TWI738226B - 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) - Google Patents
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- TWI738226B TWI738226B TW109106095A TW109106095A TWI738226B TW I738226 B TWI738226 B TW I738226B TW 109106095 A TW109106095 A TW 109106095A TW 109106095 A TW109106095 A TW 109106095A TW I738226 B TWI738226 B TW I738226B
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 167
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 48
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 Bi2Sr2CaCu2O8 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910009567 YMnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002353 SrRuO3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002254 LaCoO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910002328 LaMnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910002401 SrCoO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910003387 SrMnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 33
- 229910005639 SnTiO3 Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021330 Ti3Al Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001005 Ni3Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000624 NiAl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021118 PdCo Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002837 PtCo Inorganic materials 0.000 description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010039 TiAl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N copper iron Chemical compound [Fe].[Cu] IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018921 CoO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910012949 LiV2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005408 Ni2MnGa Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021130 PdO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019020 PtO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010052 TiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical class [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWCMFHPRATWWFO-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ta+5].[Sc+3].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Sc+3].[O-2].[O-2].[O-2] XWCMFHPRATWWFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAUIDPFKEVQLLR-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zr+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Zr+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] FAUIDPFKEVQLLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKIOKAURTKXMSB-UHFFFAOYSA-N adams's catalyst Chemical compound O=[Pt]=O YKIOKAURTKXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOIGHUSRADNYQR-UHFFFAOYSA-N aluminum;lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[La+3] BOIGHUSRADNYQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical class [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N iridium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052566 spinel group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N strontium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2].[Ba+2] CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
敘述了一種低功率、高密度1T-1C(一個電晶體及一個電容器)記憶體位元胞,其中該電容器包含具有鐵電材料(鈣鈦礦、瑕鐵電、或六方晶鐵電)的柱狀結構以及作為電極的導電氧化物。於各種實施例中,導電氧化物電極的一層環繞柱狀電容器,並形成柱狀電容器的外部電極。柱狀電容器的核心可以採取各種形式。
Description
本發明係有關於具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(NVM)。
優先權
本發明主張於2019年二月27日提出申請之標題為「High-Density Low Voltage Non-Volatile Memory with Unidirectional Plate-Line and Bit-Line and Pillar Capacitor」的美國專利申請案編號16/287,953之優先權,出於所有目的將其全部內容以引用方式併入本文中。
用在處理器中的標準記憶體係靜態隨機存取記憶體(SRAM)或動態隨機存取記憶體(DRAM),及它們的衍生物。這些記憶體係揮發性記憶體。例如,當供應至記憶體的電源斷開,記憶體將遺失它們儲存的資料。現在,非揮發性記憶體也普遍用於計算平台中以取替磁硬碟。即使斷開供應至非揮發性記憶體的電源,但是非揮發性記憶體還是可以長時間(例如,數月、數年或永久)留存它們儲存的資料。非揮發性記憶體的實例係磁性隨機存取記憶體(MRAM)、NAND或NOR快閃記憶體。這些記憶體可能不適於低功耗及緊湊型計算裝置,因為這些記憶體遭受高寫入能量、低密度、及高功率耗損的困擾。
本文提供的先前技術的敘述是為了大致地呈現本發明上下文的目的。除非本文另有說明,否則本段落敘述的材料不是本申請的申請專利範圍的先前技術,並且不因包含在本段落中而被承認是先前技術。
與
一些實施例敘述1T-1C(一個電晶體及一個電容器)記憶體位元胞,其中該電容器包含具有鐵電材料的柱狀結構以及作為電極的導電氧化物。於各種實施例中,導電氧化物電極的一層環繞柱狀電容器,並形成柱狀電容器的外部電極。柱狀電容器的核心可以採取各種形式。
在一些實施例中,柱狀電容器的核心包括導電氧化物的另一層,使得鐵電(FE)材料係在外部導電氧化物層(或電極)與內部導電氧化物(或電極)之間。在一些實施例中,耦接至該電晶體之柱狀電容器的部分包含由金屬間折射材料(例如,Ti-Al、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co)形成的阻障結構。在一些實施例中,阻障層係第一材料與第二材料的超晶格,其中該第一材料包括Ti與Al(例如,TiAl)並且該第二材料包括Ta、W、及Co(例如,Ta、W、及Co一起的層)。於各種實施例中,阻障層的晶格參數與導電氧化物及/或FE材料的晶格參數匹配。在一些實施例中,外部導電氧化物層部分地或完整地覆蓋有側壁阻障密封件(例如,Ti-Al-O或MgO)。於各種實施例中,側壁阻障密封件的晶格參數與外部導電氧化物的晶格參數匹配。
FE材料可為任何合適的低電壓FE材料,其允許FE材料藉由低電壓(例如,100mV)切換其狀態。在一些實施例中,FE材料包含ABO3
類型的鈣鈦礦,其中「A」與「B」為兩個不同大小的陽離子,並且「O」是氧,其為與兩個陽離子鍵合的陰離子。一般而言,A原子的大小大於B原子的大小。在一些實施例中,鈣鈦礦可為經摻雜的(例如,由La或鑭系)。於各種實施例中,當FE材料為鈣鈦礦時,導電氧化物為AA’BB’O3
類型。A’是原子位點A的摻雜物,可以是鑭系系列的元素。B’是原子位點B的摻雜物,可以是來自過渡金屬元素的元素,特別是Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可能具有與A點相同的原子價,並且鐵電極化率不同。
在一些實施例中,FE材料包含h-RMnO3類型的六方晶鐵電,其中R係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及釔(Y)。鐵電相位的特徵在於層狀MnO5多面體的彎曲(buckling),伴隨著Y離子的置換,這導致了淨電極化。在一些實施例中,六方晶FE包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3。於各種實施例中,當FE材料包含六方晶鐵電時,導電氧化物為A2O3(例如,In2O3、Fe2O3)及ABO3類型,其中「A」為稀土元素而「B」為Mn.。
在一些實施例中,FE材料包含瑕FE材料。瑕鐵電為其中主階參數係諸如原子序列的應變或彎曲的序列機制的鐵電。瑕FE材料之實例分別是LuFeO3類材料或鐵電和順電材料PbTiO3(PTO)和SnTiO3(STO)的超晶格,以及分別是LaAlO3(LAO)和STO。例如,[PTO/STO]n或[LAO/STO]n的超晶格,其中「n」係在1至100之間。雖然這裡參考用於儲存電荷狀態的鐵電材料敘述了各種實施例,但是這些實施例也適用於順電材料。例如,可使用順電材料代替鐵電材料來形成各個實施例的柱狀電容器。
有許多各種實施例的技術效果。例如,使用柱狀電容器形成的記憶體位元胞允許FE柱狀電容器中的FE狀態的非常低的電壓切換(例如,100mV)。FE柱狀電容器可與任一類型的電晶體一起使用。例如,各個實施例的FE柱狀電容器可與平面或非平面電晶體一起使用。電晶體可經形成在前端或後端。與習知DRAM位元胞相比,使用柱狀電容器形成的記憶體位元胞導致更高或更窄的位元胞。如此一來,更多位元胞可經封裝在晶粒中而產生更高密度的記憶體,該記憶體可以在比習知DRAM更低的電壓下操作,而且提供廣受歡迎的非揮發性性能。在一些實施例中,為了進一步增加每一晶粒的記憶體密度,記憶體位元胞係形成在前端與後端。其它技術效應從各種實施例及圖式將顯而易見。
在下面的說明中,大量的細節被討論以提供對本揭示的實施例之更徹底的解釋。然而,對本發明所屬領域之具有通常知識者,本揭示的實施例可不用這些特定的細節可被實踐是顯而易見的。在其它例子中,為了避免模糊本揭示的實施例,已知的結構和裝置詳細敘述,而以方塊圖的形式被示出。
注意,在實施例之對應的圖式中,訊號以線代表。有些線可能比較粗以指示更多成份的訊號路徑,和/或具有箭頭在一或多個端,以指示主要資訊流動方向。如此之指示不意圖為被限制的。而是,線被使用以與一或多個示例性實施例有關以促進對電路或邏輯單元更容易的理解。任何代表的訊號,由設計需求或偏好所指定,可實際上包含一或多個訊號,其可在任一方向上移動且可與任何適當類型的訊號方案被實施。
用語「裝置」通常可以指根據該用語之使用背景的裝置。例如,裝置可以指的是層或結構的堆疊、單一結構或層、具有主動及/或被動元件之各種結構的連接等等。一般而言,裝置為具有沿著x-y方向之平面及沿著x-y-z笛卡爾座標系統之z方向之高度的三維結構。裝置之平面也可為包含裝置之設備的平面。
貫穿說明書及在申請專利範圍中,用語「連接的」意指在連接的東西之間以諸如電性、機械或磁性的直接連接,而沒有任何中間的裝置。
用語「耦接」的意思是透過一或多個被動或主動中間裝置在連接的或間接連接的物之間的直接或間接連接,諸如直接電性、機械或磁性連接。
本文中的用語「相鄰」通常指的是事物的位置(例如,緊靠著它們之間的一或多處事物)或鄰接另一事物(例如,毗連它)。
用語「電路」或「模組」可指的是一或多個被動和/或主動組件,其為佈置以與另一個合作來提供所需的功能。
用語「訊號」可稱為至少一電流訊號、電壓訊號、磁性訊號或資料/時脈訊號。「一(a)」、「一個(an)」以及「該」的意思包括數個參考。「中」的意思包括「中」和「上」。
用語「縮放」通常是指將設計(示意圖和佈局)從一種製程技術轉換為另一種製程技術,並隨後減小其佈局面積。用語「縮放」通常還指縮小相同技術節點內的佈局和裝置。用語「縮放」還可以指相對於另一參數(例如,電源供應位準)調整(例如,減速或加速-即分別縮小或放大)信號頻率。
用語「實質上」、「接近」、「大約」、「附近」以及「大約」一般指的是目標值在+/-10%之間。例如,除非在其使用之明確背景中另外指明,否則術語「實質上相等」、「大約相等」和「近似相等」表示在所敘述的事物之間僅存在偶然的變化。在本領域中,這種變化通常不大於預定目標值的+/-10%。
除非以其它方式指明,使用用以敘述一般物件之一般形容詞「第一」、「第二」以及「第三」等等,僅指示相似物件之不同實例被提及,並且不旨在暗示如此描述的物件必須以給定的順序,無論是時間、空間、排名或以在任何其他方式。
對於本揭露之目的,用語「A和/或B」及「A或B」的意思是(A)、(B)或(A和B)。對於本揭露之目的,用語「A、B和/或C」的意思是(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
在敘述和申請專利範圍中「左」、「右」、「前」、「後」、「頂」、「底」、「之上」、「之下」等的用語為用於敘述性目的,而不一定用於描述永久的相對位置。例如,如本文所使用的用語「上方」、「下方」、「前側」、「背側」、「頂部」、「底部」、「之上」、「之下」和「在上」是指一個組件、結構、或材料相對於其它在裝置內之參考組件、結構、或材料的相對位置,其中這種物理關係是值得注意的。這些用語在本文中僅用於敘述目的,並且主要在裝置z軸的背景內使用,因此可以相對於裝置的取向。因此,如果裝置相對於所提供之圖式的背景顛倒定向,則在本文提供之圖式的背景中的第二材料「之上」的第一材料也可以在第二材料「之下」。在材料的上下文中,設置在另一個之上或之下的一種材料可以直接接觸或可以具有一或多種中間材料。此外,設置在兩種材料之間的一種材料可以直接與兩層接觸,或者可以具有一或多個中間層。相反,第一材料在第二材料「上」為與第二材料直接接觸。在組件集合的上下文中將做出類似的區別。
用語「之間」可採用在裝置之z軸、x軸、或y軸的背景中。兩種其它材料之間的材料可為與那些材料中的一種或兩種接觸,或者可以藉由一或多個中間材料將其與其它兩種材料分開。兩種其它材料「之間」的材料可因此與其它兩種材料中的任一種接觸,或者可以透過中間材料耦接至其它兩種材料。兩種其它裝置之間的裝置可直接與那些裝置中的一或兩種連接,或者可以藉由一或多個中間裝置將其與其它兩種裝置分開。
此處,多個非矽半導體材料層可堆疊在單一鰭片結構內。多個非矽半導體材料層可包括一或多個「P型」層,其適用於P型電晶體(例如,提供比矽更高的電洞移動率)。多個非矽半導體材料層可進一步包括一或多個「N型」層,其適用於N型電晶體(例如,提供比矽更高的電子移動率)。多個非矽半導體材料層可進一步包括將N型與P型層分開的一或多個中介層。中介層可以是至少部分犧牲的,例如允許閘極、源極、或汲極中的一或多個完全圍繞一或多個N型和P型電晶體的通道區域。多個非矽半導體材料層可至少部分利用自對準技術來製造,使得堆疊的CMOS裝置可同時包括具有單一FET(場效電晶體)之足跡的高移動率N型和P型電晶體。
此處,用語「後端」通常是指晶粒之與「前端」相對的區段,並且其中IC(積體電路)封裝耦接至IC晶粒凸塊。例如,高階金屬層(例如,在十金屬堆疊晶粒中的金屬層6和更高的金屬層)及更靠近晶粒封裝之相應通孔被認為是晶粒之後端的一部分。相反地,用語「前端」通常是指晶粒的一區段,其包括主動區(例如,其中製造半導體的地方)和低階金屬層及更靠近主動區(例如,在十金屬堆疊晶粒實例中的金屬層5及更低的金屬層)的相應通孔。
指出那些圖中具有相同的元件編號(或名稱)之元件與任何其它圖式的元件一樣可以以任何類似於所描述之方式操作或運作,但不限制於此。
圖1A-B根據一些實施例分別繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器及作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個平面電晶體及一個電容器)記憶體位元胞的3D視圖100及相應的橫截面120,其中導電氧化物中的一者環繞柱狀電容器。圖1A-B之記憶體位元胞包括平面電晶體,其具有基材101、源極102、汲極103、通道區域104、包含閘極介電質的閘極105、閘極間隔物106a與106b、閘極金屬107、源極接觸108a、以及汲極接觸108b。
