CN111865259B - 振动器件、电子设备以及移动体 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及振动器件、电子设备以及移动体。振动器件具有：基座基板，其由硅构成，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；盖体，其与所述基座基板接合；振动元件，其配置于所述基座基板的所述第1面，并被收纳于所述基座基板与所述盖体之间；以及热敏电阻元件，其配置于所述基座基板。
Description
技术领域
本发明涉及振动器件、电子设备以及移动体。
背景技术
专利文献1所记载的振动器件具有：绝缘基板，其由陶瓷构成，具有在上表面开口的第1凹部和在下表面开口的第2凹部；振动元件，其设置于第1凹部的底面；电路元件，其设置于第2凹部的底面，具有温度传感器；盖体，其与绝缘基板的上表面接合，堵住第1凹部的开口；以及热传导部件，其使电路元件和盖体热连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-191484号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所记载的振动器件中，电路元件和振动元件以在中间夹着由热传导率较低的陶瓷构成的绝缘基板的方式配置，因此，电路元件与振动元件之间的热连接容易不充分，无法通过温度传感器高精度地检测振动元件的温度。
用于解决课题的手段
本应用例的振动器件具有：基座基板，其由硅构成，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；盖体，其与所述基座基板接合；振动元件，其配置于所述基座基板的所述第1面，并被收纳于所述基座基板与所述盖体之间；以及热敏电阻元件，其配置于所述基座基板。
本应用例的电子设备具有：上述振动器件；振荡电路，其使所述振动元件振荡；A/D转换器，其使所述热敏电阻元件输出的模拟信号成为数字信号；以及运算电路，其被输入所述A/D转换器输出的数字信号。
本应用例的移动体具有：上述振动器件；振荡电路，其使所述振动元件振荡；A/D转换器，其使所述热敏电阻元件输出的模拟信号成为数字信号；以及运算电路，其被输入所述A/D转换器输出的数字信号。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振动器件的俯视图。
图2是图1中的A-A线剖视图。
图3是图1中的B-B线剖视图。
图4是图1所示的振动器件所具有的基座的俯视图。
图5是图4中的C-C线剖视图。
图6是示出第2实施方式的振动器件的剖视图。
图7是示出第3实施方式的振动器件的剖视图。
图8是示出第4实施方式的振动器件的剖视图。
图9是示出第5实施方式的电子设备的电路结构的框图。
图10是示出第6实施方式的移动体的电路结构的框图。
标号说明
1：振动器件；10：电子设备；100：汽车；3：盖体；31：下表面；32：凹部；4：基座；41：基座基板；411：上表面；412：下表面；413、414：凹部；413a、414a：底面；413b、414b：倾斜面；415、416、417、418：贯通孔；42：绝缘层；43：电极；44：第1布线；441：内部电极；442：外部电极；443：贯通电极；45：第2布线；451：内部电极；452：外部电极；453：贯通电极；46：第3布线；461：内部电极；462：外部电极；463：贯通电极；47：第4布线；471：内部电极；472：外部电极；473：贯通电极；5：振动元件；51：振动基板；52：电极；521、522：激励电极；523、524：端子；525、526：布线；6：接合部件；7：热敏电阻元件；71：热敏电阻薄膜；72：钝化膜；9：电路；91：振荡电路；92：A/D转换器；93：运算电路；931：温度补偿电路；B1、B2：导电性接合部件；S：收纳空间。
具体实施方式
