TWI521860B - 壓電裝置及電子機器 - Google Patents

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Description

壓電裝置及電子機器
本發明係關於一種於例如在壓電振動器之封裝外部組裝有具有溫度感測器之電子零件之壓電裝置中，藉由使電子零件之熱狀態接近於壓電振動元件而可實現包含啟動時之頻率漂移特性在內之高精度的溫度特性之壓電裝置及內置有其之電子機器。
於行動通訊市場中，考慮到各種電氣零件之安裝性、維護與處理性、裝置間之零件之共用性等而按照各功能推進零件群之模組化之廠商增多。又，伴隨模組化而強烈要求小型化、低成本化。
關於基準頻率信號產生用振盪電路、PLL(phase lock loop，鎖相迴路)電路及合成器電路等確立功能及硬體構成、且要求高穩定性、高性能化之電路零件，向模組化發展之傾向尤為強烈。進而，藉由使該些零件群成為模組並封裝化而具有易於確立密封構造之優點。
作為藉由使複數個關聯零件模組化、封裝化而構建之表面安裝用之IC(integrated circuit，積體電路)零件，可例示例如壓電振動器、壓電振盪器、SAW(surface acoustic wave，表面波)裝置等。
專利文獻1、2、3中揭示有一面較高地維持該些功能，一面為實現更小型化而於壓電振動器之封裝外部組裝有包含振盪電路、溫度補償電路之IC零件之構造的表面安裝型壓電振盪器。
於該種壓電振盪器中，壓電振動器內之壓電振動元件之溫度、與連接於壓電振動器外部之IC零件上所搭載之溫度感測器之檢測溫度之間易於產生差異，於存在溫度差之情形時，因根據基於有誤之溫度資料之溫度感測器輸出對振盪器之發送頻率進行修正，故而無法獲得穩定之溫度與頻率特性，又啟動時之頻率漂移特性惡化。
先前為應對該不良情況而考慮以壓電振動片直接連接之絕緣基板側之溫度為測定點之構成。
即，專利文獻1中揭示有如下技術：於設置於將壓電振動片收納於封裝內之壓電振動器外部之電極部連接有作為振盪電路元件之IC零件的溫度補償型壓電振盪器中，於與電極部連接之IC零件之連接端子之附近配置溫度感測器，藉此減小壓電振動片之溫度與由溫度感測器所感測之溫度之差異，從而使溫度與頻率特性、頻率漂移特性穩定化。
然而，與壓電振動器側之電極部連接之IC零件之連接端子，成為與振盪電路之放大器導通之構成。而且放大器會伴隨其動作而產生發熱，因此若於IC零件內使溫度感測器接近於壓電振動器側之電極部，則有時存在檢測IC零件之發熱溫度之可能性，從而導致上述之頻率漂移特性惡化。
其次，專利文獻2中揭示有如下技術：於將壓電振動元件收納於封裝內之壓電振動器內部收納具有振盪電路與溫度感測器之第一IC零件，並且於壓電振動器外部連接具有溫度補償電路之第二IC零件，藉此可將溫度感測器配置於與壓電振動元件相同之溫度環境下，從而可減小壓電振動元件之溫度與由溫度感測器所感測之溫度之差異，使溫度與頻率特性、頻率漂移特性穩定化。
然而，將本來組裝於壓電振動器外部即可之IC零件分為兩部分而將具有溫度感測器之第一IC零件收納於封裝內之構造，於性價比上實現性較低，且亦會妨礙振盪器整體之小型化。
其次，專利文獻3中揭示有如下技術：於設置於以懸臂支撐狀態收納有壓電振動元件之封裝外部之凹部內連接IC零件，且使IC零件之溫度感測器端子與設置於封裝內部之枕構件連接，藉此可減小壓電振動元件之溫度與由溫度感測器所感測之溫度之差異，從而可使溫度與頻率特性、頻率漂移特性穩定化。
然而，因於壓電振動元件與封裝之陶瓷基材之間插入有導電性接著劑，故而向壓電振動元件之熱傳導速度慢於經由枕構件向溫度感測器端子之熱傳導速度，從而無法有效地提高頻率漂移特性。
而且任一專利文獻之構造均為於陶瓷基板(絕緣基板)搭載有壓電振動元件之構成，因而雖認為只要測定與壓電振動元件物理距離較近地直接連接之陶瓷基板之溫度則可準確地檢測壓電振動元件之溫度，但實際上無法充分獲得使頻率漂移特性變得更佳之效果。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-191517公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-263564公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-035078公報
如以上所述，於壓電振動器外部連接有包含溫度感測器之IC零件之先前之表面安裝型壓電振盪器中存在如下問題，即於壓電振動器內之壓電振動元件之溫度、與配置於壓電振動器外部之溫度感測器之檢測溫度之間易於產生差異，從而無法獲得穩定之溫度與頻率特性，且啟動時之頻率漂移特性惡化。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種表面安裝型壓電振盪器，其係於壓電振動器之封裝外部組裝有具有溫度感測器之IC零件之表面安裝型壓電振盪器，藉由使因位於壓電振動元件之近前側而處於同等熱狀態之金屬製之蓋構件與IC零件熱耦合，可實現包含啟動時之頻率漂移特性在內之高精度之溫度特性。
本發明係為解決上述課題之至少一部分而完成者，可作為以下之形態或應用例而實現。
[應用例1]本發明之壓電裝置之特徵在於包括：絕緣基板，其具有壓電振動元件及表面安裝用之安裝端子；金屬製之蓋構件，其用以於與上述絕緣基板之間氣密密封上述壓電振動元件；及電子零件，其至少具有用以檢測溫度之溫度感測器；於上述絕緣基板包括：作為電極之外部焊墊；熱傳導構件，其熱傳導率較該絕緣基板之絕緣材料更高，且連接該外部焊墊與上述蓋構件之間；且上述電子零件搭載於上述外部焊墊，將上述蓋構件與上述溫度感測器經由上述外部焊墊與上述熱傳導構件而可熱傳導地連接。
使處於最接近收納於封裝之氣密空間內之壓電振動元件之位置的蓋構件與溫度感測器或者搭載有溫度感測器之電子零件藉由熱傳導性良好之熱傳導構件而熱性連接，因此溫度感測器不會輸出有誤之溫度資料，從而可使頻率漂移特性變佳。
[應用例2]本發明之壓電裝置中，上述熱傳導構件為金屬製，且與上述安裝端子電性絕緣。
使熱傳導構件包含熱傳導性較絕緣基板材料更高之任意金屬材料，且與安裝端子電性絕緣，因此可將溫度感測器與蓋構件等之間熱傳導性佳地連接。
[應用例3]本發明之壓電裝置中，上述電子零件係使上述溫度感測器、上述溫度補償電路、及用以進行振盪而對上述壓電振動元件之激振信號加以放大之振盪電路積體電路化而成之晶片狀的IC零件。
作為電子零件而可設定各種零件，作為其一例而可例示IC零件。
[應用例4]
本發明之壓電裝置中，上述電子零件為熱敏電阻。
[應用例5]本發明之壓電裝置中，與上述熱傳導構件連接之上述外部焊墊係與上述電子零件之調整用端子、虛設端子、溫度感測器端子中之至少一個端子連接。
