 ミ リ リ ツ トルにて洗浄して 得られた粗結晶を酢酸ェチル 5 0 ミ リ リ ッ トルにて再結晶し、 目 的とする中間体 Q 9 . 8 g (収率 8 0 % ) を得た。
化合物 （ 9 3 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ ス コ中 に、 9 , 1 0 — ジブロモア ン ト ラセ ン 2 . 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 中間体 Q 7 . 4 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デシ ァセ'ト ン） ジバラ ジ ウ ム ◦ . 1 4 g ( 1 . 5 m 0 1 % ) 、 ト リ 一 o — 卜 ルイ ルホス フ ィ ン 0 . 9 1 g ( 3 m 0 1 % ) 、 t ーブ ト キ シナ ト リ ウム 2 . 9 g ( 3 ◦ m m 0 1 ) 、 乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ リ リ ッ 卜ルを加えた後、 1 0 0 °C にて一晩加熱攪拌した。 反応終了 後、 析出 した結晶を濾取し、 メ タ ノール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて 洗浄 、 黄色粉末 4 . 3 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及 び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 9 3 ) と同定された （収率 6 5 % ) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 9 3 ) の反応経路を以下に示す
Figure imgf000117_0001
Q
Figure imgf000117_0002
化合物 9 3 合成例 1 6 (化合物 （ 9 5 ) )
中間体 Rの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 1 リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中に、 3 — フ エユルフェノ ール 3 4 g ( 0 . 2 m o l ) 、 ト リ フ エニルホス フ ィ ン 5 8 g ( 0 . 2 2 mm o l ) 、 D M F 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた。 続いて、 臭素 3 5 g ( 0 . 2 2 m m 0 1 ) / D M F
1 0 0 ミ リ リ ッ トルを徐々に滴下した後、 2 0 0 °Cで 8時間加熱 撹枠 'した。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し、 水 、 メ タ ノ一ルで洗浄し目的とする中間体 R 3 7 g (収率 8 0 %) を得た。
中間体 Sの合成 アルゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ッ トル三口フ ラ スコ中 に、 ァニリ ン 1 9 g ( 0 . 2 mm o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ン ジ リ デ シア セ ト ン） ジバラ ジ ウ ム 0 . 6 9 g ( 1 . 5 m 0 1 % ) 、 ト リ 一 0 — ト ルィ ルホスフ ィ ン 0 . 4 6 g ( 3 m o 1 %) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 7 . 2 g ( 7 5 mm o 1 ) 、 乾燥 ト ルエ ン 1 0 0 ミ リ リ ッ トルを加えた後、 1 0 0 °Cにて一晩加熱攪拌した。 反応 終了後、 析出した結晶を濾取し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル にて洗浄して得られた粗結晶を酢酸ェチノレ 5 0 ミ リ リ ッ ト ルにて 再結晶し、 目的とする中間体 Q 9 . 8 g (収率 8 0 %) を得た。
化合物 （ 9 5 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ ス コ中 に、 9 , 1 0 —ジブロモア ン ト ラ セ ン 2 . 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 中間体 S 7 . 4 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デン アセ ト ン） ジノ、'ラ ジウ ム ◦ . 1 4 g ( 1 . 5 m 0 1 °/o ) . ト リ ー 0 — ト ルィ ルホスフ ィ ン 0 . 9 1 g ( 3 m 0 1 % ) 、 t ーブ トキ シナ ト リ ウ ム 2 . 9 g ( 3 0 m m 0 1 ) 、 乾燥 ト ルエン 5 0 ミ リ リ ッ トルを加えた後、 1 0 0 °C にて一晩加熱攪拌した。 反応終了 後、 析出した結晶を濾取し、 メ タ ノ一ル 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて 洗浄し、 黄色粉末 4 . 2 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及 び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 9 5 ) と同定された （収率 7 0 %) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 9 5 ) の反応経路を以下に示す
Figure imgf000118_0001
Figure imgf000119_0001
化合物 95
合成例 1 7 (化合物 （ 1 0 4 ) )
中間体 Tの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ノレ三口フ ラスコ中 に、 4 ーブロモ ビフ エニル 1 3 g ( 0 . l m o l ) 、 ア ミ ノ スチ ルベ ン 9 . 8 g ( 5 0 m m 0 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デシァセ ト ン） ジバラ ジウム 0 . 6 9 g ( 1 . 5 m 0 1 % ) . ト リ — o — ト ルィ ルホス フ ィ ン 0 . 4 6 g ( 3 m o 1 %) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 7 . 2 g ( 7 5 mm o 1 ) 、 乾燥ト ルエ ン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた後、 1 ◦ 0 °Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後 、 析出した結晶を濾取し、 メ 夕ノール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて洗 浄して得られた粗結晶を酢酸ェチル 5 0 ミ リ リ ッ ト ルにて再結晶 し、 目的とする中間体 T 1 3 . 9 g (収率 8 0 % ) を得た。
化合物 （ 1 0 4 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 9 , 1 0 _ ジブ口モア ン ト ラセ ン 2 . 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 中間体 T 7 . 4 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デン ア セ ト ン） ジノ、 'ラ ジ ウム 0 . 1 4 g ( 1 . 5 m 0 1 % ) 、 ト リ — 0 — ト ルィ ルホスフ ィ ン 0 . 9 1 g ( 3 m o 1 % ) 、 t ーブ ト キ シナ ト リ ウ ム 2 . 9 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 乾燥ト ルエ ン 5 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた後、 1 0 0 °Cにてー晚加熱攪拌した。 反応終了 後、 析出した結晶を濾取し、 メ 夕 ノール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて 洗浄し、 黄色粉末 4 · 5 g ' を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及 び F D — M Sの測定によ り 、 化合物 （ 1 0 4 ) と同定された （収率 7 0 % ) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 0 4 ) の反応経路を以下に示 す。
-Br ヽ」^ NH-
-NH2
Pd(dba)
NaOtBu PhMe
Figure imgf000120_0001
化合物 104 合成例 1 8 (化合物 （ 1 0 5 ) )
中間体 Uの合成
アルゴ ン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラスコ中 に、 ト リ フ エニルァ ミ ン 2 5 g ( 0 · 1 m o 1 ) 、 N —プロモス ク シ ンイ ミ ド 1 8 g ( 0 . 1 m 0 1 ) 、 2 , 2 ' —ァゾビスイ ソ プチロニ ト リ ル 0 . 8 2 g ( 5 m 0 1 % ) 、 D M F 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加え、 1 1 0 t で 4 時間加熱撹枠した。 反応終了後、 不 純物をろ別し、 ろ液をロータ リ 一エバポレーターで減圧濃縮した。 得られた粗結晶を、 カ ラム ク ロマ ト グラフ （シ リ 力ゲル、 塩化メ チ レ ン） で精製し、 目的とする中間体 U 1 9 g (収率 6 0 %) を得 た。 中間体 Vの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 1 リ ツ ト ル三口フ ラスコ中に、 マグ ネシ ゥ ム 1 . 6 g ( 6 6 mm o l ) 、 ヨウ素の小片、 T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを入れ、 室温で 3 0分間攪拌後、 中間体 U 1 9 g ( 6 0 m o l ) /T H F 3 0 0 ミ リ リ ッ トル溶液を滴下した。 滴下終了後、 6 0 °Cで 1 時間加熱攪拌し G r i g n a r d試薬を調 製した。
アルゴン気流下、 冷却管付き 1 リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中に、 1 , 3 ジブロモベ ンゼ ン 4 2 g ( 0 . 1 8 m m 0 1 ) 、 ジ ク ロ 口 ビス ( ト リ フ エニルホス フ ィ ン） ノ《ラ ジ ウ ム 1 · 1 ( 5 m 0 1 % ) 、 ジイ ソブチルアルミ ニウ ム ヒ ド リ ド / ト ルェン溶液 6 ミ リ リ ッ ト ル （ 1 M , 6 m m 0 1 ) 、 T H F 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた。 ここに上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温して一 晚加熱攪拌した。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取 し、 アセ ト ンで洗浄し目的とする中間体 V 1 4 g (収率 6 0 % ) を得た。
化合物 （ 1 0 5 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラス コ中 に、 マグネシウム 0 . 8 g ( 3 3 m m o 1 ) 、 ヨウ素の小片、 T H F 5 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 室温で 3 0分間攪拌後、 中間体 V
1 2 g ( 3 0 mm o l ) /T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル溶液を滴 下した。 滴下終了後、 6 0 °Cで 1 時間攪拌し G r i g n a r d試薬 を調'製した。
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 9 , 1 0 —ジブロモア ン ト ラ セ ン 3 . 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 ジ ク ロ ロ ビス （ ト リ フ エニルホス フ ィ ン） ノ《ラ ジ ウム 0 . 4 g
1 9 ( 5 m o 1 % ) 、 ジイ ソブチルアル ミ ニウ ム ヒ ド リ ド / ト ルェ ン溶 液 1 ミ リ リ ッ トノレ （ 1 M , 1 m m 0 I ) 、 T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを力卩えた。 こ こ に上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴下し た後、 昇温して一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 反応液を氷水 令却 して析出晶を濾取し、 メ タ ノール 5 0 ミ リ リ ッ トル、 ァセ 卜 ン 5 0 ミ リ リ ッ トルの順で洗浄し、 黄色粉末 4 . 1 g を得た。 この 粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り 、 化合物 （ 1 0 5 ) と同定された （収率 5 0 %) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 0 5 ) の反応経路を以下 丁、 す。
Ph3N
Figure imgf000122_0001
化合物 1 05 合成例 1 9 (化合物 （ 1 2 2 ) )
中間体 Wの合成
