JP2020039008A - インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 - Google Patents
インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020039008A JP2020039008A JP2019226322A JP2019226322A JP2020039008A JP 2020039008 A JP2020039008 A JP 2020039008A JP 2019226322 A JP2019226322 A JP 2019226322A JP 2019226322 A JP2019226322 A JP 2019226322A JP 2020039008 A JP2020039008 A JP 2020039008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photocurable composition
- meth
- manufacturing
- photocurable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 20
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PODOEQVNFJSWIK-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PODOEQVNFJSWIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- LIRZNCFVMPOMGF-UHFFFAOYSA-N (2-phenyl-2-prop-2-enoyloxyethyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(OC(=O)C=C)C1=CC=CC=C1 LIRZNCFVMPOMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OOGRWVMCAMQXMO-UHFFFAOYSA-N (2-phenyl-3-prop-2-enoyloxypropyl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCC(COC(C=C)=O)C1=CC=CC=C1 OOGRWVMCAMQXMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WUGVSRAAQKDLJT-UHFFFAOYSA-N [3-(prop-2-enoyloxymethyl)phenyl]methyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC(COC(=O)C=C)=C1 WUGVSRAAQKDLJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 118
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 93
- -1 methacryloyl group Chemical group 0.000 description 71
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 14
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 7
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical group CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 4
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N N-phenylglycine Chemical class OC(=O)CNC1=CC=CC=C1 NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N n-heptadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- GCDWNCOAODIANN-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2-pentafluoro-2-methoxyethane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(F)F GCDWNCOAODIANN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N Menadione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C)=CC(=O)C2=C1 MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical group CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960000541 cetyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 2
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNWBLLYJQXKPIP-ZOGIJGBBSA-N (1s,3as,3bs,5ar,9ar,9bs,11as)-n,n-diethyl-6,9a,11a-trimethyl-7-oxo-2,3,3a,3b,4,5,5a,8,9,9b,10,11-dodecahydro-1h-indeno[5,4-f]quinoline-1-carboxamide Chemical compound CN([C@@H]1CC2)C(=O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H](C(=O)N(CC)CC)[C@@]2(C)CC1 GNWBLLYJQXKPIP-ZOGIJGBBSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylanthracene-9,10-dione Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C3C(=O)C2=C1C XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTKCEEWUXHVZQI-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC1=CC=CC=C1 OTKCEEWUXHVZQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound OCCN1C(=O)N(CCO)C(=O)N(CCO)C1=O BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-1,2-ethanediol Chemical compound OCC(O)C1=CC=CC=C1 PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXHBDVTZNMBEW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-hydroxyethoxy)ethanol Chemical compound CCOC(O)COCCO SDXHBDVTZNMBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- CSCSROFYRUZJJH-UHFFFAOYSA-N 1-methoxyethane-1,2-diol Chemical compound COC(O)CO CSCSROFYRUZJJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 1-octadecoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCCCC HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 10-prop-2-enoyloxydecyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C=C RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(C)C(C)=C2 KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=C(C=2C(=CC=CC=2)OC)NC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=N1 UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class