JP7331376B2 - 発振器、電子機器および移動体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- -1 that is Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003237 Na0.5Bi0.5TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003378 NaNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- MUPJWXCPTRQOKY-UHFFFAOYSA-N sodium;niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Na+].[Nb+5] MUPJWXCPTRQOKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N sodium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Na+].[O-][Nb](=O)=O UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
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- H03H9/0533—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of wire
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- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
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Description
本発明は、発振器、電子機器および移動体に関するものである。
特許文献１には、外側パッケージと、外側パッケージに収容されている内側パッケージと、内側パッケージに収容されている振動片と、外側パッケージに収容されており、内側パッケージ上に配置されている回路素子と、を有する発振器が記載されている。また、特許文献１の発振器では、回路素子に温度センサーが含まれており、温度センサーが検出する温度に基づいて出力信号の周波数を補正する。
しかしながら、特許文献１の発振器では、温度センサーを含む回路素子が振動片を収容する内側パッケージの外側に位置しているため、温度センサーと振動片との温度差が生じ易く、出力信号の補正を高い精度で行うことが困難となる。そのため、出力信号の周波数精度が低下するおそれがあった。
本発明の適用例に係る発振器は、第１容器と、
前記第１容器に収容されている第２容器と、
前記第２容器に収容されている振動片と、
前記第２容器に収容されている温度センサーと、
前記第２容器に収容されており、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容されており、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されていることを特徴とする。
前記第１容器に収容されている第２容器と、
前記第２容器に収容されている振動片と、
前記第２容器に収容されている温度センサーと、
前記第２容器に収容されており、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容されており、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されていることを特徴とする。
本発明の適用例に係る発振器では、前記第１容器は、第１ベース基板および前記第１ベース基板に接合されている第１リッドを含み、前記第２容器および前記第２回路素子が収容されている内部空間を有し、
前記第２回路素子は、前記第１ベース基板に搭載され、
前記第２容器は、前記第２回路素子に搭載されていることが好ましい。
前記第２回路素子は、前記第１ベース基板に搭載され、
前記第２容器は、前記第２回路素子に搭載されていることが好ましい。
本発明の適用例に係る発振器では、前記第２容器は、絶縁性接合部材を介して前記第２回路素子に接合され、
前記第２回路素子は、導電性接合部材を介して前記第１ベース基板に接合されていることが好ましい。
前記第２回路素子は、導電性接合部材を介して前記第１ベース基板に接合されていることが好ましい。
本発明の適用例に係る発振器では、前記第２容器は、前記温度センサーの出力電圧が出力される温度出力端子を有し、
前記温度出力端子は、前記周波数制御回路に電気的に接続されていることが好ましい。
前記温度出力端子は、前記周波数制御回路に電気的に接続されていることが好ましい。
本発明の適用例に係る発振器では、前記周波数制御回路は、インダクターを含み、
平面視で、前記第２容器は、前記インダクターと重なっていないことが好ましい。
平面視で、前記第２容器は、前記インダクターと重なっていないことが好ましい。
本発明の適用例に係る発振器では、前記第２容器は、前記発振回路に供給される電源電圧が印加される電源端子を有し、
前記第１容器に収容され、前記電源端子に接続されているバイパスコンデンサーを備えていることが好ましい。
前記第１容器に収容され、前記電源端子に接続されているバイパスコンデンサーを備えていることが好ましい。
本発明の適用例に係る発振器は、第１容器と、
前記第１容器に収容され、ベース基板および前記ベース基板の一方の主面側に接合されているリッドを含み、内部空間を有する第２容器と、
前記内部空間に収容され、前記ベース基板の前記一方の主面側に配置されている振動片と、
前記ベース基板の他方の主面側に配置されている温度センサーと、
前記ベース基板の他方の主面側に配置され、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されていることを特徴とする。
前記第１容器に収容され、ベース基板および前記ベース基板の一方の主面側に接合されているリッドを含み、内部空間を有する第２容器と、
前記内部空間に収容され、前記ベース基板の前記一方の主面側に配置されている振動片と、
前記ベース基板の他方の主面側に配置されている温度センサーと、
前記ベース基板の他方の主面側に配置され、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されていることを特徴とする。
本発明の適用例に係る電子機器は、上述の発振器と、
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする。
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする。
本発明の適用例に係る移動体は、上述の発振器と、
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする。
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする。
