DE69316399T2

DE69316399T2 - Flüssigkristallanzeige mit Aktivmatrixansteuerung

Info

Publication number: DE69316399T2
Application number: DE69316399T
Authority: DE
Inventors: Kenichi Ishiguro; Hirohisa Tanaka
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-02-07
Filing date: 1993-02-08
Publication date: 1998-07-23
Anticipated expiration: 2013-02-09
Also published as: US5459595A; EP0555100A1; EP0555100B1; DE69316399D1; KR0145280B1; TW237525B; KR930018301A

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung:

Die vorliegende Ertindung bezieht sich auf eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige mit einem Aktivmatrixsubstrat, auf dem Schaltelemente in der Gestalt einer Matrix ausgebildet sind, einem dem Aktivmatrixsubstrat gegenüberliegenden Zählersubstrat und einer dazwischen vorgesehenen Flüssigkristallschicht.

2. Beschreibung des Standes der Technik:

Flüssigkristallanzeigen ziehen bis zuletzt Aufmerksamkeit als eine Anzeige auf sich, die anstelle einer CRT (Kathodenstrahröhre) aufgrund ihrer Eigenschaften hinsichtlich Raumeinsparung und niedriger Leistungsaufnahme verwendet wird. Unter derartigen Flüssigkristallanzeigen sind mit Dünnfilmtransistoren (im folgenden als "TFT" bezeichnet) aktivierte Flüssigkristallanzeigen überlegen, da der Flüssigkristall darin mit großer Geschwindigkeit anspricht und Bilder mit hoher Qualität angezeigt werden. Insbesondere wurden in den letzten Jahren aus amorphem Silizium (im folgenden als "a-Si" bezeichnet) hergestellte TFTs bevorzugt entwickelt, da Filme bei niedriger Temperatur in solchen TFTs erzeugt werden können, so daß sie eine genauere und weniger aufwendige Anzeige, die ein größeres Bild zeigt, liefern können.
Fig. 16 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige zeigt, die das a-Si in den TFTs verwendet. Die Fig. 17 und 18 sind Schnittdarstellungen längs Linien A-A' bzw. B-B' von Fig. 16. Die Flüssigkristallanzeige umfaßt ein Aktivmatrixsubstrat 122, auf dem TFTs 124 in der Gestalt einer Matrix gebildet sind, ein dem Aktivmatrixsubstrat 122 gegenüberliegendes Gegensubstrat 123 und eine dazwischen gelegte Flüssigkristallschicht 116. Eine Struktur einer derartigen Flüssigkristallanzeige wird nun mehr in Einzelheiten aufgrund von deren Herstellungsschritten wie folgt beschrieben: Zunächst wird ein Metalldünnfilm auf einem transparenten isolierenden Glassubstrat 101 gebildet, um Gatterleitungen 102 als Abtasteitungen und von den Gatteritungen 102 abgezweigte Gateelektroden 102a zu erzeugen. Ein SiNx-Film als ein erster Isolierfilm 103, eine a-Si-Schicht als eine Halbleiterschicht 104 der TFTs 124 und ein weiterer SiNx- Film als ein zweiter Isolierfilm 105 werden nacheinander auf der Gesamtoberseite des Substrates 101 gebildet. Der zweite Isolierfilm 105 wird dann gemustert, wie dies in Fig. 16 gezeigt ist.
Sodann wird, nachdem ein Metalldünnfilm darauf hergestellt ist, eine mit P-dotierte n+- Schicht 106 erzeugt, um einen ohmschen Kontakt mit der a-Si-Schicht 104 zu erzeugen. Dann werden jeweils Sourceleitungen 107 als Signaleitungen mit einem Muster, wie dies in Fig. 16 gezeigt ist, Sourceelektroden 107a, die von den Sourceleitungen 107 abgezweigt sind, Drainelektrodelabschirmfilme 108 und Abschirmfilme 110 erzeugt. Die TFTs 124, die jeweils eine Schnittstruktur haben, wie diese in Fig. 17 gezeigt ist, werden nahe jeweiligen Kreuzungen der Gateelektroden 102a und der Sourceelektroden 107a gebildet.
Sodann wird ein dritter Isolierfilm 112 auf der gesamten Oberseite des sich ergebenden Glassubstrates 101 gebildet, und Kontaktlöcher 113 werden in dem dritten Isolierfilm 112 ausgeführt. Ein transparenter leitender Film wird dann erzeugt, um die Kontaktlöcher 113 zu füllen und teilweise die Gattereitungen 102 zu bedecken, wodurch Pixelelektroden 114 gebildet werden. Eine Ausrichtschicht 115 wird weiterhin auf die Pixelelektroden 114 aufgetragen und sodann durch eine Reibmethode behandelt. Das Aktivmatrixsubstrat 122 wird so hergestellt.
Das Gegensubstrat 123 wird wie folgt hergestellt: Ein Farbfilter 120 wird, falls erforderlich, auf dem transparenten isolierenden Glassubstrat 121 gemustert. Ein transparenter leitender Film wird "ber der gesamten Oberseite des gemusterten Substrates gebildet, um eine Gegenelektrode 118 zu erzeugen. Eine Ausrichtschicht 117 wird dann auf der Gegenelektrode 118 hergestellt und durch die Reibmethode behandelt.
Das Aktivmatrixsubstrat 122 und das Gegensubstrat 123 werden dann aneinander zum Haften gebracht und ein Flüssigkristall wird dazwischen injiziert, um die Flüssigkristall schicht 116 zu bilden. Die Flüssigkristallanzeige wird auf diese Weise hergestellt.
In einer derartigen Flüssigkristallanzeige sind die Drainelektrode/Abschirmfilme 102, die als Drainelektroden und Abschirmfilme dienen, sowie die Abschirmfilme 110 oberhalb der Gatterleitungen 102, wie in Fig. 18 gezeigt, aus dem folgenden Grund vorgesehen: Um eine hohe Genauigkeit durch Steigern der Pixelanzahl in einer Einheitsfläche zu erzielen, wird eine 1-Horizontol-Umkehransteuerung zum Umkehren der Polarität der an den Pixelelektroden 114 durch die Gatterelektroden 102 angelegten Signale angewandt, da mehr Pixels das Intervall bzw. den Abstand zwischen den benachbarten Pixels vermindern. In diesem Fall wird eine Wechselwirkung zwischen den benachbarten Pixelelektroden 114 verursacht, um das elektrische Feld über den Gatterleitungen 102 zu stören. Als Ergebnis werden die Flüssigkristallteilchen auch gestört, und beispielsweise streut Licht aus, während Schwarz im normalen Weißmodus des Flüssigkristalls angezeigt wird, was zu einem verminderten Kontrast führt. Die Abschirmfilme 108 und 110 werden über den Gatterleitungen 102 gebildet, um die Lichtstreuung abzuschirmen, damit die Verminderung des Kontrastes verhindert wird.
Ein System, in welchem die Abschirmfilme über den Sourceleitungen des Aktivmatrixsubstrates gebildet sind, ist auch bekannt (M. Tsumura u.a.: "High-Resultion 10.3-in. Diagonal Multicolor TFT-LCD", SID 91 DIGEST, Seiten 215-218). In diesem System ist der Kontrast aufgrund einer Lichtstreuung infolge des gestörten elektrischen Feldes auf den Gatterleitungen bei der 1-Horizontal-Umkehransteuerung vermindert, wie dies oben erläutert ist. Bei der 1-Vertikal-Umkehransteuerung zum Umkehren der Polarität der an die Pixelelektroden durch die Sourceleitung anzulegenden Signale kann die Verminderung des Kontrastes vermieden werden, da das elektrische Feld über den Sourceleitungen gestört ist. Jedoch hat bei diesem System ein IC zum Ansteuern eine nachteilhaft große Belastung, da es unmöglich ist, die Gegenelektrode auf dem Gegensubstrat so anzusteuern, daß die Anlegung von Signalen an die Pixels unterstützt ist.
Aus den oben erwähnten Gründen werden die Abschirmfilme 108 und 110 über den Gatterleitungen 102 in den herkömmlichen Flüssigkristallanzeigen gebildet. In derartigen herkömmlichen Flüssigkristallanzeigen wird, wie aus den Fig. 17 und 18 folgt, eine parasitäre Kapazität in überlappten Teilen zwischen den Draineiektrodelabschirmfilmen 108 und Gattereitungen 102, Abschirmfilmen 110 und Gatterleitungen 102 oder Pixelelektroden 114 und Gatteritungen 102 erzeugt, um dadurch die Anzeigeeigenschaften herabzusetzen. Eine Auswirkung der parasitäten Kapazität auf die Anzeigeeigenschaften wird durch ein Verhältnis dargestellt, das durch die folgende Gleichung (I) erhalten ist: Gleichung (I)

