DE112006003807T5 - Aktivmatrixsubstrat, Display und Fernsehempfänger - Google Patents

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Abstract

Aktivmatrixsubstrat, bei dem jeder Pixelbereich einen Transistor und eine mit diesem verbundene Kondensatorelektrode aufweist, die als Elektrode einer Kapazität fungieren kann, wobei dieses Aktivmatrixsubstrat Folgendes aufweist:
einen Leiter, der in einer Schicht unter der Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der Kapazität fungieren kann; und
einen Isolierfilm, der den Leiter bedeckt;
wobei der Isolierfilm in einem auf dem Leiter liegenden Bereich, wo er mit dem Leiter überlappt, einen dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke aufweist, wobei zumindest ein Teil des dünnen Abschnitts mit der Kondensatorelektrode überlappt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft ein Aktivmatrixsubstrat, das für ein Display wie ein Flüssigkristalldisplay verwendet wird.
  • HINTERGRUNDBILDENDE TECHNIK
  • Die 30 (siehe das Patentdokument 1) ist eine Draufsicht eines herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats. Wie es in der Figur dargestellt ist, ist in jedem Pixelbereich 750 die zugehörige Pixelelektrode 751 durch eine Scansignalleitung 752 zum Liefern eines Scansignals und eine Datensignalleitung 753 zum Liefern eines Datensignals auf solche Weise umgeben, dass diese Signalleitungen einander schneiden. An der Schnittstelle der Scansignalleitung 752 und der Datensignalleitung 753 ist ein TFT (Dünnschichttransistor) 754 vorhanden. Die Gateelektrode 755 des TFT 754 ist mit der Scansignalleitung 752 verbunden, so dass dieser TFT 754 auf die Lieferung eines Scansignals hin ein-/ausgeschaltet wird. Die Sourceelektrode 766 des TFT 754 ist mit der Datensignalleitung 753 verbunden und empfängt ein Datensignal. Die Drainelektrode 777 des TFT 754 ist mit einer Drainzuleitungsleitung verbunden.
  • Um eine Selbstentladung einer Flüssigkristallschicht zu verhindern, wenn der TFT ausgeschaltet wird, und um eine Beeinträchtigung eines Bitsignals auf Grund eines Aus-Stroms des TFT zu verhindern, ist der Pixelbereich 750 mit einer Speicherkondensatorleitung 759 versehen, die beispielsweise kreisförmig ist. Wie es in der 30 dargestellt ist, ist diese Speicherkondensatorleitung 759 vor vorhanden, dass sie mit den Rändern der Pixelelektrode 751 überlappt. Die Drainelektrode 777 des TFT 754 ist mit der Pixelelektrode 751 verbunden, und die Pixelelektrode 751 und die Speicherkondensatorleitung 759 bilden einen Speicherkondensator.
    • [Patentdokument 1] Veröffentlichung Nr. 6-301059 einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung (veröffentlicht am 28. Oktober 1994)
    • [Patentdokument 2] Veröffentlichung Nr. 7-287252 einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung (veröffentlicht am 31. Oktober 1995)
    • [Patentdokument 3] Veröffentlichung Nr. 2004-78157 einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung (veröffentlicht am 11. März 2004)
    • [Patentdokument 4] Veröffentlichung Nr. 6-332009 einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung (veröffentlicht am 2. Dezember 1994)
    • [Patentdokument 5] Japanische Wiederveröffentlichung der internationalen PCT-Anmeldung WO 97/00463 (internationale Veröffentlichung am 3. Januar 1997)
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Auf Grund der jüngeren Vergrößerung von Aktivmatrixsubstraten wird ein Belichtungsprozess in mehreren Schritten innerhalb eines Fotolithografieprozesses zum Ausbilden einer Signalschicht ausgeführt. Dies, da es schwierig ist, die Belichtung des gesamten großen Substrats auf einmal auszuführen. Zu einem derartigen Belichtungsprozess gehören Probleme wie fehlende Konstanz der Leitungsbreiten von Resistmustern sowie eine Fehlausrichtung auf Grund fehlender Konstanz der Belichtungspegel zwischen Belichtungsschritten. Fehlende Konstanz der Leitungsbreiten von Resistmustern (beispielsweise Unterschied zwischen den Breiten von Speicherkondensatorleitungen und den Breiten von Elektroden, von denen jede mit der Speicherkondensatorleitung einen Speicherkondensator bildet) führt zu fehlender Konstanz der Kapazitätswerte der Speicherkapazitäten, wodurch die Anzeigequalität beeinflusst wird. Bei der in der 30 dargestellten Anordnung ist die Anzeigequalität beeinträchtigt, wenn die Bedingungen (Leitungsbreite, Ausrichtung und dergleichen) der Speicherkondensatorleitung 759 und der Pixelelektrode 751 nicht übereinstimmen.
  • Das oben genannte Patentdokument 2 offenbart, wie es in den 31(a) und 31(b) dargestellt ist, eine solche Anordnung, dass ein dünner Zwischenschichtisolierfilm 941 und ein dicker Zwischenschichtisolierfilm 942 eine Mehrschichtstruktur außer an den Schnittstellen von Sourceleitungen 910 und Gateleitungen 909 bilden, wobei andere Teile als die Schnittstellen nur mit dem dünnen Zwischenschichtisolierfilm 941 versehen sind. Auch bei dieser Anordnung ist eine Elektrode 912 eines Ladungsspeicherkondensators (die andere Elektrode ist eine Pixelelektrode 911) nur durch den dünnen Zwischenschichtisolierfilm 941 vollständig bedeckt. Aus diesem Grund führt fehlende Konstanz der Breite der Elektrode 912 zu einer Variation des Kapazitätswerts des Ladungsspeicherkondensators.
  • Zusätzlich zum Vorstehenden geht eine Anordnung, die in jüngerer Zeit Aufmerksamkeit auf sich gezogen hat, dahin, dass in jedem Pixel Bereiche mit verschiedenen Helligkeiten (d. h. mehrere Unterpixel) durch externe Steuerung des elektrischen Potenzials einer Speicherkondensatorleitung ausgebildet werden (siehe beispielsweise das oben genannte Patentdokument 3). Bei dieser Anordnung wird der Speicherkondensator auch als Kapazität zum Kontrollieren des elektrischen Potenzials der Pixelelektrode verwendet. Indessen offenbaren die oben genannten Patentdokumente 4 und 5 eine solche Anordnung, dass Kondensatorelektroden so vorhanden sind, dass sie jeweiligen Potenzialen zugewandt sind, während dazwischen eine Isolierschicht eingefügt ist, und wobei Spannungen durch kapazitive Kopplung der Pixelelektroden mit verschiedenen Verhältnissen an die Pixelelektroden angelegt werden. Auch bei dieser Anordnung wird ein Kondensator dazu verwendet, das elektrische Potenzial jeder Pixelelektrode zu steuern. Bei diesen Anordnungen ist die Anzeigequalität beeinträchtigt, da der Speicherkondensator oder der Kapazitätswert einer Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials fehlende Konstanz zeigen.
  • Die Erfindung wurde unter Berücksichtigung des obigen Problems geschaffen, und es ist ein Ziel der Erfindung, ein Aktivmatrixsubstrat zu schaffen, das unzureichende Konstanz von Kapazitätswerten von Kapazitäten (beispielsweise eines Speicherkondensators, einer Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials einer Pixelelektrode, und einer Kapazität, die als beide derselben fungieren kann) im Substrat verringern kann.
  • Das erfindungsgemäße Aktivmatrixsubstrat, bei dem jeder Pixelbereich einen Transistor und eine mit diesem verbundene Kondensatorelektrode aufweist, die als Elektrode einer Kapazität fungieren kann, weist Folgendes auf: einen Leiter, der in einer Schicht unter der Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der Kapazität fungieren kann; und einen Isolierfilm, der den Leiter bedeckt; wobei der Isolierfilm in einem auf dem Leiter liegenden Bereich, wo er mit dem Leiter überlappt, einen dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke aufweist, wobei zumindest ein Teil des dünnen Abschnitts mit der Kondensatorelektrode überlappt. Auch enthält das vorliegende Aktivmatrixsubstrat einen Transistor, einen Leiter, einen denselben bedeckenden Isolierfilm sowie eine Kondensatorelektrode, die in einer Schicht über dem Isolierfilm vorhanden ist, um mit dem Leiter eine Kapazität zu bilden, wobei die Kondensatorelektrode mit dem Transistor verbunden ist und der Isolierfilm in einem Teil eines Bereichs, in dem er mit der Kondensatorelektrode und dem Leiter überlappt, verringerte Dicke aufweist.
  • Die Kapazität wird beispielsweise als Speicherkondensator, als Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials einer Pixelelektrode oder als Kapazität, die als beide derselben fungiert, verwendet.
  • Bei der obigen Anordnung ist ein dünner Abschnitt, der dünner als die Umgebung ist, in einem zwischen dem Leiter und der Kondensator vorhandenen Isolierfilm vorhanden. Daher ist, verschieden von der herkömmlichen Anordnung, bei der ein Kapazitätswert durch die Gesamtheit des Bereichs bestimmt ist, in dem der Leiter mit der Kondensatorelektrode überlappt, der Kapazitätswert der Kapazität überwiegend durch den Bereich bestimmt wird, in dem der Leiter, die Kondensatorelektrode und der dünne Abschnitt einander überlappen.
  • Da der dünne Abschnitt im auf dem Leiter liegenden Bereich des Isolierfilms vorhanden ist, zeigt ein Leiter (beispielsweise die Speicherkondensatorleitung) Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt. Aus diesem Grund ändert sich der Kapazitätswert selbst dann kaum, wenn die Leitungsbereite des Leiters unzureichende Konstanz zeigt, Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität mit dem dünnen Abschnitt überlappt.
  • Auf diese Weise ermöglicht es das vorliegende Aktivmatrixsubstrat, unzureichende Konstanz der Kapazitätswerte von Kapazitäten (beispielsweise eines Speicherkondensators, einer Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials einer Pixelelektrode sowie einer Kapazität, die als beide derselben fungieren kann) innerhalb des Substrats zu verringern, wodurch eine hohe Anzeigequalität vorliegt. Der Isolierfilm kann ein die Gateelektrode des Transistors bedeckender Gateisolierfilm oder ein Zwischenschichtisolierfilm sein, der einen Kanalteil des Transistors bedeckt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist vorzugsweise so ausgebildet, dass der dünne Abschnitt örtlich im zentralen Teil des auf dem Leiter liegenden Bereichs ausgebildet ist. Dies ermöglicht es, es dem Leiter zu erlauben, dass er höhere Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt zeigt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist vorzugsweise so ausgebildet, dass die Gesamtheit des dünnen Abschnitts mit der Kondensatorelektrode überlappt. Dadurch zeigt die Kondensatorelektrode Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt und demgemäß ändert sich die Kapazität selbst dann kaum, wenn die Breite der Kondensatorelektrode unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität mit dem dünnen Abschnitt überlappt. Im Ergebnis zeigt ein Display unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats eine weiter verbesserte Anzeigequalität.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die Kondensatorelektrode eine mit einer Drainelektrode des Transistors verbundene Pixelelektrode ist, oder die Kondensatorelektrode ist eine Drainzuleitungselektrode, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des Transistors bildet. Auch kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so ausgebildet sein, dass der Leiter Teil einer Speicherkondensatorleitung ist, oder der Leiter Teil einer Scansignalleitung einer unmittelbar vorangehenden oder unmittelbar folgenden Stufe in einer Scanrichtung ist.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass auf dem dünnen Abschnitt eine Pixelelektrode ausgebildet ist, wobei zwischen diese und den dünnen Abschnitt ein erster Zwischenschichtisolierfilm eingefügt ist, der einen Kanalteil des Transistors bedeckt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die Drainzuleitungselektrode direkt auf dem dünnen Abschnitt ausgebildet ist oder sie so auf diesem ausgebildet ist, dass dazwischen eine Halbleiterschicht eingefügt ist. In diesem Fall kann im dünnen Abschnitt ein Kontaktloch ausgebildet sein, und die Drainzuleitungselektrode kann in diesem mit einer Pixelelektrode in Kontakt stehen. Auch kann in anderen Gebieten als dem des Kontaktlochs zwischen der Pixelelektrode und dem Gateisolierfilm ein erster Zwischenschichtisolierfilm, der einen Kanalteil des Transistors bedeckt, und ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm, der dicker als der dünne Abschnitt ist, vorhanden sein.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht, von denen mindestens eine so ausgebildet ist, dass sie im dünnen Abschnitt dünn ist.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht, von denen mindestens eine im dünnen Abschnitt vorhanden ist und in anderen Gebieten als dem dünnen Abschnitt mehrere Gateisolierschichten vorhanden sind. In diesem Fall kann eine Gateisolierschicht vorhanden sein, die eine organische Substanz enthält. Auch kann mindestens eine der Gateisolierschichten ein Einebnungsfilm sein. Dies verringert einen Höcker an der Schnittstelle der Scansignalleitung und der Datensignalleitung. Da die Datensignalleitung eine geringere Höhe überbrücken muss, wenn sie die Scansignalleitung schneidet, ist ein Brechen der Datensignalleitung an der Schnittstelle mit der Scansignalleitung eingeschränkt. Ferner ist, wenn beispielsweise eine der Gateisolierschichten ein SiNx(Siliciumnitrid)film ist, die Feinheit im Verjüngungsabschnitt der Gateelektrode geringer als diejenige in den anderen Bereichen (d. h. die Filmqualität ist niedrig), und demgemäß besteht die Tendenz, dass eine Unterbre chung des SiNx auf Grund statischer Elektrizität auftritt. Wenn eine der Gateisolierschichten ein Einebnungsfilm ist, ist die Dicke des Isolierfilms im Verjüngungsabschnitt gewährleistet, und demgemäß wird eine Unterbrechung des SiNx-Films verhindert.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass eine Gateisolierschicht vorhanden ist, die eine organische Substanz enthält. In diesem Fall beträgt die Dicke der Gateisolierschicht mit der organischen Substanz vorzugsweise 1,0 [μm] oder mehr und 5,0 [μm] oder weniger.
  • Auch ist die unterste Gateisolierschicht in den anderen Bereichen als dem des dünnen Abschnitts vorzugsweise ein Einebnungsfilm. Auch ist derjenige Teil des Einebnungsfilms, der mit einer Fläche des Substrats in Kontakt steht, vorzugsweise dicker als die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildete Gateelektrode. Dies ermöglicht es, den Einebnungseffekt zu verbessern, und demgemäß sind Kurzschlüsse zwischen den Signalleitungen weiter eingeschränkt. Auch ist eine Unterbrechung der Datensignalleitung weiter eingeschränkt.
  • Diese unterste Gateisolierschicht ist vorzugsweise ein Einebnungsfilm (SOG-Film) aus einem Spin-on-glass(SOG)-Material. Dies ermöglicht es, auf dem SOG-Film als erster Gateisolierschicht, sicher eine zweite Isolierschicht, eine Halbleiterschicht mit hohem Widerstand und eine Halbleiterschicht mit niedrigem Widerstand durch CVD oder dergleichen herzustellen. Im Ergebnis sind die Herstellschritte verkürzt. In diesem Fall ist es möglich, eine derartige alternative Anordnung zu verwenden, dass der dünne Abschnitt nicht mit einem SOG-Film versehen ist und dass ein SOG-Film in der untersten Schicht der anderen Bereiche ausgebildet ist. Zusätzlich zum Obigen werden die in den obigen Schichten ausgebildeten Elektroden nicht leicht zerstört, wenn Bereiche um Ränder des dünnen Abschnitts des Gatei solierfilms herum so ausgebildet sind, dass sie eine nach vorne verjüngte Form aufweisen.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass auf dem Gateisolierfilm ein erster Zwischenschichtisolierfilm so vorhanden ist, dass er einen Kanalteil des Transistors bedeckt, wobei die Summe der Dicke des Gateisolierfilms und der Dicke des ersten Zwischenschichtisolierfilms 1,65 [μm] oder mehr und 5,65 [μm] oder weniger, in den anderen Bereichen als dem dünnen Abschnitt, beträgt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Leiter eine kreisförmige Speicherkondensatorleitung ist, die so ausgebildet ist, dass sie mit einem Rand der Pixelelektrode überlappt. Auch kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so ausgebildet sein, dass eine Pixelelektrode als Kondensatorelektrode vorhanden ist, wobei die Pixelelektrode (i) einen Rand, der sich entlang einer Datensignalleitung erstreckt, die mit einer Sourceelektrode des Transistors verbunden ist, und (ii) einen diesem Rand zugewandten Rand aufweist, wobei die Speicherkondensatorleitung so ausgebildet ist, dass sie mit diesen beiden Rändern überlappt.
  • Bei der obigen Anordnung kompensiert der Bereich, in dem die Pixelelektrode mit dem dünnen Abschnitt überlappt, einen Fehler der Pixelelektrode oder des Dünnfilms, und demgemäß ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators nicht leicht. Auch wird die Speicherkondensatorleitung so hergestellt, dass sie, unter den Ränder der Pixelelektrode, mit einem sich entlang der Datensignalleitung erstreckenden Rand und einem diesem Rand zugewandten Rand überlappt, wobei der zugehörige Fehlabschirmungseffekt eine parasitäre Kapazität zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung verringert.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die erste Pixelelektrode als Kondensatorelektrode vorhanden ist und eine zweite Pixelelektrode so vorhanden ist, dass sie mit dem Leiter eine Kapazität bildet, wobei die durch die erste Pixelelektrode und den Leiter gebildete Kapazität in Reihe zu einer Kapazität geschaltet ist, die durch den Leiter und die zweite Pixelelektrode gebildet ist. In diesem Fall können die Drainelektrode des Transistors und der Leiter aus demselben Material bestehen.
