CN104769658A - 电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置 - Google Patents

电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置 Download PDF

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Abstract

EL基板在栅极绝缘膜(14)上具备TFT(20、30)的半导体层(22、32)、像素电极(51)和Cs部(40)的上部电极(42)，半导体层(22、32)由具有使像素电极(51)和上部电极(42)露出的开口部(17a、17b)的保护膜(17)覆盖，半导体层(22、32)为氧化物半导体层(15)，像素电极(51)和上部电极(42)为氧化物半导体层(15)的还原电极。

Description

电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置
技术领域
本发明涉及具备电致发光元件和电容器部以及与该电致发光元件和电容器部分别电连接的晶体管的电致发光基板及其制造方法、以及具备上述电致发光基板的电致发光显示面板和电致发光显示装置。
背景技术
近年来，在各种商品和领域中利用平板显示器。作为这样的平板显示器中使用的贴合基板之一，例如已知有EL(电致发光)显示面板。
EL(有机EL、无机EL)显示面板中使用的EL基板，具有在设置有TFT(薄膜晶体管)等晶体管的基板上设置有与该晶体管电连接的EL元件(有机EL元件或者无机EL元件)的结构。
在EL基板上，为了对各像素输出各种信号，设置有多个栅极线和多个源极线以及多个驱动电源线，在由这些栅极线、源极线、驱动电源线包围的各像素，设置有开关晶体管、驱动晶体管、Cs(电容器)部和EL元件。
这些开关晶体管、驱动晶体管、Cs部和EL元件各自具有多层构造，为了形成各层，需要分别进行使用光掩模的光刻工序。
此外，在以下，作为EL基板的制造方法，列举有机EL基板的制造方法为例进行说明。
图18的(a)～(i)是将专利文献1中记载的有机EL显示面板的制造工序的一部分按工序顺序表示的截面图。
在专利文献1中，首先，如图18的(a)所示，在绝缘基板301上形成整面状的栅极金属302。
然后，通过使用第一光掩模对栅极金属302进行图案化，如图18的(b)所示，形成由栅极金属302形成的栅极电极302G、信号线302L、和未图示的Cs(电容器)部的下部电极。接着，在上述绝缘基板301上，以覆盖栅极电极302G和信号线302L的方式，整面状地形成栅极绝缘膜303、由非晶硅或者多晶硅形成的半导体层304、由氮化硅或者氧化硅形成的绝缘层305。
接着，如图18的(c)所示，通过使用第二光掩模对绝缘层305进行图案化，形成沟道保护膜305a。
然后，如图18的(d)所示，在上述半导体层304上，以覆盖沟道保护膜305a的方式整面状地形成n+硅层306。接着，使用第三光掩模，在接触孔形成位置的栅极绝缘膜303、半导体层304和n+硅层306形成孔，使得栅极金属302露出。
然后，如图18的(e)所示，整面状地形成源极金属307。此时，栅极金属302和源极金属307通过在栅极绝缘膜303、半导体层304和n+硅层306形成的孔接合，形成未图示的接触孔。
接着，如图18的(f)所示，通过使用第四光掩模对源极金属307进行图案化，形成未图示的Cs部的上部电极、源极电极307S和漏极电极307D、以及未图示的扫描线和驱动电源线。
另外，此时，通过使用第四光掩模对半导体层304和n+硅层306进行图案化，形成由半导体层304形成的半导体膜304a和由n+硅层306形成的杂质半导体膜306a、306b。
接着，如图18的(g)所示，利用气相沉积法形成导电性膜，使用第五光掩模进行图案化，由此形成像素电极308。
接着，如图18的(h)所示，在整面状地形成将上述源极电极307S、漏极电极307D、未图示的Cs部的上部电极和扫描线以及驱动电源线、和像素电极308覆盖的保护膜309后，使用第六光掩模，在该保护膜309形成使像素电极308露出的开口部309a。
在专利文献1中，此后，如图18的(i)所示，在上述保护膜309和像素电极308的上部整面状地涂敷聚酰亚胺等树脂后，使用第七光掩模形成网状的绝缘膜310，由此，形成由保护膜309和上述网状的绝缘膜310形成的分隔壁311，然后，在上述像素电极308上形成未图示的有机EL层，在该有机EL层上形成未图示的对置电极。进一步，在该对置电极上涂敷环氧树脂、丙烯酸树脂等热固性树脂、热塑性树脂、或者光固性树脂等，并使其固化而形成密封层。
这样，在专利文献1中，至在保护膜309形成开口部309a为止使用了6个光掩模。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2010-282807号公报(2010年12月16日公开)”
发明内容
发明要解决的技术问题
像专利文献1那样，以往，为了制造EL显示面板中使用的EL基板，需要多个光掩模。
特别是，在专利文献1那样的一般的底部发光型的EL基板的制造方法中，需要制作由TFT基板形成的TFT背板作为背板，并且，在该TFT背板上形成像素电极、发光层、和作为对置电极的反射电极层等，工序数量多。
因此，以往的方法需要多个光掩模，工序数量多，因此，还不能廉价地制造EL基板以及EL显示面板和EL显示装置，另外，因为工序数量多，所以有成品率低的问题。
另外，以往的EL基板还具有由于Cs部而不能大大地开口的问题。
本发明鉴于上述问题而做出，其目的在于提供即使在采用底部发光型的情况下，与以往相比也能够削减制造所需要的工序数量和掩模个数的EL基板、EL显示面板、EL显示装置、以及这样的EL基板的制造方法。
另外，本发明的另一目的在于提供即使在采用底部发光型的情况下，与以往相比也能够削减制造所需要的工序数量和掩模个数，并且，能够在保持充分电荷的状态下与以往相比使开口率提高的EL基板、EL显示面板、EL显示装置、以及这样的EL基板的制造方法。
用于解决技术问题的手段
为了解决上述的技术问题，本发明的一个方式的电致发光基板的特征在于：在栅极绝缘膜上设置有晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极，在上述半导体层、上述下部电极和上述上部电极的上层设置有保护层，上述保护层具有使上述下部电极和上述上部电极露出的开口部，上述半导体层为氧化物半导体层，上述下部电极和上述上部电极是将在上述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。
另外，本发明的一个方式的电致发光显示面板以及电致发光显示装置的特征在于，具备本发明的一个方式的电致发光基板。
另外，为了解决上述的技术问题，本发明的一个方式的电致发光基板的制造方法的特征在于，包括：在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序；将上述氧化物半导体层图案化为与晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极对应的图案的工序；在上述氧化物半导体层的图案的上层，形成具有使与上述下部电极和上述上部电极对应的部分的图案露出的开口部的保护膜的工序；和以上述保护膜为掩模，将上述氧化物半导体层的图案中的、与上述电致发光元件的下部电极和上述电容器部的上部电极对应的部分的图案还原，形成由上述氧化物半导体层的还原电极形成的上述电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极的工序。
发明效果
氧化物半导体层通过进行还原而被导体化。另外，被还原后的氧化物半导体层是透明的，不吸收可见光区域波长。
因此，根据本发明的一个方式，即使在使上述电致发光基板为底部发光型的情况下，也不需要以往那样的ITO层作为电致发光元件中的透明电极，能够利用1个光掩模同时形成晶体管的半导体层的图案、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极。因此，与以往相比能够削减1个光掩模。
另外，根据本发明的一个方式，如上所述将氧化物半导体层的一部分还原以使其导体化而作为透明电极使用，由此，能够削减制造所需要的工序数量。
附图说明
图1的(a)是表示实施方式1的元件基板中的一个像素的概略结构的平面图，(b)是表示(a)所示的元件基板的A1-A1线方向看的截面图，(c)是(a)所示的元件基板的B1-B1线方向看的截面图，(d)是(a)所示的元件基板的C1-C1线方向看的截面图。
图2是表示实施的一个方式的有机EL显示装置的主要部分的概略结构的截面图。
图3是图1的(a)～(d)所示的元件基板中的一个像素的等效电路图。
