KR20220151150A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외측에 정의되는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치된 회로층, 상기 표시 영역 상에 배치되는 소자층, 상기 소자층을 커버하는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되는 터치층을 포함하고, 상기 터치층은 복수의 터치 패턴, 절연층, 및 상기 절연층에 정의된 복수의 컨택홀들 각각을 통해서 상기 터치 패턴 각각과 연결되고, 상기 터치 패턴 상측에 배치되는 복수의 터치 전극들을 포함하고, 상기 터치 패턴 각각은 제1 방향으로 연장되는 제1 서브 패턴 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 제1 서브 패턴으로부터 연장되는 제2 서브 패턴을 포함하고, 평면상에서 상기 터치 전극들 각각의 면적은 상기 제1 방향을 따라 점점 감소하고, 평면상에서 상기 제2 서브 패턴의 면적은 상기 제1 방향을 따라 점점 증가한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터치 전극들의 면적을 조절하여, 형성되는 정전 용량을 균일하게 유지시키는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.
이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있으며, 이중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터치 전극들의 면적을 조절하여, 형성되는 정전 용량을 균일하게 유지시키는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역이 정의된 표시 패널 및 상기 표시 패널 위에 배치되며, 제1 감지 전극, 상기 제1 감지 전극으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 전극에 전기적으로 연결된 제1 감지 배선, 및 상기 제2 감지 전극에 전기적으로 연결된 제2 감지 배선을 포함하는 입력 감지층을 포함하고, 상기 제1 감지 전극은 상기 표시 패널 위에 배치된 제1 서브 전극 및 상기 제1 서브 전극 위에 배치된 제2 서브 전극을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 표시 패널 위에 배치된 제3 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극 위에 배치된 제4 서브 전극을 포함하고, 상기 제1 서브 전극의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 폭은 상기 제3 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭보다 크고, 상기 제2 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭은 상기 제4 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭보다 작을 수 있다.
상기 제1 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제2 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 클 수 있다.
상기 제3 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제4 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 작을 수 있다.
상기 제4 서브 전극은 상기 제1 감지 배선의 적어도 일부와 평면 상에서 중첩할 수 있다.
상기 제1 감지 배선의 상기 제1 방향과 나란한 방향의 길이는 상기 제2 감지 배선의 상기 제1 방향과 나란한 방향의 길이보다 길 수 있다.
상기 제1 감지 배선 및 상기 제2 감지 배선 각각의 적어도 일부는 상기 표시 영역과 중첩할 수 있다.
상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극 각각은 상기 표시 패널 위에 직접 배치될 수 있다.
상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극은 메쉬 형상을 가질 수 있다.
상기 표시 패널은 기판, 상기 기판 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치된 소자층, 상기 소자층을 위에 배치된 봉지층을 포함하고, 상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극은 상기 봉지층 위에 직접 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 표시 영역 위에 배치될 수 있다.
상기 제2 서브 전극 및 상기 제4 서브 전극은 투명 전극일 수 있다.
상기 제1 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제3 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 크고, 상기 제2 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제4 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 작을 수 있다.
셀프캡(self-cap) 방식의 터치 구동 방식에 있어서, 컨택홀들을 통해서 터치 전극들을 메쉬 형상을 가지는 제2 서브 패턴과 전기적으로 연결시킴에 따라서 외부 물체의 터치를 감지할 수 있는 면적이 증가되고, 터치 전극들과 외부 물체 사이에 형성되는 정전 용량이 늘어남에 따라 터치 감도를 향상시킬 수 있다.
나아가 평면상에서 상대적으로 면적이 큰 제2 서브 패턴 상에는 면적이 작은 터치 전극을, 면적이 큰 제2 서브 패턴와 중첩되도록 배치시키고, 상대적으로 면적이 작은 제2 서브 패턴 상에는 면적이 큰 터치 전극을 면적이 작은 제2 서브 패턴과 중첩되도록 배치시킴으로 일정 방향을 따라 다르게 형성될 수 있는 정전 용량을 균일하게 조절함으로써, 위치에 관계없이 터치 감도를 일정하게 유지할 수 있다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 표시장치에 사용자의 손가락이 접촉되는 것을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시장치의 단면 중 일부를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 단면을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치층의 평면도이다.
