TWI596431B - 用於壓印之可光固化組成物、使用該組成物製造膜之方法、使用該組成物製造光學組件之方法、使用該組成物製造電路板之方法、及使用該組成物製造電子組件之方法 - Google Patents

用於壓印之可光固化組成物、使用該組成物製造膜之方法、使用該組成物製造光學組件之方法、使用該組成物製造電路板之方法、及使用該組成物製造電子組件之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI596431B
TWI596431B TW104142771A TW104142771A TWI596431B TW I596431 B TWI596431 B TW I596431B TW 104142771 A TW104142771 A TW 104142771A TW 104142771 A TW104142771 A TW 104142771A TW I596431 B TWI596431 B TW I596431B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
photocurable composition
meth
photocurable
imprinting
Prior art date
Application number
TW104142771A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201624122A (zh
Inventor
米澤詩織
伊藤俊樹
大谷智教
坂本和美
本間猛
Original Assignee
佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2015099486A external-priority patent/JP6624808B2/ja
Application filed by 佳能股份有限公司 filed Critical 佳能股份有限公司
Publication of TW201624122A publication Critical patent/TW201624122A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI596431B publication Critical patent/TWI596431B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H10P76/4085—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H10P76/20—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
TW104142771A 2014-12-19 2015-12-18 用於壓印之可光固化組成物、使用該組成物製造膜之方法、使用該組成物製造光學組件之方法、使用該組成物製造電路板之方法、及使用該組成物製造電子組件之方法 TWI596431B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014257798 2014-12-19
JP2015099486A JP6624808B2 (ja) 2014-07-25 2015-05-14 光硬化性組成物、これを用いた硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法
JP2015232535A JP6324363B2 (ja) 2014-12-19 2015-11-28 インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201624122A TW201624122A (zh) 2016-07-01
TWI596431B true TWI596431B (zh) 2017-08-21

Family

ID=56242897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104142771A TWI596431B (zh) 2014-12-19 2015-12-18 用於壓印之可光固化組成物、使用該組成物製造膜之方法、使用該組成物製造光學組件之方法、使用該組成物製造電路板之方法、及使用該組成物製造電子組件之方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11003073B2 (enExample)
JP (3) JP6324363B2 (enExample)
KR (3) KR102246568B1 (enExample)
CN (1) CN107112208B (enExample)
TW (1) TWI596431B (enExample)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10752742B2 (en) * 2017-02-24 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Decorative film
CN110741463B (zh) * 2017-06-09 2024-02-20 三井化学株式会社 带有微细凹凸图案的基板的制造方法、树脂组合物及层叠体
JP6550434B2 (ja) * 2017-09-29 2019-07-24 シャープ株式会社 防汚性フィルムの製造方法
CN111796385A (zh) * 2019-04-08 2020-10-20 三营超精密光电(晋城)有限公司 光学镜头、应用该光学镜头的镜头模组及电子装置
US20200339828A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Canon Kabushiki Kaisha Photocurable composition
JP2024090185A (ja) 2022-12-22 2024-07-04 デクセリアルズ株式会社 インプリント用光硬化性アクリルレジン
US20240411079A1 (en) 2021-12-24 2024-12-12 Dexerials Corporation Wire grid polarizing element, method for manufacturing wire grid polarizing element, projection display device, and vehicle
JP2023125842A (ja) * 2022-02-28 2023-09-07 キヤノン株式会社 パターン形成方法、及び物品製造方法
WO2024135836A1 (ja) 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両
WO2024135835A1 (ja) 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両
US20240411225A1 (en) * 2023-06-09 2024-12-12 Canon Kabushiki Kaisha System including heating means and actinic radiation source and a method of using the same
TWI863515B (zh) * 2023-08-18 2024-11-21 光群雷射科技股份有限公司 壓印光罩製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201424996A (zh) * 2012-09-13 2014-07-01 Hitachi Chemical Co Ltd 製造具有圖案之樹脂層的方法、以及被用於該方法的樹脂組成物
TW201443000A (zh) * 2013-05-09 2014-11-16 佳能股份有限公司 化合物、光可固化組成物、及藉由使用該光可固化組成物製造圖案膜、光學組件、電路板、電子組件之方法，及經固化之產物