ァ）レゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 リ ツ ト ル三口 フ ラ ス コ中に、 1 ， 3 — ジブロモベ ンゼン 1 9 g ( 8 0 m m 0 1 ) 、 ジフ エニル ァ ミ ン 6 . 5 g ( 2 0 m m 0 I ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デンァセ ト ン） ジパラ ジウム 0 . 2 7 g ( 1 . 5 m 0 \ % ) . 卜 リ ー o — ト ルィ ルホス フ ィ ン 0 . 1 8 g ( 3 m 0 1 % ) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 2 . 9 g ( 3 0 m m 0 I ) 、 乾燥ト ルエ ン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた後、 1 0 0 °Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後 、 析出した結晶を濾取し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルにて洗 浄し、 得られた粗結晶を酢酸ェチル 5 0 ミ リ リ ツ ト ルにて再結晶 し、 目的とする中間体 W 4 . 9 g (収率 7 5 %) を得た。
化合物 （ 1 2 2 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ッ トル三口フ ラスコ中 に、 マ グネ シ ウム 0 · 5 g ( 2 0 m m o 1 ) 、 ヨ ウ素の小片、 T H F 5 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 室温で 3 0分間攪拌後、 中間体 W
4 . 9 g ( 1 5 mm o 1 ) /T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ トル溶液を 滴下した。 滴下終了後、 6 0 °Cで 1 時間攪拌し G r i g n a r d試 薬を調製した。
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 9 一 1 0 ジブロモア ン ト ラセ ン 1 . 7 g ( 5 mm 0 1 ) 、 ジ ク ロ 口 ビス （ ト リ フ エ ニルホスフ ィ ン） ノ ラ ジ ウム 0 . 2 g ( 5 m o 1 % ) 、 ジイ ソブチルアル ミ ニウム ヒ ド リ ド / ト ルェ ン溶液 0 . 5 ミ リ リ ッ ト ノレ （ 1 M , 0 . 5 mm o 1 ) . T H F 1 0 0 ミ リ リ ツ トルを加えた。 こ こ に上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴 下した後、 昇温して一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 反応液を氷水 冷却して析出晶を濾取し、 メ タノール 5 ◦ ミ リ リ ッ トル、 ァセ ト ン 5 0 ミ リ リ ッ トルの順で洗浄し、 黄色粉末 1 . 7 gを得た。 この '粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 1 2 2 ) と同定された （収率 5 0 % ) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 2 2 ) の反応経路を以下に示 す。
Figure imgf000124_0001
化合物 12ク
合成例 2 0 (化合物 （ 1 2 3 ) )
中間体 Xの合成
ァルゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 リ ッ ト ル三口フ ラスコ中に、 ブロモベ ンゼン 1 6 g ( 0 . 1 m o 1 ) 、 ア ミ ノ スチルベ ン 9 . 8 g ( 5 ◦ m ΓΏ o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジパ ラ ジウム 0. 6 9 g ( 1 . 5 m o l % ) 、 ト リ 一 0 — ト ルィ ルホ スフ イ ン 0. 4 6 g ( 3 m 0 1 % ) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 7 . 2 g ( 7 5 mm o l ) 、 乾燥トルェ ン 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを 加えた後、 1 0 0 °Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した 結晶を濾取し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ リ リ ッ 卜ルにて洗浄し、 得ら れた粗結晶を酢酸ェチル 5 0 ミ リ リ ッ 卜ルにて再結晶し、 目的と する中間体 X 1 1 g (収率 8 0 %) を得た。
中間体 Yの合成
ァ〉レゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 リ ッ ト ル三口フ ラス コ中に、 ブロモベ ンゼン 3 8 g ( 0 . 1 6 m◦ 1 ) 、 中間体 X 1 1 g (
4 0 m m 0 1 ) ト リ ス （ジべ ンジ リ デシアセ ト ン） ジノくラ ジ ウ ム
0. 5 5 g ( 5 m 0 1 % ) 、 ト リ ー 0 — ト ノレイ ノレホス フ ィ ン
2 2 0 . 3 7 g ( 3 m o 1 % ) . t —ブ ト キシナ ト リ ウム 5 . 8 g ( 6 0 m m o 1 ) 、 乾燥ト ルエ ン 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた後 、 1 2 0 °Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を濾 取し、 メ タ ノール 1 0 0 ミ リ リ ツ トルにて洗浄し、 得られた粗結 晶を酢酸ェチル 5 0 ミ リ リ ッ トルにて再結晶し、 目的とする中間 体丫 1 3 g (収率 7 5 ) を得た。
化合物 （ 1 2 3 ) の合成
アルゴ ン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 マグネシウム 0 . 9 7 g ( 4 0 m m 0 1 ) 、 ヨウ素の小片、 T H F 5 0 ミ リ リ ッ トルを入れ、 室温で 3 0分間攪拌後、 中間体 Y 1 2 g ( 3 0 mm o l ) /T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ル溶液を 滴下した。 滴下終了後、 6 0 °Cで 1 時間攪拌し G r i g n a r d試 薬を調製した。
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 9 , 1 0 —ジブ口モア ン ト ラセ ン 3. 4 g ( 1 0 m m 0 1 ) 、 ジ ク ロ 口 ビス （ ト リ フ エニルホス フ ィ ン） ノ、。ラ ジ ウム 0 . 4 g ( 5 m o 1 %) 、 ジイ ソブチルアルミ ニウム ヒ ド リ ド / ト ルエ ン溶 液 1 ミ リ リ ッ ト ル （ 1 M , 1 m m 0 1 ) 、 T H F 1 0 ◦ ミ リ リ ッ トルを加えた。 こ こに上記 G r i g n a r d試薬を室温で滴下し た後、 昇温して一晚加熱攪拌した。 反応終了後、 反応液を氷水冷却 して析出晶を濾取し、 メ タ ノ ール 5 0 ミ リ リ ツ ト ル、 アセ ト ン 5 ◦ ミ リ リ ッ ト ルの順で洗浄し、 黄色粉末 5 . 4 gを得た。 この 粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 1 2 2 ) と同定された （収率 5 0 %) 。
上記中間体の構造式及び化合物 （ 1 2 3 ) の反応経路を以下に示 す。
2 3
Figure imgf000126_0001
NaOtBu PhMe
X
Figure imgf000126_0002
化合物 123
合成例 2 I (化合物 （ I 2 4 ) )
化合物 （ 1 2 4 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 リ リ ツ ト ル三ロ フ ラス コ中 に、 1 0 , 1 0 ' —ジブ口モー 9 , 9 — ビア ンス リ ル 2• 5 g ( 5 m m 0 1 ) 、 ジ ク ロ ロ ビス （ ト リ フ ヱニルホスフ ィ ン） ノくラ ジ ゥ ム 0 . 2 g ( 5 m 0 1 %) 、 ジイ ソブチルアル ミ ニウ ム ヒ ド リ ド / ト ルエ ン溶液 0 . 5 ミ リ リ ッ ト ル （ 1 M , 0 . 5 mm 0 1 ) 、 T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた。 こ こ に合成例 （ 1 9 ) で 調製した G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温して一晩 加熱攪拌した。 反応終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し 、 メ タ ノール 5 0 ミ リ リ ッ ト ル、 アセ ト ン 5 0 ミ リ リ ツ ト ノレの 順で洗浄し、 黄色粉末 2 . 0 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 （ 1 2 4 ) と同定された （ 収率 6 0 %) 。
上'記化合物 （ 1 2 4 ) の反応経路を以下に示す。
Figure imgf000127_0001
合成例 2 2 (化合物 （ 1 2 5 ) )
化合物 （ 1 2 5 ) の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三□フ ラスコ中 に、 6 , 1 2 ジブ口モ ク リ セ ン 1 . 9 g 5 m .m o 1 、 ジクロ 口 ビス （ ト リ フ エニルホス フ ィ ン） パラ ジ ウ ム 0 . 2 g ( 5 m o 1 % ) 、 ジイ ソブチルアル ミ ニウム ヒ ド リ ド Z ト ルエ ン溶液 0 . 5 ミ リ リ ッ ト ル （ 1 M , 0 . 5 mm 0 1 ) 、 T H F 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを加えた。 こ こ に合成例 （ 1 9 ) で調製した G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温して一晩加熱攪拌した。 反応終了 後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し、 メ タ ノール 5 0 ミ リ リ ッ ト ル、 アセ ト ン 5 0 ミ リ リ ツ トルの順で洗浄し、 黄色粉末 2 . 1 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定 によ り、 化合物 （ 1 2 5 ) と同定された （収率 6 0 %) 。
上記化合物 （ 1 2 5 ) の反応経路を以下に示す。
Figure imgf000127_0002
合成例 2 3 (化合物 （ I 2 6 ) )
化合物 （ I 2 6 ) の合成
2 5 アルゴン気流下、 冷却管付き 5 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 5 , 1 2 — ジブ口モナフ タ セ ン 1 . 9 g ( 5 m m 0 1 ) 、 ジ ク ロ 口 ビス （ ト リ フ エニルホスフ ィ ン） ノ ラ ジ ウム 0 . 2 g ( 5 m o 1 %) 、 ジイ ソブチルアル ミ ニウ ム ヒ ド リ ド / ト ルエ ン溶液 0.. 5 ミ リ リ ッ ト ノレ （ 1 M , 0 . 5 m m 0 1 ) . T H F 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ルを加えた。 こ こ に合成例 （ 1 9 ) で調製した G r i g n a r d試薬を室温で滴下した後、 昇温して一晩加熱攪拌した。 反応 終了後、 反応液を氷水冷却して析出晶を濾取し、 メ タ ノ一ル 5 0 ミ リ リ ッ トル、 アセ ト ン 5 0 ミ リ リ ツ 卜 ルの順で洗浄し、 黄色粉 末 2 . l g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの 測定によ り 、 化合物 （ 1 2 6 ) と同定された （収率 6 0 %) 。
上記化合物 （ 1 2 6 ) の反応経路を以下に示す。
Figure imgf000128_0001
実施例 5 2
2 5 m m X 7 5 m m x 1 . 1 mmの大き さ のガラ ス基板上に、 膜 厚 1 0 0 n mイ ンジウム · スズ酸化物膜の透明性ァ ノー ドを設け、 紫外線とオゾンを併用 して 1 0 分間洗浄した。
のガラ ス基板を真空茶着装置 （日本真空技術 （株） ） を入れ、 約 1 0 _4 P aに減圧した。 その後、 上記 T P D 7 4 を、 蒸着速度 0 . 2 n m/秒で 6 0 n mの厚さ に蒸着した。 次いで、 下記構造の T P D 7 8 を、 蒸着速度 0 . 2 n m/秒で 2 0 n mの厚さ に蒸着した
2 6 次に、 下記構造の D P V D P A N及び発光材料と して上記化合物 ( 1 0 0 ) を同時蒸着して 4 O n mの厚さの発光層を形成した。 こ の時の D P V D P A Nの蒸着速度は 0 . 4 n m/秒、 化合物 （ 1 0 0 ) の蒸着速度は 0 . 0 1 n m /秒であった。 さ らに、 上記 A 1 q を蒸着速度 0 . 2 n m/秒で蒸着し、 最後にアルミ ニウムと リ チウ ム と を同時蒸着するこ とによ り、 陰極を .1 5 O n mの厚さで形成し て有機 E L素子を得た。 この時の、 アルミ ニウムの蒸着速度は 1 n m/秒であ り、 リ チウムの蒸着速度は 0 . 0 0 4 n m/秒であった
Figure imgf000129_0001
