CN218417159U - 显示装置 - Google Patents

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洪宗范
金建植
柳永浚
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示装置包括显示面板、输入传感器、防反射构件和窗。所述防反射构件包括光阻挡图案，所述光阻挡图案的边缘与所述输入传感器的第一导电图案的边缘之间的第一距离满足以下公式：
Figure DDA0003719708750000011
其中，L表示所述第一距离，T是设置在所述光阻挡图案的下侧的绝缘层的厚度，并且n1是折射率。所述厚度在所述光阻挡图案的所述边缘处测量。

Description

显示装置
技术领域
本公开在本文中涉及一种包括光阻挡图案的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括显示面板和输入传感器。外部光从显示装置的结构反射。反射光导致图像的可见度下降。显示装置还可以包括偏振板以减小外部光的反射。然而，偏振板使显示装置的图像的亮度降低。正在开发可以替代偏振板的防反射构件。
实用新型内容
本公开提供一种具有减少的外部光的反射量的显示装置。
根据本实用新型的实施例，一种显示装置包括：显示面板，包括发光区域和非发光区域；输入传感器，包括与所述非发光区域重叠并且在第一方向上延伸的第一导电图案和设置在所述第一导电图案上的绝缘层，所述输入传感器设置在所述显示面板上；防反射构件，包括光阻挡图案，所述光阻挡图案与所述第一导电图案重叠并且所述光阻挡图案设置在所述绝缘层上，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘间隔开第一距离；以及窗，设置在所述防反射构件上，所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在正交于所述第一方向的第二方向上的所述第一距离满足以下公式1：
【公式1】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000011
其中，L表示所述第一距离，T表示在所述光阻挡图案的所述边缘处测量的所述绝缘层的厚度，并且n1表示所述绝缘层的折射率。
根据本实用新型的实施例，一种显示装置可以包括：显示面板，包括设置在发光区域中的发光元件和与所述发光区域和与所述发光区域相邻的非发光区域重叠并且覆盖所述发光元件的封装层；输入传感器，包括设置在所述封装层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上并且在第一方向上延伸的第一导电图案、设置在所述第一导电图案上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上并且电连接到所述第一导电图案的第二导电图案、以及设置在所述第二导电图案上的第三绝缘层；防反射构件，包括光阻挡图案，所述光阻挡图案与所述第一导电图案和所述第二导电图案重叠并且设置在所述第三绝缘层上，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘在正交于所述第一方向的第二方向上间隔开第一距离；以及窗，设置在所述防反射构件上。所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在所述第二方向上的所述第一距离可以满足以下公式1至公式3中的每一者：
【公式1】
L≥L1+L2
【公式2】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000021
【公式3】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000022
其中，L表示所述第一距离，T1表示所述第二绝缘层的厚度，n1表示所述第二绝缘层的折射率，T2表示所述第三绝缘层的厚度，并且n2表示所述第三绝缘层的折射率。
根据本实用新型的实施例，一种显示装置包括：显示面板，包括发光区域和非发光区域；输入传感器，包括与所述非发光区域重叠并且在第一方向上延伸的第一导电图案和设置在所述第一导电图案上的绝缘层，所述输入传感器设置在所述显示面板上；光阻挡图案，与所述第一导电图案重叠并且设置在所述绝缘层上，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘间隔开第一距离；以及窗，设置在所述光阻挡图案上，所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在第二方向上的所述第一距离满足以下公式1，所述第二方向正交于第一方向：
【公式1】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000031
其中，L表示所述第一距离，T表示在所述光阻挡图案的所述边缘处测量的所述绝缘层的厚度，并且n1表示所述绝缘层的折射率。
根据本实用新型的实施例，一种显示装置可以包括：显示面板，包括设置在发光区域中的发光元件和与所述发光区域和与所述发光区域相邻的非发光区域重叠并且覆盖所述发光元件的薄膜封装层；输入传感器，包括设置在所述薄膜封装层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上并且在第一方向上延伸的第一导电图案、设置在所述第一导电图案上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上并且电连接到所述第一导电图案的第二导电图案、以及设置在所述第二导电图案上的第三绝缘层；光阻挡图案，与所述第一导电图案和所述第二导电图案重叠并且设置在所述第三绝缘层上，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘在正交于所述第一方向的第二方向上间隔开第一距离；以及窗，设置在光阻挡图案上。所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在所述第二方向上的所述第一距离可以满足以下公式1至公式 3中的每一者：
【公式1】
L≥L1+L2
【公式2】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000032
【公式3】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000033
其中，L表示所述第一距离，T1表示所述第二绝缘层的厚度，n1表示所述第二绝缘层的折射率，T2表示所述第三绝缘层的厚度，并且n2表示所述第三绝缘层的折射率。
根据本实用新型的实施例，一种显示装置可以包括：显示面板；导电图案，设置在所述显示面板上；多个绝缘层，设置在所述导电图案上，所述多个绝缘层的数量等于或大于3；以及光阻挡图案，与所述导电图案重叠并且设置在所述多个绝缘层上，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述导电图案的边缘在所述导电图案的宽度方向上间隔开第一距离。所述光阻挡图案的所述边缘与所述导电图案的所述边缘之间的在所述导电图案的所述宽度方向上的所述第一距离可以满足以下公式1至公式 4。
【公式1】
L≥L1+L2...+Lm
【公式2】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000041
【公式3】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000042
【公式4】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000043
