TWI721134B - 可撓性顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種可撓性顯示裝置，包含保護元件、第一黏合元件、顯示元件、第二黏合元件和窗元件。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。顯示元件包含彼此一體化的顯示面板層、觸控感應層和防反射層，以減小可撓性顯示裝置的厚度。厚度的減小使得可撓性顯示裝置能夠以相對較小的曲率半徑彎曲，並且能夠被重複地彎折(或彎曲)，同時降低第一和第二黏合元件剝離的可能性。
Description
本揭露涉及一種可撓性顯示裝置，更具體地，涉及一種能夠被重複彎折或彎曲的可撓性顯示裝置。
智慧型手機、數位相機、筆記型電腦、平板電腦，導航輔助設備、電視機等的電子裝置可以允許用戶有意地以各種方式和形狀使裝置變形。藉此，電子裝置的顯示裝置(例如，平板顯示裝置)也可以根據電子裝置的變形而變形。因此，例如彎曲顯示裝置、彎折顯示裝置、可捲顯示裝置等可撓性顯示裝置更令人感興趣。
上述背景技術中揭露的資訊僅用於增強對本發明概念背景的理解，因此，也可能包含不構成本領域具有通常知識者已知的現有技術的資訊。
一個或多個例示性實施例提供一種耐久性增強的可撓性顯示裝置。
其他態樣將在下面的詳細描述中闡述，並且從部分揭露的內容中顯而易見，或可通過對本發明概念的實踐來了解。
根據一個或多個例示性實施例，可撓性顯示裝置包含：保護元件，其具有暴露於可撓性顯示裝置的外部的第一外表面；窗元件，具有暴露於外部的第二外表面；顯示元件，配置在保護元件和窗元件之間；第一黏合元件，用於將顯示元件耦合到保護元件；以及第二黏合元件，將顯示元件耦合到窗元件。顯示元件包含具有第一顯示面板表面和第二顯示面板表面的顯示面板層。顯示面板層包含：顯示區，包含複數個發光區和與複數個發光區相鄰的非發光區；以及非顯示區，與顯示區相鄰。顯示元件還包含：具有第一基底表面的觸控感應層；以及具有第二基底表面的防反射層。觸控感應層直接設置在第一顯示面板表面、第二顯示面板表面和第二基底表面中的一個上。防反射層直接設置在第二顯示面板表面或第一基底表面上。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。
根據一個或多個例示性實施例，可撓性顯示裝置包含：保護元件，其具有暴露於可撓性顯示裝置的外部的第一外表面；窗元件，具有暴露於外部的第二外表面；顯示元件，配置在保護元件和窗元件之間；第一黏合元件，用於將顯示元件耦合到保護元件；以及第二黏合元件，將顯示元件耦合到窗元件。顯示元件包含顯示面板層，具有直接設置在第一黏合元件上的第一顯示面板表面，和第二顯示面板表面。顯示面板層包含：顯示區，包含複數個發光區和與複數個發光區相鄰的非發光區；以及非顯示區，與顯示區相鄰。顯示元件還包含觸控感應層，其具有：第一基底表面，直接配置在第二粘接元件上；以及第二表面，與第一基底表面相對，第二表面直接設置在第二顯示面板表面上。觸控感應層包含：複數個第一導電圖案，與所述非發光區域重疊，複數個第一導電圖案直接設置在第二顯示面板表面上；複數個第二導電圖案，與所述非發光區域重疊；以及觸控絕緣層，係配置以使第一導電圖案與第二導電圖案絕緣。
觸控絕緣層包含：黑矩陣，與非發光區和非顯示區重疊；以及複數個濾色器，分別與複數個發光區重疊。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。
根據一個或多個例示性實施例，可撓性顯示裝置包含：保護元件，其具有暴露於可撓性顯示裝置的外部的第一外表面；窗元件，具有暴露於外部的第二外表面；顯示元件，配置在保護元件和窗元件之間；第一黏合元件，用於將顯示元件耦合到保護元件；以及第二黏合元件，將顯示元件耦合到窗元件。顯示元件包含顯示面板層，具有直接設置在第一黏合元件上的第一顯示面板表面，和第二顯示面板表面。顯示面板層包含：顯示區，包含複數個發光區和與複數個發光區相鄰的非發光區；以及非顯示區，與顯示區相鄰。顯示元件還包含觸控感應層，其具有：第一基底表面，直接配置在第二粘接元件上；以及第二表面，與第一基底表面相對，第二表面直接設置在第二顯示面板表面上。顯示面板層包含：第一金屬層，與顯示區和非顯示區重疊；透明導電層，直接設置在第一金屬層上；以及第二金屬層，直接設置在透明導電層上。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。
根據一個或多個例示性實施例，製造可撓性顯示裝置的方法包含形成配置以顯示圖像的顯示元件，顯示元件包含：顯示面板層，係配置以生成圖像；觸控感應層，係配置以感測與圖像相關聯的觸控互動，觸控感應層直接接觸顯示面板層；以及防反射層，係配置以減少來自顯示面板層的外部光反射，防反射層直接接觸顯示面板層或觸控感應層。此方法還包含：透過第一黏合元件將保護元件耦合到顯示元件的第一側；以及透過第二黏合元件將窗元件耦合到顯示元件的第二側，第二側與第一側相對。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。
根據一個或多個例示性實施例，製造可撓性顯示裝置的方法包含：形成一個或多個第一層，係配置以在一個或多個第一層的第一最外層上生
成圖像；以及形成一個或多個第二層，係配置以減少一個或多個第一層的外部光反射。一個或多個第二層包含：第二最外層，直接接觸第一最外層；以及第三最外層，與第二最外層相對。此方法還包含形成配置以感測與圖像相關聯的觸控互動的一個或多個第三層。一個或多個第三層包含：第四最外層，直接接觸第三最外層；以及第五最外層，與第四最外層相對。該方法還包含：透過第一黏合元件將一個或多個第四層耦合到一個或多個第一層，一個或多個第四層係配置以至少保護一個或多個第一層；以及透過第二黏合元件將一個或多個第五層耦合到第五最外層，一個或多個第五層係配置以形成通至一個或多個第一層的窗。一個或多個第一層的厚度小於一個或多個第四層和一個或多個第五層的厚度總和。
根據一個或多個例示性實施例，製造可撓性顯示裝置的方法包含形成顯示元件，包含配置以在顯示區中生成圖像的顯示面板層。顯示區包含：複數個發光區；和複數個非發光區。顯示元件還包含觸控感應層，係配置以：感測與圖像相關聯的觸控互動；並減少外部光的反射率。此方法還包含：透過第一黏合元件將保護元件耦合到顯示元件的第一側；以及透過第二黏合元件將窗元件耦合到顯示元件的第二側，第二側與第一側相對。顯示元件的厚度小於保護元件和窗元件的厚度總和。所述觸控感應層包含：複數個導電圖案，係配置以感測觸控互動，複數個導電圖案直接形成在顯示面板層上並且與複數個非發光區重疊；觸控絕緣層，覆蓋複數個第一導電圖案，觸控絕緣層包含與複數個發光區重疊的複數個開口；以及複數個濾色器，其直接形成在複數個開口中的顯示面板層上，複數個濾色器係配置以降低外部光的反射率。
根據一個或多個例示性實施例，可撓性顯示裝置包含顯示面板層、觸控感應層、窗元件和保護元件。顯示面板層包含：封裝層；發光層，配置為將光發射到封裝層的表面上；以及電極，配置成驅動發光層。觸控感應層
直接設置在封裝層的表面上。窗元件透過第一黏合元件直接耦合在觸控感應層的表面上；以及經由第二黏合元件耦合到設置在薄膜封裝層的表面上的顯示面板層的表面。顯示面板層和觸控感應層的厚度總和小於保護元件和窗元件的厚度總和。電極中的至少一個包含：第一金屬層；透明導電層，直接設置在第一金屬層上；以及第二金屬層，直接設置在透明導電層上。
上述概略說明和以下詳細描述僅為例示性和說明性，旨在提供所要求保護的主題的進一步說明。
12:第一絕緣層
14:第二絕緣層
16:第三絕緣層
AE:陽極
AL1:第一半導體圖案
AL2:第二半導體圖案
AM1:第一黏合元件
AM2、AM2’、AM2'''''、AM2'''''':第二黏合元件
AS1:第一黏合表面
AS2:第二黏合表面
BA、BA’:彎曲區
BFL:緩衝層
BM-P1、BM-P1’、BM-P1”、BM-P2、BM-P2’、BM-P2”、BM-P2'''、BM-P2'''':黑矩陣/遮光部
BR、BR’:曲率半徑
BS1-L:第一顯示面板表面
BS1-U:第二顯示面板表面
BS2、BS2’、BS2”、BS2'''、BS2'''':第一基底表面
BS3、BS3’、BS3”、BS3''':第二基底表面
BX:彎曲軸
CAP:電容
CE、CE-R:陰極
CE-M1:第一金屬層
CE-M2:透明導電層
CE-M3:第二金屬層
CE-M4:第三金屬層
CF、CF’、CF”、CF'''、CF''''、CF'''''、CF''''''、CF''''''':濾色器
CF-C、CF-C’:中心部
CF-E、CF-E’:邊緣部
CH1:第一通孔
CH2:第二通孔
CH3:第三通孔
CH4:第四通孔
CH5:第五通孔
CP1:第一連接部
CP1-C1、CP1-C2:第三垂直部
CP1-L:第三水平部
CP2、CP2’:第二連接部
CP2-C、CP2-C’:第四垂直部
CP2-L1、CP2-L1’、CP2-L2、CP2-L2’:第四水平部
DA、DD-DA:顯示區
DD、DD’、DD”、DD'''、DD''''、DD''''':可撓性顯示裝置
DD-NDA、NDA:非顯示區
DE1、DE2:輸出電極
DM:顯示元件
DLj:第j個源極線
DP:有機發光顯示面板層
DP-CL:電路層
DP-OLED:有機發光裝置層
DP-R:顯示面板層
DR1:第一方向軸
DR2:第二方向軸
DR3:第三方向軸
ECL:電子控制層
ELVDD:第一電源電壓
ELVSS:第二電源電壓
EML:有機發光層
GE1:第一控制電極
GE2:第二控制電極
HCL:電洞控制層
IL1、IL1’:第一介電層
IL1-OP:第一絕緣開口
IL2、IL2’:第二介電層
IL2-OP:第二絕緣開口
IM:顯示圖像
IOL1:第一無機薄膜
IOL2、IOL20:第二無機薄膜
IOL3:第三無機薄膜
IOLn:第n無機薄膜
IS:顯示表面
ML1、ML1’:第一含金屬層
ML2、ML2’:第二含金屬層
NBA1:第一非彎曲區
NBA2:第二非彎曲區
NPXA:非發光區
NPXA-1:第一非發光區
NPXA-2:第二非發光區
OLED:有機發光裝置
OL:外部入射的光
OL1:第一有機薄膜
OL2:第二有機薄膜
OL3、OL20、OLn:有機薄膜
OP、OP-R、OP-G、OP-B:開口
OS-U:第二外表面
OS-L:第一外表面
PM:保護元件
PWL:電力線
PX、PXij:像素
PXA:發光區
PXL:像素定義層
RL1:第一反射光
RL2:第二反射光
RL3:第三反射光
RL4:第四反射光
RPL、RPL’、RPL”、RPL'''、RPL''''、RPL''''':防反射層
S1、S10、S100:第一子層
S2、S20、S200:第二子層
SE1:第一輸入電極
SE2:第二輸入電極
SL1-1、SL1-2、SL1-3:第一觸控訊號線
SL2-1、SL2-2、SL2-3:第二觸控訊號線
SLi:第i個掃描線
SP1:第一感測部
SP1-C:第一垂直部
SP1-L:第一水平部
SP2、SP2’:第二感測部
SP2-C:第二垂直部
SP2-L:第二水平部
SS1、SS1’、SS1”:第一側表面
SS2、SS2’、SS2”:第二側表面
SUB:基層
TE1-1、TE1-1’、TE1-2、TE1-2’、TE1-3、TE1-3’:第一觸控電極
TE2-1、TE2-1’、TE2-2、TE2-2’、TE2-3、TE2-3’:第二觸控電極
TFE、TFE1、TFE2、TFE3:薄膜封裝層
TR1:第一電晶體
TR2:第二電晶體
TS:觸控感應層
TS-IL1:第一觸控絕緣層
TS-IL2:第二觸控絕緣層
TS-CL1:第一導電層
TS-CL2:第二導電層
TS-CH1:第一通孔
TS-CH2:第二通孔
TS-OP:觸控開口
TS-R、TS-R’、TS-R”:觸控感應層
WBF:基底膜
WBM、WBM’:邊緣黑矩陣
WFL:
WHCL:硬塗層
WM:窗元件
併入並構成本說明書的一部分的附圖係提供對本發明概念的進一步理解，並示出本發明概念的例示性實施例，並且與詳細描述一起用於解釋本發明概念的原理。
第1A圖是示出根據一個或多個例示性實施例的可撓性顯示裝置的第一操作狀態的透視圖。
第1B圖是示出根據一個或多個例示性實施例的第1A圖的可撓性顯示裝置的第二操作狀態的透視圖。
第1C圖是示出根據一個或多個例示性實施例的第1A圖的可撓性顯示裝置的第三操作狀態的透視圖。