該些中性端子可不受母板之熱之影響而將蓋構件之熱傳遞至搭載於IC零件之溫度感測器。
[應用例6]本發明之壓電裝置中，上述絕緣基板為於上表面具有收納上述壓電振動元件之上部凹部，並且於下表面具有收納上述電子零件之下部凹部的構成，於上述下部凹部內具有上述外部焊墊，上述熱傳導構件經由配置於上述下部凹部內之上述外部焊墊而與上述電子零件熱性連接。
絕緣基板亦可為例如縱剖面形狀H型。
[應用例7]本發明之壓電裝置中，上述絕緣基板包括：封裝部，其具有於內部收納上述壓電振動元件並且藉由上述蓋構件密封上部開口之元件收納凹部；及電子零件搭載部，其自該封裝部向外部突出且於上表面具有上述外部焊墊；且上述熱傳導構件經由上述外部焊墊而與上述電子零件熱性連接。
亦可將本發明應用於包括封裝部與自封裝部向外部突出之IC零件搭載部之絕緣基板。
[應用例8]本發明之壓電裝置之特徵在於：上述外部焊墊與上述安裝端子為導通之構成。
[應用例9]本發明之電子機器之特徵在於內置有應用例1至6中任一項記載之壓電裝置。
本發明之壓電裝置可應用於各種電子機器。
首先，本案發明者發現壓電振動元件之溫度較直接搭載之絕緣容器之溫度而更接近於蓋構件之溫度。
由此，本案發明之特徵在於為檢測壓電振動元件之溫度而以後述之溫度感測器檢測後述之蓋構件之溫度的構成。
以下，基於圖式所示之實施形態而詳細說明本發明。
圖1係作為本發明之一實施形態之壓電裝置即表面安裝型壓電振盪器之一例之水晶振盪器之縱剖面圖，圖2係表示該水晶振盪器之電路構成之圖。
本發明之水晶振盪器(壓電振盪器)1之基本構成為如下構成，即包括：絕緣容器(絕緣基板)4，其於上部具有與水晶振動元件(壓電振動元件)20之各激振電極電性連接之內部焊墊(元件搭載焊墊)5，並且於下部具有複數個安裝端子6；壓電振動元件20，其經由導電性接著劑7搭載於內部焊墊5上；金屬製之蓋構件10，其於與絕緣容器4之間氣密密封壓電振動元件20；作為電子零件之IC零件30，其搭載於配置在收納有壓電振動元件之氣密空間S外部之絕緣容器部位之外部焊墊(IC零件搭載用焊墊)12上，且構成振盪電路、溫度補償電路及溫度感測器；連接導體9，其將各安裝端子6、各內部焊墊5及各外部焊墊12之間導通；及熱傳導構件15，其將蓋構件與IC零件之間可熱傳導地連接，且熱傳導率較絕緣基板材料更高。
再者，亦可代替IC零件30，而僅將熱敏電阻等溫度感測器作為電子零件而連接搭載於外部焊墊12。
其次，對圖1所示之水晶振盪器(壓電振盪器)1之具體構成進行說明。
水晶振盪器1具有如下構成：於設置於封裝2上表面之上部凹部3內搭載水晶振動元件(壓電振動元件)20並藉由金屬製之蓋構件10而氣密密封，且於封裝2之外底面(下部凹部11)搭載IC零件30。
封裝2包括：絕緣容器(絕緣基板)4，其於上表面具有上部凹部3，且包含陶瓷等絕緣材料；2個內部焊墊(元件搭載焊墊)5，其配置於上部凹部3內且與水晶振動元件20之各激振電極電性連接；複數個安裝端子6，其配置於絕緣容器4之外底面上；外部焊墊(IC零件搭載用焊墊)12，其配置於絕緣容器之外底面(下部凹部11)內以搭載使振盪電路、溫度補償電路及溫度感測器積體電路化而具有之IC零件30；連接導體9，其將各安裝端子6、各內部焊墊5及外部焊墊12之間導通；金屬製(例如科伐合金製)之蓋構件10，其於將水晶振動元件(壓電振動元件)20上之2個激振電極分別電性連接於設置於上部凹部3內之2個內部焊墊5之狀態下將上部凹部3氣密密封；及熱傳導構件15，其將蓋構件與IC零件之間可熱傳導地連接，且熱傳導率較包含陶瓷之絕緣基板材料更高。
再者，本例中，絕緣容器(絕緣基板)4為於上表面具有收納壓電振動元件20之上部凹部3，並且於下表面具有收納IC零件之下部凹部11之縱剖面形狀H型。
水晶振動元件20包括：水晶基板(例如AT切割水晶基板)，其包含水晶等壓電材料；激振電極，其分別形成於水晶基板之正背兩面之振動區域；鉛電極，其自各激振電極延伸至水晶基板端緣；及焊墊，其設置於各鉛端子之端部。藉由使用導電性接著劑7將各焊墊連接於內部焊墊5上而將水晶振動元件搭載於絕緣容器上。
各安裝端子6配置於下部凹部11之底面，通常，與水晶振動元件20側之各鉛電極導通之驅動電源用安裝端子(Vcc端子)包含控制電壓施加用安裝端子(Vcon端子)、信號輸出用安裝端子(Out端子)、用以與接地電路導通之接地用安裝端子(Gnd端子)之4個安裝端子。
再者，封裝2與水晶振動元件20構成水晶振動器(壓電振動器)25。
熱傳導構件15為如下機構，其包含鉬、其他熱傳導性較絕緣基板材料更高之任意金屬材料，將其一端部(與蓋構件之連接端部)與蓋構件10熱性連接，另一方面將另一端部(與IC零件之連接端部)熱性連接於矽製裸晶片之IC零件30之外表面適當部位，藉此可使來自蓋構件10之熱傳導至IC零件30而使蓋構件10(水晶振動元件20)與IC零件30之至少外表面適當部位、或亦包含其周邊在內之範圍之各溫度更快地成為同等溫度，且同等地加以維持。蓋構件為熱傳導率較絕緣基板材料更高之金屬製，此外因位於上部凹部3內之水晶振動元件20之近前側而導致兩者處於同等溫度，為此若使用熱傳導率較高之熱傳導構件15使蓋構件10與IC零件熱耦合，則可使IC零件之溫度無限接近於水晶振動元件20。
於絕緣容器4之厚壁內部配線有熱傳導構件15之情形時，當積層陶瓷片材而形成絕緣容器時，預先於相當於熱傳導構件之配線路徑之部位形成貫通孔，於該貫通孔內填充(敷設)金屬材料。又，於絕緣容器之外表面配線熱傳導構件之一部分之情形時，於該部位敷設金屬材料。
IC零件30為包括振盪電路(用以進行振盪而對壓電振動元件之激振信號進行放大之放大電路)、溫度補償電路(用以對壓電振動元件之頻率溫度特性進行補償之電路)等積體電路之作為裸晶片之IC晶片，其中內置有溫度感測器(感溫元件)。
於使露出配置於IC零件30外表面之各端子與IC零件搭載用焊墊12一對一地對應之狀態下進行金等金屬凸塊連接或焊錫連接，藉此IC零件30固定於下部凹部內。
作為矽製裸晶片之IC零件30整體上具有均一且良好之熱傳導性，因此亦可使熱傳導構件15之另一端部接觸(連接)於IC零件外表面之任意部位，但較佳為接觸於接近溫度感測器之部位。具體而言，較佳為經由金屬凸塊等金屬製連接媒體而機械性且熱性連接於例如設置於IC零件外表面之端子中未與搭載有該水晶振盪器1之母板MB電性耦合之端子(中性端子)。
於與母板MB電性耦合之端子之情形時，其成為與表面安裝用之安裝端子導通之構成。
就表面安裝而言，因安裝端子與母板MB面接觸，故而易於使來自母板MB之熱傳遞至壓電裝置。
由此，若利用上述中性端子，則成為較之自母板MB傳遞之蓋構件10以外之構件之熱(溫度)而來自蓋構件之熱更易於傳遞至溫度感測器的構造。因此，溫度感測器於與水晶振動元件同等之熱條件下檢測溫度，基於該溫度資料使溫度補償電路作動而可高精度地控制頻率。