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1099435A (en) 1971-04-01 1981-04-14 Gwendyline Y. Y. T. Chen Photosensitive block copolymer composition and elements
US4323636A (en) 1971-04-01 1982-04-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive block copolymer composition and elements
US4423135A (en) 1981-01-28 1983-12-27 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Preparation of photosensitive block copolymer elements
US4414278A (en) 1982-04-22 1983-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Crosslinked triacrylate polymer beads
JP2002200623A (ja) * 2000-10-26 2002-07-16 Dainippon Ink & Chem Inc 樹脂複合体の製造法
CN1977221A (zh) * 2004-05-31 2007-06-06 富士胶片株式会社 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置
KR20070062965A (ko) 2004-06-15 2007-06-18 후지필름 가부시키가이샤 감광성 조성물, 및 패턴형성방법 및 영구패턴
CN102016814B (zh) 2005-06-17 2013-10-23 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 纳米粒子制备方法、系统及材料
JP4770354B2 (ja) 2005-09-20 2011-09-14 日立化成工業株式会社 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US7670530B2 (en) * 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
JP4929722B2 (ja) 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法
JP5306903B2 (ja) 2008-07-02 2013-10-02 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材
JP2010037541A (ja) * 2008-07-10 2010-02-18 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP2010106062A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Fujifilm Corp ナノインプリント用組成物、パターンおよびその形成方法
CN102232014B (zh) 2008-12-01 2014-08-20 Aji株式会社 造形方法
JP2010132762A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Nippon Paint Co Ltd 光硬化性樹脂組成物および凹凸フィルムの製造方法
JP5665329B2 (ja) 2009-03-09 2015-02-04 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP2011082347A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物、硬化物の製造方法および硬化物
JP5511415B2 (ja) 2010-02-02 2014-06-04 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
US20110300367A1 (en) 2010-06-07 2011-12-08 Ching-Kee Chien Optical Fiber With Photoacid Coating
JP2012072269A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Fujifilm Corp 微細構造体
JP2012227190A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Nippon Shokubai Co Ltd ナノインプリント用硬化性樹脂組成物
JP5829177B2 (ja) * 2011-07-12 2015-12-09 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5710553B2 (ja) * 2011-08-25 2015-04-30 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP2013065813A (ja) 2011-08-29 2013-04-11 Fujifilm Corp インプリントシステムおよびインプリントシステムのメンテナンス方法
JP5806903B2 (ja) * 2011-09-30 2015-11-10 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法およびそれに用いられるレジスト組成物
JP5767615B2 (ja) * 2011-10-07 2015-08-19 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP6108765B2 (ja) 2011-12-19 2017-04-05 キヤノン株式会社 光硬化性組成物およびパターン形成方法
JP5838826B2 (ja) 2012-01-23 2016-01-06 大日本印刷株式会社 パターン構造体の製造方法とナノインプリントリソグラフィ方法およびインプリント装置
JP2013170227A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Fujifilm Corp 光重合性組成物
JP5846974B2 (ja) * 2012-03-13 2016-01-20 富士フイルム株式会社 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5930832B2 (ja) 2012-04-27 2016-06-08 キヤノン株式会社 光硬化物の製造方法
JP2014074165A (ja) * 2012-09-12 2014-04-24 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性組成物
JP6278645B2 (ja) 2012-09-24 2018-02-14 キヤノン株式会社 光硬化性組成物及びこれを用いた膜の製造方法
TWI589994B (zh) * 2012-10-09 2017-07-01 佳能股份有限公司 光可固化的組成物及製造膜的方法
CN102911052B (zh) 2012-10-13 2015-03-25 江苏和成显示科技股份有限公司 聚合性星形化合物及其聚合产物和在液晶装置中的应用
JP6058371B2 (ja) * 2012-12-07 2017-01-11 日本合成化学工業株式会社 ディスプレイ用プラスチックシートの製造方法
CN103113900B (zh) 2013-02-01 2015-02-04 江苏和成显示科技股份有限公司 一种聚合物稳定配向型液晶组合物及其应用
JP6080813B2 (ja) 2013-08-30 2017-02-15 キヤノン株式会社 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
JP6460672B2 (ja) 2013-09-18 2019-01-30 キヤノン株式会社 膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法及び電子部品の製造方法
EP3122791B1 (en) * 2014-03-27 2018-05-02 Wacker Chemical Corporation Binder for paper coating compositions
JP6643802B2 (ja) * 2014-05-09 2020-02-12 キヤノン株式会社 硬化性組成物、その硬化物、硬化物の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法
JP6424481B2 (ja) * 2014-06-11 2018-11-21 中西金属工業株式会社 磁気エンコーダ及びその製造方法
JP6779611B2 (ja) * 2014-12-19 2020-11-04 キヤノン株式会社 インプリント用光硬化性組成物、硬化膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
WO2019189443A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 大日本塗料株式会社 印刷物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201424996A (zh) * 2012-09-13 2014-07-01 Hitachi Chemical Co Ltd 製造具有圖案之樹脂層的方法、以及被用於該方法的樹脂組成物
TW201443000A (zh) * 2013-05-09 2014-11-16 佳能股份有限公司 化合物、光可固化組成物、及藉由使用該光可固化組成物製造圖案膜、光學組件、電路板、電子組件之方法，及經固化之產物