图4的(a)～(e)是将图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图5的(a)～(d)是将图4的(a)～(e)所示的工序之后的、图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图6的(a)～(d)是将图5的(a)～(d)所示的工序之后的、图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图7的(a)是实施方式1的元件基板的A1-A1线方向看的截面图，(b)是在上述元件基板的制造中应用以往的方法制作像素电极时的元件基板的A1-A1线方向看的截面图。
图8的(a)是实施方式1的元件基板的B1-B1线方向看的截面图，(b)是在上述元件基板的制造中应用以往的方法制作Cs部时的元件基板的B1-B1线方向看的截面图。
图9的(a)是表示实施方式2的元件基板中的一个像素的概略结构的平面图，(b)是(a)所示的元件基板的A2-A2线方向看的截面图，(c)是(a)所示的元件基板的B2-B2线方向看的截面图，(d)是(a)所示的元件基板的C2-C2线方向看的截面图。
图10的(a)～(e)是将图9的(a)所示的A2-A2线方向看的截面、B2-B2线方向看的截面和C2-C2方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图11的(a)～(d)是将图9的(a)～(e)所示的工序之后的、图9的(a)所示的A2-A2线方向看的截面、B2-B2线方向看的截面和C2-C2方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图12的(a)是表示实施方式3的元件基板中的一个像素的概略结构的平面图，(b)是(a)所示的元件基板的A3-A3线方向看的截面图，(c)是(a)所示的元件基板的B3-B3线方向看的截面图，(d)是(a)所示的元件基板的C3-C3线方向看的截面图。
图13的(a)～(e)是将图12的(a)所示的A3-A3线方向看的截面、B3-B3线方向看的截面和C3-C3方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图14的(a)～(d)是将图13的(a)～(e)所示的工序之后的、图12的(a)所示的A3-A3线方向看的截面、B3-B3线方向看的截面和C3-C3方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图15的(a)～(d)是将图14的(a)～(d)所示的工序之后的、图12的(a)所示的A3-A3线方向看的截面、B3-B3线方向看的截面和C3-C3方向看的截面的元件基板的制造工序的一个例子按工序顺序表示的截面图。
图16的(a)是实施方式3的元件基板的A3-A3线方向看的截面图，(b)是实施方式1的元件基板的A1-A1线方向看的截面图。
图17是表示图1的(a)所示的元件基板的A1-A1线方向看的截面的另一个例子的截面图。
图18的(a)～(i)是将专利文献1中记载的有机EL显示面板的制造工序的一部分按工序顺序表示的截面图。
具体实施方式
[实施方式1]
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
[实施方式1]
根据图1的(a)～(d)至图8的(a)、(b)对本实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，作为本实施方式的EL(电致发光)显示装置，列举有机EL显示装置为例进行说明。
＜有机EL显示装置的概略结构＞
图2是表示本实施方式的有机EL显示装置100的主要部分的概略结构的截面图。
如图2所示，有机EL显示装置100具备像素部101和电路部102。
像素部101由有机EL显示面板1构成。另外，电路部102由设置有驱动有机EL显示装置100的驱动电路等的电路基板、IC(集成电路：Integrated Circuits)芯片等构成。
有机EL显示面板1具备：设置有有机EL元件50的元件基板10(有机EL基板、有机EL元件基板)；对置基板70；密封件81；和根据需要的填充件82。
为了保护有机EL元件50不受水分或氧或者来自外部的冲击等影响，将元件基板10隔着密封件81与对置基板70贴合，由此，有机EL元件50被封入该一对基板间。
此外，填充件82不是必须的，但是为了强化上述保护以及维持基板间间隙，优选在上述一对基板间填充有填充件82。
另外，在元件基板10中的由上述密封件81形成的框状的密封区域的外侧设置有电配线端子83。电配线端子83是与电路部102的连接端子103连接的连接端子，由金属等配线材料形成。
电路部102例如设置有挠性薄膜电缆等配线、驱动器等驱动电路等。如图2所示，电路部102通过电配线端子83与有机EL显示面板1连接。
＜元件基板10的概略结构＞
图1的(a)是表示本实施方式的元件基板10中的一个像素的概略结构的平面图，图1的(b)是图1的(a)所示的元件基板10的A1-A1线方向看的截面图，图1的(c)是图1的(a)所示的元件基板10的B1-B1线方向看的截面图，图1的(d)是图1的(a)所示的元件基板10的C1-C1线方向看的截面图。此外，在图1的(a)中，为了图示的方便，省略了一部分的构成要素的图示。另外，图3是图1的(a)～(d)所示的元件基板10中的一个像素的等效电路图。
(元件基板10的平面结构)
首先，主要参照图1的(a)以及图3对元件基板10的平面结构以及电连接进行说明。
有机EL显示面板1上，以规定的图案呈矩阵状配置有例如R(红)、G(绿)、B(蓝)的各种颜色的像素2。
在这样的有机EL显示面板1中使用的元件基板10上，沿行方向相互平行地配置有多个栅极线61，以与这些栅极线61正交的方式，沿列方向相互平行地配置有多个源极线62。另外，在相邻的栅极线61之间，沿栅极线61设置有驱动有机EL元件50的驱动电源线63(电压供给线)。
此外，各栅极线61与电路部102中的未图示的栅极驱动器连接，各源极线62与电路部102中的未图示的源极驱动器连接。另外，各驱动电源线63与电路部102中的未图示的电源电路连接，从该电源电路供给规定的电压。
由这些栅极线61与源极线62和驱动电源线63划分成矩阵状的区域为1个像素，各像素2设置有作为开关晶体管(第一晶体管)的TFT(薄膜晶体管)20、作为驱动晶体管(第二晶体管)的TFT 30、Cs(电容器)部40和有机EL元件50。
(TFT 20)
TFT 20具备栅极电极21、栅极绝缘膜14(第一绝缘膜，参照图1的(b)～(d))、半导体层22、源极电极23和漏极电极24等。
TFT 20的栅极电极21与栅极线61连接，源极电极23和漏极电极24中的一个电极(以下，在本实施方式中设为漏极电极24，但是并不限定于此)与源极线62连接。
另外，源极电极23和漏极电极24中的另一个电极(以下，在本实施方式中设为源极电极23，但是并不限定于此)与Cs部40的下部电极41连接，并且，通过Cs部40与TFT 30的栅极电极31电连接。
(TFT 30)
TFT 30具备栅极电极31、栅极绝缘膜14、半导体层32、源极电极33和漏极电极34等。
TFT 30的栅极电极31与Cs部40的下部电极41连接。另外，TFT30的源极电极33和漏极电极34中的一个电极(在本实施方式中为漏极电极34)与驱动电源线63连接。此外，该电极(以下，在本实施方式中设为漏极电极34，但是并不限定于此)与驱动电源线63形成为一体。
另外，源极电极33和漏极电极34中的另一个电极(以下，在本实施方式中设为源极电极33，但是并不限定于此)与Cs部40的上部电极42(第二电容电极)连接，并且，与有机EL元件50的像素电极51(参照图1的(b))连接。
(Cs部40)
Cs部40的下部电极41(第一电容电极)和上述上部电极42隔着栅极绝缘膜14重叠配置。Cs部40通过在下部电极41与上部电极42之间蓄积电荷而形成电容。该电容是为了保持对TFT 30的栅极电极31施加的电压而设置的。
另外，上述上部电极42也作为Cs部40的发光区域的像素电极(第一电极、阳极)使用。
(有机EL元件50)
有机EL元件50是能够利用低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，如图1的(b)所示，依次层叠有像素电极51(第一电极、有机EL元件的下部电极、阳极)、有机EL层52、对置电极53(第二电极、有机EL元件的上部电极、阴极)。
有机EL层52可以为仅由发光层构成的单层型，也可以为具备例如空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等的多层型。
如上所述，在像素电极51为阳极，对置电极53为阴极的情况下，从像素电极51侧起，作为有机EL层52，依次层叠有例如空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等，在其上形成有对置电极53。
像素电极51对有机EL层52注入(供给)空穴，对置电极53对有机EL层52注入(供给)电子。此外，将像素电极与对置电极之间的层总称为有机EL层。
在上述有机EL层52中，单一的层可以具有2个以上的功能。例如，空穴注入层和空穴输送层，可以如上所述作为相互独立的层形成，也可以作为空穴注入层兼空穴输送层相互一体化地设置。同样，电子输送层和电子注入层，可以如上所述作为相互独立的层形成，也可以作为电子输送层兼电子注入层相互一体化地设置。