  • Um die obige Aufgabe zu lösen, weist ein Aktivmatrixsubstrat gemäß der Erfindung jeder Pixelbereich Folgendes auf: einen ersten und einen zweiten Transistor; eine erste Kondensatorelektrode, die mit dem ersten Transistor verbunden ist und als Elektrode einer ersten Kapazität fungieren kann; und eine zweite Kondensatorelektrode, die mit dem zweiten Transistor verbunden ist und als Elektrode einer zweiten Kapazität fungieren kann, Folgendes auf: einen ersten Leiter, der in einer Schicht unter der ersten Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der ersten Kapazität fungieren kann; und einen zweiten Leiter, der in einer Schicht unter der zweiten Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der zweiten Kondensatorelektrode fungieren kann; Gateisolierfilmen, die Gateelektroden der Transistoren und der Leiter bedecken und mit einem ersten dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke in einem mit dem ersten Leiter überlappenden ersten auf dem Leiter liegenden Bereich sowie einem zweiten dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke in einem mit dem zweiten Leiter überlappenden zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich versehen sind; wobei zumindest ein Teil des ersten dünnen Abschnitts mit der ersten Kondensatorelektrode überlappt und zumindest ein Teil des zweiten dünnen Abschnitts mit der zweiten Kondensatorelektrode überlappt.
  • Bei der obigen Anordnung weist, da der erste dünne Abschnitt im ersten auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms vorhanden ist, der erste Leiter (beispielsweise die Speicherkondensatorleitung) Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt auf. Daher ändert sich der Kapazitätswert der ersten Kapazität selbst dann nur wenig, wenn die Leitungsbreite des ersten Leiters unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, und der Bedingung, dass kein Rand der ersten Kapazität mit dem ersten dünnen Abschnitt überlappt. In ähnlicher Weise weist, da der zweite dünne Abschnitt im zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms vorhanden ist, der zweite Leiter (beispielsweise die Speicherkondensatorleitung) Fehlertoleranz in Bezug auf den zweiten dünnen Abschnitt auf. Daher ändert sich der Kapazitätswert der zweiten Kapazität selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite des zweiten Leiters unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der zweiten Kapazität mit dem zweiten dünnen Abschnitt überlappt.
  • Auf diese Weise ermöglicht es das vorliegende Aktivmatrixsubstrat, Kapazitätswerte der ersten und der zweiten Kapazität (Speicherkondensator, Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials der Pixelelektrode, und Kapazität, die als beide derselben fungiert) daran zu hindern, innerhalb des Substrats unzureichend konstant zu sein, wodurch es möglich ist, die Anzeigequalität eines Displays unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats zu verbessern.
  • Es ist anmerkenswert, dass die obige Anordnung für eine Mehrpixelansteuerung geeignet ist, bei der elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Pixelelektrode unter Verwendung der ersten und der zweiten Kapazität aktiv gesteuert werden. Wenn ein die oben genannte Mehrpixelansteuerung ausführendes Display einen vorbestimmten Halbton anzeigt, zeigen den jeweiligen Belichtungsbereichen entsprechende Anzeigebereiche verschiedene Helligkeiten (da dann, wenn das Aktivmatrixsubstrat hergestellt wird, die Belichtungsmengen zwischen den jeweiligen Belichtungsschritten verschieden sind und demgemäß die Leitungsbreite des Resistmusters unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, mit dem Ergebnis, dass Kapazitätswerte der durch die Kondensatorelektroden und die Leiter gebildeten Kapazitäten innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden). Die vorliegende Anordnung schränkt unzureichende Konstanz der Kapazitätswerte der ersten und der zweiten Kapazität innerhalb des Substrat auf effektive Weise ein, und demgemäß ist das obige Problem gelöst.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der erste dünne Abschnitt örtlich im zentralen Teil des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs ausgebildet ist und der zweite dünne Abschnitt örtlich im zentralen Teil des zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich ausgebildet ist. Dies ermöglicht es, die Fehlertoleranz des ersten Leiters in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt sowie die Fehlertoleranz des zweiten Leiters in Bezug auf den zweiten dünnen Abschnitt zu erhöhen.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der gesamte erste dünne Abschnitt mit der ersten Kondensatorelektrode überlappt und die Gesamtheit des zweiten dünnen Abschnitt mit der zweiten Kondensatorelektrode überlappt. Im Ergebnis hiervon zeigt die erste Kondensatorelektrode Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt, und demgemäß ändert sich die erste Kapazität selbst dann kaum, wenn die Breite der ersten Kondensatorelektrode unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, und der Bedingung, dass kein Rand der ersten Kapazität mit dem ersten dünnen Abschnitt überlappt. Dasselbe gilt für die zweite Kondensatorelektrode und den zweiten dünnen Abschnitt. Daher ist die Anzeigequalität eines Displays unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats weiter verbessert.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die erste Kondensatorelektrode eine erste Pixelelektrode ist, die mit einer Drainelektrode des ersten Transistors verbunden ist, die zweite Kondensatorelektrode eine zweite Pixelelektrode ist, die mit einer Drainelektrode des zweiten Transistors verbunden ist, und die erste und die zweite Pixelelektrode im jeweiligen Pixelbereich ausgebildet sind. Auch kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so ausgebildet sein, dass die erste Kondensatorelektrode eine erste Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des ersten Transistors bildet, und die zweite Kondensatorelektrode eine zweite Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des zweiten Transistors bildet.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist vorzugsweise so ausgebildet, dass der erste und der zweite Leiter jeweils einen Teil der ersten bzw. der zweiten Speicherkondensatorleitung bilden, wobei sie elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Speicherkondensatorleitung individuell steuern können, und wobei elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Pixelelektrode durch diese Potenzialsteuerung individuell gesteuert werden. Auch ist das vorliegende Aktivmatrixsubstrat vorzugsweise so ausgebildet, dass jeder Pixelbereich mit einer mit der Drainelektrode des ersten Transistors verbundenen ersten Pixelelektrode und einer mit der Drainelektrode des zweiten Transistors verbundenen zweiten Pixelelektrode versehen ist und der erste und der zweite Leiter einen Teil der ersten bzw. der zweiten Speicherkondensatorleitung bilden, wobei sie elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Speicherkondensatorleitung individuell steuern können und elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Pixelelektrode durch diese Potenzialsteuerung individuell gesteuert werden.
  • Auf diese Weise werden, durch individuelles Ausführen einer Potenzialsteuerung jeder Speicherkondensatorleitung, elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Pixelelektrode individuell gesteuert, und demgemäß sind in jedem Pixelbereich zwei Bereiche mit verschiedenen Helligkeiten ausgebildet (d. h., es wird eine sogenannte Mehrpixelansteuerung ausgeführt). Die obige Anordnung verhindert, dass Kapazitätswerte der ersten und der zweiten Kapazität (die sowohl als Speicherkondensator als auch als Kapazität zum Steuern eines elektrischen Potenzials der Pixelelektrode dienen) innerhalb des Substrats unzureichend konstant sind. Daher ist die Anzeigequalität eines eine Mehrpixelansteuerung ausführenden Displays verbessert. In diesem Fall kann das Potenzial jeder Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert werden, dass es ansteigt oder fällt, nachdem ein jeweiliger Transistor ausgeschaltet wurde, und der erhöhte oder abgesenkte Zustand aufrechterhalten wird, bis der Transistor in einem nächsten Rahmen ausgeschaltet wird. Das heißt, dass das elektrische Potenzial der ersten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es ansteigt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und der erhöhte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird, wobei das elektrische Potenzial der zweiten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es fällt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde und der abgesenkte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird, oder es wird das elektrische Potenzial der ersten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert, dass es fällt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und der abgesenkte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird, und das elektrische Potenzial der zweiten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es ansteigt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und der angehobene Zustand andauert, bis jeder der Tran sistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird. Diese Anordnung verringert den Einfluss einer Verschmierung des Signalverlaufs des elektrischen Potenzials jeder Speicherkondensatorleitung auf ein effektives Drainpotenzial, und demgemäß ist die Anordnung in Bezug auf eine Verringerung unzureichender Konstanz der Helligkeit wirksam. Außerdem kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so ausgebildet sein, dass eine Erhöhung des elektrische Potenzials der ersten Speicherkondensatorleitung um eine Horizontalperiode vor oder nach einer Absenkung des elektrischen Potenzials der zweiten Speicherkondensatorleitung auftritt, oder eine Absenkung des elektrischen Potenzials der ersten Speicherkondensatorleitung um eine Horizontalperiode vor oder nach einem Anstieg des elektrischen Potenzials der zweiten Speicherkondensatorleitung auftritt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die erste und die zweite Kondensatorelektrode auf dem ersten bzw. zweiten dünnen Abschnitt ausgebildet sind, und zwar direkt oder unter Einfügung entweder einer Halbleiterschicht oder eines ersten Zwischenschichtisolierfilms, der einen Kanalteil jedes der Transistoren bedeckt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht, wobei mindestens eine Gateisolierschicht im ersten und zweiten dünnen Abschnitt vorhanden ist und in anderen Bereichen als dem ersten und dem zweiten dünnen Abschnitt mehrere Gateisolierschichten vorhanden sind. Auch kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so ausgebildet sein, dass die unterste Gateisolierschicht in anderen Bereichen als dem ersten und dem zweiten dünnen Abschnitt ein SOG-Film aus einem Spin-on-glass(SOG)-Material ist, wohingegen im ersten und zweiten dünnen Abschnitt kein SOG-Film vorhanden ist.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass die Gateisolierfilm in einem Bereich, der mit der Halbleiterschicht des ersten und des zweiten Transistors überlappt, einen anderen dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke aufweist.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Isolierfilm in anderen Bereichen als dem Teil mit verringerter Dicke eine Isolierschicht aus einem SOG(Spin-on-glass)-Material aufweist, wohingegen im Teil mit verringerter Dicke keine Isolierschicht aus dem SOG-Material vorhanden ist.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, dass der Isolierfilm ein Gateisolierfilm ist, der die Gateelektrode des Transistors bedeckt, der Leiter eine Speicherkondensatorleitung ist, und die Kondensatorelektrode entweder eine mit einer Drainelektrode des Transistors verbundene Pixelelektrode oder eine Drainzuleitungselektrode ist, bei der es sich um eine Verlängerung der Drainelektrode des Transistors handelt.
  • Ein Display gemäß der Erfindung enthält das oben beschriebene Aktivmatrixsubstrat.
  • Ein Fernsehempfänger gemäß der Erfindung verfügt über das oben beschriebene Display und einen Tunerabschnitt, der Fernsehübertragungen empfängt.
  • Auf diese Weise ermöglicht es das vorliegende Aktivmatrixsubstrat, unzureichende Konstanz der Kapazitätswerte von Kapazitäten (beispielsweise eines Speicherkondensators, einer Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials einer Pixelelektrode, und einer Kapazität, die als beide derselben fungieren kann) innerhalb des Substrats zu verringern, und es ist die Anzeigequalität eines das vorliegende Aktivmatrixsubstrat verwendenden Displays verbessert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht eines Aktivmatrixsubstrats einer Ausführungsform 1.
  • 2 ist ein Schnitt des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1.
  • 3 ist eine Draufsicht des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1.
  • 4 ist ein Schnitt des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1.
  • 5 ist eine Draufsicht eines Aktivmatrixsubstrats einer Ausführungsform 2.
  • 6 ist ein Schnitt des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 2.
  • 7 ist ein Schnitt des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 2.
  • 8 ist eine Draufsicht des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 2.
  • 9 ist eine Draufsicht des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1.
  • 10 ist eine Draufsicht des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 2.
  • 11 ist ein Schnitt einer Flüssigkristalltafel der vorliegenden Ausführungsform.
  • 12 ist ein Blockdiagramm, das eine Anordnung betreffend die Steuerung der Flüssigkristalltafel der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
  • 13 ist ein Blockdiagramm, das einen Fernsehempfänger gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
  • 14 ist eine perspektivische Schrägansicht des Fernsehempfängers der vorliegenden Ausführungsform.
  • 15 ist ein Blockdiagramm, das eine Anordnung betreffend die Steuerung eines Flüssigkristalldisplays der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
  • 16 ist ein Ersatzschaltbild des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats.
  • 17 ist ein Timingdiagramm, das ein Ansteuerungsverfahren für das vorliegende Flüssigkristalldisplay veranschaulicht.
  • 18 ist ein Timingdiagramm, das ein anderes Ansteuerungsverfahren für das vorliegende Flüssigkristalldisplay veranschaulicht.
  • 19 ist eine Draufsicht, die ein anderes Beispiel des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1 zeigt.
  • 20 ist eine Draufsicht, die ein anderes Beispiel des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 1 zeigt.
  • 21 ist ein Schnitt entlang der Linie B1-B2 in der 20.
  • 22 ist eine Draufsicht eines Aktivmatrixsubstrats einer Ausführungsform 3.
  • 23 ist ein Schnitt entlang einer Linie A1-A2 in der 22.
  • 24 ist eine Draufsicht, die ein anderes Beispiel des Aktivmatrixsubstrats der Ausführungsform 3 zeigt.
  • 25 ist ein Kurvenbild, das Simulationsergebnisse betreffend die Variation eines Speicherkondensators auf Grund einer Variation der Leitungsbreite einer Speicherkondensatorleitung bei der vorliegenden Anordnung und einer Vergleichsanordnung zeigt.
  • 26 ist ein Kurvenbild, das Simulationsergebnisse betreffend die Variation eines Speicherkondensators auf Grund einer Variation des effektiven Potenzials bei der vorliegenden Anordnung und einer Vergleichsanordnung zeigt.
  • 27 ist ein Kurvenbild, das zeigt, wie eine Variation des effektiven Potenzials abhängig von einer Änderung der Dicke einer ersten Gateschicht (SOG-Film) bei der oben genannten Simulation betreffend die vorliegende Anordnung variiert.
  • 28 ist ein Kurvenbild, das zeigt, wie eine Variation der Helligkeitsdifferenz abhängig von einer Änderung der Dicke einer ersten Gateschicht (SOG-Film) bei der oben genannten Simulation betreffend die vorliegende Anordnung variiert.
  • 29 ist ein Timingdiagramm, das ein anderes Ansteuerungsverfahren für das vorliegende Flüssigkristalldisplay veranschaulicht.
  • 30 ist eine Draufsicht eines herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats.
  • 31(a) ist eine Draufsicht des herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats.
  • 31(b) ist ein Schnitt des in der 31(a) dargestellten Aktivmatrixsubstrats.
  • BESTE ART ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • [Ausführungsform 1]
  • Nachfolgend wird die Ausführungsform 1 der Erfindung unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 sowie die 9 beschrieben.
  • Die 1 ist eine Draufsicht zum Skizzieren eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Wie es in der Figur dargestellt ist, ist das vorliegende Aktivmatrixsubstrat für Mehrpixelansteuerung ausgebildet, und jeder Pixelbe reich 10 verfügt über einen ersten TFT (Dünnschichttransistor) 12a, einen zweiten TFT 12b, eine erste Pixelelektrode 17a, eine zweite Pixelelektrode 17b, ein erstes Kontaktloch 11a und ein zweites Kontaktloch 11b.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist ferner mit einer sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckenden Scansignalleitung 16 und einer sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckenden Datensignalleitung 15 versehen, die so angeordnet sind, dass sie orthogonal zueinander verlaufen. Innerhalb des Pixelbereichs 10 ist die erste Pixelelektrode 17a in der oberen Hälfte vorhanden, die zweite Pixelelektrode 17b ist in der unteren Hälfte vorhanden, und die Scansignalleitung 16 durchdringt den zentralen Teil. Diese Scansignalleitung 16 überlappt mit der ersten Pixelelektrode 17a (dem unteren Teil der ersten Pixelelektrode 17a in der 1) und der zweiten Pixelelektrode 17b (dem oberen Teil der zweiten Pixelelektrode 17b in der 1). Die Datensignalleitung 15 ist so ausgebildet, dass sie mit den linken Rändern der ersten und der zweiten Pixelelektrode (17a und 17b) überlappt. Um die Schnittstelle zwischen der Datensignalleitung 15 und der Scansignalleitung 16 herum sind der erste und der zweite TFT 12a und 12b ausgebildet.
  • Der erste TFT 12a enthält eine Sourceelektrode 9 und eine erste Drainelektrode 8a, und seine Gateelektrode bildet einen Teil der Scansignalleitung 16. Der zweite TFT 12b hält die Sourceelektrode 9 und eine zweite Drainelektrode 8b, und seine Gateelektrode bildet einen Teil der Scansignalleitung 16. Auf diese Weise haben der erste und der zweite TFT 12a und 12b die Sourceelektrode und die Gateelektrode gemeinsam. Die Sourceelektrode 9 ist mit der Datensignalleitung 15 verbunden, und die erste Drainelektrode 8a ist über das Kontaktloch 11a mit der Pixelelektrode 17a verbunden. Die zweite Drainelektrode 8b ist über das Kontaktloch 11b mit der zweiten Pixelelektrode 17b verbun den. Die erste und die zweite Pixelelektrode 17a und 17b sind transparente Elektroden aus ITO oder dergleichen, und sie ermöglichen es, dass Licht von unterhalb des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats (Hinterleuchtungslichtstrahl) durch es hindurch läuft.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat enthält eine erste und eine zweite Speicherkondensatorleitung 52a und 52b, die so auf einer Fläche eines Substrats ausgebildet sind, dass sie sich in der Figur in der horizontalen Richtung erstrecken. Die erste Speicherkondensatorleitung 52a überlappt mit der ersten Pixelelektrode 17a (dem oberen Teil der ersten Pixelelektrode 17a in der 1), wohingegen die zweite Speicherkondensatorleitung 52b mit der ersten Pixelelektrode 17b überlappt (dem unteren Teil der zweiten Pixelelektrode 17b in der 1).