基材101包括一合適的半導體材料,諸如:單晶矽、多晶矽、絕緣體上的矽(silicon on insulator,SOI)。在一實施例中,基材101包括其它半導體材料,諸如:Si、Ge、SiGe、或合適的III-V族或III-N族化合物。基材101也可包括半導體材料、金屬、摻雜物、及半導體基材中常見的其他材料。
在一些實施例中,源極區域102及汲極區域103係形成在基材101內與電晶體之閘極堆疊相鄰。源極區域102及汲極區域103通常使用蝕刻/沉積製程或佈植/擴散製程形成。
在蝕刻/沉積製程中,首先在源極102和汲極區域103的位置處蝕刻基材101以形成凹陷。然後可以進行磊晶沉積製程以使用用於製造源極區域102和汲極區域103的材料填充凹陷。在佈植/擴散製程中,可以將諸如硼、鋁、銻、磷或砷的摻雜物離子佈植到基材中以形成源極區域102和汲極區域103。退火製程活化了摻雜物並且導致它們進一步擴散至基材101內,退火製程通常接在離子佈植製程後。
在一些實施例中,金屬和/或金屬合金之一或多個層係用來形成源極區域102和汲極區域103。在一些實施例中,源極區域102和汲極區域103係使用一或多個替代半導體材料形成,諸如鍺或合適的III-V族化合物。在一些實施例中,源極區域102和汲極區域103係使用矽合金製成,諸如鍺化矽或碳化矽。在一些實施例中,磊晶沉積的矽合金係用如硼、砷或磷的摻雜物原位摻雜。
根據一些實施例,對於通道區域104的半導體材料可具有與基材101相同的材料。在一些實施例中,通道區域104包括下列中的一者:Si、SiGe、Ge、及GaAs。
閘極介電質層105可包括一層或堆疊層。一或多個層可包括高k介電質材料、氧化矽、及/或二氧化矽(SiO2
)。高k介電質材料可包括諸如以下元素:鋅、鈮、鈧、貧釔、鉿、矽、鍶、氧、鋇、鈦、鋯、鉭、鋁、及鑭。可用在閘極介電質層中的高k材料的一實例:鉛鋅鈮酸鹽、氧化鉿、鉛鈧鉭氧化物、矽酸鉿氧化合物、氧化釔、氧化鋁、氧化鑭、鋇鍶鈦氧化物、鋁鑭氧化物、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭、及氧化矽鋯。在一些實施例中,當使用高k材料時,在閘極介電質層105上使用退火製程,以改善其品質。
在一些實施例中,一對間隔物層(側壁間隔物)106a/b可被形成在閘極堆疊的相對側,該閘極堆疊支撐著閘極堆疊。該對間隔物層106a/b係從一材料形成,諸如:氮氧化矽、氮化矽、摻雜碳的氮化矽、或碳化矽。用於形成側壁間隔物之製程為本領域眾所周知的,並且通常包括沉積和蝕刻製程操作。在一些實施例中,可使用複數個間隔物對。例如,可以在閘極堆疊的相對側上形成兩對、三對或四對側壁間隔物。
閘極金屬層107可包含P型功函數金屬或N型功函數金屬中的至少一者,其取決電晶體是p型或n型電晶體。閘極金屬層107可包含兩或多個金屬層的堆疊,其中一或多個金屬層係功函數金屬層並且至少一金屬層係導電填充層。
對於n型電晶體,可用於閘極金屬層107的金屬包括:碳化鋁、碳化鉭、碳化鋯、及碳化鉿。在一些實施例中,對於用於n型電晶體的閘極金屬層107的金屬包括:鋁、鉿、鋯、鈦、鉭、及其合金。一n型金屬層將能夠形成具有約3.9eV至約4.2eV之間的一功函數的n型閘極金屬層207。在一些實施例中,金屬層107包括下列中的一者:TiN、TiSiN、TaN、Cu、Al、Au、W、TiSiN、或Co。在一些實施例中,金屬層107包括下列中的一者:Ti、N、Si、Ta、Cu、Al、Au、W、或Co。
對於一p型電晶體,用於閘極金屬層107的金屬包括但不限於釕、鈀、鉑、鈷、鎳和導電金屬氧化物。導電氧化物的一實例包括釕氧化物。一p型金屬層將能夠形成具有約4.9eV至約5.2eV之間的一功函數的p型閘極金屬層107。
汲極接觸108b係耦接至通孔109b,其係耦接至金屬層110。金屬層110係位元線,其沿著x軸延伸。源極接觸108a係透過通孔109a耦接至金屬間折射111a。導電氧化物112c係耦接至金屬間折射111b。任何合適的材料可用於汲極和源極接觸108a/n及通孔109。例如,Ti、N、Si、Ta、Cu、Al、Au、W、或Co中的一或多者可用於汲極和源極接觸108a/n及通孔109a/b。
金屬間折射111a/b係導電材料,其維持柱狀電容器的FE性質。在沒有金屬間折射111的情況下,柱狀電容器的鐵電材料或順電材料可能會失去其效力。在一些實施例中,金屬間折射111a/b包含Ti和Al(例如,TiAl化合物)。在一些實施例中,金屬間折射111a/b包含Ta、W、及/或Co中的一或多者。例如,金屬間折射111a/b包括Ta、W、及Co的晶格。在一些實施例中,金屬間折射111a/b包括下列中的一者:Ti-Al,諸如Ti3Al、TiAl、TiAl3;Ni-Al,諸如Ni3Al、NiAl3、NiAl;Ni-Ti、Ni-Ga、Ni2MnGa;FeGa、Fe3Ga;硼化物、碳化物、或氮化物。在一些實施例中,TiAl材料包含Ti-(45-48)Al-(1-10)M(以X痕量%),其中M為來自下列中的至少一種元素:V、Cr、Mn、Nb、Ta、W及Mo,以及痕量0.1-5%的Si、B、及/或Mg。在一些實施例中,TiAl係一單相位合金γ(TiAl)。在一些實施例中,TiAl係兩單相位合金γ(TiAl)+α2(Ti3Al)。單相位γ合金含有三合金元素,諸如Nb或Ta,其可以提升強度並進一步增強抗氧化性。在兩相位合金中的第三合金元素的作用是提高延展性(V、Cr、Mn)、抗氧化性(Nb、Ta)或綜合性質。諸如Si、B、和Mg的添加物可顯著地提高其它性質。在一些實施例中,金屬間折射111a/b包括下列中的一或多個:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co。
於各種實施例中,柱狀電容器係相鄰於金屬間折射111a/b。柱狀電容器包含具有區段112a、112b、及112c的第一導電氧化物112;FE或順電(PE)材料113、以及FE材料113之間的第二導電氧化物114。導電氧化物的頂區段(例如,112c)係經由金屬間111b耦接至板線或脈衝線115。在一些實施例中,諸如金屬間折射層(未圖示)的阻障層係接於導電氧化物112c與PL 115之間。
區段112a和112b彼此平行,而區段112c正交於區段112a和112b。於各種實施例中,板線或脈衝線(PL)沿著x方向延伸並平行於BL 110。與BL和PL彼此正交的情況相比,藉由使BL和PL彼此平行,因為記憶體位元胞足跡減小所以進一步提高記憶體的面積。閘極金屬107係耦接至閘極接觸116,其係耦接至金屬線117。金屬線117係用作為字元線(WL),並且其正交於BL 110與PL 115。任何合適的金屬可被用於BL 110、PL 115、及WL 117。例如,Al、Cu、Co、Au、或Ag可被用於BL 110、PL 115、及WL 117。
在一些實施例中,FE材料113係鈣鈦礦,其包括下列中的一或多者:La、Sr、Co、Sr、Ru、Y、Ba、Cu、Bi、Ca、及Ni。例如,諸如(La,Sr)CoO3
、SrRuO3
,、(La,Sr)MnO3
、YBa2
Cu3
O7
、Bi2
Sr2
CaCu2
O8
、LaNiO3
等的金屬鈣鈦礦可被用於FE材料113。鈣鈦礦可被合適的摻雜,以實現0.3至2%範圍內的自發畸變。例如,對於化學取代的鈦酸鉛(諸如,在Ti位置的Zr;在Ti位置的La、Nb),這些取代物的濃度應使其達到0.3-2%的自發畸變。對於化學取代的BiFeO3、BrCrO3、BuCoO3類的材料,取代Bi位置的La或稀土可調節自發畸變。
於各種實施例中,當金屬鈣鈦礦係用於FE材料113a/b時,導電氧化物112和114可包括下列中的一或多者:IrO2
,、RuO2
、PdO2
、OsO2
、或ReO3
。在一些實施例中,鈣鈦礦係摻雜La或鑭系。在一些實施例中,具有非鈣鈦礦結構、但導電性更高以為在低溫下純鈣鈦礦鐵電之成長提供晶種或模板的薄層(例如,大約10 nm)鈣鈦礦模板導體(例如塗覆在IrO2、RuO2、PdO2、PtO2頂部的SrRuO3)係用作為導電氧化物112和114。
在一些實施例中,FE材料113包含AMnO3類型的六方晶鐵電,其中A係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及釔(Y)。鐵電相位的特徵在於層狀MnO5多面體的彎曲(buckling),伴隨著Y離子的置換,這導致了淨電極化。在一些實施例中,六方晶FE包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3。於各種實施例中,當FE材料包含六方晶鐵電時,導電氧化物為A2O3(例如,In2O3、Fe2O3)及ABO3類型,其中「A」為稀土元素而「B」為Mn.。用為導電氧化物112與114之六方晶金屬的實例包括下列中的一或多種:PtCoO2、PdCoO2、及其它銅鐵礦結構的六方晶金屬氧化物,諸如摻雜Al的ZnO。
在一些實施例中,FE材料113包含瑕FE材料。瑕FE材料之實例分別是LuFeO3類材料或鐵電和順電材料PbTiO3(PTO)和SnTiO3(STO)的超晶格,以及分別是LaAlO3(LAO)和STO。例如,[PTO/STO]n或[LAO/STO]n的超晶格,其中「n」係在1至100之間。在一些實施例中,導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。導電氧化物的其它實例包括諸如Fe3O4、LiV2O4的尖晶石以及諸如ITO(銦錫氧化物)、Sn摻雜In2O3的立方金屬氧化物。
雖然這裡參考用於儲存電荷狀態的鐵電材料敘述了各種實施例,但是這些實施例也適用於順電材料。例如,可使用順電材料代替鐵電材料來形成各個實施例的柱狀電容器。於各種實施例中,在柱狀電容器中的導電氧化物和金屬間材料係在鐵電材料的兩側。
圖1C根據一些實施例繪示1T-1C記憶體位元胞的橫截面130,其中具有FE材料的柱狀電容器形成在PL與BL之間。藉由在BL之上形成柱狀電容器,介於BL 110與PL 115之間的金屬層間距可以自由有效地使用它,以實現柱狀電容器之廣泛的電容值範圍。柱狀電容器定位的組態亦允許1T-1C位元胞的間距實質上是電晶體MN的間距。如此一來,達成高密度記憶體。
圖1D根據一些實施例繪示1T-1C記憶體位元胞的橫截面140,其中具有FE材料的兩個柱狀電容器形成在PL 115與BL 110之間。這裡,形成具有由導電氧化物區段112d隔開之FE材料113a與113b的兩個柱狀電容器。厚度t112
在10 nm至150nm的範圍內。根據各種實施例,兩個柱狀電容器共享相同的阻障層111a/b與相同的導電氧化物區段112c。雖然顯示兩個柱狀電容器,可在BL 110與PL 115之間的空間中形成兩個以上的柱狀電容器。柱狀電容器的組態亦允許1T-1C位元胞的間距實質上是電晶體MN的間距。如此一來,達成具有更高電容值的高密度記憶體。
圖2根據一些實施例繪示圖1之1T-1C位元胞的高密度佈局200。位元胞佈局的間距大約是電晶體區域的間距。這裡,間距指的是位元胞的x和y尺寸。因為小間距,許多位元胞可以以陣列方式封裝,從而形成高密度記憶體陣列。
雖然各種實施例的電容性柱狀係顯示為矩形結構,但是其也可以具有其它形狀。例如,各種實施例的電容性柱狀可具有尺寸類似於參照矩形電容性柱狀敘述之尺寸的圓柱形形狀。
圖3A-B分別繪示具有側壁阻障密封件之柱狀電容器300與320的3D視圖。圖3A-B的實施例可用於文中所述之任何實施例。電容器300類似於圖1A之電容器,除了將側壁阻障(絕緣(insulative)或絕緣(insulating))密封件301應用於輸出導電氧化物層112。於此情況下,側壁阻障密封件301分別應用於兩個區段112a與112b作為301a與301b。在柱狀電容器300中,側壁阻障密封件301a與301b沿著z軸延伸以覆蓋阻障結構111a/b的側壁。在一些實施例中,頂部區段112c亦以側壁阻障密封件301來密封。在一些實施例中,側壁阻障密封件301包含下列中的一或多個:Ti、Al、O、或Mg。例如,TiAlO3
、MgO、或TiO2
可用為側壁阻障密封件。側壁阻障密封件301保護電容器材料免受元素擴散到其中。側壁阻障密封件301係低導電材料,並且具有低電容。
在一些實施例中,阻障結構(對於111a/b)的厚度t111
係在0.5 nm(奈米)至10 nm的範圍內。在一些實施例中,導電氧化物的厚度t112
係在0.5 nm至20 nm的範圍內。在一些實施例中,FE材料的厚度t113
係在0.5 nm至100 nm的範圍內。在一些實施例中,側壁阻障的厚度t301
係在0.5 nm至10 nm的範圍內。 在一些實施例中,柱的高度hpillar
係在50 nm至5000 nm的範圍內。
電容器320係類似於電容器300,但是適用於側壁阻障密封件301的應用。此處,側壁阻障係標記為321,但包含與參考301所討論之相同材料。在一些實施例中,側壁阻障沿著輸出導電氧化物112a/b/c之所有側面延伸為321a/b/c。於此實例中,側壁阻障密封件321a和321b不延伸至阻障111a/b。在一些實施例中,厚度t321
與厚度t301
相同。
於各種實施例中,阻障層111a/b的晶格參數與導電氧化物及/或FE材料的晶格參數匹配。在一些實施例中,外部導電氧化物層112部分地或完整地覆蓋有側壁阻障密封件(例如,Ti-Al-O或MgO)。於各種實施例中,側壁阻障密封件的晶格參數與外部導電氧化物的晶格參數匹配。
圖4A根據一些實施例繪示具有作為在鐵電結構上方之第一電極的環繞導電氧化物及在柱狀內作為第二電極的金屬間折射之柱狀電容器400的3D視圖。在一些實施例中,導電氧化物層114的中心或核心被金屬間折射的堆疊(Ti和Al)取代。在一些實施例中,金屬間折射的堆疊包括層401和402。在一些實施例中,層401和402包括TiAl。其他材料包括:Ti3Al、TiAl3、Ni3Al、NiAl3、NiAl、Ni-Ti、Ni-Ga、Ni3MnGa、FeGa、Fe3Ga、硼化物、碳化物、及氮化物。在一些實施例中,401和402是不同材料。在一些實施例中,用於層401和402之材料是相同材料。金屬間折射之堆疊係由FE材料區段413c、413b、及413c(與材料113相同)圍繞在三個側面上。FE材料的組成物係根據本文中所討論之任何FE材料。於各種實施例中,導電氧化物112a/b沿著y軸延伸,使得它們相鄰於阻障結構111a。阻障結構111a亦相鄰於FE材料區段413a、413b、以及401或402中的一者。在一些實施例中,圖3A-B的側壁阻障密封件301亦可用於柱狀電容器400。在一些實施例中,堆疊的長度Lstack
係在5 nm至200 nm的範圍內。在一些實施例中,層401的厚度t401
係在10 nm至60 nm的範圍內。在一些實施例中,層402的厚度t402
係在10 nm至60 nm的範圍內。
圖4B根據一些實施例繪示具有作為在鐵電結構上方之第一電極的環繞導電氧化物及在柱狀內作為第二電極的金屬間折射之柱狀電容器420的3D視圖,其中金屬間折射具有金屬塗層。在一些實施例中,導電氧化物層114之中心或核心被置換為材料421和422的堆疊,其中421係諸如Cu、Co、Ru、Ta、或W(或它們的組合),以及其中422係由下列中的一或多者所形成的一通孔層:Cu、Co、Ru、Ta、W、TaN、WN、或它們的組合。在一些實施例中,層421和422的材料堆疊係由金屬塗層411a、411b、及411c所覆蓋。在一些實施例中,圖3A-B的側壁阻障密封件301亦可用於柱狀電容器420。在一些實施例中,堆疊的長度Lstack
係在5 nm至200 nm的範圍內。在一些實施例中,層421的厚度t421
係在10 nm至60 nm的範圍內。在一些實施例中,層422的厚度t422
係在10 nm至60 nm的範圍內。圖4A-B的實施例可用於文中所述之任何實施例。
圖5A-B根據一些實施例分別繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器與作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個鰭片式FET及一個電容器)記憶體位元胞3D視圖500及相應的橫截面520,其中導電氧化物之一者環繞柱狀電容器。圖5A之記憶體位元胞類似於圖1A之記憶體位元胞,但為用於非平面電晶體。鰭片式FET係非平面電晶體的一實例。鰭片式FET包含一鰭片,該鰭片包括源極502和汲極503區域。通道位於源極與區域502和503之間。電晶體MN可具有彼此平行的多個鰭片,該些鰭片係耦接至相同的閘極堆疊。該等鰭片穿過形成源極和汲極區域502和503的閘極堆疊。
圖6根據一些實施例繪示圖5A之1T-1C位元胞的高密度佈局600。像圖2之記憶體位元胞的間距一樣,這裡的位元胞佈局的間距大約是電晶體區域的間距。這裡,間距指的是位元胞的x和y尺寸。因為小間距,許多位元胞可以以陣列方式封裝,從而形成高密度記憶體陣列。
圖7根據一些實施例繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器與作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個後端鰭片式FET及一個電容器)記憶體位元胞3D視圖700,其中導電氧化物之一者環繞柱狀電容器。在此實施例中,電晶體可以是後端電晶體。雖然顯示為鰭片式FET,但是可以使用可耦接至電容器柱的任何後端電晶體。
圖8根據一些實施例繪示形成1T-1C位元胞的流程圖800。雖然在流程圖800之方塊係以特定順序繪示,但是順序是不確定的。例如,一些方塊或製程可在其它方塊或製程之前執行,並且一些方塊或製程可以同時執行。在方塊801,形成具有源極、汲極、及閘極的電晶體MN。電晶體可以是平面的或非平面的。在方塊802,字元線117係經由接觸件117耦接至閘極電極107。在方塊803,形成在第一方向(例如,x軸)上延伸的位元線110。位元線110係透過通孔109耦接至電晶體MN的源極或汲極。位元線110延伸正交於字元線117。在方塊804,形成沿第一方向延伸的脈衝線或板線(PL)115。PL 115係耦接至電晶體MN的源極或汲極。在方塊805,形成相鄰於源極或汲極區域並耦接至PL 115的柱狀電容器結構(例如,圖1A、圖3-4)。
圖9根據一些實施例繪示形成用於1T-1C位元胞之柱狀電容器的流程圖900。雖然在流程圖900之方塊係以特定順序繪示,但是順序是不確定的。例如,一些方塊或製程可在其它方塊或製程之前執行,並且一些方塊或製程可以同時執行。在方塊901,形成包含第一金屬間折射(例如,111)的第一結構。第一結構係相鄰於電晶體MN的源極或汲極區域。在方塊902,形成包含第一導電氧化物112的第二結構。第二結構包含第一112a、第二112b、及第三112c區段。第一區段112a在正交於第一方向(例如,沿x軸)的第二方向(例如,沿z軸)上延伸,其中第二區段112b係平行於第一區段112a。第三區段112b係相鄰於第一和第二區段,使得第三區段在第一方向(例如,沿x軸)上延伸,其中第一區段的一部分與第二區段的一部分相鄰於第一結構111a。形成區段112c,使其相鄰於金屬間111b。