도 7a는 도 6의 A부분을 확대한 단면도이다.
도 7b는 도 6의 B부분을 확대한 단면도이다.
도 8은 도 6의 터치층을 상세하게 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 터치층을 상세하게 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치층을 형성하는 과정을 설명하는 순서도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 1b는 도 1a에 도시된 표시장치(DD)에 사용자의 손가락(FG)이 접촉되는 것을 도시한 사시도이다.
이미지(IM)가 표시되는 표시면(IS)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 스마트폰, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 사용될 수 있다. 본 명세서 내에서, 표시장치(DD)는 스마트폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
도 1a를 참조하면, 표시면(IS)은 이미지(IM)가 표시되는 표시 영역(DD-DA) 및 표시 영역(DD-DA)에 인접한 비표시 영역(DD-NDA)을 포함한다. 비표시 영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 어플리케이션 아이콘들을 도시하였다. 일 예로써, 표시 영역(DD-DA)은 사각형 형상일 수 있다. 비표시 영역(DD-NDA)은 표시 영역(DD-DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DD-DA)의 형상과 비표시 영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 표시장치(DD)는 사용자 손가락(FG)에 의한 터치를 인식할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 터치를 인식할 수 있는 영역은 표시 영역(DD-DA)과 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 표시 영역(DD-DA)에 사용자 손가락(FG)이 접촉하게 되면, 표시장치(DD)는 이를 인식할 수 있게 된다.
도 2는 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 단면 중 일부를 도시한 것이다.
표시장치(DD)는 윈도우(WM) 및 표시모듈(DM)을 포함할 수 있다. 윈도우(WM) 및 표시모듈(DM)은 제1 접착부재(ADH1)에 의해 접착될 수 있다.
표시모듈(DM)은 터치층(FPS), 표시패널(DP), 및 반사방지부재(POL)를 포함할 수 있다. 터치층(FPS) 및 표시패널(DP)은 제2 접착부재(ADH2)에 의해 접착될 수 있다.
제1 접착부재(ADH1) 및 제2 접착부재(ADH2) 각각은 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film), 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin) 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 접착부재(ADH1) 및 제2 접착부재(ADH2) 각각은 광경화 접착물질 또는 열경화 접착물질을 포함하고, 그 재료는 특별히 제한되지 않을 수 있다.
윈도우(WM)는 외부 충격으로부터 표시모듈(DM)을 보호하고, 사용자에게 터치감지면을 제공할 수 있다. 도 1 내지 도 2b에 도시된 표시면(IS)이 사용자의 터치여부를 감지하기 위한 터치감지면 일 수 있다. 또한, 표시면(IS)이 사용자의 지문을 인식하기 위한 지문인식면일 수 있다.
윈도우(WM)는 유리를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니며, 윈도우(WM)는 광 투과성을 가지는 투명한 물질을 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 복수의 발광소자들을 포함할 수 있다. 표시패널(DP)은 입력된 영상 데이터에 대응하는 이미지(IM, 도 1a 참조)를 생성한다. 표시패널(DP)을 생성하는 공정은 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 포함할 수 있다.
터치층(FPS)는 표시패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 터치층(FPS)는 외부입력의 좌표정보를 획득할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 터치층(FPS)는 별도의 공정에 의해 제조되어, 표시패널(DP)에 접착될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니며 터치층(FPS)는 표시패널(DP)의 일면에 직접 배치될 수 있다. 즉, 터치층(FPS)는 표시패널(DP)과 연속공정에 의해 제조될 수 있다. 이 때, 터치층(FPS)는 제2 접착부재(ADH2)가 없어도 표시패널(DP)에 결합될 수 있다.
터치층(FPS)는 외부의 물체의 접촉여부를 감지하기 위한 복수의 터치 전극들을 포함할 수 있다. 외부의 물체는 도 1b에 도시된 손가락(FG)일 수 있다. 손가락(FG)은 터치층(FPS)과 정전용량을 형성할 수 있다.