得られた有機 E L素子について性能を評価した。 第 4 表に示す電 圧における発光輝度を測定し、 発光効率を算出し、 発光色を観察し た。 さ らに、 窒素気流下で初期発光輝度 5 0 0 ( c d / m 2)で定電 流駆'動し、 発光輝度 2 5 0 ( c d Zm2)となる半減寿命を測定した 。 これらの結果を第 4 表に示す。
実施例 5 3 〜 6 2
実施例 5 2 において、 化合物 （ 1 0 0 ) の代わり に、 発光材料と して第 4 表に示した化合物を使用 した以外は同様にして有機 E L素 子を作製し、 評価した。 それらの結果を第 4 表に示す。
比較例 8
実施例 5 2 において、 化合物 （ 1 0 0 ) の代わり に、 発光材料と して下記ジァ ミ ン化合物
Figure imgf000130_0001
を使用 した以外は同様にして有機 E L素子を作製し、 評価した。 そ れらの結果を第 4 表に示す。
第 4 表
圧 発光輝度 発光効率 半減寿ロ卩 発光色
( V ) (cd V ) ( l m/W) (時間）
5 2 6 . 0 1 2 0 4 . 5 0 1 8 0 0 緑
5 3 6 . 0 2 4 0 3 . 9 0 2 0 0 0 実 5 4 6 . 0 1 3 0 4 . 6 0 1 7 0 0 緑
5 5 6 . 0 2 1 0 4 . 9 0 2 5 0 0 緑
5 6 7 . 0 2 3 0 4 . 0 0 1 5 0 0 黄緑 施 5 7 6 . 0 1 2 0 2 . 9 0 2 1 0 0
5 8 6 . 0 1 8 0 3 . 4 0 1 8 0 0 青緑
5 9 5 . 5 2 2 0 4 . 6 2 1 7 0 0 冃 例 6 0 5 . 5 4 2 0 3 . 1 0 2 2 0 0 青緑
6 1 5 . 5 1 8 0 4 . 2 5 3 1 0 0
6 2 5 . 0 2 4 0 4 . 9 0 3 2 0 0 青緑 比較例 8 6 . 0 1 5 0 3 . 7 0 1 2 0 0 緑 第 4 表に示したよう に、 本発明の一般式 〔 9 〕 及び 〔 1 0 〕 の化 合物,を発光材料又は正孔輸送材料と して使用した実施例 5 2 6 2 の有機 E L素子は、 上記比較例 8 のジア ミ ン化合物を使用 した有機 E L素子に比べ発光輝度、 発光効率及び寿命共に優れていた。
合成例 2 4 (化合物 a )
中間体 Aの合成
2 8 アルゴン気流下 5 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中に、 p —プロ モベ ンズアルデヒ ド 5 0 g ( 0 . 2 7 m 0 1 ) 、 ベ ンジルホスホ ン酸ジェチルエステル 5 0 g ( 0 . 2 2 m m 0 1 ) 、 ジメ チルス ルホキシ ド （ D M S 〇） 2 0 ◦ ミ リ リ ッ トルを仕込んだ。 次に t 一ブ トキシカ リ ウム 3 0 g ( 0 . 2 7 m 0 1 ) を少しずつ添加し 、 室温で一晩攪拌し反応させた。 反応終了後、 反応液を、 水 5 0 0 ミ リ リ ッ トル中に注入し、 酢酸ェチルで抽出した。 硫酸マグネシゥ ムで乾燥後、 ロータ リ ーエバポレーターで減圧濃縮した。 得られた 粗結晶を酢酸ェチル 1 0 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルで再結晶させ、 中間体 A 4 6 g (収率 8 1 °/o ) を得た。
中間体 Bの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フラスコ中 に、 中間体 A I 0 g ( 3 8 m m 0 1 ) 、 ァニリ ン 1 4 g ( 1 5 0 m m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジノ、。ラジウ ム 0 . 5 3 g ( 1 . 5 m o l %) 、 ト リ _ o — ト ルィ ルホスフ ィ ン 0 . 3 5 g ( 3 m o l % ) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウム 7 . 4 g ( 7 7 m 0 1 ) 及び乾燥 ト ルエン 1 0 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルを加えた後 、 1 0 0 °c で一晩加熱攪拌し反応させた。 反応終了後、 析出 した結 晶を濾取し、 メ タ ノ ール 1 0 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルで洗浄した。 得ら れた粗結晶を酢酸ェチル 5 0 ミ ミ リ リ ッ トルで再結晶させ、 中間 体 B 7 . 7 g (収率 7 3 %) を得た。 中間体 Cの合成
冷却管付き 1 0 0 ミ リ リ ツ ト ルナスフ ラ ス コ中に、 4 一ブロモベ ンジルブロ ミ ド 1 2 . 5 g ( 5 0 m m 0 1 ) 、 亜リ ン酸ト リェチ ル 1 2 . 5 ( 7 5 mm 0 1 ) を加え、 1 0 0 °Cで 7時間加熱攪拌し 反応させた。 反応終了後、 過剰な亜リ ン酸 ト リ ェチルを減圧蒸留で 留去し、 中間体 C 1 5 . 4 g を得た。 中間体 Cは、 これ以上精製
2 9 せずに次の反応に用いた。
中間体 Dの合成
アルゴ ン気流下、 3 0 0 ミ リ リ ツ ト ル三口フ ラ スコ中に、 p —ブ ロモベ ンズアルデヒ ド 9 . 2 g ( 5 0 mm 0 1 ) 、 中間体 C 1 5 . 4 g ( 5 0 mm 0 1 ) 、 D M S 0 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを仕込 んだ。 次に t 一ブ トキシカ リ ウム 6 . 7 g ( 6 0 m m 0 1 ) を少 しずつ添加し、 室温でー晚攪拌し反応させた。 反応終了後、 反応液 を、 水 2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル中に注入し、 酢酸ェチルで抽出した。 硫 酸マ グネ シ ウムで乾燥後、. ロータ リ ーエバポレー夕一で減圧濃縮し た。 得られた粗結晶をメ タ ノ ール 1 0 ◦ ミ ミ リ リ ッ トルで洗浄し 、 中間体 D 1 3 g (収率 7 7 % ) を得た。
化合物 aの合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 中間体 B 4 g ( 1 5 mm o l ) 、 中間体 D 2 g ( 6 m m o 1 ) 、 ト リ ス （ジベンジ リ デンアセ ト ン） ジノ ラ ジ ウム 0 . 1 6 g ( 3 m 0 1 % ) 、 ( S ) - B I N A P 0 . 2 2 g ( 6 m o 1 % ) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム に 4 g ( 1 5 m m o 1 ) 及び乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルを加えた後、 1 0 0 °Cで一晩加熱攪 拌し反応させた。 反応終了後、 析出した結晶を濾取してメ タ ノール で洗浄し、 6 0 °Cで一晩加熱乾燥した。 得られた粗結晶をカラムク 口マ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 8 / 2 ) で精製 し、 黄色粉末 1 . 4 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D - M έ ( フ ィ ール ドデイ ソブーシ ヨ ンマススペ ク ト ル） の測定に よ り、 化合物 a と同定された （収率 3 2 % ： 1 H N M R ( 9 0 M H z ) での （ 7 . 0 〜 7 · 4 p p m ( 4 2 H、 m ) ) ) 。 化合物 aの N M Rチ ヤ一 ト を図 1 に示す。 化合物 a の反応式を以下に示す
Figure imgf000133_0001
- >- P(OEt)： Br- -CHO
l Br ■ Br-
POCOE ?
c tBuOK
Figure imgf000133_0002
D
Figure imgf000133_0003
合成例 2 5 (化合物 b )
中間体 E の合成
アルゴ ン気流下、 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ ス コ中に、 p — ト ルアルデヒ ド 6 g ( 5 0 m m o 1 ) 、 中間体 C 1 5 . 4 g ( 5 O m m o 1 ) . D M S O 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを仕込んだ。 次に t 一ブ ト キ シカ リ ウ ム 6 . 7 g ( 6 O m m o 1 ) を少しずつ添加し 、 室温で一晩攪拌し反応させた。 反応終了後、 反応液を水 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル中に注入し、 酢酸ェチルで抽出 した。 硫酸マ グネ シ ウ ム で乾燥後、 口一タ リ ーエバポレ一夕一で減圧濃縮した。 得られた粗 結晶をメ タ ノ ール 1 0 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルで洗浄し、 中間体 E 9 . 2 g (収率 6 7 % ) を得た。
化合物 b の合成
ァルゴ ン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三□フ ラ ス コ中 に、 中間体 E 4 g ( 1 5 m m 0 1 ) 、 N ， N ' — ジフ ヱ二ルペ ン ジシ ン 2 g ( り in m 0 1 リ 、 ト リ ス （ ジベ ンジ リ デンアセ ト ン） ジノ、。ラ ジ ウ ム 0 . 1 6 g ( 3 m o 1 % ) . ( S ) - B I A P
3 0 . 2 2 g ( 6 m o 1 % ) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウ ム に 4 g ( 1 5 m m o I ) 及び乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ ミ リ リ ツ ト ルを加えた後 、 1 0 0 °Cで一晩加熱攪拌し反応させた。 反応終了後、 析出 した結 晶を濾取してメ タ ノールで洗浄し、 6 0 °Cで一晩加熱乾燥した。 得 られた粗結晶をカ ラム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキサ ン / 卜 ルェ ン = 8 / 2 ) で精製し、 黄色粉末 2 . 5 g を得た。 こ の粉末 は、 N M R、 1 R及び F D— M Sの測定によ り、 化合物 b と同定さ れた （収率 5 8 % ： ' H N M κ ( 9 0 Μ Η ζ ) での （5 7 . 0 〜 7 . 4 p p m ( 4 0 H、 m ) 、 2 . 3 4.p p m ( 6 H、 s ) ) ) 。 化合物 b の N M Rチ ヤ 一 卜 を図 2 に示す。
化合物 bの反応式を以下に示す。
Figure imgf000134_0001
Figure imgf000134_0002
化合物 b 合成例 2 6 (化合物 c )
化合物 c の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ ス コ中 に、 中 f曰 3体 B 4 g ( 1 5 m m 0 1 ) 、 1 ， 4 — ジプロモナフ タ レ ン 1 . 7 g ( 6 m m o 1 ) 、 卜 リ ス （ジベ ン ジ リ デンアセ ト ン ". ジバラ ジ ウ ム 0 . 1 6 g ( 3 m 0 1 % ) 、 ( S ) - B I N A P
0 . 2 2 g ( 6 m o 1 % ) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム に 4 g (
3 2 1 5 m m o 1 ) 及び乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルを加えた後 、 1 0 0 °Cで一晩加熱攪拌し反応させた。 反応終了後、 析出 した結 晶を濾取 してメ タ ノ ールで洗浄し、 6 0 °Cで一晩加熱乾燥した。 得 られた粗結晶をカ ラム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ カ ゲル、 へキサ ン / 卜 ルェ ン = 8 / 2 ) で精製し、 黄色粉末 2 . O g を得た。 この粉末 は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り 、 化合物 c と同定さ れた （収率 5 0 % ： ' H ( 9 0 M H z ) での δ 7 . 0 〜 7 . 4 p p m ( 6 8 Η、 m ) ) 。
化合物 c の反応式を以下に示す。
〇 ひ Βι- -Br
Figure imgf000135_0001
B Pd,(dba) , ΒΙΝΑΡ
NaOtBu Ph e 化合物 C
合成例 2 7 (化合物 d )
化合物 d の合成
ァルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラスコ中 に、 中間体 B 4 g ( 1 5 m m 0 1 ) 、 9 , 1 0 — ジプロモア ン ト フ セ ン 2 g (, 6 mm 0 1 ) 、 ト リ ス （ ジベ ン ジ リ デンアセ ト ン） ジパラ ジ ウ ム 0 . 1 6 g ( 3 m 0 1 % ) 、 ト リ ー t —ブチルホス フ ィ ン 0 . 0 7 g ( 6 m 0 1 ) 、 t 一ブ ト キ シナ ト リ ウ ム 1 . 4 g ( 1 5 m m o 1 ) 及び乾燥 ト ルエ ン 5 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルを 加えた後、 1 0 ◦ °c で一晩加熱攪拌し反応させた。 反応終了後、 析 出した結晶を濾取してメ タ ノ ールで洗淨 し、 6 0 rで一晩加熱乾燥 した。 得られた粗結晶をカ ラム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ カゲル、 へキ サ ン / ト ルエ ン = 8 / 2 ) で精製し、 黄色粉末 1 . 9 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り 、 化合物 d と同定された （収率 4 4 % ： 1 H ( 9 0 M H z ) での 7 .