其中，L表示所述光阻挡图案的所述边缘与所述导电图案的所述边缘之间的在所述导电图案的所述宽度方向上的所述第一距离，T1表示第一绝缘层的厚度，n1表示所述第一绝缘层的折射率，T2表示第二绝缘层的厚度，n2表示所述第二绝缘层的折射率，Tm表示最上绝缘层的厚度，并且nm表示所述最上绝缘层的折射率。
附图说明
包括附图以提供对本实用新型的进一步理解，并且附图被并入并且构成本说明书的一部分。附图示出了本实用新型的实施例，并且与本描述一起用于说明本实用新型的原理。在附图中：
图1是根据本实用新型的实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本实用新型的实施例的显示装置的截面图；
图3是根据本实用新型的实施例的输入传感器的截面图；
图4是根据本实用新型的实施例的输入传感器的平面图；
图5是根据本实用新型的实施例的显示装置的详细截面图；
图6A和图6B是示出从根据本实用新型的实施例的输入传感器反射的光的路径的截面图；
图7是输入传感器的导电图案的放大截面图；
图8和图9是示出从根据本实用新型的实施例的输入传感器反射的光的路径的截面图；
图10A是根据本实用新型的实施例的输入传感器的平面图；
图10B是图10A中所示的感测单元的放大平面图；以及
图10C是沿着图10B的线I-I'截取的截面图。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或另一层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或另一层时，所述元件或所述层可以直接在所述另一元件或另一层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或另一层，或者可以存在居间元件或居间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或另一层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或另一层时，不存在居间元件或居间层。
同样的附图标记或符号始终指代同样的元件。为了有效描述技术内容，夸大了元件的厚度、比例以及尺寸。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、一个组件、一个区域、一个层或一个部分与另一元件、另一组件、另一区域、另一层或另一部分区分开。因此，在不脱离本实用新型的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或另一特征(多个特征) 的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。
还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释这些术语。
在下文中，将参照附图描述本实用新型的实施例。
图1是根据本实用新型的实施例的显示装置DD的透视图。
显示装置DD可以产生图像并且感测外部输入。显示装置DD可以包括显示区域100A和外围区域100N。像素PX设置在显示区域100A中。像素PX可以包括产生不同颜色的光的第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素。
显示区域100A可以显示图像。显示区域100A可以包括由第一方向 DR1和第二方向DR2限定的平面。显示区域100A还可以包括分别从所述平面的至少两侧弯曲的弯曲表面。然而，显示区域100A的形状不限于此。例如，显示区域100A可以仅包括所述平面，或者显示区域100A可以包括两个或更多个弯曲表面。在一些实施例中，显示区域100A可以具有分别从所述平面的四个侧弯曲的四个弯曲表面。
图2是根据本实用新型的实施例的显示装置DD的截面图。参照图2，显示装置DD可以包括显示面板100、输入传感器200、防反射构件300 (防反射器)和窗400。
显示面板100可以是发光显示面板。在一些实施例中，显示面板100 可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型发光二极管(LED) 显示面板或纳米LED显示面板。显示面板100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140(例如，薄膜封装层)。
基体层110可以提供设置有电路层120的基体表面。例如，基体层 110可以是刚性基底或者能够弯折、折叠或卷曲的柔性基底。基体层110 可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底。然而，本实用新型的实施例不限于此，并且基体层110可以包括无机层、有机层或复合材料层，或者可以由无机层、有机层或复合材料层形成。
基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、多层或单层无机层、以及设置在多层或单层无机层上的第二合成树脂层，或者可以由第一合成树脂层、多层或单层无机层、以及设置在多层或单层无机层上的第二合成树脂层形成。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺类树脂，或者可以由聚酰亚胺类树脂形成。本实用新型不限于此。
电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。电路层120可以包括参照图1描述的像素PX的驱动电路。
发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括参照图1描述的像素PX的发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受诸如湿气、氧气和灰尘颗粒的外来物质的影响。封装层140 可以包括至少一个无机层，或者可以由至少一个无机层形成。封装层140 可以包括无机层/有机层/无机层的堆叠结构，或者可以是无机层/有机层/无机层的堆叠结构。
输入传感器200可以设置在显示面板100上。输入传感器200可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔和压力。
输入传感器200可以通过连续的工艺形成在显示面板100上。在这种情况下，输入传感器200可以直接设置在显示面板100上。在本说明书中，措辞“配置B直接设置在配置A上”可以指在配置A与配置B之间不设置第三组件。例如，在输入传感器200与显示面板100之间可以不设置粘合剂层。
防反射构件300可以设置在输入传感器200上。防反射构件300可以减小外部光的反射。防反射构件300可以通过连续的工艺直接设置在输入传感器200上。
防反射构件300可以包括与设置在防反射构件300下面的反射结构重叠的光阻挡图案310(参见图5)。防反射构件300还可以包括稍后将参考图5描述的与发光区域LA重叠的滤色器320。滤色器320可以包括分别对应于第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。稍后将描述防反射构件300的详细描述。
窗400设置在防反射构件300上。窗400和防反射构件300可以通过粘合剂层AD接合。粘合剂层可以是压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)膜。
窗400包括至少一个基体层。基体层可以是玻璃基底或合成树脂膜。窗400可以具有多层结构。窗400可以包括薄膜玻璃基底和设置在薄膜玻璃基底上的合成树脂膜，或者可以由薄膜玻璃基底和设置在薄膜玻璃基底上的合成树脂膜形成。薄膜玻璃基底和合成树脂膜可以通过粘合剂层接合，并且粘合剂层和合成树脂膜可以从薄膜玻璃基底分离，以便对其进行更换。
在本实用新型的实施例中，可以省略粘合剂层AD，并且窗400可以直接设置在防反射构件300上。有机材料、无机材料或陶瓷材料可以应用于防反射构件300。
图3是根据本实用新型的实施例的输入传感器200的截面图。图4是根据本实用新型的实施例的输入传感器200的平面图。