Parasitäre Kapazität Kapazität des Flüssigkeitskristall Speicher-kapazität Parasitäre Kapazität

Da der herkömmliche Flüssigkristall keine Speicherkapazität hat, beeinträchtigt die parasitäre Kapazität stark die Anzeigeeigenschaften. Um jedoch eine Speicherkapazität für jedes Pixel zur Lösung dieses Problems vorzusehen, sollten Leitungen und dgl. für eine Speicherkapazität gebildet werden, was zu einer Verminderung des Öffnungsverhältnis ses führt. Wenn weiterhin die Leitungen für die Speicherkapazität aus einem transparen ten leitenden Material gebildet werden, um das Öffnungsverhältnis nicht zu reduzieren, wird die Ausbeute infolge der zusätzlichen Herstellungssch ritte herabgesetzt.
Die Druckschrift "High-Resolution 10.3 in Diagonal Mutlicolour TFT-LCD" SID 91 Digest, Seiten 215-218, auf der der Oberbegriff des Patentanspruches beruht, offenbart eine LCD-Anzeige mit einem Aktivmatrixsubstrat. Abtastleitungen sind auf dem Aktivmatrixsubstrat angeordnet, und Abschirmfilme sind auf dem Aktivmatrixsubstrat vorgesehen, um eine Lichtstreuung entlang der Abtastleitungen zu verhindern. Die Abschirmfilme überlappen die Abtastleitungen, um zu verhindern, daß Licht unter einem schrägen Winkel durch die Anzeige verläuft, und eine parasitäre Kapazität wird als Ergebnis der Überlappung aufgebaut.
Erfindungsgemäß ist eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige vorgesehen, die aufweist: Ein Aktivmatrixsubstrat, umfassend: eine Vielzahl von parallelen Abtasteitungen, eine Vielzahl von parallelen Signaleitungen, die die Abtastleitung kreuzen, Pixelelektroden, die in Substratteilen ausgebildet sind, die durch zwei benachbarte Abtastleitungen und zwei benachbarte Signalleitungen definiert sind, Schaltelemente, deren jedes mit einer entsprechenden Pixelelektrode und einer entsprechenden Abtastleitung sowie einer entsprechenden Signalleitung verbunden ist, und Paare von ersten Abschirmfilmen, ein Gegensubstrat, das gegenüber zu dem Aktivmatrixsubstrat angeordnet ist und eine Gegenelektrode sowie einen zweiten Lichtabschirmfilm hat, und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem Aktivmatrixsubstrat und der Gegenelektrode angeordnet ist, wobei jedes Paar der Paare der ersten Lichtabschirmfilme jeweils auf jeder Seite einer zugeordneten Signalleitung vorgesehen ist, um ein Lichtstreuen längs der Abtastleitungen zu sperren, und wobei keiner der ersten Abschirmfilme die Abtastleitungen überlagert.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel bedeckt der zweite Abschirmfilm die kleinere Einheit von: (1) Spalten zwischen dem Paar der ersten Abschirmfilme und den dadurch zwischengelegten Abtastleitungen und (2) Spalten zwischen den Pixelelektroden und der Abtastleitung.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Schaltelemente Dünnfilmtransistoren, und die Drainelektrode in jedem Dünnfilmtransistor dient auch als ein Film des Paares der ersten Abschirmfilme.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Signalleitungen und die ersten Abschirmfilme aus dem gleichen Material hergestellt.
Somit ermöglicht die hier beschriebene Erfindung die folgenden Vorteile: (1) Bereitstellung einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verhindem einer parasitäten Kapazität verbessert sind, (2) Bereitstellung einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verhindern einer parasitäten Kapazität ohne Verschlechterung des Öffnungsverhältnisses verbessert sind, (3) Bereitstellung einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verhindern einer parasitäten Kapazität ohne Verschlechterung des Öffnungsverhältnisses verbessert sind, während eine Herabsetzung der Ausbeute infolge einer Steigerung der Herstellungsschritte vermieden ist, (4) Bereitstellung einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verwenden einer parasitären Kapazität als eine Speicherkapazität verbessert sind, (5) Bereitstellung einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verwenden einer parasitäten Kapazität als eine Speicherkapazität verbessert sind, während eine Herabsetzung der Ausbeute infolge einer Steigerung der Herstellungsschritte vermieden ist, und (6) Bereitstellung einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige mit Anzeigeeigenschaften, die durch Verwenden einer parasitäten Kapazität als eine Speicherkapazität verbessert sind, während die Größe der parasitäten Kapazität verringert ist.
Diese und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann nach Lesen und Verstehen der folgenden Detailbeschreibung im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen ersichtlich.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

