KR20230057506A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

표시패널은 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들과 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함한다. 입력센서는 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들이 정의된다. 상기 감지전극은 상기 제1, 제2, 및 제3 개구부들 각각을 중심으로 제1 방향에서 마주하는 제1 라인 영역 및 제2 라인 영역 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 마주하는 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역을 포함한다. 상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 상기 제2 색 및 제3 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리보다 작다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 입력센서를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
스마트 폰, 테블릿, 노트북 컴퓨터, 네비게이션 및 스마트 텔레비젼 등과 같은 전자장치들이 개발되고 있다. 이러한 전자장치들은 정보제공을 위해 표시패널을 구비한다. 전자장치들은 표시패널 이외에 다양한 전자모듈들을 더 포함한다.
전자장치들은 각각의 사용 목적에 부합하는 표시품질 조건을 만족시켜야 된다. 발광소자로부터 생성된 광은 공진 현상, 간섭 현상 등 다양한 광학적 현상을 발생시키면서 전자장치의 외부로 방출된다. 이러한 광학적 현상이 표시되는 이미지의 품질에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 표시품질이 향상된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표시장치는 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들과 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함하는 표시패널 및 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들이 정의되고 상기 비발광영역에 중첩하는 감지전극을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함한다. 상기 감지전극은 상기 제1, 제2, 및 제3 개구부들 각각을 중심으로 제1 방향에서 마주하는 제1 라인 영역 및 제2 라인 영역 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 마주하는 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역을 포함한다. 상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리보다 작다.
상기 제1 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제1 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다. 상기 제2 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제2 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다. 상기 제3 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제3 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다.
상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리, 상기 제2 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리, 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다.
상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리보다 작을 수 있다. 상기 제2 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리와 상기 제2 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다. 상기 제3 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리와 상기 제3 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일할 수 있다.
상기 제1 라인 영역 및 상기 제2 라인 영역은 상기 제2 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭은 상기 제2 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭 및 상기 제3 색 발광영역에 인접한 상기 제3 라인 영역의 선폭보다 클 수 있다.
상기 제3 라인 영역 및 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭은 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제3 라인 영역의 선폭 및 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제4 라인 영역의 선폭보다 클 수 있다.
상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 발광영역들 각각은 상기 제1 방향에서 마주하는 제1 엣지 및 제2 엣지 및 상기 제2 방향에서 마주하는 제3 엣지와 제4 엣지를 포함할 수 있다.
상기 표시패널에 구면 좌표계가 정의되고, 상기 표시패널에서 표시된 백색이미지는 상기 구면 좌표계의 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에서 상기 제1 색으로 시프트된 백색이미지로 측정되고, 상기 제1 지점은 상기 제2 라인 영역보다 상기 제1 라인 영역에 더 인접할 수 있다.
상기 제1 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리보다 작을 수 있다.
상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 어느 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 어느 하나 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 다른 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리의 거리보다 작을 수 있다. 상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 상기 어느 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리는 상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리보다 작을 수 있다.
상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 15 마이크로미터 내지 20 마이크로미터일 수 있다.
상기 입력센서 상에 배치된 광학필름을 더 포함하고, 상기 광학필름은 편광필름 및 리타더필름을 포함할 수 있다.
상기 제1 색 발광영역, 상기 제2 색 발광영역, 및 제3 색 발광영역 각각은 복수 개 제공되고, 상기 복수 개의 제1 색 발광영역들 및 상기 복수 개의 제3 색 발광영역들은 제1 행을 정의하고, 상기 복수 개의 제2 색 발광영역들은 제2 행을 정의하고, 상기 제1 행 내에서 상기 복수 개의 제1 색 발광영역들 및 상기 복수 개의 제3 색 발광영역들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향을 따라 교번하게 배치될 수 있다.
상기 표시패널은 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 개구부들이 정의된 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께는 상기 제2 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께 및 상기 제3 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들과 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함하는 표시패널 및 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들이 정의된 감지전극을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함할 수 있다. 상기 감지전극은 상기 비발광영역에 중첩하며 상기 제1 개구부를 정의하는 제1 도전성 라인, 상기 제2 개구부를 정의하는 제2 도전성 라인, 및 상기 제3 개구부를 정의하는 제3 도전성 라인을 포함할 수 있다. 구면 좌표계의 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제1 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 구면 좌표계의 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제1 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리보다 작고, 상기 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제2 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제2 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제2 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제2 색 발광영역 사이의 거리와 동일하고, 상기 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제3 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제3 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제3 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제3 색 발광영역 사이의 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 도전성 라인은 상기 구면 좌표계의 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°)에 인접한 제3 영역과 상기 구면 좌표계의 제4 지점(r1, Θ1, Φ1+90°)에 인접한 제4 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역과 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역 사이에 상기 제3 영역과 상기 제4 영역이 배치되고, 상기 제1 도전성 라인의 제3 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제1 도전성 라인의 제4 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제1 도전성 라인의 상기 제3 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역은 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역보다 큰 선폭을 가질 수 있다.
상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역 및 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역 각각은 상기 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°)과 상기 제4 지점(r1, Θ1, Φ1+90°)을 연결하는 가상선과 평행할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 백색이미지의 파장 변이가 감소될 수 있다. 표시장치의 표시품질이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 표시장치에 정의된 구면 좌표계를 설명하는 도면이다.
도 4는 측정지점들에 따라 발생하는 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 확대된 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 6c는 도 6b의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7a는 소스광의 방사경로를 도시한 단면도이다.
도 7b는 시야각에 따른 광원 세기의 변화량을 도시한 그래프이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광영역과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 색 발광영역과 감지전극의 거리에 따른 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광영역과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 10b는 도10a에 도시된 센싱유닛의 확대된 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “상에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다.
표시장치(DD)는 이미지를 생성하고, 외부입력을 감지할 수 있다. 표시장치(DD)는 표시영역(1000A) 및 주변영역(1000N)을 포함할 수 있다. 표시영역(1000A)에는 화소(PX)가 배치된다. 화소(PX)는 서로 다른 색의 광을 생성하는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소를 포함할 수 있다.
표시영역(1000A)에 이미지가 표시될 수 있다. 표시영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 표시영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2 개의 측으로부터 각각 벤딩된 곡면들을 더 포함할 수 있다. 하지만, 표시영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시영역(1000A)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 표시영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4 개의 측으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 표시장치(DD)는 표시패널(100), 입력센서(200), 반사 방지부재(300, anti-reflector) 및 윈도우(400)를 포함할 수 있다.
표시패널(100)은 발광형 표시패널일 수 있으며, 예를 들어, 표시패널(100)은 유기발광 표시패널, 무기발광 표시패널, 마이크로 엘이디 표시패널, 또는 나노 엘이디 표시패널일 수 있다. 표시패널(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스층(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층의 무기층, 상기 다층 또는 단층의 무기층 상에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
회로층(120)은 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 회로층(120)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 구동회로를 포함한다.
발광소자층(130)은 회로층(120) 상에 배치될 수 있다. 발광소자층(130)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 발광소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광소자는 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 유기-무기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 발광소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자층(130)을 보호할 수 있다. 봉지층(140)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 봉지층(140)은 무기층/유기층/무기층의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
입력센서(200)는 표시패널(100) 상에 배치될 수 있다. 입력센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다.
입력센서(200)은 연속된 공정을 통해 표시패널(100) 상에 형성될 수 있다. 이때, 입력센서(200)은 표시패널(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "A 구성 상에 B 구성이 직접 배치된다는 것"은 A 구성과 B 구성 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 입력센서(200)과 표시패널(100) 사이에 접착층이 배치되지 않을 수 있다.
