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Die
Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
und insbesondere eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die die Bildqualität
verbessern kann, indem ein Leckagestrom von einer Hintergrundbeleuchtung
reduziert wird, und ein Herstellungsverfahren davon.
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In
dem Fall einer Anzeigevorrichtung, insbesondere einer Flachpaneelanzeige,
wie zum Beispiel einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
werden aktive Vorrichtungen, wie zum Beispiel Dünnschichttransistoren (TFT)
in jedem Pixel zum Ansteuern (Treiben) der Anzeigevorrichtung gebildet.
Normalerweise wird dieses Ansteuerungsverfahren der Anzeigevorrichtung
Aktivmatrix-Ansteuerungsverfahren genannt. In dem aktiven Ansteuerungsverfahren
sind die aktiven Vorrichtungen in den Pixeln angeordnet, die jeweils
matrixförmig
ausgerichtet sind, zum Ansteuern der Pixel.
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1 ist eine Draufsicht, die
eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
darstellt. Mit Bezugnahme auf 1 ist
die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ein TFT-LCD, die TFTs als aktive Vorrichtungen verwendet. N × N Pixel
sind vertikal und horizontal in der TFT-LCD angeordnet. In jedem
Pixel des TFT-LCD wird der TFT an der Kreuzung einer Gateleitung 4,
die ein Abtastsignal (Scan-Signal) von einem externen Ansteuerungsschaltkreis
empfängt, und
einer Datenleitung 6, die ein Bildsignal empfängt, gebildet.
Der TFT weist eine Gateelektrode 3, die mit der Gateleitung 4 gekoppelt
ist, eine Halbleiterschicht 8, die auf der Gateelektrode 3 gebildet
ist und aktiviert wird, wenn das Abtastsignal an die Gateelektrode 3 angelegt
wird, und Source-/Drainelektroden 5a und 5b, die
auf der Halbleiterschicht 8 gebildet sind, auf. Eine Pixelelektrode 10,
die mit den Source-/Drainelektroden 5a und 5b gekoppelt
ist, empfängt
das Bildsignal durch die Source-/Drainelektroden 5a und 5b durch
Aktivierung der Halbleiterschicht 8 und angetriebene Flüssigkristalle
(nicht gezeigt) sind in dem Anzeigebereich des Pixels 1 gebildet.
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2 ist eine Querschnittsansicht,
die die Struktur des in jedem Pixel angeordneten TFTs darstellt.
Wie in 2 gezeigt, weist
der TFT die Gateelektrode 3 auf, die auf einem Substrat 15 gebildet
ist, das aus einem transparenten Isolator, wie zum Beispiel Glas,
gebildet ist, eine Gateisolationsschicht 11, die auf der
gesamten Oberfläche
des Substrats 15 ausgebildet ist, auf dem die Gateelektrode 3 gebildet wurde,
die Halbleiterschicht 8, die auf der Gateisolationsschicht 11 gebildet
wurde und aktiviert wird, wenn das Signal an die Gateelektrode 3 angelegt wird,
die Source-/Drainelektroden 5a und 5b,
die auf der Halbleiterschicht 8 gebildet sind, und eine
Passivierungsschicht 13, die zum Schützen der Vorrichtung auf den
Source-/Drainelektroden 5a und 5b gebildet
ist. Hier ist die Drainelektrode 5b des TFT elektrisch
mit der Pixelelektrode 10 gekoppelt, die in dem Pixel gebildet
ist. Folglich steuert die Pixelelektrode 10 Flüssigkristalle
zum Anzeigen von Bildern an, wenn das Signal an die Pixelelektrode 10 durch
die Source-/Drainelektroden 5a und 5b angelegt
wird.
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Andererseits,
in einem 4-Masken-Prozess werden die Halbleiterschicht 8 und
die Source-/Drainelektroden 5a und 5b durch den
gleichen Maskenprozess gebildet. Die Source-/Drainelektroden 5a und 5b sind
derart ausgebildet, um der Halbleiterschicht 8 zu entsprechen.
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In
der herkömmlichen
TFT-Struktur jedoch fällt
Licht (angezeigt durch Pfeile) einer Hintergrundbeleuchtungsvorrichtung
auf die Halbleiterschicht 8, um die Halbleiterschicht 8 zu
aktivieren, was einen Aus-Strom (oft current) erhöht. Demzufolge
reduziert die herkömmliche
Flüssigkristallanzeigevorrichtung die
Bildqualität,
indem ein Nachbild auf dem Schirm erzeugt wird, indem der Aus-Strom
durch Licht der Hintergrundbeleuchtung erhöht wird.