另外，根据需要，可以适当插入阻挡空穴、电子等载流子的流动的载流子阻挡层等。例如，通过在发光层与电子输送层之间追加空穴阻挡层作为载流子阻挡层，能够阻止空穴漏到电子输送层，提高发光效率。同样，通过在发光层与空穴输送层之间追加电子阻挡层作为载流子阻挡层，能够阻止电子漏到空穴输送层。
此外，有机EL层52的结构并不限定于上述例示的层结构，能够根据要求的有机EL元件50的特性采用期望的层结构。
(元件基板10的截面结构)
接着，对上述元件基板10的截面结构(层结构)进行说明。
TFT 20、30分别由栅极电极21、31设置在半导体层22、32的下方的底栅型(栅极电极下置型)的TFT构成。
此外，TFT 20、30使用相同的材料同时形成。因此，TFT 20、30具有在绝缘基板11上依次层叠有栅极电极(栅极电极21、31)、栅极绝缘膜14、半导体层(半导体层22、32)、源极电极(源极电极23、33)和漏极电极(漏极电极24、25)的结构。
另外，栅极电极31，如图1的(b)所示，由透明导电层31a和层叠在该透明导电层31a上的金属层31b形成，栅极电极21，如图1的(d)所示，由透明导电层21a和层叠在该透明导电层21a上的金属层21b形成。
这些透明导电层21a、31a和金属层21b、31b分别通过对层叠在绝缘基板11上的透明导电层12和金属层13进行图案化而形成。
另外，如图1的(c)、(d)所示，在形成有Cs部40的Cs区域，在上述绝缘基板11上形成有由图案化后的透明导电层12形成的下部电极41。
如图1的(b)～(d)所示，这些栅极电极21、31和下部电极41由栅极绝缘膜14(第一绝缘层)覆盖。
另外，如图1的(b)～(d)所示，在上述栅极绝缘膜14上形成有TFT 20的半导体层22、TFT 30的半导体层32、有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42。
上述半导体层22、32是由图案化后的氧化物半导体层15形成的半导体层，有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42是由将图案化后的氧化物半导体层15还原而形成的还原氧化物半导体层15’形成的透明电极(氧化物半导体层的还原电极)。
作为上述氧化物半导体，例如可以列举InGaZnOx。另外，优选上述氧化物半导体为非晶状。因此，作为上述氧化物半导体，优选使用a(非晶)-InGaZnOx。
如图1的(b)所示，TFT 30的半导体层32和与该TFT 30连接的有机EL元件50的像素电极51，是通过将同一氧化物半导体层15的一部分还原，在1个氧化物半导体层15形成作为TFT 30的半导体层32的半导体区域和作为像素电极51的还原区域这2个功能区域而得到的，相互形成为一体。
另外，如图1的(d)所示，TFT 20的半导体层22和与该TFT 20连接的Cs部40的上部电极42，是通过将同一氧化物半导体层15的一部分还原，在1个氧化物半导体层15形成作为TFT 20的半导体层22的半导体区域和作为上部电极42的还原区域这2个功能区域而得到的。
本实施方式的TFT 20、30各自为在栅极绝缘膜14上隔着半导体层22、32设置有源极电极23、33和漏极电极24、34的顶部接触型的晶体管。
因此，与有机EL元件50连接的TFT 30的源极电极33和漏极电极34中的一个电极(在本实施方式中为源极电极33)，和与半导体层32设置成一体的像素电极51的上表面端部接触。
另外，TFT 20的源极电极23和漏极电极24中的一个电极(在本实施方式中为源极电极23)，通过作为接触孔的、在栅极绝缘膜14设置的开口部14a，与Cs部40的下部电极41的上表面接触。
另外，TFT 20、30、栅极线61、源极线62、驱动电源线63的上方，由图1的(b)、(c)所示的、具有开口部17a、17b的共用的保护膜(第二绝缘层)17覆盖。这些开口部17a、17b设置成使作为发光部的下部电极使用的像素电极(即，有机EL元件50的像素电极51、和Cs部40的作为像素电极使用的上部电极42)露出。
上述保护膜17防止夹持有机EL层的上部电极和下部电极的短路并且也作为用作元件分离膜的分隔壁起作用，有机EL层52设置在这些开口部17a、17b内。
在这些有机EL元件50和Cs部40的有机EL层52上，分别设置有对置电极53作为发光部的上部电极。此外，对置电极53被施加一定电压Vcom(例如，被接地)。
此外，作为上述透明导电层12，能够使用例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、镓掺杂氧化锌(GZO)等。
另外，作为金属层13、16，能够使用例如Ni(镍)、Al(铝)、W(钨)、TaN(氮化钽)、Ti(钛)等金属的单层膜或者叠层膜。
另外，作为上述栅极绝缘膜14和保护膜17，能够使用例如SiO2(氧化硅)膜、SiN(氮化硅)膜等。
另外，作为上述对置电极53，能够使用例如由Al、Ag(银)、Mo(钼)、Al-Ni(镍)合金等金属材料形成的反射电极。此外，对置电极53，例如如专利文献1所示，可以为台阶覆盖层与电阻降低层的叠层膜。
台阶覆盖层优选由导电性并且阶梯覆盖性高的材料形成，例如能够使用ITO、InZnO(锌掺杂氧化铟)。
另外，电阻降低层只要能够将从发光层向阴极侧发出的光向阳极侧反射即可，例如能够使用Al-Ni合金等。
此外，虽然未图示，但是，在元件基板10，例如，可以在上述对置电极53上以覆盖该对置电极53的方式设置有阻止氧和水分从外部浸入有机EL层52内的密封膜。由此，例如，能够保护有机EL层52不受从与密封件81的接触界面浸入的水分的影响。
此外，这样的密封膜如在专利文献1中也公开的那样是公知的，该密封膜的材料没有特别限定，例如可以列举由Si(硅)或Al的氧化物(SiO2、Al2O3等)或氮化物(SiNx、SiCN)等无机材料形成的膜、或者由丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机材料形成的膜等。
此外，在图2所示的例子中，列举通过将元件基板10与作为密封基板的对置基板70贴合来形成EL显示面板的情况为例进行了说明，但是，也能够如专利文献1那样，在元件基板10的表面设置密封膜，将上述元件基板10作为EL显示面板使用。
＜对置基板70的概略结构＞
作为对置基板70，一般使用具有透光性的玻璃基板或塑料基板等。作为该对置基板70的一个例子，例如可以列举无碱玻璃基板等透明的绝缘基板，但是，也可以使用金属板等不透明材料。
＜密封件81和填充件82＞
作为密封件81和填充件82，能够使用EL显示装置中使用的公知的密封件和填充件。
例如，作为密封件81，能够使用环氧树脂类的粘接剂等紫外线固化树脂或热固化树脂等在基板的贴合中使用的公知的密封件。
另外，作为填充件82，例如可以列举环氧类树脂或有机硅类树脂等树脂。填充件82可以具有粘接性也可以不具有粘接性，另外，可以含有干燥剂。
＜有机EL显示面板1的制造方法＞
接着，对本实施方式的有机EL显示面板1的制造方法进行说明。但是，在以下的说明中记载的各构成要素的厚度和材料等只不过是一个实施方式，不应当由此限定解释发明的范围。
首先，参照图4的(a)～(e)至图6的(a)～(d)，对元件基板10的制造方法进行说明。
图4的(a)～(e)至图6的(a)～(d)分别为将图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面的元件基板10的制造方法的一个例子按工序顺序表示的截面图。
此外，如上所述，TFT 20、30使用相同的材料同时形成。因此，栅极电极21与栅极电极31、半导体层22与半导体层32、源极电极23和漏极电极24与源极电极33和漏极电极34分别利用相同的方法使用相同的材料同时形成。
另外，以下，为了说明的方便，将形成有机EL元件50的区域称为“像素区域”，将形成Cs部40的区域称为“Cs区域”，将形成TFT20、30的区域称为“晶体管区域”。
(栅极电极21、31和Cs部40的下部电极41的形成工序)
首先，如图4的(a)所示，在玻璃基板等绝缘基板11上，依次整面状地层叠透明导电层12、金属层13(栅极金属层、第一金属层)。
在本实施方式中，作为透明导电层12，以100nm的厚度沉积ITO膜，然后，作为金属层13，分别以W(上层)/TaN(下层)＝370/50nm的厚度依次沉积TaN(氮化钽)和W(钨)。
接着，在金属层13上层叠光致抗蚀剂，作为第一光掩模，使用在1块掩模设置有光的透射率不同的部分的未图示的半色调掩模，在晶体管区域和Cs区域改变曝光量，来进行半色调曝光。
由此，利用上述光致抗蚀剂，如图4的(b)～(d)所示，在晶体管区域和Cs区域分别形成厚度不同的抗蚀剂图案201a、201b，使得各晶体管区域的抗蚀剂图案201a比Cs区域的抗蚀剂图案201b厚。
然后，如图4的(c)所示，在以抗蚀剂图案201a、201b作为掩模对金属层13进行干式蚀刻使其图案化后，以抗蚀剂图案201a、201b和图案化后的金属层13作为掩模，利用湿式蚀刻将透明导电层12图案化。
晶体管区域的图案化后的金属层13和透明导电层12作为栅极电极21、31和栅极线61使用。在本实施方式中，作为栅极电极21、31和栅极线61，形成了由图案化后的金属层13和图案化后的透明导电层12形成的叠层电极。
