JP7434724B2 - 振動デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 167
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018669 Mn—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/0005—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing non-specific motion; Details common to machines covered by H02N2/02 - H02N2/16
- H02N2/001—Driving devices, e.g. vibrators
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
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Description
本発明は、振動デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
例えば、特許文献１には、上面に開口する第１凹部および下面に開口する第２凹部を備える絶縁基板と、第１凹部の底面に配置された振動素子と、第２凹部の底面に配置された回路素子と、を有する振動デバイスが記載されている。
このような構成の振動デバイスでは、振動素子を配置するための第１凹部の他にも、回路素子を配置するための第２凹部が必要となり、小型化を図ることが困難である。
本適用例にかかる振動デバイスは、第１面および前記第１面と反対側の第２面を有する枠部および振動素子を含み、水晶により構成される中間基板と、
前記枠部の前記第１面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第１基板と、
前記枠部の前記第２面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第２基板と、
前記第１基板に配置されている機能層を有する機能素子と、を備え、
前記第１基板の厚さ方向からの平面視で、前記機能素子は、前記振動素子と重なっている部分を有することを特徴とする。
前記枠部の前記第１面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第１基板と、
前記枠部の前記第２面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第２基板と、
前記第１基板に配置されている機能層を有する機能素子と、を備え、
前記第１基板の厚さ方向からの平面視で、前記機能素子は、前記振動素子と重なっている部分を有することを特徴とする。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記機能素子は、前記第１基板の前記振動素子側の第３面に配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第１基板は、前記第３面に開口する凹部を有し、
前記凹部の底面に前記機能素子が配置されていることが好ましい。
前記凹部の底面に前記機能素子が配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第３面に配置され、前記機能素子と電気的に接続されている機能素子用配線を有し、
前記凹部の側面は、前記第１基板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面であり、
前記機能素子用配線は、前記底面、前記傾斜面および前記第３面に配置されていることが好ましい。
前記凹部の側面は、前記第１基板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面であり、
前記機能素子用配線は、前記底面、前記傾斜面および前記第３面に配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記機能素子は、サーミスタ素子であることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第３面に配置され、前記機能素子と電気的に接続されている機能素子用配線を有し、
前記機能素子用配線は、前記枠部と接していることが好ましい。
前記機能素子用配線は、前記枠部と接していることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第３面に配置され、前記振動素子と電気的に接続されている振動素子用配線を有し、
前記機能素子用配線および前記振動素子用配線は、それぞれ、前記第１基板と前記枠部との接合部よりも内側に配置されていることが好ましい。
前記機能素子用配線および前記振動素子用配線は、それぞれ、前記第１基板と前記枠部との接合部よりも内側に配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記機能素子は、前記第１基板の前記振動素子側の第３面と反対側の第４面に配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第１基板は、前記第４面に開口する凹部を有し、
前記凹部の底面に前記機能素子が配置されていることが好ましい。
前記凹部の底面に前記機能素子が配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる振動デバイスでは、前記第４面に配置され、前記機能素子と電気的に接続されている機能素子用配線を有し、
前記凹部の側面は、前記第１基板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面であり、
前記機能素子用配線は、前記底面、前記傾斜面および前記第４面に配置されていることが好ましい。
前記凹部の側面は、前記第１基板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面であり、
前記機能素子用配線は、前記底面、前記傾斜面および前記第４面に配置されていることが好ましい。
本適用例にかかる電子機器は、上述の振動デバイスと、
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記機能素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする。
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記機能素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする。
本適用例にかかる移動体は、上記の振動デバイスと、
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記機能素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする。
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記機能素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする。
以下、本発明の一態様の振動デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２は、水晶のカット
角を説明するための図である。図３は、図１の振動デバイスが有する中間基板を示す平面
図である。図４は、図１の振動デバイスが有する第１基板を示す平面図である。図５は、
図４中のＡ－Ａ線断面図である。図６は、図４中のＢ－Ｂ線断面図である。図７は、図４
中のＣ－Ｃ線断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する３軸をＸ軸
、Ｙ’軸およびＺ’軸として図示している。これらＸ軸、Ｙ’軸およびＺ’軸は、後述す
るように水晶の結晶軸を示す。また、Ｙ’軸の矢印先端側すなわち正側を「上」とも言い