输入传感器200可以包括第一绝缘层200-IL1(或基体绝缘层)、第一导电图案层200-CL1、第二绝缘层200-IL2(或中间绝缘层)、第二导电图案层200-CL2和第三绝缘层200-IL3(或覆盖绝缘层)。第一绝缘层200- IL1可以直接设置在封装层140上。
在本实用新型的实施例中，可以省略第一绝缘层200-IL1和/或第三绝缘层200-IL3。当省略第一绝缘层200-IL1时，第一导电图案层200-CL1可以设置在封装层140的最上绝缘层上。可以用粘合剂层或设置在输入传感器200上的防反射构件300(参见图2)的绝缘层来代替第三绝缘层200- IL3。
第一导电图案层200-CL1可以包括第一导电图案，并且第二导电图案层200-CL2可以包括第二导电图案。在下文中，第一导电图案层200-CL1 和第一导电图案被标示为同样的附图标记或符号，并且第二导电图案层 200-CL2和第二导电图案被标示为同样的附图标记或符号。
第一导电图案200-CL1和第二导电图案200-CL2中的每一者可以具有单层结构或沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。多层结构可以包括透明导电层和金属层之中的至少两者。多层结构可以包括包含不同金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、金属纳米线或石墨烯，或者可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯形成。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金，或者可以由钼、银、钛、铜、铝或它们的合金形成。稍后将描述第一导电图案层200-CL1 和第二导电图案层200-CL2中的每一者的堆叠结构的详细描述。
在一些实施例中，第一绝缘层200-IL1至第三绝缘层200-IL3中的每一者可以包括无机层或有机层，或者可以由无机层或有机层形成。在一些实施例中，第一绝缘层200-IL1至第三绝缘层200-IL3可以包括无机层，或者可以由无机层形成。无机层可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或者可以由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。
在本实用新型的实施例中，第一绝缘层200-IL1至第三绝缘层200-IL3 之中的至少一者可以是有机层。例如，第三绝缘层200-IL3可以包括有机层，或者可以由有机层形成。有机层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种，或者可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种形成。
参照图4，输入传感器200包括感测区域200-DA和与感测区域200- DA相邻的非感测区域200-NDA。感测区域200-DA和非感测区域200- NDA分别对应于图1中所示的显示区域100A和外围区域100N。
输入传感器200包括设置在感测区域200-DA中并且相互绝缘且彼此交叉的第一电极E1-1、E1-2、E1-3、E1-4和E1-5和第二电极E2-1、E2-2、 E2-3和E2-4。输入传感器200包括设置在非感测区域200-NDA中的第一信号线SL1和第二信号线SL2，并且第一信号线SL1电连接到第一电极 E1-1至E1-5且第二信号线SL2电连接到第二电极E2-1至E2-4。第一电极E1-1至E1-5、第二电极E2-1至E2-4、第一信号线SL1和第二信号线 SL2可以由参照图3描述的第一导电图案200-CL1和第二导电图案200- CL2的组合限定。
第一电极E1-1至E1-5和第二电极E2-1至E2-4中的每一者可以包括彼此交叉的多条导电线。多条导电线可以限定多个开口，并且第一电极E1- 1至E1-5和第二电极E2-1至E2-4可以各自具有网格形状。多个开口中的每一者可以被限定为对应于显示面板100(参见图5)的发光区域LA(参见图5)。
第一电极E1-1至E1-5和/或第二电极E2-1至E2-4可以具有一体的形状。在一些实施例中，示例性地示出了具有一体的形状的第一电极E1-1至 E1-5。第一电极E1-1至E1-5中的每一者可以包括感测图案SP1和桥接图案CP1。上述第二导电图案200-CL2(参见图3)的一部分可以对应于第一电极E1-1至E1-5。
第二电极E2-1至E2-4中的每一者可以包括感测图案SP2和桥接图案 CP2(或连接图案)。两个相邻的感测图案SP2可以通过穿过第二绝缘层 200-IL2(参见图3)的接触孔CH-I连接到两个桥接图案CP2，但是桥接图案的数量不限于此。上述第二导电图案200-CL2(参见图3)的一部分可以对应于感测图案SP2。上述第一导电图案200-CL1(参见图3)的一部分可以对应于桥接图案CP2。
在一些实施例中，描述了桥接图案CP2由图3中所示的第一导电图案200-CL1形成，并且描述了第一电极E1-1至E1-5和感测图案SP2由第二导电图案200-CL2(参见图3)形成。然而，本实用新型不限于此。在一些实施例中，第一电极E1-1至E1-5和感测图案SP2可以由图3中所示的第一导电图案200-CL1形成，并且桥接图案CP2可以由第二导电图案 200-CL2形成。
第一信号线SL1和第二信号线SL2之中的一条信号线传送来自外部电路的用于检测外部输入的发送信号，并且另一条信号线将第一电极E1- 1至E1-5与第二电极E2-1至E2-5之间的电容的变化作为接收信号传送到外部电路。
上述第二导电图案200-CL2(参见图3)的一部分可以对应于第一信号线SL1和第二信号线SL2。第一信号线SL1和第二信号线SL2可以具有多层结构，并且可以各自包括由上述第一导电图案200-CL1(参见图3) 形成的第一层线和由上述第二导电图案200-CL2形成的第二层线。第一层线和第二层线可以通过穿透第二绝缘层200-IL2(参见图3)的接触孔而连接。
图5是根据本实用新型的实施例的显示装置DD的详细截面图。图5 示出了对应于一个发光区域LA和外围非发光区域NLA的截面。图5示出了发光元件LD和连接到发光元件LD的晶体管TFT。晶体管TFT可以是包括在像素PX(参见图1)的驱动电路中的多个晶体管中的一个晶体管。在一些实施例中，晶体管TFT被描述为硅晶体管，但是晶体管TFT也可以是金属氧化物晶体管。
电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括缓冲层 10br、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50。缓冲层10br可以设置在基体层110上。缓冲层10br可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到设置在基体层110上方的半导体图案中。半导体图案包括晶体管TFT的有源区域AC1。
背金属层BMLa可以设置在晶体管TFT下面。背金属层BMLa可以阻挡外部光到达晶体管TFT。背金属层BMLa可以设置在基体层110与缓冲层10br之间。在本实用新型的实施例中，无机阻挡层可以进一步设置在背金属层BMLa与缓冲层10br之间。背金属层BMLa可以连接到电极或布线，并且可以从所述电极或所述布线接收恒定电压或信号。
半导体图案可以设置在缓冲层10br上。半导体图案可以包括硅半导体，或者可以由硅半导体形成。例如，硅半导体可以是非晶硅或多晶硅。例如，半导体图案可以包括低温多晶硅，或者可以由低温多晶硅形成。
半导体图案可以包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N 型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是未掺杂的区域或具有比第一区域的掺杂浓度低的掺杂浓度的区域。