반사 방지부재(300)는 입력센서(200) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지부재(300)와 입력센서(200)는 접착층(AD)에 의해 결합될 수 있다. 반사 방지부재(300)은 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
반사 방지부재(300)는 광학필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 편광필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 리타더필름을 더 포함할 수 있다. 리타더필름은 λ/2의 리타더필름 및 λ/4의 리타더필름 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
윈도우(400)는 반사 방지부재(300) 상에 배치된다. 윈도우(400)와 반사 방지부재(300)는 접착층(AD)에 의해 결합될 수 있다. 접착층은 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film) 또는 광학 투명 접착부재(OCA, Optically Clear Adhesive)일 수 있다.
윈도우(400)는 적어도 하나의 베이스층을 포함한다. 베이스층은 유리기판 또는 합성수지필름일 수 있다. 윈도우(400)는 다층 구조를 가질 수 있다. 윈도우(400)는 박막 유리기판과 박막 유리기판 상에 배치된 합성수지필름을 포함할 수 있다. 박막 유리기판과 합성수지필름은 접착층에 의해 결합될 수 있고, 접착층과 합성수지필름은 그것들의 교체를 위해 박막 유리기판으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 접착층(AD)은 생략되고, 윈도우(400)는 반사 방지부재(300) 상에 직접 배치될 수도 있다. 유기물질, 무기물질, 또는 세라믹물질이 반사 방지부재(300) 상에 코팅될 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 반사 방지부재(300)은 연속된 공정을 통해 입력센서(200) 상에 직접 배치될 수 있다.
반사 방지부재(300)은 반사 방지부재(300)의 하측에 배치된 반사 구조물에 중첩하는 차광패턴을 포함할 수 있다. 반사 방지부재(300)은 후술하는 발광영역에 중첩하는 컬러필터를 더 포함할 수 있다. 컬러필터는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소에 대응하는 제1 색 컬러필터, 제2 색 컬러필터, 및 제3 색 컬러필터를 포함할 수 있다. 반사 방지부재(300)에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
도 3a 및 도 3b는 표시장치(DD)에 정의된 구면 좌표계를 설명하는 도면이다. 도 4는 측정지점들에 따라 발생하는 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)에 구면 좌표계가 정의될 수 있다. 구면 좌표계의 원점은 표시장치(DD)의 표시영역(1000A)의 중심에 정렬된다. 구면 좌표계는 표시장치(DD)의 표시품질을 측정하는 지점들을 구별하는 데 사용되고, 지점들은 구면 좌표계의 좌표로 표시된다.
구면 좌표계의 좌표는 (r, θ, Φ)로 표현되는데, r은 원점으로부터 측정지점까지의 거리를 나타내고, θ는 z축(또는 표시장치(DD)의 법선축)과 원점과 측정지점 사이에 정의된 직선이 이루는 각도를 나타내고, Φ는 x축(또는 표시장치(DD)의 중심을 지나는 가로축)에 대하여 원점과 측정지점 사이에 정의된 직선을 xy평면(또는 표시장치(DD)의 전면)에 투영시킨 직선이 이루는 각도를 나타낸다. 설명의 편의상 θ는 시야각으로 정의되고, Φ는 방위각으로 정의된다.
도 3a에는 5개의 측정지점들(P1 내지 P5)을 도시하였다. 제1 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4, θ5)은 일정한 각도만큼 이격되어 측정될 수 있다. 제1 내지 제5 측정지점들(P1 내지 P5)의 제1 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4, θ5)은 0°, 15°, 30°, 45°, 60°일 수 있다. 또는 제1 내지 제5 측정지점들(P1 내지 P5)의 제1 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4, θ5)은 0°, 20°, 40°, 60°, 80°일 수 있다. 또는 제1 내지 제5 측정지점들(P1 내지 P5)의 제1 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4, θ5)은 0°, 10°, 20°, 30°, 40°일 수 있다. 도 3b에는 8개의 방위각들(Φ1 내지 Φ8)을 예시적으로 도시하였다. 8개의 방위각들(Φ1 내지 Φ8)은 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°, 315°이다.
도 4는 제1, 제2, 및 제3 그래프(GP1, GP2, GP3)를 도시하였다. 제1, 제2, 및 제3 그래프(GP1, GP2, GP3) 각각은 5개의 측정지점들(P1 내지 P5)에서 측정한 백색이미지의 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 포함한다. 5개의 측정지점들(P1 내지 P5)은 동일한 거리(r)에서 측정되었다. (r, 0°, 0°)의 지점에서 측정된 백색이미지의 CIE1976의 색좌표계의 색좌표(u', v')가 기준값이 된다.
제1 그래프(GP1)의 5개 측정지점들(P1 내지 P5)은 제1 방위각(Φ10)을 갖고, 서로 다른 시야각(θ)을 갖는다. 제1 지점에서 제5 지점으로 갈수록 시야각(θ)이 균일하게 증가된다. 제2 그래프(GP2) 및 제3 그래프(GP3) 각각은 제1 그래프(GP1)의 제1 방위각(Φ10)과 다른 제2 방위각(Φ20) 및 제3 방위각(Φ30)을 갖는다. 제1 방위각(Φ10)이 가장 작고, 제2 방위각(Φ20)은 제1 방위각(Φ10)보다 45°도 더 클 수 있고, 제3 방위각(Φ30)은 제2 방위각보다 45°도 더 클 수 있다.
제3 그래프(GP3)의 제5 측정지점(P5)에서 색좌표 변화량(Δu', Δv')이 상대적으로 큰 것을 알 수 있다. 다시 말해, 제3 방위각(Φ30) 및 제5 시야각(θ5)의 지점에서 백색 이미지를 바라본 사용자에게 상기 백색 이미지는 붉은 백색 이미지(reddish white image)로 인지된다. 이와 같이 특정한 지점에서만 색좌표 변화량(Δu', Δv')이 큰 현상을 백색 파장 변이 또는 와드(White Angular Dependency, WAD)라고 지칭된다.
도 2에 도시된 표시패널(DP)에서 생성된 백색 이미지는 실질적으로 제1 색 화소에서 생성된 제1 색 광, 제2 색 화소에서 생성된 제2 색 광, 및 제3 색 화소에서 생성된 제3 색 광의 혼합된 결과이다.
제1 색 광, 제2 색 광, 및 제3 색 광에는 화소의 상측에 배치된 구조물을 통과하는 과정에서 간섭 현상이 발생할 수 있다. 시야각(θ)에 따라 다른 광 경로로 이동하기 때문에 시야각에 따라 간섭 현상이 다르게 발생하고, 시야각에 따라 색좌표 변화량(Δu', Δv')이 달라질 수 있다. 광 경로에 따라 제1 색 광, 제2 색 광, 및 제3 색 광 각각의 간섭 정도가 다르게 발생할 수 있기 때문에 백색이미지가 소정의 색으로 시프트될 수 있다.
표시장치(DD)의 구조적 특징, 예컨대, 광학필름의 광학축의 배치 때문에 특정한 방위각(Φ)을 갖는 측정지점에서만 색좌표 변화량(Δu', Δv')이 더 클 수 있다.
색좌표의 변화 방향에 따라 백색 이미지는 붉은 백색 이미지(reddish white image)이거나, 푸른 백색 이미지(bluish white image)이거나, 초록의 백색 이미지(reddish white image)로 인지될 수 있다. 또한, 방위각(Φ)에 따라 붉은 백색 이미지(reddish white image)로 인지되거나, 푸른 백색 이미지(bluish white image)이거나, 초록의 백색 이미지(reddish white image)로 인지될 수 있다.
이하, 본 발명에서 백색 파장 변이 또는 와드(White Angular Dependency, WAD)를 감소시키는 원리에 대해 상세히 설명한다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 표시영역(100A)의 확대된 평면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 표시영역(100A)의 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 표시영역(100A)은 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 배치된 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다.
