TWI699853B - 基板支撐裝置、基板處理設備以及用於沉積薄膜的基板處理方法 - Google Patents

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    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
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Abstract

提供了一種基板支撐裝置、基板處理設備以及用於沉積薄膜的基板處理方法，其防止處理氣體在高溫處理中侵入基板的後表面。基板支撐裝置包括支撐部分，該支撐部分被構造為與在特定溫度下變形的基板的邊沿去除區域具有線接觸。

Description

基板支撐裝置、基板處理設備以及用於沉積薄膜的基板處理方法
本發明是有關於一種基板支撐裝置(例如基座)以及包括該基板支撐裝置的基板處理設備，且特別是有關於一種可以防止待處理的基板的後表面沉積的基板支撐裝置以及包括該基板支撐裝置的基板處理設備。
在半導體沉積設備中，加熱器通常可以設置在反應器中以向安裝的基板供應熱量。加熱器被稱為加熱器塊，並且可以包括熱線和熱電偶(thermoelectric couple,TC)。在加熱器塊的上端進一步設置有基座，基板在反應空間內實質安裝在基座上。但是，當在高溫下執行處理時，基座或基板可能由於高溫而變形。當處理氣體侵入變形的基座與基板之間或變形的基板與基座之間時，可沉積基板的後表面。沉積在基板後表面上的膜可能不僅成為反應器中的污染源，而且成為後續工藝中污染設備的污染源。此外，該膜可能會使半導體裝置產量和裝置性能劣化。
一個或多個實施例為包括基板支撐裝置，其能夠防止在膜沉積過程中使用的氣體侵入基板的後表面並在其上形成薄膜，以及包含該基板支撐裝置的基板處理設備。
額外態樣將在下面的描述中部分地闡述，並且部分地將從描述中顯而易見，或者可以藉由實施所呈現的實施例而明瞭。
根據一個或多個實施例，基板支撐裝置包括內部部分、周邊部分以及形成在內部部分和周邊部分之間的凹入部分，其中第一臺階部分形成在內部部分和凹入部分之間，第二臺階部分形成在周邊部分和凹入部分之間。
基板支撐裝置可進一步包括佈置在凹入部分中的邊緣，其中邊緣佈置在第一臺階部分和第二臺階部分之間。
邊緣可以包括形成在邊緣的朝向內部部分的上表面上的第三臺階部分。
第三臺階部分可以包括墊，並且基板可以容納在該墊上。
第一臺階部分的高度可以低於墊的高度，使得基板的下表面與內部部分間隔開。
第三臺階部分的高度可以低於基板的上表面。
第一臺階部分和邊緣可以彼此間隔開。
第二臺階部分的高度可以低於邊緣的高度。
邊緣可以包括絕緣體。
基板可以容納在邊緣上，基板可以在特定溫度下變形以具有朝向內部部分的一定曲率，並且變形的基板可以與邊緣具有線接觸。
邊緣的形成線接觸的部分可以具有非直角形狀。
根據一個或多個實施例，用於容納包括邊沿去除區域的基板的基板支撐裝置，基板支撐裝置包括被構造為與在特定溫度下變形的基板的邊沿去除區域具有線接觸的支撐部分。
當基板在第一溫度下容納在支撐部分上時，邊沿去除區域可與支撐部分具有第一接觸。
基板可以在高於第一溫度的第二溫度下變形，使得邊沿去除區域和基板的側表面之間的區域與支撐部分具有第二接觸，並且基板和支撐部分藉由第二接觸而彼此接觸的區域為小於基板和支撐部分藉由第一接觸而彼此接觸的區域。
基板支撐裝置的形成線接觸的部分的表面粗糙度可以小於基板支撐裝置的其他部分的表面粗糙度。
基板支撐裝置可以進一步包括加熱部分，該加熱部分與基板間隔開佈置，其中根據基板和加熱部分之間的距離來控制形成在基板上的薄膜的特性。
根據一個或多個實施例，基板處理設備包括反應器壁、基板支撐裝置、加熱器塊、進氣單元、氣體供應單元和排氣單元，其中反應器壁和基板支撐裝置具有形成反應空間的面接觸，並且基板支撐裝置包括基座主體和邊緣。
基座主體可以包括內部部分、周邊部分以及在內部部分和周邊 部分之間形成的凹入部分，並且邊緣可以佈置在凹入部分中。
第一空間可以形成在基板和內部部分之間，並且第二空間可以形成在內部部分和邊緣之間。
根據一個或多個實施例，用於沉積薄膜的基板處理方法包括供應源氣體、供應反應氣體和啟動反應氣體，這些步驟被重複以沉積薄膜，其中基板和基座彼此間隔開，並且根據基座的主體與基板之間的間隔來控制薄膜的特性。
1:內部部分
2:凹入部分
3:周邊部分
4:邊緣
5:基板
10:第一臺階部分
13:基座
20:第二臺階部分
22:基板支撐銷孔
23:基座主體固定支撐銷孔
30:第三臺階部分
31:墊
70:反應空間
71:排氣單元
72:加熱器塊
73:進氣單元
74:氣體通道
75:氣體供應單元、氣體供應板
76:氣體流動通道
77:排氣口
78:反應器
79:反應器壁
80:RF杆
100:線接觸的部分
B:基座主體
G:端部
H:結構
M:間隔、長度
S:基板
S1:區域
S2:區域
S01:源氣體供應操作
S02:源氣體淨化操作
S03:反應氣體供應操作
S04:反應氣體啟動操作
S05:殘留氣體淨化操作
W:距離、寬度
X:沉積部分
Y:沉積部分
Z:邊沿去除區域
A-A':線
B-B':線
a:高度
b:高度
c:高度
d:厚度
e:高度
f:高度
從以下結合附圖對實施例的描述中，這些和/或其他態樣將變得明顯且更容易理解，其中：圖1A示意性說明根據一個實施例的基板支撐裝置，例如基座主體。
圖1B是沿著圖1A的線A-A'截取的基板支撐裝置的橫截面圖。
圖1C示意性說明具有圓形凹入表面的基座主體的凹入部分。
圖2A示意性說明根據一個實施例的基座主體和邊緣彼此分離。
圖2B說明圖2A的基座主體和邊緣彼此耦合。
圖2C是沿圖2B的線B-B'截取的基板支撐裝置的橫截面圖。
圖2D說明邊緣耦合到圖1C的凹入部分。
圖3是說明根據一個實施例的邊緣被容納在基座主體的凹入 部分中的放大視圖。
圖4是圖3的區域S1的放大截面圖。
圖5是圖3的區域S2的放大截面圖。
圖6示意性說明包括邊沿去除區域的基板。
圖7說明根據一個實施例的圖6的基板被容納在墊上。