3 3 0 〜 7 . 4 p p m ( 4 0 H、 m ) ) ) 。
化合物 d の反応式を以下に示す。
Figure imgf000136_0001
化合物 d
合成例 2 8 (化合物 e )
中間体 E の合成
アルゴ ン気流下、 3 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラス コ中に、 t r a n s — 4 一 スチルベ ンアルデヒ ド 1 0 . 4 g ( 5 0 m m o 1 ) 、 中間体 C 1 5 . 4 g ( 5 0 m m o l ) , D M S O 1 0 0 ミ リ リ ッ ト ルを仕込んだ。 次に t 一ブ トキシカ リ ウム 6 . 7 g ( 6 0 m m o 1 ) を少しずつ添加し、 室温で一晩攪拌し反応させた。 反応終 了後、 反応液を水 2 0 0 ミ リ リ ツ ト ル中に注入し、 酢酸ェチルで抽 出した。 硫酸マ グネ シ ウムで乾燥後、 口一夕 リ ーエバボレー夕一で 減圧濃縮した。 得られた粗結晶をメ タ ノ ール 1 0 0 ミ ミ リ リ ッ ト ルで洗浄し、 中間体！7 1 2 . 5 g (収率 6 9 % ) を得た。
化合物 e の合成
アルゴン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口フ ラ スコ中 に、 中間体 F 5 . 4 g ( 1 5 mm 0 1 ) 、 N , Ν ' ー ジ フ エニル ベ ン ジジ ン 2 g ( 6 m m 0 1 ) 、 ト リ ス （ ジベ ンジ リ デンァセ ト ン） ジバラ ジ ウ ム 0 . 1 6 g ( 3 m o 1 % ) 、 ト リ ー o — ト ルイ ルホス ブ イ ン 0 . 1 1 g ( 6 m 0 1 % ) 、 t 一ブ トキ シナ 卜 リ ウ ム 1 . 4 g ( 1 5 m m 0 1 ) 及び乾燥 ト ノレエン 5 0 ミ ミ リ リ ツ ト ルを加えた後、 1 0 0 °Cで一晩加熱攪拌し反応させた。 反応終了 後、 析出 した結晶を濾取してメ タ ノールで洗浄し、 6 0 °Cで一晩加
3 4 熱乾燥した。 得られた粗結晶をカ ラ ム ク ロマ ト グラ フ （ シ リ 力 ゲル
、 へキサ ン / ト ルエ ン = 6 / 4 ) で精製し、 黄色粉末 1 . 0 g を 得た。 こ の粉末は、 N M R、 1 R及び F D— M Sの測定によ り 、 化 物 e と同定された （収率 1 9 % 1 H NMR ( 9 0 M H Z ) での 7 . 0 〜 7 . 5 p p m ( 5 2 H m ) ) 。 化合物 e の N M Rチ ヤ ト を図 3 に示す。
化合物 e の反応式を以下に示す
Figure imgf000137_0001
化合物 化合物 f の合成
アルゴ ン気流下、 冷却管付き 2 0 0 ミ リ リ ッ ト ル三口 フ ラス コ中 に、 中間体 A 7 . 8 g ( 3 0 m m o 1 ) 、 4 , 4 ' — ジア ミ ノ ス チルベ ン 二酸化炭素 に 7 g ( 6 mm o l ) 、 ト リ ス （ジベ ン ジ リ デンアセ ト ン） ジノ、。ラ ジ ウ ム 0 . 1 6 g ( 3 m o 1 % ) 、 ( S ) 一 B I N A P 0 . 2 2 g ( 6 m o l 0/o) 、 t —ブ ト キ シナ ト リ ウム 9 . 6 g ( 0 . 1 m o l ) 及び乾燥 ト ルエ ン 5 ◦ ミ ミ リ リ ツ ト ルを加えた後、 1 0 0 °Cで一晩加熱攪拌し反応させた。 反応 終了後 析出 した結晶を濾取してメ タ ノ ールで洗浄し、 6 0 °Cで一 晚加熱乾燥した。 得られた粗結晶をカ ラムク ロマ ト グラフ （シ リ カ ゲル、 へキサ ン / ト ルエ ン = 6 / 4 ) で精製し、 黄色粉末 2 . 0 g を得た。 この粉末は、 N M R、 I R及び F D— M Sの測定によ り
3 5 、 化合物 f と同定された （収率 3 6 % ： ' H ( 9 0 M H z : で の δ 7 . 0 〜 7 . 5 p p m ( 5 4 H、 m ) ) 。
化合物 f の反応式を以下に示す。
Figure imgf000138_0001
化合物 ί 実施例 6 3
洗浄した I Τ 0電極付きガラス板上に、 正孔注入材と して上記 Τ P D 7 を膜厚 6 0 n mに真空蒸着した。
次に、 正孔輸送材と して上記 N P Dを膜厚 2 0 n mに真空蒸着し た。
さ らに、 発光材料と してスチルベ ン誘導体の 4 , 4 ' 一 ビス （ 2 ， 2 —ジフ エ二ルビニル） ビフ ヱ ニル （ D P V B i ) 及び上記化合 物 （ a ) を、 化合物 （ a ) の割合が 2重量0 /0、 膜厚 4 0 n mとなる よ う に同時蒸着した。 尚、 化合物 （ a ) は蛍光性の ドーパン ト又は 発光中心と して機能する。 次に、 電子注入材と して上記 A 1 q を膜 厚 2 0 n mで蒸着し、 さ らに L i F を膜厚 0 . 5 n mで蒸着後アル ミ ニゥ ムを膜厚 1 0 0 n m蒸着し電極を形成して有機 E L素子を得 た。 各層は 1 0 — 6T 0 r r の真空中で、 基板温度室温の条件下で蒸 着した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧で発光輝 度 1 0 0 ( c d / m 2)、 発光効率は 2 . 1 ( 1 m/W) であった。 色度座標は （ 0 . 1 4 6 ， 0 . 1 0 ) と純度の高い青色発光が可 能となった。 また、 初期発光輝度 2 0 0 ( c d /m 2)で、 定電流駆 動したと ころ半減寿命は 2 0 0 0時間と長寿命であった。 これらの
3 6 発光特性を第 5 表に示す。
尚、 化合物 aのェネルギ一ギヤ ッフ'は 2 . 7 8 e V、 D P V B i は 3 . 0 e Vであった。
実施例 6 4
ド一バ ン ト又は発光中心と して、 上記化合物 b を使用 した以外は 実施例 6 3 と同様に して有機 E L素子を作製した。 この素子の発光 特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧で発光輝度 1 1 0 ( c d /m 2)、 発光効率は し 3 ( 1 m/W) であった。 色度座標は （ 0 . 1 5 2 ， 0 . 1 6 3 ) と純度の高い青色発光が可能となった。 また、 初期 発光輝度 2 0 0 ( c d / m 2)で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 1 5 0 0 時間と長寿命であった。 これらの発光特性を第 5表に示す 尚、 化合物 b のエネルギーギャ ッ プは 2 . 9 0 e V、 D P V B i は 3 . 0 e Vであった。
実施例 6 5
ドーパン ト又は発光中心と して、 上記化合物 c を使用 した以外は 実施例 6 3 と同様にして有機 E L素子を作製した。 この素子の発光 特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧で発光輝度 1 3 0 ( c d / m 2)、 発光効率は 2 . 1 ( 1 mZW) であった。 色度座標は （ 0 . 1 6 2 , 0 . 1 8 1 ) と純度の高い青色発光が可能となつた。 また、 初期 発光輝度 2 0 0 ( c d Zm 2)で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 2 8 0 0 時間と長寿命であつた。 これらの発光特性を第 5表に示す 尚、 化合物 c のエネルギーギャ ッ プは 2 . 8 3 e V、 D P V B i は 3 . 0 e Vであった。
実施例 6 6
3 7 ド一パ ン ト又は発光中心と して、 上記化合物 d を使用 した以外は 実施例 6 3 と同様に して有機 E L素子を作製した。 この素子の発光 特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧で発光輝度 3 0 0 ( c d /m z)、 発光効率は 4 . 6 ( 1 m/W) で、 高効率な緑色発光が可能となつ た。 また、 初期発光輝度 2 0 0 ( c d Zm 2)で、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 3 4 0 0時間と長寿命であった。 これらの発光特性 を第 5 表に示す。
尚、 化合物 dのエネルギーギヤ ッ フ'は 2 . 7 8 e V、 D P V B i は 3 . 0 e Vであった。
比較例 9
ド一パン 卜又は発光中心と して下記化合物 （ T P D ) を使用した こ とを除き、 実施例 6 3 と同様にして有機 E L素子を作製した。
Figure imgf000140_0001
この素子の発光特性は、 直流電圧 5 Vの印加電圧で発光輝度 6 0 ( c d / m 2 )、 発光効率 0 . 7 ( 1 m/W) と充分な性能が得られ なかった。 T P Dは発光中心と して機能せず、 このため D P V T P からの発光が得られた。 また、 初期発光輝度 2 0 0 ( c d Zm 2)で 、 定電流駆動したと ころ半減寿命は 1 0 0時間と短かった。 これら の発光特性を第 5表に示す。
尚、 T P Dのエネルギーギヤ ッフ'は 3 . 1 0 e V、 D P V B i は 3 . 0 Vであった。
比較例 1 0
ドーパ ン ト又は発光材料と して上記化合物 a を、 発光材料と して 上記化合物 （ A 1 q ) を使用 したこ と を除き、 実施例 6 3 と同様に
3 8 して有機 E L素子を作製した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧で発光輝度 2 1 0 ( c d /m 2)、 発光効率 1 . 3 ( 1 m / W ) であったが、 A 1 qの桃色発光しか得られなかった。 また 、 初期発光輝度 2 0 0 ( c d /m 2)で定電流駆動したと ころ半減寿 命は 2 0 0時間と寿命が短かった。 これらの発光特性を第 5表に示 す。 化合物 aは発光中心と して機能していなかった。
尚、 化合物 aのエネルギーギャ ップは 2 · 9 5 e V A 1 qは 2 . 7 e Vであった。
比較例 1 1
ドーパ ン ト又は発光材料を使用せず、 単独の発光材料と して上記 化合物 c を使用したこ と を除き、 実施例 6 3 と同様にして有機 E し 素子を作製した。 この素子の発光特性は、 直流電圧 6 Vの印加電圧 で発光輝度 4 0 ( c d /m 2)、 発光効率 0 . 9 ( 1 m/W) と充分 な性能が得られなかった。 また、 初期発光輝度 2 0 0 ( c d /m 2) で定電流駆動したと ころ半減寿命は 1 8 0時間と寿命が短かつた。 これらの発光特性を第 5表に示す。
第 5 表
Figure imgf000141_0001
3 9 第 5 表に示したよ う に、 ホス ト材料に微量 （ 1 〜 2 0重量0/◦) の 上記一般式 〔 1 〕 で示される化合物を ド一パン ト又は発光中心と し て添加した実施例 6 3 〜 6 6 の有機 E L素子は、 比較例 9 〜 1 1 に 比べ発光効率が高く 、 寿命も大幅に長かった。 産業上の利用可能性
本発明の上記一般式 〔 1 〕 、 〔 3 ：] 〜 〔 6 〕 及び 〔 9 〕 〜 〔 1 0 〕 で表される有機 E L素子材料を発光材料、 正孔注入材料、 正孔輸 送材料又は ド―ピン グ材料と して使用 した有機 E L素子は、 低い印 加電圧で実用上充分な発光輝度が得られ、 発光効率が高く 、 長時間 使用しても性能が劣化しずら く 寿命が長く 、 耐熱性にも優れ高温の 環境下でも性能が低下する こ とが無い。
また、 上記一般式 〔 7 〕 及び 〔 8 〕 で表される有機 E L素子材料 を発光材料、 正孔注入材料、 正孔輸送材料又は ドー ピン グ材料と し て使用 した有機 E L素子は、 黄色、 橙色〜赤色の領域において、 低 い印加電圧で実用上充分な発光輝度が得られ、 発光効率が高く 、 長 時間使用 しても性能が劣化しずら く 寿命が長い。
さ らに、 本発明の上記一般式 〔 1 1 〕 で表される化合物からなる 有機ェ レ ク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子用材料又は 〔 1 1 ' 〕 で表され る新規化合物を ドーパ ン ト又は発光中心と して使用 した有機エレ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子は、 低い印加電圧で実用上充分な発光輝度 が得られ、 発光効率が高く 、 長時間使用 して も性能が劣化しずら く 寿命が長 'い。
本発明の方法によ り有機素子用材料を製造する と、 発光効率が高 く 、 寿命が長く 、 高活性な有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ン ス素子用材 料を、 不純物が少な く 高収率で製造する こ と ができ る。
4 0

Claims

請求の範囲
1 . 下記一般式 〔 〕 で示される有機エレ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素 子用材料。
一般式 〔 1 〕
Y — X4 X ■Y
d \
N-A-N [ 1 )
Y3ナ X 'X Y
〔式中、 Aは置換も しく は未置換の炭素原子数 2 2 〜 6 0 のァ リ ー レ ン基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は未置 換の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X ' と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結していてもよい。 丫 1 〜丫 4 は、 それぞれ独立 に、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 d は 0 〜 2 の 整数を表す。 ただし、 Aの炭素原子数 2 6以下の場合には a + b + c + d > 0 であ り 、 A中に 2以上のア ン ト ラセン核は含まない。 一般式 〔 2 〕
Figure imgf000143_0001
Z 〔 2〕
(式中、 R 1 - R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 〗 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リール基、 シァノ基を表すか、 R 1 と R 2 または R 3 と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表す。 ） 〕
2 . 下記一般式 〔 3 〕 で示される有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ン ス素 子用材料。
一般式 〔 3 〕
Y ■X X Y
N-B -N 〔 3 )
Y3ナ X 、X Ύ
〔式中、 Bは置換も し く はC RI未置換の炭素原子数 6 〜 6 0 のァ リ ー レ 一 3
ン基を表す。 X ' 〜 X 4 は、 そ RCIれぞれ独立に、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ 一 レ ン基を表し、 X ' と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結していてもよい。 Y 1 〜丫 4 は それぞれ独立に 、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a d は 0 〜 2 の整 数を表す。 ただし、 B、 X 1 、 X 2 、 X 3 及び X の中の少な く と も 1 っはク リ セン核を含有する。
一般式 〔 2 〕
R 1 R2
I I
c = c - Z 〔 2〕
(式中、 R ' 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R 2 または R 3 と が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表すノ） 〕
3 . —般式 〔 3 〕 が下記一般式 〔 4 〕 で示される請求項 2 記載の有 機ェレ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料。
一般式 [ 4 〕
4 2
Figure imgf000145_0001
〔式中、 X ' 〜 X 4 、 Y ' 〜 Υ 4 及び a〜 d は前記と同一である
3
4. 一般式 〔 3 〕 が下記一般式 〔 5 〕 で示される請求項 2 記載の有 機エ レ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ン ス素子用材料。
一般式 〔 5 〕
〔 5 ]
Figure imgf000145_0002
〔式中、 B、 X ' 〜 X 2 、 Y ' 〜丫 2 及び a〜 b は前記と同一であ る。 〕
5 . 一般式 〔 3 〕 が下記一般式 〔 6 〕 で示される請求項 2記載の有 機ェレ ク ト ロ ルミ ネ ッ セ ンス素子用材料。
一般式 〔 6 〕
〔 6〕
Figure imgf000145_0003
4 3 〔式中、 B、 X ' 〜 X 2 、 Y 1 〜丫 2 及び a〜 b は前記と同一 あ る。 〕 RCI
6 . 下記一般式 RCI 〔 7 〕 で示される有機エレ ク ト 口ルミ ネ ッセ ン ス素 子用材料。
一般式 〔 7 〕 RCI
3一一
Y ■X X Y
N— D— N 〔 7〕
Y •X 、X
c 、 7b
〔式中、 Dはテ ト ラセン核も し く はペン夕セ ン核を含有する 2価の 基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X 4 と X 3 は互いに連結していても良い。 Y 1 〜丫 4 は、 それぞれ独立に、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 d は 0 〜 2 の整数 を表す。
一般式 〔 2 〕
Figure imgf000146_0001
Ζ [ 2〕
(式中、 R 1 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 ~ 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R : または R 3 と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表す。 ） 〕
4 4
7 . 一般式 〔 7 〕 が下記一般式 〔 8 〕 で示される請求項 6記載の有 機エ レ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料。