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Folglich
ist es ein Ziel der Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die die Bildqualität verbessern
kann, indem ein Aus-Strom reduziert wird, und ein Herstellungsverfahren
davon zu schaffen.
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Zum
Erreichen dieser und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Zweck
der Erfindung, wie sie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben
wird, ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
vorgesehen, die aufweist: ein erstes und ein zweites Substrat; eine
Mehrzahl von Gateleitungen, die auf dem ersten Substrat in einer
ersten Richtung ausgerichtet sind; Gateelektroden, die aus den Gateleitungen ausgebildet
sind; eine Mehrzahl von Datenleitungen zum Definieren einer Mehrzahl
von Pixeln durch vertikales Kreuzen der Gateleitungen; Sourceelektroden
und Drainelektroden, die auf den Gateelektroden gebildet sind, und
von den Datenleitungen durch eine vorgegebene Lücke getrennt sind; Pixelektroden,
die in den Pixelbereichen gebildet sind, und mit den Drainelektroden
elektrisch gekoppelt sind; Verbindungsstrukturen zum elektrischen
Koppeln der Datenleitungen mit den Sourceelektroden; Halbleiterschichten,
die zwischen den Gateelektroden und den Source-/Drainelektroden
angeordnet sind; und eine Flüssigkristallschicht,
die zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat gebildet
ist.
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Vorzugsweise
sind Halbleiterstrukturen den Datenleitungen entsprechend gebildet
und Gateisolationsschichten sind zwischen den Gateelektroden und
den Halbleiterschichten gebildet.
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Vorzugsweise
sind die Sourceelektroden in U-Form gebildet zum Verbessern einer
Schaltgeschwindigkeit, indem die Kanalbreite erhöht wird.
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Vorzugsweise
verbinden die Verbindungsstrukturen die Datenleitungen elektrisch
mit den Sourceelektroden durch Kontaktlöcher, und die Drainelektroden
sind elektrisch mit den Pixelelektroden durch Drain-Kontaktlöcher gekoppelt.
Passivierungsschichten sind auf der gesamten Oberfläche des Substrats
einschließlich
den Datenleitungen und den Source-/Drainelektroden gebildet.
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Seitenabschnitte
der Verbindungsstrukturen kontaktieren die Seitenabschnitte der
Datenleitungen und die anderen Seitenabschnitte davon kontaktieren
die Seitenabschnitte der Sourceelektroden. Seitenabschnitte der
Pixelelektroden kontaktieren die Seitenabschnitte der Drainelektroden.
Passivierungsschichten sind in den isolierten Bereichen der Sourceelektroden
und der Drainelektroden gebildet. Die Passivierungsschichten sind
aus SiOx hergestellt.
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Andererseits
können
die Passivierungsschichten auf den Datenleitungen, den Verbindungsstrukturen
und den Source-/Drainelektroden gebildet sein.
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Gemäß einem
anderen Aspekt der Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
vorgesehen, das die Schritte aufweist: Vorbereiten eines ersten
Substrats und eines zweiten Substrats; Bilden einer Mehrzahl von
Gateleitungen, die auf dem ersten Substrat in einer ersten Richtung
ausgerichtet sind, und einer Mehrzahl von Gateelektroden; Bilden
einer Mehrzahl von Datenleitungen zum Definieren einer Mehrzahl
von Pixelbereichen durch vertikales Kreuzen der Gateleitungen, und
von Sourceelektroden und Drainelektroden, die von den Datenleitungen
durch eine vorgegebene Lücke
getrennt sind; Bilden von Pixelelektroden, die elektrisch mit den
Drainelektroden gekoppelt sind, in den Pixelbereichen, und von Verbindungsstrukturen zum
elektrischen Verbinden der Datenleitungen mit den Sourceelektroden;
und Bilden einer Flüssigkristallschicht
zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat.
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Vorzugsweise
weist das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ferner die Schritte auf: Bilden von Halbleiterschichten zwischen den
Gateelektroden und den Source-/Drainelektroden; Bilden von Gateisolationsschichten
zwischen den Gateelektroden und den Halbleiterschichten; und Bilden
von Passivierungsschichten auf der gesamten Oberfläche des
Substrats einschließlich
den Source-/Drainelektroden.
Zusätzlich
weist das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
einen Schritt des Bildens von Kontaktlöchern zum elektrischen Verbinden
der Datenleitungen mit den Sourceelektroden auf den Passivierungsschichten
auf.