圖8示意性說明使用圖7的元件來執行高溫處理。
圖9是根據實施例的包括基板支撐裝置的基板處理設備的示意性橫截面圖。
圖10A和圖10B是示意性說明根據其他實施例的使用基板處理設備的基板處理方法的流程圖。
圖11A至圖11C說明當使用圖9的基板處理設備執行處理時沉積在基板的後表面上的SiO2膜的厚度。
圖12是說明根據一個實施例藉由電漿增強式原子層沉積(plasma-enhanced atomic layer deposition,PEALD)方法利用基座在基板上沉積SiO2膜時根據基座的內部部分和基板之間的距離的濕蝕刻率(WER)的變化的曲線圖。
提供實施例以向本發明構思所屬領域的普通技術人員進一步完整地解釋本發明構思。然而，本發明構思不限於此，並且應當瞭解的是，在不脫離所附申請專利範圍的精神和範圍的情況下，可以在其中進行形式和細節上的各種改變。亦即，可以僅為解釋本發明構思的實施例而呈 現對於特定結構或功能的描述。
在本說明書中使用的術語用於解釋具體實施例，而不是用於限制本發明構思。因此，除非在上下文中另外明確規定，否則本說明書中的單數的表達包括複數的表達。而且，諸如「包括」和/或「包含」的術語可以被解釋為表示特定的特徵、數量、步驟、操作、組成元素或其組合，但是不能被解釋為排除附加一個或多個其他特徵、數位、步驟、操作、組成元素或其組合的存在或可能性。如在本說明書中所使用的，術語「和/或」包括所列專案中的任何一個以及所有的專案的至少一個組合。
在本說明書中，諸如「第一」和「第二」之類的術語在本文中僅用於描述各種構件、部件、區域、層和/或部分，但是組成元件不受術語限制。很明顯，這些構件、部件、區域、層和/或部分不受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個構成要素與另一個構成要素的目的。因此，在不脫離本發明構思的正確範圍的情況下，第一構件、部件、區域、層或部分可以指第二構件、部件、區域、層或部分。
在下文中，參考附圖詳細描述本發明構思的實施例。在附圖中，所示形狀可以根據例如製造技術和/或公差來修改。因此，本發明構思的實施例可以不被解釋為限於本說明書中描述的部分的特定形狀，並且可以包括例如在製造期間產生的形狀的變化。
圖1A示意性說明根據一個實施例的基板支撐裝置。圖1B是沿著圖1A的線A-A'截取的基板支撐裝置的橫截面圖。
參考圖1A和1B，根據本實施例的基板支撐裝置可以包括基座主體B。基座主體B可以在其一個表面上包括內部部分1、周邊部分3和 形成在內部部分1和周邊部分3之間的凹入部分2。如下所述，邊緣(參見圖2A至2C)可以佈置在凹入部分2中。
內部部分1和凹入部分2形成第一臺階部分10。第一臺階部分10可以形成在內部部分1與凹入部分2之間。周邊部分3和凹入部分2形成第二臺階部分20。第二臺階部分20可以形成在周邊部分3與凹入部分2之間。邊緣可以佈置在第一臺階部分10和第二臺階部分20之間。
在一個實施例中，基座主體B被製造成連續的一個部件，通常呈圓形和盤狀。然而，基座主體B的形狀不限於此，並且基座主體B可以具有與待處理的基板的形狀對應的形狀。例如，在待處理的基板為矩形顯示器基板的情況下，基座主體B可以具有用以容納矩形基板的矩形形狀。
基座主體B可以被調節和構造成具有能夠容納具有特定直徑的半導體基板的尺寸，包括例如150mm、200mm和300mm的基板。此外，基座主體B可以由諸如鋁或合金的金屬材料或具有高導熱率的材料形成，以平穩地將熱從支撐基座主體B的加熱器塊(未顯示)傳遞到基板。
內部部分1可以包括至少一個基板支撐銷孔22以裝載和支撐基板。此外，內部部分1可以包括至少一個基座主體固定支撐銷孔23，以將基座主體B固定到加熱器塊。
周邊部分3可以具有平坦表面以藉由面接觸和面密封反應器的反應器壁來形成反應空間。內部部分1可以具有平坦表面以均勻地將熱從加熱器塊傳遞到基板。
基座主體B的結構不限於圖1A和圖1B所說明的結構。例如， 儘管所說明的凹入部分2為平坦的，但是替代地，如圖1C所說明，凹入部分2可以具有圓形表面。此外，內部部分1也可以具有凹入表面。當待處理的基板在高溫處理中變形時，待處理的基板可具有一定曲率。內部部分1的凹入表面的曲率可以對應於在高溫處理中變形的基板的曲率，因而可以實現均勻熱傳遞到基板。
圖2A示意性說明根據一個實施例的基座主體B和邊緣4彼此分離。圖2B說明圖2A的基座主體B和邊緣4相互耦合。圖2C是沿圖2B的線B-B'截取的基板支撐裝置的橫截面圖。
參考2A至2C，根據本實施例的基板支撐裝置可以包括基座主體B和用於支撐基板的邊緣4。如圖2B和2C所示，邊緣4可以容納在凹入部分2上。待處理的基板可以容納在邊緣4上。
邊緣4可以佈置在基座主體B的內部部分1和周邊部分3之間。邊緣4可以佈置成與內部部分1間隔開，並且因此即使當內部部分1或邊緣4在高溫下沿水平方向熱膨脹時，基座主體B也可保持形狀。例如，如圖2C所示，第一臺階部分10和邊緣4可以佈置成彼此間隔開距離W。
基座主體B和邊緣4可以由不同的材料形成。例如，基座主體B可以由諸如鋁或合金的金屬材料或者具有高導熱率的材料形成，以平穩地將熱傳遞到基板。邊緣4可以包括絕緣體。詳細地，邊緣4可以由例如具有低熱膨脹率的陶瓷等材料形成，以在高溫下穩定地支撐基板。
儘管邊緣4可以是具有矩形截面的環形形狀，但是本揭示不限於此。例如，當凹入部分2如圖1C所示具有圓形凹入表面時，邊緣4可 以具有如圖2D所示的凸出下表面的形狀。
基座主體B和/或邊緣4可以被調節和構造成具有能夠容納具有特定直徑的半導體基板的尺寸，包括例如150mm、200mm和300mm的基板。
邊緣4可以從基座主體B上拆卸下來。具體地，邊緣4的外周表面與基座主體B的凹入部分2的內周表面彼此機械耦合，因此邊緣4可以藉由例如外周表面和內周表面之間的摩擦力而安裝在基座主體B中。在一些實施例中，邊緣4可以被具有不同寬度和/或高度的邊緣替換。
圖3是說明根據一個實施例的邊緣4容納在基座主體B的凹入部分2中的放大視圖。圖3說明基板5佈置在基板支撐裝置中的狀態。
