WO1999034655A1

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Publication number: WO1999034655A1
Application number: PCT/JP1998/005932
Authority: WO
Inventors: Seiji Shirai; Kenichi Shimada; Motoo Asai
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 1997-12-29
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 1999-07-08
Also published as: TW401726B; KR100709513B1; DE69837110D1; CN1283380A; CN1192694C; CN1322796C; EP1043922A1; MY119533A; EP1778000A2; WO1999034654A1; KR20010033667A; US6365843B1; CN1620223A; EP1043922B1; EP1043922A4; DE69837110T2; EP1778000B1; EP1778000A3

Description

明細書多層プリント配線板技術分野

この発明は、下層のバイァホールの直上に上層のバイァホールを形成するフィルドビア構造を有する多層プリント配線板に関するものである。背景技術

いわゆるビルドアップ多層プリント配線板においては、第 2 0図（A) に示すようにバイァホール 6 5 0によって、下層の導体回路 6 3 4と上層の導体回路 6 5 2とが電気的に接続されている。該バイァホール 6 5 0は、層間樹脂絶縁層 6 4 0に穿設された開口部 6 4 2の内面にめっき膜 6 4 8を設けることにより形成されている。このバイァホール 6 5 0を形成するめつき層 6 4 8の内側には、上層の層間樹脂絶縁層 6 6 0を形成する樹脂 6 6 0 aが充填されている。このため、該バイァホール 6 5 0の上層にバイァホールを図中点線に示すように形成すると、めっき層 6 4 8の内側に充填された樹脂 6 6 0 aにより両バイァホール間の接続が困難と成る。

このため、バイァホールの上にバイァホールを形成する際、即ち、高密度化を図るため、配線を介さずバイァホールにバイァホールを直接接続するときには、第 2 1図（I ) に示すように層間樹脂絶縁層 5 4 0の開口部 5 4 2をめつき 5 4 8にて充填するいわゆるフィルドビア構造により多層プリント配線板を形成している。係る技術が本出願人に係る特開平 2— 1 8 8 9 9 2号、特開平 3— 3 2 9 8号、特開平 7— 3 4 0 4 8号に開示されている。

このバイァホールの上にバイァホールを形成する方法について第 2 0図 ( B ) 〜第 2 1図（I ) を参照して説明する。

先ず、表面に導体回路 5 3 4を形成した基板 5 3 0の上下面に下層層間樹脂絶縁層を形成する樹脂 5 4 0を塗布する（第 2 0図（B ) 参照）。そして、該層間樹脂絶縁層 5 4 0にバイァホールを形成するための開口部 5 4 2を形成する（第 2 0図（C ) 参照）。引き続き、基板 5 3 0の表面に均一に無電解めつき膜 5 4 4を析出させた後に、レジスト層 5 4 6を形成する（第 2 0図（D ) 参照）。そして、該レジスト層 5 4 6の非形成部に電解めつき膜 5 4 8を析出させることで、バイァホール 5 5 0及び導体回路 5 5 2を形成する（第 2 0図 ( E ) 参照）。その後、レジスト層 5 4 6及びレジスト層の下層の無電解めつき膜 5 4 4を剥離してから、基板 5 3 0の表面に上層の層間樹脂絶縁層となる樹脂 5 6 0を塗布する（第 2 1図（F ) 参照）。そして、フォトエッチングにより該層間樹脂絶縁層 5 6 0にバイァホールを形成するための開口部 5 6 2を形成する（第 2 1図（G) 参照）。引き続き、基板 5 3 0の表面に均一に無電解めつき膜 5 6 4を析出させた後に、レジスト層 5 6 6を形成し、該レジスト形成 5 6 6の非形成部に電解めつき膜 5 6 8を析出させる（第 2 1図（H) 参照）。最後に、レジスト層 5 6 6及びレジスト層の下層の無電解めつき膜 5 6 4を剥離することで、上層バイァホール 5 7 0及び導体回路 5 7 2を完成する (第 2 1図（ I ) 参照）。

しかしながら、上述した製造方法に係る多層プリント配線板においては、下層のバイァホール 5 5 0と上層のバイァホール 5 7 0との接続信頼性が低かつた。この原因を本発明者が研究したところ、第 2 0図（E ) に示すように、層間樹脂絶縁層 5 4 0に形成された開口部 5 4 2に電解めつき 5 4 8を析出させた際に、バイァホール 5 5 0の中央部に窪み 5 5 0 aができるためであるとの知見を得た。即ち、第 2 1図（F ) に示すよう該バイァホール 5 5 0上に上層の層間樹脂絶縁層と成る樹脂 5 6 0を塗布した際に、該窪み 5 5 0 aの上の樹脂 5 6 0の厚み h 1と、該窪み 5 5 0 a以外の部位における厚み h 2とが異なるため、第 2 1図（G) に示すようにフォトエッチングにより該層間樹脂絶縁層 5 6 0にバイァホールを形成するための開口部 5 6 2を形成した際に、窪み 5 5 0 a内に樹脂 5 6 0 aが僅かに残る。即ち、第 2 1図（I ) に示すように該樹脂 5 6 0 aにより絶縁されるため、下層バイァホール 5 5 0と上層バイァホール 5 7 0との接続信頼性が低下していることが分かった。

また、上述した窪み 5 5 0 a内の樹脂 5 6 0 a以外にも酸化被膜により下層のバイァホール 5 5 0と上層のバイァホール 5 7 0との接続信頼性が低下していることが分かった。即ち、第 2 0図（E ) に示すように電解めつき層 5 4 8 により下層バイァホール 5 5 0を形成した際に、該下層バイァホール 5 5 0の表面に酸化皮膜が形成される。ここで、第 2 1図（J ) に示すように、上層層間樹脂絶縁層 5 6 0は、熱収縮を繰り返す際に該下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0とを引き離す方向に応力を加わえる。この際に、下層バイァホール 5 5 0と上層バイァホール 5 7 0との界面、即ち、下層バイァホール 5 5 0の表面に酸化皮膜が形成されていると、該下層バイァホール 5 5 0の表面と上層バイァホール 5 7 0の下面とが分断され、下層バイァホール 5 5 0と上層バイァホール 5 7 0との電気接続が断たれることが分かった。

フルドビア構造の多層プリント配線板に於いては更に問題がある。第 2 1図 ( J ) を参照して上述したフィルドビア構造のバイァホール 5 5 0、 5 7 0において、上端面に窪み 5 5 0 a、 5 7 0 aができるため、基板表面の平滑性が損なわれ、 I Cチップ等を載置する際の実装信頼性が低下することがある。係る課題に対応し基板の平滑性を高めるため、本出願人は、バイァホールの上端面を平滑にすることを案出した。即ち、 '第 2 2図（D ) に示すように下層バイァホール 5 5 0と、上層バイァホール 5 7 0との上端面を平坦にすることで、基板を平滑化することを試みた。ここで、第 2 2図（E ) は、第 2 2図（D ) の E— E横断面、即ち、層間樹脂絶縁層 5 4 0上に形成された導体層を示しており、第 2 2図（D ) は、第 2 2図（E ) の D— D線に沿った縦断面を示している。

しかし、このバイァホールの上面を平坦にしても、第 2 2図（E ) 中に示すように導体パターン 5 5 2とプレーン層 5 5 3とが併存する導体層を有する多層プリント配線板においては、第 2 2図（D ) に示すように、プレーン層 5 5 3の上側の層間樹脂絶縁層 5 6 0が隆起するため、やはり基板表面を平坦化できないことが判明した。

このプレーン層 5 5 3の上層の隆起する理由について、該多層プリント配線板の製造工程を示す第 2 2図（A) 、第 2 2図（B ) 、第 2 2図（C ) 、第 2 2図（D ) を参照して説明する。第 2 2図（A) に示すように、下層層間樹脂絶縁層 5 4 0の上面には、第 2 2図（E ) を参照して上述したように導体パタ —ン 5 5 2及びプレーン層 5 5 3が共に形成されている。ここで、第 2 2図 ( B ) に示すように上層の層間樹脂絶縁層を形成するために、基板表面に層間樹脂絶縁層となる樹脂 5 6 0をロールコ一夕等で塗布する。この際に、樹脂 5 6 0を均一の厚みとなるようにしても、プレーン層 5 5 3の上側の厚みが厚くなった。この理由として、導体パターン 5 5 2及び導体パターン 5 5 2に接続されるバイァホール 5 5 O A (第 2 2図（E ) 参照）の周囲は、該導体パターン 5 5 2とバイァホール 5 5 O Aとの間に樹脂 5 6 0が入り込めるため、該部分は平滑にできる。これに対して、プレーン層 5 5 3の上は、樹脂 5 6 0を逃がすことができないため、樹脂（層間樹脂絶縁層）が膨らむものと考えられる。引き続き、第 2 2図（C ) に示すように樹脂 5 6 0に上層のバイァホールを形成するための開口部 5 6 2を形成する。その後、第 2 2図（D ) に示すように該開口部 5 4 2にめつき 5 6 8を充填することにより、上層バイァホール 5 7 0を形成する。

