KR20210077848A

KR20210077848A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210077848A
Application number: KR1020190168981A
Authority: KR
Inventors: 김준기; 이재훈; 전보건; 정양호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-12-17
Filing date: 2019-12-17
Publication date: 2021-06-28
Also published as: US20210181879A1; CN112992976A; EP3840053A1; US20230376137A1; US11747924B2

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 광을 방출시키는 발광 영역이 정의된 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치된 입력 센서를 포함하고, 상기 입력 센서는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되고 상기 발광 영역에 대응하는 회절 격자가 정의된 제1 절연층 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 도전층과 연결된 제2 도전층을 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 도전층을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 무기층을 포함하고, 상기 유기층과 상기 무기층에는 상기 회절 격자를 정의하는 복수 개의 홀들이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명은 표시 품질을 개선시킬 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시야각 특성이 개선된 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치는 발광 소자 자체로 광을 발광하여 영상을 표시하는 자발광형 표시 장치 또는 수신된 광의 투과율을 제어하여 영상을 표시하는 수광형 표시 장치로 구분될 수 있다. 자발광형 표시 장치는 예를 들어 유기발광 표시 장치일 수 있다. 유기발광 표시 장치의 발광층에서 생성된 광은 정면 방향뿐만 아니라 측면 방향으로도 출광될 수 있다.

유기발광 표시 장치는 광을 발생하는 유기발광 다이오드를 포함한다. 그러나, 유기발광 다이오드의 발광 특성이 정면 대비 측면에서 저하되는 현상이 발생하고, 이는 유기발광 표시 장치의 측면 시야각이 정면 시야각 대비 저하되는 현상으로 이어질 수 있다.

본 발명은 시야각 특성을 개선하여 표시 품질이 개선된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 광을 방출시키는 발광 영역이 정의된 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치된 입력 센서를 포함하고, 상기 입력 센서는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되고 상기 발광 영역에 대응하는 회절 격자가 정의된 제1 절연층 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 도전층과 연결된 제2 도전층을 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 도전층을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 무기층을 포함하고, 상기 유기층과 상기 무기층에는 상기 회절 격자를 정의하는 복수 개의 홀들이 형성될 수 있다.

상기 복수 개의 홀들 각각은 상기 무기층을 관통하는 제1 홀 및 상기 유기층을 관통하는 제2 홀을 포함하고, 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀은 서로 정렬될 수 있다.

상기 복수개의 홀들 각각의 깊이는 상기 제1 절연층의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.

상기 제2 도전층은 개구부가 정의된 감지 패턴을 포함하고, 평면상에서 상기 개구부는 상기 회절 격자와 중첩할 수 있다.

상기 입력 센서는 상기 제2 도전층을 커버하는 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 복수 개의 홀들에 충진될 수 있다.

상기 제2 절연층의 굴절률은 상기 제1 절연층의 굴절률과 상이할 수 있다.

상기 제2 절연층에는 상기 회절격자를 노출하는 개구부가 정의되고, 상기 입력 센서는 상기 제1 및 제2 절연층들을 커버하고, 상기 복수 개의 홀들에 충진된 제3 절연층을 더 포함할 수 있다.

상기 제1 절연층의 굴절률, 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 제3 절연층의 굴절률은 서로 상이할 수 있다.

상기 입력 센서는 베이스 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 도전층은 상기 베이스 절연층에 접촉될 수 있다.

상기 베이스 절연층은 유기층일 수 있다.

상기 표시 패널은 베이스층, 상기 베이스 층 상에 배치되는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되는 표시 소자층 및 상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층을 포함하고, 상기 베이스 절연층은 상기 봉지층 상에 직접 배치될 수 있다.

상기 복수 개의 홀들은 일정한 간격으로 배치되고, 상기 복수 개의 홀들 중 적어도 하나는 상기 무기층 및 상기 유기층을 관통하여 상기 베이스 절연층의 일부분까지 연장될 수 있다.

상기 무기층의 두께는 상기 유기층의 두께보다 작을 수 있다.

상기 유기층에는 상기 제1 도전층의 일부분을 노출 시키는 제1 관통홀이 정의되고, 상기 무기층에는 상기 제1 관통홀까지 연장되어 상기 제1 도전층의 일부를 커버하고, 상기 제1 도전층의 다른 일부를 노출하는 제2 관통홀이 정의될 수 있다.

상기 무기층과 상기 유기층의 굴절률은 서로 다를 수 있다.

상기 유기층의 굴절률은 0.7 이상 3 이하 이고, 상기 무기층의 굴절률은 0.3 이상 1 이하일 수 있다.

상기 유기층은 비감광성 물질을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 광을 방출시키는 발광 영역이 정의된 표시 패널을 형성하는 단계, 상기 표시 패널 상에 배치된 입력 센서를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 입력 센서를 형성하는 단계는 제1 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 도전층을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 무기층을 포함하는 제1 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 도전층과 컨택홀을 통해 연결된 제2 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층에 회절 격자를 정의하는 복수 개의 홀들을 형성하는 단계 및 상기 제2 도전층 및 상기 제1 절연층을 커버하는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 제1 도전층의 일부를 노출시키는 제1 관통홀이 정의된 상기 유기층을 형성하는 단계, 상기 유기층 상에 상기 제1 관통홀의 내벽을 커버하는 상기 무기층을 형성하는 단계, 상기 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 무기층 상에 제2 관통홀을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 상기 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함할 수 있다.

상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 제1 도전층을 커버하는 상기 유기층을 형성하는 단계, 상기 유기층 상에 상기 무기층을 형성하는 단계, 상기 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 무기층 및 상기 유기층에 상기 제1 도전층의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 상기 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함할 수 있다.

