TWI412137B - 薄膜電晶體及顯示單元 - Google Patents

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Description

薄膜電晶體及顯示單元
本發明有關於具有氧化物半導體層作為通道的薄膜電晶體(TFT)，及包括該薄膜電晶體(TFT)之顯示單元。
由例如是氧化鋅、氧化鋅銦鎵(IGZO)、等等所組成的氧化物半導體顯示作為半導體裝置的主動層之優越特性。近年來，已致力於將氧化物半導體應用於TFT、發光裝置、透明導體膜、等等之發展。
例如，在包括氧化物半導體TFT中，電子遷移率高，且其電子特性與包括使用於液晶顯示單元作為通道的非晶矽(a-Si:H)之現有的TFT相較下是優越的。另外，甚至在室溫附近的低溫時，包括氧化物半導體之TFT具有高遷移率能被預期之優點。
同時，已知在氧化物半導體中，熱阻是不足的，因此由於TFT的製程中之熱處理，所以氧、鋅等等被分離，且形成晶格缺陷。晶格缺陷導致形成電氣上的淺雜質能階，且導致氧化物半導體層的低電阻。這樣導致正常導通(normally-on)型操作，其為在未施加閘極電壓之下，使汲極電流流動的下降型操作，當缺陷能階增加時，臨限電壓降低，且漏電流增加。
因此，在過去，已知氧退火係根據形成TFT之後的高溫來予以實施，因而氧被供應給缺乏氧或氧係自氧化物半導體層中分離的缺乏部分，以恢復如於例如日本未審查的專利申請案公開號2006-15529及2006-165532中所述之特性。
然而，已有依據TFT的形狀及尺寸而難以恢復電晶體特性之缺點。
希望提供一種使氧輕易地供應給氧化物半導體層，且能恢復有利的電晶體特性之薄膜電晶體，及包括此薄膜電晶體的顯示單元。
依據本發明的實施例，提供一種第一薄膜電晶體，於基板之上依序包括：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；以及通道保護層，覆蓋該通道區，其中，源極電極及汲極電極係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，且該源極電極及該汲極電極的至少其中之一具有隙縫，以使該氧化物半導體層曝露出。
依據本發明的實施例，提供一種第二薄膜電晶體，於基板之上依序包括：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；以及通道保護層，覆蓋該通道區，其中，源極電極及汲極電極係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，且該源極電極及該汲極電極係於通道寬度方向上，藉由溝槽來予以隔離，以使該氧化物半導體層曝露出。該通道寬度方向為與該源極電極及該汲極電極相對之方向垂直的方向上之寬度(一般而言，縱向方向)。
依據本發明的實施例，提供一種第三薄膜電晶體，於基板之上依序包括：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；以及通道保護層，覆蓋該通道區，其中，源極電極及汲極電極係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，且突出區，係沿著與該源極電極及該汲極電極的至少其中之一的該通道保護層重疊的一側之相對側而設置，在該突出區中，該氧化物半導體層係自該源極電極或該汲極電極的末端曝露出。
依據本發明的此實施例之第一至第三的顯示單元包括薄膜電晶體及顯示裝置，其中，其薄膜電晶體分別由第一至第三的薄膜電晶體所組成。
在本發明的此實施例之第一薄膜電晶體中，使該氧化物半導體層曝露出的隙縫係設置於該源極電極及該汲極電極的至少其中之一。因此，在氧退火係根據形成該薄膜電晶體之後的高溫來予以提供之情況中，氧係自該隙縫輕易地供應給缺乏氧或氧係自該氧化物半導體層中分離的缺乏部分。
在本發明的此實施例之第二薄膜電晶體中，該源極電極及該汲極電極係於通道寬度方向上，藉由該溝槽來予以隔離，以使該氧化物半導體層曝露出。因此，在氧退火係根據形成該薄膜電晶體之後的高溫來予以提供之情況中，氧係自該溝槽輕易地供應給缺乏氧或氧係自該氧化物半導體層中分離的缺乏部分。
在本發明的此實施例之第三薄膜電晶體中，該突出區係沿著與該源極電極及該汲極電極的至少其中之一的該通道保護層重疊的該側之該相對側而設置，在該突出區中，該氧化物半導體層係自該源極電極或該汲極電極的末端曝露出。因此，在氧退火係根據形成該薄膜電晶體之後的高溫來予以提供之情況中，氧係自該突出區輕易地供應給缺乏氧或氧係自該氧化物半導體層中分離的缺乏部分。
本發明的此實施例之第一至第三的顯示單元分別包括本發明的此實施例之第一至第三的薄膜電晶體。因此，抑制該薄膜電晶體的該氧化物半導體層之低電阻，且抑制漏電流，而使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
依據本發明的此實施例之第一薄膜電晶體，使該氧化物半導體層曝露出的該隙縫係設置於該源極電極及該汲極電極的至少其中之一中。因此，氧能輕易地自該隙縫供應給該氧化物半導體層，且能恢復有利的電晶體特性。
在本發明的此實施例之第二薄膜電晶體中，該源極電極及該汲極電極係於通道寬度方向上，藉由該溝槽來予以隔離，以使該氧化物半導體層曝露出。因此，氧係自該溝槽輕易地供應給該氧化物半導體層，且能恢復有利的電晶體特性。
在本發明的此實施例之第三薄膜電晶體中，該突出區係沿著與該源極電極及該汲極電極的至少其中之一的該通道保護層重疊的該側之該相對側而設置，在該突出區中，該氧化物半導體層係自該源極電極或該汲極電極的末端曝露出。因此，氧係自該突出區輕易地供應給該氧化物半導體層，且能恢復有利的電晶體特性。
本發明的此實施例之第一至第三的顯示單元分別包括本發明的此實施例之第一至第三的薄膜電晶體。因此，抑制該薄膜電晶體的該氧化物半導體層之低電阻，且能抑制漏電流，而使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
本發明之其他及另外的目的、特性及優點將更完整地自底下說明中顯現。
本發明的實施例在下之中將參考圖式來予以詳細說明。此說明將以下面的順序來提出：
1.第一實施例(隙縫係設置於源極電極及汲極電極中的範例)；
2.第二實施例(源極電極及汲極電極係藉由該溝槽來予以隔離的範例)；以及
