DE102006028320B4 - Flüssigkristallanzeigevorrichtung, bei der ein Leckstrom reduziert ist - Google Patents
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Abstract
Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die aufweist: ein erstes und ein zweites Substrat; eine Mehrzahl von Gateleitungen (204), die auf dem ersten Substrat (220) in einer ersten Richtung ausgerichtet sind; Gateelektroden (203), die aus den Gateleitungen (204) ausgebildet sind; eine Mehrzahl von Datenleitungen (206) zum Definieren einer Mehrzahl von Pixelbereichen (P) durch vertikales Kreuzen der Gateleitungen (204); Sourceelektroden (205a) und Drainelektroden (205b), die auf den Gateelektroden (203) gebildet sind, und von den Datenleitungen (206) durch eine vorgegebene Lücke getrennt sind; Pixelelektroden (210), die in den Pixelbereichen (P) gebildet sind, und mit den Drainelektroden (205b) elektrisch gekoppelt sind; Verbindungsstrukturen (210a) zum elektrischen Koppeln der Datenleitungen (206) mit den Sourceelektroden (205a); Halbleiterschichten (208), die zwischen den Gateelektroden (203) und den Source-/Drainelektroden (205a, 205b) angeordnet sind, und Halbleiterstrukturen (208a), die entlang der Datenleitungen (206) gebildet sind; und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem ersten Substrat (220) und dem zweiten Substrat gebildet ist, wobei Seitenabschnitte der Verbindungsstrukturen (210a) die Seitenabschnitte der Datenleitungen (206) von unten kontaktieren und die anderen Seitenabschnitte davon die Seitenabschnitte der Sourceelektroden (205a) von unten kontaktieren.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und insbesondere eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die die Bildqualität verbessern kann, indem ein Leckstrom von einer Hintergrundbeleuchtung reduziert wird, und ein Herstellungsverfahren davon.
- In dem Fall einer Anzeigevorrichtung, insbesondere einer Flachpaneelanzeige, wie zum Beispiel einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, werden aktive Vorrichtungen, wie zum Beispiel Dünnschichttransistoren (TFT) in jedem Pixel zum Ansteuern (Treiben) der Anzeigevorrichtung gebildet. Normalerweise wird dieses Ansteuerungsverfahren der Anzeigevorrichtung Aktivmatrix-Ansteuerungsverfahren genannt. In dem aktiven Ansteuerungsverfahren sind die aktiven Vorrichtungen in den Pixeln angeordnet, die jeweils matrixförmig ausgerichtet sind, zum Ansteuern der Pixel.
-
1 ist eine Draufsicht, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung darstellt. Mit Bezugnahme auf1 ist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung ein TFT-LCD, die TFTs als aktive Vorrichtungen verwendet. N×N Pixel sind vertikal und horizontal in der TFT-LCD angeordnet. In jedem Pixel des TFT-LCD wird der TFT an der Kreuzung einer Gateleitung4 , die ein Abtastsignal (Scan-Signal) von einem externen Ansteuerungsschaltkreis empfängt, und einer Datenleitung6 , die ein Bildsignal empfängt, gebildet. Der TFT weist eine Gateelektrode3 , die mit der Gateleitung4 gekoppelt ist, eine Halbleiterschicht8 , die auf der Gateelektrode3 gebildet ist und aktiviert wird, wenn das Abtastsignal an die Gateelektrode3 angelegt wird, und Source-/Drainelektroden5a und5b , die auf der Halbleiterschicht8 gebildet sind, auf. Eine Pixelelektrode10 , die mit den Source-/Drainelektroden5a und5b gekoppelt ist, empfängt das Bildsignal durch die Source-/Drainelektroden5a und5b durch Aktivierung der Halbleiterschicht8 und angetriebene Flüssigkristalle (nicht gezeigt) sind in dem Anzeigebereich des Pixels1 gebildet. -