ClC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCOC(=O)C(C)=C SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJDGKYFJYEAOK-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCOCCOC(=O)C=C PTJDGKYFJYEAOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRPJNHJJAPGGAT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-phenyl-1-(2-propylphenyl)ethanone Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 CRPJNHJJAPGGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 2-oxooctanal Chemical compound CCCCCCC(=O)C=O MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-M 2-sulfanylpropanoate Chemical compound CC(S)C([O-])=O PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXVXVOLXMVYIT-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutyl 2-(dimethylamino)benzoate Chemical compound CC(C)CCOC(=O)C1=CC=CC=C1N(C)C ARXVXVOLXMVYIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIGHOGKGARVAG-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-1h-benzimidazole-2-thione Chemical compound S=C1NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 JKIGHOGKGARVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004861 4-isopropyl phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- ZXLSKTZECNUVIS-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3-oxopentanoic acid Chemical compound CC(C)C(=O)CC(O)=O ZXLSKTZECNUVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 4h-chromene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(=O)CC2=C1 CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 9H-thioxanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3SC2=C1 PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001074560 Arabidopsis thaliana Aquaporin PIP1-2 Proteins 0.000 description 1
- BDJFYLJUHFIMMF-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[PH2]=O Chemical compound C(CCCC)[PH2]=O BDJFYLJUHFIMMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAKPKRSZPIIAGW-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=O)P(C2=CC=CC=C2)(C2=CC=CC=C2)=O)C(=CC(=C1)C)C.ClC1=CC=2C(C3=CC=CC=C3SC2C=C1)=O Chemical compound CC1=C(C(=O)P(C2=CC=CC=C2)(C2=CC=CC=C2)=O)C(=CC(=C1)C)C.ClC1=CC=2C(C3=CC=CC=C3SC2C=C1)=O JAKPKRSZPIIAGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010919 Copernicia prunifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000180278 Copernicia prunifera Species 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000720524 Gordonia sp. (strain TY-5) Acetone monooxygenase (methyl acetate-forming) Proteins 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N [(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]-(2,6-dimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)C(=O)C1=C(OC)C=CC=C1OC LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RABVYVVNRHVXPJ-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-1-adamantyl]methanol Chemical compound C1C(C2)CC3CC1(CO)CC2(CO)C3 RABVYVVNRHVXPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N [4-(dimethylamino)phenyl]-(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N [CH2]CN(CC)CC Chemical group [CH2]CN(CC)CC MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N allylthiourea Chemical compound NC(=S)NCC=C HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001748 allylthiourea Drugs 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N azaperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCN(C=2N=CC=CC=2)CC1 XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- IJVHTTITHMXYTG-UHFFFAOYSA-N benzhydryl prop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(=O)C=C)C1=CC=CC=C1 IJVHTTITHMXYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N benzo[a]anthracene-7,12-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVHVYKVRGKLNK-UHFFFAOYSA-N bis(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 RFVHVYKVRGKLNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001634 bornane-2,3-dione derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 208000012839 conversion disease Diseases 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ORBFAMHUKZLWSD-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-(dimethylamino)benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1N(C)C ORBFAMHUKZLWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N m-Methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC(C)=C1 FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURVRZSODRHRNK-UHFFFAOYSA-N o-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC=CC1=C XURVRZSODRHRNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- YNXCGLKMOXLBOD-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CCCO1 YNXCGLKMOXLBOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- QBDSZLJBMIMQRS-UHFFFAOYSA-N p-Cumylphenol Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 QBDSZLJBMIMQRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXTZRIBXKVRLOA-UHFFFAOYSA-N padimate a Chemical compound CCCCCOC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 LXTZRIBXKVRLOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical class C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000045 pyrolysis gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000000009 pyrolysis mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940066767 systemic antihistamines phenothiazine derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N thiopyrylium Chemical class C1=CC=[S+]C=C1 OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLGKSXCGHMXELQ-ZRDIBKRKSA-N trans-2-styrylquinoline Chemical compound C=1C=C2C=CC=CC2=NC=1\C=C\C1=CC=CC=C1 RLGKSXCGHMXELQ-ZRDIBKRKSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- 150000007964 xanthones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
前記重合性化合物(A)が多官能(メタ)アクリルモノマーを20重量%以上含み、
前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が90℃以上であることを特徴とするインプリント用光硬化性組成物を提供する。
本実施形態において、インプリント用光硬化性組成物とは、下記に示される成分(A)と成分(B)と、を少なくとも含有する硬化性組成物である。
成分(A):重合性化合物
成分(B):光重合開始剤
成分(A)は重合性化合物である。ここで、本実施形態において、重合性化合物とは、光重合開始剤(成分(B))から発生した重合因子(ラジカル等)と反応し、連鎖反応(重合反応)によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。
組成物のドライエッチング速度V、組成物中の全原子数N、組成物中の全炭素原子数NC、及び組成物中の全酸素原子数NOは、下記式(1)の関係にあることが知られている(J.Electrochem.Soc.,130,p143(1983))。
V∝N/(NC−NO) −(1)
OP=n1OP1+n2OP2+…+nnOPn −(2)
成分(B)は、光重合開始剤である。
本実施形態のナノインプリント用光硬化性組成物は、前述した、成分(A)、成分(B)の他に、種々の目的に応じ、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分(C)を含有していてもよい。このような添加成分(C)としては、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分、前記成分(B)でない重合開始剤、等が挙げられる。
本実施形態のインプリント用光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度は、好ましくは90℃以上であり、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは200℃以上である。ガラス転移温度を90℃以上とすることにより、ドライエッチング時の熱膨張や熱歪みが起こりにくくなると考えられる。
本実施形態のインプリント用光硬化性組成物を調製する際には、少なくとも成分(A)、成分(B)を所定の温度条件下で混合・溶解させる。具体的には、0℃以上100℃以下の範囲で行う。添加成分(C)を含有する場合も同様である。
本実施形態のインプリント用光硬化性組成物の溶剤を除く成分の混合物の23℃での粘度は、好ましくは、1mPa・s以上100mPa・s以下であり、より好ましくは、3mPa・s以上50mPa・s以下であり、さらに好ましくは、5mPa・s以上12mPa・s以下である。
本実施形態のインプリント用光硬化性組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の混合物について23℃での表面張力が、好ましくは、5mN/m以上70mN/m以下であり、より好ましくは、7mN/m以上35mN/m以下であり、さらに好ましくは、10mN/m以上32mN/m以下である。ここで、表面張力を5mN/m以上とすることにより、インプリント用光硬化性組成物をモールドに接触させる際にモールド上の微細パターンのうち凹部に組成物が充填するのにかかる時間が長時間とならずにすむ。
本実施形態のインプリント用光硬化性組成物は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した成分(A)、成分(B)および添加成分(C)以外のものを意味する。
(A)重合性化合物(A)が少なくとも多官能(メタ)アクリルモノマーを40重量%以上含み、光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が120℃以上である。
(B)重合性化合物(A)に含まれる多官能アクリルモノマーがm−キシリレンジアクリレート、フェニルエチレングリコールジアクリレート、2−フェニル−1,3−プロパンジオールジアクリレートのいずれかである。
次に、本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法について説明する。図1は、本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法の例を示す模式断面図である。
[1]基板上に、前述の本実施形態のインプリント用光硬化性組成物を配置する配置工程と、
[2]前記インプリント用光硬化性組成物とモールドとを接触させる型接触工程と、
[3]モールドと被加工基板の位置を合わせる位置合わせ工程と、
[4]前記インプリント用光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
[5][4]の工程によって得られた光硬化膜とモールドとを引き離す離型工程と、
を有する。
本工程(配置工程)では、図1(a)に示す通り、前述した本実施形態のインプリント用光硬化性組成物101を基板102上に配置(塗布)して塗布膜を形成する。
次に、図1(b)に示すように、前工程(配置工程)で形成されたインプリント用光硬化性組成物101からなる塗布膜にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド104を接触させる。本工程で、インプリント用光硬化性組成物101(被形状転写層)にモールド104を接触させる(図1(b−1))ことにより、モールド104が表面に有する微細パターンの凹部にインプリント用光硬化性組成物101からなる塗布膜(の一部)が充填されて、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106となる(図1(b−2))。