在方塊903,形成包含鐵電材料(例如,鈣鈦礦、六方晶鐵電、瑕鐵電)的第三結構113。第三結構包含第一、第二、及第三區段(沿z軸和x軸的113的區段),其中第一區段係相鄰於第二結構的第一區段(112a),其中第二區段係相鄰於第二結構的第二區段(112b),以及其中第三區段係相鄰於第二結構的第三區段(112c),其中第三結構之第一與第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸。
在方塊904,該方法包含形成第四結構,其中第四區段包含第二導電氧化物,其中第四結構係介於第三結構之第一與第二區段之間,以及其中第四結構的一部分係相鄰於第三結構之第三區段的一部分。
在方塊904,方法包含形成包含第二導電氧化物114的第四結構。第二導電氧化物係介於第三結構的第一113與第二113區段之間。雖然流程圖900係繪示形成圖1A-D之電容性柱狀結構,相同的製程可用於形成圖3-4之電容性柱狀結構。
圖10根據一些實施例繪示具有1T-1C位元胞陣列及邏輯之記憶體晶片1000的流程圖。晶片1000包含具有非揮發性鐵電DRAM(FE-DRAM)陣列1002的記憶體模組1001,其中陣列包含位元胞,如在此參考各個實施例所敘述的。記憶體模組1001進一步包含CMOS邏輯1003,諸如解碼器、多工器、及用以驅動BL、WL、PL的驅動器。記憶體模組1001進一步包括輸入-輸出(IO)介面1004,其用於與諸如人工智慧(AI)處理器1005(例如,專用AI處理器、組態為AI處理器的圖形處理器)的其它裝置通訊。
參照說明書中的「實施例,」、「一實施例,」、「一些實施例,」、或「其它實施例」指的是與實施例有關所描述之特別特徵、結構、或特性可被包括在至少一些實施例中,但不一定為所有實施例。不同表現形式之「實施例,」、「一實施例,」、或「一些實施例,」不一定全指相同的實施例。如果說明書說明組件、特徵、結構、或特性包括「可(may),」、「可能(might)」,或「可以(could)」,那特別的組件、特徵、結構、或特性不要求被包括。如果說明書中指出「一」或「一個」元件,其不代表僅有一個元件。如果說明書或申請專利範圍中指出「額外的」元件,其並不排除存在一個以上額外的元件。
再者,特定特徵、結構、功能或特性可以合適的方式結合在一或多個實施例中。例如,第一實施例可與第二實施例可在任何地方被結合,與兩個實施例關聯的獨特的特徵、結構、功能或特性為不相互互斥的。
雖然本揭示已經與其特定實施例一同描述,鑑於前面的描述,此種實施例的許多替代、修改及變化對本發明領域技術之熟悉者而言將會是顯而易見的。本揭示的實施例意圖包含關於所附的申請專利範圍的最廣範疇之所有如此之替代、修改及變化。
此外,為了說明和討論的簡潔及不模糊本揭示,連接至積體電路(IC)晶片及其它組件的已知電源/接地可或可能不顯示在所呈現的圖式內。再者,為了避免模糊本揭示,配置可以方塊圖的形式被顯示,以及鑑於關於如此之方塊圖配置的實施詳情係高度取決於本揭示將被實施(即,如此之詳情應在本發明所屬領域具通常知識者的視界內)之平台內的事實。其中為了描述本揭示的實例實施例而被提出之特定細節(例如,電路),對本發明所屬領域具通常知識者而言,本揭示可不以這些特定細節或這些特定細節的變化來被實踐將會是顯而易見的。敘述因此被視為說明性而非限制性。
提供下列實例來說明各種實施例。該等實例可與其它實例組合。如此一來,各種實施例可與其它實施例組合,而不需改變本發明的範圍。
實例1:一種設備,包含:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線,其中該電容性結構包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;第三結構,其包含鈣鈦礦,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例2:如實例1之設備,其中該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段的一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六與該第七結構包含絕緣材料。
實例3:如實例2之設備,其中該絕緣材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例4:如實例2之設備,其中該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者。
實例5:如實例2之設備,其中該鈣鈦礦係摻雜有La或鑭系。
實例6:如實例2之設備,其中該金屬間折射係導電材料,其包括下列中的一或多者:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co。
實例7:如實例2之設備,其中該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
實例8:如實例1之設備,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例9:如實例1之設備,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
實例10:如實例1之設備,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:La、Sr、Co、Ru、Mn、Y、Na、Cu、或Ni。
實例11:如實例1之設備,其中該電容性結構係圓柱形。
實例12:如實例1之設備,其中該鈣鈦礦係摻雜Sc或Mn,以控制通過該第三結構的洩漏。
實例13:一種形成記憶體位元胞的方法,該方法包含:形成具有源極、汲極、和閘極的電晶體;形成耦接至該閘極的字元線;形成在第一方向上延伸的位元線,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;形成在該第一方向上延伸的板線;以及形成相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線的電容性結構,其中形成該電容性結構包含:形成包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;形成包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;形成包含鈣鈦礦的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及形成包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例14:如實例13之設備,形成該電容性結構包含:形成相鄰於該第二結構之該第一區段之一側的第五結構;以及形成相鄰於該第二結構之該第二區段之一側的第六層,其中該第六與該第七結構包含絕緣材料。
實例15:如實例14之方法,該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg;該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者;該鈣鈦礦係摻雜La或鑭系;該金屬間折射包括下列中的一或多個:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co;以及該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
實例16:如實例13之方法,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例17:如實例13之方法,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
實例18:如實例13之方法,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:La、Sr、Co、Ru、Mn、Y、Na、Cu、或Ni。
實例19:如實例13之方法,其中該電容性結構係圓柱形。
實例20:如實例13之方法,其中該鈣鈦礦係摻雜Sc或Mn,以控制通過該第三結構的洩漏。
實例21:一種系統,包含:人工智慧處理器;以及非揮發性記憶體,其耦接至該AI處理器,其中該非揮發性記憶體包括位元胞,其中該等位元胞之一者包括:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線,其中該電容性結構包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;第三結構,其包含鈣鈦礦,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例22:如實例21之系統,其中該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段的一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六與該第七結構包含絕緣材料。
實例23:如實例22之系統,其中該絕緣材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg;該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者;該鈣鈦礦係摻雜La或鑭系;該金屬間折射包括下列中的一或多個:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co;以及該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
實例24:一種設備,包含:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者,其中該電容性結構包含:包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;包含六方晶鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例25:如實例24之設備,其中該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段的一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六與該第七結構包含絕緣阻障材料。
實例26:如範例25之設備,其中該絕緣阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、Hf、或Mg。
實例27:如實例25之設備,其中該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者。
實例28:如實例2之設備,其中該導電金屬間折射包括下列中的一或多者:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co。
實例29:如實例25之設備,其中該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
實例30:如實例24之設備,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例31:如實例24之設備,其中該第一或第二導電氧化物包括:In2O3、Fe2O3、Fe3O4、PtCoO3、PdCoO2、Al摻雜ZnO、或摻雜In2O3的Sn。
實例32:如實例24之設備,其中該電容性結構係圓柱形。
實例33:如實例24之設備,其中該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3。
實例34:如實例24之設備,其中六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,其包括下列中的一者:鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)。
實例35:一種形成差動鐵電記憶體的方法,該方法包含:形成具有源極、汲極、和閘極的電晶體;形成耦接至該閘極的字元線;形成在第一方向上延伸的位元線,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;形成在該第一方向上延伸的板線;以及形成相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線的電容性結構,其中該電容性結構包含:形成包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;形成包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;形成包含六方晶鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及形成包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例36:如實例35之方法,其中形成該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段之一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段之一側,其中該第六與該第七結構包含阻障材料。
實例37:如實例36之方法,其中該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例38:如實例36之方法,其中形成該電晶體係包含形成平面或非平面電晶體中的一者。
實例39:如實例36之方法,其中金屬間折射包括下列中的一或多個:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co。
實例40:如實例36之方法,其中形成該電晶體包含將該電晶體定位在晶粒之後端,或其中形成該電晶體包含將該電晶體定位在該晶粒之前端。
實例41:如實例36之方法,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例42:如實例36之方法,其中該第一或第二導電氧化物包括:In2O3、Fe2O3、Fe3O4、PtCoO3、PdCoO2、Al摻雜ZnO、或摻雜In2O3的Sn。
實例43:如實例36之方法,其中該電容性結構係圓柱形。
實例44:如實例36之方法,其中該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3。
實例45:如實例36之方法,其中六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,其包括下列中的一者:鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)。
實例46:一種系統,包含:人工智慧處理器;以及非揮發性記憶體,其耦接至該AI處理器,其中該非揮發性記憶體包括位元胞,其中該等位元胞之一者包括:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線,其中該電容性結構包含:包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;包含六方晶鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例47:如實例45之系統,其中該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3。
實例48:如實例45之系統,其中六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,其包括下列中的一者:鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)。
實例49:一種設備,包含:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者,其中該電容性結構包含:包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;包含瑕鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例50:如實例49之設備,其中該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段的一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六與該第七結構包含阻障材料。
實例51:如實例50之設備,其中該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例52:如實例50之設備,其中該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者。
實例53:如實例50之設備,其中該金屬間折射包括下列中的一或多者:Ti、Al、Ta、W、或Co。
實例54:如實例50之設備,其中該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
實例55:如實例49之設備,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例56:如實例49之設備,其中該電容性結構係圓柱形。
實例57:如實例49之設備,其中該瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
實例58:一種形成鐵電記憶體的方法,其中該方法包含:形成具有源極、汲極、和閘極的電晶體;形成耦接至該閘極的字元線;形成在第一方向上延伸的位元線,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;形成在該第一方向上延伸的板線;以及形成相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線的電容性結構,其中該電容性結構包含:形成包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;形成包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;形成包含瑕鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及形成包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例59:如實例48之方法,其中形成該電容性結構包含:第五結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段之一側;以及第六層,其相鄰於該第二結構之該第二區段之一側,其中該第六與該第七結構包含阻障材料。