복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 3개 그룹의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)로 구분될 수 있다. 3개 그룹의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 발광소자(OLED, 도 5b 참조)에서 생성한 소스광의 컬러에 따라 구분될 수 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B)의 면적은 서로 다를 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B)의 면적은 서로 다를 수도 있다. 본 실시예에서 제1 색은 레드, 제2 색은 그린, 제3 색은 블루일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표시패널(DP)는 옐로우, 마젠타, 시안 3개의 주요색을 표시하는 3개 그룹의 발광영역들을 포함할 수도 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 각각은 "실질적인 다각형상"을 가질 수 있다. 여기서 "실질적인 다각형상이란 수학적 의미의 다각형과 꼭지점에 곡선이 정의된 다각형"을 포함한다. 발광영역의 형상은 화소 정의막에 형성된 개구부의 형상과 동일한데, 화소 정의막의 식각 성능에 따라 꼭지점의 형상이 달라질 수 있다.
본 실시예에서 정사각형상의 제1 색 발광영역(PXA-R) 및 제3 색 발광영역(PXA-B)과 직사각형상의 제2 색 발광영역(PXA-G)을 도시하였다. 제2 색 발광영역(PXA-G)은 장변의 연장방향이 상이한 2종의 제2 색 발광영역(PXA-G)을 포함할 수 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 각각은 제1 엣지(E1) 내지 제4 엣지(E4)를 포함한다. 제1 엣지(E1) 및 제2 엣지(E2)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 교차하는 제1 사선방향(CDR1)으로 연장되고, 대응하는 발광영역을 사이에 두고 이격된다. 제3 엣지(E3) 및 제4 엣지(E4)는 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2), 및 제1 사선방향(CDR1)에 교차하는 제2 사선방향(CDR2)으로 연장되고, 대응하는 발광영역을 사이에 두고 이격된다.
도 5a를 참조하면, 복수 개의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된 복수 개의 발광 행들을 정의할 수 있다. 발광 행들은 n(여기서 n은 자연수)번째 발광 행(PXLn), n+1번째 발광 행(PXLn+1), n+2번째 발광 행(PXLn+2), 및 n+3번째 발광 행(PXLn+3)을 포함할 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3)이 그룹을 이루며 제2 방향(DR2)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다.
n번째 발광 행(PXLn)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제1 색 발광영역들(PXA-R)과 제3 색 발광영역들(PXA-B)을 포함한다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)을 포함한다.
n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들의 배치순서와 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들의 배치순서는 서로 다르다. n번째 발광 행(PXLn)의 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)과 엇갈리게 배치된다. n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들 대비 하나의 발광영역만큼 제2 방향(DR2)을 따라 시프트된 것과 같다.
n+1번째 발광 행(PXLn+1)과 n+3번째 발광 행(PXLn+3) 각각에는 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 배치된다. n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들과 n+1번째 발광 행(PXLn+1)의 발광영역들은 서로 엇갈리게 배치된다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들과 n+3번째 발광 행(PXLn+3)의 발광영역들은 서로 엇갈리게 배치된다.
4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3) 각각의 발광 행에 배치된 발광영역들의 중심점들(B-P)은 동일한 가상선(IL) 상에 배치될 수 있다.
도 5b에는 하나의 발광영역(PXA)과 주변의 비발광영역(NPXA)에 대응하는 표시패널(DP)의 단면이 도시되었다. 도 5b에는 발광소자(LD) 및 그에 연결된 트랜지스터(TFT)가 도시되었다. 트랜지스터(TFT)는 화소(PX, 도 1 참조)의 구동회로에 포함된 복수 개의 트랜지스터들 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서 트랜지스터(TFT)는 실리콘 트랜지스터로 설명되나, 금속 산화물 트랜지스터일 수도 도 있다.
베이스층(110) 상에 배리어층(10br)이 배치될 수 있다. 배리어층(10br)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지한다. 배리어층(10br)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 배리어층(10br)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 이들 각각은 복수 개 제공될 수 있고, 실리콘옥사이드층들과 실리콘나이트라이드층들은 교번하게 적층될 수 있다.
배리어층(10br) 상에 차폐전극(BMLa)이 배치될 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 금속을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 내열성이 좋은 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 또는 티타늄을 함유하는 합금을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 바이어스 전압을 수신할 수 있다.
차폐전극(BMLa)은 분극현상으로 인한 전기적 포텐셜이 실리콘 트랜지스터(S-TFT)에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 외부 광이 실리콘 트랜지스터(S-TFT)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 차폐전극(BMLa)은 다른 전극 또는 배선과 고립된(isolated) 형태의 플로팅 전극일 수도 있다.
배리어층(10br) 상에 버퍼층(10bf)이 배치될 수 있다. 버퍼층(10bf)은 베이스층(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상측의 반도체 패턴(SC1)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘 나이트라이드층을 포함할 수 있다.
버퍼층(10bf) 상에 반도체 패턴(SC1)이 배치될 수 있다. 반도체 패턴(SC1)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴(SC1)은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
트랜지스터(TFT)의 소스 영역(SE1, 또는 소스), 액티브 영역(AC1, 또는 채널), 및 드레인 영역(DE1, 또는 드레인)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(10bf) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 영역(AC1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다. 게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE20)이 배치될 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE10)은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀을 통해 트랜지스터(TFT)의 드레인 영역(DE1)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50)의 적층 구조는 예시적인 것일 뿐이며, 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50) 이외에 추가적인 도전층과 절연층이 더 배치될 수도 있다.
제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 유기층은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
발광소자(LD)는 제1 전극(AE, 또는 화소 전극), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE, 또는 공통 전극)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 화소 정의막(PDL)은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 차광 특성을 갖는 차광패턴에 해당할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 일부분을 노출시키는 개구부(PDL-OP)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(PDL-OP)는 발광영역(PXA)을 정의할 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 화소 정의막(PDL)에는 제1 색 발광영역(PXA-R, 도 5a 참조), 제2 색 발광영역(PXA-G, 도 5a 참조), 및 제3 색 발광영역(PXA-B, 도 5a 참조)에 대응하는 제1 색 개구부, 제2 색 개구부, 및 제3 색 개구부가 정의된다. 화소 정의막(PDL)이 미-배치된 경우 발광영역(PXA)은 제1 전극(AE)과 동일하게 정의될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 엣지와 제2 전극(CE) 사이의 거리를 증가시킬 수 있다. 따라서, 화소 정의막(PDL)에 의해 제1 전극(AE)의 엣지에서 아크가 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 발광소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층(141), 유기층(142), 및 무기층(143)을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(141, 143)은 수분 및 산소로부터 발광소자층(130)을 보호하고, 유기층(142)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들(141, 143)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(142)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서(200)의 단면도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서(200)의 평면도이다. 도 6c는 도 6b의 일부 영역(AA)을 확대하여 도시한 평면도이다.
입력센서(200)는 표시패널(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력센서(200)는 제1 절연층(200-IL1, 또는 베이스 절연층), 제1 도전 패턴층(200-CL1), 제2 절연층(200-IL2, 또는 중간 절연층), 제2 도전 패턴층(200-CL2), 및 제3 절연층(200-IL3, 또는 커버 절연층)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(200-IL1)은 봉지층(140) 상에 직접 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 및/또는 제3 절연층(200-IL3)은 생략될 수 있다. 제1 절연층(200-IL1)이 생략될 때, 봉지층(140)의 최상측의 절연층 상에 제1 도전 패턴층(200-CL1)이 직접 배치될 수 있다. 제3 절연층(200-IL3)은 접착층 또는 입력센서(200) 상에 배치되는 반사 방지부재(300)의 절연층으로 대체될 수도 있다.