以下、本発明の発振器、電子機器および移動体の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の発振器を示す断面図である。図２は、図１の発振器を示す平面図である。図３は、図１の発振器が有する温度補償型水晶発振器を下側から見た平面図である。図４は、図１の発振器が有する第２回路素子の回路図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。また、以下では、Ｚ軸方向プラス側を「上」とも言い、Ｚ軸方向マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
図１は、第１実施形態の発振器を示す断面図である。図２は、図１の発振器を示す平面図である。図３は、図１の発振器が有する温度補償型水晶発振器を下側から見た平面図である。図４は、図１の発振器が有する第２回路素子の回路図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。また、以下では、Ｚ軸方向プラス側を「上」とも言い、Ｚ軸方向マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
図１に示す発振器１は、外側パッケージ２と、外側パッケージ２に収容されている温度補償型水晶発振器３（ＴＣＸＯ）、第２回路素子４およびディスクリート部品８１、８２と、を有する。また、温度補償型水晶発振器３は、内側パッケージ５と、内側パッケージ５に収容されている振動片６および第１回路素子７と、を有する。
外側パッケージ２は、上面に開口する凹部２１１を備える第１ベース基板２１と、凹部２１１の開口を塞ぐように第１ベース基板２１の上面に接合部材２３を介して接合されている第１リッド２２と、を有する。外側パッケージ２の内側には凹部２１１によって気密な内部空間Ｓ２が形成され、内部空間Ｓ２に温度補償型水晶発振器３および第１回路素子７が収容されている。なお、特に限定されないが、第１ベース基板２１は、アルミナ等のセラミックスで構成することができ、第１リッド２２は、コバール等の金属材料で構成することができる。
また、凹部２１１は、複数の凹部で構成され、図示の構成では、第１ベース基板２１の上面に開口する凹部２１１ａと、凹部２１１ａの底面に開口し、凹部２１１ａよりも開口が小さい凹部２１１ｂと、凹部２１１ｂの底面に開口し、凹部２１１ｂよりも開口が小さい凹部２１１ｃと、を有する。ただし、凹部２１１の構成は、特に限定されない。
そして、凹部２１１ｂの底面に導電性接合部材Ｂ２を介して第２回路素子４が搭載すなわち固定され、第２回路素子４の上面に絶縁性接合部材Ｂ１を介して温度補償型水晶発振器３が搭載すなわち固定されている。つまり、第２回路素子４と温度補償型水晶発振器３とが積層されている、換言すれば、第２回路素子４と温度補償型水晶発振器３とが重ねて配置されている。このような構成によれば、温度補償型水晶発振器３が第２回路素子４を介して第１ベース基板２１に固定されるため、外側パッケージ２が受けた衝撃や応力、外側パッケージ２内の残留応力等が第２回路素子４によって吸収、緩和されて内側パッケージ５まで伝わり難くなる。そのため、温度補償型水晶発振器３の駆動がより安定する。
また、凹部２１１ｃの底面には、単体の回路部品である２つのディスクリート部品８１、８２が固定されている。このような配置によれば、第２回路素子４、温度補償型水晶発振器３および各ディスクリート部品８１、８２を外側パッケージ２内においてＺ軸方向すなわち発振器１の高さ方向に重ねて配置することができる。そのため、第２回路素子４、温度補償型水晶発振器３および各ディスクリート部品８１、８２を外側パッケージ２内においてコンパクトに収容することができ、発振器１の小型化を図ることができる。特に、第２回路素子４に温度補償型水晶発振器３を搭載することにより、これらの隙間が実質的になくなり、その分、外側パッケージ２の低背化を図ることができる。
特に、本実施形態では、図２に示すように、平面視で、各ディスクリート部品８１、８２は、その全域が温度補償型水晶発振器３と重なり、温度補償型水晶発振器３は、その全域が第２回路素子４と重なっている。これにより、各ディスクリート部品８１、８２、温度補償型水晶発振器３および第２回路素子４のＸ軸方向およびＹ軸方向へのずれが抑制され、外側パッケージ２のＸ軸方向およびＹ軸方向への広がりを抑制することができ、発振器１のさらなる小型化を図ることができる。ただし、これに限定されず、Ｚ軸方向からの平面視で、ディスクリート部品８１、８２の一部が温度補償型水晶発振器３の外縁から外側にはみ出していてもよいし、温度補償型水晶発振器３の一部が第２回路素子４の外縁から外側にはみ出していてもよい。
また、図１に示すように、凹部２１１ａの底面には複数の内部端子２４１が配置されており、第１ベース基板２１の下面には複数の外部端子２４３が配置されている。これら内部端子２４１および外部端子２４３は、第１ベース基板２１内に形成されている図示しない配線を介して電気的に接続されている。また、複数の内部端子２４１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷ１を介して第２回路素子４の端子４ａと電気的に接続されている。
内部空間Ｓ２の雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換され、大気圧に対して減圧された減圧状態、特に真空状態であることが好ましい。これにより、外側パッケージ２の断熱性が高まり、外部の温度の影響を受け難い発振器１となる。
なお、内部空間Ｓ２の雰囲気としては、これに限定されず、例えば、大気圧状態であってもよいし、加圧状態であってもよい。また、内部空間Ｓ２は、窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換されておらず、大気すなわち空気で満たされていてもよい。また、内部空間Ｓ２は、気密でなく、外側パッケージ２の外部と連通していてもよい。
図１に示すように、温度補償型水晶発振器３は、内側パッケージ５と、内側パッケージ５に収容されている振動片６および第１回路素子７と、を有する。また、内側パッケージ５は、下面に開口する凹部５１１を備える第２ベース基板５１と、凹部５１１の開口を塞ぐように第２ベース基板５１の下面に接合部材５３を介して接合されている第２リッド５２と、を有する。内側パッケージ５には凹部５１１によって気密な内部空間Ｓ５が形成され、内部空間Ｓ５に振動片６および第１回路素子７が収容されている。なお、特に限定されないが、第２ベース基板５１は、アルミナ等のセラミックスで構成することができ、第２リッド５２は、コバール等の金属材料で構成することができる。
また、凹部５１１は、複数の凹部によって構成され、図示の構成では、第２ベース基板５１の下面に開口する凹部５１１ａと、凹部５１１ａの底面に開口し、凹部５１１ａよりも開口が小さい凹部５１１ｂと、凹部５１１ｂの底面に開口し、凹部５１１ｂよりも開口が小さい凹部５１１ｃと、凹部５１１ｃの底面に開口し、凹部５１１ｃよりも開口が小さい凹部５１１ｄと、を有する。ただし、凹部５１１の構成は、特に限定されない。
そして、凹部５１１ｂの底面に振動片６が固定され、凹部５１１ｄの底面に第１回路素子７が固定されている。このような配置によれば、振動片６および第１回路素子７を内側パッケージ５内においてＺ軸方向すなわち発振器１の高さ方向に重ねて配置することができる。そのため、これらを内側パッケージ５内においてコンパクトに収容することができ、温度補償型水晶発振器３の小型化、発振器１の小型化を図ることができる。なお、振動片６の配置は、これに限定されず、例えば、第１回路素子７の下面に固定されていてもよい。