반사방지부재(POL)는 표시패널(DP)과 터치층(FPS) 사이에 배치될 수 있다. 반사방지부재(POL)는 외부로부터 입사된 광을 흡수, 상쇄간섭, 또는 편광시켜 외부광 반사율을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 반사방지부재(POL)는 컬러필터, 도전층/유전체층/도전층의 적층 구조물, 편광부재(polarizer), 또는 광학부재를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도이다.
도 3을 참조하면, 표시패널(DP)은 평면상에서 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시패널(DP)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)은 표시장치(DD, 도 1a 참조)의 표시 영역(DD-DA, 도 1a 참조) 및 비표시 영역(DD-NDA, 도 1a 참조)에 각각 대응한다. 표시패널(DP)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)은 표시장치(DD)의 표시 영역(DD-DA) 및 비표시 영역(DD-NDA)과 반드시 동일할 필요는 없고, 표시패널(DP)의 구조/디자인에 따라 변경될 수 있다.
표시패널(DP)은 복수 개의 신호라인들(SGL) 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 복수 개의 화소들(PX)이 배치된 영역이 표시 영역(DA)으로 정의된다. 본 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다.
복수 개의 신호라인들(SGL)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL)을 포함한다. 게이트 라인들(GL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 복수 개의 화소들(PX)에 연결된다. 비표시 영역(NDA)의 일측에는 게이트 라인들(GL)이 연결된 게이트 구동회로(DCV)가 배치될 수 있다. 제어신호 라인(CSL)은 게이트 구동회로(DCV)에 제어신호들을 제공할 수 있다.
게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 중 일부는 동일한 층에 배치되고, 일부는 다른 층에 배치된다. 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 중 어느 하나의 층에 배치된 신호라인들이 제1 신호라인으로 정의될 때, 다른 하나의 층에 배치된 신호라인들은 제2 신호라인으로 정의될 수 있다. 또 다른 하나의 층에 배치된 신호라인들은 제3 신호라인으로 정의될 수 있다.
게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 각각은 신호 배선부와 신호 배선부의 말단에 연결된 표시패널 패드들(PD-DP)을 포함할 수 있다. 신호 배선부는 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 각각의 표시패널 패드들(PD-DP)을 제외한 부분으로 정의될 수 있다.
표시패널 패드들(PD-DP)은 화소들(PX)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 표시패널 패드들(PD-DP)은 화소들(PX)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 표시패널 패드들(PD-DP)은 제어 패드(CSL-P), 데이터 패드(DL-P), 및 전원 패드(PL-P)를 포함할 수 있다. 게이트 패드부는 미 도시되었으나, 게이트 구동회로(DCV)와 중첩하며 게이트 구동회로(DCV)에 연결될 수 있다. 별도로 표기하지 않았으나, 제어 패드(CSL-P), 데이터 패드(DL-P), 및 전원 패드(PL-P)가 얼라인되어 있는 비표시 영역(NDA)의 일부분은 패드영역으로 정의된다.
도 5에는 어느 하나의 게이트 라인(GL)과 어느 하나의 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 이에 제한되지 않고 변형될 수 있다.
화소(PX)는 표시소자로써 발광소자(LM)를 포함한다. 발광소자(LM)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 또는, 발광소자(LM)는 양면 발광형 다이오드일 수 있다. 발광소자(LM)는 유기발광 다이오드(Organic　Light　Emitting　Diode)일 수 있다. 화소(PX)는 발광소자(LM)를 구동하기 위한 회로부로써 스위칭 트랜지스터(TFT-S), 구동 트랜지스터(TFT-D), 및 커패시터(CP)를 포함한다. 발광소자(LM)는 트랜지스터들(TFT-S, TFT-D)로부터 제공되는 전기적 신호의 의해 광을 생성한다.
스위칭 트랜지스터(TFT-S)는 게이트 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(CP)는 스위칭 트랜지스터(TFT-S)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다.
구동 트랜지스터(TFT-D)는 발광소자(LM)에 연결된다. 구동 트랜지스터(TFT-D)는 커패시터(CP)에 저장된 전하량에 대응하여 발광소자(LM)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 발광소자(LM)는 구동 트랜지스터(TFT-D)의 턴-온 구간 동안 발광할 수 있다.