상기 복수 개의 홀들을 형성하는 단계는 상기 제2 포토레지스트 패턴층을 이용하여 상기 유기층 및 상기 무기층을 패터닝하는 단계를 포함하고, 상기 무기층 및 상기 유기층을 패터닝하는 단계는 상기 무기층에서 상기 제2 포토레지스트 패턴층에 의해 커버되지 않은 영역을 식각하여 상기 유기층의 일부를 노출시키는 단계, 상기 제2 포토레지스트 패턴층을 제거하는 단계 및 노출된 상기 유기층의 일부를 식각하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 입력 센서는 유기층인 베이스 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 도전층은 상기 베이스 절연층에 접촉될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 유기발광 소자로부터 발생된 광 중 정면광은 정면 화소 영상들을 표시면 상에 표시하고, 측면광은 회절 격자에 의해 회절되어 복수 개의 복제 화소 영상들을 표시면 상에 표시할 수 있다. 따라서, 본 발명은 사용자가 측면에서 표시면을 바라보더라도 복제 화소 영상을 시인할 수 있음으로써 표시 장치의 측면 시야각을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 6은 도 5의 AA’을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 6의 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 6의 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 절연층의 평면도이다.
도 11은 회절 격자에 의하여 표시면 상에 형성된 정면 화소 영상 및 복제 화소 영상들을 나타낸 평면도이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13a내지 도 13h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 보여주는 도면이다.
도 14a내지 도 14h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 보여주는 도면이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 표시 장치(1000)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 표시 장치(1000)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.

표시 장치(1000)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(IS)에 제3 방향(DR3)을 향해 영상(1000-I)을 표시할 수 있다. 영상(1000-I)이 표시되는 표시면(IS)은 표시 장치(1000)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다.

본 실시예에서는 영상(1000-I)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다.

도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100), 입력 센서(200), 반사 방지층(300), 및 윈도우(400)를 포함할 수 있다.

표시 패널(100)은 영상(1000-I)을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(100)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 유기발광 표시 패널 또는 퀀텀닷 발광 표시 패널일 수 있다.

입력 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 배치될 수 있다. 표시 패널(100)과 입력 센서(200)는 연속 공정에 의해 형성되거나, 표시 패널(100)과 입력 센서(200)는 접착부재를 통해 서로 결합될 수도 있다. 접착부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착부재는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film), 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film) 또는 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin)와 같은 투명한 접착부재일 수 있다.

입력 센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력(2000)을 감지한다. 외부 입력(2000)은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함한다. 본 실시예에서, 외부 입력(2000)은 사용자의 손으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 상술한 바와 같이 외부 입력(2000)은 다양한 형태로 제공될 수 있고, 또한, 표시 장치(1000)의 구조에 따라 표시 장치(1000)의 측면이나 배면에 인가되는 외부 입력(2000)을 감지할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

반사 방지층(300)은 입력 센서(200) 위에 배치될 수 있다. 반사 방지층(300)은 외부로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층(300)은 위상지연자 및 편광자를 포함할 수 있다. 또는 반사 방지층(300)은 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 컬러 필터들은 소정의 배열을 가질 수 있으며, 화소들의 발광컬러들을 고려하여 컬러 필터들의 배열이 결정될 수 있다. 반사 방지층(300)은 생략될 수도 있다.

윈도우(400)는 반사 방지층(300) 위에 배치될 수 있다. 윈도우(400)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(400)는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 윈도우(400)는 다층구조 또는 단층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(400)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름을 포함하거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.

도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 액티브 영역(100A) 및 주변 영역(100N)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(100A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(100A)은 영상을 표시하는 영역일 수 있다. 주변 영역(100N)은 액티브 영역(100A)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(100N)에는 액티브 영역(100A)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 라인 등이 배치될 수 있다.

표시 패널(100)은 베이스층(100-1), 복수의 화소들(110), 복수의 신호 라인들(120, 130, 140), 전원 패턴(150), 및 복수의 표시 패드들(160)을 포함할 수 있다.

베이스층(100-1)은 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 합성수지층은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 베이스층(100-1)은 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대 베이스층(100-1)은 합성수지층, 접착층, 및 합성수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(100-1)은 유리 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.

신호 라인들(120, 130, 140)은 화소들(110)에 연결되어 화소들(110)에 전기적 신호들을 전달한다. 도 3에서는 신호 라인들(120, 130, 140)이 데이터 라인(120), 스캔 라인(130), 및 전원 라인(140)을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 신호 라인들(120, 130, 140)은 초기화 전압 라인, 발광 제어 라인 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

화소들(110)은 액티브 영역(100A)에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 복수의 화소들 중 하나의 화소(110)의 등가 회로도를 확대하여 예시적으로 도시하였다. 화소(110)는 제1 트랜지스터(111), 제2 트랜지스터(112), 커패시터(113), 및 발광 소자(114)를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(111)는 화소(110)의 온-오프를 제어하는 스위칭 소자일 수 있다. 제1 트랜지스터(111)는 스캔 라인(130)을 통해 전달된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(120)을 통해 전달된 데이터 신호를 전달 또는 차단할 수 있다.

커패시터(113)는 제1 트랜지스터(111)와 전원 라인(140)에 연결된다. 커패시터(113)는 제1 트랜지스터(111)로부터 전달된 데이터 신호와 전원 라인(140)에 인가된 제1 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 전하량을 충전한다.

제2 트랜지스터(112)는 제1 트랜지스터(111), 커패시터(113), 및 발광 소자(114)에 연결된다. 제2 트랜지스터(112)는 커패시터(113)에 저장된 전하량에 대응하여 발광 소자(114)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 커패시터(113)에 충전된 전하량에 따라 제2 트랜지스터(112)의 턴-온 시간이 결정될 수 있다. 제2 트랜지스터(112)는 턴-온 시간 동안 전원 라인(140)을 통해 전달된 제1 전원 신호를 발광 소자(114)에 제공한다.

발광 소자(114)는 전기적 신호에 따라 광을 발생시키거나 광량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(114)는 유기 발광 소자 또는 양자점 발광 소자를 포함할 수 있다.