下面，根据附图所示的实施方式对本发明的一个方式的振动器件、电子设备以及移动体进行详细说明。
<第1实施方式>
图1是示出第1实施方式的振动器件的俯视图。图2是图1中的A-A线剖视图。图3是图1中的B-B线剖视图。图4是图1所示的振动器件所具有的基座的俯视图。图5是图4中的C-C线剖视图。另外，为了便于说明，在各图中将相互垂直的3个轴图示为X轴、Y轴和Z轴。此外，将Z轴的箭头前端侧也称为“上”，将基端侧也称为“下”。此外，将沿着基座基板的厚度方向即Z轴的俯视观察也简称为“俯视观察”。
图1所示的振动器件1具有基座4、设置于基座4的上表面的振动元件5、以收纳振动元件5的方式与基座4接合的盖体3、以及设置于基座4的热敏电阻元件7。
此外，如图2和图3所示，基座4具有板状的基座基板41、配置于基座基板41的表面的绝缘层42、以及配置于绝缘层42上的电极43。基座基板41具有作为第1面的上表面411以及作为与上表面411相反的一侧的第2面的下表面412。此外，基座基板41具有贯通上表面411以及下表面412的4个贯通孔415、416、417、418。
这样的基座基板41由硅构成。由此，能够通过半导体工艺形成振动器件1。因此，能够高精度地制造振动器件1，并且能够实现其小型化。此外，通过由硅构成，成为具有充分高的热传导率的基座基板41。因此，如后所述，能够经由基座4使振动元件5和热敏电阻元件7热连接。
绝缘层42覆盖基座基板41的除了上表面411的外缘部即与盖体3接合的接合部分以外的表面。这样的绝缘层42由氧化硅膜(SiO2膜)构成。作为绝缘层42的形成方法，没有特别限定，例如，可以通过对基座基板41的表面进行热氧化来形成，也可以通过使用TEOS(四乙氧基硅烷)的等离子体CVD形成。但是，作为绝缘层42，没有特别限定，例如也可以由聚酰亚胺等绝缘性的树脂材料构成，还可以由层叠了不同种类的材料而得到的复合体构成。
电极43设置于绝缘层42上。电极43具有与振动元件5电连接的第1布线44、第2布线45以及与热敏电阻元件7电连接的第3布线46、第4布线47。
第1布线44具有：内部电极441，其设置于基座基板41的上表面411；外部电极442，其设置于下表面412；以及贯通电极443，其配置于贯通孔415内，且将内部电极441和外部电极442电连接。同样，第2布线45具有：内部电极451，其设置于基座基板41的上表面411；外部电极452，其设置于下表面412；以及贯通电极453，其配置于贯通孔416内，且将内部电极451和外部电极452电连接。
第3布线46具有：内部电极461，其设置于基座基板41的上表面411；外部电极462，其设置于下表面412；以及贯通电极463，其配置于贯通孔417内，且将内部电极461和外部电极462电连接。同样，第4布线47具有：内部电极471，其设置于基座基板41的上表面411；外部电极472，其设置于下表面412；以及贯通电极473，其配置于贯通孔418内，且将内部电极471和外部电极472电连接。
另外，作为第1布线44～第4布线47的结构材料，没有特别限定，例如能够使用金(Au)、银(Ag)、白金(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、Ti(钛)、钨(W)等金属材料以及包含这些金属材料的合金。
盖体3呈箱状，具有在其下表面31开口的有底的凹部32。而且，盖体3在其下表面31处经由接合部件6与基座基板41的上表面411直接接合。在本实施方式中，在直接接合中，使用利用了金属彼此扩散的扩散接合来接合盖体3和基座基板41。但是，盖体3和基座4的接合方法没有特别限定，还能够使用阳极接合。
作为扩散接合以外的直接接合，能够应用表面活性化接合。在应用表面活性化接合的情况下，通过对盖体3的下表面31和基座基板41的上表面411照射Ar等惰性气体，使表面活性化，能够使被活性化的下表面31和上表面411贴合，从而进行接合。通过表面活性化接合法，能够在常温下接合盖体3和基座基板41，因此，在由盖体3和基座基板41构成的封装中很难残留有应力。此外，能够不借助粘接剂、金属膜等接合部件来对盖体3和基座基板41进行接合，因此，能够实现封装的薄型化。