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Gemäß noch einem
weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
vorgesehen, das die Schritte aufweist: Vorbereiten eines ersten
Substrats und eines zweiten Substrats; Bilden einer Mehrzahl von
Gateleitungen, die auf dem ersten Substrat in einer ersten Richtung
ausgerichtet sind, und einer Mehrzahl von Gateelektroden; Bilden
von Pixelektroden und Verbindungsstrukturen auf dem ersten Substrat;
Bilden einer Mehrzahl von Datenleitungen zum Definieren einer Mehrzahl
von Pixelbereichen durch vertikales Kreuzen der Gateleitungen auf
dem ersten Substrat, von Sourceelektroden, die die Datenleitungen
durch die Verbindungsstrukturen kontaktieren, und von Drainelektroden,
die die Pixelelektroden kontaktieren, wobei die Source-/Drainelektroden
von den Datenleitungen durch eine vorgegebene Lücke getrennt sind; und Bilden
einer Flüssigkristallschicht zwischen
dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat.
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Vorzugsweise
weist das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ferner die Schritte auf: Bilden von Halbleiterschichten zwischen den
Gateelektroden und den Source-/Drainelektroden; Bilden von Gateisolationsschichten
zwischen den Gateelektroden und den Halbleiterschichten; und Bilden
von Passivierungsschichten auf den Halbleiterschichten, die an die
isolierten Bereiche der Sourceelektroden und der Drainelektroden
freigelegt sind. Die Passivierungsschichten werden durch einen O2-Plasmaprozess gebildet.
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Andererseits
weist das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
die weiteren Schritte Bilden von Halbleiterschichten zwischen den
Gateelektroden und den Source-/Drainelektroden; Bilden von Gateisolationsschichten
zwischen den Gateelektroden und den Halbleiterschichten; und Bilden
von Passivierungsschichten auf den Sourceelektroden und den Drainelektroden
auf.
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Wie
oben beschrieben, entfernt diese Erfindung den Leckagestrom von
Licht der Hintergrundbeleuchtung, indem Halbleiterstrukturen zwischen den
Datenleitungen und den Sourceelektroden weggelassen werden. Das
heißt,
in dem allgemeinen 4-Masken-Prozess,
werden die Halbleiterschichten gebildet, um den Datenleitungen und
den Source-/Drainelektroden zu entsprechen. Insbesondere, da die
Sourceelektroden aus den Datenleitungen gebildet werden, werden
die Halbleiterschichten Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt,
außer
die Bereiche, die den Gateleitungen entsprechen. Folglich werden
die Halbleiterstrukturen, die Licht ausgesetzt sind, aktiviert,
so dass der Aus-Strom aktivieret wird. Die Erfindung verhindert
jedoch den Aus-Strom durch Entfernen der Halbleiterstrukturen, die
zwischen den Datenleitungen und den Gateelektroden gebildet sind,
und Licht von der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind.
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Die
vorangegangenen und anderen Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile
der Erfindung werden in der folgenden detaillierten Beschreibung
der Erfindung deutlicher, wenn sie zusammen mit den begleitenden
Zeichnungen betrachtet wird.
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In
den begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres
Verständnis
der Erfindung zu schaffen und in der Beschreibung enthalten sind
und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsbeispiele der Erfindung
dar, und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erklären der
Prinzipien der Erfindung.
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In
den Zeichnungen ist bzw. sind:
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1 eine
schematische Draufsicht, die eine herkömmliche Flüssigkristallanzeigevorrichtung darstellt;
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2 eine
Querschnittsansicht, die entlang der Linie I-I' aus 1 genommen
wurde;
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3a eine
Draufsicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
in Übereinstimmung
mit einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung darstellt;
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3b eine
Querschnittsansicht, die entlang der Linie II-II' aus 3a genommen
wurde;
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4a eine
Draufsicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
in Übereinstimmung
mit einem zweiten Ausführungsbeispiel
der Erfindung darstellt;
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4b eine
Querschnittsansicht, die entlang der Linie III-III' aus 4a genommen
wurde;
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5a bis 5d Querschnittsansichten, die
ein Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
in Übereinstimmung
mit der Erfindung darstellen; und
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6a bis 6c Draufsichten,
die das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
in Übereinstimmung
mit der Erfindung darstellen.
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Bezug
wird jetzt im Detail auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung
genommen, wovon Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt
sind.
