KR20240050505A - 표시장치 - Google Patents

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KR20240050505A
KR20240050505A KR1020220129540A KR20220129540A KR20240050505A KR 20240050505 A KR20240050505 A KR 20240050505A KR 1020220129540 A KR1020220129540 A KR 1020220129540A KR 20220129540 A KR20220129540 A KR 20220129540A KR 20240050505 A KR20240050505 A KR 20240050505A
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최철현
김민재
김재민
이인화
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

감지전극을 포함하는 표시장치를 제공한다. 감지전극의 제1 라인 영역 및 제3 라인 영역 중 적어도 어느 하나는 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고, 제2 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리만큼 이격되고, 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 큰 제3 거리만큼 이격된다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로 특히, 입력 감지전극을 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
스마트 폰, 테블릿, 노트북 컴퓨터, 네비게이션 및 스마트 텔레비젼 등과 같은 전자장치들이 개발되고 있다. 이러한 전자장치들은 정보제공을 위해 표시장치를 구비한다. 전자장치들은 표시패널 이외에 다양한 전자모듈들을 더 포함한다.
표시장치는 각각의 사용 목적에 부합하는 표시품질 조건을 만족시켜야 된다. 발광소자로부터 생성된 광은 공진 현상, 간섭 현상 등 다양한 광학적 현상을 발생시키면서 전자장치 또는 표시장치의 외부로 방출된다. 이러한 광학적 현상이 표시되는 이미지의 품질에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 표시품질이 향상된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향이 정의하는 표시영역을 제공하는 베이스층, 각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제1 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제1 발광소자들, 각각이 상기 제1 발광소자들 중 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 노출하는 제1 발광 개구부들이 정의된 화소 정의막, 상기 제1 발광소자들 및 상기 화소 정의막을 커버하는 박막 봉지층, 및 상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광 개구부들에 대응하고 상기 제1 발광 개구부들보다 큰 면적의 제1 개구부들을 정의하는 도전성 라인을 포함하는 감지전극을 포함한다. 상기 도전성 라인은 상기 제1 발광 개구부들 각각에 대응하는 제1 라인 영역, 제2 라인 영역, 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역을 포함하고, 상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 교차하는 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부들 중 대응하는 제1 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에 직교하는 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 제2 사선방향으로 연장되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치된다. 상기 제2 라인 영역과 상기 대응하는 제1 발광 개구부 사이의 이격거리는 상기 제4 라인 영역과 상기 대응하는 제1 발광 개구부 사이의 이격거리보다 작은 표시장치.
상기 제1 방향은 방위각 0°로부터 방위각 180°를 향하여 연장되고, 방위각 90° 및 시야각 60° 에서 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 바라볼 때, 상기 제2 라인 영역에 의해 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 차폐하는 면적은 상기 제4 라인 영역에 의해 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 차폐하는 면적보다 클 수 있다.
상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역의 선폭은 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역 중 인접한 라인 영역들 사이마다 교차영역이 배치되고, 상기 교차영역은 상기 인접한 라인 영역들보다 큰 선폭을 가질 수 있다.
상기 제4 라인 영역은 상기 제2 라인 영역보다 작은 선폭을 가질 수 있다.
상기 제2 라인 영역은 상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역보다 큰 선폭을 갖고, 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역보다 작은 선폭을 가질 수 있다.
각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제2 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제2 발광소자들을 더 포함 할 수 있다. 상기 화소 정의막에는 각각이 상기 제2 발광소자들 중 대응하는 제2 발광소자의 상기 제1 전극을 노출하는 제2 발광 개구부들이 더 정의되고, 상기 감지전극에는 상기 제2 발광 개구부들에 대응하고 상기 제2 발광 개구부들보다 큰 면적의 제2 개구부들이 더 정의되고, 상기 도전성 라인은 상기 제2 발광 개구부들 각각에 대응하는 제1-1 라인 영역, 제2-1 라인 영역, 제3-1 라인 영역 및 제4-1 라인 영역을 더 포함 할 수 있다. 상기 제1-1 라인 영역과 상기 제2-1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 대응하는 제2 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제2 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치되며, 상기 제1-1 라인 영역, 상기 제2-1 라인 영역, 상기 제3-1 라인 영역 및 상기 제4-1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 대응하는 제2 발광 개구부와 실질적으로 동일한 거리만큼 이격될 수 있다.
상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제1-1 라인 영역과 상기 대응하는 제2 발광 개구부는 상기 제1 거리만큼 이격될 수 있다.
각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제2 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제2 발광소자들을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광소자들은 상기 제1 발광소자들 중 대응하는 제1 발광소자를 에워싸는 제2-1 발광소자, 제2-2 발광소자, 제2-3 발광소자, ?? 제2-4 발광소자를 포함할 수 있다.
상기 제2-1 발광소자와 상기 제2-2 발광소자는 상기 대응하는 제1 발광소자를 사이에 두고 상기 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고, 상기 제2-3 발광소자와 상기 제2-4 발광소자는 상기 대응하는 제1 발광소자를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치되며, 상기 화소 정의막에는 상기 제2-1 발광소자의 상기 제1 전극, 상기 제2-2 발광소자의 상기 제1 전극, 상기 제2-3 발광소자의 상기 제1 전극, 및 상기 제2-4 발광소자의 상기 제1 전극을 각각 노출하는 제2-1 발광 개구부, 제2-2 발광 개구부, 제2-3 발광 개구부, 및 제2-4 발광 개구부가 더 정의될 수 있다.
상기 제1 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-1 발광 개구부 사이에 배치되고, 상기 제2 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-2 발광 개구부 사이에 배치되고, 상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-3 발광 개구부 사이에 배치되고, 상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-4 발광 개구부 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제1 라인 영역은 상기 제2-1 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제3 라인 영역은 상기 제2-3 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격될 수 있다.
상기 제2 라인 영역은 상기 제2-2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 멀리 이격되고, 상기 제4 라인 영역은 상기 제2-4 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 가깝게 이격될 수 있다.
상기 제1 발광 개구부들 각각은 평면 상에서 실질적으로 사각형상일 수 있다.
상기 제1 발광 개구부들 각각은 상기 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제2 사선방향에서 마주하는 제1 엣지와 제2 엣지 및 상기 제2 사선방향으로 연장되고, 상기 제1 사선방향에서 마주하는 제3 엣지와 제4 엣지에 의해 정의될 수 있다.
상기 제1 발광소자들 각각은 레드광을 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향이 정의하는 표시영역을 제공하는 베이스층, 제1 소스광을 생성하는 제1 발광소자, 각각이 제2 소스광을 생성하고, 상기 제1 발광소자를 에워싸도록 배치된 제2-1 발광소자, 제2-2 발광소자, 제2-3 발광소자, 및 제2-4 발광소자, 상기 제1 발광소자에 대응하는 제1 발광 개구부 및 상기 제2-1 발광소자, 상기 제2-2 발광소자, 상기 제2-3 발광소자, 및 상기 제2-4 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부들이 정의된 화소 정의막, 상기 제1 발광소자, 상기 제2-1 발광소자, 상기 제2-2 발광소자, 상기 제2-3 발광소자, 상기 제2-4 발광소자, 및 상기 화소 정의막을 커버하는 박막 봉지층, 및 상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광 개구부에 대응하고 상기 제1 발광 개구부보다 큰 면적의 제1 개구부 및 상기 제2 발광 개구부들에 대응하고 상기 제2 발광 개구부들보다 큰 면적의 제2 개구부들을 정의하는 도전성 라인을 포함하는 감지전극을 포함할 수 있다. 상기 도전성 라인은 상기 제1 발광소자와 상기 제2-1 발광소자 사이에 배치된 제1 라인 영역, 상기 제1 발광소자와 상기 제2-2 발광소자 사이에 배치된 제2 라인 영역, 상기 제1 발광소자와 상기 제2-3 발광소자 사이에 배치된 제3 라인 영역 및 상기 제1 발광소자와 상기 제2-4 발광소자 사이에 배치된 제4 라인 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 교차하는 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 사선방향에 직교하는 제2 사선방향으로 연장되고, 상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리만큼 이격되고, 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 큰 제3 거리만큼 이격될 수 있다. 상기 제1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-1 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제3 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-3 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격될 수 있다.
상기 제2 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-2 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 멀리 이격될 수 있다.
상기 제4 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-4 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 가깝게 이격될 수 있다.
상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역의 선폭은 실질적으로 동일할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 시야각에 따라 백색 이미지가 다르게 인식되는 백색 이미지의 파장 변이가 감소될 수 있다. 결과적으로 표시장치의 표시품질이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 확대된 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 3d는 도 3c의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 표시장치에 정의된 구면 좌표계를 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 비교예 따른 발광영역과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 5c는 비교예에 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 6a는 비교예 따른 발광 개구부들과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 6b는 제1 소스광의 방사경로를 도시한 단면도이다.
도 6c는 비교예에 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예 따른 발광 개구부들과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
도 7b는 제1 소스광의 방사경로를 도시한 단면도이다.
