KR20230060571A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230060571A
KR20230060571A KR1020210144326A KR20210144326A KR20230060571A KR 20230060571 A KR20230060571 A KR 20230060571A KR 1020210144326 A KR1020210144326 A KR 1020210144326A KR 20210144326 A KR20210144326 A KR 20210144326A KR 20230060571 A KR20230060571 A KR 20230060571A
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이현범
최범락
안치욱
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Abstract

표시 장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은, 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 중첩하고 상기 제2 영역의 상기 발광 영역들 각각에 중첩하는 커버 패턴들을 포함하는 하부 커버층, 및 상기 제2 영역과 중첩하는 상기 하부 커버층에 배치된 차광 패턴을 포함하고, 상기 차광 패턴은 상기 커버 패턴들 각각의 상면의 일부를 커버한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세히는 두 개의 모드로 동작할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
스마트 폰, 태블릿, 노트북 컴퓨터, 자동차용 내비게이션 및 스마트 텔레비전 등과 같은 전자장치들이 개발되고 있다. 이러한 전자장치들은 정보제공을 위해 표시 장치를 구비한다.
사용자는 사용 상황에 부합하는 품질의 이미지를 요구한다. 예컨대, 자연광이 영향을 미치는 야외에서 사용자는 좀 더 밝은 이미지를 요구하고, 개인 정보가 열람되는 표시 장치에서 사용자는 좁은 시야각의 이미지를 요구한다.
본 발명의 목적은 특정 시야각에서도 일정한 휘도 감소율을 갖는 표시 패널을 포함한 표시 장치 제공하는 것을 목적으로 한다.
표시 장치는, 각각이, 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들이 배치된 소자 영역들 및 주변 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 중첩하고 상기 제2 영역의 상기 발광 영역들 각각에 중첩하는 커버 패턴들을 포함하는 하부 커버층, 및 상기 비-발광 영역과 중첩하고, 상기 제2 영역과 중첩하는 상기 하부 커버층에 배치된 차광 패턴을 포함하고, 상기
상기 차광 패턴의 폭은, 상기 표시 패널의 두께 방향을 따라 가변하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 차광 패턴의 상면은, 상기 표시 패널을 향하는 방향으로 오목한 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 패널 및 상기 하부 커버층 사이에 배치되고, 상기 주변 영역과 중첩하는 감지 전극들 및 감지 절연층들을 포함하는 입력 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 차광 패턴은, 상기 감지 절연층들 중 상기 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층과 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 전극들의 폭은, 상기 차광 패턴의 최소 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 차광 패턴의 적어도 일부는, 상기 하부 커버층의 내부에 배치되고, 상기 차광 패턴은, 상기 감지 절연층들 중 상기 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 절연층들 중 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층 및 상기 하부 커버층 사이에 배치된 추가 커버층을 더 포함하고, 상기 차광 패턴은, 상기 추가 커버층과 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 전극들은, 상기 발광 영역들 중 인접한 발광 영역들 사이와 비-중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 차광 패턴은, 평면상에서 상기 발광 영역들과 중첩하는 차광 개구부들이 정의된 격자 형상을 갖고, 상기 커버 패턴들 각각은 상기 차광 개구부들 중 대응되는 차광 개구부와 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 영역의 상기 발광 영역들 각각의 면적은, 서로 동일한 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 발광 소자들 각각은, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 제1 전극들 각각의 적어도 일부를 노출시키는 개구부들이 정의된 제1 화소 정의막을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 영역의 상기 표시 패널은, 상기 개구부들에 노출된 제1 전극들 상에 배치되고 상기 비-발광 영역들과 중첩하는 제2 화소 정의막을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 제1 영역의 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 영역의 상기 발광 영역들 각각의 면적은 서로 동일한 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 패널은, 제1 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 발광 소자들 및 상기 제2 영역의 발광 소자들을 활성화시키고, 제2 동작모드에서 상기 제1 영역의 발광 소자들을 비-활성화시키고, 상기 제2 영역의 발광 소자들을 활성화시키는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치는, 각각이, 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들이 배치된 소자 영역들 및 주변 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 비-발광 영역과 중첩하는 제1 차광 패턴, 및 상기 제1 차광 패턴과 중첩하고, 상기 제1 차광 패턴보다 상기 표시 패널로부터 멀리 배치된 제2 차광 패턴을 포함하고, 상기 제1 차광 패턴의 최대 폭은, 상기 제2 차광 패턴의 최소 폭보다 작다.
상기 표시 패널 및 상기 제1 차광 패턴 사이에 배치되고, 상기 주변 영역과 중첩하는 감지 전극들 및 감지 절연층들을 포함하는 입력 센서를 더 포함하고, 상기 감지 전극들의 최대 폭은 상기 제1 차광 패턴의 폭보다 작은 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 입력 센서 상에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴이 배치되는 제1 커버층, 상기 제1 커버층 상에 배치되고 상기 제1 차광 패턴을 커버하는 제2 커버층, 및 상기 제2 커버층 상에 배치되고 상기 제2 차광 패턴을 커버하는 제3 커버층을 포함하고, 상기 제1 커버층 내지 상기 제3 커버층은 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 유기 물질은, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 프라이빗 영역에 배치된 차광 패턴의 두께로 인해 인접한 발광 영역에서 제공되는 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 특정 각도에서 바라볼 때, 색 순도가 균일한 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 차광 패턴이 광이 출사되는 방향으로 증가하는 폭을 가짐에 따라, 입력 센서의 감지 전극들이 특정 각도에서 시인되는 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4a는 도 3의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4b는 도 3의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 6a은 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다.
도 6b는 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다.
도 7은 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다.
도 8은 도 6 및 도 7의 III-III'를 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 도 6 및 도 7의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 커버층의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 차광 패턴의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 4a는 도 3의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다. 도 4b는 도 3의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 사시도이다.
표시 장치(DD)는 이미지를 생성하고, 외부입력을 감지할 수 있다. 표시 장치(DD)는 이미지를 생성하고, 외부입력을 감지할 수 있다. 표시 장치(DD)는 표시 영역(1000A) 및 비표시 영역(1000N)을 포함할 수 있다. 표시 영역(1000A)에는 화소(PX)가 배치된다. 화소(PX)는 서로 다른 색의 광을 생성하는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소를 포함할 수 있다.
