CN113066819A - 电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 72
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
公开一种电致发光显示装置及其制造方法。根据本申请实施方式的电致发光显示装置可包括:划分为显示区域和非显示区域的基板;设置在非显示区域中的电源线,电源线用于提供被供应至显示区域的电力;设置在电源线上的第一绝缘膜,第一绝缘膜与电源线的一部分交叠并且具有暴露电源线的一部分的开口区域;和在开口区域中的覆盖第一绝缘膜和电源线的导电膜。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180057的优先权,为了所有目的通过参考将该专利申请结合在此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种电致发光显示装置及其制造方法,更具体地,涉及一种具有提高的可靠性的电致发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展,对于显示图像的显示装置的需求以各种形式逐渐增加,已开发了各种显示装置,比如液晶显示装置(LCD)和电致发光显示装置(ELD)。
电致发光显示装置(ELD)可包括具有量子点(QD)的量子点发光显示装置、无机发光显示装置和有机发光显示装置等。
这种电致发光显示装置可通过使用封装层防止异物和湿气渗透到发光器件。
然而,当在电致发光显示装置中的封装层中产生裂纹时,会出现湿气可能渗透的问题。
发明内容
本申请的发明人提供了一种能够抑制裂纹产生并且防止湿气渗透的电致发光显示装置及其制造方法。
本发明实施方式的一个方面是提供一种能够抑制在封装层中产生裂纹的电致发光显示装置及其制造方法。
本发明实施方式的另一个方面是提供一种能够解决由于配线或线路的侵蚀或电腐蚀导致的可靠性劣化问题的电致发光显示装置及其制造方法。
本发明的方面可不限于上述方面,所属领域技术人员将从下面的描述清楚地理解到未提到的其他方面。
根据本发明的一个方面,可提供一种电致发光显示装置,包括:划分为显示区域和非显示区域的基板;设置在所述非显示区域中的电源线,所述电源线用于提供被供应至所述显示区域的电力;设置在所述电源线上的第一绝缘膜,所述第一绝缘膜与所述电源线的一部分交叠并且具有暴露所述电源线的一部分的开口区域;和在所述开口区域中的覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
根据本发明的另一个方面,可提供一种制造电致发光显示装置的方法,包括:在划分为显示区域和非显示区域的基板上,在所述非显示区域上设置电源线,所述电源线用于提供被供应至所述显示区域的电力;在所述电源线的上部上设置第一绝缘膜,所述第一绝缘膜具有与所述电源线的一部分交叠并且暴露所述电源线的一部分的开口区域;和在所述开口区域中设置覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
根据基于本申请实施方式的电致发光显示装置及其制造方法,具有如下效果:提供一种能够改善由于配线或线路的侵蚀或电腐蚀导致的可靠性劣化问题的发光显示装置。
此外,具有防止湿气通过电致发光显示装置的外部部分进入的效果。
本申请的效果不限于上述效果,所属领域技术人员将从下面的描述清楚地理解到未提到的其他效果。
附图说明
将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本发明的上述和其他的方面、特征和优点,其中:
图1是图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的结构的结构图;
图2是图解根据本发明实施方式的像素的电路图;
图3是图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的剖面的剖面图;
图4是图解电致发光显示装置的外围的平面图;
图5是图解图4中所示的外部部分的放大部分的平面图;
图6是示出图5的切割线I-I’的剖面的剖面图;
图7是示出图6的局部放大剖面的剖面图;
图8是图解根据本发明的电致发光显示装置的外部部分的一部分的平面图;
图9是图解在根据本发明的电致发光显示装置中,图8的切割线II-II’的剖面的剖面图;
图10是图解在根据本发明的电致发光显示装置中,图8的切割线III-III’的剖面的剖面图;
图11是实现根据本发明的制造电致发光显示装置的方法的流程图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的本发明的实施方式,本发明的优点和特征以及其实现方法将是显而易见的。然而,本发明不限于下面阐述的实施方式,而是可以以各种不同形式实现。提供下面的实施方式仅是为了完整地公开本发明并且告知所属领域技术人员本发明的范围,本发明的仅由所附权利要求书的范围限定。
