TWI453853B - A control device for a processing system, a control method for a processing system, and a memory medium for a memory control program - Google Patents

A control device for a processing system, a control method for a processing system, and a memory medium for a memory control program Download PDF

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TWI453853B
TWI453853B TW097135656A TW97135656A TWI453853B TW I453853 B TWI453853 B TW I453853B TW 097135656 A TW097135656 A TW 097135656A TW 97135656 A TW97135656 A TW 97135656A TW I453853 B TWI453853 B TW I453853B
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Description

處理系統之控制裝置、處理系統之控制方法及記憶控制程式之記憶媒體
本發明係關於對被處理體施予特定處理之處理系統之控制裝置、處理系統之控制方法及記憶控制程式之記憶媒體，更詳細而言係關於控制被處理體之搬運的方法。
近年來，配置在半導體工場內之處理系統幾乎具有搬運被處理體之搬運機構，和對被處理體施予特定處理之兩個以上之處理室。此時，要如何將各被處理體搬運至多數處理容器，在提升處理系統之處理量，提高生產性上極為重要。在此，為了效率佳處理被處理體，有以依序搬運被處理體至多數處理室之方式，決定被處理體之搬運地點之方法(以下，也稱為OR搬運)。
在OR搬運中，於因故障等使得在任意處理室產生異常之時，預定搬運至產生異常之處理室的被處理體暫時退避至載體，藉由將退避之被處理體搬運至正常之處理室，盡量以不降低系統全體之處理量為佳。在此，自以往提案有藉由處理室之運轉狀況使搬運路徑成為最適合化之技術(例如參照專利文獻1~4)。若藉由此，即使在因任一處理室故障而無法使用之時，亦可以效率佳使用其他處理室而處理被處理體。
〔專利文獻1〕日本特開2001-93791號公報
〔專利文獻2〕日本特開2002-246377號公報
〔專利文獻3〕日本特開2002-252263號公報
〔專利文獻4〕日本特開平11-67869號公報
但是，將暫時退避之被處理體重新搬運至正常之處理室，並也施予所欲之處理時，則有產生不良狀況之情形。例如，於正常之處理室內部無被整理成安定狀態之時，在其處理室施予處理之被處理體有可能成為不良產品，與在相同批量中之其他被處理體之間產生特性上之參差不齊，無法保證其批量全體之品質，故有無法將批量所含之晶圓全體當作商品出貨之虞。
例如，當被處理體之處理到達至各處理室規定之處理片數或處理時間時，反應生成物附著於處理室內壁或處理室內之各構件之溫度等，隨著經過時間變化在處理室內之狀態變化，對此為了整理處理室內之環境，必須執行洗淨。因此，在產品晶圓之處理的間隔有也要搬運洗淨用晶圓之情形。
再者，於上述洗淨後，為了使處理室內之狀態安定化，於執行使用批量安定虛擬晶圓之乾燥處理時，在產品晶圓之處理的間隔也搬運批量安定虛擬晶圓。此時，在洗淨處理後，當將被處理體搬運至乾燥處理前之處理室之時，因正常處理室內部不被整理成安定狀態，故在其處理室施予處理之被處理體有成為產品不良之虞。
再者，運轉中之處理室之內部被整理成接受下一個批量之環境之後，將現批量所含之上述退避之被處理體搬運至其處理室之時，由於處理被搬運之被處理體，使得處理室內部之環境改變，有對下一個批量之處理波及壞影響之虞。例如，以批量處理在洗淨處理完成之方式搬運各晶圓時，則在洗淨後之處理室搬運暫時退避之被處理體之情形。
如上述般，有即使在正常運轉中之處理室，也依據處理被處理體之前刻被實行之處理的內容，以禁止搬運該被處理體為佳的情形。在此，本發明係提供於藉由處理室之運轉狀態使搬運路徑予以最佳化之時，根據在處理室前刻被實行之處理內容，於特定之時禁止搬運至所決定之搬運地點之處理系統之控制裝置、處理系統之控制方法以及記憶有控制程式之記憶媒體。
即是，為了解決上述課題，若藉由本發明之某觀點時，則提供控制處理系統之裝置，該處理系統係具有：對被處理體施予特定處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定搬運地點的搬運機構。其控制裝置具備有：以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體之搬運地點的搬運地點決定部；和上述 複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態時，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠的退避部；和於藉由上述搬運地點決定部重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點時，在新的搬運地點的處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，則禁止上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點的搬運禁止部。
若藉由此，將產生異常等而成為禁止搬入之處理室定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體暫時退避至被處理體收容埠。之後，於重新決定退避之被處理體之搬運地點之時，在新的搬運地點之處理室，處理退避之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，則禁止將上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點。
禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件可舉出即使藉由在處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的處理，上述搬運地點之處理室內部也不被整理成安定狀態之情形。
更具體而言，可舉出在處理上述退避後之被處理體之前刻的處理不管是否為應洗淨上述搬運地點之處理室內部之時序，上述前刻的處理非洗淨之情形。
再者，可舉出在處理上述退避後之被處理體之前刻的處理不管洗淨上述搬運地點之處理室內部之後是否為乾燥 之時序，上述前刻的處理非乾燥之情形。
