CN105116582B - 液晶显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶显示装置及其制作方法，所述液晶显示装置包括：阵列基板、与阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层，彩色滤光基板包括面向阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层，阵列基板包括多条扫描线和多条相互平行的数据线，覆盖在扫描线表面、数据线表面的第一绝缘层，设置在第一绝缘层表面的第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极，设置在第二绝缘层表面的像素电极，其中，多条扫描线和多条数据线相互交叉以限定出多个像素单元；薄膜晶体管的源极和漏极与数据线相接触。本发明液晶显示装置及其制作方法能够提升液晶显示装置画面的显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示装置及其制作方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，目前在平板显示领域占主导地位。随着显示技术的快速发展，采用TN(twisted nematic，扭曲向列)技术架构的TN型液晶显示装置由于成本低廉以及响应速度快等多种优势，受到消费者的关注。
图1是现有的一种TN型液晶显示装置的局部剖面结构示意图。如图1所示，现有的TN型液晶显示装置，包括阵列基板11、彩色滤光基板12及夹置于阵列基板11和彩色滤光基板12之间的液晶层13。彩色滤光基板12包括基板120及设置在基板120面对阵列基板11一侧的表面的第一公共电极127。阵列基板11包括基板101及依次设置在基板101面对彩色滤光基板12一侧的表面的第二公共电极105、覆盖在第二公共电极105表面的第一绝缘层102、覆盖在第一绝缘层102表面的数据线103和第二绝缘层107、以及覆盖在第二绝缘层107表面的像素电极106。上述结构的液晶显示装置中，因像素电极106和数据线103之间的距离较小，在此情况下，像素电极106与其相邻的数据线103之间容易产生电容耦合效应，从而会产生垂直串扰现象，进而影响液晶显示装置的画面品质。为了解决上述问题，现有技术通常可以在数据线103和像素电极106之间增加一层绝缘薄膜，其中，多加一层绝缘薄膜的设计，虽然可以减少电容耦合效应，然而这种方法由于绝缘薄膜的存在，容易导致液晶显示装置的开口率降低，进而还会影响液晶显示装置画面的显示质量。
发明内容
本发明提供一种液晶显示装置及其制作方法，能够提升液晶显示装置画面的显示质量。
所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置，包括：阵列基板、与阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层，彩色滤光基板包括面向阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层，阵列基板包括多条扫描线和多条相互平行的数据线，覆盖在扫描线表面、数据线表面的第一绝缘层，设置在第一绝缘层表面的第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极，设置在第二绝缘层表面的像素电极，多条扫描线和多条数据线相互交叉以限定出多个像素单元；薄膜晶体管的源极和漏极与数据线相接触。
在本发明较佳的实施例中，阵列基板上还开设一过孔，过孔位于数据线的正上方并穿过第一绝缘层，且过孔的底部与数据线的表面相接触，薄膜晶体管的源极和漏极设置在过孔的内壁面，且薄膜晶体管的源极和漏极与位于过孔底部的数据线表面相接触。
在本发明较佳的实施例中，第一绝缘层的材料为非晶硅或N型硅。
在本发明较佳的实施例中，第二绝缘层的材料为氮化硅。
在本发明较佳的实施例中，第一公共电极和第二公共电极及像素电极为透明导电材质。
本发明实施例还提供了一种液晶显示装置的制作方法，所述液晶显示装置的制作方法，包括：提供液晶显示装置的彩色滤光基板，并在彩色滤光片基板上依次形成黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层；形成阵列基板的第二玻璃基底，在第二玻璃基底上方形成多条扫描线和多条相互平行的数据线；在扫描线表面、数据线表面和第二玻璃基底表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层表面形成第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极；以及在第二绝缘层表面覆盖像素电极，且使薄膜晶体管的源极和漏极与数据线相接触。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在扫描线表面、数据线表面和第二玻璃基底表面设置第一绝缘层；在第一绝缘层表面设置第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极；以及在第二绝缘层表面设置像素电极，从而本发明数据线的电场能够被公共电极遮蔽，减小了像素电极与数据线之间的电容藕合效应，可以从原理上改善垂直串扰现象，提升了画面显示质量，并且第二公共电极与像素电极之间的间距减小还可以在不改变正对面积的情况下增加存储电容，进一步提升了液晶显示装置画面的显示质量。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是现有的一种TN型液晶显示装置的局部剖面结构示意图；
图2是本发明实施例的液晶显示装置的局部剖面结构示意图；