此外,为了描述本发明的示例性实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例,本发明不限于此。在整个申请中,相似的参考标记通常指代相似的元件。此外,在本发明下面的描述中,当确定对本文涉及的公知功能和构造的详细描述反而会使本发明一些实施方式中的主题不清楚时,将省略该描述。在此使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”之类的术语一般旨在允许添加其他部件,除非这些术语使用了术语“仅”。
在解释本发明实施方式的任何元件或特征时,即使没有具体描述,也应当认为层、面积和区域的任何尺度和相对尺寸包括公差或误差范围。
在此可使用诸如“在…上”、“在…之上”、“在…上方”、“在…下方”、“在…下”、“在…之下”、“下部”、“上部”、“接近”、“靠近”、“相邻”等之类的空间相对术语来描述图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系,其应当解释为可在这些元件之间进一步“插入”一个或多个元件,除非使用了诸如“直接”、“仅”之类的术语。
本文用来描述事件、操作等之间的时间关系的诸如“在…之后”、“随后”、“接着”、“在…之前”等之类的时间相对术语一般旨在包括不是连续发生的事件、情况、情形、操作等,除非使用了诸如“直接”、“紧接”等之类的术语。
在描述信号的流动关系的情况下,例如,术语“信号从节点A传输至节点B也可解释为包括其中信号从节点A经由另一节点传输至节点B的情况,除非使用了术语“正好”或“直接”。
当本文使用诸如“第一”、“第二”等之类的术语描述各种元件或部件时,应当认为这些元件或部件不受此限制。在此使用这些术语仅用于将一元件与其他元件区分开。因此,在本发明的技术构思内,下面提到的第一元件可以是第二元件。
如所属领域普通技术人员能够完全理解的,本发明各示例性实施方式的元件或特征可彼此部分或整体地结合或组合,并且可以以各种技术方式互锁和操作,并且各个示例性实施方式可彼此独立实施或者相关地实施。
图1是图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的结构的结构图。
参照图1,电致发光显示装置100可包括显示面板110、数据驱动器120、栅极驱动器130和时序控制器140。
显示面板110可包括沿第一方向延伸的多条数据线DL1至DLm、以及沿第二方向延伸的多条栅极线GL1至GLn。在此,第一方向和第二方向可正交,但不限于此。
此外,显示面板110可包括多个像素(P)101。多个像素101连接至多条数据线DL1至DLm和多条栅极线GL1至GLn,并且一个像素101可通过响应于经由连接的栅极线传输的栅极信号接收经由连接的数据线传输的数据信号来操作。
数据驱动器120可连接至多条数据线DL1至DLm并且可通过多条数据线DL1至DLm向多个像素提供数据信号。数据驱动器120可包括多个源极驱动器。多个源极驱动器的每一个可实现为集成电路。由数据驱动器120传输的数据信号可施加至像素。
栅极驱动器130连接至多条栅极线GL1至GLn并且可向多条栅极线GL1至GLn提供栅极信号。通过栅极线接收栅极信号的像素101可接收数据信号。
尽管栅极驱动器130被示出为设置在显示面板110的外部,但栅极驱动器130可不限于此,栅极驱动器130可包括设置在显示面板110中的栅极信号发生器。此外,栅极驱动器130可由多个集成电路实现。
此外,尽管栅极驱动器130被示出为设置在显示面板110的一侧,但栅极驱动器130不限于此,栅极驱动器130可设置在显示面板110的两侧。设置在左侧的栅极驱动器可连接至奇数栅极线,设置在显示面板110的右侧的栅极驱动器可连接至偶数栅极线。
时序控制器140可控制数据驱动器120和栅极驱动器130。时序控制器140可向数据驱动器120提供数据控制信号并且向栅极驱动器130提供栅极控制信号。数据控制信号或栅极控制信号可包括时钟、垂直同步信号、水平同步信号和起始脉冲。然而,从时序控制器140输出的信号不限于此。
此外,时序控制器140可向数据驱动器120提供视频信号。数据驱动器120可通过从时序控制器140接收的视频信号和数据控制信号产生数据信号,并且将数据信号提供至多条数据线。
图2是图解根据本发明实施方式的像素的电路图。
参照图2,像素101可包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、存储电容器Cst和发光元件LED。
第一晶体管M1的第一电极可连接至第一节点N1,第一节点N1连接至传输第一电力EVDD的第一电源线VL1,并且第二电极可连接至第二节点N2。第一晶体管M1的栅极电极可连接至第三节点N3。第一晶体管M1可响应于施加至栅极电极的电压,利用提供至第一节点N1的第一电力EVDD使驱动电流流到第二电极。