作為本實施形態之中性端子，可例示例如露出配置於IC零件外表面之調整用端子、NC(nonconnect，非連接)端子、虛設端子等，較佳為不與向母板MB之安裝端子電性導通之端子。
藉由使該些中之至少一個端子與熱傳導構件之另一端部連接，可消除水晶振動元件與IC零件之間之溫度差。
調整用端子係為於製造時測定、調整IC零件之特性而設置，調整結束而完成振盪器之後不再使用，而且亦不與母板MB連接，因此可用於與蓋構件之連接。
再者，調整用端子為對IC零件輸入資料或自IC零件輸出資料而與探針導通，但NC端子或虛設端子不進行該資料之輸入輸出。
於考慮到該調整步驟之與探針之接觸所引起之溫度變化之情形時，較為理想的是將熱傳導性構件連接於NC端子或虛設端子。
其次，圖2之電路圖中，於外接於具有水晶振動元件20之水晶振動器25之IC零件30搭載有振盪電路31、溫度補償電路33、溫度感測器(熱敏電阻)40、及A/D(analog/digital，類比-數位)轉換器35等。溫度感測器40之輸出(溫度資訊)藉由A/D轉換器35而數位信號化並輸入至溫度補償電路33，溫度補償電路33將基於該溫度資訊而生成之頻率控制資訊輸出至振盪電路31。振盪電路31基於該溫度控制資訊而輸出溫度補償頻率資訊。
圖2所示之端子42為具有作為調整用端子、NC(非連接)端子、虛設端子之功能之中性端子。
又，未圖示之NC端子係用以本來進行頻率調整而輸入直流電壓之端子，但於作為壓電裝置而不需要其功能之情形時，亦可將其用於與蓋構件之連接。
虛設端子為除藉由與熱傳導構件連接而使蓋構件10與IC零件熱性連接之以外不具有其他特殊用途之熱傳導專用端子。
熱傳導構件15既可如圖示般配置於插在蓋構件與IC零件之間之絕緣基板之厚壁內部，亦可以使熱傳導構件之一部分露出至絕緣基板外部(包含凹部內壁)之狀態配置。
如圖1所示，於絕緣容器4之上端面形成有接縫環8等金屬密封體作為用以熔接蓋構件10之金屬製之密封材，於製造絕緣容器時熱傳導構件15之一端部成為與該接縫環8接觸(熔接)之狀態。將蓋構件熔接於接縫環時，熱傳導構件之一端部與蓋構件連接固定。熱傳導構件15之中間部沿著絕緣容器之厚壁內部或者外表面配置，其另一端部於下部凹部11之內底面延伸並熱性地與固定於中性之IC零件之端子36之外部焊墊12連接。
若為該構成則自蓋構件至端子36之間以金屬連結，因此成為熱傳導率較高之構造。
為於水晶振盪器1啟動時使藉由搭載於IC零件30之溫度感測器40所獲取之溫度資料接近於水晶振動元件20之溫度以提高頻率漂移特性，有效的是使藉由熱傳導構件15而傳遞至IC零件之熱量儘可能地大。因此，雖增大熱傳導構件之直徑較為有效，但因與絕緣基板之板厚之關係而導致直徑之増大有極限，因而現實中增加熱傳導構件之個數則較為有效。於增加熱傳導構件之個數之情形時，將熱傳導構件排列於絕緣基板之面方向(與板厚方向正交之方向)。
於設置有複數個熱傳導構件之情形時，既可將其他熱傳導之另一端部連接於成為基本之熱傳導構件之適當部位而使與IC零件連接之端部為一個，亦可將各熱傳導構件之各連接端部個別地連接於IC零件。
其次，圖3係本發明之其他實施形態之水晶振盪器之剖面圖，對與圖1相同之構件附上相同符號而進行說明。又，圖4係表示該水晶振盪器之電路構成之圖。
該實施形態之水晶振盪器1與圖1之實施形態不同之處在於將連接熱傳導構件15之另一端部之中性端子露出配置於IC零件30外表面之溫度感測器端子45。
如圖4中所示，溫度感測器端子45為與溫度感測器(熱敏電阻)40電性連接之端子，例如為溫度感測器之溫度資訊輸出用之端子，可藉由使其露出於IC零件外表面而與熱傳導構件15之另一端部熱性連接。溫度感測器端子45較佳為與母板MB不導通連接之端子，此外，因經由矽基板上之金屬配線而連接於溫度感測器40，故而藉由與蓋構件10連接而易於將來自蓋構件之熱傳遞至溫度感測器40，從而可提高溫度感測器檢測壓電振動元件之溫度之感度。
除上述圖1、2中所說明之實施形態以外，若為與搭載有水晶振盪器1之母板MB不熱性及電性耦合之中性端子，即較佳為與向母板MB之安裝端子不電性導通之端子，則可經由熱傳導構件而與蓋構件10連接。
或者，亦可以擴大熱傳導構件15之另一端部之面積而以較大之面積與IC零件外表面(端子形成部以外之面)接觸之方式構成，以增大自蓋構件IC傳導至零件之熱量。
其次，圖5係表示進行本發明之水晶振盪器之溫度調整之情形之裝置構成之剖面圖。
溫度調整時，以使蓋構件10之外表面面接觸於藉由貝爾蒂元件等加熱機構而加熱之平台50之平坦面上之狀態載置水晶振盪器1，一面使探針52抵接於配置於絕緣容器4底面之外部端子而使振盪器作動一面進行溫度調整。
於藉由該溫度調整裝置而對不具有熱傳導構件15之先前之水晶振盪器進行溫度調整作業之情形時，藉由接觸於外部端子之探針52而奪去絕緣容器之熱，因此於IC零件30之溫度與水晶振動元件20之溫度之間產生偏差。即，先前之水晶振盪器中，IC零件30搭載於下部凹部11之底面，由此IC零件內之溫度感測器檢測下部凹部之底面之溫度。因此，藉由探針而奪去下部凹部底面之溫度，藉此於收納於上部凹部3內之水晶振動元件20與IC零件之間產生難以忽視之程度之溫度差，從而無法進行準確之溫度調整。
相對於此，於進行上述各實施形態之本發明之水晶振盪器之溫度調整之情形時，搭載於IC零件之溫度感測器不檢測下部凹部之底面而檢測與平台50接觸之蓋構件10本身之溫度，因此可使水晶振動元件20與IC零件30之溫度差更小，從而可提高溫度調整之精度。
尤其，圖3之實施形態之水晶振盪器中，使溫度感測器端子45直接連結於蓋構件10，因此可更直接地測定蓋構件之溫度，從而可減小兩者之溫度差而進行更高精度之調整。
如此，根據本發明，溫度感測器所檢測之溫度大致真實地反映水晶振動元件之溫度，從而水晶振動元件與IC零件(至少溫度感測器)基於相同溫度而進行動作。
其次，圖6係表示本發明之其他實施形態之水晶振盪器(壓電振盪器)之構成之縱剖面圖。再者，對與圖1相同之部分附上相同符號而說明。
構成該水晶振盪器1之絕緣容器(絕緣基板)4包括：封裝部，其具有於內部收納水晶振動元件(壓電振動元件)20並且藉由蓋構件10而密封上部開口之元件收納凹部3；及IC零件搭載部70，其自封裝部向外部(本例中為側方)突出且於上表面具有IC零件搭載用焊墊(外部焊墊)71。
而且水晶振盪器1為將於元件收納凹部3內收納有水晶振動元件20之狀態下以蓋構件10密封之構成之水晶振動器60、與包含振盪電路、溫度補償電路及溫度感測器之IC零件30，金屬凸塊連接或焊錫連接於IC零件搭載用焊墊71上之構成。
本實施形態之特徵性構成在於如下方面：經由配置於絕緣容器(封裝部)4之內部或者外表面之熱傳導構件15而使IC零件30與蓋構件10熱性連接，藉此使IC零件之溫度均一化為靠近蓋構件之水晶振動元件20之溫度。