實例60:如實例59之方法,其中該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例61:如實例59之方法,其中形成該電晶體係包含形成平面或非平面電晶體中的一者。
實例62:如實例59之方法,其中該金屬間折射包括下列中的一或多者:Ti、Al、Ta、W、或Co。
實例63:如實例59之方法,其中形成該電晶體包含將該電晶體定位在晶粒之後端,或其中形成該電晶體包含將該電晶體定位在該晶粒之前端。
實例64:如實例59之方法,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
實例65:如實例59之方法,其中該電容性結構係圓柱形。
實例66:如實例59之設備,其中該瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
實例67:一種系統,包含:人工智慧處理器;以及非揮發性記憶體,其耦接至該AI處理器,其中該非揮發性記憶體包括位元胞,其中該等位元胞之一者包括:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線,其中該電容性結構包含:包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;包含瑕鐵電的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例68:如實例67之系統,其中該瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
實例69:一種電容性結構,包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;以及第三結構,其包含鐵電材料,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸。
實例70:如實例69之電容性結構,其包含第四結構,該第四結構包含第二導電氧化物,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例71:如實例69之電容性結構,其包含第四結構,該第四結構包含:第一材料與第二材料的層堆疊,其中該第一材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、或W,並且該第二材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、W、TaN或WN;以及圍繞該堆疊之三區段的一層,其中該層包含Ti和Al,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間。
實例72:如請求項69之電容性結構,其中該折射結構係第一折射結構,並且其中該電容性結構包含第五結構,該第五結構包含第二金屬間折射,其中該第五結構係相鄰於該板線且相鄰於該第四結構。
實例73:如實例69之電容性結構,包含:第六結構,其相鄰於該第二結構之該第一區段的一側;以及第七層,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六與該第七結構包含阻障材料。
實例74:如實例73之電容性結構,其中該鐵電材料係下列中的一者:鈣鈦礦、六方晶鐵電、或瑕鐵電。
實例75:如實例74之電容性結構,其中:該鐵電材料包括下列中的一者:該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3;該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3、或LuFeO3;或六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y);或瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
實例76:如實例74之電容性結構,其中該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例77:如實例74之電容性結構,其中該第一或第二折射材料包括下列中一或多個:Ti、Al、Ta、W、或Co。
實例78:如實例74之電容性結構,其中該第一及第二導電氧化物包括下列中一者的氧化物:當該鐵電材料係鈣鈦礦時為Ir、Ru、Pd、Ps、或Re;當鐵電材料係六方晶鐵電時為PtCo、PdCo銅鐵礦結構的六方晶金屬;Fe、LiV;或InTi。
實例79:如實例74之電容性結構,其中該鐵電材料係摻雜Sc或Mn,以控制通過該鐵電材料的洩漏。
實例80:一種形成電容性結構的方法,該方法包含:形成包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;形成包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;以及形成包含鐵電材料的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸。
實例81:如實例80之方法,其包含形成第四結構,該第四結構包含第二導電氧化物,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例82:如實例81之方法,其中包含形成第四結構,該第四結構包括:形成第一材料與第二材料的層堆疊,其中該第一材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、或W,並且該第二材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、W、TaN或WN;以及形成圍繞該堆疊之三區段的一層,其中該層包含Ti和Al,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間。
實例83:如請求項81之方法,其中該折射結構係第一折射結構,並且其中該方法進一步包含形成第五結構,該第五結構包含第二金屬間折射,其中該第五結構係相鄰於該板線且相鄰於該第四結構。
實例84:如實例81之方法,包含:形成相鄰於該第二結構之該第一區段的一側的第六結構;以及形成相鄰於該第二結構之該第二區段的一側的第七層,其中該第六與該第七結構包含阻障材料。
實例85:如實例84之方法,其中該鐵電材料係下列中的一者:鈣鈦礦、六方晶鐵電、或瑕鐵電。
實例86:如實例85之方法,其中:該鐵電材料包括下列中的一者:該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3;該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3、或LuFeO3;六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y);或瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
實例87:如實例86之方法,其中該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
實例88:如實例86之方法,其中該第一或第二折射材料包括下列中一或多個:Ti、Al、Ta、W、或Co。
實例89:如實例86之方法,其中該第一及第二導電氧化物包括下列中一者的氧化物:當該鐵電材料係鈣鈦礦時為Ir、Ru、Pd、Ps、或Re;當鐵電材料係六方晶鐵電時為PtCo、PdCo銅鐵礦結構的六方晶金屬;Fe、LiV;或InTi。
實例90:如實例86之方法,其中該鐵電材料係摻雜Sc或Mn,以控制通過該鐵電材料的洩漏。
實例91:一種系統,包含:記憶體,其包含電容性結構;以及人工智能(AI)處理器,其耦接至該記憶體,其中該電容性結構包含:包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;包含鐵電材料的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
實例92:如實例91之系統,其中該鐵電材料係下列中的一者:鈣鈦礦、六方晶鐵電、或瑕鐵電。
實例93:如實例92之系統,其中:該鐵電材料包括下列中的一者:該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3;該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3、或LuFeO3;六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y);或異常鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
摘要被提供為將允許讀者確定本技術公開的性質和要點。摘要是在能被了解其將不被用來限制申請專利範圍的範圍和意義被提交。下面的申請專利範圍由此被結合到詳細描述中,每個申請專利範圍本身作為單獨的實施例。
100,500,700:3D視圖
101:基材
102,502:源極
103,503:汲極
104:通道區域
105:閘極
106a,106b:閘極間隔物
107:閘極金屬
108a:源極接觸
108b:汲極接觸
109,109a,109b:通孔
110:金屬層
111a,111b:金屬間折射
112,114:導電氧化物
112a,112b,112c,112d:區段
113,113a,113b:FE材料
115:板線(PL)
116:閘極接觸
117:金屬線
120,130,140,520:橫截面
200,600:高密度佈局
300,320,400,420:柱狀電容器
301,301a,301b,321a,321b:側壁阻障密封件
321:側壁阻障
401,402:層
411a,411b,411c:金屬塗層
413a,413b,413c:FE材料區段
421,422:材料
800,900:流程圖
801,802,803,804,805,901,902,903,904:方塊
1000:記憶體晶片
1001:記憶體模組
1002:非揮發性鐵電DRAM(FE-DRAM)陣列
1003:CMOS邏輯
1004:輸入-輸出(IO)介面
1005:人工智慧(AI)處理器
本揭露實施例從下面給定之詳細的敘述以及從本揭露各種實施例伴隨的圖式將更完整地了解,然而,其不應限制本揭露為具體實施例,但其僅用為解釋和了解。
[圖1A-B]根據一些實施例分別繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器及作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個平面電晶體及一個電容器)記憶體位元胞的三維(3D)視圖及相應的橫截面,其中導電氧化物中的一者環繞柱狀電容器。
[圖1C]根據一些實施例繪示1T-1C記憶體位元胞的橫截面,其中具有FE材料的柱狀電容器形成在板線(PL)與位元線(BL)之間。
[圖1D]根據一些實施例繪示1T-1C記憶體位元胞的橫截面,其中具有FE材料的兩個柱狀電容器形成在板線(PL)與位元線(BL)之間。
[圖2]根據一些實施例繪示圖1之1T-1C位元胞的高密度佈局。
[圖3A-B]分別繪示具有側壁阻障密封件之柱狀電容器的3D視圖。
[圖4A]根據一些實施例繪示具有作為在鐵電結構上方之第一電極的環繞導電氧化物及在柱狀內作為第二電極的金屬間折射之柱狀電容器的3D視圖。
[圖4B]根據一些實施例繪示具有作為在鐵電結構上方之第一電極的環繞導電氧化物及在柱狀內作為第二電極的金屬間折射堆疊之柱狀電容器的3D視圖,其中堆疊具有金屬塗層。
[圖5A-B]根據一些實施例分別繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器與作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個鰭片式FET及一個電容器)記憶體位元胞3D視圖及相應的橫截面,其中導電氧化物之一者環繞柱狀電容器。
[圖6]根據一些實施例繪示圖5A之1T-1C位元胞的高密度佈局。
[圖7]根據一些實施例繪示包含具有鐵電材料之柱狀電容器與作為電極之導電氧化物的1T-1C(一個後端鰭片式FET及一個電容器)記憶體位元胞3D視圖,其中導電氧化物之一者環繞柱狀電容器。
[圖8]根據一些實施例繪示形成1T-1C位元胞的流程圖。
[圖9]根據一些實施例繪示形成用於1T-1C位元胞之柱狀電容器的流程圖。
[圖10]根據一些實施例繪示具有1T-1C位元胞陣列及邏輯之記憶體晶片的流程圖。
101:基材
102:源極
103:汲極
105:閘極
106a,106b:閘極間隔物
107:閘極金屬
108a:源極接觸
108b:汲極接觸
109a,109b:通孔
110:金屬層
111a,111b:金屬間折射
114:導電氧化物
112a,112b,112c:區段
113,113b:FE材料
115:板線(PL)
116:閘極接觸
117:金屬線
130:橫截面
Claims (30)
- 一種具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體的設備,該設備包含:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其透過一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者並且相鄰於該板線,其中該電容性結構係該柱狀電容器,其中該電容性結構包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係透過該一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;第三結構,其包含鈣鈦礦,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係 彼此平行並沿該第二方向延伸;以及第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分;以及第五結構,其耦接至該第二結構之該第一區段的一側,其中該側在該第一方向上延伸,其中該第五結構包含絕緣材料,其中該第五結構係耦接至該一或多個通孔。
- 如請求項1之設備,其中該電容性結構包含:第六結構,其相鄰於該第二結構之該第二區段的一側,其中該第六結構包含絕緣材料。
- 如請求項2之設備,其中該絕緣材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg。
- 如請求項2之設備,其中該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者。
- 如請求項2之設備,其中該鈣鈦礦係摻雜有La或鑭系。
- 如請求項2之設備,其中該金屬間折射係導電材料,其包括下列中的一或多者:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co。
- 如請求項2之設備,其中該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
- 如請求項1至7中任一項之設備,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物:Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
- 如請求項1之設備,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
- 如請求項1之設備,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:La、Sr、Co、Ru、Mn、Y、Na、Cu、或Ni。
- 如請求項1之設備,其中該電容性結構係圓柱形。
- 如請求項1之設備,其中該鈣鈦礦係摻雜Sc或Mn,以控制通過該第三結構的洩漏。
- 一種形成記憶體位元胞的方法,該方法包含:形成具有源極、汲極、和閘極的電晶體;形成耦接至該閘極的字元線;形成在第一方向上延伸的位元線,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;形成在該第一方向上延伸的板線;以及形成透過一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者的電容性結構,其中形成該電容性結構包含:形成包含金屬間折射的第一結構,其中該第一結構係 透過該一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極;形成包含第一導電氧化物的第二結構,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;形成包含鈣鈦礦的第三結構,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及形成包含第二導電氧化物的第四結構,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分;以及形成第五結構;將該第五結構耦接至該第二結構之該第一區段的一側,其中該側在該第一方向上延伸,其中該第五結構包含絕緣材料;以及將該第五結構耦接至該一或多個通孔。
- 如請求項13之方法,其中形成該電容性結構包含: 形成相鄰於該第二結構之該第二區段之一側的第六結構,其中該第六結構包含阻障材料。
- 如請求項14之方法,其中:該阻障材料包括下列中的一或多個的氧化物:Ti、Al、或Mg;該電晶體係平面或非平面電晶體中的一者;該鈣鈦礦係摻雜La或鑭系;該金屬間折射包括下列中的一或多個:Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Al、或Co;以及該電晶體係位於晶粒之後端,或其中該電晶體係位於該晶粒之前端。
- 如請求項13之方法,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
- 如請求項13之方法,其中該鈣鈦礦包括下列中的一者:La、Sr、Co、Ru、Mn、Y、Na、Cu、或Ni。