Fig. 1 ist eine Teildraufsicht einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige als ein erstes Beispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Flüssigkristallanzeige von Fig. 1.
Fig. 3A bis 3F sind Draufsichten, die ein Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeige von Fig. 1 zeigen.
Fig. 4 ist eine Teildraufsicht einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige als ein zweites Beispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 ist eine Teildraufsicht einer Vergleichs-Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige.
Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Flüssigkristallanzeige von Fig. 5.
Fig. 7A bis 7D sind Draufsichten, die ein Herstellungsverfahren der Flüssigkristallanzeige von Fig. 5 zeigen.
Fig. 8 ist eine Teildraufsicht einer Vergleichs-Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige.
Fig. 9 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Flüssigkristallanzeige von Fig. 8.
Fig. 10 ist eine Teildraufsicht einer anderen Vergleichs-Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige.
Fig. 11 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Flüssigkristallanzeige von Fig. 10.
Fig. 12A bis 12C sind Draufsichten, die verschiedene Anwendungen des Aktivmatrixsubstrates in der Flüssigkristallanzeige von Fig. 10 veranschaulichen.
Fig. 13 ist eine Teildraufsicht einer anderen Vergleichs-Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige eines sechsten Beispiels der vorliegenden Erfindung.
Fig. 14 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Flüssigkristallanzeige von Fig. 13.
Fig. 15 ist ein Diagramm, das ein Muster eines Abschirmfilmes zeigt, der auf einem Gegensubstrat der Flüssigkristallanzeige von Fig. 13 gebildet ist.
Fig. 16 ist eine Teildraufsicht einer herkömmlichen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige.
Fig. 17 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie A-A' der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige von Fig. 16.
Fig. 18 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige von Fig. 16.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Die vorliegende Erfindung wird nunmehr in Einzelheiten beispielsweise anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben.