此時，上述搬運地點之處理室內部因無被整理成可以處理被處理體程度的良好狀態，故當在其裝置內部處理退避之被處理體時，則有引起產品不良之虞。
再者，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件之其他一例，可舉出藉由在處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的處理，上述搬運地點之處理內部被整理成接受含有上述退避後之被處理體之批量的下一個批量之狀態之情形。
更具體而言，可舉出藉由在處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之洗淨處理，上述搬運地點之處理室內部被整理成接受上述下一個批量之狀態之情形。
再者，可舉出在藉由處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之乾燥處理，上述搬運地點之處理室內部被整理成接受上述下一個批量之狀態之情形。
此時，上述搬運地點之處理室內部被整理成接受下一個批量之環境，故當在其裝置內部，處理現批量所含之上述退避後之被處理體時，上述搬運地點之處理室內部之環境則改變，於處理現批量或下一個批量之被處理體之時，則有引起產品不良之虞。
如此一來，判斷出當即使在批量中之被處理體產生一個不良品時，在相同批量中之其他已處理完之被處理體之間產生特性上之參差不齊，在後工程中，相同批量所含之被處理體中之至少任一個混有無法確保品質之產品，有無 法將相同批量所含之被處理體全部當作商品出貨之虞。
並且，藉由現批量之退避後之被處理體之處理，因搬運地點之處理室內部之環境多少有點改變，故為了將搬運地點處理室內部整理成接受下一個批量之環境，必須再予以處理，也成為處理系統全體之處理量下降之原因。
依此，若藉由本發明時，即使在正常運轉中之處理室，例如於其內部不被整理成安定狀態之情形，或被整理成接受下一個批量之狀態之情形等，於處理被處理體之前刻被實施的處理相當於特定條件之時，則禁止搬運該被處理體。
即是，通常雖然藉由OR搬運謀求處理之效率化，由於異常使某處理室成為搬入禁止之時，使以搬入禁止為搬運地點之被處理體退避，將退避之被處理體搬運至新的搬運地點之處理設為原則，但是於相當於上述特定條件之時，禁止搬運退避後之被處理體，依此，抑制不良品之產生，藉由防止在相同批量中之被處理體之特性產生參差不齊，可以提高處理系統全體之生產性。
上述搬運地點決定部即使藉由上述搬運禁止部將禁止搬運之被處理體之搬運地點，決定成搬運至正常運轉芝其他處理室中之任一個，或者決定成等待產生異常之處理室之回復而搬運至回覆之處理室亦可。
上述處理系統又具備在上述複數處理室之各處理室和上述搬運機構之間連結上述各處理室和上述搬運機構之前處理室，上述退避部於被處理體被搬入至上述前處理室之 時，即使判定被處理體被搬入至搬入地點地之處理室亦可。或是當被處理體被搬入至任一處理室之時，上述退避部即使決定成被處理體被搬入至搬運地點之處理室亦可。
上述搬運禁止部即使當洗淨用之被處理體從上述搬運機構被搬入至上述前處理室之時，判定在與上述前處理室連結之上述處理室被實行之前刻的處理為洗淨處理亦可。
上述搬運禁止部即使當乾燥用之被處理體從上述搬運機構被搬入至上述前處理室之時，判定在與上述前處理室連結之上述處理室被實行之前刻的處理為乾燥處理亦可。
並且，上述搬運禁止部即使根據配方所示之處理程序，判定在上述處理室被實行之前刻的處理亦可。如此一來，即使不使用批量安定之虛擬晶圓，洗淨或乾燥處理室之時，亦可以正確判斷前刻的處理。
上述搬運地點決定部即使與被處理體與從上述搬運機構被搬入至上述前處理室之時序連動，決定被收容於上述被處理體收容埠之下一個被處理體之搬運地點亦可。
或是，上述搬運地點決定部即使被處理體與從上述被處理體收容埠搬出至上述搬運機構之時序連動，決定被收容於上述被處理體收容埠之下一個被處理體之搬運地點亦可。
上述退避部即使於上述複數處理室之各處理室之定期維修或是在上述各處理室產生異常之時，判定上述各處理室處於禁止搬入被處理體之狀態亦可。並且，處理系統即使為處理晶圓或基板之系統亦可。
為了解決上述課題，若藉由本發明之另外觀點，則提供一種處理系統之控制方法，為控制處理系統之方法，該處理系統係具有：對被處理體施予特定處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定搬運地點的搬運機構，以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點，上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態時，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠，重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點，於在上述重新被決定之搬運地點之處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的處理滿足特定條件之時，禁止將上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點。
為了解決上述課題，若藉由本發明之另外觀點，則提供一種記憶媒體，記憶有用於使電腦實行處理系統之控制之控制程式，該處理系統具備：對被處理體施予特定處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述被處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定搬運地點的搬運機構，記憶有控制程式，該控制程式包含：以被處理體依序被搬運至上述多複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點之處理；和上述複數處理室中 之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態時，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠之處理；和重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點之處理；和於在上述重新被決定之搬運地點之處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的處理滿足特定條件之時，將上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點之處理。
若藉由該些，於將預定搬運至產生異常等之處理室的被處理體搬運至新的搬運地點之時，考慮在搬運地點之處理室前刻被實行之處理內容，於特定之時禁止搬運至搬運地點。依此，可以將處理室內部之狀態保持良好，抑制不良品產生，防止作為處理完之被處理體之產品的特性產生參差不齊。其結果，可以提升良率，提高生產性。