第2A圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第一操作狀態的第1A圖的可撓性顯示裝置的截面圖。
第2B圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第二操作狀態的第1B圖的可撓性顯示裝置的截面圖。
第2C圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第三操作狀態的第1C圖的可撓性顯示裝置的截面圖。
第3A圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第二操作狀態的可撓性顯示裝置的截面圖。
圖3B是根據一個或多個例示性實施例的處於第三操作狀態的第3A圖的可撓性顯示裝置的截面圖。
第4A、4B、4C和4D圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第一操作狀態的可撓性顯示裝置的截面圖。
第5圖是根據一個或多個例示性實施例的可撓性顯示面板的透視圖。
第6圖是根據一個或多個例示性實施例的第5圖的可撓性顯示面板的像素的等效電路圖。
第7圖是根據一個或多個例示性實施例的有機發光顯示面板的局部平面圖。
第8A和8B圖是根據一個或多個例示性實施例的第7圖的有機發光顯示面板的局部截面圖。
第9A、9B和9C圖是根據一個或多個例示性實施例的薄膜封裝層的截面圖。
第10A、10B和10C圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。
第11A和11B圖是根據一個或多個例示性實施例的示出觸控檢測元件的導電層的平面圖。
第12A圖是根據一個或多個例示性實施例的第11A圖中的區域AA的局部放大圖。
第12B和12C圖是根據一個或多個例示性實施例的分別沿著第12A圖的截面線I-I’和II-II’截取的局部截面圖。
第13A圖是根據一個或多個例示性實施例的第11B圖中的區域BB的局部放大圖。
第13B和13C圖是根據一個或多個例示性實施例的分別沿著第13A圖的截面線III-III’和IV-IV’截取的局部截面圖。
第14A圖是根據一個或多個例示性實施例的第11B圖中的區域CC的局部放大圖。
第14B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第14A圖的截面線V-V’截取的部分橫截面圖。
第15A和15B圖是示出根據一個或多個例示性實施例的觸控檢測元件的導電層的平面圖。
第15C圖是根據一個或多個例示性實施例的第15B圖中的區域CC的局部放大圖。
第15D圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著圖15C的截面線VI-VI’截取的局部截面圖。
第16A、16B、16C、16D、16E、16F和16G圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。
第17A、17B、17C和17D圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。
第18A、18B、18C、18D、18E和18F圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。
第19A和19B圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。
第20A和20B圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的有機發光二極體的陰極的截面圖。
在下面的描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體細節，以便提供對各種例示性實施例的透徹理解。然而，顯而易見的，可以在沒有這些具體細節或一個或多個等效配置的情況下實踐各種例示性實施例。在其他實例中，以方塊圖形式示出了公知的結構和設備，以避免不必要地模糊各例示性實施例。
除非另有說明，否則所示出的例示性實施例將被理解為提供各種例示性實施例的不同細節的例示性特徵。因此，除非另有說明，否則在不脫離所揭露的例示性實施例的情況下，各種圖示的特徵、元件、模組、層、膜、面板、區域及/或態樣可另外組合、分離、互換及/或重新排列。此外，在附圖中，為了清楚和描述目的，層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸可能被誇大。當例示性實施例可以不同的方式實現時，可以不同於所描述的順序執行特定處理順序。例如，可以實質上同時執行兩個連續描述的處理或者以與所描述的順序相反的順序執行。同樣的，相同的元件符號表示相同的元件。
當元件或層被稱為「上(on)」，「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一個元件或層時，其可以直接在另一個元件或層上、連接到或耦合到另一個元件或層，或可存在中間的元件或層。然而，當元件或層被稱為「直接連接(directly on)」，「直接連接到(directly connected to)」或「直接耦合到(directly coupled to)」另一個元件或層時，則不存在中間的元件或層。此外，DR1軸、DR2軸和DR3軸不限於直角坐標系的三個軸，並且可以
在更廣泛的意義上被解釋。例如，DR1軸、DR2軸和DR3軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。為了本揭露的目的，「X、Y和Z中的至少一個」和「選自X、Y和Z的至少一個」可以解釋為僅X、僅Y、或X、Y、Z兩個以上的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ、ZZ等。如本文所用，術語「及/或」包含一個或多個相關列出的項目的任一和所有組合。
在本文中可以使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件、元件、區域、層及/或部分，但是這些元件、元件、區域、層及/或部分應當不受這些術語的限制。這些術語用於將一個元件、元件、區域、層及/或區段與另一個元件、元件、區域、層及/或區段區分開來。因此，在不脫離本揭露的教示的情況下，可以將下面討論的第一元件、元件、區域、層及/或部分稱為第二元件、元件、區域、層及/或部分。
為了描述，本文中可以使用諸如「下面(beneath)」、「下方(below)」、「下(lower)」、「上方(above)」、「上(upper)」等之類的空間相對術語，從而配合附圖描述一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。空間相對術語旨在包含除了附圖所示的方向之外的，使用、操作和/或製造中的裝置的不同方向。例如，如果附圖中的設備被翻轉，則被描述為在其他元件的「下方(below)」或「下面(beneath)」的元件，將被定向在其他元件或特徵之「上方(above)」。因此，例示性術語「下方(below)」可以包含上下方向。此外，設備可以其他方式定向(例如，旋轉90度或朝向其他方向)，因此，這裡使用的空間相對描述也應相應地解釋。
本文使用的術語是為了描述特定實施方案的目的，而不是限制性的。如本文所使用的單數形式「一(a)」、「一(an)」和「該(the)」也旨在包含複數形式，除非上下文另有明確指示。此外，在本說明書中使用時，術語「包名(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」及/
或「包括(including)」係指所述特徵、整數、步驟、操作、元件、元件及/或組的存在，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、元件及/或組。
本文參考作為理想例示性實施例及/或中間結構的示意圖的截面圖來描述各種例示性實施例。因此，可以預期例如製造技術及/或公差的結果造成圖示的形狀產生變化。因此，本文公開的例示性實施例不應被解釋為限於區域的具體示出的形狀，而是包含由例如，製造產生的形狀公差。例如，表示為矩形的植入區通常會在其邊緣處具有圓形或彎曲特徵及/或梯度，而不是從植入區到非植入區的二進制變化。同樣地，通過植入形成的埋藏區域，可能導致在埋藏區域和透過其進行植入的表面之間的區域中的一些植入。因此，附圖中所示的區域本質上是示意性的，且其形狀並不用於說明裝置的區域的實際形狀，也不是用於限制性的目的。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包含技術和科學術語)具有與本揭露的該領域具有通常知識的技術人員理解的相同的含義。除非本文明確定義，否則諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與其在相關領域的背景下的含義一致的含義，並且不會以理想化或過度正式的意義來解釋。
第1A、1B和1C圖分別是根據一個或多個例示性實施例的可撓性顯示裝置DD的第一、第二和第三操作狀態的透視圖。第2A、2B和2C圖分別示出根據一個或多個例示性實施例的可撓性顯示裝置DD的第一、第二和第三操作狀態的截面圖。
顯示圖像IM的顯示表面IS平行於由第一方向軸DR1和第二方向軸DR2定義的面。顯示面IS的法線方向，亦即可撓性顯示裝置DD的厚度方向表示為第3方向軸DR3。可撓性顯示裝置DD的每個元件(或組件)的前表面(或頂表面)和後表面(或底表面)在第三方向軸DR3中彼此區分。與第一至第三方向
軸DR1、DR2和DR3相關聯的方向僅僅是相對的，因此可以相對於彼此改變成不同的方向。在下文中，第一至第三方向可以分別由與第一至第三方向軸DR1、DR2和DR3相關聯的方向相同的元件符號表示。
作為第1A至1C圖和第2A至2C圖的可撓性顯示裝置DD的範例，示出了可折疊顯示裝置。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。例如，可撓性顯示裝置DD可以提供為可以捲繞的可捲顯示裝置。應注意的是，可撓性顯示裝置DD可以用於諸如電視機、螢幕等的大型電子設備，以及諸如行動電話、平板電腦、筆記型電腦、個人電腦、車用導航設備、遊戲機、智慧手錶等。
如第1A圖所示，可撓性顯示裝置DD的顯示面IS可以分為複數個區。可撓性顯示裝置DD可以包含顯示(或被感知)圖像IM的顯示區DD-DA，以及與顯示區DD-DA相鄰(或其外側)設置的非顯示區DD-NDA。非顯示區DD-NDA可以是不顯示圖像IM的區域。第1A圖中顯示了花瓶作為圖像IM的範例。例如，顯示區DD-DA可以具有矩形形狀，並且非顯示區DD-NDA可以圍繞顯示區DD-DA。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。例如，顯示區DD-DA的形狀和非顯示區DD-NDA的形狀可以相對於彼此進行設計。為此，顯示區DD-DA和非顯示區DD-NDA的各個形狀可以彼此相同或不同。
如第1A至1C圖所示，可撓性顯示裝置DD可以包含相對於彎曲軸BX彎曲的彎曲區BA，以及不可彎曲的第一和第二非彎曲區NBA1和NBA2。如第1B圖所示，可撓性顯示裝置DD可以向內彎折，使得第一非彎曲區NBA1的顯示表面IS和第二非彎曲區NBA2的顯示表面IS彼此面對。如第1C圖所示，可撓性顯示裝置DD可以向外彎折以將顯示表面IS暴露於外部。
根據一個或多個例示性實施例，可撓性顯示設備DD可以包含複數個彎曲區BA。此外，彎曲區BA可以被定義為對應於由用戶所操作的可撓性顯示設備DD的配置，例如，彎曲區可以由用戶動態地配置。例如，如第1B和1C
圖所示，彎曲區BA可以定義為與第一方向軸DR1平行或者定義為在對角線方向。在一個或多個例示性實施例中，可撓性顯示設備DD可以被配置為僅重複圖1A至1C的操作模式。
如第2A至2C圖所示，顯示裝置DD包含保護元件PM、窗元件WM、顯示元件DM、第一黏合元件AM1和第二黏合元件AM2。顯示元件DM設置在保護元件PM和窗元件WM之間。第一黏合元件AM1耦合至顯示元件DM和保護元件PM，第二黏合元件AM2耦合至顯示元件DM和窗元件WM。