전원 라인(PL)은 발광소자(LM)에 제1 전원전압(VDD1)을 제공할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 단면을 도시한 도면이다. 도 5는 도 4에 도시된 등가회로의 구동 트랜지스터(TFT-D) 및 발광소자(LM)에 대응하는 부분의 단면을 도시하였다.
도 5에 도시된 것과 같이, 기판(SUB) 상에 회로층(CL)이 배치된다. 기판(SUB)은 도 1a에서 설명한 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 다만 설명의 편의를 위해서 도 5에서는 기판(SUB)의 표시 영역(DA)만을 도시하였다. 기판(SUB) 상에 구동 트랜지스터(TFT-D)의 반도체 패턴(ALD)이 배치된다. 반도체 패턴(ALD)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 서로 동일하게 또는 서로 다르게 선택될 수 있다.
회로층(CL)은 유기/무기층들(BR, BL, 12, 14, 16), 스위칭 트랜지스터(TFT-S, 도 4 참조), 및 구동 트랜지스터(TFT-D)를 포함할 수 있다. 유기/무기층들(BR, BF, 12, 14, 16)은 기능층(BR, BF), 제1 절연층(12), 제2 절연층(14), 및 제3 절연층(16)을 포함할 수 있다.
기능층(BR, BF)은 기판(SUB)의 일면 상에 배치될 수 있다. 기능층(BR, BF)은 배리어층(BR) 또는 버퍼층(BF) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 반도체 패턴(ALD)은 배리어층(BR) 또는 버퍼층(BF) 상에 배치될 수 있다.
기판(SUB) 상에 반도체 패턴(ALD)을 커버하는 절연층(12)이 배치된다. 제1 절연층(12)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제1 절연층(12)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제1 절연층(12) 상에 구동 트랜지스터(TFT-D)의 제어전극(GED)이 배치된다. 도시되지 않았으나, 스위칭 트랜지스터(TFT-S, 도 4 참조)의 제어전극 역시 제1 절연층(12) 상에 배치될 수 있다. 제어전극(GED)은 게이트 라인(GL, 도 4 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다. 다시 말해, 제어전극(GED)은 게이트 라인들(GL)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 적층 구조를 갖고, 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
제1 절연층(12) 상에 제어전극(GED)을 커버하는 제2 절연층(14)이 배치된다. 제2 절연층(14)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제2 절연층(14)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제2 절연층(14) 상에 데이터 라인(DL, 도 4 참조)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(14) 상에 구동 트랜지스터(TFT-D)의 입력전극(SED) 및 출력전극(DED)이 배치된다. 도시되지 않았으나, 스위칭 트랜지스터(TFT-S, 도 4 참조)의 입력전극 및 출력전극 역시 제2 절연층(14) 상에 배치된다. 입력전극(SED)은 데이터 라인들(DL) 중 대응하는 데이터 라인으로부터 분기될 수 있다. 전원 라인(PL, 도 4 참조)은 데이터 라인들(DL)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 입력전극(SED)은 전원 라인(PL)으로부터 분기될 수 있다.
제2 절연층(14) 상에 커패시터(CP)의 전극중 일부가 배치된다. 커패시터(CP)의 전극중 일부는 데이터 라인들(DL) 및 전원 라인(PL)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있고, 동일한 물질로 구성되고, 동일한 적층 구조를 갖고, 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
입력전극(SED)과 출력전극(DED)은 제1 절연층(12) 및 제2 절연층(14)을 관통하는 제1 관통홀(CH1)과 제2 관통홀(CH2)을 통해 반도체 패턴(ALD)에 각각 연결된다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에서 스위칭 트랜지스터(TFT-S)와 구동 트랜지스터(TFT-D)는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.