具體而言，與上述實施形態相同，為藉由對熱傳導構件15敷金屬而使IC零件30之端子36與蓋構件10之間以金屬製之熱傳導路連接之構造。
熱傳導構件15亦可使一端部與蓋構件10連接，另一方面，使另一端部接觸於熱傳導構件15之IC零件外表面之任意部位，但較佳為接觸於溫度感測器端子或IC零件之靠近溫度感測器之部位。具體而言，經由金凸塊等金屬製連接媒體而機械性且熱性連接固定於例如設置於IC零件外表面之端子中與搭載有該水晶振盪器1之母板MB不電性耦合之端子(中性端子)36。藉此，成為較之自母板MB傳遞之蓋構件10以外之構件之熱(溫度)而來自蓋構件之熱更易於傳遞至溫度感測器之構造。因此，溫度感測器於與水晶振動元件同等之熱條件下檢測溫度，可基於該溫度資料使溫度補償電路作動而高精度地控制頻率。
作為熱性中性之端子36，可例示例如露出配置於IC零件外表面之調整用端子、溫度感測器端子、NC(非連接)端子、虛設端子，藉由使該些中之至少一個端子與熱傳導構件之另一端部連接，可消除水晶振動元件與IC零件之間之溫度差。因此，可提高頻率漂移特性。
其次，圖7係表示本發明之其他實施形態之水晶振動器(壓電振動器)之構成之縱剖面圖，圖8係使用該壓電振動器而構成之水晶振盪器(壓電振盪器)之電路構成圖。對與圖1之實施形態相同之部分附上相同符號而說明。
水晶振動器A為包括如下部分之具有溫度感測器之水晶振動器(壓電振動器)，即包括：剖面H型之封裝2；水晶振動元件(壓電振動元件)20，其收納於設置在封裝2上表面之上部凹部3內；金屬製之蓋構件10，其將上部凹部3氣密密封；及熱敏電阻等作為電子零件之溫度感測器(感溫元件)80，其搭載於封裝2之外底面(下部凹部11)。
水晶振盪器1係將水晶振動器A與IC零件(振盪電路、溫度補償電路)搭載於外部裝置(例如，圖9所示之行動電話機、GPS(global position system，全球定位系統)模組等電子機器)B側之母板MB上而內置於電子機器。
具有溫度感測器之水晶振動器A由購買其之使用者搭載於外部裝置B內之母板MB上，藉此，藉由與母板MB上之振盪電路、溫度補償電路(IC零件85)之組合而完成水晶振盪器。
封裝2包括：絕緣容器(絕緣基板)4，其於上表面具有上部凹部3，且包含陶瓷等；2個內部焊墊(元件搭載焊墊)5，其配置於上部凹部3內且與水晶振動元件20之各激振電極電性連接；複數個安裝端子6，其配置於絕緣容器4之外底面上；外部焊墊(溫度感測器搭載焊墊)12，其配置於絕緣容器之外底面(下部凹部11)內以搭載溫度感測器80；未圖示之連接導體，其將各安裝端子6、各內部焊墊5及外部焊墊12之間導通；金屬製(例如科伐合金製)之蓋構件10，於將水晶振動元件(壓電振動元件)20上之2個激振電極分別電性連接於設置於上部凹部3內之2個內部焊墊5之狀態下將上部凹部3氣密密封；及熱傳導構件15，其將蓋構件與溫度感測器80之間可熱傳導地連接，包含陶瓷，且熱傳導率較絕緣基板材料更高。
搭載於外部裝置B之IC零件85包括振盪電路86、溫度補償電路87及A/D轉換器88等。搭載於水晶振動器A側之溫度感測器80之輸出(溫度資訊)藉由A/D轉換器88而數位信號化並輸入至溫度補償電路87，溫度補償電路87將基於該溫度資訊而生成之頻率控制資訊輸出至振盪電路86。振盪電路86基於該溫度控制資訊而生成並輸出溫度補償頻率資訊。
本實施形態中，將搭載於水晶振動器A側之溫度感測器80經由熱傳導構件15熱性連接於處於水晶振動元件20之近前側位置之蓋構件10，因此可獲得與藉由溫度感測器而直接檢測水晶振動元件之溫度之情形大致同等之感度。
又可將具有放大電路等發熱要素之振盪電路86或具有電源、溫度補償電路87等之電路部分遠離水晶振動元件而配置，因此溫度感測器80可更準確地檢測水晶振動元件之溫度。
又作為中性端子，說明了與安裝端子不導通之構成者，但即便於例如中性端子與安裝端子之間連接有配線之情形時，若於連接中性端子與蓋構件之間之熱導傳構件即配線之路徑存在多個之因靠近等之構成而使熱傳導特性優異之情形時，可期待本發明之效果，但為獲得充分之效果而較為理想的是如上述實施形態般形成使中性端子與安裝端子不導通之構成。
具有以上構成之各實施形態之發明可發揮以下效果。
即，具有溫度補償功能之水晶振盪器中，若基於藉由溫度感測器而檢測之關於水晶振動元件之有誤的溫度資料信號(電壓值)對頻率進行修正，則存在表示對水晶振盪器施加電壓之時間點之振盪頻率、與自施加電壓起經過固定時間之時間點之振盪頻率之頻率變動差的頻率漂移特性變差。
本發明中，藉由熱傳導性良好之熱傳導構件將處於最接近收納於封裝之氣密空間內之水晶振動元件之位置之蓋構件與溫度感測器(搭載有溫度感測器之IC零件)熱性連接，因此溫度感測器不會輸出有誤之溫度資料，從而可使頻率漂移特性變佳。
再者，上述實施形態中作為絕緣基板4而例示有於上表面側具有上部凹部3之絕緣容器，但亦可構成為藉由導電性接著劑而將水晶振動元件20搭載於上表面平坦之絕緣基板4上，並藉由倒扣碗狀之金屬蓋(蓋構件)而將包含該水晶振動元件之絕緣基板上之空間氣密密封。
上述實施形態中，作為壓電振盪器之代表例而例示有水晶振盪器，但本發明亦可應用於使用包含壓電材料之壓電振動元件之普通振盪器、或角速度感測器等以壓電振動元件為物理量感測器之壓電裝置。
1．．．表面安裝型壓電振盪器
2．．．封裝
3．．．上部凹部
4．．．絕緣基板(絕緣容器)
5．．．元件搭載焊墊
6．．．安裝端子
7．．．導電性接著劑
8．．．接縫環
9．．．連接導體
10．．．蓋構件
11．．．下部凹部
12、71．．．IC零件搭載用焊墊(外部焊墊)
15．．．熱傳導構件
20．．．水晶振動元件
25、60．．．水晶振動器
30、85．．．IC零件
31、86．．．振盪電路
33、87．．．溫度補償電路
35、88．．．A/D轉換器
36．．．中性端子
40、80．．．溫度感測器
42、45．．．溫度感測器端子
50．．．平台
52．．．探針
70．．．IC零件搭載部
MB．．．母板
S．．．氣密空間
圖1係作為本發明之一實施形態之表面安裝型壓電振盪器之一例之水晶振盪器之縱剖面圖。
圖2係表示圖1之水晶振盪器之電路構成之圖。
圖3係本發明之其他實施形態之水晶振盪器之剖面圖。
圖4係表示圖3之水晶振盪器之電路構成之圖。
圖5係表示進行本發明之水晶振盪器之溫度調整之情形之裝置構成之剖面圖。
圖6係表示本發明之其他實施形態之水晶振盪器之構成之縱剖面圖。
圖7係表示本發明之其他實施形態之水晶振盪器之構成之縱剖面圖。
圖8係圖7之水晶振盪器之電路構成圖。
圖9係表示行動電話機之圖。
1．．．表面安裝型壓電振盪器
2．．．封裝
3．．．上部凹部
4．．．絕緣基板(絕緣容器)
5．．．元件搭載焊墊
6．．．安裝端子
7．．．導電性接著劑
8．．．接縫環
9．．．連接導體
10．．．蓋構件
11．．．下部凹部
12．．．IC零件搭載用焊墊(外部焊墊)