Beispiel 1

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige nach diesem Beispiel zeigt. Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige von Fig. 1. Die Flüssigkristallanzeige umfaßt ein Aktivmatrixsubstrat 222, auf dem TFTs 224 in der Gestalt einer Matrix gebildet sind, ein Gegensubstrat 223, das dem Aktivmatrixsubstrat 222 gegenüberliegt, und eine Flüssigkristallschicht 216, die dazwischen gelegt bzw. geschichtet ist. Das Aktivmatrixsubstrat 222 umfaßt ein isolierendes Glassubstrat 201 als die unterste Schicht, Gatterleitungen 202, die daraus als sich horizontal erstreckende Abtastleitungen gebildet sind, und Gateelektroden 202a der TFTs 224, die von den Gatterleitungen 202 abgezweigt sind.
Auf dem Glassubstrat 201, das die Gatterleitungen 202 und Gateelektroden 202a trägt, ist eine erster Isolierfilm 203 aus SiNx gebildet, und eine (nicht gezeigte) a-Si-Schicht ist außerdem so vorgesehen, daß sie den ersten Isolierfilm 203 an Stellen bedeckt, wo die Gatterleitungen 202a erzeugt sind. Ein zweiter Isolierfilm 205, der ebenfalls aus SiNx hergestellt ist, ist auf dem a-Si-Film gebildet. Sourceleitungen 207 als Signalleitungen, die aus einem Metall hergestellt sind, und Sourceelektroden 207a der TFTs 224, die von den Sourceleitungen 207 abgezweigt sind, sind auf dem sich ergebenden Glassubstrat 201 angeordnet. Jede Sourceelektrode 207a überlagert teilweise einen linken Seitenteil von jeder Gateelektrode 202a, wobei eine dielektrische Schicht (wie beispielswiese der erste Isolierfilm 203 und dgl.) dazwischen vorgesehen ist. Ein Abschirmfilm, der auch als eine Drainelektrode jedes TFT 224 wirkt (im folgenden als "Drainelektrodelabschirmfilm" bezeichnet) ist über einem rechten Seitenteil von jeder Gateelektrode 202a ausgebildet, um eine größere Fläche als den rechten Seitenteil einzunehmen. Ein anderer Abschirmfilm 210 ist gebildet, wobei er dem Drainelektrodelabschirmfilm über der Gatterleitung 202 gegenüberliegt. Die Bezeichnung "Abschirmung" bedeutet hier ein Verhindern von einem Lichtstreuen bzw. -lecken, das den Kontrast der Flüssigkristallanzeige verschlechtert.
Weiterhin ist ein dritter Isolierfilm 212, der eine Vielzahl von Kontaktöchern 213 hat, über nahezu der gesamten Oberfläche des Glassubstrates 201 gebildet, das die oben erwähnten Filme usw. trägt, ITO (Indiumzinnoxid) ist auf dem dritten Isolierfilm 212 abgelagert, um in Berührung mit der Drainelektrode entsprechend einem Teil von jedem Drainelektrodelabschirmfilm 208 durch jedes Kontaktioch 213 zu kommen, wodurch Pixelelektroden 214 gebildet werden. Eine Ausrichtschicht 215 ist weiterhin auf der Oberseite des sich ergebenden Glassubstrates 201 ausgebildet.
Das dem oben beschriebenen Aktivmatrixsubstrat 222 gegenüberliegende Gegensubstrat 223 hat die folgende Struktur: Farbfilter 220 und Gegenabschirmfilme 219 sind in einem gewünschten Muster auf einem isolierenden Glassubstrat 221 vorgesehen. Eine Gegenelektrode 218 ist darauf ausgebildet, indem die gesamte Oberseite des gemusterten Glassubstrates 221 mit ITO beschichtet wird. Eine Ausrichtschicht 217 ist weiterhin darauf ausgebildet. Jedes Farbfilter 220 liegt jeder der Pixelelektroden 214 gegenüber.
Ein Herstellungsverfahren für eine derartige Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige wird nunmehr anhand der Fig. 3A bis 3F beschrieben.
(1) Wie in Fig. 3A gezeigt ist, wird ein Ta-Film mit einer Dicke von beispielsweise 3000 Angström auf dem Glassubstrat 201 gebildet und gemustert, um dadurch die Gatterleitungen 202 und Gateelektroden 202a zu bilden. Das Glassubstrat 201 kann durch ein isolierendes Substrat ersetzt werden, das aus irgendeinem Material von anderen lichtdurchlässigen Materialien oder einem transparenten Substrat, das mit einem transparenten isolierenden Film beschichtet ist, hergestellt ist.
(2) Der SiNx-Film als der erste Isolierfilm 203 mit einer Dicke von beispielsweise 3000 Angström wird durch Sputtern bzw. Zerstäuben oder durch Plasma-CVD auf der gesamten Oberfläche des in Schritt (1) erhaltenen Glassubstrates 201 ausgebildet. Die (nicht gezeigte) a-Si-Schicht als die Halbleiterschicht der TFTs 224 mit einer Dicke von beispielsweise 300 Angström und der SiNx-Film als der zweite Isolierfilm 205 mit einer Dicke von beispielsweise 2000 Angström werden dann nacheinander auf der gesamten Oberfläche des Glassubstrates 201 gebildet und geätzt, um den zweiten Isolierfilm 205 zu mustern, wie dies in Fig. 3B gezeigt ist.
Ein zusätzlicher Isolierfilm kann durch eine Anodisierung der Gatterleitungen 202 vor dem ersten Isolierfilm 203 gebildet werden. Der erste Isolierfilm 203 kann aus irgendwelchen anderen üblichen Isoliermaterialien abgesehen von SiNx hergestellt werden.
(3) Dann wird mit P dotiertes a-Si mit einer Dicke von beispielsweise 500 Angström auf die gesamte Oberfiäche durch Plasma-CVD geschichtet und gemustert, um (nicht gezeigte) a-Si-Schichten an Teilen vorzusehen, wo die TFTs 224 erzeugt sind. Eine Mo- Schicht mit einer Dicke von beispielsweise 3000 Angström wird durch Spritzen oder Zerstäuben gebildet und geätzt, um die Sourceleitungen 207, die Sourceelektroden 207a, die Drainelektrodelabschirmfilme 208 und die Abschirmfilme 210 in einem Muster zu erzeugen, wie dies in Fig. 3C gezeigt ist. Es sollte darauf geachtet werden, daß die Drainelektrodelabschirmfilme 208 und die Abschirmfilme 210 nicht die Gatterleitungen 202 überlappen können, wobei eine Ausrichtabweichung berücksichtigt wird.
(4) Sodann wird der dritte Isolierfilm 212 durch Beschichten der gesamten Oberseite des sich ergebenden Glassubstrates 201 mit einer organischen Passivierung mit einer Dicke von beispielsweise 1 um gebildet. Anschließend werden die Kontaktlöcher 213 durch Ätzen auf dem dritten Isolierfilm 212 ausgebildet. Beispiele eines Materials für die organische Passivierung umfassen ein Acrylharz, wie beispielsweise JSS-7215 (hergestellt durch Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), ein Polyimid, wie beispielsweise PIX-8803 (hergestellt durch Hitachi Chemical Co., Ltd.) und ein fotoempfindliches Polyimid, wie beispielsweise S414 (hergestellt durch Toray Industries, Inc.). Der dritte Isolierfilm 212 kann aus einem anorganischen Material, wie beispielsweise SiNx, SiO&sub2; und dergleichen abgesehen von den organischen Materialien hergestellt werden.
(5) ITO wird zum Bedecken des dritten Isolierfilmes 212 und Füllen der Kontaktlöcher 213 durch Spritzen bzw. Zerstäuben abgelagert und fotogeätzt, wie dies in Fig. 3D gezeigt ist, um die Pixelelektroden 214 mit jeweils einer Dicke von beispielsweise 1000 Angström zu bilden. Dabei sollte darauf geachtet werden, daß die Pixelelektroden 214 nicht die Gatterleitungen 202 überlappen können, wobei eine Ausrichtabweichung berücksichtigt wird. Die Ausrichtschicht 215 wird dann durch Beschichten der gesamten Oberfläche der so erzeugten Struktur mit einem Polyimid und dergleichen erzeugt und mit einer Reibmethode behandelt.
(6) Das Gegensubstrat 223 wird in der folgenden Weise hergestellt: Der Gegenabschirmfilm 219 mit einem in Fig. 3E gezeigten Muster und das Farbfilter 220 werden auf dem Glassubstrat 221 gebildet. Wenn die Enden der Pixelelektroden 214 gerade über den Enden des Drainelektrodelabschirmfilmes 208 liegen und der Abschirmfilm 210 vorliegt, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, so ist der Gegenabschirmfilm 219 vorgesehen, um einen Spalt zwischen der Gatterleitung 202 und dem Drainelektrodelabschirmfilm 208 sowie einen Spalt zwischen der Gatterleitung 202 und dem Abschirmfilm 210 zu bedekken. Wenn das Ende der Pixelelektrode 214 nicht gerade über dem Ende des Drainelektrodelabschirmfilmes 208 liegt, so bedeckt der Gegenabschirmfilm 219 den kleineren Spalt von: 1) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Drainelektrode/Abschirmfilm 208 sowie 2) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und der Pixelelektrode 214. Wenn das Ende der Pixelelektrode 214 nicht gerade über dem Ende des Abschirmfilmes 210 liegt, so bedeckt der Gegenabschirmfilm 219 den kleineren Spalt von: 1) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Abschirmfilm 210 und 2) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und der Pixelelektrode 214.
ITO wird auf der gesamten Oberseite des in der oben beschriebenen Weise erhaltenen Glassubstrates 221 abgelagert, um die Gegenelektrode 218 zu bilden. Die Ausrichtschicht 217 wird weiterhin darauf mittels Polyimid und dergleichen gebildet und durch die Reibmethode behandelt. Das Glassubstrat 221 kann durch ein isolierendes Substrat ersetzt werden, das durch irgendein Material der anderen lichtdurchlässigen Materialien oder ein transparentes Substrat, das mit einem transparenten isolierenden Film beschichtet ist, hergestellt ist. Das Farbfilter 220 kann bei Bedarf weggelassen werden. Dieser Schritt (6) kann vor den oben beschriebenen Schritten (1) bis (5), d.h. der Herstellung des Aktivmatrixsubstrates, durchgeführt werden.
(7) Schließlich werden das Aktivmatrixsubstrat 222 und das Gegensubstrat 223 aneinander zum Haften gebracht, wie dies in Fig. 3F gezeigt ist. Flüssigkristall wird zwischen die zwei Substrate als die Flüssigkristallschicht 216 injiziert, um eine Flüssigkristallzelle zu erlangen.
In der in der oben beschriebenen Weise hergestellten Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige überlappen die Gatterleitungen 202 nicht die Drainelektrodelabschirmfilme 208 und die Abschirmfilme 310, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Daher wird keine parasitäre Kapazität zwischen den Gatterleitungen 202 und den Drainelektrode/Abschirmfilmen 208 und zwischen den Gatterleitungen 202 und den Abschirmfilmen 210 verursacht. Darüber hinaus überlappen die Gatterleitungen 202 weder die Pixelelektroden 214 noch die Drainelektrodelabschirmfilme 208 und die Abschirmfilme 210. Daher wird ebenfalls keine parasitäre Kapazität zwischen den Gatterleitungen 202 und den Pixelelektroden 214 hervorgerufen.
Somit wird die Verschlechterung der Anzeigeeigenschaften aufgrund einer parasitären Kapazität verhindert.
Die Genauigkeit im Anhaften der beiden Substrate ist niedriger als die Ausricht- bzw. Justiergenauigkeit. Daher muß beim Stand der Technik der Gegenabschirmfilm, der auf dem Gegensubstrat ausgebildet ist, im allgemeinen eine ausreichende Größe besitzen, was zu einer Absenkung des Öffnungsverhältnisses führt. Erfindungsgemäß kann jedoch der Gegenabschirmfilm 219 klein ausgeführt werden, da er lediglich Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Drainelektrode/Abschirmfilm 208 und Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Abschirmfilm 210 abzuschirmen braucht. Somit wird das Öffnungsverhältnis nicht vermindert.