图3是图2的液晶显示装置的阵列基板的平面图；
图4是图3的阵列基板沿B-B线的剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的液晶显示装置及其制作方法及其制作方法其具体实施方式、结构、特征及功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图2是本发明实施例的液晶显示装置的局部剖面结构示意图。图3是图2的液晶显示装置的阵列基板的平面图。图4是图3的阵列基板沿B-B线的剖面结构示意图。请参考图2至图4，本实施例的液晶显示装置300是TN型的液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)，但并不以此为限，例如也可以是主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，AMOLED)显示装置。液晶显示装置300包括：阵列基板301、与阵列基板301相对设置的彩色滤光基板303、夹置在阵列基板301和彩色滤光基板303之间的液晶层305。本实施例中，液晶层305中的液晶分子是TN型液晶。
其中，如图2所示，彩色滤光基板303包括第一玻璃基底311、设置在第一玻璃基底311表面的黑矩阵312、设置在第一玻璃基底311且和黑矩阵312间隔设置的色阻层313、覆盖在色阻层313和黑矩阵312表面的第一公共电极316和覆盖在第一公共电极316表面的平坦层(Over Coat)318，平坦层318位于第一公共电极316的面向阵列基板301的一侧，具体地，第一公共电极316设置于色阻层313和平坦层318中间，但并不以此为限，在其他实施例中，第一公共电极316也可以设置于第一玻璃基底311与黑矩阵312以及色阻层313之间，此外，第一公共电极316还可以设置于色阻层313与黑矩阵312以及第一玻璃基底311之间。其中，黑矩阵312可由树脂材料形成，平坦层318可由有机绝缘材料形成。第一公共电极316为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。
如图3和图4所示，阵列基板301包括第二玻璃基底330，设置在第二玻璃基底330表面的多条扫描线(图中未示出)和多条相互平行的数据线345，覆盖在扫描线表面、数据线345表面和第二玻璃基底330表面的第一绝缘层341，设置在第一绝缘层341表面的第二绝缘层344、第二公共电极343、薄膜晶体管的源极和漏极(图中未示出)，设置在第二绝缘层344表面的像素电极334，薄膜晶体管的源极和漏极与数据线345相接触。其中，数据线345与扫描线相互交叉绝缘设置以限定出多个像素单元，第一绝缘层341的材料可以为非晶硅(a-Si)或N型硅(n+Si)。第二绝缘层344的材料可以为SiNx(氮化硅)，第二公共电极343及像素电极334为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。多条扫描线和多条相互平行的数据线345位于同一层。
进一步地，本实施例中，阵列基板301上还开设一过孔355，过孔355位于数据线345的正上方并穿过第一绝缘层341，且过孔355的底部与数据线345的表面相接触，薄膜晶体管的源极和漏极设置在过孔355的内壁面，且薄膜晶体管的源极和漏极与位于过孔355底部的数据线345表面相接触。
在本发明实施例中，由于阵列基板301的第一绝缘层341表面上设置的第二公共电极343使用透明导电材料制成，并且第二公共电极343位于数据线345上方，因导电材料具有屏蔽电场作用，因此第二公共电极343可以屏蔽数据线345的电场，减小像素电极334与数据线345之间的电容藕合效应，避免了垂直串扰现象，从而提升了液晶显示装置的显示质量。并且本发明实施例液晶显示装置还可以增加存储电容(即第二公共电极343和像素电极334之间的电容)，而增加存储电容可以使得像素电极334电压保持稳定，也能够改善串扰现象，从而进一步提升了液晶显示装置画面的显示质量。本发明实施例的液晶显示装置结构能够增加存储电容主要是因为：因电容的计算公式为C＝εrε0*S/d，其中，C为电容，εr为相对介电常数，与材料特性有关，ε0为绝对介电常数，S为电极的面积，d为电极之间的距离。现有的液晶显示装置中，如图1所示，第二公共电极105与像素电极106之间的电容介质是第二绝缘层107，本发明实施例中第二公共电极343与像素电极334之间的电容介质是第一绝缘层341和第二绝缘层344，因本发明实施例的电容介质多于图1的电容介质，因此图1的相对介电常数εr大于本发明实施例的相对介电常数εr，另外，图1的第二公共电极105与像素电极106之间的距离d大于本发明实施例的第二公共电极343与像素电极334之间的距离d，因此，由电容计算公式可知，本发明实施例的存储电容相比现有技术存储电容较大，从而能够改善串扰现象，提升了液晶显示装置画面的显示质量。
以下将对液晶显示装置300的制作方法作进一步说明。
首先，提供液晶显示装置300的彩色滤光基板303。本实施例中，液晶显示装置300包括阵列基板301、与阵列基板301相对设置的彩色滤光基板303、夹置在阵列基板301和彩色滤光基板303之间的液晶层305，但并不以此为限。彩色滤光基板303的制作步骤包括在彩色滤光片基板303上依次形成黑矩阵312、色阻层313、第一公共电极316、和平坦层318等结构的制作步骤，其为本领域技术人员较为熟知，在此不再赘述。
然后，形成阵列基板301的第二玻璃基底330，在第二玻璃基底330上方形成多条扫描线和多条相互平行的数据线345。
接着，在扫描线表面、数据线345表面和第二玻璃基底330表面形成第一绝缘层341。