표시 영역(1000A)에 이미지가 표시될 수 있다. 표시 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 표시 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 두 개의 측으로부터 각각 벤딩된 곡면들을 더 포함할 수 있다. 다만, 표시 영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 영역(1000A)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 표시 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 두 개 이상, 예를 들어 네 개의 측으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(100), 입력 센서(200), 광 제어층(300), 반사 방지층(400), 및 윈도우(500)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 유기발광 표시 패널, 무기발광 표시 패널, 마이크로 엘이디 표시 패널, 나노 엘이디 표시 패널, 또는 퀀텀닷 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 기저 면을 제공할 수 있다. 베이스층(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층의 무기층, 상기 다층 또는 단층의 무기층 상에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
회로층(120)은 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 회로층(120)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 구동회로를 포함한다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 발광소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광소자는 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 유기-무기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 봉지층(140)은 적어도 무기층 또는 유기층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서 봉지층(140)은 2개의 무기층과 그 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있다.
입력 센서(200)는 표시 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 입력 센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다.
입력 센서(200)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(100) 상에 형성될 수 있다. 이때, 입력 센서(200)는 표시 패널(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "A 구성 상에 B 구성이 직접 배치된다는 것"은 A 구성과 B 구성 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 입력 센서(200)과 표시 패널(100) 사이에 접착층이 배치되지 않을 수 있다.
광 제어층(300)은 입력 센서(200) 상에 배치될 수 있다. 광 제어층(300)은 발광 소자층(130)에서 제공된 광의 출사율을 표시 패널(100)의 영역에 따라 조절할 수 있다. 광 제어층(300)에 관한 설명은 후술하도록 한다.
반사 방지층(400)은 광 제어층(300) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(400)은 접착층에 의해 광 제어층(300)과 결합될 수 있다. 접착층은 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film) 또는 광학 투명 접착부재(OCA, Optically Clear Adhesive)일 수 있다.
반사 방지층(400)은 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층(400)은 광학필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 편광필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 리타더필름을 더 포함할 수 있다. 리타더필름은 λ/2의 리타더필름 및 λ/4의 리타더필름 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
윈도우(500)는 적어도 하나의 베이스층을 포함한다. 베이스층은 유리기판 또는 합성수지필름일 수 있다. 윈도우(500)는 다층 구조를 가질 수 있다. 윈도우(500)는 박막 유리기판과 박막 유리기판 상에 배치된 합성수지필름을 포함할 수 있다. 박막 유리기판과 합성수지필름은 접착층에 의해 결합될 수 있고, 접착층과 합성수지필름은 그것들의 교체를 위해 박막 유리기판으로부터 분리될 수 있다. 윈도우(500)는 베이스층 상에 배치된 기능층을 더 포함할 수 있다. 기능층은 반사 방지층, 지문 방지층 등을 포함할 수 있다.
도 3은 표시 패널(100)의 서로 다른 영역에 포함된 소자 영역들을 도시한 것이다. 표시 패널(100)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)은 제1 및 제2 사선 방향(CDR1, CDR2)으로 이격 배열될 수 있다. 제1 영역(A1)은 복수로 제공되어 제2 방향(DR2)을 따라 이격 배열될 수 있고, 제2 영역(A2)은 복수로 제공되어 제1 방향(DR1)을 따라 이격 배열될 수 있다. 표시 영역(1000A, 도 1 참조)의 전 영역에서 제1 영역들 및 제2 영역들은 도 3에 도시된 배열 형태로 배치될 수 있다.
제1 영역(A1)은 복수의 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-B, AE1-G, AE1-R) 및 제1 주변 영역(NPXA1)을 포함할 수 있다. 제1 주변 영역(NPXA1)은 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-B, AE1-G, AE1-R)을 둘러쌀 수 있다.
본 발명에서 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-B, AE1-G, AE1-R) 각각은 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들에 포함된 '제1 전극'이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 따라서, 제1 주변 영역(NPXA1)은 발광 소자들에 포함된 제1 전극들 사이의 영역으로 정의될 수 있다.
예를 들어, 도 4a에 도시된 것과 같이, 제1-1 소자 영역(AE1-B)은 제1 색의 광을 제공하는 제1-1 발광 소자(LD1-B)의 제1 전극(AE)이 배치된 영역으로 정의될 수 있다.
표시 패널(100)의 제1 영역(A1)은 제1-1 발광 소자(LD1-B)에서 생성된 광이 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 제1-1 발광 영역(PXA-B1)을 포함할 수 있다.
제1-2 소자 영역(AE1-G)은 제2 색의 광을 제공하는 제1-2 발광 소자(LD1-G, 도 8 참조)의 제1 전극(AE)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
표시 패널(100)의 제1 영역(A1)은 제1-2 발광 소자(LD1-G)에서 생성된 광이 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 제1-2 발광 영역(PXA-G1)을 포함할 수 있다.
제1-3 소자 영역(AE1-R)은 제3 색의 광을 제공하는 제1-3 발광 소자(LD1-R, 도 8 참조)의 제1 전극(AE)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
표시 패널(100)의 제1 영역(A1)은 제1-3 발광 소자(LD1-R)에서 생성된 광 중 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 제1-3 발광 영역(PXA-R1)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제1 영역(A1)의 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들(PXA-B1, PXA-G1, PXA-R1) 각각은 제1 영역(A1)의 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부들(OP1, 도 4a 참조) 중 대응되는 개구부의 면적과 대응되는 것으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 비-발광 영역(NCA1)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다.
제2 영역(A2)은 복수의 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R) 및 제2 주변 영역(NPXA2)을 포함할 수 있다. 제2 주변 영역(NPXA2)은 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R)을 둘러쌀 수 있다.
본 발명에서 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R) 각각은 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들에 포함된 '제1 전극'이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 따라서, 제2 주변 영역(NPXA2)은 발광 소자들에 포함된 제1 전극들 사이의 영역으로 정의될 수 있다.
예를 들어, 도 4b에 도시된 것과 같이, 제2-1 소자 영역(AE2-B)은 제1 색의 광을 제공하는 제2-1 발광 소자(LD2-B)의 제1 전극(AE)이 배치된 영역으로 정의될 수 있다.
표시 패널(100)의 제2 영역(A2)은 제2-1 발광 소자(LD2-B)에서 생성된 광이 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2-1 발광 영역들(PXA-B2) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 또는 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격되고, 네 개의 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)로 제공될 수 있다.
제2-2 소자 영역(AE2-G)은 제2 색의 광을 제공하는 제2-2 발광 소자(LD2-G, 도 9 참조)의 제1 전극(AE)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 하나의 제2 영역(A2) 상에서 두 개의 제2-2 소자 영역들(AE2-G)이 제공될 수 있다. 두 개의 제2-2 소자 영역들(AE2-G)은 제1 방향(DR1)을 따라 이격될 수 있다.
표시 패널(100)의 제2 영역(A2)은 제2-2 발광 소자(LD2-G)에서 생성된 광이 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 두 그룹의 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)을 포함할 수 있다.
제1 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)은 하나의 제2-2 소자 영역(AE2-G)와 중첩하고, 제2 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)은 나머지 하나의 제2-2 소자 영역(AE2-G)와 중첩할 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 그룹 및 제2 그룹 각각은 네 개의 제2-2 발광 영역들(PXA-G1)을 포함할 수 있다.