如以上說明般，若藉由本發明，可以藉由製程處理室之運轉狀況，使搬運路徑最適合化之時，根據在處理室前刻被實行之處理內容，於特定之時禁止搬運至被決定之搬運地點。
以下一面參照附件圖面一面針對本發明之較佳實施型態予以詳細說明。並且，在以下之說明及附件圖面中，針 對具有相同構成及功能之構成要素，藉由賦予相同符號，省略重複說明。
〔第1實施型態〕
首先，一面參照第1圖，一面說明本發明之第1實施型態所涉及之處理系統之概要。並且，在本實施型態中，舉出使用處理系統將矽晶圓(以下，也稱為晶圓W)施予蝕刻處理之例予以說明。
(處理系統之概要)
處理系統10具有EC(Equipment Controller：裝置控制器)200、4個MC(Machine Controller：機器控制器)300a~300d、兩個PM1(Process Module：製程模組)、PM2及兩個LLM1(Load Lock Module：裝載鎖定模組)、LLM2。
EC200經顧客端LAN(Local Area Network)700a、700b各連接於主電腦100、管理伺服器600。管理伺服器600連接於PC(Personal Computer)800等之資訊處理機構。操作者藉由操作PC800將指令傳送至處理系統10。EC200、MC300a~300d、PM1、PM2、LLM1、LLM2被設置在工場內，藉由工場內LAN各被連接。
主電腦100係資料管理等之管理處理系統10的全體。EC200係保持表示蝕刻處理晶圓之程序的系統配方，以按照系統配方而使PM1、PM2、LLM1、LLM2動作之方 式，將控制訊號發送至各MC300，並且執行動作後之資料之履歷管理等。
MC300a~300d係保持製程配方，根據自EC200發送之控制訊號，隨著製程配方之程序，各驅動設置在PM1、PM2之各機器，依此控制晶圓W之處理，並且，藉由各驅動設置在LLM1、LLM2之各機器，控制晶圓W之搬運。
PM1、PM2為在將內部保持特定真空狀態之狀態下對晶圓W施予蝕刻處理之特定處理的處理室。LLM1、LLM2為在將內部保持特定減壓狀態之狀態下，自大氣側將晶圓W搬入至處於真空狀態之PM，並且自PM側將晶圓搬出至大氣側之搬運室。管理伺服器600係藉由操作者之操作根據自PC800所發送之資料，設定各裝置之動作條件。
(處理系統之內部構成)
接著，針對處理系統10之內部構成，一面參照第2圖，一面予以說明。處理系統10具有第1製程船(Process-Ship)PS1、第2製程船PS2、搬運單元TR、定位機構AL以及卡匣台CS。
第1製程船PS1具有PM1及LLM1。第2製程船PS2係與第1製程船PS1平行配設，具有PM2及LLM2。LLM1、LLM2係藉由被設置在其兩端之閘閥V之開關，一面調整內部壓力，一面將各搬運臂Arma、Armb所把持之晶圓W自各PM搬運至搬運單元TR或自搬運單元TR搬 運至各PM。
搬運單元TR為矩形之搬運室，連接於第1製程船PS1及第2製程船PS2。在搬運單元TR設置有搬運臂Armc，使用搬運臂Armc，一面與LLM1、LLM2內之搬運臂Arrna、Armb連動一面搬運晶圓W。
在搬運單元TR之一端設置有執行晶圓W之定位的定位機構AL，一面在載置晶圓W之狀態使旋轉台ALa旋轉，一面藉由光學檢測器ALb檢測出晶圓周緣部之狀態，對準晶圓W之位置。
在搬運單元TR之側部設置有卡匣台CS。在卡匣台CS載置有3個卡匣容器C。在各卡匣容器C多段收容多數晶圓W。
藉由如此之構成，各卡匣容器C內之各晶圓W經搬運單元TR自卡匣容器C被搬出，在定位機構AL對準位置之後，製程船PS1、PS2交互一片一片被搬出，通過LLM1、LLM2而被搬運至PM1或是PM2，於蝕刻處理後，經由各機構，再次被收容至任一卡匣容器C。如此一來，將晶圓W一片一片交互搬運至PM1及PM2之方法稱為OR搬運。
並且，PM1、PM2為對被處理體施予特定處理之多數處理室之一例，卡匣台CS(卡匣容器C)為收容被處理體之被處理體收容埠之一例。再者，搬運單元TR係在多數處理室和被處理室收容埠之間，將被處理體搬運至特定搬運地點之搬運機構之一例，EC200(或是MC300)為控制 處理系統10之裝置之一例。LLM1、LLM2為被連結於各處理室和搬運機構之前處理室之一例。
(EC、MC之硬體構成)
接著，針對EC200之硬體構成，一面參照第3圖一面予以說明。並且，MC300之硬體構成因與EC200相同，故在此省略說明。
如第3圖所示般，EC200具有ROM205、RAM210、CPU215、匯流排220、內部介面(內部I/F)225及外部介面(外部I/F)230。
ROM205記錄有控制搬運處理之程式或控制晶圓處理之程式、異常產生時起動之程式、各種配方等。在RAM210存儲有各種程式或資料。並且，ROM205及RAM210為記憶裝置之一例，即使為EEPROM、光碟、光磁碟等之記憶裝置亦可。
CPU215係隨著各種配方控制晶圓之搬運及處理。匯流排220為在ROM205、RAM210、CPU215、內部介面225及外部介面230之各裝置間處理資料之路徑。
內部介面225係輸入資料，將所需之資料輸出至無圖示之螢幕或揚聲器。外部介面230係在藉由LAN等之網絡連接之機器之間發送接收資料。
(EC之機能構成)
接著，針對EC之機能構成，一面參照以區塊表示 EC200之各功能之第4圖一面予以說明。EC200具有藉由記憶部250、搬運地點決定部255、退避部260、搬運禁止部265、晶圓處理控制部270、通訊部275以及搬運控制部280之各區塊所表示之機能。
記憶部250係記憶表示在PM1及PM2對晶圓W施予所欲處理之處理程序的配方群250a(配方a~配方n)。搬運地點決定部255係以對PM1及PM2中正常運轉之PM順序OR搬運晶圓W之方式，決定收容於卡匣台CS之卡匣容器C之晶圓W之搬運地點。
退避部260係於在PM1或是PM2中之任一者處於禁止搬入晶圓W之狀態時，決定成搬運至搬入禁止之PM，並且將還未搬入至搬入禁止之PM之晶圓W暫時退避至卡匣台CS。並且，就以PM禁止搬入晶圓W之狀態的一例而言，可舉出PM之定期維修或PM產生異常(錯誤)之情形。
搬運禁止部265，於藉由搬運地點決定部255重新決定退避後之晶圓W之搬運地點之時，在新的搬運地點的PM，處理上述退避後晶圓W之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，禁止將退避後晶圓W搬運至新的搬運地點。
晶圓處理控制部270係自記憶部250選擇由操作者所指定之配方，依照配方之程序，輸出用以控制在各PM所實行之蝕刻處理之驅動訊號。通訊部275主要和MC300接收發送資訊。通訊部275主要將用以處理晶圓之驅動訊 號發送至MC300。
搬運控制部280係依照來自搬運地點決定部255、退避部260、搬運禁止部265之指示，輸出用以將特定晶圓搬運至特定位置之訊號。通訊部275為了指示各晶圓之搬運地點，將上述訊號發送至MC300。