这样的盖体3由硅构成。由此，能够使基座基板41和盖体3的材料一致，能够使它们的热膨胀系数差实质上为零。因此，抑制了由于热膨胀而引起的热应力，成为具有优异的振动特性的振动器件1。但是，作为盖体3的结构材料，没有特别限定，例如还能够使用硅以外的各种半导体材料、各种陶瓷、各种玻璃材料等。
在盖体3与基座4之间形成有收纳振动元件5的收纳空间S。该收纳空间S是气密的，成为减压状态，优选成为更接近真空的状态。由此，振动元件5的振动特性提高。但是，收纳空间S的氛围没有特别限定，例如可以是封入了氮或Ar等惰性气体的氛围，也可以不是减压状态而成为大气压状态或加压状态。
如图1所示，振动元件5具有振动基板51和配置于振动基板51的表面的电极52。振动基板51具有厚度剪切振动模式，在本实施方式中，由AT切石英基板形成。AT切石英基板具有三阶的频率温度特性，成为具有优异的温度特性的振动元件5。
电极52具有配置于振动基板51的上表面的激励电极521、以及隔着振动基板51与激励电极521对置地配置于下表面的激励电极522。此外，电极52具有：一对端子523、524，它们配置于振动基板51的下表面；布线525，其使端子523和激励电极521电连接；以及布线526，其使端子524和激励电极522电连接。
另外，振动元件5的结构不限于上述结构。例如，振动元件5可以成为被激励电极521、522夹着的振动区域从其周围突出的台面型，相反，也可以成为振动区域从其周围凹陷没入的倒台面型。此外，也可以实施对振动基板51的周围进行研削而对角部进行倒角的斜面加工、使上表面和下表面成为凸曲面的凸面加工。
此外，作为振动元件5，不限于以厚度剪切振动模式进行振动的振动元件，例如也可以是2个振动臂在面内方向上进行音叉振动的音叉型的振动元件。进而，作为振动元件5，也可以是具有进行驱动振动的驱动臂和进行检测振动的检测臂且检测角速度的陀螺仪传感器元件、或是具有检测加速度的检测部的加速度传感器元件。振动基板51不限于AT切石英基板，也可以是AT切石英基板以外的石英基板、例如X切石英基板、Y切石英基板、Z切石英基板、BT切石英基板、SC切石英基板、ST切石英基板等。此外，在本实施方式中，振动基板51由石英构成，但是不限于此，例如也可以由铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、硅酸镧镓、铌酸钾、磷酸镓等压电单晶体构成，还可以由它们以外的压电单晶体构成。进而，振动元件5不限于压电驱动型的振动元件，也可以是使用静电力的静电驱动型的振动元件。
如图1所示，这种振动元件5通过导电性接合部件B1、B2固定于基座4的上表面。此外，导电性接合部件B1将内部电极441和端子523电连接，导电性接合部件B2将内部电极461和端子524电连接。由此，第1布线44、第2布线45和振动元件5电连接。
作为导电性接合部件B1、B2，只要兼具导电性和接合性即可，没有特别限定，例如能够使用金凸块、银凸块、铜凸块、焊料凸块等各种金属凸块以及使银填料等导电性填料分散于聚酰亚胺系、环氧系、硅酮系、丙烯酸系的各种粘接剂中而得到的导电性粘接剂等。当使用前者的金属凸块作为导电性接合部件B1、B2时，能够抑制从导电性接合部件B1、B2产生气体，能够有效地抑制收纳空间S的环境变化特别是压力的上升。另一方面，当使用后者的导电性粘接剂作为导电性接合部件B1、B2时，导电性接合部件B1、B2比金属凸块柔软，在振动元件5中很难产生应力。
