CN116056500A - 包括光阻挡图案的显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括显示面板，显示面板包括第一区域和第二区域。第二区域包括多个发光区域和非发光区域，多个发光区域分别与元件区域重叠，非发光区域至少部分地围绕发光区域，使得非发光区域的至少一部分与外围区域重叠。显示设备还包括下覆盖层，下覆盖层设置在显示面板上，与第一区域和第二区域重叠，并且包括分别与第二区域的发光区域重叠的覆盖图案。显示设备还包括光阻挡图案，光阻挡图案设置在与第二区域重叠的下覆盖层上。光阻挡图案覆盖覆盖图案中的每一个的上表面的一部分。

Description

包括光阻挡图案的显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月27日提交的第10-2021-0144326号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用以其整体在此并入。

技术领域

本公开涉及显示设备。更具体地，本公开涉及包括光阻挡图案的显示设备。

背景技术

正在开发诸如智能电话、平板电脑、笔记本电脑、汽车导航单元、智能电视等的电子设备。这些电子设备通常包括向用户提供可视信息的显示设备。

已经开发了显示设备以满足广泛的使用情况。例如，已经开发了一些显示设备用于提供更亮的图像，特别是用于户外使用。另外，已经开发了用于提供窄视角以用于向用户显示个人信息的显示设备。

发明内容

显示设备包括显示面板，显示面板包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域各自包括外围区域和其中设置提供不同颜色光的发光元件的元件区域。显示设备还包括下覆盖层，下覆盖层设置在显示面板上，与第一区域和第二区域至少部分地重叠，并且包括分别与第二区域的发光区域重叠的覆盖图案。显示设备还包括光阻挡图案，光阻挡图案与非发光区域至少部分地重叠并且设置在与第二区域重叠的下覆盖层上。第二区域包括多个发光区域和非发光区域，多个发光区域分别与元件区域重叠，非发光区域至少部分地围绕发光区域，使得非发光区域的至少一部分与外围区域重叠。光阻挡图案覆盖覆盖图案中的每一个的上表面的一部分。

光阻挡图案可以具有沿着显示面板的厚度方向变化的宽度。

光阻挡图案的上表面可以具有朝向显示面板凹陷的凹陷形状。

显示设备还可以包括输入传感器，输入传感器设置在显示面板与下覆盖层之间并且包括感测绝缘层和与外围区域重叠的感测电极。感测电极可以具有小于光阻挡图案的最大宽度的宽度。

光阻挡图案可以与感测绝缘层中最靠近下覆盖层的最上感测绝缘层接触。

光阻挡图案的至少一部分可以设置在下覆盖层中，并且光阻挡图案可以与感测绝缘层中最靠近下覆盖层的最上感测绝缘层间隔开。

显示设备还可以包括附加覆盖层，附加覆盖层设置在感测绝缘层中最靠近下覆盖层的最上感测绝缘层与下覆盖层之间。光阻挡图案可以与附加覆盖层接触。

光阻挡图案可以具有其中光阻挡开口与发光区域重叠的栅格形状，并且覆盖图案中的每一个与光阻挡开口中的相应光阻挡开口重叠。

显示设备包括显示面板，显示面板包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域各自包括外围区域和其中设置提供彼此不同颜色光的发光元件的元件区域。显示设备还包括第一光阻挡图案，第一光阻挡图案与非发光区域至少部分地重叠。显示设备还包括第二光阻挡图案，第二光阻挡图案与第一光阻挡图案重叠，并且设置成比第一光阻挡图案更远离显示面板。第二区域包括多个发光区域和非发光区域，多个发光区域分别与元件区域重叠，非发光区域至少部分地围绕发光区域，使得非发光区域的至少一部分与外围区域重叠。第一光阻挡图案的最大宽度小于第二光阻挡图案的最小宽度。

显示设备还可以包括输入传感器，输入传感器设置在显示面板和第一光阻挡图案之间并且包括感测绝缘层和与外围区域至少部分地重叠的感测电极。感测电极的最大宽度可以小于第一光阻挡图案的宽度。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的以上和其他方面将变得更显而易见，在附图中：

图1是根据本公开的实施方式的显示设备的立体图；

图2是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图；

图3是根据本公开的实施方式的显示面板的平面图；

图4A是沿着图3的线I-I'截取的剖视图；

图4B是沿着图3的线II-II'截取的剖视图；

图5是根据本公开的实施方式的输入传感器的平面图；

图6A是图5的区域AA'的放大平面图；

图6B是图5的区域AA'的放大平面图；

图7是图5的区域AA'的放大平面图；

图8是沿着图6B和图7的线III-III'截取的剖视图；

图9是沿着图6B和图7的线IV-IV'截取的剖视图；

图10A是根据本公开的实施方式的下覆盖层的布置的平面图；

图10B是根据本公开的实施方式的光阻挡图案的布置的平面图；

图11是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图；

图12A是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图；

图12B是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图；

图13是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图；以及

图14是根据本公开的实施方式的显示面板的平面图。

具体实施方式

在本公开中，将理解，当元件(或区域、层或部分)被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。

在整个说明书和附图中，相同的标号可以指代相同的元件。在附图中，图中所示的组件的厚度、比例和尺寸旨在表示本公开的至少一个实施方式，然而，应当理解，这些厚度、比例和尺寸可以在本公开的精神和范围内修改。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，尽管术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应一定受到这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式。

为易于描述，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。

还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。

在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的显示设备DD的立体图。图2是根据本公开的实施方式的显示设备DD的剖视图。图3是根据本公开的实施方式的显示面板100的一部分的平面图。图4A是沿着图3的线I-I'截取的剖视图。图4B是沿着图3的线II-II'截取的剖视图。

图1是根据本公开的实施方式的显示设备DD的立体图。

显示设备DD可以产生图像并且可以感测诸如触摸的外部输入。显示设备DD可以包括显示区域1000A和至少部分地围绕显示区域1000A的非显示区域1000N。像素PX可以设置在显示区域1000A中。像素PX可以包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，它们中的每一个产生不同颜色的光。在显示区域1000A内可以有多个像素PX，并且作为示例示出了一些像素PX。

图像可以在显示区域1000A中显示。显示区域1000A可以占据由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示设备DD可以通过具有平行于该平面的显示表面的显示区域1000A在第三方向DR3上显示图像。第三方向DR3可以基本上平行于显示表面的法线方向。