第一区域的电导率大于第二区域的电导率，并且第一区域可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且又一部分可以是连接电极或连接信号线。
晶体管TFT的源极区域SE1(或源极)、有源区域AC1(或沟道)和漏极区域DE1(或漏极)可以由半导体图案形成。在截面图中，源极区域 SE1和漏极区域DE1可以从有源区域AC1在相反的方向上延伸。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层10br上。第一绝缘层10可以与多个像素PX(参见图1)共同地重叠并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层 10可以包括无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在一些实施例中，第一绝缘层10可以是单个氧化硅层。不仅第一绝缘层10而且稍后将描述的电路层120的其他绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种。然而，本实用新型不限于此。
晶体管TFT的栅极GT1设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1与有源区域AC1重叠。在对半导体图案进行掺杂的工艺中，栅极GT1可以用作掩模。栅极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、含Ag的合金、钼(Mo)、含Mo的合金、铝(Al)、含Al的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡 (ITO)或氧化铟锌(IZO)，或者可以由钛(Ti)、银(Ag)、含Ag的合金、钼(Mo)、含Mo的合金、铝(Al)、含Al的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO) 形成。然而，本实用新型不限于此。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极GT1。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。存储电容器Cst的第二电极 CE20可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。此外，存储电容器Cst的第一电极CE10可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极 CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔连接到晶体管TFT的漏极区域DE1。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第二连接电极CNE2可以设置在第四绝缘层40上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四绝缘层40的接触孔连接到第一连接电极CNE1。第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第一绝缘层10至第五绝缘层50的堆叠结构仅是示例，并且除了第一绝缘层10至第五绝缘层50之外，还可以进一步提供附加的导电层和绝缘层。
第四绝缘层40和第五绝缘层50中的每一者可以是有机层。例如，有机层可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。
发光元件LD可以包括第一电极AE(或像素电极)、发光层EL和第二电极CE(或公共电极)。第一电极AE可以设置在第五绝缘层50上。第一电极AE可以是(半)透射电极或反射电极。第一电极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)和铝掺杂氧化锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。例如，第一电极AE可以包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构，或者可以是ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层PDL可以设置在第五绝缘层50上。根据实施例，像素限定层PDL可以具有光吸收特性，并且可以具有例如黑颜色。像素限定层 PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。本实用新型不限于此。在一些实施例中，黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或金属氧化物。像素限定层PDL可以对应于具有光阻挡特性的光阻挡图案310。
像素限定层PDL可以覆盖第一电极AE的一部分。在一些实施例中，像素限定层PDL可以覆盖第一电极AE的边缘。暴露第一电极AE的一部分的开口PDL-OP可以被限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的开口PDL-OP可以限定发光区域LA。
像素限定层PDL可以增加第二电极CE与第一电极AE的边缘之间的距离。在一些实施例中，像素限定层PDL可以设置在第一电极AE的边缘与第二电极CE之间。因此，像素限定层PDL可以用于防止在第一电极 AE的边缘处出现电弧。
尽管未示出，但是空穴控制层可以设置在第一电极AE与发光层EL 之间。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL与第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括彼此顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143。然而，本实用新型不限于此。
无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。无机层141和143中的每一者可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以包括丙烯酸有机层，或者可以由丙烯酸有机层形成。然而，本实用新型不限于此。
输入传感器200可以设置在显示面板100上。由第一导电图案200- CL1形成的桥接图案CP2设置在第一绝缘层200-IL1上。由第二导电图案 200-CL2形成的感测图案SP2设置在第二绝缘层200-IL2上。
参照图5，第二导电图案200-CL2的第一部分(或右部)可以与桥接图案CP2重叠，并且第二导电图案200-CL2的第二部分(或左部)可以不与桥接图案重叠CP2。第二导电图案200-CL2的第一部分和第二导电图案 200-CL2的第二部分可以是图4中所示的感测图案SP2的导电线。
防反射构件300可以设置在输入传感器200上。防反射构件300可以包括光阻挡图案310、滤色器320和平坦化层330。
光阻挡图案310是具有黑颜色的层，并且在实施例中，光阻挡图案310 可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。本实用新型不限于此。在一些实施例中，黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或金属氧化物。组成光阻挡图案310的材料不限于此，只要该材料是吸收光的材料即可。
在平面图中(当在第三方向DR3上观察时)，光阻挡图案310可以与桥接图案CP2和感测图案SP2重叠。图5示出了光阻挡图案310的第一部分310-R和第二部分310-L。第一部分310-R与桥接图案CP2重叠，并且第二部分310-L不与桥接图案CP2重叠。