제1 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)은 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)과 제1 사선 방향(CDR1)으로 이격되고, 제2-3 발광 영역들(PXA-R1)과 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격될 수 있다.
제2 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)은 제1 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)과 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)과 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격되고, 제2-3 발광 영역들(PXA-R2)과 제1 사선 방향(CDR1)으로 이격될 수 있다.
제1 및 제2 그룹 각각에 포함된 제2-2 발광 영역들(PXA-G2)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 또는 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격될 수 있다.
제2-3 소자 영역(AE2-R)은 제3 색의 광을 제공하는 제2-3 발광 소자(LD2-R, 도 9 참조)의 제1 전극(AE)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 제1 내지 제3 색의 광은 서로 상이한 색을 가질 수 있다.
표시 패널(100)의 제2 영역(A2)은 제2-3 발광 소자(LD2-R)에서 생성된 광이 실질적으로 출사되는 영역으로 정의되는 제2-3 발광 영역들(PXA-R2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2-3 발광 영역들(PXA-R2)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 또는 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격되고, 네 개의 제2-3 발광 영역들(PXA-R2)로 제공될 수 있다.
본 실시예에서 제2 영역(A2)에 포함된 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)은 후술하는 차광 패턴(BM, 도 9 참조)에 의해 구획되는 영역일 수 있다. 상세한 설명은 후술하도록 한다. 또한, 제2 비-발광 영역(NCA2)은 차광 패턴(BM)과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(A1) 중 제1 색의 광을 제공하는 제1-1 소자 영역(AE1-B)의 면적은, 제2 영역(A2) 중 상기 제1 색의 광을 제공하는 제2-1 소자 영역(AE2-B)의 면적에 비해 작을 수 있다.
또한, 제1 영역(A1) 중 제2 색의 광을 제공하는 제1-2 소자 영역(AE1-G)의 면적은, 제2 영역(A2) 중 상기 제2 색의 광을 제공하는 제2-2 소자 영역(AE2-G)의 면적에 비해 작고, 제1 영역(A1) 중 제3 색의 광을 제공하는 제1-3 소자 영역(AE3-R)의 면적은, 제2 영역(A2) 중 상기 제3 색의 광을 제공하는 제2-3 소자 영역(AE2-R)의 면적에 비해 작을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 영역(A2)에 포함된 제2-1 발광 영역들(PXA-B2), 제2-2 발광 영역들(PXA-G2), 및 제2-3 발광 영역들(PXA-R2) 각각의 면적은 서로 동일할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들 각각의 면적은 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2-3 발광 영역들(PXA-R2) 각각의 면적은, 제2-2 발광 영역들(PXA-G2) 각각의 면적보다 크고, 제2-1 발광 영역들(PXA-B2) 각각의 면적보다 작을 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 표시 장치(DD, 도 1 참조)는 두 가지의 모드로 동작할 수 있다. '제1 동작모드'는 제1 영역들(A1)의 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-B, AE1-G, AE1-R) 및 제2 영역들(A2)의 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R)에 배치된 발광 소자들이 활성화 되어 대응되는 발광 영역으로 광을 제공하는 상태로 정의될 수 있다.
'제2 동작모드'는 제1 영역(A1)의 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-B, AE1-G, AE1-R)에 배치된 발광 소자들이 비-활성화되고, 제2 영역(A2)의 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R)에 배치된 발광 소자들 만이 활성화되어 대응되는 발광 영역으로 광을 제공하는 상태로 정의될 수 있다.
따라서, 제2 동작모드일 때는 활성화되는 발광 영역들의 면적이 제1 동작모드일 때보다 상대적으로 감소되어 낮은 화소의 이미지를 사용자에게 제공할 수 있다.
제1 동작모드는 일반적으로 표시 장치(DD)가 작동되는 모드와 대응될 수 있다. 제2 동작모드는 특정한 목적으로 표시 장치(DD)를 사용할 때 이용될 수 있다. 예를 들어, 제2 동작모드는, 프라이빗 모드로써, 제2 동작모드로 작동될 때 표시 장치(DD)와 인접한 주변인들에게 표시 영역(1000A)이 시인되지 않고, 사용자에게만 시인됨에 따라, 개인 정보가 누설되는 것을 방지할 수 있다.
사용자가 표시 장치(DD)를 측면에서 바라볼 때, 제2 영역(A2)에 배치된 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)은 상부에 배치된 차광 패턴(BM, 도 9 참조)에 일부 영역이 가려지게 됨에 따라, 휘도가 감소할 수 있다.
도 4a에는 제1 영역(A1) 중 제1-1 소자 영역(AE1-B)과 중첩하는 영역의 단면도를 예시적으로 도시한 것이다. 따라서, 이하에서 설명될 단면도는 제1 영역(A1)의 제1-2 소자 영역(AE1-G) 및 제1-3 소자 영역(AE1-R)에도 공통적으로 적용될 수 있다.
도 4b는 제2 영역(A2) 중 제2-1 소자 영역(AE2-B)과 중첩하는 영역의 단면도를 도시한 것이다. 따라서, 이하에서 설명될 단면도는 제2 영역(A2)의 제2-2 소자 영역(AE2-G) 및 제2-3 소자 영역(AE2-R)에도 공통적으로 적용될 수 있다.
도 4a 및 도 4b에는 발광 소자(LD1-B, LD2-B) 및 발광 소자(LD1-B, LD2-B)에 연결된 하나의 트랜지스터(TFT)가 예시적으로 도시되었다. 트랜지스터(TFT)는 화소(PX, 도 1 참조)의 구동회로에 포함된 복수 개의 트랜지스터들 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서 트랜지스터(TFT)는 실리콘 트랜지스터로 설명되나, 금속 산화물 트랜지스터일 수도 있다. 이하, 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)의 공통된 구성은 동시에 설명하도록 한다.
베이스층(110)은 도 3에서 설명한 베이스층(110)과 대응될 수 있다. 베이스층(110) 상에 배리어층(10br)이 배치될 수 있다. 배리어층(10br)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지한다. 배리어층(10br)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 배리어층(10br)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 이들 각각은 복수 개 제공될 수 있고, 실리콘옥사이드층들과 실리콘나이트라이드층들은 교번하게 적층될 수 있다.
배리어층(10br) 상에 차폐전극(BMLa)이 배치될 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 금속을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 내열성이 좋은 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 또는 티타늄(Ti)을 함유하는 합금을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 바이어스 전압을 수신할 수 있다.
차폐전극(BMLa)은 분극현상으로 인한 전기적 포텐셜이 실리콘 트랜지스터(TFT)에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 외부 광이 실리콘 트랜지스터(TFT)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 차폐전극(BMLa)은 다른 전극 또는 배선과 고립된(isolated) 형태의 플로팅 전극일 수도 있다.