热敏电阻元件7作为检测振动元件5的温度的温度传感器发挥功能，如图4和图5所示，热敏电阻元件7设置于基座4。因此，热敏电阻元件7隔着基座4、导电性接合部件B1、B2与振动元件5热连接。这里，作为基座4的母体的基座基板41的结构材料为硅，硅的热传导率为170W/m·k左右。因此，基座4具有充分高的热传导率，能够使热敏电阻元件7和振动元件5更加高效地热连接。其结果，在热敏电阻元件7与振动元件5之间很难产生温度差，能够通过热敏电阻元件7更高精度地检测振动元件5的温度。
此外，热敏电阻元件7配置于基座基板41的上表面411侧即基座4的上表面，与内部电极461、471电连接。这样，通过将热敏电阻元件7配置于基座4的上表面，能够使热敏电阻元件7和振动元件5更加接近地配置。因此，能够通过热敏电阻元件7更高精度地检测振动元件5的温度。
此外，热敏电阻元件7具有在俯视观察时与振动元件5重叠的部分。即，在俯视观察时，热敏电阻元件7的全部或一部分与振动元件5重叠。由此，能够使热敏电阻元件7和振动元件5更加接近地配置。因此，能够通过热敏电阻元件7更高精度地检测振动元件5的温度。此外，能够抑制振动器件1沿着X轴和Y轴变宽，能够实现振动器件1的小型化。特别地，在本实施方式中，热敏电阻元件7的整个区域与振动元件5重叠，因此，能够更加显著地发挥上述效果。但是不限于此，也可以是热敏电阻元件7的一部分与振动元件5重叠，还可以是整个区域不与振动元件5重叠。
此外，如上所述，设置有贯通基座基板41的4个贯通电极443～473。这些贯通电极443～473由金属材料(包含合金)构成，具有比基座基板41高的热传导率。因此，通过将贯通电极443～473埋设于基座基板41内，基座4的热传导性进一步提高，在热敏电阻元件7与振动元件5之间更难产生温度差。因此，能够通过热敏电阻元件7更高精度地检测振动元件5的温度。
此外，如上所述，与振动元件5电连接的第1布线44、第2布线45以及与热敏电阻元件7电连接的第3布线46、第4布线47是相同的结构。即，第1布线44～第4布线47均由设置于上表面411的内部电极、设置于下表面412的外部电极以及连接它们的贯通电极构成。因此，在振动元件5和热敏电阻元件7中，外部的热的传导容易度大致相同。由此，不被环境温度影响，能够将振动元件5与热敏电阻元件7的温度差抑制为较小。
作为热敏电阻元件7，没有特别限定，但是，在本实施方式中使用薄膜热敏电阻元件。由此，能够实现热敏电阻元件7的小型化。如图5所示，这样的热敏电阻元件7具有与内部电极461、471重叠地设置在绝缘层42上的热敏电阻薄膜71、以及覆盖热敏电阻薄膜71的钝化膜72。
这样，热敏电阻薄膜71与接触于基座4的内部电极461、471的一部分重叠设置。内部电极461、471由金属构成，与基座4相接触地配置，因此，容易从基座4向内部电极461、471传导热。而且，热敏电阻薄膜71与内部电极461、471的一部分重叠设置，因此，容易从内部电极461、471向热敏电阻薄膜71传导热。其结果，能够将热敏电阻薄膜71与配置于基座4的振动元件5之间的温度差抑制为较小。
此外，热敏电阻薄膜71的一部分与基座4相接触地配置，因此，容易从基座4向热敏电阻薄膜71传导热，其结果，能够将热敏电阻薄膜71与配置于基座4的振动元件5之间的温度差抑制为较小。
此外，热敏电阻薄膜71例如是由在Mn-Co系复合金属氧化物中包含镍(Ni)、铁(Fe)、铜(Cu)中的至少一种的复合金属氧化物构成的复合金属氧化物膜，具有尖晶石型晶体构造。另一方面，钝化膜72例如由氧化硅膜(SiO2)构成。但是，热敏电阻薄膜71和钝化膜72的结构材料没有特别限定。
以上说明了振动器件1。如上所述，这样的振动器件1具有：基座基板41，其由硅构成，具有作为第1面的上表面411和作为与上表面411相反的一侧的第2面的下表面412；盖体3，其与基座基板41接合；振动元件5，其配置于基座基板41的上表面411，且收纳于基座基板41与盖体3之间；以及热敏电阻元件7，其配置于基座基板41。由此，能够使热敏电阻元件7和振动元件5经由基座基板41热连接。基座基板41的结构材料为硅，硅的热传导率为170W/m·k左右，充分高，因此，能够将热敏电阻元件7和振动元件5更加高效地热连接。其结果，在热敏电阻元件7与振动元件5之间很难产生温度差，能够通过热敏电阻元件7高精度地检测振动元件5的温度。