显示区域1000A还可以包括从平面的至少两侧弯曲的曲化表面。然而，显示区域1000A的形状不应一定限于此或因此受限。作为示例，显示区域1000A可以仅包括平面，或者显示区域1000A还可以包括三个或更多个曲化表面，例如，包括分别从平面的四侧弯曲的四个曲化表面。

图2是根据本公开的实施方式的显示设备DD的剖视图。参考图2，显示设备DD可以包括显示面板100、输入传感器200、光控制层300、抗反射层400和窗500。

显示面板100可以是发光型显示面板。例如，显示面板100可以是有机发光二极管(OLED)显示面板、无机发光显示面板、微LED显示面板、纳米LED显示面板或量子点显示面板。显示面板100可以包括基础层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基础层110可以提供其上设置电路层120的基础表面。基础层110可以是刚性衬底或可弯曲、可折叠或可卷曲到明显程度而不破裂或以其他方式承受损伤的柔性衬底。基础层110可以是玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底，然而，它不应一定限于此或因此受限。根据实施方式，基础层110可以是无机层、有机层或复合材料层。

基础层110可以具有多层结构。例如，基础层110可以包括第一合成树脂层、具有单层或多层结构的无机层以及设置在具有单层或多层结构的无机层的顶部上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺基树脂，然而，它不应一定受到特别限制。

电路层120可以设置在基础层110的顶部上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。电路层120可以包括参考图1描述的像素PX的驱动电路。

发光元件层130可以设置在电路层120的顶部上。发光元件层130可以包括参考图1描述的像素PX的发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子杆、微LED或纳米LED。

封装层140可以设置在发光元件层130的顶部上。封装层140可以保护发光元件层130不受环境湿气、氧气和诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。封装层140可以至少包括无机层或有机层。根据实施方式，封装层140可以包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层。

输入传感器200可以设置在显示面板100的顶部上。输入传感器200可以感测从外部施加到其的外部输入。外部输入可以包括诸如来自用户的身体的一部分(例如手指)的触摸、光、热、来自笔/触笔的触摸或压力的各种外部输入。

输入传感器200可以通过连续的工艺形成在显示面板100上。在该情况下，输入传感器200可以直接设置在显示面板100的顶部上。在本公开中，表述“组件A直接设置在组件B上”意味着在组件A和组件B之间不存在居间元件。例如，可不在输入传感器200和显示面板100之间设置粘合层。

光控制层300可以设置在输入传感器200的顶部上。光控制层300可以与显示面板100的区域对应地控制从发光元件层130提供的光的发射率。稍后将详细描述光控制层300。

抗反射层400可以设置在光控制层300的顶部上。抗反射层400可以通过粘合层联接到光控制层300。粘合层可以是压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)膜。

抗反射层400可以降低环境光的反射率。抗反射层400可以包括光学膜。光学膜可以包括偏振膜。光学膜还可以包括延迟膜。延迟膜可以包括λ/2延迟膜和/或λ/4延迟膜。

窗500可以包括至少一个基础层。基础层可以是玻璃衬底或合成树脂膜。窗500可以具有多层结构。窗500可以包括薄膜玻璃衬底和设置在薄膜玻璃衬底的顶部上的合成树脂膜。薄膜玻璃衬底可以通过粘合层联接到合成树脂膜，并且粘合层和合成树脂膜可以与薄膜玻璃衬底分离以允许替换薄膜玻璃衬底。窗500还可以包括设置在基础层的顶部上的功能层。功能层可以包括抗反射层、抗指纹层等。

图3示出了包括在显示面板100的不同区域中的元件区域。显示面板100可以包第一区域A1和第二区域A2。第一区域A1和第二区域A2可以布置在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上。第一区域A1可以设置成多个，并且第一区域A1可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第二区域A2可以设置成多个，并且第二区域A2可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第一区域A1和第二区域A2可以以图3中所示的布置方式布置在显示区域1000A(参考图1)中。

第一区域A1可以包括第一-第一元件区域AE1-B、第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R以及第一外围区域NPXA1。第一外围区域NPXA1可以至少部分地围绕第一-第一元件区域AE1-B、第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R。

在本公开中，第一-第一元件区域AE1-B、第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R中的每一个可以是其中设置有提供具有彼此不同颜色的光的发光元件中所包括的第一电极的区域。因此，第一外围区域NPXA1可以是发光元件中所包括的第一电极之间的区域。

作为示例，如图4A中所示，第一-第一元件区域AE1-B可以是其中设置有提供具有第一颜色的光的第一-第一发光元件LD1-B的第一电极AE的区域。

显示面板100的第一区域A1可以包括第一-第一发光区域PXA-B1，第一-第一发光区域PXA-B1是由第一-第一发光元件LD1-B产生的光从其实质上射出的区域。

第一-第二元件区域AE1-G可以是其中设置有提供具有第二颜色的光的第一-第二发光元件LD1-G(参考图8)的第一电极AE的区域。

显示面板100的第一区域A1可以包括第一-第二发光区域PXA-G1，第一-第二发光区域PXA-G1是由第一-第二发光元件LD1-G产生的光从其实质上射出的区域。

第一-第三元件区域AE1-R可以是其中设置有提供具有第三颜色的光的第一-第三发光元件LD1-R(参考图8)的第一电极AE的区域。

显示面板100的第一区域A1可以包括第一-第三发光区域PXA-R1，第一-第三发光区域PXA-R1是由第一-第三发光元件LD1-R产生的光从其实质上射出的区域。

在本实施方式中，第一区域A1的第一-第一发光区域PXA-B1、第一-第二发光区域PXA-G1和第一-第三发光区域PXA-R1中的每一个可以与限定穿过设置在第一区域A1中的像素限定层PDL(参考图4A)的第一开口OP1(参考图4A)中的相应开口的尺寸对应。另外，第一非发光区域NCA1可以是与像素限定层PDL重叠的区域。

第二区域A2可以包括第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R以及第二外围区域NPXA2。第二外围区域NPXA2可以至少部分地围绕第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R。

在本公开中，第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R中的每一个可以是其中设置有提供具有彼此不同颜色的光的发光元件中所包括的第一电极的区域。因此，第二外围区域NPXA2可以是发光元件中所包括的第一电极之间的区域。