Beispiel 2

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige dieses Beispiels veranschaulicht. Gleiche Bezugszeichen geben in Fig. 1 gezeigte gleiche Teile an.
In der Flüssigkristallanzeige dieses Beispiels ist der Drainelektrodelabschirmfilm 208 in eine Drainelektrode 209 und einen Abschirmfilm 210b unterteilt, die getrennt ausgebildet sind, wobei keine elektrische Verbindung zueinander besteht. Auch in diesem Beispiel sind die Abschirmfilme 210a und 210b so gebildet, daß sie nicht die Gatterleitungen 202 überlappen, und die Gatterleitungen 202 sowie die Pixelelektroden 214 überlappen einander nicht. Weiterhin ist der Gegenabschirmfilm 219 auf dem Gegensubstrat 223 ausgebildet, um einen Spalt zwischen dem Abschirmfilm 210 und der Gatterleitung 202 sowie einen Spalt zwischen dem Abschirmfilm 210b und der Gatterleitung 202 zu bedekken. Wenn jedoch das Ende der Pixelelektrode 214 nicht gerade über dem Ende des Abschirmfilmes 210b liegt, bedeckt der Gegenabschirmfilm 219 den kleineren Spalt von: 1) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Abschirmfilm 210b und 2) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und der Pixelelektrode 214. Wenn das Ende der Pixelelektrode 214 nicht gerade über dem Ende des Abschirmfilmes 210 liegt, ist der Gegenabschirmfilm 219 so vorgesehen, daß er den kleineren Spalt der folgenden Spalten bedeckt: 1) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und dem Abschirmfilm 210 und 2) Spalten zwischen der Gatterleitung 202 und der Pixelelektrode 214.
In den oben beschriebenen zwei Beispielen überlappt keiner der Abschirmfilme die Gatterleitungen. Daher wird eine parasitäre Kapazität zwischen den Abschirmfilmen und den Gatterleitungen 202 nicht verursacht. Zusätzlich wird keine parasitäre Kapazität zwischen den Gatterleitungen 202 und den Pixelelektroden 214 bewirkt, da die Gatterleitungen 202 nicht die Pixelelektroden 214 überlappen. Auf diese Weise werden die Anzeigeeigenschaften im Vergleich mit denjenigen in der herkömmlichen Struktur verbessert. Weiterhin bedeckt der Gegenabschirmfilm den kleineren Spalt von: 1) Spalten zwischen dem Abschirmfilm 210a oder 210b (oder dem Drainelektrodelabschirmfilm 208) und der Gatterleitung 202 und 2) Spalten zwischen der Pixelelektrode 214 und der Gatterleitung 202. Somit kann ein Lichtstreuen bzw. -lecken durch den Spalt abgeschirmt werden. Da darüber hinaus der Gegenabschirmfilm klein sein kann, da er lediglich den oben erwähnten Spalt abzuschirmen braucht, kann eine Verschlechterung des Öffnungsverhältnisses verhindert werden. Zusätzlich ist die Ausbeute nicht verringert, da die Herstellung keine zusätzlichen Schritte benötigt.

Beispiel 3 (Vergleichsbeispiel)