第二晶体管M2的第一电极可连接至传送数据电压Vdata的数据线DL,并且第二电极可连接至第三节点N3。此外,第二晶体管M2的栅极电极可连接至提供栅极信号GATE的栅极线GL。第二晶体管M2可接收栅极信号并且将传送至数据线DL的数据电压Vdata提供至第一晶体管M1的栅极电极。可从图1中所示的栅极驱动器130提供栅极信号。
第三晶体管M3的第一电极可连接至传送基准电压Vref的基准电压线VL2,并且第二电极可连接至第二节点N2。此外,第三晶体管M3的栅极电极可连接至感测线SSL。第三晶体管M3可接收感测信号SENSE并且将传送至基准电压线VL2的基准电压Vref施加至第一晶体管M1的第二电极。第二节点N2可被基准电压Vref初始化。可从图1中所示的栅极驱动器130提供感测信号SENSE。此外,可从图1中所示的数据驱动器120提供数据信号。
第四晶体管M4的第一电极可连接至用于传输第一电力EVDD的第一电源线VL1,第二电极可连接至第一节点N1。此外,第四晶体管M4的栅极电极可连接至用于提供发光信号ems的发光线EML。第四晶体管M4可接收发光信号ems并且向第一节点N1提供传输给第一电源线的第一电力EVDD。发光信号可从图1所示的栅极驱动器130提供。
存储电容器Cst的第一电极可连接至第三节点N3,并且第二电极可连接至第二节点N2。就是说,存储电容器Cst可设置在第一晶体管M1的栅极电极与第一晶体管M1的第二电极之间,使得可保持第一晶体管M1的栅极电极与第一晶体管M1的第二电极之间的电压差。
发光元件LED的阳极电极可连接至第二节点N2,并且阴极电极可连接至第二电力EVSS。第二电力EVSS的电压电平可低于第一电力EVDD的电压电平。发光元件LED可响应于从阳极电极流到阴极电极的电流而发光。发光元件LED可包括利用在阳极电极与阴极电极之间流动的电流发光的发光层。发光层可以是有机材料、无机材料和量子点材料中的至少之一。
在如上所述配置的像素101中,第一晶体管M1至第四晶体管M4可以是N型晶体管,第一晶体管M1至第四晶体管M4也可以是P型晶体管。然而,不限于此。此外,第一晶体管M1至第四晶体管M4的第一电极和第二电极可分别是漏极电极和源极电极。然而,不限于此。
图3是图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的剖面的剖面图。
参照图3,多重缓冲层(multi-buffer layer)1111可形成在电致发光显示装置100的基板111上,并且有源缓冲层1112可形成在多重缓冲层1111上。多重缓冲层1111和有源缓冲层1112可统称为缓冲层。基板111可包括聚酰亚胺(PI)。基板111可由柔性材料制成。在此,柔性可指基板111能够折叠或弯曲。
有源层1121可被图案化并设置在有源缓冲层1112上。多重缓冲层1111和有源缓冲层1112可防止基板111中存在的异物渗透到有源层1121中。多重缓冲层1111可包括多个无机膜,并且每个无机膜可包括二氧化硅(SiO2)和硅氮化物(SiNx)。此外,有源缓冲层1112可包括无机膜,并且无机膜可包括二氧化硅(SiO2)。
栅极绝缘膜1122可设置在有源层1121上。此外,可通过在栅极绝缘膜1122上沉积并图案化栅极金属来设置栅极电极1123。栅极绝缘膜1122可包括二氧化硅(SiO2)。可在栅极电极1123上设置依次堆叠的第一层间绝缘膜1124和第二层间绝缘膜1125。
第一层间绝缘膜1124可包括二氧化硅(SiO2)和硅氮化物(SiNx),并且第二层间绝缘膜1125可包括二氧化硅(SiO2)和硅氮化物(SiNx)。可在第二层间绝缘膜1125上图案化源极漏极金属,以形成漏极电极1126a和源极电极1126b。平坦化膜(或保护层)1127可设置在漏极电极1126a和源极电极1126b上。
此外,阳极电极1131可设置在平坦化膜1127上。此外,可在平坦化膜1127中形成接触孔,阳极电极1131可通过接触孔连接至源极电极1126b。在此,源极电极1126b被示出为连接至阳极电极1131,但不限于此。在P型晶体管的情况下,漏极电极可连接至阳极电极1131。平坦化膜1127可包括光学丙烯酸(PAC)。然而,不限于此。
此外,堤部1132可形成在平坦化膜1127上。堤部1132可覆盖阳极电极1131的外部部分(outer portion)。因此,阳极电极1131可不被堤部1132遮挡。阳极电极1131未被堤部1132覆盖的部分可被称为腔(cavity)。此外,发光膜1133可形成在该腔中。在此,发光膜1133被示出为一个膜,但不限于此,其可包括多个发光膜。阴极电极1134可形成在发光膜1133上。阴极电极1134可以是公共电极。发光膜1133可具有与发光层相同的含义。
封装层114可设置在阴极电极1134上。封装层114可包括第一无机膜1141、第二无机膜1143、以及设置在第一无机膜1141与第二无机膜1143之间的有机膜1142。有机膜1142可设置为比第一无机膜1141和第二无机膜1143厚。封装层114可防止异物渗透到发光膜1133。
