CN106653772B - 一种显示面板及制程 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示面板及制程,显示面板包括:基板;绝缘层,所述绝缘层设置在基板上;第二层导线,所述第二层导线设置在绝缘层上,所述第二层导线下部包括第一高附着金属层,所述第二层导线上部包括第二高附着金属层,所述第二层导线中间包括中间导电层,所述第二层导线与显示面板源极驱动耦合。第二层导线采用三层结构,中间导电层可以采用较低电阻特性的金属,有效地降低显示面板第二层导线的电阻与寄生电容,第一高附着金属层和第二高附着金属层则采用附着性能较好的金属,这样中间导电层可以很好的与第一高附着金属层和第二高附着金属层粘粘固定,还可以通过第一高附着金属层和第二高附着金属层与上下层粘粘固定。

Description

一种显示面板及制程
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板及制程。
背景技术
显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器,其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子,并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中,薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能,目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样,薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组,显示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate,CF Substrate,也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate,TFT Substrate),上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal,LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制,改变光的偏振状态,并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡,实现显示的目的。
随着薄膜晶体管液晶显示器逐渐往超大尺寸、高驱动频率、高分辨率等方面发展,薄膜晶体管液晶显示器在制作时,高质量的导线制程技术已经成为主宰,为了应付未来高频率与高分辨率的液晶显示器规格,如何有效地降低面板导线的电阻与寄生电容日趋重要,而目前第二层导线制程导线金属结构易发生导线粘粘不佳,导致金属膜剥离等问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种解决第二层导线粘粘不佳的一种显示面板。
此外,本发明还提供一种采用所述显示面板制程。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种显示面板,包括:
基板;
绝缘层,所述绝缘层设置在基板上;
第二层导线,所述第二层导线设置在绝缘层上,所述第二层导线下部包括第一高附着金属层,所述第二层导线上部包括第二高附着金属层,所述第二层导线中间包括中间导电层,所述第二层导线与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述中间导电层的厚度大于第一高附着金属层和第二高附着金属层的厚度。
中间导电层的厚度大于第一高附着金属层的厚度,也大于第二高附着金属层的厚度,中间导电层可以采用较低电阻特性的金属,厚度更大能有效地降低面板第二层导线的电阻与寄生电容,第一高附着金属层和第二高附着金属层则采用附着性能较好的金属,中间导电层通过第一高附着金属层和第二高附着金属层与上下层连接,粘粘性更好,不容易导致中间导电层与上下层剥离,第一高附着金属层和第二高附着金属层主要是用来与上下层粘粘厚度小可以节约成本。
其中,所述中间导电层底部宽度大于顶部,所述第一高附着金属层宽度与中间导电层底部宽度相同,所述第二高附着金属层宽度与中间导电层顶部宽度相同。
中间导电层底部宽度大于顶部,方便制作,成型稳定,良品率高,第一高附着金属层宽度与中间导电层底部宽度相同,第二高附着金属层宽度与中间导电层顶部宽度相同,制作方便,中间导电层与第一高附着金属层和第二高附着金属层接触面积最大,粘粘效果更好,其中中间导电层优选梯形,特别是等腰梯形。
其中,所述中间导电层采用铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金制成,所述第一高附着金属层和第二高附着金属层均采用钼或钼合金。
铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金具有较好的导电性能和较低的电阻特性,能满足显示面板的需求。钼或钼合金能实现较好的附着性,一边能与中间导电层的金属较好的粘粘,另一边能与显示面板的其他层如光阻层、绝缘层、钝化层(PV层)等较好的粘粘固定,钼或钼合金选材方便,制作技术成熟。不需要额外的原材料,降低原材料成本、存储成本,物料清单不需要增加新的材料,方便流程管理和采购,不需要额外的设备设置第二高附着金属层,可以与第一高附着金属层共用一套设备,后期蚀刻也不需要额外的设备和材料。
其中,所述第二层导线包括设置在薄膜晶体管的源极导线段;所述第二层导线仅在源极导线段设置有第二高附着金属层。