另一方面，Cs区域的图案化后的透明导电层12作为Cs部40的下部电极41(Cs部40的第一电极)使用。
此外，作为在上述湿式蚀刻中使用的蚀刻液，只要使用在透明导电膜的湿式蚀刻中使用的公知的蚀刻液即可。作为上述蚀刻液，例如能够使用磷酸、硝酸和乙酸的混合液、草酸等。另外，上述干式蚀刻能够使用市售的一般的干式蚀刻装置。
接着，通过灰化将抗蚀剂图案201a、201b的表面分解、除去而使其向后退。由此，如图4的(d)所示，使抗蚀剂图案201a变薄，另一方面，将抗蚀剂图案201b完全除去。由此，使Cs区域的金属层13的表面露出。
上述灰化例如能够使用O2灰化处理。另外，灰化所使用的干式蚀刻装置能够使用市售的一般的灰化装置。
接着，如图4的(e)所示，通过干式蚀刻将Cs区域的透明导电层12上的金属层13完全除去。由此，使Cs区域的透明导电层12的表面(即，下部电极41的表面)露出。
然后，如图5的(a)所示，再次进行灰化，将晶体管区域的残留的抗蚀剂图案201a完全除去。由此，使晶体管区域的金属层13的表面(即，像素电极21、31的金属层21a、31a的表面)露出。
(栅极绝缘膜14的形成工序)
接着，如图5的(b)所示，以覆盖上述金属层13和透明导电层12的方式层叠栅极绝缘膜14(第一绝缘层)。
在本实施方式中，作为栅极绝缘膜14，利用CVD(化学蒸镀)装置连续地沉积SiO2(氧化硅)膜、SiN(氮化硅)膜。此时，SiO2膜的厚度为50nm，SiN膜的厚度为325nm。
接着，使用第二光掩模，利用光刻法、干式蚀刻，形成作为源极电极23与Cs部40的下部电极41的接触孔的开口部14a、以及作为栅极线61的端子部的未图示的开口部。
(氧化物半导体层15的形成工序)
接着，在上述栅极绝缘膜14上沉积氧化物半导体层15。此外，在本实施方式中，作为氧化物半导体层15，利用溅射装置以50nm的厚度沉积a-InGaZnOx层。
然后，如图5的(c)所示，在上述氧化物半导体层15上，层叠未图示的光致抗蚀剂，利用使用未图示的第三光掩模的光刻法和湿式蚀刻，将氧化物半导体层15加工为期望的图案。具体而言，对氧化物半导体层15进行图案化，使得与有机EL元件50的像素电极图案、TFT20、30的半导体图案、和Cs部40的上部电极图案对应。
此时，有机EL元件50的像素电极图案，和与有机EL元件50电连接的TFT 30的半导体图案形成为一体。即，有机EL元件50的像素电极图案形成为TFT 30的半导体图案的延伸部。
(源极电极23、33和漏极电极24、34的形成工序)
然后，在上述栅极绝缘膜14上，以覆盖上述TFT 20、30的半导体图案的方式沉积金属层16(源极金属层、第二金属层)后，利用使用未图示的第四光掩模的光刻法和干式蚀刻，如图5的(d)所示，将上述金属层16加工为期望的图案。由此，形成由上述金属层16形成的、源极电极23、33、漏极电极24、34、源极线62、和驱动电源线63，并且，形成源极电极23在上述开口部14a与Cs部40的下部电极41连接的TFT 20。
此外，在本实施方式中，作为上述源极金属层，利用溅射装置将Ti(钛)、Al(铝)、Ti依次沉积50nm、200nm、100nm的厚度，由此形成具有Ti/Al/Ti的三层构造的、源极电极23、33、漏极电极24、34、源极线62、和驱动电源线63。
(保护膜17的形成工序)
然后，在基板整个面上沉积保护膜17(第二绝缘层)后，使用第五光掩模，如图6的(a)所示，在该保护膜17形成开口部17a、17b。由此，使有机EL元件50的像素电极形成区域和Cs部40的上部电极形成区域的氧化物半导体层15的表面露出。
此外，在本实施方式中，作为保护膜17，以200nm的厚度沉积SiO2膜。
(氧化物半导体层15的还原工序)
接着，如图6的(b)所示，隔着保护膜17进行氢等离子体处理，将没有被源极电极33和保护膜17覆盖的氧化物半导体层15还原。由此，得到作为被还原后的氧化物半导体层15的还原氧化物半导体层15’。
像素区域的被还原后的氧化物半导体层15(还原氧化物半导体层15’)作为有机EL元件50的像素电极51使用。由此，形成与由氧化物半导体层15形成的半导体层32形成为一体的像素电极51，并且，形成源极电极33直接与像素电极51连接的TFT 30。
另一方面，Cs区域的被还原后的氧化物半导体层15(还原氧化物半导体层15’)作为Cs部40的上部电极42使用。由此，与上述TFT 30同时，形成由还原氧化物半导体层15’形成的上部电极42，并且，形成由透明导电层12形成的下部电极41隔着栅极绝缘膜14与上述上部电极42重叠的Cs部40。
此外，氢等离子体处理只要实施成使得通过开口部17a、17b从保护膜17露出的氧化物半导体层15完全被还原，其条件就没有特别限定。
在如上所述隔着保护膜17和源极电极33进行了氢等离子体处理的情况下，如图6的(b)所示，从保护膜17的开口部17a、17b和从保护膜17露出的源极电极33的端部，氢等离子体少许进入氧化物半导体层15的非露出部侧。其结果，不仅露出的氧化物半导体层15，而且露出部与非露出部的边界部附近的、没有露出的氧化物半导体层15的一部分也通过氢等离子体处理自然地被还原。
此外，在上述区域的氧化物半导体层15未被还原的情况下，金属层与氧化物半导体层15的接触电阻大，因此，对由未被还原的氧化物半导体层15形成的像素电极51，不能充分地充电像素电位。
本申请发明人通过实验确认了对像素电极51能够充分地充电像素电位，确认了上述区域的氧化物半导体层15自然地被还原。
此外，未露出的氧化物半导体层15被还原的区域为几μm以下，并且，在开口部17b的TFT 20侧的边缘部以及开口部17a的TFT 30侧的边缘部，分别形成有源极电极23、33，由此，不会被还原至TFT 20、30的半导体层形成区域的氧化物半导体层15。
(有机EL层52的形成工序)
接着，在上述开口部17a、17b内形成有机EL层52。作为有机EL层52的形成方法，可以使用喷墨法，也可以使用掩模利用溅射法或者真空蒸镀法等形成。此外，有机EL层52的形成方法本身能够使用与一般的有机EL显示装置中的有机EL层的制造方法同样的方法。
(对置电极53的形成工序)
接着，在上述绝缘基板11上层叠导电层18，使用未图示的第六光掩模，以上述导电层18隔着有机EL层52与有机EL元件50的像素电极51以及Cs部40的上部电极42重叠、并且覆盖TFT 20、30的方式进行图案加工，由此，如图1的(m)所示，形成对置电极53。
此外，在本实施方式中，作为上述对置电极53所使用的导电层，将Mo(钼)、Al依次分别沉积100nm的厚度。
(基板贴合工序)
然后，根据需要，以覆盖上述对置电极53的方式形成密封膜后，将这样得到的元件基板10隔着密封件81与对置基板70贴合。此外，填充件82可以在将元件基板10和对置电极53贴合之前涂敷在任一个基板上，也可以在将元件基板10和对置电极53除了注入口以外贴合后，从该注入口注入。
上述基板的贴合例如使用真空贴合装置等。在这样将上述一对基板贴合后，利用热或紫外线使密封件81固化，由此，可制作出图2所示的有机EL显示面板1。
此外，上述各基板的各构成要素的厚度以及大小，只要根据用途等适当设定为期望的厚度以及大小即可，没有特别限定。这些构成要素的厚度以及大小，例如能够与以往同样地设定。
＜效果＞
在此，使用比较图对本发明的效果进行说明。
图7的(a)是本实施方式的元件基板10的A1-A1线方向看的截面图，图7的(b)是在上述元件基板10的制造中应用以往的方法制作像素电极时的元件基板10的A1-A1线方向看的截面图。此外，在图7的(a)、(b)中省略了有机EL层52和对置电极53的图示。
另外，图8的(a)是本实施方式的元件基板10的B1-B1线方向看的截面图，图8的(b)是在上述元件基板10的制造中应用以往的方法制作Cs部40时的元件基板10的B1-B1线方向看的截面图。
此外，在图7的(b)和图8的(b)中，对于与图1的(a)～(d)所示的构成要素具有相同的功能、或者由相同的材料形成的构成要素，标注相同的符号。
像专利文献1那样，以往，底部发光型的元件基板中的发光部的像素电极一般使用ITO等透明导电膜。因此，如图7的(b)所示，在元件基板10的制造中应用以往的方法制作像素电极212的情况下，TFT30的半导体层211和像素电极212所使用的透明导电膜，分别由不同的材料在不同的工序层叠，并被图案化。因此，半导体层211的图案化和像素电极212的图案化需要不同的光掩模。因此，像素电极212的形成，需要一个用于形成像素电极212的光掩模。
但是，在本实施方式中，如上所述，将形成在栅极绝缘膜14上的氧化物半导体层15图案化而形成与TFT 20、30的半导体层22、32、有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42对应的图案，并且，以保护膜17作为掩模，利用氢等离子体等将氧化物半导体层15的一部分还原，由此，能够利用1个光掩模形成与TFT 20、30的半导体层22、32、有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42对应的图案。