尽管未示出，但是在平面图中(当在第三方向DR3上观察时)，光阻挡图案310可以与第一电极E1-1至E1-5(参见图4)的导电线重叠。
光阻挡图案310可以防止第一导电图案200-CL1和第二导电图案200- CL2对外部光的反射。稍后将提供光阻挡图案310的详细描述。
开口310-OP可以被限定在光阻挡图案310中。光阻挡图案310的开口310-OP可以与第一电极AE重叠并且可以具有比像素限定层PDL的开口PDL-OP的面积大的面积。光阻挡图案310的开口310-OP可以限定像素区域PXA。像素区域PXA可以被限定为由发光元件LD产生的光发射到外部的区域。随着像素区域PXA的面积增加，图像的亮度可以增加。
滤色器320可以至少与像素区域PXA重叠。滤色器320还可以与非像素区域NPXA重叠。滤色器320的一部分可以设置在光阻挡图案310 上。滤色器320可以透射由发光元件LD产生的光，并且阻挡外部光之中的一些波段的光。因此，滤色器320可以减少第一电极AE或第二电极CE 对外部光的反射。
平坦化层330可以覆盖光阻挡图案310和滤色器320。平坦化层330 可以包括有机材料，或者可以由有机材料形成，并且提供平坦的顶表面。
图6A和图6B是示出从根据本实用新型的实施例的输入传感器200 反射的光的路径的截面图。图7是输入传感器200的导电图案200-CL1和 200-CL2的放大截面图。
将参照图6A和图6B描述通过光阻挡图案310防止外部光反射的原理。图6A是示出光阻挡图案310的第一部分310-R以及与第一部分310- R重叠的第一导电图案200-CL1和第二导电图案200-CL2的截面图。图 6B是示出光阻挡图案310的第二部分310-L以及与第二部分310-L重叠的第二导电图案200-CL2的截面图。假设桥接图案CP2和感测图案SP2 的导电图案在第一方向DR1上延伸，则图6A和图6B示出了在正交于第一方向DR1的截面(即由第二方向DR2和第三方向DR3限定的截面)。
在一些实施例中，第二绝缘层200-IL2和第三绝缘层200-IL3可以具有彼此相同的折射率。第二绝缘层200-IL2和第三绝缘层200-IL3可以包括包含彼此相同的材料的无机层。在一些实施例中，第二绝缘层200-IL2 和第三绝缘层200-IL3中的每一者可以是单个无机层。
图6A示出了反射光的三条路径P1、P2和P3。外部光从第一导电图案200-CL1(特别是第一导电图案200-CL1的侧面)漫反射。反射光的三条路径P1、P2和P3对应于漫反射的外部光的代表性反射路径。
沿着第一路径P1的反射光从窗400的上表面全反射并且不发射到外部。因此，该反射光不被用户感知为反射光。
沿着第二路径P2的反射光发射到外部，但是基本上不被用户感知为反射光。沿着第二路径P2的反射光在平行于窗400的上表面的方向上发射，并且不传送到位于窗400前面的用户。
考虑到路径本身，沿着第三路径P3的反射光可以发射到外部并且传送到用户。然而，沿着第三路径P3的反射光被光阻挡图案310的第一部分310-R阻挡，并且因此该反射光不传送到位于窗400前面的用户。
沿着第一路径P1至第三路径P3的反射光遵循以下公式1的斯涅尔定律。
【公式1】
ni×sinθi＝n(i-1)×sinθ(i-1)
穿过包括m层的堆叠结构的光在穿过两个相邻的层时遵循斯涅尔定律。在公式1中，θ(i-1)表示从第(i-1)层到第i层的光的入射角，并且θi表示从第(i-1)层到第i层的光的折射角。这里，i大于1且小于m。ni 表示第i层的折射率，并且n(i-1)表示第(i-1)层的折射率。
沿着第二路径P2的反射光在窗400与空气层之间满足以下公式2。
【公式2】
1×sin90°＝n400×sinθ5
其中，图6A中的θ6表示90°的折射角。θ5表示入射角。空气层的折射率为1，并且n400是窗400的折射率。
由于在窗400下面的堆叠结构的两个相邻的层之间也满足斯涅尔定律，因此公式2可以最终被转换为以下公式3。
【公式3】
1×sin90°＝n(200-IL2)×sinθ1
其中，n(200-IL2)表示第二绝缘层200-IL2的折射率。根据公式3，具有第二路径P2的反射光相对于滤色器320的入射角由第二绝缘层200-IL2 的折射率确定。由于假设了第二绝缘层200-IL2和第三绝缘层200-IL3的折射率彼此相同，因此光阻挡图案310与第一导电图案200-CL1之间的绝缘层200-IL2和200-IL3可以被认为是单个绝缘层。
为了阻挡在限定在第二路径P2与第三路径P3之间的路径中的所有光，光阻挡图案310可以满足公式4和公式5的条件。
【公式4】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000171
【公式5】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000181
L表示光阻挡图案310的边缘310-E与第一导电图案200-CL1的边缘 200-E之间的在第二方向DR2上的距离。该距离是当在平面图中观察时的最短距离。例如，当在平面图中观察时，光阻挡图案310的边缘310-E可以在第二方向DR2上与第一导电图案200-CL1的边缘200-E间隔开L的距离。
T表示第一绝缘层200-IL1的上表面与光阻挡图案310的下表面之间的距离(换言之，在光阻挡图案310的边缘310-E处测量的第二绝缘层 200-IL2的厚度和第三绝缘层200-IL3的厚度之和)，并且n1表示第二绝缘层200-IL2的折射率。在一些实施例中，T等于第二绝缘层200-IL2的厚度和第三绝缘层200-IL3的厚度之和。
此外，光阻挡图案310的宽度Wb可以满足以下公式6。
【公式6】
Wb＝2×L+Wc
其中，Wc表示第一导电图案200-CL1的在第二方向DR2上的宽度。
当满足公式5的左边部分大于右边部分的条件时，光阻挡图案310可以充分地阻挡沿着第二路径P2和第三路径P3的反射光，但是光阻挡图案 310的宽度Wb增加。因此，图5中所示的像素区域PXA的面积可能减小。
为了解决上述限制，光阻挡图案310的宽度Wb可以被确定在像素区域PXA(参见图5)不变得小于发光区域LA(参见图5)的范围内。光阻挡图案310的边缘310-E与第一导电图案200-CL1的边缘200-E之间的距离L可以小于第一导电图案200-CL1的边缘200-E与发光区域LA(参见图5)的边缘LA-E之间的距离L0(参见图5)。发光区域LA的边缘LA- E可以被限定为与像素限定层PDL的开口PDL-OP的边缘相同。
当光阻挡图案310的宽度Wb满足公式6时，从第二导电图案200- CL2反射的光之中的不满足在窗400的上表面上的全反射条件的所有反射光可以被光阻挡图案310阻挡。由于第二导电图案200-CL2比第一导电图案200-CL1靠近光阻挡图案310，因此，从第二导电图案200-CL2反射的反射光的入射角变得大于从第一导电图案200-CL1反射的反射光的入射角θ1，以使从第二导电图案200-CL2反射的反射光入射在滤色器320上。也就是说，在从第二导电图案200-CL2反射之后入射在滤色器320上的所有反射光沿着第一路径P1移动。
参照图6B，为了阻挡在限定在第二路径P20与第三路径P30之间的路径中的所有光，光阻挡图案310的第二部分310-L可以满足公式7的条件。
【公式7】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000191
L1表示光阻挡图案310的第二部分310-L的边缘310-E与第二导电图案200-CL2的边缘200-E之间的在第二方向DR2上的距离。L1的距离可以是光阻挡图案310的第二部分310-L的边缘310-E与第二导电图案 200-CL2的边缘200-E之间的在第二方向DR2上的最短距离。例如，当在平面图中观察时，光阻挡图案310的第二部分310-L的边缘310-E可以在第二方向DR2上与第二导电图案200-CL2的边缘200-E间隔开L1的距离。