제2 절연층(14) 상에 입력전극(SED), 출력전극(DED)을 커버하는 제3 절연층(16)이 배치된다. 제3 절연층(16)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제3 절연층(16)은 평탄면을 제공하기 위해서 유기물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(12), 제2 절연층(14), 및 제3 절연층(16) 중 어느 하나는 화소의 회로 구조에 따라 생략될 수 있다. 제2 절연층(14) 및 제3 절연층(16) 각각은 층간 절연층(interlayer)으로 정의될 수 있다. 층간 절연층은 층간 절연층을 기준으로 하부에 배치된 도전패턴과 상부에 배치된 도전패턴의 사이에 배치되어 도전패턴들을 절연시킨다.
제3 절연층(16) 상에 소자층(ELL)이 배치된다. 소자층(ELL)은 화소정의막(PXL) 및 발광소자(LM)를 포함한다. 제3 절연층(16) 상에 애노드(AE)가 배치된다. 애노드(AE)는 제3 절연층(16)을 관통하는 제3 관통홀(CH3)을 통해 구동 트랜지스터(TFT-D)의 출력전극(DED)에 연결된다. 화소정의막(PXL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소정의막(PXL)의 개구부(OP)는 애노드(AE)의 일부분을 노출시킨다.
소자층(ELL)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함한다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 애노드(AE)에 대응하게 정의되었다. 그러나, 발광영역(PXA)은 이에 제한되지 않고, 발광영역(PXA)은 광이 발생되는 영역으로 정의되면 충분하다. 발광영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 애노드(AE)의 일부영역에 대응하게 정의될 수도 있다.
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 복수 개의 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 형성될 수 있다.
정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하는 영역에만 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX) 각각에 분리되어 형성될 수 있다.
발광층(EML)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다.
발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL) 상에 캐소드(CE)가 배치된다. 캐소드(CE)는 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수 있다.
본 실시예에서 패터닝된 발광층(EML)을 예시적으로 도시하였으나, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수 있다. 이때, 발광층(EML)은 백색 광을 생성할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 다층구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서 봉지층(TFE)은 캐소드(CE)를 직접 커버한다. 본 발명의 일 실시예에서, 캐소드(CE)를 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수 있다. 이때 봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버한다. 봉지층(TFE)은 유기물을 포함하는 유기층 및 무기물을 포함하는 무기층을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치층(FPS)의 평면도이다. 도 7a는 도 6의 A부분을 확대한 단면도이다. 도 7b는 도 6의 B부분을 확대한 단면도이다. 도 8은 도 6의 터치층(FPS)을 상세하게 나타낸 평면도이다.
도 6, 도 7a, 도 7b, 및 도 8을 참조하면 터치층(FPS)은 베이스 기판(601), 복수의 터치 패턴(TL), 절연층(602), 복수의 터치 전극들(605), 및 평탄층(606)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(601)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 베이스 기판(601)은 얇은 판 형상을 가질 수 있다. 베이스 기판(601)을 구성하는 물질은 특별히 제한되지 않을 수 있다. 본 발명의 일 예에서, 베이스 기판(601)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트 라이드 및 실리콘 옥사이드 등을 포함할 수 있다. 베이스 기판(601)은 도 5에서 설명한 표시 패널(DP)을 구성하는 상부 기판일 수 있고, 표시 패널(DP) 상에 부착되는 별도의 기판일 수 있다.
베이스 기판(601) 상에는 터치 패턴(TL)이 배치될 수 있다. 터치 패턴(TL)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로 터치 패턴(TL)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 인듐(In) 및 갈륨(GA)등의 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다.
터치 패턴(TL) 각각은 제2 서브 패턴(603) 및 제1 서브 패턴(604)를 포함할 수 있다. 제1 서브 패턴(604)는 평면상에서 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 직선 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 일 예로 제1 서브 패턴(604)는 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
제2 서브 패턴(603)는 평면상에서 제1 서브 패턴(604)로부터 연장될 수 있다. 좀 더 구체적으로 설명하면 제2 서브 패턴(603)는 평면상에서 제1 서브 패턴(604)로부터 제1 방향(DR1)과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다. 제2 서브 패턴(603)는 제1 서브 패턴(604)로부터 제2 방향(DR2)과 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 방향(DR1)은 제1 방향(DR1)에 수직한 방향일 수 있다. 제2 서브 패턴(603)는 제1 서브 패턴(604)와 일체로 형성될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 표시 장치(DD, 도 1a 참조)는 터치 패턴(TL) 각각을 구동하기 위한 터치 구동 신호를 생성하는 터치 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 제1 서브 패턴(604)는 터치 구동부로부터 터치 구동 신호를 수신하여 제2 서브 패턴(603)로 전달할 수 있다.