作为示例，如图4B中所示，第二-第一元件区域AE2-B可以是其中设置有提供具有第一颜色的光的第二-第一发光元件LD2-B的第一电极AE的区域。

显示面板100的第二区域A2可以包括第二-第一发光区域PXA-B2，第二-第一发光区域PXA-B2各自是由第二-第一发光元件LD2-B产生的光从其实质上射出的区域。

根据本实施方式，可以设置四个第二-第一发光区域PXA-B2，并且四个第二-第一发光区域PXA-B2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上或在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上彼此间隔开。

第二-第二元件区域AE2-G可以是其中设置有提供具有第二颜色的光的第二-第二发光元件LD2-G(参考图9)的第一电极AE的区域。

根据本实施方式，可以在一个第二区域A2中设置两个第二-第二元件区域AE2-G。两个第二-第二元件区域AE2-G可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

显示面板100的第二区域A2可以包括第二-第二发光区域PXA-G2，第二-第二发光区域PXA-G2各自是由第二-第二发光元件LD2-G产生的光从其实质上射出的区域，并且第二-第二发光区域PXA-G2可以被分组为两组。

第一组的第二-第二发光区域PXA-G2可以与一个第二-第二元件区域AE2-G重叠，并且第二组的第二-第二发光区域PXA-G2可以与另一第二-第二元件区域AE2-G重叠。第一组和第二组中的每一个可以包括四个第二-第二发光区域PXA-G2。

第一组的第二-第二发光区域PXA-G2可以在第一对角线方向CDR1上与第二-第一发光区域PXA-B2间隔开，并且可以在第二对角线方向CDR2上与第二-第三发光区域PXA-R2间隔开。

第二组的第二-第二发光区域PXA-G2可以在第一方向DR1上与第一组的第二-第二发光区域PXA-G2间隔开，可以在第二对角线方向CDR2上与第二-第一发光区域PXA-B2间隔开，并且可以在第一对角线方向CDR1上与第二-第三发光区域PXA-R2间隔开。

包括在第一组和第二组中的每一个中的第二-第二发光区域PXA-G2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上或在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上彼此间隔开。

第二-第三元件区域AE2-R可以是其中设置有提供具有第三颜色的光的第二-第三发光元件LD2-R(参考图9)的第一电极AE的区域。光的第一颜色、第二颜色和第三颜色可以彼此不同。

显示面板100的第二区域A2可以包括第二-第三发光区域PXA-R2，第二-第三发光区域PXA-R2是由第二-第三发光元件LD2-R产生的光从其实质上射出的区域。

根据实施方式，可以设置四个第二-第三发光区域PXA-R2，并且四个第二-第三发光区域PXA-R2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上或在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上彼此间隔开。

在本实施方式中，包括在第二区域A2中的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2可以通过稍后描述的光阻挡图案BM(参考图9)彼此区分开。稍后将给出光阻挡图案BM的详细描述。另外，第二非发光区域NCA2可以是与光阻挡图案BM重叠的区域。

根据本实施方式，在第一区域A1中提供具有第一颜色的光的第一-第一元件区域AE1-B的尺寸可以小于在第二区域A2中提供具有第一颜色的光的第二-第一元件区域AE2-B的尺寸。

另外，在第一区域A1中提供具有第二颜色的光的第一-第二元件区域AE1-G的尺寸可以小于在第二区域A2中提供具有第二颜色的光的第二-第二元件区域AE2-G的尺寸，并且在第一区域A1中提供具有第三颜色的光的第一-第三元件区域AE1-R的尺寸可以小于在第二区域A2中提供具有第三颜色的光的第二-第三元件区域AE2-R的尺寸。

根据本实施方式，包括在第二区域A2中的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2可以具有基本上相同的尺寸。

然而，上述发光区域不应一定限于此或因此受限，并且发光区域可以具有彼此不同的尺寸。作为示例，第二-第三发光区域PXA-R2中的每一个的尺寸可以大于第二-第二发光区域PXA-G2中的每一个的尺寸并且可以小于第二-第一发光区域PXA-B2中的每一个的尺寸。

显示设备DD(参考图1)可以在两种模式下操作。第一操作模式可以是其中设置在第一区域A1的第一-第一元件区域AE1-B、第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R以及第二区域A2的第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R中的发光元件激活以向相应的发光区域提供光的状态。

第二操作模式可以是其中设置在第一区域A1的第一-第一元件区域AE1-B、第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R中的发光元件停用并且仅第二区域A2的第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R中的发光元件激活以向相应的发光区域提供光的状态。

因此，第二操作模式中的所激活的发光区域的尺寸可以小于第一操作模式中的所激活的发光区域的尺寸，并且因此，可以向用户提供低像素图像。

第一操作模式可以与其中显示设备DD正常操作的模式对应。当出于特定目的(例如，用于维护隐私)使用显示设备DD时，可以使用第二操作模式。作为示例，当显示设备DD在第二操作模式中操作时，显示在显示区域1000A(参考图1)上的图像对于显示设备DD附近的其他人几乎不可见，但是仅对于用户可见。因此，可以防止用户的个人信息的泄漏。

当用户从一侧看显示设备DD时(例如，当从浅角观察显示设备DD时)，设置在第二区域A2中的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的每一个的一部分可以被设置在其上方的光阻挡图案BM(参考图9)覆盖，并且因此，亮度可以减小。

作为代表性示例，图4A示出了第一区域A1中的与第一-第一元件区域AE1-B重叠的区域的截面。因此，参考图4A的截面描述的第一-第一元件区域AE1-B的细节可以共同应用于第一区域A1的第一-第二元件区域AE1-G和第一-第三元件区域AE1-R。

图4B示出了第二区域A2中的与第二-第一元件区域AE2-B重叠的区域的截面。因此，参考图4B的截面描述的第二-第一元件区域AE2-B的细节可以共同应用于第二区域A2的第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R。

图4A示出了第一-第一发光元件LD1-B以及连接到第一-第一发光元件LD1-B的晶体管TFT，并且图4B示出了第二-第一发光元件LD2-B和连接到第二-第一发光元件LD2-B的晶体管TFT。晶体管TFT可以是像素PX(参考图1)的驱动电路中所包括的多个晶体管中的一个。在本实施方式中，晶体管TFT将被描述为硅晶体管，然而，根据实施方式，晶体管TFT可以是金属氧化物晶体管。在下文中，将一起描述第一区域A1和第二区域A2的公共配置。