薄膜晶体管的源极导线段采用三层结构的第二层导线,其他第二层导线则采用两层机构的导线,降低显示面板的厚度。
其中,所述第二层导线包括设置在薄膜晶体管的漏极导线段;所述第二层导线在漏极导线段设置有第二高附着金属层。
薄膜晶体管的漏极导线段也采用三层结构的第二层导线,漏极导线段也能取得很好的粘粘性。
其中,所述显示面板还包括第一层导线,所述第一层导线设置在基板和绝缘层之间,所述第一层导线整体覆盖有第三高附着金属层和第四高附着金属层,所述第一层导线包括设置在薄膜晶体管的栅极导线段,所述绝缘层上对应栅极设有半导体层,所述半导体层两端上设有分隔的薄膜晶体管的源极导线段和漏极导线段,所述源极导线段和漏极导线段之间设有沟道,所述沟道底部为半导体层。
基板上整体覆盖第一层导线,不管是薄膜晶体管的栅极导线段,还是行扫描驱动与薄膜晶体管的栅极的连接段,都采用三层结构,提高薄膜晶体管的性能,显示面板的整体粘粘性更好,改善第一层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本。
其中,所述第二层导线整体覆盖有第一高附着金属层和第二高附着金属层。
第二层导线都采用三层结构,提高薄膜晶体管的性能,显示面板的整体粘粘性更好,改善第二层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本。
根据本发明的另一个方面,本发明还公开了一种显示面板制程,包括步骤:
在基板上设置绝缘层,
在绝缘层上设置第一高附着金属层;
在第一高附着金属层上设置中间导电层;
在中间导电层上设置第二高附着金属层;
蚀刻第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层形成第二层导线。
绝缘层上先后设置第二层导线的第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层,然后一起蚀刻,改善第二层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本,增强了第二层导线与绝缘层和其他层的粘粘性,不容易导致第二层导线剥离和与第二层导线连接的其他层剥离,其中第一高附着金属层和第二高附着金属层采用同样的材料,不需要额外的原材料,降低原材料成本、存储成本,物料清单不需要增加新的材料,方便流程管理和采购,不需要额外的设备设置第二高附着金属层,可以与第一高附着金属层共用一套设备,后期蚀刻也不需要额外的设备和材料。
其中,所述在基板上设置绝缘层包括步骤:
在基板上设置第三高附着金属层;
在第三高附着金属层上设置第二中间导电层;
在第二中间导电层上设置第四高附着金属层;
蚀刻第三高附着金属层、第二中间导电层和第四高附着金属层形成第一层导线;
在第一层导线上设置绝缘层。
基板上先后设置第一层导线的第三高附着金属层、第二中间导电层和第四高附着金属层,然后一起蚀刻,改善第一层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本,增强了第一层导线与基板和其他层的粘粘性,不容易导致第一层导线剥离和与第一层导线连接的其他层剥离,显示面板的整体粘粘性更好。
与现有技术相比,本发明的技术效果是:
显示面板与源极驱动耦合的第二层导线采用三层结构,从下往上依次为与绝缘层连接的第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层。中间导电层可以采用较低电阻特性的金属,有效地降低显示面板第二层导线的电阻与寄生电容,第二层导线的第一高附着金属层和第二高附着金属层则采用附着性能较好的金属,这样中间导电层可以很好的与第一高附着金属层和第二高附着金属层粘粘固定,同时中间导电层还可以通过第一高附着金属层和第二高附着金属层与上下层粘粘固定,粘粘性更好,不容易导致中间导电层与上下层剥离,即能很好的满足显示面板第二层导线的电性性能,又能很好的与上下层粘粘固定,提升产品良率,降低生产成本。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本发明实施例一种显示面板的第二层导线剖面示意图;
图2是本发明实施例一种显示面板的部分示意图;
图3是本发明实施例一种显示面板的第二层导线另一剖面示意图;
图4是本发明实施例一种显示面板的部分另一示意图;
图5是本发明实施例一种显示面板的薄膜晶体管的示意图;
图6是本发明实施例一种显示面板的薄膜晶体管及上下层的示意图;
图7是本发明实施例一种显示面板的薄膜晶体管的另一示意图;
图8是本发明实施例一种显示面板的第二层导线示意图;
图9是本发明实施例一种显示面板的第二层导线另一示意图;
图10是本发明实施例一种显示面板的第二层导线再一示意图;
图11是本发明实施例一种显示面板的薄膜晶体管的再一示意图;
图12是本发明实施例一种显示面板的薄膜晶体管及上下层的另一示意图;
图13是本发明实施例一种显示面板制程的示意图;
图14是本发明实施例一种显示面板制程的另一示意图。