次に、図1(c)に示すように、モールド側位置決めマーク105と、被加工基板の位置決めマーク103が一致するように、モールドおよび/もしくは被加工基板の位置を調整する。
次に、図1(d)に示すように、[3]の工程により、位置を合わせた状態で、インプリント用光硬化性組成物の前記モールドとの接触部分に、より詳細には、モールドの微細パターンに充填された塗布膜106に、モールド104を介して光を照射する(図1(d−1))。これにより、モールド104の微細パターンに充填された塗布膜106は、照射される光によって硬化して光硬化膜108となる(図1(d−2))。
次に、光硬化膜108とモールド104と引き離す。このとき基板102上に所定のパターン形状を有する光硬化膜109が形成されている。
工程[5]である離型工程により得られる光硬化膜は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても光硬化膜の一部が残る場合がある(以降の記載において、このような光硬化膜の一部を残膜と呼ぶことがある)。そのような場合は、図1(f)に示すように、得られたパターン形状を有する光硬化膜のうちの除去すべき領域にある光硬化膜(残膜)を除去して所望の凹凸パターン形状(モールド104の凹凸形状に因むパターン形状)を有する光硬化膜パターン110を得ることができる。
本実施形態のパターン形状を有する光硬化膜の製造方法によって得られる、凹凸パターン形状を有する光硬化膜パターン110は、例えば、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAM等の半導体素子に代表される電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用することも可能であり、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することも可能である。
上記の方法で形成された光硬化膜は、ドライエッチングプロセスで処理する用途に適しており、すなわちインプリント用光硬化性組成物を基板上で硬化させてなるドライエッチングプロセスに用いるためのドライエッチング用光硬化膜として有用である。
<A1>イソボルニルアクリレート(共栄社化学製、商品名:IB−XA)
<A2>ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160)
<A3>ジシクロペンタニルアクリレート(日立化成製、商品名:FA−513AS)
<A4>2−ナフチルメチルアクリレート(ナード研究所製)
<A5>ジフェニルメタノールアクリレート(ナード研究所製)
<A6>1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#230)
<A7>1,10−デカンジオールジアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#230)
<A8>ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート(共栄社化学製、商品名:DCP−A)
<A9>フェニルエチレングリコールジアクリレート(ナード研究所製)
<A10>m−キシリレンジアクリレート(ナード研究所製)
<A11>2−フェニル−1,3−プロパンジオールジアクリレート(ナード研究所製)
<B1>Lucirin TPO(BASFジャパン製)
以上の材料を用いて作製したインプリント用光硬化性組成物の組成を下記表(1)に示す。なお、調製後に0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタによる濾過を行った。
円錐平板方式回転型粘度計RE−85L(東機産業製)を用いて、23℃におけるインプリント用光硬化性組成物の粘度を測定した。
Anton Paar社製UV照射オプション付きレオメーターMCR301を用いて、直径8.0mmΦの底面を有する回転ロッドと石英ステージとの間の100μmのギャップに、レジストを70μl滴下し充填させた。ギャップが、光硬化性組成物の硬化収縮に追従するように、回転ロッドの垂直抗力をゼロNとした。
回転ロッドと石英ステージとの間のギャップが、光硬化性組成物の熱膨張、熱収縮に追従するように、回転ロッドの垂直抗力をゼロNとした状態で、(2)で作製された光硬化膜を23℃から200℃まで昇温しながら損失正接tanδを測定した。昇温速度は4℃/minとした。tanδが極大となる温度をガラス転移温度とし、さらに下記式(3)より光硬化膜の熱膨張率を算出した。
120℃時の光硬化膜の膜厚(μm)/23℃時の光硬化膜の膜厚(μm)=熱膨張率(%)・・・(3)
ここで、光硬化膜の膜厚とは、回転ロッドと石英ステージとの間のギャップのことである。
表1に示した組成表に記載された光硬化性組成物の(A)成分のオオニシパラメータを、下記式(2)を用いて算出した。
OP=n1OP1+n2OP2+…+nnOPn −(2)
密着層として厚さ60nmの密着促進層が形成されたシリコンウエハ上に、調製したインプリント用光硬化性組成物を2μL滴下し、上から厚さ1mmの石英ガラスを被せ、25mm×25mmの領域をインプリント用光硬化性組成物で充填させた。
ULVAC製高密度プラズマエッチング装置NE−550を用いて、エッチングガスと流量をCF4/CHF3=50sccm/50sccmとして、(5)で作製した光硬化膜に対して500秒間ドライエッチングを行い、ドライエッチングによって減少した膜厚を測定することでドライエッチングレート(nm/s)を算出した。エッチングレートが低いほど、ドライエッチング耐性が高いことを意味する。
102 基板
103 基板側位置合わせマーク
104 モールド
105 モールド側位置合わせマーク
106 塗布膜
107 照射光
108 光硬化膜
109 パターン形状を有する光硬化膜
110 光硬化膜パターン
111 表面が露出した基板の一部分
112 回路構造
Claims (21)
- 少なくとも重合性化合物(A)と光重合開始剤(B)とを有するインプリント用光硬化性組成物であって、
前記重合性化合物(A)が多官能(メタ)アクリルモノマーを20重量%以上含み、
前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が90℃以上であることを特徴とするインプリント用光硬化性組成物。 - 前記重合性化合物(A)が単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーの混合物であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)が前記多官能(メタ)アクリルモノマーを25重量%以上含む請求項1または2に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)が少なくとも多官能(メタ)アクリルモノマーを40重量%以上含み、前記光硬化性組成物の光硬化物のガラス転移温度が200℃以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記インプリント用光硬化性組成物の前記ガラス転移温度が90℃以上であることが、前記重合性化合物(A)100重量部と光重合開始剤(B)としてLucirin TPO 3重量部からなる光硬化性組成物を光硬化させた膜の損失正接tanδを昇温しながら測定し、tanδが極大となる温度が90℃以上であることにより特定される請求項1〜4のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)のオオニシパラメータが、3.2以下である請求項1〜5のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 粘度が5mPa・s以上12mPa・s以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 前記重合性化合物(A)に含まれる多官能アクリルモノマーがm−キシリレンジアクリレート、フェニルエチレングリコールジアクリレート、2−フェニル−1,3−プロパンジオールジアクリレートのいずれかであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物。
- 基板上に、請求項1〜8のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物を配置する工程[1]と、
前記硬化性組成物とパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールドとを接触させる工程[2]と、
前記基板とモールドとの位置合わせを行う工程[3]と、
前記硬化性組成物に光を照射して光硬化膜とする工程[4]と、
前記硬化膜と前記モールドとを引き離す工程[5]と、