基础层110可以与以上参考图2所描述的基础层110对应。阻隔层10br可以设置在基础层110的顶部上。阻隔层10br可以防止外来物质从外部进入到其中。阻隔层10br可以包括至少一个无机层。阻隔层10br可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层中的每一个可以设置成多个，并且氧化硅层和氮化硅层可以彼此交替地堆叠。

遮光电极BMLa可以设置在阻隔层10br的顶部上。遮光电极BMLa可以包括金属材料。遮光电极BMLa可以包括具有良好的耐热性的钼(Mo)、包括钼(Mo)的合金、钛(Ti)或包括钛(Ti)的合金。遮光电极BMLa可以接收偏置电压。

遮光电极BMLa可以防止由极化现象引起的电势对硅晶体管TFT施加影响。遮光电极BMLa可以防止外部光到达硅晶体管TFT。根据实施方式，遮光电极BMLa可以是与其他电极或线隔离的浮置电极。

缓冲层10bf可以设置在阻隔层10br的顶部上。缓冲层10bf可以防止金属原子或杂质从基础层110扩散到设置在缓冲层10bf上的半导体图案。缓冲层10bf可以包括至少一个无机层。缓冲层10bf可以包括氧化硅层和氮化硅层。

半导体图案可以设置在缓冲层10bf的顶部上。半导体图案可以包括硅半导体。作为示例，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，半导体图案可以包括低温多晶硅。

半导体图案可以包括具有相对高导电性的第一区域和具有相对低导电性的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或者是以比第一区域的浓度低的浓度掺杂的区域。

第一区域可以具有比第二区域的导电性大的导电性，并且可以实质上用作电极或信号线。第二区域可以与晶体管的有源区域(或沟道)基本上对应。例如，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区域或漏区域，并且半导体图案的该另一部分可以是连接电极或连接信号线。

晶体管TFT的源区域SE1(或源极)、有源区域AC1(或沟道)和漏区域DE1(或漏极)可以由半导体图案形成。在截面中，源区域SE1和漏区域DE1可以在彼此相反的方向上从有源区域AC1延伸。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层10bf的顶部上。第一绝缘层10可以公共地与像素PX重叠(参考图1)并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以包括无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。

无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。

在本实施方式中，第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构。不仅第一绝缘层10，而且稍后描述的电路层120的绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，然而，它不应一定限于此或因此受限。

晶体管TFT的栅极GT1可以设置在第一绝缘层10的顶部上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1可以与有源区域AC1至少部分地重叠。栅极GT1可以在掺杂半导体图案的工艺中用作掩模。

栅极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、包括银(Ag)的合金、钼(Mo)、包括钼(Mo)的合金、铝(Al)、包括铝(Al)的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，然而，它不应一定受到特别限制。

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10的顶部上，并且可以至少部分地覆盖栅极GT1。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20的顶部上。存储电极CT可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。存储电极CT可以与栅极GT1至少部分地重叠。栅极GT1和存储电极CT可以形成包括在像素PX(参考图1)的驱动电路中的电容器。

第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30的顶部上。第一连接电极CNE1可以经由限定穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔连接到晶体管TFT的漏区域DE1。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30的顶部上。第二连接电极CNE2可以设置在第四绝缘层40的顶部上。第二连接电极CNE2可以经由限定穿过第四绝缘层40的接触孔连接到第一连接电极CNE1。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40的顶部上，并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第一绝缘层10至第五绝缘层50的堆叠结构仅仅是一个示例，并且除了第一绝缘层10至第五绝缘层50之外，还可以设置附加的导电层和绝缘层。

第四绝缘层40和第五绝缘层50中的每一个可以包括有机层。作为示例，有机层可以包括通用聚合物，诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。

发光元件LD1-B和LD2-B可以包括第一电极AE(或像素电极)、发光层EL和第二电极CE(或公共电极)。第一电极AE可以设置在第五绝缘层50的顶部上。

第一电极AE可以是半透射电极、透射电极或反射电极。根据实施方式，第一电极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。

透明或半透明电极层可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)和/或掺杂铝的氧化锌(AZO)。例如，第一电极AE可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

空穴控制层可以设置在第一电极AE和发光层EL之间。空穴控制层可以包括空穴传输层并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL和第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层并且还可以包括电子注入层。

根据本公开，第一区域A1可以包括像素限定层PDL。像素限定层PDL可以设置在第五绝缘层50的顶部上。像素限定层PDL可以设置有限定穿过其的第一开口OP1，以暴露第一-第一发光元件LD1-B的第一电极AE的至少一部分。第一区域A1的像素限定层PDL可以覆盖第一电极AE的一部分。

第一区域A1的从其提供由第一-第一发光元件LD1-B产生的光的第一-第一发光区域PXA-B1可以由限定穿过第一区域A1的像素限定层PDL的第一开口OP1的尺寸确定。与像素限定层PDL重叠的区域可以是第一非发光区域NCA1。第一非发光区域NCA1可以在第一区域A1中与第一外围区域NPXA1至少部分地重叠。

第二区域A2可以包括第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2。第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2可以设置在第五绝缘层50的顶部上。第一像素限定层PDL1可以设置有限定穿过其的第二开口OP2，以暴露第二-第一发光元件LD2-B的第一电极AE的至少一部分。第二区域A2的第一像素限定层PDL1可以覆盖第一电极AE的一部分。

第二像素限定层PDL2可以设置在通过第二开口OP2暴露的第一电极AE的顶部上，且不被第一像素限定层PDL1覆盖。

在第二区域A2中，从其提供由第二-第一发光元件LD2-B产生的光的第二-第一发光区域PXA-B2和设置在第二-第一发光区域PXA-B2之间的第二非发光区域NCA2可以通过稍后描述的光阻挡图案BM(参考图9)彼此区分开。

因此，第一区域A1的第一非发光区域NCA1以及第一-第一发光区域PXA-B1、第一-第二发光区域PXA-G1和第一-第三发光区域PXA-R1中的每一个可以通过像素限定层PDL彼此区分开，并且第二区域A2的第二非发光区域NCA2以及第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的每一个可以通过设置在显示面板100的顶部上的光阻挡图案BM(参考图9)彼此区分开。

封装层140可以设置在发光元件LD1-B和LD2-B的顶部上。封装层140可以包括顺序堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，然而，包括在封装层140中的层不应一定限于此或因此受限。

无机层141和143可以保护发光元件层130不受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130不受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。