其中:11、附着金属层,12、导电层,20、基板,30、第一层导线,40、薄膜晶体管,41、栅极,43、半导体层,44、源极导线段,45、漏极导线段,46、沟道,50、绝缘层,60、第二层导线,61、第一高附着金属层,62、第二高附着金属层,63、中间导电层,70、钝化层。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的,并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现,并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。另外,术语“包括”及其任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指,否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是,这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在,而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。
下面参考图1至图14描述本发明实施例的显示面板及制程。
如图1和图2所示,在图1和图2的实施例中显示面板包括基板20、绝缘层50和第二层导线60,所述绝缘层50设置在基板20上,所述第二层导线60设置在绝缘层50上,所述第二层导线60下部包括附着金属层11,所述第二层导线60上部包括导电层12,所述第二层导线60与显示面板的源极驱动耦合。显示面板与源极驱动耦合的第二层导线60采用二层结构,从下往上依次为与绝缘层50连接的附着金属层11、导电层12。导电层12采用较低电阻特性的金属,有效地降低显示面板第二层导线60的电阻与寄生电容,第二层导线60附着金属层11则采用附着性能较好的金属,这样导电层12可以很好的与第一高附着金属层61粘粘固定,同时导电层12还可以通过附着金属层11与绝缘层50粘粘固定,粘粘性更好,不容易导致导电层12与绝缘层50剥离,即能很好的满足显示面板第二层导线60的电性性能,又能很好的与绝缘层50粘粘固定,提升产品良率,降低生产成本。
如图3和图4所示,在图3和图4的实施例中显示面板包括一种显示面板,包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
显示面板与源极驱动耦合的第二层导线60采用三层结构,从下往上依次为与绝缘层50连接的第一高附着金属层61、中间导电层63和第二高附着金属层62。中间导电层63可以采用较低电阻特性的金属,有效地降低显示面板第二层导线60的电阻与寄生电容,第二层导线60的第一高附着金属层61和第二高附着金属层62则采用附着性能较好的金属,这样中间导电层63可以很好的与第一高附着金属层61和第二高附着金属层62粘粘固定,同时中间导电层63还可以通过第一高附着金属层61和第二高附着金属层62与上下层粘粘固定,粘粘性更好,不容易导致中间导电层63与上下层剥离,即能很好的满足显示面板第二层导线60的电性性能,又能很好的与上下层粘粘固定,提升产品良率,降低生产成本。
如图4所示,在图4的实施例中显示面板包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述中间导电层63的厚度大于第一高附着金属层61和第二高附着金属层62的厚度。中间导电层63的厚度大于第一高附着金属层61的厚度,也大于第二高附着金属层62的厚度,中间导电层63可以采用较低电阻特性的金属,厚度更大能有效地降低面板第二层导线60的电阻与寄生电容,第一高附着金属层61和第二高附着金属层62则采用附着性能较好的金属,中间导电层63通过第一高附着金属层61和第二高附着金属层62与上下层连接,粘粘性更好,不容易导致中间导电层63与上下层剥离,第一高附着金属层61和第二高附着金属层62主要是用来与上下层粘粘厚度小可以节约成本。可选的,中间导电层63的厚度可以大于第一高附着金属层61加第二高附着金属层62的厚度。
其中,所述中间导电层63底部宽度大于顶部,所述第一高附着金属层61宽度与中间导电层63底部宽度相同,所述第二高附着金属层62宽度与中间导电层63顶部宽度相同。中间导电层63底部宽度大于顶部,方便制作,成型稳定,良品率高,第一高附着金属层61宽度与中间导电层63底部宽度相同,第二高附着金属层62宽度与中间导电层63顶部宽度相同,制作方便,中间导电层63与第一高附着金属层61和第二高附着金属层62接触面积最大,粘粘效果更好,其中中间导电层63优选梯形,特别是等腰梯形。
其中,所述中间导电层63采用铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金制成,所述第一高附着金属层61和第二高附着金属层62均采用钼或钼合金。铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金具有较好的导电性能和较低的电阻特性,能满足显示面板的需求。钼或钼合金能实现较好的附着性,一边能与中间导电层63的金属较好的粘粘,另一边能与显示面板的其他层如光阻层、绝缘层50、钝化层70(PV层)等较好的粘粘固定,钼或钼合金选材方便,制作技术成熟。不需要额外的原材料,降低原材料成本、存储成本,物料清单不需要增加新的材料,方便流程管理和采购,不需要额外的设备设置第二高附着金属层62,可以与第一高附着金属层61共用一套设备,后期蚀刻也不需要额外的设备和材料。
如图5、图6和图8所示,在图5、图6和图8的实施例中显示面板包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述第二层导线60包括设置在薄膜晶体管40的源极导线段44;与源极导线段44连接的数据线导线段,以及薄膜晶体管40的漏极导线段45。所述第二层导线60仅在源极导线段44设置有第二高附着金属层62。薄膜晶体管40的源极导线44段采用三层结构的第二层导线60,提高薄膜晶体管40的源极导线段44的粘粘性能,其他第二层导线60则采用两层机构的导线,降低显示面板的厚度。