도 7c는 제1 측정지점에서 제1 발광영역을 바라볼 때 감지전극에 의해 차폐된 영역을 도시한 평면도이다.
도 7d는 본 발명의 일 실시예 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예 따른 발광 개구부들과 감지전극의 배치관계를 도시한 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다.
표시장치(DD)는 이미지를 생성하고, 외부입력을 감지할 수 있다. 표시장치(DD)는 표시영역(1000A) 및 주변영역(1000N)을 포함할 수 있다. 표시영역(1000A)에는 화소(PX)가 배치된다. 화소(PX)는 서로 다른 색의 소스광을 생성하는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소를 포함할 수 있다.
표시영역(1000A)에 이미지가 표시될 수 있다. 표시영역(1000A)은 서로 직교하는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 제1 방향(DR1)은 도 4b에서 설명하는 0°의 방위각으로부터 180°의 방위각으로 연장된 방향일 수 있고, 제2 방향(DR2)은 도 4b에서 설명하는 90°의 방위각으로부터 270°의 방위각으로 연장된 방향일 수 있다.
본 실시예에서 제1 방향(DR1)의 너비가 제2 방향(DR2)의 너비보다 작은 직사각형상의 표시영역(1000A)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 반드시 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 방향(DR1)의 너비가 제2 방향(DR2)의 너비보다 클 수도 있다.
표시영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2 개의 측으로부터 각각 벤딩된 곡면들을 더 포함할 수 있다. 하지만, 표시영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시영역(1000A)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 표시영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4 개의 측으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다. 표시장치(DD)는 폴더블 표시장치이거나 롤러블 표시장치일 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 표시장치(DD)는 표시패널(100), 입력센서(200), 반사 방지부재(300, anti-reflector) 및 윈도우(400)를 포함할 수 있다.
표시패널(100)은 발광형 표시패널일 수 있다. 표시패널(100)은 베이스층(110), 구동소자층(120), 표시소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 구동소자층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스층(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층의 무기층, 상기 다층 또는 단층의 무기층 상에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
구동소자층(120)은 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 구동소자층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 구동소자층(120)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 구동회로(이하, 화소 구동회로)를 포함한다.
표시소자층(130)은 구동소자층(120) 상에 배치될 수 있다. 표시소자층(130)은 도 1에서 설명한 화소(PX)의 발광소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광소자는 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 유기-무기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 표시소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시소자층(130)을 보호할 수 있다. 봉지층(140)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 봉지층(140)은 무기층/유기층/무기층의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
입력센서(200)는 표시패널(100) 상에 배치될 수 있다. 입력센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다.
입력센서(200)은 연속된 공정을 통해 표시패널(100) 상에 형성될 수 있다. 이때, 입력센서(200)은 표시패널(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "A 구성 상에 B 구성이 직접 배치된다는 것"은 A 구성과 B 구성 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 입력센서(200)과 표시패널(100) 사이에 접착층이 배치되지 않을 수 있다.
반사 방지부재(300)은 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지부재(300)는 광학필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 편광필름을 포함할 수 있다. 광학필름은 리타더필름을 더 포함할 수 있다. 리타더필름은 λ/2의 리타더필름 및 λ/4의 리타더필름 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 반사 방지부재(300)와 입력센서(200)는 접착층(AD)에 의해 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 반사 방지부재(300)는 입력센서(200) 상에 직접 배치될 수 있다. 반사 방지부재(300)는 컬러필터들을 포함할 수 있다. 반사 방지부재(300)는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소에 각각 대응 또는 중첩하도록 배치된 제1 색 컬러필터, 제2 색 컬러필터, 및 제3 색 컬러필터를 포함할 수 있다. 반사 방지부재(300)는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 블랙 매트릭스는 제1 색 컬러필터, 제2 색 컬러필터, 및 제3 색 컬러필터 사이에 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스는 제1 색 컬러필터, 제2 색 컬러필터, 및 제3 색 컬러필터의 경계를 설정할 수 있다.
윈도우(400)는 반사 방지부재(300) 상에 배치된다. 윈도우(400)와 반사 방지부재(300)는 접착층(AD)에 의해 결합될 수 있다. 접착층(AD)은 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film) 또는 광학 투명 접착부재(OCA, Optically Clear Adhesive)일 수 있다.
윈도우(400)는 적어도 하나의 베이스층을 포함한다. 베이스층은 유리기판 또는 합성수지필름일 수 있다. 윈도우(400)는 다층 구조를 가질 수 있다. 윈도우(400)는 박막 유리기판과 박막 유리기판 상에 배치된 합성수지필름을 포함할 수 있다. 박막 유리기판과 합성수지필름은 접착층에 의해 결합될 수 있고, 접착층과 합성수지필름은 그것들의 교체를 위해 박막 유리기판으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 윈도우(400)와 반사 방지부재(300) 사이의 접착층(AD)은 생략되고, 윈도우(400)는 반사 방지부재(300) 상에 직접 배치될 수도 있다. 유기물질, 무기물질, 또는 세라믹물질이 반사 방지부재(300) 상에 코팅될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(100, 도 2 참조)의 표시영역(100A)의 확대된 평면도이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서(200)의 평면도이다. 도 3d는 도 3c의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3a를 참조하면, 표시영역(100A)은 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 배치된 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 3개 그룹의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)로 구분될 수 있다. 3개 그룹의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 발광소자(LD, 도 3b 참조)에서 생성한 소스광의 색에 따라 구분될 수 있다.
본 실시예에서 제1 색 발광영역(PXA-R, 또는 제1 발광영역)은 레드 광을 제공하고, 제2 색 발광영역(PXA-G, 또는 제2 발광영역)은 그린 광을 제공하고, 제3 색 발광영역(PXA-B, 또는 제3 발광영역)은 블루 광을 제공할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표시패널(100)는 옐로우, 마젠타, 시안 3개의 주요색을 표시하는 3개 그룹의 발광영역들을 포함할 수도 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B)의 면적은 서로 다를 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B)의 면적은 서로 동일할 수도 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B) 각각은 "실질적인 다각형상"을 가질 수 있다. 여기서 "실질적인 다각형상이란 수학적 의미의 다각형, 꼭지점에 곡선이 정의된 다각형, 또는 꼭지점이 명확하지 않은(날카롭지 않은) 다각형"을 포함한다. 발광영역의 형상은 화소 정의막(PDL, 도 3b 참조)에 형성된 발광 개구부(PDL-OP, 도 3b 참조)의 형상과 동일한데, 화소 정의막(PDL)의 식각 성질에 따라 꼭지점의 형상이 달라질 수 있다.
본 실시예에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 대하여 대칭인 사각형상의 제1 색 발광영역(PXA-R) 및 제3 색 발광영역(PXA-B)을 도시하였다. 또한, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 대하여 비-대칭인 사각형상의 제2 색 발광영역(PXA-G)을 도시하였다. 제2 색 발광영역(PXA-G)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 대하여 교차하는 제1 사선방향(CDR1)에 대하여 대칭일 수 있고, 제1 사선방향(CDR1)에 직교하는 제2 사선방향(CDR2)에 대하여 대칭일 수 있다. 제1 사선방향(CDR1)은 도 4b에서 설명하는 45°의 방위각으로부터 225°의 방위각으로 연장된 방향일 수 있다. 제2 사선방향(CDR2)은 도 4b에서 설명하는 135°의 방위각으로부터 315°의 방위각으로 연장된 방향일 수 있다.
제2 색 발광영역(PXA-G)은 제2 방향(DR2)에 대하여 대칭인 제1 타입의 제2 색 발광영역(PXA-G1, 이하 제1 타입의 발광영역)과 제2 타입의 제2 색 발광영역(PXA-G2, 이하 제2 타입의 발광영역)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제2 색 발광영역(PXA-G)은 제1 타입의 발광영역(PXA-G1) 또는 제2 타입의 발광영역(PXA-G2)만을 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제2 색 발광영역(PXA-G)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 대하여 대칭일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 색 발광영역(PXA-R) 및 제3 색 발광영역(PXA-B)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 대하여 대칭인 실질적인 정사각형상을 가질 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제2 색 발광영역(PXA-G)는 실질적인 직사각형상을 가질 수도 있다. 제1 타입의 발광영역(PXA-G1)과 제1 타입의 발광영역(PXA-G2)은 제2 방향(DR2)에 대하여 대칭인 실질적인 직각형상 형상을 가질 수 있다.