배리어층(10br) 상에 버퍼층(10bf)이 배치될 수 있다. 버퍼층(10bf)은 베이스층(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상측의 반도체 패턴(SC1)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘 나이트라이드층을 포함할 수 있다.
버퍼층(10bf) 상에 반도체 패턴(SC1)이 배치될 수 있다. 반도체 패턴(SC1)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴(SC1)은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
트랜지스터(TFT)의 소스 영역(SE1, 또는 소스), 액티브 영역(AC1, 또는 채널), 및 드레인 영역(DE1, 또는 드레인)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(10bf) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 영역(AC1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다.
게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은(Ag)을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 스토리지 전극(CT)이 배치될 수 있다. 스토리지 전극(CT)은 게이트(GT1)와 중첩할 수 있다. 게이트(GT1)와 스토리지 전극(CT)은 화소(PX, 도 1 참조)의 구동회로에 포함된 커패시터를 형성할 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀을 통해 트랜지스터(TFT)의 드레인 영역(DE1)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50)의 적층 구조는 예시적인 것일 뿐이며, 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50) 이외에 추가적인 도전층과 절연층이 더 배치될 수도 있다.
제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 유기층은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
발광 소자(LD1-B, LD2-B)는 제1 전극(AE, 또는 화소 전극), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE, 또는 공통 전극)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다.
제1 전극(AE)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다.
투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 영역(A1)은 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자(LD1-B)의 제1 전극(AE)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부(OP1)가 정의될 수 있다. 제1 영역(A1)의 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다.
제1 영역(A1) 중 발광 소자(LD1-B)에서 생성된 광이 실질적으로 제공되는 제1-1 발광 영역(PXA-B1)은 제1 영역(A1)의 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부(OP1)의 면적에 의해 결정될 수 있다. 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 영역은 제1 비-발광 영역(NCA1)으로 정의될 수 있다. 제1 영역(A1)에서 제1 비-발광 영역(NCA1)은 제1 주변 영역(NPXA1)과 중첩할 수 있다.
제2 영역(A2)은 제1 화소 정의막(PDL1) 및 제2 화소 정의막(PLD2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 정의막(PDL1) 및 제2 화소 정의막(PLD2)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 정의막(PDL1)은 발광 소자(LD2-B)의 제1 전극(AE)의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다. 제2 영역(A2)의 제1 화소 정의막(PDL1)은 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다.
제2 화소 정의막(PDL2)은 제2 개구부(OP2)에 의해 제1 화소 정의막(PDL1)으로부터 노출된 제1 전극(AE1) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 정의막(PDL2)은 제1 전극(AE)에 의해 커버될 수 있다.
제2 영역(A2) 중 발광 소자(LD2-B)에서 생성된 광이 실질적으로 제공되는 제2-1 발광 영역들(PXA-B2) 및 제2-1 발광 영역들(PXA-B2) 사이에 배치된 제2 비-발광 영역(NCA2)은 후술하는 차광 패턴(BM, 도 9 참조)에 의해 구획될 수 있다.
따라서, 제1 영역(A1)의 제1 비-발광 영역(NCA1) 및 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들(PXA-B1, PXA-G1, PXA-R1) 각각은 화소 정의막(PDL)에 의해 구획되는 반면, 제2 영역(A2)의 제2 비-발광 영역(NCA2) 및 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2) 각각은 표시 패널(100) 상에 배치된 차광 패턴(BM, 도 9 참조)에 의해 구획될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자(LD1-B, LD2-B) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층(141), 유기층(142), 및 무기층(143)을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(141, 143)은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층(142)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들(141, 143)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(142)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다. 도 6a은 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다. 도 6b는 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다. 도 7은 도 5의 AA'영역을 확대한 평면도이다. 도 8은 도 6 및 도 7의 III-III'를 따라 절단한 단면도이다. 도 9는 도 6 및 도 7의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다. 도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 커버층의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 차광 패턴의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 입력 센서(200)는 감지 영역(200A) 및 감지 영역(200A)에 인접한 비-감지 영역(200NA)을 포함한다. 감지 영역(200A) 및 비-감지 영역(200NA)은 도 1에 도시된 표시 영역(1000A) 및 비표시 영역(1000N)에 각각 대응한다.
입력 센서(200)는 감지 영역(200A)에 배치되고, 서로 절연 교차하는 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4)을 포함한다. 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5)과 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이에 형성된 상호 커패시턴스의 변화량을 산출하여 외부 입력을 검출할 수 있다.
입력 센서(200)는 비-감지 영역(200NA)에 배치되고, 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5)에 전기적으로 연결된 제1 신호라인들(SL1) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4)에 전기적으로 연결된 제2 신호라인들(SL2)을 포함한다.
제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 서로 교차하는 복수 개의 도전성 라인들을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 메쉬 라인들을 가질 수 있다. 메쉬 라인들에는 상술한 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 포함된 발광 영역들과 중첩하는 복수 개의 개구부들이 정의될 수 있다.
제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 어느 하나는 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서 일체의 형상을 갖는 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5)이 예시적으로 되었다. 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5)은 감지 부분들(SP1)과 중간 부분들(CP1)을 포함할 수 있다.
제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 감지 패턴들(SP2)과 브릿지 패턴들(CP2, 또는 연결 패턴들)을 포함할 수 있다. 인접하는 2개의 감지 패턴들(SP2)은 제2 절연층(IL2, 도 8 참고)을 관통하는 컨택홀(CH-I)을 통해 2개의 브릿지 패턴들(CP2)로 연결될 수 있으나, 브릿지 패턴들의 개수는 제한되지 않는다.
도 6a 및 도 6b는 평면 상에서 감지 전극들과 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 배치된 발광 영역들의 배치 관계를 도시한 것이다.
도 6a를 참조하면, 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5, 도 5 참조) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4, 도 5 참조) 중 감지 패턴들(SP2)은 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 연장된 메쉬 라인들(MSL)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 메쉬 라인들(MSL)은 제1 라인(S1) 및 제2 라인(S2)을 포함할 수 있다. 제1 라인(S1)은 제1 사선 방향(CDR1)으로 연장되고, 제2 라인(S2)은 제2 사선 방향(CDR2)으로 연장될 수 있다. 제1 라인들(S1) 및 제2 라인들(S2)은 일체로 제공되는 패턴이나, 설명의 편의를 위해 구분지어 설명하도록 한다.
메쉬 라인들(MSL)은 제1 라인(S1) 및 제2 라인(S2)이 교차 배열됨에 따라 메쉬 개구부들(MS-OP1)이 정의될 수 있다. 본 실시예에서 메쉬 개구부들(MS-OP1) 각각의 형상은 서로 동일할 수 있다.