도 8을 참조하면 터치 패턴(TL)은 비발광영역(NPXA)과 중첩할 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 제1 서브 패턴(604)는 평면상에서 비발광영역(NPXA)을 따라 배선들의 교차에 의해서 형성될 수 있다. 구체적으로 제1 서브 패턴(604)는 사선 형상의 배선들이 소정의 각도를 형성하여 연결되면서 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.
제2 서브 패턴(603)는 일부의 발광영역들(PXA) 각각을 둘러싸는 메쉬 형상을 가지고, 제2 방향(DR2)과 평행한 방향으로 제1 서브 패턴(604)로부터 연장될 수 있다. 구체적으로 제2 서브 패턴(603)는 일부의 발광영역(PXA)을 둘러싸는 마름모 형상을 가지고 제1 서브 패턴(604)로부터 연장될 수 있다.
터치 패턴(TL)의 배선 폭은 수 마이크로일 수 있다.
발광영역들(PXA)의 크기는 다양할 수 있다. 예를 들어 발광영역들(PXA) 중 청색광을 제공하는 발광영역들(PXA)과 적색광을 제공하는 발광영역들(PXA)의 크기는 상이할 수 있다. 따라서 제2 서브 패턴(603)가 형성하는 개구부들(TOP)의 크기 역시 다양할 수 있다. 도 8에서는 발광영역들(PXA)의 크기는 다양한 것으로 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 발광영역들의 크기는 서로 동일할 수 있다. 제2 서브 패턴(603)가 형성하는 개구부들(TOP)의 크기도 서로 동일할 수 있다.
도 6, 도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 터치 패턴(TL) 상에는 절연층(602)이 배치될 수 있다. 절연층(602)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로 절연층(602)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기물은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 절연층(602)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
절연층(602) 상에는 복수의 터치 전극들(605)이 배치될 수 있다. 복수의 터치 전극들(605) 각각은 투명 전극일 수 있다. 본 발명의 일 예로 터치 전극들(605) 각각은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 터치 전극들(605)의 두께는 300 옴스트롱 이하일 수 있다.
절연층(602)에는 복수의 컨택홀들(CTH)이 정의될 수 있다. 복수의 컨택홀들(CTH) 각각은 복수의 터치 패턴(TL) 각각에 대응되어 절연층(602)에 정의될 수 있다. 컨택홀들(CTH) 각각을 통해서 터치 전극들(605) 각각은 터치 패턴(TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 컨택홀들(CTH) 각각을 통해서 터치 전극들(605) 각각은 제2 서브 패턴(603) 및 제1 서브 패턴(604)와 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 전극들(605)은 외부 물체 예를 들어, 도 1b에 도시된 손가락(FG)과 정전 용량을 형성할 수 있고, 이를 통해서 터치 전극들(605)은 외부 물체에 의한 입력을 감지할 수 있다.
전술한 바와 같이 셀프캡(self-cap) 방식의 터치 구동 방식에 있어서, 컨택홀들(CTH)을 통해서 터치 전극들(605)을 메쉬 형상을 가지는 제2 서브 패턴(603)와 전기적으로 연결시킴에 따라서 외부 물체의 터치를 감지할 수 있는 면적이 증가되고, 터치 전극들(605)과 외부 물체 사이에 형성되는 정전 용량이 늘어남에 따라 터치 감도를 향상시킬 수 있다.
도 6을 참조하면 평면상에서 제2 서브 패턴(603)의 면적은 제1 방향(DR1)을 따라 점점 증가할 수 있다. 이는 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 갈수록 제1 서브 패턴(604)가 차지하는 면적이 늘어나기 때문이다.