15．．．熱傳導構件
20．．．水晶振動元件
25．．．水晶振動器
30．．．IC零件
36．．．中性端子
42．．．溫度感測器端子
MB．．．母板
S．．．氣密空間

Claims (8)

  1. 一種壓電裝置，其特徵在於包括：壓電振動元件；溫度感測器；絕緣基板，其係包括第一面、為上述第一面之背面側之第二面及厚壁部，上述厚壁部劃分構成以上述第一面作為底面之第一凹部及以上述第二面作為底面之第二凹部；元件搭載焊墊，其係配置於上述第一凹部內，搭載有上述壓電振動元件；溫度感測器搭載焊墊，其係配置於上述第二凹部內，搭載有上述溫度感測器；金屬密封體，其係配置於上述第一凹部之開口側之上述厚壁部之端面；金屬製之蓋構件，其係與上述金屬密封體接合，且將上述第一凹部氣密密封；及金屬製之熱傳導構件，其係配線於上述絕緣基板；且上述熱傳導構件係自上述溫度感測器搭載焊墊通過上述厚壁部之內部或外部而延伸至上述金屬密封體，上述溫度感測器與上述蓋構件係熱性連接。
  2. 如請求項1之壓電裝置，其中上述溫度感測器係熱敏電阻。
  3. 如請求項1或2之壓電裝置，其中上述厚壁部包括貫通孔，上述內部係上述貫通孔之內。
  4. 如請求項1或2之壓電裝置，其中上述厚壁部之上述外部係上述第一凹部之內壁。
  5. 如請求項1或2之壓電裝置，其進一步包括：安裝端子，其係配置於上述第二凹部之開口側之上述厚壁部之端面；及連接導體，其係自上述安裝端子延伸；且上述安裝端子與上述溫度感測器搭載焊墊係經由上述連接導體而導通。
  6. 如請求項1或2之壓電裝置，其中上述熱傳導構件包含分為複數條配線之構成。
  7. 如請求項5之壓電裝置，其中於上述第二凹部之開口側之上述厚壁部之端面進一步包含其他安裝端子；且上述元件搭載焊墊與上述其他安裝端子係為導通。
  8. 一種電子機器，其特徵在於：內置有如請求項1至7中任一項之壓電裝置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11218131B2 (en) 2017-12-27 2022-01-04 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Crystal unit
US11481414B2 (en) 2020-03-20 2022-10-25 Coupang Corp. Systems and methods for collection, management, and distribution of data using a crowdsourced knowledge database

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5747574B2 (ja) * 2011-03-11 2015-07-15 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及び電子機器
DE102011088053B3 (de) * 2011-12-08 2013-04-11 Siemens Aktiengesellschaft Messumformer
US9230890B2 (en) 2012-04-27 2016-01-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
JP5306512B1 (ja) 2012-04-27 2013-10-02 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、計測機器、及び補正方法
JP6017901B2 (ja) 2012-09-14 2016-11-02 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置および計測装置
CN103152006A (zh) * 2013-03-05 2013-06-12 台晶(宁波)电子有限公司 一种具有热敏电阻的石英晶体谐振器
KR101532134B1 (ko) * 2013-06-03 2015-06-26 삼성전기주식회사 압전 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP6190664B2 (ja) * 2013-08-27 2017-08-30 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP6127889B2 (ja) * 2013-10-04 2017-05-17 株式会社大真空 圧電デバイス
JP6183156B2 (ja) * 2013-10-30 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体
JP6289872B2 (ja) * 2013-11-07 2018-03-07 京セラ株式会社 温度補償型水晶発振器
US9859193B2 (en) * 2014-06-24 2018-01-02 Ibis Innotech Inc. Package structure
US9801282B2 (en) * 2014-06-24 2017-10-24 Ibis Innotech Inc. Package structure
JP6618675B2 (ja) * 2014-07-30 2019-12-11 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器及び移動体
JP6572571B2 (ja) * 2015-03-16 2019-09-11 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
US10171090B2 (en) * 2015-03-27 2019-01-01 Seiko Epson Corporation Oscillator, electronic apparatus, and moving object
US9939315B2 (en) 2015-08-08 2018-04-10 Vibration Measurement Solutions, Inc. Two-wire electronics interface sensor with integrated mechanical transducing and temperature monitoring capability
JP6710914B2 (ja) * 2015-08-28 2020-06-17 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器及び移動体