また、凹部５１１ａの底面には複数の内部端子５４１が配置され、凹部５１１ｃの底面には複数の内部端子５４２が配置され、第２ベース基板５１の上面には複数の外部端子５４３が配置されている。これら内部端子５４１、５４２および外部端子５４３は、第２ベース基板５１内に形成されている図示しない配線を介して電気的に接続されている。また、複数の内部端子５４１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷ２を介して振動片６と電気的に接続され、複数の内部端子５４２は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷ３を介して第１回路素子７と電気的に接続されている。また、複数の外部端子５４３は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷ４を介して第２回路素子４と電気的に接続されている。ただし、これらの電気的な接続方法は、それぞれ、特に限定されない。
内部空間Ｓ５の雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換され、大気圧に対して減圧された減圧状態、特に真空状態であることが好ましい。これにより、粘性抵抗が減り、振動片６を効率よく振動させることができる。また、内側パッケージ５の断熱性が高まり、外部の温度の影響を受け難い温度補償型水晶発振器３となる。ただし、内部空間Ｓ５の雰囲気としては、これに限定されず、大気圧状態、加圧状態であってもよい。これにより、内部空間Ｓ５内に対流による熱移動が生じ易くなり、振動片６と後述する温度センサー７１との温度差をより小さくすることができ、温度センサー７１による振動片６の温度検知の精度が高まる。また、内部空間Ｓ５は、窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換されておらず、大気すなわち空気で満たされていてもよい。また、内部空間Ｓ５は、気密でなく、内部空間Ｓ２と連通していてもよい。
振動片６は、ＡＴカット水晶振動片である。ＡＴカット水晶振動片は、三次の周波数温度特性を有するため、周波数安定性に優れている。図３に示すように、振動片６は、ＡＴカットで切り出された矩形の水晶基板６０と、水晶基板６０の表面に配置されている電極６１と、を有する。また、電極６１は、水晶基板６０の下面に配置されている第１励振電極６２１と、水晶基板６０の上面に配置され、水晶基板６０を介して第１励振電極６２１と対向している第２励振電極６３１と、を有する。また、電極６１は、水晶基板６０の下面であって、その縁部に並んで配置されている第１パッド電極６２２および第２パッド電極６３２と、第１励振電極６２１と第１パッド電極６２２とを電気的に接続する第１引出電極６２３と、第２励振電極６３１と第２パッド電極６３２とを電気的に接続する第２引出電極６３３と、を有する。
このような振動片６は、その一端部において接合部材Ｂ３を介して凹部５１１ｂの底面に接合されている。そして、第１パッド電極６２２および第２パッド電極６３２がそれぞれボンディングワイヤーＢＷ２を介して内部端子５４１と電気的に接続されている。なお、第１パッド電極６２２および第２パッド電極６３２は、ボンディングワイヤーを介してではなく、それぞれが導電性接着剤を介して内側パッケージ５と電気的に接続されていてもよい。また、接合部材Ｂ３としては、特に限定されず、例えば、金属バンプ、半田、ろう材、金属ペースト、導電性樹脂接着剤に代表される導電性接合部材であってもよいし、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系等の各種樹脂接着剤に代表される絶縁性接合部材であってもよいが、導電性接合部材であることが好ましい。
導電性接合部材は、金属材料を含んでいるため、樹脂接着剤に代表される金属材料を含まない絶縁性接合部材と比べて熱伝導率が高い。そのため、接合部材Ｂ３および第２ベース基板５１を介して振動片６と第１回路素子７とが熱的に結合し易く、これらの間の温度差をより小さく抑えることができる。そのため、温度センサー７１によって振動片６の温度を精度よく検出することができる。
ただし、振動片６の構成は、特に限定されない。例えば、水晶基板６０の平面視形状は、矩形に限定されない。また、振動片６として、ＡＴカット水晶振動片の他にも、ＳＣカット水晶振動片、ＢＴカット水晶振動片、音叉型水晶振動片、弾性表面波共振子、その他の圧電振動片、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）共振素子等を用いることもできる。
また、水晶基板に替えて、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、リン酸ガリウム（ＧａＰＯ４）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、Ｚｎ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＰＯ３）、ニオブ酸ナトリウムカリウム（（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３）、ビスマスフェライト（ＢｉＦｅＯ３）、ニオブ酸ナトリウム（ＮａＮｂＯ３）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）、チタン酸ビスマスナトリウム（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５ＴｉＯ３）等の各種圧電基板を用いてもよいし、例えば、シリコン基板等の圧電基板以外の基板を用いてもよい。
図１および図３に示すように、第１回路素子７は、温度センサー７１と、発振回路７２と、を有する。発振回路７２は、振動片６を発振させ、温度センサー７１の検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する機能を有する。つまり、発振回路７２は、振動片６と電気的に接続され、振動片６の出力信号を増幅し、増幅した信号を振動片６にフィードバックすることにより振動片６を発振させる発振回路部７２１と、温度センサー７１から出力される温度情報に基づいて、出力信号の周波数変動が振動片６自身の周波数温度特性よりも小さくなるように温度補償する温度補償回路部７２２と、を有する。なお、発振回路７２としては、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路等の発振回路を用いることができる。なお、発振回路７２が有する温度補償回路部７２２としては、例えば、発振回路部７２１に接続された可変容量回路の容量を調整することにより発振回路部７２１の発振周波数を調整するものであってもよいし、発振回路部７２１の出力信号の周波数をＰＬＬ回路やダイレクトデジタルシンセサイザー回路により調整するものであってもよい。
このように、温度センサー７１および振動片６を共に内側パッケージ５に収容することにより、温度センサー７１を振動片６と同じ空間でかつ振動片６の近傍に配置することが可能となる。そのため、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。