並且，如上述說明之EC200之各部之機能，實際上藉由自ROM205或RAM210等之記憶媒體讀出控制程式，該ROM205或RAM210記憶有記述第3圖之CPU215實現該些機能之處理程序的控制程式(包含配方)，並解釋其程式加以實行而達成。例如，在本實施型態中，搬運地點決定部255、退避部260、搬運禁止部265、晶圓處理控制部270及搬運控制部280之各機能實際上藉由CPU215執行記述有實現該些機能之處理程序的程式而達成。
(EC之動作)
接著，針對藉由EC200所實行之搬運處理、晶圓處理、異常發生時插入處理予以說明。第5圖之流程圖所示之搬運處理及第6圖之流程圖所示之晶圓處理，係於每經過特定時間個別起動，第7圖之流程圖所示之異常發生時插入處理係於異常發生時當作插入處理被起動。
當操作者指定配方及批量號碼開啟(ON)批量開始鈕時，投入該批量，調整順序搬運其批量所含之晶圓的準備。與該時序連動而自第5圖之步驟500開始搬運處理，自第6圖之步驟600揭示晶圓處理。
並且，在本實施型態中，如第8圖之下部所示般，各批量含有25片之產品晶圓P1~P25、洗淨處理用之晶圓(洗淨用晶圓C1、C2)、乾燥處理用之晶圓(批量安定虛擬晶圓S1、S2)之3種類之晶圓。
當產品晶圓之處理到達至各PM規定之處理片數或處理時間時，反應生成物附著於PM內壁或PM內之各部之溫度等，隨著經過時間變化在處理室內之狀態變化，對此為了整理處理室內之環境，必須執行洗淨。因此，在本實施型態中，於處理25片之產品晶圓處理後(即是，批量之最後)搬運洗淨用晶圓C1、C2，各洗淨PM1、PM2。依此，PM1、PM2內部之環境被整理成接受下一個批量之狀態。
再者，於上述洗淨後，為了使處理室內之狀態安定化，也有執行使用批量安定虛擬晶圓之乾燥處理之情形。在本實施型態中，於現批量之最初，為了使PM1、PM2安定成可以執行產品晶圓之處理之程度，施予使用批量安定虛擬晶圓S1、S2的乾燥處理。
在PM1及PM2正常運轉之通常狀態中，晶圓W之搬運地點係被決定成一片一片將晶圓W交互搬運搬運(OR搬運)至PM1及PM2。因此，藉由操作者所指定之批量號碼之第一號的批量安定虛擬晶圓S1係將PM1決定成搬運地點，第2號的批量安定虛擬晶圓S2係將PM2決定成搬運地點。
(搬運處理)
搬運處理係自第5圖之步驟500開始，搬運控制部280判定是否有應在步驟505搬運之晶圓。在該時點，因存在應搬運之批量安定虛擬晶圓S1、S2，故搬運控制部280係輸出用以在步驟510將該晶圓S1、S2各搬運至搬運地點PM1、PM2之訊號。該指示訊號係從通訊部275傳送至MC300，藉由MC300之控制，驅動各PM之搬運機構，依此開始各晶圓之OR搬運。並且，於無應搬運之晶圓之時，跳過步驟510前進至下一個步驟515。
搬運地點決定部255係在步驟515判定上述晶圓是否自卡匣容器C被搬出。一般而言，處理系統10比起晶圓處理在晶圓搬運上花較多時間。尤其，於短時間製程之時，該傾向為顯著。依此，在本實施型態之搬運處理中，係以處理完之晶圓藉由搬運速率自PM被搬出之後，至接著應被處理之晶圓被搬入至PM，不產生等待時間之方式，在前晶圓自卡匣容器C被搬出至搬運單元TR之時序決定下一個晶圓之搬運地點。
並且，搬運地點決定部255即使與前晶圓自搬運單元TR被搬入至LLM之時序連動，取代如上述般與上述晶圓自卡匣容器C被搬出至搬運單元TR之時序連動而決定下一個晶圓之搬運地點亦可。
並且，在該時點中，因晶圓S1、S2自卡匣容器C被搬出，故前進至步驟520，搬運地點決定部255判定在所指定之批量中是否有未決定搬運地點之晶圓。在現時點 中，未決定現批量所含之晶圓P1、P2、…、P25、C1、C2之搬運地點。依此，前進至步驟525，搬運地點決定部255係以各晶圓交互被搬運至PM1、PM2之方式，將下一個晶圓P1之搬運地點決定成PM1，前進至步驟595而暫時完成本處理。
並且，在步驟515判定前晶圓不自卡匣容器C搬出之時，及在步驟520判定被指定之批量中無未定搬運地點之晶圓時，則馬上前進至步驟595而暫時完成本處理。
(晶圓處理)
另外，晶圓處理係自第6圖之步驟600開始，晶圓處理控制部270係在步驟605判定新晶圓是否被搬入。於搬入新的晶圓之時，前進至步驟610，晶圓處理控制部270係依照被記憶於記憶部250之配方群250a中，藉由操作者所指定之配方，對晶圓施予蝕刻處理，並前進至步驟695而暫時完成本處理。並且，於不搬入新的晶圓之時，則直接前進至步驟695而暫時完成本處理。
(OR搬運時引起之搬運狀態和課題)
在以上說明之OR搬運中，例如，PM1之配方時間以分為單位較PM2之配方時間長之時，或由於在PM2實施配方之空指令，PM1和PM2之配方時間以分為單位產生差之時，則有自卡匣容器C朝向製程船PS2搬出之晶圓超過已自卡匣容器C朝向製程船PS1搬出之晶圓之情形。
例如，在第12圖所示之製程中，因，PM1之配方時間以分為單位較PM2之配方時間長，自卡匣容器C朝向製程船PS2被搬出之晶圓P20超過已自卡匣容器C朝向製程船PS1被搬出之晶圓P19，比起晶圓P19被搬入至LLM1，晶圓P20係先被搬入至LLM2。
並且，當持續執行OR搬運時，自卡匣容器C搬出產品晶圓P25之後，對製程船PS2洗淨用晶圓C1超過產品晶圓P25而被搬運至LLM2。
針對在如此搬運狀況所產生之課題，一面參照第13圖一面予以說明。如第13圖(a)所示般，在先執行製程船PS2側的處理之狀態下，如第13圖(b)所示般，因於PM1產生故障，故於禁止晶圓搬入至PM1之時，將PM1預定成搬運地點之產品晶圓P25，因為未搬入至PM1之狀態，故暫時返回至卡匣容器C。
在此，當考慮搬運效率時，藉由等待產品晶圓P25至PM1回復為止，將運轉中之PM2設定成產品晶圓P25之新的搬運地點，將產品晶圓P25搬運至製程船PS2，以在PM2對產品晶圓P25施予蝕刻處理為佳。
在此，如第13圖(c)所示般，將產品晶圓P25搬運至製程船PS2，並且當在PM2施予蝕刻處理時，則藉由使用其前刻之洗淨用晶圓C1的洗淨處理，不管PM2內部是否被整理成接受下一個批量之狀態，由於現批量所含之產品晶圓P25之處理，使得PM2之內部環境改變，有對下一個批量之處理造成壞影響之虞。
再者，PM2雖然洗淨處理完成，但是處於乾燥處理前之狀態，故內部之環境不被整理成可以處理產品晶圓P25之程度的安定狀態。其結果，有在PM2施予蝕刻處理之產品晶圓P25成為不良品之虞，判斷在現批量之其他處理完產品晶圓之間產生特性上之參差不齊，在後工程中，現批量所含之產品晶圓之至少中之任一者中，混有無法確保可以當作產品予以出貨之水準品質的產品，有無法將現批量所含之產品晶圓所有當作商品予以出貨之虞。
並且，藉由現批量之產品晶圓之處理，PM2之內部之環境多少有點改變，故為了將PM2之內部整理成接受下一個批量之環境，必須再予以處理。