발광 소자(114)는 전원 단자(115)와 연결되어 전원 라인(140)이 제공하는 제1 전원 신호와 상이한 전원 신호(이하, 제2 전원 신호)를 제공받는다. 발광 소자(114)에는 제2 트랜지스터(112)로부터 제공되는 전기적 신호와 제2 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 구동 전류가 흐르게 되고, 발광 소자(114)는 구동 전류에 대응하는 광을 생성할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 화소(110)는 다양한 구성과 배열을 가진 전자 소자들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

전원 패턴(150)은 주변 영역(100N)에 배치될 수 있다. 전원 패턴(150)은 복수의 전원 라인들(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 패널(100)은 전원 패턴(150)을 포함함으로써, 복수의 화소들에 실질적으로 동일한 레벨의 제1 전원 신호를 제공할 수 있다.

표시 패드들(160)은 제1 패드(161) 및 제2 패드(162)를 포함할 수 있다. 제1 패드(161)는 복수로 구비되어 데이터 라인들(120)에 각각 연결될 수 있다. 제2 패드(162)는 전원 패턴(150)에 연결되어 전원 라인(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 패널(100)은 표시 패드들(160)을 통해 외부로부터 제공된 전기적 신호들을 화소들(110)에 제공할 수 있다. 한편, 표시 패드들(160)은 제1 패드(161) 및 제2 패드(162) 외에 다른 전기적 신호들을 수신하기 위한 패드들을 더 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.

도 4를 참조하면, 표시 패널(100)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 절연층, 반도체층 및 도전층이 형성된다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이러한 방식으로 회로 소자층(100-2) 및 표시 소자층(100-3)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등이 형성된다. 이 후, 표시 소자층(100-3)을 커버하는 봉지층(100-4)이 형성될 수 있다.

베이스층(100-1)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.

버퍼층(BFL)은 베이스층(100-1)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킨다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교번하게 적층될 수 있다.

버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치된다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.

도 4는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들(110, 도 3 참조)에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 도핑영역과 비-도핑영역을 포함할 수 있다. 도핑영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함한다.

도핑영역은 비-도핑영역보다 전도성이 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 갖는다. 비-도핑영역이 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당한다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.

도 4에 도시된 것과 같이, 제1 트랜지스터(111)의 소스(S1), 액티브(A1), 드레인(D1)이 반도체 패턴으로부터 형성되고, 제2 트랜지스터(112)의 소스(S2), 액티브(A2), 드레인(D2)이 반도체 패턴으로부터 형성된다. 소스(S1, S2) 및 드레인(D1, D2)은 단면 상에서 액티브(A1, A2)로부터 서로 반대 방향으로 연장된다. 도 4에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 제2 트랜지스터(112)의 드레인(D2)에 연결될 수 있다.

버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(10)이 배치된다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버한다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로 소자층(100-2)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

제1 절연층(10) 상에 게이트(G1, G2)가 배치된다. 게이트(G1)는 금속패턴의 일부일 수 있다. 게이트(G1, G2)는 액티브(A1, A2)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1, G2)는 마스크와 같다.

제1 절연층(10) 상에 게이트(G1, G2)를 커버하는 제2 절연층(20)이 배치된다. 제2 절연층(20)은 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 중첩한다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.

제2 절연층(20) 상에 상부전극(UE)이 배치될 수 있다. 상부전극(UE)은 제2 트랜지스터(112)의 게이트(G2)와 중첩할 수 있다. 상부전극(UE)은 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G2)의 일부분과 그에 중첩하는 상부전극(UE)은 커패시터(113, 도 3 참조)를 정의할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 상부전극(UE)은 생략될 수도 있다.

제2 절연층(20) 상에 상부전극(UE)을 커버하는 제3 절연층(30)이 배치된다. 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제3 절연층(30) 상에 제1 연결전극(CNE1)이 배치될 수 있다. 제1 연결전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층(10 내지 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.

제4 절연층(40)이 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제4 절연층(40) 상에 제5 절연층(50)이 배치된다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다. 제5 절연층(50) 상에 제2 연결전극(CNE2)이 배치될 수 있다. 제2 연결전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결전극(CNE1)에 접속될 수 있다.

제5 절연층(50) 상에 제2 연결전극(CNE2)을 커버하는 제6 절연층(60)이 배치된다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다. 제6 절연층(60) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결전극(CNE2)에 연결된다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.

도 4에 도시된 것과 같이, 액티브 영역(100A, 도 3 참조)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.

정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다.

발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통적으로 배치된다.

캡핑층(80)은 제2 전극(CE) 상에 배치되고 제2 전극(CE)에 접촉한다. 캡핑층(80)은 유기물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(80)은 후속의 공정 예컨대 스퍼터링 공정으로부터 제2 전극(CE)을 보호하고, 발광 소자(114)의 출광효율을 향상시킨다. 캡핑층(80)은 후술 될 제1 무기층(91)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.

봉지층(100-4)은 표시 소자층(100-3) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(100-4)은 제1 무기층(91), 유기층(92), 및 제2 무기층(93)을 포함할 수 있다. 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 수분/산소로부터 표시 소자층(100-3)을 보호하고, 유기층(92)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(100-3)을 보호한다. 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층 중 어느 하나일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(92)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.

본 발명의 일 실시예에서 캡핑층(80)과 제1 무기층(91) 사이에 무기층, 예컨대 LiF층이 더 배치될 수 있다. LiF층은 발광 소자(114)의 출광효율을 향상시킬 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.

도 5를 참조하면, 입력 센서(200)는 액티브 영역(200A) 및 주변 영역(200N)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(200A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(200A)은 입력을 감지하는 영역일 수 있다. 주변 영역(200N)은 액티브 영역(200A)을 에워쌀 수 있다.

입력 센서(200)는 베이스 절연층(200-1), 제1 감지 전극들(210), 제2 감지 전극들(220), 감지 라인들(231, 232, 233), 및 감지 패드들(240)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극들(210), 제2 감지 전극들(220)은 액티브 영역(200A)에 배치되고, 감지 라인들(231, 232, 233), 및 감지 패드들(240)은 주변 영역(200N)에 배치될 수 있다.

베이스 절연층(200-1)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층 중 어느 하나일 수 있다. 베이스 절연층(200-1)은 제2 무기층(93, 도 4 참조) 위에 직접 형성될 수 있다. 베이스 절연층(200-1)은 유기층일 수 있다.