參考圖3，如上所述，凹入部分2和內部部分1形成第一臺階部分10。周邊部分3和凹入部分2形成第二臺階部分20。此外，邊緣4佈置在第一臺階部分10與第二臺階部分20之間的凹入部分2上。如圖3所示，邊緣4和內部部分1彼此隔開一定的距離W，因此基座主體B即使在高溫下也可以保持其形狀。為了執行沉積工藝，周邊部分3可以藉由面接觸和面密封反應器的反應器壁來形成反應空間，這將在下面參考圖9進行描述。
根據一個實施例，如圖3所示，邊緣4可以包括在邊緣4的上表面的內側上朝向內部部分1形成的第三臺階部分30。在這種情況下，基板5可以容納在第三臺階部分30的內側上。在一些實施例中，邊緣4的第三臺階部分30可以進一步包括墊31，基板5可以容納在墊上。根據一個實施例，如稍後參考圖6和圖7所述，基板5的邊緣部分，例如邊 沿去除區域，被容納在墊31上。
圖4是圖3的區域S1的放大截面圖，顯示基座主體B、邊緣4和基板5的相互佈置關係。
根據一個實施例，內部部分1的高度「a」，即第一臺階部分10的高度「a」，可以設定為低於從邊緣4的下表面到第三臺階部分30的高度，即墊31的高度「b」。在上述結構中，當基板5容納在墊31上時，基板5的下表面和內部部分1彼此間隔開。由於基板5的下表面和內部部分1彼此間隔開，因此在高溫處理期間可以防止處理氣體侵入基座和基板之間，原因如下。
在高溫處理中，矽基板通常可能朝向加熱源例如加熱器塊向下翹曲，即沿著基座主體B的方向翹曲。當基板的下表面和基板支撐裝置彼此不隔開時，如果基板由於高溫處理而變形，則在基板與基板支撐裝置之間產生間隙。處理氣體可能侵入到間隙中，並且侵入處理氣體可能沉積在基板5的後表面上。
然而，當基板5的下表面和內部部分1彼此分開時，如圖8所示，隨著基板5由於高溫處理而向下翹曲，在墊31和基板5之間產生接觸點。在本實施例中，接觸點可以沿著邊緣4的上表面形成圓形接觸線。接觸線可以用作防止反應器中的處理氣體侵入基板5下方或基板5與內部部分1之間的空間中的屏障。
在以下描述中，當兩個表面彼此接觸而形成接觸線時，可以說兩個表面形成線接觸。由線接觸引起的接觸線可以具有例如與待處理的基板相對應的薄厚度的環形形狀的形狀。作為另外一種選擇，可以在基 板支撐裝置的角部(例如邊緣4)處產生線接觸。
為了促進從加熱塊(圖9的72)向基板5的熱輻射，基板5和內部部分1之間的距離(b-a)可以是例如0.1mm至0.5mm。在一個示例中，距離(b-a)可以是大約0.3mm。
如上所述，基座主體B可以由諸如鋁或合金的金屬材料或者具有高導熱率的材料形成，以平穩地將熱傳遞到基板。此外，邊緣4可以由具有較低熱變形的材料(例如陶瓷)形成，以在高溫下穩定地支撐基板。就此而言，當基座主體B在高溫下具有比基板5更大的變形程度時，由於基板5和內部部分1以及內部部分1和邊緣4彼此間隔開，並且其上容納基板的邊緣4由具有相對低的熱變形的材料形成，所以可以在不影響基板的情況下穩定地執行高溫處理。
邊緣4可以由具有較低熱變形的材料形成以在高溫下保持與基板5線接觸。例如，邊緣4可以具有適合於在超過300℃的高溫下保持與基板5的線接觸的熱膨脹率。
當第三臺階部分30的端部G成角度時，隨著基板5向下翹曲，基板5可以僅與成角度的端部G具有線接觸。具有窄寬度的線接觸可能不適合於防止處理氣體的侵入。此外，由於成角度的端部G施加到基板5的壓力很強，所以基板5可能被損壞。
為了防止這些問題，在另一個實施例中，第三臺階部分30的端部G可以具有圓形形狀。圓形形狀可以被構造成與藉由高溫處理變形的基板5形成較大寬度的線接觸。如果第三臺階部分30的端部G為圓形，則翹曲的基板5與端部G的接觸部分之間的接觸部分變寬，因此施加於 基板5的壓力可以進一步穩定分佈。在一個實施例中，圓形的曲率可以是R=1.0。
在一些實施例中，具有線接觸的部分可被拋光以具有低表面粗糙度。因此，在基板支撐裝置中具有線接觸的部分的表面粗糙度可以小於基板支撐裝置的其他部分的表面粗糙度。由此，可以提高基板5與基板支撐裝置的接觸表面的緊密接觸。因此，可以遮罩處理氣體侵入基板5與基板支撐裝置之間。
在另一個實施例中，第三臺階部分30可具有朝向邊緣4的上表面傾斜的結構H。結構H可以提供自對準功能，以使基板5精確地容納在邊緣4上。
此外，如圖4所示，第三臺階部分30的高度「c」可以不高於基板5的上表面。換句話說，第三臺階部分30的高度「c」可以被構造成與基板5的厚度「d」相同或者小於該厚度「d」。因此，供應到基板5的處理氣體被引導通過邊緣4的上表面上方的排氣通道(圖9的71)平穩地排出，並且因此可防止反應空間在處理期間被污染。
圖5是圖3的區域S2的放大截面圖，顯示邊緣4與周邊部分3之間的相互佈置關係。
如圖5所說明，基座主體B的周邊部分3的高度，即第二臺階部分20的高度「e」，可被構造成低於邊緣4的高度「f」。因此，可防止污染源向後流向反應空間(圖9的70)，該污染源為例如在處理氣體侵入反應器壁(圖9中的79)和周邊部分3的接觸表面中時產生的污染顆粒或者留在接觸表面上的顆粒。
圖6示意性說明包括邊沿去除區域的基板。
基板可以在其邊緣處包括邊沿去除區域Z。由於邊沿去除區域Z未被用作為裝置形成部分的模具，所以邊沿去除區域Z與基板的其他區域的區別在於不需要沉積的均勻性。典型地，邊沿去除區域Z形成在距基板邊緣約2mm至3mm的區域中。在本說明書中，假設基板5的邊沿去除區域Z具有間隔M。
圖7說明根據一個實施例的圖6的基板被容納在墊31上。
在本實施例中，基座主體B和邊緣4由具有不同導熱率的材料形成，並且基板S和內部部分1彼此間隔開。因此，在基板S中，接觸邊緣4的部分和不接觸邊緣4的部分可以具有不同的溫度。由於沉積過程通常對基板S的溫度敏感，所以溫度的不規則可能影響沉積過程。相應地，如圖7所示，當基板5被容納在邊緣4上時，邊緣4可以僅在邊沿去除區域Z中接觸基板5。因此，可以在除了邊沿去除區域Z之外的基板5的區域中保證溫度均勻性。
此外，當基板5在高溫下向下翹曲時，邊緣4和基板5可以在邊沿去除區域Z內，亦即，距基板5的邊緣的間隔M處，形成線接觸。相應地，如圖8所示，當基板5在高溫例如300℃或更高溫度下變形時，可能不在基板的除了邊沿去除區域Z之外的後表面上執行不必要的沉積。