2 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur des in jedem Pixel angeordneten TFTs darstellt. Wie in2 gezeigt, weist der TFT die Gateelektrode3 auf, die auf einem Substrat15 gebildet ist, das aus einem transparenten Isolator, wie zum Beispiel Glas, gebildet ist, eine Gateisolationsschicht11 , die auf der gesamten Oberfläche des Substrats15 ausgebildet ist, auf dem die Gateelektrode3 gebildet wurde, die Halbleiterschicht8 , die auf der Gateisolationsschicht11 gebildet wurde und aktiviert wird, wenn das Signal an die Gateelektrode3 angelegt wird, die Source-/Drainelektroden5a und5b , die auf der Halbleiterschicht8 gebildet sind, und eine Passivierungsschicht13 , die zum Schützen der Vorrichtung auf den Source-/Drainelektroden5a und5b gebildet ist. Hier ist die Drainelektrode5b des TFT elektrisch mit der Pixelelektrode10 gekoppelt, die in dem Pixel gebildet ist. Folglich steuert die Pixelelektrode10 Flüssigkristalle zum Anzeigen von Bildern an, wenn das Signal an die Pixelelektrode10 durch die Source-/Drainelektroden5a und5b angelegt wird. - Andererseits, in einem 4-Masken-Prozess werden die Halbleiterschicht
8 und die Source-/Drainelektroden5a und5b durch den gleichen Maskenprozess gebildet. Die Source-/Drainelektroden5a und5b sind derart ausgebildet, um der Halbleiterschicht8 zu entsprechen. - In der herkömmlichen TFT-Struktur jedoch fällt Licht (angezeigt durch Pfeile) einer Hintergrundbeleuchtungsvorrichtung auf die Halbleiterschicht
8 , um die Halbleiterschicht8 zu aktivieren, was einen Aus-Strom (off current) erhöht. Demzufolge reduziert die herkömmliche Flüssigkristallanzeigevorrichtung die Bildqualität, indem ein Nachbild auf dem Schirm erzeugt wird, indem der Aus-Strom durch Licht der Hintergrundbeleuchtung erhöht wird. -
US 2005/0104128 A1 US 6 897 482 B2 offenbart einen Transistor für eine Anzeigevorrichtung mit einer U-förmigen Sourceelektrode.US 6 833 882 B2 offenbart Reparaturleitungen in Form von Halbleiterstrukturen, die entlang der Datenleitungen gebildet sind.US 2003/0178628 A1 - Ein der Erfindung zugrundeliegendes Problem besteht darin, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitzustellen, deren Herstellung eine reduzierte Anzahl von Maskenprozessen im Vergleich zum Stand der Technik erfordert.
- Das Problem wird gelöst durch die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit den Merkmalen gemäß dem Anspruch 1.
- Ein Aspekt der Erfindung besteht darin, die Bildqualität zu verbessern, indem ein Aus-Strom reduziert wird.
- Vorzugsweise sind die Sourceelektroden in U-Form gebildet zum Verbessern einer Schaltgeschwindigkeit, indem die Kanalbreite erhöht wird.
- Seitenabschnitte der Pixelelektroden kontaktieren die Seitenabschnitte der Drainelektroden. Passivierungsschichten sind in den isolierten Bereichen der Sourceelektroden und der Drainelektroden gebildet. Die Passivierungsschichten sind aus SiOx hergestellt.
- Andererseits können die Passivierungsschichten auf den Datenleitungen, den Verbindungsstrukturen und den Source-/Drainelektroden gebildet sein.
- Für verschiedene Ausführungsbeispiele weist das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung die weiteren Schritte Bilden von Gateisolationsschichten zwischen den Gateelektroden und den Halbleiterschichten; und Bilden von Passivierungsschichten auf den Sourceelektroden und den Drainelektroden auf.