도 3a를 참조하면, 복수 개의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된 복수 개의 발광 행들을 정의할 수 있다. 발광 행들은 n(여기서 n은 자연수)번째 발광 행(PXLn), n+1번째 발광 행(PXLn+1), n+2번째 발광 행(PXLn+2), 및 n+3번째 발광 행(PXLn+3)을 포함할 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3)이 그룹을 이루며 제2 방향(DR2)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다.
n번째 발광 행(PXLn)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제1 색 발광영역들(PXA-R)과 제3 색 발광영역들(PXA-B)을 포함한다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)을 포함한다. 제2 방향(DR2)을 따라 제1 색 발광영역들(PXA-R)과 제3 색 발광영역들(PXA-B)이 정렬된다.
n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들의 배치순서와 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들의 배치순서는 서로 다르다. n번째 발광 행(PXLn)의 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 제3 색 발광영역들(PXA-B)과 제1 색 발광영역들(PXA-R)과 엇갈리게 배치된다. n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들 대비 하나의 발광영역만큼 제2 방향(DR2)을 따라 시프트된 것과 같다.
n+1번째 발광 행(PXLn+1)과 n+3번째 발광 행(PXLn+3) 각각에는 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 배치된다. n+1번째 발광 행(PXLn+1)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제2 타입의 발광영역들(PXA-G2)과 제1 타입의 발광영역들(PXA-G1)을 포함한다. n+3번째 발광 행(PXLn+3)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제1 타입의 발광영역들(PXA-G1)과 제2 타입의 발광영역들(PXA-G2)을 포함한다.
n번째 발광 행(PXLn)의 발광영역들과 n+1번째 발광 행(PXLn+1)의 발광영역들은 서로 엇갈리게 배치된다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광영역들과 n+3번째 발광 행(PXLn+3)의 발광영역들은 서로 엇갈리게 배치된다. 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3) 각각의 발광 행에 배치된 발광영역들의 중심점들(B-P)은 동일한 가상선(IL) 상에 배치될 수 있다.
복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 상술한 배열을 정의함으로써, 하나의 제1 색 발광영역(PXA-R)을 4개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 에워싼다. 제1 색 발광영역(PXA-R)을 사이에 두고 2개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 제1 사선방향(CDR1) 내에서 마주하고, 제1 색 발광영역(PXA-R)을 사이에 두고 다른 2개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 제2 사선방향(CDR2) 내에서 마주한다. 또한, 하나의 제3 색 발광영역(PXA-B)을 4개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 에워싼다. 제3 색 발광영역(PXA-B)을 사이에 두고 2개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 제1 사선방향(CDR1) 내에서 마주하고, 제3 색 발광영역(PXA-B)을 사이에 두고 다른 2개의 제2 색 발광영역들(PXA-G)이 제2 사선방향(CDR2) 내에서 마주한다.
도 3b에는 하나의 발광영역(PXA)과 주변의 비발광영역(NPXA)에 대응하는 표시장치(DD)의 단면이 도시되었다. 구체적으로, 도 3b에는 표시패널(100)과 입력센서(200)의 단면이 도시되었다. 도 3b의 발광영역(PXA)은 도 3a의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 중 어느 하나일 수 있다.
표시패널(100)은 발광소자(LD) 및 그에 연결된 트랜지스터(TFT)를 중심으로 도시하였다. 트랜지스터(TFT)는 화소 구동회로에 포함된 복수 개의 트랜지스터들 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서 트랜지스터(TFT)는 실리콘 트랜지스터로 설명되나, 금속 산화물 트랜지스터일 수도 도 있다.
베이스층(110) 상에 배리어층(10br)이 배치될 수 있다. 배리어층(10br)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지한다. 배리어층(10br)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 배리어층(10br)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 이들 각각은 복수 개 제공될 수 있고, 실리콘옥사이드층들과 실리콘나이트라이드층들은 교번하게 적층될 수 있다.
배리어층(10br) 상에 차폐전극(BMLa)이 배치될 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 금속을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 내열성이 좋은 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 또는 티타늄을 함유하는 합금을 포함할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 바이어스 전압을 수신할 수 있다.
차폐전극(BMLa)은 분극현상으로 인한 전기적 포텐셜이 실리콘 트랜지스터(S-TFT)에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다. 차폐전극(BMLa)은 외부 광이 실리콘 트랜지스터(S-TFT)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 차폐전극(BMLa)은 다른 전극 또는 배선과 고립된(isolated) 형태의 플로팅 전극일 수도 있다.
배리어층(10br) 상에 버퍼층(10bf)이 배치될 수 있다. 버퍼층(10bf)은 베이스층(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상측의 반도체 패턴(SC1)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 버퍼층(10bf)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘 나이트라이드층을 포함할 수 있다.
버퍼층(10bf) 상에 반도체 패턴(SC1)이 배치될 수 있다. 반도체 패턴(SC1)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴(SC1)은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
트랜지스터(TFT)의 소스 영역(SE1, 또는 소스), 액티브 영역(AC1, 또는 채널), 및 드레인 영역(DE1, 또는 드레인)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(10bf) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 구동소자층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 영역(AC1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다. 게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE20)이 배치될 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE10)은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀을 통해 트랜지스터(TFT)의 드레인 영역(DE1)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50)의 적층 구조는 예시적인 것일 뿐이며, 제1 절연층(10) 내지 제5 절연층(50) 이외에 추가적인 도전층과 절연층이 더 배치될 수도 있다.
제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 유기층은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
발광소자(LD)는 제1 전극(AE, 또는 애노드 또는 화소 전극), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE, 또는 캐소드 또는 공통 전극)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제2 연결 전극(CNE2)은 제2 전극(CE)에 연결될 수도 있다. 이때 제1 전극(AE)가 공통전극에 해당하고, 제2 전극(CE)은 도 3a의 발광영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)마다 분리될 수 있다. 또한, 발광소자(LD)가 도 3b에 도시된 구조를 갖는다고 하더라도 제1 전극(AE)이 캐소드이고, 제2 전극(CE)이 애노드일 수도 있다(인버티드 구조).
제1 전극(AE)은 반투광성 또는 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 차광 특성을 갖는 차광패턴에 해당할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 일부분을 노출시키는 발광 개구부(PDL-OP)가 정의될 수 있다. 발광 개구부(PDL-OP)는 표시패널(100)의 발광영역(PXA)을 정의할 수 있다.
화소 정의막(PDL)에는 도 3a를 참조하여 설명한 제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 및 제3 색 발광영역(PXA-B)에 대응하는 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된다. 도 3b에는 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부를 대표하여 하나의 발광 개구부(PDL-OP)를 도시하였다.
제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 도 3a를 참조하여 설명한 제1 색 발광영역(PXA-R), 제2 색 발광영역(PXA-G), 제3 색 발광영역(PXA-B), 및 비발광영역(NPXA)에 공통적으로 중첩할 수 있다.
도 3a의 제1 색 발광영역들(PXA-R), 제2 색 발광영역들(PXA-G), 및 제3 색 발광영역들(PXA-B)에 대응하도록 제1 발광소자들, 제2 발광소자들, 및 제3 발광소자들이 배치된다. 제1 발광소자, 제2 발광소자, 및 제3 발광소자는 서로 다른 발광층(EL)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 발광소자는 제1 소스광을 생성하는 제1 발광층을 포함하고, 제2 발광소자는 제2 소스광을 생성하는 제2 발광층을 포함하고, 제3 발광소자는 제3 소스광을 생성하는 제3 발광층을 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 표시소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 발광소자(LD)와 화소 정의막(PDL)를 밀봉한다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층(141), 유기층(142), 및 무기층(143)을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(141, 143)은 수분 및 산소로부터 표시소자층(130)을 보호하고, 유기층(142)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들(141, 143)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(142)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력센서(200)는 제1 절연층(200-IL), 제1 도전 패턴층(200-CL1), 제2 절연층(200-IL2), 제2 도전 패턴층(200-CL2), 및 제3 절연층(200-IL3)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(200-IL1)은 봉지층(140) 상에 직접 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 및/또는 제3 절연층(200-IL3)은 생략될 수 있다. 제1 절연층(200-IL1)이 생략될 때, 봉지층(140)의 최상측의 절연층 상에 제1 도전 패턴층(200-CL1)이 직접 배치될 수 있다. 제3 절연층(200-IL3)은 접착층 또는 입력센서(200) 상에 배치되는 반사 방지부재(300)의 절연층으로 대체될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 입력센서(200)는 제1 도전 패턴층(200-CL1)과 제2 도전 패턴층(200-CL2) 중 하나만을 포함할 수도 있다.
제1 도전 패턴층(200-CL1)은 제1 도전패턴을 포함하고, 및 제2 도전 패턴층(200-CL2)은 제2 도전패턴을 포함할 수 있다. 제1 도전패턴과 제2 도전패턴 각각은 규칙적으로 배열된 패턴들을 포함할 수 있다. 이하, 제1 도전 패턴층(200-CL1)과 제1 도전패턴은 동일한 도면 부호를 참조하고, 제2 도전 패턴층(200-CL2)과 제2 도전패턴은 동일한 도면 부호를 참조한다.
제1 도전패턴(200-CL1) 및 제2 도전패턴(200-CL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전패턴은 투명 도전층들과 금속층들 중 적어도 2이상을 포함할 수 있다. 다층구조의 도전패턴은 서로 다른 금속을 포함하는 금속층들을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제1 도전패턴(200-CL1)과 제2 도전패턴(200-CL2)은 비발광영역(NPXA)에 중첩한다. 제1 도전패턴(200-CL1)에는 발광영역(PXA)에 대응하는 개구부(IS-OP)가 정의될 수 있다. 개구부(IS-OP)는 발광 개구부(PDL-OP)보다 큰 면적을 가질 수 있다.