可在基板111上形成双重堰部(double dam)1132a,以防止有机膜1142释放到外部,并且第一无机膜1141可覆盖堰部1132a的上部。此外,第二无机膜1143的一端可在堰部1132a处与第一无机膜1141相交。堰部1132a可包括与堤部1132相同的材料。然而,不限于此。
此外,可在堰部1132a内侧在堤部1132下方设置配线区域110c,在配线区域110c中设置有电源线320。堤部1132的一部分和电源线320可交叠。
图4是图解电致发光显示装置的外围的平面图,图5是图解图4中所示的外部部分的放大部分的平面图。图6是示出图5的切割线I-I’的剖面的剖面图,图7是示出图6的局部放大剖面的剖面图。
参照图4至图7,电致发光显示装置100可划分为显示区域110a和非显示区域110b。此外,电源线520和用于向电源线520传送电力的电源连线510可设置在非显示区域110b中。电源线520可包括与提供第一电力EVDD的第一电源线连接的第一电源供应线520a、与提供第二电力EVSS的阴极电极连接的第二电源供应线520b、以及与提供基准电压的基准电压线连接的基准电压供应线520c。第一电源线520a、第二电源线520b和基准电压供应线520c可彼此分隔开。
此外,电源连线510可分别连接至第一电源供应线520a、第二电源供应线520b和基准电压供应线520c。在电源连线510中,可设置有包括沿第一方向(A)和第二方向(B)交替延伸并且彼此交叉的两条配线的弯曲图案。此外,以设置电源连线510的虚线P1为基准的上部区域可以是弯曲区域。
电致发光显示装置100可在此弯曲区域中弯曲或折叠。即使电致发光显示装置100在弯曲区域中弯曲或折叠,也可通过弯曲图案抑制电源连线510的断开。
此外,在电致发光显示装置100中,其中设置有第一电供应源线520a、第二电源供应线520b和基准电压供应线520c的区域可被分别划分为第一区域501、第二区域502、第三区域503和第四区域504。在第一区域501和第三区域503中,在第一电源供应线520a、第二电源供应线520b和基准电压供应线520c上可不设置图3中所示的平坦化膜1127。此外,在第二区域502和第四区域504中,在第一电源供应线520a、第二电源供应线520b和基准电压供应线520c上可设置图3中所示的平坦化膜1127。由于平坦化膜1127具有湿气渗透特性,所以湿气可沿从弯曲区域到显示区域的方向通过平坦化膜1127传递。因此,当在第一区域501和第三区域503中不设置平坦化膜1127时,湿气不会通过第一区域501和第三区域503传送到显示区域。
此外,封装层602可设置在显示区域110a和非显示区域110b中。此外,第一电源供应线520a、第二电源供应线520b、基准电压供应线520c和电源连线510可至少部分地设置在非显示区域110b的图3中所示的配线区域110c中。
在非显示区域110b中,可设置有基板601和当在基板601上形成晶体管时设置的层间绝缘膜603。此外,电源线520可设置在层间绝缘膜603上。此外,封装层602可设置在电源线520上。如第一区域X中所示,由于电腐蚀,可发生封装层602被抬起而不与层间绝缘膜603接触的提拉(lift)现象。
图4图解了基板的显示区域110a和非显示区域110b的放大图。由于电泳,在显示区域110a与非显示区域110b之间的边界处可形成膜的间隙部分,并且湿气可渗透到膜的间隙部分中。此外,当电致发光显示装置100操作时,在显示区域110a中的渗入湿气的区域中不会发射光,使得可发生黑点401。
图7更详细地图解了湿气渗透的过程。电源线520例如可由钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层制成,并且在沉积电源线520之后可通过蚀刻工艺进行图案化来形成图3中所示的阳极电极1131。当形成阳极电极1131时,电源线520的铝(Al)可被蚀刻工艺侵蚀。
当铝(Al)被侵蚀时,在基板111上要形成电源线520的区域中会形成预定空白空间(empty space)710。由于空白空间710,在电源线520中会发生变形。此外,当在电源线520上设置封装层602时,由于空白空间710导致的电源线520的变形,在封装层602中会产生裂纹720。此外,形成在封装层620中的裂纹720可以是湿气渗透的路径。
图8是图解根据本发明的电致发光显示装置的外部部分的一部分的平面图,图9是图解在根据本发明的电致发光显示装置中,图8的切割线II-II’的剖面的剖面图。图10是图解在根据本发明的电致发光显示装置中,图8的切割线III-III’的剖面的剖面图。
参照图8至图10,用于提供被供应至显示区域的电力的电源线820可设置在非显示区域中的层间绝缘膜603上。此外,用于向电源线820传送电力的电源连线810可连接至电源线820。
电源线820可包括与提供第一电力EVDD的第一电源线连接的第一电源供应线820a、与提供第二电力EVSS的阴极电极连接的第二电源供应线820b、以及与提供基准电压的基准电压线连接的基准电压供应线820c。然而,不限于此。此外,第一电源供应线820a、第二电源供应线820b和基准电压供应线820c可彼此分隔开。