被还原后的氧化物半导体层15’不吸收可见光区域波长，因此，能够作为底部发光型的像素电极使用。因此，被还原后的氧化物半导体层15’能够用作作为有机EL元件50的下部电极的像素电极51，并且，如上所述，能够作为兼作Cs部40的发光部的像素电极的、Cs部40的上部电极42使用。
因此，根据本实施方式，像素电极的形成不需要以往那样的ITO层，能够利用1个光掩模同时形成TFT 20、30的半导体层的图案和像素电极51的图案，因此，能够削减1个光掩模。
另外，根据本实施方式，如上所述将氧化物半导体层15的一部分还原而使其导体化作为透明电极(即，上述像素电极51和上部电极42)使用，由此能够削减工序数量。
另外，如专利文献1那样，Cs部一般由栅极金属和源极金属形成。具体而言，在元件基板10的制造中应用以往的方法制作Cs部40的情况下，如图8的(b)所示，由夹着栅极绝缘膜14设置的金属层13(第一金属层)和金属层16(第二金属层)形成Cs部40。因此，底部发光型的EL显示面板与顶部发光型的EL显示面板相比，开口率不利。
对此，根据本实施方式，如上所述在作为栅极金属的金属层13的下方设置透明导电层12，使栅极电极21、31和栅极线61为透明导电层12和金属层13的叠层构造，另一方面，通过半色调处理，由上述透明导电层12形成Cs部40的下部电极41，通过将氧化物半导体层15的一部分还原，形成Cs部40的上部电极42。
因此，根据本实施方式，Cs部40的下部电极41和上部电极42均由透明电极形成，由此，光透过Cs部40。因此，根据本实施方式，能够将上述Cs部40的上部电极42用作发光部的像素电极。因此，根据本实施方式，如图8的(a)所示，在上述上部电极42上形成有机EL层52和对置电极53，由此，在Cs部40上也能够形成发光部。因此，即使采用底部发光也能够提高开口率。
而且，根据本实施方式，如上所述，利用由与栅极电极21、31同时形成的透明导电层12形成的透明电极、和将与TFT 20、30的半导体层图案同时形成的氧化物半导体层15的图案还原而形成的透明电极，形成Cs部40的下部电极41和上部电极42，由此，与以往相比，工序数量和掩模个数均能够削減，并且即使采用底部发光也能够提高开口率。
另外，如上所述使用氧化物半导体的TFT，与使用a-Si的TFT相比，导通状态时的电流量(即，电子迁移率)高。
虽然图示省略，但是，具体而言，使用a-Si的TFT的TFT-on时(根据导通电压的电压值成为导通状态的期间)的Id电流(TFT的源极-漏极间的电流量)为1μA，而使用氧化物半导体的TFT的TFT-on时的Id电流为20～50μA左右。
由此可知，使用氧化物半导体的TFT与使用a-Si的TFT相比，导通状态时的电子迁移率高20～50倍左右，导通特性非常优异。
另外，虽然图示省略，但是，使用氧化物半导体的TFT与使用a-Si的TFT或使用LTPS(Low Temperature Poly Silicon：低温多晶硅)的TFT相比，截止状态时的电流(即，泄露电流)小。具体而言，使用a-Si的TFT的TFT-off时(根据导通电压的电压值成为截止状态的期间)的Id电流为10pA，而使用氧化物半导体的TFT的TFT-off时的Id电流为0.1pA左右。
由此可知，使用氧化物半导体的TFT，截止状态时的泄漏电流为使用a-Si的TFT的百分之一左右，几乎不产生泄漏电流，截止特性非常优异。
本实施方式的有机EL显示面板1，在各像素2采用了使用氧化物半导体的TFT 20、30，该TFT 20、30如已经说明的那样，导通特性非常优异，因此，能够使各像素2的TFT 20、30的尺寸小型化。
[实施方式2]
根据图9的(a)～(d)至图11的(a)～(d)对本实施方式进行说明如下。
此外，在本实施方式中，主要对与实施方式1的不同点进行说明，对于与在实施方式1中使用的构成要素具有相同功能的构成要素标注相同的编号，省略其说明。
图9的(a)是表示本实施方式的元件基板10中的一个像素的概略结构的平面图，图9的(b)是图9的(a)所示的元件基板10的A2-A2线方向看的截面图，图9的(c)是图9的(a)所示的元件基板10的B2-B2线方向看的截面图，图9的(d)是图9的(a)所示的元件基板10的C2-C2线方向看的截面图。此外，在图9的(a)中，也与图1的(a)同样，为了图示的方便，省略了一部分的构成要素的图示。
本实施方式的有机EL显示装置100和有机EL显示面板1，如图9的(a)～(d)所示，元件基板10的TFT 20、30的栅极电极21、31和Cs部40的下部电极41由金属层13(栅极金属)形成，在Cs部40上没有设置有机EL层52和对置电极53，除此以外，与实施方式1的有机EL显示装置100和有机EL显示面板1相同。
＜有机EL显示面板1的制造方法＞
以下，参照图10的(a)～(e)和图11的(a)～(d)对本实施方式的有机EL显示面板1的制造方法进行说明。但是，在以下的说明中，各构成要素的厚度和材料等只不过是一个实施方式，不应当由此限定解释发明的范围。
图10的(a)～(e)和图11的(a)～(d)是将图9的(a)所示的A2-A2线方向看的截面、B2-B2线方向看的截面和C2-C2方向看的截面的元件基板10的制造方法的一个例子按工序顺序表示的截面图。此外，图9的(a)所示的A2-A2线方向看的截面、B2-B2线方向看的截面和C2-C2方向看的截面分别与图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面对应。
(栅极电极21、31和Cs部40的下部电极41的形成工序)
首先，如图10的(a)所示，在玻璃基板等绝缘基板11上，整面状地层叠金属层13(栅极金属层、第一金属层)。
在本实施方式中，作为金属层13，将TaN和W依次沉积W(上层)/TaN(下层)＝370/50nm的厚度。
接着，在金属层13上层叠未图示的光致抗蚀剂，使用未图示的第一光掩模利用光刻法和干式蚀刻法将上述金属层13图案化，由此，如图10的(b)所示，形成由上述金属层13形成的电极图案。此外，金属层13的图案化能够使用与实施方式1中的金属层13的图案化所使用的干式蚀刻装置同样的干式蚀刻装置。
像素区域的图案化后的金属层13与实施方式1同样用作栅极电极21、31和栅极线61。
另一方面，Cs区域的图案化后的金属层13用作Cs部40的下部电极41(Cs部40的第一电极)。
以下，图10的(c)～(e)和图11的(a)～(d)所示的工序，除了栅极电极21、31和栅极线61由金属层13的单层构造形成，Cs部40的下部电极41由图案化后的金属层13形成以外，与实施方式1中图5的(b)～(d)和图6的(a)～(d)所示的工序相同。因此，在此，省略其说明。
＜效果＞
根据本实施方式，由栅极金属形成Cs部40的下部电极41，由此，光不透过Cs部40，因此，如图9的(b)、(d)所示，在Cs部40没有设置发光部。换言之，在Cs部40的上部电极42上没有设置有机EL层52和对置电极53。因此，不能像实施方式1那样使开口率比以往提高，开口率本身与以往相同。
但是，在本实施方式中，也与实施方式1同样，将形成在栅极绝缘膜14上的氧化物半导体层15图案化而形成与TFT 20、30的半导体层22、32、有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42对应的图案，并且，以保护膜17作为掩模，利用氢等离子体等将氧化物半导体层15的一部分还原，由此，能够利用1个光掩模形成与TFT20、30的半导体层22、32、有机EL元件50的像素电极51和Cs部40的上部电极42对应的图案。
因此，在本实施方式中，像素电极的形成也不需要以往那样的ITO层，能够利用1个光掩模同时形成TFT 20、30的半导体层的图案和像素电极51的图案，因此，能够削减1个光掩模。
另外，根据本实施方式，如上所述将氧化物半导体层15的一部分还原而使其导体化作为透明电极(即，上述像素电极51和上部电极42)使用，由此，能够削减工序数量。
另外，根据本实施方式，没有使用半色调处理，由此，与实施方式1相比，能够使元件基板10、进而有机EL显示面板1和有机EL显示装置100的制造工序简化。
[实施方式3]
根据图12的(a)～(d)至图16的(a)、(b)对本实施方式进行说明如下。
此外，在本实施方式中，主要对与实施方式1的不同点进行说明，对于与在实施方式1中使用的构成要素具有相同功能的构成要素标注相同的编号，省略其说明。
图12的(a)是表示本实施方式的元件基板10中的一个像素的概略结构的平面图，图12的(b)是图12的(a)所示的元件基板10的A3-A3线方向看的截面图，图12的(c)是图12的(a)所示的元件基板10的B3-B3线方向看的截面图，图12的(d)是图12的(a)所示的元件基板10的C3-C3线方向看的截面图。此外，在图12的(a)中，也与图1的(a)同样，为了图示的方便，省略了一部分的构成要素的图示。
在本实施方式1中，列举TFT 20、30各自具有在栅极绝缘膜14上隔着半导体层22、32设置有源极电极23、33和漏极电极24、34的顶部接触构造的情况为例进行了说明。