一般式 〔 8 〕
〔！リ
Figure imgf000147_0001
〔式中、 X 1 〜 X 4 、 丫 1 〜丫 4 及び a〜 d は、 それぞれ独立に、 前記と同一である。 R 5 1〜 R 6 °は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置 換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルコキシ基、 置換も し く は未置 換の炭素原子数 6 〜 2 ◦ のァ リ ール基、 シァ ノ基を表す。 隣接する R 5 '〜 R fi Dは、 互いに連結して飽和も し く は不飽和で置換も し く は 未置換の炭素環を形成していても良い。 〕
8 . 下記一般式 〔 9 〕 で示される有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス素 子用材料。
一般式 〔 9 〕
Υ4· -X8 X -Y
d 、
N-E-N 〔 9 )
Y3ナ X 'X Ύ
b
〔式中、 Eはァ リ ール基置換も し く は未置換のア ン ト ラセ ン核から なる 2価の基を表す。 X 〜 X 8 は、 それぞれ独立に、 置換も し く
4 5 は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X と X 6 、 X 7 と X 8 は互いに連結していても良い。 Y ' 〜丫 4 は それぞ れ独立に、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a d は 0 〜 2 の整数を表す。 ただし、 Eが未置換の
Figure imgf000148_0001
である時は、 X X 8 の少な く と も 2 つは置換も し く は未置換の
Figure imgf000148_0002
を含む。
一般式 〔 2 ]
Figure imgf000148_0003
- Z 〔 2〕
n
(式中、 R 1 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R 2 または R 3 と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表す。 ） 〕
9 . 下記一般式 〔 1 0 〕 で示される有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス 素子用材料。
4 6 般式 〔 1 0 〕
Y ■X . X Υ
N - A r A r - A r Ν [ 1 0 3 Υ 3ナ X 7 、Χ Ύ
c
〔式中、 A r と A r 3 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換 のフ ユ 二 レ ン 置換も し く は未置換の 1 ， 3 ナフ タ レ ン、 置換も し く は未置換の ， 8 ナフ 夕 レ ン、 置換も し く は未置換のフルオレ ン 又は置換も し く は未置換の ビフヱニルからなる 2価の基を表し、 A r 2 は、 置換も し く は未置換のァ ン ト ラセン核、 置換も し く は未置 換のピレ ン核、 置換も し く は未置換のフ ヱナン ト レ ン核、 置換も し く は未置換のク リ セン核、 置換も し く は未置換のペ ン 夕セ ン核、 置 換も し く は未置換のナフ 夕セ ン核又は置換も し く は未置換のフルォ レ ン核からなる 2価の基を表す。 X 5 〜 X 8 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ —し ン基を表し、 X 5 と X f' 、 X 7 と X 8 は互いに連結していても良い。 Y 1 〜 Y 4 は、 それぞれ独立に、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a〜 d は 0 〜 2 の整数を表し、 a + b + c + d ≤ 2 である。 e は 0 も し く は 1 、 f は 1 も し く は 2 を表す。 ただし、 A r 2 がア ン ト ラ セ ン核の場合は、 a = b = c = dで、 かつ A r ' と A r 3 が共に p 一フ ヱニレ ン基の場合を除く 。
一般式 〔 2 〕
Figure imgf000149_0001
(式中、 R R " は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は
4 7 未般置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のァルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子一 \数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R：
2
または RCIと R 1 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 一一
置換の炭素原子 RCI数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は I
一
を表す。 ） 〕
1 0 . 下記一般式 〔 1 RCI 1 〕 で示される有機エ レク ト 口ルミ ネ ッ セ ン 一一
ス素子用材料。 RCI
一般式 〔 1 1 〕
Y X .X Y
N- F - N c
Y X 'X
〔式中、 Fは置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 2 1 のァ リ ー ン基を表す。 X ' 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X ' と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結していてもよい。 Y 1 〜丫 4 は それぞれ独立に 、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a d は 0 〜 2 の整 を表す。 ただし、 a + b + c + d 〉 0 である。
Z 〔 2〕
(式中、 ' R ' 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のァルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R： または R ' と が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未
4 8 置換般の炭素原子数 6 〜 2 0のァ リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 式
を表す。 ） 〕
一
1 1 . 一般1 1 式 〔 1 1 〕 の式中 Fが、 下記一般式 〔 1 2 〕 、 〔 1 3 〕
3
又は 〔 1 4 〕 で示される請求項 1 0記載の有機エレ ク ト 口ルミ ネ ッ センス素子用材料。
一般式 〔 1 2 〕
〔1 2〕
Figure imgf000151_0001
C1 3〕
Figure imgf000151_0002
(式中、 R 5'〜 R 24' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6〜 2 0 のァ リ ール基又はシァ ノ基を表し、 隣接する ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良 い。 ）
一般式 '〔 1 4 〕
4 9
Figure imgf000152_0001
(式中、 R 2 5 ' 〜 R " ' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置 換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表し、 隣接する ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良 い。 ）
1 2 . 有機ェレ ク ト ロルミ ネ ッ センス素子用発光材料である こ と を 特徴とする請求項 1 〜 1 1 のいずれかに記載の有機エ レク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子用材料。
1 3 . 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合 物薄膜を形成してなる有機ェレ ク ト □ルミ ネ ッ セ ンス素子において 、 該有機化合物薄膜の少な く と も一層が請求項 1 〜 1 1 のいずれか に記載の有機エレク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料を含有する層で ある こ と を特徴とする有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子。
1 4 . 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合 物薄膜を形成してなる有機エレク ト ロルミ ネ ッ センス素子において 、 請求項 1 〜 1 1 のいずれかに記載の有機エ レ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ン ス素子角材料を正孔注入材料、 正孔輸送材料及び ド一ピン グ材料の 中から選ばれる少な く と も一種類の材料と して含有する層を、 該電 極間に形成してなるこ と を特徴とする有機エレク ト ロルミ ネ ッ セ ン ス素子。 δ 0
1 5 . 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合 物薄膜を形成してなる有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子において 、 該発光層が請求項 1 〜 1 1 のいずれかに記載の有機エレ ク ト 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料を 0 . 1 〜 2 0重量％含有する こ と を特徴 とする有機エ レ ク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス素子。
1 6 . 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合 物薄膜を形成してなる有機エレク ト 口ルミ ネ ッ セ ンス素子において 、 正孔注入材料、 正孔輸送材料又は ドーピング材料の中から選ばれ る少な く と も一種類の材料に、 請求項 1 〜 1 1 のいずれかに記載の 有機エレク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子用材料を、 それぞれ独立に 0 .
1 〜 1 0重量％含有する こ とを特徴とする有機エ レク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子。
1 7 . —対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合 物薄膜を形成してなる有機ェレク ト ロルミ ネ ッ センス素子において 、 該発光層がスチルベ ン誘導体及び請求項 1 〜 1 1 のいずれかに記 載の素子用材料を含有する層であるこ と を特徴とする有機エレ ク ト ロノレ ミ ネ ッ セ ンス素子。
1 8 . 芳香族三級ァ ミ ン誘導体および/またはフ タ ロ シア二ン誘導 体を含有する層を、 発光層と陽極との間に形成してなる こ と を特徴 とする請求項 1 1 〜 1 7 のいずれかに記載の有機エレク ト ロルミ ネ ッ セ ンス素子。
1 9 . 前記一般式 〔 1 1 〕 で示される有機ェレ ク ト ロル ミ ネ ッセ ン ス素子 '用材料のェネルギ一ギヤ ップが、 ホス ト材料のエネルギ一ギ ヤ ップよ り 0 . 0 7 e V以上小さ いこ とを特徴とする請求項 1 0 〜 1 1 のいずれかに記載の有機エレ ク ト ロルミ ネ ッ センス素子。
2 0 . 下記一般式 〔 1 1 ' 〕 で示される新規化合物。 舟又 ^
式
Y ■X ,Χ Υ
N-F -Ν
Υ X 'X Υ
〔式中、 Fは下記一般式 〔 1 4 〕 で示される基を表す。 X ' 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 3 0 の ァ リ 一レ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結してい ても よい。 Y 1 〜丫 4 は、 それぞれ独立に、 下記一般式 〔 2 〕 で示 される有機基を表す。 a〜 dは 0 〜 2 の整数を表す。 ただし、 a 十 b + c + d > 0 である。
一般式 〔 1 4 〕
〔 1 3
Figure imgf000154_0001
(式中、 R 25' 〜 R 34' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置 換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表し、 隣接する ものが互いに結合し、 飽和又は不飽和の炭素環を形成していて も良 い。 ） '
一般式 〔 2 〕
Figure imgf000154_0002
Z 〔 2 )
5 2 (式中、 R 1 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R 1 と R 2 または R 3 と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基を表す。 nは 0 も しく は 1 を表す。 ） 〕
2 1 . ホス フ ィ ン化合物とパラ ジ ウ ム化合物からなる触媒及び塩基 の存在下で、 下記一般式 〔 1 5 〕
R ( N R ' H ) k 〔 1 5 〕
(式中、 k は 1 〜 3 の整数を表し、 kが 1 の と き R及び R ' は水素 原子、 アルキル基、 置換も し く は無置換のァ リ ール基を表し、 kが 2以上のと き Rはアルキ レ ン基又は置換も し く は無置換のァ リ ー レ ン基、 R ' は水素原子、 アルキル基、 置換も しく は無置換のァ リ 一 ル基を表す。 ） で示される 1 級又は 2級ア ミ ンと、 下記一般式 〔 1 6 〕
A r ( X ) m 〔 1 6 〕
(式中、 A r は置換又は無置換のァ リ ール基を表し、 Xは F、 C 1 、 B r 又は 1 を表し、 mは ！ 〜 3 の整数を表す。 ただし、 R、 R ' 及び A r のう ち少な く と も一種類は置換も し く は無置換のスチ リ ル 基又は炭素原子数 1 5以上の芳香族基を含有し、 kが 2 のと きは N に置換する R ' は異なっていても良い。 ） で示されるァ リ ールハラ ィ ド と を反応させ、 ァ リ ールア ミ ン化合物からなる有機エレク ト ロ ルミ ネ セ ンス素子用材料を製造する こ とを特徴とする有機エレ ク 卜 口ル ミ ネ ッ セ ンス素子用材料の製造方法。
2 2 . 前記ァ リ ールァ ミ ン化合物が、 下記式 〔 1 7 〕 で示される化 合物である こ と を特徴とする請求項 2 1 に記載の有機ェレク ト ロル
5 3 ミ ネ ッ セ ンス素子用材料の製造方法
一般式 〔 1 7 〕
Y X X Y
N— F— N [ 1 7 ]
Y3ナ: X 'X Y
c b
〔式中、 Fは置換も し く は未置換の炭素原子数 6 〜 6 0 のァ リ ーレ ン基を表す。 X 1 〜 X 4 は、 それぞれ独立に、 置換も し く は未置換 の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ーレ ン基を表し、 X 1 と X 2 、 X 3 と X 4 は互いに連結していてもよい。 Y 1 〜 Y 4 は それぞれ独立に 、 下記一般式 〔 2 〕 で示される有機基を表す。 a d は 0 〜 2 の整 数を表す。 ただし、 a + b + c + d > 0 である。
一般式 〔 2 〕
Figure imgf000156_0001
― Z 〔 2〕
(式中、 R ' 〜 R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も し く は 未置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキル基、 置換も し く は未置換の 炭素原子数 6 〜 2 0 のァ リ ール基、 シァ ノ基を表すか、 R ' と R 2 または R 3 と R 4 が結合した三重結合を表す。 Zは置換も し く は未 置換の炭素原子数 6 〜 2 0 のァ.リ ール基を表す。 nは 0 も し く は 1 を表す。 ） 〕
2 3 . 前記ホス フ ィ ン化合物が、 ト リ アルキルホスフ ィ ン化合物、 ト リ ア リ ールホスフ ィ ン化合物又はジホスフ ィ ン化合物である こ と を特徴とする請求項 2 1 に記載の有機エレ ク ト 口ルミ ネ ッ セ ンス素 子用材料の製造方法。
5 4
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6929871B2 (en) * 2000-09-07 2005-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electric-field light-emitting element
JP2005268133A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fuji Xerox Co Ltd 電界発光素子
WO2006070712A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物
WO2007017995A1 (ja) * 2005-08-08 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1922382A1 (en) 2005-08-16 2008-05-21 Gracel Display Inc. Green electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
JP2008133264A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器
US7429425B2 (en) * 2002-08-12 2008-09-30 Idemitsu Kosan Company, Ltd. Oligoarylene derivatives and organic electroluminescent devices made by using the same
WO2009008353A1 (ja) * 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. クリセン誘導体、及び、有機ｅｌ素子