總結圖7和8的結構，可以如下描述根據實施例的基板支撐裝置。
基板支撐裝置可以容納包括邊沿去除區域Z的基板。
基板支撐裝置可以包括支撐部分(未顯示)，並且支撐部分可以 被構造為與在特定溫度(例如300℃)下變形的基板具有線接觸。
(圖7)當基板在第一溫度(低溫)下被容納在支撐部分上時，基板5的邊沿去除區域Z可與支撐部分具有第一接觸，即面接觸。由於第一接觸，邊沿去除區域Z的一部分與支撐部分之間的第一距離以及邊沿去除區域Z的另一部分與支撐部分之間的第二距離可以實質相同。
(圖8)在高於第一溫度的第二溫度(高溫)下，基板5變形為使得邊沿去除區域Z與基板5的一側(邊沿)之間的區域與支撐部分(例如支撐部分的成角度部分或倒圓部分)具有第二接觸，即線接觸。基板5和支撐部分由於第二接觸而彼此接觸的區域可以小於基板5和支撐部分由於第一接觸而彼此接觸的區域。
由於第二接觸，邊沿去除區域Z的一部分與支撐部分之間的第一距離可以與邊沿去除區域Z的另一部分與支撐部分之間的第二距離顯著不同。例如，邊沿去除區域Z的形成第二接觸的一部分與支撐部分之間的第一距離可以小於邊沿去除區域Z的未形成第二接觸的部分與支撐一部分之間的第二距離。在一些實施例中，為了藉由減小第一距離來改善基板5和支撐部分之間的緊密接觸，可以拋光形成與邊沿去除區域Z的第二接觸的支撐部分的一部分。
在一個實施例中，墊31的端部可以被處理成具有非直角形狀。例如，端部可以倒角。在另一個示例中，端部可以被處理為圓形。因此，墊31的端部可以與邊沿去除區域Z具有線接觸。因此，在基板5的後表面中除了邊沿去除區域Z之外的區域中可能不執行不必要的沉積，因為墊31的非直角部分與基板5之間的線接觸用作防止處理氣體在高溫處理 中侵入的屏障。
在一些實施例中，墊31的長度和倒圓部分的曲率可以被調節以防止處理氣體侵入待處理的基板的後表面。例如，墊31的長度可以等於或小於邊沿去除區域Z的長度M。在另一個實施例中，倒圓部分可以被構造成具有防止待處理的基板移動或傾斜的曲率。
具體而言，當倒圓部分的曲率值太小，即曲率半徑過大時，倒圓部分與待處理的基板之間形成線接觸的區域太小，因此該區域可能不適當成為屏障。相反，當倒圓部分具有過大的曲率值，即小的曲率半徑時，待處理的基板變形並且因此待處理的基板的位置可能改變。因此，倒圓部分可以具有實現與待處理的基板的足夠的接觸區域並且減少待處理的基板的移動或傾斜的曲率值。
上面的揭示提供了基板支撐裝置(例如，基座)的多個實施例以及多個代表性優點。為了簡單起見，僅描述相關特徵的有限數量的組合。但是，可以理解的是，特性的某個例子可以與特性的另一個例子組合。此外，可以理解的是，優點是非限制性的，並且特定優點不是或不要求是特定實施例的特徵。
圖9是根據實施例的包括基板支撐裝置的基板處理設備的示意性橫截面圖。雖然本說明書中描述的基板處理設備的示例可以包括用於半導體或顯示器基板的沉積設備，但是本揭示不限於此。基板處理設備可以是執行用於形成膜的材料的沉積所需的任何設備，或者可以指用於均勻地供應用於材料的蝕刻或拋光的源材料的設備。在以下的描述中，為了便於解釋，假定基板處理設備是半導體沉積裝置。
根據本實施例的基板處理設備可以包括反應器78、反應器壁79、基座主體B(圖9的13)以及基板支撐裝置(基座部分)，該基板支撐裝置包括邊緣4、加熱器塊72、進氣單元73、氣體供應單元75和排氣單元71。
參考圖9，基座部分設置在反應器78中。在本實施例中，基座部分可以是例如圖3至6中所示的基板支撐裝置。基座部分的基座主體B可以包括內部部分1、周邊部分3和形成在其間的凹入部分2。邊緣4佈置在凹入部分2上。
反應器78是其中執行原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)過程的反應器。反應器壁79和基座主體B或13的周邊部分3具有面接觸和面密封，從而形成反應空間70。為了防止隨著處理氣體侵入反應器壁79和周邊部分3的接觸表面而產生的污染源朝向反應空間70回流，邊緣4的高度可以高於周邊部分3。
用於裝載/卸載基板5的基座主體B可藉由被連接到設置在基座主體B的一側上的裝置(未顯示)而構造成移動。例如，基座主體B與能夠使基座主體B升降的裝置連接，在反應器壁79與基座主體B或13之間可以形成輸入基板5的入口。在圖9中，基板5被裝載在邊緣4上。根據一個實施例，反應器78可以具有向上的排氣結構，但是本揭示不限於此。
加熱器塊72可以包括加熱線，並且可以向基座主體B和基板5供熱。氣體供應單元可以包括氣體通道74、氣體供應板75和氣體流動通 道76。氣體流動通道76可以形成在氣體通道74與氣體供應板75之間。通過進氣單元73輸入的處理氣體可以通過氣體流動通道76和氣體供應板75供應到反應空間70和基板5。氣體供應板75可以是噴頭，並且噴頭的基部可以包括形成為噴射處理氣體的多個氣體供應孔。供應到基板5的處理氣體與基板5發生化學反應或氣體之間發生化學反應，然後可以沉積在基板5上。
排氣單元可以包括排氣通道71和排氣口77。在反應空間70中，與基板5發生化學反應後殘留的殘留氣體或非反應性氣體可以通過形成於反應器壁79的排氣通道71、排氣口77和排氣泵(未顯示)排出到外部。排氣通道71可以在反應器壁79中沿反應器壁79連續形成。排氣通道71的上部的一部分可以連接到排氣口77。
氣體通道74和氣體供應板75由金屬材料形成，並且藉由諸如螺釘的耦合單元而彼此機械耦合，並且可以在電漿處理期間用作電極。在電漿處理期間，射頻(radio frequency,RF)電源可以電連接到用作電極的噴頭。詳細地，連接到RF電源的RF杆80可以通過穿透反應器壁79而連接到氣體通道74。在這種情況下，基座13可以用作另一電極。在一些實施例中，例如，為了防止在電漿處理期間施加的電漿功率被排放到周圍環境，絕緣體(未顯示)被插入RF杆80和反應器壁79之間和/或氣體通道74和反應器壁79之間，由此形成堆疊結構。電漿處理的效率可以藉由防止電漿功率洩漏而增加。
韓國專利申請第10-2016-0152239號詳細描述了反應器78的進氣單元73和排氣單元的實施例。