입력 센서(200)는 제1 감지 전극들(210)과 제2 감지 전극들(220) 사이의 정전 용량의 변화를 통해 외부 입력(2000, 도 1 참조)에 대한 정보를 획득할 수 있다.

제1 감지 전극들(210) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제1 감지 전극들(210)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(210)은 제1 감지 패턴들(211) 및 제1 연결 패턴들(212)을 포함할 수 있다. 제1 연결 패턴들(212)은 서로 인접한 2 개의 제1 감지 패턴들(211)을 전기적으로 연결할 수 있다.

제2 감지 전극들(220) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장되고, 제2 감지 전극들(220)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극들(220)은 제2 감지 패턴들(221) 및 제2 연결 패턴들(222)을 포함할 수 있다. 제2 연결 패턴들(222)은 서로 인접한 2 개의 제2 감지 패턴들(221)을 전기적으로 연결할 수 있다.

감지 라인들(231, 232, 233)은 제1 감지 라인들(231), 제2 감지 라인들(232), 및 제3 감지 라인들(233)을 포함할 수 있다. 제1 감지 라인들(231)은 제1 감지 전극들(210)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 감지 라인들(232) 은 제2 감지 전극들(220)의 일 단부들에 각각 전기적으로 연결되고, 제3 감지 라인들(233)은 제2 감지 전극들(220)의 타 단부들에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 감지 전극들(220)은 제1 감지 전극들(210)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 감지 전극들(220)에는 2 개의 감지 라인들(232, 233)이 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제2 감지 전극들(220)의 감도를 균일하게 유지시킬 수 있다. 한편, 이는 일 예로 도시한 것일 뿐, 제2 감지 라인들(232) 또는 제3 감지 라인들(233)은 생략될 수 있다.

감지 패드들(240)은 제1 감지 패드들(241), 제2 감지 패드들(242), 및 제3 감지 패드들(243)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패드들(241)은 제1 감지 라인들(231)에 각각 연결될 수 있다. 제2 감지 패드들(242)은 제2 감지 라인들(232)에 각각 연결될 수 있다. 제3 감지 패드들(243)은 제3 감지 라인들(233)에 각각 연결될 수 있다.

도 6은 도 5의 AA’을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 7은 도 6의 I-I’을 따라 도시한 단면도이다.

도 5, 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 감지 패턴(211)을 확대하여 도시하였다. 제1 감지 패턴(211)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 패턴(211)은 제1 방향(DRa)을 따라 연장하는 라인들 및 제2 방향(DRb)을 따라 연장하는 라인들로 구성될 수 있다. 상기 라인들에 의해 제1 감지 패턴(211)에는 복수의 개구들(211-OP)이 정의될 수 있다.

제1 방향(DRa)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 사이의 방향으로 정의될 수 있고, 제2 방향(DRb)은 제1 방향(DRa)과 교차하는 방향으로 정의될 수 있다.

입력 센서(200)는 베이스 절연층(200-1), 제1 도전층(200-2), 제1 절연층(200-3), 제2 도전층(200-4), 및 제2 절연층(200-5)을 포함할 수 있다.

제1 도전층(200-2)은 베이스 절연층(200-1) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(200-2)은 베이스 절연층(200-1)에 접촉될 수 있다. 제1 절연층(200-3)은 베이스 절연층(200-1) 상에 배치되며, 제1 도전층(200-2)을 커버할 수 있다. 제2 도전층(200-4)은 제1 절연층(200-3) 위에 배치될 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 제1 절연층(200-3) 상에 배치되며, 제2 도전층(200-4)을 커버할 수 있다. 제1 도전층(200-2)는 제2 도전층(200-4)와 연결될 수 있다.

제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 제1 감지 전극들(210) 및 제2 감지 전극들(220)을 구성하는 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 패턴들(211) 각각은 제1 도전층(200-2)에 포함된 제1 감지 패턴층(211-1) 및 제2 도전층(200-4)에 포함된 제2 감지 패턴층(211-2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패턴층(211-1)에는 제1 개구들(211-OP1)이 정의되고, 및 제2 감지 패턴층(211-2)에는 제2 개구들(211-OP2)이 정의될 수 있다.

제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 금속 및/또는 금속 합금을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 타이타늄(Ti), 알루미늄(Al), 및 타이타늄(Ti)이 순차적으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.

제1 절연층(200-3)은 유기층(200-3a)을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서 제1 절연층(200-3)은 단층의 유기층일 수 있다. 유기층(200-3a)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 유기층(200-3a)는 감광성 물질 또는 비감광성 물질을 포함할 수 있다. 비감광성 물질을 포함하는 유기층(200-3a)의 경우 강광성 물질을 포함하는 경우와 다른 공정을 통한 표시 장치의 제조가 가능하다.

일 실시예에서, 제1 절연층은 유기층 및 무기층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 제1 절연층(200-3)은 무기층(200-3b)을 포함할 수 있다. 무기층(200-3b)은 실리콘 나이트라이드, 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 특별히 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 유기층(200-3a)은 제1 도전층(200-2)을 커버할 수 있고 무기층(200-3b)은 유기층(200-3a) 위에 배치될 수 있다. 무기층(200-3b)의 두께는 유기층(200-3a)의 두께보다 작을 수 있고, 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 무기층(200-3b)의 굴절률은 0.3 이상 1 이하일 수 있고, 유기층(200-3a)의 굴절률은 0.7 이상 3 이하일 수 있다.

제1 절연층(200-3)에는 회절 격자(GR)가 정의될 수 있다. 회절 격자(GR)는 복수 개의 홀들(DFP)로 형성될 수 있다. 회절 격자(GR)는 표시 패널(100)로부터 입사되는 광의 적어도 일부를 회절시킬 수 있다. 회절 격자(GR)를 정의하는 복수 개의 홀들(DFP)은 발광 영역(PXA)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 도면에는 도시되지 않았지만 회절 격자(GR)의 일부는 비발광(NPXA) 영역과 중첩할 수 있다. 즉, 복수 개의 홀들(DFP) 중 일부는 비발광 영역(NPXA)에 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 홀들(DFP)은 평면에서 봤을 때 원 형상을 가질 수 있다. 그러나, 복수 개의 홀들(DFP)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다각형, 타원형 등으로 다양하게 변형될 수 있다.