JP2009051764A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Hodogaya Chem Co Ltd 置換されたフェナントレン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009242806A (ja) * 1998-12-28 2009-10-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US7642380B2 (en) 2006-03-03 2010-01-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US7651786B2 (en) 2002-07-19 2010-01-26 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US7691491B2 (en) * 2002-08-30 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Monoaminofluorene compound and organic light-emitting device using the same
US7732619B2 (en) 2006-09-29 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device
US7737628B2 (en) 2005-02-07 2010-06-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
EP2200104A2 (en) 2008-12-19 2010-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device
US7816017B2 (en) 2005-03-15 2010-10-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US7935854B2 (en) 2006-10-03 2011-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance
JP5191496B2 (ja) * 2007-12-28 2013-05-08 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013100321A (ja) * 2006-10-24 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体
KR101322846B1 (ko) 2005-12-31 2013-10-30 삼성디스플레이 주식회사 아릴렌계 유도체 및 이를 사용하여 제조된 유기 전계 발광소자
CN103554954A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 烟台澳土复合材料有限公司 一种新型有机发光二极管用发红光荧光染料及其制备方法
US8664263B2 (en) 2011-01-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US8911882B2 (en) 2006-09-28 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US10312452B2 (en) 2005-03-18 2019-06-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device utilizing the same

Families Citing this family (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1061112A4 (en) * 1998-12-28 2004-12-29 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
KR100721656B1 (ko) * 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
WO2001056091A2 (de) * 2000-01-28 2001-08-02 Siemens Aktiengesellschaft Ladungstransportmaterial mit erhöhter glasübergangstemperatur und verwendung des materials
KR20020061815A (ko) * 2001-01-18 2002-07-25 베스 주식회사 α,α'-디페닐펜타센을 이용한 적색 유기전계발광소자
EP1235466B1 (en) * 2001-02-19 2018-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display
US6849345B2 (en) * 2001-09-28 2005-02-01 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high luminance
KR100777720B1 (ko) * 2001-12-20 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자 및 그 제조방법
JP3848262B2 (ja) * 2002-03-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 オリゴフルオレニレン化合物及び有機発光素子
AU2003233516A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-11 Zeolux Corporation Feedback enhanced ligth emitting device
JP4585750B2 (ja) * 2002-08-27 2010-11-24 キヤノン株式会社 縮合多環化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP4311707B2 (ja) * 2002-08-28 2009-08-12 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4164317B2 (ja) * 2002-08-28 2008-10-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
WO2004044088A1 (ja) * 2002-11-12 2004-05-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4152173B2 (ja) * 2002-11-18 2008-09-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4287198B2 (ja) 2002-11-18 2009-07-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7629060B2 (en) 2002-11-26 2009-12-08 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
KR20040053407A (ko) * 2002-12-14 2004-06-24 (주)그라쎌 유기전기 발광소자
EP1582516B1 (en) * 2003-01-10 2013-07-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogenous heterocyclic derivative and organic electroluminescent element employing the same
EP1443093A1 (de) * 2003-01-29 2004-08-04 Samsung SDI Co., Ltd. Molekulare zur Emission von Photolumineszenzstrahlen befähigte, chemische Verbindungen mit elektronenverschiebbaren Strukturen und ihre Verwendung in Photolumineszenz-Löschungsanzeigeelementen
US7402343B2 (en) 2003-01-29 2008-07-22 Samsung Sdi Co., Ltd. Molecular chemical compounds with structures allowing electron displacement and capable of emitting photoluminescent radiation, and photoluminescence quenching device employing the same
KR100525409B1 (ko) * 2003-03-05 2005-11-02 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
JP4192713B2 (ja) * 2003-07-25 2008-12-10 富士ゼロックス株式会社 アリールアミン化合物、電荷輸送材料、電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
US7686978B2 (en) * 2003-09-24 2010-03-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for the application of active materials onto active surfaces and devices made with such methods
KR100623231B1 (ko) * 2003-11-29 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 산화 방지제를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20130047771A (ko) * 2004-05-12 2013-05-08 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체, 이를 이용한 유기 전기 발광 소자 및 방향족 아민 유도체의 제조방법
US7541099B2 (en) * 2004-05-21 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative and light emitting element and light emitting device using the same
US7622200B2 (en) * 2004-05-21 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
US7375370B2 (en) * 2004-08-05 2008-05-20 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US7326955B2 (en) * 2004-08-05 2008-02-05 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
GB0417927D0 (en) * 2004-08-12 2004-09-15 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
JP4832304B2 (ja) * 2004-08-31 2011-12-07 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070292714A1 (en) * 2004-09-17 2007-12-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic Amine Derivative and Organic Electroluminescent Device Using Same
US7646010B2 (en) * 2004-11-26 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
GB0426675D0 (en) * 2004-12-06 2005-01-05 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
KR101325942B1 (ko) 2004-12-28 2013-11-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 안트라센 유도체, 및 이를 이용한 발광 소자, 발광 장치, 및 전자 기기
CN102522503B (zh) 2004-12-28 2014-08-20 株式会社半导体能源研究所 蒽衍生物、使用它的发光元件和使用它的发光器件
US20060182994A1 (en) * 2005-01-18 2006-08-17 Yukinari Sakamoto Anthracene derivative, organic electroluminescent device, and display unit
KR100696505B1 (ko) 2005-03-31 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP5295756B2 (ja) * 2005-04-14 2013-09-18 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子素子のための化合物
JP4848134B2 (ja) * 2005-04-18 2011-12-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8057916B2 (en) * 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
TWI268121B (en) 2005-04-21 2006-12-01 Au Optronics Corp Light emission material and organic electroluminescent device using the same
US20090072717A1 (en) * 2005-04-21 2009-03-19 The Regents Of The University Of California Highly efficient polymer light-emitting diodes
US20060240281A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Eastman Kodak Company Contaminant-scavenging layer on OLED anodes
KR101324758B1 (ko) * 2005-07-14 2013-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 카르바졸 유도체, 및 그것을 사용하여 얻어진 발광소자용재료, 발광소자, 전자기기
US7879464B2 (en) 2005-07-27 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, material for light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic appliance
WO2007015407A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Carbazole derivative, light-emitting element material obtained by using carbazole derivative, light-emitting element, and electronic device
KR100736619B1 (ko) * 2005-10-12 2007-07-09 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
US8647753B2 (en) * 2005-10-12 2014-02-11 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device
CN100441567C (zh) * 2005-11-02 2008-12-10 苏州大学 丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯类侧链型发光聚合物及其合成
JP2007137837A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100828173B1 (ko) * 2005-11-22 2008-05-08 (주)그라쎌 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고 있는 표시소자
US20070252516A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
DE102005058558A1 (de) * 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US20070134512A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
US20070141393A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Eastman Kodak Company Amino anthracene compounds in OLED devices
KR100754468B1 (ko) 2006-01-13 2007-09-03 네오뷰코오롱 주식회사 청색 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광다이오드
CN101371619B (zh) * 2006-01-18 2013-11-13 Lg化学株式会社 具有堆叠式有机发光单元的oled
KR100852328B1 (ko) * 2006-03-15 2008-08-14 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기 전기 발광 소자
US9118020B2 (en) * 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
EP2355198B1 (en) 2006-05-08 2015-09-09 Global OLED Technology LLC OLED electron-injecting layer