圖10A和圖10B是示意性說明根據其他實施例的使用基板處理設備的基板處理方法的流程圖。根據本實施例的基板處理方法可以藉由使用根據上述實施例的基板支撐裝置和基板處理設備來執行。具體地，基板處理方法在其中基板5和基座13的內部部分1彼此間隔開的狀態下執行。在下面的描述中省略了實施例之間的冗餘描述。
參考圖10A，基板處理方法可以包括源氣體供應操作S01、反應氣體供應操作S03和反應氣體啟動操作S04。隨著操作順序地並且重複地執行，可以沉積薄膜。
基板處理方法可以進一步包括在源氣體供應操作S01和反應氣體供應操作S03之間淨化源氣體的源氣體淨化操作S02。此外，基板處理方法可進一步包括在反應氣體啟動操作S04之後淨化殘留氣體的殘留氣體淨化操作S05。這是在將一種材料供應到反應器78之後從反應器78完全去除過量材料之後向反應器78供應另一種材料。因此，可以防止諸如源氣體或反應氣體的材料在氣態下相遇。
在操作S02和/或操作S05期間，淨化氣體可以暫時供應到反應空間。在另一個實施例中，淨化氣體可以在源氣體供應操作S01、反應氣體供應操作S03和反應氣體啟動操作S04期間連續供應到反應空間。
可以在反應氣體啟動操作S04中供應電漿。當供應電漿時，可以獲得高密度薄膜，並且可以改善源(即源和反應氣體)之間的反應性，由此導致更多源的選擇。此外，薄膜的特性可以得到改善，並且因此薄膜可以在相對低的溫度下沉積。
當使用僅在供應電漿時啟動並與基板5上的源分子反應的反應 物(例如氧氣)時，反應物可在整個基本循環週期內不斷供應到反應器78中。這是因為當不供應電漿時，反應氣體用作淨化氣體。相應地，如圖10B所示，可以在整個源氣體供應操作S01、源氣體淨化操作S02、反應氣體啟動操作S04和殘留氣體淨化操作S05中供應反應氣體。
根據本實施例的基板支撐裝置可以防止在高溫處理中隨著處理氣體侵入基板5的後表面而產生的基板5的後表面上沉積膜。因此，例如，即使在300℃或以上的高溫下也可以執行基板處理方法。
在另外的實施例中，在基板處理方法中，可以藉由調節基板5和基座的內部部分1之間的間隔來控制薄膜的耐濕蝕刻性，這將在稍後參考圖12描述。
圖11A至圖11C說明當藉由使用圖9的基板處理設備以PEALD方法執行處理時沉積在基板5的後表面上的SiO2膜的厚度。在本實施例中，基板5的下部部分與基座的內部部分1之間的間隔約為0.3mm。
在圖11A中，邊沿去除區域Z表示基板5和邊緣4彼此接觸的區域。邊沿去除區域Z的寬度M約為2mm。在本實施例中，基板5與邊緣4之間的線接觸是在沿著邊沿去除區域Z的虛線所表示的部分100之處形成。
Figure 107118271-A0305-02-0021-1
Figure 107118271-A0305-02-0022-2
如上表1所示，根據一個實施例，在處理期間，反應空間的壓力保持在3托，接觸加熱器塊72的基座主體B保持約300℃的溫度，並且反應器壁79保持約150℃至180℃的溫度。為了沉積薄膜，依次重複Si源氣體供應操作a、Si源淨化操作b、反應氣體啟動操作c和淨化操作d的基本循環。具體地，在反應氣體啟動操作c中供應電漿。
在本實施例中，Si源可以包括矽烷基底。例如，Si源可以為以下中的至少一種：TSA,(SiH3)3N；DSO,(SiH3)2；DSMA,(SiH3)2NMe；DSEA,(SiH3)2NEt；DSIPA,(SiH3)2N(iPr)；DSTBA,(SiH3)2N(tBu)；DEAS,SiH3NEt2；DIPAS,SiH3N(iPr)2；DTBAS,SiH3N(tBu)2；BDEAS,SiH2(NEt2)2；BDMAS,SiH2(NMe2)2；BTBAS,SiH2(NHtBu)2；BITS,SiH2(NHSiMe3)2；BEMAS,and SiH2[N(Et)(Me)]2。包含氧的氣體可以用作反應物，並且可以是O2、N2O和NO2或其化合物中的至少一種。
在Si源氣體供應操作a中，藉由供應到容納源氣體的源容器的載氣Ar，將Si源氣體供應到反應器中。
在其中使用包含氧氣的反應氣體的本實施例中，在整個基本循環週期內供應反應氣體。僅當供應電漿時啟動的氧氣才會與基板上的Si 源分子反應。當不供應電漿時，氧氣可以用作淨化氣體。因此，在供應電漿的反應氣體啟動操作c中激發包含氧的反應氣體，以與基板上的矽源反應，並且在不供應電漿的操作a、b和d中用淨化氣體Ar連續淨化反應器。
氣體的流量可以根據基板5周圍的期望的薄膜均勻性適當地調節。
圖11B說明當部分Y從圖11A中的基板的後表面的下端向內掃描約10mm時，沉積在部分Y上的SiO2膜的沉積厚度的變化。圖11C說明當部分X從圖11A中的基板的後表面的上端向內掃描約10mm時，沉積在部分X上的SiO2膜的沉積厚度的變化。
在圖11B和圖11C的曲線圖中，橫軸表示當基板的直徑為約300mm時距離基板的後表面的中心的距離。換句話說，在圖11B的橫軸中，從-150mm到-148mm的部分表示從基板的中心向下148mm到150mm的部分，即凹口區域(部分Y的邊沿去除區域Z)。類似地，在圖11C的橫軸中，從148mm到150mm的部分表示從基板的中心向上148mm到150mm的部分，即部分X的邊沿去除區域Z。曲線圖的縱軸表示沉積的薄膜的厚度。
比較圖11A和圖11C，可以看出，雖然薄膜沉積在從基板5的邊緣到形成基板5和邊緣4的線接觸的部分100的區域(長度為2mm)中，也就是，在邊沿去除區域Z中，在從部分100到基板5的內部的區域中沉積厚度大大減小。這是因為基板5被佈置成使得待沉積在基板5的後表面上的處理氣體僅沉積在基板5的邊沿去除區域Z中。
在圖11B中，由於橫軸上的-150mm至-148mm的部分對應於作為基板5的非沉積區域的凹口部分，所以在橫軸的-150mm至-148mm的部分中未測量沉積厚度。儘管基板5包括凹口，但由於凹口的內端部與邊緣4形成線接觸，因此處理氣體可能不會通過凹口侵入基板5的後部。可以看出，在圖11B的橫軸的-148mm至-140mm的部分幾乎不形成沉積物。