保護元件PM保護顯示元件DM。保護元件PM提供暴露於外部的第一外表面OS-L和黏合到第一黏合元件AM1的黏合表面AS1。在下文中，保護元件PM的黏合表面AS1可以被稱為第一黏合表面AS1，以與其他元件的黏合表面區分。保護元件PM防止外部濕氣、氧氣、碎屑等滲透到顯示元件DM中，並吸收外部衝擊。保護元件PM可以包含作為基層的塑膠膜。
根據一個或多個例示性實施例，保護元件PM可以包含選自以下的材料：聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基，聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亞芳基醚碸)及其組合。然而，考慮用於形成保護元件PM的材料不限於塑膠樹脂。例如，保護元件PM可以由有機/無機複合材料形成。保護元件PM可以包含多孔有機層和填充到有機層的孔中的無機材料。
在一個或多個例示性實施例中，保護元件PM還可以包含設置在塑膠膜上的功能層。功能層可以包含樹脂層。功能層可以通過塗佈方式形成。
窗元件WM保護顯示元件DM免受外部衝擊，並提供用戶一個輸入表面。窗元件WM提供暴露於外部的第二外表面OS-U和黏合到第二黏合元件AM2的黏合表面AS2。第1A至1C圖的顯示表面IS可以是第二外表面OS-U。在下
文中，窗元件WM的黏合表面AS2可以被稱為第二黏合表面AS2，以與另一元件的黏合表面區分。稍後將更詳細地描述窗元件WM。
顯示元件DM包含通過連續處理而一體化的顯示面板層DP、觸控感應層TS和防反射層RPL。雖然範例中示出了從顯示面板層DP到防反射層RPL連續堆疊的顯示元件DM，但是例示性實施例不限於此。根據一個或多個例示性實施例，可以改變顯示元件DM的功能層的堆疊順序。此外，可以省略功能層的一部分，或者可以用一個功能層代替兩個功能層。
顯示面板層DP生成對應於輸入圖像數據的圖像(參見第1A圖的附圖標記IM)。顯示面板層DP提供在厚度方向DR3上彼此面對的第一顯示面板表面BS1-L(或基底底表面)和第二顯示面板表面BS1-U(或基底頂表面)。顯示面板層DP可以是有機發光顯示面板、電泳顯示面板或電潤濕顯示面板。然而，可以想到，例示性實施例不限於一種型態(或類型)的顯示面板，並且因此，可以與本文所述的例示性實施例相關聯地使用任何合適的顯示面板。為了描述和說明的方便，將結合有機發光顯示面板實施例來描述例示性實施例。稍後將更詳細地描述有機發光顯示面板。
觸控感應層TS獲取外部輸入的坐標資訊，例如用戶輸入。觸控感應層TS可以設置在第二顯示面板表面BS1-U上(例如，直接在其上)。觸控感應層TS提供第一基底表面BS2(或觸控基底表面)。可以想到，觸控感應層TS可以通過連續製程與顯示面板層DP一起製造。為了說明和描述方便，將結合電容式觸控檢測元件實施例來描述觸控感應層TS。然而，例示性實施例不限於此。例如，觸控感應層TS可以被包含諸如電磁感應觸控檢測元件的兩種類型的觸控電極的另一個觸控感應層替代。稍後將更詳細地描述電容式觸控感應層。
防反射層RPL可以吸收從外部入射的光，或者與光發生相消干涉，以減少可撓性顯示裝置DD的外部光反射率。在一個或多個例示性實施例
中，防反射層RPL可以被用於防止外部光被反射的光學膜來代替，例如偏光膜和λ/4波長膜。防反射層RPL可以設置在第一基底表面BS2(例如，直接設置在其上)上。防反射層RPL提供第二基底表面BS3(或防反射基底表面)。在一個或多個例示性實施例中，防反射層RPL可以經由連續製程與觸控感應層TS一起製造。稍後將更詳細地描述防反射層RPL。
根據一個或多個例示性實施例，通過連續製程形成的觸控感應層TS和防反射層RPL可以減小顯示裝置DD的厚度。單獨製造的常規觸控面板和常規光學膜可能需要額外的黏合元件以便黏合到常規的顯示面板上。此外，分別製造的各個常規觸控面板和常規光學薄膜可具有預定的厚度以滿足自我耐久性(self-durability)。根據一個或多個例示性實施例，觸控感應層TS和防反射層RPL透過連續製程形成，因此可以省略黏合元件。藉此，觸控感應層TS和防反射層RPL可以直接設置在顯示面板層DP上，以提供更薄的顯示面板層DP。
第一黏合元件AM1和第二黏合元件AM2中的每一個可以是光學透明黏合膜(optical clear adhesive film，OCA)、光學透明樹脂(optical clear resin，OCR)或壓敏黏合膜(pressure sensitive adhesive film，PSA)。各第一黏合元件AM1和第二黏合元件AM2可以由光固化性黏合劑材料或熱固化性黏合劑材料形成。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。
雖然沒有單獨示出，但是可撓性顯示裝置DD還可以包含支持功能層的框架結構，以維持第2A至2C圖所示的操作狀態。框架結構可以包含接頭結構或鉸鏈結構。
如圖2B所示，可撓性顯示裝置DD可以透過例如用戶操作以預定的曲率半徑BR向內彎折。或者，如第2C圖所示，可撓性顯示裝置DD可以透過例如用戶操作以預定的曲率半徑BR向外彎折。還可以想到，可撓性顯示裝置DD可以根據用戶操作而雙向彎折。這種雙向彎曲可以重複進行。曲率半徑BR可維
持恆定。第一非彎曲區NBA1和第二非彎曲區NBA2可以彼此面對並且可以彼此平行地延伸。彎曲區BA可以不固定在表面區中，而是根據曲率半徑BR來定義。用戶可以在第2A圖的非彎折狀態下感知來自可撓性顯示設備DD的圖像。
根據一個或多個例示性實施例，保護元件PM可以具有約30μm至約80μm的厚度。窗元件WM可以具有約20μm至約150μm的厚度，例如約25μm至約150μm。顯示元件DM可以具有約30μm至約50μm的厚度。第一黏合元件AM1和第二黏合元件AM2中的每一個可以具有約10μm至約80μm的厚度。
儘管保護元件PM、窗元件WM和顯示元件DM中的每一個可以具有根據上述範圍之一的厚度，但是顯示元件DM可以被設置為具有小於保護元件PM和窗元件WM的厚度總和的厚度。顯示元件DM的厚度可以表示從第一顯示面板表面BS1-L到第二顯示面板表面BS1-U的厚度。由於觸控面板和光學膜與顯示面板層DP一體化，所以可以省略黏合元件，因此，觸控感應層TS和防反射層RPL的厚度能夠降低以滿足上述的情況。由於顯示元件DM的厚度減小，所以當彎折(或彎曲)時在顯示裝置中發生的張力/壓縮應力能夠被降低。
保護元件PM和窗元件WM的厚度總和與顯示元件DM的厚度的比(顯示元件DM的厚度：保護元件PM和窗元件WM的厚度總和)可以是約1：1至約1：8。在一個或多個例示性實施例中，保護元件PM和窗元件WM的厚度總和與顯示元件DM的厚度之比可以為約1：1.2至約1：4。例如，當顯示元件DM的厚度為30μm~50μm左右時，保護元件PM和窗元件WM的厚度總和為約60μm至約120μm。應注意的是，保護元件PM可以具有約30μm至約50μm的厚度，並且窗元件WM可以具有約30μm至約70μm的厚度。
保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比可以為約4：1至約1：5。在一個或多個例示性實施例中，保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比可以為
約5：3至約3：7。如上所述，當保護元件PM具有約30μm至約50μm的厚度時，窗元件WM可具有約30μm至約70μm的厚度。
第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比可以對應於保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比。當厚度增加時，可撓性顯示裝置DD彎折時發生的應力會增加。當重複彎折時，保護元件PM和窗元件WM可能會劣化。然而，應注意的是，第一和第二黏合元件AM1和AM2可以減小應力，以防止保護元件PM和窗元件WM的劣化發生。由於隨著黏合元件AM1和AM2的厚度增加，應力降低率增加，所以可以將第一和第二黏合元件AM1和AM2的厚度設置為與保護元件PM和窗元件WM的厚度相對應。也就是說，與厚度較大的元件相鄰的黏合元件也可以具有較大的厚度。
當保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比為約1：3時，第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比可以為約1：3。當保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比為約1：1時，第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比可以為約1：1。然而，可以想到，第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比不需要與保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比相同。
「第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比對應於保護元件PM和窗元件WM的厚度之間的厚度比」的特徵可以被定義為其比率的誤差在約+30%至約-30%之間。例如，當保護元件PM和窗元件WM之間的厚度比為約1：3時，第一和第二黏合元件AM1和AM2之間的厚度比可以為約1：3.9至約1：2.1。
如上所述，隨著黏合元件的數量減少，可撓性顯示裝置DD的厚度能夠降低。當可撓性顯示裝置DD的厚度減小時，即使可撓性顯示裝置DD反復彎折(或彎曲)，黏合元件剝離的缺陷也能夠降低。此外，當可撓性顯示裝置DD的厚度減小時，可撓性顯示裝置DD可以根據較小的曲率半徑而彎折。
第3A和3B圖是根據一個或多個例示性實施例的在第二和第三操作狀態下的可撓性顯示裝置的截面圖。第4A至4D圖是根據一個或多個例示性實施例的處於第一操作狀態的可撓性顯示裝置的截面圖。第3A、3B圖和第4A至4D圖的可撓性顯示裝置類似於第1A至1C圖和第2A至2C圖的可撓性顯示裝置DD，並且因此省略了重複描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面主要描述其差異。
可撓性顯示裝置DD’可以以第3A和3B圖所示的形狀雙向彎折。與第1A至1C圖的可撓性顯示裝置DD的彎曲區BA相比，第2A至2C圖的彎曲區BA’可以彎折成更圓形的形狀，以增加彎曲區BA’的表面積。此外，彎曲區BA’可以以大於第2B和2C圖所示的曲率半徑BR’彎折，以減小彎曲區BA的應力。
如第4A和4B圖所示，可以改變功能層的堆疊順序。參考第4A圖，觸控感應層TS可以直接設置在第一顯示面板表面BS1-L上。第一黏合元件AM1透過第一黏合表面AS1與第一基底表面BS2連接。防反射層RPL可以直接設置在第二基底表面BS1-U上。第二黏合元件AM2透過第二黏合表面AS2與第二基底表面BS3連接。如第4B圖所示，防反射層RPL可以直接設置在第二顯示面板表面BS1-U上。觸控感應層TS可以直接設置在第二基底表面BS3上。第二黏合元件AM2透過第二黏合表面AS2與第一基底表面BS2連接。
如第4C和4D圖所示，在第4A和4B圖中分開形成的防反射層RPL可以與另一功能層結合。藉此，防反射層可以構成觸控感應層TS的一部分或顯示面板層DP的一部分。參照第4D圖，顯示面板層DP-R也可以具有防反射層RPL的功能。參照第4D圖，顯示面板層DP-R也可以具有防反射層RPL的功能。如第4C和4D圖所示，觸控感應層TS-R和TS中的每一個直接設置在第二顯示面板表面BS1-U上。第一黏合元件AM1透過第一黏合表面AS1與第一顯示面板表面BS1-L連接。
第5圖是根據一個或多個例示性實施例的可撓性顯示面板的透視圖。第6圖是根據一個或多個例示性實施例的第5圖的可撓性顯示面板的像素的等效電路圖。
以下，將可撓性顯示面板層DP描述為有機發光顯示面板層DP。有機發光顯示面板層DP包含平面上的顯示區DA和非顯示區NDA。第二顯示面板表面BS1-U可以被劃分為顯示區DA和非顯示區NDA。第二顯示面板表面BS1-U的顯示區DA和非顯示區NDA不需要與第1A圖的可撓性顯示裝置DD的顯示區DD-DA和非顯示區DD-NDA相匹配。例如，可以根據有機發光顯示面板層DP的結構及/或設計來配置第二顯示面板表面BS1-U的顯示區DA和非顯示區NDA。