- 如請求項13之方法,其中該電容性結構係圓柱形。
- 如請求項13之方法,其中該鈣鈦礦係摻雜Sc或Mn,以控制通過該第三結構的洩漏。
- 如請求項13至19中任一項之方法,其中該第一或第二導電氧化物包括下列中一或多個的氧化物: Ir、Ru、Pd、Ps、或Re。
- 一種具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體的系統,該系統包含:人工智慧處理器;以及非揮發性記憶體,其耦接至該AI處理器,其中該非揮發性記憶體包括位元胞,其中該等位元胞之一者包括:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其相鄰於該電晶體之該源極或該汲極中的一者,其中該電容性結構係該柱狀電容器,其中該電容性結構包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係相鄰於該電晶體之該源極或該汲極;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;第三結構,其包含鈣鈦礦,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二 結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分;以及第五結構,其耦接至該第二結構之該第一區段的一側,其中該側在該第一方向上延伸,其中該第五結構包含絕緣材料,其中該第五結構係耦接至該一或多個通孔。
- 如請求項21之系統,其中該電容性結構係如請求項2至12中的任一項。
- 一種具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體的設備,該設備包含:電晶體,其具有源極、汲極、和閘極;字元線,其耦接至該閘極;位元線,其在第一方向上延伸,該位元線耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者;板線,其在該第一方向上延伸;以及電容性結構,其透過一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極中的一者,其中該電容性結構包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構係透過該一或多個通孔耦接至該電晶體之該源極或該汲極; 第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分相鄰於該第一結構;第三結構,其包含六方晶鐵電,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸;以及第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分;以及第五結構,其耦接至該第二結構之該第一區段的一側,其中該側在該第一方向上延伸,其中該第五結構包含絕緣材料,其中該第五結構係耦接至該一或多個通孔。
- 如請求項23之設備,其中:該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3;或六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,其包括下列中的一者:鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、 釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)。
- 一種電容性結構,包含:第一結構,其包含金屬間折射,其中該第一結構在第一方向上延伸;第二結構,其包含第一導電氧化物,其中該第二結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段在正交於該第一方向的第二方向上延伸,其中該第二區段係平行於該第一區段,並且其中該第三區段相鄰於該第一及第二區段使得該第三區段在該第一方向上延伸,其中該第一區段的一部分與該第二區段的一部分直接耦接至該第一結構;以及第三結構,其包含鐵電材料,其中該第三結構包含第一、第二、及第三區段,其中該第一區段係相鄰於該第二結構的該第一區段,其中該第二區段係相鄰於該第二結構的該第二區段,並且其中該第三區段係相鄰於該第二結構的該第三區段,其中該第三結構之該第一與該第二區段係彼此平行並沿該第二方向延伸。
- 如請求項25之電容性結構,其中該鐵電材料係下列中的一者:鈣鈦礦、六方晶鐵電、或瑕鐵電。
- 如請求項26之電容性結構,其中:該鈣鈦礦包括下列中的一者:LaCoO3、SrCoO3、SrRuO3、LaMnO3、SrMnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8 、或LaNiO3;該六方晶鐵電包括下列中的一者:YMnO3或LuFeO3;或六方晶鐵電係h-RMnO3類型,其中R係稀土元素,即,鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y);或該瑕鐵電包括下列中的一者:[PTO/STO]n或[LAO/STO]n,其中「n」係在1至100之間。
- 如請求項25之電容性結構,包含:第四結構,其包含第二導電氧化物,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間,並且其中該第四結構的一部分係相鄰於該第三結構之該第三區段的一部分。
- 如請求項25之電容性結構,其包含第四結構,該第四結構包含:第一材料與第二材料的層堆疊,其中該第一材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、或W,並且該第二材料包括下列中的一者:Cu、Co、Ru、Ta、W、TaN、或WN;以及圍繞該堆疊之三個區段的一層,其中該層包含Ti和Al,其中該第四結構係在該第三結構之該第一與第二區段之間。
- 如請求項28或29之電容性結構,其中該折射結構係第一折射結構,並且其中該電容性結構包含第五結構,該第五結構包含第二金屬間折射,其中該第五結構係相鄰於該第四結構。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/287,953 US11476260B2 (en) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor |
US16/287,953 | 2019-02-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202105686A TW202105686A (zh) | 2021-02-01 |
TWI738226B true TWI738226B (zh) | 2021-09-01 |
Family
ID=72140509
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110129115A TWI791259B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-25 | 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) |
TW111150380A TW202316636A (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-25 | 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) |
TW109106095A TWI738226B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-25 | 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110129115A TWI791259B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-25 | 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) |
TW111150380A TW202316636A (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-25 | 具有單向板線和位元線及柱狀電容器的高密度低電壓非揮發性記憶體(nvm) |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US11476260B2 (zh) |
JP (2) | JP7420822B2 (zh) |
KR (2) | KR20230117254A (zh) |
DE (1) | DE112020000955T5 (zh) |
TW (3) | TWI791259B (zh) |
WO (1) | WO2020176311A1 (zh) |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11251365B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-02-15 | Intel Corporation | High blocking temperature spin orbit torque electrode |
US11257613B2 (en) | 2018-03-31 | 2022-02-22 | Intel Corporation | Spin orbit torque (SOT) memory devices with enhanced tunnel magnetoresistance ratio and their methods of fabrication |
US11575083B2 (en) | 2018-04-02 | 2023-02-07 | Intel Corporation | Insertion layer between spin hall effect or spin orbit torque electrode and free magnet for improved magnetic memory |
US11393515B2 (en) | 2018-06-14 | 2022-07-19 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenide based spin orbit torque memory device |
US11502188B2 (en) | 2018-06-14 | 2022-11-15 | Intel Corporation | Apparatus and method for boosting signal in magnetoelectric spin orbit logic |
US11245068B2 (en) | 2018-06-14 | 2022-02-08 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenide based magnetoelectric memory device |
US11398562B2 (en) | 2018-06-14 | 2022-07-26 | Intel Corporation | Magnetoelectric spin orbit logic transistor with a spin filter |
US11665975B2 (en) | 2018-06-19 | 2023-05-30 | Intel Corporation | Spin orbit coupling memory device with top spin orbit coupling electrode and selector |
US11374163B2 (en) | 2018-06-19 | 2022-06-28 | Intel Corporation | Spin orbit memory with multiferroic material |
US11476412B2 (en) | 2018-06-19 | 2022-10-18 | Intel Corporation | Perpendicular exchange bias with antiferromagnet for spin orbit coupling based memory |
US11367749B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-06-21 | Intel Corporation | Spin orbit torque (SOT) memory devices and their methods of fabrication |
US11508903B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-11-22 | Intel Corporation | Spin orbit torque device with insertion layer between spin orbit torque electrode and free layer for improved performance |
US11362263B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-06-14 | Intel Corporation | Spin orbit torque (SOT) memory devices and methods of fabrication |
US11380838B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-07-05 | Intel Corporation | Magnetic memory devices with layered electrodes and methods of fabrication |
US11616192B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-03-28 | Intel Corporation | Magnetic memory devices with a transition metal dopant at an interface of free magnetic layers and methods of fabrication |
US11444237B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-09-13 | Intel Corporation | Spin orbit torque (SOT) memory devices and methods of fabrication |
US11502103B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-11-15 | Intel Corporation | Memory cell with a ferroelectric capacitor integrated with a transtor gate |
US11411047B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-08-09 | Intel Corporation | Stacked transistor bit-cell for magnetic random access memory |
US11264558B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-01 | Intel Corporation | Nano-rod spin orbit coupling based magnetic random access memory with shape induced perpendicular magnetic anisotropy |
US11411046B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-08-09 | Intel Corporation | Semiconductor device heat extraction by spin thermoelectrics |
US11387404B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-07-12 | Intel Corporation | Magnetoelectric spin orbit logic based minority gate |
US11581417B2 (en) | 2018-09-13 | 2023-02-14 | Intel Corporation | Improper ferroelectric active and passive devices |
US11411172B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-08-09 | Intel Corporation | Magnetoelectric spin orbit logic based full adder |
US11594270B2 (en) | 2018-09-25 | 2023-02-28 | Intel Corporation | Perpendicular spin injection via spatial modulation of spin orbit coupling |
US11476408B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-10-18 | Intel Corporation | Spin orbit torque (SOT) memory devices with enhanced magnetic anisotropy and methods of fabrication |
US11557717B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-01-17 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenide based spin orbit torque memory device with magnetic insulator |