如此一來，有即使在正常運轉中之PM，也依據處理退避晶圓之前刻被實行之處理的內容，以禁止搬運該晶圓為佳之情形。在此，在本實施型態之異常發生時插入處理中，於將暫時退避之晶圓搬運至新的搬運地點PM之時，考慮在搬運地點PM處理退避晶圓之前刻被實行之處理，於必要之時，禁止將該晶圓搬運至新的搬運地點。
在以下中，針對該異常發生時插入處理，一面參照第7圖所示之流程圖，一面予以說明。並且，於PM異常發生時，通知PM之異常發生之插入訊號從MC300被輸出至EC200。在此，在OR搬運中，在第8圖(b)所示之PM1，於處理產品晶圓P21中在PM1發生異常，自管理PM1之MC300a輸出插入訊號至EC200，藉由接收該插入訊號之EC200之CPU215，實行第7圖之異常發生時插入 處理。
(異常發生時插入處理)
異常發生時插入處理係從步驟700開始，退避部260係將在步驟705產生異常(錯誤)之PM(以下也將發生異常之PM稱為異常PM)設為搬運地點，並且使未搬入之晶圓退避至卡匣容器C。在第8圖(b)中，將異常PM1設為搬運地點，並且使未搬入之產品晶圓P25暫時退避至卡匣容器C。在此，退避部260係以晶圓是否被搬入至LLM來判定晶圓是否為未搬入。即是，當在PM1發生異常時，產品晶圓P21、P23、P24、C1則被判定為搬運完成，產品晶圓P25則被判定為未搬入。
接著，前進至步驟710，搬運禁止部265係於將產品晶圓P25之搬運地點決定成搬運至正常運轉之PM(以下也將正常運轉之PM稱為正常PM)之時，特定在正常PM於退避晶圓之處理之前刻被實行之處理。在第8圖(b)中，因洗淨用晶圓C1被搬入至LLM，故於將退避晶圓P25搬運至PM2之時，於退避晶圓P25之前刻被實行之處理被特定為洗淨處理。
接著，前進至步驟715，搬運禁止部265係根據特定條件，判定被特定之前刻處理的下一個是否為禁止處理該晶圓。作為特定條件之一例，可舉出在處理退避晶圓之前刻被實行之處理中搬運地點PM之內部不被整理成可以處理下一個產品晶圓之安定狀態的情形。
更具體而言，可舉出雖然在應洗淨搬運地點PM內部之時序，但處理退避晶圓之前刻的處理非洗淨處理之情形。再者，可舉出於洗淨搬運地點PM之內部之後，雖然在應乾燥之時序，但處理退避晶圓之前刻的處理非乾燥處理之情形。
此時，搬運地點PM之內部因不被整理成可以處理產品晶圓程度般之良好狀態，故當在其裝置內部處理退避晶圓時則有退避晶圓成為不良品之虞，再者，有現批量所含有之晶圓特性產生參差不齊之虞。
再者，作為禁止搬運退避晶圓的特定條件之其他一例，可舉出藉由在處理上述退避晶圓之前刻被實行的處理，PM內部被整理成接受含有退避晶圓之批量的下一個批量之狀態之情形。
更具體而言，可舉出藉由在處理退避晶圓之前刻被實行之洗淨處理，PM內部被整理成接受上述下一個批量的情形。再者，可舉出藉由在處理退避晶圓之前刻被實行之乾燥處理，PM內部被整理成接受上述下一個批量的情形。
此時，搬運地點PM之內部因被整理成接受下一個批量之環境，故當在其裝置內部處理現批量之晶圓時，則有退避晶圓成為不良品之虞，再者，有現批量所含有之晶圓及下一批量所含之晶圓的特性產生參差不齊之虞。
在上述各情形中，當在相同批量內之晶圓特性產生參差不齊時，則判斷在後工程中，該批量所含之產品晶圓之 至少任一者中，混有無法確保可以當作產品予以出貨水準之品質的產品，有無法將該批量所含之產品晶圓所有當作商品予以出貨之虞。混有不確保品質的產品，有無法將該批量所含之所有產品當作商品予以出貨之虞。
並且，藉由現批量之產品晶圓之處理，因搬運地點PM之內部環境多少有點改變，故為了將搬運地點PM之內部整理成接受下一個批量之環境，必須再予以處理，也成為處理系統10全體之處理量下降之原因。
例如，如第8圖(c)所示之狀況中，將產品晶圓P25搬運至製程船PS2，並且當在PM2施予蝕刻處理時，則藉由使用其前刻之洗淨用晶圓C1的洗淨處理，不管PM2內部是否被整理成接受下一個批量之狀態，由於現批量之產品晶圓P25之處理，使得PM2之內部環境改變，有對下一個批量之處理造成壞影響之虞。
再者，PM2雖然洗淨處理完成，但是因非為乾燥後，故PM2之內部不被整理成可以處理產品晶圓之程度的安定狀態。其結果，在PM2施予蝕刻處理之製品晶圓P25成為不良品，在相同批量中之其他處理完之製品晶圓之間，產生特性上之參差不齊，有無法將現批量所含之所有產品晶圓當作商品予以出貨之虞。
並且，藉由現批量之產品晶圓P25之處理，PM2之內部之環境多少有點改變，故為了將PM2之內部整理成接受下一個批量之環境，必須再予以處理。
在此，在本實施型態所涉及之異常發生時插入處理 中，於以上所示之搬運狀態時，則在第7圖之步驟715，搬運禁止部265判定成「No」，前進至步驟720，搬運地點決定部255於異常PM之回復後，以搬運至回復退避晶圓之PM之方式決定搬運地點。
其結果，如第8圖(d)所示般，退避晶圓P25，被搬運至PM1之回復後LLM1，在PM1被處理。如此一來，則如第8圖之下部所示般，因藉由禁止退避晶圓P25搬運至正常運轉中之PM2，在PM1、PM2現批量之最終處理晶圓皆成為洗淨用晶圓C1、C2，故由於不會使相同批量內之所有產品晶圓特性產生參差不齊，故可以保持高良率。再者，於現批量之處理完成時，所有以之PM內部，因被整理成接受下一個批量之環境，故可以流暢開始下一個批量之處理。
並且，在第7圖之步驟715中，當判定未禁止將退避晶圓搬運至正常PM之時，則前進至步驟725，搬運地點決定部255，將退避晶圓之搬運地點變更成正常PM。其結果，不用等待異常PM之回復可以處理退避晶圓，並且即使於異常時亦可以有效率處理現批量之晶圓。
(其他搬運狀況中之異常產生時插入處理)
接著，針對其他搬運狀況中之異常產生時插入處理予以說明。在此，如第9圖所示般，各批量於批量首先執行使用洗淨用晶圓C1、C2之洗淨處理，接著執行使用批量安定虛擬晶圓S1、S2之乾燥處理，將PM1、PM2之內部 整理成適合於產品晶圓Pn之處理的環境後，搬運25片之產品晶圓P1~P25。
在第9圖(a)中，藉由將晶圓予以OR搬運，並將藉由操作者所指定之批量號碼之洗淨用晶圓C1、C2各搬運至PM1、PM2，接著批量安定虛擬晶圓S1被搬運至PM1，為產品晶圓P1之搬運地點被決定成PM1之狀態。在該狀況中於PM1發生異常。
(異常發生時插入處理)
在此時啟動之第7圖之異常發生時插入處理中，在步驟705中，退避部260係將發生異常之PM1當作搬入地點而待機之產品晶圓P1退避至卡匣容器C，接著，搬運禁止部265在步驟710將產品晶圓P1之搬運地點決定成PM2之時，特定在PM2於退避晶圓之前刻被實行之處理。如第9圖(b)所示般，為於退避晶圓P1之前刻在PM2被實行之處理為洗淨處理。
接著，前進至步驟715，搬運禁止部265係根據特定條件，判定被特定之前刻處理的下一個是否為禁止處理該退避晶圓P1。在本實施型態之時，於洗淨正常PM2之內部之後，必須於乾燥後處理產品晶圓。依此，因於洗淨後，乾燥前之PM2之內部未被整理成可以處理製品晶圓程度之良好狀態，故當在PM2處理退避晶圓P1時，處理後之晶圓P1特性有無法到達可以出貨水準之虞。