、基端側すなわち負側を「下」とも言う。また、第１基板２の厚さ方向すなわちＹ’軸に
沿った平面視を単に「平面視」とも言う。
図１は、第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２は、水晶のカット
角を説明するための図である。図３は、図１の振動デバイスが有する中間基板を示す平面
図である。図４は、図１の振動デバイスが有する第１基板を示す平面図である。図５は、
図４中のＡ－Ａ線断面図である。図６は、図４中のＢ－Ｂ線断面図である。図７は、図４
中のＣ－Ｃ線断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する３軸をＸ軸
、Ｙ’軸およびＺ’軸として図示している。これらＸ軸、Ｙ’軸およびＺ’軸は、後述す
るように水晶の結晶軸を示す。また、Ｙ’軸の矢印先端側すなわち正側を「上」とも言い
、基端側すなわち負側を「下」とも言う。また、第１基板２の厚さ方向すなわちＹ’軸に
沿った平面視を単に「平面視」とも言う。
図１に示す振動デバイス１は、中間基板４と、中間基板４のＹ’軸の負方向側に位置し、第１接合部材Ｂ１を介して中間基板４のＹ’軸の負方向側の下面に接合された第１基板２と、中間基板４のＹ’軸の正方向側に位置し、第２接合部材Ｂ２を介して中間基板４のＹ’軸の正方向側の上面に接合された第２基板３と、第１基板２に配置された機能素子６と、を備える。
中間基板４は、水晶で構成されている。特に、本実施形態の中間基板４は、ＡＴカット水晶基板で構成されている。ＡＴカットの素子基板について簡単に説明すると、中間基板４は、互いに直交する結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有する。なお、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれ、電気軸、機械軸、光学軸と呼ばれる。そして、図２に示すように、中間基板４は、Ｘ－Ｚ面をＸ軸回りに所定の角度θ回転させた平面に沿って切り出された「回転Ｙカット水晶基板」であり、θ＝３５°１５’回転させた平面に沿って切り出した基板を「ＡＴカット水晶基板」という。以下では、角度θに対応してＸ軸まわりに回転したＹ軸およびＺ軸をＹ’軸およびＺ’軸とする。すなわち、中間基板４は、Ｙ’軸方向に厚みを有し、Ｘ－Ｚ’面方向に広がりを有する。
また、図３に示すように、中間基板４は、枠状の枠部４１と、枠部４１の内側に設けら
れた振動部４２と、枠部４１と振動部４２とを連結する一対の連結部４３、４４と、を有
する。枠部４１は、Ｙ’軸の正側の第１面およびＹ’軸の負側の第２面を有する。前記第
１面は枠部４１の下面４６であり、前記第２面は枠部４１の上面４７である。また、枠部
４１は、平面視での形状が矩形であり、Ｚ’軸に延在する延在部４１Ａ、４１Ｂと、Ｘ軸
に延在する延在部４１Ｃ、４１Ｄと、を有する。これら４つの延在部４１Ａ～４１Ｄが振
動部４２の周囲を囲っている。そして、これらのうちの１つの延在部４１Ａと振動部４２
とが連結部４３、４４を介して連結されている。また、図１に示すように、振動部４２は
、枠部４１よりもＹ’軸に沿った厚さが薄く、その上面が枠部４１の上面４７よりもＹ’
軸の負側に位置し、その下面が枠部４１の下面４６よりもＹ’軸の正側に位置している。
これにより、振動部４２と第１、第２基板２、３との接触を抑制することができる。
れた振動部４２と、枠部４１と振動部４２とを連結する一対の連結部４３、４４と、を有
する。枠部４１は、Ｙ’軸の正側の第１面およびＹ’軸の負側の第２面を有する。前記第
１面は枠部４１の下面４６であり、前記第２面は枠部４１の上面４７である。また、枠部
４１は、平面視での形状が矩形であり、Ｚ’軸に延在する延在部４１Ａ、４１Ｂと、Ｘ軸
に延在する延在部４１Ｃ、４１Ｄと、を有する。これら４つの延在部４１Ａ～４１Ｄが振
動部４２の周囲を囲っている。そして、これらのうちの１つの延在部４１Ａと振動部４２
とが連結部４３、４４を介して連結されている。また、図１に示すように、振動部４２は
、枠部４１よりもＹ’軸に沿った厚さが薄く、その上面が枠部４１の上面４７よりもＹ’
軸の負側に位置し、その下面が枠部４１の下面４６よりもＹ’軸の正側に位置している。
これにより、振動部４２と第１、第２基板２、３との接触を抑制することができる。
図３に示すように、中間基板４には電極５が配置されている。電極５は、振動部４２の上面に配置された第１励振電極５１と、振動部４２の下面に配置された第２励振電極５２と、を有する。振動部４２は、第１励振電極５１と、第２励振電極５２と、の間に配置されている。そして、振動部４２および第１、第２励振電極５１、５２から振動素子４０が構成される。このような振動素子４０は、厚みすべり振動モードを有し、三次の周波数温度特性を有する。そのため、優れた温度特性を有する振動素子４０となる。
なお、振動素子４０の構成としては、特に限定されず、例えば、振動部４２の第１、第２励振電極５１、５２で挟まれた部分である振動領域がその周囲から突出したメサ型であってもよいし、凹没した逆メサ型であってもよい。また、振動部４２の周囲を研削して面取りするベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。また、メサ型の場合には、下面側および上面側の一方にだけ突出している構成であってもよいし、逆メサ型の場合には、下面側および上面側の一方にだけ凹没している構成であってもよい。また、中間基板４は、ＡＴカット水晶基板に限定されず、他のカット角、例えば、Ｚカット、ＳＣカット、ＳＴカット、ＢＴカット等の水晶基板であってもよく、振動部４２の形状や電極５の構成は、水晶基板の種類によって適宜変更することができる。
また、図３に示すように、電極５は、連結部４３を介して第１励振電極５１を枠部４１の延在部４１Ａまで引き出す第１引出電極５３と、連結部４４を介して第２励振電極５２を枠部４１の延在部４１Ａまで引き出す第２引出電極５４と、を有する。
第１引出電極５３は、第１励振電極５１から連結部４３を通って延在部４１Ａの上面まで伸びた配線５３１と、延在部４１Ａの下面に配置された接続端子５３２と、延在部４１Ａを貫通し、配線５３１と接続端子５３２とを電気的に接続する貫通電極５３３と、を有する。一方、第２引出電極５４は、第２励振電極５２から連結部４４を通って延在部４１Ａの下面まで伸びた配線５４１と、延在部４１Ａの下面に配置され、配線５４１と電気的に接続された接続端子５４２と、を有する。
なお、第１、第２引出電極５３、５４の構成材料としては、それぞれ、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）等の金属材料、これら金属材料を含む合金を用いることができる。
以上のような中間基板４のＹ’軸の負方向側には第１基板２が位置し、Ｙ’軸の正方向側には第２基板３が位置している。第１基板２は、第３面である上面２１と、第４面である下面２２と、を有する。また、同様に、第２基板３も、上面３１と、下面３２と、を有する。そして、図１に示すように、下面２２、上面２１、下面４６、上面４７、下面３２および上面３１がＹ’軸の正方向である上方へ向かって、この順に、かつ、ほぼ平行に並んでいる。
このような配置において、第１基板２の上面２１と枠部４１の下面４６とが第１接合部材Ｂ１を介して接合され、第２基板３の下面３２と枠部４１の上面４７とが第２接合部材Ｂ２を介して接合されている。これにより、第１基板２と第２基板３と枠部４１とで、振動素子４０を収納する気密な内部空間Ｓが形成される。内部空間Ｓは、減圧状態、好ましくは、より真空に近い状態となっている。これにより、振動素子４０の振動特性が高まる。ただし、内部空間Ｓの雰囲気は、特に限定されず、例えば、窒素またはＡｒ等の不活性ガスを封入した雰囲気であってもよく、減圧状態でなく大気圧状態、または加圧状態となっていてもよい。