图5是根据本公开的实施方式的输入传感器200的平面图。图6A是图5的区域AA'的放大平面图。图6B是图5的区域AA'的放大平面图。图7是图5的区域AA'的放大平面图。图8是沿着图6B和图7的线III-III'截取的剖视图。图9是沿着图6B和图7的线IV-IV'截取的剖视图。图10A是根据本公开的实施方式的下覆盖层OC1的布置的平面图。图10B是根据本公开的实施方式的光阻挡图案BM的布置的平面图。

图5是根据本公开的实施方式的输入传感器200的平面图。

参考图5，输入传感器200可以包括感测区域200A和与感测区域200A相邻的非感测区域200NA。感测区域200A和非感测区域200NA可以分别与图1中所示的显示区域1000A和非显示区域1000N对应。

输入传感器200可以包括设置在感测区域200A中并且在彼此交叉的同时彼此绝缘的第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4。可以通过计算在第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4之间形成的互电容的变化来感测外部输入。

输入传感器200可以包括设置在非感测区域200NA中并且电连接到第一感测电极E1-1至E1-5的第一信号线SL1和设置在非感测区域200NA中并且电连接到第二感测电极E2-1至E2-4的第二信号线SL2。

第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4中的每一个可以包括彼此交叉的多个导线。第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4中的每一个可以包括网格线。网格线可以设置有限定穿过其的多个开口，以与包括在第一区域A1和第二区域A2中的发光区域重叠。

第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4中的一种感测电极可以一体地设置(例如，一起形成为单个单元)。在本实施方式中，第一感测电极E1-1至E1-5可以一体地设置。第一感测电极E1-1至E1-5可以包括感测部分SP1和中间部分CP1。

第二感测电极E2-1至E2-4中的每一个可以包括感测图案SP2和桥接图案CP2(或连接图案)。彼此相邻的两个感测图案SP2可以经由限定穿过第二感测绝缘层IL2(参考图8)的接触孔CH-I连接到两个桥接图案CP2，然而，桥接图案CP2的数量不应一定受到特别限制。

图6A和图6B是示出设置在第一区域A1和第二区域A2中的感测电极和发光区域之间的布置关系的平面图。

参考图6A，第一感测电极E1-1至E1-5(参考图5)和第二感测电极E2-1至E2-4(参考图5)中的感测图案SP2可以包括在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上延伸的网格线MSL。

在本实施方式中，网格线MSL可以包括第一线S1和第二线S2。第一线S1可以在第一对角线方向CDR1上延伸，并且第二线S2可以在第二对角线方向CDR2上延伸。第一线S1和第二线S2可以是彼此一体地设置的图案，然而，为了解释的方便，第一线S1和第二线S2将被描述为彼此分离。

当第一线S1和第二线S2彼此交叉时，第一网格开口MS-OP1可以由网格线MSL限定。在本实施方式中，第一网格开口MS-OP1可以具有彼此相同的形状。

在本实施方式中，第一区域A1的第一-第一发光区域PXA-B1、第一-第二发光区域PXA-G1和第一-第三发光区域PXA-R1中的每一个可以被第一网格开口MS-OP1中的相应开口至少部分地围绕。因此，与第一区域A1重叠的第一网格开口MS-OP1中的每一个可以至少部分地围绕一个发光区域。

第二区域A2的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2可以设置成使得提供相同的颜色的发光区域被一个第一网格开口MS-OP1至少部分地围绕。例如，四个第二-第一发光区域PXA-B2可以被一个第一网格开口MS-OP1至少部分地围绕，第一组的四个第二-第二发光区域PXA-G2可以被另一第一网格开口MS-OP1至少部分地围绕，第二组的四个第二-第二发光区域PXA-G2可以被另一第一网格开口MS-OP1至少部分地围绕，并且四个第二-第三发光区域PXA-R2可以被另一第一网格开口MS-OP1至少部分地围绕。

参考图6B，第一感测电极E1-1至E1-5(参考图5)和第二感测电极E2-1至E2-4(参考图5)中的感测图案SP2可以包括在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上延伸的网格线MSL。

网格线MSL可以包括第一网格线MSL-1和第二网格线MSL-2。第一网格线MSL-1和第二网格线MSL-2可以是彼此一体地设置的图案，然而，为了解释的方便，第一网格线MSL-1和第二网格线MSL-2将被描述为彼此分离。

第一网格线MSL-1可以与第一区域A1至少部分地重叠。第一网格线MSL-1可以包括第一-第一线S1和第一-第二线S2。第一-第一线S1可以在第一对角线方向CDR1上延伸，并且第一-第二线S2可以在第二对角线方向CDR2上延伸。

第一网格线MSL-1可以对应于参考图6A描述的网格线MSL中的与第一区域A1重叠的网格线MSL。

第二网格线MSL-2可以与第二区域A2至少部分地重叠。第二网格线MSL-2可以包括第二-第一线M1和第二-第二线M2。第二-第一线M1可以在第一对角线方向CDR1上延伸，并且第二-第二线M2可以在第二对角线方向CDR2上延伸。

当第二-第一线M1和第二-第二线M2彼此交叉时，第二网格开口MS-OP2可以由第二网格线MSL-2限定。在本实施方式中，第二网格开口MS-OP2可以具有彼此基本上相同的形状，并且第二网格开口MS-OP2中的每一个具有比第一网格开口MS-OP1中的每一个的尺寸小的尺寸。

在本实施方式中，第二区域A2的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的每一个可以被第二网格开口MS-OP2中的相应开口至少部分地围绕。因此，与第二区域A2重叠的第二网格开口MS-OP2中的每一个可以至少部分地围绕一个发光区域。

图7示出了设置在光控制层300的顶部上的光阻挡图案BM与第一区域A1和第二区域A2的发光区域之间的布置关系。

参考图7，光阻挡图案BM可以仅设置在第二区域A2中，并且可以不设置在第一区域A1中。根据本公开，用于光阻挡图案BM的材料不应一定受到特别限制，只要该材料可以吸收光即可。由于光阻挡图案BM，当从显示设备DD的一侧观察时，设置在第二区域A2中的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2的亮度比例可以降低。

根据本公开，当显示设备DD(参考图1)在第二操作模式中操作时，因为显示设备DD可以包括设置在第二区域A2中的光阻挡图案BM，所以显示区域1000A(参考图1)对于显示设备DD附近的人可以是不可见的。因此，可以提供在私密模式中具有提高的性能的显示设备DD。