如第5圖所示，有機發光顯示面板層DP包含設置在顯示區DA上的複數個像素PX。儘管複數個像素PX被繪示為排列成矩陣形狀，但是例示性實施例不限於此。複數個像素PX可以被配置成任何合適的形狀，例如非矩陣形狀、或例如波型瓦(pantile shape)形狀。
第6圖示出了連接有第i個掃描線SLi和第j個源極線DLj的代表像素PXij的等效電路的範例。雖然沒有單獨示出，但是複數個像素PX可以具有與代表像素PXij相同的等效電路。像素PXij包含至少兩個電晶體TR1和TR2，至少一個電容CAP和有機發光裝置OLED。儘管示出了包含兩個電晶體TR1和TR2以及一個電容CAP的像素驅動電路作為範例，但是例示性實施例不限於像素驅動電路的配置。
有機發光裝置OLED的陽極通過第二電晶體TR2接收施加到電力線PWL的第一電源電壓ELVDD。有機發光裝置OLED的陰極接收第二電源電壓ELVSS。第一電晶體TR1回應於施加到第i掃描線SLi的掃描訊號而輸出施加到第j源極線DLj的數據訊號。電容CAP對從第一電晶體TR1接收到的數據訊號進行充
電。第二電晶體TR2控制流過有機發光裝置OLED的驅動電流，以對應於存儲在電容CAP中的電壓。
第7圖是根據一個或多個例示性實施例的第5圖的有機發光顯示面板的一部分的局部平面圖。第8A和8B圖是根據一個或多個例示性實施例的第7圖的有機發光顯示面板的局部截面圖。
第7圖對應於第5圖的有機發光顯示面板的部分DP-P。第8A圖是與第6圖中的等效電路的第一電晶體TR1和電容CAP對應的部分的局部截面圖，而第8B圖是與第6圖中的等效電路的有機發光裝置OLED第二電晶體TR2的部分對應的部分的局部截面圖。在第8A圖和第8B圖中，附加地示出了設置在第一外表面OS-L上的第一黏合元件AM1和外部保護元件PM。
如第7圖所示，顯示區DA被定義為在由第一方向軸DR1和第二方向軸DR2定義的平面上的複數個發光區PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非發光區NPXA。第7圖示出以矩陣形狀排列的三種類型的發光區PXA-R、PXA-G和PXA-B的範例。可以分別在三種類型的發光區PXA-R、PXA-G和PXA-B上設置發射具有彼此不同的三種顏色的光的有機發光裝置。還可以想到，在一個或多個例示性實施例中，發射具有白色光的有機發光裝置可以分別設置在三種類型的發光區域PXA-R、PXA-G和PXA-B上。藉此，具有彼此不同的顏色的三種類型的濾色器可以分別與三種類型的發光區域PXA-R、PXA-G和PXA-B重疊。
如本文中所使用的，「從發光區發射的光具有預定顏色」這個特徵可以包含該發光裝置所自己發射的光的情況，以及發光裝置發射的光被轉換顏色後才發射的情況。在一個或多個例示性實施例中，複數個發光區域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以包含四種以上類型的發光區域。
非發光區NPXA可以被分成圍繞發光區PXA-R、PXA-G和PXA-B的第一非發光區NPXA-1，以及第二非發光區NPXA-2，定義出第一非發光區域
NPXA-1的邊界。對應於每個第一非發光區NPXA-1的像素的驅動電路，例如電晶體TR1和TR2(見第6圖)或電容CAP(見第6圖)可以設置在第一非發光區NPXA-1。諸如掃描線SLi(見第6圖)、源極線DLj(見第6圖)和電力線PWL(見第6圖)的訊號線可以設置在第二非發光區NPXA-2上。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。例如，第一非發光區NPXA-1和第二非發光區NPXA-2可以不相對於彼此分開。
雖然沒有單獨示出，但是在一個或多個例示性實施例中，發光區PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一個可以具有與菱形相似的形狀。此外，根據一個或多個例示性實施例，發射具有彼此不同的四種顏色的光的有機發光裝置可以設置在重複設置的四種類型的發光區上。
如第8A和8B圖所示，有機發光顯示面板層DP包含基層SUB、電路層DP-CL、有機發光裝置層DP-OLED和薄膜封裝層TFE。電路層DP-CL可以包含複數個導電層和複數個絕緣層，並且有機發光裝置層DP-OLED可以包含複數個導電層和複數個功能有機層。薄膜封裝層TFE可以包含至少一個有機層和至少一個無機層。
基層SUB可以包含由聚醯亞胺形成的塑膠基板、玻璃基板、金屬基板或有機/無機複合基板作為可撓性基板。基層SUB可以提供第一顯示面板表面BS1-L。在一個或多個例示性實施例中，基層SUB可以具有多層結構。第一黏合元件AM1通過第一黏合表面AS1黏合到第一顯示面板表面BS1-L。
第一電晶體TR1的半導體圖案AL1(以下稱為第一半導體圖案)和第二電晶體TR2的半導體圖案AL2(以下稱為第二半導體圖案)設置在基層SUB。第一和第二半導體圖案AL1和AL2可以由在相對低的溫度下形成的非晶矽形成。此外，第一和第二半導體圖案AL1和AL2中的每一個可以由金屬氧化物半導體形成。雖然沒有單獨示出，功能層可以進一步設置在基層SUB的表面上。
功能層可以包含阻隔層和緩衝層中的至少一個。第一和第二半導體圖案AL1和AL2可以設置在阻隔層或緩衝層上。
覆蓋第一和第二半導體圖案AL1和AL2的第一絕緣層12設置在基層SUB上。第一絕緣層12可以包含有機層及/或無機層。在一個或多個例示性實施例中，第一絕緣層12可以包含複數個無機薄膜。複數個無機薄膜可以包含氮化矽層和氧化矽層。
第一電晶體TR1的控制電極GE1(以下稱為第一控制電極)和第二電晶體TR2的控制電極GE2(以下稱為第二控制電極)配置在第一絕緣體層12。電容CAP的第一電極E1設置在第一絕緣層12上。第一控制電極GE1、第二控制電極GE2和第一電極E1可以透過與掃描線SLi(見第4圖)相同的光刻製程來製造。也就是說，第一電極E1可以由與掃描線SLi相同的材料形成。
第一控制電極GE1、覆蓋第一和第二控制電極GE1和GE2的第二絕緣層14、以及第一電極E1設置在第一絕緣層12上。第二絕緣層14包含有機層及/或無機層。在一個或多個例示性實施例中，第二絕緣層14可以包含複數個無機薄膜。複數個無機薄膜可以包含氮化矽層和氧化矽層。
源極線DLj(見圖6)和電力線PWL(見圖6)可以設置在第二絕緣層14上。在第二絕緣層14上設置第一電晶體TR1的輸入電極SE1(以下稱為第一輸入電極)和輸出電極DE1(以下稱為第一輸出電極)。在第二絕緣層14上設置第二電晶體TR2的輸入電極SE2(以下稱為第二輸入電極)和輸出電極DE2(以下稱為第二輸出電極)。第一輸入電極SE1從源極線DLj分支。第二輸入電極SE2從電力線PWL分支。
電容器CAP的第二電極E2設置在第二絕緣層14上。第二電極E2可以透過與源極線DLj和電力線PWL相同的光刻製程製造，並且由與源極線DLj和電力線PWL相同的材料形成。
第一輸入電極SE1和第一輸出電極DE1透過分別穿過第一和第二絕緣層12和14的第一和第二通孔CH1和CH2連接到第一半導體圖案AL1。第一輸出電極DE1可以電連接到第一電極E1。例如，第一輸出電極DE1可以透過穿過第二絕緣層14的通孔(未示出)連接到第一電極E1。第二輸入電極SE2和第二輸出電極DE2透過分別穿過第一和第二絕緣層12和14的第三和第四通孔CH3和CH4連接到第二半導體圖案AL2。根據一個或多個例示性實施例，第一和第二電晶體TR1和TR2中的至少一個可以形成為底閘結構。
覆蓋第一輸入電極SE1、第一輸出電極DE1、第二輸入電極SE2和第二輸出電極DE2的第三絕緣層16設置在第二絕緣層14上。第三絕緣層16包含有機層及/或無機層。在一個或多個例示性實施例中，第三絕緣層16可以由有機材料形成以提供平坦表面。
像素定義層PXL和有機發光裝置OLED設置在第三絕緣層16上。在像素定義層PXL中定義開口OP。像素定義層PXL可以是另一個絕緣層。第8A和8B圖的開口OP可以對應於第7圖的開口OP-R、OP-G和OP-B。
有機發光裝置OLED的陽極AE透過穿過第三絕緣層16的第五通孔CH5連接到第二輸出電極DE2。像素定義層PXL的開口OP露出陽極AE的至少一部分。可以在發光區域PXA-R、PXA-G和PXA-B(見第7圖)和非發光區NPXA(見第7圖)中共同地定義電洞控制層(hole control layer)HCL。有機發光層EML和電子控制層ECL依次形成在電洞控制層HCL上。電洞控制層HCL包含至少一個電洞傳輸層，電子控制層ECL包含至少一個電子轉移層。此後，陰極CE可以共同地形成在發光區域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非發光區域NPXA上。陰極CE可以通過根據其分層結構使用沉積或濺射製程形成。
封裝有機發光裝置層DP-OLED的薄膜封裝層TFE設置在陰極CE上。薄膜封裝層TFE保護有機發光裝置OLED免受潮濕和異物的影響。在一個或
多個例示性實施例中，薄膜封裝層TFE提供第二顯示面板表面BS1-U。在一個或多個例示性實施例中，可以在薄膜封裝層TFE上設置緩衝層(未示出)，並且因此可以提供第二顯示面板表面BS1-U。
根據一個或多個例示性實施例，發光區PXA可以被定義為從其發射光的區域。發光區PXA可以被定義為對應於有機發光裝置OLED的陽極AE或發光層EML。雖然圖示中以有機發光層EML為例，但是有機發光層EML也可以共同地設置在非發光區域NPXA、PXA-R、PXA-G、和PXA-B(見第5圖)上(見第5圖)。藉此，有機發光層EML可以發射白光。
第9A至9C圖是根據一個或多個例示性實施例的薄膜封裝層的截面圖。將分別參考第9A、9B和9C圖描述薄膜封裝層TFE1、TFE2和TFE3。
根據一個或多個例示性實施例，薄膜封裝層可以包含至少兩個無機薄膜和設置在該至少兩個無機薄膜之間的有機薄膜。無機薄膜保護有機發光裝置OLED免受潮濕影響，而有機薄膜保護有機發光裝置OLED免受異物如灰塵顆粒的影響。
如第9A圖所示，薄膜封裝層TFE1可以包含n個(n是自然數)無機薄膜IOL1至IOLn，其包含接觸陰極CE的第一無機薄膜IOL1(見第8B圖)。第一無機薄膜IOL1可以被定義為下部無機薄膜(lower inorganic thin film)，除了第一無機薄膜IOL1以外的n個無機薄膜IOL1~IOLn無機薄膜可以被定義為上部無機薄膜。薄膜封裝層TFE1包含n個有機薄膜OL1至OLn。n個有機薄膜OL1~OLn和n個無機薄膜IOL1~IOLn可以相對於彼此交互配置。最上層可以是有機層或無機層。n個有機薄膜OL1至OLn中的每一個通常可以具有大於每個無機薄膜IOL1至IOLn的厚度。
在一個或多個例示性實施例中，n個無機薄膜IOL1至IOLn中的每一個可以具有由一種材料形成的單層結構或是由彼此不同的材料分別形成的多
層結構。可以通過沉積有機單體形成n個有機薄膜OL1至OLn中的每一個。有機單體可以是丙烯酸類單體。
如第9B和9C圖所示，薄膜封裝層TFE2和TFE3中的每一個的無機薄膜可以由相同的無機材料或複數種無機材料形成，並且具有與彼此相同或不同的厚度。薄膜封裝層TFE2和TFE3中的每一個的有機薄膜可以由相同的有機材料或複數種有機材料形成，並且具有與彼此相同或不同的厚度。
參考第9B圖，薄膜封裝層TFE2可以包含第一無機薄膜IOL1、第一有機薄膜OL1、第二無機薄膜IOL2、第二有機薄膜OL2和第三無機薄膜IOL3相繼堆疊在一起。第一無機薄膜IOL1可以具有兩層結構。第一子層S1可以是氟化鋰層，第二子層S2可以是氧化鋁層。第一有機薄膜OL1可以是第一有機單體層、第二無機薄膜IOL2可以是第一氮化矽層、第二有機薄膜OL2可以是第二有機單體層、第三無機薄膜IOL3可以是第二氮化矽層。
如第9C圖所示，薄膜封裝層TFE3可以包含彼此相繼堆疊的第一無機薄膜IOL10、第一有機薄膜OL1和第二無機薄膜IOL20。第一無機薄膜IOL10可以具有兩層結構。第一子層S10可以是氟化鋰層，第二子層S20可以是氧化矽層。第一有機薄膜OL1可以是有機單體，第二無機薄膜IOL20可以具有兩層結構。第二無機薄膜IOL20可以包含在彼此不同的沉積環境下沉積的第一子層S100和第二子層S200。第一子層S100可以在較低功率條件下沉積，並且第二子層S200可以在高功率條件下沉積。第一子層S100和第二子層S200中的每一個可以是氮化矽層。