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Eine
Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die fähig
ist, einen Leckagestrom zu reduzieren, und ein Herstellungsverfahren
davon in Übereinstimmung mit
der Erfindung, werden jetzt im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden
Zeichnungen beschreiben.
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Die 3a und 3b stellen
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar. 3a ist eine Draufsicht, die
einen Teil von benachbarten Pixeln mit einer Gateleitung darstellt,
und 3b ist eine Querschnittsansicht, die entlang der
Linie II-II' aus 3a genommen
wurde.
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Wie
in den 3a und 3b dargestellt
ist, weist die Flüssikgristallanzeigevorrichtung 100 eine Mehrzahl
von Gateleitungen 104, die auf einem transparenten Substrat 120 in
einer ersten Richtung ausgerichtet sind, eine Mehrzahl von Datenleitungen 106,
die in einer zu den Gateleitungen 104 vertikalen Richtung
ausgerichtet sind, um eine Mehrzahl von Pixeln P zu definieren,
und TFTs, die an den Kreuzungen der Gateleitungen 104 mit
den Datenleitungen 106 gebildet sind, auf. Hier weist jeder
der TFTs eine Gateelektrode 103, die aus der Gateleitung 104 gebildet
ist, eine Halbleiterschicht 108, die auf der Gateelektrode 103 gebildet
ist und von einer Halbleiterstruktur 108a isoliert ist,
die am unteren Abschnitt der Datenleitung 106 gebildet
ist, und Source-/Drainelektroden 105a und 105b,
die auf der Halbleiterschicht 108 gebildet sind, um mit
der Gateelektrdoe 103 übereinzustimmen,
auf.
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Eine
Gateisolationsschicht 111 ist zwischen der Gateelektrode 103 und
der Halbleiterschicht 108 angeordnet. Eine Passivierungsschicht 113 ist
auf dem Substrat gebildet, das die Datenleitung 106 und die
Source-/Drainelektroden 105a und 105b aufweist.
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Eine
Pixelelektrode 110, die die Drainelektrode 105b durch
ein Drain-Kontaktloch 112 hindurch kontaktiert, ist in
dem Pixelbereich P gebildet. Die Sourceelektrode 105b ist
mit der Datenleitung 106 durch eine Verbindungsstruktur 110a elektrisch
gekoppelt. Hier kontaktiert die Verbindungsstruktur 110a die
Datenleitung 106 und die Sourceelektrode 105a jeweils
durch ein erstes Kontaktloch 131 hindurch, das auf der
Datenleitung 106 gebildet ist, bzw. durch ein zweites Kontaktloch 132 hindurch,
das auf der Sourceelektrode 105a gebildet ist.
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Die
Pixelelektrode 110 erstreckt sich zu dem oberen Abschnitt
der Gateleitung 104, um mit der Gateleitung 104 eine
Speicherkapazität
Cst zu bilden. Zusätzlich
sind die Pixelelektrode 110 und die Verbindungsstruktur 110a auf
der Passivierungsschicht 113 gebildet.
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Wie
oben beschreiben ist, sind in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die Halbleiterstrukturen 108a, die an unteren Abschnitten
der Datenleitungen 106 gebildet sind, und die Halbleiterschichten 108 der
TFTs voneinander elektrisch isoliert, um einen Aus-Strom (off current),
der durch eine Hintergrundbeleuchtungsvorrichtung verursacht wird,
zu verhindern.
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Allgemein
werden in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die durch den 4-Masken-Prozess
hergestellt wird, die Halbleiterstrukturen an den unteren Abschnitten
der Datenleitungen gebildet, und die Sourceelektroden der TFTs erstrecken
sich von den Datenleitungen zu den oberen Abschnitten der Halbleiterschichten.
Folglich werden die Halbleiterstrukturen entlang der Sourceelektroden
gebildet und in die Halbleiterschichten einbezogen. Demzufolge werden die
Halbleiterstrukturen zwischen den Datenleitungen und den Halbleiterschichten
gebildet, und Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt, wodurch der
Aus-Strom erzeugt wird (vgl. 2).
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Im
Gegensatz dazu werden gemäß der Erfindung
die Halbleiterstrukturen, die zwischen den Datenleitungen 106 und
den Halbleiterschichten 108 gebildet sind, entfernt, um
zu verhindern, dass der Aus-Strom von der Hintergrundbeleuchtung
erzeugt wird. Die Datenleitungen 106 und die Sourceelektroden 105a sind
durch die Verbindungsstrukturen 110a miteinander elektrisch
gekoppelt. Insbesondere sind die Halbleiterschichten 108 und
die Source- und Drainelektroden 105a und 105b innerhalb
der Bereiche der Gateelektroden 103 gebildet, um Licht
von der Hintergrundbeleuchtung durch die Gateelektroden 103 vollständig abzuschirmen.