US11276730B2 (en) | 2019-01-11 | 2022-03-15 | Intel Corporation | Spin orbit torque memory devices and methods of fabrication |
US11574666B2 (en) | 2019-01-11 | 2023-02-07 | Intel Corporation | Spin orbit torque memory devices and methods of fabrication |
US11476260B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-10-18 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor |
US11557629B2 (en) | 2019-03-27 | 2023-01-17 | Intel Corporation | Spin orbit memory devices with reduced magnetic moment and methods of fabrication |
US11594673B2 (en) | 2019-03-27 | 2023-02-28 | Intel Corporation | Two terminal spin orbit memory devices and methods of fabrication |
CN113892156A (zh) * | 2019-04-08 | 2022-01-04 | 开普勒计算公司 | 掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置 |
US11063131B2 (en) * | 2019-06-13 | 2021-07-13 | Intel Corporation | Ferroelectric or anti-ferroelectric trench capacitor with spacers for sidewall strain engineering |
US20210111179A1 (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | Intel Corporation | 3d-ferroelectric random access memory (3d-fram) |
US11257822B2 (en) | 2019-11-21 | 2022-02-22 | Intel Corporation | Three-dimensional nanoribbon-based dynamic random-access memory |
US11462282B2 (en) * | 2020-04-01 | 2022-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor memory structure |
US11980037B2 (en) | 2020-06-19 | 2024-05-07 | Intel Corporation | Memory cells with ferroelectric capacitors separate from transistor gate stacks |
US11805657B2 (en) * | 2020-06-23 | 2023-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same |
JP2022052505A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス |
US20220199833A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-23 | Intel Corporation | Field-effect transistor (fet) with self-aligned ferroelectric capacitor and methods of fabrication |
DE102021200003A1 (de) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren und Vorrichtung zur Verwendung eines Halbleiterbauelements |
JP2022118667A (ja) | 2021-02-02 | 2022-08-15 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20240023341A1 (en) * | 2021-04-14 | 2024-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same |
US11527277B1 (en) | 2021-06-04 | 2022-12-13 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage ferroelectric memory bit-cell |
US11849578B2 (en) | 2021-07-29 | 2023-12-19 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device with a columnar memory opening arrangement and method of making thereof |
US11737283B1 (en) | 2021-11-01 | 2023-08-22 | Kepler Computing Inc. | Method of forming a stack of non-planar capacitors including capacitors with non-linear polar material and linear dielectric for common mode compensation in a memory bit-cell |
US11482270B1 (en) * | 2021-11-17 | 2022-10-25 | Kepler Computing Inc. | Pulsing scheme for a ferroelectric memory bit-cell to minimize read or write disturb effect and refresh logic |
US11997853B1 (en) | 2022-03-07 | 2024-05-28 | Kepler Computing Inc. | 1TnC memory bit-cell having stacked and folded planar capacitors with lateral offset |
US20230395134A1 (en) | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Kepler Computing Inc. | Write disturb mitigation for non-linear polar material based multi-capacitor bit-cell |
US12062584B1 (en) | 2022-10-28 | 2024-08-13 | Kepler Computing Inc. | Iterative method of multilayer stack development for device applications |
US11741428B1 (en) | 2022-12-23 | 2023-08-29 | Kepler Computing Inc. | Iterative monetization of process development of non-linear polar material and devices |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6043526A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Semiconductor memory cell using a ferroelectric thin film and a method for fabricating it |
US20040129961A1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-07-08 | Symetrix Corporation | Ferroelectric and high dielectric constant integrated circuit capacitors with three-dimensional orientation for high-density memories, and method of making the same |
TW200718237A (en) * | 2005-06-16 | 2007-05-01 | Qualcomm Inc | Link assignment messages in lieu of assignment acknowledgement messages |
US20080073680A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and fabrication process thereof |
TW200935151A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-16 | Wintek Corp | Pixel structure having a storage capacitor and its fabrication method and active matrix liquid crystal display having the same |
TW201227879A (en) * | 2010-07-16 | 2012-07-01 | Magnachip Semiconductor Ltd | Semiconductor device with MIM capacitor and method for manufacturing the same |
WO2013147295A2 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric ceramics, piezoelectric element, liquid ejection head, ultrasonic motor, and dust removing device |
TW201725736A (zh) * | 2016-01-11 | 2017-07-16 | 艾馬克科技公司 | 半導體積體電路的電容器以及其製造方法 |
Family Cites Families (128)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4853893A (en) | 1987-07-02 | 1989-08-01 | Ramtron Corporation | Data storage device and method of using a ferroelectric capacitance divider |
US4809225A (en) | 1987-07-02 | 1989-02-28 | Ramtron Corporation | Memory cell with volatile and non-volatile portions having ferroelectric capacitors |
US5086412A (en) | 1990-11-21 | 1992-02-04 | National Semiconductor Corporation | Sense amplifier and method for ferroelectric memory |
US5270967A (en) | 1991-01-16 | 1993-12-14 | National Semiconductor Corporation | Refreshing ferroelectric capacitors |
US5218566A (en) | 1991-08-15 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Dynamic adjusting reference voltage for ferroelectric circuits |
JP3222243B2 (ja) | 1993-01-25 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置とそれを用いた情報処理システム |
US5381364A (en) | 1993-06-24 | 1995-01-10 | Ramtron International Corporation | Ferroelectric-based RAM sensing scheme including bit-line capacitance isolation |
US5424975A (en) | 1993-12-30 | 1995-06-13 | Micron Technology, Inc. | Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory |
US5760432A (en) * | 1994-05-20 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film strained layer ferroelectric capacitors |
US5640030A (en) | 1995-05-05 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Double dense ferroelectric capacitor cell memory |
JP3274326B2 (ja) * | 1995-09-08 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5638318A (en) | 1995-09-11 | 1997-06-10 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric memory using ferroelectric reference cells |
US5969380A (en) | 1996-06-07 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Three dimensional ferroelectric memory |
WO1998057380A1 (en) | 1997-06-09 | 1998-12-17 | Bell Communications Research, Inc. | Annealing of a crystalline perovskite ferroelectric cell and cells exhibiting improved barrier properties |
JP3003628B2 (ja) | 1997-06-16 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリとその書き込み方法 |
TW421858B (en) * | 1997-06-30 | 2001-02-11 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit capacitor and memory |
JP3196824B2 (ja) | 1997-07-16 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ装置 |
US5917746A (en) | 1997-08-27 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Cell plate structure for a ferroelectric memory |
US6346741B1 (en) | 1997-11-20 | 2002-02-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same |
US6028784A (en) | 1998-05-01 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric memory device having compact memory cell array |
US6358810B1 (en) | 1998-07-28 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes |
US6031754A (en) | 1998-11-02 | 2000-02-29 | Celis Semiconductor Corporation | Ferroelectric memory with increased switching voltage |
JP2000174224A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Hitachi Ltd | 誘電体キャパシタ及び半導体装置並びに混載ロジック |
US6194754B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-02-27 | Telcordia Technologies, Inc. | Amorphous barrier layer in a ferroelectric memory cell |