在此，在本實施型態所涉及之異常發生時插入處理 中，於以上所示之搬運狀態時，則在第7圖之步驟715，搬運禁止部265判定禁止將退避晶圓P1搬運至正常PM2，前進至步驟720，搬運地點決定部255於異常PM1之回復後，以退避晶圓P1搬運至回復退避晶圓之PM1之方式決定搬運地點，在步驟795暫時完成本處理。
如此一來，則如第9圖之下部所示般，藉由禁止退避晶圓P1搬運至正常運轉中之PM2，PM1、PM2皆依洗淨用晶圓C1、C2、批量安定虛擬晶圓S1、S2之順序被處理之後，處理產品晶圓P1~P25。因此，可以將所有產品晶圓之特性保持良好，並且於現批量所含之產品晶圓不會產生特性上之參差不齊，可以保持高良率。
並且，即使經過特定期間，於異常PM1不回復之時，即使再次起動第7圖之異常發生時插入處理亦可。此時，則如第9圖(c)所示般，設為批量安定虛擬晶圓S2被搬運至PM2之狀態。
此時，因產品晶圓P1已被退避至卡匣容器(步驟705)，故前進至步驟710，搬運禁止部265於再次將產品晶圓P1之搬運地點定為正常PM2之時，則特定在PM2於退避晶圓P1之前刻被實行之處理。在該時點，於退避晶圓P1之前刻在PM2所實行之處理為乾燥處理。
在此，搬運禁止部265當判定成不禁止於在步驟715被特定之前刻處理的下一個處理退避晶圓P1，則前進至步驟725，搬運地點決定部255係決定將退避晶圓P1搬運至正常PM2，在步驟795暫時完成本處理。
其結果，如第9圖(d)所示般，PM1、PM2皆依洗淨用晶圓C1、C2、批量安定虛擬晶圓S1、S2之順序被處理之後，處理產品晶圓P1~P25。依此，因應異常PM之回復狀況，可以臨機應變將各晶圓搬運至多數PM，即使在異常時，亦可以維持處理系統全體之高效率。
如上述說明般，若藉由本實施型態所涉及之處理系統10時，於任一個PM發生異常時，即使在正常運轉中之處理室，例如其內部不被整理成安定狀態之情形，或被整理成接受下一個批量之狀態之情形等，於處理晶圓之前刻被實施之處理相當於特定條件之時，則禁止搬運該晶圓。
並且，處理系統10具有3個以上之PM之時，當在步驟715判定禁止退避晶圓搬運至正常PM時，即使將正常運轉之其他PM特定成退避晶圓之新的搬運地點，以取代則在步驟720等待異常PM之回復後將退避晶圓搬運至回復之PM亦可。
再者，退避部260當晶圓被搬入至LLM時，雖然決定晶圓被搬入至搬運地點之PM，但是當晶圓被搬入至任一者之PM時，退避部260即使決定成晶圓被搬入至搬運地點之PM亦可。
並且，搬運禁止部265即使根據配方所示之處理程序，判定在退避晶圓之新的搬入地點之PM被實行之前刻的處理亦可。如此一來，即使不使用批量安定之虛擬晶圓，在無晶圓之狀態下執行洗淨或乾燥PM之時，亦可以正確判斷在搬入地點PM被實行之前刻的處理。
在上述說明之各實施型態中，各部之動作互相關連，可以一面考慮互相之關連，一面置換一連串動作，依此可以將處理系統之控制裝置之實施型態設定成處理系統之控制方法之實施型態。再者，藉由將上述各部之動作與各部之處理置換，可以將處理系統之控制方法之實施型態，設為用以控制處理系統之控制程式之實施型態。再者，藉由使用以控制處理系統之控制程式記憶於電腦可讀取之記錄媒體，可以將用以控制處理系統之控制程式之實施型態設為記錄於控制程式之電腦可讀取之記錄媒體的實施型態。
以上，雖然係一面參照附件圖面一面針對本發明之最佳實施型態予以說明，但是本發明當然並不限定於此例。若為本項技藝者在記載於申請專利範圍之範疇內應該能夠思及各種變更例或是修正例，針對該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。
(處理系統之變形例1)
例如，實行上述搬運處理(第5圖)、晶圓處理(第6圖)及異常發生時插入處理(第7圖)之處理系統10即使為第10圖所示之構成亦可。處理系統10具有卡匣腔室(C/C)400u1、400u2、傳送室(T/C)400u3、預對準(P/A)400u4、製程腔室(P/C)(=PM)400u5、400u6。
在C/C400u1、400u2收容處理前之晶圓及處理完之晶圓，並且收容有洗淨用晶圓及批量安定虛擬晶圓。 P/A400u4執行晶圓W之定位。
在T/C400u3設置有可伸縮及旋轉之多關節狀之機械臂400u31。機械臂400u31在設置於機械臂400u31之前端的叉桿400u32上保持晶圓，一面適當伸縮及旋轉，一面在C/C400u1、400u2和P/A400u4和P/C400u5、400u6之間搬運晶圓。
藉由如此之構成，處理系統10使用T/C400u3之機械臂400u31自C/C400u1、400u2搬出晶圓，經由T/C400u3、P/A400u4搬入至P/C400u5、400u6，對晶圓施予蝕刻處理等之製程之後，再次經由T/C400u3，搬出至C/C400u1、400u2。
(處理系統之變形例2)
再者，本發明之處理系統10即使為第11圖所示之構成亦可。處理系統10具有對搬運晶圓W之搬運系統H和對晶圓W執行成膜處理或是蝕刻處理等之處理的處理系統S。搬運系統H和處理系統S係經LLM400t1、400t2而連結。
搬運系統H具有卡匣台400H1和搬運台400H2。在卡匣台400H1設置有容器載置台H1a，在容器載置台H1a載置有4個之卡匣容器H1b1~H1b4。各卡匣容器H1b多段收容於處理前之晶圓W、處理完之晶圓及洗淨或乾燥所使用之虛擬處理用之晶圓。
在搬運台400H2可伸縮及旋轉之兩根搬運機械臂 H2a1、H2a2係被支撐成可藉由磁性驅動滑動。搬運機械臂H2a1、H2a2係在安裝於前端之叉桿上保持晶圓W。
搬運台400H2之端部設置有決定晶圓W之定位的定位機構H2b。定位機構H2b係藉由一面在載置晶圓W之狀態使旋轉台H2b1旋轉，一面藉由光學檢測器H2b2，檢測出晶圓W之周緣部之狀態，定位晶圓W之位置。
在LLM400t1、400t2在其內部各設置有載置晶圓W之載置台，並且在其兩端各設置有閘閥t1a、t1b、t1c、t1d。藉由如此之構成，搬運系統H係在卡匣容器H1b1~H1b4和LLM400t1、400t2和定位機構H2b之間搬運晶圓W。
處理系統S設置有傳送室(T/C)(=TM)400t3及6個製程腔室(p/c)400s1~400s6(=PM)。T/C400t3經閘閥s1a~s1f各連結至P/C400s1~400s6。在T/C400t3設置有可伸縮及旋轉之機械臂Sa。
藉由如此之構成，處理系統10使用機械臂Sa將自搬運系統H被搬運至處理系統S之晶圓，使用機械臂Sa，由LLM400t1、400t2經由T/C400t3搬入至P/C400s1~400s6，於對晶圓施予蝕刻處理等之製程之後，再次經由T/C400t3，搬出至LLM400t1、400t2，搬運臂H2a1、H2a2接取此而返回至卡匣容器H1b。
如第10圖及第11圖所示般，即使在存在3個以上PM之處理系統10中，晶圓也順序被搬運至各P/C。如此一來，於順序將晶圓搬運至3以上之PM(處理室)之 時，也包含OR搬運之概念。於此時，藉由實行第7圖之異常發生時插入處理，因應正常運轉之處理室之狀態及發生異常之處理室之狀況，可以臨機應變將各被處理體搬運至多數處理室，即使在異常時，亦可以維持處理系統全體之高效率。