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Folglich
wird der Aus-Strom nicht erzeugt, indem die Halbleiterstrukturen,
die Licht der Hintergrundbeleuchtung ausgesetzt sind, entfernt werden. Obwohl
die Halbleiterstrukturen in Übereinstimmung mit
den Datenleitungen gebildet werden, sind die Halbleiterstrukturen
von den Halbleiterschichten elektrisch isoliert, um den Aus-Strom
in den TFTs nicht zu erzeugen.
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Die
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
kann durch den 4-Masken-Prozess hergestellt werden. Das heißt, die
Gateelektroden und die Gateleitungen werden durch einen ersten Maskenprozess
gebildet, und die Halbleiterschichten, die Source- und Drainelektroden
und die Datenleitungen werden durch einen zweiten Maskenprozess
gebildet. Eine Zerstreuungsmaske (oder Halbton-Maske) wird bei dem
zweiten Maskenprozess verwendet. Die Kontaktlöcher (Drain-Kontaktlöcher usw.)
werden durch einen dritten Maskenprozess gebildet, und die Pixelelektroden werden
durch einen vierten Maskenprozess gebildet.
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Andererseits
kann die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
auch durch einen 3-Masken-Prozess
hergestellt werden. Die 4a und 4b stellen
die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
dar, die durch den 3-Masken-Prozess hergestellt ist. 4a ist
eine Draufsicht und 4b ist eine Querschnittsansicht, die
entlang der Linie III-III' aus 4a genommen wurde.
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Die
gesamte Struktur der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
aus den 4a und 4b ist identisch
zu der Flüssigkristallanzeigevorrichtung aus
den 3a und 3b, außer in den
Positionen, wo die Pixelelektroden ausgebildet sind. Der strukturelle
Unterschied wird jetzt erklärt.
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Wie
in den 4a und 4b abgebildet
ist, werden eine Sourceelektrode 205a und eine Datenleitung 206 mit
einer vorgegebenen Lücke
gebildet und miteinander durch eine Verbindungsstruktur 210a elektrisch
verbunden. Eine Seite der Verbindungsstruktur 210a kontaktiert
eine Seite der Datenleitung 206, und die andere Seite davon
kontaktiert eine Seite der Sourceelektrode 205a, wodurch
die Datenleitung 206 mit der Sourceelektrode 205a elektrisch
gekoppelt wird. Hier ist die Sourceelektrode 205a in einer
U-Form gebildet, um einen U-förmigen Kanal
zu bilden, wodurch die Schaltgeschwindigkeit des TFT erhöht wird.
Eine Pixelelektrode 210, die die Drainelektrode 205b des
TFT kontaktiert, ist in dem Pixelbereich P gebildet, der von den
Gateleitungen 204 und den Datenleitungen 206 definiert
ist. Ein Teil der Pixelelektrode 210 kontaktiert auch eine
Seite der Drainelektrode 205b.
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Andererseits
ist eine Gateisolationsschicht 211 auf der Gateelektrode 203 gebildet,
und die Verbindungsstruktur 210a und die Pixelelektrode 210 sind
auf der Gateisolationsschicht 211 gebildet. Eine aus SiOx hergestellte Passivierungsschicht 213 ist auf
der Halbleiterschicht gebildet, die zwischen der Soruceeltktrode 205a und
der Drainelektrode 205 freigelegt ist. Die Passivierungsschicht 213 kann
auf der gesamten Oberfläche
des Substrats, einschließlich
den Source- und Drainelektroden 205a und 205b gebildet
sein. Wenn jedoch die Passivierungsschicht 213 auf der
gesamten Oberfläche
des Substrats gebildet ist, muss eine Anschlusseinheit, d.h. ein
Pad, (nicht gezeigt) zum Anschließen eines Ansteuerungsschaltkreises
freigelegt sein. Folglich erhöht sich
die Anzahl der Maskenprozesse. Die Passivierungsschicht 213 kann
jedoch nur auf dem freigelegten Halbleiterschicht durch O2-Plasma gebildet werden, ohne den Maskenprozess
hinzuzufügen.
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Das
Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeige
unter Verwendung des 3-Maskenprozesses
wird jetzt im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen
beschrieben.
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Die 5a bis 5d und 6a bis 6c stellen
das Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Erfindung dar.