电源线820可包括三个交叠的金属层。电源线820例如可包括钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)。然而,不限于此。
此外,电源连线810可分别连接至第一电源供应线820a、第二电源供应线820b和基准电压供应线820c。电源连线810可具有包括沿第一方向(A)和第二方向(B)交替延伸以彼此交叉的两条配线的弯曲图案。此外,图8中设置电源连线810的虚线P1上方的区域可以是弯曲区域。
电致发光显示装置100可在设置有电源连线810的此弯曲区域中弯曲或折叠。即使电致发光显示装置100在弯曲区域中弯曲或折叠,也可通过弯曲图案抑制电源连线810的断开。
此外,第一绝缘膜811可设置在电源线820上。第一绝缘膜811可包括光学丙烯酸(PAC)。然而,不限于此。此外,第一绝缘膜811可以是图3中所示的平坦化膜1127。
此外,在电致发光显示装置100中,其中设置第一电源供应线820a、第二电源供应线820b和基准电压供应线820c的区域可被分别划分为第一区域801、第二区域802、第三区域803和第四区域804。在第一区域801和第三区域803中,在第一电源供应线820a、第二电源供应线820b和基准电压供应线820c上可不设置图3中所示的平坦化膜1127。此外,在第二区域802和第四区域804中,在第一电源供应线820a、第二电源供应线820b和基准电压供应线820c上可设置平坦化膜1127。第四区域804可比第一区域801更靠近显示区域。
此外,可在第一绝缘膜和电源线820上设置覆盖第一绝缘膜和电源线820的导电膜821。导电膜821可覆盖第一绝缘膜811和电源线820的倾斜表面。
此外,可在第一绝缘膜811中形成与电源线820的一部分交叠并且其中第一绝缘膜811不覆盖电源线820的开口区域。可通过开口区域防止湿气经由第一绝缘膜811传递。
导电膜821可具有其中三个金属层交叠的结构。导电膜821可包括透明电极/银/透明电极的三层结构。透明电极可包括氧化铟锡(ITO)。然而,不限于此。
当形成图4中所示的阳极电极1131时一起形成导电膜821。此外,导电膜821可包括与阳极电极1131相同的材料。然而,不限于此。导电膜821可防止当形成阳极电极1131时电源线820被侵蚀。特别是,导电膜821中包括的银具有比电源线820中包括的铝(Al)更弱的反应特性,因而可防止电源线820的侵蚀。
此外,铝(Al)易受电腐蚀影响,但是由于设置了包括耐电腐蚀的材料,比如银的导电膜821,所以可抑制电腐蚀的产生。因此,可防止由于电腐蚀导致的膜提拉现象。
导电膜821可形成在第一区域801和第二区域802中,可不形成在第三区域803和第四区域804中。
由于平坦化膜1127具有湿气渗透特性,所以湿气可沿从弯曲区域到显示区域的方向通过平坦化膜1127传递。因此,当在第一区域801和第三区域803中不设置平坦化膜1127时,湿气不会通过第一区域801和第三区域803传递到显示区域。
当湿气从电源连线810沿第四区域804的方向渗透时,第一绝缘膜811具有吸水特性,从而湿气可通过第一绝缘膜811传递至发光元件LED。然而,由于在第一区域801和第二区域802中设置有覆盖第一绝缘膜811的导电膜821,所以可防止湿气传递至发光元件LED。此外,由于在第二区域802上不设置第一绝缘膜811,所以不会发生湿气经由第一绝缘膜811的传递。因此,由于湿气不会穿过第二区域802,所以在第三区域803和第四区域804中可不设置导电膜821。
此外,可分别在导电膜821的一端和另一端设置第二绝缘膜831和832。一个第二绝缘膜831可设置在第一绝缘膜811上,另一个第二绝缘膜832可设置在层间绝缘膜603上。当形成图3中所示的堤部1132时可同时形成第二绝缘膜831和832。此外,第二绝缘膜831和832可包括与堤部1132相同的材料。此外,可通过第二绝缘膜831和832固定导电膜821。
此外,封装层814可设置在第二绝缘膜831和832上。由于导电膜821,不会发生电源线820的侵蚀,使得不会形成由于电源线820的侵蚀而导致的预定空间。因此,在封装层814中不会产生裂纹。
图11是实现根据本发明的制造电致发光显示装置的方法的流程图。
参照图11,在划分为显示区域和非显示区域的基板上,可在非显示区域上设置用于提供被供应至显示区域的电力的电源线(步骤S1100)。此外,当形成图3中所示的源极电极1126b和漏极电极1126a时可一起形成电源线。可通过交叠三个金属层形成电源线。电源线例如可以是钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层。
电源线可包括用于提供被供应至图2中所示的像素101的第一电力EVDD的第一电源供应线、用于提供第二电力的第二电源供应线、以及用于提供基准电压的基准电压供应线。然而,不限于此。此外,第一电源供应线、第二电源供应线和基准电压供应线可彼此分隔开。