제1 도전 패턴층(200-CL1)은 제1 도전패턴을 포함하고, 및 제2 도전 패턴층(200-CL2)은 제2 도전패턴을 포함할 수 있다. 제1 도전패턴과 제2 도전패턴 각각은 규칙적으로 배열된 패턴들을 포함할 수 있다. 이하, 제1 도전 패턴층(200-CL1)과 제1 도전패턴은 동일한 도면 부호로 지칭되고, 제2 도전 패턴층(200-CL2)과 제2 도전패턴은 동일한 도면 부호로 지칭된다.
도 6a를 참조하면, 제1 도전패턴과 제2 도전패턴은 비발광영역(NPXA)에 중첩한다. 제1 도전패턴에는 발광영역(PXA)에 대응하는 개구부(IS-OP)가 정의될 수 있다.
제1 도전패턴(200-CL1) 및 제2 도전패턴(200-CL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향축(DR3)을 따라 적층된 다층구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전패턴은 투명 도전층들과 금속층들 중 적어도 2이상을 포함할 수 있다. 다층구조의 도전패턴은 서로 다른 금속을 포함하는 금속층들을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3) 각각은 무기층 또는 유기층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3)은 무기층을 포함할 수 있다. 무기층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3) 중 적어도 하나는 유기층일 수 있다. 예컨대, 제3 절연층(200-IL3)이 유기층을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 입력센서(200)는 감지영역(200A) 및 감지영역(200A)에 인접한 비-감지영역(200NA)을 포함한다. 감지영역(200A) 및 비-감지영역(200NA)은 도 1에 도시된 표시영역(1000A) 및 주변영역(1000N)에 각각 대응한다.
입력센서(200)는 감지영역(200A)에 배치되고, 서로 절연 교차하는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)을 포함한다. 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이에 형성된 상호 커패시턴스의 변화량을 산출하여 외부 입력을 검출할 수 있다.
입력센서(200)는 비-감지영역(200NA)에 배치되고, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)에 전기적으로 연결된 제1 신호라인들(SL1) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)에 전기적으로 연결된 제2 신호라인들(SL2)을 포함한다. 도 6a를 참조하여 설명한 제1 도전패턴(200-CL1)과 제2 도전패턴(200-CL2) 각각 또는 제1 도전패턴(200-CL1)과 제2 도전패턴(200-CL2)의 조합으로써 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5), 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4), 제1 신호라인들(SL1), 및 제2 신호라인들(SL2)이 정의될 수 있다.
제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 서로 교차하는 복수 개의 도전성 라인들을 포함할 수 있다. 복수 개의 도전성 라인들이 복수 개의 개구부들을 정의하고, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 복수 개의 개구부들 각각은 도 6a에 도시된 개구부(IS-OP)와 같이 정의될 수 있다.
제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 어느 하나는 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서 일체의 형상을 갖는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)이 예시적으로 되었다. 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)은 감지부분들(SP1)과 중간부분들(CP1)을 포함할 수 있다. 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)에 대응할 수 있다.
제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 감지패턴들(SP2)과 브릿지 패턴들(CP2, 또는 연결 패턴들)을 포함할 수 있다. 인접하는 2개의 감지패턴들(SP2)은 제2 절연층(200-IL2, 도 6a 참고)을 관통하는 컨택홀(CH-I)을 통해 2개의 브릿지 패턴들(CP2)로 연결될 수 있으나, 브릿지 패턴들의 개수는 제한되지 않는다. 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 감지패턴들(SP2)에 대응할 수 있다. 상술한 제1 도전패턴(200-CL1)의 일부가 브릿지 패턴들(CP2)에 대응할 수 있다.
본 실시예에서 도 6a에 도시된 제1 도전패턴(200-CL1)로부터 브릿지 패턴들(CP2)이 형성되고, 제2 도전패턴(200-CL2)으로부터 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 감지패턴들(SP2)이 형성되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않는다. 도 6a에 도시된 제1 도전패턴(200-CL1)으로부터 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 감지패턴들(SP2)이 형성되고, 제2 도전패턴(200-CL2)으로부터 브릿지 패턴들(CP2)이 형성될 수 도 있다.
제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2) 중 어느 하나는 외부 회로로부터 외부 입력을 감지하기 위한 송신신호를 전달하고, 다른 하나는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이의 정전용량 변화를 수신신호로써 외부 회로에 전달한다.
상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2)에 대응할 수 있다. 제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2)은 복층 구조를 가질 수 있고, 상술한 제1 도전패턴(200-CL1)로부터 형성된 제1 층 라인과 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)로부터 형성된 제2 층 라인을 포함할 수도 있다. 제1 층 라인과 제2 층 라인은 제2 절연층(200-IL2, 도 3 참고)을 관통하는 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.
도 6c는 도 6b에 도시된 메쉬 형상을 갖는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)을 설명하기 위해 감지패턴(SP2)을 예시적으로 확대 도시하였다. 미-도시된 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)의 다른 부분들 역시 도 6c에 도시된 감지패턴들(SP2)과 동일한 형상을 가질 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)의 경계에서 도 6c에 도시된 도전성 라인(CL1, CL2)의 단선 영역이 정의될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 감지패턴(SP2)에는 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들(PIS-OPR, IS-OPG, IS-OPB)이 정의된다. 감지패턴(SP2)은 비발광영역(NPXA)에 중첩하며 제1 사선방향(CDR1)으로 연장된 제1 라인들(CL1)과 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된
제2 라인들(CL2)을 포함한다. 제1 라인들(CL1)과 제2 라인들(CL2)을 교차하며 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들(PIS-OPR, IS-OPG, IS-OPB)을 정의한다. 그에 따라 감지패턴(SP2)은 격자 형상 또는 메쉬 형상을 갖는다. 다만, 제1 라인들(CL1) 각각은 제1 사선방향(CDR1) 내에서 완전한 직선 형상이 아니고 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함한다. 제2 라인들(CL2) 역시 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함한다.
감지패턴(SP2)은 제1, 제2, 및 제3 개구부들(IS-OPR, IS-OPG, IS-OPB) 각각을 중심으로 제2 사선방향(CDR2)에서 마주하는 제1 라인 영역(LA1) 및 제2 라인 영역(LA2) 및 제1 사선방향(CDR1)에서 마주하는 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)을 포함한다. 제1 라인 영역(LA1)과 제2 라인 영역(LA2)은 제1 라인들(CL1)의 일부분일 수 있고, 제3 라인 영역(LA3)과 제4 라인 영역(LA4)은 제2 라인들(CL2)의 일부분일 수 있다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 균일한 선폭을 갖는 영역일 수 있다.
제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)은 제1 엣지(E1), 제2 엣지(E2), 제3 엣지(E3), 및 제4 엣지(E4)에 각각 인접하게 배치된다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)은 제1 엣지(E1), 제2 엣지(E2), 제3 엣지(E3), 및 제4 엣지(E4)에 각각 평행하게 배치될 수 있다.
본 실시예에서 대응하는 라인영역과 엣지 사이의 간격이 일정한 감지패턴(SP2)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각이 제1, 제2, 및 제3 개구부들(IS-OPR, IS-OPG, IS-OPB) 중 대응하는 개구부와 서로 다른 형상을 갖는 경우, 라인영역과 엣지 사이의 간격이 일정하지 않을 수도 있다.
인접한 라인 영역들 사이에 교차영역(CA)이 배치된다. 교차영역(CA)은 적어도 인접한 라인 영역보다 큰 선폭을 갖는다. 제1 라인 영역(LA1)의 선폭과 제1 라인 영역(LA1) 및 제3 라인 영역(LA3) 사이에 정의된 교차영역(CA)의 선폭을 비교하면 알 수 있다.