반대로 평면상에서 터치 전극들(605) 각각의 면적은 제1 방향(DR1)을 따라 점점 감소할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 도 7a에서의 터치 전극의 면적은 도 7b에서의 터치 전극의 면적보다 작을 수 있다. 따라서 평면상에서 상대적으로 면적이 큰 제2 서브 패턴(603) 상에는 면적이 작은 터치 전극(605)을 면적이 큰 제2 서브 패턴와 중첩되도록 배치시키고, 상대적으로 면적이 작은 제2 서브 패턴(603) 상에는 면적이 큰 터치 전극(605)을 면적이 작은 제2 서브 패턴(603)와 중첩되도록 배치시킴으로 제1 방향(DR1)을 따라 다르게 형성될 수 있는 정전 용량을 균일하게 조절함으로써, 위치에 관계없이 터치 감도를 일정하게 유지할 수 있다.
터치 전극들(605) 상에는 평탄층(606)이 배치될 수 있다. 평탄층(606)은 평탄면을 제공하기 위해서 유기 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 평탄층(606)은 폴리 이미드 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
다만, 본 발명에서는 전술한 터치 패턴(TL)과 터치 전극들(605)의 구조에 한정되지 않으며, 다른 일 실시예에서, 도면에서는 도시되지 않았지만, 제2 서브 패턴(603)는 컨택홀들(CTH)를 통해서 터치 전극들(605)과 연결되지 않고, 터치 전극들(605)은 제2 서브 패턴(603)들 상에 직접 접촉하여 형성될 수 있다. 이 경우에 절연층(602)은 생략될 수 있다.
또한, 다른 일 실시예에서, 제2 서브 패턴(603)이 터치 전극들(605)들 상에 배치될 수도 있다. 이 경우, 제2 서브 패턴(603)은 터치 전극들(605)의 상면에 접촉하여 터치 전극들(605)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 터치층(FPS')을 상세하게 나타낸 평면도이다.
도 9에서는 도 1 내지 도 8에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하도록 한다.
도 9의 경우에는 도 1 내지 8에서 설명한 표시 장치(DD)와 비교하여 복수의 더미 전극들(901)을 더 포함할 수 있다.
더미 전극들(901)은 터치 전극들(605) 사이에 배치될 수 있다. 더미 전극들(901)은 터치 전극들(605)과 이격되어 절연층(602) 상에 배치될 수 있다. 더미 전극들(901)은 터치 전극들(605)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 좀 더 구체적으로 더미 전극들(901)은 절연층(602) 상에서 터치 전극들(605)과 중첩되지 않는 부분에 배치될 수 있다. 더미 전극들(901)은 터치 전극들(605)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 더미 전극들(901)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
더미 전극들(901)은 터치 전극들(605)과 달리 터치 패턴(TL)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 따라서 더미 전극들(901)은 터치 구동부(미도시)로부터 터치 구동 신호를 수신하지 않는다.
이처럼 터치 전극들(605)과 중첩하지 않도록 터치 전극들(605)과 동일한 물질을 포함하는 더미 전극들(901)을 터치 전극들(605)과 이격하여 배치시킴으로써, 터치 전극들(605)을 배치함으로써 발생될 수 있는 외부로부터의 수신되는 광의 투과율 차이를 감소시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD, 도 1a 참조)의 제조 방법의 순서도이다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치층(FPS)을 형성하는 과정을 설명하는 순서도이다.
도 5 및 도 10을 참조하면, 기판(SUB)이 제공되고(S11), 기판(SUB) 상에 회로층(CL)을 형성할 수 있다.(S12) 회로층(CL)에 대해서는 도 5에서 상세히 설명하였다. 회로층(CL) 상에는 소자층(ELL)이 형성될 수 있다.(S13) 소자층(ELL)은 전술한 바와 같이 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 소자층(ELL)에 대해서는 도 5에서 상세히 설명하였다.
소자층(ELL) 상에는 봉지층(TFE)이 형성될 수 있다.(S14) 봉지층(TFE)은 도 5에서 상세히 설명하였다.
도 6 및 도 10을 참조하면, 봉지층(TFE)이 형성된 후, 봉지층(TFE) 상에는 터치층(FPS)이 형성될 수 있다.(S15)
이하 터치층(FPS)이 형성되는 공정에 대해서 설명하고, 전술한 내용과 중복되는 내용은 생략하도록 한다.