T1表示第二绝缘层200-IL2的上表面与光阻挡图案310的下表面之间的距离，并且n1表示第三绝缘层200-IL3的折射率。在一些实施例中， T1等于在光阻挡图案310的边缘310-E处测量的第三绝缘层200-IL3的厚度。
将图6A和图6B作比较，即使满足相同的光阻挡效果，图6B中的光阻挡图案310的第二部分310-L的宽度也可以小于图6A中的光阻挡图案 310的第一部分310-R的宽度。第三绝缘层200-IL3均匀地形成在感测区域200-DA(参照图4)中，并且由此，公式7的T1小于公式5的T。
在图6A和图6B中，第一导电图案200-CL1和第二导电图案200-CL2 被简单地示出为单层，但是如图7中所示，第一导电图案200-CL1和第二导电图案200-CL2可以具有多层结构。
第一导电图案200-CL1可以包括具有相对高的电导率的第一导电层CL1、设置在第一导电层CL1上并且接触第一导电层CL1的第二导电层 CL2、以及设置在第一导电层CL1下面(例如，设置在第一绝缘层200-IL 与第一导电层CL1之间)并且接触第一绝缘层200-IL和第一导电层CL1 中的每一者的第三导电层CL3。第一导电层CL1可以具有第一反射率、第一电导率和第一厚度，并且第二导电层CL2可以具有第二反射率、第二电导率和第二厚度。与第一导电层CL1相比，第三导电层CL3可以具有大的与第一绝缘层200-IL1的接和力，并且第二导电层CL2可以具有比第一导电层CL1的反射率低的反射率。也就是说，第二反射率低于第一反射率。第一导电层CL1可以具有比第二导电层CL2的电导率高的电导率，也就是说，第二电导率低于第一电导率。具有低电阻的第一导电层CL1对应于有效的信号移动路径。第一导电层CL1可以具有比第二导电层CL2 的厚度和第三导电层CL3的厚度大的厚度，也就是说，第二厚度小于第一厚度。
第二导电层CL2和第三导电层CL3可以包含彼此相同的材料。第一导电层CL1可以是铝，并且第二导电层CL2和第三导电层CL3可以是钛。尽管第一导电层CL1、第二导电层CL2和第三导电层CL3中的一些可以包含不同的材料，但是第一导电层CL1、第二导电层CL2和第三导电层 CL3可以各自包含可以使用相同的蚀刻剂或相同系列的蚀刻剂进行蚀刻的材料。铝和钛可以使用氟类蚀刻剂进行蚀刻。因此，第一导电层CL1的堆叠的钛层、铝层和钛层可以通过单个蚀刻工艺被图案化。
通过蚀刻工艺，第一导电图案200-CL1可以具有倾斜的侧表面。这是因为设置在上侧的导电层的蚀刻率较高。
第二导电图案200-CL2可以与第一导电图案200-CL1具有相同或不同的堆叠结构。第二导电图案200-CL2可以包括第一导电层CL10、设置在第一导电层CL10上方并与第一导电层CL10接触的第二导电层CL20、以及设置在第一导电层CL10下面并与第一导电层CL10接触的第三导电层CL30。在本实用新型的实施例中，可以省略第三导电层CL30。
第一导电层CL10具有第一反射率、第一电导率和第一厚度。第二导电层CL20具有低于第一反射率的第二反射率、低于第一电导率的第二电导率和小于第一厚度的第二厚度。具有低电阻的第一导电层CL10对应于有效的信号移动路径。具有低反射率的第二导电层CL20覆盖第一导电层 CL10以减小外部光的反射。
图8和图9是示出从根据本实用新型的实施例的输入传感器200反射的光的路径的截面图。在下文中，将省略对与参照图1至图7描述的配置相同的配置的详细描述。
在图8中，第二绝缘层200-IL2和第三绝缘层200-IL3可以具有彼此不同的折射率。在一个实施例中，第二绝缘层200-IL2可以包括第一无机层，或者可以由第一无机层形成，并且第三绝缘层200-IL3可以包括第二无机层，或者可以由第二无机层形成，第二无机层由与第一无机层的材料不同的材料制成。在实施例中，第二绝缘层200-IL2可以包括无机层，或者可以由无机层形成，并且第三绝缘层200-IL3可以包括有机层，或者可以由有机层形成。
光阻挡图案310可以满足以下公式8至公式10的条件。光阻挡图案 310的第一部分310-R的边缘310-E与第一导电图案200-CL1的边缘200- E之间的距离L可以满足以下公式8至公式10的条件。当在平面图中观察时，距离L可以是光阻挡图案310的第一部分310-R的边缘310-E与第一导电图案200-CL1的边缘200-E之间的最短距离。例如，当在平面图中观察时，光阻挡图案310的第一部分310-R的边缘310-E可以与第一导电图案200-CL1的边缘200-E间隔开L的距离。
【公式8】
L≥L1+L2
【公式9】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000211
【公式10】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000212
当反射光沿着第二路径P2行进时，L1表示反射光在穿过第二绝缘层 200-IL2的同时在与第二方向DR2相反的方向上行进的距离，并且L2表示反射光在穿过第三绝缘层200-IL3的同时在与第二方向DR2相反的方向上行进的距离。
T1表示第二绝缘层200-IL2的厚度，n1表示第二绝缘层200-IL2的折射率，T2表示第三绝缘层200-IL3的厚度，并且n2表示第三绝缘层200- IL3的折射率。
当光阻挡图案310满足公式8至公式10的条件时，具有比第二路径 P2的反射光的入射角θ1小的入射角的反射光可以被光阻挡图案310阻挡。例如，图6A中的第三路径P3的反射光可以被阻挡。
尽管没有单独示出，但是光阻挡图案310的第二部分310-L的宽度可以与参照图6B描述的宽度相同。也就是说，即使输入传感器200包括具有不同的折射率的第二绝缘层200-IL2和第三绝缘层200-IL3，光阻挡图案310的第二部分310-L的边缘310-E与第二导电图案200-CL2的边缘 200-E之间的距离L1(参见图6B)也可以由第三绝缘层200-IL3的折射率和厚度确定。
参照图9，第二绝缘层200-IL2、第三绝缘层200-IL3和滤色器320设置在光阻挡图案310与第一导电图案200-CL1之间。由于滤色器320对应于一种绝缘层，因此似乎是在光阻挡图案310与第一导电图案200-CL1之间设置了三个绝缘层。
假设在光阻挡图案310与第一导电图案200-CL1之间设置有m个绝缘层，则为了减小外部光的反射，光阻挡图案310可以满足以下公式11至公式14的条件。
【公式11】
L≥L1+L2...+Lm
【公式12】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000221
【公式13】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000222
【公式14】
Figure DEST_PATH_GDA0003894119640000231
T1表示与第一导电图案200-CL1接触的第一绝缘层的厚度，并且n1 表示第一绝缘层的折射率。T2表示第二绝缘层的厚度，并且n2表示第二绝缘层的折射率。Tm表示与光阻挡图案310接触的第m绝缘层的厚度，并且nm是第m绝缘层的折射率。Tm是在光阻挡图案310的边缘310-E 处测量的第m绝缘层的厚度。Lm表示反射光在穿过第m绝缘层的同时在与第二方向DR2相反的方向上行进的距离。第二绝缘层可以设置在第一绝缘层与第m绝缘层之间。
在图9中，m为3，第二绝缘层200-IL2对应于第一绝缘层，第三绝缘层200-IL3对应于第二绝缘层，并且滤色器320对应于第三绝缘层。
图10A是根据本实用新型的实施例的输入传感器200的平面图。图 10B是图10A中所示的感测单元SU的放大平面图。图10C是沿着图10B 的线I-I'截取的截面图。
在下文中，将详细描述与图4中所示的输入传感器200不同的根据实施例的输入传感器200。然而，将省略对与参照图4描述的输入传感器200 的配置相同的配置的重复描述。即使下面将描述的输入传感器200应用于图1至图9中所示的显示装置DD，也可以如上所述达到减少外部光反射量的效果。