由于光阻挡图案BM与分别设置在第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的发光元件间隔开预定距离，因此当相对于显示区域1000A的法线方向以特定角度(例如，约45度或更大)观察显示设备DD时，从相邻发光区域提供的光泄漏，并且因此，可以存在其中亮度比例增加的部分。

图8和图9中所示的显示面板100、输入传感器200、光控制层300和抗反射层400可以与参考图2、图4A和图4B描述的显示面板100、输入传感器200、光控制层300和抗反射层400对应。

输入传感器200可以包括第一感测绝缘层IL1、第二感测绝缘层IL2和第三感测绝缘层IL3。第一感测绝缘层IL1可以设置在封装层140的顶部上。

在参考图5描述的第二感测电极E2-1至E2-4中，桥接图案CP2可以设置在第一感测绝缘层IL1的顶部上。

第二感测绝缘层IL2可以设置在第一感测绝缘层IL1的顶部上。在参考图5描述的第一感测电极E1-1至E1-5和第二感测电极E2-1至E2-4中，感测部分SP1和感测图案SP2可以设置在第二感测绝缘层IL2的顶部上。

感测图案SP2可以经由限定穿过第二感测绝缘层IL2的接触孔CH-I(参考图5)连接到相应的感测图案SP2。第三感测绝缘层IL3可以设置在第二感测绝缘层IL2的顶部上。第一感测绝缘层IL1、第二感测绝缘层IL2和第三感测绝缘层IL3可以包括无机材料。

在下文中，参考图8和图9描述的感测电极CL可以与第一感测电极E1-1至E1-5以及第二感测电极E2-1至E2-4中的感测部分SP1和感测图案SP2中的一个对应。

光控制层300可以包括第一覆盖层OC1(参考图10A，或下覆盖层)、第二覆盖层OC2(或上覆盖层)和光阻挡图案BM。第一覆盖层OC1可以设置在输入传感器200的第三感测绝缘层IL3的顶部上。在本实施方式中，第一覆盖层OC1中的设置在第一区域A1中的平坦化层OC1-1可以具有大于第二覆盖层OC2的第二厚度TH2的第一厚度TH1。

第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2中的每一个可以包括有机材料。作为示例，有机材料可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。

图10A是示出第一覆盖层OC1的形状的平面图，并且图10B是示出光阻挡图案BM的形状的平面图。

第一覆盖层OC1可以包括平坦化层OC1-1和图案层OC1-2。

第一覆盖层OC1的平坦化层OC1-1可以设置在第一区域A1中。如图10A中所示，设置在第一区域A1中的平坦化层OC1-1可以提供其上设置第二覆盖层OC2(参见图9)的平坦表面。

第一覆盖层OC1的图案层OC1-2可以包括多个覆盖图案OC-P。如图10A中所示，覆盖图案OC-P可以在第一对角线方向CDR1和第二对角线方向CDR2上彼此间隔开。覆盖图案OC-P中的每一个可以与第二区域A2的第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的相应发光区域至少部分地重叠。

凹槽孔GV可以限定在覆盖图案OC-P之间。第三感测绝缘层IL3(参考图9)可以通过凹槽孔GV暴露而不被覆盖图案OC-P覆盖。如图10A中所示，凹槽孔GV可以具有栅格形状。

在本实施方式中，光阻挡图案BM可以仅设置在第二区域A2中。光阻挡图案BM的一部分可以设置在凹槽孔GV中。光阻挡开口BM-OP可以限定穿过光阻挡图案BM。覆盖图案OC-P中的每一个的至少一部分可以通过光阻挡开口BM-OP中的相应光阻挡开口暴露。

在本实施方式中，光阻挡图案BM可以与覆盖图案OC-P中的每一个的上表面OC-U的一部分接触。由光阻挡图案BM覆盖的覆盖图案OC-P中的每一个的上表面OC-U可以设置成与第二非发光区域NCA2相邻。

光阻挡图案BM可以具有在从第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2提供的光所发射的方向上(例如，在第三方向DR3上)变化的宽度。根据实施方式，光阻挡图案BM的宽度可以随着其朝向光发射的方向而增加。

如图10B中所示，光阻挡图案BM可以不设置在第一区域A1中，并且可以仅设置在第二区域A2中。在平面图中，光阻挡图案BM可以具有与凹槽孔GV的形状对应的形状，并且可以具有与凹槽孔GV的尺寸不同的尺寸。因此，光阻挡图案BM(穿过其限定有光阻挡开口BM-OP)的形状可以是栅格形状。

根据本实施方式，由于光阻挡图案BM未设置在第一区域A1中，因此第一区域A1中的从其提供光的第一-第一发光区域PXA-B1、第一-第二发光区域PXA-G1和第一-第三发光区域PXA-R1中的每一个可以具有与限定穿过第一区域A1的像素限定层PDL的第一开口OP1中的相应开口的尺寸对应的尺寸。另外，第一非发光区域NCA1可以是与像素限定层PDL重叠的区域。

当光阻挡图案BM设置在第二区域A2中时，第二非发光区域NCA2可以是与光阻挡图案BM重叠的区域，并且第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2可以与光阻挡开口BM-OP的尺寸对应。

在本实施方式中，感测电极CL可以具有等于或大于光阻挡图案BM的第二宽度WD2的第一宽度WD1。第二宽度WD2可以是与第三感测绝缘层IL3接触的光阻挡图案BM的宽度。然而，感测电极CL的第一宽度WD1和光阻挡图案BM的第二宽度WD2之间的关系不应一定限于此或因此受限，并且根据另一实施方式，感测电极CL的第一宽度WD1可以小于光阻挡图案BM的第二宽度WD2。

另外，覆盖彼此相邻的覆盖图案OC-P中的每一个的上表面OC-U的一部分的光阻挡图案BM的第三宽度WD3可以大于第一宽度WD1和第二宽度WD2。

在本实施方式中，第二宽度WD2可以是光阻挡图案BM的最小宽度，并且第三宽度WD3可以是光阻挡图案BM的最大宽度。第二非发光区域NCA2可以与作为光阻挡图案BM的最大宽度的第三宽度WD3对应。

由于光阻挡图案BM的一部分设置在通过去除图案层OC1-2的一部分而形成的凹槽孔GV中，所以光阻挡图案BM的该部分可以设置成具有与图案层OC1-2相同的厚度的阻隔壁形状。