  • Die erste Pixelelektrode 17a funktioniert als Elektrode einer Kapazität C1, wohingegen die erste Speicherkondensatorleitung 52a als die andere Elektrode der Aufladeverfahren nach Anspruch C1 fungiert. In ähnlicher Weise fungiert die zweite Pixelelektrode 17b als Elektrode einer Kapazität C2, wohingegen die zweite Speicherkondensatorleitung 52b als andere Elektrode der Kapazität C2 fungiert. Diese Kapazitäten C1 und C2 fungieren sowohl als Speicherkondensator als auch als Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials der Pixelelektrode.
  • Das heißt, dass beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat Daten (ein Signalpotenzial) auf der Datensignalleitung 15 über die gemeinsame Sourceelektrode 9 der TFTs (12a und 12b) und die erste und die zweite Drainelektrode 8a und 8b an die erste und die zweite Pixelelektrode 17a und 17b geliefert wird. Die erste und die zweite Speicherkondensatorleitung 52a und 52b empfangen Signalspannungen mit umgekehrten Polaritäten, und die erste und die zweite Pixelelektrode 17a und 17b werden so gesteuert, dass sie verschiedene elektrische Potenziale aufweisen (Einzelheiten werden später angegeben). Im Ergebnis hiervon werden in jedem Pixel 10 ein heller und ein dunkler Bereich ausgebildet, so dass durch Bereichsmittelungsmodulation ein Halbton repräsentiert wird. Im Ergebnis ist die Anzeigequalität verbessert, da beispielsweise ein weißliches Aussehen unter schrägen Betrachtungswinkeln eingeschränkt ist. Es sei darauf hingewiesen, dass der Speicherkondensator eine Hilfskapazität ist, die ein in jede der Pixelelektroden (17a und 17b) eingeschriebenes elektrischen Potenzial aufrechterhält, bis das nächste Datensignal in jede der Pixelelektroden (17a und 17b) eingegeben wird.
  • Das Aktivmatrixsubstrat ist mit einem Gateisolierfilm versehen, der die Scansignalleitung (die Gateelektrode jedes Transistors) und die Speicherkondensatorleitung bedeckt. Dieser Gateisolierfilm verfügt daher über einen ersten auf dem Leiter liegenden Bereich 38a über der ersten Speicherkondensatorleitung 52a und einen zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich 38b über der zweiten Speicherkondensatorleitung 52b.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der erste dünne Abschnitt 31a, dessen Filmdicke geringer als die der umgebenden Bereiche ist, im ersten auf dem Leiter liegenden Bereich 38a des Gateisolierfilms ausgebildet. Der Gateisolierfilm verfügt über mehrere Gateisolierschichten. Der erste dünne Abschnitt 31a wird dadurch hergestellt, dass mindestens eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt wird oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der erste dünne Abschnitt 31a über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist im Bereich ausgebildet, im dem der erste auf dem Leiter liegenden Bereich 38a mit der ersten Pixelelektrode 17a überlappt. Kurz gesagt, überlappt der gesamte erste dünne Abschnitt 31a mit der ersten Pixelelektrode. Auch ist im zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich 38b des Gateisolierfilms ein zweiter dünner Abschnitt 31b mit verringerter Filmdicke ausgebildet. Der Gateisolierfilm enthält mehrere Gateisolierschichten. Der zweite dünne Abschnitt 31b wird dadurch ausgebildet, dass mindestens eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der zweite dünne Abschnitt 31b über Rechteckform, und er ist entlang der Scansignalleitung langgestreckt. Der zweite dünne Abschnitt 31b ist im Bereich ausgebildet, in dem der zweite auf dem Leiter liegende Bereich 38b mit der zweiten Pixelelektrode 17b überlappt. Anders gesagt, überlappt der gesamte zweite dünne Abschnitt 31b mit der zweiten Pixelelektrode 17b.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform, wie sie in der 1 dargestellt ist, ist der unter dem Kanal liegende Bereich jedes TFT mit einem dünnen Abschnitt 31t versehen (dessen Anordnung mit dem des ersten oder zweiten dünnen Abschnitts übereinstimmt), um die Eigenschaften des ersten und des zweiten TFT 12a und 12b zu verbessern.
  • Die 2 ist ein Schnitt entlang einer Linie A1-A2 in der 1. Wie es in den 1 und 2 dargestellt ist, ist die erste Speicherkondensatorleitung 52a auf einem Glassubstrat 20 ausgebildet, und der Gateisolierfilm 40 (der die Scansignalleitung 16 bedeckt) bedeckt die erste Speicherkondensatorleitung 52a und eine Fläche des Glassubstrats. Auf diesem Gateisolierfilm 40 sind ein erster Zwischenschichtisolierfilm 25, der die Kanalabschnitte des ersten und des zweiten TFT 12a und 12b bedeckt, und die erste Pixelelektrode 17a in dieser Reihenfolge ausgebildet. Der Gateisolierfilm enthält eine erste Gateisolierschicht 21 aus einem SOG-Material und eine zweite Gateisolierschicht 22 aus SiNx. In einem Teil des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs 38a ist die erste Gateisolierschicht 21 entfernt, und dieser Teil befindet sich im ersten dünnen Abschnitt 31a. Auf diesem ersten dünnen Abschnitt 31a ist die erste Pixelelektrode 17a so ausgebildet, dass der erste Zwischenschichtisolierfilm 25 dazwischen eingefügt ist.
  • Infolge dessen kann im Gateisolierfilm, da ein Teil des Bereichs zwischen der ersten Speicherkondensatorleitung 52a und der ersten Pixelelektrode 17a so ausgebildet ist, dass er über verringerte Dicke verfügt (d. h., es ist der erste dünne Abschnitt 31a ausgebildet), der Kapazitätswert der Kapazität C1 vorherrschend durch einen Teil 88a bestimmt sein, in dem die erste Speicherkondensatorleitung 52a mit dem ersten dünnen Abschnitt 31a überlappt. In ähnlicher Weise kann im Gateisolierfilm, da ein Teil des Bereichs zwischen der zweiten Speicherkondensatorleitung 52b und der zweiten Pixelelektrode 17b so ausgebildet ist, dass er verringerte Dicke aufweist (d. h., es ist der zweite dünne Abschnitt 31b ausgebildet), der Kapazitätswert der Kapazität C2 vorherrschend durch einen Teil bestimmt sein, in dem die zweite Speicherkondensatorleitung 52b mit dem zweiten dünnen Abschnitt 31b überlappt. An diesem Punkt zeigt, da der gesamte erste dünne Abschnitt 31a im ersten auf dem Leiter liegenden Bereich 38a des Gateisolierfilms ausgebildet ist, die erste Speicherkondensatorleitung 52a Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt 31a. Aus diesem Grund ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C1 selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 52a unzureichend konstant ist oder wenn eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C1 mit dem ersten dünnen Abschnitt 31a überlappt.
  • Zusätzlich zum Obigen ist der erste dünne Abschnitt 31a im Bereich vorhanden, in dem der Gateisolierfilm mit der ersten Pixelelektrode 17a überlappt (d. h., der gesamte erste dünne Abschnitt 31a überlappt mit der ersten Pixelelektrode 17a). Daher zeigt die erste Pixelelektrode 17a Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt 31a. Aus diesem Grund ändert sich die Kapazität C1 selbst dann kaum, wenn die Breite der ersten Pixelelektrode 17a unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C1 mit dem ersten dünnen Abschnitt 31a überlappt.
  • Als Ergebnis des Obigen ist es, beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat, möglich, zu verhindern, dass Kapazitätswerte der Kapazitäten C1 innerhalb des Substrats unzureichend konstant sind, und demgemäß ist es möglich, zu verhindern, dass das Ausmaß der Steuerung der elektrischen Potenziale der ersten Pixelelektrode 17a innerhalb des Substrats unzureichend konstant ist. Daher zeigt ein Display unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats verbesserte Anzeigequalität. Das heißt, dass dann, wenn ein Display, das mittels einer Cs-Steuerung eine Mehrpixelansteuerung ausführt (Steuerung unter Verwendung einer Speicherkondensatorleitung) einen vorbestimmten Halbton anzeigt, Belichtungsbereiche (Anzeigebereiche), die jeweiligen Belichtungsschritten entsprechen, hinsichtlich der Helligkeit verschieden sind (da dann, wenn das Aktivmatrixsubstrat hergestellt wird, die Belichtungsmengen zwischen den jeweiligen Belichtungsschritten verschieden sind und demgemäß die Leitungsbreite des Resistmusters unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, mit dem Ergebnis, dass Kapazitätswert der durch die Speicherkondensatorleitungen und die Pixelelektroden gebildeten Kapazitäten innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden). Die vorliegende Ausführungsform ermöglicht es, Unterschiede zwischen Kapazitätswerten der Kapazitäten C1 innerhalb des Substrats effektiv einzuschränken, und demgemäß wird das obige Problem überwunden.
  • In ähnlicher Weise ist der zweite dünne Abschnitt 31b im zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich 38b des Gateisolierfilms vorhanden, und daher zeigt die zweite Speicherkondensatorleitung 52b Fehlertoleranz in Bezug auf den zweiten dünnen Abschnitt 31b. Daher ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C2 selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der zweiten Speicherkondensatorleitung 52b unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C2 mit dem zweiten dünnen Abschnitt 31b überlappt.
  • Zusätzlich zum Obigen zeigt, da der zweite dünne Abschnitt 31b im Bereich vorhanden ist, in dem der Gateisolierfilm mit der zweiten Pixelelektrode 17b überlappt, diese zweite Pixelelektrode 17b Fehlertoleranz in Bezug auf den zweiten dünnen Abschnitt 31b. Daher ändert sich die Kapazität C2 selbst dann kaum, wenn die Breite der zweiten Pixelelektrode 17b unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C2 mit dem zweiten dünnen Abschnitt 31b überlappt.
  • Auf Grund des Obigen ermöglicht es das vorliegende Aktivmatrixsubstrat, zu verhindern, dass Kapazitätswerte der Kapazitäten C2, d. h. die Ausmaß der Steuerung elektrischer Potenziale der zweiten Pixelelektrode 17b, innerhalb des Substrats unzureichend konstant sind, und demgemäß zeigt ein Display unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats verbesserte Anzeigequalität. Anders gesagt, ist es, da die vorliegende Ausführungsform auf effektive Weise das Problem verhindert, dass Kapazitäten der Kapazitäten C2 innerhalb des Substrats unzureichend konstant sind, möglich, das oben genannte Problem zu überwinden, dass dann, wenn ein Display, das durch Cs-Steuerung eine Mehrpixelansteuerung ausführt, einen vorbestimmten Halbton anzeigt, den jeweiligen Belichtungsschritten entsprechende Anzeigebereiche verschiedene Helligkeiten zeigen.
  • Die Speicherkondensatorleitungen 52a und 52b sowie die Scansignalleitung 16 (die Gateelektrode) bestehen beispielsweise aus einem einschichtigen oder einem mehrschichtigen Film aus einem Metall wie Titan, Chrom, Aluminium, Molybdän, Tantal, Wolfram und Kupfer oder einer Legierung hiervon. Die Speicherkondensatorleitungen und die Scansignalleitung (die Gatee lektrode) sind beispielsweise ungefähr 100 nm bis 300 nm (1000 Å) dick.
  • Die erste Gateisolierschicht 21 kann aus einem isolierenden Material (beispielsweise einem eine organische Substanz enthaltenden Material) bestehen, beispielsweise einem Spin-on-glass(SOG)-Material. SOG-Materialien können dadurch einen Glasfilm (Siliciumoxidfilm) bilden, dass ein Ausbreitverfahren wie Schleuderbeschichten angewandt wird. Unter SOG-Materialien wird geeigneterweise z. B. ein Spin-on-glass-Material verwendet, das eine organische Substanz enthält (ein sogenanntes organisches SOG-Material). Zu Beispielen organischer SOG-Materialien, wie sie in besonders geeigneter Weise verwendet werden, gehören ein solches mit einer Hauptkette mit Si-O-C-Bindung sowie ein solches mit einer Hauptkette mit Si-C-Bindung. Da ein organisches SOG-Material eine niedrige relative Dielektrizitätskonstante zeigt und leicht zu einem dicken Film ausbildbar ist, verringert die Verwendung eines organisches SOG-Materials die relative Dielektrizitätskonstante der ersten Gateisolierschicht 21 und vereinfacht es, eine dicke erste Gateisolierschicht 21 herzustellen. Ferner ermöglicht es die Verwendung eines organischen SOG-Materials, die erste Gateisolierschicht 21 einzuebnen. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Gateisolierschicht 21 so ausgebildet, dass sie eine Dicke von ungefähr 1,5 [μm] bis 2,0 [μm] aufweist. Neben den oben genannten SOG-Materialien gehören zu Beispielen von Materialien mit organischen Substanzen ein Acrylharzmaterial, Epoxyharz, Polyimidharz, Polyurethanharz, Polysiloxanharz und Novolakharz.
  • Beispiele des SOG-Materials mit der oben genannten Si-O-C-Bindung sind Materialien, wie sie in der Veröffentlichung Nr. 2001-98224 zu einer ungeprüften japanischen Patenanmeldung und in der Veröffentlichung Nr. 6-240455 zu einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung offenbart sind, sowie von Dow Corning Toray hergestelltes DD1100, das in IDW '03 Preprints, S. 617 offenbart ist. Ein Beispiel des SOG-Materials mit der oben genannten Si-C-Bindung ist ein Material, wie es in der Veröffentlichung Nr. 10-102003 zu einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung offenbart ist.
  • Alternativ kann die erste Gateisolierschicht 21 aus einem organischen SOG-Material bestehen, das einen Siliciumoxidfüllstoff enthält. In diesem Fall ist ein bevorzugter Aufbau ein solcher, dass ein Siliciumfüllstoff in einem Substrat aus einem organischen SOG-Material dispergiert wird. Ein derartiger Aufbau ermöglicht es, eine erste Gateisolierschicht 21 ohne Risserzeugung selbst dann, wenn ein großes Substrat 20 verwendet wird, herzustellen. Der Korndurchmesser eines Siliciumoxidfüllstoffs beträgt beispielsweise 10 nm bis 30 nm, und der zugehörige Mischungsgrad fällt in den Bereich von 20 Volumen-% bis 80 Volumen-%. Ein Beispiel eines einen Siliciumfüllstoff enthaltenden organischen SOG-Materials ist das von Catalyst Chemistry hergestellte LNT-025.
  • Die zweite Gateisolierschicht 22 ist ein auf der ersten Gateisolierschicht 21 ausgebildeter Isolierfilm. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht die zweite Gateisolierschicht 22 aus Siliciumnitrid (SiNx), und der Siliciumnitridfilm ist ungefähr 300 nm bis 500 nm (3000 Å bis 5000 Å) dick.
  • Die Datensignalleitung 15, die Sourceelektrode 9 und die Drainelektrode 8 (siehe die 1) können alle aus einem einschichtigen oder einem mehrschichtigen Film aus einem Metall wie Titan, Chrom, Aluminium, Molybdän, Tantal, Wolfram und Kupfer oder einer Legierung hiervon bestehen. Diese Elemente sind beispielsweise ungefähr 100 nm bis 300 nm (1000 Å bis 3000 Å) dick.
  • Der erste Zwischenschichtisolierfilm 25 (Kanalschutzfilm) ist ein anorganischer Isolierfilm aus Siliciumnitrid, Siliciumoxid oder dergleichen, oder es ist ein Film, der durch Aufschichten dieser anorganischen Isolierfilme hergestellt wird, oder dergleichen. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht der Film 25 aus Siliciumnitrid mit einer Dicke von ungefähr 200 nm bis 500 nm (2000 Å bis 5000 Å).
  • Die erste und die zweite Pixelelektrode 17a und 17b, wie sie auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm 25 ausgebildet sind, bestehen beispielsweise aus einem transparenten, leitenden Film aus einem Material wie ITO, IZO, Zinkoxid und Zinnoxid. Die zugehörige Dicke beträgt ungefähr 100 nm bis 200 nm (1000 Å bis 2000 Å).
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 2 ein Beispiel des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats angegeben.
  • Als Erstes wird auf einem transparenten, isolierenden Substrat 20 ein Film aus Titan, Chrom, Aluminium, Molybdän, Tantal, Wolfram und Kupfer oder einer Legierung hiervon durch ein Verfahren wie Sputtern hergestellt. Durch Strukturieren dieses Metallfilms oder eines Legierungsfilms durch Fotoätzen oder dergleichen werden eine Speicherkondensatorleitung 52a und eine Scansignalleitung (die Gateelektrode jedes TFT) hergestellt.
  • Anschließend wird, durch Schleuderbeschichten, ein SOG-Material oder dergleichen so aufgebracht, dass es die Speicherkondensatorleitung 52a und die Scansignalleitung (die Gateelektrode) bedeckt. Als Ergebnis hiervon ist eine erste Gateisolierschicht 21 (ein Einebnungsfilm) ausgebildet. Nach dem Auftragen eines Fotoresists auf die erste Gateisolierschicht 21 erfolgt ein Belichten unter Verwendung einer Fotomaske. Dann wird ein Entwickeln ausgeführt. Dann wird die erste Gateisolierschicht 21 durch Trockenätzen entfernt. Beim Trockenätzen kann beispielsweise ein Gas verwendet werden, das ein Gemisch von CF4 und O2 ist. Durch Einstellen des Mischungsverhältnisses von CF4 und Sauerstoff O2 werden Bereiche um die Ränder desjenigen Teils, aus dem die erste Gateisolierschicht entfernt wurde, so ausgebildet, dass sie eine nach vorne verjüngte Form aufweisen.
  • Auf diese Weise wird der in der 2 dargestellte dünne Abschnitt 31a durch Strukturieren der ersten Gateisolierschicht 21 ausgebildet.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der erste dünne Abschnitt 31a innerhalb des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs 38a (des Gateisolierfilms 40) vorhanden. Ferner ist, um die Eigenschaften des ersten und des zweiten TFT 12a und 12b (siehe die 1) zu verbessern, der dünne Abschnitt 31t im unter dem Kanal liegenden Bereich jedes TFT vorhanden.