3.第三實施例(突出區係設置於源極電極及汲極電極的外部之範例)。
1.　第一實施例
圖1繪示依據本發明的第一實施例之顯示單元的組態。此顯示單元被使用作為超薄有機發光彩色顯示單元等等。在此顯示單元中，例如，顯示區110(其中，由稍後所述的複數個有機發光裝置10R、10G、及10B所組成的像素PXLCs係以矩陣狀態來予以配置，以作為顯示裝置)係形成於之後提及的TFT基板1中。在顯示區110的周圍上，形成作為訊號部分的水平選擇器(HSFL)121，以及作為掃描器部分的寫入掃描器(WSCN)131及電源掃描器(DSCN)132。
在顯示區110中，訊號線DTL 101至DTL 10n係配置於行方向上，而掃描線WSL 101至WSL 10m及電源線DSL 101至DSL 10m係配置於列方向上。包括有機發光裝置PXLC(10R、10G、及10B的其中之一(子像素))的像素電路140係設置於各訊號線DTL與各掃描線WSL之間的各剖面處。各訊號線DTL係連接至水平選擇器121。視訊訊號係自水平選擇器121供應給訊號線DTL。各掃描線WSL係連接至寫入掃描器131。各電源線DSL係連接至電源掃描器132。
圖2繪示像素電路140的範例。像素電路140為具有取樣電晶體3A、驅動電晶體3B、保留容量3C、及由有機發光裝置PXLC所組成的發光裝置3D之主動驅動電路。在取樣電晶體3A中，其閘極係連接至對應的掃描線WSL 101，其源極及其汲極的其中之一係連接至對應的訊號線DTL 101，而其另外部分係連接至驅動電晶體3B的閘極。在驅動電晶體3B中，其汲極d係連接至對應的電源線DSL 101，而其源極係連接至發光裝置3D的陽極。發光裝置3D的陰極係連接至接地線3H。接地線3H係一般接線至PXLCs的所有像素。保留容量3C係連接於驅動電晶體3B的源極s與閘極g之間。
取樣電晶體3A依據自掃描線WSL 101所供應的控制訊號來產生導通、實施自訊號線DTL 101所供應的視訊訊號之訊號電位的取樣、及將此結果保持到保留容量3C中。驅動電晶體3B接收來自處於第一電位的電源線DSL 101之電流供應，且依據保留容量3C中所保持的訊號電位供應驅動電流至發光裝置3D。在依據藉由所供應的驅動電流之視訊訊號的訊號電位之亮度時，發光裝置3D發光。
圖3繪示組構圖2中所繪示的取樣電晶體3A及驅動電晶體3B之TFT 20的平面結構。圖4繪示沿著圖3的線IV-IV所取得之剖面結構。TFT 20為氧化物半導體電晶體，其依序具有，例如，閘極電極21、閘極絕緣膜22、氧化物半導體層23、通道保護層24、源極電極25S、汲極電極25D、及位於基板10之上的鈍化膜26。氧化物半導體代表鋅、銦、鎵、錫、或其混合物的氧化物，且已知顯示優越的半導體特性。
閘極電極21藉由施加至TFT 20的閘極電壓來控制氧化物半導體層23中的電子密度。閘極電極21具有例如由50 nm的厚度之鉬(Mo)層，或400 nm的厚度之鋁(Al)層或鋁合金層所組成之兩層結構。鋁合金層的範例包括鋁-釹合金層。
閘極絕緣膜22具有，例如，約400 nm的厚度，且由氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、或其層疊膜所構成。
氧化物半導體層23具有，例如，自20 nm至100 nm均包括的厚度，且由氧化鋅銦鎵(IGZO)所組成。
通道保護層24較佳為使自氧化物半導體層23分離的氧量小，且供應小量的氫至氧化物半導體層23之層。通道保護層24具有，例如，約200 nm的厚度，且由氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、或其層疊膜所構成。
源極電極25S及汲極電極25D係形成於氧化物半導體層23上，位於通道保護層24的兩側。在氧化物半導體層23中，對應於源極電極25S與汲極電極25D之間的區域之部分為通道區23A。通道區23A係以通道保護層24來予以覆蓋。另外，氧化物半導體層23的通道寬度方向之兩側為未以通道保護層24、源極電極25S或汲極電極25D覆蓋之曝露部分23B。
源極電極25S及汲極電極25D具有隙縫27，以使氧化物半導體層23曝露出。因而，在TFT 20中，氧係輕易地供應給氧化物半導體層23，且能恢復有利的電晶體特性。
隙縫27可被設置於源極電極25S及汲極電極25D的其中之一中。另外，隙縫27的尺寸、其形狀、及其數量不會特別限制。例如，具有5μm×5μm的尺寸之隙縫27可被配置於一側上的四個位置中。
源極電極25S及汲極電極25D包括，例如，含有鋁、銅、銀、或鉬作為主要成分的金屬層。源極電極25S及汲極電極25D較佳係由金屬層的單層膜，或由金屬層和含有鈦、釩、鈮、鉭、鉻、鎢、鎳、鋅、或銦作為主要成分之金屬層或金屬化合物層所組成的層疊膜所構成。
特別而言，因為藉此能降低接線的電阻，所以源極電極25S及汲極電極25D較佳包括含有鋁或銅作為主要成分的金屬層。具有鋁作為主要成分的金屬之範例包括鋁、鋁-鉬合金、及含有矽的鋁。
另外，與源極電極25S及汲極電極25D的氧化物半導體層23相接觸之層較佳係由不會使氧與氧化物半導體層23分離之金屬，或不會使氧與氧化物半導體層23分離之金屬化合物所組成，因為使用此種金屬或此種金屬化合物，所以改變TFT 20的電氣特性之機率是小的。特別而言，與源極電極25S及汲極電極25D的氧化物半導體層23相接觸之此層較佳係由鉬；鉬或鈦的氧化物、氮化物、或氮氧化物；氮化鋁；或氧化銅所組成。
源極電極25S及汲極電極25D的最上層較佳係由鈦；或鈦的氧化物、氮化物、或氮氧化物所組成。
就源極電極25S及汲極電極25D的特定結構範例而言，例如，具有50 nm的厚度之鉬層25A、具有50 nm的厚度之鋁層25B、及具有50 nm的厚度之鈦層25C係自氧化物半導體層23側堆積成層之層疊膜係由於底下原因而較佳的。在稍後所述的有機發光裝置10R、10G、及10B的陽極52係由含有鋁作為主要成分的金屬所組成之情況中，陽極52應該藉由使用含有磷酸、硝酸、醋酸或類似的混合溶液而被實施濕式蝕刻。此時，作為最上層的鈦層25C有顯著低的蝕刻率，因此鈦層25C能被留在於基板10側上。因此，稍後所述的有機發光裝置10R、10G、及10B之陰極55允許被連接至基板10側上的鈦層25C。