此外,第一电源供应线、第二电源供应线和基准电压供应线可分别连接至电源连线。电源连线可包括弯曲图案。弯曲图案可包括沿第一方向(A)和第二方向(B)交替延伸并且彼此交叉的两条配线。然而,不限于此。
可在电源线的上部设置第一绝缘膜(步骤S1110),第一绝缘膜具有与电源线部分交叠的开口区域。第一绝缘膜可以是光学丙烯酸(PAC)。此外,第一绝缘膜可以是图4中所示的平坦化膜1127。电源线的一部分可暴露在开口区域中。平坦化膜1127具有吸湿特性,湿气可通过平坦化膜1127传递。然而,由于平坦化膜1127被开口区域切断,所以湿气不会通过切断的部分传递。
在开口区域中,可设置覆盖第一绝缘膜和电源线的导电膜(步骤S1120)。导电膜可通过覆盖暴露在开口区域中的电源线来保护电源线。当形成图3中所示的阳极电极1131时,由于电源线的一部分在蚀刻工艺期间可被侵蚀并因而可形成预定空间,所以在设置于电源线上的封装层中会产生裂纹。此外,湿气可通过裂纹渗透到显示区域中。
然而,当在电源线上设置导电膜时,可防止电源线在用于阳极电极1131的蚀刻工艺期间被侵蚀。因此,不会形成预定空间,从而不会在封装层中形成裂纹。
当形成图3中所示的阳极电极1131时可一起形成导电膜821。此外,导电膜821可由与阳极电极1131相同的材料制成。此外,导电膜可以是透明电极/银/透明电极的三层。
此外,可分别在导电膜821的一端和另一端上设置第二绝缘膜。当形成图4中所示的堤部1132时可一起形成第二绝缘膜。此外,第二绝缘膜可由与堤部1132相同的材料制成。可通过第二绝缘膜固定导电膜。
当形成图4中所示的阳极电极1131时可一起形成导电膜821。此外,导电膜821可包括与阳极电极1131相同的材料。然而,不限于此。导电膜821可防止当形成阳极电极1131时电源线820被侵蚀。特别是,导电膜821中包括的银比电源线中包括的铝(Al)反应性更弱,从而可防止电源线820的侵蚀。
此外,铝(Al)易受电腐蚀影响,但是由于设置了包括耐电腐蚀的材料,比如银的导电膜821,所以可防止由于电腐蚀导致的膜提拉现象。
此外,可设置封装层(步骤S1130)。封装层可包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜。有机膜的厚度可大于第一无机膜和第二无机膜的每一个的厚度。
根据本申请实施方式的电致发光显示装置可包括:划分为显示区域和非显示区域的基板;设置在所述非显示区域中的电源线,所述电源线用于提供被供应至所述显示区域的电力;设置在所述电源线上的第一绝缘膜,所述第一绝缘膜与所述电源线的一部分交叠并且具有暴露所述电源线的一部分的开口区域;和在所述开口区域中的覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
根据本申请实施方式的电致发光显示装置可进一步包括分别设置在所述导电膜的一端和另一端上的第二绝缘膜。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,所述电源线包括三个交叠的金属层。
根据本申请实施方式的电致发光显示装置可进一步包括设置在所述第二绝缘膜上的封装层。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,所述导电膜可覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的倾斜表面。
在所述显示区域中,根据本申请实施方式的电致发光显示装置可进一步包括:有源层;设置在所述有源层上的栅极绝缘膜;设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述有源层交叠的栅极电极;设置在上面设置有所述栅极电极的栅极绝缘膜上的层间绝缘膜;设置在所述层间绝缘膜上的源极电极,所述源极电极通过形成在所述层间绝缘膜中的第一接触孔与所述有源层接触;设置在所述层间绝缘膜上的漏极电极,所述漏极电极通过形成在所述层间绝缘膜中的第二接触孔与所述有源层接触;设置在上面设置有所述源极电极和所述漏极电极的层间绝缘膜上的保护层;设置在所述保护层上的阳极电极,所述阳极电极通过形成在所述保护层中的第三接触孔连接至所述源极电极;形成在上面设置有所述阳极电极的保护层上的堤部,所述堤部具有与所述阳极电极交叠的腔;设置在所述堤部中的发光层;设置在所述发光层上的阴极电极;和设置在所述阴极电极上的封装层。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,所述导电膜可包括与所述阳极电极相同的材料。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,所述导电膜可包括透明电极/银/透明电极的三层。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,所述第二绝缘膜可包括与所述堤部相同的材料。