由于设置在第二区域A2中的光阻挡图案BM设置成具有预定厚度的阻隔壁形状，因此当以大于或等于相对于显示区域1000A(参考图1)的法线方向的特定角度的角度观察显示设备DD(参考图1)时，可以通过光阻挡图案BM的厚度来防止从相邻发光区域提供的光的泄漏。因此，当从特定角度观察时，显示设备DD可以具有均匀的颜色纯度。

另外，由于光阻挡图案BM具有沿着光发射的方向增加的宽度，因此可以防止其中感测电极CL在特定角度处可见的缺陷。

图11是根据本公开的实施方式的显示设备DD-A的剖视图。图12A是根据本公开的实施方式的显示设备DD-B的剖视图。图12B是根据本公开的实施方式的显示设备DD-Ba的剖视图。图13是根据本公开的实施方式的显示设备DD-C的剖视图。在图11至图13中，相同/相似的附图标记表示图1至图10B中的相同/相似的元件，并且因此，在省略了元件的详细描述的情况下，可以假定该元件至少与在本公开内的其他地方已经描述的相应元件相似。

在下文中，包括在图11至图13中所示的显示设备DD-A、DD-B、DD-Ba和DD-C中的显示面板100、输入传感器200、抗反射层400和窗的配置可以与以上描述的显示设备DD的显示面板100、输入传感器200、抗反射层400和窗500的配置对应，并且因此，在省略了元件的详细描述的情况下，可以假定该元件至少与在本公开内的其他地方已经描述的相应元件相似。

参考图11，光控制层300-A可以包括第一覆盖层OC1(参考图10A)、第二覆盖层OC2和光阻挡图案BM-A。第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的细节与参考图8和图9描述的第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的细节相同。图11仅示出了第一覆盖层OC1的设置在第二区域A2中的图案层OC1-2。

光阻挡图案BM-A可以与第二区域A2的第二非发光区域NCA2重叠。光阻挡图案BM-A可以设置在限定穿过图案层OC1-2的凹槽孔GV中，并且可以限定光阻挡开口BM-OP。

光阻挡图案BM-A可以与覆盖图案OC-P中的每一个的上表面OC-U的一部分接触。由光阻挡图案BM-A覆盖的覆盖图案OC-P中的每一个的上表面OC-U可以设置成与第二非发光区域NCA2相邻。

在本实施方式中，光阻挡图案BM-A可以包括凹陷部分BV。凹陷部分BV可以在朝向凹槽孔GV的方向上凹陷。凹陷部分BV可以在将光阻挡材料填充到凹槽孔GV中的工艺期间形成。

参考图12A，包括在显示设备DD-B中的光控制层300-B可以包括第一覆盖层OC1(参考图10A)、第二覆盖层OC2和光阻挡图案BM-B。第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的细节与参考图8和图9描述的第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的细节相同。图12A示出了第一覆盖层OC1的设置在第二区域A2中的图案层OC1-2。

光控制层300-B还可以包括设置在输入传感器200的第三感测绝缘层IL3和图案层OC1-2之间的附加覆盖层OC-S。因此，光阻挡图案BM-B可以与附加覆盖层OC-S接触。附加覆盖层OC-S可以具有比第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的厚度小的厚度。

附加覆盖层OC-S可以包括有机材料。有机材料可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。

附加覆盖层OC-S可以仅设置在第二区域A2中。在该情况下，第三感测绝缘层IL3可以在第一区域A1中与平坦化层OC1-1(参考图8)接触，然而，它不应一定限于此或因此受限。附加覆盖层OC-S可以公共地设置在第一区域A1和第二区域A2中。

参考图12B，包括在显示设备DD-Ba中的光控制层300-Ba可以包括第一覆盖层OC1(参考图10A)、第二覆盖层OC2a和光阻挡图案BM-Ba。第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2a的细节与参考图8和图9描述的第一覆盖层OC1和第二覆盖层OC2的细节相同。图12B示出了第一覆盖层OC1的设置在第二区域A2中的图案层OC1-2a。

光阻挡图案BM-Ba的至少一部分可以设置在图案层OC1-2a中。作为示例，光阻挡图案BM-Ba的在凹槽孔GV中具有均匀宽度的至少一部分可以设置在图案层OC1-2a中，并且光阻挡图案BM-Ba的其他部分可以从覆盖图案的上表面OC-U向第三方向DR3突出。突出部分可以被第二覆盖层OC2a覆盖。

根据本实施方式，当光阻挡图案BM-Ba设置在图案层OC1-2a中时，光阻挡图案BM-Ba可以与第三感测绝缘层IL3间隔开。

图案层OC1-2a可以包括有机材料。有机材料可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。图案层OC1-2a可以通过堆叠多个有机层形成。在该情况下，有机层可以包括彼此相同的材料。因此，有机层之间的边界可以是不可见的，并且有机层可以形成为如图12B中所示的单个图案层OC1-2a。

参考图13，光控制层300-C可以包括第一覆盖层OC1、第二覆盖层OC2、第三覆盖层OC3和光阻挡部分BM-C。光阻挡部分BM-C可以包括设置在不同的层上的第一光阻挡图案BM1和第二光阻挡图案BM2。光阻挡部分BM-C可以仅设置在第二区域A2中。

第一覆盖层OC1可以设置在第三感测绝缘层IL3上。第一光阻挡图案BM1可以设置在第一覆盖层OC1的顶部上。

第一光阻挡图案BM1可以与第二非发光区域NCA2重叠。第一光阻挡开口BM-OP1可以限定穿过第一光阻挡图案BM1。第一光阻挡开口BM-OP1中的每一个可以与第二-第一发光区域PXA-B2、第二-第二发光区域PXA-G2和第二-第三发光区域PXA-R2中的相应发光区域重叠。

第二覆盖层OC2可以设置在第一覆盖层OC1的顶部上，并且可以覆盖第一光阻挡图案BM1。

第二光阻挡图案BM2可以与第一光阻挡图案BM1至少部分地重叠。第二光阻挡开口BM-OP2可以限定穿过第二光阻挡图案BM2。第二光阻挡开口BM-OP2中的每一个可以与第一光阻挡开口BM-OP1中的相应开口至少部分地重叠。