第10A、10B和10C圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。為了說明和描述的方便，防反射層RPL被示出為單層，並且僅示出了顯示面板層DP的一部分。如第10A至10C圖所示，觸控感應層TS可以包含第一導
電層TS-CL1、第一觸控絕緣層TS-IL1、第二導電層TS-CL2和第二觸控絕緣層TS-IL2。
第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2中的每一個可以具有單層結構或在第三方向軸DR3上有多層堆疊的多層結構。具有多層結構的導電層可以包含透明導電層和至少一個金屬層。具有多層結構的導電層可以包含由彼此不同的金屬形成的金屬層。透明導電層可以由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT，金屬奈米線和石墨烯形成。金屬層可以由鉬、銀、鈦、銅、鋁及其合金中的至少一種形成。
第一和第二導電層TS-CL1和TS-CL2中的每一個可以包含複數個圖案。在下文中，將描述其中第一導電層TS-CL1包含第一導電圖案，並且第二導電層TS-CL2包含第二導電圖案的結構。第一和第二導電圖案中的每一個可以包含觸控電極和觸控訊號線。
根據一個或多個例示性實施例，第一和第二觸控絕緣層TS-IL1和TS-IL2中的每一個可以由無機或有機材料形成。無機材料可以包含氧化矽或氮化矽。有機材料可以包含丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚異戊二烯類樹脂、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、聚氨酯類樹脂、纖維素類樹脂、或苝類樹脂(perylene-based resin)。如果第一觸控絕緣層TS-IL1使第一和第二觸控絕緣層TS-IL1和TS-IL2彼此絕緣，則例示性實施例可以不限於第一觸控絕緣層TS-IL1的形狀。第一觸控絕緣層TS-IL1可以根據第一和第二導電圖案的形狀而變形。第一觸控絕緣層TS-IL1可以完全覆蓋稍後將更詳細描述的第二顯示面板表面BS1-U，或者包含複數個絕緣圖案。
如第10A圖所示，第一導電層TS-CL1可以設置在薄膜封裝層TFE上。也就是說，薄膜封裝層TFE提供其上設置有觸控感應層TS的第二顯示面板表面BS1-U。
與第10A圖的顯示面板層DP相比，第10B圖的顯示面板層DP1還可以包含設置在薄膜封裝層TFE上的緩衝層BFL。如此，緩衝層BFL提供第二顯示面板表面BS1-U。在一個或多個例示性實施例中，緩衝層BFL可以是有機層，並且根據緩衝層BFL的所需功能由不同的材料形成。緩衝層BFL可以是與周圍的層的折射率匹配的有機/無機層或濾色器層，以減少外部光的反射。
參考第10C圖，第一導電層TS-CL1可以設置在第一顯示面板表面BS1-L上。第一觸控絕緣層TS-IL1設置在第一導電層TS-CL1上，第二導電層TS-CL2設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上，第二觸控絕緣層TS-IL2設置在第二導電層TS-CL2。
第12A圖和第11B圖是示出根據一個或多個例示性實施例的觸控檢測元件TS的導電層TS-CL1和TS-CL2的平面圖。第12A圖是根據一個或多個例示性實施例的第11A圖的區域AA的局部放大圖。第12B和第12C圖是根據一個或多個例示性實施例的分別沿著截面線I-I’和II-II’截取的圖12A的局部截面圖。第13Awj6是根據一個或多個例示性實施例的第11B圖的區域BB的局部放大圖。第13B和第13C圖是根據一個或多個例示性實施例的分別沿著截面線III-III’和IV-IV’截取的圖13A的局部截面圖。第14A圖是根據一個或多個例示性實施例的第11B圖的區域CC的局部放大圖。第14B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著截面線V-V’截取的第14A圖的局部截面圖。應注意的是，顯示模組的構成元件的觸控感應層TS和顯示面板層DP將主要與第11A、11B、12A至12C、13A至13C、14A和14B圖相關聯地進行說明和描述。為此，示意性地示出了電路層DP-CL，並且將結合第12B、12C、13B、13C和14B圖來描述電路層DP-CL。
根據一個或多個例示性實施例，示出了雙層電容式觸控檢測元件作為範例。雙層電容式觸控感應層可以以自電容方式或互電容方式在接觸點(或懸停的觸控互動)獲取坐標資訊。然而，例示性實施例不限於或通過用於獲取
坐標資訊的驅動方式。第11A圖的第一導電圖案可以對應於第10A至10C圖的第一導電層TS-CL1，並且第11B圖的第二導電圖案可以對應於第10A至10C圖的第二導電層TS-CL2。
如第11A圖所示，第一導電圖案可以包含第一觸控電極TE1-1至TE1-3以及第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3。第11A圖中示出三個第一觸控電極TE1-1至TE1-3以及分別連接到三個第一觸控電極TE1-1至TE1-3的三個第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3。然而，可以想到，與本文所述的例示性實施例相關聯，可以使用任何合適數量的第一觸控電極和第一觸控訊號線。
第一觸控電極TE1-1~TE1-3沿第一方向DR1延伸，並配置在第二方向DR2上。每個第一觸控電極TE1-1至TE1-3可以具有其中定義複數個觸控開口的網狀結構。稍後將更詳細地描述網狀結構。第一觸控電極TE1-1至TE1-3中的每一個包含複數個第一感測部SP1和複數個第一連接部CP1。第一感測部SP1沿第一方向DR1配置。第一連接部CP1中的每一個連接第一感測部SP1的彼此相鄰的兩個第一感測部SP1。雖未圖示，但是每個第一觸控訊號線SL1-1或SL1-3也可以具有網狀結構。第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3可以具有與第一觸控電極TE1-1至TE1-3相同的分層結構。
參照第11B圖，第二導電圖案可以包含第二觸控電極TE2-1至TE2-3和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3。在第11B圖中示出了三個第二觸控電極TE2-1至TE2-3以及分別連接到三個第二觸控電極TE2-1至TE2-3的三個第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3。然而，可以想到，可以與本文所述的例示性實施例相關聯地使用任何合適數量的第二觸控電極和第二觸控訊號線。第二觸控電極TE2-1至TE2-3與第一觸控電極TE1-1至TE1-3絕緣，並與第一觸控電極TE1-1至TE1-3交叉。第二觸控電極TE2-1至TE2-3中的每一個可以具有其中定義了複數個觸控開口的網狀結構。
第二觸控電極TE2-1至TE2-3各自包含複數個第二感測部SP2和複數個第二連接部CP2。第二感測部SP2配置在第二方向DR2上。第二連接部CP2中的每一個連接第二感測部SP2的彼此相鄰的兩個第二感測部SP2。雖未圖示，但是每個第二觸控訊號線SL2-1或SL2-3也可以具有網狀結構。第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3可以具有與第二觸控電極TE2-1至TE2-3相同的分層結構。
根據一個或多個例示性實施例，第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1和TE2-3彼此電容耦合。由於觸控檢測訊號被施加到第一觸控電極TE1-1至TE1-3，所以在第一感測部SP1和第二感測部SP2之間形成(或設置)電容。包含各個感測部的第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3的形狀僅僅是範例，因此例示性實施例不限於此。例如，連接部可以僅定義為第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3彼此交叉的部分，並且感測部可以僅定義為第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3彼此重疊的部分。在一個或多個例示性實施例中，第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3中的每一個可以具有確定寬度的條形。
如第12A圖所示，第一感測部SP1與非發光區NPXA重疊。第一感測部SP1包含在第一方向DR1上延伸的複數個第一垂直部SP1-C和沿第二方向DR2延伸的複數個第一水平部SP1-L。複數個第一垂直部SP1-C和複數個第一水平部SP1-L可以被定義為網狀線(mesh line)。每個網狀線可以具有幾微米的寬度。
複數個第一垂直部SP1-C和複數個第一水平部SP1-L可以彼此連接以定義複數個觸控開口TS-OP。也就是說，第一感測部SP1可以包含具有複數個觸控開口TS-OP的網狀結構。雖然觸控開口TS-OP被示出為與發光區PXA具有一對一關係的結構，但是例示性實施例不限於此。例如，觸控開口TS-OP可以對應於兩個或更複數個發光區PXA。
如第12B和12C圖所示，第一觸控絕緣層TS-IL1與顯示區DA和非顯示區NDA重疊。第一觸控絕緣層TS-IL1設置在第二顯示面板表面BS1-U上以覆蓋第一感測部SP1(第一水平部SP1-L在第12B圖中示出為被第一觸控絕緣層TS-IL-1覆蓋)。雖然沒有單獨示出，但是第一觸控絕緣層TS-IL1可以覆蓋第一連接部CP1和第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3。在一個或多個例示性實施例中，第二顯示面板表面BS1-U由薄膜封裝層TFE提供。第二觸控絕緣層TS-IL2設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上以與顯示區DA和非顯示區NDA重疊。第二觸控絕緣層TS-IL2提供第一基底表面BS2。
參照第13A至13C圖，第二感測部SP2設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上。第二感測部SP2與非發光區NPXA重疊。第二感測部SP2包含沿第一方向DR1延伸的複數個第二垂直部SP2-C和沿第二方向DR2延伸的複數個第二水平部SP2-L。複數個第二垂直部SP2-C和複數個第二水平部SP2-L可以彼此連接以定義複數個觸控開口TS-OP。也就是說，第二感測部SP2具有網狀結構。第二觸控絕緣層TS-IL2設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上以覆蓋第二感測部SP2。如第13B圖所示，第二垂直部SP2-C被示出為被第二觸控絕緣層TS-IL2覆蓋。雖然沒有單獨示出，但是第二觸控絕緣層TS-IL2可以覆蓋第二連接部CP2和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3。
第14圖示出了第11A和11B圖的導電層的重疊部分。如第14A和14B圖所示，第一連接部CP1可以包含設置在薄膜封裝層TFE上的第三垂直部CP1-C1和CP1-C2，以及使第三垂直部CP1-C1及CP1-C2彼此連結的第三水平部CP1-L雖然示出了兩個第三垂直部CP1-C1和CP1-C2，但是例示性實施例不限於此。第二連接部CP2可以包含設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上的第四水平部CP2-L1和CP2-L2以及將第四水平部CP2-L1和CP2-L2彼此連接的第四垂直部
CP2-C。第一連接部CP1可以具有網狀結構，第二連接部CP2也可以具有網狀結構。儘管示出了兩個第四水平部CP2-L1和CP2-L2，但是例示性實施例不限於此。
如上所述，由於第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3中的每一個具有網狀結構，且複數個觸控開口定義在第一觸控電極第二絕緣層TS-IL1和TS-IL2，因此可撓性顯示裝置DD可以提高可撓性。當可撓性顯示裝置DD彎折時，施加到第一觸控電極TE1-1至TE1-3和第二觸控電極TE2-1至TE2-3的張力/壓縮應力能夠被減小，而能夠防止(或至少能減少)觸控電極的電位破裂。