本發明所涉及之處理系統之處理室的數量即使為幾個亦可。再者，本發明所使用之被處理體並不限定於矽晶圓，即使為石英或玻璃等之基板亦可。
再者，作為在處理室實行所欲之處理的裝置一例，可舉出蝕刻裝置、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積)裝置、灰化裝置、濺鍍裝置、塗佈顯像裝置、洗淨裝置、CMP(Chemical Mechaniacal Polishing：化學性機械性研磨)裝置、PVD(Physical Vapor Deposition：物理氣相沈積)裝置、曝光裝置、離子植入器等。該些裝置即使藉由微波電漿處理裝置、感應耦合型電漿處理裝置以及電容耦合型電將處理裝置等而被實現亦可。
並且，本發明所涉及之控制裝置即使僅以EC200而被實現化亦可，即使由EC200和MC300被實現化亦可。
100‧‧‧主電腦
200‧‧‧EC
250‧‧‧記憶部
255‧‧‧搬運地點決定部
260‧‧‧退避部
265‧‧‧搬運禁止部
270‧‧‧晶圓處理控制部
275‧‧‧通訊部
280‧‧‧搬運控制部
300、300a~300d‧‧‧MC
PS1、PS2‧‧‧製程船
PM1、PM2‧‧‧製程模組
LLM1、LLM2‧‧‧裝載鎖定模組
TR‧‧‧搬運單元
AL‧‧‧定位機構
CS‧‧‧卡匣台
C‧‧‧卡匣容器
P1~P25‧‧‧產品晶圓
C1、C2‧‧‧洗淨用晶圓
S1、S2‧‧‧批量安定虛擬晶圓
第1圖為本發明之一實施型態所涉及之處理系統之概念圖。
第2圖為同實施型態所涉及之處理系統之內部構成圖。
第3圖為同實施型態所涉及之EC之硬體構成圖。
第4圖為同實施型態所涉及之EC之機能構成圖。
第5圖為表示在同實施型態所實行之搬運處理程序之流程圖。
第6圖為表示在同實施型態所實行之晶圓處理程序之流程圖。
第7圖為表示在同實施型態所實行之異常發生時之插入處理程序之流程圖。
第8圖為同實施型態所涉及之處理系統內之搬運狀態之圖式。
第9圖為同實施型態所涉及之處理系統內之搬運狀態之其他圖式。
第10圖為處理系統之其他內部構成圖。
第11圖為處理系統之其他內部構成圖。
第12圖為表示關連之處理系統內之搬運狀態的圖式。
第13圖為表示關連之處理系統內之搬運狀態的其他圖式。
PM1、PM2‧‧‧製程模組
LLM1、LLM2‧‧‧裝載鎖定模組
TR‧‧‧搬運單元
C‧‧‧卡匣容器
P1~P25‧‧‧產品晶圓
C1、C2‧‧‧洗淨用晶圓
S1、S2‧‧‧批量安定虛擬晶圓

Claims (15)

  1. 一種處理系統之控制裝置，係用以控制處理系統的裝置，該處理系統具有：對被處理體施予特定的處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定的搬運地點的搬運機構，該處理系統之控制裝置之特徵為：具備搬運地點決定部，其係以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點；和退避部，其係在上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態的情況下，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠；和搬運禁止部，其係於藉由上述搬運地點決定部重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點之情況下，在新的搬運地點的處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，則禁止搬運上述退避後之被處理體至新的搬運地點，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：即使根據處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理，上述搬運地點之處理室內部也不被整理成穩定狀態，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下 的情形：不管處理上述退避後之被處理體之前刻的處理為應洗淨上述搬運地點之處理室內部之時序，上述前刻的處理非洗淨處理。
  2. 一種處理系統之控制裝置，係用以控制處理系統的裝置，該處理系統具有：對被處理體施予特定的處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定的搬運地點的搬運機構，該處理系統之控制裝置之特徵為：具備搬運地點決定部，其係以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點；和退避部，其係在上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態的情況下，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠；和搬運禁止部，其係於藉由上述搬運地點決定部重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點之情況下，在新的搬運地點的處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，則禁止搬運上述退避後之被處理體至新的搬運地點，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：即使根據處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理，上述搬運地點之處理室內部也不被整理成穩定 狀態，禁止搬運上述退避後之被處理體的條件包含以下的情形：不管處理上述退避後之被處理體之前刻的處理，為洗淨上述搬運地點之處理室內部之後，應予以乾燥之時序，上述前刻的處理非乾燥處理。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述搬運地點決定部係將藉由上述搬運禁止部被禁止搬運之被處理體之搬運地點，認定為搬運至正常運轉之其他處理室中之任一者，或者認定為等待產生異常之處理室之回復而搬運至回復之處理室。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述處理系統又具備在上述複數處理室之各處理室和上述搬運機構之間連結上述各處理室和上述搬運機構之前處理室，上述退避係被處理體被搬入至上述前處理室之時，判定被處理體被搬入至搬運地點之處理室。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述搬運禁止部係當洗淨用之被處理體從上述搬運機構被搬入至上述前 處理室之時，判定在與上述前處理室連結之上述處理室被實行之前刻的處理為洗淨處理。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述搬運禁止部係判定當乾燥用之被處理體從上述搬運機構被搬入至上述前處理室之時，在與上述前處理室連結之上述處理室被實行之前刻的處理為乾燥處理。