另外，與源極電極25S及汲極電極25D的氧化物半導體層23相接觸之此層較佳係由金屬氧化物或金屬氮化物所組成。金屬氧化物的範例包括氧化鈦、氧化鈮、氧化鋅、氧化錫、及ITO(銦錫複合氧化物)。金屬氮化物的範例包括氮化鈦及氮化鉭。
鈍化膜26具有，例如，約300 nm的厚度，且由氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、或其層疊膜所構成。
圖5繪示顯示區110的剖面結構。在顯示區110中，產生紅光的有機發光裝置10R、產生綠光的有機發光裝置10G、及產生藍光的有機發光裝置10B整體上係以矩陣狀態依序形成。有機發光裝置10R、10G、及10B具有類似簧片的平面形狀，與彼此相鄰之有機發光裝置10R、10G、及10B的組合構成一個像素。
有機發光裝置10R、10G、及10B分別具有陽極52、電極間絕緣膜53、包括之後提及的發光層之有機層54、及陰極55係以此順序而被層疊於具有平面化絕緣膜51介於之間的TFT基板1之上的結構。
如以上的有機發光裝置10R、10G、及10B係以由氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)或依據需求的類似物所組成之保護膜56來予以塗佈。另外，由玻璃等所構成的密封基板71係以由熱固性樹脂、紫外線可固化樹脂或介於之間的類似物所構成之黏著層60而被接合至保護膜56的全部區域，藉此密封有機發光裝置10R、10G、及10B。密封基板71可具有彩色濾波器72及作為依據需求的黑色矩陣之光遮蔽膜(未繪示出)。
平面化絕緣膜51打算使TFT基板1的正面平面化，包括由上述TFT 20所組成的取樣電晶體3A及驅動電晶體3B之像素電路140係形成於TFT基板1之上。因為微小連接孔51A係形成於平面化絕緣膜51中，所以平面化絕緣膜51較佳係由具有有利的圖案精確度之材料所構成。平面化絕緣膜51的材料之範例包括諸如聚醯亞胺的有機材料及諸如氧化矽(SiO2 )的無機材料。圖2中所繪示的驅動電晶體3B係經由設置於平面化絕緣膜51中的連接孔51A而被電氣連接至陽極52。
陽極52係相對應地形成至各自的有機發光裝置10R、10G、及10B。另外，陽極52具有作為用以反射發光層中所產生的光之反射電極的功能，且想要有盡可能高的反射率，以便改善發光效率。陽極52具有，例如，均包括自100 nm至1000 nm的厚度。陽極52係由單質，或諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉑(Pt)、及金(Au)之金屬元素的合金所組成。
電極間絕緣膜53打算確保陽極52與陰極55之間的絕緣，且精確地獲得發光區的想要形狀。例如，電極間絕緣膜53係由諸如聚醯亞胺的有機材料及諸如氧化矽(SiO2 )的無機絕緣材料所構成。電極間絕緣膜53具有與陽極52的發光區相對應之隙縫。有機層54及陰極55除了位於發光區上之外，也可被連續地設置於電極間絕緣膜53上，但是僅在電極間絕緣膜53的隙縫中發出光。
有機層54具有，例如，電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、及電子傳輸層(未繪示)係自陽極52側依序堆積成層之結構。在上述的層之中，除了發光層之外的層可依據需求而被設置。另外，有機層54可具有依據有機發光裝置10R、10G、及10B的發光顏色而變化之結構。電洞注入層打算改善電子電洞注入效率，且作為防止漏電流的緩衝層之功能。電洞傳輸層打算改善使電子電洞傳輸至發光層中的效率。發光層打算產生由於施加電場的電子電洞重新結合所導致之光。電子傳輸層打算改善使電子傳輸至發光層中的效率。只要材料為一般低分子的有機材料或一般高分子的有機材料，則有機層54的材料不會特別予以限制。
陰極55具有，例如，均包括自5 nm至50 nm的厚度，且係由單質，或諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、及鈉(Na)之金屬元素的合金所組成。特別而言，鎂與銀的合金(MgAg合金)或鋁(Al)與鋰(Li)的合金(AlLi合金)是較佳的。另外，陰極55可由ITO或IZO(銦鋅複合氧化物)所組成。
顯示單元可，例如，如底下來予以製造。
形成TFT基板1的步驟
首先，如圖6A中所繪示，具有上述厚度且由上述材料所構成的金屬層係藉由，例如，濺鍍法而被形成於由玻璃所構成的基板10上。微影及蝕刻被提供用於金屬層，藉以形成閘極電極21。
接著，如圖6B中所繪示，具有上述厚度且由上述材料所構成的閘極絕緣膜22係藉由，例如，電漿CVD(化學氣相沈積)法而形成於基板10的整個區域上。
其後，再次如圖6B中所繪示，具有上述厚度且由上述材料所構成的氧化物半導體層23係藉由濺鍍法而被形成。特別而言，在氧化物半導體層23係例如使用DC(直流)濺鍍法(其中，IGZO陶瓷被使用作為標靶)之由氧化鋅銦鎵(IGZO)所組成的情況中，IGZO膜係藉由氬(Ar)與氧(O2 )的混合氣體之電漿放電而被形成於基板10上。在電漿放電之前，空氣被耗盡，直到真空容器中的真空程度變成等於或小於1×10-4 Pa為止，然後引入氬與氧的混合氣體。在氧化物半導體層23係使用RF濺鍍法(其中，氧化鋅陶瓷被使用作為標靶)，或使用DC濺鍍法(其中，鋅金屬標靶被使用於含有氬與氧的氣體氛圍中)之由氧化鋅所組成的情況中，形成氧化鋅膜。
在此之後，如圖6C中所繪示，氧化物半導體層23係藉由微影及蝕刻而被形成為給定的形狀。其後，再次如圖6C中所繪示，具有上述厚度且由上述材料所構成的通道保護層24係藉由，例如，電漿CVD法而被形成。通道保護層24係藉由微影及蝕刻而被形成為給定的形狀。
在通道保護層24係例如藉由濺鍍法而形成之後，形成具有50 nm的厚度之鉬層25A、具有50 nm的厚度之鋁層25B、及具有50 nm的厚度之鈦層25C。其後，在鈦層25C係藉由使用以氯為基礎的氣體之乾式蝕刻來予以蝕刻之後，鋁層25B及鉬層25A係藉由使用含有磷酸、硝酸、及醋酸的混合溶液之濕式蝕刻來予以蝕刻。因而，如圖6D中所繪示，形成具有隙縫27的源極電極25S及汲極電極25D。
在形成源極電極25S及汲極電極25D之後，氧退火係根據高溫來予以提供，藉此，氧被供應給缺乏氧或氧係於氧化物半導體層23中分離的缺乏部分，以恢復特性。就退火條件而言，例如，可採用在300度C時之氮濃度為60%且氧濃度為40%的空氣中，於1小時之內退火。在此情況中，隙縫27係設置於源極電極25S及汲極電極25D中，且氧化物半導體層23係於隙縫27中曝露出。因此，氧係輕易地自隙縫27供應給氧化物半導體層23中的氧缺乏部分。另外，氧也輕易地自氧化物半導體層23的曝露部分23B供應給氧化物半導體層23。