도 7a는 소스광의 방사 경로를 도시한 단면도이다. 도 7b는 시야각에 따른 광 세기의 변화량을 도시한 그래프이다.
도 7a는 도 6a에 도시된 표시장치(DD)를 간략히 도시하였다. 발광소자(LD)에서 생성된 소스광은 표시장치(DD)의 전면으로 방사된다. 도전패턴(CP)은 소스광을 차단하는 차광패턴에 해당할 수 있다. 도전패턴(CP)의 블록킹에 의해 소스광의 발광 형상이 방사 형상(radial shape)으로부터 변형될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 제1 그래프(GP10) 및 제2 그래프(GP20)는 시야각에 따른 광 세기 변화량을 나타낸다. 제1 그래프(GP10)는 도 7a의 도전패턴(CP)이 생략된 상태에서 측정되었고, 제2 그래프(GP20)는 도전패턴(CP)이 배치된 상태에서 측정되었다. 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 측정지점과 광원 지점 사이에 배치된 도전패턴(CP)은 소스광에 대해 차광패턴에 해당할 수 있다. 대체적으로는 시야각이 증가할수록 차광효과가 증가한다.
본 발명에 따르면, 도 7a 및 도 7b에서 설명한 도전패턴(CP)의 차광기능을 이용하여 도 4를 참조하여 설명한 백색 파장 변이 또는 와드를 감소시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 8a 이하를 참조한다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광영역(PXA-R. PXA-G, PXA-B)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 색 발광영역(PXA-R)과 감지전극(SE)의 거리에 따른 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 8a에 도시된 감지전극(SE)은 도 6c에 도시된 감지전극(SP2)의 일부분일 수 있고, 도 6c에 대비 상세히 도시하였다. 이하, 도 6c에서 설명된 구성들과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8a에 도시된 화살표는 도 4에서 설명된 와드가 측정된 측정지점에서 감지전극(SE)을 바라본 방향을 의미한다. 본 실시예에서 와드가 측정된 측정지점은 도 4에서 설명한 것과 같이, 제3 방위각(Φ30) 및 제5 시야각(θ5)을 가질 수 있다. 또한, 붉은 백색 이미지(reddish white image)가 측정된 것으로 설명된다.
감지전극(SE)은 제1 개구부(IS-OPR)를 정의하는 제1 도전성 라인(CL-R), 제2 개구부(IS-OPG)를 정의하는 제2 도전성 라인(CL-G), 및 제3 개구부(IS-OPB)를 정의하는 제3 도전성 라인(CL-B)을 포함할 수 있다. 제1 도전성 라인(CL-R), 제2 도전성 라인(CL-G), 및 제3 도전성 라인(CL-B) 각각은 앞서 설명한 2개의 제1 라인들(CL1, 도 6c 참조)과 2개의 제2 라인들(CL2, 도 6c 참조)의 조합으로 형성된다.
제1 도전성 라인(CL-R), 제2 도전성 라인(CL-G), 및 제3 도전성 라인(CL-B) 각각은 도 6c를 참조하여 설명한 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)에 대응하는 제1 영역(LA1), 제2 영역(LA2), 제3 영역(LA3), 및 제4 영역(LA4)을 포함한다. 제1 내지 제4 라인 영역(LA1 내지 LA4)와 제1 내지 제4 영역(LA1 내지 LA4) 중 대응하는 영역들은 서로 동일한 도면부호를 참조한다.
대응하는 발광영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 대응하는 라인 영역(LA1, LA2) 사이의 거리는 약 15 마이크로미터 내지 20 마이크로미터일 수 있다. 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)는 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(A1) 및 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(A1)보다 작을 수 있다. 와드의 측정지점 방향으로 제1 색 광이 적게 제공되도록 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1)을 가까이 배치시킨다. 상기 거리들(A1, B1)은 도 6a에 도시된 거리(LR)와 같은 기준으로 측정될 수 있다. 즉, 도 6a에 도시된 거리(LR)와 같이, 발광영역(PXA)의 정의하는 화소 정의막(PDL)의 엣지(PDL-E)와 제2 도전 패턴층(200-CL2)에 포함된 도전패턴의 엣지 사이의 간격이 거리로 측정될 수 있다.
와드의 측정지점 방향과 수직인 방향으로 연장된 제1 영역(LA1)이 와드의 측정지점 방향으로 제1 색 광을 차광한다. 와드의 측정지점이 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)으로 정의될 때, 수직방향은 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)과 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°)을 연결한 방향일 수 있다.
제1 도전성 라인(CL-R)의 제1 영역(LA1)의 선폭(WB)은 제2 도전성 라인(CL-G) 및 제3 도전성 라인(CL-B)의 제1 영역(LA1)의 선폭(WA)보다 클 수 있다. 제1 도전성 라인(CL-R)의 제1 영역(LA1)의 선폭(WB)은 제1 도전성 라인(CL-R)의 제2 영역 내지 제4 영역(LA2 내지 LA4)의 선폭(WA)보다 클 수 있다. 제2 도전성 라인(CL-G) 및 제3 도전성 라인(CL-B)은 제1 내지 제4 영역들(LA1 내지 LA4)에 무관하게 동일한 선폭(WA)을 가질 수 있다.
본 실시예에서 특정 방향으로의 차광효율을 증가시키기 위해 특정 영역의 선폭을 더 증가시키는 것을 예시적으로 설명하였으나. 특정 방향으로의 차광효율을 증가시키기 위해 특정 영역의 선 두께를 증가시킬 수도 있다.
와드의 측정지점을 향하여 레드의 소스광이 적게 제공되면, 도 4를 참조하여 설명한 색좌표(u')의 변화량(Δu')이 감소되어 와드 현상이 감소될 수 있다.
도 8b에는 5개의 시뮬레이션 결과를 도시하였다. 제1 그래프(GP100)와 제2 그래프(GP200)는 도 8a와 다르게 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리, 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리 및 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리가 동일한 조건에서 측정되었다. 제1 그래프(GP100)는 제1 방위각(Φ100)에서 측정되었고, 제2 그래프(GP200)는 제2 방위각(Φ200)에서 측정되었다. 제2 방위각(Φ200)은 제1 방위각(Φ100)보다 45°도 크다. 제1 방위각(Φ100)은 도 4의 제2 방위각(Φ20)과 동일할 수 있고, 제2 방위각(Φ200)은 도 4의 제3 방위각(Φ30)과 동일할 수 있다.제3 내지 제5 그래프(GP301 내지 GP303)는 도 8a에 도시된 표시장치의 색좌표 변화량을 나타낸다. 제4 그래프(GP302)는 제3 그래프(GP301) 대비 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)가 1마이크로미터 더 작은 조건에서 측정되었고, 제5 그래프(GP303)는 제4 그래프(GP302) 대비 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)가 1마이크로미터 더 작은 조건에서 측정되었다. 제3 그래프(GP301) 내지 제5 그래프(GP303)는 제2 방위각(Φ200)에서 측정되었다.
4개 측정지점들(P1 내지 P4)은 서로 다른 시야각(θ)을 갖는다. 제1 지점에서 제4 지점으로 갈수록 시야각(θ)이 증가된다.
제3 내지 제5 그래프(GP301 내지 GP303)를 참조하면, 가장 시야각이 큰 제4 지점(P4)에서 측정된 색좌표 변화량(Δu', Δv')의 좌표는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)가 가까워질수록 좌측으로 변화되는 것을 알 수 있다. 제1 색 발광영역(PXA-R, 도 8a 참조)과 제1 영역(LA1, 도 8a 참조)이 가까울수록 제1 영역(LA1)의 차광효율은 커지기 때문이다.