第15A和15B圖是示出根據一個或多個例示性實施例的觸控檢測元件的導電層的平面圖。第15C圖是根據一個或多個例示性實施例的第15B圖中的區域CC的局部放大圖。第15D圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著截面線VI-VI’截取的第15C圖的局部截面圖。應注意的是，電路層DP-CL在第15D圖中示出。此外，應注意的是，第15A至15D圖所示的結構類似於第11A、11B、14A和14B圖的結構，因此，省略了重複的描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面主要描述其差異。
根據一個或多個例示性實施例，示出了單層電容式觸控檢測元件。可以以自電容方式驅動單層電容式觸控檢測元件。然而，可以想到，例示性實施例不限於或通過驅動方式來獲取與觸控事件檢測相關聯的坐標資訊。在一個或多個例示性實施例中，第15A圖的第一導電圖案可對應於第10A至10C圖的第一導電層TS-CL1，並且第15B圖的第二導電圖案可對應於第10A至10C圖的第二導電層TS-CL2。在一個或多個例示性實施例中，第15A圖的第一導電圖案可對應於第10A至10C圖的第二導電層TS-CL2，並且第15B圖的第二導電圖案可對應於第10A至10C圖的第一導電層TS-CL1。
如第15A圖所示，第一導電圖案可以包含第一觸控電極TE1-1至TE1-3、第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3、第二觸控電極TE2-1’至TE2-3’的第二感測部SP2’、及第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3。第一觸控電極TE1-1至TE1-3中的每一個包含複數個第一感測部SP1和複數個第一連接部CP1。如第15B圖所示，第二導電圖案可以包含第二觸控電極TE2-1’至TE2-3’的複數個第二連接部CP2’。第二連接部CP2’中的每一個可具有橋接功能。
參考第15C和15D圖，第二連接部CP2’透過穿過第一觸控絕緣層TS-IL1的第一和第二通孔TS-CH1和TS-CH2電連接第二感測部SP2’的在第二方向DR2上彼此相鄰的第二感測部SP2’。在一個或多個例示性實施例中，第一觸控絕緣層TS-IL1的平面可以改變形狀。第一觸控絕緣層TS-IL1可能不覆蓋整個顯示區DA。例如，第一觸控絕緣層TS-IL1可以僅與第15B圖的複數個第二連接部CP2’重疊。此外，第一觸控絕緣層TS-IL1可以包含複數個絕緣圖案，其被設置為對應於複數個第二連接部CP2’。
根據一個或多個例示性實施例的觸控檢測元件TS的導電圖案在第11A至15D圖中示出。觸控檢測元件TS的例示性實施例不限於第11A至15D圖所示的觸控檢測元件TS的構成元件。例如，觸控檢測元件TS還可以包含用於降低噪聲的噪聲屏蔽圖案(noise shield pattern)和用於改善光學平衡的虛擬圖案(dummy pattern)。
第16A、16B、16C、16D、16E、16F和16G圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。應注意的是，示出了顯示裝置的各種構成元件，如顯示元件DM、第二黏合元件AM2和窗元件WM。第16A至16G圖的顯示裝置類似於第1A至15D圖的顯示裝置，因此，將省略重複的描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。
第16A和16B圖是分別沿第12A圖的截面線I-I’和第12C圖的截面線II-II’截取的截面圖。防反射層RPL設置在第一基底表面BS2上。防反射層RPL包含黑矩陣BM-P1和BM-P2以及濾色器CF。黑矩陣BM-P1和BM-P2與非發光區NPXA和非顯示區NDA重疊，並且濾色器CF分別與發光區PXA重疊。黑矩陣BM-P1和BM-P2以及濾色器CF可以定義第二基底表面BS3。
在一個或多個例示性實施例中，濾色器CF可以包含多組濾色器。例如，濾色器CF可以包含紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。濾色器CF可以包含灰色濾色器。然而，可以想到，與本文所述的例示性實施例相關聯，可以使用任何合適顏色的第濾色器CF。
黑矩陣BM-P1和BM-P2可以由能夠阻擋光的材料形成。黑矩陣BM-P1和BM-P2可以防止從有機發光裝置OLED發射的光與外部入射的光(以下稱為外部光)彼此混合並吸收。例如，黑矩陣BM-P1和BM-P2中的每一個可以由具有相對高的光吸收的有機材料形成。黑矩陣BM-P1和BM-P2中的每一個可以包含黑色顏料或黑色染料。黑矩陣BM-P1和BM-P2中的每一個可以包含光敏有機材料，例如，以顏料或染料著色。黑矩陣BM-P1和BM-P2中的每一個可以具有單層或多層結構。
濾色器CF可以透射從有機發光裝置OLED發射的光並降低外部光的反射率。外部光會通過濾色器CF，藉此可將強度降低約1/3。可以消散通過濾色器CF的一部分光，並且由設置在濾色器CF下方的顯示裝置的構成元件反射的一部分光，例如，有機發光裝置層DP-OLED和薄膜封裝層TFE。反射光會再次入射到濾色器CF中。反射光在通過濾色器CF時亮度(或強度)降低。藉此，只有一部分的外部光可以從顯示裝置反射。也就是說，外部光的反射率降低。
黑矩陣BM-P1和BM-P2包含與非發光區NPXA重疊的遮光部BM-P1和與非顯示區NDA重疊的邊框部BM-P2。遮光部BM-P1具有第一厚度
TH1，邊框部BM-P2具有大於第一厚度TH1的第二厚度TH2。邊框部BM-P2的遮光效率比遮光部BM-P1高。遮光部BM-P1可以僅具有足以防止從發光區PXA產生的光的顏色彼此混合的厚度。然而，邊框部BM-P2可以具有更高的遮光率，使得第一觸控訊號線SL1-1至SL1-3(見第11A圖)和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-3(見第11B圖)不被使用者識別(或感知)。藉此，邊框部BM-P2可以具有比遮光部BM-P1的厚度更大的厚度。
根據一個或多個例示性實施例，遮光部BM-P1和邊框部BM-P2可以彼此一體化。可以在第一基底表面BS2上形成黑矩陣前驅層(pre-black matrix layer)，並將其圖案化以除去將形成濾色器CF的區域，並且被去除相對於邊框部BM-P2要形成遮光部BM-P1的區域。黑矩陣前驅層的厚度可以根據不同區域逐漸減小，以形成在各個區域中彼此厚度不同的一體化黑矩陣(integrated black matrix)。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。例如，遮光部BM-P1和邊框部BM-P2可以具有彼此相同的厚度。
第二黏合元件AM2直接設置在第二基底表面BS3上。第二黏合元件AM2透過第二黏合表面AS2與第二基底表面BS3連接。
窗元件WM包含基底膜WBF，硬塗層WHCL和功能性塗層HFL。在一個或多個例示性實施例中，基底膜WBF可以耦合到第二黏合元件AM2的第二黏合表面AS2。基底膜WBF可以是由聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯系樹脂、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、氨基甲酸酯類樹脂、纖維素系樹脂或苝系樹脂等。形成基底膜WBF的材料不限於塑膠樹脂。例如，基底膜WBF可以由有機/無機複合材料形成。基底膜WBF可以包含多孔有機層和填充到有機層的孔中的無機材料。
硬塗層WHCL增加窗元件WM的硬度。硬塗層WHCL可以包含矽基聚合物。然而，可以想到，例示性實施例不限制硬塗層的材料，而是可以包
含任何合適的硬塗層材料。雖未圖示，功能塗層HFL可以包含指紋層(fingerprint layer)、防反射層和自恢復層(self-restoring)。在一個或多個例示性實施例中，硬塗層WHCL和功能塗層HFL中的一個可以被省略或提供複數個。還可以想到，基底膜WBF、硬塗層WHCL和功能性塗層HFL的堆疊順序可以改變。
根據一個或多個例示性實施例，硬塗層WHCL和功能塗層HFL中的每一個可以以塗佈或印刷方式形成在基底膜WBF上。還可以想到，硬塗層WHCL和功能性塗層HFL中的每一個可以通過輥塗、網版印刷塗佈、噴塗及/或狹縫塗佈形成。
第16C至16E圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第12A圖的線II-II’截取的截面圖。第16C至16E圖的顯示裝置類似於第16A至16B圖的顯示裝置，因此，將省略重複描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。例如，將主要描述第16C至16E圖的防反射層與第16A和16B圖的防反射層之間的差異。
如第16C圖所示，邊框部BM-P2’可以包含複數個層。圖16C示出了具有三層結構的邊框部BM-P2’的範例。複數個層的最下層可以具有與遮光部BM-P1一體化的形狀。可以形成第一預備層，然後將其圖案化以形成第一層(最下層)。可以形成第二預備層和第三預備層，然後將其圖案化以連續地形成第二層和第三層。可以依次形成第一至第三預備層，然後根據區域形成不同圖案，以形成具有三層結構的邊框部BM-P2’，並且具有單層結構的遮光部BM-P1。
根據一個或多個例示性實施例，第一至第三層可以由彼此不同或相同的材料形成。第一層可以包含黑色顏料或黑色染料，並且第二層和第三層中的每一層可以包含具有不同於黑色的著色顏料或染料。在例示性實施例中，第二層和第三層中的一個可以包含黑色顏料或黑色染料。第二層和第三層可以包含彼此具有相同顏色的顏料或染料。第二層可以是提供幾何圖案的裝飾層，
例如瞄準線(hair line)或編織圖案。裝飾層可以增加顯示裝置的美學吸引力。第三層可以是能夠調節外部光的反射率或反射波長的光學層。
參考第16D圖，黑矩陣BM-P1’和BM-P2’‘與非發光區NPXA重疊，並且濾色器CF’分別與發光區PXA重疊。濾色器CF’可以部分地與非發光區NPXA重疊。濾色器CF’可以設置在第一基底表面BS2上，然後可以形成黑矩陣BM-P1’和BM-P2”。濾色器CF’和黑矩陣BM-P1’和BM-P2”可以通過光刻製程形成。黑矩陣BM-P1’和BM-P2”中的每一個可以具有比每個濾色器CF’的高的高度。
根據第16E圖，黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''與非發光區NPXA重疊、濾色器CF”分別與發光區PXA重疊。濾色器CF”可以部分地與非發光區NPXA重疊。黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''可以設置在第一基底表面BS2上，然後可以形成濾色器CF”。每個濾色器CF”可以具有高於黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''中的每一個的高度。
如第16D和16E圖所示，遮光部BM-P1’和BM-P1”及邊框部BM-P2’‘和BM-P2'''中的每一個可以具有傾斜的側表面。遮光部BM-P1’和BM-P1”包含在第一方向DR1上彼此面對的第一側表面SS1和SS1’。邊框部BM-P2”和BM-P2'''包含傾斜的第二側表面SS2和SS2’。由於黑矩陣通過光刻製程直接形成在第二基底表面BS2上，所以側表面SS1、SS1’、SS2和SS2”可以是傾斜的。可以根據黑矩陣BM-P1’、BM-P1”、BM-P2”、BM-P2'''和濾色片CF’和CF”的製造順序改變側表面SS1、SS1’、SS2和SS2’的形狀。
如第16D圖所示，從濾色器CF’露出的側面SS1和SS2的部分可以是傾斜的。不同於附圖，側表面SS1和SS2的暴露的部分的傾斜度可以彼此不同。參考第16E圖，側表面SS1’和SS2’可以具有與整體相同的傾斜度。然而，應注意的是，儘管側表面SS1’和SS2’以均勻的傾斜度示出，但這僅僅是一個例子。在一個或多個例示性實施例中，側表面SS1’和SS2’的傾斜度可以彼此不同。