これら第１基板２および第２基板３は、板状であり、水晶またはガラス材料で構成されている。特に、本実施形態では、第１、第２基板２、３は、それぞれ、水晶で構成されている。このように、第１、第２基板２、３を中間基板４と同様に水晶で構成することにより、これら基板２、３、４の熱膨張係数を等しくすることができる。そのため、これら基板２、３、４の間に互いの熱膨張係数差に起因する熱応力が実質的に生じず、振動素子４０が応力を受け難くなる。そのため、振動素子４０の振動特性の低下や変動をより効果的に抑制することができる。なお、第１基板２および第２基板３をガラス材料で構成する場合、ガラス材料としては、特に限定されず、ソーダ石灰ガラス、石英ガラス等を用いることができる。
特に、第１、第２基板２、３は、中間基板４と同じカット角の水晶基板から形成されている。前述したように、中間基板４は、ＡＴカット水晶基板から形成されているため、第１、第２基板２、３もＡＴカット水晶基板から形成されている。さらに、第１、第２基板２、３の結晶軸の向きは、中間基板４の結晶軸の向きと一致している。つまり、第１、第２基板２、３と中間基板４とで互いにＸ軸の向きが一致し、互いにＹ’軸の向きが一致し、互いにＺ’軸の向きが一致している。水晶は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向のそれぞれで熱膨張係数が異なるため、第１、第２基板２、３と中間基板４とを同じカット角とし、互いの結晶軸の向きを揃えることにより、これら基板２、３、４の間で前述の熱応力がより生じ難くなる。そのため、振動素子４０がさらに応力を受け難くなり、その振動特性の低下や変動をさらに効果的に抑制することができる。
ただし、第１、第２基板２、３の構成は、特に限定されず、第１、第２基板２、３の少なくとも一方が中間基板４と異なるカット角の水晶基板から形成されていてもよいし、カット角は同じであるが結晶軸の方向が中間基板４と異なる方向を向いていてもよい。
図４ないし図６に示すように、第１基板２には、振動素子４０と電気的に接続された振動素子用配線７と、機能素子６と電気的に接続された機能素子用配線８と、が配置されている。また、振動素子用配線７は、第１振動素子用配線７１および第２振動素子用配線７２を有し、機能素子用配線８は、第１機能素子用配線８１および第２機能素子用配線８２を有する。
図６に示すように、第１振動素子用配線７１は、第１基板２の上面２１に配置された内部配線７１１と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子７１２と、第１基板２の上面２１と下面２２とを貫通し、内部配線７１１と外部端子７１２とを電気的に接続する貫通電極７１３と、を有する。また、内部配線７１１は、第１基板２と枠部４１の延在部４１Ａとの間に位置する部分７１１ａを有し、この部分７１１ａにおいて接続端子５３２と接触し、電気的に接続されている。これにより、第１振動素子用配線７１と第１励振電極５１とが電気的に接続される。
図５に示すように、第２振動素子用配線７２は、第１基板２の上面２１に配置された内部配線７２１と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子７２２と、第１基板２の上面２１と下面２２とを貫通し、内部配線７２１と外部端子７２２とを電気的に接続する貫通電極７２３と、を有する。また、内部配線７２１は、第１基板２と枠部４１の延在部４１Ａとの間に位置する部分７２１ａを有し、この部分７２１ａにおいて接続端子５４２と接触し、電気的に接続されている。これにより、第２振動素子用配線７２と第２励振電極５２とが電気的に接続される。
図５に示すように、第１機能素子用配線８１は、第１基板２の上面２１に配置された内
部配線８１１と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子８１２と、第１基板２の上
面２１と下面２２とを貫通し、内部配線８１１と外部端子８１２とを電気的に接続する貫
通電極８１３と、を有する。また、内部配線８１１は、第１基板２と枠部４１の延在部４
１Ａとの間に位置し、延在部４１Ａと接触する部分８１１ａを有し、この部分８１１ａに
おいて枠部４１と熱的に接続されている。これにより、第１機能素子用配線８１を介して
中間基板４と機能素子６とが熱的に接続される。また、貫通電極８１３は、平面視で、延
在部４１Ａと重なっている。
部配線８１１と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子８１２と、第１基板２の上
面２１と下面２２とを貫通し、内部配線８１１と外部端子８１２とを電気的に接続する貫
通電極８１３と、を有する。また、内部配線８１１は、第１基板２と枠部４１の延在部４
１Ａとの間に位置し、延在部４１Ａと接触する部分８１１ａを有し、この部分８１１ａに
おいて枠部４１と熱的に接続されている。これにより、第１機能素子用配線８１を介して
中間基板４と機能素子６とが熱的に接続される。また、貫通電極８１３は、平面視で、延
在部４１Ａと重なっている。
第２機能素子用配線８２は、第１基板２の上面２１に配置された内部配線８２１と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子８２２と、第１基板２の上面２１と下面２２とを貫通し、内部配線８２１と外部端子８２２とを電気的に接続する貫通電極８２３と、を有する。
なお、第１、第２振動素子用配線７１、７２および第１、第２機能素子用配線８１、８２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）等の金属材料、これら金属材料を含む合金を用いることができる。
図７に示すように、機能素子６は、第１基板２の上面２１に配置されている。また、機能素子６は、内部空間Ｓ内に位置している。本実施形態の機能素子６は、振動素子４０の温度を検出する温度センサーとして機能するサーミスタ素子６１である。このように、サーミスタ素子６１を第１基板２の上面２１に配置することにより、サーミスタ素子６１を振動素子４０に近接させることができ、サーミスタ素子６１と振動素子４０との間に温度差が生じ難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
特に、サーミスタ素子６１は、第１基板２の上面２１に配置されている。サーミスタ素子６１を第１基板２の上面２１に配置することにより、サーミスタ素子６１を振動素子４０と同じ内部空間Ｓ内に配置することができる。また、サーミスタ素子６１と振動素子４０とをより接近して配置することができる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。また、サーミスタ素子６１を保護することもできる。
また、前述したように、サーミスタ素子６１と電気的に接続された内部配線８１１が部分８１１ａを介して枠部４１と熱的に接続されている。そのため、内部配線８１１を介して振動素子４０とサーミスタ素子６１とが熱的に接続され、サーミスタ素子６１と振動素子４０との間に温度差がより生じ難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
また、前述したように、第１基板２に形成され、サーミスタ素子６１と電気的に接続さ
れた貫通電極８１３が、平面視で枠部４１の延在部４１Ａと重なっている。これにより、
枠部４１と貫通電極８１３との熱的な接続が良好となり、サーミスタ素子６１と振動素子
４０との間に温度差がより生じ難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素
子４０の温度をより精度よく検出することができる。
れた貫通電極８１３が、平面視で枠部４１の延在部４１Ａと重なっている。これにより、
枠部４１と貫通電極８１３との熱的な接続が良好となり、サーミスタ素子６１と振動素子
４０との間に温度差がより生じ難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素
子４０の温度をより精度よく検出することができる。
特に、内部配線８１１や貫通電極８１３と熱的に接続されている枠部４１に貫通電極５３３が形成されているため、枠部４１と振動素子４０との熱的な接続が良好となる。そのため、サーミスタ素子６１と振動素子４０との間に温度差がより生じ難くなり、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