제5 그래프(GP303)의 제4 측정지점(P4)의 색좌표 변화량(Δu', Δv')의 좌표는 붉은 백색 영역을 벗어나 제1 측정지점(P1)의 색좌표 변화량(Δu', Δv')의 좌표에 가까워진 것을 알 수 있다. 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)가 가까워질수록 차광효과가 증가하여 색좌표 변화량이 감소된 것이다.
다시, 도 8a를 참조하면 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)보다 작다. 그에 비해 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(A1)는 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)는 서로 동일하고, 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(A1)는 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)는 서로 동일할 수 있다. 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)는 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1) 및 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)와 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 색 발광영역(PXA-G)과 제3 색 발광영역(PXA-B) 각각으로부터 서로 다른 4개의 방향들 또는 방위각이 서로 다른 4개의 지점들을 향하여 실질적으로 균일한 세기의 소스광이 제공될 수 있다. 4개의 지점들 중 인접한 2개 지점들 사이에 90°의 방위각 차이를 갖는다. 4개의 지점들은 제1 영역(LA1)에 인접한 제1 지점(r1, Θ1, Φ1), 제2 영역(LA2)에 인접한 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°), 제3 영역(LA3)에 인접한 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°), 및 제4 영역(LA4) 에 인접한 제4 지점(r1, Θ1, Φ1+90°)을 포함할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 이하, 도 6a 내지 도 8b를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 9a에는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 대표하여 제1 색 발광영역(PXA-R)이 도시되었다. 제1 색 발광영역(PXA-R)은 원형상 또는 타원형상을 가질 수 있다.
제1 영역(LA1)과 제1 색 발광영역(PXA-R) 사이의 간격이 불균일할 수 있다. 제2 영역(LA2), 제3 영역(LA3), 및 제4 영역(LA4) 각각은 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 거리가 불균일할 수 있다.
제1 영역(LA1), 제2 영역(LA2), 제3 영역(LA3), 및 제4 영역(LA4)과 제1 색 발광영역(PXA-R) 사이의 거리는 최단거리로 측정될 수 있다. 제1 영역(LA1)과 제1 색 발광영역(PXA-R) 사이의 거리는 다른 영역들과 제1 색 발광영역(PXA-R) 사이의 거리 대비 작을 수 있다.
도 9b에는 와드의 측정지점이 상이한 실시예를 도시하였다. (r, 60°, 90°)의 지점에서 붉은 백색 이미지(reddish white image)가 측정된 예를 도시하였다. 본 실시예에 따르면, 90°의 방위각으로 레드의 소스광이 적게 제공하기 위해 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제1 영역(LA1) 사이의 거리(B1)와 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제3 영역(LA3) 사이의 거리(B1)는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제2 영역(LA2) 사이의 거리(A1)와 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(B1) 대비 작을 수 있다.
도 9a의 실시예에서 와드의 측정지점에 대하여 가장 인접한 1개의 라인 영역이 존재한 것과 다르게 도 9b의 실시예에서는 와드의 측정지점에 대하여 동일한 조건을 갖는 2개의 영역이 존재한다. 와드를 감소시키기 위해 제1 영역(LA1)과 제3 영역(LA3)을 모두 제1 색 발광영역(PXA-R)에 더 근접하게 배치시킨 것이다.
도 9c를 참조하면, 2개 이상의 지점에서 와드가 측정될 수 있다. 본 실시예에서 2개의 와드 측정지점이 화살표로 도시되었다. 제1 측정지점은 도 8a의 측정지점과 동일할 수 있다.
제2 측정지점에 근거하여 감지전극(SE)의 설계를 변경할 수 있다. 제2 색 발광영역(PXA-G) 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 중 어느 하나와 제2 내지 제4 영역(LA2 내지 LA4) 중 어느 하나 사이의 거리는 제2 색 발광영역(PXA-G) 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 중 다른 하나와 상기 어느 하나 사이의 거리보다 작을 수 있다. 또한, 제2 색 발광영역(PXA-G) 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 중 상기 어느 하나와 제2 내지 제4 영역(LA2 내지 LA4) 중 상기 어느 하나 사이의 거리는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 상기 어느 하나의 영역 사이의 거리보다 작을 수 있다.
이하, (r, 60°, 225°)의 좌표를 갖는 제2 측정지점에서 푸른 백색 이미지(bluish white image)가 측정된 것을 예시적으로 설명한다. 제2 측정지점에서 발생되는 와드를 방지하기 위해 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(C1)는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(A1) 및 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(A1)보다 작을 수 있다. 제2 측정지점을 향하여 제3 색 광이 적게 제공되도록 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제4 영역(LA4)을 가까이 배치시킨다. 제3 색 발광영역(PXA-B)에 인접한 제4 영역(LA4) 사이의 선폭(WC)은 제3 색 발광영역(PXA-B)에 인접한 제1 영역(LA3) 내지 제3 영역(LA3)의 선폭(WA)보다 클 수 있다.
제3 색 발광영역(PXA-B)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(A1)는 제3 색 발광영역(PXA-B)과 제3 영역(LA3) 사이의 거리(A1)보다 작다. 그에 비해 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(A1)는 제2 색 발광영역(PXA-G)과 제3 라인 영역(LA3) 사이의 거리(A1)는 서로 동일하고, 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제4 영역(LA4) 사이의 거리(A1)는 제1 색 발광영역(PXA-R)과 제3 영역(LA3) 사이의 거리(A1)는 서로 동일할 수 있다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서(200)의 평면도이다. 도 10b는 도10a에 도시된 센싱유닛(SU)의 확대된 평면도이다.
이하, 도 4에 도시된 입력센서(200)와 다른 실시예에 따른 입력센서(200)를 상세히 설명한다. 다만, 도 4를 참조하여 설명한 입력센서(200)와 동일한 구성에 대한 중복되는 설명은 생략한다. 이하에서 설명되는 입력센서(200)에도 도 8a 내지 도 9c를 참조하여 설명한 감지전극의 구조 및 특징이 동일하게 적용될 수 있고, 상술한 와드 감소효과는 동일하게 발생할 수 있다.
도 10a에 도시된 입력센서(200)는 도 4에 도시된 입력센서(200)와 아래의 구성이 다르게 도시되었다. 도 10a를 참조하면, 6개의 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)이 예시적으로 도시되었다. 제1 신호라인들(SL1) 중 제1 그룹(SL1-1)은 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6) 중 일부의 제1 전극들의 일측에 각각 연결된다. 제1 신호라인들(SL1) 중 제2 그룹(SL1-2)은 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6) 중 남은 일부의 제1 전극들의 타측에 각각 연결된다. 제2 신호라인들(SL2) 중 제1 그룹(SL2-1)은 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 일부의 제2 전극들의 일측에 각각 연결된다. 제2 신호라인들(SL2) 중 제2 그룹(SL2-2)은 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 남은 일부의 제1 전극들의 일측에 각각 연결된다. 제1 신호라인들(SL1)의 제1 그룹(SL1-1)과 제2 신호라인들(SL2)의 제1 그룹(SL2-1)이 정렬되고, 제1 신호라인들(SL1)의 제2 그룹(SL1-2)과 제2 신호라인들(SL2)의 제2 그룹(SL2-2)이 정렬된다.
본 실시예에 따르면, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6) 각각은 감지패턴들(SP1)과 브릿지 패턴들(CP1)을 포함한다. 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 일체형상의 감지부분들(SP2)과 중간부분들(CP2)을 포함할 수 있다. 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 다시말해, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 교차하여 메쉬를 형성하는 복수 개의 도전성 라인들을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 감지영역(200A)은 복수 개의 센싱유닛들(SU)을 포함할 수 있다. 감지영역(200A) 전체가 복수 개의 센싱유닛들(SU)로 구분되거나, 감지영역(200A) 중 일부의 영역이 복수 개의 센싱유닛들(SU)로 구분될 수 있다.