如第16D和16E圖所示，每個遮光部BM-P1’和BM-P1”以及邊框部BM-P2”和BM-P2'''的底表面(與第二觸控絕緣層TS-IL2接觸的表面)可以具有寬度大於其頂表面(與接觸第二觸控絕緣層TS-IL2的表面相對的另一表面)的寬度。寬度在第一方向DR1上測量。
第16F和16G圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第12A圖的線II-II’截取的截面圖。第16F和16G圖的顯示裝置類似於第16A至16E圖的顯示裝置，因此，將省略重複的描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。例如，將主要描述第16F和16G圖的窗元件和防反射層與第16A至16E圖的窗元件和防反射層之間的差異。
如第16F圖所示，遮光部BM-P1’和邊框部BM-P2'''具有相同的厚度。窗元件WM’還可以包含直接設置在第二黏合表面AS2’上的邊緣黑矩陣(edge black matrix)WBM。邊緣黑矩陣WBM可以與非顯示區NDA重疊。邊緣黑矩陣WBM可以補足(supplement)邊框部BM-P2'''以減小非顯示區NDA上的外部光的反射率。
參照第16G圖，邊框部BM-P2可以被省略。此時，邊緣黑矩陣WBM’可以具有比第16F圖中更大的厚度。然而，可以想到，例示性實施例不限於邊緣黑矩陣WBM’的層結構和形狀。例如，邊緣矩陣WBM’可以具有與參照第16A至16E圖描述的邊框部相同的層結構和形狀。
第17A至17D圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。第17A至17D圖的顯示裝置類似於第1A至16G圖的顯示裝置，因此，將省略重複的描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。應注意的是，第17A和17C圖是沿第12A圖的截面線I-I’截取的截面圖，而第17B和17D圖是沿第12A圖的截面線II-II’截取的截面圖。示出了顯示裝置的各種
構成元件，如顯示元件DM、第二黏合元件AM2以及窗元件WM。為了說明和描述方便，窗元件WM被示出為單個層。
如第17A和17B圖所示，防反射層RPL可以包含分別與顯示區域DA和非顯示區域NDA重疊的第一和第二含金屬層ML1和ML2，以及分別與顯示區域DA和非顯示區域NDA重疊的第一和第二介電層IL1和IL2。包含第一和第二含金屬層ML1和ML2以及第一和第二介電層IL1和IL2的防反射層RPL僅作為範例繪出。可以想到，與本文所述的例示性實施例相關聯，可以使用任何合適數量的含金屬層和任何合適數量的介電層。
根據一個或多個例示性實施例，第一和第二含金屬層ML1和ML2以及第一和第二介電層IL1和IL2相對於彼此交替堆疊。然而，例示性實施例不限於所示的堆疊順序。第一含金屬層ML1可以包含吸光率為約30%以上的金屬。第一含金屬層ML1可以由折射率為約1.5至約7、且吸收係數k為約1.5至約7的材料形成。第一含金屬層ML1可以由鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈷(Co)、氧化銅(CuO)、氮化鈦(TiNx)、和硫化鎳(NiS)中的至少一種形成。第一含金屬層ML1可以是由上述的一種或多種材料形成的金屬層，第二含金屬層ML2也是。
在一個或多個例示性實施例中，第一介電層IL1和第二介電層IL2中的每一個可以由選自以下的一個形成：二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MaF2)、氮化矽(SiNx)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈮(Nb2O5)、矽氮化矽(SiCN)、氧化鉬(MoOx)、氧化鐵(FeOx)和氧化鉻(CrOx)。從外部入射的光OL被第一含金屬層ML1(以下稱為第一反射光RL1)和第二含金屬層ML2(以下稱為第二反射光RL2)部分反射。
第一介電層IL1可以調節通過第一介電層IL1的光的相位，使得第一反射光RL1和第二反射光RL2之間的相位差為大約180°。藉此，第一反射光RL1
和第二反射光RL2可以被破壞性組合。因此，可以選擇或調整第一含金屬層ML1、第二含金屬層ML2、第一介電層IL1和第二介電層IL2的厚度和材料，以在第一反射光RL1和第二反射光RL2之間進行相消干涉。然而，例示性實施例不限於此。
如第17C和17D圖所示，防反射層RPL'''還可以包含黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''。雖然示出了與參考第16E圖所描述的與每個黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''相同形狀的黑矩陣，但是例示性實施例的每個黑矩陣BM-P1”和BM-P2'''的形狀、厚度和/或堆疊結構並不限於此。然而，應注意的是，第一和第二金屬層ML1’和ML2’的形狀和結構以及第一和第二介質層IL1’和IL2’的形狀和結構可以基於黑色矩陣BM-P1”和BM-P2'''設置。雖然沒有單獨示出，但是第17C和17D圖的窗元件和黑矩陣可以形成為如第16F和16G圖所示的形狀和構造。
第18A至18F圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著截面線I-I’截取的第12A圖的顯示裝置的截面圖。第18A至18F圖的顯示裝置類似於第1A至17D圖的顯示裝置，因此，將省略重複的描述以避免模糊本文描述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。應注意的是，示出了顯示裝置的各種構成元件，如顯示元件DM、第二黏合元件AM2和窗元件WM。為了說明和描述方便，窗元件WM被示出為單個層。
根據一個或多個例示性實施例，第18A至18F圖中所示的顯示裝置可以是第4C圖的顯示裝置的範例。觸控感應層TS-R可以檢測外部輸入並減少外部光的反射。如下所述，這些特徵至少部分地由包含濾色器的觸控感應層TS-R實現。
如第18A圖所示，第一觸控絕緣層TS-IL1設置在第二顯示面板表面BS1-U上。複數個第一絕緣開口IL1-OP，分別對應在第一觸控絕緣層TS-IL1中定義的複數個發光區域PXA。濾色器CF''''可以設置在複數個第一絕緣開口
IL1-OP中。考慮到從有機發光裝置OLED發射的光的顏色，濾色器CF''''的顏色可以針對第一絕緣開口IL1-OP而有不同。例如，紅色濾色器可以被設置成與發射紅光的有機發光裝置OLED重疊，綠色濾色器可以被設置成與發射綠色光的有機發光裝置OLED重疊，並且藍色濾色器可以被設置為與發射藍光的有機發光裝置OLED重疊。然而，應注意的是，可以結合本文所述的例示性實施例來使用任何合適的顏色作為濾色器。
濾色片CF''''可以透射從有機發光裝置OLED發出的光並降低外部光的反射率。此外，外部光可以通過濾色器CF''''，因此，強度降低約1/3。通過濾色器CF''''的光的一部分可被消散，並且一部分光可以被有機發光裝置層DP-OLED和薄膜封裝層TFE反射。反射光可以入射到濾色器CF''''。反射光在通過濾色器CF'''時強度降低(例如，亮度)。結果，只有一部分的外部光可從顯示裝置反射。
在一個或多個例示性實施例中，第一觸控絕緣層TS-IL1和濾色器CF'''可以被設置為單層。此外，在一個或多個例示性實施例中，第一觸控絕緣層TS-IL1可以對應於參考第16B和16C圖所描述的黑矩陣。
第二觸控絕緣層TS-IL2設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上。在第二觸控絕緣層TS-IL2中定義了與複數個發光區PXA相對應的複數個第二絕緣開口IL2-OP。第二觸控絕緣層TS-IL2和濾色器CF'''可以提供具有階梯形狀的第一基底表面BS2。雖然沒有單獨示出，但是觸控感應層TS-R還可以包含提供第一基底表面BS2的絕緣層。
根據一個或多個例示性實施例，第一觸控絕緣層TS-IL1和第二觸控絕緣層TS-IL2可以被連續堆疊，然後，第一絕緣開口IL1-OP和第二絕緣開口IL2-OP可以透過一個製程同時彼此對應形成。一旦形成了第一絕緣開口IL1-OP
和第二絕緣開口IL2-OP，就可以形成濾色器CF'''。濾色器CF''''可以使用諸如噴墨印刷或光刻的印刷方式形成。
雖然未示出沿圖12A的截面線II-II’截取的顯示裝置的截面，但是顯示裝置可以與第12C圖的相同，或者還包含黑矩陣BM-P1和BM-P2設置於非顯示區NDA上。此外，雖未圖示沿著第13A圖的截面線III-III’截取的截面，但是除了感測部的位置之外，顯示裝置可以與第18A圖的相同。
如第18B圖所示，第二觸控絕緣層TS-IL2’設置在第一觸控絕緣層TS-IL1上。與第18A圖不同，在第二觸控絕緣層TS-IL2’中不設置複數個第二絕緣開口IL2-OP。第二觸控絕緣層TS-IL2’提供第一基底表面BS2’。
參考第18C圖，濾色器CF''''可以同時設置在第一和第二絕緣開口IL1-OP和IL2-OP中。由於同時形成第一和第二絕緣開口IL1-OP和IL2-OP，所以第一絕緣開口IL1-OP和第二絕緣開口IL2-OP可以彼此對準。濾色器CF''''可以從第一絕緣開口IL1-OP的內部延伸到第二絕緣開口IL2-OP的內部。濾色器CF''''可以具有與第一觸控絕緣層TS-IL1和第二觸控絕緣層TS-IL2”再第三方向DR3上的厚度總和實質上相同的厚度。第二觸控絕緣層TS-IL2”和濾色器CF'''''可以提供平板的第一基底表面BS2”，而窗元件WM設置在其上。
根據第18D圖，黑矩陣BM可以設置在第二觸控絕緣層TS-IL2上。在黑矩陣BM中定義對應於發光區PXA的複數個透射開口BM-OP。黑矩陣BM和濾色器CF''''可以提供具有階梯形狀的第一基底表面BS2'''。雖未圖示，黑矩陣BM可以進一步覆蓋第一和第二絕緣開口IL1-OP和IL2-OP中的每一個的內壁。
雖然沒有示出，但是根據一個或多個例示性實施例，第18A和18C圖的第一和第二觸控絕緣層TS-IL1和TS-IL2/TS-IL2’/TS-IL2”中的至少一個可以用黑矩陣BM代替。第18B圖的第一觸控絕緣層TS-IL1可以用黑矩陣BM代替。
如圖18E所示，薄膜封裝層TFE提供第二顯示面板表面BS1-U。濾色器CF''''''設置在第二顯示面板表面BS1-U上。每個濾色器CF''''''可以包含中心部CF-C和邊緣部CF-E。中心部CF-C與複數個發光區PXA的發光區對應重疊。邊緣部CF-E從中心部CF-C延伸並且與非發光區NPXA重疊。例如，邊緣部CF-E可以與第一導電圖案重疊，例如第一感測部SP1的第一水平部SP1-L。雖然沒有單獨示出，但是濾色器CF'''''也可以與第一連接部CP1重疊。當每個濾色器CF''''''設置在平面上時，邊緣部CF-E可圍繞中心部CF-C。
根據一個或多個例示性實施例，彼此相鄰的每個濾色器CF''''''的邊緣部CF-E可以接觸並覆蓋第一感測部SP1的第一水平部SP1-L。相鄰的濾色器CF''''''的邊緣部CF-E可以彼此接觸。相鄰的濾色器CF''''''的邊緣部CF-E可以部分地覆蓋第一水平部SP1-L以完全覆蓋第一導電圖案。
黑矩陣TS-BM設置在濾色器CF''''''上。如第18E圖所示，黑矩陣TS-BM可以直接設置在濾色器CF''''''上。在黑矩陣TS-BM中定義了與發光區PXA對應的複數個透射開口BM-OP’。黑矩陣TS-BM和濾色器CF'''''可以提供第一基底表面BS2''''。
在一個或多個例示性實施例中，黑矩陣TS-BM可以被設置為對應於非發光區NPXA。複數個發光區域PXA和複數個透射開口BM-OP’可以在平面上具有相同的形狀。也就是說，黑矩陣TS-BM具有與非發光區NPXA基本相同的形狀(例如，黑矩陣TS-BM具有與第一和第二方向DR1和DR2中的非發光區NPXA相同的寬度)。然而，可以想到，例示性實施例不限於此。例如，複數個發光區域PXA和複數個透射開口BM-OP’可以具有彼此不同的形狀。
參考第18F圖，觸控感應層TS-R'''包含第一黑矩陣TS-BM1和第二黑矩陣TS-BM2。第一黑矩陣TS-BM1設置在第二顯示面板表面BS1-U上以覆蓋第一導電圖案，例如第一感測部SP1的第一水平部SP1-L。在第一黑矩陣TS-BM1