회절 격자(GR)는 무기층(200-3b)과 유기층(200-3a)에 형성된 복수 개의 홀들(DFP)로 정의될 수 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 홀들(DFP)은 무기층(200-3b)을 관통하는 제1 홀(DFP1) 및 유기층(200-3a)을 관통하는 제2 홀(DFP2)을 포함할 수 있다. 제1 홀(DFP1)과 제2 홀(DFP2)은 서로 정렬될 수 있다. 제1 홀(DFP1)의 깊이는 무기층(200-3b)의 두께와 동일하고, 제2 홀(DFP2)의 깊이는 유기층(200-3a)의 깊이와 실질적으로 동일할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 절연층(200-3)의 두께와 복수 개의 홀들(DFP) 각각의 깊이는 실질적으로 동일할 수 있다. 공정상의 문제로 복수 개의 홀들(DFP) 각각의 깊이는 서로 차이가 있을 수 있고, 제1 절연층(200-3)의 두께와 완전하게 동일하지 않은 경우가 발생할 수 있다.

일 실시예에서, 제2 도전층(200-4)은 개구부가 정의된 감지 패턴을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 도전층(200-4)은 제2 개구들(211-OP2)이 정의된 제2 감지 패턴층(211-2)을 포함할 수 있다. 평면상에서, 개구부는 회절 격자(GR)와 중첩할 수 있다. 회절 격자(GR)는 제2 개구들(211-OP2)에 중첩하도록 배치될 수 있다.

제2 절연층(200-5)은 제2 도전층(200-4)을 커버할 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 복수 개의 홀들(DFP)을 충진할 수 있다.

제2 절연층(200-5)의 굴절률은 제1 절연층(200-3)의 굴절률과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(200-5)의 굴절률은 제1 절연층(200-3)의 굴절률보다 클 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 제1 절연층(200-3)보다 굴절률이 큰 유기물을 포함하거나, 제2 절연층(200-5)은 유기물 및 유기물에 혼합된 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 상기 고굴절 입자는 예를 들어, 지르코늄 옥사이드(ZrOX), 이산화 타이타늄(TiO2), 탄산칼슘(CaCO3), 이산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO), 수산화 알루미늄(Al(OH)2), 수산화 마그네슘(Mg(OH)2), 및 리토폰(BaSO2+ZnS) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에서, 제2 절연층(200-5)의 굴절률은 제1 절연층(200-3)의 굴절률보다 작을 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 1.6의 굴절률을 갖고, 제1 절연층(200-3)은 1.9의 굴절률을 가질 수 있다. 따라서, 회절 격자(GR)에 공급된 광은 복수의 홀들(DFP)이 형성된 부분에 채워진 제2 절연층(200-5)과 제1 절연층(200-3) 사이의 굴절률의 차이에 의해서 회절될 수 있다. 그 결과, 시야각에 따른 색변이가 감소될 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000, 도 1 참조)의 표시 품질이 향상될 수 있다.

색 변이는 와드(White Angular Dependency, WAD)라고 지칭될 수 있다. 와드는 표시 장치(1000, 도 1 참조)의 백색 패턴이 보이는 각도에 따른 백색 패턴의 특성 변화를 평가하는 항목을 의미하고, 화면에 수직인 정면 대비 휘도 변화량과 색좌표 변화량을 측정하여 그 수준을 평가한다. 즉, 와드는 디스플레이의 흰색 화면을 각도를 바꾸어 가면서 볼 때 흰색에서 다른 색을 바뀌는 현상을 의미할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000, 도 1 참조)의 정면에서는 백색광이 시인되지만, 측면에서는 광의 경로차에 의해 백색이 아닌 다른 파장의 광이 시인될 수 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 6의 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

도 8에서, 무기층(200-3b)은 컨택홀(CNT-4)의 측벽까지 연장될 수 있고 제1 도전층(200-2)의 일부를 커버할 수 있다. 보다 구체적으로, 유기층(200-3a)에는 제1 도전층(200-2)의 일부분을 노출 시키는 제1 관통홀(TH1)이 정의되고, 무기층(200-3b)에는 제1 관통홀(TH1)까지 연장되어 제1 도전층(200-2)의 일부를 커버하고, 제1 도전층(200-2)의 다른 일부를 노출하는 제2 관통홀(TH2)이 정의될 수 있다. 제1 관통홀(TH1)과 제2 관통홀(TH2)이 중첩되지 않는 영역은 무기층(200-3b)일 수 있다.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 회절 격자(GR)는 입사되는 광을 회절시켜 색 변이를 방지 또는 완화시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 회절 격자(GR)를 정의하는 일정한 주기(a1, 이하, 배열 주기)를 갖는 복수의 홀들(DFP)은 입사되는 광 중 제1 광(L1)과 특정 각도로 기울어져 입사되는 광(L2)을 회절시켜, 표시면(IS) 상에 복제 화소 영상(CIM)을 표시할 수 있다. 여기서, 복수의 홀들(DFP)은 일정한 폭(즉, 직경)(b1)을 가질 수 있다. 본 발명의 일 예로, 복수의 홀들(DFP)의 폭은 1㎛일 수 있다. 상기 복수의 홀들(DFP)의 주기는 대응하는 발광 영역(PXA)의 폭보다 작을 수 있다.

도 11을 더 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시면(IS)은 정면 화소 영역(FPA) 및 복수의 복제 화소 영역들(CPA)을 포함한다. 복수의 복제 화소 영역들(CPA)은 정면 화소 영역(FPA)을 둘러싸도록 배열된다. 본 실시 예에서는, 정면 화소 영역(FPA)의 제1 방향(DR1) 양측 및 제2 방향(DR2) 양측에 복제 화소 영역들(CPA)이 정의될 수 있다. 정면 화소 영역(FPA)의 형상은 복제 화소 영역들(CPA) 각각의 형상과 동일할 수 있다.