本实施方式的有机EL显示装置100和有机EL显示面板1，如图12的(a)、(b)、(d)所示，TFT 20、30具有在栅极绝缘膜14上以覆盖源极电极23、33和漏极电极24、34的方式设置有半导体层22、32的底部接触构造，由此，有机EL元件50的像素电极51与TFT 30的源极电极33的侧面接触，除此以外，与实施方式1的有机EL显示装置100和有机EL显示面板1相同。
＜有机EL显示面板1的制造方法＞
以下，参照图13的(a)～(e)至图15的(a)～(d)对本实施方式的有机EL显示面板1的制造方法进行说明。此外，在以下的说明中，各构成要素的厚度和材料等只不过是一个实施方式，不应当由此限定解释发明的范围。
图13的(a)～(e)至图15的(a)～(d)是将图12的(a)所示的A3-A3线方向看的截面、B3-B3线方向看的截面和C3-C3方向看的截面的元件基板10的制造方法的一个例子按工序顺序表示的截面图。此外，图12的(a)所示的A3-A3线方向看的截面、B3-B3线方向看的截面和C3-C3方向看的截面，分别与图1的(a)所示的A1-A1线方向看的截面、B1-B1线方向看的截面和C1-C1方向看的截面对应。
(源极电极33和漏极电极34的形成工序)
在本实施方式中，图13的(a)～(e)和图14的(a)、(b)所示的工序与图4的(a)～(e)和图5的(a)、(b)所示的工序相同。因此，在此，省略其说明。
在本实施方式中，如图14的(b)所示，在层叠栅极绝缘膜14后，在上述栅极绝缘膜14上以覆盖上述TFT 20、30的栅极电极21、31的方式沉积金属层16后，利用使用未图示的第三光掩模的光刻法和干式蚀刻，如图14的(c)所示，将上述金属层16加工为期望的图案。由此，形成由上述金属层16形成的、源极电极23、33、漏极电极24、34、源极线62和驱动电源线63，并且将源极电极23和Cs部40的下部电极41通过开口部14a连接。
此外，在本实施方式中，作为上述源极金属层，也与实施方式1同样利用溅射装置将Ti、Al、Ti依次沉积50nm、200nm、100nm的厚度，由此形成具有Ti/Al/Ti的三层构造的、源极电极23、33、漏极电极24、34、源极线62、和驱动电源线63。
(氧化物半导体层15的形成工序)
接着，在上述栅极绝缘膜14上以覆盖上述金属层16的方式沉积氧化物半导体层15。此外，在本实施方式中，作为氧化物半导体层15也与实施方式1同样利用溅射装置使a-InGaZnOx层沉积50nm的厚度。
然后，如图14的(d)所示，在上述氧化物半导体层15上，层叠未图示的光致抗蚀剂，利用使用未图示的第四光掩模的光刻法和湿式蚀刻，将氧化物半导体层15加工为期望的图案。具体而言，对氧化物半导体层15进行图案化，使得与有机EL元件50的像素电极图案、TFT20、30的半导体图案和Cs部40的上部电极图案对应。由此，形成在栅极绝缘膜14上以覆盖源极电极23和漏极电极24的方式设置有氧化物半导体层15的TFT 20。
此外，此时，在本实施方式中，也将有机EL元件50的像素电极图案形成为TFT 30的半导体图案的延伸部。
(保护膜17的形成工序)
然后，在基板整个面上沉积保护膜17后，使用第五光掩模，如图15的(a)所示，在该保护膜17形成开口部17a、17b。此时，在本实施方式中，将保护膜17的开口部17a形成为在俯视时该开口部17a的端部位于源极电极33的端部上。由此，使有机EL元件50的像素电极形成区域和Cs部40的上部电极形成区域的氧化物半导体层15的表面露出。
此外，在本实施方式中，作为保护膜17，也与实施方式1同样，以200nm的厚度沉积SiO2膜。
(氧化物半导体层15的还原工序)
接着，如图15的(b)所示，隔着保护膜17对没有被保护膜17覆盖的氧化物半导体层15进行还原。由此，得到作为被还原后的氧化物半导体层15的还原氧化物半导体层15’。
由此，在本实施方式中，也形成与由氧化物半导体层15形成的半导体层32形成为一体的像素电极51，并且形成例如源极电极33直接与像素电极51连接的TFT 30。
另外，同时形成由还原氧化物半导体层15’形成的上部电极42，并且形成由透明导电层12形成的下部电极41隔着栅极绝缘膜14与上述上部电极42重叠的Cs部40。
以下，图15的(c)、(d)所示的工序本身与图6的(c)、(d)所示的工序相同。因此，对于图15的(c)、(d)所示的工序，省略其说明。
＜效果＞
根据以上的工序，可制作出TFT 20、30具有在栅极绝缘膜14上以覆盖源极电极23、33和漏极电极24、34的方式设置有氧化物半导体层15的底部接触构造，有机EL元件50的像素电极51与源极电极33的侧面接触地设置的有机EL显示面板1。
此外，根据上述说明以及图12的(a)～(d)至图15的(a)～(d)可知，在本实施方式中，也能够利用1个光掩模同时形成TFT 20、30的半导体层的图案和像素电极51的图案，并且将氧化物半导体层15的一部分还原而使其导体化作为透明电极使用，由此能够得到与实施方式1相同的效果，这是不言而喻的。
以下，使用比较图对本实施方式特有的效果进一步进行说明。
图16的(a)是本实施方式的元件基板10的A3-A3线方向看的截面图，图16的(b)是实施方式1的元件基板10的A1-A1线方向看的截面图。此外，以下，参照图16的(a)、(b)所示的、元件基板10的A3-A3线方向看的截面和A1-A1线方向看的截面进行说明，但是相同的说明也可以适用于元件基板10的C3-C3线方向看的截面和C1-C1线方向看的截面图，这是不言而喻的。
在如实施方式1所示TFT 20、30具有顶部接触构造的情况下，如在图16的(b)中由两点划线包围表示的那样，在还原时位于金属层16(源极金属)下方的区域，成为金属层16的阴影而有可能不被充分地还原。在万一未被充分地还原的情况下，像素电极51有可能不与属层16充分地接触。同样，在C1-C1线方向看的截面中，Cs部40的上部电极42有可能不与金属层16充分地接触。
但是，根据本实施方式，如在图16的(a)中列举A3-A3线方向看的截面为例由两点划线包围表示的那样，有机EL元件50的像素电极51与源极电极33的侧面接触，由此，能够使这些氧化物半导体层15的还原区域(即，被还原后的氧化物半导体层15’)与源极电极33充分并且可靠地接触。
[变形例]
以下，对实施方式1～3的变形例进行说明。
＜关于氧化物半导体层15的图案化的变形例＞
此外，在上述实施方式1～3中，列举将有机EL元件50的像素电极图案形成为TFT 30的半导体图案的延伸部的情况为例进行了说明。
但是，有机EL元件50的像素电极图案并不一定需要与TFT 30的半导体图案形成为一体。
图17是表示图1的(a)所示的元件基板10的A1-A1线方向看的截面的另一个例子的截面图。
在图17中表示了有机EL元件50的像素电极图案与TFT 30的半导体图案分离形成的例子。
在这样将有机EL元件50的像素电极图案与TFT 30的半导体图案分离形成的情况下，通过在TFT 30的半导体图案上进行图案形成，使得源极电极33和漏极电极34中的任一个电极(例如源极电极34)与有机EL元件50的像素电极图案的上表面端部接触，也能够得到与实施方式1相同的效果。
＜关于氧化物半导体层15的还原方法的变形例＞
在实施方式1～3中，列举在氧化物半导体层15的还原中使用氢等离子体处理的情况为例进行了说明，但是，作为氧化物半导体层15的还原方法并不限定于此。除了氢等离子体处理以外，也能够使用例如对氧化物半导体层15掺杂氢离子或者硼离子的方法。
＜关于EL元件的变形例＞
在实施方式1～3中，作为EL元件列举有机EL元件为例进行了说明。
但是，有机EL元件和无机EL元件仅材料不同，作为上述元件基板10，可以为代替有机EL元件50而设置无机EL元件的无机EL基板(无机EL元件基板)，这是不言而喻的。即，实施方式1～3的EL基板、EL显示面板、EL显示装置可以为无机EL基板、无机EL显示面板、无机EL显示装置。
[总结]
本发明的一个方式的电致发光基板，如上所述具有如下结构：在栅极绝缘膜上设置有晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极，在上述半导体层、上述下部电极和上述上部电极的上层设置有保护层，上述保护层具有使上述下部电极和上述上部电极露出的开口部，上述半导体层为氧化物半导体层，上述下部电极和上述上部电极为将形成在上述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。
更具体而言，上述电致发光基板具备：在形成在半导体基板上的栅极电极上，具有隔着栅极绝缘膜设置的半导体层的晶体管；设置在上述栅极绝缘膜上，在作为下部电极的第一电极上隔着发光层设置有作为上部电极的第二电极的电致发光元件；和在作为下部电极的第一电容电极上隔着上述栅极绝缘膜设置有作为上部电极的第二电容电极的电容器部，在上述半导体层、上述第一电极和上述第二电容电极的上层设置有保护层，上述保护层具有使上述第一电极和上述第二电容电极露出的开口部，上述半导体层为氧化物半导体层，上述第一电极和上述第二电容电极为将形成在上述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。