また、第１基板２の上面２１に配置された内部配線７１１、７２１、８１１、８２１が第１接合部材Ｂ１の内側、すなわち、内部空間Ｓ内に位置しているため、これらが振動デバイス１の外部の温度変化の影響を受け難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
また、サーミスタ素子６１は、Ｚ軸方向からの平面視で、振動素子４０と重なる部分を有する。これにより、サーミスタ素子６１と振動素子４０とをより接近して配置することができる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。また、振動デバイス１のＸ軸方向およびＹ軸方向への広がりを抑制でき、振動デバイス１の小型化を図ることもできる。特に、本実施形態では、サーミスタ素子６１の全域が振動素子４０と重なっているため、上述の効果をより顕著に発揮することができる。ただし、これに限定されず、サーミスタ素子６１の一部が振動素子４０と重なっていてもよいし、全域が振動素子４０と重なっていなくてもよい。
サーミスタ素子６１は、薄膜サーミスタ素子であり、図７に示すように、第１基板２の上面２１に配置され、内部配線８１１、８２１と電気的に接続された機能層６０としてのサーミスタ薄膜６１１と、サーミスタ薄膜６１１を覆うパッシベーション膜６１２と、を有する。このように、サーミスタ素子６１を、第１基板２の上面２１に配置された機能層６０としてのサーミスタ薄膜６１１を有する構成とすることにより、サーミスタ素子６１の薄型化を図ることができる。
また、サーミスタ薄膜６１１は、内部配線８１１、８２１のＹ’軸の正方向側の面に配置されている部分を含む。そのため、サーミスタ薄膜６１１と内部配線８１１、８２１との間の接触面積が広くなり、枠部４１および内部配線８１１を介して振動素子４０からサーミスタ薄膜６１１へ更に熱が伝わり易くなる。その結果、サーミスタ素子６１と振動素子４０との間に温度差がより生じ難くなる。
なお、サーミスタ薄膜６１１は、例えば、Ｍｎ－Ｃｏ系複合金属酸化物にニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも一種類を含む複合金属酸化物からなる複合金属酸化物膜であって、スピネル型結晶構造を有している。一方、パッシベーション膜６１２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で構成されている。ただし、サーミスタ薄膜６１１およびパッシベーション膜６１２の構成材料は、特に限定されない。
以上、振動デバイス１について説明した。このような振動デバイス１は、前述したように、振動素子４０および枠部４１を含み、水晶により構成される中間基板４と、枠部４１の下面４６（第１面）に接合され、水晶またはガラスにより構成される第１基板２と、枠部４１の下面４６と反対側の面である上面４７（第２面）に接合され、水晶またはガラスにより構成される第２基板３と、第１基板２に配置されている機能層６０としてのサーミスタ薄膜６１１を有する機能素子６としてのサーミスタ素子６１と、を備える。そして、Ｚ軸方向からの平面視で、サーミスタ素子６１は、振動素子４０と重なる部分を有する。これにより、振動デバイス１の小型化、特に低背化を図ることができる。
また、前述したように、サーミスタ素子６１は、第１基板２の振動素子側の上面２１（第３面）に配置されている。これにより、振動素子４０と第１基板２との間にサーミスタ素子６１を配置することができ、サーミスタ素子６１を保護することができる。また、サーミスタ素子６１と振動素子４０とをより接近して配置することができる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
また、前述したように、機能素子６は、サーミスタ素子６１である。これにより、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度を検出することができる。
また、前述したように、振動デバイス１は、第１基板２の上面２１に配置され、機能素子６としてのサーミスタ素子６１と電気的に接続されている機能素子用配線８を有する。そして、機能素子用配線８は、枠部４１と接している。そのため、機能素子用配線８を介して振動素子４０とサーミスタ素子６１とが熱的に接続され、サーミスタ素子６１と振動素子４０との間に温度差がより生じ難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
また、前述したように、振動デバイス１は、第１基板２の上面２１に配置され、振動素子４０と電気的に接続されている振動素子用配線７を有する。そして、機能素子用配線８および振動素子用配線７の上面２１に配置されている部分は、それぞれ、第１基板２と枠部４１との接合部よりも内側に配置されている。これにより、機能素子用配線８および振動素子用配線７の上面２１に配置されている部分を気密封止された内部空間Ｓ内に配置することができるため、振動素子４０とサーミスタ素子６１との間の熱的な接続が良好となる。また、振動デバイス１の外部の温度変化の影響を受け難くなる。そのため、サーミスタ素子６１によって振動素子４０の温度をより精度よく検出することができる。
＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図８は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図８は、第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図８は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、第１基板２の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第２実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図８に示すように、第１基板２は、その上面２１に開口する凹部２３を有する。そして、この凹部２３の底面２３１にサーミスタ素子６１が配置されている。これにより、例えば、前述した第１実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。第１基板２に凹部２３を形成する方法としては、水晶またはガラス材料で構成されたウェハに対し、例えばウェットエッチングを用いて凹部２３を形成することができる。
また、凹部２３の側面は、第１基板２の厚さ方向すなわちＺ軸方向に対して傾斜した傾斜面２３２であり、この傾斜面２３２によって底面２３１と上面２１とが緩やかに接続されている。また、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている内部配線８１１、８２１は、それぞれ、底面２３１、傾斜面２３２および上面２１に配置されている。言い換えると、内部配線８１１、８２１は、底面２３１から傾斜面２３２を通って上面２１まで引き出されている。このように、凹部２３の側面を傾斜面２３２とすることにより、当該部分を通る内部配線８１１、８２１の断線を効果的に抑制することができる。
以上のように、本実施形態の振動デバイス１では、第１基板２は、上面２１に開口する凹部２３を有し、凹部２３の底面２３１にサーミスタ素子６１が配置されている。これにより、例えば、前述した第１実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。
また、前述したように、振動デバイス１は、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている機能素子用配線８を有する。また、凹部２３の側面は、第１基板２の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面２３２である。そして、機能素子用配線８は、底面２３１、傾斜面２３２および上面２１に配置されている。このように、凹部２３の側面を傾斜面２３２とすることにより、機能素子用配線８の断線を効果的に抑制することができる。
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第３実施形態＞