如图7和图9所示,在图7和图9的实施例中显示面板包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述第二层导线60包括设置在薄膜晶体管40的漏极导线段45;所述第二层导线60在漏极导线段45设置有第二高附着金属层62。薄膜晶体管40的漏极导线段45也采用三层结构的第二层导线60,漏极导线段45也能取得很好的粘粘性。当然所述第二层导线60也可以包括设置在薄膜晶体管40的源极导线段44;所述第二层导线60在源极导线44段设置有第二高附着金属层62。
如图7和图10所示,在图7和图10的实施例中显示面板包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述第二层导线60整体覆盖有第一高附着金属层61和第二高附着金属层62。第二层导线60都采用三层结构,提高薄膜晶体管40的性能,显示面板的整体粘粘性更好,改善第二层导线60的品质,提升产品良率,降低生产成本。
如图2至图3、图11至图12所示,在图2至图3、图11至图12的实施例中显示面板包括:基板20;设置在所述基板20上的绝缘层50;设置在所述绝缘层50上的第二层导线60,所述第二层导线60下部包括第一高附着金属层61,所述第二层导线60上部包括第二高附着金属层62,所述第二层导线60中间包括中间导电层63,所述第二层导线60与显示面板源极驱动耦合。
其中,所述显示面板还包括第一层导线30,所述第一层导线30设置在基板20和绝缘层50之间,所述第一层导线30整体覆盖有第三高附着金属层和第四高附着金属层,所述第一层导线30包括设置在薄膜晶体管40的栅极导线段,所述绝缘层50上对应栅极41设有半导体层43,所述半导体层43两端上设有分隔的薄膜晶体管40的源极导线段44和漏极导线段45,所述源极导线段44和漏极导线段45之间设有沟道46,所述沟道46底部为半导体层43。基板20上整体覆盖第一层导线30,不管是薄膜晶体管40的栅极导线段,还是行扫描驱动与薄膜晶体管40的栅极41的连接段,都采用三层结构,提高薄膜晶体管40的性能,显示面板的整体粘粘性更好,改善第一层导线30的品质,提升产品良率,降低生产成本。
其中,所述第二层导线60整体覆盖有第一高附着金属层61和第二高附着金属层62。第二层导线60都采用三层结构,提高薄膜晶体管40的性能,显示面板的整体粘粘性更好,改善第二层导线60的品质,提升产品良率,降低生产成本。
可选的,所述第二层导线60可以仅在源极导线段44设置有第二高附着金属层62,所述第二层导线60也可以仅在漏极导线段45设置有第二高附着金属层62,所述第二层导线60还可以仅在源极导线段44和漏极导线段45设置有第二高附着金属层62。
其中,所述中间导电层63的厚度大于第一高附着金属层61和第二高附着金属层62的厚度。中间导电层63的厚度大于第一高附着金属层61的厚度,也大于第二高附着金属层62的厚度,中间导电层63可以采用较低电阻特性的金属,厚度更大能有效地降低面板第二层导线60的电阻与寄生电容,第一高附着金属层61和第二高附着金属层62则采用附着性能较好的金属,中间导电层63通过第一高附着金属层61和第二高附着金属层62与上下层连接,粘粘性更好,不容易导致中间导电层63与上下层剥离,第一高附着金属层61和第二高附着金属层62主要是用来与上下层粘粘厚度小可以节约成本。可选的,中间导电层63的厚度可以大于第一高附着金属层61加第二高附着金属层62的厚度。
其中,所述中间导电层63底部宽度大于顶部,所述第一高附着金属层61宽度与中间导电层63底部宽度相同,所述第二高附着金属层62宽度与中间导电层63顶部宽度相同。中间导电层63底部宽度大于顶部,方便制作,成型稳定,良品率高,第一高附着金属层61宽度与中间导电层63底部宽度相同,第二高附着金属层62宽度与中间导电层63顶部宽度相同,制作方便,中间导电层63与第一高附着金属层61和第二高附着金属层62接触面积最大,粘粘效果更好,其中中间导电层63优选梯形,特别是等腰梯形。
其中,所述中间导电层63采用铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金制成,所述第一高附着金属层61和第二高附着金属层62均采用钼或钼合金。铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金具有较好的导电性能和较低的电阻特性,能满足显示面板的需求。钼或钼合金能实现较好的附着性,一边能与中间导电层63的金属较好的粘粘,另一边能与显示面板的其他层如光阻层、绝缘层50、钝化层70(PV层)等较好的粘粘固定,钼或钼合金选材方便,制作技术成熟。不需要额外的原材料,降低原材料成本、存储成本,物料清单不需要增加新的材料,方便流程管理和采购,不需要额外的设备设置第二高附着金属层62,可以与第一高附着金属层61共用一套设备,后期蚀刻也不需要额外的设备和材料。
第一层导线30可以使用第二层导线60的结构。
根据本发明的另一个方面,如图13和图14所示,本发明还公开了一种显示面板制程,包括步骤:
S1:在基板上设置绝缘层,
S2:在绝缘层上设置第一高附着金属层;
S3:在第一高附着金属层上设置中间导电层;
S4:在中间导电层上设置第二高附着金属层;
S5:蚀刻第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层形成第二层导线。