圖12是說明根據一個實施例的當藉由PEALD方法使用圖9的基板處理設備在大約300℃的反應器溫度下利用基座在基板5上沉積SiO2膜時根據基座的內部部分1和基板5之間的距離的濕蝕刻率(WER)的變化的曲線圖。沉積處理的其他條件與圖11A至11C的實施例的處理條件相同。濕蝕刻藉由使用稀釋的氫氟酸(dHF)溶液來執行。
在圖12中的曲線圖中，橫軸表示基座的內部部分1與基板5之間的距離(圖4中的b-a)。縱軸表示沉積在基板5的中心部分和邊緣部分處的SiO2膜的WER(nm/min)的平均值。
參考圖12的曲線圖，可以看出，隨著基座的內部部分1與基板5之間的距離增加，WER會增加。
當蝕刻速度太快時，蝕刻後要去除的材料可能不能適當地移動，因而蝕刻表面可能是粗糙的。因此，可以以適當的速度控制蝕刻。根據實施例，可以藉由適當地調節基座的內部部分1和基板5之間的間隔來實現期望的WER。
另外，藉由調節基座的內部部分1與基板5之間的間隔，可以控制除WER以外的薄膜的特性。例如，基座的內部部分1與基板5之間 的間隔可影響在沉積過程中施加的電漿的密度。
儘管在本說明書中作為示例描述了標準矽晶片，但是根據本實施例的基板支撐裝置可以用於支撐其他類型的基板，例如可以經歷諸如CVD、物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、蝕刻、退火、雜質擴散、光刻等處理的玻璃。
如上所述，根據上述實施例，基板支撐裝置和包括該基板支撐裝置的基板處理設備即使在高溫處理中也可以防止隨著處理氣體侵入基板的後表面而產生在基板的後表面上的膜沉積。此外，根據實施例，由於基座主體的內部部分和基板彼此間隔開一定距離，因此不管可能在高溫處理中產生的基板和基座主體的變形如何，都可以在基板上穩定地執行處理。此外，根據上述實施例，當基座主體的內部部分與基板之間的距離被適當地調節時，可以選擇性地實施薄膜的特性，例如在隨後的蝕刻中的WER。
應瞭解的是，在此描述的實施例應該僅被認為是描述性的而不是為了限制的目的。在每個實施例中的特徵或態樣的描述通常應該被認為可用於其他實施例中的其他類似特徵或態樣。
雖然參考附圖描述了一個或多個實施例，但本領域普通技術人員將瞭解在不脫離由所附申請專利範圍界定的精神和範圍的情況下，可以在其中進行形式和細節上的各種改變。
1‧‧‧內部部分
2‧‧‧凹入部分
3‧‧‧周邊部分
22‧‧‧基板支撐銷孔
23‧‧‧基座主體固定支撐銷孔
A-A'‧‧‧線
B‧‧‧基座主體

Claims (16)

  1. 一種基板支撐裝置，其包括：基座主體，其包括：內部部分；周邊部分；以及凹入部分，其為形成於該內部部分和該周邊部分之間，其中在該內部部分和該凹入部分之間形成第一臺階部分，並且在該周邊部分和該凹入部分之間形成第二臺階部分；其中該基板支撐裝置進一步包括佈置於該凹入部分中的邊緣；該邊緣佈置在該第一臺階部分與該第二臺階部分之間；該邊緣的外周表面與該凹入部分的內周表面彼此機械耦合，其中該邊緣的熱膨脹率低於該基座主體的熱膨脹率，其中該基板容納在該邊緣上，其中該基板在特定溫度下變形以具有朝向該內部部分的一定曲率，該內部部分具有凹入表面，該凹入表面的曲率對應於該一定曲率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐裝置，其中該邊緣包括第三臺階部分，其為形成在該邊緣的朝向該內部部分的上表面上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板支撐裝置，其中該第三臺階部分包括墊，並且該墊上容納有基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板支撐裝置，其中該第一臺階部分的高度低於該墊的高度，使得該基板的下表面與該內部部分間隔開。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板支撐裝置，其中該第三臺階部分的高度低於該基板的上表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐裝置，其中該第一臺階部和該邊緣彼此間隔開。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐裝置，其中該第二臺階部分的高度低於該邊緣的高度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐裝置，其中該邊緣包括絕緣體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐裝置，其中變形的基板與該邊緣具有線接觸。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板支撐裝置，其中該邊緣的形成線接觸的部分具有非直角形狀。
  11. 一種基板支撐裝置，其為用於容納包括邊沿去除區域的基板，該基板支撐裝置包括支撐部分以及主體，該支撐部分被構造成與在特定溫度下變形的該基板的邊沿去除區域具有線接觸；其中當該基板在第一溫度下被容納於該支撐部分上時，該邊沿去除區域與該支撐部分具有第一接觸；該基板在高於該第一溫度的第二溫度下變形，使得該邊沿去除區域和該基板的側表面之 間的區域與該支撐部分具有第二接觸；該基板和該支撐部分藉由該第二接觸彼此接觸的區域小於該基板和該支撐部分藉由該第一接觸彼此接觸的區域；形成該第二接觸的該支撐部分的一部分具有非直角形狀，其中該支撐部分的熱膨脹率低於該主體的熱膨脹率，其中該基板在特定溫度下變形以具有朝向該內部部分的一定曲率，該內部部分具有凹入表面，該凹入表面的曲率對應於該一定曲率。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的基板支撐裝置，其中該基板支撐裝置的形成該線接觸的部分的表面粗糙度小於該基板支撐裝置的其他部分的表面粗糙度。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的基板支撐裝置，其進一步包括被佈置成與該基板間隔開的加熱部分，其中在該基板上形成的薄膜的特性是根據該基板和該加熱部分之間的距離來控制。