정면 화소 영역(FPA) 및 복제 화소 영역들(CPA)은 서로 이격되어 배열된다. 정면 화소 영역(FPA) 및 복제 화소 영역들(CPA) 사이의 주기는 복제 주기(PP)로 정의된다. 복제 주기(PP)는 정면 화소 영역(FPA)의 중심 및 각 복제 화소 영역들(CPA)의 중심 사이의 거리이다.

복제 주기(PP)는 회절 격자(GR)와 발광 소자(114) 사이의 거리(Z1), 보호층(PL)의 굴절률 및 회절 패턴들(DFP)의 배열 주기(a1) 등에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 복제 주기(PP)를 증가시키기 위해서 복수의 홀들(DFP)과 발광 소자(114) 사이의 거리(Z1)를 증가시키거나, 복수의 홀들(DFP)의 배열 주기(a1)를 감소시킬 수 있다. 이처럼, 상기한 변수값을 조절함으로써, 원하는 복제 주기(PP)를 확보할 수 있다.

본 실시 예에 따르면, 전술된 발광 소자(114)로부터 발생된 광 중 제1 광(L1)은 중간 부재들(TFE, 100-5)을 통과하여, 표시면(IS)의 정면 화소 영역(FPA)에 정면 화소 영상(FIM)을 표시한다. 정면 화소 영상(FIM)의 형상은 발광 소자(114)의 평면 형상과 대응한다. 또한, 발광 소자(114)로부터 발생된 광 중 제2 광들(L2)은 중간 부재들(TFE, 100-5)을 통과하여 표시면(IS)의 복제 화소 영역들(CPA)에 복제 화소 영상(CIM)을 표시한다. 복제 화소 영상(CIM)의 형상은 정면 화소 영상(FIM)을 복제하여, 정면 화소 영상(FIM)의 형상과 동일하게 표시된다. 따라서, 표시 장치(1000)가 표시하는 영상(IM, 도 1에 도시됨)은 정면 화소 영상들(FIM) 및 복제 단위 영상들(CIM)이 혼합된 형태로 사용자에게 제공될 수 있다. 정면 화소 영상들(FIM)만 제공된 화면과 비교할 때, 정면 화소 영상들(FIM) 및 복제 단위 영상들(CIM)이 혼합된 형태로 제공된 화면은 사용자의 시야각의 변화에도 불구하고 사용자에게 동일한 화질 및 색감 등을 전달할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 하나의 발광 소자(114)로부터 발생된 광을 이용하여 정면 화소 영상(FIM) 및 복수 개의 복제 화소 영상들(CIM)을 표시면(IS) 상에 표시할 수 있다. 따라서, 사용자가 측면에서 표시면(IS)을 바라보더라도 복제 화소 영상(CIM)을 시인할 수 있음으로써 표시 장치(1000)의 측면 시야각이 향상될 수 있다.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 12a에서, 회절 격자(GR)을 정의하는 복수 개의 홀들(DFP-1)의 깊이는 제1 절연층(200-3)의 두께보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 홀들(DFP-1)은 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 복수 개의 홀들(DFP-1) 중 적어도 하나는 무기층(200-3b) 및 유기층(200-3a)을 관통하고 베이스 절연층(200-1)의 일부분까지 연장될 수 있다. 베이스 절연층(200-1)은 제1 홀(DFP1) 및 제2 홀(DFP2)와 정렬되는 홈을 포함할 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 복수 개의 홀들(DFP-1)에 충진되므로 베이스 절연층(200-1)의 홈까지 충진될 수 있다.

도 12b에서, 입력 센서(200)는 제3 절연층(200-6)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 절연층(200-5)에는 회절 격자(GR)을 노출시키는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 제3 절연층(200-6)은 회절 격자(GR)가 정의된 제1 절연층(200-3) 및 제2 절연층(200-5)을 커버할 수 있다. 제3 절연층(200-6)은 복수 개의 홀들(DFP)을 충진할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 절연층(200-3)의 굴절률, 제2 절연층(200-5)의 굴절률 및 제3 절연층(200-6)의 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 따라서, 입력 센서(200)는 굴절률이 다른 제3 절연층(200-6)을 더 포함하여 광 회절을 더 많이 일으키고, 시야각 확대 효과를 증대시킬 수 있다.

도 13a내지 도 13h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 보여주는 도면이다. 도 14a내지 도 14h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 보여주는 도면이다.

도 13a 내지 도 13h 및 도 14a 내지 도 14h를 참조하면, 표시 장치의 제조 방법은 광을 방출시키는 발광 영역(PXA)이 정의된 표시 패널(100)을 형성하는 단계, 표시 패널 상에 배치된 입력 센서(200)를 형성하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 입력 센서를 형성하는 단계는 제1 도전층(200-2)을 형성하는 단계, 제1 도전층(200-2)을 커버하는 유기층(200-3a) 및 유기층(200-3a) 상에 배치되는 무기층(200-3b)을 포함하는 제1 절연층(200-3)을 형성하는 단계, 제1 절연층(200-3) 상에 배치되고 제1 도전층(200-2)과 컨택홀(CNT-4)을 통해 연결된 제2 도전층(200-4)을 형성하는 단계, 제1 절연층(200-3)에 회절 격자(GR)를 정의하는 복수 개의 홀들(DFP)을 형성하는 단계 및 제2 도전층(200-4) 및 제1 절연층(200-3)을 커버하는 제2 절연층(200-5)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 표시 패널(100)을 형성하는 단계는 베이스층(100-1)을 형성하는 단계, 베이스층(100-1) 위에 회로 소자층(100-2)을 형성하는 단계, 회로 소자층(100-2) 위에 표시 소자층(100-3)을 형성하는 단계, 표시 소자층(100-3) 위에 봉지층(100-4)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 입력 센서(200)는 표시 패널(100)의 봉지층(100-4) 상에 직접 배치될 수 있다.