図９は、第３実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図９は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図９は、第３実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図９は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、サーミスタ素子６１の配置が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第３実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図９では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図９に示すように、サーミスタ素子６１は、第１基板２の上面２１と反対側の下面２２（第４面）に配置されている。このような構成によれば、例えば、前述した第１実施形態と比べて、サーミスタ素子６１の配置スペースが広くなり、サーミスタ素子６１の形成が容易となる。なお、本実施形態の場合、サーミスタ素子６１は、外部端子８１２、８２２と電気的に接続されている。また、第２機能素子用配線８２からは、内部配線８２１および貫通電極８２３が省略されている。
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第４実施形態＞
図１０は、第４実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１０は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図１０は、第４実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１０は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、第１基板２の構成が異なること以外は、前述した第３実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第４実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１０では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１０に示すように、第１基板２は、その下面２２に開口する凹部２４を有する。そして、凹部２４の底面２４１にサーミスタ素子６１が配置されている。これにより、前述した第３実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。
また、凹部２４の側面は、第１基板２の厚さ方向すなわちＺ軸方向に対して傾斜した傾斜面２４２であり、この傾斜面２４２によって底面２４１と下面２２とが緩やかに接続されている。また、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている外部端子８１２、８２２は、それぞれ、底面２４１、傾斜面２４２および下面２２に配置されている。言い換えると、外部端子８１２、８２２は、底面２４１から傾斜面２４２を通って下面２２まで引き出されている。このように、凹部２４の側面を傾斜面２４２とすることにより、当該部分を通る外部端子８１２、８２２の断線を効果的に抑制することができる。
以上のように、本実施形態の振動デバイス１では、第１基板２は、下面２２に開口する凹部２４を有し、凹部２４の底面２４１にサーミスタ素子６１が配置されている。これにより、例えば、前述した第３実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。
また、前述したように、振動デバイス１は、下面２２に配置され、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている配線としての機能素子用配線８を有する。また、凹部２４の側面は、第１基板２の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面２４２である。そして、機能素子用配線８は、底面２４１、傾斜面２４２および下面２２に配置されている。このように、凹部２４の側面を傾斜面２４２とすることにより、機能素子用配線８の断線を効果的に抑制することができる。
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第５実施形態＞
図１１は、第５実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１１は、図
４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図１１は、第５実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１１は、図
４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、機能素子用配線８の構成が異なること以外は、前述した第４実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第４実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１１では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１１に示すように、第１機能素子用配線８１は、前述の内部配線８１１、外部端子８１２および貫通電極８１３に加えて、さらに、凹部２４の底面２４１に配置され、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている外部配線８１４と、底面２４１と上面２１とを貫通し、外部配線８１４と内部配線８１１とを電気的に接続する貫通電極８１５と、を有する。同様に、第２機能素子用配線８２は、前述の内部配線８２１、外部端子８２２および貫通電極８２３に加えて、さらに、凹部２４の底面２４１に配置され、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている外部配線８２４と、底面２４１と上面２１とを貫通し、外部配線８２４と内部配線８２１とを電気的に接続する貫通電極８２５と、を有する。なお、図１１では、外部端子８１２および貫通電極８１３、８２３は、図示されていない。
以上のような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第６実施形態＞
図１２は、第６実施形態に係る振動デバイスを示す上面図である。図１３は、図１２中のＤ－Ｄ線断面図である。図１４は、図１２中のＥ－Ｅ線断面図である。図１５は、図１２中のＦ－Ｆ線断面図である。図１６は、図１２中のＧ－Ｇ線断面図である。
図１２は、第６実施形態に係る振動デバイスを示す上面図である。図１３は、図１２中のＤ－Ｄ線断面図である。図１４は、図１２中のＥ－Ｅ線断面図である。図１５は、図１２中のＦ－Ｆ線断面図である。図１６は、図１２中のＧ－Ｇ線断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、機能素子６の配置と、電極５、振動素子用配線７および機能素子用配線８の構成と、が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第６実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１２ないし図１６では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１２に示すように、本実施形態の振動デバイス１では、機能素子６としてのサーミスタ素子６１は、第２基板３の上面に配置されている。