更に、バイァホールの上端面を平滑化した第 2 2図（D ) に示す多層プリント配線板においては、層間樹脂絶縁層 5 6 0が剥離し易いという課題があった。即ち、樹脂から成る層間樹脂絶縁層 5 6 0は、樹脂からなる層間樹脂絶縁層 5 4 0に対して接着性が高い反面、金属からなる導体パターン 5 5 2、バイァホール 5 5 0 A、プレーン層 5 5 3に対しては接着性が低い。ここで、導体パ夕ーン 5 5 2及びバイァホール 5 5 0 Bの周囲は、該上層層間樹脂絶縁層 5 6 0 が、下層の層間樹脂絶縁層 5 4 0と直接接触しているため、強固に密着している。これに対して、プレーン層 5 5 3においては、該層間樹脂絶縁層 5 6 0力下層の層間樹脂絶縁層 5 4 0に接触することができないため、接着性に問題を生じ、これが層間樹脂絶縁層 5 6 0の剥離の原因となっていた。なお、第 2 1 図（J ) を参照して上述した多層プリント配線板においては、係る剥離の問題が生じない。これは、プレーン層に形成されるバイァホールにも窪みが形成さ、該窪みが層間樹脂絶縁層に対してアンカー効果を発揮するためと考えられる。一方、パッケージ基板等のプリント配線板の表面には、載置される I Cチップ等の電子部品と電気的に接続を取るために、半田バンプが配設される。この半田バンプは、基板表面の導体回路上に形成される他、集積度を高める等の目的から、バイァホールに直接形成されることがある。このプリント配線板への半田バンプの形成について、第 2 3図を参照して説明する。

第 2 3図（A) は、従来技術に係る多層プリント配線板 5 1 0の断面を示している。該多層プリント配線板は、コア基板 5 3 0の上層及び下層に複数の層間樹脂絶縁層 5 4 0， 5 6 0を介在させて導体回路 5 3 4， 5 5 2、 5 7 2を形成してなる。最外層の層間樹脂絶縁層 5 6 0には、バイァホール用の開口部 5 6 2が穿設され、該開口部 5 6 2には、銅メツキからなるバイァホール 5 7 0が形成されている。そして、該バイァホール 5 7 0によって層間樹脂絶縁層 5 6 0の下層の導体回路 5 5 2との接続が取られている。最外層の層間樹脂絶縁層 5 6 0には、所定径の開口 5 8 1の穿設されためっきレジスト 5 8 0が形成されている。

ここで、該多層プリント配線板 5 1 0に半田バンプを形成する際には、第 2 3図（B ) に示すように、多層プリント配線板 5 1 0にメタルマスク 5 9 8を載置し、めっきレジスト 5 8 0の各開口 5 8 1、 5 8 1、 5 8 1に半田ペーストを印刷する。ここで、該メタルマスク 5 9 8には、めっきレジスト 5 8 0の開口 5 8 1の各位置に対応させて、開口 5 9 8 a、 5 9 8 bが形成されている。ここで、バイァホール 5 7 0に対応させた開口 5 9 8 bは、相対的に大径に形成され、反対に、導体回路 5 7 2に対応させた開口 5 9 8 aは、相対的に小径に形成されている。これにより、バイァホール 5 7 0側へより多くの半田べ一ストを印刷できるようにしてある。

半田ペーストを印刷した後、加熱炉に多層プリント配線板 5 1 0を通過させることにより、半田ペーストをリフローし、第 2 3図（C ) に示すように半田バンプ 5 8 8を完成させる。その後、リフロー時に半田から流れ出したフラックスを洗浄する。そして、第 2 3図（D ) に示すように多層プリント配線板 5 1 0に I Cチップ 5 9 0を、該 I Cチップ 5 9 0の半田パッド 5 9 2が多層プリント配線板 5 1 0側の半田バンプ 5 8 8と対応するように載置し、加熱炉を通過させることで該半田パッド 5 8 8を溶融し、多層プリント配線板 5 1 0と I Cチップ 5 9 0との電気接続を取る。その後、リフロー時に半田から流れ出したフラックスを洗浄する。

しかしながら、上述した多層プリント配線板においては、 I Cチップとの接続が適正に取れないことがあった。即ち、第 2 3図（C) に示すように凹状のバイァホール 5 7 0上に形成される半田バンプ 5 8 8の高さ h 3と、平板状の導体回路 5 7 2上に形成される半田バンプ 5 8 8の高さ h 4とを同一にすることが困難なため、第 2 3図（D ) に示すように、多層プリント配線板 5 1 0側の半田パッド 5 8 8のいずれかが I Cチップ 5 9 0側の半田パッド 5 9 2と適切に接続できないことがあった。

また、第 2 3図（B ) を参照して上述したようにメタルマスクは、径の異なる開口 5 9 8 a、 5 9 8 bを、めっきレジスト 5 8 0の開口 5 8 1の各位置に対応させて穿設する必要があるため、調整が困難であった。更に、上述したように半田バンプを形成するために半田をリフローした後、及び、該半田バンプと I Cチップの半田パッドとの接続をリフローにより行った後に、半田から出たフラックスを洗浄する必要がある。しかし、バイァホール 5 7 0内へ半田を充填させているため、半田の量が増大し滲み出るフラックスの量が多くなり、完全に洗浄することが難かった。このため、清浄後もフラックスが残留し、配線の短絡等の原因となることがあった。また更に、上記リフローの際に、多層プリント配線板 5 1 0に反りが発生し、 I Cチップ 1 9 0との間の実装信頼性が低下することがあった。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、バイァホールとバイァホールとの間の接続信頼性に優れたフィルドビア構造を有する多層プリント配線板を提供することにある。

本発明の目的とするところは、基板表面を平坦に形成し得ると共に層間樹脂絶縁層のデラネ一シヨンの発生させない多層プリント配線板を提供することにある。

本発明の目的とするところは、半田バンプの接続信頼性に優れた多層プリント配線板を提供することにある。発明の開示

上述した目的を達成するため本明は、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部にはめつき層が充填されて表面の平坦な下層バイァホールが形成され、当該下層バイァホールの上層側に上層バイァホールが形成されてなることを技術的特徴とする。

本発明においては、下層バイァホールの上層側の層間樹脂絶縁層に上層バイァホールを形成するための開口を形成する際に、下層バイァホールの表面が平坦であるため、樹脂の残ることがない。このため、下層バイァホールと上層バィァホールとの接続信頼性を確保できる。更に、下層バイァホールの表面が平坦であるため、上層バイァホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。

本発明の好適な態様において、下層バイァホールの表面は、粗化処理されているため、該表面に酸化皮膜が形成されたとしても、下層バイァホールと上層バイァホールとの接続信頼性を保つことができる。

本発明の好適な態様においては、下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているため、該開口部内に形成されるバイァホールとの密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、上層バイァホール及び導体回路の表面が粗化処理されているため、該上層バイァホール及び導体回路の上に形成される半田パッド或いは層間樹脂絶縁層との間の密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、下層の層間樹脂絶縁層が、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂からなり、靱性が高いため、該層間樹脂絶縁層の開口部にバイァホール用のめっきを充填しても、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し難い。

本発明の好適な態様においては、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 1を越える。即ち、めっきによりバイァホールを形成する工程において、バイァホールを形成する開口部は、開口径に対して深みが深過ぎないので、めつき液が該開口部内に十分に回り込み、効率的にバイァホールをめつきにて形成できる。他方、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は 4以下に設定される。即ち、めっきによりバイァホールを形成する工程において、バイァホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎないので、めっき時間を調整することで、バイァホールの表面を平滑に形成することができる。

上述した目的を達成するため本発明は、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部にはめつき層が充填されて下層バイァホールが形成され、当該下層バイァホールの表面の粗化層を介して上層バイァホールが形成されてなることを技術的特徴とする。本発明においては、下層のバイァホールと上層のバイァホールとが、下層バィァホールの表面に形成された粗化層を介して接続されているため、該下層バィァホールの表面に酸化皮膜が形成されたとしても、下層バイァホールと上層バイァホールとの接続信頼性を保つことができる。

本発明の好適な態様において、下層バイァホールの中央部に窪みが形成されているため、該窪みに垂直に粗化層が設けられている。このため、下層バイァホールと上層バイァホールとを強固に接続し、下層バイァホールと上層バイァホールとの接続信頼性を保つことができる。

本発明の好適な態様においては、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 1を越える。即ち、めっきによりバイァホールを形成する工程において、バイァホールを形成する開口部は、開口径に対して深みが深過ぎないので、めつき液が該開口部内に十分に回り込み、効率的にバイァホールをめつきにて形成できる。

上述した目的を達成するため本発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

前記導体層の内の少なくとも 1層が、バイァホールに接続される導体パターンとバイァホールを内部に有するプレーン層とを有し、

前記導体パターンに接続されるバイァホールは、めつき層が充填されて表面が平坦に形成され、前記プレーン層内に備えられたバイァホールは、めっき層が充填され表面に窪みが形成されていることを技術的特徴とする。本発明においては、プレーン層内に備えられたバイァホールに窪みが形成されており、該窪みがアンカーとなってプレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層に剥離が生じ難い。また、製造工程においてプレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層のバイァホールの窪み内へ樹脂を逃がすこができ、当該層間樹脂絶縁層、即ち、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することができる。このため、 I Cチップ等を載置する際の実装信頼性を高めることが可能となる。他方、導体パターンに接続されるバイァホールの表面が平坦であるため、該バイァホールの上層にバイァホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。

本発明の好適な態様においては、層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているため、該開口部内に形成されるバイァホールとの密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様において、バイァホールを内部に有するプレーン層の表面は、粗化処理されているため、上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、プレーン層内に備えられるバイァホールの窪みの深さは、 5 m以上であるため十分なアンカー効果を発揮し、プレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高め、該層間樹脂絶縁層に剥離を生じさせない。また、製造工程において、プレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、該プレーン層のバイァホールの窪み内へ樹脂を逃がすことにより、当該層間樹脂絶縁層を平坦に形成することができる。他方、プレーン層内に備えられたバイァホールの窪みの深さは、 5 0 m以下にすることで、導体パターンに接続されるバイァホールの表面を平坦にすることが可能となる。

本発明の好適な態様において、プレーン層の面積は、 0 . 0 1〜1 0 d m²であるため、該プレーン層内に備えられたバイァホールの充填されためつき表面に窪みを形成すると共に、導体パターンに接続されるバイァホールの充填されためつき表面を平坦に形成することが可能になる。