上述晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极均设置在栅极绝缘膜上，并且，均由氧化物半导体层形成。因此，通过对上述氧化物半导体层进行图案化，能够使用1个光掩模同时进行图案化，通过以上述保护膜作为掩模对与上述电致发光元件的下部电极和上述电容器部的上部电极对应的部分的图案进行还原，能够形成由上述氧化物半导体层的还原电极形成的、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极。
氧化物半导体层通过进行还原而被导体化。另外，被还原后的氧化物半导体层是透明的，不吸收可见光区域波长，因此，这样得到的电致发光元件的下部电极能够作为底部发光用的发光部的电极使用。
因此，根据上述的结构，即使在上述电致发光基板为底部发光型的情况下，作为电致发光元件中的透明电极也不需要以往那样的ITO层，能够利用1个光掩模同时形成晶体管的半导体层的图案、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极，因此，与以往相比，能够削减1个光掩模。
另外，根据上述的结构，如上所述将氧化物半导体层的一部分还原而使其导体化作为透明电极使用，由此能够削减制造所需要的工序数量。
即，本发明的一个方式的电致发光基板的制造方法包括：在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序；将上述氧化物半导体层图案化为与晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极对应的图案的工序；在上述氧化物半导体层的图案的上层形成具有使与上述下部电极和上述上部电极对应的部分的图案露出的开口部的保护膜的工序；和以上述保护膜作为掩模，将上述氧化物半导体层的图案中的、与上述电致发光元件的下部电极和上述电容器部的上部电极对应的部分的图案还原，形成由上述氧化物半导体层的还原电极形成的上述电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极的工序。
因此，根据本发明的一个方式，能够提供即使在如上所述采用底部发光型的情况下，与以往相比也能够削减制造所需要的工序数量和掩模个数的电致发光基板及其制造方法。
另外，在上述电致发光基板中，优选：上述晶体管的栅极电极具备透明导电层和金属层，上述栅极电极的透明导电层和电容器部的下部电极由同一材料形成在同一平面上。
根据上述的结构，能够使用同一掩模同时对上述晶体管的栅极电极和上述电容器部的下部电极进行图案化。
而且，根据上述的结构，上述电容器部的下部电极和上部电极均由透明电极形成，由此，光透过电容器部。因此，根据上述的结构，能够将上述电容器部的上部电极作为发光部的像素电极使用。因此，通过在上述电容器部的上部电极上形成发光层和隔着该发光层与上述电容器部的上部电极相对的电极，能够在电容器部上也形成发光部。因此，根据上述的结构，与以往相比工序数量和掩模个数均能够削減，并且即使采用底部发光也能够提高开口率。
另外，为此，优选上述电致发光基板的制造方法，在上述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括：在基板上依次层叠透明导电层和金属层的工序；在上述金属层上形成光致抗蚀剂，进行半色调曝光，在晶体管的栅极电极的形成区域和电容器部的下部电极的形成区域，形成晶体管的栅极电极的形成区域的厚度比电容器部的下部电极的形成区域的厚度大的光致抗蚀剂的图案后，进行灰化和蚀刻，由此，形成由上述透明导电层和金属电极层形成的栅极电极，并且，形成由上述透明导电层形成的、电容器部的下部电极的工序；和在上述基板上，以覆盖上述栅极电极和上述电容器部的下部电极的方式形成栅极绝缘膜的工序。
由此，能够使用同一掩模同时对上述晶体管的栅极电极和上述电容器部的下部电极进行图案化。
另外，优选上述电致发光基板在上述电容器部的上部电极上隔着发光层设置有由与上述电致发光元件的上部电极相同的材料形成的电极。
为此，优选上述电致发光基板的制造方法还包括：在上述电致发光元件的下部电极和上述电容器部的上部电极上形成发光层的工序；和在上述发光层上层叠透明导电膜，将该透明导电膜图案化，由此，作为上述电致发光元件的上部电极，形成隔着上述发光层与上述电致发光元件的下部电极相对的电极图案，并且形成隔着上述发光层与上述电容器部的上部电极相对的电极图案的工序。
由此，能够在上述电容器部上也使用与上述电致发光元件相同的材料同时形成发光部，因此，与以往相比工序数量和掩模个数均能够削減，并且即使采用底部发光也能够提高开口率。
另外，上述电致发光基板中，上述晶体管的栅极电极和上述电容器部的下部电极可以由在同一平面上由同一材料形成的金属层形成。
即，上述电致发光基板的制造方法，可以在上述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括：在基板上形成金属层的工序；将上述金属层图案化为与晶体管的栅极电极和电容器部的下部电极对应的图案的工序；和在上述基板上，以覆盖上述栅极电极和上述电容器部的下部电极的方式形成栅极绝缘膜的工序。
在该情况下，如上所述光不透过上述电容器部，因此，不能在上述电容器部上设置发光部，但是，在该情况下，如上所述，即使在采用底部发光型的情况下，也能够提供与以往相比能够削减制造所需要的工序数量和掩模个数的电致发光基板及其制造方法。
另外，在该情况下，如上所述不需要半色调处理，因此，能够使上述电致发光基板的制造工序更简化。
另外，在上述电致发光基板中，优选上述电致发光元件的下部电极和与上述电致发光元件连接的晶体管的半导体层形成为一体。
由此，能够容易地确保上述电致发光元件的下部电极和与上述晶体管的半导体层接触地设置的源极电极以及漏极电极的电连接。
另外，上述电致发光基板中，优选：上述晶体管具有在上述半导体层上设置有源极电极和漏极电极的顶部接触构造，与上述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极，与上述电致发光元件的下部电极的上表面端部接触。
在该情况下，上述电致发光基板的制造方法优选：在将上述氧化物半导体层图案化的工序中，将与上述电致发光元件的下部电极对应的图案，和与上述电致发光元件连接的晶体管的半导体层所对应的图案形成为一体，并且，在形成上述保护膜的工序前，包括：以覆盖上述氧化物半导体层的图案中的、与上述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案的端部的方式，形成与上述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极的工序。
由此，不需要特别的设计，仅通过对从上述保护膜露出的与电致发光元件的下部电极对应的图案进行还原，就能够得到与上述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极与上述电致发光元件的下部电极的上表面端部接触的结构。
因此，根据上述的结构以及方法，能够容易地确保上述电致发光元件的下部电极和与上述电致发光元件所连接的晶体管的半导体层接触地设置的源极电极以及漏极电极的电连接。
另外，上述电致发光基板的制造方法，可以在形成上述保护膜的工序前，包括：在上述氧化物半导体层的图案中的、与上述晶体管的半导体层对应的图案上，对源极电极和漏极电极进行图案形成，使得该源极电极和漏极电极中的一个电极和与上述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案的上表面端部接触的工序。
通过这样设计，即使在将上述电致发光元件的下部电极和与电致发光元件连接的晶体管的半导体层所对应的图案分离形成的情况下，也能够容易地确保上述电致发光元件的下部电极和与上述电致发光元件所连接的晶体管的半导体层接触地设置的源极电极以及漏极电极的电连接。
另外，上述电致发光基板中，优选：上述晶体管具有在上述栅极绝缘膜上以覆盖源极电极和漏极电极的方式设置有上述半导体层的底部接触构造，上述电致发光元件的下部电极和与上述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极的侧面接触。
为此，优选上述电致发光基板的制造方法，在上述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括在上述栅极绝缘膜上对源极电极和漏极电极进行图案形成的工序，在上述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序中，以覆盖上述源极电极和漏极电极的方式在上述栅极绝缘膜上形成上述氧化物半导体层，在将上述氧化物半导体层图案化的工序中，将与上述电致发光元件的下部电极对应的图案，和与上述电致发光元件连接的晶体管的半导体层所对应的图案形成为一体，在形成上述保护膜的工序中，以在俯视时，上述保护膜的、使与上述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案露出的开口部的端部，位于上述源极电极和漏极电极中与上述电致发光元件的下部电极电连接的电极的端部上的方式，形成上述保护膜。