본 실시예에서 제1 영역(A1)의 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들(PXA-B1, PXA-G1, PXA-R1) 각각은 메쉬 개구부들(MS-OP1)들 중 대응되는 개구부에 의해 둘러쌀 수 있다. 따라서, 제1 영역(A1)에 중첩하는 메쉬 개구부들(MS-OP1) 각각은 하나의 발광 영역을 둘러쌀 수 있다.
제2 영역(A2)의 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)은 동일한 색을 제공하는 발광 영역들끼리 하나의 메쉬 개구부(MS-OP1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 하나의 메쉬 개구부(MS-OP1)에 네 개의 제2-1 발광 영역들(PXA-B2)이 둘러 싸이고, 다른 하나의 메쉬 개구부(MS-OP1)에 제1 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2) 네 개가 둘러 싸이고, 또 다른 하나의 메쉬 개구부(MS-OP1)에 제2 그룹의 제2-2 발광 영역들(PXA-G2) 네 개가 둘러 싸이고, 나머지 하나의 메쉬 개구부(MS-OP1)에 네 개의 제2-3 발광 영역들(PXA-R2)이 둘러 싸일 수 있다.
도 6b를 참조하면, 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5, 도 5 참조) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4, 도 5 참조) 중 감지 패턴들(SP2)은 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 연장된 메쉬 라인들(MSL)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 메쉬 라인들(MSL)은 제1 메쉬 라인들(MSL-1) 및 제2 메쉬 라인들(MSL-2)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬 라인들(MSL-1) 및 제2 메쉬 라인들(MSL-2)은 일체로 제공되는 패턴이나, 설명의 편의를 위해 구분지어 설명하도록 한다.
제1 메쉬 라인들(MSL-1)은 제1 영역(A1)과 중첩할 수 있다. 제1 메쉬 라인들(MSL-1)은 제1-1 라인(S1) 및 제1-2 라인(S2)을 포함할 수 있다. 제1-1 라인(S1)은 제1 사선 방향(CDR1)으로 연장되고, 제1-2 라인(S2)는 제2 사선 방향(CDR2)으로 연장될 수 있다.
제1 메쉬 라인들(MSL-1)은 도 6a에서 설명한 메쉬 라인들(MSL) 중 제1 영역(A1)과 중첩하는 메쉬 라인들(MSL)과 대응될 수 있다.
제2 메쉬 라인들(MSL-2)은 제2 영역(A2)과 중첩할 수 있다. 제2 메쉬 라인들(MSL-2)은 제2-1 라인(M1) 및 제2-2 라인(M2)을 포함할 수 있다. 제2-1 라인(M1)은 제1 사선 방향(CDR1)으로 연장되고, 제1-2 라인(S2)는 제2 사선 방향(CDR2)으로 연장될 수 있다.
제2 메쉬 라인들(MSL-2)은 제2-1 라인(M1) 및 제2-2 라인(M2)이 교차 배열됨에 따라 메쉬 개구부들(MS-OP2)이 정의될 수 있다. 본 실시예에서 제2 메쉬 개구부들(MS-OP2) 각각의 형상은 서로 동일하고, 제2 메쉬 개구부들(MS-OP2) 각각의 면적은 제1 메쉬 개구부들(MS-OP1) 각각의 면적보다 작을 수 있다.
본 실시예에서 제2 영역(A2)의 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2) 각각은 제2 메쉬 개구부들(MS-OP2)들 중 대응되는 개구부에 의해 둘러쌀 수 있다. 따라서, 제2 영역(A2)에 중첩하는 제2 메쉬 개구부들(MS-OP2) 각각은 하나의 발광 영역을 둘러쌀 수 있다.
도 7은 광 제어층(300)에 배치된 차광 패턴(BM)과 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 배치된 발광 영역들의 배치관계를 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 차광 패턴(BM)은 제2 영역(A2)에만 배치되고, 제1 영역(A1)에 미배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)는 광 흡수 물질을 포함할 수 있다. 종류는 광을 흡수할 수 있는 물질이면 어느 하나로 한정되지 않는다. 차광 패턴(BM)은 표시 장치(DD)를 측면에서 바라볼 때 제2 영역(A2)에 배치된 제2-1 내지 2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)의 휘도비를 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 장치(DD, 도 1 참조)가 제2 동작모드로 작동될 때, 표시 장치(DD)는 제2 영역(A2)에 배치된 차광 패턴(BM)을 포함함에 따라, 표시 장치(DD)와 인접한 주변인들에게 표시 영역(1000A, 도 1 참조)이 시인되지 않을 수 있다. 이에 따라, 프라이빗 모드의 성능이 향상된 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
차광 패턴(BM)이 제2-1 내지 2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2) 각각에 배치된 발광 소자들로부터 소정의 거리로 이격됨에 따라, 특정 각도 즉, 표시 영역(1000A)의 법선 방향에서부터 특정 각도(예를 들어 45도) 이상의 각도에서 표시 장치(DD)를 바라볼 때, 인접한 발광 영역에서 제공되는 광이 누설됨에 따라, 휘도비가 증가되는 구간을 가질 수 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 표시 패널(100), 입력 센서(200), 광 제어층(300), 및 반사 방지층(400)은 도 2, 도 4a, 및 도 4b에서 설명한 표시 패널(100), 입력 센서(200), 광 제어층(300), 및 반사 방지층(400)과 대응될 수 있다.
입력 센서(200)는 제1 감지 절연층(IL1), 제2 감지 절연층(IL2), 및 제3 감지 절연층(IL3)을 포함할 수 있다. 제1 감지 절연층(IL1)은 봉지층(140) 상에 배치될 수 있다.
도 5에서 설명한 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 브릿지 패턴들(CP2)은 제1 감지 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다.
제2 감지 절연층(IL2)은 제1 감지 절연층(IL1) 상에 배치된다. 도 5에서 설명한 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 감지 패턴들(SP2)은 제2 감지 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있다.
감지 패턴들(SP2)은 제2 감지 절연층(IL2)에 정의된 컨택홀(CH-I, 도 5 참조)을 통해 대응되는 감지 패턴들(SP2)과 연결될 수 있다. 제3 감지 절연층(IL3)은 제2 감지 절연층(IL2) 상에 배치된다. 제1 내지 제3 감지 절연층들(IL1, IL2, IL3)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
이하, 도 8, 도 9 에서 설명할 감지 전극들(CL)은 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 감지 패턴들(SP2) 중 어느 하나와 대응될 수 있다.
본 실시예에서 광 제어층(300)은 제1 커버층(OC1, 하부 커버층), 제2 커버층(OC2, 상부 커버층), 차광 패턴(BM)을 포함할 수 있다. 제1 커버층(OC1)은 입력 센서(200)의 제3 감지 절연층(IL3) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서 제1 커버층(OC1)의 제1 두께(TH1)는 제2 커버층(OC2)의 제2 두께(TH2)보다 클 수 있다.