센싱유닛들(SU) 각각은 서로 동일한 면적을 가질 수 있다. 본 실시예에 따르며, 센싱유닛들(SU) 각각은 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)의 교차영역 중 대응하는 교차영역을 포함한다.
센싱유닛들(SU) 각각은 브릿지 패턴(CP1)을 사이에 두고 배치된 절반의 감지패턴(SP1) 및 또 다른 절반의 감지패턴(SP1)를 포함할 수 있고, 중간부분(CP2)를 사이에 두고 배치된 절반의 감지부분(SP2) 및 또 다른 절반의 감지부분(SP2)을 포함할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 감지부분들(SP2) 각각은 연장 부분들(SP2a, SP2b) 및 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)을 포함할 수 있다. 연장 부분들(SP2a, SP2b)은 제1 방향(DR1)을 따라 나란히 연장된 제1 연장 부분(SP2a) 및 제1 연장 부분(SP2a)으로부터 꺾여서 제2 더미 패턴(DUP2)을 사이에 두고 연장되는 제2 연장 부분들(SP2b)을 포함할 수 있다. 한편, 이에 한정되지 않고, 일 실시예의 제2 더미 패턴(DUP2)은 제2 연장 부분들(SP2b) 사이에 배치되지 않을 수 있고, 제2 연장 부분(SP2b)은 제1 연장 부분(SP2a)과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.
가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4) 각각은 중간부분(CP2)를 사이에 두고 중간부분(CP2)로부터 멀어지는 방향을 따라 연장될 수 있다. 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)은 제1 내지 제4 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)을 포함할 수 있다. 제1 가지 부분(SP2c1) 및 제3 가지 부분(SP2c3)은 제1 교차 방향(DRa)을 따라 연장될 수 있고, 제2 가지 부분(SP2c2) 및 제4 가지 부분(SP2c4)은 제2 교차 방향(DRb)을 따라 연장될 수 있다. 제1 교차 방향(DRa)은 도 6c에 도시된 제2 사선방향(CDR2)과 평행하거나 예각의 사이각이 이들 사이에 정의될 수 있다. 제2 교차 방향(DRb)은 도 6c에 도시된 제1 사선방향(CDR1)과 평행하거나 예각의 사이각이 이들 사이에 정의될 수 있다.
제1 교차 방향(DRa)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 교차하는 방향으로 정의할 수 있다. 제2 교차 방향(DRb)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 교차함과 동시에 제1 교차 방향(DRa)에 직교하는 방향으로 정의할 수 있다. 제1 교차 방향(DRa) 및 제2 교차 방향(DRb) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면 상에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이의 대각 방향에 대응될 수 있다.
제1 내지 제4 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)은 서로 대향되는 방향으로 멀어질 수 있다. 예를 들어, 제1 가지 부분(SP2c1)은 제2 방향(DR2)에서 제2 가지 부분(SP2c2)과 멀어질 수 있고, 제1 방향(DR1)에서 제3 가지 부분(SP2c3)과 멀어질 수 있다. 제1 가지 부분(SP2c1)은 제1 교차 방향(DRa)에서 중간부분(CP2)을 사이에 두고, 제4 가지 부분(SP2c4)과 서로 멀어질 수 있다.
중간부분(CP2)은 감지패턴들(SP1)의 제2 방향(DR2)에서 서로를 향해 돌출된 부분들 사이에 배치될 수 있다. 중간부분(CP2)은 감지부분들(SP2)의 제1 연장 부분들(SP2a) 사이를 연결할 수 있다. 중간부분(CP2)은 제1 연장 부분들(SP2a)과 동일 층 상에서 일체로 형성될 수 있다.
감지패턴들(SP1) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 제1 부분(SP1b) 및 제1 부분(SP1b)으로부터 연장되며, 감지부분들(SP2)의 일 부분을 둘러싸는 제2 부분(SP1a)을 포함할 수 있다. 감지패턴들(SP1)의 제2 부분(SP1a)은 인접하게 배치된 감지부분(SP2)의 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)을 둘러쌀 수 있다. 도 10b를 참조하면, 센싱유닛(SU) 내에서 좌측에 배치된 감지패턴(SP1)의 제2 부분(SP1a)은 제1 및 제3 가지 부분들(SP2c1, SP2c3)을 둘러쌀 수 있고, 우측에 배치된 감지패턴(SP1)의 제2 부분(SP1a)은 제2 및 제4 가지 부분들(SP2c2, SP2c4)을 둘러쌀 수 있다.
감지패턴들(SP1)의 제1 부분들(SP1b)은 제2 방향(DR2)에서 중간부분(CP2)을 사이에 이격될 수 있다. 브릿지 패턴(CP1)은 이격된 감지패턴들(SP1)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 도 10b는 센싱유닛(SU)내에 배치된 2개의 브릿지 패턴들(CP1)을 도시하였다. 그러나, 센싱유닛(SU) 내에 배치되는 브릿지 패턴들(CP1)의 개수는 이에 한정되지 않고, 더 적거나, 더 많을 수 있다.
도 10b에 도시된 것처럼, 브릿지 패턴들(CP1)은 평면 상에서 각각 "∧" 또는 "∨"의 굽은선 형태를 가질 수 있다. 굽은선 형태를 갖는 브릿지 패턴들(CP1)은 감지부분들(SP2)에 중첩할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 브릿지 패턴들(CP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 직선 라인의 형태를 가질 수 있고, 평면 상에서 중간부분(CP2)에 중첩할 수 있다.
더미 패턴들(DUP) 각각은 전기적으로 플로팅된 패턴들일 수 있다. 더미 패턴들(DUP) 각각은 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)과 절연된 패턴들일 수 있다. 더미 패턴들(DUP)은 배치 위치에 따라 제1 내지 제4 더미 패턴들(DUP1 내지 DUP4)을 포함할 수 있다.
제1 더미 패턴들(DUP1)은 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지 전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 더미 패턴들(DUP1)은 제1 센서부분들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 10b에 도시된 것처럼, 제1 더미 패턴들(DUP1)은 제1 센서부분들(SP1)의 제2 부분들(SP1a)과 감지부분들(SP2)의 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4) 사이에 배치되어 가지 부분들(SP2c1 내지 SP2c4)을 둘러쌀 수 있다.
제1 더미 패턴들(DUP1)이 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이에 배치됨에 따라, 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이의 상호 정전용량은 감소될 수 있다. 그러나, 제1 더미 패턴들(DUP1)이 배치되더라도 터치 이벤트 발생에 의한 상호 정전용량 변화량은 크게 감소되지 않을 수 있다. 따라서, 제1 더미 패턴들(DUP1)에 의해 (상호 정전용량의 변화량)/(상호 정전용량) 값이 증가될 수 있다.
이에 따라, 제1 더미 패턴들(DUP1)에 의해 특정 환경에서 발생하는 고스트 터치 현상이 감소될 수 있다. 고스트 터치란 실제 터치 이벤트에 의해 발생된 신호가 아닌 노이즈 신호가 증폭되어 터치로 인식되는 현상을 의미한다. 예를 들어, 저온 상태에서 감지 영역의 일부 영역이 터치 이벤트 등의 동작에 의해 온도가 상승되고, 감지 영역전체가 턴-온 되었을 때, 감지 영역 내에 터치 이벤트가 발생되지 않은 영역에서 터치가 발생된 것처럼 동작할 수 있다. 그러나, 제1 더미 패턴들(DUP1)에 의해 고스트 터치 현상이 감소될 수 있고, 입력 감지 센서(200)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 더미 패턴들(DUP1)에 의해 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이의 간격이 증가될 수 있고, 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2)이 서로 단락 될 확률이 감소될 수 있다. 예를 들어, 제1 더미 패턴들(DUP1)이 배치되지 않는 경우, 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이의 간격은 약 4㎛ 내지 5 ㎛의 스케일이었다면, 제1 더미 패턴들(DUP1)이 배치되는 경우, 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2) 사이의 간격은 약 70㎛ 이상의 스케일로 증가할 수 있다. 따라서, 제1 더미 패턴들(DUP1)이 배치된 영역에서는 약 70㎛ 이상의 이물 또는 잔사가 발생해야 감지패턴들(SP1)과 감지부분들(SP2)이 단락 될 수 있다.