此外，如上所述，热敏电阻元件7配置于基座基板41的上表面411。由此，能够使热敏电阻元件7和振动元件5更加接近地配置。因此，能够通过热敏电阻元件7高精度地检测振动元件5的温度。
此外，如上所述，热敏电阻元件7具有在从基座基板41的厚度方向俯视观察时与振动元件5重叠的部分。由此，能够更加接近地配置热敏电阻元件7和振动元件5。因此，能够通过热敏电阻元件7高精度地检测振动元件5的温度。
<第2实施方式>
图6是示出第2实施方式的振动器件的剖视图。另外，图6是与图4中的C-C线截面相当的剖视图。
除了基座基板41的结构不同以外，本实施方式的振动器件1与所述第1实施方式的振动器件1相同。另外，在以下的说明中，关于第2实施方式的振动器件1，以与所述第1实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。此外，在图6中，对与所述实施方式相同的结构标注相同标号。
如图6所示，基座基板41具有在其上表面411开口的凹部413。而且，在该凹部413的底面413a设置有热敏电阻元件7。由此，例如，与所述第1实施方式相比，能够实现振动器件1的薄型化。
此外，凹部413的侧面是相对于基座基板41的厚度方向即Z轴倾斜的倾斜面413b，通过该倾斜面413b平缓地连接底面413a和上表面411。此外，与热敏电阻元件7电连接的内部电极461、471分别遍及底面413a、倾斜面413b和上表面411地设置。换言之，内部电极461、471从底面413a通过倾斜面413b引出到上表面411。这样，通过将凹部413的侧面设为倾斜面413b，能够有效地抑制通过该部分的内部电极461、471的断线。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，基座基板41具有在第1面即上表面411开口的凹部413，在凹部413的底面413a配置有热敏电阻元件7。由此，例如，与所述第1实施方式相比，能够实现振动器件1的薄型化。
此外，如上所述，振动器件1具有作为与热敏电阻元件7电连接的布线的内部电极461、471。此外，凹部413的侧面是相对于基座基板41的厚度方向倾斜的倾斜面413b。而且，内部电极461、471配置于底面413a、倾斜面413b和第1面即上表面411。这样，通过将凹部413的侧面设为倾斜面413b，能够有效地抑制内部电极461、471的断线。
通过以上这样的第2实施方式，也能够发挥与所述第1实施方式相同的效果。
<第3实施方式>
图7是示出第3实施方式的振动器件的剖视图。另外，图7是与图4中的C-C线截面相当的剖视图。
除了热敏电阻元件7的配置不同以外，本实施方式的振动器件1与所述第1实施方式的振动器件1相同。另外，在以下的说明中，关于第3实施方式的振动器件1，以与所述第1实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。此外，在图7中，对与所述实施方式相同的结构标注相同标号。
如图7所示，热敏电阻元件7配置于基座基板41的下表面412。通过这样的结构，也能够使热敏电阻元件7和振动元件5经由基座基板41热连接。因此，在热敏电阻元件7与振动元件5之间很难产生温度差，能够通过热敏电阻元件7高精度地检测振动元件5的温度。
通过以上这样的第3实施方式，也能够发挥与所述第1实施方式相同的效果。
<第4实施方式>
图8是示出第4实施方式的振动器件的剖视图。另外，图8是与图4中的C-C线截面相当的剖视图。
除了基座基板41的结构不同以外，本实施方式的振动器件1与所述第3实施方式的振动器件1相同。另外，在以下的说明中，关于第4实施方式的振动器件1，以与所述第3实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。此外，在图8中，对与所述实施方式相同的结构标注相同标号。