본 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3) 각각은 무기층 또는 유기층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3)은 무기층을 포함할 수 있다. 무기층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 절연층(200-IL1) 내지 제3 절연층(200-IL3) 중 적어도 하나는 유기층일 수 있다. 예컨대, 제3 절연층(200-IL3)이 유기층을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 입력센서(200)는 감지영역(200A) 및 감지영역(200A)에 인접한 비-감지영역(200N)을 포함한다. 감지영역(200A) 및 비-감지영역(200N)은 도 1에 도시된 표시영역(1000A) 및 주변영역(1000N)에 각각 대응한다.
입력센서(200)는 감지영역(200A)에 배치되고, 서로 절연 교차하는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)을 포함한다. 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이에 형성된 뮤츄얼 커패시턴스의 변화량을 산출하여 외부 입력을 검출할 수 있다.
셀프 커패시턴스 타입의 입력센서(200)는 서로 교차하지 않는 감지전극들을 포함할 수도 있다. 본 실시예에서 감지전극을 포함하는 입력센서(200)면 충분하고 입력센서(200)의 구동방식은 특별히 제한되지 않는다.
입력센서(200)는 비-감지영역(200N)에 배치되고, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)에 전기적으로 연결된 제1 신호라인들(SL1) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)에 전기적으로 연결된 제2 신호라인들(SL2)을 포함한다. 도 3b를 참조하여 설명한 제1 도전패턴(200-CL1)과 제2 도전패턴(200-CL2) 각각 또는 제1 도전패턴(200-CL1)과 제2 도전패턴(200-CL2)의 조합으로써 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5), 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4), 제1 신호라인들(SL1), 및 제2 신호라인들(SL2)이 정의될 수 있다.
제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 서로 교차하는 복수 개의 도전성 라인들을 포함할 수 있다. 복수 개의 도전성 라인들이 복수 개의 개구부들을 정의하고, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 복수 개의 개구부들 각각은 도 3b에 도시된 개구부(IS-OP)와 같이 정의될 수 있다.
제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5) 및 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 중 어느 하나는 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서 일체의 형상을 갖는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)이 예시적으로 되었다. 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)은 감지부분들(SP1)과 중간부분들(CP1)을 포함할 수 있다. 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)에 대응할 수 있다.
제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 각각은 감지패턴들(SP2)과 브릿지 패턴들(CP2, 또는 연결 패턴들)을 포함할 수 있다. 인접하는 2개의 감지패턴들(SP2)은 제2 절연층(200-IL2, 도 3b 참조)을 관통하는 컨택홀(CH-I)을 통해 2개의 브릿지 패턴들(CP2)로 연결될 수 있으나, 브릿지 패턴들의 개수는 제한되지 않는다. 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 감지패턴들(SP2)에 대응할 수 있다. 상술한 제1 도전패턴(200-CL1)의 일부가 브릿지 패턴들(CP2)에 대응할 수 있다.
본 실시예에서 도 3b에 도시된 제1 도전패턴(200-CL1)로부터 브릿지 패턴들(CP2)이 형성되고, 제2 도전패턴(200-CL2)으로부터 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 감지패턴들(SP2)이 형성되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않는다. 도 3b에 도시된 제1 도전패턴(200-CL1)으로부터 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 감지패턴들(SP2)이 형성되고, 제2 도전패턴(200-CL2)으로부터 브릿지 패턴들(CP2)이 형성될 수 도 있다.
제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2) 중 어느 하나는 외부 회로로부터 외부 입력을 감지하기 위한 송신신호를 전달하고, 다른 하나는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-5)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4) 사이의 정전용량 변화를 수신신호로써 외부 회로에 전달한다.
상술한 제2 도전패턴(200-CL2)의 일부가 제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2)에 대응할 수 있다. 제1 신호라인들(SL1)과 제2 신호라인들(SL2)은 복층 구조를 가질 수 있고, 상술한 제1 도전패턴(200-CL1)로부터 형성된 제1 층 라인과 상술한 제2 도전패턴(200-CL2)로부터 형성된 제2 층 라인을 포함할 수도 있다. 제1 층 라인과 제2 층 라인은 제2 절연층(200-IL2, 도 3b 참조)을 관통하는 컨택홀을 통해 연결될 수 있다.
도 3d는 도 3c에 도시된 메쉬 형상을 갖는 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)을 설명하기 위해 감지패턴(SP2)을 예시적으로 확대 도시하였다. 미-도시된 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)의 다른 부분들 역시 도 3d에 도시된 감지패턴(SP2)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 도 3c에 도시된 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)의 경계에서 도 3d에 도시된 도전성 라인(CL1, CL2)의 단선 영역이 정의될 수 있다.
이하, 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)을 대표하여 감지패턴(SP2)을 기준으로 제1 감지전극들(E1-1 내지 E1-6)과 제2 감지전극들(E2-1 내지 E2-4)에 대해 설명한다. 도 3d를 참조하면, 감지패턴(SP2)에는 제1, 제2, 및 제3 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들(IS-OPR, IS-OPG, IS-OPB)이 정의된다.
감지패턴(SP2)은 비발광영역(NPXA)에 중첩하며 도전성 라인(CL)을 포함한다. 도전성 라인(CL)은 제1 사선방향(CDR1)으로 연장된 제1 라인 성분들(CL1)과 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된 제2 라인 성분들(CL2)을 포함한다. 제1 라인 성분들(CL1)과 제2 라인 성분들(CL2)을 교차하며 제1, 제2, 및 제3 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)에 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부들(PIS-OPR, IS-OPG, IS-OPB)을 정의한다. 그에 따라 감지패턴(SP2)은 격자 형상 또는 메쉬 형상을 갖는다. 다만, 제1 라인 성분들(CL1) 각각은 제1 사선방향(CDR1) 내에서 완전한 직선 형상이 아니고 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함한다. 제2 라인 성분들(CL2) 역시 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함한다.
감지패턴(SP2)은 제1, 제2, 및 제3 개구부들(IS-OPR, IS-OPG, IS-OPB) 각각을 중심으로 제2 사선방향(CDR2)에서 마주하는 제1 라인 영역(LA1) 및 제2 라인 영역(LA2) 및 제1 사선방향(CDR1)에서 마주하는 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)을 포함한다. 제1 라인 영역(LA1)과 제2 라인 영역(LA2)은 제1 사선방향(CDR1)으로 연장된 직선 영역이고, 제3 라인 영역(LA3)과 제4 라인 영역(LA4)은 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된 직선 영역이다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)를 에워싼다.
제1 라인 영역(LA1)과 제2 라인 영역(LA2)은 제1 라인 성분들(CL1)의 일부분일 수 있고, 제3 라인 영역(LA3)과 제4 라인 영역(LA4)은 제2 라인 성분들(CL2)의 일부분일 수 있다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 균일한 선폭을 가질 수 있다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 선폭은 2 마이크로미터 내지 8 마이크로미터일 수 있다.
제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)은 제1, 제2, 및 제3 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB) 중 대응하는 발광 개구부를 정의하는 제1 엣지(E1), 제2 엣지(E2), 제3 엣지(E3), 및 제4 엣지(E4)에 각각 인접하게 배치된다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4)은 제1 엣지(E1), 제2 엣지(E2), 제3 엣지(E3), 및 제4 엣지(E4)에 각각 평행하게 배치될 수 있다. 제1 엣지(E1)와 제2 엣지(E2)는 제1 사선방향(CDR1)으로 연장되고, 제3 엣지(E3)와 제4 엣지(E4)는 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된다.
본 실시예에서 대응하는 라인 영역(LA1, LA2, LA3, LA4)과 대응하는 엣지(E1, E2, E3, E4) 사이의 간격이 일정한 감지패턴(SP2)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1, 제2, 및 제3 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB) 각각이 제1, 제2, 및 제3 개구부들(IS-OPR, IS-OPG, IS-OPB) 중 대응하는 개구부와 서로 다른 형상을 갖는 경우, 라인 영역과 엣지 사이의 간격이 일정하지 않을 수도 있다.
인접한 라인 영역들(LA1, LA2, LA3, LA4) 사이에 교차영역(CA)이 배치된다. 교차영역(CA)은 인접한 라인 영역보다 큰 선폭을 갖는다. 제1 라인 영역(LA1)의 선폭과 제1 라인 영역(LA1) 및 제3 라인 영역(LA3) 사이에 정의된 교차영역(CA)의 선폭을 비교하면 알 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 표시장치(DD)에 정의된 구면 좌표계를 설명하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)에 구면 좌표계가 정의될 수 있다. 구면 좌표계의 원점은 표시장치(DD)의 표시영역(1000A)의 중심에 정렬될 수 있다. 구면 좌표계는 표시장치(DD)의 표시품질을 측정하는 지점들을 구별하는 데 사용된다.