また、図１３に示すように、第１引出電極５３は、第１励振電極５１から連結部４３を通って延在部４１Ａの上面まで伸びた配線５３１と、延在部４１Ａの上面に配置され、配線５３１と電気的に接続された接続端子５３２と、を有する。一方、図１４に示すように、第２引出電極５４は、第２励振電極５２から連結部４４を通って延在部４１Ａの下面まで伸びた配線５４１と、延在部４１Ａの上面に配置された接続端子５４２と、延在部４１Ａを貫通し、配線５４１と接続端子５４２とを電気的に接続する貫通電極５４３と、を有する。
また、図１２、図１３および図１５に示すように、第１振動素子用配線７１は、第２基板３の下面に配置され、接続端子５３２と接触する内部配線７１１と、第２基板３の上面に配置された外部配線７１６と、第２基板３を貫通し、内部配線７１１と外部配線７１６とを電気的に接続する貫通電極７１７と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子７１２と、第１基板２、中間基板４および第２基板３を貫通し、外部配線７１６と外部端子７１２とを電気的に接続する貫通電極７１３と、を有する。また、貫通電極７１３は、内部空間Ｓの外側、すなわち、第１、第２接合部材Ｂ１、Ｂ２の外側に形成されている。
一方、図１２、図１４および図１６に示すように、第２振動素子用配線７２は、第２基板３の下面に配置され、接続端子５４２と接触する内部配線７２１と、第２基板３の上面に配置された外部配線７２６と、第２基板３を貫通し、内部配線７２１と外部配線７２６とを電気的に接続する貫通電極７２７と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子７２２と、第１基板２、中間基板４および第２基板３を貫通し、外部配線７２６と外部端子７２２とを電気的に接続する貫通電極７２３と、を有する。また、貫通電極７２３は、内部空間Ｓの外側、すなわち、第１、第２接合部材Ｂ１、Ｂ２の外側に形成されている。
また、図１２および図１６に示すように、第１機能素子用配線８１は、第２基板３の上面に配置され、サーミスタ素子６１と電気的に接続された外部配線８１６と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子８１２と、第１基板２、中間基板４および第２基板３を貫通し、外部配線８１６と外部端子８１２とを電気的に接続する貫通電極８１７と、を有する。また、貫通電極８１７は、内部空間Ｓの外側、すなわち、第１、第２接合部材Ｂ１、Ｂ２の外側に形成されている。
一方、図１２および図１５に示すように、第２機能素子用配線８２は、第２基板３の上面に配置され、サーミスタ素子６１と電気的に接続された外部配線８２６と、第１基板２の下面２２に配置された外部端子８２２と、第１基板２、中間基板４および第２基板３を貫通し、外部配線８２６と外部端子８２２とを電気的に接続する貫通電極８２７と、を有する。また、貫通電極８２７は、内部空間Ｓの外側、すなわち、第１、第２接合部材Ｂ１、Ｂ２の外側に形成されている。
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第７実施形態＞
図１７は、第７実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
図１７は、第７実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、第２基板３の構成が異なること以外は、前述した第６実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第７実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１７では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１７に示すように、第２基板３は、その上面３１に開口する凹部３３を有する。そして、この凹部３３の底面３３１にサーミスタ素子６１が配置されている。これにより、例えば、前述した第６実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。
また、凹部３３の側面は、第２基板３の厚さ方向すなわちＺ軸方向に対して傾斜した傾斜面３３２であり、この傾斜面３３２によって底面３３１と上面３１とが緩やかに接続されている。また、サーミスタ素子６１と電気的に接続されている外部配線８１６、８２６は、それぞれ、底面３３１、傾斜面３３２および上面３１に配置されている。言い換えると、外部配線８１６、８２６は、底面３３１から傾斜面３３２を通って上面３１まで引き出されている。このように、凹部３３の側面を傾斜面３３２とすることにより、当該部分を通る外部配線８１６、８２６の断線を効果的に抑制することができる。
以上のような第７実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第８実施形態＞
図１８は、第８実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１８は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図１８は、第８実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１８は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、機能素子６の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第８実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１８に示す振動デバイス１では、機能素子６は、コンデンサ６２である。コンデンサ６２は、薄膜コンデンサであり、上部電極６２１と、下部電極６２２と、これら上部電極６２１と下部電極６２２との間に挟まれた機能層６０としての誘電体層６２３と、を有する。そして、上部電極６２１が内部配線８２１と電気的に接続されており、下部電極６２２が内部配線８１１と電気的に接続されている。
このような第８実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第９実施形態＞
図１９は、第９実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１９は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図１９は、第９実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図１９は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、機能素子６の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第９実施形態の振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１９では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
図１９に示す振動デバイス１では、機能素子６は、インダクタ６３である。インダクタ６３は、第１基板２の上面２１に配置され、内部配線８１１、８２１と電気的に接続されている機能層６０としての配線パターン６３１を有する。
このような第９実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第１０実施形態＞
図２０は、第１０実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図２０は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
図２０は、第１０実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。なお、図２０は、図４中のＣ－Ｃ線断面に相当する断面図である。
本実施形態に係る振動デバイス１は、機能素子６の構成が異なること以外は、前述した
第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第１０実施形態の