本実施形態では、温度センサー７１がＩＣ温度センサーで構成され、第１回路素子７に内蔵されているが、これに限定されない。つまり、温度センサー７１は、第１回路素子７と別体で設けられるディスクリート部品であってもよい。ディスクリート部品とすることにより、温度センサー７１の配置の自由度が増し、温度センサー７１を振動片６のより近くに配置することができる。この場合、温度センサー７１は、例えば、サーミスタ、熱電対等によって構成することができ、例えば、第２ベース基板５１や第１回路素子７の下面に配置することができる。
以上、温度補償型水晶発振器３について説明した。温度補償型水晶発振器３は、前述した外部端子５４３を４つ有しており、図３に示すように、１つは第１回路素子７に供給する電源電圧用の端子５４３ａであり、１つは電源電圧に対するグランド用の端子５４３ｂであり、１つは発振回路７２から出力される発振信号用の端子５４３ｃであり、１つは温度センサー７１の出力信号用の端子５４３ｄである。ただし、外部端子５４３の数や用途は、特に限定されない。
また、温度補償型水晶発振器３は、図１に示すように、内部空間Ｓ２内に、第２リッド５２を凹部２１１ｂの底面に向けた姿勢で配置され、第２リッド５２の下面が絶縁性接合部材Ｂ１を介して第２回路素子４の上面に接合されている。絶縁性接合部材Ｂ１としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の各種樹脂接着剤を用いることができる。仮に、第２回路素子４と温度補償型水晶発振器３とを固定するのに導電性接合部材を用いると、第２回路素子４の上面に配置されている複数の端子４ａに導電性接合部材が接し、これらの端子４ａ同士がショートするおそれがあるのに対して、絶縁性接合部材Ｂ１を用いれば、そのような問題が生じない。したがって、第２回路素子４の上面に温度補償型水晶発振器３を固定し易くなる。
また、絶縁性接合部材Ｂ１は、半田、金属ペースト等に代表される金属系の導電性接合部材と比べて熱伝導率が低く、第２回路素子４の熱が絶縁性接合部材Ｂ１を介して内側パッケージ５に伝わり難くい。そのため、内側パッケージ５内の振動片６および第１回路素子７の過度な昇温や、振動片６と温度センサー７１との間の温度差が増大するのを効果的に抑制することができる。その結果、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、それに伴って、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。
図１に示すように、第２回路素子４は、内部空間Ｓ２に配置され、導電性接合部材Ｂ２を介して凹部２１１ｂの底面に接合されている。導電性接合部材Ｂ２としては、特に限定されず、例えば、金属バンプ、半田、ろう材、金属ペースト、導電性樹脂接着剤等を用いることができる。
このような導電性接合部材Ｂ２は、金属材料を含んでいるため、樹脂接着剤に代表される金属材料を含まない絶縁性接合部材と比べて熱伝導率が高く、第２回路素子４の熱が導電性接合部材Ｂ２を介して外側パッケージ２に伝わり易くなる。そのため、第２回路素子４の熱が外側パッケージ２から外部へ放出され易くなり、第２回路素子４の過度な昇温や内部空間Ｓ２内の熱のこもりを抑制することができる。また、第２回路素子４の放熱性が高まる分、第２回路素子４の熱が内側パッケージ５に伝わり難くなり、前述したような振動片６および第１回路素子７の過度な昇温や、振動片６と温度センサー７１との間の温度差の増大をより効果的に抑制することができる。その結果、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。
このような第２回路素子４は、図４に示すように、発振回路７２から出力される発振信号の周波数を制御し、温度補償型水晶発振器３が出力する発振信号に残っている周波数温度特性をさらに補正する周波数制御回路としての小数分周型のＰＬＬ回路４０（位相同期回路）と、温度補正テーブル４８１が記憶されている記憶部４８と、出力回路４９と、を有する。本実施形態では、ＰＬＬ回路４０、記憶部４８および出力回路４９が１チップの回路素子として構成されているが、複数チップの回路素子によって構成されていてもよいし、一部がディスクリート部品によって構成されていてもよい。
ＰＬＬ回路４０は、位相比較器４１と、チャージポンプ４２と、ローパスフィルター４３と、電圧制御発振回路４４と、分周回路４５と、を有する。位相比較器４１は、発振回路７２が出力する発振信号と分周回路４５が出力するクロック信号の位相差を比較し、その比較結果をパルス電圧として出力する。チャージポンプ４２は、位相比較器４１が出力するパルス電圧を電流に変換し、ローパスフィルター４３は、チャージポンプ４２が出力する電流を平滑化および電圧変換する。
電圧制御発振回路４４は、ローパスフィルター４３の出力電圧を制御電圧として、制御電圧に応じて周波数が変化する信号を出力する。なお、本実施形態の電圧制御発振回路４４は、コイル等のインダクター４４１とコンデンサー等の容量素子４４２とを用いて構成されるＬＣ発振回路であるが、これに限定されず、例えば、水晶振動子等の圧電振動子を用いた発振回路を用いることもできる。分周回路４５は、温度センサー７１の出力信号と温度補正テーブル４８１とから決定する分周比で、電圧制御発振回路４４が出力するクロック信号を小数分周したクロック信号を出力する。なお、分周回路４５の分周比は、温度補正テーブル４８１によって定められる構成に限定されない。例えば多項式演算によって定められてもよいし、機械学習された学習済みモデルに基づくニューラルネットワーク演算によって定められてもよい。
ここで、図２に示すように、電圧制御発振回路４４が有するインダクター４４１は、平面視で、内側パッケージ５すなわち温度補償型水晶発振器３と重なっていない。したがって、インダクター４４１は、温度補償型水晶発振器３が有する金属部材である第２リッド５２、接合部材５３および振動片６の電極６１と重ならない。そのため、温度補償型水晶発振器３が有する金属部材、特に、第２回路素子４と対向する平面状の金属部材である第２リッド５２および電極６１によって、インダクター４４１に流れる電流によって発生する磁界が遮られ難く、金属部材内に渦電流が発生し難い。その結果、インダクター４４１のＱ値の悪化が低減される。ただし、これに限定されず、インダクター４４１は、平面視で、少なくとも一部が温度補償型水晶発振器３と重なっていてもよい。
出力回路４９は、ＰＬＬ回路４０が出力するクロック信号が入力され、その振幅が所望のレベルに調整された発振信号を生成する。出力回路４９が生成する発振信号は、発振器１の外部端子２４３を介して発振器１の外部に出力される。
このように、温度補償型水晶発振器３が出力する発振信号に残っている周波数温度特性をＰＬＬ回路４０によってさらに補正することにより、温度による周波数偏差がさらに小さい発振器１が得られる。なお、ＰＬＬ回路４０としては、特に限定されず、例えば、発振回路７２と位相比較器４１との間に発振回路７２が出力する発振信号を整数の分周比で分周する整数分周型のＰＬＬ回路を備えていてもよい。また、ＰＬＬ回路４０は、温度補償型水晶発振器３の出力信号をさらに温度補償するものに限られない。例えば、所望の周波数信号を得るために、ＰＬＬ回路４０が温度補償型水晶発振器３の出力周波数を固定値で逓倍する構成であってもよい。