中定義了與發光區PXA相對應的複數個第一傳輸開口BM1-OP。彼此相鄰的濾色器CF'''''''的邊緣部CF-E’可以接觸並覆蓋第一黑色矩陣TS-BM1。彼此相鄰的濾色器CF'''''''可以完全覆蓋第一黑矩陣TS-BM1。
第二黑矩陣TS-BM2設置在濾色器CF'''''''上。在第二黑色矩陣TS-BM2中定義了與發光區PXA對應的複數個第二透射開口BM2-OP。第二黑矩陣TS-BM2和濾色器CF'''''''可以提供第一基底表面BS2'''''。
第19A和19B圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的截面圖。第20A和20B圖是根據一個或多個例示性實施例的顯示裝置的有機發光二極體的陰極的截面圖。應注意的是，根據一個或多個例示性實施例，第19A圖是沿著截面線I-I’截取的第12A圖的截面圖，而第19B圖是根據一條或多條沿線II-II’截取的第12A圖的截面圖。第19A、19B、20A和20B圖的顯示裝置類似於第1A至18F圖的顯示裝置，因此，將省略重複的描述以避免模糊本文所述的例示性實施例。藉此，下面將主要描述差異。應注意的是，示出了顯示元件DM的各種構成元件，如顯示面板層DP-R和觸控感應層TS。
應注意的是，示出了顯示裝置的各種構成元件，如顯示面板層DP-R和觸控感應層TS。此外，第19A、19B、20A和20B圖所示的顯示裝置可以是第4D圖的顯示裝置的範例。顯示面板層DP-R可以產生圖像並減少外部光的反射。如下所述，這些特徵至少部分地由具有防反射層功能的顯示面板層DP-R的陰極CE-R實現。第19A和19B圖的觸控感應層TS可以與第12B和12C圖的觸控感應層TS基本相同。雖未圖示，但是可以如參照第18A至18F圖所述形成第一觸控絕緣層TS-IL1和第二觸控絕緣層TS-IL2。
如第20A圖所示，陰極CE-R可以包含第一金屬層CE-M1，設置在第一金屬層CE-M1上的透明導電層CE-M2，和設置在透明導電層CE-M2上的第
二金屬層CE-M3。具有上述結構的陰極CE-R可以接收電源電壓並降低外部光的反射率。
根據一個或多個例示性實施例，從外部入射的光OL被第一金屬層CE-M1、透明導電層CE-M2和第二金屬層CE-M3反射。由第一金屬層CE-M1、透明導電層CE-M2和第二金屬層CE-M3反射的光可以被分別定義為第一反射光RL1、第二反射光RL2和第三反射光RL3。在一個或多個例示性實施例中，第二反射光RL2和第三反射光RL3可相互相消干涉以降低外部光OL的反射率。如果第二反射光RL2和第三反射光RL3的混合光具有與第一反射光RL1相同的強度以及與第一反射光RL1相反的相位(例如，大約180度的相位差)，則會發生相消干涉。
第一金屬層CE-M1可以由選自鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉑(Pt)、鐿(Yb)、鋇(Ba)及其合金的所組成的群組中的一種形成。由於上述各金屬具有相對低的電阻，所以適合用於第一金屬層CE-M1，以便有效地傳輸電源電壓。此外，由於上述各金屬相對容易沉積並且與氧氣和水分的反應性相對較低，所以適合用於第一金屬層CE-M1。第一金屬層CE-M1可以具有約50nm至約500nm的厚度。
透明導電層CE-M2可以由選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦錫、氧化鋅(AZO)、氧化銦鎵(IGO)、鎵銦鋅(GIZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及其混合物所組成的群組中的一種形成。透明導電層CE-M2可以由金屬和介電材料中的至少一種形成。透明導電層CE-M2產生第一反射光RL1和其餘反射光之間的相位差。透明導電層CE-M2可以具有選定的厚度，從而發生相消干涉。然而，例示性實施例不限於此。
在一個或多個例示性實施例中，第三反射光RL3和第一反射光RL1之間發生相消干涉。為了產生相消干涉，第三反射光RL3和第一反射光RL1可以具有彼此相反的相位，並且具有彼此相同的大小(或強度)。為了產生有效的相消干涉，第三反射光RL3和第一反射光RL1可以具有彼此相似的尺寸。
第二金屬層CE-M3可以是具有相對較高的光吸收率的金屬。具有相對高的光吸收率的金屬會吸收相消干涉之後不能完全消散的光。此金屬的光吸收率與折射率和吸收係數的乘積成比例。藉此，如果一種金屬具有大的折射率和吸收係數的乘積值，則此金屬可以適於作為第二金屬層CE-M3的材料。
根據一個或多個例示性實施例，第二金屬層CE-M3可以由鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鉬(Mo)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鎢(W)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈣(Ca)、鉑(Pt)、鐿(Yb)或其合金形成。第二金屬層CE-M3可以具有約1nm至約25nm的厚度。
根據第20B圖，陰極CE-R’還可以包含設置在第二金屬層CE-M3上的第三金屬層CE-M4。此外，陰極CE-R’可以被設計成使得從第三金屬層CE-M4反射的第四反射光RL4與第一反射光RL1發生相消干涉。
根據一個或多個例示性實施例，第三金屬層CE-M4可以具有功函數(work function)，使得電荷(電子)容易注入。當第三金屬層CE-M4構成陰極CE-R’的最上層時，第三金屬層CE-M4可具有對氧氣和水分的相對較低的反應性。第三金屬層CE-M4可以由功函數約4.6eV或更小的金屬或其合金形成。或者，第三金屬層CE-M4可以由功函數約3.7eV以下的金屬或其合金形成。第三金屬層CE-M4可以由選自鐿(Yb)、鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鋰(Li)、銫(Cs)、鋇(Ba)、鉀(K)及其合金所組成的群組中的一種形成。第三金屬層CE-M4可以具有約1nm至約15nm的厚度。
儘管第一金屬層CE-M1、透明導電層CE-M2、第二金屬層CE-M3和第三金屬層CE-M4構成陰極CE-R’，但是例示性實施例不限於此。例如，與陰極CE不同，陰極CE-R’可以設置在顯示面板層DP中，僅發揮防反射功能。
根據一個或多個例示性實施例，觸控檢測元件、防反射元件、窗元件和保護元件可以作為觸控感應層、防反射層、窗口層、和外部保護層與顯示面板一體化。由於觸控感應層、反射防止層、窗口層和外部保護層通過連續製程形成，所以一個或多個黏合元件，例如一個或多個OCA層，或一個或多個黏合層，例如一個或多個OCR層可以被省略。由於省略了黏合元件，所以可以減小顯示裝置的厚度，這也可以提高顯示裝置的可撓性和美觀性。
根據一個或多個例示性實施例，觸控檢測元件和防反射元件可以與作為觸控感應層和防反射層的顯示面板一體化。藉此，顯示裝置可以比具有觸控檢測元件的傳統顯示裝置和可以使用黏合劑耦合到顯示裝置的防反射元件更薄。此外，黏合元件的數量可以最小化(或至少能減少)。由於顯示裝置的厚度減小，即使顯示裝置被反復彎折(或彎曲)，黏合元件剝離的缺陷也能夠減少。此外，由於顯示裝置的厚度減小，顯示裝置可以以較小的曲率半徑彎折(或彎曲)。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在本發明中可以進行各種修改和變化。因此，本公開旨在涵蓋所附申請專利範圍及其等同物的範圍內對本發明進行的修改和變化。
儘管已經描述了一部分例示性實施例，但是其他實施例和修改也是從該描述中顯而易見的。因此，本發明的概念不限於這些實施例，而是由申請專利範圍界定的更廣泛的範圍和各種明顯的修改和等效的配置。
AS1:第一黏合表面
AS2:第二黏合表面
BA:彎曲區
BS1-L:第一顯示面板表面
BS1-U:第二顯示面板表面
BS2:第一基底表面
BS3:第二基底表面
DD:可撓性顯示裝置
DP:有機發光顯示面板層
DR1:第一方向軸
NBA1:第一非彎曲區
NBA2:第二非彎曲區
OS-U:第二外表面
OS-L:第一外表面
PM:保護元件
RPL:防反射層
TS:觸控感應層
WM:窗元件
Claims (15)
- 一種可撓性顯示裝置，其包含：一保護元件，其具有暴露於該可撓性顯示裝置的外部的一第一外表面；一窗元件，暴露於外部的第二外表面；一顯示元件，設置在該保護元件和該窗元件之間；一第一黏合元件，用於將該顯示元件耦合到該保護元件；及一第二黏合元件，用於將該顯示元件耦合到該窗元件；其中該顯示元件包含：一顯示面板層，具有一第一顯示面板表面及一第二顯示面板表面，該顯示面板層包含：一顯示區域，包含複數個發光區域和與該複數個發光區域相鄰的一非發光區域；及一非顯示區，與該顯示區相鄰；一觸控感應層，具有一第一基底表面；及一防反射層，具有一第二基底表面，其中：該觸控感應層直接設置在該第一顯示面板表面、該第二顯示面板表面和該第二基底表面中的一個上，以使該觸控感應層與該第一顯示面板表面、第二顯示面板表面及第二基底表面中的一個之間不設置黏合層； 該防反射層直接設置在該第二顯示面板表面及該第一基底表面中的一個上，以使該防反射層與該第二顯示面板表面及該第一基底表面中的一個之間不設置黏合層；且該顯示元件的厚度小於該保護元件和該窗元件的厚度總和。
- 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該顯示元件的厚度與該保護元件和該窗元件的厚度總和的比為1：1.2至1：4。
- 如請求項2所述之可撓性顯示裝置，其中該保護元件和該窗元件之間的厚度比為5：3至3：7。
- 如請求項3所述之可撓性顯示裝置，其中該第一黏合元件和該第二黏合元件之間的厚度比對應於該保護元件和該窗元件之間的厚度比。
- 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該防反射層包含：一黑矩陣，與該非發光區和該非顯示區重疊；和複數個濾色器，分別與該複數個發光區域重疊。
- 如請求項5所述之可撓性顯示裝置，其中：該黑矩陣包含：一遮光部，與該非發光區重疊；及一邊框部，與該非顯示區重疊；且該邊框部比該遮光部厚。
- 如請求項6所述之可撓性顯示裝置，其中該遮光部與該邊框部彼此一體化。
- 如請求項6所述之可撓性顯示裝置，其中：該邊框部包含複數個層；且該複數個層中的一第一層與該遮光部一體化。
- 如請求項6所述之可撓性顯示裝置，其中設置在該複數個層的該第一層上的第I層包含一著色層，其中I是大於或等於2的自然數。
- 如請求項6所述之可撓性顯示裝置，其中該遮光部合該邊框部中的至少一個在截面圖中包含一傾斜側面。
- 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該顯示面板層包含：一基層，包含該第一顯示面板表面；一電路層，設置於該基層上；一有機發光裝置層，設置於該電路層上；及一薄膜封裝層，用於密封該有機發光裝置層，該薄膜封裝層包含該第二顯示面板表面，其中該保護元件較該基層厚。
- 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該防反射層包含：複數個含金屬層，與該顯示區及該非顯示區重疊；及複數個介電層，與該顯示區及該非顯示區重疊，且該複數個介電層與該複數個含金屬層交替堆疊。
- 如請求項12所述之可撓性顯示裝置，其中該防反射層更包含： 一黑矩陣，與該非發光區和該非顯示區重疊。
- 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該觸控感應層包含：複數個第一導電圖案，直接設置在該第一顯示面板表面、該第二顯示面板表面和該第二基底表面中的一個上，而該複數個第一導電圖案與該非發光區域重疊；一觸控絕緣層，覆蓋該第一導電圖案；及一第二導電圖案，設置在該觸控絕緣層上，該第二導電圖案與該非發光區重疊。
- 如請求項14所述之可撓性顯示裝置，其中：該複數個第一導電圖案形成一第一網格結構，該第一網格結構包含對應於該複數個發光區的一部分的複數個第一開口；且該複數個第二導電圖案形成一第二網格結構，該第二網格結構包含對應於該複數個發光區的一部分的複數個第二開口。
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