KR20090080521A (ko) * 2006-11-14 2009-07-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 박막 트랜지스터 및 유기 박막 발광 트랜지스터
JP2008158436A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Fujifilm Finechemicals Co Ltd 電子写真感光体、電子写真装置およびプロセスカートリッジ
US8115378B2 (en) 2006-12-28 2012-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications
US20100068542A1 (en) * 2006-12-29 2010-03-18 3M Innovative Properties Company Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid films
US8227040B2 (en) * 2006-12-29 2012-07-24 3M Innovative Properties Company Method of curing metal alkoxide-containing films
KR100835601B1 (ko) * 2007-01-26 2008-06-09 주식회사 두산 비대칭 스티릴 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US8795855B2 (en) * 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
EP2139846B1 (en) * 2007-04-26 2016-09-07 LG Chem, Ltd. New diamine derivatives and organic electronic device using the same
US7948165B2 (en) * 2007-05-09 2011-05-24 Global Oled Technology Llc High-performance tandem white OLED
KR101554751B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 녹색 발광 재료
KR101554750B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 진청색 발광 용도를 위한 크라이센
WO2008147721A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chrysenes for blue luminescent applications
JP5401449B2 (ja) * 2007-06-01 2014-01-29 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光用途のためのクリセン類
JP5292394B2 (ja) * 2007-06-01 2013-09-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 青色発光材料
US20090053559A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Spindler Jeffrey P High-performance broadband oled device
US20090091242A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Liang-Sheng Liao Hole-injecting layer in oleds
KR100935356B1 (ko) * 2007-11-19 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기 전기 발광 소자
KR20100077200A (ko) * 2007-11-20 2010-07-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 고분자 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR100940938B1 (ko) * 2007-12-04 2010-02-08 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
EP2235131A4 (en) * 2007-12-28 2013-10-02 3M Innovative Properties Co FLEXIBLE ENCAPSULATION FILM SYSTEMS
KR100991416B1 (ko) * 2007-12-31 2010-11-03 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR100974562B1 (ko) * 2007-12-31 2010-08-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR101001384B1 (ko) * 2008-02-29 2010-12-14 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
KR100901887B1 (ko) * 2008-03-14 2009-06-09 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자
KR100989815B1 (ko) * 2008-03-20 2010-10-29 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100946411B1 (ko) * 2008-03-28 2010-03-09 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100910150B1 (ko) * 2008-04-02 2009-08-03 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR20090105495A (ko) * 2008-04-02 2009-10-07 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
KR101495547B1 (ko) * 2008-04-17 2015-02-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 전자 재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자소자
KR20090111915A (ko) * 2008-04-23 2009-10-28 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
CN102026957B (zh) 2008-05-16 2014-01-29 株式会社半导体能源研究所 三芳基胺衍生物、发光装置及电子设备
KR100924145B1 (ko) 2008-06-10 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR20100000772A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
WO2009158555A2 (en) 2008-06-26 2009-12-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
WO2010002755A2 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 3M Innovative Properties Company Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films
EP2145936A3 (en) * 2008-07-14 2010-03-17 Gracel Display Inc. Fluorene and pyrene derivatives and organic electroluminescent device using the same
KR20100041043A (ko) * 2008-10-13 2010-04-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
US8277741B2 (en) 2008-10-28 2012-10-02 Mccabe Colin Adam Anti-germicidal and/or antimicrobial apparatus for reducing and/or eliminating germs and/or bacteria from the soles of footwear and method for use
US20110215715A1 (en) * 2008-11-19 2011-09-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for blue or green luminescent applications
US20110037056A1 (en) * 2008-12-12 2011-02-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive composition and electronic device made with the composition
US8932733B2 (en) 2008-12-19 2015-01-13 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene derivative host materials
TW201038532A (en) 2008-12-19 2010-11-01 Du Pont Anthracene compounds for luminescent applications
US8531100B2 (en) 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
WO2010114583A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
EP2671936B1 (en) 2009-05-19 2015-06-24 E. I. du Pont de Nemours and Company Chrysene compounds for luminescent applications
EP2449054A4 (en) 2009-07-01 2013-05-29 Du Pont CHRYSENE COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
US8877356B2 (en) * 2009-07-22 2014-11-04 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized yellow light-emitting layer
KR101108154B1 (ko) * 2009-08-10 2012-02-08 삼성모바일디스플레이주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기층을 구비한 유기 발광 소자
KR101097313B1 (ko) * 2009-08-10 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101545774B1 (ko) 2009-08-13 2015-08-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 크라이센 유도체 재료
WO2011028482A2 (en) 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8476620B2 (en) 2009-08-24 2013-07-02 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
KR101193182B1 (ko) * 2009-09-02 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US20110057151A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Add-Vision, Inc. Ionic salt combinations in polymer electroluminescent inks
EP2483366A4 (en) 2009-09-29 2013-05-01 Du Pont DEUTERATED COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
CN102596950A (zh) 2009-10-29 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的氘代化合物
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
JP2011222831A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101191644B1 (ko) 2010-05-18 2012-10-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 재료와 이를 이용한 유기 발광 장치
WO2012009729A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Organic additives for improved lifetimes in organic and solution processible electronic devices
TW201229003A (en) * 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229204A (en) * 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
US20130248843A1 (en) * 2010-12-17 2013-09-26 E I Du Pont De Nemours And Company Anthracene derivative compounds for electronic applications
JP5727038B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-03 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 電子技術応用のための組成物
KR101995337B1 (ko) * 2012-10-31 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR102424977B1 (ko) 2015-04-14 2022-07-26 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP6693053B2 (ja) * 2015-06-03 2020-05-13 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器
KR102630644B1 (ko) * 2015-12-17 2024-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20180010136A (ko) * 2016-07-20 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN108129333B (zh) * 2016-12-01 2022-04-15 北京鼎材科技有限公司 一种4位菲取代衍生物及其应用
KR102029000B1 (ko) * 2019-06-25 2019-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
CN111744557B (zh) * 2020-07-07 2021-03-12 广东海洋大学 一种纳米羟基磷灰石/n-马来酰化壳聚糖复合材料及其制备方法和应用

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931371A (en) * 1987-11-24 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
JPH061973A (ja) * 1992-06-18 1994-01-11 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5338634A (en) * 1991-07-31 1994-08-16 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photosensitive member comprising an amino compound
US5389480A (en) * 1991-10-02 1995-02-14 Mitsubishi Kasei Corporation Electrophotographic photoreceptor
JPH0853397A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
JPH0887122A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 正孔輸送材料およびその用途
JPH09268284A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09304952A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
US5698740A (en) * 1993-10-01 1997-12-16 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Hole-transport material
JPH1017531A (ja) * 1996-07-05 1998-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 芳香族三級アミン化合物の製造方法及びその合成中間体
JPH1088120A (ja) * 1996-09-17 1998-04-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10125468A (ja) * 1996-08-30 1998-05-15 Mitsui Chem Inc 有機電界発光素子