제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2) 각각은 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 물질은, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 10a에는 제1 커버층(OC1)의 평면상에서의 형상을 도시한 것이고, 도 10b는 차광 패턴(BM)의 평면상에서의 형상을 도시한 것이다.
본 실시예에 따른 제1 커버층(OC1)은 평탄층(OC1-1) 및 패턴층(OC1-2)을 포함할 수 있다.
제1 커버층(OC1) 중 평탄층(OC-1)은 제1 영역(A1)에 배치될 수 있다. 도 10a에 도시된 것과 같이 제1 영역(A1)에 배치된 평탄층(OC-1)은 제2 커버층(OC2)이 배치될 수 있는 평탄면을 제공할 수 있다.
제1 커버층(OC1) 중 패턴층(OC1-2)은 복수의 커버 패턴들(OC-P)을 포함할 수 있다. 도 10a에 도시된 것과 같이 커버 패턴들(OC-P)은 제1 사선 방향(CDR1) 및 제2 사선 방향(CDR2)으로 이격 배열될 수 있다. 커버 패턴들(OC-P) 각각은 제2 영역(A2)의 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2) 중 대응되는 발광 영역과 중첩할 수 있다.
커버 패턴들(OC-P) 사이는 그루브 홀(GV)로 정의될 수 있다. 제3 감지 절연층(IL3)은 그루브 홀(GV)을 통해 커버 패턴들(OC-P)로부터 노출될 수 있다. 도 10a에 도시된 것과 같이 그루브 홀(GV)은 격자 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에서 차광 패턴(BM)은 제2 영역(A2)에만 배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)의 일부는 그루브 홀(GV) 내부에 배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)에는 차광 개구부들(BM-OP)이 정의될 수 있다. 차광 개구부들(BM-OP) 각각은 커버 패턴들(OC-P) 중 대응되는 패턴의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서 차광 패턴(BM)은 커버 패턴들(OC-P) 각각의 상면(OC-U)의 일부와 접촉할 수 있다. 차광 패턴(BM)에 의해 커버되는 커버 패턴들(OC-P) 각각의 상면(OC-U)은 제2 비-발광 영역(NCA2)과 인접한 부분일 수 있다.
차광 패턴(BM)은 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)에서 제공되는 광이 출사되는 방향으로 즉, 제3 방향(DR3)으로 갈수록 폭이 가변될 수 있다. 일 실시예에서 차광 패턴(BM)의 폭은 광이 출사되는 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
도 10b에 도시된 것과 같이, 차광 패턴(BM)은 제1 영역(A1)에 미배치되고, 제2 영역(A2)에만 배치될 수 있다. 평면상에서 차광 패턴(BM)의 형상은 그루브 홀(GV)의 형상과 대응되고, 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 따라서, 평면상에서 차광 패턴(BM)의 형상은 차광 개구부들(BM-OP)이 정의된 격자 형상일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 차광 패턴(BM)은 제1 영역(A1)에 미배치됨에 따라, 제1 영역(A1)에서 실질적으로 광이 제공되는 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들(PXA-B1, PXA-G1, PXA-R1) 각각은 제1 영역(A1)의 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부들(OP1) 중 대응되는 개구부의 면적과 대응되는 것으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 비-발광 영역(NCA1)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다.
제2 영역(A2)은 차광 패턴(BM)이 배치됨에 따라, 제2 비-발광 영역(NCA2)은 차광 패턴(BM)과 중첩하는 영역으로 정의되고, 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2)은 차광 개구부들(BM-OP)의 면적과 대응되도록 정의될 수 있다.
본 실시예에서 감지 전극들(CL)의 제1 폭(WD1)은 차광 패턴(BM) 중 제2 폭(WD2)과 같거나 작을 수 있다. 제2 폭(WD2)은 차광 패턴(BM) 중 제3 감지 절연층(IL3)과 접촉하는 차광 패턴(BM)의 폭으로 정의될 수 있다.
또한, 차광 패턴(BM) 중 인접한 커버 패턴들(OC-U) 각각의 상면(OC-U)을 커버하는 차광 패턴(BM)의 제3 폭(WD3)은 제1 폭(WD1) 및 제2 폭(WD2)보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 제2 폭(WD2)은 차광 패턴(BM)의 최소 폭이고, 제3 폭(WD3)은 차광 패턴(BM)의 최대 폭으로 정의될 수 있다. 제2 비-발광 영역(NCA2)은 차광 패턴(BM)의 최대 폭인 제3 폭(WD3)과 대응될 수 있다.
본 실시예에 따른 차광 패턴(BM)의 일부는 패턴층(OC1-2)의 두께만큼 제거되어 형성된 그루브 홀(GV) 내부에 배치됨에 따라, 패턴층(OC1-2)의 두께만큼 격벽 형상으로 제공될 수 있다.
제2 영역(A2)에 배치된 차광 패턴(BM)이 격벽 형태로 소정의 두께를 가지고 배치됨에 따라, 표시 영역(1000A, 도 1)의 법선 방향에서부터 특정 각도 이상의 각도에서 표시 장치(DD, 도 1)를 바라볼 때, 차광 패턴(BM)의 두께로 인해 인접한 발광 영역에서 제공되는 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 특정 각도에서 바라볼 때, 색 순도가 균일한 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
또한, 차광 패턴(BM)이 광이 출사되는 방향으로 증가하는 폭을 가짐에 따라, 감지 전극들(CL)이 특정 각도에서 시인되는 불량을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 1 내지 도 10b에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 부여하며, 중복된 설명은 생략한다.
이하, 도 11 내지 도 13의 표시 장치(DD-A, DD-B, DD-Ba, DD-C)에 포함된 표시 패널(100), 입력 센서(200), 광 제어층(300-A), 반사 방지층(400), 및 윈도우(미도시)에 관한 구성은, 상술한 표시 장치(DD)의 표시 패널(100), 입력 센서(200), 반사 방지층(400), 및 윈도우(500)와 대응될 수 있으며, 중복된 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 광 제어층(300-A)은 제1 커버층(OC1), 제2 커버층(OC2), 및 차광 패턴(BM-A)을 포함할 수 있다. 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)에 관한 설명은 도 8 및 도 9에서 설명한 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)과 대응될 수 있으며, 중복된 설명은 생략한다. 도 11에는 제1 커버층(OC1) 중 제2 영역(A2)에 배치된 패턴층(OC1-2)만을 도시하였다.
본 실시예에 따른 차광 패턴(BM-A)은 제2 영역(A2)의 제2 비-발광 영역(NCA2)에 중첩할 수 있다. 차광 패턴(BM-A)은 패턴층(OC1-2)에 정의된 그루브 홀(GV) 내에 배치되고, 차광 개구부들(BM-OP)이 정의될 수 있다.