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige gemäß diesem Beispiel veranschaulicht. Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige von Fig. 5. Die Flüssigkristallanzeige umfaßt ein Aktivmatrixsubstrat, auf dem TFTs 324 in der Gestalt einer Matrix gebildet sind, ein dem Aktivmatrixsubstrat gegenüberliegendes Gegensubstrat und eine dazwischen geschichtete Flüssigkristallschicht.
Das Aktivmatrixsubstrat umfaßt ein isolierendes Glassubstrat 301 als die unterste Schicht, Gatterleitungen 202, die darauf als sich horizontal erstreckende Abtastleitungen gebildet sind, und Gatterelektroden 202a der TFTs 324, die von den Gatterleitungen 302 abgezweigt sind.
Auf dem Glassubstrat 301, das die Gatterleitungen 302 und Gatterelektroden 302a trägt, ist ein aus SiNx hergestellter erster Isolierfilm 303 gebildet, und eine (nicht gezeigte) a-Si- Schicht ist weiterhin ausgeführt, um den ersten Isolierfilm 303 an Stellen zu bedecken, wo die Gateelektroden 302a ausgebildet sind. Ein zweiter Isolierfilm 305, der ebenfalls aus SiNx hergestellt ist, ist auf dem a-Si-Film ausgebildet. Sourceleitungen 307 als Vertikalsignalleitungen, die aus einem Metall hergestellt sind, und Sourceelektroden 307a der TFTs 324, die von den Sourceleitungen 307 abgezweigt sind, sind auf dem sich ergebenden Glassubstrat 301 angeordnet. Jede Sourceelektrode 307a überlagert teilweise einen linken Seitenteil von jeder Gateelektrode 302a, wobei der erste Isolierfilm 303 und dergleichen dazwischen angeordnet ist. Eine Drainelektrode 309 des TFT 324 ist auf einem rechten Seitenteil der Gateelektrode 302a ausgebildet. Ein Abschirmfilm 310b ist auf der rechten Seite der Drainelektrode 309 gebildet, um teilweise die Gatterleitung 302 zu überlagern, wobei der erste Isolierfilm 303 und dergleichen dazwischen angeordnet ist.
Ein anderer Abschirmfilm 310 ist gegenüber zu dem Abschirmfilm 310b über der Gatterleitung 302 gebildet, um teilweise die Gatterleitung 302 zu überlagern, wobei der erste Isolierfilm 303 und dergleichen dazwischen angeordnet ist.
Weiterhin ist ein dritter Isolierfilm 312 mit einer Vielzahl von Kontaktöchern 313 über nahezu der gesamten Oberfläche des die oben erwähnten Filme und dergleichen tragenden Glassubstrates 301 ausgebildet, ITO ist auf dem dritten Isolierfilm 312 abgelagert, um in Berührung mit der Drainelektrode 309 durch jedes Kontaktioch 313 zu kommen, um dadurch die Pixelelektroden 314 zu bilden. Eine (nicht gezeigte) Ausrichtschicht ist weiterhin auf der Oberseite des sich ergebenden Glassubstrates 301 vorgesehen.
Das dem oben beschriebenen Aktivmatrixsubstrat gegenüberliegende Gegensubstrat hat eine herkömmliche Struktur.
Ein Herstellungsverfahren für eine derartige Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige wird nunmehr anhand der Fig. 7A bis 7D beschrieben.
(1) Wie in Fig. 7A gezeigt ist, wird ein Ta-Film mit einer Dicke von beispielsweise 3000 Angström auf dem Glassubstrat 301 gebildet und gemustert, um so die Gatterleitungen 302 und die Gateelektroden 302a zu bilden.
(2) Der SiNx-Film als der erste Isolierfilm 303 mit einer Dicke von beispielsweise 3000 Angström wird durch Spritzen bzw. Zerstäuben oder Plasma-CVD auf der gesamten Oberfläche des in Schritt (1) erhaltenen Glassubstrates 301 gebildet. Die (nicht gezeigte) a-Si-Schicht als die Halbleiterschicht der TFTs 324 mit einer Dicke von beispielsweise 300 Angström und der SiNx-Film als der zweite Isolierfilm 305 mit einer Dicke von beispielsweise 2000 Angström werden nacheinander auf der gesamten Oberseite des Glassubstrates 301 gebildet und geätzt, um den zweiten Isolierfilm 305 zu mustern, wie dies in Fig. 78 gezeigt ist.
Ein zusätzlicher Isolierfilm kann durch Anodisierung der Gatterleitungen 302 und der Gateelektrode 302a vor dem ersten Isolierfilm 303 gebildet werden. Der zweite Isolierfilm 305 kann aus jedem anderen Isoliermaterial abgesehen von SiNx hergestellt werden.
(3) Dann wird P-dotiertes a-Si mit einer Dicke von beispielsweise 500 Angström durch Plasma-CVD auf die gesamte Oberseite geschichtet und gemustert, um (nicht gezeigte) a-Si-Schichten an Teilen zu erzeugen, wo die TFTs 324 gebildet sind. Eine Mo-Schicht mit einer Dicke von beispielsweise 2000 Angström wird durch Spritzen bzw. Zerstäuben gebildet und geätzt, um die Sourceleitungen 307, die Sourceelektroden 307a, die Drainelektroden 309 in einem Muster zu bilden, wie dies in Fig. 7C gezeigt ist.
Eine Cr-Schicht mit einer Dicke von beispielsweise 1000 Angström wird durch Sputtern bzw. Spritzen bzw. Zerstäuben gebildet und in ein Muster geätzt, wie dies in Fig. 7C gezeigt ist, um die Abschirmfilme 310 und 310b zu bilden.
Sodann wird der dritte Isolierfilm 312 durch Beschichten der gesamten Oberseite des sich ergebenden Glassubstrates 301 mit einer organischen Passivierung mit einer Dicke von beispielsweise 1 um gebildet. Sodann werden die Kontaktlöcher 313 durch Ätzen auf dem dritten Isolierfilm 312 ausgebildet. Beispiele eines Materials für die organische Passivierung umfassen ein Acrylharz, wie beispielsweise JSS-7215 (hergestellt durch Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), ein Polyimid, wie beispielsweise PIX-8803 (hergestellt durch Hitachi Chemical Co., Ltd.) und ein fotoempfindliches Polyimid, wie beispielsweise S414 (hergestellt durch Toray Industries, Inc.). Der dritte Isolierfilm 312 kann aus einem anorganischen Material, wie beispielsweise SiNx, SiO&sub2; und dergleichen abgesehen von organischen Materialien hergestellt werden.
(4) Schließlich wird ITO mit einer Dicke von beispielsweise 1000 Angström auf dem dritten Isolierfilm 312 durch Spritzen bzw. Zerstäuben abgelagert und geätzt, um die Pixelelektroden 314 so zu bilden, daß sie die Kontaktlöcher 313 und die Abschirmfilme 310 und 310b überlagern. Somit wird das Aktivmatrixsubstrat dieses Beispiels erhalten.
Die oben beschriebenen Herstellungsschritte können vereinfacht werden, indem die Abschirmfilme 310 und 310b mittels des gleichen Materials wie das Material der Sourceleitung zur gleichen Zeit wie die Erzeugung der Sourceleitungen 307 und der Sourceelektroden 307a entsprechend dem Beispiel 1 gebildet werden.
Das in der herkömmlichen Weise erzeugte Gegensubstrat wird an dem Aktivmatrixsubstrat zum Haften gebracht, und ein Flüssigkristall wird dazwischen als die Flüssigkristallschicht injiziert. Die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige dieses Beispiels wird auf diese Weise hergestellt.
Während der Herstellung ist jede Gatterleitung 302 elektrisch mit der Gegenelektrode auf dem Gegensubstrat verbunden. Beispielsweise sind sie miteinander in einer Schaltung zum Ansteuern der Flüssigkristallanzeige verbunden, so daß ein in die Gatterleitung 302 eingespeistes Signal mit einem in die Gegenelektrode eingegebenen Signal synchronisiert ist. Wenn insbesondere die Gegenelektrode durch einen Wechselstrom angesteuert wird, sind auch die Gatterleitungen 302 durch einen Wechselstrom angesteuert. Die Gatterleitungen können mit der Gegenelektrode in jeder der anderen möglichen Weisen verbunden sein.
Die Funktion der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige wird nunmehr beschrieben. In der folgenden Erläuterung wird das Pixel in der Mitte von Fig. 5 als das (N-1)-te Pixel genommen, und ein Pixel auf der Aufwärtsseite hiervon wird als das N-te Pixel angesehen.
Der Abschirmfilm 310 wird so gebildet, daß er die zum N-ten Pixel gehörende Pixelelektrode 314 überdeckt, und die zum benachbarten (N-1)-ten Pixel gehörende Gatterleitung 302 ist elektrisch mit der Gegenelektrode auf dem Gegensubstrat über die Gatterleitungen 302 verbunden. Daher ist ein Teil einer parasitäten Kapazität, die in Teilen verursacht ist, die mit Schräglinien in Fig. 5 markiert sind, d.h. in Teilen zwischen der Pixelelektrode 314 und dem Abschirmfilm 310 und zwischen der Pixelelektrode 314 und der Gatterleitung 302, parallel mit einer Kapazität des Flüssigkristalles verbunden und wird somit als eine Speicherkapazität verwendet. Als ein Ergebnis können die Anzeigeeigenschaften verbessert werden, da eine Auswirkung der parasitäten Kapazität auf die Anzeigeeigenschaften, d.h. ein durch die Gleichung (I) erhaltenes Verhältnis, minimiert ist, was darauf beruht, daß der Nenner groß wird. Darüber hinaus sind das Öffnungsverhältnis und die Ausbeute nicht verringert, da keine Notwendigkeit besteht, Speicherkapazitätsleitungen vorzusehen, die sonst die Anzahl der Herstellungsschritte erhöhen.