구면 좌표계의 좌표는 (r, θ, Φ)로 표현될 수 있고, r은 원점으로부터 측정지점까지의 거리를 나타내고, θ는 z축(또는 표시장치(DD)의 법선축)과 원점과 측정지점 사이에 정의된 직선이 이루는 각도를 나타내고, Φ는 x축(또는 표시장치(DD)의 중심을 지나는 가로축)에 대하여 원점과 측정지점 사이에 정의된 직선을 xy평면(또는 표시장치(DD)의 전면)에 투영시킨 직선이 이루는 각도를 나타낸다. 설명의 편의상 θ는 시야각으로 정의되고, Φ는 방위각으로 정의된다.
도 4a에는 5개의 측정지점들(P1 내지 P5)을 도시하였다. 제1 측정지점(P1)의 제1 시야각은 0°로 정의된다. 제2 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4)은 z축(또는 표시장치(DD)의 법선축)으로부터 일정한 각도를 갖는다. 제2 내지 제5 측정지점들(P2 내지 P5)의 제2 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4)은 15°, 30°, 45°, 60°일 수 있다. 또는 제2 내지 제5 측정지점들(P2 내지 P5)의 제2 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4)은 20°, 40°, 60°, 80°일 수도 있다. 또는 제2 내지 제5 측정지점들(P2 내지 P5)의 제2 내지 제5 시야각들(θ1, θ2, θ3, θ4)은 10°, 20°, 30°, 40°일 수도 있다.
도 4b에는 8개의 방위각들(Φ1 내지 Φ8)을 예시적으로 도시하였다. 제1 내지 제8 방위각들(Φ1 내지 Φ8)은 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°, 315°일 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 비교예 따른 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 5c는 비교예에 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 감지전극(SE)은 도 3d에 도시된 감지패턴(SP2)의 서로 다른 일부분일 수 있고, 도 3d에 대비 상세히 도시하였다.
도 5a는 제1 발광 개구부(PDL-OPR)과 이를 에워싸는 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG1 내지 PDL-OPG4)을 중심으로 도시하였고, 도 5b 제3 발광 개구부(PDL-OPB)과 이를 에워싸는 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG10 내지 PDL-OPG40)을 중심으로 도시하였다. 이하, 도 3d를 참조하여 설명한 구성에 대한 상세한 설명은 도 3d를 참조한다. 이하, 제2 발광 개구부들(PDL-OPG1 내지 PDL-OPG4 및 PDL-OPG10 내지 PDL-OPG40)은 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1, PDL-OPG10), 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2, PDL-OPG20), 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3, PDL-OPG30), 및 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4, PDL-OPG40)로 정의된다. 또한, 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1, PDL-OPG10), 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2, PDL-OPG20), 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3, PDL-OPG30), 및 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4, PDL-OPG40) 각각에는 상술한 의을 생성하는 제3 발광소자가 각각 배치된다.
도 5a를 참조하면, 제2 사선방향(CDR2) 내에서, 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1)와 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2)가 마주하고, 제1 발광 개구부(PDL-OPR)가 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1)와 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2) 사이에 배치된다. 제1 사선방향(CDR1) 내에서, 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3)와 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4)이 마주하고, 제1 발광 개구부(PDL-OPR)가 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3)와 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4) 사이에 배치된다.
감지전극(SE)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)을 중심으로 배치된 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)을 포함할 수 있다. 제1 라인 영역(LA1)은 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1)과 제1 발광 개구부(PDL-OPR) 사이에 배치된다. 제2 라인 영역(LA2)은 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2)과 제1 발광 개구부(PDL-OPR) 사이에 배치된다. 제3 라인 영역(LA3)은 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3)과 제1 발광 개구부(PDL-OPR) 사이에 배치된다. 제4 라인 영역(LA4)은 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4)과 제1 발광 개구부(PDL-OPR) 사이에 배치된다. 본 실시예에서 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각의 선폭(W1)은 3 마이크로미터일 수 있다. 선폭(W1)은 2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터로 변경될 수도 있다.
제1 발광 개구부(PDL-OPR)와 이를 에워싸는 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1), 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2), 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3), 및 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4) 사이의 거리는 실질적으로 동일할 수 있다. 이들 사이의 거리는 약 15 마이크로미터 내지 20 마이크로미터일 수 있다.
제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 동일한 거리만큼 이격될 수 있다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제1 거리(A1)만큼 이격될 수 있다. 제1 거리(A1)는 3 마이크로미터 내지 11 마이크로미터일 수 있다.
제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG1), 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2), 제2-3 발광 개구부(PDL-OPG3), 및 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4) 중 대응하는 제2 발광 개구부에 대하여 동일한 거리만큼 이격될 수 있다. 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 대응하는 제2 발광 개구부에 대하여 상기 제1 거리(A1)만큼 이격될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제2 사선방향(CDR2) 내에서, 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG10)와 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG20)가 마주하고, 제3 발광 개구부(PDL-OPB)가 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG10)와 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG20) 사이에 배치된다. 감지전극(SE)은 제3 발광 개구부(PDL-OPB)을 중심으로 배치된 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)을 포함할 수 있다. 제1-1 라인 영역(LA10)은 제2-1 발광 개구부(PDL-OPG10)와 제3 발광 개구부(PDL-OPB) 사이에 배치된다. 제2-1 라인 영역(LA20)은 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG20)와 제3 발광 개구부(PDL-OPB) 사이에 배치된다. 본 실시예에서 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30), 및 제4-1 라인 영역(LA40) 각각의 선폭(W1)은 3 마이크로미터일 수 있다. 선폭(W1)은 2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터로 변경될 수도 있다.
설명의 편의를 위해서 도 5a에 도시된 제1 발광 개구부(PDL-OPR)의 주변에 배치된 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)과 도 5b에 도시된 제3 발광 개구부(PDL-OPB)의 주변에 배치된 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)을 구별하고 설명하고 있으나, 이러한 라인 영역들은 감지전극(SE)의 서로 다른 영역일 뿐이고, 모두 라인 영역에 해당한다. 도 5a에 도시된 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG1 내지 PDL-OPG4)와 도 5b에 도시된 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG10 내지 PDL-OPG40) 역시 제2 발광 개구부에 해당하나 설명의 편의를 위해 서로 다른 부호를 참조하였다.
제3 발광 개구부(PDL-OPB)과 이를 에워싸는 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG10 내지 PDL-OPG40) 사이의 거리는 실질적으로 동일할 수 있다. 이들 사이의 거리는 약 15 마이크로미터 내지 20 마이크로미터일 수 있다.
제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30), 및 제4-1 라인 영역(LA40) 각각은 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대하여 동일한 거리만큼 이격될 수 있다. 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30), 및 제4-1 라인 영역(LA40) 각각은 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대하여 제1 거리(A1)만큼 이격될 수 있다. 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30), 및 제4-1 라인 영역(LA40) 각각은 대응하는 제2 발광 개구부에 대하여 동일한 거리, 예컨대 상기 제1 거리(A1)만큼 이격될 수 있다.
도 5a 및 도 5b에는 제1 측정지점(P90)과 제2 측정지점(P135)이 도시되었다. 제1 측정지점(P90)과 제2 측정지점(P135)은 방위각이 서로 상이하다. 제1 측정지점(P90)은 90°의 방위각을 갖고, 제2 측정지점(P135)은 135°의 방위각을 갖는다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 감지전극(SE)을 갖는 표시장치(DD, 도 4b 참조)를 제1 측정지점(P90)에서 바라볼 때 시야각에 따라 백색 파장 변이가 발생하지 않았거나, 발생된 백색 파장 변이가 무시할 수준이었다. 그러나, 제2 측정지점(P135)에서 바라볼 때 특정 시야각에서 백색 파장 변이가 상대적으로 크게 발생하였다. 이는 도 5c의 그래프에 나타난다. 별도로 도시하지 않았으나, 135°의 방위각 이외의 다른 방위각을 갖는 여러 측정지점에서 백색 파장 변이를 측정하였으나, 백색 파장 변이가 검출되지 않았다. 광학필름 때문에 특정 방위각에서만 백색 파장 변이가 발생한 것으로 추정된다. 특정방향으로 연신된 편광필름의 광학축에 의해 특정 파장 대의 광이 특정 방위각 및 특정 시야각으로 더 많이 제공된 것으로 추정된다.
도 5c 방위각 및 시야각에 따른 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 나타낸다. 90°의 방위각 및 0°의 시야각의 측정지점(후술하는 제1 측정지점)에서 측정한 색좌표가 색좌표 변화량(Δu', Δv')의 기준이 된다. 색좌표 변화량(Δu', Δv')은 CIE1976의 색좌표계의 색좌표(u', v')를 기준으로 표현되었다.