最外層の層間樹脂絶縁層上に配設された導体回路上に形成された半田バンプと、

該最外層の層間樹脂絶縁層に穿設された開口部にめっき層が充填されて成るバイァホール上に形成された半田バンプと、

を備えることを技術的特徴とする。

本発明においては、開口部にめっきを充填することで、バイァホールの表面の高さを、半田バンプの形成される導体回路の高さと等しくしてある。従って、バイァホールと導体回路とに同量の半田ペーストを印刷することで、当該バイァホールに形成される半田バンプと、導体回路に形成される半田バンプとの高さを等しくすることができる。このため、半田バンプの接続信頼性を高めることができる。

本発明の好適な態様において、バイァホールの中央部に窪みが形成されているため、バイァホールと半田バンプとを強固に接続し、半田バンプの接続信頼性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、最外層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているため、該開口部内に形成されるバイァホールとの密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、バイァホール及び導体回路の表面が粗化処理されているため、該バイァホール及び導体回路の上に形成さた半田バンプとの間の密着性を高めることができる。

本発明の好適な態様においては、めっきを充填してなるバイァホール表面に、貴金属を介して半田バンプが形成されているため、銅等からなるバイァホール表面と半田バンプとの間に、酸化被膜が形成されず、バイァホールと半田バンプとの密着性を高めることができる。

図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の第 1実施形態に係る多層プリント配線板を示す断面図である。第 2図〜第 6図は、本発明の第 1実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

第 7図は、本発明の第 2実施形態に係る多層プリント配線板を示す断面図である。

第 8図〜第 1 0図は、本発明の第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

第 1 1図は、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板を示す断面図である。

第 1 2図は、第 1 1図の B— B横断面を示す断面図である。

第 1 3図〜第 1 6図は、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

第 1 7図は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板を示す断面図である。

第 1 8図は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

第 1 9図は、本発明の第 4実施形態の改変例に係る多層プリント配線板を示す断面図である。

第 2 0図（A) は、従来技術に係る多層プリント配線板の断面図であり、第 2 0図（B ) 、第 2 0図（C ) 、第 2 0図（D) 、第 2 0図（E) は、従来技術に係る多層プリン卜配線板の製造工程を示す図である。

第 2 1図（F ) 、第 2 1図（G) 、第 2 1図（H) 、第 2 1図（I ) 、第 2 1図（J ) は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。第 2 2図（A) 、第 2 2図（B ) 、第 2 2図（C) 、第 2 2図（D) は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。第 2 2図（E) は、第 2 2図（D) の E— E断面を示す図である。

第 2 3図（A) 、第 2 3図（B ) 、第 2 3図（C) 、第 2 3図（D) は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の第 1実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板の断面を示す第 1図を参照して説明する。図中に示す多層プリント配線板 1 0は、上面に図示しない I Cチップのバンプ側に接続するための半田バンプ 8 8 Uが設けられ、下面側に図示しないマザ一ボードのバンプに接続するための半田バンプ 8 8 Dが配設され、該 I Cチップ—マザ一ボード間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッケージ基板として構成されている。

多層プリント配線板 1 0のコア基板 3 0の上面側上層及び下面側上層（ここで、上層とは基板 3 0を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン 3 4、 3 4が形成されている。また、内層銅パターン 3 4の上層には、下層層間樹脂絶縁層 4 0を介在させて信号線を形成する導体回路 5 2、又、該層間樹脂絶縁層 4 0を貫通して下層バイァホール 5 0が形成されている。下層バイァホール 5 0及び導体回路 5 2の上層には、上層層間樹脂絶縁層 6 0を介して最外層の導体回路 7 2、及び該上層層間樹脂絶縁層 6 0を貫通する上層バイァホール 7 0が形成されている。

上面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール 7 0には半田バンプ 8 8 Uを支持する半田パッド 8 6 Uが形成されている。ここで、 I Cチップ側の半田パッド 8 6 Uは、直径 1 3 3 mに形成されている。他方、下面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール（図示せず）には半田バンプ 8 8 Dを支持する半田パッド 8 6 Dが形成されている。ここで、マザ一ポード側の半田パッド 8 6 Dは、直径 6 0 0 mに形成されている。

該多層プリント配線板 1 0においては、下層バイァホール 5 0の表面が平坦であるため、下層バイァホール 5 0と上層バイァホールと 7 0の接続信頼性を確保でき、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。即ち、第 2 1図（I ) を参照して上述した従来技術に係るフィルドビア構造の多層プリント配線板においては、下層バイァホール 1 5 0に窪み 1 5 0 aが出きるため、該窪み 1 5 0 aに絶縁体である樹脂 1 6 0 aが残り、下層バイァホール 1 5 0 と上層バイァホール 1 7 0との接続信頼性を低下させていた。これに対して、第 1図中に示すように本実施形態の多層プリント配線板 1 0においては、下層バイァホール 5 0の表面が平坦であるため、下層バイァホール 5 0と上層バイァホールと 7 0との間に樹脂が介在せず接続信頼性を確保できる。また、第 2 1図（I ) に示す従来技術に係る多層プリント配線板においては、上層バイァホール 1 7 0に窪み 1 7 0 aができるので、基板の平滑性を損なわしめていたが、本実施形態の多層プリン卜配線板 1 0では、基板表面を平滑に形成することができるため、該多層プリント配線板（パッケージ基板）に載置される I C チップの実装信頼性を高めることが可能となる。

銅からなるバイァホール 5 0と、該バイァホール 5 0の形成された樹脂からなる層間樹脂絶縁層 4 0との間には、両者の熱膨張率の違いから熱収縮の際に大きな応力が加わる。ここで、第 2 0図（A) を参照して上述した従来技術に係る内側に樹脂 2 6 0 aを充填する構成のバイァホール 2 5 0においては、発生した応力を銅めつき 2 4 8内部の樹脂 2 6 0 a側へ逃がすことができた。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板 1 0においては、層間樹脂絶縁層 4 0、 6 0の開口部 4 2、 6 2にバイァホール用の電解銅めつき 4 8、 6 8 を充填してあるため、内側へ応力を逃がすことができない。このため、該多層プリント配線板 1 0においては、下層層間樹脂絶縁層 4 0及び上層層間樹脂絶縁層 6 0に、靱性の高い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いることで、該応力によるクラックの発生を防止している。ここでは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いている力この代わりに靱性の高いフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を主に用いて層間樹脂絶縁層 4 0、 6 0を形成することも可能である。

また、第 1図に示すように下層バイァホール 5 0の表面、即ち、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との界面は、粗化処理された粗化層 5 8が形成されているため、両者は強固に接合している。このため、該下層バイァホール 5 0の表面に酸化皮膜が形成され、層間樹脂絶縁層 6 0の熱収縮により該下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0とを引き離す方向に応力が加わつたとしても、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との接続信頼性を保つことができる。そして、下層層間樹脂絶縁層 4 0及び上層層間樹脂絶縁層 6 0の開口部 4 2、 6 2の側面 4 2 a、 6 2 aは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部 4 2、 6 2内に形成されるバイァホール 5 0、 7 0との密着性を高めることができる。更に、上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2、 5 2の表面は粗化処理され、粗化層 7 8、 5 8が形成されているため、該上層バイァホール 70、導体回路 72上に形成される半田パッド 86Uとの密着性、及び、導体回路 52上に形成される層間樹脂絶縁層 60との間の密着性を高めることができる。

引き続き、第 1図に示すパッケージ基板の製造工程について第 2図〜第 6図を参照して説明する。

(1) 厚さ lmmの BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂またはガラスェポキシ樹脂からなるコア基板 30の両面に 18 mの銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とする（第 2図の工程（A) 参照）。まず、この銅張積層板 3 OAをパターン状にエッチングすることにより、基板 30の両面に内層銅パターン（導体回路） 34を形成する（第 2図の工程（B)参照）。さらに、内層銅パターン 34を形成した基板 30を、水洗いして乾燥した後、硫酸銅 8 gZ l、硫酸ニッケル 0. しクェン酸 15 gZし次亜リン酸ナトリウム 29 gZしホウ酸 31 gZし界面活性剤 0. からなる pH= 9の無電解めつき液に浸漬し、該内層銅パターン 34の表面に厚さ 3 mの銅一ニッケル一リンからなる粗化層 38を形成する（第 2図の工程（C) 参照）。その基板 30を水洗いし、 0. lmo 1 Z 1ホウふつ化スズ— 1. 0 mo 1 / 1チォ尿素液からなる無電解スズ置換めつき浴に 50°Cで 1時間浸漬し、粗化層表面に 0. 3 mのスズ層（図示せず）を設ける。

なお、基板 30の表面に樹脂を塗布して、基板の平滑化を図ることも可能である。この場合には、内層銅パターン 34を形成した基板 30 (工程（B) ) を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 aOH (lOg/1) ， NaCIO ₂ (40gZ 1 ) ， a₃ P0₄ (6 g/ 1 ) 、還元浴として、 NaOH (10g/ 1 ) ， aBH₄ (6 g/ 1 ) を用いた酸化一還元処理により、内層銅パターン 34表面に粗化層を設ける。

下記の樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得る。〔樹脂組成物①〕

ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量 310、 YL983U) 100重量部、表面にシランカップリング剤がコ一ティングされた平均粒径 1.6 mの Si〇₂ 球状粒子（アドマテック製、 CRS 1101— CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15 m) 以下とする） 170重量部、レべリング剤（サンノプコ製、ペレノール S 4) 1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を 23土 1°Cで 45, 000〜49, OOOcpsに調整して得る。