振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に
関してはその説明を省略する。また、図２０では、前述した実施形態と同様の構成につい
て、同一符号を付している。
第１実施形態の振動デバイス１と同様である。なお、以下の説明では、第１０実施形態の
振動デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に
関してはその説明を省略する。また、図２０では、前述した実施形態と同様の構成につい
て、同一符号を付している。
図２０に示す振動デバイス１では、機能素子６は、ヒーター素子６４である。ヒーター素子６４は、第１基板２の上面２１に配置され、内部配線８１１、８２１と電気的に接続されている機能層６０としてのヒーター膜６４１を有する。このようなヒーター膜６４１は、電流を流すとジュール熱で発熱し易い材料、すなわち抵抗加熱に適した材料で構成されており、このような材料としては、例えば、タンタルアルミニウム合金薄膜が挙げられる。
このような構成の振動デバイス１は、ヒーター制御回路と、発振回路とを備えた恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ）に適用することができる。具体的には、ヒーター素子６４をヒーター制御回路と電気的に接続し、振動素子４０を発振回路に接続することにより、小型のＯＣＸＯを提供することができる。
このような第１０実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第１１実施形態＞
図２１は、第１１実施形態に係る電子機器の回路構成を示すブロック図である。
図２１は、第１１実施形態に係る電子機器の回路構成を示すブロック図である。
図２１に示すように、電子機器１０は、振動デバイス１と、振動デバイス１と電気的に接続された回路９と、を有する。また、回路９は、振動素子４０を発振させる発振回路９１と、機能素子６としてのサーミスタ素子６１が出力するアナログ信号（温度情報）をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーター９２と、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号が入力される演算回路９３と、を備える。また、演算回路９３は、温度補償回路９３１を備え、温度補償回路９３１は、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号に基づいて周波数制御信号を生成し、発振回路９１に出力する。発振回路９１は、この周波数制御信号に基づいて温度補償周波数信号を生成して出力する。
電子機器１０は、発振器として用いられ、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェットプリンタ、テレビ、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に内蔵することができる。
以上のように、電子機器１０は、振動デバイス１と、振動素子４０を発振させる発振回路９１と、機能素子６が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーター９２と、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号が入力される演算回路９３と、を備える。これにより、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、信頼性の高い電子機器１０となる。
なお、電子機器１０の構成としては特に限定されない。例えば、演算回路９３は、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号に基づいて周波数制御信号を生成し、発振回路９１に出力する構成となっていなくてもよい。すなわち、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号を周波数補償のために用いなくてもよい。
＜第１２実施形態＞
図２２は、第１２実施形態に係る移動体の回路構成を示すブロック図である。
図２２は、第１２実施形態に係る移動体の回路構成を示すブロック図である。
図２２に示す移動体としての自動車１００は、振動デバイス１と、振動デバイス１と電気的に接続された回路９と、を有する。また、回路９は、振動素子４０を発振させる発振回路９１と、機能素子６としてのサーミスタ素子６１が出力するアナログ信号（温度情報）をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーター９２と、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号が入力される演算回路９３と、を備える。また、演算回路９３は、温度補償回路９３１を備え、温度補償回路９３１は、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号に基づいて周波数制御信号を生成し、発振回路９１に出力する。発振回路９１は、この周波数制御信号に基づいて温度補償周波数信号を生成して出力する。
電子機器１０は、発振器として用いられ、例えば、自動車１００に内蔵されたキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）の制御に用いられる。
以上のように、移動体としての自動車１００は、振動デバイス１と、振動素子４０を発振させる発振回路９１と、機能素子６が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーター９２と、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号が入力される演算回路９３と、を備える。これにより、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、信頼性の高い自動車１００となる。
なお、自動車１００の構成としては特に限定されない。例えば、演算回路９３は、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号に基づいて周波数制御信号を生成し、発振回路９１に出力する構成となっていなくてもよい。すなわち、Ａ／Ｄコンバーター９２が出力するデジタル信号を周波数補償のために用いなくてもよい。また、移動体としては、自動車１００に限定されず、例えば、飛行機、船舶、ＡＧＶ（無人搬送車）、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
以上、本適用例にかかる振動デバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本適用例はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本適用例に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本適用例は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成を組み合わせたものであってもよい。