然后，在第一绝缘层341表面形成第二绝缘层344、第二公共电极343、薄膜晶体管的源极和漏极。
接着，在第二绝缘层344表面覆盖像素电极334，且使薄膜晶体管的源极和漏极与数据线345相接触。
具体地，使像素电极334与数据线345相接触包括：在数据线345的正上方开设一穿过第一绝缘层341的过孔355，且过孔355的底部与数据线345的表面相接触，在过孔355的内壁面形成薄膜晶体管的源极和漏极，且薄膜晶体管的源极和漏极与位于过孔355底部的数据线345表面相接触。
其中，第一绝缘层341的材料可以为非晶硅(a-Si)或N型硅(n+Si)。第二绝缘层344的材料可以为SiNx(氮化硅)，第二公共电极343及像素电极334为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。
此外，在制作完成像素电极334后还包括其他结构例如保护层的制作、贴附偏光片等，其为本领域技术人员较为熟知，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的液晶显示装置及其制作方法，通过在扫描线表面、数据线表面和第二玻璃基底表面设置第一绝缘层；在第一绝缘层表面设置第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极；以及在第二绝缘层表面设置像素电极，从而本发明数据线的电场能够被公共电极遮蔽，减小了像素电极与数据线之间的电容藕合效应，可以从原理上改善垂直串扰现象，提升了画面显示质量，并且第二公共电极与像素电极之间的间距减小还可以在不改变正对面积的情况下增加存储电容，进一步提升了液晶显示装置画面的显示质量。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (8)
1.一种液晶显示装置，包括：阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在所述阵列基板和所述彩色滤光基板之间的液晶层，其特征在于，
所述彩色滤光基板包括面向所述阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层，
所述阵列基板包括多条扫描线和多条相互平行的数据线，覆盖在所述扫描线表面、数据线表面的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层表面的第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极，设置在所述第二绝缘层表面的像素电极，其中，所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉以限定出多个像素单元；所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述数据线相接触；所述第二公共电极位于所述数据线上方；所述多条扫描线和所述多条相互平行的数据线位于同一层；
其中，所述阵列基板上还开设一过孔，所述过孔位于所述数据线的正上方并穿过所述第一绝缘层，且所述过孔的底部与所述数据线的表面相接触，所述薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述过孔的内壁面，且所述薄膜晶体管的源极和漏极与位于所述过孔底部的数据线表面相接触。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为非晶硅或N型硅。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一公共电极和所述第二公共电极及所述像素电极为透明导电材质。
5.一种液晶显示装置的制作方法，其特征在于，其包括：
提供液晶显示装置的彩色滤光基板，并在所述彩色滤光片基板上依次形成黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层；
形成阵列基板的第二玻璃基底，在所述第二玻璃基底上方形成多条扫描线和多条相互平行的数据线，所述多条扫描线和所述多条相互平行的数据线位于同一层；
在扫描线表面、数据线表面和第二玻璃基底表面形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层表面形成第二绝缘层、第二公共电极、薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述第二公共电极位于所述数据线上方；以及
在所述第二绝缘层表面覆盖像素电极，且使所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述数据线相接触；
其中，使所述像素电极与所述数据线相接触包括：在所述数据线的正上方开设一穿过所述第一绝缘层的过孔，且所述过孔的底部与所述数据线的表面相接触，在所述过孔的内壁面形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，且所述薄膜晶体管的源极和漏极与位于所述过孔底部的所述数据线表面相接触。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为非晶硅或N型硅。
7.根据权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
8.根据权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一公共电极和所述第二公共电极及所述像素电极为透明导电材质。
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