〔硬化剤組成物②〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ- CN) 6.5 重量部。

得られた樹脂充填剤を、調製後 24時間以内に基板 30の両面にロールコ一夕を用いて塗布することにより、導体回路（内層銅パターン） 34と導体回路 3 4との間に充填し、 70°C， 20分間で加熱乾燥させる。

前記の処理を終えた基板 30の片面を、 #600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 34の表面に樹脂充填剤 40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行つう。次いで、 100 °Cで 1時間、 120 °Cで 3時間、 150°Cで 1時間、 180°Cで 7時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化する。

導体回路を形成した基板にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、 P d触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅 3. 2 X 10—²mo l/l、硫酸ニッケル 3. 9 X 1 0 "³m o 1 / 錯化剤 5. 4 X 1 0 "²m o 1 / 次亜りん酸ナトリゥム 3. 3 X 1 O-'mo 1 / ホウ酸 5. 0 X 1 O—'mo 1 / 1、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール 465) 0. 1 g/ PH=9からなる無電解めつき液に浸積し、浸漬 1分後に、 4秒当たり 1回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路の表面に Cu— N i一 Pからなる針状合金の被覆層と粗化層を設ける。

さらに、ホウフっ化スズ 0. lmo 1ノ 1、チォ尿素 1. Omo l /し温度 35°C、 PH= 1. 2の条件で Cu— S n置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 zmSn層を設る。これにより、基板表面を平滑化することも可能である。

引き続き、製造工程の説明を続ける。

(2) ここで、下記 Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa - sに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。

次いで、下記 Aの無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7Pa ' sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得る。

A. 無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMDGに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 3.15重量部、消泡剤（サンノブコ製、 S— 65) 0.5 重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得る。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（PES) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマ一ポール）の平均粒径 l. O^mのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5 のものを 3.09重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添加し、ビ —ズミルで攪拌混合して得る。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チパガィギー製、ィルガキュア I一 907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2 重量部、 NMP 1.5重量部を攪拌混合して得た。

B. 層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMDGに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 4重量部、消泡剤（サンノプコ製、 S— 65) 0.5 重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得る。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（PES) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5/xmのものを 14.49重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得る。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ- CN) 2重量部、光開始剤（チパガィギー製、ィルガキュア I一 907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2 重量部、 NMP1.5 重量部を攪拌混合して得る。 (3) 前記の基板の両面に、前記（2) で得られた粘度 1.5Pa * sの層間樹脂絶縁剤（下層用）を調製後 24時間以内にロールコ一夕で塗布し、水平状態で 20 分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（プリべーク）を行い、次いで、前記（2) で得られた粘度 7Pa * sの感光性の接着剤溶液（上層用）を調製後 24時間以内に塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（プリべ一ク）を行い、厚さ 35 mの層間樹脂絶縁層 40を形成する（第 2図の工程（D) 参照）。

下層層間樹脂絶縁層 40を形成した基板 3 0の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 5 0 Om J /c m² で露光する。これを DMDG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により 3 0 0 Om J Z cm² で露光し、 1 0 0 で1時間、その後 1 5 0°Cで 5時間の加熱処理（ポストべ一ク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた 6 Ο ^ΙΉΦの開口（バイァホール形成用開口部 42 ：底部 6 1 rn, 上部 6 7 Aim) を有する厚さ 2 0 mの層間樹脂絶縁層 40を形成する（第 3図の工程（E) 参照）。なお、バイァホールとなる開口 42には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。

(4) 開口部 42が形成された基板 3 0を、クロム酸に 2分間浸潰し、層間樹脂絶縁層 40の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、該層間樹脂絶縁層 40の表面に深さ 4 m粗化面を形成する。この粗化面は、開口部 4 2内部の側面 42 aに対しても同様に形成される（第 3図の工程（F)参照）。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。

さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 40の表面およびバイァホール用開口部 42の内壁面に触媒核を付ける。

(5)以下の組成の無電解銅めつき浴中に基板を浸潰して、粗面全体に厚さ 0. 6 Atmの無電解銅めつき膜 44を形成する（第 3図の工程（G) 参照）。

〔無電解めつき液〕

EDTA 1 5 0 g/ 1

硫酸銅 2 0 gZ l

HCHO 3 Om 1 / 1 N aOH 40 gZ l

ひ、 ' —ビビリジル 80 mg/ 1

PEG 0. 1 g/ 1

(6) 上記（5) で形成した無電解銅めつき膜 44上に市販の感光性ドライフイルムを張り付け、マスクを載置して、 1 00m J Zcm² で露光、 0. 8% 炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 20 mで、 LZS-25Z25 mのめつきレジスト 46を設ける（第 3図の工程（H) 参照）。

(7) ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 20 mの電解銅めつき膜 48を析出し、該めっき膜により開口部 42内を充填する（第 4図の工程（I) 参照）。

液条件：硫酸銅 · 5水和物 60 g Z 1

硫酸 1 90 gノ 1

塩素イオン 40 p pm

レべリング剤（アトテック製 HL) 40m 1 / 1

光沢剤（アトテック製 UV) 0. 5m 1 / 1

操作条件：パブリング 3. 00 1 Z分電流密度 0. 5AZdm² 設定電流値 0. 18A めっき時間 1 30分

(8) めっきレジスト 46を 5%KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 46下の無電解めつき膜 44を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めつき膜 44と電解銅めつき膜 48からなる厚さ約 2 0 mの導体回路 52及びバイァホール 50を形成する（第 4図の工程（J) 参照）。第 1実施形態の製造方法では、定法による電解銅めつきと比較して、めっき面を平滑化するためのレペリング剤の分量を増やし、めっき面に光沢を与える光沢剤の分量を減らし、設定電流値を減らし、めっき時間を長くし、即ち、小電流で長時間かけて電解めつきを行うことで、バイァホール 50の表面を平滑にする。

また、本実施形態では、バイァホール径（開口部 42の開口径： 67 m) と層層間樹脂絶縁層 40の厚み（20 im) との比が、 3. 35に設定してある。ここで、バイァホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が 1以下では、上記めつき工程において、開口部 42の開口径に対して深みが深過ぎて、めつき液が該開口部 4 2内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイァホ一ル径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 4を越えると、バイァホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎるため、めっき時間を非常に長くしない限り、中央に窪みができバイァホールの表面を平滑に形成することができない。このため、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、 1を越え 4以下であることが望ましい。

また、導電回路 5 2の厚みは 2 0 m以下が好適で、 4 0 m以下であることが望ましい。これは、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト 4 6の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめつきレジストの厚みが 4 0 zz mを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。

( 9 ) 引き続き、基板 3 0の導体回路 5 2及びバイァホール 5 0に対して、上記（2 ) と同様にして粗化層 5 8を形成する（第 4図の工程（K) 参照）。

( 1 0 ) 上記（2 ) 〜（8 ) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板 3 0の両面に、無電解めつき用接着剤を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行い、その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光 '現像し、バイァホール形成用開口 6 2を有する厚さ 2 0 /x mの層間樹脂絶縁層 6 0を形成する（第 4図の工程（L ) 参照）。次に、該層間樹脂絶縁層 6 0の表面を粗面とした後、該粗面化処理した該基板 3 0の表面に、無電解銅めつき膜 6 4を形成する（第 5図の工程（M) 参照）。引き続き、無電解銅めつき膜 6 4上にめっきレジスト 6 6を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めつき膜 6 8を形成する（第 5図の工程（N) ) 。そして、めっきレジスト 6 6を剥離除去した後、そのめつきレジスト 6 6下の無電解めつき膜 6 4を溶解除去し上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2を形成する（第 5図の工程 (O) 参照）。さらに、該上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2の表面に粗化層 7 8を形成し、パッケージ基板を完成する（第 6図の工程（P ) 参照）。

( 1 1 ) 引き続き、上述したパッケージ基板にはんだバンプを形成する。先ず、はんだバンプ用のソルダーレジスト組成物の調整について説明する。ここでは、

D MD Gに溶解させた 60重量％のクレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量 4000) を 46. 67 g、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル製、ェピコート 1001) 15.0g、イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 1.6 g、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、 R604 ) 3 g、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、 DPE6A ) 1.5g、分散系消泡剤（サンノプコ社製、 S— 65) 0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフエノン（関東化学製）を 2 g、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2g加えて、粘度を 25°Cで 2. OPa ' sに調整したソルダ一レジスト組成物を得る。

(1 2) 前記（1 0) で得られた基板 30両面に、上記ソルダーレジスト組成物を 45 の厚さで塗布した。次いで、 70°Cで 20分間、 70°Cで 30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ 5mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、 1000mJ/cm² の紫外線で露光し、 DMTG現像処理した。そしてさらに、 80°Cで 1時間、 100°Cで 1時間、 120°Cで 1時間、 150°Cで 3時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バィァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 ΙΏ) 8 1を有するソルダ一レジスト層（厚み 20 im) 80を形成した（第 6図の工程（Q)参照）。パッド部（開口） 8 1の開口径は上面側 1 33 m、下面側 600 imである。

(1 3) 次に、塩化ニッケル 2.31X10— 'mo 1 Z 1、次亜リン酸ナトリウム 2.8 XlO-'mo 1 / クェン酸ナトリウム 1. δδΧΙίΤ'πιο 1 Zしからなる ρΗ =4. 5の無電解ニッケルめっき液に該基板 30を 20分間浸漬して、開口部 8 1に厚さ 5 mのニッケルめっき層 82を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム 4.1 X10— ²mo lノ 1、塩化アンモニゥム 1.87 X 10- lm o \ / \ , クェン酸ナトリウム 1.16X10-'mo 1 / 次亜リン酸ナトリウム 1.7 XlO-'mo 1 Z 1からなる無電解金めつき液に 80°Cの条件で 7分 20秒間浸漬して、ニッケルめっき層 8 1上に厚さ 0.03 mの金めつき層 84を形成することで、上面に直径 1 33 の半田パッド 86Uを、下面に直径 600 mの半田パッド 86Dを形成する（第 6図の工程（R) 参照）。