  • Anschließend an das Obige wird durch Fotoätzen oder dergleichen eine Musterausbildung ausgeführt, nachdem die zweite Gateisolierschicht 22 und Halbleiterschichten (eine Halbleiterschicht mit hohem Widerstand und eine Halbleiterschicht mit niedrigem Widerstand) aufeinanderfolgend durch Plasma-CVD (chemische Dampfabscheidung) oder dergleichen hergestellt wurden.
  • Dann werden eine Datensignalleitung, eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode hergestellt. Diese Elemente können im selben Herstellschritt hergestellt werden. Genauer gesagt, wird ein Film durch Aufsputtern oder dergleichen aus Titan, Chrom, Aluminium, Molybdän, Tantal, Wolfram und Kupfer oder einer Legierung hiervon hergestellt, und dieser Metallfilm oder Legierungsfilm wird durch Fotoätzen oder dergleichen so strukturiert, dass er die erforderliche Form aufweist.
  • Danach wird in Bezug auf die Halbleiterschichten mit hohem Widerstand (i-Schichten), wie einen Film aus amorphem Silicium, und Halbleiterschichten mit niedrigem Widerstand (n+-Schichten), wie einen Film aus amorphem n+-Silicium, unter Ver wendung der Muster der Datensignalleitung, der Sourceelektrode und der Drainelektrode als Maske ein Kanalätzen durch Trockenätzen ausgeführt, mit dem Ergebnis, dass erste und zweite TFTs 12a und 12b (siehe die 1) ausgebildet werden. Anders gesagt, werden Halbleiterschichten, die nicht durch die Datensignalleitung, die Sourceelektrode und die Drainelektrode abgedeckt sind, abgeätzt, und demgemäß verbleiben die i-Schichten, die erforderlich sind, es zu ermöglichen, dass jeder TFT seine Eigenschaften aufweist.
  • Dann wird ein erster Zwischenschichtisolierfilm 25 zum Schützen (Bedecken) des Kanals des TFT hergestellt. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird durch Plasma-CVD oder dergleichen ein anorganischer Isolierfilm aus Siliciumnitrid, Siliciumoxid oder dergleichen hergestellt.
  • Kontaktlöcher 11a und 11b (siehe die 1) werden beispielsweise auf solche Weise ausgebildet, dass ein fotoempfindlicher Resist durch Fotolithografie (Belichten und Entwickeln) strukturiert und dann geätzt wird.
  • Auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm 25 wird ein transparenter, leitender Film aus ITO, IZO, Zinkoxid, Zinnoxid oder dergleichen durch Sputtern oder dergleichen hergestellt, und dieser Film wird durch Fotoätzen oder dergleichen so strukturiert, dass er die erforderliche Form zeigt. Im Ergebnis ist eine erste Pixelelektrode 17a hergestellt. Auf diese Weise wird das vorliegende Aktivmatrixsubstrat hergestellt.
  • Wie es in den 3 und 4 dargestellt ist, kann das vorliegende Aktivmatrixsubstrat alternativ so ausgebildet sein, dass ein Teil des ersten dünnen Abschnitts 41a mit der ersten Pixelelektrode 17a überlappt und ein Teil des zweiten dünnen Abschnitts 41b mit der zweiten Pixelelektrode 17b überlappt. Ab gesehen davon ist dieses Aktivmatrixsubstrat mit dem in den 1 und 2 dargestellten Substrat identisch.
  • Auch beim in den 3 und 4 dargestellten Aktivmatrixsubstrat ist der gesamte erste dünne Abschnitt 41a innerhalb des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs 38a des Gateisolierfilms vorhanden, und demgemäß zeigt die erste Speicherkondensatorleitung 52a Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt 41a. Daher ändert sich der Kapazitätswert der zwischen der ersten Pixelelektrode 17a und der ersten Speicherkondensatorleitung 52a ausgebildeten Kapazität (des Speicherkondensators) Cx selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 52a unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität Cx mit dem ersten dünnen Abschnitt 41a überlappt.
  • Nun zeigt die 25 das Ergebnis (Kurvenbild A) der Simulation einer Variation der Kapazität Cx im in den 3 und 4 dargestellten Aktivmatrixsubstrat, wenn die Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 52a um 2 μm abweicht (1 μm für jede Seite; 2 [μm] insgesamt), und das Simulationsergebnis (Kurvenbild B) der Variation der Kapazität Cx' einer Vergleichsanordnung, die mit der in den 3 und 4 dargestellten Anordnung mit der Ausnahme identisch ist, dass der erste dünne Abschnitt 41a nicht vorhanden ist (d. h., es ist die erste Gateisolierschicht 21 nicht vorhanden, sondern es ist nur die zweite Gateisolierschicht 22 mit gleichmäßiger Dicke vorhanden), wenn die Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 52a um 2 μm abweicht. Diese Simulationen setzen voraus, dass ein Flüssigkristalldisplay von 45 Zoll (Auflösung 1920xRGB-1080) verwendet wird und in dieser die relative Dielektrizitätskonstante der ersten Gateisolierschicht 21 3,5 beträgt, die die relativen Dielektrizitätskonstanten des ersten Gateisolierfilms 22 (Siliciumnitrid) und des ersten Zwischenschichtisolierfilms 25 (Siliciumnitrid) beide 7,0 betragen, der erste Gateisolierschicht 21 1,2 μm dick ist, der zweite Gateisolierschicht 22 400 nm dick ist und der erste Zwischenschichtisolierfilm 25 250 nm dick ist.
  • Die in der 25 dargestellten Simulationsergebnisse zeigen, dass eine Variation der Kapazität Cx beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat 10 (in dem der erste dünne Abschnitt 41a vorhanden ist) deutlich kleiner als die Variation der Kapazität Cx' bei der Vergleichsanordnung ist (bei der kein dünner Abschnitt vorhanden ist).
  • Im Kurvenbild C (0,9 mV) in der 26 ist eine Variation der Kapazität (des Speicherkondensators) Cx als Variation des effektiven Potenzials (der ersten Pixelelektrode) bei einer Halbtonanzeige dargestellt (in diesem Fall eine Anzeige bei einem Graupegel von 110 innerhalb von 256 anzeigbaren Graupegeln). Im Kurvenbild D (3,9 mV) in der 26 ist eine Variation der Kapazität Cx' als Variation des effektiven Potenzials (der ersten Pixelelektrode) bei einer Halbtonanzeige (bei einem Graupegel von 110) dargestellt.
  • Unter Berücksichtigung der Tatsache, dass eine Helligkeitsdifferenz gegenüber der Umgebung nicht wahrgenommen wird, wenn die Variation des effektiven Potenzials nicht höher als 1 mV ist, erscheint beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat 10 keine wahrnehmbare Helligkeitsdifferenz, wenn die Leitungsbreiten der ersten Speicherkondensatorleitungen 52a einen Fehler von 1 μm aufweisen, jedoch erscheint bei der Vergleichsanordnung eine wahrnehmbare Helligkeitsdifferenz, und dadurch ist die Anzeigequalität beeinflusst.
  • Die 27 betrifft das Kurvenbild C in der 26, und es handelt sich um ein Kurvenbild, das eine Variation von Änderungen des effektiven Potenzials zeigt, wenn die Dicke (SOG-Dicke) der ersten Gateisolierschicht 21 geändert wird (das Kurvenbild C zeigt den Fall, bei dem die Dicke 1,2 μm beträgt). Da die Variation des effektiven Potenzials in den Bereich von 1,0 mV fällt (Schwellenwert einer wahrnehmbaren Helligkeitsdifferenz), wenn die Dicke der ersten Gateisolierschicht 21 1,0 μm beträgt, zeigt es sich, dass die minimale Dicke der ersten Gateisolierschicht 21 1,0 μm beträgt, wenn der Fehler der Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 52a nicht größer als 2 μm ist (1 μm für jede Seite; 2 μm insgesamt) Die 28 ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen der Dicke (SOG-Dicke) der ersten Gateisolierschicht 21 und einer Variation der Helligkeitsdifferenz zeigt. Die Figur zeigt, dass die Variation der Helligkeitsdifferenz im Wesentlichen 0 beträgt, wenn die Dicke der ersten Gateisolierschicht 21 nicht kleiner 5,0 μm ist. Es sei darauf hingewiesen, dass, da die erste Gateisolierschicht 21 (der SOG-Film) durch Schleuderbeschichten hergestellt wird, die Dicke der ersten Gateisolierschicht 21 nicht gleichmäßig sein kann, wenn sie zu dick ist. Unter Berücksichtigung dieser Tatsache ist die Dicke der ersten Gateisolierschicht 21 vorzugsweise nicht größer als 4,0 μm.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so aufgebaut sein, wie es in der 9 dargestellt ist. Das in der 9 dargestellte Aktivmatrixsubstrat ist so aufgebaut, dass jeder Pixelbereich 70 mit einem TFT 12, einer Pixelelektrode 17 und einem Kontaktloch 11 versehen ist. Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist mit einer sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckenden Scansignalleitung 76 und einer sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckenden Datensignalleitung 15 versehen, die orthogonal zueinander angeordnet sind.
  • Der TFT 12 ist mit einer Sourceelektrode 9 und einer Drainelektrode 8 versehen, und seine Gateelektrode 6 besteht aus einer Verlängerung der Scansignalleitung. Die Sourceelektrode 9 ist mit der Datensignalleitung 15 verbunden, wohingegen die Drainelektrode 8 durch das Kontaktloch 11 mit der Pixelelektrode 17 verbunden ist. Die Pixelelektrode 17 ist eine transparente Elektrode aus ITO oder dergleichen, und sie ermöglicht es, dass von unterhalb des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats eintreffendes Licht (Hinterleuchtungslichtstrahl) durch dasselbe dringt.
  • Auf dem vorliegenden Aktivmatrixsubstrat ist im Zentrum des Pixelbereichs eine Speicherkondensatorleitung 52 so ausgebildet, dass sie sich in der Richtung entlang der Scansignalleitung 76 erstreckt.
  • Die Pixelelektrode 17 fungiert als Elektrode einer Kapazität C, wohingegen die Speicherkondensatorleitung 52 als andere Elektrode der Kapazität C fungiert. Diese Kapazität C fungiert auch als Kapazität.
  • Beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat werden Daten (ein Signalpotenzial) von der Datensignalleitung 15 über die Sourceelektrode 9 und die Drainelektrode 8 des TFT 12 an die Pixelelektrode 17 geliefert.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist mit einem Gateisolierfilm versehen, der die Scansignalleitung (die Gateelektrode jedes Transistors) und die Speicherkondensatorleitung bedeckt. Daher weist der Gateisolierfilm, auf dem Pixelbereich 70, einen auf dem Leiter liegenden Bereich 38 auf, der mit der Speicherkondensatorleitung 52 überlappt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist im auf dem Leiter liegenden Bereich 38 des Gateisolierfilms ein dünner Abschnitt 31 mit verringerter Dicke ausgebildet. Der Gateisolierfilm verfügt über mehrere Gateisolierschichten. Der dünne Abschnitt 31 wird dadurch hergestellt, dass zumindest eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der dünne Abschnitt 31 über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist örtlich um das Zentrum des auf dem Leiter liegenden Bereichs 38 herum ausgebildet.
  • Auch ist bei der in der 9 dargestellten Anordnung der dünne Abschnitt 31 im auf dem Leiter liegenden Bereich 38 des Gateisolierfilms vorhanden, und demgemäß zeigt die Speicherkondensatorleitung 52 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 31. Daher ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Speicherkondensatorleitung 52 unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C mit dem dünnen Abschnitt 31 überlappt.
  • Ferner zeigt die Pixelelektrode 17 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 31, da dieser im Bereich vorhanden ist, in dem der Gateisolierfilm mit der Pixelelektrode 17 überlappt (d. h., der gesamte dünne Abschnitt 31 überlappt mit der Pixelelektrode 17). Daher ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C selbst dann kaum, wenn die Breite der Pixelelektrode 17 unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C mit dem dünnen Abschnitt 31 überlappt.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, wie es in der 19 dargestellt ist. Wie es in der 19 dargestellt ist, ist das Aktivmatrixsubstrat so aufgebaut, dass jeder Pixelbereich mit einem TFT 412, einer Pixelelektrode 417 (einer Kondensatorelektrode), einer Speicherkondensatorleitung 452 (einem Leiter) und einer Scansignalleitung 416, die sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckt, und einer Datensignalleitung 415, die sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckt, wobei sie orthogonal zueinander angeordnet sind, versehen ist.
  • Die Speicherkondensatorleitung 452 ist so angeordnet, dass sie H-förmig ist, so dass sie, unter den Rändern der Pixelelektrode 417, mit einem Rand E1 entlang der Datensignalleitung 415 und einem dem Rand E1 gegenüberstehenden Rand E2 überlappt. Im Ergebnis hiervon ist der Speicherkondensator 10 im Bereich ausgebildet, in dem die Pixelelektrode 417 mit der Speicherkondensatorleitung 452 überlappt. Obwohl es nicht dargestellt ist, ist der Gateisolierfilm so ausgebildet, dass er die Oberfläche der Speicherkondensatorleitung 452 bedeckt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform, wie sie in der 19 dargestellt ist, ist in einem Bereich des Gateisolierfilms, wobei sich dieser Bereich auf dem Leiter befindet, ein dünner Abschnitt 431 mit verringerter Dicke ausgebildet. Der dünne Abschnitt 431 ist H-förmig. Der gesamte dünne Abschnitt 431 überlappt mit der Speicherkondensatorleitung 452, und ein zugehöriger Teil überlappt mit der Pixelelektrode 417. Wegen dieser Anordnung wird der Speicherkondensator C vorwiegend durch den Bereich bestimmt, in dem die Pixelelektrode 417, die Speicherkondensatorleitung 452 und der dünne Abschnitt 431 miteinander überlappen.
  • Auch ist bei der in der 19 dargestellten Anordnung der gesamte dünne Abschnitt 431 im auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms vorhanden, und demgemäß zeigt die Speicherkondensatorleitung 452 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 431. Daher ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators C selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Speicherkondensatorleitung 452 unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, und der Bedingung, dass kein Rand des Speicherkondensator 10 mit dem dünnen Abschnitt 431 überlappt.
  • Ferner ist der dünne Abschnitt 431 so angeordnet, dass er insgesamt mit der Speicherkondensatorleitung 452 überlappt, wobei zugehörige Teile mit den Rändern E1 und E2 der Pixelelektrode 417 überlappen. Aus diesem Grund kompensiert der Bereich, in dem die Pixelelektrode 417 mit dem dünnen Abschnitt 431 überlappt, eine horizontale Fehlausrichtung der Pixelelektrode 417 oder des dünnen Abschnitts 431, und demgemäß ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators C nicht auf einfache Weise. Außerdem verringert, da die Speicherkondensatorleitung 452 so ausgebildet ist, dass sie mit den Rändern E1 und E2 der Pixelelektrode 417 überlappt, wie oben, der Feldabschirmungseffekt die parasitäre Kapazität zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so ausgebildet sein, wie es in der 20 dargestellt ist. Die 2 ist ein Schnitt entlang der Linie B1-B2 in der 20. Wie es in der 20 dargestellt ist, ist das vorliegende Aktivmatrixsubstrat so aufgebaut, dass jeder Pixelbereich mit einem TFT 312, einer Pixelelektrode 317 (einer Kondensatorelektrode), einer Speicherkondensatorleitung 352 (einem Leiter) und einer sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckenden Scansignalleitung 316 und einer sich in der vertikalen Richtung erstreckenden Datensignalleitung 315, die orthogonal zueinander angeordnet sind, versehen ist.
  • Die Speicherkondensatorleitung 352 ist kreisförmig so ausgebildet, dass sie mit den Rändern der Pixelelektrode 317 überlappt. Im Ergebnis ist im Bereich, in dem die Pixelelektrode 317 mit der Speicherkondensatorleitung 352 überlappt, ein Speicherkondensator C ausgebildet.
  • Beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat, wie es in der 21 dargestellt ist, ist die Speicherkondensatorleitung 352 auf einem Substrat 20 ausgebildet, und der Gateisolierfilm 340 ist so ausgebildet, dass er diese bedeckt, und auf diesem Gateisolierfilm 340 ist die Pixelelektrode 317 ausgebildet. Daher ist die ser Gateisolierfilm 340 so aufgebaut, dass jeder Pixelbereich mit einem auf dem Leiter liegenden Bereich 338 versehen ist, der mit der Speicherkondensatorleitung 352 überlappt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist, wie es in den 20 und 21 dargestellt ist, im auf dem Leiter liegenden Bereich 338 des Gateisolierfilms ein dünner Abschnitt 331 mit verringerter Dicke ausgebildet. Der dünne Abschnitt 331 ist kreisförmig. Seine Gesamtheit überlappt mit der Speicherkondensatorleitung 352, und ein zugehöriger Teil überlappt mit der Pixelelektrode 317. Im Ergebnis ist der Speicherkondensator C vorwiegend durch den Bereich bestimmt, in dem die Pixelelektrode 317, die Speicherkondensatorleitung 352 und der dünne Abschnitt 331 einander überlappen.
  • Auch zeigt bei der in der 20 dargestellten Anordnung, da der gesamte dünne Abschnitt 331 im auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms ausgebildet ist, die Speicherkondensatorleitung 352 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 331. Daher ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators C selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Speicherkondensatorleitung 352 unzureichend konstant ist oder eine Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass ein Rand des Kondensators C mit dem dünnen Abschnitt 331 überlappt.