  14. 一種基板處理設備，其包括：反應器壁；基板支撐裝置；加熱器塊；進氣單元；氣體供應單元；以及排氣單元， 其中該反應器壁和該基板支撐裝置具有形成反應空間的面接觸，並且該基板支撐裝置包括基座主體和邊緣；其中該基座主體包括內部部分、周邊部分以及形成在該內部部分和該周邊部分之間的凹入部分；該邊緣佈置在該凹入部分中；該邊緣的外周表面與該凹入部分的內周表面彼此機械耦合，其中該邊緣的熱膨脹率低於該基座主體的熱膨脹率，其中該基板容納在該邊緣上，其中該基板在特定溫度下變形以具有朝向該內部部分的一定曲率，該內部部分具有凹入表面，該凹入表面的曲率對應於該一定曲率。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的基板處理設備，其中在該基板與該內部部分之間形成第一空間，並且在該內部部分和該邊緣之間形成第二空間。
  16. 一種用於沉積薄膜的基板處理方法，該方法包括：供應源氣體；供應反應氣體；以及啟動該反應氣體，這些步驟重複地執行以沉積所述薄膜，其中基板和基座彼此間隔開，該基座包括基座主體以及支撐部分，並且根據該基座主體和該基板之間的間隔來控制該薄膜的特性；其中該基板在第一溫度下被容納於該支撐部分上，該基板與 該支撐部分具有第一接觸；該基板在高於該第一溫度的第二溫度下變形，使得該基板與該支撐部分具有第二接觸；該基板和該支撐部分藉由該第二接觸彼此接觸的區域小於該基板和該支撐部分藉由該第一接觸彼此接觸的區域；形成該第二接觸的該支撐部分的一部分具有非直角形狀，其中該支撐部分的熱膨脹率低於該基座主體的熱膨脹率，其中該基板在該第二溫度下變形以具有朝向該支撐部分的一定曲率，該支撐部分具有凹入表面，該凹入表面的曲率對應於該一定曲率。
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Families Citing this family (288)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102470206B1 (ko) * 2017-10-13 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화막의 제조 방법 및 금속 산화막을 포함하는 표시 소자
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) * 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP2022537038A (ja) * 2019-06-18 2022-08-23 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システム用の縮径キャリアリングハードウェア
JP7123010B2 (ja) * 2019-06-25 2022-08-22 株式会社岩崎製作所 板状体支持装置
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11887878B2 (en) 2019-06-28 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
CN111816604B (zh) * 2020-08-18 2021-03-12 北京智创芯源科技有限公司 一种晶片刻蚀方法
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP7063493B2 (ja) * 2020-09-14 2022-05-09 株式会社 天谷製作所 成膜用冶具及び気相成長装置
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
USD947914S1 (en) * 2020-11-23 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Base plate for a processing chamber substrate support
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080210278A1 (en) * 2001-08-02 2008-09-04 Takehiko Orii Substrate processing apparatus
US20100162956A1 (en) * 2005-08-05 2010-07-01 Seishi Murakami Substrate Processing Apparatus and Substrate Mount Table Used in the Apparatus
US20110089166A1 (en) * 2007-01-15 2011-04-21 Aaron Muir Hunter Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20110159200A1 (en) * 2008-09-08 2011-06-30 Shibaura Mechatronics Coporation Substrate holding member, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US20130001213A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Wonhaeng Lee Substrate supporting units and substrate treating apparatuses including the same
US20150240357A1 (en) * 2014-02-25 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus using rotatable table