Die 5a bis 5d sind
Querschnittsansichten, und die 6a bis 6c sind
Draufsichten.
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Wie
in 5a und 6a gezeigt
ist, wird ein transparentes Substrat vorbereitet und eine Gateleitung 304 und
eine Gateelektrode 303 eines TFT, die aus der Gateleitung 304 gebildet
ist, werden auf dem Substrat durch einen ersten Maskenprozess gebildet.
Eine Gateisolationsschicht 311 wird auf der gesamten Oberfläche des
Substrats, einschließlich der
Gateelektrode 303, gebildet. Eine Halbleiterstruktur 308a und
eine Halbleiterschicht 308 des TFT werden jeweils auf der
Gateisolationsschicht 311 durch einen zweiten Maskenprozess
gebildet. Hier wird die Halbleiterstruktur 308 zum Reparieren
einer Datenleitung 306, die später gebildet wird, gebildet.
Eine PR-Struktur 350, die als Maske zum Bilden der Halbleiterstruktur 308a und
der Halbleiterschicht 307 verwendet wird, wird nicht entfernt.
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Wie
in 5b dargestellt ist, wird ein transparentes leitfähiges Material,
wie zum Beispiel ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid),
auf der gesamten Oberfläche
des Substrats, einschließlich der
PR-Struktur abgeschieden, und die PR-Struktur 350 wird entfernt.
Folglich, wie in 5c gezeigt ist, wird eine Pixelelektrode 320 in
einem Pixelbereich P gebildet, und eine Verbindungsstruktur 310a wird zum
Verbinden der Halbleiterstruktur 308a mit der Halbleiterschicht 308 des
TFT gebildet.
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Mit
Bezugnahme auf die 5d und 6b werden
eine Datenleitung 306, die die Gateleitung 304 vertikal
kreuzt, und insbesondere eine Seite der Verbindungsstruktur 310a kontaktiert,
eine Sourceelektrode 305a, die auf der Halbleiterschicht 308 mit einer
vorgegebenen Lücke
von der Datenleitung 306 gebildet wird, wobei eine ihrer
Seiten mit der anderen Seite der Halbleiterstruktur 310a verbunden
aufweist, um mit der Datenleitung 306 elektrisch gekoppelt
zu sein, und eine Drainelektrode 305b, die auf der Halbleiterschicht 308 mit
einer vorgegebenen Lücke
von der Sourceelektrdoe 305a gebildet wird, wobei eine ihrer
Seiten einen Teil der Pixelelektrode 310 kontaktiert, durch
einen dritten Maskenprozess gebildet.
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Wie
in den 5d und 6c gezeigt
ist, wird eine aus SiOx hergestellte Passivierungsschicht 313 durch
einen O2-Plasmaprozess auf der Halbleiterschicht 308 gebildet,
die zwischen der Sourceelektrode 305a und der Drainelektrdoe 305b freigelegt
ist. Die Halbleiterschicht 308 wird aus a-Si hergestellt. Wenn
O2-Plasma auf der Oberfläche aus a-Si prozessiert wird,
wird SiOx darauf gebildet.
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Das
Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
unter Verwendung des 3-Masken-Prozesses vereinfacht den ganzen Prozess
und kürzt
die Herstellungskosten, indem auf die hochpreisige Streumaske verzichtet
werden kann.
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Wie
früher
diskutiert, stellt die Erfindung die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bereit, die fähig
ist, den Aus-Strom zu verhindern, der von der Hintergrundbeleuchtung
verursacht wird, und das Herstellungsverfahren davon. Das heißt, die Halbleiterstrukturen,
die an unteren Abschnitten der Datenleitungen gebildet sind, und
die Halbleiterschichten der TFTs sind voneinander elektrich isoliert,
wodurch die Halbleiterstrukturen entfernt sind, die Licht der Hintergrundbeleuchtung
ausgesetzt sind. Folglich sind die Sourceelektroden der TFTs von
den Datenleitungen durch eine vorgegebene Lücke getrennt, und mit den Datenleitungen
durch die Verbindungsstrukturen elektrisch gekoppelt, die mit den
Pixelelektroden gebildet sind.
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Demzufolge
sind die Halbleiterstrukturen, die Licht der Hintergrundbeleuchtung
ausgesetzt sind, zum Verhindern einer Erzugung des Aus-Stroms entfernt.
Die Bildqualität
der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
kann in bemerkenswerter Weise durch Verhindern einer Erzeugung des
Aus-Stroms verbessert werden.