도 13a내지 도 13h에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 절연층을 형성하는 단계는 제1 도전층의 일부를 노출시키는 제1 관통홀이 정의된 유기층을 형성하는 단계, 유기층 상에 상기 제1 관통홀의 내벽을 커버하는 무기층을 형성하는 단계, 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계 및 무기층 상에 제2 관통홀을 형성하고, 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함할 수 있다.

도 13a에서, 베이스 절연층(200-1) 상에 제1 도전층(200-2)을 형성한다. 일 실시예에서, 베이스 절연층(200-1)은 봉지층(100-4) 위에 직접 형성될 수 있다. 유기층(200-3a)은 제1 도전층(200-2) 상에 패터닝 된다. 유기층(200-3a)은 제1 관통홀(TH1)을 가지고 제1 도전층(200-2)의 일부를 노출시킨다. 유기층은 감광성(photosensitive) 물질을 포함할 수 있다.

도 13b에서, 무기층(200-3b)은 유기층(200-3a) 위에 도포될 수 있다.

도 13c에서, 무기층(200-3b) 상에 포토레지스트층(미도시)을 형성할 수 있다. 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트 물질 또는 네거티브 포토레지스트 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 포토레지스트층으로부터 제1 포토레지스트 패턴층(PR)을 형성할 수 있다. 포토레지스트층 위에 마스크(500)를 배치하고 이를 이용하여 패터닝하여 제1 포토레지스트 패턴층(PR)을 형성할 수 있다. 여기에서, 마스크(500)는 투과 영역(501), 반투과 영역(502) 및 차광 영역(503)을 포함하는 하프톤(half-tone) 마스크일 수 있다. 제1 포토레지스트 패턴층(PR)은 개구부(PR-H)가 정의된 베이스부(PR-B) 및 베이스부(PR-B)에서 돌출된 돌출부(PR-P)를 포함할 수 있다.

도 13d에서, 제1 포토레지스트 패턴층(PR)의 개구부(PR-H)를 통해 무기층(200-3b)의 일부를 식각(etching)하여 제1 도전층(200-2)의 일부를 노출시키는 컨택홀(CNT-4)를 형성할 수 있다. 동시에, 애싱(ashing) 공정을 통해 제1 포토레지스트 패턴층(PR)의 베이스부(PR-B)를 제거하여 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)을 형성할 수 있다. 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)은 제1 포토레지스트 패턴층(PR)의 돌출부(PR-P)만을 포함할 수 있다. 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)은 회절 격자(GR)을 형성하는 식각 공정에서 마스크 역할을 할 수 있다.

도 13e에서, 제2 도전층(200-4)을 형성하기 위해 제1 절연층(200-3) 상에 메탈층(MTL)을 예비적으로 형성할 수 있다. 도 13f에서, 노광 공정 및 현상 공정을 통해 제1 절연층(200-3) 상에 제2 도전층(200-4)을 패터닝할 수 있다.

도 13g에서, 제1 절연층(200-3)에 회절 격자(GR)를 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 복수 개의 홀들(DFP)을 형성하는 단계는 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)을 이용하여 무기층(200-3b) 및 유기층(200-3a)을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 무기층(200-3b) 및 유기층(200-3a)을 패터닝하는 단계는 제1 절연층(200-3)에서 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)으로 커버되지 않은 영역의 무기층(200-3b)을 식각하여 유기층(200-3a)의 일부를 노출시키는 단계, 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)을 제거하는 애싱(ashing) 단계를 포함하고, 무기층(200-3b)을 하드 마스크로 이용하여, 무기층(200-3b)의 식각된 영역과 대응하는 유기층의 노출된 일부에 대하여 식각 공정(etching)을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.

도 13h에서, 제2 절연층(200-5)을 도포하여 제2 도전층(200-4) 및 제1 절연층(200-3)을 커버하고 복수의 홀들(DFP)을 충진시킬 수 있다. 제2 절연층(200-5)은 제1 절연층(200-3)과 굴절률이 상이한 물질을 포함할 수 있다.

도 14a 내지 도 14h에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 절연층을 형성하는 단계는 제1 도전층을 커버하는 유기층을 형성하는 단계, 유기층 상에 무기층을 형성하는 단계, 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계 및 무기층 및 유기층에 제1 도전층의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성하고, 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함할 수 있다.

도 14a에서, 베이스 절연층(200-1) 위에 제1 도전층(200-2)이 패터닝 될 수 있고, 제1 도전층(200-2)을 커버하는 제1 절연층(200-3)이 형성될 수 있다. 제1 절연층(200-3)은 유기층(200-3a) 및 유기층 상에 배치되는 무기층(200-3b)을 포함할 수 있다. 유기층(200-3a)는 비감광성(non-photosensitive) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비감광성 물질은 실리콘 옥사이드를 포함할 수 있다.

도 14b에서, 무기층 상에 포토레지스트층(미도시)을 형성하고, 마스크(500)를 이용하여 포토레지스트층으로부터 개구부(PR-H)가 정의된 베이스부(PR-B) 및 상기 베이스부로부터 돌출된 돌출부(PR-P)를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층(PR)을 형성할 수 있다. 마스크는 하프톤 마스크일 수 있다.

도 14c에서, 식각 공정을 통해 제1 포토레지스트 패턴층의 개구부를 통해 제1 절연층(200-3)에 컨택홀(CNT-4)을 형성할 수 있다. 제1 포토레지스트 패턴층으로 커버되지 않은 무기층 및 유기층의 일부분을 식각하여 제1 도전층의 일부를 노출시킬 수 있다. 동시에, 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 베이스부를 제거하여 돌출부(PR-P)에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)을 형성할 수 있다.

도 14d에서, 제1 도전층(200-2)과 컨택홀(CNT-4)로 연결되는 제2 도전층을 형성하기 위해 예비적으로 메탈층(MTL)을 형성할 수 있다. 도 14e에서, 노광 공정 및 현상 공정을 통해 메탈층(MTL)을 패터닝하여 제2 도전층(200-4)을 형성할 수 있다.