- Wie oben beschrieben, entfernt diese Erfindung den Leckstrom aufgrund von Licht der Hintergrundbeleuchtung, indem Halbleiterstrukturen zwischen den Datenleitungen und den Sourceelektroden weggelassen werden. Das heißt, in dem allgemeinen 4-Masken-Prozess, werden die Halbleiterschichten gebildet, um den Datenleitungen und den Source-/Drainelektroden zu entsprechen. Insbesondere, da die Sourceelektroden aus den Datenleitungen gebildet werden, werden die Halbleiterschichten Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt, außer den Bereichen, die den Gateleitungen entsprechen. Folglich werden die Halbleiterstrukturen, die Licht ausgesetzt sind, aktiviert, so dass der Aus-Strom aktiviert wird. Die Erfindung verhindert jedoch den Aus-Strom durch Entfernen der Halbleiterstrukturen, die zwischen den Datenleitungen und den Gateelektroden gebildet sind, und Licht von der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind.
- Die vorangegangenen und anderen Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung deutlicher, wenn sie zusammen mit den begleitenden Zeichnungen betrachtet wird.
- In den Zeichnungen ist bzw. sind:
-
1 eine schematische Draufsicht, die eine herkömmliche Flüssigkristallanzeigevorrichtung darstellt; -
2 eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie I-I' aus1 genommen wurde; -
3a eine Draufsicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einem Vergleichsbeispiel darstellt; -
3b eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie II-II' aus3a genommen wurde; -
4a eine Draufsicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt; -
4b eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie III-III' aus4a genommen wurde; -
5a bis5d Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung darstellen; und -
6a bis6c Draufsichten, die das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung darstellen. - Bezug wird jetzt im Detail auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung genommen, wovon Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind.
- Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die fähig ist, einen Leckstrom zu reduzieren, und ein Herstellungsverfahren davon in Übereinstimmung mit der Erfindung, werden jetzt im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschreiben.
- Die
3a und3b stellen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel dar.3a ist eine Draufsicht, die einen Teil von benachbarten Pixeln mit einer Gateleitung darstellt, und3b ist eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie II-II' aus3a genommen wurde. - Wie in den
3a und3b dargestellt ist, weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung100 eine Mehrzahl von Gateleitungen104 , die auf einem transparenten Substrat120 in einer ersten Richtung ausgerichtet sind, eine Mehrzahl von Datenleitungen106 , die in einer zu den Gateleitungen104 vertikalen Richtung ausgerichtet sind, um eine Mehrzahl von Pixeln P zu definieren, und TFTs, die an den Kreuzungen der Gateleitungen104 mit den Datenleitungen106 gebildet sind, auf. Hier weist jeder der TFTs eine Gateelektrode103 , die aus der Gateleitung104 gebildet ist, eine Halbleiterschicht108 , die auf der Gateelektrode103 gebildet ist und von einer Halbleiterstruktur108a isoliert ist, die am unteren Abschnitt der Datenleitung106 gebildet ist, und Source-/Drainelektroden105a und105b , die auf der Halbleiterschicht108 gebildet sind, um mit der Gateelektrode103 übereinzustimmen, auf. - Eine Gateisolationsschicht
111 ist zwischen der Gateelektrode103 und der Halbleiterschicht108 angeordnet. Eine Passivierungsschicht113 ist auf dem Substrat gebildet, das die Datenleitung106 und die Source-/Drainelektroden105a und105b aufweist. - Eine Pixelelektrode
110 , die die Drainelektrode105b durch ein Drain-Kontaktloch133 hindurch kontaktiert, ist in dem Pixelbereich P gebildet. Die Sourceelektrode105a ist mit der Datenleitung106 durch eine Verbindungsstruktur110a elektrisch gekoppelt. Hier kontaktiert die Verbindungsstruktur110a die Datenleitung106 und die Sourceelektrode105a jeweils durch ein erstes Kontaktloch131 hindurch, das auf der Datenleitung106 gebildet ist, bzw. durch ein zweites Kontaktloch132 hindurch, das auf der Sourceelektrode105a gebildet ist. - Die Pixelelektrode
110 erstreckt sich zu dem oberen Abschnitt der Gateleitung104 , um mit der Gateleitung104 eine Speicherkapazität Cst zu bilden. Zusätzlich sind die Pixelelektrode110 und die Verbindungsstruktur110a auf der Passivierungsschicht113 gebildet. - Wie oben beschreiben ist, sind in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die Halbleiterstrukturen
108a , die an unteren Abschnitten der Datenleitungen106 gebildet sind, und die Halbleiterschichten108 der TFTs voneinander elektrisch isoliert, um einen Aus-Strom (off current), der durch eine Hintergrundbeleuchtungsvorrichtung verursacht wird, zu verhindern. - Allgemein werden in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die durch den 4-Masken-Prozess hergestellt wird, die Halbleiterstrukturen an den unteren Abschnitten der Datenleitungen gebildet, und die Sourceelektroden der TFTs erstrecken sich von den Datenleitungen zu den oberen Abschnitten der Halbleiterschichten. Folglich werden die Halbleiterstrukturen entlang der Sourceelektroden gebildet und in die Halbleiterschichten einbezogen. Demzufolge werden die Halbleiterstrukturen zwischen den Datenleitungen und den Halbleiterschichten gebildet, und Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt, wodurch der Aus-Strom erzeugt wird (vgl.