を有することを特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法。 - 前記工程[1]〜[5]を前記基板上の異なる領域に複数回行うことを特徴とする請求項9に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記モールドの原型パターンの表面が石英であることを特徴とする請求項9または10に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記工程[2]が、凝縮性ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項9〜11のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記工程[2]が、前記凝縮性ガスと非凝縮性ガスとの混合ガスの雰囲気下で行われることを特徴とする請求項9〜12のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記非凝縮性ガスが、ヘリウムであることを特徴とする請求項9〜13のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記凝縮性ガスが、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項9〜14のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 請求項18に記載の回路基板の製造方法により回路基板を得る工程と、前記回路基板に電子部品を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載のインプリント用光硬化性組成物を基板上で硬化させてなるドライエッチングプロセスに用いるためのドライエッチング用光硬化膜。
- 半導体基板と、該半導体基板上にパターニングされた請求項20に記載の前記エッチング用光硬化膜と、を有するドライエッチング前処理済み半導体基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014257798 | 2014-12-19 | ||
JP2014257798 | 2014-12-19 | ||
JP2018076976A JP2018125559A (ja) | 2014-12-19 | 2018-04-12 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018076976A Division JP2018125559A (ja) | 2014-12-19 | 2018-04-12 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020039008A true JP2020039008A (ja) | 2020-03-12 |
JP6907293B2 JP6907293B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=56242897
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015232535A Active JP6324363B2 (ja) | 2014-12-19 | 2015-11-28 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2018076976A Pending JP2018125559A (ja) | 2014-12-19 | 2018-04-12 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2019226322A Active JP6907293B2 (ja) | 2014-12-19 | 2019-12-16 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015232535A Active JP6324363B2 (ja) | 2014-12-19 | 2015-11-28 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2018076976A Pending JP2018125559A (ja) | 2014-12-19 | 2018-04-12 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11003073B2 (ja) |
JP (3) | JP6324363B2 (ja) |
KR (3) | KR102246568B1 (ja) |
CN (1) | CN107112208B (ja) |
TW (1) | TWI596431B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162519A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、及び物品製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6837123B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-03-03 | シャープ株式会社 | 加飾フィルム |
KR102395554B1 (ko) * | 2017-06-09 | 2022-05-06 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 미세 요철 패턴 부가 기판의 제조 방법, 수지 조성물 및 적층체 |
JP6550434B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-07-24 | シャープ株式会社 | 防汚性フィルムの製造方法 |
CN111796385A (zh) * | 2019-04-08 | 2020-10-20 | 三营超精密光电(晋城)有限公司 | 光学镜头、应用该光学镜头的镜头模组及电子装置 |
US20200339828A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002200623A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 樹脂複合体の製造法 |
JP2011082347A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、硬化物の製造方法および硬化物 |
JP2011159881A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JPWO2010064534A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2012-05-10 | 昭和電工株式会社 | 造形方法 |
JP2013062489A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-04-04 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP2013065813A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Fujifilm Corp | インプリントシステムおよびインプリントシステムのメンテナンス方法 |
JP2014074165A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-04-24 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性組成物 |
JP2014096575A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-22 | Canon Inc | 光硬化性組成物及び膜の製造方法 |
JP2014113723A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | プラスチックシートの製造方法およびそれにより得られるプラスチックシート並びにディスプレイ用プラスチック基板 |
JP2014237632A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-12-18 | キヤノン株式会社 | 化合物、光硬化性組成物、硬化物、これを用いた、パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2015232535A (ja) * | 2014-06-11 | 2015-12-24 | 中西金属工業株式会社 | 磁気エンコーダ及びその製造方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4323636A (en) | 1971-04-01 | 1982-04-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive block copolymer composition and elements |
CA1099435A (en) | 1971-04-01 | 1981-04-14 | Gwendyline Y. Y. T. Chen | Photosensitive block copolymer composition and elements |
US4423135A (en) | 1981-01-28 | 1983-12-27 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Preparation of photosensitive block copolymer elements |