WO2017068839A1 (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 株式会社村田製作所 圧電振動子及びその温度制御方法、並びに圧電発振器
CN108352812B (zh) * 2015-11-05 2022-03-22 株式会社村田制作所 压电振荡器和压电振荡器件
WO2017111020A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社村田製作所 圧電発振装置及びその製造方法
CN109075761B (zh) * 2016-09-16 2022-06-24 株式会社大真空 压电振动器件
US10718672B2 (en) * 2017-01-20 2020-07-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Piezoelectric device package
JP6987589B2 (ja) * 2017-10-02 2022-01-05 京セラ株式会社 水晶振動子
JP6925222B2 (ja) * 2017-10-02 2021-08-25 京セラ株式会社 圧電振動子
CN109981102A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 日本电波工业株式会社 晶体振荡器
WO2019160051A1 (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 株式会社村田製作所 Ｉｃチップ及びそれを備えた電子装置
CN109560668A (zh) * 2019-01-23 2019-04-02 宁波菲仕电机技术有限公司 一种液冷电机壳体和液冷电机
DE202019100449U1 (de) * 2019-01-25 2020-04-30 Wago Verwaltungsgesellschaft Mbh Halterungseinrichtung, Schaltschrank und Ausleseeinrichtung
JP2020137023A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
JP7331376B2 (ja) * 2019-02-22 2023-08-23 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
JP7275638B2 (ja) * 2019-02-22 2023-05-18 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
JP7375331B2 (ja) 2019-04-26 2023-11-08 セイコーエプソン株式会社 振動デバイスおよび電子機器
JP7434724B2 (ja) 2019-05-23 2024-02-21 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
JP7306095B2 (ja) * 2019-06-21 2023-07-11 株式会社大真空 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP7306096B2 (ja) * 2019-06-21 2023-07-11 株式会社大真空 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
IT202000007009A1 (it) * 2020-04-02 2021-10-02 St Microelectronics Srl Sensore di temperatura ambientale accoppiabile a una scheda di circuito stampato con incapsulamento perfezionato
KR102418152B1 (ko) * 2020-07-17 2022-07-06 윤병묵 진동 센서 장치
WO2022044360A1 (ja) * 2020-08-31 2022-03-03 有限会社マクシス・ワン 恒温槽型水晶発振器
JPWO2023048014A1 (zh) * 2021-09-24 2023-03-30
WO2023131847A1 (en) * 2022-01-05 2023-07-13 Rakon Limited Temperature stabilized frequency control device

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3629588A1 (de) * 1986-08-30 1988-03-03 Franz Dipl Ing Leitl Kristalloszillator-kompensationsschaltung
JP3147134B2 (ja) 1992-11-30 2001-03-19 三菱マテリアル株式会社 チップ型サーミスタ及びその製造方法
US5500628A (en) * 1995-01-24 1996-03-19 Motorola, Inc. Double-sided oscillator package and method of coupling components thereto
JP4019473B2 (ja) 1997-11-13 2007-12-12 エプソントヨコム株式会社 電子デバイス
JPH11330858A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電発振器
US6229404B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Crystal oscillator
JP3285847B2 (ja) 1998-08-31 2002-05-27 京セラ株式会社 表面実装型水晶発振器
US6229249B1 (en) 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Surface-mount type crystal oscillator
JP2001077627A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Toyo Commun Equip Co Ltd 温度補償圧電発振器
