TWI415067B - 用於驅動一主動矩陣顯示電路之方法及系統 - Google Patents

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Description

用於驅動一主動矩陣顯示電路之方法及系統
本發明係關於一種發光元件，具體而言，係關於一種用於驅動具有發光元件之像素電路的方法及系統。
電發光顯示器已經被開發用於各種裝置，例如行動裝置。具體而言，具有非晶矽(a－Si)、多晶矽、有機或其他驅動底板之主動矩陣有機發光二極體(active－matrix organic light emitting diode,AMOLED)顯示越來越具吸引力，原因在於其所具有之多種優點，如：顯示方便靈活、製造成本低、解析度高及視角寬廣。
AMOLED顯示器包含像素之列、行矩陣，每一像素一有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)及底板電子器件，其排列於該列、行矩陣中。由於OLED係一受電流驅動之元件，所以AMOLED之像素電路應能提供一準確而恆定之驅動電流。
因此需要提供一種方法及系統，其能夠以高精確度提供恆定亮度，且降低由於像素電路之老化以及底板及發光元件之不穩定性所造成之影響。
本發明之一目的係提供一種方法及系統，其能夠消除或削弱現有系統之至少一個缺點。
根據本發明之一態樣，為一顯示系統提供一系統，其包括一驅動電路，用於一具有發光元件之像素。該驅動電路包括被連接至該發光元件之驅動電晶體。該驅動電晶體包含一閘極端、一第一端及一第二端。該驅動電路包括一第一電晶體，該第一電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該第一電晶體之閘極端被連接至一選擇線，該第一電晶體之第一端被連接至一資料線，該第一電晶體之第二端被連接至該驅動電晶體之閘極端。該驅動電路包括一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路包括一放電電晶體，該放電電晶體具有一閘極端、一第一端及一第二端，該放電電晶體之閘極端在一節點被連接至該驅動電晶體之閘極端，該節點之電壓透過該放電電晶體放電。該驅動電路包括一儲能電容器，該儲能電容器包括一第一端及一第二端，該儲能電容器之第一端在該節點處被連接至該驅動電晶體之閘極端。
該顯示系統可包含一顯示陣列及一驅動該顯示陣列之驅動器，該顯示陣列具有複數個排列為列、行之像素電路，該等像素電路之每一像素電路包括該驅動電路。該第二電晶體之閘極端被連接至一偏壓線。該偏壓線由該等複數個像素電路中多於一個像素電路共用。
根據本發明之另一態樣，為該顯示系統提供一種方法。該顯示系統包括一驅動器，用於為每一列提供一程式化週期、一補償週期及一驅動週期。該方法包括以下步驟：在第一列之程式化週期，選擇該第一列之位址線，且提供程式化資料至該第一列；在該第一列之補償週期，選擇與該第一列相鄰之第二列的相鄰位址線，且禁用該第一列之位址線；以及在該第一列之驅動週期，禁用該相鄰位址線。
根據本發明之另一態樣，提供一種顯示系統，其包括一或多個像素電路，每一像素電路包括一發光元件及一驅動電路。該驅動電路包括一驅動電晶體，該驅動電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該驅動電晶體位於該發光元件及一第一電源之間。該驅動電路包括一開關電晶體，該開關電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該開關電晶體之閘極端被連接至一第一位址線，該開關電晶體之第一端被連接至一資料線，該開關電晶體之第二端被連接至該驅動電晶體之閘極端。該驅動電路包括一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路包括一感測器及一放電電晶體，該感測器用以感測自該像素電路傳遞之能量，該感測器具有一第一端及一第二端，該感測器之特性取決於感測結果，該放電電晶體具有一閘極端、一第一端及一第二端，該放電電晶體之閘極端被連接至一第二位址線，該放電電晶體之第一端在一節點被連接至該驅動電晶體之閘極端，該放電電晶體之第二端被連接至該感測器之第一端。該驅動電路包括一儲能電容器，該儲能電容器包括一第一端及一第二端，該儲能電容器之第一端在該節點處被連接至該驅動電晶體之閘極端。
根據本發明之另一態樣，提供於用一顯示系統之方法，其包括實施像素內(in－pixel)補償之步驟。
根據本發明之另一態樣，提供用於一顯示系統之方法，其包括實施面板(of－panel)補償之步驟。
根據本發明之另一態樣，提供用於一顯示系統之方法，該顯示系統包括一具有感測器之像素電路，該方法包括回讀該感測器之老化資料的步驟。
根據本發明之另一態樣，提供一顯示系統，其包括一顯示陣列及用於驅動該顯示陣列之驅動系統，該顯示陣列包括複數個排列為列、行的像素電路，每一像素電路包含一發光元件及一驅動電路。該驅動電路包括一驅動電晶體，該驅動電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該驅動電晶體位於該發光元件及一第一電源之間。該驅動電路包括一第一電晶體，該第一電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該第一電晶體之閘極端被連接至一位址線，該第一電晶體之第一端被連接至一資料線，該第一電晶體之第二端被連接至該驅動電晶體之閘極端。該驅動電路包括一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路包括一第二電晶體，該第二電晶體具有一閘極端、一第一端及一第二端，該第二電晶體之閘極端被連接至一控制線，該第二電晶體之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端。該驅動電路包括一儲能電容器，該儲能電容器包括一第一端及一第二端，該儲能電容器之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端。該驅動系統驅動該像素電路，以便該像素電路在一圖框時間之一部分內被關閉。
根據本發明之另一態樣，提供用於一顯示系統之方法，該顯示系統具有一顯示陣列及一驅動系統。該驅動系統為每一列提供一圖框時間，該圖框時間具有一程式化週期、一放電週期、一發光週期、一重置週期、及一釋放週期。該方法包括以下步驟：在程式化週期，藉由致動該列之位址線對該列上之像素電路進行程式化；在放電週期，透過禁用該列之位址線且致動該列之控制線，部分地釋放該驅動電晶體之閘極端上的電壓；在發光週期，禁用該列之控制線，且藉由該驅動電晶體控制該發光元件；在重置週期，藉由致動該列之控制線，釋放該驅動電晶體之閘極端上的電壓；及在釋放週期，禁用該列之控制線。
第1圖繪示一像素電路之實例，根據本發明一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路。第1圖之像素電路100包括一OLED 102及用於驅動該OLED 102之驅動電路104。驅動電路104包括一驅動電晶體106、一放電電晶體108、一開關電晶體110及一儲能電容器112。例如，該OLED 102包括一陽極、一陰極及一介於該陽極及該陰極之間的發光層。
在以下說明中，“像素電路”與“像素”可被互換使用。在以下說明中，“訊號”及“線”可被互換使用。在以下說明中，術語“線”及“節點”可被互換使用。在以下說明中，術語“選擇線”及“位址線”可被互換使用。在以下說明中，“連接”(或“被連接到”)及“耦接”(或“被耦接到”)可被互換使用，可用於表示兩或多個元件相互之間直接或間接實體接觸或電氣接觸。
在一實例中，電晶體106、108及110為n型電晶體。在另一實例中，電晶體106、108及110為p型電晶體，或n型電晶體與p型電晶體之組合。在一實例中，電晶體106、108及110之每一電晶體包括一閘極、一源極及一汲極。
電晶體106、108及110可藉由非晶矽、奈/微結晶矽、多晶矽、有機半導體技術(例如有機TFT)、NMOS/PMOS技術或CMOS技術(例如，MOSFET)製造。
在電源線VDD及OLED 102之間提供驅動電晶體106。驅動電晶體106之一端被連接到VDD。驅動電晶體106之另一端被連接到OLED 102之一極(例如，陽極)。放電電晶體108之一端及其閘極在節點A1被連接到驅動電晶體106之閘極。放電電晶體108之另一端被連接到OLED 102。開關電晶體110之閘極端被連接到一選擇線SEL。開關電晶體110之一端被連接到資料線VDATA。開關電晶體110之另一端被連接至節點A1。儲能電容器112之一端被連接到節點A1。儲能電容器112之另一端被連接到OLED 102。OLED 102之另一極(例如，陽極)被連接到一電源線(例如，公共接地)114。
像素電路100透過調整該驅動電晶體106之閘極電壓在圖框期間提供一恆定之平均電流，如下所述。
第2圖繪示一具有第1圖之驅動電路104之像素電路的另一實例。像素電路130類似於第1圖之像素電路100。像素電路130包括一OLED 132。OLED 132可等同或類似於第1圖之OLED 102。在像素電路130中，在OLED 132之一極(例如一陰極)與一電源線(例如一公共接地)134之間提供一驅動電晶體106。放電電晶體138之一端與儲能電容器112之一端被連接到電源線134。OLED 132之另一極(例如，陽極)被連接到VDD。
像素電路130採用與第1圖之像素電路100類似之方式，在圖框時間內提供一恆定之平均電流。
第3圖繪示一根據本發明一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第3圖之波形被應用於具有第1圖及第2圖之驅動電路104之像素電路(例如，第1圖之100，第2圖之130)。
第3圖之操作週期包括一程式化週期140及一驅動週期142。參考第1圖至第3圖，在程式化週期140中，當選擇線SEL為高時，透過開關電晶體110將節點A1充電至一程式化電壓。在驅動週期142期間，透過放電電晶體108對節點A1進行放電。由於驅動電晶體106及放電電晶體108具有相同之偏壓條件，所以它們經歷相同之臨限電壓偏移。考慮到放電時間係放電電晶體108之跨導的函數，所以該放電時間隨著驅動電晶體106/放電電晶體108之臨限電壓的增加而增加。因此，像素(第1圖之100、第2圖之130)之平均電流在圖框時間內保持恆定。在一實例中，該放電電晶體是一非常弱之電晶體，其具有短寬度(W)和長通道長度(L)。寬度(W)與長度(L)之比可根據不同情景發生變化。
此外，在第2圖之像素電路130中，OLED 132之OLED電壓的增大會導致放電時間延長。因此，即使在OLED降級之後，也可使平均像素電流保持恆定。
第4圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第1圖及第2圖之驅動電路。第4圖之顯示系統1000包括一具有複數個像素1004之顯示陣列1002。像素1004包含第1圖及第2圖之驅動電路104，且可係第1圖之像素電路100或第2圖之像素電路130。
該顯示陣列1002是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1002是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1002可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光(EL)元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1002可用於行動裝置、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器或蜂巢式電話。
選擇線SELi和SELi＋1和資料線VDATAj和VDATAj＋1被提供至顯示陣列1002。該等選擇線SELi和SELi＋1中之每一選擇線對應於第1圖及第2圖之SEL。該等資料線VDATAj和VDATAj＋1中之每一資料線對應於第1圖及第2圖之VDATA。像素1004被排列為列及行形式。選擇線(SELi、SELi＋1)被該顯示陣列1002之公共列像素共用。資料線(VDATAj，VDATAj＋1)被顯示陣列1002中之公共行像素共用。
在第4圖中，示出四個像素1004。但是，像素1004之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第4圖中，示出兩選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。
閘極驅動器1006驅動SELi和SELi＋1。閘極驅動器1006可以是一位址驅動器，用於向位址線(例如，選擇線)提供位址訊號。資料驅動器1008產生一程式化資料，並驅動VDATAj和VDATAj＋1。控制器1010控制驅動器1006和1008，以驅動如上所述之像素1004。
第5圖繪示一像素電路之實例，根據本發明另一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路。第5圖之像素電路160包括一OLED 162及用於驅動該OLED 162之驅動電路164。驅動電路164包括一驅動電晶體166、一放電電晶體168、第一及第二開關電晶體170及172，以及一儲能電容器174。
像素電路160類似於第2圖之像素電路130。驅動電路164類似於第1圖及第2圖之驅動電路104。電晶體166、168及170分別對應於第1圖及第2圖中之電晶體106、108及110。電晶體166、168及170可以等同或類似於第1圖及第2圖中之電晶體106、108及110。儲能電容器174對應於第1圖及第2圖中之儲能電容器112。儲能電容器174可等同或類似於第1圖及第2圖中之儲能電容器112。OLED 162對應於第2圖中之OLED 132。OLED 162可等同或類似於第2圖之OLED 132。
在一實例中，開關電晶體172是一n型電晶體。在另一實例中，開關電晶體172是一p型電晶體。在一實例中，電晶體166、168、170及172之每一電晶體包括一閘極、一源極及一汲極。
電晶體166、168、170及172可藉由非晶矽、奈/微結晶矽、多晶矽、有機半導體技術(例如有機TFT)、NMOS/PMOS技術或CMOS技術(例如，MOSFET)製造。
在像素電路160中，開關電晶體172及放電電晶體168被串聯連接在驅動電晶體166之閘極端與電源線(例如，公共接地)176之間。開關172之閘極被連接到一偏壓線VB。放電電晶體168之閘極端在節點A2被連接至該驅動電晶體之閘極端。驅動電晶體166被提供於該OLED 162之一極(例如，陰極)與電源線176之間。該開關電晶體170之閘極端被連接至SEL。開關電晶體170之一端被連接到VDATA。開關電晶體170之另一端被連接至節點A2。儲能電容器174之一端被連接到節點A2。儲能電容器174之另一端被連接到電源線176。
像素電路160透過調整該驅動電晶體166之閘極電壓在圖框期間提供一恆定之平均電流，如下所述。
在一實例中，第5圖中之偏壓線VB可被整個面板之像素共用。在另一實例中，該偏壓VB可被連接至節點A2，如第6圖所示。第6圖之像素電路160A包括一驅動電路164A。驅動電路164A類似於第5圖之驅動電路164。但是，在驅動電路164A中，該開關電晶體174之閘極端被連接至節點A2。在又一實例中，第5圖中之開關電晶體172可被一電阻器代替，如第7圖所示。第7圖之像素電路160B包括一驅動電路164B。驅動電路164B類似於第5圖之驅動電路164。但是，在驅動電路164B中，一電阻器178及一放電電晶體168被串聯連接在節點A2及電源線176之間。
第8圖繪示一具有第5圖之驅動電路164之像素電路的另一實例。像素電路190類似於第5圖之像素電路160。像素電路190包括一OLED 192。OLED 192可以等同或類似於第5圖之OLED 162。在像素電路190中，驅動電晶體166被提供於OLED 192之一極(例如，陽極)與VDD之間。放電電晶體168之一端與儲能電容器174之一端被連接到OLED 192。OLED 192之另一極(例如，陰極)被連接到一電源線(例如，公共接地)194。
在一實例中，第8圖中之偏壓VB被整個面板之像素共用。在另一實例中，第8圖之偏壓VB被連接至節點A2，其類似於第6圖。在另一實例中，第8圖中之開關電晶體172可被一電阻器代替，類似於第7圖。
像素電路190採用與第5圖之像素電路160類似之方式，在圖框時間內提供一恆定之平均電流。
第9圖繪示一根據本發明另一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第9圖之波形被應用於具有第5圖及第8圖之驅動電路164之像素電路(例如，第5圖之160，第8圖之190)。
第9圖之操作週期包括一程式化週期200及一驅動週期202。參考第5圖、第8圖及第9圖，在程式化週期200中，當SEL為高時，透過開關電晶體170將節點A2充電至一程式化電壓(Vp)。在驅動週期202期間，透過放電電晶體168對節點A2進行放電。由於驅動電晶體166及放電電晶體168具有相同之偏壓條件，所以它們經歷相同之臨限電壓偏移。考慮到放電時間係放電電晶體168之跨導的函數，所以該放電時間隨著驅動電晶體166/放電電晶體168之臨限電壓的增加而增加。因此，像素(第5圖之160、第8圖之190)之平均電流在圖框時間內保持恆定。此處，開關電晶體172強制放電電晶體168工作於線性條件下，從而降低回饋增益。因此，該放電電晶體168可以是具有最小通道長度和寬度的單一電晶體。該單一電晶體之寬度和長度為該技術所允許之最小值。
此外，在第8圖之像素電路190中，OLED 192之OLED電壓的增大會導致放電時間之延長。因此，即使在OLED降級之後，也可使平均像素電流保持恆定。
第10圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第5圖及第8圖之驅動電路。第10圖之顯示系統1020包括一具有複數個像素1024之顯示陣列1022。像素1024包含第5圖及第8圖之驅動電路164，且可以是第5圖之像素電路130或第8圖之像素電路190。
該顯示陣列1022是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1022是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1022可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1022可用於行動裝置、個人數位助理、電腦顯示器或蜂巢式電話。
該等選擇線SELi和 SELi＋1中之每一選擇線對應於第5圖及第8圖之SEL。VB對應於第5圖及第8圖之VB。該等資料線VDATAj和VDATAj＋1中之每一資料線對應於第5圖及第8圖之VDATA。像素1024被排列為列及行形式。選擇線(SELi、SELi＋1)被該顯示陣列1022之公共列像素共用。資料線(VDATAj，VDATAj＋1)被顯示陣列1022中之公共行像素共用。偏壓線VB被第i列及第(i＋1)列共用。在另一實例中，VB可被整個陣列1022共用。
在第10圖中，示出四個像素1024。但是，像素1024之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第10圖中，示出兩選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。
閘極驅動器1026驅動SELi和SELi＋1，及VB。該閘極驅動器1026可包括一位址驅動器，用於向該顯示陣列1022提供位址訊號。資料驅動器1028產生一程式化資料，並驅動VDATAj和VDATAj＋1。控制器1030控制驅動器1026和1028，以驅動如上所述之像素1024。
第11圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第6圖及第7圖之驅動電路。第11圖之顯示系統1040包括一具有複數個像素1044之顯示陣列1042。像素1044包含第6圖之驅動電路164A或第7圖之164B，且可以是第6圖之像素電路160A或第7圖之像素電路160B。
該顯示陣列1042是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1042是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1042可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1042可用於行動裝置、個人數位助理、電腦顯示器或蜂巢式電話。
該等選擇線SELi和SELi＋1中之每一選擇線對應於第6圖及第7圖之SEL。該等資料線VDATAj和VDATAj＋1中之每一資料線對應於第6圖及第7圖之VDATA。像素1044被排列為列及行形式。選擇線(SELi、SELi＋1)被該顯示陣列1042之公共列像素共用。資料線(VDATAj，VDATAj＋1)被顯示陣列1042中之公共行像素共用。
在第11圖中，示出四個像素1044。但是，像素1044之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第11圖中，示出兩選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。
閘極驅動器1046驅動SELi和SELi＋1。閘極驅動器1046可以是一位址驅動器，用於向位址線(例如，選擇線)提供位址訊號。資料驅動器1048產生一程式化資料，並驅動VDATAj和VDATAj＋1。控制器1040控制驅動器1046和1048，以驅動如上所述之像素1044。
第12圖繪示第1圖之像素電路100之模擬結果。在第12圖中，“g1”表示對於驅動電晶體106之臨限電壓中的不同偏移以及500奈安之初始電流，第1圖中之像素電路100的電流；“g2”表示對於該驅動電晶體106之臨限電壓的不同偏移以及150奈安之初始電流，像素電路100之電流。在第12圖中，“g3”表示對於驅動電晶體之臨限電壓之不同偏移以及500奈安之初始電流，一傳統2－TFT像素電路之電流；“g4”表示對於一驅動電晶體之臨限電壓的不同偏移，以及150奈安之初始電流，該傳統2－TFT像素電路之電流。顯然，該平均像素電流對於新的驅動方案為穩定的，如果從像素電路(傳統2－TFT像素電路)中去除放電電晶體(例如，第1圖之106)，則該電流會顯著下降。
第13圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路。第13圖之像素電路210包括一OLED 212及用於驅動該OLED 212之驅動電路214。驅動電路214包括一驅動電晶體216、一放電電晶體218、第一及第二開關電晶體220及222，以及一儲能電容器224。
像素電路210類似於第8圖之像素電路190。驅動電路214類似於第5圖及第8圖之驅動電路164。電晶體216、218及220分別對應於第5圖及第8圖中之電晶體166、168及170。電晶體216、218及220可以等同或類似於第5圖及第8圖中之電晶體166、168及170。電晶體222可等同或類似於第5圖之電晶體172或第8圖之電晶體178。在一實例中，電晶體216、218、220及222之每一電晶體包括一閘極、一源極及一汲極。儲能電容器224對應於第5圖至第8圖中之儲能電容器174。儲能電容器224可等同或類似於第5圖到第8圖中之儲能電容器174。OLED 212對應於第8圖中之OLED 192。OLED 212可以等同或類似於第8圖之OLED 192。
電晶體216、218、220及222可藉由非晶矽、奈/微結晶矽、多晶矽、有機半導體技術(例如有機TFT)、NMOS/PMOS技術或CMOS技術(例如，MOSFET)製造。
在像素電路210中，驅動電晶體216被提供於VDD與OLED 212之一極(例如，陽極)之間。開關電晶體222和放電電晶體218被串聯連接在驅動電晶體216之閘極端與OLED 212之間。開關電晶體222之一端在節點A3被連接至該驅動電晶體之閘極端。該放電電晶體218之閘極端被連接至節點A3。在節點A3和OLED 212之間提供儲能電容器224。在VDATA與節點A3之間提供開關電晶體220。開關電晶體220之閘極端被連接到一選擇線SEL[n]。開關電晶體222之閘極端被連接到一選擇線SEL[n＋1]。OLED 212之另一極(例如，陰極)被連接到一電源線(例如，公共接地)226。在一實例中，SEL[n]是顯示陣列中第n列的地址線，SEL[n＋1]是顯示陣列中第(n＋1)列的地址線。
像素電路210透過調整該驅動電晶體216之閘極電壓在圖框期間提供一恆定之平均電流，如下所述。
第14圖繪示一具有第13圖之驅動電路214之像素電路的另一實例。第14圖之像素電路240類似於第5圖之像素電路160。像素電路240包括一OLED 242。OLED 242可以等同或類似於第5圖之OLED 162。在像素電路240中，在OLED 242之一極(例如一陰極)與一電源線(例如一公共接地)246之間提供一驅動電晶體216。放電電晶體218之一端與儲能電容器224之一端被連接到電源線246。OLED 242之另一極(例如，陽極)被連接到VDD。開關電晶體220之閘極端被連接到選擇線SEL[n]。開關電晶體222之閘極端被連接到選擇線SEL[n＋1]。
像素電路240採用與第13圖之像素電路210類似之方式，在圖框時間內提供一恆定之平均電流。
第15圖繪示一根據本發明一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第15圖之波形被應用於具有第13圖及第14圖之驅動電路214之像素電路(例如，第13圖之210，第14圖之240)。
第15圖之操作週期包括三個操作週期250、252及254。操作週期250形成一程式化週期，操作週期252形成一補償週期，操作週期254形成一驅動週期。參考第13圖至第15圖，在程式化週期250中，當選擇線SEL[n]為高時，透過開關電晶體220將節點A3充電至一程式化電壓。在第二操作週期252期間，SEL[n＋1]升至一高電壓。SEL[n]被禁用(或停用)。節點A3透過放電電晶體218放電。在第三操作週期254期間，SEL[n]和SEL[n＋1]被禁用。由於驅動電晶體216及放電電晶體218具有相同之偏壓條件，所以它們經歷相同之臨限電壓偏移。考慮到放電時間係放電電晶體218之跨導的函數，所以該放電電壓隨著驅動電晶體216/放電電晶體218之臨限電壓的升高而降低。因此，驅動電晶體216之閘極電壓被相應調整。
此外，在第14圖之像素電路240中，OLED 242之OLED電壓的升高導致一高閘極電壓。因此，該像素電流保持恆定。
第16圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第13圖及第14圖之驅動電路。第16圖之顯示系統1060包括一具有複數個像素1064之顯示陣列1062。像素1064包含第13圖及第14圖之驅動電路214，且可以是第13圖之像素電路210或第14圖之像素電路240。
該顯示陣列1062是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1062是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1062可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1062可用於行動裝置、個人數位助理、電腦顯示器或蜂巢式電話。
SEL[K](k＝n,n＋1,n＋2)是第k列之位址線。VDATAl(l＝j,j＋1)是一資料線，對應於第13圖及第14圖之VDATA。像素1064被排列為列及行形式。選擇線SEL[k]被該顯示陣列1062之公共列像素共用。資料線VDATAl被顯示陣列1062中之公共行像素共用。
在第16圖中，示出四個像素1064。但是，像素1064之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第16圖中，示出三選擇線及兩資料線。但是，該等位址線及該等資料線之數目可取決於系統設計而變化。
一閘極驅動器1066驅動SEL[k]。閘極驅動器1066可以是一位址驅動器，用於向位址線(例如，選擇線)提供位址訊號。資料驅動器1068產生一程式化資料，並驅動VDATA1。控制器1070控制驅動器1066和1068，以驅動如上所述之像素1064。
第17圖繪示第5圖之像素電路160之模擬結果。在第17圖中，“g5”表示對於驅動電晶體166之臨限電壓中的不同偏移以及630奈安之初始電流，第5圖中之像素電路16o的電流；“g6”表示對於該驅動電晶體166之臨限電壓的不同偏移以及430奈安之初始電流，像素電路160之電流。可以看出，即使在驅動電晶體之臨限電壓偏移2伏特之後，該像素電流仍然為高度穩定。由於第13圖之像素電路210類似於第15圖之像素電路160，所以此領域之一般技術者應瞭解該像素電路210之像素電流也將是穩定的。
第18圖繪示第5圖之像素電路160之模擬結果。在第18圖中，“g7”表示對於驅動電晶體166之不同OLED電壓以及515奈安之初始電流，第5圖中之像素電路160的電流；“g8”表示對於該驅動電晶體166之不同OLED電壓以及380奈安之初始電流，像素電路160之電流。可以看出，即使在OLED之電壓偏移2伏特之後，該像素電流仍然為高度穩定。由於第13圖之像素電路210類似於第15圖之像素電路160，所以此領域之一般技術者應瞭解該像素電路210之像素電流也將是穩定的。
第19圖示出用於驅動第16圖中之顯示陣列1062之程式化週期與驅動週期。在第16圖中，ROW j(j＝1,2,3,4)之每一列表示顯示陣列1062之第j列。在第19圖中，“P”表示程式化週期；“C”表示補償週期；“D”表示驅動週期。第j列之程式化週期P與第(j＋1)列之驅動週期D重疊。第j列之補償週期C與第(j＋1)列之程式化週期P重疊。第j列之驅動週期D與第(j＋1)列之補償週期C重疊。
第20圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路。第20圖之像素電路300包括一OLED 302及用於驅動該OLED 302之驅動電路304。驅動電路304包括一驅動電晶體306、一開關電晶體308、一放電電晶體310及一儲能電容器312。例如，該OLED 302包括一陽極、一陰極及一介於該陽極及該陰極之間的發光層。
在一實例中，電晶體306、308及310為n型電晶體。在另一實例中，電晶體306、308及310為p型電晶體，或n型電晶體與p型電晶體之組合。在一實例中，電晶體306、308及310之每一電晶體包括一閘極、一源極及一汲極。電晶體306、308及310可藉由非晶矽、奈/微結晶矽、多晶矽、有機半導體技術(例如有機TFT)、NMOS/PMOS技術或CMOS技術(例如，MOSFET)製造。
在電源線Vdd及OLED 302之間提供驅動電晶體306。驅動電晶體306之一端(例如源極)被連接到Vdd。驅動電晶體306之另一端(例如，汲極)被連接到OLED 302之一極(例如，陽極)。OLED 302之另一極(例如，陽極)被連接到一電源線(例如，公共接地)314。儲能電容器312之一端在節點A4被連接至該驅動電晶體306之閘極端。儲能電容器312之另一端被連接到Vdd。開關電晶體308之閘極端被連接到一選擇線SEL[i]。開關電晶體308之一端被連接到資料線VDATA。開關電晶體308之另一端被連接至節點A4。放電電晶體310之閘極端被連接到一選擇線SEL[i－1]或SEL[i＋1]。在一實例中，選擇線SEL[m](m＝i－1,i,i＋1)是一顯示陣列中第m列之位址線。該放電電晶體310之一端被連接至節點A4。放電電晶體310之另一端被連接到一感測器316。在一實例中，每一像素包含該感測器316。在另一實例中，感測器316由複數個像素電路共用。
感測器316包括一感測端及一偏壓端Vb1。感測器316之感測端被連接到放電電晶體310。舉例而言，偏壓端Vb1可被連接(但不限於)到地、Vdd或驅動電晶體306之一端(例如，源極)。感測器316偵測從該像素電路傳遞而來的能量。感測器316具有一取決於該感測結果而變化的跨導。由該像素所發出之光或熱能被感測器316吸收，從而使感測器之載體密度變化。舉例而言，感測器316藉由(但不限於)光、熱或其他形式之換能方式提供返回。感測器可以是(但不限於)一光感測器及一熱感測器。如下所述，節點A4取決於該感測器316之跨導而被放電。
驅動電路304被用於實施該像素電路之程式化、補償/校準及驅動。像素電路300藉由調整該驅動電晶體306之閘極電壓，在其顯示使用期限內提供恆定亮度。
第21圖繪示一具有第20圖之驅動電路304之像素電路的另一實例。第21圖之像素電路330類似於第20圖之像素電路300。像素電路330包括一OLED 332。OLED 332可以等同或類似於第20圖之OLED 302。在像素電路330中，該驅動電晶體306之一端(例如，汲極)被連接到OLED 332之一極(例如，陰極)，該驅動電晶體306之另一端(例如，源極)被連接到一電源線(例如，接地)334。此外，該儲能電容器312之一端被連接至節點A4，該儲能電容器312之另一端被連接到該電源線334。像素電路330採用與第20圖之像素電路300類似之方式，在其顯示使用期限內提供恆定亮度。
參考第20圖及第21圖，該像素電路中驅動電晶體306及OLED 302/332之老化被採用兩種不同方式加以補償：像素內補償與面板校準。
像素內補償將被詳細描述。第22圖繪示一根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例。藉由將第22圖之波形應用於一具有第20圖及第21圖之驅動電路的像素，像素內補償得以實施。
第22圖之操作週期包括三個操作週期340、342及344。操作週期340為第i列之程式化週期，是第(i＋1)列之驅動週期。操作週期342為第i列之補償週期，是第(i＋1)列之程式化週期。操作週期344為第i列之驅動週期，是第(i＋1)列之補償週期。參考第20圖至第22圖，在一顯示之第i列之程式化週期340中，當選擇線SEL[i]為高時，第i列之像素電路的節點A4被充電至一程式化電壓。在第(i＋1)列之程式化週期342內，SEL[i＋1]變為高，儲存在節點A4之電壓根據感測器316之跨導被充電。在第i列之驅動週期344，驅動電晶體306之電流控制OLED之亮度。
節點A4之充電電壓量取決於感測器316之跨導。感測器316由OLED亮度或溫度控制。因此，該充電電壓量隨著像素之老化而降低。此導致在像素電路之使用期限內保持恆定亮度。
第23圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第20圖及第21圖之驅動電路304。第23圖之顯示系統1080包括一具有複數個像素1082之顯示陣列1084。像素1084包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以為第20圖之像素電路300或第21圖之像素電路330。
該顯示陣列1082是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1082是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1082可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光(EL)元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1082可用於行動裝置、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器或蜂巢式電話。
第23圖中之SEL[i](i＝m－1,m,m＋1)為第i列之位址線。第23圖中之VDATAn(n＝j,j＋1)為第n行之資料線。位址線SEL[i]對應於第20圖及第21圖之選擇線SEL[i]。資料線VDATAn對應於第20圖及第21圖之VDATA。
一閘極驅動器1086包括一位址驅動器，用於向每一位址線提供位址訊號以驅動他們。資料驅動器1088產生一程式化資料，並驅動該資料線。控制器1090控制驅動器1086和1088，以驅動像素1084及實施像素內補償，如上所述。
在第23圖中，示出四個像素1084。但是，像素1084之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第23圖中，示出三選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可取決於系統設計而變化。
在第23圖中，該等像素1084之每一像素包括第20圖及第21圖之感測器316。在另一實例中，顯示陣列1080可包括一或多個具有感測器316之參考像素，如第24圖所示。
第24圖繪示一顯示系統之另一實例，該系統用於第20圖及第21圖之驅動電路304。第24圖之顯示系統1100包括一具有複數個像素1104和一或多個參考像素1106的顯示陣列1102。參考像素1106包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以為第20圖之像素電路300或第21圖之像素電路330。在第24圖中，示出兩個參考像素1106。但是，像素1084之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。像素1104包括一OLED和一個用於驅動該OLED之驅動電晶體，不包括第20圖及第21圖之感測器316。SEL_REF是一選擇線，用於選擇該等參考像素1106之陣列中的放電電晶體。
閘驅動器1108驅動該位址線，及選擇線SEL_REF。閘極驅動器1108可等同或類似於第24圖之閘極驅動器1108。資料驅動器1110驅動該等資料線。資料驅動器1110可以等同或類似於第23圖之資料驅動器1088。控制器1112控制驅動器1108及1110。
第23圖及第24圖之參考像素(第23圖之1084，第24圖之1106)可被操作用於向一面板演算法提供老化資料，在該演算法中，在控制器(第23圖之1090，第24圖之1112)或驅動器端(第23圖之1088，第24圖之1110)校準該程式化電壓，如下所示。
下面詳盡說明面板校準。參考第21圖，藉由讀取感測器316之資訊來擷取該像素電路之老化資料，然後對程式化電壓進行校準，從而實施面板校準。面板校準對於包含臨限Vt偏移和OLED降級等像素老化之補償。
第25圖繪示根據本發明一具體實施例的像素系統之一實例。第25圖之像素系統包括一回讀電路360。回讀電路360包括一電荷幫浦放大器362及一電容器364。電荷幫浦放大器362之一端可經由一開關SW1連接到資料線VDATA。該電荷幫浦放大器362之另一端可連接至一偏壓Vb2。電荷幫浦放大器362回讀節點A4經由開關SW1釋放之電壓。
電荷幫浦放大器362之輸出366取決於節點A4之電壓而變化。像素電路之時間相關特性可經由電荷幫浦放大器362自節點A4回讀。
在第25圖中，繪示一像素電路之一回讀電路360及一開關SW1。但是，該回讀電路360及開關SW1可為一組像素電路(例如一行中之像素電路)而提供。在第25圖中，為像素電路300提供回讀電路360及開關SW1。在另一實例中，回讀電路360及開關SW1被應用於第21圖之像素電路330。
第26圖繪示一顯示系統之實例，該系統具有第25圖之回讀電路360。第26圖之顯示系統1120包括一具有複數個像素1124之顯示陣列1122。像素1124包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以是第20圖之像素電路300或第21圖之像素電路330。像素1124可等同或類似於第23圖之像素1084或第24圖之像素1106。
在第26圖中，示出四個像素1124。但是，像素1124之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第26圖中，示出三選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可取決於系統設計而變化。
對於每一行，提供一回讀電路RB1[n](n＝j,j＋1)及一開關SW1[n](未示出)。該回讀電路RB1[n]可包含SW1[n]。該回讀電路RB1[n]和開關SW1[n]分別對應於第25圖之回讀電路360及開關SW1。在以下說明中，術語RB1與RB1[n]可互換使用，RB1指第25圖中用於特定列之回讀電路360。
該顯示陣列1122是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1122是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1122可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光(EL)元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1122可用於行動裝置、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器或蜂巢式電話。
一閘極驅動器1126包括用於驅動該等位址線之位址驅動器。該閘極驅動器1126可等同或類似於第23圖之閘極驅動器1086或第24圖之閘極驅動器1108。資料驅動器1128產生一程式化資料，並驅動該等資料線。該資料驅動器1128包括一電路，用於根據相應回讀電路RB1[n]之輸出計算該程式化資料。控制器1130控制驅動器1126和1128，以驅動如上所述之像素1124。控制器1130控制開關SW1[n]以打開或關閉，從而使RB1[n]被連接至相應的資料線VDATAn。
像素1124被操作用以為面板演算法提供老化資料，在此演算法中，根據回讀電路RB1之輸出電壓，在控制器1130或驅動器端1128對程式化電壓進行校準。一種簡單的校準可以是比例縮放，在此校準中，根據回讀電路RB1之輸出電壓變化對程式化電壓進行比例縮放。
在第26圖中，該等像素1124中之每一像素包括第20圖及第21圖之感測器316。在另一實例中，顯示陣列1120可包括一或多個具有感測器316之參考像素，如第27圖所示。
第27圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統具有第25圖之一回讀電路。第27圖之顯示系統1140包括一顯示陣列1142，其具有複數個像素1144，及一或多個參考像素1146。參考像素1146包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以是第20圖之像素電路30o或第21圖之像素電路330。在第27圖中，示出兩個像素1146。但是，像素1084之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。像素1144包括一OLED入一個用於驅動該OLED之驅動電晶體，但不包括第20圖及第21圖之感測器316。SEL_REF係一選擇線，用於選擇該等參考像素1146之陣列中的一放電電晶體。
閘極驅動器1148驅動位址線和選擇線SEL_REF。閘極驅動器1148可以等同或類似於第26圖之閘極驅動器1126。資料驅動器1150產生一程式化資料，校準該等程式化資料且驅動該資料線。資料驅動器1150可以等同或類似於第26圖之資料驅動程式1128。控制器1152控制驅動器1148及1150。
該等參考像素1146被操作用以為面板演算法提供老化資料，在此演算法中，根據該回讀電路RB1之輸出電壓在控制器1152或驅動端1150對程式化電壓進行校準。一種簡單的校準可以是比例縮放，在此校準中，根據回讀電路RB1之輸出電壓變化對程式化電壓進行比例縮放。
第28圖繪示一根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第26圖之顯示系統1120及第27圖之顯示系統1140能夠根據第28圖之波形進行操作。藉由將第28圖之波形應用於具有回讀電路(例如，第3圖之360，第26圖及第27圖之RB1)之顯示系統，面板校準得以實施。
第28圖之操作週期包括操作週期380、382、383、384及386。操作週期380是第i列之程式化週期。操作週期382是第i列之驅動週期。每一列之驅動週期與其他列無關。操作週期383是第i列之起始化週期。操作週期384是第i列之整合週期。操作週期386是第i列之回讀週期。
參考第25圖至第28圖，在第i列之程式化週期380中，當選擇線SEL[i]為高時，第i列之像素電路的節點A4被充電至一程式化電壓。在第i列之程式化週期380期間，節點A4被充電至一經校準之程式化電壓。在第i列之驅動週期382，該OLED亮度受該驅動電晶體306之控制。在第i列之起始化週期383期間，節點A4被充電至一偏壓電壓。在第i列之整合週期384，該SEL[i－1]為高，所以節點A4之電壓透過感測器316放電。在回讀週期386，節點A4之電壓變化被回讀，用於進行校準(例如，對程式化電壓進行比例縮放)。
在回讀週期384開始時，回讀電壓RB1的開關SW1為閉合時，資料線VDATA被充電至Vb2。由於所有被連接至資料線VDATA之像素泄漏，所以電容器364所被充電至一電壓Vpre。然後，選擇線SEL[i]變為高，所以在電容器364兩端建立放電電壓Vdisch。所擷取之兩個電壓(Vpre及Vdisch)之間的差值被用於校準該像素老化。
感測器316在大多數時間內為OFF，僅在整合週期384內為ON。於是，感測器316稍微老化一點。此外，可以對感測器316進行正確偏壓，以明顯抑製其降級。
此外，此方法可用於擷取感測器316之老化資料。第29圖繪示一種擷取該感測器316之老化資料之方法實例。自一暗像素之感測器擷取之電壓及自一暗參考像素之感測器所擷取之電壓可用於找出感測器316之老化資料。例如，第27圖之顯示系統1140能夠根據第29圖之波形操作。
第29圖之操作週期包括操作週期380、382、383、384及386。操作週期380是第i列之程式化週期。操作週期382是第i列之驅動週期。操作週期383是第i列之起始化週期。操作週期384是第i列之整合週期。操作週期386是第i列之回讀週期。操作週期380(第二次出現)是一參考列之起始化。操作週期384(第二次出現)是一參考列之整合週期。操作週期386(第二次出現)是一參考列之回讀(擷取)週期。
參考列包括一或多個參考像素(例如，第27圖之1146)，且位於第(m－1)列。SEL_REF係一選擇線，用於選擇參考列中參考像素中的放電電晶體(例如，第25圖之310)。
參考第25、27及29圖，為擷取感測器316之老化資料，一正常像素電壓(例如1144)為OFF。透過從該正常像素之輸出316所擷取之電壓以及對於該參考像素(例如，1146)之OFF狀態下所擷取之電壓，可以擷取此兩電壓之間的差值。在參考像素未供電情況下，擷取該參考像素在OFF狀態下之電壓。這一差值導致對感測器316降級之擷取。
第30圖繪示根據本發明另一具體實施例的像素系統之一實例。第30圖之像素系統包括一回讀電路400。該回讀電路400包括一轉阻放大器402。該轉阻放大器402之一端可經由開關SW2連接至該資料線VDATA。轉阻放大器402回讀節點A4經由開關SW2釋放之電壓。開關SW2可等同或類似於第25圖之開關SW1相同。
轉阻放大器402之輸出取決於節點A4之電壓而變化。像素電路之時間相關特性可經由轉阻放大器402自節點A4讀取。
在第30圖中，示出一像素電路之一回讀電路400及一開關SW2。但是，可以為一組像素電路(例如，一行內之像素電路)提供回讀電路400和開關SW2。在第30圖中，為像素電路300提供回讀電路400及開關SW2。在另一實例中，將回讀電路400及開關SW2應用於第21圖之像素電路330。
第31圖繪示一顯示系統之一實例，該顯示系統具有第30圖之一回讀電路400。第31圖之顯示系統1160包括一具有複數個像素1164之顯示陣列1162。像素1164包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以是第20圖之像素電路300或第21圖之像素電路330。像素1164可等同或類似於第26圖之像素1124或第27圖之像素1146。
在第31圖中，示出四個像素1164。但是，像素1164之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於4。在第31圖中，示出三選擇線及兩資料線。但是，該等選擇線及該等資料線之數目可取決於系統設計而變化。
對於每一行，提供一回讀電路RB2[n](n＝j,j＋1)及一開關SW2[n](未示出)。該回讀電路RB2[n]可包括SW2[n]。該回讀電路RB2[n]與開關SW2[n]分別對應於第30圖中之回讀電路400和開關SW2。在以下說明中，術語RB2和RB2[n]可互換使用，RB2可指第30圖中對於一特定列之回讀電路400。
該顯示陣列1162是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1162是一AMOLED顯示陣列。該顯示陣列1162可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光(EL)元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1162可用於行動裝置、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器或蜂巢式電話。
一閘極驅動器1166包括用於驅動該等位址線之位址驅動器。該閘極驅動器1166可等同或類似於第26圖之閘極驅動器1126及第27圖之閘極驅動器1148。資料驅動器1168產生一程式化資料，並驅動資料線。該資料驅動器1168包括一用於根據相應回讀電路RB2[n]之輸出計算程式化資料之電路。控制器1170控制驅動器1166和1168，以驅動如上所述之像素1164。該控制器1170控制開關SW2[n]進行開關，以便RB2[n]被連接至相應資料線VDATAn。
該等像素1164被操作用以為面板演算法提供老化資料，在此演算法中，根據該回讀電路RB2之輸出電壓在控制器1170或驅動端1168對程式化電壓進行校準。一種簡單的校準可以是比例縮放，在此校準中，藉由回讀電路RB2之輸出電壓變化而對程式化電壓進行比例縮放。
在第31圖中，該等像素1164中之每一像素包括第20圖及第21圖之感測器316。在另一實例中，顯示陣列1160可包括一或多個具有感測器316之參考像素，如第32圖所示。
第32圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統具有第30圖之一回讀電路400。第32圖之顯示系統1200包括一顯示陣列1202，其具有複數個像素1204，及一或多個參考像素1206。參考像素1206包含第20圖及第21圖之驅動電路304，且可以為第20圖之像素電路300或第21圖之像素電路330。在第32圖中，示出兩個像素1206。但是，像素1204之數目可根據系統設計發生變化，而不侷限於2。像素1204包括一OLED及一用於驅動該OLED之驅動電晶體，但不包括第20圖及第21圖之感測器316。SEL_REF係一選擇線，用於選擇該等參考像素1206之陣列中的一放電電晶體。
閘極驅動器1208驅動位址線和選擇線SEL_REF。閘極驅動器1148可以等同或類似於第27圖之閘極驅動器1148或第31圖之閘極驅動器1166。資料驅動器1210產生一程式化資料，校準該等程式化資料且驅動該資料線。該資料驅動器1210可等同或類似於第27圖之資料驅動器1150及第32圖之資料驅動器1168。控制器1212控制驅動器1208及1210。
該等參考像素1206被操作用以為面板演算法提供老化資料，在此演算法中，根據該回讀電路RB2之輸出電壓在控制器1212或驅動端1210對程式化電壓進行校準。一種簡單的校準可以是比例縮放，在此校準中，藉由回讀電路RB2之輸出電壓變化而對程式化電壓進行比例縮放。
第33圖繪示一根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第31圖之顯示系統1160及第32圖之顯示系統1200能夠根據第33圖之波形進行操作。藉由將第33圖之波形應用於具有回讀電路(例如，第30圖之400，第31圖及第32圖之RB2)之顯示系統，面板校準得以實施。
第33圖之操作週期包括對於一列之操作週期410、422及422。操作週期420是第i列之程式化週期。操作週期422是第i列之驅動週期。操作週期424是第i列之回讀(擷取)週期。
參考第30圖至第33圖，在第i列之程式化週期420中，當選擇線SEL[i]為高時，第i列之像素電路的節點A4被充電至一程式化電壓。在第i列之驅動週期422，該像素亮度受該驅動電晶體306之電流控制。在第i列之擷取週期424，SEL[i]和SEL[i－1]為高，感測器316之電流受監視。此電流變化被回讀電路RB2放大。此變化被用於量測像素中之亮度降級，並藉由校準程式化電壓(例如，對程式化電壓進行比例縮放)對其進行補償。
在回讀週期424開始時，當SEL[i]為低時，由該演算法所選擇進行校準之列的開關為ON。因此，該漏電流被作為該轉阻放大器402之輸出電壓擷取。可根據所受應力、隨機技術或順序技術選擇該列。接下來，SEL[i]變為高，所以與該像素之亮度或溫度相關之感測器電流被作為該轉阻放大器402之輸出電壓回讀。利用對於該漏電流及該感測器電流所擷取之兩個電壓，可以計算該像素老化資料。
感測器316在大多數時間內為OFF，僅在操作週期424內為ON。於是，感測器316稍微老化一點。此外，可以對感測器316進行正確偏壓，以明顯抑製其降級。
此外，此方法可用於擷取感測器316之老化資料。第34圖繪示一種擷取第30圖之感測器316之老化資料之方法實例。例如，第32圖之顯示系統1200根據第34圖之波形操作。
第34圖之操作週期包括操作週期420、422及424。操作週期420(第一次出現)是第i列之程式化週期。操作週期422是第i列之驅動週期。操作週期424(第一次出現)是第i列之回讀(擷取)週期。操作週期424(第二次出現)是一參考列之回讀(擷取)週期。
參考列包括一或多個參考像素(例如，第32圖之1206)，且位於第(m－1)列。SEL_REF係一選擇線，用於選擇參考列中參考像素中的放電電晶體(例如，第30圖之310)。
參考第30、32及34圖，為擷取感測器316之老化資訊，一正常像素電壓(例如1204)為OFF。透過從該正常像素電路之轉阻放大器402之輸出所擷取之電壓以及對於該參考像素(例如，1206)之OFF狀態下所擷取之電壓，可以擷取此兩電壓之間的差值。在參考像素未受應力情況下，擷取該參考像素在OFF狀態下之電壓。此導致對感測器316降級之擷取。
第35圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路。第35圖之像素電路500包括一OLED 502及用於驅動該OLED 502之驅動電路504。驅動電路504包括一驅動電晶體506、一開關電晶體508、一放電電晶體510、一調整電路510，及一儲能電容器512。
OLED 502可等同或類似於第13圖之OLED 212或第20圖之OLED 302。電容器512可等同或類似於第13圖之電容器224或第20圖之電容器312。電晶體506、508及510可等同或類似於第13圖之電晶體206、220及222或者第20圖之電晶體306、308及310。在一實例中，電晶體506、508及510之每一電晶體包括一閘極、一源極及一汲極。
在電源線VDD及OLED 502之間提供驅動電晶體506。驅動電晶體506之一端(例如汲極)被連接到VDD。驅動電晶體506之另一端(例如，源級)被連接到OLED 502之一極(例如，陽極)。OLED 502之另一極(例如，陰極)被連接到一電源線VSS(例如，公共接地)514。儲能電容器512之一端在節點A5被連接至該驅動電晶體506之閘極端。儲能電容器512之另一端被連接到OLED 502。開關電晶體508之閘極端被連接到一選擇線SEL[n]。開關電晶體508之一端被連接到資料線VDATA。開關電晶體508之另一端被連接至節點A5。電晶體510之閘極端被連接到一選擇線CNT[n]。在一實例中，n表示一顯示陣列中之第n列。該電晶體510之一端被連接至節點A5。該電晶體510之另一端被連接至該調整電路516之一端。調整電路516之另一端被連接到OLED 502。
由於該放電電晶體510之電阻取決於該像素老化而變化，所以提供調整電路516，以使用放電電晶體510調整A5之電壓。在一實例中，調整電路516係第13圖之電晶體218。在另一實例中，調整電路516係第20圖之感測器316。
為改進該驅動電晶體506之臨限電壓偏移，對於一圖框時間，該像素電路被關閉。
第36圖繪示一根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例。第30圖之波形被應用於第35圖之像素電路。像素電路500之操作週期包括一程式化週期520、放電週期522、一發光週期524、一重置週期526及一釋放週期527。
在程式化週期520中，節點A5被充電到一程式化電壓VP。在放電週期522期間，CNT[n]變為高，節點A5之電壓被部分充電，以補償該像素之老化。在發光週期524期間，SEL[n]和CNT[n]變為低。在發光週期524期間，該OLED 502受驅動電晶體506控制。在重置週期526期間，CNT[n]變為高電壓，以便在重置週期526期間將節點A5之電壓完全放電。在釋放週期527期間，驅動電晶體506未受應力，從釋放524恢復。因此，該驅動電晶體506之老化被顯著降低。
第37圖繪示一顯示系統之一實例，該顯示系統包含第35圖之一像素電路。第37圖之顯示系統1300包括一具有複數個像素500之顯示陣列1302。該顯示陣列1302是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1302是一AMOLED顯示陣列。像素500被排列為列及行形式。在第37圖中，示出第n列之兩個像素500。該顯示陣列1302可包括多於兩個像素。
該顯示陣列1302可以為單色、多色或全色顯示器，且可包含一或多個電致發光(EL)元件(例如，有機電致發光)。該顯示陣列1302可用於行動裝置、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器或蜂巢式電話。
向第n列提供位址線SEL[n]。向第n列提供控制線CNT[n]。向第k列提供資料線VDATAk(k＝j,j＋1)。位址線SEL[n]對應於第35圖之SEL[n]。控制線CNT[n]對應於第35圖之CNT[n]。資料線VDATAk(k＝j,j＋1)對應於第35圖之VDATA。
一閘極驅動器1306驅動SEL[n]。資料驅動器1308產生一程式化資料，並驅動VDATAk。一控制器1310控制該等驅動器1306及1308，以驅動像素500產生第36圖之波形。
第38圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統包含第35圖之一像素電路500。第38圖之顯示系統1400包括一具有複數個像素500之顯示陣列1402。該顯示陣列1402是一主動矩陣發光顯示器。在一實例中，該顯示陣列1302是一AMOLED顯示陣列。像素500被排列為列及行形式。在第38圖中，示出第n列之四個像素500。該顯示陣列1402可包括多於四個像素。
SEL[i](i＝n,n＋1)是一選擇線，且對應於第35圖之SEL[n]。CNT[i](i＝n,n＋1)是一控制線，且對應於第35圖之CNT[n]。OUT[k](k＝n－1,n,n＋1)是來自一閘極驅動器1406。選擇線可被連接到來自閘極驅動器1406或VL線之輸出之一。VDATAm(m＝j,j＋1)是一資料線，對應於第35圖之VDATA。VDATAm受一資料驅動器1408之控制。一控制器1410控制該閘極驅動器1406及該資料驅動器1408，以操作該像素電路500。
該等控制線及選擇線透過開關1412共用來自該閘極驅動器1406之相同輸出。在第36圖之放電週期526期間，RES訊號改變開關1412之方向，將選擇線連接至具有低電壓之VL線，以關閉像素電路5o0之電晶體508。OUT[n－1]為高，所以CNT[n]為高。因此，節點A5之電壓受調整電路516及放電電晶體510之調整。在其他操作週期內，RES訊號及開關1412將選擇線連接到該閘極驅動器之相應輸出(例如，將SEL[n]連接到OUT[n])。可利用面板製造技術(例如非晶矽)將該等開關1412製造於該面板之上，或者也可將該等開關整合於該閘極驅動器之內。
根據本發明之具體實施例，即使當底板及OLED不穩定時，該驅動電路及應用於該驅動電路之波形也可提供穩定之AMOLED顯示。該驅動電路及其波形降低了像素電路不同老化之影響。本具體實施例中之像素方案不需要額外驅動週期或驅動電路，從而可以實現包括行動裝置及PDA等便攜裝置之低列成本應用。此外，它對溫度變化及機械應力不敏感，本領域之普通技術者應瞭解這一點。
以上已經採用實例之方式描述了一或多個目前較佳之具體實施例。熟習此項技術者應理解可以進行其他變化及修改而不脫離如本發明之隨附申請專利範圍內所限定之範圍。
100．．．像素電路
102．．．OLED
104．．．驅動電路
106．．．驅動電晶體
108．．．放電電晶體
110．．．開關電晶體
112．．．儲能電容器
114．．．電源線
A1－A5．．．節點
130．．．像素電路
132．．．OLED
134．．．電源線
138．．．放電電晶體
140．．．程式化週期
142．．．驅動週期
160．．．像素電路
160A．．．驅動電路
162．．．OLED
164．．．驅動電路
164A．．．驅動電路
166．．．驅動電晶體
168．．．放電電晶體
170．．．第一開關電晶體
172．．．第二開關電晶體
174．．．儲能電容器
176．．．偏壓線
178．．．電阻器
190．．．像素電路
192．．．OLED
194．．．電源線
200．．．程式化週期
202．．．驅動週期
210．．．像素電路
212．．．OLED
214．．．驅動電路
216．．．驅動電晶體
218．．．放電電晶體
220．．．第一開關電晶體
222．．．第二開關電晶體
224．．．儲能電容器
226．．．電源線
240．．．像素電路
242．．．OLED
246．．．電源線
250．．．程式化週期
252．．．補償週期
254．．．驅動週期
300．．．像素電路
302．．．OLED
304．．．驅動電路
306．．．驅動電晶體
308．．．開關電晶體
310．．．放電電晶體
312．．．儲能電容器
314．．．電源線
316．．．感測器
330．．．像素電路
332．．．OLED
334．．．電源線
340．．．第i列之程式化週期
342．．．第i列之補償週期
344．．．第i列之驅動週期
362．．．電荷幫浦放大器
364．．．電容器
366．．．電荷幫浦放大器362之輸出
380．．．第i列之程式化週期
382．．．第i列之驅動週期
383．．．第i列之起始化週期
384．．．第i列之整合週期
386．．．第i列之回讀週期
400．．．回讀電路
402．．．轉阻放大器
420．．．第i列之程式化週期
422．．．第i列之驅動週期
424．．．第i列之回讀(擷取)週期
500．．．像素電路
502．．．OLED
504．．．驅動電路
506．．．驅動電晶體
508．．．開關電晶體
510．．．放電電晶體
512．．．儲能電容器
514．．．電源線VSS
516．．．調整電路
520．．．程式化週期
522．．．放電週期
524．．．發光週期
526．．．重置週期
527．．．釋放週期
1000．．．顯示系統
1002．．．顯示陣列
1004．．．像素
1006．．．閘極驅動器
1008．．．資料驅動器
1010．．．控制器
1020．．．顯示系統
1022．．．顯示陣列
1024．．．像素
1026．．．閘極驅動器
1028．．．資料驅動器
1030．．．控制器
1040．．．顯示系統
1042．．．顯示陣列
1044．．．像素
1046．．．閘極驅動器
1048．．．資料驅動器
1060．．．顯示系統
1062．．．顯示陣列
1064．．．像素
1066．．．閘極驅動器
1068．．．資料驅動器
1070．．．控制器
1080．．．顯示系統
1082．．．顯示陣列
1084．．．像素
1086．．．閘極驅動器
1088．．．資料驅動器
1090．．．控制器
1100．．．顯示系統
1102．．．顯示陣列
1104．．．像素
1106．．．參考像素
1108．．．閘極驅動器
1110．．．資料驅動器
1112．．．控制器
1120．．．顯示系統
1122．．．顯示陣列
1124．．．像素
1126．．．閘極驅動器
1128．．．該資料驅動器
1130．．．控制器
1140．．．顯示系統
1142．．．顯示陣列
1144．．．像素
1146．．．參考像素
1148．．．閘極驅動器
1150．．．資料驅動器
1152．．．控制器
1160．．．顯示系統
1162．．．顯示陣列
1164．．．像素
1166．．．閘極驅動器
1168．．．資料驅動器
1170．．．控制器
1200．．．顯示系統
1202．．．顯示陣列
1204．．．像素
1206．．．參考像素
1208．．．閘極驅動器
1210．．．資料驅動器
1212．．．控制器
1300．．．顯示系統
1302．．．顯示陣列
1306．．．閘極驅動器
1308．．．資料驅動器
1310．．．控制器
1400．．．顯示系統
1402．．．顯示陣列
1406．．．閘極驅動器
1408．．．資料驅動器
1410．．．控制器
藉由參考隨附圖式進行以上說明後，可以更加明瞭本發明之該等及其他特性。