US6147895A (en) | 1999-06-04 | 2000-11-14 | Celis Semiconductor Corporation | Ferroelectric memory with two ferroelectric capacitors in memory cell and method of operating same |
KR100309077B1 (ko) | 1999-07-26 | 2001-11-01 | 윤종용 | 삼중 금속 배선 일 트랜지스터/일 커패시터 및 그 제조 방법 |
US6838718B2 (en) | 1999-09-28 | 2005-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor and ferroelectric memory |
US6515957B1 (en) | 1999-10-06 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Ferroelectric drive for data storage |
US6548343B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-04-15 | Agilent Technologies Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating a ferroelectric memory cell |
DE10000005C1 (de) * | 2000-01-03 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeichers |
US6617206B1 (en) * | 2000-06-07 | 2003-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor structure |
JP4634580B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 酸化物誘電体膜用電極構造およびそれを用いたキャパシタ素子及びそれらの製造方法 |
JP2002057300A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US6366489B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | Bi-state ferroelectric memory devices, uses and operation |
JP2002093154A (ja) | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ |
DE60116350T2 (de) | 2000-09-25 | 2006-07-13 | Symetrix Corp., Colorado Springs | Ferro-elektrischer speicher und sein betriebsverfahren |
JP4047531B2 (ja) | 2000-10-17 | 2008-02-13 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ装置 |
JP2002158339A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100407575B1 (ko) | 2001-04-18 | 2003-12-01 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
US6734477B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-05-11 | Agilent Technologies, Inc. | Fabricating an embedded ferroelectric memory cell |
US6635498B2 (en) | 2001-12-20 | 2003-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of patterning a FeRAM capacitor with a sidewall during bottom electrode etch |
US6500678B1 (en) | 2001-12-21 | 2002-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Methods of preventing reduction of IrOx during PZT formation by metalorganic chemical vapor deposition or other processing |
US6713342B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-03-30 | Texas Instruments Incorporated | FeRAM sidewall diffusion barrier etch |
US6656748B2 (en) | 2002-01-31 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | FeRAM capacitor post stack etch clean/repair |
US20030143853A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Celii Francis G. | FeRAM capacitor stack etch |
JP2003229541A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Sony Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2003243621A (ja) | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003263886A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fujitsu Ltd | ビット線容量を最適化できる強誘電体メモリ |
US6587367B1 (en) | 2002-03-19 | 2003-07-01 | Texas Instruments Incorporated | Dummy cell structure for 1T1C FeRAM cell array |
US6809949B2 (en) | 2002-05-06 | 2004-10-26 | Symetrix Corporation | Ferroelectric memory |
US6856534B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric memory with wide operating voltage and multi-bit storage per cell |
US6940111B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-09-06 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Radiation protection in integrated circuits |
KR100500944B1 (ko) | 2002-12-11 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전류 이득 트랜지스터의 크기 조절을 통해 기준 전압을생성하는 강유전체 메모리 장치 |
JP4901105B2 (ja) | 2003-04-15 | 2012-03-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100492781B1 (ko) | 2003-05-23 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 멀티비트 제어 기능을 갖는 불휘발성 강유전체 메모리 장치 |
US7291878B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-11-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Ultra low-cost solid-state memory |
US6984857B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen barrier for protecting ferroelectric capacitors in a semiconductor device and methods for fabricating the same |
JP2005057103A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4475919B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-06-09 | 富士通株式会社 | デカップリングキャパシタ及びその製造方法 |
US7001821B2 (en) | 2003-11-10 | 2006-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device |
JP4365712B2 (ja) | 2004-03-25 | 2009-11-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20050230725A1 (en) | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric capacitor having an oxide electrode template and a method of manufacture therefor |
KR100601953B1 (ko) * | 2004-05-03 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
JP2006019571A (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR100645041B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 엠아이엠 캐패시터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
US20060073613A1 (en) | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Sanjeev Aggarwal | Ferroelectric memory cells and methods for fabricating ferroelectric memory cells and ferroelectric capacitors thereof |
JP4562482B2 (ja) | 2004-10-04 | 2010-10-13 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 強誘電体キャパシタ構造およびその作製方法 |
US8093070B2 (en) | 2004-12-17 | 2012-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Method for leakage reduction in fabrication of high-density FRAM arrays |
US7220600B2 (en) | 2004-12-17 | 2007-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric capacitor stack etch cleaning methods |
WO2007043116A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
US7842990B2 (en) | 2006-02-17 | 2010-11-30 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile ferroelectric memory device including trench capacitor |
US7723199B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning post-etch noble metal residues |
US20080107885A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-05-08 | Alpay S P | High-capacity, low-leakage multilayer dielectric stacks |
JP2008108355A (ja) | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 強誘電体半導体記憶装置及び強誘電体半導体記憶装置の読み出し方法 |
JP5215552B2 (ja) | 2006-11-29 | 2013-06-19 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
JP5109394B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2012-12-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4382103B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2009-12-09 | 富士通株式会社 | キャパシタ素子、半導体装置、およびキャパシタ素子の製造方法 |
KR100862183B1 (ko) | 2007-06-29 | 2008-10-09 | 고려대학교 산학협력단 | 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기기억 소자 |
JP2009071241A (ja) | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100902581B1 (ko) | 2007-10-16 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 스택 커패시터 및 그의 형성방법 |
JP5507097B2 (ja) | 2008-03-12 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
JP2010021544A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 異なる静電容量の積層キャパシタを有するdram |
US8416598B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Differential plate line screen test for ferroelectric latch circuits |
JP5633346B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-12-03 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、半導体メモリ、表示素子、画像表示装置及びシステム |
JP5500051B2 (ja) | 2010-11-22 | 2014-05-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 強誘電体メモリ |
US8760907B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-06-24 | Radiant Technologies, Inc. | Analog memories utilizing ferroelectric capacitors |
US8717800B2 (en) | 2010-12-30 | 2014-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus pertaining to a ferroelectric random access memory |
US8508974B2 (en) | 2010-12-30 | 2013-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric memory with shunt device |
US20120307545A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Texas Instruments Incorporated | Interleaved Bit Line Architecture for 2T2C Ferroelectric Memories |
JP2012256702A (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタ |
JP5809551B2 (ja) | 2011-12-13 | 2015-11-11 | アスモ株式会社 | モータの軸受構造及びこれを備えたモータ |
KR102062841B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2020-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐패시터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US9442854B2 (en) | 2012-11-15 | 2016-09-13 | Elwha Llc | Memory circuitry including computational circuitry for performing supplemental functions |