在此之後，具有上述厚度且由上述材料所構成的鈍化膜26係藉由原子層沈積法或濺鍍法而被形成。因此，形成具有圖3及圖4中所繪示的TFT 20之TFT基板1。
TFT 20實際上係藉由形成源極電極25S及汲極電極25D作為由具有50 nm的厚度之鉬層25A、具有500 nm的厚度之鋁層25B、及具有50 nm的厚度之鈦層25C所組成的層疊膜，及使所產生的膜根據上述的退火條件退火來予以製造。對於所獲得的TFT 20而言，會檢查轉移特性。在此結果中，如圖7A中所繪示，獲得足夠確保導通/截止比率(on/off ratio)的電晶體特性。
同時，除了使用鈦層來取代鉬層25A之外，TFT係以與上述方式相同的方式來予以製造。對於所獲得的TFT而言，會檢查轉移特性。在此結果中，如圖7B中所繪示，不會獲得足夠確保導通/截止比率的電晶體特性。
上述結果的原因可能如下。在源極電極25S及汲極電極25D係形成為由鈦、鋁、及鈦所組成的三層膜之情況中，鈦難以被濕式蝕刻，所以一般使用乾式蝕刻。為了獲得有利的TFT特性，氧化物半導體層23的厚度應該為約50 nm。然而，在使用乾式蝕刻的情況中，構成源極電極25S及汲極電極25D的金屬材料與氧化物半導體之間的選擇比率難以增加。因此，在蝕刻源極電極25S及汲極電極25D中，會去除氧化物半導體層23。因此，氧化物半導體層23不會曝露於隙縫27中，且即使實施氧退火，但是氧難以被供應至氧化物半導體層23中。
形成有機發光裝置10R、10G、及10B的步驟在形成TFT基板1之後，TFT基板1的全部區域係以感光樹脂來予以塗佈，且實施曝光及顯影。藉此，形成及烘製平面化絕緣膜51及連接孔51A。接著，由上述材料所構成的陽極52係藉由例如直流濺鍍而被形成。所產生的膜係藉由例如使用微影技術而被選擇性地蝕刻及圖案化成給定的形狀。其後，具有上述厚度且由上述材料所構成的電極間絕緣膜53係藉由例如CVD法而被形成，且隙縫係藉由使用例如微影技術而被形成。在此之後，由上述材料所構成的有機層54及陰極55係藉由例如蒸鍍法而被依序形成，以形成有機發光裝置10R、10G、及10B。其後，有機發光裝置10R、10G、及10B係以由上述材料所構成的保護膜56來予以覆蓋。
在此之後，黏著層60係形成於保護膜56上。在此之後，具有彩色濾波器72且由上述材料所構成的密封基板71被製備。TFT基板1與密封基板71係以黏著層60介於之間而彼此接合。因此，完成圖5中所繪示的顯示單元。
在此顯示單元中，取樣電晶體3A依據自掃描線WSL所供應的控制訊號來產生導通，自訊號線DTL所供應的視訊訊號之訊號電位被取樣且保持於保留容量3C中。另外，電流係自處於第一電位的電源線DSL供應給驅動電晶體3B，且驅動電流係依據保留容量3C中所保持的訊號電位而供應給發光裝置3D(有機發光裝置10R、10G、及10B)。在對應於藉由所供應的驅動電流之視訊訊號的訊號電位之亮度時，發光裝置3D(有機發光裝置10R、10G、及10B)發光。此光係經由陰極55、彩色濾波器72、及密封基板71發送，且被取得。
在此情況中，在組構取樣電晶體3A及驅動電晶體3B的TFT 20中，用以使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於源極電極25S及汲極電極25D中。因此，藉由製造步驟中的氧退火，氧係自隙縫27供應給缺乏氧或氧係於氧化物半導體層23中分離的缺乏部分，而足以恢復電晶體特性。因此，在藉由使用TFT 20所組構的顯示單元中，TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，漏電流受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
如以上所述，在此實施例中，使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於TFT 20的源極電極25S及汲極電極25D中。因此，氧係輕易地自隙縫27供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。因此，當顯示單元係藉由使用TFT 20來予以組構時，TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，因此漏電流能受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
之後將給予此實施例之修改的範例1-1至1-5的說明。在實際的像素佈局中，在某些情況中，於線及間距的製程中，使隙縫27設置於源極電極25S及汲極電極25D中是困難的。下面修改的範例能解決此種缺點。
經修改的範例1-1
圖8繪示依據修改的範例1-1之TFT 20的平面結構。圖9繪示沿著圖8的線IX-IX所取得之剖面結構。在TFT 20中，汲極電極25D的通道寬度Wd與源極電極25S的通道寬度Ws不同，且使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於TFT 20的源極電極25S及汲極電極25D的其中之一的通道寬度方向上之兩側上。藉此，在TFT 20中，氧係輕易地供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
特別而言，較佳為源極電極25S的通道寬度Ws大於汲極電極25D的通道寬度Wd，且隙縫27係設置於汲極電極25D的通道寬度方向上之兩側上。若隙縫27係設置於源極電極25S中，則難以充分地確保留容量3C。
圖10繪示使用圖8及圖9中所繪示的TFT 20之像素電路140的平面結構。TFT 20均可應用於取樣電晶體3A及驅動電晶體3B，但是特別而言，因為驅動電晶體3B具有大的電晶體尺寸，所以較佳係用於驅動電晶體3B。
經修改的範例1-2