ディスクリート部品８１、８２は、前述したように、外側パッケージ２に収容されており、凹部２１１ｃの底面に接合されている。ディスクリート部品８１、８２は、それぞれ、バイパスコンデンサー８１０、８２０である。そして、図４に示すように、バイパスコンデンサー８１０は、外側パッケージ２に設けられている外部端子２４３と、内側パッケージ５に設けられている電源電圧用の端子５４３ａとの間において、端子５４３ａと接続されている。これにより、外部端子２４３を介して供給された電源電圧からノイズを除去することができ、安定した電源電圧を第１回路素子７に供給することができる。
一方、バイパスコンデンサー８２０は、温度センサー７１の出力信号用の端子５４３ｄとＰＬＬ回路４０との間において端子５４３ｄと接続されている。これにより、温度センサー７１の出力信号からノイズを除去することができ、より正確な出力信号をＰＬＬ回路４０に供給することができる。そのため、分周回路４５による分周比をより精度よく決定することができる。なお、ディスクリート部品８１、８２としては、バイパスコンデンサー８１０、８２０に限定されず、例えば、サーミスタ、抵抗、ダイオード等であってもよい。また、ディスクリート部品８１、８２の少なくとも一方を省略してもよいし、他のディスクリート部品を追加してもよい。また、バイパスコンデンサー８１０、８２０は、第２回路素子４に内蔵されていてもよい。
以上、発振器１について説明した。発振器１は、前述したように、第１容器としての外側パッケージ２と、外側パッケージ２に収容されている第２容器としての内側パッケージ５と、内側パッケージ５に収容されている振動片６と、内側パッケージ５に収容されている温度センサー７１と、内側パッケージ５に収容されており、振動片６を発振させ、温度センサー７１の検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路７２を含む第１回路素子７と、外側パッケージ２に収容されており、発振回路７２が出力する発振信号の周波数を制御する周波数制御回路としてのＰＬＬ回路４０を含む第２回路素子４と、を備える。そして、内側パッケージ５と第２回路素子４とは、積層されている。
このような構成によれば、温度センサー７１および振動片６が共に内側パッケージ５に収容されるため、温度センサー７１を振動片６と同じ空間でかつ振動片６の近傍に配置することが可能となる。そのため、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。また、内側パッケージ５と第２回路素子４とをＺ軸方向に積層しているため、これらの隙間がなくなり、外側パッケージ２の低背化を図ることができると共に、外側パッケージ２のＸ軸方向およびＹ軸方向への広がりを抑制することもできる。したがって、発振器１の小型化を図ることができる。
また、前述したように、外側パッケージ２は、第１ベース基板２１および第１ベース基板２１に接合されている第１リッド２２を含み、内側パッケージ５および第２回路素子４が収容されている内部空間Ｓ２を有する。そして、第２回路素子４は、第１ベース基板２１に搭載され、内側パッケージ５は、第２回路素子４に搭載されている。このような構成によれば、内側パッケージ５が第２回路素子４を介して第１ベース基板２１に固定されるため、外側パッケージ２が受けた衝撃や応力が第２回路素子４によって吸収、緩和されて内側パッケージ５まで伝わり難くなる。そのため、温度補償型水晶発振器３の駆動がより安定する。
また、前述したように、内側パッケージ５は、絶縁性接合部材Ｂ１を介して第２回路素子４に接合され、第２回路素子４は、導電性接合部材Ｂ２を介して第１ベース基板２１に接合されている。絶縁性接合部材Ｂ１は、半田、金属ペースト等に代表される金属系の導電性接合部材と比べて熱伝導率が低く、第２回路素子４の熱が絶縁性接合部材Ｂ１を介して内側パッケージ５に伝わり難くい。そのため、内側パッケージ５内の振動片６および第１回路素子７の過度な昇温や、振動片６と温度センサー７１との間の温度差が増大するのを効果的に抑制することができる。一方、導電性接合部材Ｂ２は、金属材料を含んでいるため、樹脂接着剤に代表される金属材料を含まない絶縁性接合部材と比べて熱伝導率が高く、第２回路素子４の熱が導電性接合部材Ｂ２を介して外側パッケージ２に伝わり易くなる。そのため、第２回路素子４の熱が外側パッケージ２から外部へ放出され易くなり、第２回路素子４の過度な昇温や内部空間Ｓ２内の熱のこもりを抑制することができる。また、第２回路素子４の放熱性が高まる分、第２回路素子４の熱が内側パッケージ５に伝わり難くなり、前述したような振動片６および第１回路素子７の過度な昇温や、振動片６と温度センサー７１との間の温度差の増大をより効果的に抑制することができる。その結果、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。
また、前述したように、内側パッケージ５は、温度センサー７１の出力電圧が出力される温度出力端子としての端子５４３ｄを有する。そして、端子５４３ｄは、ＰＬＬ回路４０に電気的に接続されている。これにより、ＰＬＬ回路４０の分周比を温度センサー７１による計測値に基づいて制御することができる。そのため、温度センサー７１の計測絶対精度が低くても、実際の温度と温度計測値との対応関係が変動しなければ、周波数温度特性が補正された周波数偏差が小さい発振信号を出力することができる。したがって、温度による周波数偏差が小さい発振器１が得られる。
また、前述したように、ＰＬＬ回路４０は、インダクター４４１を含んでいる。そして、平面視で、内側パッケージ５は、インダクター４４１と重なっていない。したがって、インダクター４４１は、内側パッケージ５や内側パッケージ５内に収容されている素子が有する金属部材、本実施形態では第２リッド５２、接合部材５３および振動片６の電極６１と重ならない。そのため、金属部材によって、インダクター４４１に流れる電流によって発生する磁界が遮られ難く、金属部材内に渦電流が発生し難い。その結果、インダクター４４１のＱ値の悪化が低減される。
また、前述したように、内側パッケージ５は、発振回路７２に供給される電源電圧が印加される電源端子としての端子５４３ａを有する。そして、発振器１は、外側パッケージ２に収容され、端子５４３ａに接続されているバイパスコンデンサー８１０を備えている。これにより、バイパスコンデンサー８１０によってノイズを除去することができ、発振回路７２に安定した電源電圧を供給することができる。
＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態の発振器を示す断面図である。
図５は、第２実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、温度補償型水晶発振器３の姿勢が上下逆転していること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図５において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図５に示すように、本実施形態の発振器１では、前述した第１実施形態に対して、温度補償型水晶発振器３の姿勢が上下逆転している。つまり、温度補償型水晶発振器３は、第２ベース基板５１が第２回路素子４側を向いた姿勢で内部空間Ｓ２に収容されている。そして、第２ベース基板５１は、半田バンプ等の金属バンプから構成される導電性接合部材Ｂ４を介して第２回路素子４の上面に接合されていると共に、端子４ａと電気的に接続されている。なお、第２回路素子４への温度補償型水晶発振器３の実装は、例えば、フリップチップ実装により行うことができる。このような構成によれば、第２回路素子４と温度補償型水晶発振器３との電気的な接続にボンディングワイヤーを用いないため、ボンディングワイヤーのループ高さを確保する必要がなく、その分、前述した第１実施形態と比べて外側パッケージ２の低背化を図ることができる。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第３実施形態＞