차광 패턴(BM-A)은 커버 패턴들(OC-P) 각각의 상면(OC-U)의 일부와 접촉할 수 있다. 차광 패턴(BM)에 의해 커버되는 커버 패턴들(OC-P) 각각의 상면(OC-U)은 제2 비-발광 영역(NCA2)과 인접한 부분일 수 있다.
본 실시예에서 차광 패턴(BM-A)은 오목부(BV)를 포함할 수 있다. 오목부(BV)는 그루브 홀(GV)을 향하는 방향으로 함몰되어 오목한 형상을 가질 수 있다. 오목부(BV)는 차광 물질을 그루브 홀(GV) 내부에 충진시키는 공정에서 형성된 것일 수 있다.
도 12a를 참조하면, 표시 장치(DD-B)에 포함된 광 제어층(300-B)은 제1 커버층(OC1), 제2 커버층(OC2), 및 차광 패턴(BM-B)을 포함할 수 있다. 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)에 관한 설명은 도 8 및 도 9에서 설명한 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)과 대응될 수 있으며, 중복된 설명은 생략한다. 도 12a에는 제1 커버층(OC1) 중 제2 영역(A2)에 배치된 패턴층(OC1-2)만을 도시하였다.
본 실시예에 따른 차광 패턴(BM-B)은 입력 센서(200)의 제3 감지 절연층(IL3) 및 패턴층(OC1-2) 사이에 배치된 추가 커버층(OC-S)을 더 포함할 수 있다. 따라서, 차광 패턴(BM-B)은 추가 커버층(OC-S)과 접촉할 수 있다. 추가 커버층(OC-S)의 두께는 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)의 두께보다 작을 수 있다.
추가 커버층(OC-S)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 물질은, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
추가 커버층(OC-S)은 제2 영역(A2)에만 배치될 수 있다. 이때, 제1 영역(A1)에서 제3 감지 절연층(IL3)은 평탄층(OC1-1, 도 8 참조)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 공통적으로 배치될 수 있다.
도 12b를 참조하면, 표시 장치(DD-Ba)에 포함된 광 제어층(300-Ba)은 제1 커버층(OC1), 제2 커버층(OC2a), 및 차광 패턴(BM-B)을 포함할 수 있다. 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2a)에 관한 설명은 도 8 및 도 9에서 설명한 제1 커버층(OC1) 및 제2 커버층(OC2)과 대응될 수 있으며, 중복된 설명은 생략한다. 도 12b에는 제1 커버층(OC1) 중 제2 영역(A2)에 배치된 패턴층(OC1-2a)만을 도시하였다.
본 실시예에 따른 차광 패턴(BM-Ba)의 적어도 일부는 패턴층(OC1-2a) 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 차광 패턴(BM-Ba) 중 그루브 홀(GV) 내에서 폭이 일정한 부분의 적어도 일부는 패턴층(OC1-2a) 내부에 배치되고, 차광 패턴(BM-Ba) 중 나머지 부분은 커버 패턴의 상면(OC-U)으로부터 제3 방향(DR3)으로 돌출될 수 있다. 돌출된 부분은 제2 커버층(OC2a)에 의해 커버될 수 있다.
본 실시예에서 차광 패턴(BM-Ba)이 패턴층(OC1-2a)의 내부에 배치됨에 따라, 차광 패턴(BM-Ba)은 제3 감지 절연층(IL3)과 이격될 수 있다.
패턴층(OC1-2a)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 물질은, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 패턴층(OC1-2a)은 복수의 유기층이 적층되어 형성된 것일 수 있다. 이때, 유기층들은 서로 동일 물질을 포함할 수 있다. 이로 인해 유기층들 간 경계가 시인되지 않고, 도 12b와 같이 하나의 패턴층(OC1-2a)으로 형성 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 광 제어층(300-C)은 제1 커버층(OC1), 제2 커버층(OC2), 제3 커버층(OC3), 및 차광부(BM-C)를 포함할 수 있다. 차광부(BM-C)는 서로 다른 층 상에 배치된 제1 차광 패턴(BM1) 및 제2 차광 패턴(BM2)을 포함할 수 있다. 차광부(BM-C)는 제2 영역(A2)에만 배치될 수 있다.
제1 커버층(OC1)은 제3 감지 절연층(IL3) 상에 배치될 수 있다. 제1 차광 패턴(BM1)은 제1 커버층(OC1) 상에 배치될 수 있다.
제1 차광 패턴(BM1)은 제2 비-발광 영역(NCA2)과 중첩할 수 있다. 제1 차광 패턴(BM1)에는 제1 차광 개구부들(BM-OP1)이 정의될 수 있다. 제1 차광 개구부들(BM-OP1) 각각은 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2) 중 대응되는 발광 영역과 중첩할 수 있다.
제2 커버층(OC2)은 제1 커버층(OC1) 상에 배치되고, 제1 차광 패턴(BM1)을 커버할 수 있다.
제2 차광 패턴(BM2)은 제1 차광 패턴(BM1)과 중첩할 수 있다. 제2 차광 패턴(BM2)에는 제2 차광 개구부들(BM-OP2)이 정의될 수 있다. 제2 차광 개구부들(BM-OP2) 각각은 제1 차광 개구부들(BM-OP1) 중 대응되는 개구부와 중첩할 수 있다.
본 실시예에서 감지 전극들(CL)은 제4 폭(WD4)을 가지고, 제1 차광 패턴(BM1)은 제5 폭(WD5)을 가지고, 제2 차광 패턴(BM2)은 제6 폭(WD6)을 가질 수 있다.
제5 폭(WD5)은 제4 폭(WD4)보다 크고, 제6 폭(WD6)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 차광 개구부들(BM-OP2) 각각의 면적은 제1 차광 개구부들(BM-OP1) 각각의 면적보다 작을 수 있다. 따라서, 본 실시예에서 제2 영역(A2)의 제2 비-발광 영역(NCA2)은 제2 차광 패턴(BM2)과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다.
본 실시예에서 제1 차광 패턴(BM1)은 제2 차광 패턴(BM2)보다 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-B, AE2-G, AE2-R)과 인접하게 배치됨에 따라, 특정 각도 이상의 각도에서 표시 장치(DD, 도 1)를 바라볼 때, 인접한 발광 영역에서 제공되는 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 특정 각도에서 바라볼 때, 색 순도가 균일한 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
또한, 제1 차광 패턴(BM1)보다 폭이 큰 제2 차광 패턴(BM2)을 제1 차광 패턴(BM1)보다 상부에 배치시킴에 따라, 감지 전극들(CL)이 특정 각도에서 시인되는 불량을 방지할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 1 내지 도 10b에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에서 표시 패널(100a)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 차광 패턴(BM, 도 7 참조)은 제2 영역(A2)에만 배치되고, 제1 영역(A1)에는 미배치될 수 있다.