JP2002271142A (ja) 2001-03-13 2002-09-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装型の水晶発振器及びその製造方法
JP2002359103A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタ
JP2003258554A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Kinseki Ltd 温度補償型圧電発振器
JP4378980B2 (ja) 2002-03-25 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 制御端子付き電子部品
JP5024317B2 (ja) 2002-03-25 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電子部品および電子部品の製造方法
JP2004222206A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Murata Mfg Co Ltd 水晶発振器およびそれを用いた電子装置
EP1616389B1 (en) 2003-04-11 2008-03-05 Nxp B.V. Device for detecting the temperature of an oscillator crystal
JP4251070B2 (ja) 2003-12-10 2009-04-08 エプソントヨコム株式会社 圧電発振器、電子部品、及び圧電発振器の製造方法
US7710002B2 (en) 2006-06-21 2010-05-04 Epson Toyocom Corporation Piezoelectric resonator for oscillator and surface mount type piezoelectric oscillator
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP2005286892A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Kyocera Kinseki Corp 温度センサーを内蔵した圧電振動子、及びそれを用いた圧電発振器
JP4457760B2 (ja) 2004-06-03 2010-04-28 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器および電子機器
JP4244865B2 (ja) * 2004-06-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器および電子機器
JP4600663B2 (ja) 2004-12-07 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 温度補償型圧電発振器
JP4855087B2 (ja) * 2005-03-28 2012-01-18 日本電波工業株式会社 恒温型の水晶発振器
JP2006287594A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス及びその製造方法
JP2006339943A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP5007494B2 (ja) 2005-07-04 2012-08-22 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法
JP2007065959A (ja) 2005-08-31 2007-03-15 Seiko Epson Corp 電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法
JP4724518B2 (ja) 2005-09-29 2011-07-13 京セラキンセキ株式会社 圧電発振器
US20070126316A1 (en) 2005-12-01 2007-06-07 Epson Toyocom Corporation Electronic device
JP4894248B2 (ja) 2005-12-01 2012-03-14 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの外部信号入力方法
JP2007158522A (ja) 2005-12-01 2007-06-21 Epson Toyocom Corp 電子デバイス
JP2007158521A (ja) 2005-12-01 2007-06-21 Epson Toyocom Corp 電子デバイス
US7471162B2 (en) * 2006-04-24 2008-12-30 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount type temperature-compensated crystal oscillator
JP4244053B2 (ja) 2006-06-16 2009-03-25 エプソントヨコム株式会社 圧電デバイスを備えた電子モジュール
JP5339681B2 (ja) 2007-02-21 2013-11-13 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶振動子
JP2008263564A (ja) 2007-04-16 2008-10-30 Kyocera Kinseki Corp 温度補償型圧電発振器
JP5070954B2 (ja) * 2007-06-22 2012-11-14 株式会社大真空 表面実装型圧電振動デバイス
JP4629744B2 (ja) * 2008-02-21 2011-02-09 日本電波工業株式会社 恒温型の水晶発振器
JP4872981B2 (ja) 2008-07-29 2012-02-08 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイスを備えた電子モジュール及びその製造方法
JP2010035078A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Kyocera Kinseki Corp 圧電発振器
JP2010035077A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Kyocera Kinseki Corp 圧電発振器