2 ). - Im Gegensatz dazu werden in dem Vergleichsbeispiel die Halbleiterstrukturen, die zwischen den Datenleitungen
106 und den Halbleiterschichten108 gebildet sind, entfernt, um zu verhindern, dass der Aus-Strom von der Hintergrundbeleuchtung erzeugt wird. Die Datenleitungen106 und die Sourceelektroden105a sind durch die Verbindungsstrukturen110a miteinander elektrisch gekoppelt. Insbesondere sind die Halbleiterschichten108 und die Source- und Drainelektroden105a und105b innerhalb der Bereiche der Gateelektroden103 gebildet, um Licht von der Hintergrundbeleuchtung durch die Gateelektroden103 vollständig abzuschirmen. - Folglich wird der Aus-Strom nicht erzeugt, indem die Halbleiterstrukturen, die Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind, entfernt werden. Obwohl die Halbleiterstrukturen in Übereinstimmung mit den Datenleitungen gebildet werden, sind die Halbleiterstrukturen von den Halbleiterschichten elektrisch isoliert, um den Aus-Strom in den TFTs nicht zu erzeugen.
- Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel kann durch den 4-Masken-Prozess hergestellt werden. Das heißt, die Gateelektroden und die Gateleitungen werden durch einen ersten Maskenprozess gebildet, und die Halbleiterschichten, die Source- und Drainelektroden und die Datenleitungen werden durch einen zweiten Maskenprozess gebildet. Eine Zerstreuungsmaske (oder Halbton-Maske) wird bei dem zweiten Maskenprozess verwendet. Die Kontaktlöcher (Drain-Kontaktlöcher usw.) werden durch einen dritten Maskenprozess gebildet, und die Pixelelektroden werden durch einen vierten Maskenprozess gebildet.