Beispiel 4 (Vergleichsbeispiel)

Fig. 8 ist eine Draufsicht, die ein Aktivmatrixsubstrat einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige gemäß diesem Beispiel zeigt. Fig. 9 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' von Fig. 8. Das Pixel in der Mitte von Fig. 8 ist als das (N-1)-te Pixel genommen, und eines auf der Aufwärtsseite hiervon wird als das N-te Pixel angesehen. Gleiche Bezugszeichen geben in Fig. 5 gezeigte, gleiche Teile an.
Die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige gemäß diesem Beispiel hat eine zu derjenigen in Fig. 3 mit Ausnahme von Drainelektrodelabschirmfilmen 308 wie im Beispiel 1 identische Struktur. Das Herstellungsverfahren ist ebenfalls zu demjenigen von Beispiel 3 mit der folgenden Ausnahme identisch: Anstelle der Herstellung der Drainelektrode 309 durch Ätzen der Mo-Schicht wie in Beispiel 3 werden die Drainelektrodelabschirmfilme 308 in einem Muster gebildet, wie dies in Fig. 8 gezeigt ist, und die Abschirmfilme 310 in dem angezeigten Muster werden mittels der Cr-Schicht erzeugt.
Die Funktion der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige wird nunmehr beschrieben. Der Abschirmfilm 310, der gebildet ist, um die zu dem N-ten Pixel gehörende Pixelelektrode 314 zu bedecken, und die zu dem benachbarten (N-1)-ten Pixel gehörende Gatterleitung sind elektrisch mit der Gegenelektrode auf dem Gegensubstrat über die Gatterleitungen 302 verbunden. Daher ist ein Teil der parasitäten Kapazität, die in Teilen verursacht ist, die in Fig. 5 in Schräglinien markiert sind, d.h. in Teilen zwischen der Pixelelektrode 314 und dem Abschirmfilm 310 und zwischen der Pixelelektrode 314 und der Gatterleitung 302, parallel mit einer Kapazität des Flüssigkristalles verbunden und wird somit als eine Speicherkapazität verwendet, was dazu führt, daß der gleiche Effekt wie in Beispiel 3 erhalten wird. Darüber hinaus wendet diese Flüssigkristallanzeige den Drainelektrodelabschirmfilm 308 an, der integral als Drainelektrode und Abschirmfilm arbeitet, so daß kein Spalt zwischen der Drainelektrode und dem Abschirmfilm wie in Beispiel 3 besteht. Als ein Ergebnis kann die Verschlechterung des Kontrastes aufgrund eines Lichtstreuens bzw. -leckens durch einen derartigen Spalt vermieden werden.

Beispiel 5 (Vergleichsbeispiel)

Fig. 10 ist eine Draufsicht, die ein Aktivmatrixsubstrat einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige gemäß Beispiel 5 zeigt. Fig. 11 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' von Fig. 10. Das Pixel in der Mitte von Fig. 10 wird als das (N-1)-te Pixel genommen, und ein Pixel auf der Aufwärtsseite hiervon wird als das N-te Pixel angesehen. Gleiche Bezugszeichen geben in Fig. 8 gezeigte, ähnliche Teile an.
Die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige dieses Beispiels hat eine identische Struktur zu derjenigen von Beispiel 4 mit der Ausnahme, daß weiterhin ein transparentes und leitendes Verbindungsstück 311 vorgesehen ist, um elektrisch den Drainelektrodelabschirmfilm 308 mit dem Abschirmfilm 310 zu verbinden. Das Verbindungsstück 311 arbeitet als eine Drainelektrodenleitung. Das Herstellungsverfahren ist ebenfalls identisch zu demjenigen von Beispiel 4, mit der Ausnahme, daß ein Herstellungsschritt für das Verbindungsstück 311 wie folgt beigefügt ist: Nach dem Erzeugen des Abschirmfilmes 310 wie in Beispiel 4 wird eine ITO-Schicht mit einer Dicke von 1000 Angström durch Spritzen oder Zerstäuben aufgetragen und in ein Muster geätzt, wie dies in Fig. 10 gezeigt ist, um das Verbindungsstück 311 herzustellen. Der dritte Isolierfilm 312 wird über dem Verbindungsstück 311 erzeugt.
Daher ist ein Teil einer parasitäten Kapazität, die in Teilen verursacht ist, die mit Schräglinien in Fig. 10 markiert sind, d.h. in Teilen zwischen der Pixelelektrode 314 und der Gatterleitung 302, parallel mit einer Kapazität des Flüssigkristalles verbunden und wird somit als eine Speicherkapazität verwendet. Die parasitäre Kapazität ist kleiner als in den Beispielen 3 und 4, da der Abschirmfilm 310 mit der Pixelelektrode 314 über den Drainelektrodelabschirmfilm 308 verbunden ist. Obwohl eine kleinere Größe der parasitäten Kapazität als die Speicherkapazität in den Beispielen 3 und 4 verwendet wird, können demgemäß Bilder mit hoher Qualität angezeigt werden, da die Größe der parasitäten Kapazität kleiner ist.
Das vorliegende Beispiel kann auf verschiedene Typen von Aktivmatrixsubstraten angewandt werden, wie dies in den Fig. 12A bis 12C gezeigt ist.
Das in Fig. 12A dargestellte Aktivmatrixsubstrat umfaßt einen Drainelektrode/Leitunglabschirmfilm 308b, der als der Drainelektrode/Abschirmfilm 308 dieses Beispiels und als eine Drainelektrodenleitung arbeitet. Bei diesem Aktivmatrixsubstrat ist der Drainelektrode/Leitunglabschirmfilm 308b elektrisch mit dem Abschirmfilm 310 verbunden.
Das in Fig. 12B gezeigte Aktivmatrixsubstrat umfaßt einen Drainleitunglabschirmfilm 310a, der als der Abschirmfilm 310 dieses Beispiels und als eine Drainelektrodenleitung dient. Bei diesem Aktivmatrixsubstrat ist der Drainleitunglabschirmfilm 310a elektrisch mit dem Drainelektrodelabschirmfilm 308 verbunden.
Das in Fig. 12C gezeigte Aktivmatrixsubstrat umfaßt einen Drainelektrode/Abschirmfilm 308c, der sich längs drei Seiten der Pixelelektrode 314 mit Ausnahme einer Seite, die nicht neben den Gatterleitungen 302 liegt, erstreckt. Der Drainelektrodelabschirmfilm 308c arbeitet als Drainelektrodelabschirmfilm 308 dieses Beispiels und Abschirmfilm 310. Bei den oben beschriebenen drei Anwendungen können die Herstellungsschritte vereinfacht werden, da kein Bedarf zur Bildung des Verbindungsstückes 311 besteht.