图10A中的输入传感器200被示出在下面描述的配置方面与图4中的输入传感器200不同。参照图10A，示例性地示出了六个第一电极E1- 1至E1-6。第一组SL1-1中的第一信号线SL1分别连接到第一电极E1-1 至E1-6中的一些第一电极的侧部。第二组SL1-2中的第一信号线SL1分别连接到第一电极E1-1至E1-6中的其余第一电极的侧部。第一组SL2-1 中的第二信号线SL2分别连接到第二电极E2-1至E2-4中的一些第二电极的侧部。第二组SL2-2中的第二信号线SL2分别连接到第二电极E2-1至 E2-4中的其余第二电极的侧部。第一组SL1-1中的第一信号线SL1和第一组SL2-1中的第二信号线SL2对齐，并且第二组SL1-2中的第一信号线 SL1和第二组SL2-2中的第二信号线SL2对齐。
根据一些实施例，第一电极E1-1至E1-6中的每一者包括感测图案 SP1和桥接图案CP1。第二电极E2-1至E2-4中的每一者可以包括一体的感测部分SP2(即，感测图案SP2)和中间部分CP2(即，桥接图案CP2)。第一电极E1-1至E1-6和第二电极E2-1至E2-4中的每一者可以具有网格形状。换言之，第一电极E1-1至E1-6和第二电极E2-1至E2-4中的每一者可以包括彼此交叉以形成网格的多条导电线。
根据一些实施例，感测区域200-DA可以包括多个感测单元SU。感测区域200-DA的整体可以被划分为多个感测单元SU，或者感测区域200- DA的一部分可以被划分为多个感测单元SU。
感测单元SU可以具有彼此相同的面积。根据一些实施例，感测单元 SU中的每一者包括第一电极E1-1至E1-6和第二电极E2-1至E2-4的交叉区域之中的相对应的交叉区域。
感测单元SU中的每一者可以包括一半感测图案SP1和另一半感测图案SP1，桥接图案CP1设置在一半感测图案SP1与另一半感测图案SP1之间，并且感测单元SU中的每一者可以包括一半感测部分SP2和另一半感测部分SP2，中间部分CP2设置在一半感测部分SP2与另一半感测部分 SP2之间。
参照图10B，感测部分SP2中的每一者可以包括延伸部分SP2a和 SP2b以及分支部分SP2c1至SP2c4。延伸部分SP2a和SP2b可以包括在第一方向DR1上并排延伸的第一延伸部分SP2a以及从第一延伸部分SP2a 弯曲并在第二虚设图案DUP2位于其间的情况下延伸的两个第二延伸部分 SP2b。本实用新型不限于此。在一些实施例中，根据实施例的第二虚设图案DUP2可以不设置在两个第二延伸部分SP2b之间，并且一个第二延伸部分SP2b可以从第一延伸部分SP2a延伸。
分支部分SP2c1至SP2c4中的每一者可以在远离中间部分CP2的方向上延伸，中间部分CP2介于分支部分SP2c1至SP2c4之间。分支部分 SP2c1至SP2c4可以包括第一分支部分SP2c1至第四分支部分SP2c4。第一分支部分SP2c1和第四分支部分SP2c4可以沿着第一交叉方向DRa延伸，并且第二分支部分SP2c2和第三分支部分SP2c3可以沿着第二交叉方向DRb延伸。
第一交叉方向DRa可以被限定为与第一方向DR1和第二方向DR2中的每一者交叉的方向。第二交叉方向DRb可以被限定为与第一方向DR1 和第二方向DR2中的每一者交叉并且垂直于第一交叉方向DRa的方向。在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中，第一交叉方向DRa和第二交叉方向DRb可以分别对应于第一方向DR1与第二方向DR2之间的对角线方向/斜线方向(diagonal direction)。
第一分支部分SP2c1至第四分支部分SP2c4可以在相反方向上变得远离彼此。例如，第一分支部分SP2c1可以在第二方向DR2上远离第二分支部分SP2c2，并且第一分支部分SP2c1可以在第一方向DR1上远离第三分支部分SP2c3。第一分支部分SP2c1可以在第一交叉方向DRa上变得远离第四分支部分SP2c4，中间部分CP2介于第一分支部分SP2c1与第四分支部分SP2c4之间。
中间部分CP2可以设置在感测图案SP1的在第二方向DR2上朝向彼此突出的部分之间。中间部分CP2可以连接感测部分SP2的第一延伸部分SP2a。中间部分CP2可以与第一延伸部分SP2a一体地形成在同一层上。
感测图案SP1中的每一者可以包括沿着第二方向DR2延伸的第一部分SP1b以及从第一部分SP1b延伸并围绕感测部分SP2的一部分的第二部分SP1a。感测图案SP1的第二部分SP1a可以围绕相邻地设置的感测部分SP2的分支部分SP2c1至SP2c4。参照图10B，在感测单元SU中，感测图案SP1的设置在左侧的第二部分SP1a可以围绕第一分支部分SP2c1 和第三分支部分SP2c3，并且感测图案SP1的设置在右侧的第二部分SP1a 可以围绕第二分支部分SP2c2和第四分支部分SP2c4。
感测图案SP1的第一部分SP1b可以在第二方向DR2上彼此间隔开，中间部分CP2位于第一部分SP1b之间。桥接图案CP1可以电连接间隔开的感测图案SP1。图10B示出了设置在感测单元SU中的两个桥接图案 CP1。然而，设置在感测单元SU中的桥接图案CP1的数量不限于此。在一些实施例中，桥接图案CPI的数量可以少于或多于两个。
如图10B中所示，桥接图案CP1中的每一者可以在平面图中具有“∧”或“∨”的曲线形状。具有曲线形状的桥接图案CP1可以与感测部分SP2 重叠。然而，本实用新型的实施例不限于此。在一些实施例中，桥接图案 CP1中的每一者可以具有沿着第二方向DR2延伸的直线形状，并且可以在平面图中与中间部分CP2重叠。
虚设图案DUP中的每一者可以是电浮置图案。虚设图案DUP中的每一者可以与第一电极E1-1至E1-6(参见图10A)和第二电极E2-1至E2- 4(参见图10A)绝缘。根据布置位置，虚设图案DUP可以包括第一虚设图案DUP1至第四虚设图案DUP4。
第一虚设图案DUP1可以设置在第一电极E1-1至E1-6(参见图10A) 与第二电极E2-1至E2-4(参见图10A)之间。具体地，第一虚设图案DUP1 可以设置在感测图案SP1与感测部分SP2之间。例如，如图10B中所示，第一虚设图案DUP1可以设置在感测图案SP1的第二部分SP1a与感测部分SP2的分支部分SP2c1至SP2c4之间，并且围绕分支部分SP2c1至 SP2c4。
由于第一虚设图案DUP1设置在感测图案SP1与感测部分SP2之间，因此可以减小感测图案SP1与感测部分SP2之间的互电容。然而，即使当设置有第一虚设图案DUP1时，由于触摸事件的发生而导致的互电容的变化量也可能不显著减少。因此，可以通过第一虚设图案DUP1增加(互电容的变化)/(互电容)的值。
因此，可以通过第一虚设图案DUP1减少在特定环境中发生的重影触摸现象。重影触摸指噪声信号而不是由实际触摸事件产生的信号被放大并被识别为触摸的现象。例如，在低温状态下，当感测区域200-DA(参见图10A)的一部分的温度通过诸如触摸事件的操作而升高并且整个感测区域 200-DA开启时，在感测区域200-DA中将执行如同在没有发生触摸事件的区域中发生触摸一样的操作。然而，由于可以通过第一虚设图案DUP1减少重影触摸现象，因此可以改善输入传感器200(参见图10A)的可靠性。
可以通过第一虚设图案DUP1增加感测图案SP1与感测部分SP2之间的间隔，这使得能够减少感测图案SP1和感测部分SP2彼此短路的可能性。例如，当不设置第一虚设图案DUP1时，感测图案SP1与感测部分SP2 之间的间隔可以在大约4μm至大约5μm的级别上。然而，当设置有第一虚设图案DUP1时，感测图案SP1与感测部分SP2之间的间隔可以增加直至大约70μm或更大的级别。因此，仅当在设置有第一虚设图案DUP1的区域中产生具有大约70μm或更大的尺寸的异物或残留物时，感测图案SP1 和感测部分SP2才可能短路。诸如“大约”的术语可以反映仅以小的相对方式和/或以不显著地改变某些元件的操作、功能或结构的方式而变化的数量、大小、方位或布局。例如，从“大约0.1至大约1”的范围可以涵盖诸如在0.1附近的0％至5％的偏差以及在1附近0％至5％的偏差的范围，特别是假若这种偏差与所列举的范围保持相同的效果。