- Andererseits kann eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einem oder mehreren Ausführungsbeispielen der Erfindung auch durch einen 3-Masken-Prozess hergestellt werden. Die
4a und4b stellen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar, die durch den 3-Masken-Prozess hergestellt ist.4a ist eine Draufsicht und4b ist eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie III-III' aus4a genommen wurde. - Die gesamte Struktur der Flüssigkristallanzeigevorrichtung aus den
4a und4b ist identisch zu der Flüssigkristallanzeigevorrichtung aus den3a und3b , außer in den Positionen, wo die Pixelelektroden ausgebildet sind. Der strukturelle Unterschied wird jetzt erklärt. - Wie in den
4a und4b abgebildet ist, werden eine Sourceelektrode205a und eine Datenleitung206 mit einer vorgegebenen Lücke gebildet und miteinander durch eine Verbindungsstruktur210a elektrisch verbunden. Eine Seite der Verbindungsstruktur210a kontaktiert eine Seite der Datenleitung206 , und die andere Seite davon kontaktiert eine Seite der Sourceelektrode205a , wodurch die Datenleitung206 mit der Sourceelektrode205a elektrisch gekoppelt wird. Hier ist die Sourceelektrode205a in einer U-Form gebildet, um einen U-förmigen Kanal zu bilden, wodurch die Schaltgeschwindigkeit des TFT erhöht wird. Eine Pixelelektrode210 , die die Drainelektrode205b des TFT kontaktiert, ist in dem Pixelbereich P gebildet, der von den Gateleitungen204 und den Datenleitungen206 definiert ist. Ein Teil der Pixelelektrode210 kontaktiert auch eine Seite der Drainelektrode205b . - Andererseits ist eine Gateisolationsschicht
211 auf der Gateelektrode203 gebildet, und die Verbindungsstruktur210a und die Pixelelektrode210 sind auf der Gateisolationsschicht211 gebildet. Eine aus SiOx hergestellte Passivierungsschicht213 ist auf der Halbleiterschicht gebildet, die zwischen der Sourceelektrode205a und der Drainelektrode205b freigelegt ist. Die Passivierungsschicht213 kann auf der gesamten Oberfläche des Substrats, einschließlich den Source- und Drainelektroden205a und205b gebildet sein. Wenn jedoch die Passivierungsschicht213 auf der gesamten Oberfläche des Substrats gebildet ist, muss eine Anschlusseinheit, d. h. ein Pad, (nicht gezeigt) zum Anschließen eines Ansteuerungsschaltkreises freigelegt sein. Folglich erhöht sich die Anzahl der Maskenprozesse. Die Passivierungsschicht213 kann jedoch nur auf dem freigelegten Halbleiterschicht durch O2-Plasma gebildet werden, ohne den Maskenprozess hinzuzufügen. - Das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeige unter Verwendung des 3-Maskenprozesses wird jetzt im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
- Die
5a bis5d und6a bis6c stellen das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung dar. Die5a bis5d sind Querschnittsansichten, und die6a bis6c sind Draufsichten. - Wie in
5a und6a gezeigt ist, wird ein transparentes Substrat vorbereitet und eine Gateleitung304 und eine Gateelektrode303 eines TFT, die aus der Gateleitung304 gebildet ist, werden auf dem Substrat durch einen ersten Maskenprozess gebildet. Eine Gateisolationsschicht311 wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats, einschließlich der Gateelektrode303 , gebildet. Eine Halbleiterstruktur308a und eine Halbleiterschicht308 des TFT werden jeweils auf der Gateisolationsschicht311 durch einen zweiten Maskenprozess gebildet. Hier wird die Halbleiterstruktur308a zum Reparieren einer Datenleitung306 , die später gebildet wird, gebildet. Eine PR-Struktur350 , die als Maske zum Bilden der Halbleiterstruktur308a und der Halbleiterschicht308 verwendet wird, wird nicht entfernt. - Wie in
5b dargestellt ist, wird ein transparentes leitfähiges Material, wie zum Beispiel ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid), auf der gesamten Oberfläche des Substrats, einschließlich der PR-Struktur abgeschieden, und die PR-Struktur350 wird entfernt. Folglich, wie in5c gezeigt ist, wird eine Pixelelektrode310 in einem Pixelbereich P gebildet, und eine Verbindungsstruktur310a wird zum Verbinden der Halbleiterstruktur308a mit der Halbleiterschicht308 des TFT gebildet. - Mit Bezugnahme auf die