在本实施方式中，感测电极CL可以具有第四宽度WD4，第一光阻挡图案BM1可以具有第五宽度WD5，并且第二光阻挡图案BM2可以具有第六宽度WD6。

第五宽度WD5可以大于第四宽度WD4并且可以小于第六宽度WD6。因此，第二光阻挡开口BM-OP2中的每一个的尺寸可以小于第一光阻挡开口BM-OP1中的每一个的尺寸。因此，第二区域A2的第二非发光区域NCA2可以是与第二光阻挡图案BM2重叠的区域。

在本实施方式中，由于第一光阻挡图案BM1设置成比第二光阻挡图案BM2更靠近第二-第一元件区域AE2-B、第二-第二元件区域AE2-G和第二-第三元件区域AE2-R，因此当以等于或大于特定角度的角度观察显示设备DD-C时，可以防止从相邻发光区域提供的光的泄漏。因此，当从特定角度观察时，显示设备DD-C可以具有均匀的颜色纯度。

另外，由于具有比第一光阻挡图案BM1的宽度大的宽度的第二光阻挡图案BM2设置在第一光阻挡图案BM1上方，因此可以防止其中感测电极CL在特定角度处可见的缺陷。

图14是根据本公开的实施方式的显示面板的平面图。在图14中，相同/相似的附图标记表示图1至图10B中的相同/相似的元件，并且因此，在省略了元件的详细描述的情况下，可以假定该元件至少与在本公开内的其他地方已经描述的相应元件相似。

在本实施方式中，显示面板100a可以包第一区域A1和第二区域A2。光阻挡图案BM可以仅设置在第二区域A2中，并且可以不设置在第一区域A1中。

第一区域A1可以包括第一-第一元件区域AE1-Ba、第一-第二元件区域AE1-Ga和第一-第三元件区域AE1-Ra以及第一外围区域NPXA1(参考图3)。第二区域A2可以包括第二-第一元件区域AE2-Ba、第二-第二元件区域AE2-Ga和第二-第三元件区域AE2-Ra以及第二外围区域NPXA2(参考图3)。

在本实施方式中，第一区域A1可以包括四个第一-第一发光区域PXA-B1a。第一区域A1可以包括两组四个第一-第二发光区域PXA-G1a。第一区域A1可以包括四个第一-第三发光区域PXA-R1a。

在本实施方式中，第一-第一发光区域PXA-B1a、第一-第二发光区域PXA-G1a和第一-第三发光区域PXA-R1a可以具有彼此相同的尺寸。

在本实施方式中，第二区域A2可以包括四个第二-第一发光区域PXA-B2a。第二区域A2可以包括两组四个第二-第二发光区域PXA-G2a。第二区域A2可以包括四个第二-第三发光区域PXA-R2a。第二-第一发光区域PXA-B2a、第二-第二发光区域PXA-G2a和第二-第三发光区域PXA-R2a可以具有彼此相同的尺寸。

根据本实施方式，产生具有第一颜色的光的第一-第一元件区域AE1-Ba的尺寸可以与第二-第一元件区域AE2-Ba的尺寸相同。产生具有第二颜色的光的第一-第二元件区域AE1-Ga的尺寸可以与第二-第二元件区域AE2-Ga的尺寸相同。产生具有第三颜色的光的第一-第三元件区域AE1-Ra的尺寸可以与第二-第三元件区域AE2-Rb的尺寸相同。

尽管在本文中已经参考附图描述了本公开的实施方式，但是应当理解，本公开不应一定限于这些实施方式，而是可以由本领域普通技术人员在本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (10)

1.显示设备，包括：

显示面板，包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域各自包括外围区域和其中设置发光元件的元件区域，所述第二区域包括多个发光区域和非发光区域，所述多个发光区域分别与所述元件区域重叠，所述非发光区域至少部分地围绕所述发光区域，使得所述非发光区域的至少一部分与所述外围区域重叠；

下覆盖层，设置在所述显示面板上，与所述第一区域和所述第二区域重叠，并且包括分别与所述第二区域的所述发光区域重叠的覆盖图案；以及

光阻挡图案，与所述非发光区域重叠并且设置在与所述第二区域重叠的所述下覆盖层上，其中，所述光阻挡图案覆盖所述覆盖图案中的每一个的上表面的一部分。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述光阻挡图案具有沿着所述显示面板的厚度方向变化的宽度。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述光阻挡图案的上表面具有在朝向所述显示面板的方向上凹陷的凹陷形状。

4.根据权利要求1所述的显示设备，还包括输入传感器，所述输入传感器设置在所述显示面板与所述下覆盖层之间并且包括感测绝缘层和与所述外围区域重叠的感测电极，并且其中，所述感测电极中的每一个具有小于所述光阻挡图案的最大宽度的宽度。

5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述光阻挡图案与所述感测绝缘层中最靠近所述下覆盖层的最上感测绝缘层接触。

6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述光阻挡图案的至少一部分设置在所述下覆盖层中，并且所述光阻挡图案与所述感测绝缘层中最靠近所述下覆盖层的最上感测绝缘层间隔开。

7.根据权利要求4所述的显示设备，还包括附加覆盖层，所述附加覆盖层设置在所述感测绝缘层中最靠近所述下覆盖层的最上感测绝缘层与所述下覆盖层之间，其中，所述光阻挡图案与所述附加覆盖层接触。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述光阻挡图案具有其中光阻挡开口与所述发光区域重叠的栅格形状，并且所述覆盖图案中的每一个与所述光阻挡开口中的相应光阻挡开口重叠。

9.显示设备，包括：

显示面板，包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域各自包括外围区域和其中设置发光元件的元件区域，所述第二区域包括多个发光区域和非发光区域，所述多个发光区域分别与所述元件区域重叠，所述非发光区域至少部分地围绕所述发光区域，使得所述非发光区域的至少一部分与所述外围区域重叠；

第一光阻挡图案，与所述非发光区域重叠；以及

第二光阻挡图案，与所述第一光阻挡图案重叠，并且设置成比所述第一光阻挡图案更远离所述显示面板，其中，所述第一光阻挡图案的最大宽度小于所述第二光阻挡图案的最小宽度。

10.根据权利要求9所述的显示设备，还包括输入传感器，所述输入传感器设置在所述显示面板和所述第一光阻挡图案之间，并且包括感测绝缘层和与所述外围区域重叠的感测电极，其中，所述感测电极中的每一个的最大宽度小于所述第一光阻挡图案的宽度。

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