제1 영역(A1)은 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들(AE1-Ba, AE1-Ga, AE1-Ra) 및 제1 주변 영역(NPXA1)을 포함할 수 있다. 제2 영역(A2)은 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들(AE2-Ba, AE2-Ga, AE2-Ra) 및 제2 주변 영역(NPXA2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제1 영역(A1)은 네 개의 제1-1 발광 영역들(PXA-B1a)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1)은 네 개로 분할된 제1-2 발광 영역들(PXA-G1a)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1)은 네 개로 분할된 제1-3 발광 영역들(PXA-R2a)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들(PXA-B1a, PXA-G1a, PXA-R1a) 각각의 면적은 서로 동일할 수 있다.
본 실시예에서 제2 영역(A2)은 네 개로 분할된 제2-1 발광 영역들(PXA-B2a)을 포함할 수 있다. 제2 영역(A2)은 네 개로 분할된 제2-2 발광 영역들(PXA-G2a)을 포함할 수 있다. 제2 영역(A2)은 네 개로 분할된 제2-3 발광 영역들(PXA-R2a)을 포함할 수 있다. 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들(PXA-B2a, PXA-G2a, PXA-R2a) 각각의 면적은 서로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 색의 광을 생성하는 제1-1 소자 영역(AE1-Bb)의 면적은 제2-1 소자 영역(AE2-Bb)의 면적과 동일할 수 있다. 제2 색의 광을 생성하는 제1-2 소자 영역(AE1-Gb)의 면적은 제2-2 소자 영역(AE2-Gb)의 면적과 동일할 수 있다. 제3 색의 광을 생성하는 제1-3 소자 영역(AE1-Rb)의 면적은 제2-3 소자 영역(AE2-Rb)의 면적과 동일할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치
100: 표시 패널
200: 입력 센서
300: 광 제어층
400: 반사 방지층
500: 윈도우
A1: 제1 영역
A2: 제2 영역
AE1-B, AE1-G, AE1-R: 제1-1 내지 제1-3 소자 영역들
PXA-B1, PXA-G1, PXA-R1: 제1-1 내지 제1-3 발광 영역들
AE2-B, AE2-G, AE2-R: 제2-1 내지 제2-3 소자 영역들
PXA-B2, PXA-G2, PXA-R2: 제2-1 내지 제2-3 발광 영역들
BM: 차광 패턴
OC1: 제1 커버층
OC2: 제2 커버층

Claims (20)

  1. 각각이, 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들이 배치된 소자 영역들 및 주변 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 중첩하고 상기 제2 영역의 상기 발광 영역들 각각에 중첩하는 커버 패턴들을 포함하는 하부 커버층; 및
    상기 비-발광 영역과 중첩하고, 상기 제2 영역과 중첩하는 상기 하부 커버층에 배치된 차광 패턴을 포함하고,
    상기 차광 패턴은 상기 커버 패턴들 각각의 상면의 일부를 커버하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 차광 패턴의 폭은,
    상기 표시 패널의 두께 방향을 따라 가변하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 차광 패턴의 상면은, 상기 표시 패널을 향하는 방향으로 오목한 형상을 갖는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 하부 커버층 사이에 배치되고, 상기 주변 영역과 중첩하는 감지 전극들 및 감지 절연층들을 포함하는 입력 센서를 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 차광 패턴은, 상기 감지 절연층들 중 상기 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층과 접촉하는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 감지 전극들의 폭은, 상기 차광 패턴의 최소 폭보다 작거나 같은 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 차광 패턴의 적어도 일부는, 상기 하부 커버층의 내부에 배치되고,
    상기 차광 패턴은, 상기 감지 절연층들 중 상기 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층과 이격된 표시 장치.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 감지 절연층들 중 하부 커버층과 가장 인접한 최 상부 감지 절연층 및 상기 하부 커버층 사이에 배치된 추가 커버층을 더 포함하고,
    상기 차광 패턴은, 상기 추가 커버층과 접촉하는 표시 장치.
  9. 제4 항에 있어서,
    상기 감지 전극들은, 상기 발광 영역들 중 인접한 발광 영역들 사이와 비-중첩하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 차광 패턴은, 평면상에서 상기 발광 영역들과 중첩하는 차광 개구부들이 정의된 격자 형상을 갖고,
    상기 커버 패턴들 각각은 상기 차광 개구부들 중 대응되는 차광 개구부와 중첩하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 상기 발광 영역들 각각의 면적은, 서로 동일한 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 소자들 각각은, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고,
    상기 표시 패널은, 상기 제1 전극들 각각의 적어도 일부를 노출시키는 개구부들이 정의된 제1 화소 정의막을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 상기 표시 패널은, 상기 개구부들에 노출된 제1 전극들 상에 배치되고 상기 비-발광 영역들과 중첩하는 제2 화소 정의막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 제1 영역의 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 상기 발광 영역들 각각의 면적은 서로 동일한 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은, 제1 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 발광 소자들 및 상기 제2 영역의 발광 소자들을 활성화시키고,
    제2 동작모드에서 상기 제1 영역의 발광 소자들을 비-활성화시키고, 상기 제2 영역의 발광 소자들을 활성화시키는 표시 장치.
  17. 각각이, 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 소자들이 배치된 소자 영역들 및 주변 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 소자 영역들 각각에 중첩하는 복수의 발광 영역들 및 상기 주변 영역과 적어도 일부가 중첩하고 상기 발광 영역들을 둘러싸는 비-발광 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 비-발광 영역과 중첩하는 제1 차광 패턴; 및
    상기 제1 차광 패턴과 중첩하고, 상기 제1 차광 패턴보다 상기 표시 패널로부터 멀리 배치된 제2 차광 패턴을 포함하고,
    상기 제1 차광 패턴의 최대 폭은, 상기 제2 차광 패턴의 최소 폭보다 작은 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 패널 및 상기 제1 차광 패턴 사이에 배치되고, 상기 주변 영역과 중첩하는 감지 전극들 및 감지 절연층들을 포함하는 입력 센서를 더 포함하고,
    상기 감지 전극들의 최대 폭은 상기 제1 차광 패턴의 폭보다 작은 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 입력 센서 상에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴이 배치되는 제1 커버층, 상기 제1 커버층 상에 배치되고 상기 제1 차광 패턴을 커버하는 제2 커버층, 및 상기 제2 커버층 상에 배치되고 상기 제2 차광 패턴을 커버하는 제3 커버층을 포함하고,
    상기 제1 커버층 내지 상기 제3 커버층은 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 유기 물질은, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
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