圖11繪示依據修改的範例1-2之TFT 20的平面結構。圖12繪示沿著圖11的線XII-XII所取得之剖面結構。在TFT 20中，汲極電極25D及源極電極25S的其中之一係呈現噴嘴的形狀或呈現牙的形狀。使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於梳狀物(comb)的各牙之間。藉此，在TFT 20中，氧係輕易地供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
特別而言，較佳為汲極電極25D係呈現噴嘴的形狀或具有許多牙25D1的梳狀物之形狀，且隙縫27係設置於汲極電極25D之各自的牙25D1之間。若隙縫27係設置於源極電極25S中，則難以充分地確保留容量3C。另外，汲極電極25D的通道寬度Wd等於各自的牙25D1之各寬度的總和(Wd=Wd1+Wd2+...Wdn)。源極電極25S的通道寬度Ws大於汲極電極25D的通道寬度Wd。
圖13繪示使用圖11及圖12中所繪示的TFT 20之像素電路140的平面結構。TFT 20均可應用於取樣電晶體3A及驅動電晶體3B，但是特別而言，因為驅動電晶體3B具有大的電晶體尺寸，所以較佳係用於驅動電晶體3B。
經修改的範例1-3
圖14繪示依據修改的範例1-3之TFT 20的平面結構。圖15繪示沿著圖14的線XV-XV所取得之剖面結構。在TFT 20中，窄通道寬度區25D2(其中，降低通道寬度)係設置於汲極電極25D中。使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於窄通道寬度區25D2中。藉此，在TFT 20中，氧係輕易地供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
在此情況中，窄通道寬度區25D2及隙縫27係設置於汲極電極25D的部分中比設置於源極電極25S的部分中是更佳的。若隙縫27係設置於源極電極25S中，則難以充分地確保留容量3C。
窄通道寬度區25D2的平面形狀不受限於如圖14中所繪示的矩形，而可為錐形(其中，當其位置變成遠離源極電極25S時，寬度變窄)，諸如梯形，如圖16中所繪示。
圖17繪示使用圖14及圖15中所繪示的TFT 20之像素電路140的平面結構。TFT 20均可應用於取樣電晶體3A及驅動電晶體3B，但是特別而言，因為驅動電晶體3B具有大的電晶體尺寸，所以較佳係用於驅動電晶體3B。
經修改的範例1-4
圖18繪示依據修改的範例1-4之像素電路140的平面結構。圖19繪示圖18中所繪示的驅動電晶體3B之放大的平面結構。在像素電路140及驅動電晶體3B中，氧化物半導體層23自位於汲極電極25D之下的部分延伸至位於電源線DSL之下的部分。使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於電源線DSL中。藉此，在像素電路140中，氧係輕易地供應給驅動電晶體3B的氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
此修改的範例均可應用於取樣電晶體3A及驅動電晶體3B，但是特別而言，因為驅動電晶體3B具有大的電晶體尺寸，所以較佳係用於驅動電晶體3B。另外，因為電源線DSL具有大的線寬度，所以隙縫27係設置於電源線DSL中比設置於掃描線WSL及訊號線DTL中更為適合。
經修改的範例1-5
圖20繪示依據修改的範例1-5之像素電路140的平面結構。圖21繪示沿著圖20的線XXI-XXI所取得之剖面結構。在像素電路140及驅動電晶體3B中，氧化物半導體層23自位於汲極電極25D之下的部分延伸至位於保留容量3C之下的部分。使氧化物半導體層23曝露出的隙縫27係設置於保留容量3C中。藉此，在像素電路140中，氧係輕易地供應給驅動電晶體3B的氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
第二實施例
圖22繪示依據第二實施例之TFT 20的平面結構。圖23繪示沿著圖22的線XXIII-XXIII所取得之剖面結構。在圖22中，繪示組構上述取樣電晶體3A的TFT 20，及組構TFT基板1的像素電路140中之上述的保留容量3C之電容器30。除了源極電極25S及汲極電極25D係於通道寬度方向上隔離之外，TFT 20係以與上述第一實施例相同之方式來予以建構。因此，將藉由附加相同的指示符號於對應的元件來給予說明。
TFT 20之閘極電極21、閘極絕緣膜22、氧化物半導體層23、通道保護層24、及鈍化膜26係以與第一實施例相同之方式來予以建構。
源極電極25S及汲極電極25D係於通道寬度方向上，藉由溝槽28來予以隔離。在溝槽28中，氧化物半導體層23被曝露出。藉此，在TFT 20中，氧係輕易地供應給驅動電晶體3B的氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
通道區23A較佳係形成於距離溝槽28 20μm之內的區域中。氧轉移為經過氧化物半導體層23中，或經過氧化物半導體層23與其他層之間的介面之水平方向上的轉移。因此，當通道區23A係形成於距離溝槽28 20μm之內的區域中時，能進一步改善溝槽28的效用。
表1繪示藉由檢查通道寬度W(在與源極電極25S及汲極電極25D係彼此相對的方向垂直之方向上的寬度，亦即，源極電極25S及汲極電極25D之縱向方向上的寬度)與通道長度L(在源極電極25S及汲極電極25D係彼此相對的方向上之寬度)之間的關係所獲得的結果，及電晶體特性。如由表1所證明的，在如圖24中所繪示之W為20 μm且L為10μm的情況中，顯示出有利的電晶體特性。同時，在如圖25中所繪示之W為50 μm且L為10μm的情況中，下降型操作被轉換成導體操作。供作參考，在圖26中，繪示表1中之W為20 μm且L為20μm(有利的)的情況中，及W為20 μm且L為20μm(導體操作)的情況中之各自的暫態特性。
在圖24及圖25中所繪示的TFT 20中，僅自氧化物半導體層23的通道寬度方向上的兩側上之曝露部分23B供應氧。因此，氧轉移距離變成W/2。在圖24中，氧轉移距離為W/2=10μm，且獲得有利的的電晶體特性。同時，在圖25中，氧轉移距離為W/2=25μm，且此狀態被轉換成導體操作。因此，發現在形成溝槽28的情況中，若氧轉移距離等於或小於10μm(亦即，若通道區23A係形成於距離溝槽28 20μm之內的區域中)，則氧能足夠地自溝槽28及曝露部分23B供應給氧化物半導體層23。