TWI673823B (zh) * 2015-08-07 2019-10-01 美商應用材料股份有限公司 陶瓷加熱器和具有增強的晶片邊緣效能的esc

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
EP0448346B1 (en) * 1990-03-19 1997-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor-phase deposition apparatus
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
KR100660416B1 (ko) * 1997-11-03 2006-12-22 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 개량된 저질량 웨이퍼 지지 시스템
JP3494435B2 (ja) * 2001-02-27 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US7077913B2 (en) * 2002-01-17 2006-07-18 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Apparatus for fabricating a semiconductor device
DE10261362B8 (de) * 2002-12-30 2008-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substrat-Halter
KR100527672B1 (ko) * 2003-07-25 2005-11-28 삼성전자주식회사 서셉터 및 이를 포함하는 증착 장치
US20050133166A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Tuned potential pedestal for mask etch processing apparatus
US8852349B2 (en) * 2006-09-15 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects
US20080314319A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
JP2009087989A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Nuflare Technology Inc エピタキシャル成長膜形成方法
GB2469112A (en) * 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
DE102011007682A1 (de) * 2011-04-19 2012-10-25 Siltronic Ag Suszeptor zum Abstützen einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe
TWI541928B (zh) * 2011-10-14 2016-07-11 晶元光電股份有限公司 晶圓載具
KR101928356B1 (ko) * 2012-02-16 2018-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조 장치
TWI650832B (zh) * 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080210278A1 (en) * 2001-08-02 2008-09-04 Takehiko Orii Substrate processing apparatus
US20100162956A1 (en) * 2005-08-05 2010-07-01 Seishi Murakami Substrate Processing Apparatus and Substrate Mount Table Used in the Apparatus
US20110089166A1 (en) * 2007-01-15 2011-04-21 Aaron Muir Hunter Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20110159200A1 (en) * 2008-09-08 2011-06-30 Shibaura Mechatronics Coporation Substrate holding member, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US20130001213A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Wonhaeng Lee Substrate supporting units and substrate treating apparatuses including the same
US20150240357A1 (en) * 2014-02-25 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus using rotatable table
TWI673823B (zh) * 2015-08-07 2019-10-01 美商應用材料股份有限公司 陶瓷加熱器和具有增強的晶片邊緣效能的esc

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