( 14) 厚さ 40 nm, 直径 160 の開口をもつメタルマスク（図示せず）を載置し、ソルダーレジスト層 80の開口部 81内の上面側半田パッド 86U に、平均粒子径 20 imの半田ペーストを印刷し、同様に下面側の半田パッド 86 Dに半田ペーストを印刷した後、 200°Cで加熱リフローし、上面側半田パッド 8 6 Uに直径 1 3 3 x mの半田バンプ 8 8 Uを、下面側半田パッド 8 6 Dに直径 6 0 0 mの半田バンプ 8 8 Dを設け、半田バンプの形成を完了する (第 1図参照）。

以上説明したように第 1実施形態の多層プリント基板において、バイァホールにバイァホールを直接接続し、接続を配線を介さず行うため高密度化を達成することができる。この下層バイァホールと上層バイァホールとの接続する際に、下層バイァホールの表面が平坦であり、該表面に樹脂が残らないため、上下層のバイァホールの接続信頼性を確保できる。更に、下層バイァホールの表面が平坦であるため、上層バイァホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。

弓 Iき続き、本発明の第 2実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板の断面を示す第 7図を参照して説明する。図中に示す多層プリント配線板 2 0 0は、パッケージ基板として構成されている。

多層プリント配線板 2 0 0のコア基板 3 0の上面側上層及び下面側上層には、グランド層となる内層銅パターン 3 4、 3 4が形成されている。また、内層銅パターン 3 4の上層には、下層層間樹脂絶縁層 4 0を介在させて信号線を形成する導体回路 5 2、又、該層間樹脂絶縁層 4 0を貫通して下層バイァホール 5 0が形成されている。下層バイァホール 5 0及び導体回路 5 2の上層には、上層層間樹脂絶縁層 6 0を介して最外層の導体回路 7 2、及び該上層層間樹脂絶縁層 6 0を貫通する上層バイァホール 7 0が形成されている。

上面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール 7 0には半田バンプ 8 8 Uを支持する半田パッド 8 6 Uが形成されている。ここで、 I Cチップ側の半田パッド 8 6 Uは、直径 1 3 3 mに形成されている。他方、下面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール（図示せず）には半田バンプ 8 8 Dを支持する半田パッド 8 6 Dが形成されている。ここで、マザ一ボード側の半田パッド 8 6 Dは、直径 6 0 0 mに形成されている。

第 2実施形態の多層プリント配線板においては、下層バイァホール 5 0の表面、即ち、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との界面は、粗化処理された粗化層 5 8が形成されているので、両者は強固に接合している。このため、該下層バイァホール 5 0の表面に酸化皮膜が形成され、層間樹脂絶縁層 6 0の熱収縮により該下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0とを引き離す方向に応力が加わったとしても、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との接続信頼性を保つことができる。更に、下層バイァホール 5 0の中央部に窪み 5 0 aが形成され、該窪み 5 0 aの曲面に対して垂直に粗化層 5 8 が設けられている。このため、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0 との間に加わる両者を剥離させる図中上下方向の応力に対して、両者を強固に接続し、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との接続を維持することができる。そして、下層層間樹脂絶縁層 4 0及び上層層間樹脂絶縁層 6 0の開口部 4 2、 6 2の側面 4 2 a、 6 2 aは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部 4 2、 6 2内に形成されるバイァホール 5 0、 7 0との密着性を高めることができる。ここで、窪み 5 0 aの深さは、上層層間樹脂絶縁層 6 0に穿設された開口部 6 2には至らず、導体回路 7 2の厚さ範囲である。従って、 0 . 5〜 3 0 mの範囲である。

銅からなるバイァホール 5 0と、該バイァホール 5 0の形成された樹脂からなる層間樹脂絶縁層 4 0との間には、両者の熱膨張率の違いから熱収縮の際に大きな応力が加わる。ここで、図 2 0 (A) を参照して上述した従来技術に係る内側に樹脂 2 6 0 aを充填する構成のバイァホール 2 5 0においては、発生した応力を銅めつき 2 4 8内部の樹脂 2 6 0 a側へ逃がすことができた。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板 2 0 0においては、層間樹脂絶縁層 4 0、 6 0の開口部 4 2、 6 2にバイァホール用の電解銅めつき 4 8、 6 8 を充填してあるため、内側へ応力を逃がすことができない。このため、該多層プリント配線板 2 0 0においては、下層層間樹脂絶縁層 4 0及び上層層間樹脂絶縁層 6 0に、靱性の高い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いることで、該応力によるクラックの発生を防止している。ここでは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いているが、この代わりに靱性の高いフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を主に用いて層間樹脂絶縁層 4 0、 6 0を形成することも可能である。

更に、上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2、 5 2の表面は粗化処理され、粗化層 7 8、 5 8が形成されているため、該上層バイァホール 7 0、導体回路 7 2上に形成される半田パッド 8 6 Uとの密着性、及び、導体回路 5 2上に形成される層間樹脂絶縁層 60との間の密着性を高めることができる。

引き続き、第 7図に示す多層プリント配線板の製造工程について第 8図〜第 10を参照して説明する。なお、この第 2実施形態の多層プリント配線板の製造工程の内の（1) 〜（6) は、第 2図、第 3図を参照して上述した第 1実施形態と同様であるため説明及び図示を省略する。

(7)上記第 3図の工程（H) にてレジスト 46を形成した基板 30に対して、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 20 xmの電解銅めつき膜 58を析出し、該めっき膜により開口部 42内を充填する（第 8図の工程（I) 参照）。

液条件：硫酸銅 · 5水和物 60 gZ l

硫酸 190 g / 1

塩素イオン 40 p pm

レべリング剤（アトテック製 HL) 40m l / l

光沢剤（アトテック製 UV) 0. 5m 1 / 1

操作条件：バブリング 3. 00 1 Z分電流密度 0. 5AZdm² 設定電流値 0. 18A めっき時間 100分本実施形態の製造方法では、バイァホール 50を形成する部位の電解銅めつき 48の中央部に窪み 50 aができるように電解めつきを行う。

(8) めっきレジスト 46を 5 %KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 46下の無電解めつき膜 44を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めつき膜 44と電解銅めつき膜 48からなる厚さ約 1 5 mの導体回路 52及びバイァホール 50を形成する（第 8図の工程（J) 参照）。

本実施形態では、バイァホール径（開口部 42の開口径： 67 m) と層層間樹脂絶縁層 40の厚み（20 zm) との比が、 3. 35に設定してある。ここで、バイァホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が 1以下では、上記めつき工程において、開口部 42の開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部 42内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、ノ' ィァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 4を越えると、バイァホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎる。このため、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、 1を越え 4以下であることが望ましい。

また、導電回路 5 2の厚みは 2 0 ja m以下が好適で、 4 0 ^ 111以下であることが望ましい。これは、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト 4 6の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめつきレジストの厚みが 4 0 mを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。

( 9 ) 引き続き、基板 3 0の導体回路 5 2及びバイァホール 5 0に対して、上記（2 ) と同様にして粗化層 5 8を形成する（第 8図の工程（K) 参照）。この粗化層 5 8は、バイァホール 5 0の中央の窪み 5 0 aの曲面に対しては、該曲面に垂直に形成される。

( 1 0 ) 上記（2 ) 〜（8 ) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板 3 0の両面に、無電解めつき用接着剤を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行い、その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光 '現像し、バイァホール形成用開口 6 2を有する厚さ 2 0 z mの層間樹脂絶縁層 6 0を形成する（第 8図の工程（L ) 参照）。次に、該層間樹脂絶縁層 6 0の表面を粗面とした後、該粗面化処理した該基板 3 0の表面に、無電解銅めつき膜 6 4を形成する（第 9図の工程（M) 参照）。引き続き、無電解銅めつき膜 6 4上にめっきレジスト 6 6を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めつき膜 6 8を形成する（第 9図の工程（N) 参照）。そして、めっきレジスト 6 6を剥離除去した後、そのめつきレジスト 6 6下の無電解めつき膜 6 4を溶解除去し上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2を形成する（第 9図の工程（〇）参照）。さらに、該上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2の表面に粗化層 7 8を形成し、パッケージ基板を完成する（第 1 0の工程（P )参照）。 ( 1 1 ) 引き続き、上述したパッケージ基板に第 1実施形態と同様にしてはんだバンプを形成する（第 1 0図の工程（Q) 、工程（R) 参照）。

ここで、本発明者が第 7図に示す構造の多層プリント配線板について、加熱試験及びヒートサイクル試験を行った結果について説明する。 1 2 8 ° Cで 4 8時間加熱した後、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との間の剥離の有無について断面を光学顕微鏡で観察した結果、剥離が生じていなかった。同様に、 — 5 5〜 1 2 5 ° Cで 1 0 0 0回のヒートサイクルを繰り返した後、光学顕微鏡で観察した結果、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0との間で剥離が生じていなかった。上記の試験結果から本実施形態の多層プリント配線板では、粗化層 5 8を介在させることで、下層バイァホール 5 0と上層バイァホール 7 0とを強固に接合できることが判明した。

以上説明したように第 2実施形態の多層プリント基板において、バイァホ一ルにバイァホールを直接接続し、接続を配線を介さず行うため高密度化を達成することができる。この下層バイァホールと上層バイァホールとの接続する際に、下層バイァホールの表面に形成した粗化層を介在させて接続しているため、上下層のバイァホールの接続信頼性を確保できる。