JP4822139B2 (ja) 2008-08-04 2011-11-24 セイコーエプソン株式会社 機器及び機器の製造方法
JP4695175B2 (ja) 2008-11-14 2011-06-08 日本電波工業株式会社 恒温型の水晶発振器
JP2010135995A (ja) 2008-12-03 2010-06-17 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
JP5308879B2 (ja) * 2009-03-13 2013-10-09 日本電波工業株式会社 恒温型の水晶発振器
US9344095B2 (en) * 2010-01-31 2016-05-17 Intel Mobile Communications GmbH Temperature compensation for an oscillator crystal
JP5144732B2 (ja) 2010-09-30 2013-02-13 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
JP5144731B2 (ja) 2010-09-30 2013-02-13 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
JP5337791B2 (ja) 2010-12-28 2013-11-06 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
TWI548204B (zh) 2010-03-29 2016-09-01 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric vibrator
JP5101651B2 (ja) 2010-03-29 2012-12-19 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
JP5210369B2 (ja) 2010-11-30 2013-06-12 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイス
JP5751800B2 (ja) 2010-10-29 2015-07-22 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
JP5819053B2 (ja) 2010-10-29 2015-11-18 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
JP2012099928A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス
JP2012142691A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Kyocera Crystal Device Corp 圧電デバイス
JP2012142688A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Kyocera Crystal Device Corp 圧電デバイスおよびその製造方法
JP5689702B2 (ja) 2011-01-31 2015-03-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイス
JP5689703B2 (ja) 2011-01-31 2015-03-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイス
JP5647033B2 (ja) 2011-02-28 2014-12-24 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイス
JP2012182567A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kyocera Crystal Device Corp 圧電デバイス
JP5747574B2 (ja) * 2011-03-11 2015-07-15 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及び電子機器
JP5877962B2 (ja) 2011-05-31 2016-03-08 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電振動子
US9287882B2 (en) * 2013-11-07 2016-03-15 Kyocera Crystal Device Corporation Temperature compensated crystal oscillator
CN106233619B (zh) * 2014-04-25 2019-04-09 株式会社村田制作所 水晶振动装置
JP2016010099A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 セイコーエプソン株式会社 複合電子部品、発振器、電子機器及び移動体
JP2016131266A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11218131B2 (en) 2017-12-27 2022-01-04 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Crystal unit
TWI769358B (zh) * 2017-12-27 2022-07-01 日商日本電波工業股份有限公司 晶體振盪器
US11481414B2 (en) 2020-03-20 2022-10-25 Coupang Corp. Systems and methods for collection, management, and distribution of data using a crowdsourced knowledge database

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Publication number Publication date
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