도 6, 도 7a, 및 도 11을 참조하면 터치층(FPS)을 형성하는 데 있어서, 우선 베이스 기판(601) 상에 터치 패턴(TL)을 형성한다.(S151) 터치 패턴(TL)은 베이스 기판(601) 상에 금속층을 형성한 후, 포토 리소그래피(photo lithography) 과정을 통한 패터닝을 통해서 형성될 수 있다. 금속층은 금속 물질을 포함할 수 있고, 구체적으로 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 인듐(In) 및 갈륨(GA)등의 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 제1 서브 패턴(604)와 제2 서브 패턴(603)는 단일 공정으로 형성될 수 있다.
터치 패턴(TL)을 형성한 후에 터치 패턴(TL)을 커버하는 절연층(602)을 형성할 수 있다.(S152) 절연층(602)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
절연층(602)이 형성된 후, 절연층(602)에 컨택홀(CTH)을 형성할 수 있다.(S153) 컨택홀(CTH)은 포토 리소그래피 공정을 통해서 형성될 수 있다.
절연층(602) 상에는 전술한 터치 전극들(605)이 형성될 수 있다.(S154) 터치 전극들(605)은 절연층(602) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 어느 하나를 형성하고, 포토 리소그래피 과정을 통해서 패터닝될 수 있다. 좀 더 구체적으로 터치 전극들(605)은 아몰포스(amorphous) ITO 또는 아몰포스 IZO를 절연층(602) 상에 형성하여 포토 리소그래피 과정을 통해서 패터닝될 수 있다. 바람직하게는 터치 전극들(605)은 아몰포스 IZO를 통해서 형성될 수 있다.
이러한 패터닝을 통해서 터치 전극들(605)은 컨택홀을 통해서 터치 패턴(TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
터치 전극들(605) 상에는 평탄층(606)이 형성됨으로써 터치층(FPS)이 형성될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
602: 절연층 605: 터치 전극들
603: 제2 서브 패턴 TL: 터치 패턴
604: 제1 서브 패턴 901: 더미 전극들

Claims (12)

  1. 표시 영역이 정의된 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 위에 배치되며, 제1 감지 전극, 상기 제1 감지 전극으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 전극에 전기적으로 연결된 제1 감지 배선, 및 상기 제2 감지 전극에 전기적으로 연결된 제2 감지 배선을 포함하는 입력 감지층을 포함하고,
    상기 제1 감지 전극은 상기 표시 패널 위에 배치된 제1 서브 전극 및 상기 제1 서브 전극 위에 배치된 제2 서브 전극을 포함하고,
    상기 제2 감지 전극은 상기 표시 패널 위에 배치된 제3 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극 위에 배치된 제4 서브 전극을 포함하고,
    상기 제1 서브 전극의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 폭은 상기 제3 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭보다 크고,
    상기 제2 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭은 상기 제4 서브 전극의 상기 제2 방향의 폭보다 작은 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제2 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 큰 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제4 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 작은 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제4 서브 전극은 상기 제1 감지 배선의 적어도 일부와 평면 상에서 중첩하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 배선의 상기 제1 방향과 나란한 방향의 길이는 상기 제2 감지 배선의 상기 제1 방향과 나란한 방향의 길이보다 긴 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 배선 및 상기 제2 감지 배선 각각의 적어도 일부는 상기 표시 영역과 중첩하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극 각각은 상기 표시 패널 위에 직접 배치된 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극은 메쉬 형상을 갖는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 기판, 상기 기판 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치된 소자층, 상기 소자층을 위에 배치된 봉지층을 포함하고, 상기 제1 서브 전극 및 상기 제3 서브 전극은 상기 봉지층 위에 직접 배치된 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 표시 영역 위에 배치된 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 전극 및 상기 제4 서브 전극은 투명 전극인 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제3 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 크고, 상기 제2 서브 전극이 배치된 영역의 면적은 상기 제4 서브 전극이 배치된 영역의 면적보다 작은 표시 장치.


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