如图8所示，基座基板41具有在其下表面412开口的凹部414。而且，在该凹部414的底面414a设置有热敏电阻元件7。由此，例如，与所述第1实施方式相比，能够实现振动器件1的薄型化。另外，与这样的配置相匹配地，省略内部电极461、471和贯通电极463、473，外部电极462、472自第3布线46、第4布线47与热敏电阻元件7电连接。
此外，凹部414的侧面是相对于基座基板41的厚度方向即Z轴倾斜的倾斜面414b，通过该倾斜面414b平缓地连接底面414a和下表面412。此外，与热敏电阻元件7电连接的外部电极462、472分别设置于底面414a、倾斜面414b和下表面412。换言之，外部电极462、472从底面414a通过倾斜面414b引出到下表面412。这样，通过将凹部414的侧面设为倾斜面414b，能够有效地抑制通过该部分的外部电极462、472的断线。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，基座基板41具有在第2面即下表面412开口的凹部414，在凹部414的底面414a配置有热敏电阻元件7。由此，例如，与所述第3实施方式相比，能够实现振动器件1的薄型化。
此外，如上所述，振动器件1具有作为与热敏电阻元件7电连接的布线的外部电极462、472。此外，凹部414的侧面是相对于基座基板41的厚度方向倾斜的倾斜面414b。而且，外部电极462、472配置于底面414a、倾斜面414b以及第2面即下表面412。这样，通过将凹部414的侧面设为倾斜面414b，能够有效地抑制外部电极462、472的断线。
通过以上这样的第4实施方式，也能够发挥与所述第1实施方式相同的效果。
<第5实施方式>
图9是示出第5实施方式的电子设备的电路结构的框图。
如图9所示，电子设备10具有振动器件1以及与振动器件1电连接的电路9。此外，电路9具有使振动元件5振荡的振荡电路91、使热敏电阻元件7输出的模拟信号(温度信息)成为数字信号的A/D转换器92、以及被输入A/D转换器92输出的数字信号的运算电路93。此外，运算电路93具有温度补偿电路931，温度补偿电路931根据A/D转换器92输出的数字信号生成频率控制信号，并将该频率控制信号输出到振荡电路91。振荡电路91根据该频率控制信号生成温度补偿频率信号并输出。
电子设备10被用作振荡器，例如能够内置于个人计算机、数字静态照相机、智能手机、平板终端、时钟、喷墨打印机、电视、HMD(头戴显示器)、摄像机、汽车导航装置、寻呼机、电子辞典、计算器、电子游戏设备、工作站、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、移动体终端基站用设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、网络服务器等。
如上所述，电子设备10具有振动器件1、使振动元件5振荡的振荡电路91、使热敏电阻元件7输出的模拟信号成为数字信号的A/D转换器92、以及被输入A/D转换器92输出的数字信号的运算电路93。由此，能够享受所述振动器件1的效果，成为可靠性较高的电子设备10。
另外，作为电子设备10的结构，没有特别限定。例如，运算电路93也可以不构成为根据A/D转换器92输出的数字信号生成频率控制信号并将其输出到振荡电路91的结构。即，也可以不将A/D转换器92输出的数字信号用于频率补偿。
<第6实施方式>
图10是示出第6实施方式的移动体的电路结构的框图。
图10所示的作为移动体的汽车100具有振动器件1、以及与振动器件1电连接的电路9。此外，电路9具有使振动元件5振荡的振荡电路91、使热敏电阻元件7输出的模拟信号(温度信息)成为数字信号的A/D转换器92、以及被输入A/D转换器92输出的数字信号的运算电路93。此外，运算电路93具有温度补偿电路931，温度补偿电路931根据A/D转换器92输出的数字信号生成频率控制信号，并将该频率控制信号输出到振荡电路91。振荡电路91根据该频率控制信号生成温度补偿频率信号并输出。