図６は、第３実施形態の発振器を示す断面図である。
図６は、第３実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、温度補償型水晶発振器３と第２回路素子４とで構成される積層体１０の姿勢が上下逆転していること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図５において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図６に示すように、本実施形態の発振器１では、前述した第１実施形態と比べて、温度補償型水晶発振器３と第２回路素子４とで構成される積層体１０の姿勢が上下逆転している。すなわち、第２回路素子４の下側に温度補償型水晶発振器３が位置し、温度補償型水晶発振器３が第２回路素子４に吊られた状態となっている。また、本実施形態では、第２回路素子４の端子４ａが下側を向くため、第２回路素子４を凹部２１１ａの底面に固定している導電性接合部材Ｂ２を介して端子４ａと内部端子２４１とが電気的に接続されている。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第４実施形態＞
図７は、第４実施形態の発振器を示す断面図である。
図７は、第４実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、温度補償型水晶発振器３と第２回路素子４の配置が逆であること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図７において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図７に示すように、本実施形態の発振器１では、凹部２１１ａの底面に複数の内部端子２４１が配置され、凹部２１１ｂの底面に複数の内部端子２４２が配置されている。そして、内部端子２４１、２４２および外部端子２４３は、第１ベース基板２１内に形成されている図示しない配線を介して電気的に接続されている。
また、温度補償型水晶発振器３は、前述した第１実施形態に対して上下逆転した姿勢で外側パッケージ２内に収容されている。すなわち、温度補償型水晶発振器３は、第２ベース基板５１が第２リッド５２に対して下側に位置している。また、温度補償型水晶発振器３は、導電性接合部材Ｂ５を介して凹部２１１ｂの底面に接合され、この導電性接合部材Ｂ５を介して外部端子５４３と内部端子２４２とが電気的に接続されている。また、第２回路素子４は、温度補償型水晶発振器３の上面すなわち第２リッド５２に絶縁性接合部材Ｂ１を介して接合されており、ボンディングワイヤーＢＷ１を介して内部端子２４１と電気的に接続されている。
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第５実施形態＞
図８は、第５実施形態の発振器を示す断面図である。
図８は、第５実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、温度補償型水晶発振器３の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図８に示すように、本実施形態の発振器１では、第１回路素子７が内側パッケージ５の外側すなわち内部空間Ｓ５外に配置されている。以下、具体的に説明する。
第２ベース基板５１は、その上面に開口する凹部５１２を有する。また、凹部５１２は、複数の凹部で構成されており、図示の構成では、第２ベース基板５１の上面に開口する凹部５１２ａと、凹部５１２ａの底面に開口し、凹部５１２ａよりも開口が小さい凹部５１２ｂと、を有する。そして、凹部５１２ｂの底面に第２回路素子４が固定されている。また、凹部５１２ａの底面には複数の内部端子５４２が設けられており、これら内部端子５４２と第１回路素子７とがボンディングワイヤーＢＷ３を介して電気的に接続されている。また、凹部５１２には、第１回路素子７をモールドするモールド材８が配置されている。ただし、モールド材８は、省略してもよい。
一方、凹部５１１は、第２ベース基板５１の下面に開口する凹部５１１ａと、凹部５１１ａの底面に開口し、凹部５１１ａよりも開口が小さい凹部５１１ｂと、を有する。そして、凹部５１１ｂの底面に接合部材Ｂ３を介して振動片６が固定され、凹部５１１ａの底面に複数の内部端子５４１が配置されている。また、振動片６と複数の内部端子５４１とがボンディングワイヤーＢＷ２を介して電気的に接続されている。
このように、第２ベース基板５１の凹部５１１と凹部５１２とに挟まれている部分５１３を間に挟んで振動片６と第１回路素子７とを配置することにより、当該部分５１３を介して振動片６と第１回路素子７とが熱的に結合し、振動片６と第１回路素子７内の温度センサー７１との温度差がより小さくなる。そのため、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。
以上のように、本実施形態の発振器１は、第１容器としての外側パッケージ２と、外側パッケージ２に収容され、ベース基板としての第２ベース基板５１および第２ベース基板５１の下面（一方の主面）側に接合されているリッドとしての第２リッド５２を含み、内部空間Ｓ５を有する第２容器としての内側パッケージ５と、内部空間Ｓ５に収容され、第２ベース基板５１の下面側に配置されている振動片６と、第２ベース基板５１の上面（他方の主面）側に配置されている温度センサー７１と、第２ベース基板５１の上面側に配置され、振動片６を発振させ、温度センサー７１の検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路７２を含む第１回路素子７と、外側パッケージ２に収容され、発振回路７２が出力する発振信号の周波数を制御する周波数制御回路としてのＰＬＬ回路４０を含む第２回路素子４と、を備えている。そして、内側パッケージ５と第２回路素子４とは、積層されている。
このような構成によれば、温度センサー７１および振動片６が第２ベース基板５１を介して熱的に結合する。そのため、温度センサー７１によって振動片６の温度をより精度よく検出することができ、発振回路７２による温度補償がより正確なものとなる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器１となる。また、内側パッケージ５と第２回路素子４とをＺ軸方向に積層しているため、これらの隙間がなくなり、外側パッケージ２の低背化を図ることができると共に、外側パッケージ２のＸ軸方向およびＹ軸方向への広がりを抑制することもできる。したがって、発振器１の小型化を図ることができる。
＜第６実施形態＞