引き続き、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、第 1 1図及び第 1 2図を参照して説明する。第 1 1図は、第 3実施形態の多層プリント配線板 3 0 0の断面を示している。図中に示す多層プリント配線板 3 0 0は、パッケージ基板として構成されている。

多層プリント配線板 3 0 0のコア基板 3 0の上面側上層には、グランド層となる内層銅パターン 3 4が形成されている。内層銅パターン 3 4の上層の層間樹脂絶縁層 4 0の平面図、即ち、第 1 1図の B— B横断面を第 1 2図に示す。ここで、第 1 2図の A— A線に沿った縦断面が第 1 1図に相当する。該層間樹脂絶縁層 4 0の上層の導体層として、第 1 2図に示すように信号線を形成する導体パターン 5 2、導体パターン 5 2に接続されるバイァホール 5 0 B、プレ —ン層 5 3、及び、該プレーン層 5 3内に設けられたバイァホール 5 O Aとが形成されている。第 1 1図に示すようにバイァホール 5 0 A、 5 0 Bは、層間樹脂絶縁層 4 0を貫通して下層の内層銅パターン 3 4に接続されている。ここで、導体パターン 5 2に接続されるバイァホール 5 0 Bの表面（上端面）は、平坦に形成され、一方、プレーン層 5 3内に形成されたバイァホール 5 O Aの表面には窪み 5 0 aが形成されている。該導体パターン 5 2及びプレーン層 5 3の上層には、上層層間樹脂絶縁層 6 0を介して最外層の導体パターン 7 2、及び該上層層間樹脂絶縁層 6 0を貫通する上層バイァホール 7 0が形成されている。ここで、上層バイァホール 7 0は、下層のバイァホ一ル 5 0 Bの直上に形成されている。上面側の該導体パターン 7 2、上層バイァホール 7 0には半田バンプ 8 8 Uを支持する半田パッド 8 6 Uが形成されている。ここで、 I C チップ側の半田パッド 8 6 Uは、直径 1 3 3 mに形成されている。多層プリント配線板 3 0 0のコア基板 3 0の下面側上層（ここで、上層とは基板 3 0を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン 3 4が形成されている。該内層銅パターン 3 4の上層に形成された層間樹脂絶縁層 4 0の上層には、信号線を形成する導体パターン 5 2、導体パターン 5 2に接続されるバイァホール 5 0 Bが形成されている。該導体パターン 5 2の上層には、上層層間樹脂絶縁層 6 0を介して最外層の導体パターン 7 2、及び、上層バイァホール（図示せず）が形成されている。下面側の該導体パターン 7 2、上層バイァホール（図示せず）には半田バンプ 8 8 Dを支持する半田パッド 8 6 Dが形成されている。ここで、マザ一ボード側の半田パッド 8 6 Dは、直径 6 0 0 mに形成されている。

該多層プリント配線板 3 0 0においては、下層バイァホール 5 0の表面が平坦であるため、上層のバイァホール 7 0が接続されても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。即ち、第 2 1図（I ) を参照して上述した従来技術に係るフィルドビア構造の多層プリント配線板においては、下層バィァホール 1 5 0に窪み 1 5 0 aが、また、上層のバイァホール 1 7 0に窪み 1 7 0 aが出きるため、基板の平滑性を損なわしめていたが、本実施形態の多層プリント配線板 3 0 0では、基板表面を平滑に形成することができるため、該多層プリント配線板（パッケージ基板）に載置される I Cチップの実装信頼性を高めることが可能となる。

また、後述する製造工程においてプレーン層 5 3の上層に層間樹脂絶縁層 6 0を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層 5 3のバイァホール 5 O Aの窪み 5 0 a内へ樹脂を逃がすこができる。このため、第 2 2図（P ) を参照して上述した従来技術の多層プリント配線板と異なり、本実施形態では、導体バターン 5 2の上側も、プレーン層 5 3の上側も層間樹脂絶縁層 6 0の厚みを均一にできるため、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することが可能となる。更に、プレーン層 5 3に配設されるバイァホール 5 O Aに窪み 5 0 aが形成されており、該窪み 5 0 aがアンカーとなってプレーン層 5 3と上層の層間樹脂絶縁層 6 0との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層 6 0に剥離（デラネーシヨン）が生じ難い。特に、該バイァホールを内部に有するプレーン層 5 3 の表面は、粗化処理され粗化層 5 8が形成され、上層の層間樹脂絶縁層 6 0との密着性が高められている。

そして、下層層間樹脂絶縁層 4 0及び上層層間樹脂絶縁層 6 0の開口部 4 2、 6 2の側面 4 2 a、 6 2 aは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部 4 2、 6 2内に形成されるバイァホール 5 0、 7 0との密着性を高めることができる。

本実施形態の多層プリント配線板においては、プレーン層 5 3内に備えられるバイァホール 5 O Aの窪み 5 0 aの深さは、 5 m以上であることが望ましレ^ これは、 5 i m以上の深さがあれば、十分なアンカ一効果を発揮し、プレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高め、該層間樹脂絶縁層 6 0に剥離を生じさせないからである。また、後述する製造工程において、プレーン 5 3層の上層の層間樹脂絶縁層 6 0を形成する樹脂を塗布する際に、該プレーン層 5 3のバイァホール 5 O Aの窪み 5 0 a内へ十分な量の樹脂を逃がし、当該層間樹脂絶縁層を平坦に形成することができる。他方、該窪み 5 0 aの深さは、 5 0 m以下にすることが望ましい。これは、 5 0 z m以下であれば、導体パターン 5 2に接続される側のバイァホール 5 0 Bの表面を平坦にすることが可能となるからである。

引き続き、第 1 1図に示すパッケージ基板（多層プリント配線板） 3 0 0の製造工程について第 1 3図〜第 1 6図を参照して説明する。ここで、図示の便宜上、第 1 3図〜第 1 6図は、第 1 1図の鎖線 Cで囲む部位のみを表す。なお、この第 3実施形態の多層プリント配線板の製造工程の内の（1 ) 〜（6 ) は、第 2図、第 3図を参照して上述した第 1実施形態と同様であるため説明及び図示を省略する。

( 7 )上記第 3図の工程（H) にてレジスト 4 6を形成した基板 3 0に対して、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 1 5 mの電解銅めつき膜 4 8を析出し、該めっき膜により開口部 4 2内を充填する（第 1 3 図の工程（I ) 参照）。

液条件：硫酸銅 · 5水和物 6 0 g Z 1

硫酸 1 9 0 gノ 1

塩素イオン 4 0 p p m レべリング剤（アトテック製 HL) 4 Om 1 / 1 光沢剤（アトテック製 UV) 0. 5ml/ 1

操作条件：バブリング 3. 00 1 /分電流密度 0. 5 A/dm²

設定電流値 0. 18 A めっき時間 100分 (8) めっきレジスト 46を 5 %KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 46下の無電解めつき膜 44を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めつき膜 44と電解銅めつき膜 48からなる厚さ約 1 5 / mの導体パターン 52 (第 1 1図参照）、プレーン層 53及びバイァホ一ル 50A、 5 OBを形成する（第 13図の工程（J) 参照）。本実施形態の製造方法では、定法による電解銅めつきと比較して、めっき面を平滑化するためのレペリング剤の分量を増やし、めっき面に光沢を与える光沢剤の分量を減らし、設定電流値を減らし、めっき時間を長くし、即ち、小電流で長時間かけて電解めつきを行うことで、導体パターン 52に接続されるバイァホール 50 B (第 12図参照）の表面を平滑にすると共に、プレーン層 53内に形成されるバイァホール 5 OAの表面中央部に窪み 50 aを形成する。なお、第 3実施形態においては、プレーン層 53の面積は、 0. 01〜10 dm² であることが望ましい。これは、該プレーン層内に備えられたバイァホールの充填されためつき表面に窪みを形成すると共に、導体パターンに接続されるバイァホールの充填されためつき表面を平坦に形成することが可能になるからである。

また、本実施形態では、バイァホール径（開口部 42の開口径： 67 μιη) と層層間樹脂絶縁層 40の厚み（20 /m) との比が、 3. 35に設定してある。ここで、バイァホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が 1以下では、上記めつき工程において、開口部 42の開口径に対して深みが深過ぎて、めつき液が該開口部 42内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 4を越えると、バイァホ —ルを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎるため、中央に窪みができバイァホールの表面を平滑に形成することができない。このため、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、 1を越え 4以下であることが望ましい。

また、導電パターン 52及びプレーン層 53の厚みは 20 im以下が好適で、 6 0 m以下であることが望ましい。これは、導電パターン及びプレーン層の厚みは、上述しためっきレジスト 4 6の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめっきレジストの厚みが 6 0 mを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。

( 9 ) 引き続き、基板 3 0の導体パターン 5 2、プレーン層 5 3及びバイァホール 5 0に対して、上記（2 ) と同様にして粗化層 5 8を形成する（第 1 3図の工程（K) 参照）。

( 1 0 ) 上記（2 ) 〜（8 ) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体パターンを形成する。即ち、基板 3 0の両面に、無電解めつき用接着剤 6 0を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行う（第 1 4図の工程（L 1 ) 参照）。この際、上述したようにプレーン層 5 3の上層に樹脂を塗布する際に、プレーン層 5 3のバイァホール 5 O Aの窪み 5 0 a内へ樹脂を逃がすことができる。このため、周囲に樹脂を逃がし得る導体パターン 5 2の上側も、周囲に逃がし得ないプレーン層 5 3の上側も樹脂 6 0の厚みを均一にできる。