JPH10237438A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機電界発光素子
JPH10251633A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1174079A (ja) * 1997-06-20 1999-03-16 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11102784A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11135261A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4764625A (en) 1980-12-12 1988-08-16 Xerox Corporation Process for preparing arylamines
JPS6488120A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Toshiba Corp Flow rate measuring instrument
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JP2928343B2 (ja) * 1990-07-06 1999-08-03 松下冷機株式会社 冷凍冷蔵庫
US5061569A (en) * 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
DE69432686T2 (de) 1993-09-29 2004-03-18 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Acrylendiamin-Derivate und diese enthaltendes organisches Elektrolumineszenzelement
JP3471910B2 (ja) 1994-08-09 2003-12-02 靖彦 城田 有機ｅｌ素子
EP0805143B1 (en) 1995-01-19 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent element, organic thin film, and triamine compounds
JP3712760B2 (ja) * 1995-05-17 2005-11-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
EP0765106B1 (en) * 1995-09-25 2002-11-27 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5929281A (en) * 1996-04-19 1999-07-27 Tosoh Corporation Process for producing heterocyclic aromatic amine or arylamine
EP0891121B8 (en) * 1996-12-28 2013-01-02 Futaba Corporation Organic electroluminescent elements
US5891587A (en) * 1997-02-27 1999-04-06 Xerox Corporation Electroluminescent devices
JP4111406B2 (ja) * 1997-02-27 2008-07-02 エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド Ｅｌデバイス及び光導電性画像形成部材
EP1029909A4 (en) * 1998-09-09 2007-01-10 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PHENYLENE DERIVATIVES
EP1061112A4 (en) * 1998-12-28 2004-12-29 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
EP2295519B1 (en) * 2002-07-19 2016-05-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent devices and organic luminescent medium
WO2004044088A1 (ja) * 2002-11-12 2004-05-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4832304B2 (ja) * 2004-08-31 2011-12-07 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4848134B2 (ja) * 2005-04-18 2011-12-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931371A (en) * 1987-11-24 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
US5338634A (en) * 1991-07-31 1994-08-16 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photosensitive member comprising an amino compound
US5389480A (en) * 1991-10-02 1995-02-14 Mitsubishi Kasei Corporation Electrophotographic photoreceptor
JPH061973A (ja) * 1992-06-18 1994-01-11 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5698740A (en) * 1993-10-01 1997-12-16 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Hole-transport material
JPH0853397A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
JPH0887122A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 正孔輸送材料およびその用途
JPH09268284A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09304952A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH1017531A (ja) * 1996-07-05 1998-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 芳香族三級アミン化合物の製造方法及びその合成中間体
JPH10125468A (ja) * 1996-08-30 1998-05-15 Mitsui Chem Inc 有機電界発光素子
JPH1088120A (ja) * 1996-09-17 1998-04-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10237438A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機電界発光素子
JPH10251633A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1174079A (ja) * 1997-06-20 1999-03-16 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11102784A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11135261A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1061112A4 *

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009242806A (ja) * 1998-12-28 2009-10-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4630378B2 (ja) * 1998-12-28 2011-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US6929871B2 (en) * 2000-09-07 2005-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electric-field light-emitting element
US7879465B2 (en) 2000-09-07 2011-02-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electric-field light-emitting element
US8841003B2 (en) * 2000-09-07 2014-09-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electric-field light-emitting element
US8324802B2 (en) 2002-07-19 2012-12-04 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US7651786B2 (en) 2002-07-19 2010-01-26 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US8334648B2 (en) 2002-07-19 2012-12-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US7927716B2 (en) 2002-07-19 2011-04-19 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US9728727B2 (en) 2002-07-19 2017-08-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US9960358B2 (en) 2002-07-19 2018-05-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US10243145B2 (en) 2002-07-19 2019-03-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organic light emitting medium
US7429425B2 (en) * 2002-08-12 2008-09-30 Idemitsu Kosan Company, Ltd. Oligoarylene derivatives and organic electroluminescent devices made by using the same
US7691491B2 (en) * 2002-08-30 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Monoaminofluorene compound and organic light-emitting device using the same
JP4734836B2 (ja) * 2004-03-19 2011-07-27 富士ゼロックス株式会社 電界発光素子
JP2005268133A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fuji Xerox Co Ltd 電界発光素子
JPWO2006070712A1 (ja) * 2004-12-28 2008-06-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物
WO2006070712A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物
US7737628B2 (en) 2005-02-07 2010-06-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US7816017B2 (en) 2005-03-15 2010-10-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US8058478B2 (en) 2005-03-15 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US10312452B2 (en) 2005-03-18 2019-06-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device utilizing the same
JP2007045725A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US7405326B2 (en) 2005-08-08 2008-07-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivatives and electroluminescence device using the same
WO2007017995A1 (ja) * 2005-08-08 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1922382A1 (en) 2005-08-16 2008-05-21 Gracel Display Inc. Green electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
KR101322846B1 (ko) 2005-12-31 2013-10-30 삼성디스플레이 주식회사 아릴렌계 유도체 및 이를 사용하여 제조된 유기 전계 발광소자
US7642380B2 (en) 2006-03-03 2010-01-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US8911882B2 (en) 2006-09-28 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8134148B2 (en) 2006-09-29 2012-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device
US9174927B2 (en) 2006-09-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device
US7732619B2 (en) 2006-09-29 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device
US8704215B2 (en) 2006-09-29 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device
US7935854B2 (en) 2006-10-03 2011-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance
US8420874B2 (en) 2006-10-03 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance
JP2008133264A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器
JP2013100321A (ja) * 2006-10-24 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体
WO2009008353A1 (ja) * 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. クリセン誘導体、及び、有機ｅｌ素子
JP2009051764A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Hodogaya Chem Co Ltd 置換されたフェナントレン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9391279B2 (en) 2007-12-28 2016-07-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
US8518560B2 (en) 2007-12-28 2013-08-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
JP5191496B2 (ja) * 2007-12-28 2013-05-08 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US10297765B2 (en) 2007-12-28 2019-05-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
US11133478B2 (en) 2007-12-28 2021-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
US8102116B2 (en) 2008-12-19 2012-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device
EP2200104A2 (en) 2008-12-19 2010-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device
US8664263B2 (en) 2011-01-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN103554954B (zh) * 2013-11-15 2015-05-20 烟台澳土复合材料有限公司 一种新型有机发光二极管用发红光荧光染料及其制备方法
CN103554954A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 烟台澳土复合材料有限公司 一种新型有机发光二极管用发红光荧光染料及其制备方法

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