US4414278A (en) | 1982-04-22 | 1983-11-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Crosslinked triacrylate polymer beads |
CN1977221A (zh) | 2004-05-31 | 2007-06-06 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置 |
JPWO2005124462A1 (ja) | 2004-06-15 | 2008-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、並びにパターン形成方法及び永久パターン |
MX2007016039A (es) | 2005-06-17 | 2008-10-27 | Univ North Carolina | Metodos, sistemas y materiales de fabricacion de nanoparticulas. |
JP4770354B2 (ja) | 2005-09-20 | 2011-09-14 | 日立化成工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7670530B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
JP4929722B2 (ja) | 2006-01-12 | 2012-05-09 | 日立化成工業株式会社 | 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法 |
JP5306903B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-10-02 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材 |
JP2010037541A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-02-18 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP2010106062A (ja) | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用組成物、パターンおよびその形成方法 |
JP2010132762A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Nippon Paint Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物および凹凸フィルムの製造方法 |
JP5665329B2 (ja) | 2009-03-09 | 2015-02-04 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
US20110300367A1 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-08 | Ching-Kee Chien | Optical Fiber With Photoacid Coating |
JP2012072269A (ja) | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Fujifilm Corp | 微細構造体 |
JP2012227190A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Nippon Shokubai Co Ltd | ナノインプリント用硬化性樹脂組成物 |
JP5829177B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5806903B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-11-10 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント方法およびそれに用いられるレジスト組成物 |
JP5767615B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-08-19 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用下層膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
JP6108765B2 (ja) | 2011-12-19 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 光硬化性組成物およびパターン形成方法 |
JP5838826B2 (ja) | 2012-01-23 | 2016-01-06 | 大日本印刷株式会社 | パターン構造体の製造方法とナノインプリントリソグラフィ方法およびインプリント装置 |
JP2013170227A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | 光重合性組成物 |
JP5846974B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-01-20 | 富士フイルム株式会社 | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5930832B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 光硬化物の製造方法 |
JP6379458B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2018-08-29 | 日立化成株式会社 | パターンを有する樹脂層を製造する方法、及びそれに用いられる樹脂組成物 |
JP6278645B2 (ja) | 2012-09-24 | 2018-02-14 | キヤノン株式会社 | 光硬化性組成物及びこれを用いた膜の製造方法 |
CN102911052B (zh) | 2012-10-13 | 2015-03-25 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | 聚合性星形化合物及其聚合产物和在液晶装置中的应用 |
CN103113900B (zh) | 2013-02-01 | 2015-02-04 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | 一种聚合物稳定配向型液晶组合物及其应用 |
JP6080813B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP6460672B2 (ja) | 2013-09-18 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
ES2674658T3 (es) * | 2014-03-27 | 2018-07-03 | Wacker Chemical Corporation | Aglutinante para composiciones de recubrimiento de papel |
JP6643802B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2020-02-12 | キヤノン株式会社 | 硬化性組成物、その硬化物、硬化物の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法 |
JP6779611B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2020-11-04 | キヤノン株式会社 | インプリント用光硬化性組成物、硬化膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
US11820165B2 (en) * | 2018-03-30 | 2023-11-21 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Printed object |
-
2015
- 2015-11-28 JP JP2015232535A patent/JP6324363B2/ja active Active
- 2015-12-15 KR KR1020197037480A patent/KR102246568B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-15 CN CN201580069521.5A patent/CN107112208B/zh active Active