第一虚设图案DUP1可以包括彼此电绝缘的多个图案。考虑到互电容和可见性，多个图案的尺寸可以依据感测单元SU而变化。然而，第一虚设图案DUP1的实施例不限于此。
第二虚设图案DUP2可以被上述感测部分SP2的第二延伸部分SP2b 围绕。第三虚设图案DUP3可以被感测图案SP1围绕。第四虚设图案DUP4 可以设置在沿着第一方向DR1布置的第一电极E1-1至E1-6(参见图10A) 之间。同时，根据实施例，可以省略第一虚设图案DUP1至第四虚设图案 DUP4中的至少一些。
参照图10B和图10C，示意性地示出了输入传感器200的下部配置，并且未示出输入传感器200的上部配置。桥接图案CP1可以与感测图案 SP1、感测部分SP2和中间部分CP2设置在不同的层上。参照图3、图10B 和图10C，桥接图案CP1可以由第一导电图案层200-CL1形成，并且感测图案SP1、感测部分SP2和中间部分CP2可以由第二导电图案层200-CL2 形成。感测图案SP1可以通过穿透第二绝缘层200-IL2的接触孔CH-I连接到桥接图案CP1。
根据本实用新型的实施例，能够减少外部光在输入传感器的导电图案处产生的反射。可以增加像素区域的面积，并且可以减小非像素区域的面积。
尽管已经描述了本实用新型的实施例，但是将理解的是，本实用新型不应局限于这些实施例，而是在如本文中所要求保护的本实用新型的精神和范围内可以由本领域普通技术人员做出各种改变和修改。

Claims (14)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
显示面板，包括发光区域和非发光区域；
输入传感器，设置在所述显示面板上，并且所述输入传感器包括：
第一导电图案，与所述非发光区域重叠并且在第一方向上延伸，和
绝缘层，设置在所述第一导电图案上；
防反射构件，包括光阻挡图案，所述光阻挡图案与所述第一导电图案重叠并且所述光阻挡图案设置在所述绝缘层上，其中，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘间隔开第一距离；以及
窗，设置在所述防反射构件上，
其中，所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在正交于所述第一方向的第二方向上的所述第一距离满足以下公式1：
公式1
Figure DEST_PATH_FDA0003894119630000011
其中：
L表示所述第一距离，
T表示在所述光阻挡图案的所述边缘处测量的所述绝缘层的厚度，并且
n1是所述绝缘层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其特征在于，所述绝缘层包括多个无机层，所述多个无机层包括彼此相同的材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其特征在于，所述输入传感器还包括第二导电图案，并且
其中，所述第二导电图案设置在所述多个无机层中的至少两个无机层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括与所述发光区域重叠并且设置在所述绝缘层上的滤色器，
其中，所述滤色器的一部分设置在所述光阻挡图案上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其特征在于，在所述第二方向上，所述第一距离小于所述第一导电图案的所述边缘与所述发光区域的边缘之间的距离。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
其特征在于，在所述第二方向上，
所述光阻挡图案的宽度满足以下公式2：
公式2
Wb＝2×L+Wc，
其中：
Wb表示所述光阻挡图案的在所述第二方向上的所述宽度，并且
Wc是所述第一导电图案的在所述第二方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其特征在于，所述输入传感器还包括设置在所述显示面板与所述第一导电图案之间的基体绝缘层，并且
其中，所述第一导电图案包括：
第一导电层，具有第一反射率和第一电导率；
第二导电层，具有低于所述第一反射率的第二反射率，具有低于所述第一电导率的第二电导率，所述第二导电层设置在所述第一导电层上并且接触所述第一导电层；以及
第三导电层，设置在所述基体绝缘层与所述第一导电层之间，并且接触所述基体绝缘层和所述第一导电层中的每一者。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其特征在于，所述第三导电层与所述第二导电层包括相同的材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置，
其特征在于，所述第一导电层比所述第二导电层厚。
10.根据权利要求1所述的显示装置，
其特征在于，所述第一导电图案包括倾斜的侧表面。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
显示面板，包括：
发光元件，设置在发光区域中，和
封装层，与所述发光区域和与所述发光区域相邻的非发光区域重叠并且覆盖所述发光元件；
输入传感器，包括：
第一绝缘层，设置在所述封装层上，
第一导电图案，设置在所述第一绝缘层上并且在第一方向上延伸，
第二绝缘层，设置在所述第一导电图案上，
第二导电图案，设置在所述第二绝缘层上并且电连接到所述第一导电图案，以及
第三绝缘层，设置在所述第二导电图案上；
防反射构件，包括光阻挡图案，所述光阻挡图案与所述第一导电图案和所述第二导电图案重叠并且所述光阻挡图案设置在所述第三绝缘层上，其中，当在平面图中观察时，所述光阻挡图案的边缘与所述第一导电图案的边缘在正交于所述第一方向的第二方向上间隔开第一距离；以及
窗，设置在所述防反射构件上，
其中，所述光阻挡图案的所述边缘与所述第一导电图案的所述边缘之间的在所述第二方向上的所述第一距离满足以下公式1至公式3中的每一者：
公式1
L≥L1+L2
公式2
Figure DEST_PATH_FDA0003894119630000041
公式3
Figure DEST_PATH_FDA0003894119630000042
其中：
L表示所述第一距离，
T1表示所述第二绝缘层的厚度，
n1表示所述第二绝缘层的折射率，
T2表示所述第三绝缘层的厚度，并且
n2表示所述第三绝缘层的折射率。
12.根据权利要求11所述的显示装置，
其特征在于，所述第二绝缘层包括第一无机层，并且
其中，所述第三绝缘层包括具有与所述第一无机层的折射率不同的折射率的第二无机层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，
其特征在于，所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者包括：
第一导电层，具有第一反射率、第一电导率和第一厚度；
第二导电层，具有低于所述第一反射率的第二反射率，具有低于所述第一电导率的第二电导率，具有小于所述第一厚度的第二厚度，设置在所述第一导电层上，并且与所述第一导电层接触；以及
第三导电层，设置在所述第一绝缘层与所述第一导电层之间并且与所述第一绝缘层和所述第一导电层中的每一者接触。
14.根据权利要求11所述的显示装置，
其特征在于，所述第二导电图案包括与所述第一导电图案重叠的第一部分和不与所述第一导电图案重叠的第二部分，
其中，所述光阻挡图案包括与所述第二导电图案的所述第一部分重叠的第一部分和与所述第二导电图案的所述第二部分重叠的第二部分，并且
其中，所述光阻挡图案的所述第一部分的宽度大于所述光阻挡图案的所述第二部分的宽度。
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