在该情况下，能够使上述氧化物半导体层的还原区域(即，被还原后的氧化物半导体层)与上述源极电极或者漏极电极充分并且可靠地接触。
另外，本发明的一个方式的电致发光显示面板以及电致发光显示装置，如以上所述具备本发明的一个方式的电致发光基板，由此，如上所述即使在采用底部发光型的情况下，与以往相比也能够削减制造所需要的工序数量和掩模个数。
本发明并不限于上述的各实施方式，在权利要求表示的范围内能够进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
产业上的可利用性
本发明能够利用于具备有机或者无机电致发光元件、电容器部、和与该电致发光元件以及电容器部分别电连接的晶体管的、电致发光基板、电致发光显示面板、以及电致发光显示装置、和它们的制造方法。
符号说明
1     有机EL显示面板(电致发光显示面板)
2     像素
10    元件基板(电致发光基板)
11    绝缘基板
12    透明导电层
13    金属层
14    栅极绝缘膜
15    氧化物半导体层
15’  还原氧化物半导体层
16    金属层
17    保护膜
17a、17b   开口部
18    导电层
20、30   TFT
21、31   栅极电极
21a、31a   透明导电层
21b、31b   金属层
22、32   半导体层
23、33   源极电极
24、34   漏极电极
40    Cs部(电容器部)
41    下部电极
42    上部电极
50    有机EL元件(电致发光元件)
51    像素电极(电致发光元件的下部电极)
52    有机EL层(发光层)
53    对置电极(电致发光元件的上部电极、电极)
61    栅极线
62    源极线
63    驱动电源线
70    对置基板
81    密封件
82    填充件
83    电配线端子
100   有机EL显示装置(电致发光装置)
101   像素部
102   电路部
103   连接端子
201a、201b   抗蚀剂图案
211   半导体层
212   像素电极

Claims (16)

1.一种电致发光基板，其特征在于：
在栅极绝缘膜上设置有晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极，
在所述半导体层、所述下部电极和所述上部电极的上层设置有保护层，
所述保护层具有使所述下部电极和所述上部电极露出的开口部，
所述半导体层为氧化物半导体层，
所述下部电极和所述上部电极为将在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。
2.如权利要求1所述的电致发光基板，其特征在于：
所述晶体管的栅极电极具备透明导电层和金属层，
所述栅极电极的透明导电层和电容器部的下部电极由同一材料形成在同一平面上。
3.如权利要求2所述的电致发光基板，其特征在于：
在所述电容器部的上部电极上，隔着发光层设置有由与所述电致发光元件的上部电极相同的材料形成的电极。
4.如权利要求1所述的电致发光基板，其特征在于：
所述晶体管的栅极电极和所述电容器部的下部电极由在同一平面上由同一材料形成的金属层形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：
所述电致发光元件的下部电极和与所述电致发光元件连接的晶体管的半导体层形成为一体。
6.如权利要求1～5中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：
所述晶体管具有在所述半导体层上设置有源极电极和漏极电极的顶部接触构造，与所述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极，与所述电致发光元件的下部电极的上表面端部接触。
7.如权利要求1～5中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：
所述晶体管具有在所述栅极绝缘膜上以覆盖源极电极和漏极电极的方式设置有所述半导体层的底部接触构造，所述电致发光元件的下部电极和与所述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极的侧面接触。
8.一种电致发光显示面板，其特征在于：
具备权利要求1～7中任一项所述的电致发光基板。
9.一种电致发光显示装置，其特征在于：
具备权利要求1～7中任一项所述的电致发光基板。
10.一种电致发光基板的制造方法，其特征在于，包括：
在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序；
将所述氧化物半导体层图案化为与晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极对应的图案的工序；
在所述氧化物半导体层的图案的上层形成具有使与所述下部电极和所述上部电极对应的部分的图案露出的开口部的保护膜的工序；和
以所述保护膜作为掩模，将所述氧化物半导体层的图案中的、与所述电致发光元件的下部电极和所述电容器部的上部电极对应的部分的图案还原，形成由所述氧化物半导体层的还原电极形成的所述电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极的工序。
11.如权利要求10所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括：
在基板上依次层叠透明导电层和金属层的工序；
在所述金属层上形成光致抗蚀剂，进行半色调曝光，在晶体管的栅极电极的形成区域和电容器部的下部电极的形成区域，形成晶体管的栅极电极的形成区域的厚度比电容器部的下部电极的形成区域的厚度大的光致抗蚀剂的图案后，进行灰化和蚀刻，由此，形成由所述透明导电层和金属电极层形成的栅极电极，并且，形成由所述透明导电层形成的、电容器部的下部电极的工序；和
在所述基板上，以覆盖所述栅极电极和所述电容器部的下部电极的方式形成栅极绝缘膜的工序。
12.如权利要求11所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述电致发光元件的下部电极和所述电容器部的上部电极上形成发光层的工序；和
在所述发光层上层叠透明导电膜，将该透明导电膜图案化，由此，作为所述电致发光元件的上部电极，形成隔着所述发光层与所述电致发光元件的下部电极相对的电极图案，并且形成隔着所述发光层与所述电容器部的上部电极相对的电极图案的工序。
13.如权利要求10所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括：
在基板上形成金属层的工序；
将所述金属层图案化为与晶体管的栅极电极和电容器部的下部电极对应的图案的工序；和
在所述基板上，以覆盖所述栅极电极和所述电容器部的下部电极的方式形成栅极绝缘膜的工序。
14.如权利要求10～13中任一项所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：
在将所述氧化物半导体层图案化的工序中，将与所述电致发光元件的下部电极对应的图案，和与所述电致发光元件连接的晶体管的半导体层所对应的图案形成为一体，并且，
在形成所述保护膜的工序前，包括：
以覆盖所述氧化物半导体层的图案中的、与所述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案的端部的方式，形成与所述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极的工序。
15.如权利要求10～13中任一项所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：
在形成所述保护膜的工序前，包括：
在所述氧化物半导体层的图案中的、与所述晶体管的半导体层对应的图案上，对源极电极和漏极电极进行图案形成，使得该源极电极和漏极电极中的一个电极和与所述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案的上表面端部接触的工序。
16.如权利要求10～13中任一项所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，
包括在所述栅极绝缘膜上对源极电极和漏极电极进行图案形成的工序，
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序中，以覆盖所述源极电极和漏极电极的方式在所述栅极绝缘膜上形成所述氧化物半导体层，
在将所述氧化物半导体层图案化的工序中，将与所述电致发光元件的下部电极对应的图案，和与所述电致发光元件连接的晶体管的半导体层所对应的图案形成为一体，
在形成所述保护膜的工序中，以在俯视时，所述保护膜的、使与所述电致发光元件的下部电极对应的部分的图案露出的开口部的端部，位于所述源极电极和漏极电极中与所述电致发光元件的下部电极电连接的电极的端部上的方式，形成所述保护膜。
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