  • Ferner ist der dünne Abschnitt 331 so ausgebildet, dass er insgesamt mit der Speicherkondensatorleitung 352 überlappt, und ein zugehöriger Teil überlappt mit einem Rand der Pixelelektrode 317. Daher wird eine horizontale Fehlausrichtung der Pixelelektrode 317 oder des dünnen Abschnitts 331 durch den Bereich kompensiert, in dem die Pixelelektrode 317 mit dem dünnen Abschnitt 331 überlappt, und demgemäß ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators C nicht auf einfache Weise. Auch verringert, da die Speicherkondensatorleitung 352 so ausgebildet ist, dass sie, unter den Rändern der Pixelelektrode 317, mit dem Rand entlang der Datensignalleitung 315 und dem diesem Rand entlang der Datensignalleitung 315 gegenüberstehenden Rand überlappt, der zugehörige Feldabschirmungseffekt die parasitäre Kapazität zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung.
  • [Ausführungsform 2]
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 5 bis 8 und die 10 die Ausführungsform 2 der Erfindung beschrieben.
  • Die 5 ist eine Draufsicht, die ein Aktivmatrixsubstrat der vorliegenden Ausführungsform skizziert. Wie es in der Figur dargestellt ist, ist das vorliegende Aktivmatrixsubstrat für eine Mehrpixelansteuerung ausgebildet, und ein Pixelbereich 110 enthält einen ersten TFT (Dünnschichttransistor) 112a, einen zweiten TFT 112b, eine erste Pixelelektrode 117a, eine zweite Pixelelektrode 117b, eine erste Drainzuleitungselektrode 107a, eine erste Drainzuleitungsleitung 147a, eine zweite Drainzuleitungsleitung 147b, ein erstes Kontaktloch 111a und ein zweites Kontaktloch 111b.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist ferner mit einer sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckenden Scansignalleitung 116 und einer sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckenden Datensignalleitung 115, die so angeordnet sind, dass sie orthogonal zueinander verlaufen, versehen. Innerhalb des Pixelbereichs 110 ist die erste Pixelelektrode 117a in der oberen Hälfte vorhanden, die zweite Pixelelektrode 117b in der unteren Hälfte vorhanden, und die Scansignalleitung 116 durchdringt den zentralen Teil. Diese Scansignalleitung 116 überlappt mit der ersten Pixelelektrode 117a (dem unteren Teil der ersten Pixelelektrode 117a in der 5) und der zweiten Pixelelektrode 117b (dem oberen Teil der zweiten Pixelelektrode 117b in der 5). Die Datensignalleitung 115 ist so ausgebildet, dass sie mit den linken Rändern der ersten und der zweiten Pixelelektrode (117a und 117b) überlappt. Um die Schnittstelle zwischen der Datensignalleitung 115 und der Scansignalleitung 116 herum sind der erste und der zweite TFT 112a und 112b ausgebildet.
  • Der erste TFT 112a verfügt über eine Sourceelektrode 109 und eine erste Drainelektrode 108a, und seine Gateelektrode bildet einen Teil der Scansignalleitung 116. Der erste TFT 112b verfügt über die Sourceelektrode 109 und eine zweite Drainelektrode 108b, und seine Gateelektrode bildet einen Teil der Steuerungseinheit 600. Auf diese Weise haben der erste und der zweite TFT 112a und 112b die Sourceelektrode und die Gateelektrode gemeinsam.
  • Die Sourceelektrode 109 ist mit der Datensignalleitung 115 verbunden. Die erste Drainelektrode 108a ist über die Drainzuleitungsleitung 147a, die erste Drainzuleitungselektrode 107a und das Kontaktloch 111a mit der Pixelelektrode 117a verbunden. Die zweite Drainelektrode 108b ist über die zweite Drainzuleitungsleitung 147b, die zweite Drainzuleitungselektrode 107b und das Kontaktloch 111b mit der zweiten Pixelelektrode 117b verbunden. Die erste und die zweite Pixelelektrode 117a und 117b sind transparente Elektroden aus ITO oder dergleichen, und sie ermöglichen es, das Licht, das von unterhalb des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats herrührt (Hinterleuchtungslichtstrahl) durch dasselbe läuft.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat verfügt über erste und zweite Speicherkondensatorleitungen 152a und 152b, die auf einer Fläche eines Substrats so ausgebildet sind, dass sie sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstrecken. Die erste Speicherkondensatorleitung 152a überlappt mit der ersten Drainzuleitungselektrode 107a, wohingegen die zweite Speicherkonden satorleitung 152b mit der zweiten Drainzuleitungselektrode 107b überlappt.
  • Die erste Drainzuleitungselektrode 107a fungiert als Elektrode einer Kapazität C3, wohingegen die erste Speicherkondensatorleitung 152a als die andere Elektrode der Kapazität C3 fungiert. In ähnlicher Weise fungiert die zweite Drainzuleitungselektrode 107b als Elektrode einer Kapazität C4, wohingegen die zweite Speicherkondensatorleitung 152b als andere Elektrode der Kapazität C4 fungiert. Diese Kapazitäten C3 und C4 fungieren jeweils sowohl als Speicherkondensator als auch als Kapazität zum Steuern des elektrischen Potenzials der Pixelelektrode.
  • Beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat wird ein Datenwert (ein Signalpotenzial) auf der Datensignalleitung 115 über die gemeinsame Sourceelektrode 109 der TFTs (112a und 112b) und die erste und die zweite Drainelektrode 108a und 108b an die erste und zweite Pixelelektrode 117a und 117b geliefert. Die erste und die zweite Speicherkondensatorleitung 152a und 152b empfangen Signalspannungen mit umgekehrten Polaritäten, und die erste und die zweite Pixelelektrode 117a und 117b werden so gesteuert, dass sie verschiedene elektrische Potenziale zeigen (Einzelheiten werden später angegeben). Als Ergebnis hiervon sind in jedem Pixel 110 ein heller und ein dunkler Bereich ausgebildet, so dass durch Bereichüberdeckungsmodulation ein Halbton dargestellt wird. Im Ergebnis ist die Anzeigequalität verbessert, da beispielsweise ein weißliches Aussehen unter schrägen Betrachtungswinkeln eingeschränkt ist. Es sei darauf hingewiesen, dass der Speicherkondensator eine Hilfskapazität ist, die ein in jede der Pixelelektroden (117a und 117b) geschriebenes elektrisches Potenzial aufrechterhält, bis das nächste Datensignal in jede der Pixelelektroden (117a und 117b) eingegeben wird.
  • Das Aktivmatrixsubstrat ist mit einem Gateisolierfilm versehen, der die Scansignalleitung (die Gateelektrode jedes Transistors) und die Speicherkondensatorleitung bedeckt. Dieser Gateisolierfilm verfügt daher, im Pixelbereich 110, über einen ersten auf dem Leiter liegenden Bereich, der mit der ersten Speicherkondensatorleitung 152a überlappt, und einen zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich, der mit der zweiten Speicherkondensatorleitung 152b überlappt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist ein erster dünner Abschnitt 131a mit verringerter Dicke im ersten auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms ausgebildet. Der Gateisolierfilm verfügt über mehrere Gateisolierschichten. Der erste dünne Abschnitt 131a wird dadurch hergestellt, dass mindestens eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der erste dünne Abschnitt 131a über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist im Bereich ausgebildet, in dem der erste auf dem Leiter liegende Bereich mit der ersten Pixelelektrode 117a überlappt. Auch ist im zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms ein zweiter dünner Abschnitt 131b mit verringerter Filmdicke ausgebildet. Der Gateisolierfilm enthält die mehreren Gateisolierschichten. Der zweite dünne Abschnitt 131b wird dadurch hergestellt, dass mindestens eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt wird oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der zweite dünne Abschnitt 131b über Rechteckform, und er ist entlang der Scansignalleitung langgestreckt. Der zweite dünne Abschnitt ist im Bereich ausgebildet, in dem der zweite auf dem Leiter liegende Bereich mit der zweiten Pixelelektrode 117b überlappt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform, wie sie in der 5 dargestellt ist, ist der unter dem Kanal liegende Bereich jedes TFT mit einem dünnen Abschnitt 131t versehen (dessen Anordnung identisch mit der des ersten oder zweiten dünnen Abschnitts ist), um die Eigenschaften des ersten und des zweiten TFT 112a und 112b zu verbessern.
  • Die 6 ist ein Schnitt entlang einer Linie A1-A2 in der 5. Wie es in den 5 und 6 dargestellt ist, ist auf einem Glassubstrat 120 eine erste Speicherkondensatorleitung 152a ausgebildet, und ein Gateisolierfilm 140 (der die Scansignalleitung 116 bedeckt) bedeckt eine Fläche des Glassubstrats und die erste Speicherkondensatorleitung 152a. Auf diesem Gateisolierfilm 140 ist eine erste Drainzuleitungselektrode 107a ausgebildet. Ein erster Zwischenschichtisolierfilm 125 ist auf solche Weise ausgebildet, dass er einen Teil der ersten Drainzuleitungselektrode 107a und Kanalabschnitte des ersten und des zweiten TFT 112a und 112b bedeckt. Ferner ist auf diesem ersten Zwischenschichtisolierfilm 125 eine erste Pixelelektrode 117a ausgebildet, wobei dazwischen ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm 126 eingefügt ist. Im Kontaktloch 111a sind der erste und der zweite Zwischenschichtisolierfilm 125 und 126 entfernt, und die erste Drainzuleitungselektrode 107a steht mit der Pixelelektrode 117a in Kontakt.
  • Der erste Zwischenschichtisolierfilm 125 ist ein anorganischer Isolierfilm aus Siliciumnitrid, Siliciumoxid oder dergleichen, oder er ist ein Film, der dadurch hergestellt wird, dass diese anorganischen Isolierfilme, oder dergleichen, aufeinander geschichtet werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht der Film 125 aus Siliciumnitrid mit einer Dicke von ungefähr 200 nm bis 500 nm (2000 Å bis 5000 Å). Der zweite Zwischenschichtisolierfilm 126 kann ein Harzfilm aus fotoempfindlichem Acrylharz oder ein SOG-Film sein. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Film 126 ein fotoempfindlicher Acrylharzfilm mit einer Dicke von ungefähr 2000 nm bis 4000 nm (20000 Å bis 40000 Å).
  • Der Gateisolierfilm 140 verfügt über eine erste Gateisolierschicht 121 aus einem SOG-Material sowie eine zweite Gateisolierschicht 122 aus SiNx. In einem Teil des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs 138a ist die erste Gateisolierschicht 121 entfernt und ein erster dünner Abschnitt 131a ausgebildet. Auf diesem ersten dünnen Abschnitt 131a ist die erste Drainzuleitungselektrode 107a hergestellt, und auf dieser ist die erste Pixelelektrode 117a hergestellt.
  • Infolge dessen ist im Gateisolierfilm ein Teil des Bereichs zwischen der ersten Speicherkondensatorleitung 152a und der ersten Drainzuleitungselektrode 107a so ausgebildet, dass er eine geringere Dicke zeigt (d. h., der erste dünne Abschnitt 131a ist ausgebildet), so dass der Kapazitätswert der Kapazität C3 vorwiegend durch einen Teil 188a bestimmt ist, in dem die erste Speicherkondensatorleitung 152a mit dem ersten dünnen Abschnitt 131a überlappt. In ähnlicher Weise ist im Gateisolierfilm ein Teil des Bereichs zwischen der zweiten Speicherkondensatorleitung 152b und der zweiten Drainzuleitungselektrode 107b so ausgebildet, dass er verringerte Dicke aufweist (d. h., der zweite dünne Abschnitt 131b ist ausgebildet). Dies ermöglicht es, den Kapazitätswert der Kapazität C4 überwiegend durch den Bereich zu bestimmen, in dem die zweite Speicherkondensatorleitung 152b mit dem zweiten dünnen Abschnitt 131b überlappt.
  • In diesem Fall ist der gesamte erste dünne Abschnitt 131a innerhalb des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs 138a des Gateisolierfilms 140 vorhanden, und demgemäß zeigt die erste Speicherkondensatorleitung 152a Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt 131a. Daher ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität (des Speicherkondensators) C3 selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der ersten Speicherkondensatorleitung 152a unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C3 mit dem ersten dünnen Abschnitt 131a überlappt.
  • Darüber hinaus zeigt, da der erste dünne Abschnitt 131a im Bereich vorhanden ist, in dem der Gateisolierfilm 140 mit der ersten Drainzuleitungselektrode 107a überlappt (d. h., der gesamte erste dünne Abschnitt 131a überlappt mit der ersten Drainzuleitungselektrode 107a), die erste Drainzuleitungselektrode 107a Fehlertoleranz in Bezug auf den ersten dünnen Abschnitt 131a. Daher ändert sich die Kapazität C3 selbst dann kaum, wenn die Breite der ersten Drainzuleitungselektrode 107a unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C3 mit dem ersten dünnen Abschnitt 131a überlappt.
  • Auf Grund des Obigen ist es, beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat, möglich, zu verhindern, dass die Kapazitätswerte der Kapazitäten C3 innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden, und demgemäß ist es möglich, zu verhindern, dass der Grad der Steuerung der elektrischen Potenziale der ersten Pixelelektrode 117a innerhalb des Substrats unzureichend konstant wird. Daher zeigt ein Display unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats verbesserte Anzeigequalität. Das heißt, dass dann, wenn ein Display eine Mehrpixelansteuerung durch Cs-Steuerung (Steuerung unter Verwendung einer Speicherkondensatorleitung) ausführt, einen vorbestimmten Halbton anzeigt, Belichtungsbereiche (Anzeigebereiche), die jeweiligen Belichtungsschritten entsprechen, hinsichtlich der Helligkeit verschieden sind (da dann, wenn das Aktivmatrixsubstrat hergestellt wird, Belichtungsmengen unter den jeweiligen Belichtungsschritten verschieden sind und demgemäß die Leitungsbreite des Resistmusters unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, mit dem Ergebnis, dass Kapazitätswerte der durch die Speicherkondensatorleitungen und die Drainzuleitungselektroden gebildeten Kapazitäten innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden). Die vorliegende Ausführungsform ermöglicht es, Unterschiede zwischen Kapazitätswerten der Kapazi täten C3 innerhalb des Substrats auf effektive Weise einzuengen, und demgemäß ist das obige Problem überwunden.
  • In ähnlicher Weise ist es beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat möglich, zu verhindern, dass Kapazitätswerte der Kapazitäten C4 innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden, und demgemäß ist es möglich, zu verhindern, dass das Ausmaß der Steuerung elektrischer Potenziale der zweiten Pixelelektrode 117b innerhalb des Substrats unzureichend konstant werden. Daher zeigt ein Display unter Verwendung des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats verbesserte Anzeigequalität. Das heißt, dass es, da es bei der vorliegenden Ausführungsform möglich ist, Unterschiede zwischen Kapazitätswerten der Kapazitäten C4 innerhalb des Substrats auf effektive Weise einzuengen, möglich ist, das oben genannte Problem zu lösen, dass jeweiligen Belichtungsschritten entsprechende Anzeigebereiche verschiedene Helligkeiten zeigen, wenn ein eine Mehrpixelansteuerung durch eine Cs-Steuerung ausführendes Display einen vorbestimmten Halbton anzeigt.
  • Wie es in der 7 dargestellt ist, kann das Aktivmatrixsubstrat der vorliegenden Ausführungsform so ausgebildet sein, dass zwischen der ersten Drainzuleitungselektrode 107a und dem Gateisolierfilm 140 (der zweiten Gateisolierschicht 122) eine Halbleiterschicht 124 vorhanden ist. Dies ermöglicht es, zu verhindern, dass die erste Drainzuleitungselektrode 107a einen Kurzschluss mit der Speicherkondensatorleitung 152a bildet, und dies selbst dann, wenn durch die den dünnen Abschnitt 131a bildende zweite Gateisolierschicht 122 hindurch ein feines Loch entsteht.
  • Auch muss, wie es in der 8 dargestellt ist, das Aktivmatrixsubstrat der vorliegenden Ausführungsform nicht über die in der 5 dargestellte erste Drainzuleitungsleitung 147a verfügen, wenn ein Kontaktloch 11a, das die erste Drainelektrode 108a mit der ersten Pixelelektrode 117a verbindet, und ein Kontaktloch 181a, das die erste Pixelelektrode 117a mit der ersten Drainzuleitungselektrode 107a verbindet, hergestellt werden. Das Öffnungsverhältnis ist in dem Umfang verbessert, in dem die erste Drainzuleitungsleitung fehlt.
  • Das Aktivmatrixsubstrat der vorliegenden Ausführungsform kann so ausgebildet sein, wie es in der 10 dargestellt ist. Das in der 10 dargestellte Aktivmatrixsubstrat ist so beschaffen, dass jeder Pixelbereich 170 mit einem TFT 112, einer Pixelelektrode 117, einer angeschlossenen Elektrode 107 und einem Kontaktloch 111 versehen ist. Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist mit einer sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckenden Scansignalleitung 176 und einer sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckenden Datensignalleitung 115 versehen, die so angeordnet sind, dass sie orthogonal zueinander verlaufen. Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist ferner mit einer Speicherkondensatorleitung 152 versehen, die im Zentrum des Pixelbereichs 170 vorhanden ist und sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckt.
  • Der TFT 112 ist mit einer Sourceelektrode 109 und einer Drainelektrode 108 versehen, und seine Gateelektrode 106 ist eine Verlängerung der Scansignalleitung 176. Die Sourceelektrode 109 ist mit der Datensignalleitung 115 verbunden, wohingegen die Drainelektrode 108 durch das Kontaktloch 111 hindurch mit der Pixelelektrode 117 verbunden ist. Die Pixelelektrode 117 ist eine transparente Elektrode aus ITO oder dergleichen, und sie ermöglicht es, dass von unterhalb des vorliegenden Aktivmatrixsubstrats herrührendes Licht (Hinterleuchtungslichtstrahl) hindurch laufen kann.
  • Die Speicherkondensatorleitung 152 überlappt mit der Drainzuleitungselektrode 107. Die Drainzuleitungselektrode 107 fungiert als Elektrode einer Kapazität c, wohingegen die Speicher kondensatorleitung 152 als andere Elektrode der Kapazität c fungiert. Diese Kapazität c fungiert auch als Speicherkondensator.
  • Beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat werden Daten (ein Signalpotenzial) von der Datensignalleitung 115 über die Sourceelektrode 109 und die Drainelektrode 108 des TFT 112 an die Pixelelektrode 117 geliefert.
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ist mit einem Gateisolierfilm versehen, der die Scansignalleitung (die Gateelektrode jedes Transistors) und die Speicherkondensatorleitung bedeckt. Daher verfügt der Gateisolierfilm, auf dem Pixelbereich 170, über einen auf dem Leiter liegenden Bereich 138, der mit der Speicherkondensatorleitung 152 überlappt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist im auf dem Leiter liegenden Bereich 138 des Gateisolierfilms ein dünner Abschnitt 131 mit verringerter Dicke ausgebildet. Der Gateisolierfilm verfügt über mehrere Gateisolierschichten. Der dünne Abschnitt 131 wird dadurch hergestellt, dass mindestens eine der Gateisolierschichten teilweise entfernt wird oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der dünne Abschnitt 131 über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist örtlich um das Zentrum des auf dem Leiter liegenden Bereichs 138 herum ausgebildet.
  • Auch zeigt bei der in der 10 dargestellten Anordnung, da der gesamte dünne Abschnitt 138 im auf dem Leiter liegenden Bereich des Gateisolierfilms ausgebildet ist, die Speicherkondensatorleitung 152 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 131. Daher ändert sich der Kapazitätswert des Speicherkondensators c selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Speicherkondensatorleitung 152 unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass ein Rand der Kapazität c mit dem dünnen Abschnitt 131 überlappt.
  • Ferner ist der dünne Abschnitt 131 im Bereich vorhanden, in dem der Gateisolierfilm mit der Drainzuleitungselektrode 107 überlappt (d. h., der gesamte dünne Abschnitt 131 überlappt mit der Drainzuleitungselektrode 107). Daher zeigt die angeschlossene Elektrode 107 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 131. Aus diesem Grund ändert sich die Kapazität c selbst dann kaum, wenn die Breite der Drainzuleitungselektrode 107 unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität c mit dem dünnen Abschnitt 131 überlappt.
  • [Ausführungsform 3]
  • Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat kann so aufgebaut sein, wie es in der 22 dargestellt ist. Die 23 ist ein Schnitt entlang der Linie A1-A2 in der 22. Wie es in der 22 dargestellt ist, verfügt das vorliegende Aktivmatrixsubstrat, in jedem Pixelbereich, über einen TFT 212, eine erste Pixelelektrode 217a und eine zweite Pixelelektrode 217b (Kondensatorelektroden), ein Kontaktloch 211, eine Steuerungskondensatorelektrode 252 (Leiter) und eine sich in der horizontalen Richtung in der Figur erstreckende Scansignalleitung 216 und eine sich in der vertikalen Richtung in der Figur erstreckende Datensignalleitung 215, die orthogonal zueinander angeordnet sind.
  • Die Steuerungskondensatorelektrode 252 verfügt über eine Rechteckform, die entlang der Scansignalleitung 216 langgestreckt ist, und sie überlappt mit sowohl der ersten als auch der zweiten Pixelelektrode. Als Ergebnis hiervon ist die durch die erste Pixelelektrode 217a und die Steuerungskondensatorelektrode 252 gebildete Kapazität C1 in Reihe zu einer Kapazität C2 geschaltet, die durch die Steuerungskondensatorelektrode 252 und die zweite Pixelelektrode 217b gebildet ist, und demgemäß sind die erste und die zweite Pixelelektrode 217a und 217b kapazitiv gekoppelt.
  • Beim vorliegenden Aktivmatrixsubstrat ist, wie es in der 23 dargestellt ist, auf dem Substrat 20 ein Gateisolierfilm 240 ausgebildet, und auf diesem ist eine Steuerungskondensatorelektrode 252 ausgebildet. Auf dieser Steuerungskondensatorelektrode 252 ist ein Zwischenschichtisolierfilm 225 so ausgebildet, dass er einen Kanalabschnitt eines Transistors 212 bedeckt (siehe die 22). Dieser Zwischenschichtisolierfilm 225 verfügt daher, in jedem Pixelbereich, über einen auf dem Leiter liegenden Bereich 238 (siehe die 22) in Überlappung mit der Steuerungskondensatorelektrode 252.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind, wie es in den 22 und 23 dargestellt ist, dünne Abschnitte 231a und 231b mit verringerter Dicke im auf dem Leiter liegenden Bereich 238 des Zwischenschichtisolierfilms ausgebildet. Der Zwischenschichtisolierfilm 225 verfügt über mehrere Isolierschichten. Die dünnen Abschnitte 231a und 231b werden dadurch hergestellt, dass mindestens eine dieser Isolierschichten entfernt wird oder dünner ausgebildet wird. Genauer gesagt, verfügt der dünne Abschnitt 231a über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist so ausgebildet, dass dieser gesamte Abschnitt 231a mit der Steuerungskondensatorelektrode 252 und der ersten Pixelelektrode 217a überlappt.
  • In ähnlicher Weise verfügt der dünne Abschnitt 231b über eine horizontal langgestreckte Rechteckform, und er ist so ausgebildet, dass die Gesamtheit dieses Abschnitts 231b mit der Steuerungskondensatorelektrode 252 und der zweiten Pixelelektrode 217b überlappt. Im Ergebnis hiervon ist die Kapazität C1 vor wiegend durch den Bereich (288 in der 23) bestimmt, in dem die erste Pixelelektrode 217a, die Steuerungskondensatorelektrode 252 und der dünne Abschnitt 231a einander überlappen, und die Kapazität C2 ist überwiegend durch den Bereich bestimmt, in dem die zweite Pixelelektrode 217b, die Steuerungskondensatorelektrode 252 und der dünne Abschnitt 231b einander überlappen.
  • Bei der in der 22 dargestellten Anordnung zeigt, da der gesamte dünne Abschnitt 231a im auf dem Leiter liegenden Bereich 238 des Zwischenschichtisolierfilms vorhanden ist, die Steuerungskondensatorelektrode 252 Fehlertoleranz in Bezug auf den dünnen Abschnitt 231a. Daher ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C1 selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Steuerungskondensatorelektrode 252 unzureichend konstant ist oder Ausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C1 mit dem dünnen Abschnitt 231a überlappt. Auch ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C1 kaum, wenn die Ausrichtung oder dergleichen der ersten Pixelelektrode 217a unzureichend konstant ist, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C1 mit dem dünnen Abschnitt 231a überlappt.
  • In ähnlicher Weise ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C2 selbst dann kaum, wenn die Leitungsbreite der Steuerungskondensatorelektrode 252 unzureichend konstant ist oder Fehlausrichtung auftritt, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C2 mit dem dünnen Abschnitt 231b überlappt. Auch ändert sich der Kapazitätswert der Kapazität C2 selbst dann kaum, wenn die Ausrichtung oder dergleichen der zweiten Pixelelektrode 217b unzureichend konstant ist, unter der Bedingung, dass kein Rand der Kapazität C2 mit dem dünnen Abschnitt 231b überlappt.
  • Das in der 22 dargestellte Aktivmatrixsubstrat kann auf die in der 24 dargestellte Weise modifiziert werden. Das heißt, dass in jedem Pixelbereich jeder dünne Abschnitt 231 im zentralen Teil des auf dem Leiter liegenden Bereichs 238 des Zwischenschichtisolierfilms auf solche Weise vorhanden sein kann, dass er mit der ersten und der zweiten Pixelelektrode 217a und 217b überlappt.
  • Die 11 zeigt eine Anordnung für den Fall, dass das vorliegende Aktivmatrixsubstrat in einer Flüssigkristalltafel verwendet wird. Wie es in der Figur dargestellt ist, enthält die vorliegende Flüssigkristalltafel 80, von der Seite einer Hinterleuchtungslichtquelle her, eine Polarisationsplatte 81, das aktuelle Aktivmatrixsubstrat 100 (siehe die 1, die 5 und dergleichen), einen Ausrichtungsfilm 82, eine Flüssigkristallschicht 83, ein Farbfiltersubstrat 84 und eine Polarisationsplatte 85. Das Farbfiltersubstrat 84 enthält, von der Seite der Flüssigkristallschicht 83 her, einen Ausrichtungsfilm 85, eine gemeinsame (Gegen) Elektrode 86, eine Farbschicht 87 (einschließlich einer Schwarzmatrix 99) und ein Glassubstrat 88. Die gemeinsame (Gegen) Elektrode 86 ist mit Vorsprüngen (Rippen) 86x zum Steuern der Ausrichtung von Flüssigkristallmolekülen versehen. Die Vorsprünge 86x zum Steuern der Ausrichtung von Flüssigkristallmolekülen bestehen beispielsweise aus fotoempfindlichem Harz oder dergleichen. Die ebene Form der Rippen 86x (gesehen in der Richtung orthogonal zur Substratfläche) sieht beispielsweise wie ein Streifen aus, der mit vorbestimmten Intervallen zickzackförmig ausgebildet ist (horizontale V-Form).
  • Nun wird erörtert, wie ein Flüssigkristall zwischen einem Aktivmatrixsubstrat und einem Farbfiltersubstrat eingeschlossen wird, wenn das Aktivmatrixsubstrat in einer Flüssigkristalltafel verwendet wird. Um den Flüssigkristall einzuschließen, kann ein Vakuumfüllvorgang wie folgt ausgeführt werden: um das Substrat herum wird ein Füllloch angebracht, um den Flüssigkristall zuzuführen, das Füllloch wird in Vakuum in den Flüssigkristall eingetaucht, der Flüssigkristall strömt durch das Loch, wenn ein Anordnen an Luft erfolgt, und dann wird das Füllloch durch ein UV-härtendes Harz oder dergleichen abgedichtet. Jedoch ist bei einer Flüssigkristalltafel mit Vertikalausrichtung ein unten beschriebenes Tropflaminierverfahren für den Flüssigkristall bevorzugt, da die Injektionszeit im Vergleich zu einer Tafel mit Horizontalausrichtung erheblich lang ist. Als Erstes wird ein UV-härtbares Abdichtungsharz auf den Umgebungsbereich des Aktivmatrixsubstrats aufgetragen, und Flüssigkristall wird durch ein Tropfverfahren auf das Farbfiltersubstrat aufgetropft. Durch das Flüssigkristalltropfverfahren werden Flüssigkristalltröpfchen geeigneter Menge regelmäßig auf solche Weise auf die Innenseite der Abdichtung getropft, dass der Flüssigkristall einen gewünschten Zellenzwischenraum einnimmt. Anschließend wird, um das Aktivmatrixsubstrat auf das Farbfiltersubstrat, auf dem das Aufziehen der Abdichtung und das Auftropfen von Flüssigkristall ausgeführt wurden, aufzulaminieren, der Umgebungsdruck innerhalb der Laminiervorrichtung auf 1 Pa abgesenkt, und die Substrate werden bei diesem verringerten Druck laminiert. Danach wird dafür gesorgt, dass der Luftdruck dem Atmosphärendruck entspricht, wodurch der Abdichtungsabschnitt eingedrückt wird, mit dem Ergebnis, dass der gewünschte Zellenzwischenraum erzielt wird. Dann wird das Abdichtungsharz ansatzweise durch Tempern mit UV-Licht gehärtet, und für ein abschließendes Härten des Abdichtungsharzes wird ein Trennvorgang ausgeführt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Flüssigkristall weit innerhalb des Abdichtungsharzes ausgebreitet, und demgemäß ist die Zelle mit dem Flüssigkristall gefüllt. Nach dem Tempern erfolgt ein Schneidvorgang, wodurch Tafeln erzeugt werden und auf die Tafel wird eine Polarisationsplatte laminiert. Auf diese Weise wird die in der 11 dargestellte Flüssigkristalltafel hergestellt.
  • Nachfolgend wird ein Flüssigkristalldisplay gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • Die 12 ist ein Blockdiagramm, das das aktuelle Flüssigkristalldisplay 509 zeigt. Wie es in der 12 dargestellt ist, verfügt das Flüssigkristalldisplay 509 über eine Y/C-Trennschaltung 500, eine Videofarbschaltung 501, einen A/D-Wandler 502, eine Flüssigkristallsteuerung 503, eine Flüssigkristalltafel 504 mit dem aktuellen Aktivmatrixsubstrat, eine Hinterleuchtungstreiberschaltung 505, eine Hinterleuchtung 506, einen Mikrocomputer 507 und eine Graustufenschaltung 508.
  • An die Y/C-Trennschaltung 500 werden ein Bildsignal und ein Videosignal, durch die das Flüssigkristalldisplay 509 eine Anzeige ausführt, geliefert, und jedes derselben wird ein Helligkeitssignal und ein Farbsignal aufgetrennt. Das Helligkeitssignal und das Farbsignal werden durch die Videofarbschaltung 501 in analoge RGB-Signale gewandelt, die Licht entsprechend drei Primärfarben R, G bzw. B entsprechen. Die analogen RGB-Signale werden durch A/D-Wandler 502 weiter in digitale RGB-Signale gewandelt und an die Flüssigkristallsteuerung 503 geliefert.
  • Die an die Flüssigkristallsteuerung 503 gelieferten digitalen RGB-Signale werden von dieser an die Flüssigkristalltafel 504 geliefert. Die Flüssigkristalltafel 504 empfängt die digitalen RGB-Signale mit einem vorbestimmten Timing von der Flüssigkristallsteuerung 503, und sie empfängt auch verschiedene Grauskalaspannungen für jeweils R, G und B von der Graustufenschaltung 508. Indessen steuert die Hinterleuchtungstreiberschaltung 505 die Hinterleuchtung 506 so an, dass Licht auf die Flüssigkristalltafel 504 gestrahlt wird. Im Ergebnis zeigt die Flüssigkristalltafel 504 ein Bild oder ein Video an. Die Gesamtsteuerung des Flüssigkristalldisplays 509 wird, einschließlich der oben genannten Schritte, durch den Mikrocomputer 507 ausgeführt.
  • Es existieren verschiedene Arten von Videosignalen, wie ein solches auf Grundlage einer Fernsehübertragung, ein durch eine Kamera erzeugtes und ein über das Internet geliefertes Videosignal.
  • Wie es in der 13 dargestellt ist, kann, wenn das Sourceelektrode 109 gemäß der Erfindung mit einem Tunerabschnitt 600 verbunden wird, der auf den Empfang einer Fernsehübertragung hin ein Videosignal ausgibt, das Sourceelektrode 109 ein Video (ein Bild) auf Grundlage des vom Tunerabschnitt 600 gelieferten Videosignals liefern. In diesem Fall bilden das Sourceelektrode 109 und der Tunerabschnitt 600 einen Fernsehempfänger 601.
  • Wenn das Flüssigkristalldisplay als Fernsehempfänger 601 verwendet wird, wie es beispielsweise in der 14 dargestellt ist, wird das Sourceelektrode 109 zwischen ein erstes Gehäuse 801 und ein zweites Gehäuse 810 eingebettet. Das erste Gehäuse 801 ist mit einer Öffnung 801a versehen, damit ein durch das Sourceelektrode 109 angezeigtes Bild durch diese hindurchtritt. Das zweite Gehäuse 806 bedeckt die Rückseite des Flüssigkristalldisplays. Das zweite Gehäuse 806 ist mit einer Betriebsschaltung 805 zum Betreiben des Flüssigkristalldisplays 509 versehen, und am unteren Teil des Gehäuses 806 ist ein Halteelement 808 befestigt.
  • Nachfolgend wird ein Beispiel des aktuellen Flüssigkristalldisplays angegeben, wobei dieses eine Mehrpixelansteuerung ausführt (d. h., es liegt ein Aktivmatrixsubstrat für Mehrpixelansteuerung vor). Die 15 ist eine schematische Darstellung dieses Flüssigkristalldisplays.
  • Das Flüssigkristalldisplay 509 verfügt über eine Flüssigkristalltafel 504, einen Sourcetreiber 540 (eine Datensignalleitung-Treiberschaltung) zum Ansteuern von Sourceleitungen S1, ..., einen Gatetreiber 541 (Scansignalleitung-Treiberschaltung) zum Ansteuern von Gateleitungen G1, ..., eine Cs-Steuerschaltung 543 zum Ansteuern von Speicherkondensatorlei tungen (Signalleitungen) Cs1..., und eine Anzeigesteuerschaltung 542, die den Sourcetreiber 540, den Gatetreiber 541 und die Cs-Steuerschaltung 543 steuert.
  • Die Flüssigkristalltafel 504 ist so aufgebaut, wie es in der 11 dargestellt ist (für das Aktivmatrixsubstrat siehe auch die 1, die 5 usw.). Wie es in den 16 und 17 dargestellt ist, bilden eine erste Pixelelektrode 17a, eine Gegenelektrode (Vcom) und eine dazwischen liegende Flüssigkristallschicht eine erste Hilfspixelkapazität Csp1, wohingegen eine zweite Pixelelektrode 17b, eine Gegenelektrode (Vcom) und eine dazwischen liegende Flüssigkristallschicht eine zweite Hilfskapazität Csp2 bilden. Beim vorliegenden Flüssigkristalldisplay 509 ist eine Polarisationsplatte so vorhanden, dass im Normalzustand schwarz erzielt wird.
  • Die Anzeigesteuerschaltung 542 empfängt von einer externen Signalquelle ein digitales Videosignal Dv, das ein anzuzeigendes Bild repräsentiert, ein Horizontalsynchronisiersignal HSY und ein Vertikalsynchronisiersignal VSY, die beide dem digitalen Videosignal Dv entsprechen, sowie ein Steuerungssignal Dc zum Steuern von Anzeigeoperationen. Auf Grundlage der Signale Dv, HSY, VSY und Dc führt die Schaltung 542 eine Erzeugung und Ausgabe von Signalen aus, die dafür sorgen, dass die Flüssigkristalltafel 504 das durch das digitale Videosignal Dv repräsentierte Bild anzeigt, wie ein Datenstartimpulssignal SSP, ein Datentaktsignal SCH, ein digitales Bildsignal DA, das das anzuzeigende Bild repräsentiert, ein Gatestartimpulssignal GSP, ein Gatetaktsignal GCK und ein Gatetreiberausgangssteuersignal GOE.
  • Genauer gesagt, wird, nachdem eine Timingeinstellung oder dergleichen für ein Videosignal Dv in einen internen Speicher nach Bedarf ausgeführt wurde, das Videosignal Dv als digitales Bildsignal DA von der Anzeigesteuerschaltung 542 ausgegeben. Als Signal, das aus Impulsen besteht, die jeweiligen Pixeln ent sprechen, durch die das durch das digitale Bildsignal DA repräsentierte Bild anzuzeigen ist, wird ein Datentaktsignal SCK erzeugt. Auf Grundlage eines Horizontalsynchronisiersignals HSY wird ein Datenstartimpulssignal SSP als Signal erzeugt, das innerhalb jeder Horizontalscanperiode für eine vorbestimmte Zeitperiode auf hohem Pegel (Pegel H) gehalten wird. Auf Grundlage eines Vertikalsynchronisiersignals VSY wird ein Gatestartimpulssignal GSP als Signal erzeugt, das für eine vorbestimmte Zeitperiode innerhalb einer Rahmenperiode (einer Vertikalscanperiode) auf dem Pegel H gehalten wird. Auf Grundlage des Horizontalsynchronisiersignals HSY wird ein Gatetaktsignal GCK erzeugt. Auf Grundlage des Horizontalsynchronisiersignals HSY und des Steuersignals Dc wird ein Gatetreiberausgangssteuersignal GOE erzeugt.
  • Unter diesen durch die Anzeigesteuerschaltung 542 erzeugten Signalen werden das digitale Bildsignal DA, das Datenstartimpulssignal SSP und das Datentaktsignal SCK an den Sourcetreiber 540 geliefert, wohingegen das Gatestartimpulssignal GSP, das Gatetaktsignal GCK und das Gatetreiberausgangssteuersignal GOE an den Gatetreiber 541 geliefert werden.
  • Der Sourcetreiber 540 erzeugt, auf Grundlage des digitalen Bildsignals DA, des Datenstartimpulssignals SSP und des Datentaktsignals SCK, seriell Datensignale in jeweiligen Horizontalscanperioden, als analoge Spannungen, die Pixelwerten, in jeder horizontalen Scansignalleitung, des durch das digitale Bildsignal DA repräsentierten Bilds entsprechen, und er liefert die Datensignale an die Sourceleitungen S.
  • Die Cs-Steuerschaltung 543 empfängt die Signale GCK und GSP. Die Cs-Steuerschaltung 543 steuert die Phase und die Breite eines Cs-Signalverlaufs.
  • Nun wird, unter Bezugnahme auf die 16 und 17, die 1, die 5 und dergleichen, ein Beispiel für ein Ansteuerungsverfahren (eine Mehrpixelansteuerung) beim vorliegenden Flüssigkristalldisplay 509 erörtert.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird von einer gemeinsamen Datensignalleitung vorab eine Anzeigesignalspannung eine die erste Pixelelektrode 17a und die zweite Pixelelektrode 17b geliefert. Nachdem die TFTs 12a und 12b ausgeschaltet wurden, wird dafür gesorgt, dass die erste Speicherkondensatorleitung 52a und die zweite Speicherkondensatorleitung 52b verschiedene Spannungen aufweisen. Als Ergebnis hiervon werden in jedem Pixel mittels der ersten Hilfspixelkapazität Csp1 ein Bereich hoher Helligkeit und mittels der zweiten Hilfskapazität Csp2 ein Bereich niedriger Helligkeit ausgebildet. Bei der vorliegenden Anordnung empfangen zwei Pixelelektroden eine Anzeigesignalspannung von einer einzelnen Datensignalleitung. Dies ist dahingehend von Vorteil, dass es nicht erforderlich ist, die Anzahl der Datensignalleitungen und die Anzahl der sie ansteuernden Sourcetreiber zu erhöhen.
  • Die 17 ist ein Timingdiagramm, das Spannungen an jeweiligen Teilen der in der 16 dargestellten Schaltung zeigt. Vg kennzeichnet eine Spannung an der Scansignalleitung (der Gateelektrode des ersten und des zweiten TFT). Vs kennzeichnet eine Spannung an der Datensignalleitung (d. h. die Sourcespannung), Vcs1 kennzeichnet eine Spannung an der ersten Speicherkondensatorleitung, Vcs2 kennzeichnet eine Spannung an der zweiten Speicherkondensatorleitung, Vlc1 kennzeichnet eine Spannung an der ersten Pixelelektrode, und Vlc2 kennzeichnet eine Spannung an der ersten Pixelelektrode. In einem Flüssigkristalldisplay wird zum Verhindern einer Polarisation des Flüssigkristalls typischerweise eine Wechselspannungssteuerung ausgeführt, wie eine Rahmeninversion, eine Zeileninversion und eine Punktinversion. Das heißt, dass in einem Rahmen n eine Sourcespannung (Vsp) angelegt wird, die positiv in Bezug auf den Median Vsc der Sourcespannung ist, im nächsten Rahmen n + 1 eine Spannung (Vsn) angelegt wird, die negativ in Bezug auf Vsc ist, und in jedem Rahmen auch eine Punktinversion ausgeführt wird. Eine Spannung an der ersten Speicherkondensatorleitung und eine Spannung an der zweiten Speicherkondensatorleitung sind so beschaffen, dass sie mit der Spannungsamplitude Vad schwingen, während die Phasen dieser Spannungen so beschaffen sind, dass sie um 180° differieren. Nachfolgend werden Änderungen der Spannungsverläufe im Rahmen n über der Zeit angegeben.
  • Als Erstes gelten, zu einem Zeitpunkt T0, Vcs1 = Vcom – Vad und Vcs2 = Vcom + Vad. Vcom kennzeichnet die Sourcespannung an der Gegenelektrode.
  • Zu einem Zeitpunkt T1 wechselt Vg von VgL an VgH, und jeder TFT wird eingeschaltet. Im Ergebnis steigen Vlc1 und Vlc2 auf Vsp an, so dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazitäten Csp1 und Csp2 geladen werden.
  • Zum Zeitpunkt T2 wechselt Vg von VgH auf VgL, so dass jeder TFT ausgeschaltet wird, mit dem Ergebnis, dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazität Csp1 und Csp2 elektrisch gegen die Datensignalleitung isoliert werden. Unmittelbar danach tritt auf Grund des Einflusses einer parasitären Kapazität oder dergleichen ein Wegziehen der Spannung auf, mit dem Ergebnis, dass Vlc1 = Vsp – Vd1 und Vlc2 = Vsp – Vd2 gelten.
  • Zu einem Zeitpunkt T3 wechselt Vcs1 von Vcom + Vad auf Vcom – Vad und Vcs2, und Vcs2 wechselt von Vcom + Vad auf Vcom – Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 + 2xKxVad und Vlc2 = Vsp – Vd2 – 2xKxVad. In diesem Stadium gilt K = Ccs/(Clc + Ccs). Ccs kennzeichnet den Kapazitätswert jedes der Speicherkondensatoren (Cs1 und Cs2), und Clc kennzeichnet den Kapazitätswert jeder der Hilfspixelkapazitäten (Csp1 und Csp2).
  • Zu einem Zeitpunkt T4 wechselt Vcs1 von Vcom + Vad auf Vcom – Vad und Vcs2 wechselt von Vcom-Vad auf Vcom + Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 und Vlc2 = Vsp – Vd2.
  • Zu einem Zeitpunkt T5 wechselt Vcs1 von Vcom – Vad auf Vcom + Vad und Vcs2 wechselt von Vcom + Vad auf Vcom – Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 + 2xKxVad und Vlc2 = Vsp – Vd2 – 2xKxVad.
  • Danach werden, bis Vg = Vgh gilt und ein Schreibvorgang ausgeführt wird, die Operationen zu den Zeitpunkten T4 und T5 jedesmal dann wiederholt, wenn eine Zeitperiode verstrichen ist, die ein ganzzahliges Vielfaches einer Horizontalscanperiode 1H ist. Daher hat Vlc1 den Effektivwert Vsp – Vd1 + KxVad und Vlc2 hat den Effektivwert Vsp – Vd2 – KxVad.
  • Auf Grund des Obigen sind die Effektivspannungen (V1 und V2) an den jeweiligen Hilfskapazitäten (erste Hilfspixelkapazität Csp1 und zweite Hilfskapazität Csp2) im Rahmen n V1 – Vsp – Vd1 + KxVad-Vcom und V2 = Vsp – Vd2 – KxVad – Vcom. Daher werden in jedem Pixel mittels der ersten Hilfskapazität Csp1 ein Bereich hoher Helligkeit und mittels der zweiten Csp2 ein Bereich niedriger Helligkeit ausgebildet.
  • Nachfolgend werden Änderungen der jeweiligen Spannungsverläufe im Rahmen n + 1 über der Zeit angegeben.
  • Als Erstes gelten, zu einem Zeitpunkt T0, Vcs1 = V com + Vad und Vcs2 = Vcom – Vad. Vcom kennzeichnet die Sourcespannung an der Gegenelektrode.
  • Zu einem Zeitpunkt T1 wechselt Vg von VgL an VgH, und jeder TFT wird eingeschaltet. Im Ergebnis fallen Vlc1 und V1c2 auf Vsn ab, so dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazitäten Csp1 und Csp2 geladen werden.
  • Zum Zeitpunkt T2 wechselt Vg von VgH auf VgL, so dass jeder TFT ausgeschaltet wird, mit dem Ergebnis, dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazität Csp1 und Csp2 elektrisch gegen die Datensignalleitung isoliert werden. Unmittelbar danach tritt auf Grund des Einflusses einer parasitären Kapazität oder dergleichen ein Wegziehen der Spannung auf, mit dem Ergebnis, dass Vlc1 = Vsp – Vd1 und Vlc2 = Vsp – Vd2 gelten.
  • Zu einem Zeitpunkt T3 wechselt Vcs1 von Vcom + Vad auf Vcom – Vad und Vcs2, und Vcs2 wechselt von Vcom – Vad auf Vcom + Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 + 2xKxVad und Vlc2 = Vsp – Vd2 + 2xKxVad. In diesem Stadium gilt K = Ccs/(Clc + Ccs). Ccs kennzeichnet den Kapazitätswert jedes der Speicherkondensatoren (Cs1 und Cs2), und Clc kennzeichnet den Kapazitätswert jeder der Hilfspixelkapazitäten (Csp1 und Csp2).
  • Zu einem Zeitpunkt T4 wechselt Vcs1 von Vcom – Vad auf Vcom + Vad und Vcs2 wechselt von Vcom – vVad auf Vcom + Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp + Vd1 und Vlc2 = Vsp + Vd2.
  • Zu einem Zeitpunkt T5 wechselt Vcs1 von Vcom + Vad auf Vcom – Vad und Vcs2 wechselt von Vcom + Vad auf Vcom – Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 – 2xKxVad und Vlc2 = Vsp – Vd2 + 2xKxVad.
  • Danach werden, bis Vg = Vgh gilt und ein Schreibvorgang ausgeführt wird, die Operationen zu den Zeitpunkten T4 und T5 jedesmal dann wiederholt, wenn eine Zeitperiode verstrichen ist, die ein ganzzahliges Vielfaches einer Horizontalscanperiode 1H ist. Daher hat Vlc1 den Effektivwert Vsp – Vd1 – KxVad und Vlc2 hat den Effektivwert Vsp – Vd2 + KxVad.
  • Auf Grund des Obigen sind die Effektivspannungen (V1 und V2) an den jeweiligen Hilfskapazitäten (erste Hilfspixelkapazität Csp1 und zweite Hilfskapazität Csp2) im Rahmen n + 1 V1 – Vsp – Vd1 – KxVad – Vcom und V2 = Vsp – Vd2 + KxVad – Vcom. Daher werden in jedem Pixel mittels der ersten Hilfskapazität Csp1 ein Bereich hoher Helligkeit und mittels der zweiten Csp2 ein Bereich niedriger Helligkeit ausgebildet.
  • Ein Aktivmatrixsubstrat mit großen Abmessungen zeigt ein Problem dahingehend, dass jeweiligen Belichtungsschritten entsprechende Belichtungsbereiche (Anzeigebereiche) verschiedene Helligkeiten zeigen, da die Belichtungsmengen und den Belichtungsschritten verschieden sind (d. h., die Werte, falls die oben genannten Werte K innerhalb des Substrats wegen unzureichender Konstanz der Linienbreiten von Resistmustern oder wegen einer Fehlausrichtung verschieden sind). Das vorliegende Aktivmatrixsubstrat ermöglicht es, die fehlende Konstanz von K innerhalb des Substrats effektiv einzuengen, und demgemäß ist das oben genannte Problem gelöst.
  • Beim obigen Verfahren sind die Phasen von Vcs1 und Vcs2 so beschaffen, dass sie der Einfachheit halber um 180° differieren. Jedoch beträgt die Differenz unter der Bedingung, dass in jedem Pixel ein heller und ein dunkler Bereich erzeugt werden, nicht notwendigerweise 180°. Auch ist in der obigen Beschreibung zwar davon ausgegangen, dass die Impulsbreite von Vcs1 und diejenige von Vcs2 beide Vs sind, jedoch werden die Impulsbreiten vorzugsweise geeignet unter der Berücksichtigung beispielsweise eines unzureichenden Aufladens des Speicherkondensators wegen einer Cs-Signalverzögerung beim Ansteuern eines Flüssigkristalldisplays mit großen Abmessungen und hoher Auflösung eingestellt. Die Breiten sind durch die die Signale GSP und GCK empfangende Cs-Steuerschaltung steuerbar.
  • Alternativ ist, wie es in der 18 dargestellt ist, Vcs1 so beschaffen, dass dieses Signal einen solchen Signalverlauf aufweist, dass es in T3 unmittelbar nach T2, wo Vg auf L geändert wird auf Hoch (oder Niedrig) gehalten wird (d. h. jeder der TFTs 12a und 12b wird ausgeschaltet), und Vcs2 ist so beschaffen, dass das Signal zu T4 auf Niedrig (oder Hoch) gehalten wird, wobei T4 der Zeitpunkt ist, nachdem eine Horizontalperiode (1H) gegenüber T3 verstrichen ist. Das heißt, dass eine Potenzialsteuerung auf solche Weise ausgeführt wird, dass, nachdem jeder Transistor ausgeschaltet wurde, Vcs1 auf hohen Pegel wechselt, wobei dieser Zustand mit hohem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird, und Vcs2 auf den niedrigen Pegel geändert wird, nachdem 1H ab der Änderung auf den hohen Pegel von Vcs1 verstrichen ist, wobei dieser Zustand mit niedrigem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird. Alternativ wird eine Potenzialsteuerung auf solche Weise ausgeführt, dass, nachdem jeder Transistor ausgeschaltet wurde, Vcs1 auf den niedrigen Pegel geändert wird und dieser Zustand mit niedrigem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird und Vcs2 auf den hohen Pegel geändert wird, nachdem 1H ab der Änderung auf den hohen Pegel von Vcs1 verstrichen ist, wobei dieser Zustand mit hohem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird.
  • Nachfolgend werden Änderungen von Spannungsverläufen im Rahmen n, wie in der 18 dargestellt, angegeben.
  • Als Erstes gelten, zu einem Zeitpunkt T0, Vcs1 = Vcom – Vad und Vcs2 = Vcom + Vad. Vcom kennzeichnet die Sourcespannung an der Gegenelektrode.
  • Zu einem Zeitpunkt T1 wechselt Vg von VgL an VgH, und jeder TFT wird eingeschaltet. Im Ergebnis steigen Vlc1 und Vlc2 auf Vsp an, so dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazitäten Csp1 und Csp2 geladen werden.
  • Zum Zeitpunkt T2 wechselt Vg von VgH auf VgL, so dass jeder TFT ausgeschaltet wird, mit dem Ergebnis, dass die Speicherkondensatoren Cs1 und Cs2 sowie die Hilfspixelkapazität Csp1 und Csp2 elektrisch gegen die Datensignalleitung isoliert werden. Unmit telbar danach tritt auf Grund des Einflusses einer parasitären Kapazität oder dergleichen ein Wegziehen der Spannung auf, mit dem Ergebnis, dass Vlc1 = Vsp – Vd1 und Vlc2 = Vsp – Vd2 gelten.
  • Zu einem Zeitpunkt T3 wechselt Vcs1 von Vcom – Vad auf Vcom + Vad. Zu einem Zeitpunkt T4 (1h ist nach T3 verstrichen) wechselt Vcs2 von Vcom + Vad auf Vcom – Vad. Im Ergebnis gelten Vlc1 = Vsp – Vd1 + 2xKxVad und Vlc2 = Vsp – Vd2 – 2xKxVad. In diesem Stadium gilt K = Ccs/(Clc + Ccs). Ccs kennzeichnet den Kapazitätswert jedes der Speicherkondensatoren (Cs1 und Cs2), und Clc kennzeichnet den Kapazitätswert jeder der Hilfspixelkapazitäten (Csp1 und Csp2).
  • Auf Grund des Obigen sind die Effektivspannungen (V1 und V2) an den jeweiligen Hilfskapazitäten (erste Hilfspixelkapazität Csp1 und zweite Hilfskapazität Csp2) im Rahmen n V1 – Vsp – Vd1 + KxVad-Vcom und V2 = Vsp – Vd2 – KxVad – Vcom. Daher werden in jedem Pixel mittels der ersten Hilfskapazität Csp1 ein Bereich hoher Helligkeit und mittels der zweiten Csp2 ein Bereich niedriger Helligkeit ausgebildet.