図９は、第６実施形態の発振器を示す平面図である。
図９は、第６実施形態の発振器を示す平面図である。
本実施形態は、ディスクリート部品８１、８２の配置が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図９において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図９に示すように、本実施形態の発振器１では、凹部２１１から凹部２１１ｃが省略され、凹部２１１ｂの底面にディスクリート部品８１、８２が配置されている。また、ディスクリート部品８１、８２は、平面視で、第２回路素子４および温度補償型水晶発振器３と重ならないように配置されている。このような構成によれば、前述した第１実施形態と比べて、外側パッケージ２の低背化を図ることができる。
このような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第７実施形態＞
図１０は、第７実施形態のパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
図１０は、第７実施形態のパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
図１０に示す電子機器としてのパーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、発振器１が内蔵されている。また、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２や表示部１１０８などの制御に関する演算処理を行う信号処理回路１１１０を備えている。信号処理回路１１１０は、発振器１から出力される発振信号に基づいて動作する。
このように、電子機器としてのパーソナルコンピューター１１００は、発振器１と、発振器１の出力信号（発振信号）に基づいて信号処理を行う信号処理回路１１１０と、を備える。そのため、前述した発振器１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、発振器１を備える電子機器は、前述したパーソナルコンピューター１１００の他、例えば、デジタルスチールカメラ、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチを含む時計、インクジェット式吐出装置、例えばインクジェットプリンター、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡のような医療機器、魚群探知機、各種測定機器、車両、航空機、船舶のような計器類、携帯端末用の基地局、フライトシミュレーター等であってもよい。
＜第１１実施形態＞
図１１は、第８実施形態の自動車を示す斜視図である。
図１１は、第８実施形態の自動車を示す斜視図である。
図１１に示すように、移動体としての自動車１５００には、発振器１と、発振器１から出力される発振信号に基づいて動作する信号処理回路１５１０と、が内蔵されている。発振器１と信号処理回路１５１０は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
このように、移動体としての自動車１５００は、発振器１と、発振器１の出力信号（発振信号）に基づいて信号処理を行う信号処理回路１５１０と、を備える。そのため、前述した発振器１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、発振器１を備える移動体は、自動車１５００の他、例えば、ロボット、ドローン、二輪車、航空機、船舶、電車、ロケット、宇宙船等であってもよい。
以上、本発明の発振器、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
１…発振器、２…外側パッケージ、３…温度補償型水晶発振器、４…第２回路素子、４ａ…端子、５…内側パッケージ、６…振動片、７…第１回路素子、８…モールド材、１０…積層体、２１…第１ベース基板、２２…第１リッド、２３…接合部材、４０…ＰＬＬ回路、４１…位相比較器、４２…チャージポンプ、４３…ローパスフィルター、４４…電圧制御発振回路、４５…分周回路、４８…記憶部、４９…出力回路、５１…第２ベース基板、５２…第２リッド、５３…接合部材、６０…水晶基板、６１…電極、７１…温度センサー、７２…発振回路、８１、８２…ディスクリート部品、２１１、２１１ａ～２１１ｃ…凹部、２４１、２４２…内部端子、２４３…外部端子、４４１…インダクター、４４２…容量素子、４８１…温度補正テーブル、５１１、５１１ａ～５１１ｄ…凹部、５１２、５１２ａ、５１２ｂ…凹部、５１３…部分、５４１、５４２…内部端子、５４３…外部端子、５４３ａ～５４３ｄ…端子、６２１…第１励振電極、６２２…第１パッド電極、６２３…第１引出電極、６３１…第２励振電極、６３２…第２パッド電極、６３３…第２引出電極、７２１…発振回路部、７２２…温度補償回路部、８１０、８２０…バイパスコンデンサー、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１１１０…信号処理回路、１５００…自動車、１５１０…信号処理回路、Ｂ１…絶縁性接合部材、Ｂ２…導電性接合部材、Ｂ３…接合部材、Ｂ４…導電性接合部材、Ｂ５…導電性接合部材、ＢＷ１～ＢＷ４…ボンディングワイヤー、Ｓ２、Ｓ５…内部空間
Claims (7)
- 第１容器と、
前記第１容器に収容されている第２容器と、
前記第２容器に収容されている振動片と、
前記第２容器に収容されている温度センサーと、
前記第２容器に収容されており、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容されており、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されており、
前記第１容器は、第１ベース基板および前記第１ベース基板に接合されている第１リッドを含み、前記第２容器および前記第２回路素子が収容されている内部空間を有し、
前記第２容器は、絶縁性接合部材を介して前記第２回路素子に接合され、
前記第２回路素子は、導電性接合部材を介して前記第１ベース基板に接合されていることを特徴とする発振器。 - 第１容器と、
前記第１容器に収容されている第２容器と、
前記第２容器に収容されている振動片と、
前記第２容器に収容されている温度センサーと、
前記第２容器に収容されており、前記振動片を発振させ、前記温度センサーの検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含む第１回路素子と、
前記第１容器に収容されており、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第２回路素子と、を備え、
前記第２容器と前記第２回路素子とは、積層されており、
前記第１容器は、第１ベース基板および前記第１ベース基板に接合されている第１リッドを含み、前記第２容器および前記第２回路素子が収容されている内部空間を有し、
前記第２容器は、絶縁性接合部材を介して前記第２回路素子に接合され、かつ、導電性接合部材を介して前記第１ベース基板に接合されていることを特徴とする発振器。 - 前記第２容器は、前記温度センサーの出力電圧が出力される温度出力端子を有し、