- 2015-12-15 KR KR1020197016193A patent/KR102059314B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-15 KR KR1020177019229A patent/KR101988782B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-15 US US15/537,320 patent/US11003073B2/en active Active
- 2015-12-18 TW TW104142771A patent/TWI596431B/zh active
-
2018
- 2018-04-12 JP JP2018076976A patent/JP2018125559A/ja active Pending
-
2019
- 2019-12-16 JP JP2019226322A patent/JP6907293B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-01 US US17/220,759 patent/US20210223690A1/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002200623A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 樹脂複合体の製造法 |
JPWO2010064534A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2012-05-10 | 昭和電工株式会社 | 造形方法 |
JP2011082347A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、硬化物の製造方法および硬化物 |
JP2011159881A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP2013062489A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-04-04 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP2013065813A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Fujifilm Corp | インプリントシステムおよびインプリントシステムのメンテナンス方法 |
JP2014074165A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-04-24 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性組成物 |
JP2014096575A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-22 | Canon Inc | 光硬化性組成物及び膜の製造方法 |
JP2014113723A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | プラスチックシートの製造方法およびそれにより得られるプラスチックシート並びにディスプレイ用プラスチック基板 |
JP2014237632A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-12-18 | キヤノン株式会社 | 化合物、光硬化性組成物、硬化物、これを用いた、パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
JP2015232535A (ja) * | 2014-06-11 | 2015-12-24 | 中西金属工業株式会社 | 磁気エンコーダ及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162519A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、及び物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6324363B2 (ja) | 2018-05-16 |
KR101988782B1 (ko) | 2019-06-12 |
TW201624122A (zh) | 2016-07-01 |
KR102059314B1 (ko) | 2020-02-11 |
JP2018125559A (ja) | 2018-08-09 |
CN107112208B (zh) | 2021-06-25 |
KR102246568B1 (ko) | 2021-04-30 |
JP2016117885A (ja) | 2016-06-30 |
JP6907293B2 (ja) | 2021-07-21 |
US20170351172A1 (en) | 2017-12-07 |
KR20190142450A (ko) | 2019-12-26 |
TWI596431B (zh) | 2017-08-21 |
KR20170094386A (ko) | 2017-08-17 |
US20210223690A1 (en) | 2021-07-22 |
KR20190067264A (ko) | 2019-06-14 |
US11003073B2 (en) | 2021-05-11 |
CN107112208A (zh) | 2017-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6855448B2 (ja) | パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 | |
JP6806766B2 (ja) | パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 | |
JP6080813B2 (ja) | 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JP6584174B2 (ja) | 密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法 | |
JP7328888B2 (ja) | 硬化物パターンの製造方法、光学部品、回路基板および石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コート用材料およびその硬化物 | |
WO2018164015A1 (ja) | パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法 | |
JP6643802B2 (ja) | 硬化性組成物、その硬化物、硬化物の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法 | |
JP6907293B2 (ja) | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JPWO2017130853A1 (ja) | パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 | |
JP6632200B2 (ja) | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JP6624808B2 (ja) | 光硬化性組成物、これを用いた硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法 | |
JP2016162863A (ja) | パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JP7118580B2 (ja) | 光硬化性組成物、これを用いた硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、およびインプリント用モールドの製造方法 | |
JP6779611B2 (ja) | インプリント用光硬化性組成物、硬化膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 | |
WO2016098345A1 (en) | Photocurable composition for imprint, method for producing film using the same, method for producing optical component using the same, method for producing circuit board using the same, and method for producing electronic component using the same | |
JP2017085148A (ja) | 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210630 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6907293 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |