CN108475490B - 用于驱动有源矩阵显示电路的系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了用于驱动有源矩阵显示的系统和方法。所述系统包括具有发光器件的像素所用的驱动电路。所述驱动电路包括用于驱动所述发光器件的驱动晶体管。所述系统包括用于对所述驱动晶体管的栅极电压进行调节的机制。

Description

用于驱动有源矩阵显示电路的系统和方法

相关申请的交叉参考

本申请要求于2016年1月12日提交的申请号为14/933,174的美国专利申请的优先权，并在此以引用的方式将该优先权申请整体并入本文。

技术领域

本发明涉及发光器件，更加具体地，涉及对具有发光器件的像素电路进行驱动的系统和方法。

背景技术

电致发光显示器已经被发展而广泛用于诸如手机等多种设备。特别地，具有非晶硅(a-Si)、多晶硅、有机或其它驱动背板的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器因为其可行的柔性显示、低制造成本、高分辨率和宽视角等等优势而变得更为引人关注。

AMOLED显示器包括像素的行与列的阵列及布置于所述行与列的阵列中的背板电子线路，每个像素都具有有机发光二极管(OLED)。因为OLED是电流驱动型器件，所以AMOLED的像素电路应当能够提供精确且恒定的驱动电流。

需要提供如下的系统和方法：所述系统和方法能够提供具有高精度的恒定亮度，并且能够降低像素电路的老化效应以及背板和发光器件的不稳定性。

发明内容

本发明的目的是提供消除或缓和了现有系统的上述劣势中的至少一个劣势的方法和系统。

根据本发明的一个方面，提出了一种系统，显示系统，其包括具有发光器件的像素所用的驱动电路。所述驱动电路包括连接至所述发光器件的驱动晶体管。驱动晶体管包括栅极端子、第一端子和第二端子。驱动电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的第一晶体管，第一晶体管的栅极端子连接至选择线，第一晶体管的第一端子连接至数据线且第一晶体管的第二端子连接至驱动晶体管的栅极端子。驱动电路包括用于对驱动晶体管的栅极电压进行调节的电路，用于调节的所述电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的放电晶体管，放电晶体管的栅极端子在节点处连接至驱动晶体管的栅极端子，通过放电晶体管对所述节点的电压进行放电。驱动电路包括具有第一端子和第二端子的存储电容器，存储电容器的第一端子在所述节点处连接至驱动晶体管的栅极端子。

所述显示系统可以包括显示阵列和用于驱动显示阵列的驱动器，显示阵列具有以行列的方式布置的多个像素电路，每个像素电路都包括驱动电路。第二晶体管的栅极端子连接至偏置线。偏置线可以被多个像素电路中的一个以上像素电路共用。

根据本发明的又一个方面，提出了一种用于显示系统的方法。所述显示系统包括为每一行提供编程周期、补偿周期和驱动周期的驱动器。所述方法包括以下步骤：在第一行的编程周期，选择第一行的地址线并将编程数据提供给第一行；在第一行的补偿周期，选择用于与第一行相邻的第二行的相邻地址线并且禁用第一行的地址线；并且在第一行的驱动周期，禁用所述相邻地址线。

根据本发明的又一个方面，提出了一种显示系统，其包括一个或一个以上像素电路，每个像素电路都包括发光器件和驱动电路。驱动电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的驱动晶体管，驱动晶体管位于所述发光器件与第一电源之间。所述驱动电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的开关晶体管，开关晶体管的栅极端子连接至第一地址线、开关晶体管的第一端子连接至数据线且开关晶体管的第二端子连接至驱动晶体管的栅极端子。驱动电路包括用于对驱动晶体管的栅极电压进行调节的电路，用于调节的所述电路包括传感器和放电晶体管，所述传感器用于感测来自所述像素电路的能量传递，所述传感器具有第一端子和第二端子，所述传感器的特性根据传感结果而变化，所述放电晶体管具有栅极端子、第一端子和第二端子，所述放电晶体管的栅极端子连接至第二地址线、所述放电晶体管的第一端子在节点处连接至驱动晶体管的栅极端子且所述放电晶体管的第二端子连接至所述传感器的第一端子。所述驱动电路包括具有第一端子和第二端子的存储电容器，存储电容器的第一端子在所述节点处连接至驱动晶体管的栅极端子。

根据本发明的又一个方面，提出了一种用于显示系统的方法，所述方法包括实施像素内补偿的步骤。

根据本发明的又一个方面，提出了一种用于显示系统的方法，所述方法包括实施面板内补偿的步骤。

根据本发明的又一个方面，提出了一种用于显示系统的方法，所述系统包括具有传感器的像素电路，所述方法包括对传感器的老化进行读回的步骤。

根据本发明的又一个方面，提出了一种显示系统，其包括：显示阵列，所述显示阵列包括以行列的方式布置的多个像素电路，每个像素电路都包括发光器件和驱动电路；和用于驱动显示阵列的驱动系统。所述驱动电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的驱动晶体管，所述驱动晶体管位于所述发光器件与第一电源之间。所述驱动电路包括具有栅极端子、第一端子和第二端子的第一晶体管，所述第一晶体管的栅极端子连接至地址线，所述第一晶体管的第一端子连接至数据线且所述第一晶体管的第二端子连接至所述驱动晶体管的栅极端子。所述驱动电路包括用于对所述驱动晶体管的电压进行调节的电路，用于调节的所述电路包括第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极端子、第一端子和第二端子，所述第二晶体管的栅极端子连接至控制线，所述第二晶体管的第一端子连接至所述驱动晶体管的栅极端子。所述驱动电路包括具有第一端子和第二端子的存储电容器，所述存储电容器的第一端子连接至所述驱动晶体管的栅极端子。所述驱动系统驱动所述像素电路以使所述像素电路在一部分帧时间内被断开。

根据本发明的又一个方面，提出了一种用于具有显示阵列和驱动系统的显示系统的方法。所述驱动系统为每一行提供具有编程周期、放电周期、发光周期、复位周期和弛豫周期的帧时间。所述方法包括以下步骤：在编程周期，通过启动针对行的地址线对该行的像素电路进行编程；在放电周期，通过使针对行的地址线无效并且启动针对行的控制线，对驱动晶体管的栅极端子上的电压进行部分地放电；在发光周期，使针对行的控制线无效，且通过所述驱动晶体管来控制发光器件；在复位周期，通过启动针对行的控制线对所述驱动晶体管的栅极端子上的电压进行放电；并且在弛豫周期，使针对行的控制线无效。

附图说明

从下面的参照附图的说明中，本发明的这些和其它特征将变得更加显然。

图1图示了应用了根据本发明实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图2图示了具有图1的驱动电路的像素电路的另一个示例。

图3是根据本发明实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图4图示了图1和图2的驱动电路的显示系统的示例。

图5图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图6图示了图5的驱动电路的另一个示例。

图7图示了图5的驱动电路的又一个示例。

图8图示了具有图5的驱动电路的像素电路的另一个示例。

图9是根据本发明另一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图10图示了针对图5和图8的驱动电路的显示系统的示例。

图11图示了针对图6和图7的驱动电路的显示系统的示例。

图12是图示了图1的像素电路的仿真结果的曲线图。

图13图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图14图示了具有图13的驱动电路的像素电路的另一个示例。

图15是根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图16图示了针对图13和图14的驱动电路的显示系统的示例。

图17是图示了图5的像素电路的仿真结果的曲线图。

图18是图示了图5的像素电路的仿真结果的曲线图。

图19是图16的显示系统的操作的时序图。

图20图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图21图示了具有图20的驱动电路的像素电路的另一个示例。

图22是图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图23图示了针对图20和图21的驱动电路的显示系统的示例。

图24图示了针对图20和图21的驱动电路的显示系统的另一个示例。

图25图示了根据本发明实施例的像素系统的示例。

图26图示了具有图25的读回电路的显示系统的示例。

图27图示了具有图25的读回电路的显示系统的另一个示例。

图28是图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图29图示了图25的传感器的老化的提取方法的示例。

图30图示了根据本发明另一个实施例的像素系统的示例。

图31图示了具有图30的读回电路的显示系统的示例。

图32图示了具有图30的读回电路的显示系统的另一个示例。

图33是图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图34是图示了图30的传感器的老化的提取方法的另一个示例的时序图。

图35是图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图36是根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例的时序图。

图37图示了具有图35的像素电路的显示系统的示例。

图38图示了具有图35的像素电路的显示系统的另一个示例。

图39图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图40图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图41图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

图42图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。

具体实施方式

图1图示了应用了根据本发明实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。图1的像素电路100包括OLED 102和用于驱动OLED 102的驱动电路104。驱动电路104包括驱动晶体管106、放电晶体管108、开关晶体管110和存储电容器112。OLED 102例如包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的发光层。

在下面的说明中，可互换地使用“像素电路”和“像素”。在下面的说明中，可以可互换地使用“信号”和“线路”。在下面的说明中，可以可互换地使用术语“线路”和“节点”。在说明中，可以可互换地使用术语“选择线”和“地址线”。在下面的说明中，可以可互换地使用“连接(或被连接)”和“接合(或被接合)”，并且它们可以用来表明两个或以上元件彼此直接或间接地物理接触或电接触。

在一个示例中，晶体管106、108和110是n型晶体管。在另一个示例中，晶体管106、108和110是p型晶体管，或n型晶体管和p型晶体管的组合。在一个示例中，晶体管106、108和110均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

晶体管106、108和110可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

驱动晶体管106设置在电压供给线VDD与OLED 102之间。驱动晶体管106的一个端子连接至VDD。驱动晶体管106的另一个端子连接至OLED 102的一个电极(例如，阳极电极)。放电晶体管108的一个端子和放电晶体管108的栅极端子在节点A1处连接至驱动晶体管106的栅极端子。放电晶体管108的另一个端子连接至OLED 102。开关晶体管110的栅极端子连接至选择线SEL。开关晶体管110的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管110的另一个端子连接至节点A1。存储电容器112的一个端子连接至节点A1。存储电容器112的另一个端子连接至OLED 102。OLED 102的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)114。

如下所述，像素电路100通过调节驱动晶体管106的栅极电压以提供在帧时间内恒定的平均电流。

图2图示了具有图1的驱动电路104的像素电路的另一个示例。像素电路130与图1的像素电路100类似。像素电路130包括OLED 132。OLED 132可以与图1的OLED 102相同或类似。在像素电路130中，驱动晶体管106设置在OLED 132的一个电极(例如，阴极电极)与电源线(例如，共用接地)134之间。放电晶体管138的一个端子和存储电容器112的一个端子连接至电源线134。OLED 132的另一个电极(例如，阳极电极)连接至VDD。

以与图1的像素电路100类似的方式，像素电路130提供在帧时间内恒定的平均电流。

图3图示了根据本发明实施例的像素电路的驱动方法的示例。图3的波形施加于具有图1和图2的驱动电路104的像素电路(例如，图1的100、图2的130)。

图3的操作周期包括编程周期140和驱动周期142。参照图1至图3，在编程周期140内，当选择线SEL为高电平时，节点A1通过开关晶体管110被充电至编程电压。在驱动周期142内，通过放电晶体管108对节点A1进行放电。因为驱动晶体管106和放电晶体管108具有相同的偏置条件，所以它们经历相同的阈值电压漂移。考虑到放电时间是放电晶体管108的跨导的函数，当驱动晶体管106/放电晶体管108的阈值电压增大时，放电时间增加。因此，像素(图1的100，图2的130)在帧时间内的平均电流保持恒定。在示例中，放电晶体管是非常弱的晶体管，具有短的宽度(W)和长的沟道长度(L)。宽度(W)与长度(L)的比可以根据不同的情况而变化。

此外，在图2的像素电路130中，OLED 132的OLED电压的增大导致更长的放电时间。因此，即使OLED劣化后，平均像素电流也将保持恒定。

图4图示了针对图1和图2的驱动电路的显示系统的示例。图4的显示系统1000包括具有多个像素1004的显示阵列1002。像素1004包括图1和图2的驱动电路104，且可以是图1的像素电路100或图2的像素电路130。

显示阵列1002是有源矩阵发光显示。在一个示例中，显示阵列1002是AMOLED显示阵列。显示阵列1002可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示阵列1002可以用于移动设备、个人数码助理(PDA)、计算机显示器或手机。

显示阵列1002设置有选择线SELi、SELi+1和数据线VDATAj、VDATAj+1。各个选择线SELi、SELi+1与图1和图2的SEL相对应。各个数据线VDATAj、VDATAj+1与图1和图2的VDATA相对应。像素1004以行列的方式布置。显示阵列1002中的同行像素共用选择线(SELi、SELi+1)。显示阵列1002中的同列像素共用数据线(VDATAj、VDATAj+1)。

在图4中，示出了四个像素1004。然而，像素1004的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图4中，示出了两条选择线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而不同，并不限于两条。

栅极驱动器1006驱动SELi和SELi+1。栅极驱动器1006可以是用于将地址信号提供给地址线(例如，选择线)的地址驱动器。数据驱动器1008产生编程数据且驱动VDATAj和DATAj+1。控制器1010控制驱动器1006和1008以使它们如上所述地驱动像素1004。

图5图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。图5的像素电路160包括OLED 162和用于驱动OLED 162的驱动电路164。驱动电路164包括驱动晶体管166、放电晶体管168、第一开关晶体管170和第二开关晶体管172以及存储电容器174。

像素电路160与图2的像素电路130类似。驱动电路164与图1和图2的驱动电路104类似。晶体管166、168和170分别与图1和图2的晶体管106、108和110相对应。晶体管166、168和170可以与图1和图2的晶体管106、108和110相同或类似。存储电容器174与图1和图2的存储电容器112相对应。存储电容器174可以与图1和图2的存储电容器112相同或类似。OLED162与图2的OLED 132相对应。OLED 162可以与图2的OLED 132相同或类似。

在一个示例中，开关晶体管172是n型晶体管。在另一个示例中，开关晶体管172是p型晶体管。在一个示例中，晶体管166、168、170和172均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

晶体管166、168、170和172可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

在像素电路160中，开关晶体管172和放电晶体管168串联连接在驱动晶体管166的栅极端子与电源线(例如，共用接地)176之间。开关晶体管172的栅极端子连接至偏置电压线VB。放电晶体管168的栅极端子在节点A2处连接至驱动晶体管的栅极端子。驱动晶体管166设置在OLED 162的一个电极(例如，阴极电极)与电源线176之间。开关晶体管170的栅极端子连接至SEL。开关晶体管170的一个端子连接至VDATA。开关晶体管170的另一个端子连接至节点A2。存储电容器174的一个端子连接至节点A2。存储电容器174的另一个端子连接至电源线176。

如下所述，像素电路160通过调节驱动晶体管166的栅极电压来提供在帧时间内恒定的平均电流。

在一个示例中，图5的偏置电压线VB可以被整个面板的像素共用。在另一个示例中，如图6所示，偏置电压线VB可以连接至节点A2。图6的像素电路160A包括驱动电路164A。驱动电路164A与图5的驱动电路164类似。然而，在驱动电路164A中，开关晶体管172的栅极端子连接至节点A2。在又一个示例中，如图7所示，图5的开关晶体管172可以用电阻来替代。图7的像素电路160B包括驱动电路164B。驱动电路164B与图5的驱动电路164类似。然而，在驱动电路164B中，电阻178和放电晶体管168串联连接在节点A2与电源线176之间。

图8图示了具有图5的驱动电路164的像素电路的另一个示例。像素电路190与图5的像素电路160类似。像素电路190包括OLED 192。OLED 192可以与图5的OLED 162相同或类似。在像素电路190中，驱动晶体管166设置在OLED 192的一个电极(例如，阳极电极)与VDD之间。放电晶体管168的一个端子和存储电容器174的一个端子连接至OLED 192。OLED 192的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)194。

在一个示例中，整个面板的像素共用图8的偏置电压线VB。在另一个示例中，如与图6类似的那样，图8的偏置电压线VB连接至节点A2。在又一个示例中，如与图7类似的那样，图8的开关晶体管172被电阻替代。

以与图5的像素电路160类似的方式，像素电路190提供在帧时间内恒定的平均电流。

图9图示了根据本发明另一个实施例的像素电路的驱动方法的示例。图9的波形施加于具有图5和图8的驱动电路164的像素电路(例如，图5的160，图8的190)。

图9的操作周期包括编程周期200和驱动周期202。参照图5、图8和图9，在编程周期200内，当SEL为高电平时，节点A2通过开关晶体管170被充电至编程电压(Vp)。在驱动周期202内，通过放电晶体管168对节点A2进行放电。因为驱动晶体管166和放电晶体管168具有相同的偏置条件，所以它们经历相同的阈值电压漂移。考虑到放电时间是放电晶体管168的跨导的函数，当驱动晶体管166/放电晶体管168的阈值电压增大时，放电时间增加。因此，像素(图5的160，图8的190)在帧时间内的平均电流保持恒定。在这里，开关晶体管172迫使放电晶体管168进入线性工作区域，并以此减小反馈增益。因此，放电晶体管168可以是具有最小沟道长度和宽度的单位晶体管(unity transistor)。单位晶体管的宽度和长度是技术所允许的最小值。

此外，在图8的像素电路190中，OLED 192的OLED电压的增大导致更长的放电时间。因此，即使OLED劣化后，平均像素电流也将保持恒定。

图10图示了针对图5和图8的驱动电路的显示系统的示例。图10的显示系统1020包括具有多个像素1024的显示阵列1022。像素1024包括图5和图8的驱动电路164，且可以是图5的像素电路130或图8的像素电路190。

显示阵列1022是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1022是AMOLED显示阵列。显示阵列1022可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上EL元件(例如，有机EL)。显示阵列1022可以用于移动设备、PDA、计算机显示器或手机。

各个选择线SELi和SELi+1与图5和图8的SEL相对应。VB与图5和图8的VB相对应。各个数据线VDATAj和VDATAj+1与图5和图8的VDATA相对应。像素1024以行列的方式布置。在显示阵列1022中共行的像素共用选择线(SELi、SELi+1)。在显示阵列1022中同列的像素共用数据线(VDATAj、VDATAj+1)。第i行和第(i+1)行像素共用偏置电压线VB。在另一个示例中，VB可以被整个阵列1022共用。

在图10中，示出了四个像素1024。然而，像素1024的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图10中，示出了两条选择线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而不同，并不限于两条。

栅极驱动器1026驱动SELi和SELi+1以及VB。栅极驱动器1026可以包括用于将地址信号提供给显示阵列1022的地址驱动器。数据驱动器1028产生编程数据且驱动VDATAj和VDATAj+1。控制器1030控制驱动器1026和1028以使它们如上所述地驱动像素1024。

图11图示了针对图6和图7的驱动电路的显示系统的示例。图11的显示系统1040包括具有多个像素1044的显示阵列1042。像素1044包括图6的驱动电路164A或图7的驱动电路164B，且可以是图6的像素电路160A或图7的像素电路160B。

显示阵列1042是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1042是AMOLED显示阵列。显示阵列1042可以是单色、多色或全色显示，且可以包括一个或一个以上EL元件(例如，有机EL)。显示阵列1042可以用于移动设备、PDA、计算机显示器或手机。

各个选择线SELi和SELi+1与图6和图7的SEL相对应。各个数据线VDATAj和VDATAj+1与图6和图7的VDATA相对应。像素1044以行列的方式布置。在显示阵列1042中的同行像素共用选择线(SELi、SELi+1)。在显示阵列1042中的同列像素共用数据线(VDATAj、VDATAj+1)。

在图11中，示出了四个像素1044。然而，像素1044的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图11中，示出了两条选择线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而不同，并不限于两条。

栅极驱动器1046驱动SELi和SELi±1。栅极驱动器1046可以是用于将地址信号提供给地址线(例如，选择线)的地址驱动器。数据驱动器1048产生编程数据且驱动VDATAj和VDATAj+1。控制器1040控制驱动器1046和1048以使它们如上所述地驱动像素1044。

图12图示了图1的像素电路100的仿真结果。在图12中，“g1”表示对于驱动晶体管106的阈值电压的不同漂移且初始电流为500nA的情况，图1中所示的像素电路100的电流；“g2”表示对于驱动晶体管106的阈值电压的不同漂移且初始电流为150nA的情况，像素电路100的电流。在图12中，“g3”表示对于驱动晶体管的阈值电压的不同漂移且初始电流为500nA的情况，传统的2-TFT像素电路的电流；“g4”表示对于驱动晶体管的阈值电压的不同漂移且初始电流为150nA的情况，传统2-TFT像素电路的电流。显然，对于新驱动方案而言，平均像素电流稳定，而如果从像素电路中去除放电晶体管(例如，图1的106)(传统的2-TFT像素电路)，那么平均像素电流显著下降。

图13图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。图13的像素电路210包括OLED 212和用于驱动OLED 212的驱动电路214。驱动电路214包括驱动晶体管216、放电晶体管218、第一开关晶体管220和第二开关晶体管222以及存储电容器224。

像素电路210与图8的像素电路190类似。驱动电路214与图5和图8的驱动电路164类似。晶体管216、218和220分别与图5和图8的晶体管166、168和170相对应。晶体管216、218和220可以与图5和图8的晶体管166、168和170相同或类似。晶体管222可以与图5的晶体管172或图8的晶体管178相同或类似。在一个示例中，晶体管216、218、220和222均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。存储电容器224与图5至图8的存储电容器174相对应。存储电容器224可以与图5至图8的存储电容器174相同或类似。OLED 212与图8的OLED 192相对应。OLED212可以与图8的OLED 192相同或类似。

晶体管216、218、220和222可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

在像素电路210中，驱动晶体管216设置在VDD与OLED 212的一个电极(例如，阳极电极)之间。开关晶体管222和放电晶体管218串联连接在驱动晶体管216的栅极端子与OLED212之间。开关晶体管222的一个端子在节点A3处连接至驱动晶体管的栅极端子。放电晶体管218的栅极端子连接至节点A3。存储电容器224设置在节点A3与OLED 212之间。开关晶体管220设置在VDATA与节点A3之间。开关晶体管220的栅极端子连接至选择线SEL[n]。开关晶体管222的栅极端子连接至选择线SEL[n+1]。OLED 212的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)226。在一个示例中，SEL[n]是显示阵列中的第n行地址线，且SEL[n+1]是显示阵列中的第(n+1)行地址线。

如下所述，像素电路210通过调节驱动晶体管216的栅极电压来提供在帧时间内恒定的平均电流。

图14图示了具有图13的驱动电路214的像素电路的另一个示例。图14的像素电路240与图5的像素电路160类似。像素电路240包括OLED 242。OLED 242可以与图5的OLED 162相同或类似。在像素电路240中，驱动晶体管216设置在OLED 242的一个电极(例如，阴极电极)与电源线(例如，共用接地)246之间。放电晶体管218的一个端子和存储电容器224的一个端子连接至电源线246。OLED 242的另一个电极(例如，阳极电极)连接至VDD。开关晶体管220的栅极端子连接至选择线SEL[n]。开关晶体管222的栅极端子连接至选择线SEL[n+1]。

以与图13的像素电路210类似的方式，像素电路240提供在帧时间内恒定的平均电流。

图15图示了根据本发明实施例的像素电路的驱动方法的示例。图15的波形被施加于具有图13和图14的驱动电路214的像素电路(例如，图13的210，图14的240)。

图15的操作周期包括三个操作周期250、252和254。操作周期250形成编程周期，操作周期252形成补偿周期且操作周期254形成驱动周期。参照图13至图15，在编程周期250内，当SEL[n]为高电平时，节点A3通过开关晶体管220被充电至编程电压。在第二操作周期252内，SEL[n+1]进入高电压。SEL[n]是禁用的(或无效的)。节点A3通过放电晶体管218而被放电。在第三操作周期254内，SEL[n]和SEL[n+1]是禁用的。因为驱动晶体管216和放电晶体管218具有相同的偏置条件，所以它们经历相同的阈值电压漂移。考虑到放电时间是放电晶体管218的跨导的函数，当驱动晶体管216/放电晶体管218的阈值电压增大时，放电电压下降。因此，驱动晶体管216的栅极电压得到相应调节。

此外，在图14的像素240中，OLED 242的OLED电压的增大导致更高的栅极电压。因此，像素电流保持恒定。

图16图示了针对图13和图14的驱动电路的显示系统的示例。图16的显示系统1060包括具有多个像素1064的显示阵列1062。像素1064包括图13和图14的驱动电路214，且可以是图13的像素电路210或图14的像素电路240。

显示阵列1062是有源阵列发光显示器。在一个示例中，显示阵列1062是AMOLED显示阵列。显示阵列1062可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上EL元素(例如，有机EL)。显示阵列1062可以用于移动设备、PDA、计算机显示器或手机。

SEL[k](k＝n+1，n+2)是用于第k行的地址线。VDATAl(l＝j，j+1)是数据线且与图13和图14的VDATA相对应。像素1064以行列的方式布置。在显示阵列1062中，同行像素共用选择线SEL[k]。在显示阵列1062中，同列像素共用数据线VDATAl。

在图16中，示出了四个像素1064。然而，像素1064的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图16中，示出了三条地址线和两条数据线。然而，地址线和数据线的数量可以根据系统设计而不同。

栅极驱动器1066驱动SEL[k]。栅极驱动器1066可以是用于将地址信号提供给地址线(例如，选择线)的地址驱动器。数据驱动器1068产生编程数据且驱动VDATAl。控制器1070控制驱动器1066和1068以使它们如上所述地驱动像素1064。

图17图示了图5的像素电路160的仿真结果。在图17中，“g5”表示对于驱动晶体管166的阈值电压的不同漂移且初始电流为630nA的情况，图5中所示的像素电路160的电流；“g6”表示对于驱动晶体管166的阈值电压的不同漂移且初始电流为430nA的情况，像素电路160的电流。可以看出，即使驱动晶体管的阈值电压漂移2V之后，像素电流依然非常稳定。因为图13的像素电路210与图5的像素电路160类似，所以对于本领域技术人员而言，像素电路210的像素电流显然也将是稳定的。

图18图示了图5的像素电路160的仿真结果。在图18中，“g7”表示对于驱动晶体管166的不同OLED电压且初始电流为515nA的情况，图5中所示的像素电路160的电流；“g8”表示对于驱动晶体管166的不同OLED电压且初始电流为380nA的情况，像素电路160的电流。可以看出，即使OLED电压漂移2V之后，像素电流依然非常稳定。因为图13的像素电路210与图5的像素电路160类似，所以对本领域技术人员而言，像素电路210的像素电流显然也将是稳定的。

图19示出了用于对图16的显示阵列1062进行驱动的驱动周期以及编程周期。在图16中，行j(j＝1，2，3，4)表示显示阵列1062的第j行。在图19中，“P”代表编程周期；“C”代表补偿周期；且“D”代表驱动周期。第j行的编程周期P与第(j+1)行的驱动周期D重叠。第j行的补偿周期C与第(j+1)行的编程周期P重叠。第j行的驱动周期D与第(j+1)行的补偿周期C重叠。

图20图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。图20的像素电路300包括OLED 302和用于驱动OLED 302的驱动电路304。驱动电路304包括驱动晶体管306、开关晶体管308、放电晶体管310和存储电容器312。OLED 302例如包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发光层。

在一个示例中，晶体管306、308和310是n型晶体管。在另一个示例中，晶体管306、308和310是p型晶体管，或n型晶体管和p型晶体管的组合。在一个示例中，晶体管306、308和310均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。晶体管306、308和310可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

驱动晶体管306设置在电压供给线Vdd与OLED 302之间。驱动晶体管306的一个端子(例如，源极)连接至Vdd。驱动晶体管306的另一个端子(例如，漏极)连接至OLED 302的一个电极(例如，阳极电极)。OLED 302的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)314。存储电容器312的一个端子在节点A4处连接至驱动晶体管306的栅极端子。存储电容器312的另一个端子连接至Vdd。开关晶体管308的栅极端子连接至选择线SEL[i]。开关晶体管308的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管308的另一个端子连接至节点A4。放电晶体管310的栅极端子连接至选择线SEL[i-1]或SEL[i+1]。在一个示例中，选择线SEL[m](m＝i-1，i，i+1)是用于显示阵列中的第m行的地址线。放电晶体管310的一个端子连接至节点A4。放电晶体管310的另一个端子连接至传感器316。在一个示例中，每个像素都包括传感器316。在另一个示例中，传感器316被多个像素电路共用。

传感器316包括传感端子和偏置端子Vb1。传感器316的传感端子连接至放电晶体管310。偏置端子Vb1例如可以连接至(但不限于)地、Vdd或驱动晶体管306的一个端子(例如，源极)。传感器316检测来自像素电路的能量传递。传感器316具有根据感测结果而变化的电导。传感器316吸收了像素发出的光或热能，所以传感器的载流子密度变化。传感器316例如通过(但不限于)光学、热学或其它的转换方式来提供反馈。传感器316可以是(但不限于)光学传感器或热学传感器。如下所述，根据传感器316的电导对节点A4进行放电。

驱动电路304用来实施像素电路的编程、补偿/校正和驱动。像素电路300通过调节驱动晶体管306的栅极电压来提供在其显示寿命内的恒定亮度。

图21图示了具有图20的驱动电路304的像素电路的另一个示例。图21的像素电路330与图20的像素电路300类似。像素电路330包括OLED 332。OLED 332可以与图20的OLED302相同或类似。在像素电路330中，驱动晶体管306的一个端子(例如，漏极)连接至OLED332的一个电极(例如，阴极电极)，且驱动晶体管306的另一个端子(例如，源极)连接至电源线(例如，共用接地)314。此外，存储电容器312的一个端子连接至节点A4，且存储电容器312的另一个端子连接至电源线314。以与图20的像素电路300类似的方式，像素电路330提供在其显示寿命内的恒定亮度。

参照图20和图21，像素电路中的驱动晶体管306和OLED 302/332的老化以两种不同的方式得到补偿：像素内补偿和面板内校正。

将详细说明像素内补偿。图22图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例。通过将图22的波形施加于具有图20和图21的驱动电路304的像素，来实施像素内补偿。

图22的操作周期包括三个操作周期340、342和344。操作周期340是第i行的编程周期并且是第(i+1)行的驱动周期。操作周期342是第i行的补偿周期并且是第(i+1)行的编程周期。操作周期344是第i行的驱动周期并且是第(i+1)行的补偿周期。参照图20至图22，在显示器的第i行的编程周期340内，当选择线SEL[i]为高电平时，像素电路中的第i行的节点A4通过开关晶体管308而被充电至编程电压。在第(i+1)行的编程周期342内，SEL[i+1]变为高电平，且存储在节点A4处的电压根据传感器316的电导而变化。在第i行的驱动周期344内，驱动晶体管306的电流控制OLED亮度。

在节点A4处的放电电压的量取决于传感器316的电导。传感器316受到OLED亮度或温度的控制。因此，当像素老化时，放电电压的量减少。这致使在像素电路的使用寿命内具有恒定亮度。

图23图示了针对图20和图21的驱动电路304的显示系统的示例。图23的显示系统1080包括具有多个像素1084的显示阵列1082。像素1084包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。

显示阵列1082是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1082是AMOLED显示阵列。显示阵列1082可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示阵列1082可以用于移动设备、个人数码助手(PDA)、计算机显示器或手机。

图23中的SEL[i](i＝m-1，m，m+1)是用于第i行的地址线。图23中的VDATAn(n＝j,j+1)是用于第n列的数据线。地址线SEL[i]与图20和图21的选择线SEL[i]相对应。数据线VDATAn与图20和图21的VDATA相对应。

栅极驱动器1086包括用于将地址信号提供给各条地址线以驱动地址线的地址驱动器。数据驱动器1088产生编程数据且驱动数据线。控制器1090控制驱动器1086和1088以使它们如上所述地驱动像素1084并实施像素内补偿。

在图23中，示出了四个像素1084。然而，像素1084的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图23中，示出了三条地址线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而不同。

在图23中，像素1084均包括图20和图21的传感器316。在另一个示例中，如图24所示，显示阵列1080可以包括一个或一个以上具有传感器316的参考像素。

图24图示了针对图20和图21的驱动电路304的显示系统的另一个示例。图24的显示系统1100包括具有多个像素1104和一个或一个以上参考像素1106的显示阵列1102。参考像素1106包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。在图24中，示出了两个参考像素1106。然而，像素1106的数量可以根据系统设计而不同，并不限于两个。像素1104包括OLED和用于驱动OLED的驱动晶体管，且不含有图20和图21的传感器316。SEL_REF是用于对参考像素1106的阵列中的放电晶体管进行选择的选择线。

栅极驱动器1108驱动选择线SEL_REF和地址线。栅极驱动器1108可以与图23的栅极驱动器1086相同或类似。数据驱动器1110驱动数据线。数据驱动器1110可以与图23的数据驱动器1088相同或类似。控制器1112控制驱动器1108和1110。

可以对图23和图24的参考像素(图23的1084，图24的1106)进行操作来提供用于下述面板内算法的老化信息：如下所述在控制器(图23的1090，图24的1112)或驱动器侧(图23的1088，图24的1110)校正编程电压。

将详细说明面板内校正。参照图21，通过以对传感器316进行读回的方式来提取像素电路的老化，并且对编程电压进行校正来实施面板内校正。面板内校正补偿包括阈值Vt漂移和OLED劣化在内的像素老化。

图25图示了根据本发明实施例的像素系统的示例。图25的像素系统包括读回电路360。读回电路360包括电荷泵放大器362和电容器364。电荷泵放大器362的一个端子经由开关SW1能够与数据线VDATA连接。电荷泵放大器362的另一个端子连接至偏置电压Vb2。电荷泵放大器362经由开关SW1读回从节点A4放出的电压。

电荷泵放大器362的输出366根据节点A4处的电压而变化。经由电荷泵放大器362能够从节点A4读取像素电路的时间依赖特性。

在图25中，一个读回电路360和一个开关SW1被图示用于一个像素电路。然而，读回电路360和开关SW1可以被设置用于一组像素电路(例如，列中的像素电路)。在图25中，读回电路360和开关SW1设置于像素电路300。在另一个示例中，读回电路360和开关SW1应用于图21的像素电路330。

图26图示了具有图25的读回电路360的显示系统的示例。图26的显示系统1120包括具有多个像素1124的显示阵列1122。像素1124包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。像素1124可以与图23的1084或图24的1106相同或类似。

在图26中，示出了四个像素1124。然而，像素1124的数量可以根据系统设计而不同，并不限于四个。在图26中，示出了三条地址线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而不同。

对于每一列，设置有读回电路RB1[n](n＝j，j+1)和开关SW1[n](未示出)。读回电路RB1[n]可以包括开关SW1[n]。读回电路RB1[n]和开关SW1[n]分别与图25的读回电路360和开关SW1相对应。在下面的说明中，能够可互换地使用术语RB1和RB1[n]，且RB1可以指代图25中的某一行的读回电路360。

显示阵列1122是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1122是AMOLED显示阵列。显示阵列1122可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示阵列1122可以用于移动设备、个人数码助理(PDA)、计算机显示器或手机。

栅极驱动器1126包括用于驱动地址线的地址驱动器。栅极驱动器1126可以与图23的栅极驱动器1086或图24的栅极驱动器1108相同或类似。数据驱动器1128产生编程数据且驱动数据线。数据驱动器1128包括根据相应的读回电路RB1[n]的输出来计算编程数据的电路。控制器1130控制驱动器1126和1128，从而如上所述地驱动像素1124。控制器1130控制开关SW1[n]的接通或断开以使RB1[n]连接至相应的数据线VDATAn。

对像素1124进行操作来提供用于面板内算法的老化信息，其中，根据读回电路RB1的输出电压，在控制器1130或驱动器1128侧校正编程电压。简单的校正可以是下述缩放(scaling)：其中，通过读回电路RB1的输出电压的变化来放大编程电压。

在图26中，像素1124均包括图20和图21的传感器316。在另一个示例中，显示阵列1120可以包括一个或一个以上具有传感器316的参考像素，如图27所示。

图27图示了具有图25的读回电路的显示系统的另一个示例。图27的显示系统1140包括具有多个像素1144和一个或一个以上参考像素1146的显示阵列1142。参考像素1146包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。在图27中，示出了两个参考像素1146。然而，像素1146的数量可以根据系统设计而不同，并不限于两个。像素1144包括OLED和用于驱动OLED的驱动晶体管，且不包含图20和图21的传感器316。SEL_REF是用于对参考像素1146的阵列中的放电晶体管进行选择的选择线。

栅极驱动器1148驱动地址线和选择线SEL_REF。栅极驱动器1148可以与图26的栅极驱动器1126相同或类似。数据驱动器1150产生编程数据，校正编程数据且驱动数据线。数据驱动器1150可以与图26的数据驱动器1128相同或类似。控制器1152控制驱动器1148和1150。

参考像素1146被操作用来为面板内算法提供老化信息，其中，根据读回电路RB1的输出电压，在控制器1152或驱动器1150侧校正编程电压。简单的校正可以是这样的缩放：通过读回电路RB1的输出电压的变化来放大编程电压。

图28图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例。图26的显示系统1120和图27的显示系统1140能够根据图28的波形来操作。通过将图28的波形施加于具有读回电路(例如，图25的360，图26和图27的RB1)的显示系统，来实施面板内校正。

图28的操作周期包括操作周期380、382、383、384和386。操作周期380是第i行的编程周期。操作周期382是第i行的驱动周期。每个行的驱动周期独立于其它行。操作周期383是第i行的初始化周期。操作周期384是第i行的积分周期。操作周期386是第i行的读回周期。

参照图25至图28，在第i行的编程周期380内，当选择线SEL[i]为高电平时，像素电路的第i行中的节点A4通过开关晶体管308被充电至编程电压。在第i行的编程周期380内，节点A4被充电至校正后的编程电压。在第i行的驱动周期382内，由驱动晶体管306控制OLED亮度。在第i行的初始化周期383内，节点A4被充电至偏置电压。在第i行的积分周期384内，SEL[i-1]为高电平，因此通过传感器316对节点A4处的电压进行放电。在读回周期386内，对节点A4处的电压的变化进行读回以使之用于校正(例如，对编程电压进行缩放)。

在读回周期386的开始，读回电路RB1的开关SW1是接通的，且数据线VDATA被充电至Vb2。此外，由于来自连接至数据线VDATA的所有像素的泄漏，电容器364被充电至电压Vpre。然后，选择线SEL[i]变为高电平，所以放电电压Vdisch形成在电容器364两端。两个提取电压(Vpre和Vdisch)之间的差值被用来计算像素老化。

传感器316能够在大部分时间不工作且仅在积分周期384内工作。因此，传感器316老化非常轻微。此外，传感器316能够被正确地偏置以显著抑制其劣化。

此外，该方法能够用于提取传感器316的老化。图29图示了提取传感器316的老化的方法的示例。暗像素和暗参考像素的传感器的提取电压能够用来发现传感器316的老化。例如，图27的显示系统1140能够根据图29的波形来操作。

图29的操作周期包括操作周期380、382、383、384和386。操作周期380是第i行的编程周期。操作周期382是第i行的驱动周期。操作周期383是第i行的初始化周期。操作周期384是第i行的积分周期。操作周期386是第i行的读回周期。操作周期380(第二次出现)是参考行的初始化周期。操作周期384(第二次出现)是参考行的积分周期。操作周期386(第二次出现)是参考行的读回周期(提取)。

参考行包括一个或多个参考像素(例如，图27的1146)，且位于第(m-1)行。SEL_REF是用于对参考行的参考像素中的放电晶体管(例如，图25的310)进行选择的选择线。

参照图25、图27和图29，为了提取传感器316的老化，正常像素电路(例如，1144)不工作。对经由输出316从正常像素提取的电压与参考像素(例如，1146)的在不工作状态下提取的电压之间的差值进行提取。在参考像素不受应力(stress)的情况下，提取参考像素的不工作状态电压。该差值使得提取了传感器316的劣化。

图30图示了根据本发明另一个实施例的像素系统的示例。图30的像素系统包括读回电路400。读回电路400包括跨阻放大器402。跨阻放大器402的一个端子能够经由开关SW2连接至数据线VDATA。跨阻放大器402经由开关SW2读回从节点A4放出的电压。开关SW2可以与图25的开关SW1相同或类似。

跨阻放大器402的输出根据节点A4处的电压而变化。经由跨阻放大器402能够从节点A4读取像素电路的时间依赖特性。

在图30中，一个读回电路400和一个开关SW2被图示用于一个像素电路。然而，读回电路400和开关SW2可以被设置用于一组像素电路(例如，列中的各像素电路)。在图30中，读回电路400和开关SW2被设置于像素电路300。在另一个示例中，读回电路400和开关SW2应用于图21的像素电路330。

图31图示了具有图30的读回电路400的显示系统的示例。图31的显示系统1160包括具有多个像素1164的显示阵列1162。像素1164包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。像素1164可以与图26的像素1124或图27的像素1146相同或类似。

在图31中，示出了四个像素1164。然而，像素1164的数量可以根据系统设计而变化，并不限于四个。在图31中，示出了三条地址线和两条数据线。然而，选择线和数据线的数量可以根据系统设计而变化。

对于每一列，设置有读回电路RB2[n](n＝j，j+1)和开关SW2[n](未示出)。读回电路RB2[n]可以包括SW2[n]。读回电路RB2[n]和开关SW2[n]分别与图30的读回电路400和开关SW2相对应。在下面的说明中，能够可互换地使用术语RB2和RB2[n]，且RB2可以指代图30的某一行的读回电路400。

显示阵列1162是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1162是AMOLED显示阵列。显示阵列1162可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示阵列1162可以用于移动设备、个人数码助手(PDA)、计算机显示器或手机。

栅极驱动器1166包括用于驱动地址线的地址驱动器。栅极驱动器1166可以与图26的栅极驱动器1126或图27的栅极驱动器1148相同或类似。数据驱动器1168产生编程数据且驱动数据线。数据驱动器1168包含根据相应的读回电路RB2[n]的输出来计算编程数据的电路。控制器1170控制驱动器1166和1168，从而如上所述地驱动像素1164。控制器1170控制开关SW2[n]的接通或断开以使RB2[n]连接至相应的数据线VDATAn。

像素1164被操作用来为面板内算法提供老化信息，其中，根据读回电路RB2的输出电压在控制器1170或驱动器1168侧校正编程电压。简单的校正可以是这样的缩放：通过读回电路RB2的输出电压的变化来放大编程电压。

在图31中，像素1164均包括图20和图21的传感器316。在另一个示例中，如图32所示，显示阵列1160可以包括一个或一个以上具有传感器316的参考像素。

图32图示了具有图30的读回电路400的显示系统的另一个示例。图32的显示系统1200包括具有多个像素1204和一个或一个以上参考像素1206的显示阵列1202。参考像素1206包括图20和图21的驱动电路304，且可以是图20的像素电路300或图21的像素电路330。在图32中，示出了两个参考像素1206。然而，像素1206的数量可以根据系统设计而变化，并不限于两个。像素1204包括OLED和用于驱动OLED的驱动晶体管，且不包含图20和图21的传感器316。SEL_REF是对参考像素1206的阵列中的放电晶体管进行选择的选择线。

栅极驱动器1208驱动选择线SEL_REF和地址线。栅极驱动器1208可以与图27的栅极驱动器1148或图31的栅极驱动器1166相同或类似。数据驱动器1210产生编程数据，校正编程数据且驱动数据线。数据驱动器1210可以与图27的数据驱动器1150或图31的数据驱动器1168相同或类似。控制器1212控制驱动器1208和1210。

参考像素1206进行操作从而为下述面板内算法提供老化信息：其中，根据读回电路RB2的输出电压在控制器1212或驱动器1210侧校正编程电压。简单的校正可以是这样的缩放：通过读回电路RB2的输出电压的变化来放大编程电压。

图33图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例。图31的显示系统1160和图32的显示系统1200能够根据图33的波形来操作。通过将图33的波形施加于具有读回电路(例如，图30的400，图31和图32的RB2)的显示系统，来实施面板内校正。

图33的操作周期包括针对行的操作周期420、422和424。操作周期420是第i行的编程周期。操作周期422是第i行的驱动周期。操作周期424是第i行的读回(提取)周期。

参照图30至图33，在第i行的编程周期420内，当选择线SEL[i]为高电平时，像素电路的第i行中的节点A4通过开关晶体管308被充电至编程电压。在第i行的驱动周期422内，由驱动晶体管306的电流控制像素亮度。在第i行的提取周期424内，SEL[i]和SEL[i-1]为高电平且监控传感器316的电流。读回电路RB2放大该电流的变化。该变化被用于测量像素的亮度劣化并且通过校正编程电压(例如，对编程电压进行缩放)来补偿像素的亮度劣化。

在读回周期424的开始，当SEL[i]为低电平时，算法选择用于校正的行的开关SW2是接通的。因此，泄漏电流被提取作为跨阻放大器402的输出电压。能够根据应力历史(stress history)、随机或顺序法等进行行的上述选择。接着，SEL[i]变为高电平，于是与像素的亮度或温度有关的传感器电流被读回作为跨阻放大器402的输出电压。使用泄漏电流和传感器电流的两个提取电压，就能够计算出像素老化。

传感器316能够在大部分时间不工作且仅在积分周期424内工作。因此，传感器316老化非常轻微。此外，传感器316能够被正确地偏置以显著抑制其劣化。

此外，该方法能够用于提取传感器316的老化。图34图示了提取图30的传感器316的老化的方法的示例。例如，图32的显示系统1200能够根据图34的波形来操作。

图34的操作周期包括操作周期420、422和424。操作周期420(第一次出现)是第i行的编程周期。操作周期422是第i行的驱动周期。操作周期424(第一次出现)是第i行的读回(提取)周期。操作周期424(第二次出现)是参考行的读回(提取)周期。

参考行包括一个或多个参考像素(例如，图32的1206)，且位于第(m-1)行。SEL_REF是用于对参考行的参考像素中的放电晶体管(例如，图30的310)进行选择的选择线。

参照图30、图32和图34，为了提取传感器316的老化，正常像素电路(例如，1204)不工作。对经由跨阻放大器402的输出从正常像素电路提取的电压与参考像素(例如，1206)的在不工作状态下提取的电压之间的差值进行提取。在参考像素不受应力的情况下，提取参考像素的不工作状态电压。其结果是提取了传感器316的劣化。

图35图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。图35的像素电路500包括OLED 502和用于驱动OLED 502的驱动电路504。驱动电路504包括驱动晶体管506、开关晶体管508、放电晶体管510、调节电路516和存储电容器512。

OLED 502可以与图13的OLED 212或图20的OLED 302相同或类似。电容器512可以与图13的电容器224或图20的电容器312相同或类似。晶体管506、508和510可以与图13的晶体管206、220和222或图20的晶体管306、308和310相同或类似。在一个示例中，晶体管506、508和510均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

驱动晶体管506设置在电压供给线VDD与OLED 502之间。驱动晶体管506的一个端子(例如，漏极)连接至VDD。驱动晶体管506的另一个端子(例如，源极)连接至OLED 502的一个电极(例如，阳极电极)。OLED 502的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线VSS(例如，共用接地)514。存储电容器512的一个端子在节点A5处连接至驱动晶体管506的栅极端子。存储电容器512的另一个端子连接至OLED 502。开关晶体管508的栅极端子连接至选择线SEL[n]。开关晶体管508的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管508的另一个端子连接至节点A5。晶体管510的栅极端子连接至控制线CNT[n]。在一个示例中，n代表显示阵列中的第n行。晶体管510的一个端子连接至节点A5。晶体管510的另一个端子连接至调节电路516的一个端子。调节电路516的另一个端子连接至OLED 502。

因为调节电路516的电阻根据像素老化而变化，所以调节电路516被设置用来与放电晶体管510一起调节A5的电压。在一个示例中，调节电路516是图13的晶体管218。在另一个示例中，调节电路516是图20的传感器316。

为了改善驱动晶体管506的阈值电压的漂移，像素电路在一部分帧时间内被断开。

图36图示了根据本发明又一个实施例的像素电路的驱动方法的示例。图36的波形施加于图35的像素电路。像素电路500的操作周期包括编程周期520、放电周期522、发光周期524、复位周期526和弛豫周期527。

在编程周期520内，节点A5被充电至编程电压VP。在放电周期522内，CNT[n]变为高电平，且节点A5处的电压被部分地放出以补偿像素的老化。在发光周期524内，SEL[n]和CNT[n]变为低电平。在发光周期524内，驱动晶体管506控制OLED 502。在复位周期526内，CNT[n]变为高电平以此在复位周期526内将节点A5处的电压完全放出。在弛豫周期527内，驱动晶体管506不受应力且从发光周期524恢复。因此，驱动晶体管506的老化得以显著降低。

图37图示了含有图35的像素电路的显示系统的示例。图37的显示系统1300包括具有多个像素500的显示阵列1302。显示阵列1302是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1302是AMOLED显示阵列。像素500以行和列的方式布置。在图37中，示出了第n行的两个像素500。显示阵列1302可以包括两个以上的像素。

显示阵列1302可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或一个以上电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示阵列1302可以用于移动设备、个人数码助手(PDA)、计算机显示器或手机。

地址线SEL[n]被设置于第n行。控制线CNT[n]被设置于第n行。数据线VDATAk(k＝j，j+1)被设置于第k列。地址线SEL[n]与图35的SEL[n]相对应。控制线CNT[n]与图35的CNT[n]相对应。数据线VDATAk(k＝j，j+1)与图35的VDATA相对应。

栅极驱动器1306驱动SEL[n]。数据驱动器1308产生编程数据且驱动VDATAk。控制器1310控制驱动器1306和1308，从而驱动像素500以产生图36的波形。

图38图示了包括有图35的像素电路500的显示系统的另一个示例。图38的显示系统1400包括具有多个像素500的显示阵列1402。显示阵列1402是有源矩阵发光显示器。在一个示例中，显示阵列1402是AMOLED显示阵列。像素500以行和列的方式布置。在图38中，示出了第n行的四个像素500。显示阵列1402可以包括四个以上像素。

SEL[i](i＝n，n+1)是选择线且与图35的SEL[n]相对应。CNT[i](i＝n，n+1)是控制线且与图35的CNT[n]相对应。OUT[k](k＝n-1，n，n+1)是栅极驱动器1406的输出。选择线能够连接至来自栅极驱动器1406的输出或VL线中的一者。VDATAm(m＝j+1)是数据线且与图35的VDATA相对应。数据驱动器1408控制VDATAm。控制器1410控制栅极驱动器1406和数据驱动器1408，从而操作像素电路500。

控制线和选择线通过开关1412共用来自栅极驱动器1406的相同输出。在图36的放电周期526内，RES信号改变开关1412方向并将选择线连接至具有低电压的VL线，以使像素电路500的晶体管508截止。OUT[n-1]为高电平，所以CNT[n]为高电平。因此，通过调节电路516和放电晶体管510调节节点A5处的电压。在其它的操作周期内，RES信号和开关1412将选择线连接至栅极驱动器的相应输出(例如，SEL[n]连接至OUT[n])。开关1412能够使用面板制造技术(例如，非晶硅)而被制造在面板上或能够被集成在栅极驱动器的内部。

图39图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。在编程周期内，根据编程信息对像素电路600进行编程，且在发光周期内，根据编程信息驱动像素电路600发光。图39的像素电路600包括OLED 602和用于驱动OLED 602的驱动电路604。OLED 602是发光周期内发光的发光器件。OLED 602具有电容632。OLED 602例如包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发光层。

驱动电路604包括驱动晶体管606、开关晶体管608、开关组650、存储电容器612和调节晶体管646。在发光周期内，驱动晶体管606传送通过OLED 602的驱动电流。在编程周期内，以至少部分地根据编程信息的电压对存储电容器612充电。开关晶体管608根据选择线SEL来操作，并且在编程周期内将电压传送至存储电容器612。调节晶体管646将泄漏电流传送至驱动晶体管606的栅极端子，从而调节驱动晶体管606的栅极电压。

在一个示例中，晶体管606、608和646是n型晶体管。在另一个示例中，晶体管606、608和646是p型晶体管，或n型晶体管和p型晶体管的组合。在一个示例中，晶体管606、608和646均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

晶体管606、608和646可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

驱动晶体管606通过开关或直接地设置在电压供给线VDD与OLED 602之间。驱动晶体管606的一个端子连接至VDD。驱动晶体管606的另一个端子连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。开关晶体管608的栅极端子连接至选择线SEL。开关晶体管608的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管608的另一个端子连接至节点A。存储电容器612的一个端子连接至节点A。存储电容器612的另一个端子连接至OLED 602。OLED 602的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)614。

调节晶体管646的一个端子连接至驱动晶体管606的栅极端子。调节晶体管646的第二端子连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。调节晶体管646的栅极端子连接至调节晶体管646的第二端子。因此，调节晶体管646被偏置于提供非常小电流的亚阈值区。在较高温度时，调节晶体管646的亚阈值电流显著增大，这降低了驱动晶体管606的平均栅极电压。

开关组650能够包括上文中关于本发明各种实施例而说明的放电晶体管、额外的开关晶体管、电阻、传感器和/或放大器等构造中的任何一者。例如，如图1所示，开关组650能够包括放电晶体管108。在发光周期内，放电晶体管108排出存储电容器612上被充电的电压。在这个实施例中，放电晶体管108的一个端子和放电晶体管108的栅极端子在节点A处连接至驱动晶体管606的栅极端子。放电晶体管108的另一个端子连接至OLED 602。

在另一个示例中，如图8所示，开关组650能够包括串联连接在驱动晶体管606的栅极端子与OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)之间的第二开关晶体管178和放电晶体管168。开关晶体管178的栅极端子连接至偏置电压线VB。放电晶体管168的栅极端子在节点A处连接至驱动晶体管606的栅极端子。在发光周期内，放电晶体管168放出存储电容器612上被充电的电压。

在又一个示例中，如图13所示，开关组650能够包括串联连接在驱动晶体管606的栅极端子与OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)之间的第二开关晶体管222和放电晶体管218。开关晶体管222的栅极端子连接至选择线SEL[n+1]。放电晶体管218的栅极端子在节点A处连接至驱动晶体管606的栅极端子。在发光周期内，放电晶体管218放出存储电容器612上被充电的电压。

在另一个示例中，如图35所示，开关组650能够包括串联连接在驱动晶体管606的栅极端子与OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)之间的放电晶体管510和调节电路516。放电晶体管的栅极端子连接至控制线CNT[n]。因为调节电路516的电阻根据像素老化而变化，所以调节电路516被设置用来与放电晶体管510一起调节节点A的电压。在一个示例中，调节电路516是图13的晶体管218。在另一个示例中，调节电路516是图20的传感器316。在发光周期内，放电晶体管510放出存储电容器612上被充电的电压。

根据这些实施例，像素电路600提供在帧时间内恒定的平均电流。

图40图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。在编程周期内，根据编程信息对像素电路610进行编程，且在发光周期内，根据编程信息驱动像素电路610发光。图40的像素电路610包括OLED 602和用于驱动OLED 602的驱动电路。OLED 602是发光周期内发光的发光器件。OLED 602具有电容632。OLED 602例如包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发光层。

驱动电路包括驱动晶体管606、第一开关晶体管608、第二开关晶体管688、存储电容器612、放电晶体管686和调节晶体管646。在发光周期内，驱动晶体管606传送驱动电流通过OLED 602。在编程周期内，以至少部分地根据编程信息的电压对存储电容器612充电。第一开关晶体管608根据选择线进行操作，并且在编程周期内将电压传送至存储电容器612。在发光周期内，放电晶体管686放出存储电容器612上的电压。调节晶体管646将泄漏电流传送至驱动晶体管606的栅极端子，从而调节驱动晶体管606的栅极电压。

在一个示例中，晶体管606、608、646和686是n型晶体管。在另一个示例中，晶体管606、608、646和686是p型晶体管，或n型晶体管和p型晶体管的组合。在一个示例中，晶体管606、608、646和686均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

晶体管606、608、646和686可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

驱动晶体管606通过开关或直接地设置在电压供给线VDD与OLED 602之间。驱动晶体管606的一个端子连接至VDD。驱动晶体管606的另一个端子连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。第一开关晶体管608的栅极端子连接至选择线SEL。开关晶体管608的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管608的另一个端子连接至节点A。存储电容器612的一个端子连接至节点A。存储电容器612的另一个端子在节点B处连接至OLED 602。OLED 602的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)。

放电晶体管686的栅极端子连接至控制线CNT。控制线CNT可以与图35的CNT[n]相对应。放电晶体管686的一个端子连接至节点A。第二开关晶体管688的一个端子连接至节点A。放电晶体管686的另一个端子在节点C处连接至第二开关晶体管688的另一个端子。第二开关晶体管688的栅极端子连接至节点C。

调节晶体管646的一个端子连接至节点C。调节晶体管646的第二端子连接至OLED602的一个电极(例如，阳极电极)。调节晶体管的栅极端子连接至节点A。因此，调节晶体管646被偏置于提供非常小电流的亚阈值区。然而，在帧时间内，这样的小电流足够改变驱动晶体管606的栅极电压。在较高温度时，调节晶体管646的亚阈值电流显著增大，这降低了驱动晶体管606的平均栅极电压。

根据这个实施例，像素电路610提供在帧时间内恒定的平均电流。

图41图示了应用了根据本发明又一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。在编程周期内，根据编程信息对像素电路620进行编程，且在发光周期内，根据编程信息驱动像素电路620发光。图41的像素电路620包括OLED 602和用于驱动OLED 602的驱动电路。OLED 602是发光周期内发光的发光器件。OLED 602具有电容632。OLED 602例如包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发光层。

驱动电路包括驱动晶体管606、第一开关晶体管608、第二开关晶体管688、存储电容器612、放电晶体管686和调节晶体管646。在发光周期内，驱动晶体管606传送驱动电流通过OLED 602。在编程周期内，以至少部分地根据编程信息的电压对存储电容器612充电。第一开关晶体管608根据选择线进行操作，并且在编程周期内将电压传送至存储电容器612。在发光周期内，放电晶体管686放出存储电容器612上的电压。调节晶体管646将泄漏电流传送至驱动晶体管606的栅极端子，从而调节驱动晶体管606的栅极电压。

驱动晶体管606通过开关或直接地设置在电压供给线VDD与OLED 602之间。驱动晶体管606的一个端子连接至VDD。驱动晶体管606的另一个端子连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。第一开关晶体管608的栅极端子连接至选择线SEL。开关晶体管608的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管608的另一个端子连接至节点A。存储电容器612的一个端子连接至节点A。存储电容器612的另一个端子在节点B处连接至OLED 602。OLED 602的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)。

放电晶体管686的栅极端子连接至控制线CNT。控制线CNT可以与图35的CNT[n]或图40的控制线CNT相对应。第二开关晶体管688的一个端子连接至节点A。第二开关晶体管688的另一个端子在节点B处连接至OLED 602。第二开关晶体管的栅极端子在节点B处连接至OLED 602。

放电晶体管686的一个端子连接至节点A。放电晶体管686的另一个端子连接至调节晶体管646的一个端子。调节晶体管646的另一个端子在节点B处连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。调节晶体管的栅极端子连接至节点A。因此，调节晶体管646被偏置处于提供非常小电流的亚阈值区。然而，在帧时间内，这样的小电流足够改变驱动晶体管606的栅极电压。在较高温度时，调节晶体管646的亚阈值电流显著增大，降低了驱动晶体管606的平均栅极电压。

根据这个实施例，像素电路610提供在帧时间内恒定的平均电流。

根据另一个实施例，提出了具有用于驱动发光器件的像素电路600、610或620的显示器的操作方法。该方法包括：在编程周期内，通过导通第一开关晶体管，来对像素电路充电，以使得电压被充电至像素电路中的连接至电容器和驱动晶体管的栅极端子的节点；通过调节晶体管将泄漏电流传送至驱动晶体管的栅极端子，从而调节所述节点处的电压；并且在根据编程信息驱动像素电路发光的发光周期内，通过放大晶体管将所述节点处的电压排出。

图42图示了应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路的示例。在编程周期内，根据编程信息对像素电路630编程，并且且在发光周期内，根据编程信息驱动像素电路630发光。图42的像素电路630包括OLED 602和用于驱动OLED 602的驱动电路604。OLED 602是发光周期内发光的发光器件。OLED 602具有电容632。OLED 602例如包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发光层。

驱动电路604包括驱动晶体管606、开关晶体管608、开关组650、存储电容器612和调节晶体管646。在发光周期内，驱动晶体管606传送通过OLED 602的驱动电流。在编程周期内，以至少部分地根据编程信息的电压对存储电容器612充电。开关晶体管608根据选择线SEL来操作，并且在编程周期内将电压传送至存储电容器612。调节晶体管646将泄漏电流传送至驱动晶体管606的栅极端子，从而调节驱动晶体管606的栅极电压。

在一个示例中，晶体管606、608和646是n型晶体管。在另一个示例中，晶体管606、608和646是p型晶体管，或n型晶体管和p型晶体管的组合。在一个示例中，晶体管606、608和646均包括栅极端子、源极端子和漏极端子。

晶体管606、608和646可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。

驱动晶体管606通过开关或直接地设置在电压供给线VDD与OLED 602之间。驱动晶体管606的一个端子连接至VDD。驱动晶体管606的另一个端子连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。开关晶体管608的栅极端子连接至选择线SEL。开关晶体管608的一个端子连接至数据线VDATA。开关晶体管608的另一个端子连接至节点A。存储电容器612的一个端子连接至节点A。存储电容器612的另一个端子通过元件组660连接至OLED 602。OLED 602的另一个电极(例如，阴极电极)连接至电源线(例如，共用接地)614。

调节晶体管646的一个端子连接至驱动晶体管606的栅极端子。调节晶体管646的第二端子通过元件组660(图42中示出为至少包括受控制线CNT2控制的一个开关660)连接至OLED 602的一个电极(例如，阳极电极)。元件组660能够用作用于控制调节晶体管646有效的时间的开关或者用作用于控制调节晶体管646的电流的反馈。调节晶体管646的栅极端子连接至调节晶体管646的第二端子。因此，调节晶体管646被偏置于提供非常小电流的亚阈值区。在较高温度时，调节晶体管646的亚阈值电流显著增大，这降低了驱动晶体管606的平均栅极电压。

开关组650能够包括上文中关于本发明各种实施例而说明的放电晶体管、额外的开关晶体管、电阻、传感器和/或放大器等构造中的任何一者。例如，如图1所示，开关组650能够包括放电晶体管108。在发光周期内，放电晶体管108排出存储电容器612上被充电的电压。在这个实施例中，放电晶体管108的一个端子和放电晶体管108的栅极端子在节点A处连接至驱动晶体管606的栅极端子。放电晶体管108的另一个端子通过元件组660连接至OLED602。

根据本发明的实施例，纵使背板和OLED不稳定，驱动电路和施加于驱动电路的波形提供稳定的AMOLED显示。驱动电路及其波形降低了像素电路的差异老化的影响。实施例中的像素方案不需要额外的驱动周期或驱动电路，这实现了包括移动设备和PDA在内的便携式设备的低成本应用。此外，如本领域普通技术人员所欣赏地那样，它对温度变化和机械应力不敏感。

已经通过如上所述的示例说明了一个或多个当前优选的实施例。对本领域技术人员而言，在不脱离权利要求书所限定的本发明范围的情况下能够做出许多变化和修改是显然的。

Claims (15)

1.一种显示系统，所述系统包括：

像素电路，所述像素电路在编程周期内根据编程信息而被编程并且在发光周期内根据所述编程信息而被驱动发光，所述像素电路包括：

发光器件，所述发光器件用于在所述发光周期内发光，

驱动晶体管，所述驱动晶体管用于在所述发光周期内传送驱动电流通过所述发光器件，所述驱动晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子，

存储电容器，在所述编程周期内使用至少部分根据所述编程信息的电压对所述存储电容器充电，所述存储电容器具有第一端子和第二端子，所述第一端子连接至所述驱动晶体管的所述栅极端子，

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管根据第一选择线进行操作，所述第一开关晶体管用于在所述编程周期内将所述电压传送至所述存储电容器，和

调节晶体管，所述调节晶体管用于将泄漏电流传送至所述驱动晶体管的所述栅极端子，从而调节所述驱动晶体管的栅极电压，所述调节晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子，所述调节晶体管的所述栅极端子连接至所述存储电容器的所述第一端子和所述第二端子之中的一者，且所述调节晶体管的源极端子和漏极端子中的一者连接至所述驱动晶体管的所述栅极端子，并且所述调节晶体管的所述源极端子和漏极端子中的另一者连接至位于所述发光器件与所述驱动晶体管之间的节点，

至少一个开关，所述调节晶体管的所述源极端子和漏极端子中的所述另一者经由所述至少一个开关连接至位于所述发光器件与所述驱动晶体管之间的所述节点，

其中，所述像素电路提供在帧时间内恒定的平均电流。

2.根据权利要求1所述的系统，还包括：

显示阵列，所述显示阵列包括以行列的方式布置的多个所述像素电路，和

用于驱动所述显示阵列的驱动器。

3.根据权利要求1所述的系统，还包括：

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管根据偏置线进行操作，所述第二开关晶体管用于将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接至所述存储电容器的所述第二端子。

4.根据权利要求3所述的系统，还包括：

显示阵列，所述显示阵列包括以行列的方式布置的多个所述像素电路，和

用于驱动所述显示阵列的驱动器，

其中，所述偏置线被所述多个像素电路中的一个以上所述像素电路共用。

5.根据权利要求1所述的系统，还包括：

数据驱动器，所述数据驱动器根据所述编程信息对所述存储电容器充电，从而经由数据线对所述像素电路进行编程；

栅极驱动器，所述栅极驱动器用来驱动所述第一选择线；和

控制器，所述控制器用来操作所述数据驱动器和所述栅极驱动器。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述调节晶体管被偏置于亚阈值区。

7.一种对具有用于驱动发光器件的像素电路的显示器进行操作的方法，所述方法包括：

在编程周期内通过导通第一开关晶体管来对所述像素电路充电，以此将电压充电至具有第一端子和第二端子的存储电容器，所述第一端子在第一节点处连接至驱动晶体管的栅极端子，所述驱动晶体管还具有源极端子和漏极端子；

通过具有栅极端子、源极端子和漏极端子的调节晶体管来传送泄漏电流，所述调节晶体管的所述栅极端子连接至所述存储电容器的所述第一端子和所述第二端子中的一个端子，且所述调节晶体管的源极端子和漏极端子中的一者连接至所述驱动晶体管的所述栅极端子，并且所述调节晶体管的所述源极端子和漏极端子中的另一者连接至位于所述发光器件与所述驱动晶体管之间的第二节点，从而调节所述第一节点处的电压，其中，所述调节晶体管的所述源极端子和漏极端子中的所述另一者经由至少一个开关连接至位于所述发光器件与所述驱动晶体管之间的所述第二节点；并且

通过所述至少一个开关控制所述调节晶体管有效的时间和所述调节晶体管的电流之中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述像素电路提供在帧时间内恒定的平均电流。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，通过选择线来导通所述第一开关晶体管。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述驱动晶体管和所述调节晶体管具有相同的偏置条件。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述调节晶体管被偏置于亚阈值区。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

通过放电晶体管对所述第一节点进行放电，所述放电晶体管具有连接至所述驱动晶体管的所述栅极端子的端子。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

通过导通用于将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接至所述存储电容器的所述第二端子的第二开关晶体管，迫使所述放电晶体管进入线性操作区。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

通过传感器来检测来自所述像素电路的能量传递。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述放电晶体管根据所述传感器的电导对所述第一节点处的电压进行放电。

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