90°의 방위각을 갖는 제1 측정지점(P90, 도 5a 및 도 5b 참조)에서 시야각을 달리하여 백색 이미지의 색좌표를 측정하였다. 0°의 시야각, 30°의 시야각, 45°의 시야각, 60°의 시야각을 갖는 4개의 지점(P-1, P-2, P-3, P-4)에서 측정되었다. 제1 그래프(GP100)는 90°의 방위각을 갖는 4개의 지점(P-1, P-2, P-3, P-4)에 대한 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 나타낸다.
또한, 135°의 방위각을 갖는 제2 측정지점(P135, 도 5a 및 도 5b 참조)에서 시야각을 달리하여 백색 이미지의 색좌표를 측정하였다. 0°의 시야각, 30°의 시야각, 45°의 시야각, 60°의 시야각을 갖는 4개의 지점(P-1, P-2, P-3, P-4)에서 측정되었다. 제2 그래프(GP200)는 135°의 방위각을 갖는 4개의 지점(P-1, P-2, P-3, P-4)에 대한 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 나타낸다.
제1 그래프(GP100) 및 제2 그래프(GP200)를 비교하면, 60°의 시야각을 갖는 제4 지점(P-4)에서 큰 백색 파장 변이가 발생하였다. Δu'가 증가한 것은 백색 이미지가 적색 변이된 백색 이미지(reddish white image)로 측정된 것을 의미한다. 사용자에게 방위각에 따라 백색의 이미지의 색감이 다르게 인지되는 것은 표시품질 저하를 의미한다.
본 발명에 따르면, 감지전극(SE)이 백색 이미지에 대하여 특정한 방위각으로 간섭을 일으켜 방위각들에 따른 색좌표 변화량(Δu', Δv')의 차이를 감소시킬 수 있다. 감지전극(SE)이 소스광에 대하여 특정한 방위각의 방사경로에만 간섭을 일으키도록 감지전극(SE)을 설계할 수 있다. 또한, 감지전극(SE)이 제1 소스광, 제2 소스광, 및 제3 소스광 중 특정한 소스광의 방사경로에만 간섭을 일으키도록 감지전극(SE)을 설계할 수 있다.
한편, 본 실시예에서 사용자에게 135°의 방위각 및 60°의 시야각을 갖는 측정지점에서 적색 변이된 백색 이미지(reddish white image)가 인지되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 특정 지점에서 측정된 백색 이미지는 청색 변이된 백색 이미지(bluish white image)이거나 녹색 변이된 백색 이미지(greenish white image)일 수 있다.
도 6a는 비교예 따른 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 6b는 제1 소스광의 방사경로를 도시한 단면도이다. 도 6c는 비교예에 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다. 이하, 도 5a에 도시된 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계와 도 6a의 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하여 설명한 것과 같이, 적색 변이된 백색 이미지(reddish white image)로 측정된 경우를 가정하여, 백색 이미지의 적색 변이를 감소시키기 위한 감지전극(SE)를 도 6a에 도시하였다. 미-도시하였으나, 본 실시예에 따른 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)의 배치관계는 도 5b와 동일할 수 있다. 만약, 청색 변이된 백색 이미지(bluish white image)가 측정된 경우, 백색 이미지의 청색 변이를 감소시키기 위한 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4 라인 영역(LA4)의 배치관계는 도 5b와 다를 수 있다. 이를 위해서 후술하는 감지전극(SE)의 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)의 배치관계가 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)의 배치관계에 적용될 수 있다.
도 6a를 참조하면, 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2)와 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 제2 라인 영역(LA2)의 이격된 거리는 서로 다를 수 있다. 제2 라인 영역(LA2)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제2 거리(B1)만큼 이격될 수 있다. 제2 라인 영역(LA2)은 제2-2 발광 개구부(PDL-OPG2)에 대하여 제3 거리(C1)만큼 이격될 수 있다.
제2 거리(B1)는 제1 거리(A1)보다 작을 수 있다. 제3 거리(C1)는 제1 거리(A1)보다 클 수 있다. 제1 거리(A1)는 제2 거리(B1)와 제3 거리(C1)의 평균에 해당할 수 있다. 제2 거리(B1)는 제3 거리(C1)보다 2 마이크로미터 내지 8 마이크로미터 더 작을 수 있다. 제1 라인 영역(LA1)과 제2 라인 영역(LA2)을 비교하면, 제2 라인 영역(LA2)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)을 향하여 시프트된 것과 같다.
제2 라인 영역(LA2)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 상대적으로 가깝게 배치됨으로써, 제2 라인 영역(LA2)은 제1 색 발광영역(PXA-R)에서 제2 측정지점(P135) 방향으로 제공되는 제1 소스광(L-R, 도 6b 참조)을 더 많이 차단할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 제2 라인 영역(LA2)은 제2 측정지점(P135) 중 60°의 시야각을 갖는 제4 지점(P-4)으로 향하는 제1 소스광(L-R)을 차단할 수 있다. 그에 반하여 제4 지점(P-4)보다 작은 시야각을 갖는 지점들, 예컨대 45°의 시야각을 갖는 제3 지점(P-3)으로 향하는 광은 제2 라인 영역(LA2)에 의해 차단되지 않을 수 있다.
제2 라인 영역(LA2)이 제1 거리(A1)보다 가깝게 배치됨으로써 제2 라인 영역(LA2)에 의해 가려지는 제1 발광 개구부(PDL-OPR)의 면적 또는 제2 라인 영역(LA2)에 의해 가려지 제1 색 발광영역(PXA-R)의 면적은 증가된다. 도 3b를 참조할 때, 제2 라인 영역(LA2)에 의해 가려지는 제1 색 발광영역(PXA-R)의 면적이 증가한다는 것은 제2 라인 영역(LA2)에 의해 가려지는 발광소자의 제1 전극의 면적이 증가한다는 것과 동일한 의미를 갖는다. 발광영역(PXA)은 발광 개구부(PDL-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 영역과 동일하게 정의되기 때문이다.
도 6c를 참조하면, 제2 그래프(GP200)는 도 5c의 제2 그래프(GP200)에 해당한다. 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)는 도 6a의 제2 거리(B1)가 감소하고 제3 거리(C1)가 증가함에 따라 발생하는 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 나타낸다. 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)는 135°의 방위각을 갖는 제2 측정지점(P135, 도 6a 및 도 6b 참조)에서 시야각을 달리하여 백색 이미지의 색좌표를 측정하였다.
제2-1 그래프(GP200-1)에서 제2-3 그래프(GP200-3)로 갈수록 제2 거리(B1)가 더 감소하며, 예컨대 1마이크로미터씩 더 감소할 수 있다. 제2 그래프(GP200)와 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)는 동일한 방위각과 동일한 시야각 조건에서 측정되었다.
제2 그래프(GP200)와 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)를 참조하면, 제2 거리(B1)가 감소할수록 도 6b를 참조하여 설명한 제2 라인 영역(LA2)의 제1 소스광(L-R) 차단 효과가 증가하기 때문에 60°의 시야각에서 Δu'의 변화량이 감소될 수 있다. 제2-2 그래프(GP200-2)에 따르면, 제1 그래프(GP100)와 유사한 Δu'의 변화량을 가질 수 있다.
제1 그래프(GP100)는 도 5c의 제1 그래프(GP100)에 해당한다. 제1-1 그래프(GP100-1), 제1-2 그래프(GP100-2), 및 제1-3 그래프(GP100-3)는 도 6a의 제2 거리(B1)가 감소하고 제3 거리(C1)가 증가함에 따라 발생하는 색좌표 변화량(Δu', Δv')을 나타낸다. 제1-1 그래프(GP100-1), 제1-2 그래프(GP100-2), 및 제1-3 그래프(GP100-3)는 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)와 다르게 90°의 방위각을 갖는 제1 측정지점(P90, 도 6a 및 도 6b 참조)에서 시야각을 달리하여 백색 이미지의 색좌표를 측정하였다.
제2 거리(B1)가 감소할수록 증가하는 제2 라인 영역(LA2)의 제1 소스광(L-R)에 대한 차단 효과는 135°의 방위각뿐만 아니라 90°의 방위각을 갖는 제1 측정지점(P90)에도 발생한다. 제2 라인 영역(LA2)이 방위각 90°에서 방위각 180°를 향하여 연장되었기 때문이다.
제2-2 그래프(GP200-2)와 같이, 135°의 방위각과 60°의 시야각을 갖는 지점에서는 백색 이미지의 적색 파장 변이(red wavelength shift)가 감소되었지만, 제1-2 그래프(GP100-2)와 같이 90°의 방위각과 60°의 시야각을 갖는 지점에서는 백색 이미지의 황색 파장 변이가 발생할 수 있다. 제2 라인 영역(LA2)의 제1 소스광(L-R)에 대한 차단 효과로 인해 90°의 방위각과 60°의 시야각을 갖는 지점으로 충분한 제1 소스광(L-R)이 제공되지 못했기 때문이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 도 7b는 제1 소스광의 방사경로를 도시한 단면도이다. 도 7c는 제1 측정지점에서 제1 발광영역을 바라볼 때 감지전극에 의해 차폐된 영역을 도시한 평면도이다. 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에서 표시된 백색이미지의 색좌표 변화량을 도시한 그래프이다. 이하, 도 6a에 도시된 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계와 본 실시예의 차이점을 중심으로 설명한다.