振动器件1被用作振荡器，例如用于内置于汽车100的无钥匙进入、防盗控制系统、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监视系统(TPMS：TirePressure Monitoring System)、发动机控制、混合动力汽车或电动汽车的电池监视器、车体姿态控制系统等电子控制单元(ECU：electronic control unit)的控制。
如上所述，作为移动体的汽车100具有振动器件1、使振动元件5振荡的振荡电路91、使热敏电阻元件7输出的模拟信号成为数字信号的A/D转换器92、以及被输入A/D转换器92输出的数字信号的运算电路93。由此，能够享受所述振动器件1的效果，成为可靠性较高的汽车100。
另外，作为汽车100的结构，没有特别限定。例如，运算电路93也可以不构成为根据A/D转换器92输出的数字信号生成频率控制信号并将其输出到振荡电路91的结构。即，也可以不将A/D转换器92输出的数字信号用于频率补偿。此外，作为移动体，不限于汽车100，例如还能够应用于飞机、船舶、AGV(无人搬运车)、双足步行机器人、无人机等无人飞行器等。
以上根据图示的实施方式说明了本应用例的振动器件、电子设备以及移动体，但是，本应用例不限于此，各部的结构能够置换为具有相同功能的任意的结构。此外，也可以对本应用例附加其他任意的结构物。此外，本应用例也可以组合所述各实施方式中的任意2个以上的结构。
Claims (7)
1.一种振动器件，其具有：
基座基板，其由硅构成，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；
盖体，其与所述基座基板接合；
振动元件，其配置于所述基座基板的所述第1面，被收纳于所述基座基板与所述盖体之间；以及
热敏电阻元件，其配置于所述基座基板，
所述基座基板具有在所述第1面开口的凹部，
在所述凹部的底面配置有所述热敏电阻元件，
所述振动器件具有与所述热敏电阻元件电连接的布线，
所述凹部的侧面是相对于所述基座基板的厚度方向倾斜的倾斜面，
所述布线配置于所述底面、所述倾斜面以及所述第1面。
2.根据权利要求1所述的振动器件，其中，
所述热敏电阻元件配置于所述基座基板的所述第1面。
3.根据权利要求2所述的振动器件，其中，
所述热敏电阻元件具有在俯视观察时与所述振动元件重叠的部分。
4.一种振动器件，其具有：
基座基板，其由硅构成，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；
盖体，其与所述基座基板接合；
振动元件，其配置于所述基座基板的所述第1面，被收纳于所述基座基板与所述盖体之间；以及
热敏电阻元件，其配置于所述基座基板，
所述基座基板具有在所述第2面开口的凹部，
在所述凹部的底面配置有所述热敏电阻元件，
所述振动器件具有与所述热敏电阻元件电连接的布线，
所述凹部的侧面是相对于所述基座基板的厚度方向倾斜的倾斜面，
所述布线配置于所述底面、所述倾斜面以及所述第2面。
5.根据权利要求4所述的振动器件，其中，
所述热敏电阻元件配置于所述基座基板的所述第2面。
6.一种电子设备，其具有：
权利要求1～5中的任意一项所述的振动器件；
振荡电路，其使所述振动元件振荡；
A/D转换器，其使所述热敏电阻元件输出的模拟信号成为数字信号；以及
运算电路，其被输入所述A/D转换器输出的数字信号。
7.一种移动体，其具有：
权利要求1～5中的任意一项所述的振动器件；
振荡电路，其使所述振动元件振荡；
A/D转换器，其使所述热敏电阻元件输出的模拟信号成为数字信号；以及
运算电路，其被输入所述A/D转换器输出的数字信号。
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