電容器30包括形成於與閘極電極21相同的層中之較低層電極、形成於與閘極絕緣膜22相同的層中之電容器絕緣膜、及依序自基板10側形成於與源極電極25S及汲極電極25D相同的層中之較高層電極。
TFT 20及包括TFT 20的顯示單元可以與第一實施例相同的方式來予以製造。
在此顯示單元中，如同在第一實施例中，發光裝置3D(有機發光裝置10R、10G、及10B)發光，其係經由陰極55、彩色濾波器72、及密封基板71發送，且被取得。在此情況中，在組構取樣電晶體3A及驅動電晶體3B之TFT 20中，源極電極25S及汲極電極25D係於通道寬度方向上，藉由溝槽28來予以隔離，以使氧化物半導體層23曝露出。因此，藉由製造步驟中的氧退火，氧係自隙縫27供應給缺乏氧或氧係於氧化物半導體層23中分離的缺乏部分，而足以恢復電晶體特性。因此，在藉由使用TFT 20所組構的顯示單元中，TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，漏電流受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
如以上所述，在此實施例中，源極電極25S及汲極電極25D係於通道寬度方向上，藉由溝槽28來予以隔離，以使氧化物半導體層23曝露出。因此，氧係輕易地自溝槽28供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。因此，若顯示單元係藉由使用TFT 20來予以組構，則TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，因此漏電流能受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
第三實施例
圖27繪示依據第三實施例之TFT 20的平面結構。除了氧化物半導體層23係曝露於汲極電極25D的一側上之外，TFT 20係以與上述的第一及第二實施例相同之方式來予以建構。因此，將藉由附加相同的指示符號於對應的元件來給予說明。
TFT 20之閘極電極21、閘極絕緣膜22、氧化物半導體層23、通道保護層24、及鈍化膜26係以與第一實施例相同之方式來予以建構。
突出區29係沿著與汲極電極25D的通道保護層24重疊的一側之相對側而設置，在突出區29中，氧化物半導體層23係自汲極電極25D的末端曝露出。藉此，在TFT20中，氧係輕易地供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
通道區23A較佳係形成於距離突出區29 20μm之內的區域中，如同在第二實施例中。
TFT 20及包括TFT 20的顯示單元可以與第一實施例相同之方式來予以製造。
在此顯示單元中，如同在第一實施例中，發光裝置3D(有機發光裝置10R、10G、及10B)發光，其係經由陰極55、彩色濾波器72、及密封基板71發送，且被取得。在此情況中，在組構取樣電晶體3A及驅動電晶體3B之TFT 20中，突出區29係沿著與汲極電極25D的通道保護層24重疊的此側之此相對側而設置，在突出區29中，氧化物半導體層23係自汲極電極25D的末端曝露出。因此，藉由製造步驟中的氧退火，氧係供應給缺乏氧或氧係於氧化物半導體層23中分離的缺乏部分，而足以恢復電晶體特性。因此，在藉由使用TFT 20所組構的顯示單元中，TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，漏電流受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
如以上所述，在此實施例中，突出區29係沿著與汲極電極25D的通道保護層24重疊的此側之此相對側而設置，在突出區29中，氧化物半導體層23係自汲極電極25D的末端曝露出。因此，氧能輕易地自突出區29供應給氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。因此，在顯示單元係藉由使用TFT 20來予以組構之情況中，TFT 20的氧化物半導體層23之低電阻受到抑制，藉此漏電流能受到抑制，且使具有高亮度的明亮顯示器成為可能。
經修改的範例3-1
在上述實施例中，已給予突出區29係設置於汲極電極25D的一側之情況的說明。然而，依據TFT 20的結構，如圖28及圖29中所繪示，突出區29可被設置於源極電極25S及汲極電極25D的外部上。
經修改的範例3-2
圖30繪示依據修改的範例3-2之像素電路140的平面結構。圖31繪示圖30中所繪示的取樣電晶體3A及訊號線DTL之剖面結構。在像素電路140中，氧化物半導體層23自位於源極電極25S或汲極電極25D之下的部分延伸至位於諸如訊號線DTL及電源線DSL的接線之下的部分。突出區29係設置於諸如訊號線DTL及電源線DSL的接線中。藉此，在像素電路140中，氧係輕易地供應給取樣電晶體3A或驅動電晶體3B的氧化物半導體層23，而能恢復有利的電晶體特性。
經修改的範例3-3
圖32繪示依據修改的範例3-3之像素電路140的平面結構。圖33繪示圖32中所繪示的取樣電晶體3A及訊號線DTL之剖面結構。在像素電路140中，下方接線(under-wiring)氧化物半導體層23C係設置於諸如掃描線WSL、訊號線DTL、及電源線DSL的接線之下。下方接線氧化物半導體層23C係藉由隔離溝槽23D而與氧化物半導體層23隔離，作為取樣電晶體3A或驅動電晶體3B的主動層。諸如掃描線WSL、訊號線DTL、及電源線DSL的接線具有比下方接線氧化物半導體層23C的寬度更寬之寬度，且覆蓋下方接線氧化物半導體層23C的整個表面。因此，在下方接線氧化物半導體層23C中，氧於製造步驟中被保持分離，且氧不會因退火而被引入，以恢復氧化物半導體層23的特性。下方接線氧化物半導體層23C具有如同金屬的特性，且組構這些接線的部分。另外，下方接線氧化物半導體層23C能使用與氧化物半導體層23相同的掩罩而被形成。藉此，在像素電路140中，在不使用複數個掩罩之下，能降低掃描線WSL、訊號線DTL、及電源線DSL的電阻。因此，能以低成本抑制因接線電阻所導致的影像缺點，諸如串音及陰影。
模組及應用範例
將給予上述實施例中所述之顯示單元的應用範例之說明。上述實施例的顯示單元可應用於任何領域中之電子裝置的顯示單元，用以將來自外部所輸入的視訊訊號，或內部所產生的視訊訊號顯示為諸如電視裝置、數位相機、筆記型個人電腦、諸如行動電話的行動終端裝置、及視訊相機的影像或視訊。