  7. 如申請專利範圍第4項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述搬運地點決定部係與被處理體與從上述搬運機構被搬入至上述前處理室之時序連動，決定被收容於上述被處理體收容埠之下一個被處理體之搬運地點。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述搬運地點決定部係與被處理體從上述被處理體收容埠被搬出至上述搬運機構之時序連動，決定被收容於上述被處理體收容埠之下一個被處理體之搬運地點。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述退避部係於上述複數處理室之各處理室之定期維修或是在上述 各處理室產生異常之時，判定上述各處理室處於禁止搬入被處理體之狀態。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之處理系統之控制裝置，其中，上述處理系統為處理晶圓或是基板之系統。
  11. 一種處理系統之控制裝置，係用以控制處理系統的裝置，該處理系統具有：對被處理體施予特定的處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定的搬運地點的搬運機構，該處理系統之控制裝置之特徵為：具備搬運地點決定部，其係以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點；和退避部，其係在上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態的情況下，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠；和搬運禁止部，其係於藉由上述搬運地點決定部重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點之情況下，在新的搬運地點的處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，則禁止搬運上述退避後之被處理體至新的搬運地點，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件，包含以 下的情形：藉由在處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的處理，上述搬運地點之處理內部被整理成接受包含上述退避後之被處理體之批量的下一個批量的狀態。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之處理系統之控制裝置，其中，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：藉由處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的洗淨處理，上述搬運地點之處理室內部被整理成接受上述下一個批量的狀態。
  13. 如申請專利範圍第11項所記載之處理系統之控制裝置，其中，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：藉由處理上述退避後之被處理體之前刻被實行的乾燥處理，上述搬運地點之處理室內部被整理成接受上述下一個批量的狀態。
  14. 一種處理系統之控制方法，係用以控制處理系統的方法，該處理系統具有：對被處理體施予特定的處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述被處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定的搬運地點的搬運機構，該處理系統之控制方法之特徵為：以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點， 上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態的情況下，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠，重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點，於在上述重新被決定之搬運地點之處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，禁止將上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：即使根據處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理，上述搬運地點之處理室內部也不被整理成穩定狀態，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：不管處理上述退避後之被處理體之前刻的處理為應洗淨上述搬運地點之處理室內部之時序，上述前刻的處理非洗淨處理。
  15. 一種記憶媒體，記憶有用於使電腦實行處理系統之控制的控制程式，該處理系統具有：對被處理體施予特定的處理之複數處理室，和收容被處理體之被處理體收容埠，和在上述複數處理室和上述被處理體收容埠之間將被處理體搬運至特定的搬運地點的搬運機構，該記憶媒體之特徵為：記憶有控制程式，該控制程式包含：以被處理體依序被搬運至上述複數處理室中正常運轉 之處理室之方式，決定被收容於上述被處理體收容埠之被處理體的搬運地點，上述複數處理室中之任一者處在禁止搬入被處理體之狀態的情況下，將上述搬入禁止之處理室認定為搬運地點，並且將還未搬入至上述搬入禁止之處理室的被處理體，暫時退避於被處理體收容埠，重新決定上述退避後之被處理體之搬運地點，於在上述重新被決定之搬運地點之處理室，處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理滿足特定條件之時，禁止將上述退避後之被處理體搬運至新的搬運地點，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：即使根據處理上述退避後之被處理體之前刻被實行之處理，上述搬運地點之處理室內部也不被整理成穩定狀態，禁止搬運上述退避後之被處理體的特定條件包含以下的情形：不管處理上述退避後之被處理體之前刻的處理為應洗淨上述搬運地點之處理室內部之時序，上述前刻的處理非洗淨處理。
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