US9117535B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Single sided bit line restore for power reduction |
US9318315B2 (en) * | 2013-07-15 | 2016-04-19 | Globalfoundries Inc. | Complex circuit element and capacitor utilizing CMOS compatible antiferroelectric high-k materials |
US9006808B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-04-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Eliminating shorting between ferroelectric capacitors and metal contacts during ferroelectric random access memory fabrication |
KR102154076B1 (ko) | 2014-04-10 | 2020-09-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
US9768181B2 (en) * | 2014-04-28 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric memory and methods of forming the same |
EP3143651B1 (en) * | 2014-05-12 | 2020-09-16 | Capacitor Sciences Incorporated | Capacitor and method of production thereof |
US9472560B2 (en) | 2014-06-16 | 2016-10-18 | Micron Technology, Inc. | Memory cell and an array of memory cells |
US9558804B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-01-31 | Namlab Ggmbh | Charge storage ferroelectric memory hybrid and erase scheme |
US9876018B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-01-23 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material |
DE102015015854B4 (de) | 2015-12-03 | 2021-01-28 | Namlab Ggmbh | Integrierte Schaltung mit einer ferroelektrischen Speicherzelle und Verwendung der integrierten Schaltung |
TWI622176B (zh) * | 2015-12-04 | 2018-04-21 | 力晶科技股份有限公司 | Mim電容之結構及其製造方法 |
US9851914B2 (en) | 2016-03-24 | 2017-12-26 | Texas Instruments Incorporated | Random number generation in ferroelectric random access memory (FRAM) |
JP6756134B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-09-16 | Tdk株式会社 | 薄膜部品シート、電子部品内蔵基板、及び薄膜部品シートの製造方法 |
WO2017171837A1 (en) | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Layer transferred ferroelectric memory devices |
US20170345831A1 (en) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric Devices and Methods of Forming Ferroelectric Devices |
KR102227270B1 (ko) | 2016-08-31 | 2021-03-15 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 강유전 메모리 셀 |
US10050143B2 (en) | 2016-09-13 | 2018-08-14 | International Business Machines Corporation | Integrated ferroelectric capacitor/ field effect transistor structure |
US10068879B2 (en) | 2016-09-19 | 2018-09-04 | General Electric Company | Three-dimensional stacked integrated circuit devices and methods of assembling the same |
US9812204B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-11-07 | AUCMOS Technologies USA, Inc. | Ferroelectric memory cell without a plate line |
DE102016015010A1 (de) | 2016-12-14 | 2018-06-14 | Namlab Ggmbh | Integrierte Schaltung, die eine ferroelektrische Speicherzelle enthält, und ein Herstellungsverfahren dafür |
US11158642B2 (en) * | 2017-02-09 | 2021-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Capacitor comprising a bismuth metal oxide-based lead titanate thin film |
JP7056646B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2022-04-19 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板 |
KR20180111304A (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 메모리 장치 |
JP6881148B2 (ja) | 2017-08-10 | 2021-06-02 | Tdk株式会社 | 磁気メモリ |
US10600808B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-03-24 | Namlab Ggmbh | Ferroelectric memory cell for an integrated circuit |
US11307892B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-04-19 | Optum Services (Ireland) Limited | Machine-learning for state determination and prediction |
US10600468B2 (en) | 2018-08-13 | 2020-03-24 | Wuxi Petabyte Technologies Co, Ltd. | Methods for operating ferroelectric memory cells each having multiple capacitors |
US10963776B2 (en) | 2018-08-24 | 2021-03-30 | Namlab Ggmbh | Artificial neuron based on ferroelectric circuit element |
US11138499B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-10-05 | Intel Corporation | Applications of back-end-of-line (BEOL) capacitors in compute-in-memory (CIM) circuits |
US11348909B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-05-31 | Intel Corporation | Multi-die packages with efficient memory storage |
US11476260B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-10-18 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor |
US11205467B2 (en) | 2019-05-09 | 2021-12-21 | Namlab Ggmbh | Ferroelectric memory and logic cell and operation method |
US20210111179A1 (en) | 2019-10-11 | 2021-04-15 | Intel Corporation | 3d-ferroelectric random access memory (3d-fram) |
US11450370B2 (en) | 2020-06-19 | 2022-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ferroelectric field-effect transistor (FeFET) memory |
US11309034B2 (en) | 2020-07-15 | 2022-04-19 | Ferroelectric Memory Gmbh | Memory cell arrangement and methods thereof |
-
2019
- 2019-02-27 US US16/287,953 patent/US11476260B2/en active Active
- 2019-02-27 US US16/288,004 patent/US11482529B2/en active Active
- 2019-02-27 US US16/288,006 patent/US11476261B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-19 WO PCT/US2020/018870 patent/WO2020176311A1/en active Application Filing
- 2020-02-19 KR KR1020237025455A patent/KR20230117254A/ko active IP Right Grant
- 2020-02-19 JP JP2021546823A patent/JP7420822B2/ja active Active
- 2020-02-19 KR KR1020217027303A patent/KR102561137B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-19 DE DE112020000955.6T patent/DE112020000955T5/de active Pending
- 2020-02-25 TW TW110129115A patent/TWI791259B/zh active
- 2020-02-25 TW TW111150380A patent/TW202316636A/zh unknown
- 2020-02-25 TW TW109106095A patent/TWI738226B/zh active
-
2022
- 2022-08-18 US US17/820,865 patent/US20220392907A1/en active Pending
- 2022-10-19 US US18/048,014 patent/US20230116235A1/en active Pending
-
2024
- 2024-01-11 JP JP2024002363A patent/JP2024040171A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6043526A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Semiconductor memory cell using a ferroelectric thin film and a method for fabricating it |
US20040129961A1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-07-08 | Symetrix Corporation | Ferroelectric and high dielectric constant integrated circuit capacitors with three-dimensional orientation for high-density memories, and method of making the same |
TW200718237A (en) * | 2005-06-16 | 2007-05-01 | Qualcomm Inc | Link assignment messages in lieu of assignment acknowledgement messages |
US20080073680A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and fabrication process thereof |
TW200935151A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-16 | Wintek Corp | Pixel structure having a storage capacitor and its fabrication method and active matrix liquid crystal display having the same |
TW201227879A (en) * | 2010-07-16 | 2012-07-01 | Magnachip Semiconductor Ltd | Semiconductor device with MIM capacitor and method for manufacturing the same |
WO2013147295A2 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric ceramics, piezoelectric element, liquid ejection head, ultrasonic motor, and dust removing device |
TW201725736A (zh) * | 2016-01-11 | 2017-07-16 | 艾馬克科技公司 | 半導體積體電路的電容器以及其製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
張潤蘭, 邢輝, 陳長樂, 段萌萌, 羅炳成, 金克新, "YMnO3薄膜的鐵電行為及其納米尺度鐵電疇的研究," 物理學報, 2014, Vol. 63, No. 18, pages 187701-1~6. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200273867A1 (en) | 2020-08-27 |
KR20210110894A (ko) | 2021-09-09 |
US11482529B2 (en) | 2022-10-25 |
DE112020000955T5 (de) | 2021-12-02 |
US20220392907A1 (en) | 2022-12-08 |
US20200273864A1 (en) | 2020-08-27 |
KR20230117254A (ko) | 2023-08-07 |
JP2022525725A (ja) | 2022-05-19 |
TW202316636A (zh) | 2023-04-16 |
US20200273866A1 (en) | 2020-08-27 |
TW202105686A (zh) | 2021-02-01 |
JP7420822B2 (ja) | 2024-01-23 |
US11476260B2 (en) | 2022-10-18 |
KR102561137B1 (ko) | 2023-07-31 |
US11476261B2 (en) | 2022-10-18 |
US20230116235A1 (en) | 2023-04-13 |
WO2020176311A1 (en) | 2020-09-03 |
TW202145516A (zh) | 2021-12-01 |
TWI791259B (zh) | 2023-02-01 |
JP2024040171A (ja) | 2024-03-25 |
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