제1 더미 패턴들(DUP1)은 서로 전기적으로 절연된 복수의 패턴들을 포함할 수 있다. 복수의 패턴들의 크기는 상호 정전용량 및 시인성을 고려하여 센싱유닛(SU)에 따라 달라질 수 있다. 그러나 제1 더미 패턴들(DUP1)의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 더미 패턴들(DUP2)은 상술한 감지부분(SP2)의 제2 연장 부분(SP2b)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제3 더미 패턴들(DUP3)은 감지패턴(SP1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제4 더미 패턴들(DUP4)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 제1 감지 전극들(E1-1 내지 E1-6) 사이에 배치될 수 있다. 한편, 일 실시예에 따라 제1 내지 제4 더미 패턴들(DUP1 내지 DUP4) 중 적어도 일부는 생략될 수 있다.
도 11을 참조하면, self-cap 방식으로 구동되는 단층의 도전층을 포함하는 입력센서(200)가 도시되었다. 이하에서 설명되는 입력센서(200)에도 도 8a 내지 도 9c를 참조하여 설명한 감지전극의 구조 및 특징이 동일하게 적용될 수 있고, 상술한 와드 감소효과는 동일하게 발생할 수 있다.
입력센서(200)는 복수 개의 감지전극들(SE) 및 복수 개의 신호라인들(SL)을 포함할 수 있다. 감지전극들(SE)은 고유의 좌표정보를 갖는다. 예컨대, 감지전극들(SE)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 신호라인들(SL)에 각각 연결된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범상에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범상에 의해 정하여져야만 할 것이다.
표시패널 100
발광영역 LA
비발광영역 NLA
제1 도전패턴 200-CL1
절연층 200-IL2, 200-IL3
입력센서 200
차광패턴 310
윈도우 400
차광패턴의 엣지 310-E
제1 도전패턴의 엣지 200-E
제2 도전패턴 200-CL2
컬러필터 320
베이스 절연층 200-IL1
제1 도전층, 제2 도전층, 제3 도전층 CL1, CL2, CL3

Claims (20)

  1. 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들과 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함하는 표시패널; 및
    상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들이 정의되고 상기 비발광영역에 중첩하는 감지전극을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함하고,
    상기 감지전극은 상기 제1, 제2, 및 제3 개구부들 각각을 중심으로 제1 방향에서 마주하는 제1 라인 영역 및 제2 라인 영역 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 마주하는 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역을 포함하고,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리보다 작은 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제1 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일하고,
    상기 제2 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제2 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일하고,
    상기 제3 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리와 상기 제3 색 발광영역과 상기 제4 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일한 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리, 상기 제2 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리, 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일한 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리보다 작고,
    상기 제2 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리와 상기 제2 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일하고,
    상기 제3 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리와 상기 제3 색 발광영역과 상기 제2 라인 영역 사이의 거리는 서로 동일한 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역 및 상기 제2 라인 영역은 상기 제2 방향으로 연장되고,
    상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭은 상기 제2 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭 및 상기 제3 색 발광영역에 인접한 상기 제3 라인 영역의 선폭보다 큰 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제3 라인 영역 및 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 방향으로 연장되고,
    상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 선폭은 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제3 라인 영역의 선폭 및 상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제4 라인 영역의 선폭보다 큰 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 발광영역들 각각은 상기 제1 방향에서 마주하는 제1 엣지 및 제2 엣지 및 상기 제2 방향에서 마주하는 제3 엣지와 제4 엣지를 포함하는 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 표시패널에 구면 좌표계가 정의되고,
    상기 표시패널에서 표시된 백색이미지는 상기 구면 좌표계의 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에서 상기 제1 색으로 시프트된 백색이미지로 측정되고,
    상기 제1 지점은 상기 제2 라인 영역보다 상기 제1 라인 영역에 더 인접한 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리 및 상기 제3 색 발광영역과 상기 제3 라인 영역 사이의 거리보다 작은 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 어느 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 어느 하나 사이의 거리는 상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 다른 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리의 거리보다 작고,
    상기 제2 색 발광영역 및 상기 제3 색 발광영역 중 상기 어느 하나와 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리는 상기 제1 색 발광영역과 상기 제2 내지 제4 영역 중 상기 어느 하나 사이의 거리보다 작은 표시장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역과 상기 제1 라인 영역 사이의 거리는 15 마이크로미터 내지 20 마이크로미터인 표시장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 입력센서 상에 배치된 광학필름을 더 포함하고,
    상기 광학필름은 편광필름 및 리타더필름을 포함하는 표시장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역, 상기 제2 색 발광영역, 및 제3 색 발광영역 각각은 복수 개 제공되고,
    상기 복수 개의 제1 색 발광영역들 및 상기 복수 개의 제3 색 발광영역들은 제1 행을 정의하고,
    상기 복수 개의 제2 색 발광영역들은 제2 행을 정의하고,
    상기 제1 행 내에서 상기 복수 개의 제1 색 발광영역들 및 상기 복수 개의 제3 색 발광영역들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향을 따라 교번하게 배치된 표시장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 개구부들이 정의된 화소 정의막을 더 포함하는 표시장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께는 상기 제2 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께 및 상기 제3 색 발광영역에 인접한 상기 제1 라인 영역의 두께보다 큰 표시장치.
  16. 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들과 상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함하는 표시패널; 및
    상기 제1 색, 제2 색, 및 제3 색 발광영역들에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들이 정의된 감지전극을 포함하고, 상기 표시패널 상에 배치된 입력센서를 포함하고,
    상기 감지전극은 상기 비발광영역에 중첩하며 상기 제1 개구부를 정의하는 제1 도전성 라인, 상기 제2 개구부를 정의하는 제2 도전성 라인, 및 상기 제3 개구부를 정의하는 제3 도전성 라인을 포함하고,
    구면 좌표계의 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제1 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 구면 좌표계의 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제1 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리보다 작고,
    상기 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제2 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제2 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제2 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제2 색 발광영역 사이의 거리와 동일하고,
    상기 제1 지점(r1, Θ1, Φ1)에 인접한 상기 제3 도전성 라인의 제1 영역과 상기 제3 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제2 지점(r1, Θ1, Φ1+180°)에 인접한 상기 제3 도전성 라인의 제2 영역과 상기 제3 색 발광영역 사이의 거리와 동일한 표시장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 라인은 상기 구면 좌표계의 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°)에 인접한 제3 영역과 상기 구면 좌표계의 제4 지점(r1, Θ1, Φ1+90°)에 인접한 제4 영역을 더 포함하고,
    상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역과 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역 사이에 상기 제3 영역과 상기 제4 영역이 배치되고,
    상기 제1 도전성 라인의 제3 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제1 도전성 라인의 제4 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리와 동일한 표시장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리는 상기 제1 도전성 라인의 상기 제3 영역과 상기 제1 색 발광영역 사이의 거리와 동일한 표시장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역은 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역보다 큰 선폭을 갖는 표시장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 라인의 상기 제1 영역 및 상기 제1 도전성 라인의 상기 제2 영역 각각은 상기 제3 지점(r1, Θ1, Φ1-90°)과 상기 제4 지점(r1, Θ1, Φ1+90°)을 연결하는 가상선과 평행한 표시장치.
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