绝缘层上先后设置第二层导线的第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层,然后一起蚀刻,改善第二层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本,增强了第二层导线与绝缘层和其他层的粘粘性,不容易导致第二层导线剥离和与第二层导线连接的其他层剥离,其中第一高附着金属层和第二高附着金属层采用同样的材料,不需要额外的原材料,降低原材料成本、存储成本,物料清单不需要增加新的材料,方便流程管理和采购,不需要额外的设备设置第二高附着金属层,可以与第一高附着金属层共用一套设备,后期蚀刻也不需要额外的设备和材料。
其中,所述在基板上设置绝缘层包括步骤:
S1-1:在基板上设置第三高附着金属层;
S1-2:在第三高附着金属层上设置第二中间导电层;
S1-3:在第二中间导电层上设置第四高附着金属层;
S1-4:蚀刻第三高附着金属层、第二中间导电层和第四高附着金属层形成第一层导线;
S1-5:在第一层导线上设置绝缘层。
基板上先后设置第一层导线的第三高附着金属层、第二中间导电层和第四高附着金属层,然后一起蚀刻,改善第一层导线的品质,提升产品良率,降低生产成本,增强了第一层导线与基板和其他层的粘粘性,不容易导致第一层导线剥离和与第一层导线连接的其他层剥离,显示面板的整体粘粘性更好。
可选的,第一层导线为显示面板的扫描线,第二层导线为显示面板的数据线。
在上述实施例中,所述基板的材料可以选用玻璃、塑料等。
在上述实施例中,显示面板包括液晶面板、等离子面板等,以液晶面板为例,液晶面板包括阵列基板和彩膜基板(CF),所述阵列基板与彩膜基板相对设置,所述阵列基板与彩膜基板之间设有液晶和间隔单元(photo spacer,PS),所述阵列基板上设有薄膜晶体管(TFT),彩膜基板上设有彩色滤光层。
在上述实施例中,彩膜基板可包括TFT阵列,彩膜及TFT阵列可形成于同一基板上,阵列基本可包括彩色滤光层。
在上述实施例中,本发明的显示面板可为曲面型面板。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
绝缘层,所述绝缘层设置在基板上;
第二层导线,包括设置在薄膜晶体管的源极导线段和漏极导线段;所述源极导线段采用包括由下至上依次设置的第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层的三层结构;所述漏极导线段采用包括由下至上依次设置的第一高附着金属层、中间导电层的两层结构。
2.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述中间导电层的厚度大于第一高附着金属层和第二高附着金属层的厚度。
3.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述中间导电层底部宽度大于顶部,所述第一高附着金属层宽度与中间导电层底部宽度相同,所述第二高附着金属层宽度与中间导电层顶部宽度相同。
4.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述中间导电层采用铜、铝、银、金、铬、钼或上述金属的合金制成,所述第一高附着金属层和第二高附着金属层均采用钼或钼合金。
5.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一层导线,所述第一层导线设置在基板和绝缘层之间,所述第一层导线整体覆盖有第三高附着金属层和第四高附着金属层,所述第一层导线包括设置在薄膜晶体管的栅极导线段,所述绝缘层上对应栅极设有半导体层,所述半导体层两端上设有分隔的薄膜晶体管的源极导线段和漏极导线段,所述源极导线段和漏极导线段之间设有沟道,所述沟道底部为半导体层。
6.一种用于权利要求1所述显示面板的制程,其特征在于,包括步骤:
在基板上设置绝缘层,
在绝缘层上设置第一高附着金属层;
在第一高附着金属层上设置中间导电层;
在中间导电层上设置第二高附着金属层;
蚀刻第一高附着金属层、中间导电层和第二高附着金属层形成第二层导线。
7.如权利要求6所述的显示面板制程,其特征在于,所述在基板上设置绝缘层包括步骤:
在基板上设置第三高附着金属层;
在第三高附着金属层上设置第二中间导电层;
在第二中间导电层上设置第四高附着金属层;
蚀刻第三高附着金属层、第二中间导电层和第四高附着金属层形成第一层导线,
在第一层导线上设置绝缘层。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653771B (zh) 2016-12-30 2019-06-18 惠科股份有限公司 一种显示面板及制程
CN107545872A (zh) * 2017-10-26 2018-01-05 惠科股份有限公司 一种显示设备
CN108987418A (zh) * 2018-09-11 2018-12-11 惠科股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示器件
CN109300918A (zh) * 2018-10-08 2019-02-01 惠科股份有限公司 一种导电层绝缘方法、导电层绝缘结构及显示装置
CN110120394A (zh) * 2019-04-04 2019-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111584426B (zh) 2020-05-14 2023-03-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101009250A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN101692483A (zh) * 2009-09-18 2010-04-07 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法