第1圖繪示一像素電路之實例，根據本發明一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路；第2圖繪示一像素電路之另一實例，該像素電路具有第1圖之驅動電路；第3圖是根據本發明一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第4圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第1圖及第2圖之驅動電路；第5圖繪示一像素電路之實例，根據本發明另一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路；第6圖繪示第5圖之驅動電路的另一實例；第7圖繪示第5圖之驅動電路的又一實例；第8圖繪示一像素電路之另一實例，該像素電路具有第5圖之驅動電路；第9圖是根據本發明另一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第10圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第5圖及第8圖之驅動電路；第11圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第6圖及第7圖之驅動電路；第12圖是繪示第1圖之像素電路模擬結果的圖線；第13圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路；第14圖繪示一像素電路之另一實例，該像素電路具有第13圖之驅動電路；第15圖是根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第16圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第13圖及第14圖之驅動電路；第17圖繪示第5圖之像素電路模擬結果的圖線；第18圖繪示第5圖之像素電路模擬結果的圖線；第19圖繪示用於操作第16圖之顯示系統的時序圖；第20圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路；第21圖繪示一像素電路之另一實例，該像素電路具有第20圖之驅動電路；第22圖是根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第23圖繪示一顯示系統之實例，該系統用於第20圖及第21圖之驅動電路；第24圖繪示一顯示系統之另一實例，該系統用於第20圖及第21圖之驅動電路；第25圖繪示根據本發明一具體實施例的像素系統之一實例。
第26圖繪示一顯示系統之一實例，該顯示系統具有第25圖之一回讀電路；第27圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統具有第25圖之一回讀電路；第28圖是根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第29圖繪示一種獲取第25圖之感測器老化資料的方法實例；第30圖繪示根據本發明另一具體實施例的像素系統之一實例。
第31圖繪示一顯示系統之一實例，該顯示系統具有第30圖之一回讀電路；第32圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統具有第30圖之一回讀電路；第33圖是根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第34圖是一時序圖，繪示一種獲取第30圖之感測器老化資料的方法實例；第35圖繪示一像素電路之實例，根據本發明又一具體實施例之一像素驅動方案被應用於該像素電路；第36圖是根據本發明又一具體實施例之像素電路驅動方法實例的時序圖；第37圖繪示一顯示系統之實例，該顯示系統具有第35圖之像素電路；第38圖繪示一顯示系統之另一實例，該顯示系統具有第35圖之像素電路。
100．．．像素電路
102．．．OLED
106．．．驅動電晶體
108．．．放電電晶體
110．．．開關電晶體
112．．．儲能電容器
114．．．電源線

Claims (39)

  1. 一種顯示系統，包括：一像素電路，該像素電路具有一發光元件並包括：一連接至該發光元件之驅動電晶體，該驅動電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該第一開關電晶體之閘極端被連接至一選擇線，該第一開關電晶體之第一端被連接至一資料線，該資料線提供電壓程式化資訊，該第一開關電晶體之第二端被連接至該驅動電晶體之閘極端；以及一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路係藉由透過一放電電晶體將該驅動電晶體之閘極端上的電壓放電，來調整該驅動電晶體之閘極電壓，該放電電晶體具有取決於該像素電路之老化程度而改變的一電阻值，該放電電晶體之閘極端在一節點處被連接至該驅動電晶體之閘極端。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示系統，其中該驅動電晶體之第一端，或該驅動電晶體之第二端與該放電電晶體之第二端及該儲能電容器之第二端之一組合，被連接至該發光元件。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之顯示系統，其中該放電 電晶體之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之驅動系統，其中該調整電路包括一具有一閘極端、一第一端及一第二端之第二電晶體，該第二電晶體之閘極端被連接至一偏壓線，該第二電晶體之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端，該第二電晶體之第二端被連接至該放電電晶體之第一端。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之驅動系統，其中該調整電路包括一具有一閘極端、一第一端及一第二端之第二電晶體，該第二電晶體之閘極端及第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端，該第二電晶體之第二端被連接至該放電電晶體之第一端。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之顯示系統，其中該調整電路包括一具有一第一端及一第二端之電阻元件，該電阻器之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端，該電阻元件之第二端被連接至該放電電晶體之第一端。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之顯示系統，其中該發光元件包括一第一極、一第二極及介於該第一極及該第二極之間之一發光層，且其中該驅動電晶體之第一端被連接至該第一極及該第二極中之一者，且其中該驅動電晶體之第二端、該放電電晶體之第二端及該儲能電容器之第二端被 連接至一電源。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之顯示系統，其中該發光元件包括一第一極、一第二極及介於該第一極及該第二極之間之一發光層，且其中該驅動電晶體之第二端、該放電電晶體之第二端及該儲能電容器之第二端被連接該第一極及該第二極中之一者，且其中該驅動電晶體之第一端被連接至一電源。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之顯示系統，其中該驅動電路係形成在非晶矽、多晶矽、n型、p型、互補金氧半導體(CMOS)、微晶、奈晶、結晶矽或其組合之中。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示系統，進一步包括：一包含複數個排列為列、行之像素電路的顯示陣列，該等像素電路中之每一像素電路包含該驅動電路，及用於驅動該顯示陣列之驅動器。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之顯示系統，進一步包括：一包含複數個排列為列、行之像素電路的顯示陣列，該等像素電路中之每一像素電路包含該驅動電路，及一用於驅動該顯示陣列之驅動器，該偏壓線由該等複數個像素電路中多於一個像素電路共用。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示系統，其中一列之偏壓線係用於選擇一相鄰列之相鄰位址線。
  13. 一種用於如申請專利範圍第12項所述之顯示系統的方法，其中該驅動器為每一列提供一程式化週期、一補償週期及一驅動週期，在一第一列之程式化週期，為該第一列選擇位址線，並為該第一列提供程式化資料，在該第一列之補償週期，為與該第一列相鄰之一第二列選擇該相鄰位址線，並禁用該第一列之該位址線，以及在該第一列之驅動週期，禁用該相鄰位址線。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一列之至少該補償週期與該第二列之程式化週期重疊。
  15. 一種顯示系統，包括：一或更多個像素電路，每一像素電路包括一發光元件及一驅動電路，該驅動電路包括：一驅動電晶體，該驅動電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該驅動電晶體位於該發光元件及一第一電源之間；一開關電晶體，該開關電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該開關電晶體之閘極端被連接至 一第一位址線，該開關電晶體之第一端被連接至一資料線，該開關電晶體之第二端被直接連接至該驅動電晶體之閘極端；一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路包括一感測器及一放電電晶體，該感測器用以感測自該像素電路傳遞之能量，該感測器具有一第一端及一第二端，該感測器之電導特性取決於感測結果，該放電電晶體與該感測器串聯連接並具有一閘極端、一第一端及一第二端，該放電電晶體之閘極端被連接至一第二位址線，該放電電晶體之第一端在一節點被連接至該驅動電晶體之閘極端，該放電電晶體之第二端被連接至該感測器之第一端；以及一儲能電容器，該儲能電容器包括一第一端及一第二端，該儲能電容器之第一端在該節點處被連接至該驅動電晶體之閘極端，其中該感測器之第二端被連接至一電源或該驅動電晶體；以及一驅動器，該驅動器經配置以為該顯示陣列中的每一列提供一程式化週期、接續該程式化週期之後的一補償週期、以及接續該補償週期之後的一驅動週期，而使：在對於該第一列之該程式化週期內，該第一位址線被選擇，該第二位址線被禁用，並經由至少該資料線為該第一列提供程式化資料，在對於該第一列之該補償週期內，該第二位址線 被選擇且該第二位址線被禁用，而使儲存在該節點處的電壓隨著該感測器的電導改變而改變，以及在該第一列之驅動週期內，該第一位址線與該第二位址線被禁用。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示系統，其中該感測器感測該像素電路之溫度。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示系統，其中該感測器感測該像素電路之亮度。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之顯示系統，其中該第一位址線係一顯示陣列中第一列之位址線，且其中該第二位址線係一與該第一列相鄰之第二列之位址線。