  • Diese Anordnung verringert den Einfluss eines Verschmierens der Signalverläufe von Vcs1 und Vcs2 auf ein effektives Drainpotenzial, und demgemäß ist die Anordnung dahingehend wirksam, unzureichende Konstanz der Helligkeit zu verringern.
  • Die in den 1, 3, 5 und 8 dargestellten Aktivmatrixsubstrate sind so aufgebaut, dass jede Speicherkondensatorleitung von solchen Pixeln gemeinsam genutzt wird, die vertikal benachbart (entlang der Datensignalleitung) liegen. Bei einer Anordnung, bei der nicht jede Speicherkondensatorleitung gemeinsam von vertikal benachbarten Pixeln genutzt wird, wie es in der 29 dargestellt ist, ist Vcs1 so beschaffen, dass dieses Signal einen solchen Signalverlauf aufweist, dass es in T3 unmittelbar nach T2, wo Vg auf L geändert wird, auf Hoch (oder Niedrig) gehalten wird (d. h., jeder der TFTs 12a und 12b wird ausge schaltet), und in ähnlicher Weise ist Vcs2 so beschaffen, dass das Signal zu T3 auf Niedrig (oder Hoch) gehalten wird, wobei T3 der Zeitpunkt unmittelbar nach dem Wechsel von Vg auf L zu T2 ist. Das heißt, dass ein Potenzialsteuerung auf solche Weise ausgeführt werden kann, dass, nachdem jeder Transistor ausgeschaltet wurde, Vcs1 auf den hohen Pegel geändert wird und dieser Zustand mit hohem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird, und Vcs1 synchron mit der Änderung von Vcs1 auf den hohen Pegel auf den niedrigen Pegel geändert wird und dieser Zustand mit niedrigem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird. Alternativ kann eine Potenzialsteuerung auf solche Weise ausgeführt werden, dass, nachdem jeder TFT ausgeschaltet wurde, Vcs1 auf den niedrigen Pegel geändert wird und dieser Zustand mit niedrigem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird, und Vcs2 synchron mit der Änderung von Vcs1 auf den niedrigen Pegel auf den hohen Pegel geändert wird und dieser Zustand mit hohem Pegel in diesem Rahmen aufrechterhalten wird.
  • Nachdem die Erfindung auf diese Weise beschrieben wurde, ist es ersichtlich, dass sie auf viele Arten variiert werden kann. Derartige Variationen sind nicht als Abweichung vom Grundgedanken und Schutzumfang der Erfindung anzusehen, sondern alle Modifizierungen, wie sie für den Fachmann ersichtlich sind, sollen im Schutzumfang der folgenden Ansprüche enthalten sein.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Die Aktivmatrixsubstrate gemäß der Erfindung sind beispielsweise für Flüssigkristall-Fernsehempfänger geeignet.
  • ZUSAMMENFASSUNG (WIPO-FASSUNG)
  • Jeder Pixelbereich eines Aktivmatrixsubstrats ist mit einem Transistor und einer mit diesem verbundenen Kondensatorelektrode versehen, die als eine Elektrode eines Kondensators fungiert. Auf einer unteren Schicht der Kondensatorelektrode ist ein Gateisolierfilm angeordnet, wobei ein Leiter als andere Elektrode des Kondensators fungiert, und dieser Gateisolierfilm bedeckt eine Gateelektrode und den Leiter jedes Transistors. Der Gateisolierfilm ist in einem Bereich in Überlappung mit dem Leiter auf diesem mit einem Dünnfilmabschnitt mit verringerter Filmdicke versehen, und zumindest ein Teil des dünnen Filmabschnitts überlappt mit der Kondensatorelektrode. So ist die Schwankung des Kapazitätswerts des auf dem Substrat angeordneten Kondensators (beispielsweise eines Speicherkondensators und eines Kondensators zum Steuern des Potenzials einer Pixelelektrode, oder eines als beide Kondensatoren dienenden Kondensators) verringert.
    • 10
    Pixelbereich
    11a und 11b
    Kontaktlöcher
    12a
    Erster TFT
    12b
    Zweiter TFT
    15
    Datensignalleitung
    16
    Scansignalleitung
    17a
    Erste Pixelelektrode
    17b
    Zweite Pixelelekttode
    31a
    Erster dünner Abschnitt
    31b
    Zweiter dünner Abschnitt
    52a
    Erste Speicherkondensatorleitung
    52b
    Zweite Speicherkondensatorleitung
    107a
    Erste Drainzuleitungselektrode
    107b
    Zweite Drainzuleitungselektrode
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 6-301059 [0003]
    • - JP 7-287252 [0003]
    • - JP 2004-78157 [0003]
    • - JP 6-332009 [0003]
    • - WO 97/00463 [0003]
    • - JP 2001-98224 [0095]
    • - JP 6-240455 [0095]
    • - JP 10-102003 [0095]

Claims (46)

  1. Aktivmatrixsubstrat, bei dem jeder Pixelbereich einen Transistor und eine mit diesem verbundene Kondensatorelektrode aufweist, die als Elektrode einer Kapazität fungieren kann, wobei dieses Aktivmatrixsubstrat Folgendes aufweist: einen Leiter, der in einer Schicht unter der Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der Kapazität fungieren kann; und einen Isolierfilm, der den Leiter bedeckt; wobei der Isolierfilm in einem auf dem Leiter liegenden Bereich, wo er mit dem Leiter überlappt, einen dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke aufweist, wobei zumindest ein Teil des dünnen Abschnitts mit der Kondensatorelektrode überlappt.
  2. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem der dünne Abschnitt im zentralen Teil des auf dem Leiter liegenden Bereichs örtlich ausgebildet ist.
  3. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem der gesamte dünne Abschnitt mit der Kondensatorelektrode überlappt.
  4. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem der Isolierfilm ein Gateisolierfilm ist, der eine Gateelektrode des Transistors bedeckt.
  5. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem die Kondensatorelektrode eine Pixelelektrode ist, die mit einer Drainelektrode des Transistors verbunden ist.
  6. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem die Kondensatorelektrode eine Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des Transistors ist.
  7. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem der Leiter einen Teil einer Speicherkondensatorleitung bildet.
  8. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem der Leiter einen Teil einer Scansignalleitung einer unmittelbar vorangehenden oder unmittelbar folgenden Stufe in einer Scanrichtung bildet.
  9. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 5, bei dem auf dem dünnen Abschnitt eine Pixelelektrode ausgebildet ist, wobei zwischen diese und den dünnen Abschnitt ein erster Zwischenschichtisolierfilm eingefügt ist, der einen Kanalteil des Transistors bedeckt.
  10. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 6, bei dem die Drainzuleitungselektrode direkt auf dem dünnen Abschnitt ausgebildet ist.
  11. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 6, bei dem die Drainzuleitungselektrode so auf dem dünnen Abschnitt ausgebildet ist, dass dazwischen eine Halbleiterschicht eingefügt ist.
  12. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 10 oder 11, bei dem im dünnen Abschnitt ein Kontaktloch ausgebildet ist und die Drainzuleitungselektrode in diesem mit einer Pixelelektrode in Kontakt steht.
  13. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 12, bei dem in anderen Bereichen als dem Kontaktloch zwischen der Pixelelektrode und dem Gateisolierfilm ein erster, den Kanalteil des Transistors bedeckender Zwischenschichtisolierfilm sowie ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm, der dicker als der dünne Abschnitt ist, vorhanden sind.
  14. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht; und mindestens eine der Gateisolierschichten so ausgebildet ist, dass sie im dünnen Abschnitt dünn ist.
  15. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht, wobei im dünnen Abschnitt mindestens eine Gateisolierschicht vorhanden ist und in anderen Bereichen als dem dünnen Abschnitt mehrere Gateisolierschichten vorhanden sind.
  16. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 15, bei dem eine Gateisolierschicht vorhanden ist, die eine organische Substanz enthält.
  17. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 15, bei dem mindestens eine der Gateisolierschichten ein Einebnungsfilm ist.
  18. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 15, bei dem die unterste Gateisolierschicht in anderen Bereichen als dem dünnen Abschnitt ein Einebnungsfilm ist.
  19. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 15, bei dem die unterste Gateisolierschicht in anderen Bereichen als dem dünnen Abschnitt ein SOG-Film aus einem Spin-on-glass(SOG)- Material ist, wobei im dünnen Abschnitt kein SOG-Film vorhanden ist.
  20. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 18, bei dem derjenige Teil des Einebnungsfilms, der mit einer Fläche des Substrats in Kontakt steht, dicker als der auf der Fläche des Substrats ausgebildete Leiter ist.
  21. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 16, bei dem die Dicke der die organische Substanz enthaltenden Gateisolierschicht 1,0 μm oder mehr und 5,0 μm oder weniger beträgt.
  22. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 15, bei dem auf dem Gateisolierfilm ein erster Zwischenschichtisolierfilm so vorhanden ist, dass er einen Kanalteil des Transistors bedeckt, und die Summe aus der Dicke des Gateisolierfilms und der Dicke des ersten Zwischenschichtisolierfilms in anderen Bereichen als dem dünnen Abschnitt 1,65 μm oder mehr oder 5,65 μm oder weniger beträgt.
  23. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 5, bei dem der Leiter eine kreisförmige Speicherkondensatorleitung ist, die so ausgebildet ist, dass sie mit einem Rand der Pixelelektrode überlappt.
  24. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 7, bei dem eine Pixelelektrode als Kondensatorelektrode vorhanden ist und diese Pixelelektrode (i) einen Rand, der sich entlang einer mit einer Sourceelektrode des Transistors verbundenen Datensignalleitung erstreckt, und (ii) einen diesem Rand zugewandten Rand aufweist; und die Speicherkondensatorleitung so ausgebildet ist, dass sie mit diesen beiden Rändern überlappt.
  25. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem eine erste Pixelelektrode als Kondensatorelektrode vorhanden ist und eine zweite Pixelelektrode so vorhanden ist, dass sie mit dem Leiter eine Kapazität bildet; wobei die durch die erste Pixelelektrode und den Leiter gebildete Kapazität in Reihe zu einer durch den Leiter und die zweite Pixelelektrode gebildeten Kapazität geschaltet ist.
  26. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 25, bei dem eine Drainelektrode des Transistors aus demselben Material wie der Leiter besteht.
  27. Aktivmatrixsubstrat, bei dem jeder Pixelbereich Folgendes aufweist: einen ersten und einen zweiten Transistor; eine erste Kondensatorelektrode, die mit dem ersten Transistor verbunden ist und als Elektrode einer ersten Kapazität fungieren kann; und eine zweite Kondensatorelektrode, die mit dem zweiten Transistor verbunden ist und als Elektrode einer zweiten Kapazität fungieren kann, wobei dieses Aktivmatrixsubstrat Folgendes aufweist: einen ersten Leiter, der in einer Schicht unter der ersten Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der ersten Kapazität fungieren kann; und einen zweiten Leiter, der in einer Schicht unter der zweiten Kondensatorelektrode vorhanden ist und als andere Elektrode der zweiten Kondensatorelektrode fungieren kann; Gateisolierfilme, die Gateelektroden der Transistoren und der Leiter bedecken und mit einem ersten dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke in einem mit dem ersten Leiter überlappenden ersten auf dem Leiter liegenden Bereich sowie einem zweiten dünnen Abschnitt mit verringerter Dicke in einem mit dem zweiten Leiter überlappenden zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich versehen sind; wobei zumindest ein Teil des ersten dünnen Abschnitts mit der ersten Kondensatorelektrode überlappt und zumindest ein Teil des zweiten dünnen Abschnitts mit der zweiten Kondensatorelektrode überlappt.
  28. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem der erste dünne Abschnitt örtlich im zentralen Teil des ersten auf dem Leiter liegenden Bereichs ausgebildet ist und der zweite dünne Abschnitt örtlich im zentralen Teil des zweiten auf dem Leiter liegenden Bereich ausgebildet ist.
  29. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem der gesamte erste dünne Abschnitt mit der ersten Kondensatorelektrode überlappt und der gesamte zweite dünne Abschnitt mit der zweiten Kondensatorelektrode überlappt.
  30. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem die erste Kondensatorelektrode eine mit einer Drainelektrode des ersten Transistors verbundene erste Pixelelektrode ist und die zweite Kondensatorelektrode eine mit einer Drainelektrode des zweiten Transistors verbundene zweite Pixelelektrode ist, wobei die erste und die zweite Pixelelektrode in jedem Pixelbereich ausgebildet sind.
  31. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem die erste Kondensatorelektrode eine erste Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des ersten Transistors bildet, und die zweite Kondensatorelektrode eine zweite Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung einer Drainelektrode des zweiten Transistors bildet.
  32. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 30, bei dem der erste und der zweite Leiter Teile einer ersten bzw. einer zweiten Speicherkondensatorleitung sind und sie elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Speicherkondensatorleitung individuell steuern können, wobei elektrische Potenzia le der ersten und der zweiten Pixelelektrode durch diese Potenzialsteuerung individuell gesteuert werden.
  33. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 31, bei dem jeder Pixelbereich mit einer ersten Pixelelektrode, die mit der Drainelektrode des ersten Transistors verbunden ist, und einer zweiten Pixelelektrode, die mit der Drainelektrode des zweiten Transistors verbunden ist, versehen ist; und der erste und der zweite Leiter Teile einer ersten bzw. einer zweiten Speicherkondensatorleitung sind und sie elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Speicherkondensatorleitung individuell steuern können, wobei elektrische Potenziale der ersten und der zweiten Pixelelektrode durch diese Potenzialsteuerung individuell gesteuert werden.
  34. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 32 oder 33, bei dem das elektrische Potenzial der ersten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es ansteigt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und der erhöhte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren in einem nächsten Rahmen ausgeschaltet wird, und das elektrische Potenzial der zweiten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es fällt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und ein abgesenkter Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen eingeschaltet wird; oder das elektrische Potenzial der ersten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es fällt, nachdem jeder der TFT ausgeschaltet wird, und der abgesenkte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird, und das elektrische Potenzial der zweiten Speicherkondensatorleitung auf solche Weise gesteuert wird, dass es ansteigt, nachdem jeder der Transistoren ausgeschaltet wurde, und der erhöhte Zustand andauert, bis jeder der Transistoren im nächsten Rahmen ausgeschaltet wird.
  35. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 34, bei dem eine Erhöhung des elektrischen Potenzials der ersten Speicherkondensatorleitung eine Horizontalperiode vor oder nach einer Absenkung des elektrischen Potenzials der zweiten Speicherkondensatorleitung auftritt, oder eine Absenkung des elektrischen Potenzials der ersten Speicherkondensatorleitung eine Horizontalperiode vor oder nach einer Erhöhung des elektrischen Potenzials der zweiten Speicherkondensatorleitung auftritt.
  36. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem die erste und die zweite Kondensatorelektrode auf dem ersten bzw. zweiten dünnen Abschnitt entweder direkt oder mit einer dazwischen eingefügten Halbleiterschicht oder einem dazwischen eingefügten ersten Zwischenschichtisolierfilm, der einen Kanalteil jedes der Transistore bedeckt, ausgebildet sind.
  37. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem der Gateisolierfilm aus mehreren Gateisolierschichten besteht; wobei im ersten und zweiten dünnen Abschnitt mindestens eine Gateisolierschicht vorhanden ist und in anderen Bereichen als dem ersten und dem zweiten dünnen Abschnitt mehrere Gateisolierschichten vorhanden sind.
  38. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 37, bei dem eine Gateisolierschicht vorhanden ist, die eine organische Substanz enthält.
  39. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 37, bei dem die unterste Gateisolierschicht in anderen Bereichen als dem ersten und dem zweiten dünnen Abschnitt ein SOG-Film aus einem Spin-on-glass(SOG)-Material ist, wohingegen im ersten und im zweiten dünnen Abschnitt kein SOG-Film vorhanden ist.
  40. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem die Gateisolierschicht in einem Bereich in Überlappung mit der Halbleiterschicht des ersten und des zweiten Transistors einen weiteren dünnen Abschnitt aufweist.
  41. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 27, bei dem Bereiche um Ränder des dünnen Abschnitts des Gateisolierfilms so ausgebildet sind, dass sie eine nach vorne verjüngte Form aufweisen.
  42. Aktivmatrixsubstrat mit einem Transistor, einem Leiter, einem diesen bedeckenden Isolierfilm und einer Kondensatorelektrode, die in einer Schicht über dem Isolierfilm vorhanden ist, um mit dem Leiter eine Kapazität zu bilden, wobei die Kondensatorelektrode mit dem Transistor verbunden ist; wobei der Isolierfilm in einem Teil eines Bereichs, in dem er mit der Kondensatorelektrode und dem Leiter überlappt, verringerte Dicke aufweist.
  43. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 42, bei dem der Isolierfilm in anderen Bereichen als dem Teil mit verringerter Dicke eine Isolierschicht aus einem SOG(Spin-on-glass)-Material aufweist, wohingegen im Teil mit verringerter Dicke keine Isolierschicht aus dem SOG-Material vorhanden ist.
  44. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 42, bei dem der Isolierfilm ein Gateisolierfilm ist, der eine Gateelektrode des Transistors bedeckt; der Leiter eine Speicherkondensatorleitung ist; und die Kondensatorelektrode entweder eine mit einer Drainelektrode des Transistors verbundene Pixelelektrode oder eine Drainzuleitungselektrode ist, die eine Verlängerung der Drainelektrode des Transistors bildet.
  45. Display mit dem in einem der Ansprüche 1–44 definierten Aktivmatrixsubstrat.
  46. Fernsehempfänger mit: dem im Anspruch 45 definierten Display und einem Tunerabschnitt, der eine Fernsehübertragung empfängt.
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