在根据本申请实施方式的电致发光显示装置中,在所述非显示区域中可布置弯曲区域,并且在所述弯曲区域中可布置电源连线,所述电源连线包括连接所述显示区域和所述电源线的弯曲图案。
根据本申请实施方式的制造电致发光显示装置的方法可包括以下步骤:在划分为显示区域和非显示区域的基板上,在所述非显示区域上设置用于提供被供应至所述显示区域的电力的电源线;在所述电源线的上部上设置第一绝缘膜,所述第一绝缘膜具有与所述电源线的一部分交叠并且暴露所述电源线的一部分的开口区域;和在所述开口区域中设置覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
在根据本申请实施方式的制造电致发光显示装置的方法中,可在所述导电膜的一端和另一端上分别设置第二绝缘膜,可在所述阴极电极上设置堤部,并且所述堤部可与所述第二绝缘膜一起形成。
在根据本申请实施方式的制造电致发光显示装置的方法中,可在所述第二绝缘膜上设置封装层。
在根据本申请实施方式的制造电致发光显示装置的方法中,所述电源线可包括三个交叠的金属层。
在根据本申请实施方式的制造电致发光显示装置的方法中,所述导电膜可包括透明电极/银/透明电极的三层。
上面的描述和附图仅为了举例说明的目的提供了本发明的技术思想的示例。本发明所属技术领域的普通技术人员将理解到,在不背离本发明的实质特征的情况下,形式上的各种修改和变化,比如构造的组合、分离、替换和变化都是可能的。因此,本发明中公开的实施方式旨在说明本发明的技术思想的范围,本发明的范围不受实施方式限制。应当基于所附权利要求书以将本发明的范围解释为:权利要求书等同范围内包括的全部技术思想都属于本发明。
Claims (23)
1.一种电致发光显示装置,包括:
划分为显示区域和非显示区域的基板;
设置在所述非显示区域中的电源线,所述电源线用于提供被供应至所述显示区域的电力;
设置在所述电源线上的第一绝缘膜,所述第一绝缘膜与所述电源线的一部分交叠并且具有暴露所述电源线的一部分的开口区域;和
在所述开口区域中的覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括分别设置在所述导电膜的一端和另一端上的第二绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述电源线包括三个交叠的金属层。
4.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,还包括设置在所述第二绝缘膜上的封装层。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述导电膜覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的倾斜表面。
6.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,在所述显示区域中包括:
有源层;
设置在所述有源层上的栅极绝缘膜;
设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述有源层交叠的栅极电极;
设置在上面设置有所述栅极电极的栅极绝缘膜上的层间绝缘膜;
设置在所述层间绝缘膜上的源极电极,所述源极电极通过形成在所述层间绝缘膜中的第一接触孔与所述有源层接触;
设置在所述层间绝缘膜上的漏极电极,所述漏极电极通过形成在所述层间绝缘膜中的第二接触孔与所述有源层接触;
设置在上面设置有所述源极电极和所述漏极电极的层间绝缘膜上的保护层;
设置在所述保护层上的阳极电极,所述阳极电极通过形成在所述保护层中的第三接触孔连接至所述源极电极;
形成在上面设置有所述阳极电极的保护层上的堤部,所述堤部具有与所述阳极电极交叠的腔;
设置在所述堤部中的发光层;
设置在所述发光层上的阴极电极;和
设置在所述阴极电极上的封装层。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置,其中所述导电膜包括与所述阳极电极相同的材料。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置,其中所述导电膜包括透明电极/银/透明电极的三层。
9.根据权利要求6所述的电致发光显示装置,其中所述第二绝缘膜包括与所述堤部相同的材料。
10.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中在所述非显示区域中设置有弯曲区域,并且在所述弯曲区域中设置有电源连线,所述电源连线包括连接所述显示区域和所述电源线的弯曲图案。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中所述弯曲图案包括沿第一方向和第二方向交替延伸以彼此交叉的两条配线。