その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光'現像し、バイァホール形成用開口 6 2を有する厚さ 2 0 mの層間樹脂絶縁層 6 0を形成する（第 1 4 図の工程（L 2 ) 参照）。次に、該層間樹脂絶縁層 6 0の表面に深さ 4 /x mの粗化層を形成する（第 1 4図の工程（L 3 ) 参照）。この粗化面は、開口部 6 2内部の側面 6 2 aに対しても同様に形成される。該粗面化処理した該基板 3 0の表面に、無電解銅めつき膜 6 4を形成する（第 1 5図の工程（M) 参照）。引き続き、無電解銅めつき膜 6 4上にめっきレジスト 6 6を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めつき膜 6 8を形成する（第 1 5図の工程（N)参照）。そして、めっきレジスト 6 6を剥離除去した後、そのめつきレジスト 6 6下の無電解めつき膜 6 4を溶解除去し上層バイァホール 7 0及び導体パターン 7 2 を形成する（第 1 5図の工程（O) 参照）。さらに、該上層バイァホール 7 0 及び導体パターン 7 2の表面に粗化層 7 8を形成し、パッケージ基板を完成する（第 1 6図の工程（P ) 参照）。

( 1 1 ) 引き続き、第 1実施形態と同様に上述したパッケージ基板の上面側に直径 1 3 3 mの半田バンプ 8 8 Uを、下面側に半田バンプ 8 8 Dを設ける（第 1 6図の工程（Q) 、工程（R) 、第 1 1図参照）。ここで、第 3実施形態の多層プリント配線板に対して、 P C T試験及びヒートサイクル試験を行った結果について述べる。多層プリント配線板を 2気圧、 1 2 1 ° C、湿度 1 0 0 %の環境下で 2 0 0時間放置する P C T試験を行った結果、層間樹脂絶縁層のデラミネーシヨンが観察されなかった。また、一 5 5 ~ 1 2 5 ° Cのヒートサイクルを 2 0 0回繰り返しても、層間樹脂絶縁層のデラミネーシヨンが発生しなかった。即ち、本実施形態の多層プリント配線板においては、上述したようにプレーン層 5 3に配設されるバイァホール 5 O Aに窪み 5 0 aが形成され、また、プレーン層 5 3の表面は、粗化処理され粗化層 5 8が形成され、プレーン層 5 3と層間樹脂絶縁層 6 0との密着性が高められている。このため、層間樹脂絶縁層 6 0に剥離（デラネーシヨン）が生じ難い。以上説明したように第 3実施形態のパッケージ基板において、プレーン層内に備えられたバイァホールに窪みが形成されており、該窪みがァンカ一となつてプレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層に剥離が生じ難い。また、製造工程においてプレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層のバイァホールの窪み内へ樹脂を逃がすこができ、当該層間樹脂絶縁層、即ち、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することができる。このため、 I Cチップ等を載置する際の実装信頼性を高めることが可能となる。他方、導体パターンに接続されるバイァホールの表面が平坦であるため、該バイァホールの上層にバイァホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。

引き続き、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の構成について第 1 8図（U) 及び第 1 7図を参照して説明する。第 1 7図は、多層プリント配線板の断面を示し、第 1 8図（U) は、該多層プリント配線板 4 0 0に I C チップ 9 0を取り付け、マザ一ボード 9 5側に載置した状態を示している。第 1 8図（U) 中に示す多層プリント配線板 4 0 0は、上面に I Cチップ 9 0のバンプ 9 2側に接続するための半田バンプ 8 8 Uが設けられ、下面側にマザ一ボード 9 5のバンプ 9 6に接続するための半田バンプ 8 8 Dが配設され、該 I Cチップ 9 0—マザ一ポード 9 5間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッケージ基板として構成されている。

第 1 7図に示すように多層プリント配線板 4 0 0のコア基板 3 0の上面側上層及び下面側上層（ここで、上層とは基板 3 0を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン 3 4、 3 4が形成されている。また、内層銅パターン 3 4の上層には、下層層間樹脂絶縁層 4 0を介在させて信号線を形成する導体回路 5 2、又、該層間樹脂絶縁層 4 0を貫通して下層バイァホール 5 0が形成されている。下層バイァホール 5 0及び導体回路 5 2の上層には、最外層層間樹脂絶縁層 6 0を介して最外層の導体回路 7 2、及び該最外層層間樹脂絶縁層 6 0に形成された開口部 6 2に銅めつきを充填してなる上層バイァホール 7 0が形成されている。上面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール 7 0には、半田バンプ 8 8 Uを支持する半田パッド 8 6 Uが形成されている。ここで、 I Cチップ側の半田パッド 8 6 Uは、直径 1 3 3 に形成されている。他方、下面側の該導体回路 7 2、上層バイァホール（図示せず）には半田バンプ 8 8 Dを支持する半田パッド 8 6 Dが形成されている。ここで、マザ一ボード側の半田パッド 8 6 Dは、直径 6 0 0 j mに形成されている。該半田バンプ 8 8 U、 8 8 Dは、ソルダーレジスト 8 0の開口（パット部） 8 1に形成されている。

第 4実施形態の多層プリント配線板においては、最外層の層間樹脂絶縁層 6 0の開口部 6 2にめつきが充填されバイァホール 7 0が形成されている。このためバイァホール 7 0が、第 2 3図（A) を参照して上述した従来技術に係る多層プリント配線板の凹状バイァホール 1 7 0と異なり、表面の高さが、半田バンプの形成される導体回路 7 2の高さと等しくなつている。このため、後述するようにバイァホール 7 0と導体回路 7 2とに同量の半田ペーストを印刷することで、当該バイァホール 7 0に形成される半田バンプ 8 8 Uと、導体回路 7 2に形成される半田バンプ 8 8 Uとの高さを等しくすることができる。このため、第 1 8図（U) に示すように、 I Cチップ 9 0を載置する際に、該 I C チップの半田パッド 9 2と、多層プリント配線板 4 0 0の半田バンプ 8 8 Uとの接続信頼性を高めることができる。

更に、バイァホール 7 0の中央部に窪み 7 0 aが形成されているため、バイァホール 7 0と半田バンプ 8 8 Uとの接続信頼性を高めることができる。特に、該窪み 7 0 aの曲面に対して垂直に粗化層 7 8が設けられているため、 I Cチップ 9 0の温度上昇に伴う、バイァホール 7 0と半田バンプ 8 8との間に加わる応力に対して両者を強固に接続し、バイァホール 7 0と半田バンプ 8 8 Uとの接続信頼性を高めることができる。そして、最外層層間樹脂絶縁層 6 0の開口部 6 2の側面 6 2 aは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部 6 2内に形成されるバイァホール 7 0との密着性を高めることができる。銅からなるバイァホール 7 0と、該バイァホール 7 0の形成された樹脂からなる最外層層間樹脂絶縁層 6 0との間には、両者の熱膨張率の違いから熱収縮の際に大きな応力が加わる。このため、該多層プリント配線板 4 0 0においては、最外層層間樹脂絶縁層 6 0に、靱性の高い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いることで、該応力によるクラックの発生を防止している。ここでは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いているが、この代わりに靱性の高いフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を主に用いて最外層層間樹脂絶縁層 6 0を形成することも可能である。

更に、導体回路 7 2の表面は粗化処理され、粗化層 7 8が形成されているため、導体回路 7 2上に形成される半田バンプ 8 8 Uとの間の密着性を高めることができる。また、銅めつきを充填してなるバイァホール 7 0及び銅めつきがら成る導体回路 7 2の表面に、ニッケルめっき層 8 2及び金めつき層（貴金属層） 8 4を形成し、該金めっき層 8 4を介して半田バンプ 8 8 Uが形成されているため、銅等からなるバイァホール 7 0、導体回路 7 2表面と半田バンプ 8 8 Uとの間に、酸化被膜が形成されず、バイァホール及び導体回路と半田バンプとの密着性を高めることができる。更に、ソルダーレジスト 8 0は、バイァホール 7 0及び導体回路 7 2を、半田パッド 8 6 U形成部を除き覆っているため、該ソルダーレジスト 8 0がバイァホール 7 0及び導体回路 7 2を保護し、基板全体の強度を高めている。なお、上述した説明では、多層プリント配線板 4 0 0の上面側の半田バンプ 8 8 Uについて説明したが、下側の半田バンプ 8 8 Dについても、同様に形成されている。

引き続き、第 1 7図に示す多層プリント配線板の製造工程について第 1 8図を参照して説明する。なお、この第 4実施形態の多層プリント配線板の製造ェ程の内の（1 ) 〜（6 ) は、第 2図、第 3図を参照して上述した第 1実施形態と同様であり、（7 ) 〜（1 0 ) は、第 8図〜第 1 0図を参照して上述した第 2実施形態と同様であるため説明及び図示を省略する。なお、第 4実施形態の製造方法では、第 2実施形態と同様に、第 1 0図のェ程（Q) に示すようにバイァホール 7 0を形成する部位の電解銅めつき 6 8の中央部に窪み 7 0 aができるように電解めつきを行う。さらに、該上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2の表面に粗化層 7 8を形成し、パッケージ基板を完成する。ここで、粗化層 7 8は、上述したようにバイァホール 7 0の中央の窪み 7 0 aの曲面に対しては、該曲面に垂直に形成される。

第 4実施形態では、バイァホール径（開口部 6 2の開口径： 6 7 ^ m) と最外層の層層間樹脂絶縁層 6 0の厚み（2 0 i m) との比が、 3 . 3 5に設定してある。ここで、バイァホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が 1以下では、上記めつき工程において、開口部 6 2の開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部 6 2内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 4を越えると、バイァホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎる。このため、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、 1を越え 4以下であることが望ましい。

また、導電回路 7 2の厚みは 2 0 m以下が好適で、 4 0 / m以下であることが望ましい。これは、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト 6 6の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめつきレジス卜の厚みが 4 0 i mを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。