CN102645807A (zh) * 2012-04-10 2012-08-22 深超光电(深圳)有限公司 液晶显示面板阵列基板及其制造方法
CN103926769A (zh) * 2013-12-26 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示器
CN104769658A (zh) * 2012-10-31 2015-07-08 夏普株式会社 电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100356452B1 (ko) * 1998-10-02 2002-10-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101199533B1 (ko) * 2005-06-22 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR101189271B1 (ko) * 2005-07-12 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20080008562A (ko) * 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치
JP5308760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-09 株式会社日立製作所 表示装置
JP5123141B2 (ja) * 2008-11-19 2013-01-16 株式会社東芝 表示装置
JP4752927B2 (ja) * 2009-02-09 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2011027467A1 (ja) * 2009-09-04 2011-03-10 株式会社 東芝 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR101843871B1 (ko) * 2011-03-11 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101934977B1 (ko) * 2011-08-02 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9082861B2 (en) * 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US9362417B2 (en) * 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014032999A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR102408021B1 (ko) * 2014-11-11 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 금속배선 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2016134469A (ja) * 2015-01-19 2016-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタの製造方法
KR102304991B1 (ko) * 2015-04-21 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법, 박막트랜지스터 어레이 기판을 구비한 표시장치
KR102494732B1 (ko) * 2015-10-16 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9806179B2 (en) * 2016-01-14 2017-10-31 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method for fabricating conducting structure and thin film transistor array panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101009250A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN101692483A (zh) * 2009-09-18 2010-04-07 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法
CN102645807A (zh) * 2012-04-10 2012-08-22 深超光电(深圳)有限公司 液晶显示面板阵列基板及其制造方法
CN104769658A (zh) * 2012-10-31 2015-07-08 夏普株式会社 电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置
CN103926769A (zh) * 2013-12-26 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示器

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