模組
上述實施例的顯示單元係結合於諸如之後提及的第一至第五應用範例之不同的電子裝置中，作為模組，如例如繪示於圖34中。在此模組中，例如，自密封基板71曝露出的區域210及黏著層60係設置於基板11的側面中，且外部連接端點(未繪示出)係藉由延伸訊號線驅動電路120及掃描線驅動電路130的接線而被形成於曝露區域210中。此外部連接端點可具有用以輸入及輸出訊號的可撓性印刷電路(FPC)220。
第一應用範例
圖35繪示應用上述實施例的顯示單元於電視裝置之外觀。此電視裝置具有，例如，包括前側面板310及濾光鏡320的視訊顯示螢幕部分300。視訊顯示螢幕部分300係由依據上述各自的實施例之顯示單元所組成。
第二應用範例
圖36A及36B繪示應用上述實施例的顯示單元於數位相機之外觀。此數位相機具有，例如，用於閃光燈的發光部分410、顯示部分420、選單開關430、及快門按鈕440。顯示部分420係由依據上述各自的實施例之顯示單元所組成。
第三應用範例
圖37繪示應用上述實施例的顯示單元於筆記型個人電腦之外觀。此筆記型個人電腦具有，例如，主體510、用於輸入文字及類似的操作之鍵盤520、及用以顯示影像的顯示部分530。顯示部分530係由依據上述各自的實施例之顯示單元所組成。
第四應用範例
圖38繪示應用上述實施例的顯示單元於視訊相機之外觀。此視訊相機具有，例如，主體610、設置於主體610的前側面上之用以擷取物體的透鏡620、擷取中的啟動/停止開關630、及顯示部分640。顯示部分640係由依據上述各自的實施例之顯示單元所組成。
第五應用範例
圖39A至39G繪示應用上述實施例的顯示單元於行動電話之外觀。在此行動電話中，例如，上包裝710及下包裝720係藉由連結部分(轉軸部分)730來予以連結。此行動電話具有顯示器740、子顯示器750、圖像燈760、及相機770。顯示器740或子顯示器750係由依據上述各自的實施例之顯示單元所組成。
雖然本發明已參考這些實施例來予以說明，但是本發明不受限於上述實施例，且可實施不同的修改。例如，各層的材料、厚度、膜形成方法、膜形成條件及類似不受限於上述實施例中所述的那些，而是可採用其他的材料、其他的厚度、其他的膜形成方法、及其他的膜形成條件。
另外，在上述實施例中，已給予有機發光裝置10R、10G、及10B具有陽極52、包括發光層的有機層54、及陰極55係以此順序而被層疊於TFT基板1之上的結構之情況的說明。然而，層疊順序不受限於此，只要有機發光裝置10R、10G、及10B具有包括介於陽極52與陰極55之間的發光層之有機層54即可。例如，有機發光裝置10R、10G、及10B可具有陰極55、包括發光層的有機層54、及陽極52係以此順序而被層疊於TFT基板1之上的結構。
另外，在上述實施例中，已使用特定範例來給予有機發光裝置10R、10G、及10B的說明。然而，不需提供所有的層，且可進一步包括其他的層。
此外，除了有機發光裝置之外，本發明可應用於包括諸如液晶顯示裝置、無機電激發光裝置、電沈積顯示裝置、及電致變色顯示裝置的其他顯示裝置之顯示單元。
本申請案包含與2009年2月9日於日本專利局所申請的日本先優先權專利申請案JP 2009-027646相關之標的，其全部內內在此併入作為參考。
熟習此項技術者應該了的是，不同的修改、組合、次組合、及交替可根據只要其落入後附申請專利範圍或其等效的範圍內之設計需求及其他因素而發生。
1．．．TFT基板
10．．．基板
10B．．．有機發光裝置
10G．．．有機發光裝置
10R．．．有機發光裝置
11．．．基板
20．．．TFT
21．．．閘極電極
22．．．閘極絕緣膜
23．．．氧化物半導體層
23A．．．通道區
23B．．．曝露部分
23C．．．下方接線氧化物半導體層
23D．．．隔離溝槽
24．．．通道保護層
25A．．．鉬層
25B．．．鋁層
25C．．．鈦層
25D．．．汲極電極
25D1．．．牙
25D2．．．窄通道寬度區
25S．．．源極電極
26．．．鈍化膜
27．．．隙縫
28．．．溝槽
29．．．突出區
3A．．．取樣電晶體
3B．．．驅動電晶體
3C．．．保留容量
3D．．．發光裝置
3H．．．接地線
30．．．電容器
51．．．平面化絕緣膜
51A．．．連接孔
52．．．陽極
53．．．電極間絕緣膜
54．．．有機層
55．．．陰極
56．．．保護膜
60．．．黏著層
71．．．密封基板
72．．．彩色濾波器
110．．．顯示區
120．．．訊號線驅動電路
121．．．水平選擇器(HSFL)
130．．．掃描線驅動電路
131．．．寫入掃描器(WSCN)
132．．．電源掃描器(DSCN)
140．．．像素電路
210．．．曝露區域
220．．．可撓性印刷電路(FPC)
300．．．視訊顯示螢幕部分
310．．．前側面板
320．．．濾光鏡
410．．．用於閃光燈的發光部分
420．．．顯示部分
430．．．選單開關
440．．．快門按鈕
510．．．主體
520．．．鍵盤
530．．．顯示部分
610．．．主體
620．．．用以擷取物體的透鏡
630．．．擷取中的啟動/停止開關
640．．．顯示部分
710‧‧‧上包裝
720‧‧‧下包裝
730‧‧‧連結部分(轉軸部分)
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧圖像燈
770‧‧‧相機
DTL‧‧‧訊號線
DTL101‧‧‧訊號線
DTL102‧‧‧訊號線
DTL10n‧‧‧訊號線
DSL‧‧‧電源線
DSL101‧‧‧電源線
DSL10m‧‧‧電源線
WSL‧‧‧掃描線
WSL101‧‧‧掃描線
WSL10m‧‧‧掃描線
圖1係繪示依據本發明的第一實施例之顯示單元的組態之圖形。
圖2係繪示圖1中所繪示的像素驅動電路之範例的等效電路圖。
圖3係繪示圖2中所繪示的TFT之結構的平面圖。
圖4係沿著圖3的線IV-IV所取得之剖面圖。
圖5係繪示圖1中所繪示的顯示區之結構的剖1面圖。
圖6A至6D係繪示按照步驟的順序來製造圖1中所繪示的顯示單元之方法的剖面圖。
圖7A及7B係用以解釋圖3中所繪示的TFT之特性的圖形。
圖8係繪示依據修改的範例1-1之TFT的結構之平面圖。
圖9係繪示圖8中所繪示的TFT之結構的剖面圖。