12.根据权利要求6所述的电致发光显示装置,其中所述电源线包括用于提供第一电力的第一电源供应线、用于提供第二电力的第二电源供应线、以及用于提供基准电压的基准电压供应线,其中设置有所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线的区域被分别划分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,其中在所述第一区域和所述第三区域中,在所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线上不设置所述保护层,并且在所述第二区域和所述第四区域中,在所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线设置所述保护层。
13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置,其中所述第四区域比所述第一区域更靠近所述显示区域。
14.根据权利要求12所述的电致发光显示装置,其中所述导电膜形成在所述第一区域和所述第二区域中,并且不形成在所述第三区域和所述第四区域中。
15.一种制造电致发光显示装置的方法,包括:
在划分为显示区域和非显示区域的基板上,在所述非显示区域上设置用于提供被供应至所述显示区域的电力的电源线;
在所述电源线的上部上设置第一绝缘膜,所述第一绝缘膜具有与所述电源线的一部分交叠并且暴露所述电源线的一部分的开口区域;和
在所述开口区域中设置覆盖所述第一绝缘膜和所述电源线的导电膜。
16.根据权利要求15所述的制造电致发光显示装置的方法,其中在所述显示区域中设置包括阳极电极、发光层和阴极电极的发光元件,并且所述阳极电极与所述导电膜一起形成。
17.根据权利要求16所述的制造电致发光显示装置的方法,其中在所述导电膜的一端和另一端上分别设置第二绝缘膜,在所述阴极电极上设置堤部,并且所述堤部与所述第二绝缘膜一起形成。
18.根据权利要求17所述的制造电致发光显示装置的方法,其中在所述第二绝缘膜上设置封装层。
19.根据权利要求15所述的制造电致发光显示装置的方法,其中所述电源线包括三个交叠的金属层。
20.根据权利要求15所述的制造电致发光显示装置的方法,其中所述导电膜包括透明电极/银/透明电极的三层。
21.根据权利要求16所述的制造电致发光显示装置的方法,其中所述电源线包括用于提供第一电力的第一电源供应线、用于提供第二电力的第二电源供应线、以及用于提供基准电压的基准电压供应线,其中设置有所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线的区域被分别划分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,其中所述阳极电极设置在平坦化膜上,其中在所述第一区域和所述第三区域中,在所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线上不设置所述平坦化膜,并且在所述第二区域和所述第四区域中,在所述第一电源供应线、所述第二电源供应线和所述基准电压供应线设置所述平坦化膜。
22.根据权利要求21所述的制造电致发光显示装置的方法,其中所述第四区域比所述第一区域更靠近所述显示区域。
23.根据权利要求21所述的制造电致发光显示装置的方法,其中所述导电膜形成在所述第一区域和所述第二区域中,并且不形成在所述第三区域和所述第四区域中。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0180057 | 2019-12-31 | ||
KR1020190180057A KR20210086253A (ko) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113066819A true CN113066819A (zh) | 2021-07-02 |
Family
ID=76547703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011357520.XA Pending CN113066819A (zh) | 2019-12-31 | 2020-11-27 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11812631B2 (zh) |
KR (1) | KR20210086253A (zh) |
CN (1) | CN113066819A (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11812631B2 (en) | 2023-11-07 |
KR20210086253A (ko) | 2021-07-08 |
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