도 14f에서, 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)으로 커버되지 않은 제1 절연층(200-3)의 일부 영역에 대해서 시각 공정을 통해 복수의 홀들(DFP)을 형성할 수 있다. 이후, 도 14g에서, 제2 포토레지스트 패턴층(PR-P)을 제거할 수 있다. 도 14h에서, 제2 절연층(200-5)을 제1 절연층(200-3) 위에 도포하여 제2 도전층(200-4)을 커버하고, 복수의 홀들(DFP)을 충진할 수 있다. 이 경우, 컨택홀을 형성하는 것과 동시에 회절 격자(GR)를 형성할 수 있어 마스크 공정 효율성을 증대 시킬 수 있다.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

1000: 표시 장치
100: 표시 패널
PXA: 발광 영역
200: 입력 센서
200-2: 제1 도전층
200-3a: 유기층
200-3b: 무기층
200-3: 제1 절연층
200-4: 제2 도전층
DFP: 복수 개의 홀들
GR: 회절 격자

Claims

광을 방출시키는 발광 영역이 정의된 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치된 입력 센서를 포함하고,
상기 입력 센서는
제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되고 상기 발광 영역에 대응하는 회절 격자가 정의된 제1 절연층 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 도전층과 연결된 제2 도전층을 포함하고,
상기 제1 절연층은 상기 제1 도전층을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 무기층을 포함하고,
상기 유기층과 상기 무기층에는 상기 회절 격자를 정의하는 복수 개의 홀들이 형성된 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 복수 개의 홀들 각각은 상기 무기층을 관통하는 제1 홀 및 상기 유기층을 관통하는 제2 홀을 포함하고,
상기 제1 홀 및 상기 제2 홀은 서로 정렬된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 복수개의 홀들 각각의 깊이는 상기 제1 절연층의 두께와 실질적으로 동일한 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 도전층은 개구부가 정의된 감지 패턴을 포함하고, 평면상에서 상기 개구부는 상기 회절 격자와 중첩하는 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 입력 센서는 상기 제2 도전층을 커버하는 제2 절연층을 더 포함하고,
상기 제2 절연층은 상기 복수 개의 홀들에 충진된 표시 장치.
제5항에 있어서, 상기 제2 절연층의 굴절률은 상기 제1 절연층의 굴절률과 상이한 표시 장치.
제5항에 있어서, 상기 제2 절연층에는 상기 회절격자를 노출하는 개구부가 정의되고,
상기 입력 센서는 상기 제1 및 제2 절연층들을 커버하고, 상기 복수 개의 홀들에 충진된 제3 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
제7항에 있어서, 상기 제1 절연층의 굴절률, 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 제3 절연층의 굴절률은 서로 상이한 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 입력 센서는 베이스 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 도전층은 상기 베이스 절연층에 접촉되는 표시 장치.
제9항에 있어서, 상기 베이스 절연층은 유기층인 표시 장치.
제9항에 있어서, 상기 표시 패널은 베이스층;
상기 베이스 층 상에 배치되는 회로 소자층;
상기 회로 소자층 상에 배치되는 표시 소자층; 및
상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층을 포함하고,
상기 베이스 절연층은 상기 봉지층 상에 직접 배치되는 표시 장치.
제9항에 있어서, 상기 복수 개의 홀들은 일정한 간격으로 배치되고,
상기 복수 개의 홀들 중 적어도 하나는 상기 무기층 및 상기 유기층을 관통하여 상기 베이스 절연층의 일부분까지 연장된 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 무기층의 두께는 상기 유기층의 두께보다 작은 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 유기층에는 상기 제1 도전층의 일부분을 노출 시키는 제1 관통홀이 정의되고,
상기 무기층에는 상기 제1 관통홀까지 연장되어 상기 제1 도전층의 일부를 커버하고, 상기 제1 도전층의 다른 일부를 노출하는 제2 관통홀이 정의된 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 무기층과 상기 유기층의 굴절률은 서로 다른 표시 장치.
제15항에 있어서, 상기 유기층의 굴절률은 0.7 이상 3 이하 이고, 상기 무기층의 굴절률은 0.3 이상 1 이하인 표시 장치.
제1항에 있어서, 상기 유기층은 비감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
광을 방출시키는 발광 영역이 정의된 표시 패널을 형성하는 단계;
상기 표시 패널 상에 배치된 입력 센서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 입력 센서를 형성하는 단계는
제1 도전층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전층을 커버하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 무기층을 포함하는 제1 절연층을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 도전층과 컨택홀을 통해 연결된 제2 도전층을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층에 회절 격자를 정의하는 복수 개의 홀들을 형성하는 단계; 및
상기 제2 도전층 및 상기 제1 절연층을 커버하는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서, 상기 제1 절연층을 형성하는 단계는
상기 제1 도전층의 일부를 노출시키는 제1 관통홀이 정의된 상기 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상에 상기 제1 관통홀의 내벽을 커버하는 상기 무기층을 형성하는 단계;
상기 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 무기층 상에 제2 관통홀을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 상기 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서, 상기 제1 절연층을 형성하는 단계는
상기 제1 도전층을 커버하는 상기 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상에 상기 무기층을 형성하는 단계;
상기 무기층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층으로부터 개구부가 정의된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 무기층 및 상기 유기층에 상기 제1 도전층의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴층으로부터 상기 돌출부에 대응하는 패턴들을 구비한 제2 포토레지스트 패턴층을 형성하는 포토 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제20항에 있어서, 상기 복수 개의 홀들을 형성하는 단계는
상기 제2 포토레지스트 패턴층을 이용하여 상기 유기층 및 상기 무기층을 패터닝하는 단계를 포함하고,
상기 무기층 및 상기 유기층을 패터닝하는 단계는
상기 무기층에서 상기 제2 포토레지스트 패턴층에 의해 커버되지 않은 영역을 식각하여 상기 유기층의 일부를 노출시키는 단계;
상기 제2 포토레지스트 패턴층을 제거하는 단계; 및
노출된 상기 유기층의 일부를 식각하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서, 상기 입력 센서는 유기층인 베이스 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 도전층은 상기 베이스 절연층에 접촉되는 표시 장치의 제조 방법.