5d und6b werden eine Datenleitung306 , die die Gateleitung304 vertikal kreuzt, und insbesondere eine Seite der Verbindungsstruktur310a kontaktiert, eine Sourceelektrode305a , die auf der Halbleiterschicht308 mit einer vorgegebenen Lücke von der Datenleitung306 gebildet wird, wobei eine ihrer Seiten mit der anderen Seite der Verbindungsstruktur310a verbunden aufweist, um mit der Datenleitung306 elektrisch gekoppelt zu sein, und eine Drainelektrode305b , die auf der Halbleiterschicht308 mit einer vorgegebenen Lücke von der Sourceelektrode305a gebildet wird, wobei eine ihrer Seiten einen Teil der Pixelelektrode310 kontaktiert, durch einen dritten Maskenprozess gebildet. - Wie in den
5d und6c gezeigt ist, wird eine aus SiOx hergestellte Passivierungsschicht313 durch einen O2-Plasmaprozess auf der Halbleiterschicht308 gebildet, die zwischen der Sourceelektrode305a und der Drainelektrdoe305b freigelegt ist. Die Halbleiterschicht308 wird aus a-Si hergestellt. Wenn O2-Plasma auf der Oberfläche aus a-Si prozessiert wird, wird SiOx darauf gebildet. - Wie früher diskutiert, stellt die Erfindung die Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereit, die fähig ist, den Aus-Strom zu verhindern, der von der Hintergrundbeleuchtung verursacht wird. Das heißt, die Halbleiterstrukturen, die an unteren Abschnitten der Datenleitungen gebildet sind, und die Halbleiterschichten der TFTs sind voneinander getrennt, wodurch die Halbleiterstrukturen entfernt sind, die Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind. Folglich sind die Sourceelektroden der TFTs von den Datenleitungen durch eine vorgegebene Lücke getrennt, und mit den Datenleitungen durch die Verbindungsstrukturen elektrisch gekoppelt, die mit den Pixelelektroden gebildet sind.
- Demzufolge sind die Halbleiterstrukturen, die Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind, zum Verhindern einer Erzeugung des Aus-Stroms entfernt. Die Bildqualität der Flüssigkristallanzeigevorrichtung kann in bemerkenswerter Weise durch Verhindern einer Erzeugung des Aus-Stroms verbessert werden.
Claims (7)
- Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die aufweist: ein erstes und ein zweites Substrat; eine Mehrzahl von Gateleitungen (
204 ), die auf dem ersten Substrat (220 ) in einer ersten Richtung ausgerichtet sind; Gateelektroden (203 ), die aus den Gateleitungen (204 ) ausgebildet sind; eine Mehrzahl von Datenleitungen (206 ) zum Definieren einer Mehrzahl von Pixelbereichen (P) durch vertikales Kreuzen der Gateleitungen (204 ); Sourceelektroden (205a ) und Drainelektroden (205b ), die auf den Gateelektroden (203 ) gebildet sind, und von den Datenleitungen (206 ) durch eine vorgegebene Lücke getrennt sind; Pixelelektroden (210 ), die in den Pixelbereichen (P) gebildet sind, und mit den Drainelektroden (205b ) elektrisch gekoppelt sind; Verbindungsstrukturen (210a ) zum elektrischen Koppeln der Datenleitungen (206 ) mit den Sourceelektroden (205a ); Halbleiterschichten (208 ), die zwischen den Gateelektroden (203 ) und den Source-/Drainelektroden (205a ,205b ) angeordnet sind, und Halbleiterstrukturen (208a ), die entlang der Datenleitungen (206 ) gebildet sind; und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem ersten Substrat (220 ) und dem zweiten Substrat gebildet ist, wobei Seitenabschnitte der Verbindungsstrukturen (210a ) die Seitenabschnitte der Datenleitungen (206 ) von unten kontaktieren und die anderen Seitenabschnitte davon die Seitenabschnitte der Sourceelektroden (205a ) von unten kontaktieren. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner Gateisolationsschichten (
211 ) aufweist, die zwischen den Gateelektroden (203 ) und den Halbleiterschichten (208 ) gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die Sourceelektroden (
205a ) U-förmig gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei Seitenabschnitte der Pixelelektroden (
210 ) die Seitenabschnitte der Drainelektroden (205b ) kontaktieren. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 4, wobei Passivierungsschichten (
213 ) in Bereichen zwischen den Sourceelektroden (205a ) und den Drainelektroden (205b ) gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die Passivierungsschichten (
213 ) aus SiOx hergestellt sind. - Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei die Passivierungsschichten auf der gesamten Oberfläche des Substrats einschließlich den Datenleitungen, den Verbindungsstrukturen und den Source-/Drainelektroden gebildet sind.
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