圖10係繪示包括圖8中所繪示的TFT之像素電路的組態之平面圖。
圖11係繪示依據修改的範例1-2之TFT的結構之平面圖。
圖12係繪示圖11中所繪示的TFT之結構的剖面圖。
圖13係繪示包括圖11中所繪示的TFT之像素電路的組態之平面圖。
圖14係繪示依據修改的範例1-3之TFT的結構之平面圖。
圖15係繪示圖14中所繪示的TFT之結構的剖面圖。
圖16係繪示包括圖14中所繪示的TFT之修改的範例之平面圖。
圖17係繪示包括圖14中所繪示的TFT之像素電路的組態之平面圖。
圖18係繪示依據修改的範例1-4之像素電路的組態之平面圖。
圖19係繪示圖18中所繪示的驅動電晶體之放大組態之平面圖。
圖20係繪示依據修改的範例1-5之像素電路的組態之平面圖。
圖21係繪示圖20中所繪示的驅動電晶體及保持容量之組態的剖面圖。
圖22係繪示依據本發明的第二實施例之TFT的結構之平面圖。
圖23係沿著圖22的線XXIII-XXIII所取得之剖面圖。
圖24係用以解釋表1中的W=20μm及L=10μm之情況中的氧轉移距離之平面圖。
圖25係用以解釋表1中的W=50μm及L=10μm之情況中的氧轉移距離之平面圖。
圖26係繪示在表1中之W=20μm及L=20μm(有利的)之情況中及W=20μm及L=20μm(導體操作)之情況中的各自電晶體特性之圖形。
圖27係繪示依據本發明的第三實施例之TFT的結構之平面圖。
圖28係繪示依據修改的範例3-1之TFT的結構之平面圖。
圖29係繪示圖28中所繪示的TFT之結構的剖面圖。
圖30係繪示依據修改的範例3-2之像素電路的組態之平面圖。
圖31係繪示圖30中所繪示的取樣電晶體之結構的剖面圖。
圖32係繪示依據修改的範例3-3之像素電路的組態之平面圖。
圖33係繪示圖32中所繪示的取樣電晶體之結構的剖面圖。
圖34係繪示包括上述實施例的顯示單元之模組的概要結構之平面圖。
圖35係繪示上述實施例的顯示單元之第一應用範例的外觀之透視圖。
圖36A係繪示自第二應用範例的前側所觀看之外觀的透視圖，而圖36B係繪示自第二應用範例的後側所觀看之外觀的透視圖。
圖37係繪示第三應用範例的外觀之透視圖。
圖38係繪示第四應用範例的外觀之透視圖。
圖39A為未閉合的第五應用範例之正視圖、圖39B為其側視圖、圖39C係閉合的第五應用範例之正視圖、圖39D為其左側視圖、圖39E為其右側視圖、圖39F為其上視圖、及圖39G為其底視圖。
20．．．薄膜電晶體
21．．．閘極電極
23．．．氧化物半導體層
23A．．．通道區
23B．．．曝露部分
24．．．通道保護層
25D．．．汲極電極
25S．．．源極電極
27．．．隙縫

Claims (9)

  1. 一種薄膜電晶體，於基板之上依所列順序而包含有下列諸層：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；通道保護層，覆蓋該通道區；以及源極電極及汲極電極，其係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，其中，該源極電極及該汲極電極的至少其中一電極具有隙縫，其係形成於該電極本身之中，並且穿透至該氧化物半導體層。
  2. 一種薄膜電晶體，於基板之上依所列順序而包含有下列諸層：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；以及通道保護層，覆蓋該通道區，其中，源極電極及汲極電極係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，且沿著與該源極電極及該汲極電極的至少其中一電極的該通道保護層重疊的一側之相對側而設置有突出區，在該突出區中，該氧化物半導體層係自該源極電極或該汲極電極的末端而曝露出。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之薄膜電晶體，其中：該源極電極及該汲極電極各自包括含有鋁、銅、銀、或鉬作為主要成分的金屬層，且該源極電極及該汲極電極各自係由該金屬層的單層膜所做成，或者各自係由由該金屬層和含有鈦、釩、鈮、鉭、鉻、鎢、鎳、鋅、或銦作為主要成分之金屬層或金屬化合物層所組成的層疊膜所做成。
  4. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中，該源極電極及該汲極電極各自包括由不會使氧與該氧化物半導體層分離之金屬所組成的層，或者由不會使氧與該氧化物半導體層分離之金屬化合物所組成的層，該層係與該氧化物半導體層相接觸。
  5. 如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體，其中，該層係由(i)鉬、(ii)鉬的氧化物、氮化物、或氮氧化物、(iii)鈦的氧化物、氮化物、或氮氧化物、(iv)氮化鋁、或者(v)氧化銅所組成。
  6. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中，該源極電極及該汲極電極各自係由包括最上層的多個層所做成，該最上層係由(i)鈦、或者(ii)鈦的氧化物、氮化物、或氮氧化物所組成。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之薄膜電晶體，其中，該源極電極及該汲極電極各自包括由(i)導電金屬氧化物、(ii)導電金屬氮化物、或(iii)導電金屬氮氧化物所組 成的層，該層係與該氧化物半導體層相接觸。
  8. 一種顯示單元，包含：薄膜電晶體，以及顯示裝置，其中，該薄膜電晶體於基板之上依所列順序而包括有下列諸層：閘極電極；閘極絕緣膜；氧化物半導體層，包括通道區；通道保護層，覆蓋該通道區；以及源極電極及汲極電極，其係形成於該氧化物半導體層上，位於該通道保護層的兩側，其中，沿著與該源極電極及該汲極電極的至少其中之一的該通道保護層重疊的一側之相對側而設置有突出區，在該突出區中，該氧化物半導體層係自該源極電極或該汲極電極的末端而曝露出。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示單元，其中，該顯示裝置為具有有機層的有機發光裝置，該有機層包括介於陽極與陰極之間的發光層。
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