적색 변이된 백색 이미지(reddish white image)로 측정된 경우를 가정하여, 백색 이미지의 적색 파장 변이를 감소시키기 위한 감지전극(SE)를 도 7a에 도시하였다. 본 실시예에 따른 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)의 배치관계는 도 5b와 동일할 수 있다.
만약, 청색 변이된 백색 이미지(bluish white image)가 측정된 경우, 백색 이미지의 청색 파장 변이를 감소시키기 위한 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)의 배치관계는 도 5b와 다를 수 있다. 이를 위해서 후술하는 감지전극(SE)의 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3) 및 제4 라인 영역(LA4)의 배치관계가 감지전극(SE)의 제3 발광 개구부(PDL-OPB)에 대한 제1-1 라인 영역(LA10), 제2-1 라인 영역(LA20), 제3-1 라인 영역(LA30) 및 제4-1 라인 영역(LA40)의 배치관계에 적용될 수 있다.
도 7a를 참조하면, 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4)와 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 제4 라인 영역(LA4)의 이격된 거리는 서로 다를 수 있다. 제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격될 수 있다. 제4 라인 영역(LA4)은 제2-4 발광 개구부(PDL-OPG4)에 대하여 제5 거리(C10)만큼 이격될 수 있다.
제4 거리(B10)는 제1 거리(A1)보다 클 수 있다. 제5 거리(C10)는 제1 거리(A1)보다 작을 수 있다. 제3 라인 영역(LA3)과 제4 라인 영역(LA4)을 비교하면, 제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)로부터 멀리 시프트된 것과 같다.
제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 상대적으로 멀리 배치됨으로써, 제1 측정지점(P90)에 대한 제4 라인 영역(LA4)의 제1 소스광(L-R) 차단효과는 감소될 수 있다.
도 6a, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제1 거리(A1)만큼 이격된 경우, 제1 측정지점(P90)에서 바라볼 때 제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제1-1 거리(A1')만큼 이격된다. 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격된 경우, 제1 측정지점(P90)에서 바라볼 때 제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4-1 거리(B10')만큼 이격된다.
제1 측정지점(P90)에서 바라볼 때, 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제1-1 거리(A1')만큼 이격된 경우, 제4 라인 영역(LA4)은 제1 측정지점(P90) 중 60°의 시야각을 갖는 제4 지점(P-4)으로 향하는 제1 소스광(L-R)을 차단할 수 있다. 제1 측정지점(P90)에서 바라볼 때, 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4-1 거리(B10')만큼 이격된 경우, 제4 라인 영역(LA4)의 제1 소스광(L-R) 차단효과는 감소되거나 사라질 수 있다. 도 7b에는 제4 라인 영역(LA4)의 제1 소스광(L-R) 차단효과가 감소된 상태를 도시하였다.
도 6a에 도시된 것처럼 제2 라인 영역(LA2)이 제2 거리(B1)만큼 이격된다면, 제1 측정지점(P90)에서 바라본 제2 라인 영역(LA2)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제2-1 거리(B1')만큼 이격된다. 제4 라인 영역(LA4)도 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제2 거리(B1)만큼 이격된다면, 제1 측정지점(P90)에서 바라본 제4 라인 영역(LA4)은 도 7b에 도시된 것과 같이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제2-1 거리(B1')만큼 이격될 수 있다.
제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 제2 라인 영역(LA2)의 차폐면적과 제4 라인 영역(LA4)의 차폐면적은 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 제2 라인 영역(LA2)과 제4 라인 영역(LA4)의 이격 거리에 의해 결정된다. 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대해 동일한 거리만큼 이격되었다면, 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 제2 라인 영역(LA2)의 차폐면적과 제4 라인 영역(LA4)의 차폐면적은 실질적으로 동일할 수 있다.
제4 라인 영역(LA4)이 제4 거리(B10)에 배치될 때, 제1 측정지점(P90)을 향하여 형성되는 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 제4 라인 영역(LA4)의 차폐면적은 제2 라인 영역(LA2)이 제2 거리(B1)에 배치될 때 제1 측정지점(P90)을 향하여 형성되는 제1 색 발광영역(PXA-R)에 대한 제2 라인 영역(LA2)의 차폐면적보다 작다.
도 7c는 제1 측정지점(P90)에서 제1 발광영역(PXA-R)을 바라볼 때 제2 라인 영역(LA2)과 제4 라인 영역(LA4)에 의해 차폐된 영역을 도시하였다. 교차영역(CA)은 생략되고, 감지전극(SE)이 간략히 도시되었다. 제1 발광영역(PXA-R)에 대하여 제2 라인 영역(LA2)과 제4 라인 영역(LA4)이 동일한 거리(예컨대, 도 7a의 제1 거리(A1))로 이격된 경우를 가정하여 제2 라인 영역(LA2)과 제4 라인 영역(LA4)에 의해 차폐되는 영역은 점선으로 도시되었다.
제2 라인 영역(LA2)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제2 거리(B1)만큼 이격되고, 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격된 경우를 가정하여 제1 측정지점(P90)에서 제1 발광영역(PXA-R)을 바라볼 때 제2 라인 영역(LA2)과 제4 라인 영역(LA4)에 의해 차폐된 영역은 해칭(hatching)으로 도시되었다. 해칭으로 도시된 영역을 참고하면 점선으로 도시된 영역 대비, 제2 라인 영역(LA2)에 의해 차폐된 영역의 면적은 증가되었고, 제4 라인 영역(LA4)에 의해 차폐된 영역의 면적은 감소되었다.
도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 제2 라인 영역(LA2)이 제2 거리(B1)에 배치됨으로써 제1 측정지점(P90)으로 향하는 제1 소스광(L-R)의 광량이 감소되었더라도 제4 라인 영역(LA4)이 제4 거리(B10)에 배치됨으로써 제1 측정지점(P90)으로 향하는 제1 소스광(L-R)의 광량을 보상할 수 있다.
도 7d를 참조하면, 제2 그래프(GP200), 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)는 도 6c의 제2 그래프(GP200), 제2-1 그래프(GP200-1), 제2-2 그래프(GP200-2), 및 제2-3 그래프(GP200-3)와 각각 동일하다. 제1 그래프(GP100)는 도 6c의 제1 그래프(GP100)에 해당한다. 도 6c의 제1-1 그래프(GP100-1), 제1-2 그래프(GP100-2), 및 제1-3 그래프(GP100-3)는 도 7c의 제1 그래프(GP100)와 실질적으로 동일하여 하나의 그래프로 도시되었다. 결과적으로 제4 라인 영역(LA4)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격됨으로써 제1 측정지점(P90) 중 60°의 시야각을 갖는 제4 지점(P-4)으로 추가적으로 제공된 제1 소스광(L-R)은 제2 라인 영역(LA2)에 의해 차폐되었던만큼의 제1 소스광(L-R)을 상쇄시킨다.
도 7a 내지 도 7d를 참조하여 제2 라인 영역(LA2)의 위치 변화에 따라 90°의 방위각을 갖는 제1 측정지점(P90)에 백색 이미지의 황색 파장 변이가 측정된 것으로 설명하였다. 제2 라인 영역(LA2)의 위치 변화에 따라 180°의 방위각을 갖는 측정지점에도 백색 이미지의 황색 파장 변이가 측정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 180°의 방위각을 갖는 측정지점에도 백색 이미지의 황색 파장 변이가 발생하는 것을 방지하기 위해 도 7a의 제3 라인 영역(LA3)을 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격시킬 수 있다. 제3 라인 영역(LA3)이 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 멀리 이격됨에 따라 180°의 방위각을 갖는 측정지점으로 더 많은 제1 소스광을 제공할 수 있다. 그에 따라 상술한 백색 이미지의 황색 파장 변이는 감소 또는 제거될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예 따른 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계를 도시한 평면도이다. 이하, 도 7a 내지 7c에 도시된 발광 개구부들(PDL-OPR, PDL-OPG, PDL-OPB)과 감지전극(SE)의 배치관계와 본 실시예의 차이점을 중심으로 설명한다.
본 실시예에 따르면, 제1 라인 영역(LA1), 제2 라인 영역(LA2), 제3 라인 영역(LA3), 및 제4 라인 영역(LA4) 각각은 4개의 제2 발광 개구부(PDL-OPG1 내지 PDL-OPG4) 중 대응하는 제2 발광 개구부에 대하여 상술한 제1 거리(A1)만큼 이격될 수 있다.
제2 라인 영역(LA2)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 상술한 제2 거리(B1)만큼 이격될 수 있다. 제2 라인 영역(LA2)의 선폭(W2)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 이격 거리를 감소시키기 위해 증가될 수 있다. 제2 라인 영역(LA2)의 선폭(W2)은 제1 라인 영역(LA1)의 선폭(W1)보다 작다.