Beispiel 6 (Vergleichsbeispiel)

Fig. 13 ist eine Draufsicht, die ein Aktivmatrixsubstrat einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige gemäß diesem Beispiel zeigt. Fig. 14 ist eine Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' von Fig. 13. Gleiche Bezugszeichen geben in Fig. 8 gezeigte, gleiche Teile an.
Diese Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige umfaßt ein Aktivmatrixsubstrat 322, auf dem die TFTs 324 in der Gestalt einer Matrix gebildet sind, ein zu dem Aktivmatrixsubstrat 322 gegenüberliegendes Gegensubstrat 323 und eine dazwischen geschichtete Flüssigkristallschicht 316.
Das Aktivmatrixsubstrat 322 ist nahezu identisch zu demjenigen von Beispiel 4. Jedoch liegt das Ende des Drainelektrodelabschirmfilmes 308 nicht gerade über dem Ende der Gatterleitung 302, sondern es besteht ein Spalt zwischen den beiden Enden.
Das Gegensubstrat 323 umfaßt Abschirmfilme 319, die auf einem Glassubstrat 321 so gebildet sind, daß sie den oben erwähnten Spalt überdecken. Farbfilter 320 liegen zu den Pixelelektroden 314 auf dem Aktivmatrixsubstrat 322 gegenüber, und eine Ausrichtschicht 317 ist weiterhin darauf gebildet. Die Farbfilter 320 können bei Bedarf weggelassenwerden.
Das Herstellungsverfahren einer derartigen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige ist wie folgt: Das Aktivmatrixsubstrat 322 wird in der gleichen Weise wie in Beispiel 4 hergestellt.
Die Abschirmfilme 319 werden auf dem Glassubstrat 321 in einem Muster gebildet, wie dies in Fig. 8 gezeigt ist. ITO wird als eine Gegenelektrode 318 über der gesamten Oberfläche des die Abschirmfilme 319 tragenden Glassubstrates 321 abgeschieden. Ein Polyimid wird über der Gegenelektrode 318 aufgetragen, um die Ausrichtschicht 317 zu bilden, die sodann durch die Reibmethode behandelt wird. Die Farbfilter 320 können bei Bedarf auf Teilen gebildet werden, die den Pixelelektroden 314 gegenüberliegen. Schließlich werden das Aktivmatrixsubstrat 322 und das Gegensubstrat 323 aneinander zum Haften gebracht, und der Flüssigkristall wird dazwischen injiziert, um die Flüssigkristallschicht 316 zu bilden.
Eine derartige Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige hat, abgesehen von dem Effekt, der durch Verwenden der parasitäten Kapazität als die Speicherkapazität erhalten ist, eine Wirkung zum Verbessern der Anzeigeeigenschaften, da das Lichtstreuen bzw. -lecken durch die Gatterleitungen 302 als Abtastleitungen vollständig gesperrt ist.
In diesem Beispiel werden die Abschirmfilme 319 vorgesehen, um ein Lichtstreuen bzw. -lecken durch Spalten zwischen Drainelektrodelabschirmfilmen 308 und den Gatterleitungen 302 zu blockieren bzw. zu sperren. Jedoch ist die Lage des Abschirmfilmes 319 nicht hierauf begrenzt, sofern ein Lichtstreuen bzw. -lecken durch den auf dem Aktivmatrixsubstrat gebildeten Abschirmfilm gesperrt bzw. blockiert werden kann. Verschiedene andere Abwandlungen sind für den Fachmann ersichtlich und können vorgenommen werden, ohne vom Bereich dieser Erfindung, wie diese in den beigefügten Patentansprüchen definiert ist, abzuweichen. Es ist nicht beabsichtigt, daß der Bereich der beigefügten Patentansprüche auf die obige Beschreibung eingeschränkt ist.

Claims

1. Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige, umfassend:

ein Aktivmatrixsubstrat (222), aufweisend: eine Vielzahl von parallelen Abtastleitungen (202), eine Vielzahl von parallelen Signalleitungen (207), die die Abtastleitungen kreuzen, Pixelelektroden (214), die in durch zwei benachbarte Abtastleitungen und zwei benachbarte Signalleitungen festgelegten Substratteilen ausgebildet sind, Schaltelemente (224), deren jedes mit einer entsprechenden Pixelelektrode und einer entsprechenden Abtastleitung sowie einer entsprechenden Signalleitung verbunden ist, und Paare von ersten Abschirmfilmen (208, 210),

ein Gegensubstrat (223), das zu dem Aktivmatrixsubstrat gegenüberliegt und eine Gegenelektrode (218) hat,

einen zweiten Lichtabschirmfilm (219), und

eine zwischen dem Aktivmatrixsubstrat und dem Gegensubstrat angeordnete Flüssigkristallschicht (216),

dadurch gekennzeichnet, daß

jedes Paar der Paare der ersten Abschirmfilme mit einem Abschirmfilm auf jeder Seite einer zugeordneten Abtastleitung vorgesehen ist, um ein Lichtstreuen bzw. -lecken längs der Abtastleitungen zu verhindern, und keiner der ersten Abschirmfilme die Abtastleitungen überlagert.

2. Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, bei der der zweite Abschirmfilm den kleineren Spalt der folgenden Spalten überdeckt: (1) Spalten zwischen dem Paar der ersten Abschirmfilme und der dadurch zwischengelegten Abtastleitungen und (2) Spalten zwischen den Pixelelektroden und der Abtastleitung.

3. Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, bei der die Schaltelemente Dünnfilmtransistoren sind und bei der die Drain-Elektrode in jedem Dünnfilmtransistor auch als ein erster Abschirmfilm des Paares der ersten Abschirmfilme dient.

4. Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, bei der die Signalleitungen und die ersten Abschirmfilme aus dem gleichen Material hergestellt sind.