( 1 1 ) 第 2実施形態の第 1 0図の工程（R) に示すように、基板 3 0の上面に直径 1 3 3 mの半田パッド 8 6 Uを、下面に直径 6 0 0 mの半田パッド 8 6 Dを形成した後、第 1 8図の工程（S ) に示すように半田バンプを形成する。ここでは、厚さ 4 0 z m、直径 1 6 0 mの開口 9 8 aを持つメタルマスク 9 8を載置し、ソルダ一レジスト層 8 0の開口部 8 1内の上面側半田パッド 8 6 Uに、平均粒子径 2 0 mの半田ペーストを印刷し、同様に下面側の半田パッド 8 6 Dに半田ペーストを印刷する。この半田ペーストの印刷工程において、バイァホール 7 0上も、導体回路 7 2上と同量の半田べ一ストを印刷すればよいため、メタルマスク 9 8の開口 9 8 aの径を全て等しく形成できる。このため、第 2 3図（B ) を参照して上述した従来技術に係る多層プリント配線板の形成用の複数種の径の開口 1 9 8 a、 1 9 8 bを備えるメタルマスク 1 9 8と比較して、本実施形態のメタルマスク 9 8は容易に形成できる。

半田ペーストの印刷に続き、基板 3 0を 2 0 0 °Cで加熱リフローし、上面側半田パッド 8 6 Uに直径 1 3 3 i mの半田バンプ 8 8 Uを、下面側半田パッド 8 6 Dに直径 6 0 0 i mの半田バンプ 8 8 Dを設け、半田バンプの形成を完了する（第 1 8図の工程（T) 参照）。その後、多層プリント配線板 4 0 0の表面を、界面活性材溶液にて洗浄し、上記リフローの際に半田ペーストから染み出たフラックスを洗い流す。

フラックス洗浄の際に、第 2 3図（C) を参照して上述した従来技術の多層プリント配線板 1 1 0においては、バイァホール 1 7 0内へ多くの半田ペーストを揷入するため、バイァホール 1 7 0に形成された半田バンプから出るフラックス量が多く、完全にフラックスを洗浄することは難しかった。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板 4 0 0では、バイァホール 7 0上にも、導体回路 7 2上と同様に少量の半田ペーストしか印刷していないため、フラックスを完全に洗い流すことができる。

更に、 2 0 0 ° Cのリフローの際に、従来技術の多層プリント配線板 5 1 0 は、大きく反って、 I Cチップの実装精度が低下した。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板 4 0 0は、リフローの際の反りが小さくなつた。この理由として、従来技術の多層プリント配線板 5 1 0は、バイァホール 5 7 0 が中空になっているため、該バイァホール自体が変形するのに対して、本実施形態では、バイァホール 7 0が銅めつき 6 8を充填して成るため、バイァホ一ル 7 0自体が熱により変形することがないためであると推測される。

最後に、該多層プリント配線板 4 0 0に I Cチップ 9 0を、 I Cチップ 9 0 の半田パッド 9 2が多層プリント配線板側の半田バンプ 8 8 Uに対応するように載置し、加熱炉でリフローすることにより、多層プリント配線板 4 0 0への I Cチップ 9 0の取り付けを行う（第 1 8図（U) 参照）。その後、多層プリント配線板 4 0 0と I Cチップ 9 0との間に、界面活性材溶液を注入し、上記リフローの際に半田ペース卜から染み出たフラックスを洗い流す。

フラックス洗浄の際に、多層プリント配線板 4 0 0と I Cチップとの間の狭い空間に界面活性剤溶液を注入しなければならないため、第 2 3図（D) を参照して上述した従来技術の多層プリント配線板 5 1 0においては、バイァホール 1 7 0に形成された半田バンプのフラックスを完全に洗浄することは難しかつた。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板 4 0 0では、バイァホール 7 0上にも、導体回路 7 2上と同様に少量の半田ペーストしか印刷していないため、フラックスを完全に洗い流すことができる。

このリフローの工程の後、該多層プリント配線板 4 0 0と I Cチップとの間の空間に樹脂を注入して、当該空間を樹脂封止してから、 I Cチップ 9 0全体を樹脂で覆い、樹脂モールドする（図示せず）。その後、 I Cチップ 9 0を載置した多層プリント配線板をマザ一ボード 9 5に取り付ける（第 1 8図（U) 参照）。

第 1 9図は、本発明の第 4実施形態の改変例に係る多層プリント配線板 4 0 1を示している。第 1 7図を参照して上述した第 4実施形態の多層プリント配線板においては、半田バンプの形成される上層バイァホール 7 0のみならず、下層層間樹脂絶縁層 4 0に形成される下層バイァホール 4 0についても銅めつきが充填されていた。これに対して、改変例の多層プリント配線板においては、下層バイァホール 5 0は、第 2 3図を参照して上述した従来技術と同様に、内部に樹脂が充填されている。また、第 4実施形態の上層バイァホール 7 0には、中央に窪み 7 0 aが形成されていたのに対して、改変例の上層バイァホール 7 0の表面は平滑に形成されている。更に、第 4実施形態では、上層バイァホール 7 0及び導体回路 7 2の上面に貴金属層として金めつき層 8 4が設けられていたのに対して、改変例では、白金めつき層 8 4が形成されている。この改変例でも、第 4実施形態と同様に、半田バンプ 8 8 U、 8 8 Dの接続信頼性を高めることができる。

以上説明したように第 4実施形態の多層プリント配線板において、開口部にめっきを充填することで、バイァホールの表面の高さを、半田バンプの形成される導体回路の高さと等しくしてある。このため、バイァホールと導体回路とに同量の半田ペーストを印刷することで、当該バイァホールに形成される半田バンプと、導体回路に形成される半田バンプとの高さを等しくすることができるので、半田バンプの接続信頼性を高めることが可能となる。

なお、上述した第 1〜第 4実施形態では、セミアディティブ法により形成するパッケージ基板を例示したが、本発明の構成は、フルアディティブ法により形成するパッケージ基板にも適用し得る。また、上述した実施形態では、多層プリント配線板としてパッケージ基板を例に挙げたが、本発明の構成をパッケ —ジ基板以外の多層プリント配線板に好適に適用し得ることは言うまでもない。また、本実施形態では、めっきを用いて充填したが、めっきの代わりに、導電性ペーストを充填することもできる。導電性ペーストとしては、タッタ電線製 D Dペースト（A E 1 6 0 0 1 ) を使用できる。

Claims

請求の範囲

1 . 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部には金属が充填されて表面の平坦な下層バイァホールが形成され、当該下層バイァホールの上層側に上層バイァホールが形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。

2 . 前記下層バイァホールの前記表面は、粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1に記載の多層プリント配線板。

3 . 前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1又は 2の多層プリント配線板。

4 . 前記上層バイァホール及び前記導体回路の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1〜 3のいずれか 1つに記載の多層プリント配線板。

5 . 前記下層の層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求の範囲 1〜 4のいずれかに記載の多層プリント配線板。

6 . 記下層バイァホールは、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 1を越え、 4以下に形成されていることを特徴とする請求の範囲 1〜 5のいずれかに記載の多層プリント配線板。

7 . 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部には金属が充填されて下層バイァホールが形成され、当該下層バイァホールの表面の粗化層を介して上層バイァホールが形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。

8 . 前記下層バイァホールの中央部には、窪みが形成されていることを特徴とする請求の範囲 7に記載の多層プリント配線板。

9 . 前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 7又は 8の多層プリント配線板。

1 0 . 前記上層バイァホール及び前記導体回路の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 7〜 9のいずれか 1つに記載の多層プリント配線板。

1 1 . 前記下層の層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求の範囲 7〜 9のいずれかに記載の多層プリント配線板。

1 2 . 前記下層バイァホールは、バイァホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が 1を越えることを特徴とする請求の範囲 7又は 8に記載の多層プリント配線板。

1 3 . 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

前記導体パターンに接続されるバイァホールは、金属が充填されて表面が平坦に形成され、前記プレーン層内に備えられたバイァホールは、金属が充填され表面に窪みが形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。

1 4 . 前記導体パターンに接続されるバイァホール、及び、前記プレーン層内に備えられたバイァホールの形成される層間樹脂絶縁層の開口部の側面は、粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1 3の多層プリント配線板。

1 5 . 前記バイァホールを内部に有するプレーン層の表面は、粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1 3又は 1 4に記載の多層プリント配線板。 1 6 · 前記プレーン層内に備えられたバイァホールの窪みの深さは、 5 m 〜5 0 mであることを特徴とする請求の範囲 1 3ないし請求の範囲 1 5のいずれか 1つに記載の多層プリント配線板。

1 7 . 前記プレーン層の面積は、 0 . 0 1 d m² 〜： L 0 d m² であることを特徵とする請求の範囲 1 3ないし請求の範囲 1 6のいずれか 1つに記載の多層プリント配線板。

1 8 . 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

該最外層の層間樹脂絶縁層に穿設された開口部に金属が充填されて成るバイァホール上に形成された半田バンプと、を備えることを特徵とする多層プリント配線板。

1 9 . 前記バイァホールの中央部には、窪みが形成されていることを特徴とする請求の範囲 1 8に記載の多層プリント配線板。

2 0 . 前記最外層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1 8又は 1 9の多層プリント配線板。

2 1 . 前記バイァホール及び前記最外層上の導体回路の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求の範囲 1 8〜2 0のいずれか 1つに記載の多層プリント配線板。

2 2 . 前記バイァホールの表面には、少なくとも表面に貴金属層を有する金属層が形成され、この貴金属の上に半田バンプが形成されていることを特徴とする請求の範囲 1 8〜 1 9のいずれかに記載の多層プリント配線板。

2 3 . 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、

層間樹脂絶縁層に穿設された開口部に金属が充填されて成るバイァホール上に半田バンプが形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。