１…振動デバイス、１０…電子機器、１００…自動車、２…第１基板、２１…上面、２２…下面、２３…凹部、２３１…底面、２３２…傾斜面、２４…凹部、２４１…底面、２４２…傾斜面、３…第２基板、３１…上面、３２…下面、３３…凹部、３３１…底面、３３２…傾斜面、４…中間基板、４０…振動素子、４１…枠部、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ…延在部、４２…振動部、４３、４４…連結部、４６…下面、４７…上面、５…電極、５１…第１励振電極、５２…第２励振電極、５３…第１引出電極、５３１…配線、５３２…接続端子、５３３…貫通電極、５４…第２引出電極、５４１…配線、５４２…接続端子、５４３…貫通電極、６…機能素子、６０…機能層、６１…サーミスタ素子、６１１…サーミスタ薄膜、６１２…パッシベーション膜、６２…コンデンサ、６２１…上部電極、６２２…下部電極、６２３…誘電体層、６３…インダクタ、６３１…配線パターン、６４…ヒーター素子、６４１…ヒーター膜、７…振動素子用配線、７１…第１振動素子用配線、７１１…内部配線、７１１ａ…部分、７１２…外部端子、７１３…貫通電極、７１６…外部配線、７１７…貫通電極、７２…第２振動素子用配線、７２１…内部配線、７２１ａ…部分、７２２…外部端子、７２３…貫通電極、７２６…外部配線、７２７…貫通電極、８…機能素子用配線、８１…第１機能素子用配線、８１１…内部配線、８１１ａ…部分、８１２…外部端子、８１３…貫通電極、８１４…外部配線、８１５…貫通電極、８１６…外部配線、８１７…貫通電極、８２…第２機能素子用配線、８２１…内部配線、８２２…外部端子、８２３…貫通電極、８２４…外部配線、８２５…貫通電極、８２６…外部配線、８２７…貫通電極、９…回路、９１…発振回路、９２…Ａ／Ｄコンバーター、９３…演算回路、９３１…温度補償回路、Ｂ１…第１接合部材、Ｂ２…第２接合部材、Ｓ…内部空間、θ…角度
Claims (6)
- 第１面および前記第１面と反対側の第２面を有する枠部および振動素子を含み、水晶により構成される中間基板と、
前記枠部の前記第１面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第１基板と、
前記枠部の前記第２面に接合され、水晶またはガラスにより構成される第２基板と、
前記第１基板の前記振動素子側の第３面に配置されている薄膜サーミスタ素子と、
前記第３面に配置され、前記薄膜サーミスタ素子と電気的に接続されている薄膜サーミスタ素子用配線と、
前記第１基板の前記第３面とは反対側の第４面に配置されている第１外部端子と、
前記第１基板の前記第３面から前記第４面に貫通しており、前記薄膜サーミスタ素子用配線と前記第１外部端子とを接続している第１貫通電極と、
を備え、
前記第１基板の厚さ方向からの平面視で、前記薄膜サーミスタ素子は、前記振動素子と重なっている部分を有し、
前記薄膜サーミスタ素子用配線および前記第１貫通電極は、前記平面視で、前記第１基板と前記枠部との接合部よりも内側に配置されていることを特徴とする振動デバイス。 - 前記第１基板は、前記第３面に開口する凹部を有し、
前記凹部の底面に前記薄膜サーミスタ素子が配置されている請求項１に記載の振動デバイス。 - 前記凹部の側面は、前記第１基板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面であり、
前記薄膜サーミスタ素子用配線は、前記底面、前記傾斜面および前記第３面に配置されている請求項２に記載の振動デバイス。 - 前記第３面に配置され、前記振動素子と電気的に接続されている振動素子用配線と、
前記第１基板の前記第４面に配置されている第２外部端子と、
前記第１基板の前記第３面から前記第４面に貫通しており、前記振動素子用配線と前記第２外部端子とを接続している第２貫通電極と、
を有し、
前記振動素子用配線および前記第２貫通電極は、前記第１基板と前記枠部との接合部よりも内側に配置されている請求項１に記載の振動デバイス。 - 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイスと、
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記薄膜サーミスタ素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする電子機器。 - 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイスと、
前記振動素子を発振させる発振回路と、
前記薄膜サーミスタ素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーターと、
前記デジタル信号が入力される演算回路と、を備えることを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019096738A JP7434724B2 (ja) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
| CN202010434310.XA CN111988009B (zh) | 2019-05-23 | 2020-05-21 | 振动器件、电子设备以及移动体 |
| US16/881,082 US11289246B2 (en) | 2019-05-23 | 2020-05-22 | Vibrator device, electronic apparatus, and vehicle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019096738A JP7434724B2 (ja) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020191574A JP2020191574A (ja) | 2020-11-26 |
| JP2020191574A5 JP2020191574A5 (ja) | 2022-04-20 |
| JP7434724B2 true JP7434724B2 (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=73441817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019096738A Active JP7434724B2 (ja) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11289246B2 (ja) |
| JP (1) | JP7434724B2 (ja) |
| CN (1) | CN111988009B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009021726A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
| JP2009060452A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Epson Toyocom Corp | 電子デバイス、圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
| JP2012235203A (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Seiko Npc Corp | 水晶発振器及びその組立方法 |
| JP2013098628A (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器 |
| JP2013143607A (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器 |
| JP2014222812A (ja) | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 発振デバイス |
| JP2016152478A (ja) | 2015-02-17 | 2016-08-22 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子、振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11289246B2 (en) | 2022-03-29 |
| CN111988009B (zh) | 2023-06-13 |
| JP2020191574A (ja) | 2020-11-26 |
| CN111988009A (zh) | 2020-11-24 |
| US20200373043A1 (en) | 2020-11-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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