前記温度出力端子は、配線を介して前記周波数制御回路に電気的に接続されている請求項１または２に記載の発振器。 - 前記周波数制御回路は、インダクターを含み、
平面視で、前記第２容器は、前記インダクターと重なっていない請求項１ないし３のいずれか一項に記載の発振器。 - 前記第２容器は、前記発振回路に供給される電源電圧が印加される電源端子を有し、
前記第１容器に収容され、前記電源端子に接続されているバイパスコンデンサーを備えている請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発振器。 - 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発振器と、
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする電子機器。 - 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発振器と、
前記発振器の出力信号に基づいて信号処理を行う信号処理回路と、を備えていることを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019031050A JP7331376B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 発振器、電子機器および移動体 |
| US16/796,472 US10910995B2 (en) | 2019-02-22 | 2020-02-20 | Oscillator, electronic device, and vehicle |
| CN202010103874.5A CN111614339B (zh) | 2019-02-22 | 2020-02-20 | 振荡器、电子设备和移动体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019031050A JP7331376B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 発振器、電子機器および移動体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020137024A JP2020137024A (ja) | 2020-08-31 |
| JP7331376B2 true JP7331376B2 (ja) | 2023-08-23 |
Family
ID=72142486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019031050A Active JP7331376B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 発振器、電子機器および移動体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10910995B2 (ja) |
| JP (1) | JP7331376B2 (ja) |
| CN (1) | CN111614339B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112671341A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-16 | 广东大普通信技术有限公司 | 一种温度补偿晶体振荡器及温度补偿方法 |
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| JP6083214B2 (ja) | 2012-11-30 | 2017-02-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、及び移動体 |
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| JP6798121B2 (ja) | 2016-03-18 | 2020-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
| JP2017175203A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
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| JP6862835B2 (ja) | 2017-01-12 | 2021-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
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| JP2018142899A (ja) | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
| JP6888343B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2021-06-16 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、発振器、電子機器および移動体 |
| JP6942983B2 (ja) | 2017-03-17 | 2021-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
| JP7035604B2 (ja) | 2017-03-23 | 2022-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償型発振器、電子機器および移動体 |
-
2019
- 2019-02-22 JP JP2019031050A patent/JP7331376B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-20 CN CN202010103874.5A patent/CN111614339B/zh active Active
- 2020-02-20 US US16/796,472 patent/US10910995B2/en active Active
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| JP2016187131A (ja) | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、および移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111614339A (zh) | 2020-09-01 |
| US20200274486A1 (en) | 2020-08-27 |
| US10910995B2 (en) | 2021-02-02 |
| CN111614339B (zh) | 2023-11-14 |
| JP2020137024A (ja) | 2020-08-31 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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