Also Published As

Publication number Publication date
KR102059314B1 (ko) 2020-02-11
US11003073B2 (en) 2021-05-11
KR101988782B1 (ko) 2019-06-12
JP6324363B2 (ja) 2018-05-16
JP2016117885A (ja) 2016-06-30
CN107112208B (zh) 2021-06-25
KR102246568B1 (ko) 2021-04-30
KR20190142450A (ko) 2019-12-26
US20210223690A1 (en) 2021-07-22
KR20190067264A (ko) 2019-06-14
KR20170094386A (ko) 2017-08-17
CN107112208A (zh) 2017-08-29
TW201624122A (zh) 2016-07-01
US20170351172A1 (en) 2017-12-07
JP2018125559A (ja) 2018-08-09
JP6907293B2 (ja) 2021-07-21
JP2020039008A (ja) 2020-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI596431B (zh) 用於壓印之可光固化組成物、使用該組成物製造膜之方法、使用該組成物製造光學組件之方法、使用該組成物製造電路板之方法、及使用該組成物製造電子組件之方法
TWI632047B (zh) 圖型形成方法、加工基板之製造方法、光學元件之製造方法、電路基板之製造方法、電子元件之製造方法、轉印模具之製造方法
JP6584174B2 (ja) 密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法
KR102067353B1 (ko) 막의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 및 광경화성 조성물
TWI606488B (zh) 圖案化方法，製造處理基板的方法，製造光學組件的方法，製造電路板的方法，及製造電子組件的方法
TW201512777A (zh) 光銘印法用的可固化組成物以及利用此組成物製造膜、光學零件、電路板或電子零件的方法
TWI567493B (zh) 可固化組成物及其固化產物，製造固化產物的方法，製造光學組件的方法，製造電路板的方法，以及製造電子組件的方法
TWI576403B (zh) 黏著層組成物，形成黏著層和固化產物圖案的方法，及製造光學組件、電路板、壓印模和裝置組件的方法
TWI529484B (zh) 光可固化組成物，利用彼製造膜、光學零件、電路板、與電子零件的方法，以及固化產物
TWI649297B (zh) 化合物、光可固化組成物、及藉由使用該光可固化組成物製造圖案膜、光學組件、電路板、電子組件之方法，及經固化之產物
TWI566039B (zh) 光可固化組成物，使用彼製造固化產物圖案之方法，製造光學組件之方法，及製造電路板之方法
TWI584068B (zh) 光可固化組成物，及使用該組成物形成固化產物圖案與製造光學組件、電路板及壓印模具的方法
TW201500436A (zh) 光可固化組成物、藉由使用彼來製造薄膜、光學組件、電路板及電子組件的方法、以及經固化之產物
TWI606299B (zh) 壓印用可光固化組成物、固化膜的製造方法、光學組件的製造方法、電路板的製造方法、及電子組件的製造方法
WO2016098345A1 (en) Photocurable composition for imprint, method for producing film using the same, method for producing optical component using the same, method for producing circuit board using the same, and method for producing electronic component using the same