제4 라인 영역(LA4)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대하여 제4 거리(B10)만큼 이격될 수 있다. 제4 라인 영역(LA4)의 선폭(W3)은 제1 발광 개구부(PDL-OPR)에 대한 이격 거리를 증가시키기 위해 감소될 수 있다. 제4 라인 영역(LA4)의 선폭(W3)은 제1 라인 영역(LA1)의 선폭(W1)보다 크다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
베이스층 110
표시영역 100A, 1000A
제1 전극 AE
제1 발광층 EML
제2 전극 CE
제1 발광소자들 LD
화소 정의막 PDL
제1 발광 개구부들 PDL-OPR
박막 봉지층 140
도전성 라인 CL
감지전극 CE
제1 라인 영역, 제2 라인 영역, 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역 LA1, LA2, LA3, LA4
제1 사선방향, 제2 사선방향 CDR1, CDR2
제1 거리, 제2 거리, 제4 거리 A1, B1, B10

Claims (20)

  1. 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향이 정의하는 표시영역을 제공하는 베이스층;
    각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제1 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제1 발광소자들;
    각각이 상기 제1 발광소자들 중 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 노출하는 제1 발광 개구부들이 정의된 화소 정의막;
    상기 제1 발광소자들 및 상기 화소 정의막을 커버하는 박막 봉지층; 및
    상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광 개구부들에 대응하고 상기 제1 발광 개구부들보다 큰 면적의 제1 개구부들을 정의하는 도전성 라인을 포함하는 감지전극을 포함하고,
    상기 도전성 라인은 상기 제1 발광 개구부들 각각에 대응하는 제1 라인 영역, 제2 라인 영역, 제3 라인 영역 및 제4 라인 영역을 포함하고,
    상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 교차하는 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부들 중 대응하는 제1 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에 직교하는 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고,
    상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 제2 사선방향으로 연장되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치되고,
    상기 제2 라인 영역과 상기 대응하는 제1 발광 개구부 사이의 이격거리는 상기 제4 라인 영역과 상기 대응하는 제1 발광 개구부 사이의 이격거리보다 작은 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 방향은 방위각 0°로부터 방위각 180°를 향하여 연장되고,
    방위각 90° 및 시야각 60° 에서 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 바라볼 때, 상기 제2 라인 영역에 의해 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 차폐하는 면적은 상기 제4 라인 영역에 의해 상기 대응하는 제1 발광소자의 상기 제1 전극을 차폐하는 면적보다 큰 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역의 선폭은 실질적으로 동일한 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역 중 인접한 라인 영역들 사이마다 교차영역이 배치되고,
    상기 교차영역은 상기 인접한 라인 영역들보다 큰 선폭을 갖는 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제4 라인 영역은 상기 제2 라인 영역보다 작은 선폭을 갖는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 라인 영역은 상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역보다 큰 선폭을 갖고,
    상기 제4 라인 영역은 상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역보다 작은 선폭을 갖는 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제2 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제2 발광소자들을 더 포함하고,
    상기 화소 정의막에는 각각이 상기 제2 발광소자들 중 대응하는 제2 발광소자의 상기 제1 전극을 노출하는 제2 발광 개구부들이 더 정의되고,
    상기 감지전극에는 상기 제2 발광 개구부들에 대응하고 상기 제2 발광 개구부들보다 큰 면적의 제2 개구부들이 더 정의되고,
    상기 도전성 라인은 상기 제2 발광 개구부들 각각에 대응하는 제1-1 라인 영역, 제2-1 라인 영역, 제3-1 라인 영역 및 제4-1 라인 영역을 더 포함하고,
    상기 제1-1 라인 영역과 상기 제2-1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 대응하는 제2 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제2 발광 개구부를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치되며,
    상기 제1-1 라인 영역, 상기 제2-1 라인 영역, 상기 제3-1 라인 영역 및 상기 제4-1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 대응하는 제2 발광 개구부와 실질적으로 동일한 거리만큼 이격된 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고,
    상기 제1-1 라인 영역과 상기 대응하는 제2 발광 개구부는 상기 제1 거리만큼 이격된 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 제2 발광층을 포함하고, 상기 베이스층 상에 배치된 제2 발광소자들을 더 포함하고,
    상기 제2 발광소자들은 상기 제1 발광소자들 중 대응하는 제1 발광소자를 에워싸는 제2-1 발광소자, 제2-2 발광소자, 제2-3 발광소자, ?? 제2-4 발광소자를 포함하고,
    상기 제2-1 발광소자와 상기 제2-2 발광소자는 상기 대응하는 제1 발광소자를 사이에 두고 상기 제2 사선방향에서 이격되어 배치되고, 상기 제2-3 발광소자와 상기 제2-4 발광소자는 상기 대응하는 제1 발광소자를 사이에 두고 상기 제1 사선방향에서 이격되어 배치되며,
    상기 화소 정의막에는 상기 제2-1 발광소자의 상기 제1 전극, 상기 제2-2 발광소자의 상기 제1 전극, 상기 제2-3 발광소자의 상기 제1 전극, 및 상기 제2-4 발광소자의 상기 제1 전극을 각각 노출하는 제2-1 발광 개구부, 제2-2 발광 개구부, 제2-3 발광 개구부, 및 제2-4 발광 개구부가 더 정의된 표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-1 발광 개구부 사이에 배치되고,
    상기 제2 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-2 발광 개구부 사이에 배치되고,
    상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-3 발광 개구부 사이에 배치되고,
    상기 제4 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 상기 제2-4 발광 개구부 사이에 배치된 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역은 상기 대응하는 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고,
    상기 제1 라인 영역은 상기 제2-1 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격되고, 상기 제3 라인 영역은 상기 제2-3 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격된 표시장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 라인 영역은 상기 제2-2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 멀리 이격되고, 상기 제4 라인 영역은 상기 제2-4 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 가깝게 이격된 표시장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 발광 개구부들 각각은 평면 상에서 실질적으로 사각형상인 표시장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 발광 개구부들 각각은 상기 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제2 사선방향에서 마주하는 제1 엣지와 제2 엣지 및 상기 제2 사선방향으로 연장되고, 상기 제1 사선방향에서 마주하는 제3 엣지와 제4 엣지에 의해 정의된 표시장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 발광소자들 각각은 레드광을 생성하는 표시장치.
  16. 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향이 정의하는 표시영역을 제공하는 베이스층;
    제1 소스광을 생성하는 제1 발광소자;
    각각이 제2 소스광을 생성하고, 상기 제1 발광소자를 에워싸도록 배치된 제2-1 발광소자, 제2-2 발광소자, 제2-3 발광소자, 및 제2-4 발광소자;
    상기 제1 발광소자에 대응하는 제1 발광 개구부 및 상기 제2-1 발광소자, 상기 제2-2 발광소자, 상기 제2-3 발광소자, 및 상기 제2-4 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부들이 정의된 화소 정의막;
    상기 제1 발광소자, 상기 제2-1 발광소자, 상기 제2-2 발광소자, 상기 제2-3 발광소자, 상기 제2-4 발광소자, 및 상기 화소 정의막을 커버하는 박막 봉지층; 및
    상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광 개구부에 대응하고 상기 제1 발광 개구부보다 큰 면적의 제1 개구부 및 상기 제2 발광 개구부들에 대응하고 상기 제2 발광 개구부들보다 큰 면적의 제2 개구부들을 정의하는 도전성 라인을 포함하는 감지전극을 포함하고,
    상기 도전성 라인은 상기 제1 발광소자와 상기 제2-1 발광소자 사이에 배치된 제1 라인 영역, 상기 제1 발광소자와 상기 제2-2 발광소자 사이에 배치된 제2 라인 영역, 상기 제1 발광소자와 상기 제2-3 발광소자 사이에 배치된 제3 라인 영역 및 상기 제1 발광소자와 상기 제2-4 발광소자 사이에 배치된 제4 라인 영역을 포함하고,
    상기 제1 라인 영역과 상기 제2 라인 영역은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 교차하는 제1 사선방향으로 연장되고, 상기 제3 라인 영역과 상기 제4 라인 영역은 상기 제1 사선방향에 직교하는 제2 사선방향으로 연장되고,
    상기 제1 라인 영역 및 상기 제3 라인 영역 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 발광 개구부와 제1 거리만큼 이격되고,
    상기 제2 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리만큼 이격되고,
    상기 제4 라인 영역은 상기 제1 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 큰 제3 거리만큼 이격된 표시장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-1 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격되고,
    상기 제3 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-3 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리만큼 이격된 표시장치.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-2 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 멀리 이격된 표시장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제4 라인 영역은 상기 제2 발광 개구부들 중 상기 제2-4 발광소자에 대응하는 제2 발광 개구부와 상기 제1 거리보다 가깝게 이격된 표시장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 라인 영역, 상기 제2 라인 영역, 상기 제3 라인 영역, 및 상기 제4 라인 영역의 선폭은 실질적으로 동일한 표시장치.

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