  19. 一種顯示系統，該顯示系統包含：一像素電路，該像素電路用於操作一發光元件以根據程式化資訊來發射光，該像素電路包含：一驅動電晶體，該驅動電晶體與該發光元件串聯連接，該驅動電晶體包含一閘極端、一第一端及一第二端；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體包含一閘極端、一第一端與一第二端，該第一開關電晶體之閘極端被連接至一第一選擇線，該第一選擇線用於操作該顯示系統之一第一列中的該第一開關電晶體，該第一開關電晶體之 第一端被連接至一資料線，該資料線在一程式化週期內根據程式化資訊提供一程式化電壓，該第一開關電晶體之第二端被直接連接至該驅動電晶體之閘極端；一儲能電容器，該儲能電容器連接至該驅動電晶體之閘極端，該儲能電容器並設置為在該程式化週期內根據該程式化資訊而被充電；一感測器，該感測器用於在接續該程式化週期的一補償週期內，藉由至少部分透過該感測器將該儲能電容器上的電壓放電，來調整該驅動電晶體之閘極電壓，其中該感測器為一熱能感測器或光感測器，該感測器具有取決於對來自該像素電路之熱能或光能的吸收而改變的一載體密度，而使該感測器之電阻值根據自該像素電路吸收之能源而變化；以及一第二開關電晶體，該第二開關電晶體根據一第二選擇線來操作，該第二開關電晶體並在該驅動電晶體之該閘極端與該感測器之一第一端之間串聯連接，該感測器之一第二端被連接至一電源或該驅動電晶體；以及一控制器，該控制器用於操作該資料線與該第一選擇線，而使：該程式化電壓在該程式化週期內被提供在該資料線上，同時該第一開關電晶體藉由賦能該第一選擇線而被開啟，且同時該第二開關電晶體隨著該第二選擇線被禁用而關閉，在該儲能電容器上的該電壓，在接續該程式化週期的 一補償週期內，經由該感測器被至少部分放電，同時該第一選擇線被禁用，在該補償週期內該第二選擇線被賦能以開啟該第二開關電晶體，以允許該儲能電容器透過該第二開關電晶體與該感測器被至少部分放電，而使儲存在該儲能電容器中的該電壓隨著該感測器之電阻值變化而呈函數關係改變，以及在接續該補償週期的一驅動週期內，該第一選擇線與該第二選擇線被禁用。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示系統，其中該感測器為一電晶體，該電晶體串聯連接於該驅動電晶體之閘極端與該驅動電晶體之第一端或第二端之間，以允許儲存在該儲能電容器上的該驅動電晶體上的該電壓被放電。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之顯示系統，其中該像素電路為排列成列、行之一顯示陣列中的複數個相似的像素電路中的一第一像素電路，該第一像素電路位於該顯示陣列之一第一列中，且其中該第二選擇線為對於一第二像素電路的一第一選擇線，該第二像素電路位於該顯示陣列的一第二列中，而使操作該控制器選擇該第二選擇線允許發生在該第一像素電路中的該補償週期與該第二像素電路中的該程式化週期同時發生。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示系統，其中該第一列與該第二列為該顯示陣列中的相鄰列。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之顯示系統，該顯示系統進一步包含一回讀電路，該回讀電路藉由自該感測器讀取一感測結果或讀取在該補償週期之後剩餘在該驅動電晶體之閘極端上的電壓，來偵測該像素電路之一老化程度，且其中該控制器進一步被配置為操作該回讀電路以偵測該像素電路之該老化程度，且回應於對於該像素電路之該老化程度的該偵測，而根據對於該老化程度之該偵測來校準經由該資料線索提供的程式化電壓。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之顯示系統，其中該回讀電路包含連接至該資料線的一轉阻放大器(trans-resistance amplifier)，該轉阻放大器經配置以讀取該驅動電晶體之閘極端上的該電壓，並提供指示該像素電路之該老化程度的一輸出至該控制器。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之顯示系統，其中該回讀電路藉由比較在該補償週期之前該驅動電晶體之閘極端上的電壓，與在該補償週期之後剩餘在該驅動電晶體之閘極端上的電壓，來偵測該像素電路之該老化程度，該控制器經配置為基於所比較的電壓之間的差異來計算該像素電路之該老化程度。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之顯示系統，其中該控制器經配置以藉由根據所比較之該回讀電路測量到之電壓之間的差異，將該等程式化電壓比例縮放，來校準該等程式化電壓。
  27. 如申請專利範圍第23項所述之顯示系統，其中該像素電路為排列成列、行之一顯示陣列中的一參考像素電路，該顯示陣列包含複數個像素電路且不包含用於偵測該等像素電路之老化程度的一感測器，且其中該控制器操作該回讀電路，以根據對該參考像素電路之老化程度的該偵測來校準不包含該感測器的該複數個像素電路的該等程式化電壓。
  28. 如申請專利範圍第23項所述之顯示系統，其中該像素電路進一步包含根據一第二選擇線來操作的一第二開關電晶體，該第二開關電晶並串聯連接於該驅動電晶體之閘極端與該感測器之間，且其中該控制器進一步配置以操作該第二選擇線、該第一選擇線、該資料線及該回讀電路，而使：該發光元件所發出的亮度在接續該程式化週期的一驅動週期內被由該驅動電晶體控制，該第一開關電晶體在該驅動週期內被關閉，在一初始週期內，一偏壓電壓被提供在該資料線上，同時該第一開關電晶體被開啟，以根據該偏壓電壓而將該 儲能電容器充電，接續該初始週期而實施該補償週期，同時該第二開關電晶體被開啟且該第一開關電晶體被關閉，以允許該儲能電容器上的該偏壓電壓透過該第二開關電晶體與該感測器被至少部分放電，以及在該補償周期之後剩餘在該驅動電晶體之閘極端上的電壓，在接續該補償週期的一回讀週期內被該回讀電路經由該資料線讀取，同時該第二開關電晶體被關閉，且該第一開關電晶體被開啟。
  29. 如申請專利範圍第19項所述之顯示系統，其中該發光元件為一有機發光二極體，且該像素電路包含至少一個薄膜電晶體。
  30. 一種用於操作一顯示系統的方法，該顯示系統包含一像素電路，該像素電路用於根據程式化資訊操作一發光元件以發出光，該像素電路包含：一驅動電晶體，該驅動電晶體與該發光元件串聯連接，該驅動電晶體包含一閘極端、一第一端及一第二端；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體包含一閘極端、一第一端及一第二端，該第一開關電晶體之閘極端被連接至一第一選擇線，該第一選擇線用於操作該第一開關電晶體以選擇性地將該驅動電晶體之閘極端直接連接至一資料線； 一儲能電容器，該儲能電容器連接至該驅動電晶體之閘極端，並經設置為在該程式化週期內根據該程式化資訊而被充電；一感測器，該感測器用於藉由在接續該程式化週期的一補償週期內，透過該感測器將該儲能電容器上的電壓至少部分放電，而調整該驅動電晶體的閘極電壓，其中該感測器為一熱能感測器或光感測器，該感測器具有取決於對來自該像素電路之熱能或光能的吸收而改變的一載體密度，而使該感測器之電阻值根據自該像素電路吸收之能源而變化；以及一第二開關電晶體，該第二開關電晶體根據一第二選擇線來操作，該第二開關電晶體並在該驅動電晶體之該閘極端與該感測器之一第一端之間串聯連接，該感測器之一第二端被連接至一電源或該驅動電晶體；該方法包含以下步驟：在該程式化週期內根據該資料線上的程式化資訊而提供一程式化電壓，同時該第一選擇線被賦能且該第二選擇線被禁用，而使該儲能電容器被根據該程式化電壓而充電；在接續該程式化週期的一補償週期內，透過該感測器將該儲能電容器上的電壓放電，同時該第一選擇線被禁用；在該補償週期內將該第二選擇線賦能，以允許該儲能電容器透過該第二開關電晶體與該感測器被至少部分放電，而使儲存在該該儲能電容器中的電壓隨著該感測器的電阻值變化而呈函數關係改變；以及 在接續該補償週期的一驅動週期內，禁用該第一選擇線與該第二選擇線。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：提供一第二程式化電壓至用於一第二像素電路的資料線，該第二像素電路具有由該第二選擇線操作的一開關電晶體，以將該第二像素電路中的一儲能電容器連接至該資料線，從而同時根據該第二程式化電壓來將該第二像素電路程式化，同時該補償週期被實施於該第一像素電路中。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該顯示系統進一步包含經由該資料線連接至該像素電路的一回讀電路，該方法進一步包含以下步驟：藉由經由該回讀電路讀取在該補償週期之後剩餘在該驅動電晶體之閘極端上的電壓，來偵測該像素電路之一老化程度；以及根據所偵測到的該老化程度，校準提供在該資料線上的該等程式化電壓。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中校準該等程式化電壓之步驟更包含以下步驟：比較在該補償週期之前在該驅動電晶體之閘極端上的電壓，與在該補償週期之後剩餘在該驅動電晶體之閘極端 上的電壓；基於所比較的電壓之間的差異，來計算該像素電路的該老化程度；以及根據所計算的該老化程度，將提供至該資料線的該等程式化電壓比例縮放。
  34. 一種顯示系統，包括：一顯示陣列與用於驅動該顯示陣列的一驅動系統，該顯示陣列包含複數個排列為列、行之像素電路，該等像素電路中之每一像素電路包含一發光元件及一驅動電路，每一驅動電路包含：一驅動電晶體，該驅動電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該驅動電晶體位於該發光元件及一第一電源之間；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體包括一閘極端、一第一端及一第二端，該第一開關電晶體之閘極端被連接至一位址線，該第一開關電晶體之第一端被連接至一資料線，該資料線用於提供電壓程式化資訊，該第一開關電晶體之第二端被連接至該驅動電晶體之閘極端；以及一用於調整該驅動電晶體之閘極電壓的電路，該電路係藉由透過一第二電晶體將該驅動電晶體之閘極端上的電壓放電來調整該驅動電晶體之閘極電壓，該第二電晶體具有取決於該像素電路之老化程度而改變 的一電阻值，該第二電晶體具有一閘極端、一第一端及一第二端，該第二電晶體之閘極端被連接至一控制線，該第二電晶體之第一端被連接至該驅動電晶體之閘極端，該驅動系統驅動該像素電路，以便該像素電路在一圖框時間之一部分內被關閉。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之顯示系統，其中該電路包括一連接在該第二電晶體及該發光元件之間的第三電晶體，該第三電晶體之電阻值取決於該像素電路之老化程度而變化。
  36. 如申請專利範圍第34項所述之顯示系統，其中該電路包括一感測器，該感測器具有取決於該像素電路之老化程度而變化之電阻值。
  37. 如申請專利範圍第34項所述之顯示系統，其中該驅動系統包括：一第一驅動器，該第一驅動器對每一列具有一驅動輸出；一第二驅動器，該第二驅動器用於驅動對於每一行之資料線；以及對於每一列之一開關，用於一列之位址線可經由相應開關被選擇性地連接至該第一驅動器之相應驅動輸出或具有一預定電壓位準之電壓線。
  38. 如申請專利範圍第34項所述之顯示系統，其中該列之該 控制線被連接至一驅動輸出，該驅動輸出不同於該列之位址線之驅動輸出。
  39. 一種用於如申請專利範圍第34項所述之顯示系統的方法，其中該驅動系統為每一列提供一圖框時間，該圖框時間具有一程式化週期、一放電週期、一發光週期、一重置週期、及一釋放週期，在該程式化週期，藉由致動該列之位址線，對該列之該等像素電路進行程式化；在該放電週期，藉由禁用該列之位址線，且致動該列之控制線，將該驅動電晶體之閘極端的電壓部分地放電；在該發光週期，禁用該列之控制線，藉由該驅動電晶體控制該發光元件；在該重置週期，藉由致動該列之控制線，將該驅動電晶體之閘極端的電壓放電；以及在該釋放週期，禁用該列之控制線。
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